TW379389B - A method to polish semiconductor wafers - Google Patents

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經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 ____ B7_ 五、發明説明（1 ) 〔本發明所屬之技術領域〕 本發明係有關於一種半導體晶片（以下簡稱爲晶片） 之研磨方法，特別是有關半導體晶片之精加工研磨方法改 良· 〔關連技術〕 近年來，工業規模長足擴大生產的半導體晶片之精密 加工方面，由於對加工面之平坦度及表面粗度的要求水準 提高同時對生產、檢測機構等投下多額投資，故達成提昇 生產性及降低生產成本乃爲重要的課題》 一般，藉單面研磨裝置所研磨之半導體晶片的情形， 係將半導體晶片固持在托架板而鏡面研磨其表面。此時作 爲固持晶片之方法，係利用在晶片的單面塗佈描I劑，具有 固定在托架之上蠘法、真空吸附之無蠟法和使用以多孔質 樹脂所製成之非容積壓縮性材料以水貼晶片之無蠟法。 於上蠟法中，爲了支持半導體晶片使用蠟劑會導致① 需要浪費時間將半導體晶片固定在托架、②半導體晶片會 受到蠟劑污染、③研磨後卸下晶片容易引起污染、損傷等 缺點。又，蠟劑塗布的黏貼層厚度之不均會完全反映在晶 片之平面度、平行度等。因而，必需製成均一的黏貼著層 厚度，但此作業非常困難而必需熟練。 另一方面，近年來隨著積體電路元件之高密度化，晶 片的精度也要求的越加嚴格。除人工進行孅劑之塗佈外’ 會在黏貼層厚度之均一性與再現性形成自然的界限。但使 本紙張尺度適用中國國家標準（CMS ) A4规格（210ΧΜ7公釐） I---------^------π------.^ (請先閲i*-背面之注f項再填寫本頁) —A — 經濟部中央橾準局員工消費合作社印策 A7 _____ B7 五、發明説明（2 ) 用蠟劑的黏貼，則不可欠缺作爲後處理的蠟除去作業，造 成妨害自動化的主要因素。 因而，習知之無蠟法就晶片黏貼力 '平行度和平面性 的重點方面依然具有各自的缺點。於是，本申請人爲解決 習知之無蠘法的缺點’即提供一利用晶片黏貼力、平行度 及平面性優良之隔板墊來固持晶片，且利用研磨而製造平 行度及平面性優良的晶片之無蠘法（日本特開平4 ~ 13 5 6 8號公報）。 又，針對半導體晶片之鏡面精加工研磨以兩面研磨裝 置來進行的非常之多。由於兩面研磨裝置，相較於一般的 單两研磨裝置是不使用蠘劑來支持半導體晶片，故沒有所 謂使用上述蠟劑的單面研磨裝置所具有的缺點之長處。 有關此公知之兩面研磨裝置2 2可與第5及6圖一起 加以說明。第5圖係兩面研磨裝置之斷面說明圖。第6圖 係表示卸下兩面研磨裝置的上定盤狀態之上面說明圖。 第5圓中，兩面研磨裝置2 2係設有相對上下方向被 相對設置之下定盤2 4及上定盤2 6。分別在該下定盤2 4的上面舖設下研磨布24 a，又，在上定盤2 6的下面 舖設上研磨布2 6 a。該下定盤2 4及上定盤2 6則藉著 圖示沒有的驅動裝置使其互相反向的旋轉。 該下定盤2 4在其中心部上面設有中心齒輪28，在 其周緣部則相鄰的設置環狀之內齒輪3 0。 3 2係爲圓板狀之托架，並被夾持在該下定盤2 4的 下研磨布2 4 a之上面與該上定盤2 6的上研磨布2 6 a 本紙張尺度適用中國國家梯準（CNS ) A4规格（210Χ297公釐） I- ——————— -1 ^ K n I n 11 n n n 11 ^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央橾準局負工消费合作社印策 A7 ____B7 五、發明説明（3 ) 之下面間，然後藉著該中心齒輪2 8及內齒輪3 0的作用 一邊自轉及公轉一邊在該下研磨布2 4 a與該上研磨布2 6 a之間滑動。 於該托架3 2貫穿多個托架孔3 4。須研磨的晶片W 則被配置在該托架孔3 4內。於研磨該晶片W時，研磨劑 係從噴嘴3 6介於被設在上定盤2 6之貫穿孔3 8而被供 給至晶片W與研磨布2 4 a及2 6 a之間，與該托架3 2 之自轉及公轉一起自轉及公轉的該晶片W會在該下研磨布 2 4 a與上研磨布2 6 a之間滑動，來研磨晶片W的兩面 〇 但是，爲提高兩面研磨的精加工面精度》必需改變兩 面研磨裝置之研磨布成爲軟質研磨布，還有研磨劑爲極微 細粉未磨粒，但要是那樣做的話其與半導體晶片之間的摩 擦阻力會變大》 而且，被固持在兩面研磨裝置之托架中的半導體晶片 ，不足以抵抗此增大的摩擦阻力會更超出托架的承受範圍 ，而於研磨中發生破壞半導體晶片等之事故。 甚至因藉由上述半導晶片的破壞而導致研磨板和托架 的破損，故對製造過程會有極大損害的缺點。 爲解決上述兩面研磨裝置的半導體晶片之鏡面研磨作 業之缺點，故半導體晶片之鏡面精加工研磨，提供一包含 將兩面研磨裝置的研磨面在研磨布注入研磨劑以形成第1 次研磨之過程與爲了除去經由前述過程所少量殘留在半導 體晶片主面之污染，將前述第1次研磨後之半導體晶片這 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公釐） — -6 - I------i^------nlr------.^- (請先閲价背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央樣準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（4 ) 邊的主面藉減壓吸附支持，且藉由在比前述研磨布更軟質 之研磨布注入研磨劑的研磨面之單面研磨裝置來滑動半導 體晶片的另一個主面來施行第2次研磨之過程的半導體晶 片之研磨方法（日本特公平1 — 2 2 1 1 3號公報）。 但是，在使用上述提供之半導體晶片之研磨方法如單 片式單面吸附方式之單面研磨裝置的情形，由於無法一次 一枚固持晶片，故有所謂生產性差，且會在吸附面夾入異 物，被研磨的晶片產生極多的凹陷不良品，晶片的內面形 狀極易被轉印在表面的缺點。 〔本發明欲解決之問題〕 本發明，因有鑑於上述情形，故提供一爲了能一次固 持多枚晶片以提高生產性，凹陷不良品極少，且藉著應用 兩面研磨製成被研磨的晶片平坦度比習知之單面研磨更爲 良好的半導體晶片之研磨方法爲目的。 〔用以解決課題之手段〕 爲解決上述課題，本發明之半導體晶片之研磨方法， 其特徵爲：使用兩面研磨裝置研磨半導體晶片兩面之第1 次研磨過程與使用單面研磨裝置的托架板上將具有1個以 上的晶片定位用孔的導板藉著在該定位用孔放入隔板墊使 其固定之晶片固持治具來固持半導體晶片的一邊且研磨半 導體晶片的另一邊之第2次研磨過程所構成。 上述第2次研磨過程結束後最好對應而求精加工研磨 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > A4規格（210X297公釐） 一 ~ -7 - -----------^------1T------0 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央梯準局貝工消費合作社印袈 A7 B7 五、發明説明（5 ) 上述半導體的另一邊。 前述所謂隔板墊，係由疏水性發泡體所製成，承受 300gf/ciri荷重時的厚度Τι和承受1800gf /cni荷重時的厚度T2之差（Τι— T2)爲1〜 1 0 0 jam，且被形成在其晶片固持面之孔，其孔徑最好 .使用10〜30μπι者。 前述所謂隔板墊，最好每分鐘承受3 0 0 g f/cnf 荷重時之中心，自垂直的兩直徑的外周端以5mm之刻度 5度的厚度之最大與最小差TV5爲1 以下。 作爲前述所謂隔板墊*係以其晶片固持面爲上面，將 該隔板墊之晶片固持面用精密平面研磨盤使其固定在托架 板的狀態，最好其平面性以每分鐘承受3 0 0 g f/cnf 荷重時之中心，自垂直的兩直徑的外周端以5mm之刻度 5度的該隔板墊的厚度之最大與最小之差TV5爲1#111 以下*作平面研磨。 最好在前述導板之晶片定位用孔之內周緣部與前述隔 板墊之外周緣部之間設0. 5mm〜1. 5mm之間隙。 〔本發明之實施形態〕 以下，根據所附圖面說明有關本發明之一之實施形態 〇 本發明之半導體晶片之研磨方法，係具有第1次研磨 過程與第2次研磨過程之兩次研磨過程。本發明之第1次 研磨過程的兩面研磨，係使用第5及6圖所示之習知兩面 本紙張尺度適用中國國家梯準（CNS〉A4規格（210X297公釐） -T---------裝------訂------線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -8 一 經濟部中央標準局貝工消費合作社印聚 A7 _B7_ 五、發明説明（6 ) 研磨裝置2 2所完成’因其構造及·丨乍用係如前所述’故省 略再度之說明。 接著，藉由第1圖所示之單面研磨裝置施行第2次研 磨過程。第1圖中’單面研磨裝置1 ’係由旋轉定盤2、 晶片固持治具3和研磨劑供給裝置4所構成。在旋轉定盤 2上面貼有研磨襯墊6。旋轉定盤2係藉著旋轉軸7以規 定的旋轉速度旋轉。 該晶片固持治具3，則藉後述之構造’在其下面固持 晶片W，藉旋轉軸8旋轉之同時以規定之荷重在研磨襯墊 6壓住晶片W。研磨劑供給裝置4則以規定之流量將研磨 劑9供給至研磨襯墊6，此研磨劑9則利用供給至晶片W 與研磨襯墊6之間而加以研磨晶片W。 上述晶片固持治具3係設有特有之隔板墊11(第2 圖）。該隔板墊1 1係疏水性之發泡體，在其表面貫穿多 個孔1 2。半導體晶片W則利用水的表面張力使其吸附在 隔板墊1 1 ，但是在隔板墊1 1的表面所產生的水薄膜， 會使黏貼力下降，於研磨時會令晶片旋轉（空轉）。爲防 止此晶片旋轉（空轉），故將隔板墊11製成疏水性。 又，孔12的孔徑爲10〜30；t/m。當孔徑超過 3 0 Am時，晶片黏貼力會下降，於研磨中會產生晶片的 移動、旋轉等，即無法進行良好的研磨。又，當孔徑未達 1 0 /zm時，晶片的黏貼力很大，但卻不能抽光隔板墊 1 1與晶片W的黏著面之空氣，若繼續研磨的話即無法研 磨良好平行度。 本紙張尺度適用中國國家標率（CNS ) A4規格（210X297公釐） " -9 - I.--------餐------1T------0 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 B7 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 五、 發明説明（ 7 ) 1 I 又 > 因 爲 該 隔 板 墊 1 1 是 具 有 彈 性 的 發 泡 體 樹脂 t 且 1 1 1 具 有 適 度 的 柔 軟 度 Θ 作 爲 此 柔 軟 度 * 最 好 是 承 受 3 0 0 1 1 | S f / C m* 荷 重 時 的 隔 板 墊 1 1 之 厚 度 T 1 與 承 受 1 I 請 | 1 8 0 0 S f / C m 荷 重 時 的 隔 板 墊 1 1 之 厚 度 T 2 之 差 先 閲 1 I 讀· 1 | ( T 1 一 T 2 ) 爲 1 1 0 0 β m 0 背 面 1 1 之 1 而 且 ( T 1 — Τ 2 ) 的 值 愈 大 則 表 示 愈 軟 > ( T 1 意 1 I 事 1 — T 2 ) 的 值 愈 小 則 表 示 愈 硬 〇 再 • I 上 述 之 柔 軟 度 > 係 表 示 在 壓 縮 應 力 3 0 0 g f / C πί 供 寫 本 古 裝 I 與 1 8 0 0 g f / C rrf 之 間 的 壓 縮 應 變 之 差 > 概 略 的 表 示 Μ 1 1 I 相 當 於 壓 縮 彈 性 率 的 倒 數 之 量 因 3 0 0 g f / C m* 係相 1 1 當 於 研 磨 時 耗 在 隔 板 墊 1 1 的 最 低 限 度 之 壓 力 > 所 以 上 述 1 1 之 柔 軟 度 係 表 示 所 謂 相 當 於 在 研 磨 時 的 壓 縮 應 力 下 的 壓 訂 1 縮 彈 性 率 的 倒 數 之 量 0 1 I 此 ( T 1 — T 2 ) 未 達 1 β m 隔 板 墊 1 1 則 過 硬 > 1 I 會 降 低 晶 片 的 黏 貼 力 研 磨 中 所 產 生 的 晶 片 之 移 動 、 旋 轉 1 1 線 等 即 難 以 進 行 良 好 的 研 磨 0 又 在 隔 板 墊 1 1 與 晶 片 W 之 1 間 白 空 氣 等 混 入 異 物 時 堅 硬 的 隔 板 墊 爲 -Air m 法 吸 收 其 異 物 1 1 形 狀 晶 片 W 就 會 頻 頻 發 生 凹 陷 不 良 品 0 若 ( T 1 — T 2 1 ) 是 在 1 1 0 0 β m 的 範 圍 那 在 隔 板 墊 1 1 與 晶 片 W 1 1 之 間 白 空 氣 等 混 入 的 異 物 就 會 變 化 爲 隔 板 墊 1 1 的 形 狀被 1 | 吸 收 即 具 有 異 物 凹 陷 不 良 品 減 低 之 優 點 〇 一 方 面 > 若 ( 1 I T 1 — T 2 ) 超 過 1 0 0 β m 時 > 由 於 發 泡 體 過 軟 9 隔 板 1 1 I 墊 1 1 難 以 磨 出 精 密 平 面 研 磨 加 工 等 之 加 工 精 度 9 隔 板 墊 1 1 1 1 難 以 得 到 良 好 的 平 面 性 〇 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -10 - 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 A7 __B7 五、發明説明（8 ) 又，隔板墊1 1係以每分鐘承受300g f/cnf荷 重時之定壓厚度測定器之中心，自垂直的兩直徑外周端以 5mm之刻度5度的厚度之最大與最小之差TV5爲1 以下，隔板墊1 1的整個面會有均一的彈性，得以製 成平行度及平面度良好的鏡面研磨。 又，該隔板墊1 1爲圓盤狀其外徑略與晶片W外徑相 同，導板1 6的晶片定位用孔1 8的直徑與該晶片的外徑 之差最好爲1 mm以內。 作爲該隔板墊1 1的製造方法之一例，使聚醚系聚胺 基甲酸酯等的疏水性發泡樹脂塗布在薄膜後令其發泡，然 後成爲研磨表面之方法*但此時可從薄膜剝下發泡體加以 使用，或者也可直接使用。另外，亦可使用此方法以外的 方法所製造之發泡體。 於研磨晶片W之際，由於要求隔板墊1 1的晶片固持 面爲完全的平面，故隔板墊1 1的晶片固持面最好是精密 的平面研磨加工。此時如第3圖所示，以隔板墊1的晶片 固持面爲上，用黏著劑1 4黏貼在托架板1 3的狀態藉著 平面研磨盤15進行平面研磨加工。 作爲精密的平面研磨加工法，係平均粒度直徑比5 0 〜1 0 0 的金剛石等的隔板墊1 1更硬的磨粒，用具 有以燒結金屬等固結而被混入表面的杯型車輪之平面研磨 盤15，以每分鐘承受300gf/cirf荷重時之中心， 自垂直的兩直徑的外周端以5 mm之刻度5度的隔板墊的 厚度之最大與最小之差TV5爲1 以下，精密的平面 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） — -11 - J-------------'1T-------^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印取 A7 B7 五、發明説明（9 ) 研磨加工隔板墊之晶片固持面。 晶片固持面被精密平面加工的隔板墊1 1 ，係以貼在 托架板1 3的狀態來製作晶片固持治具3。亦即，如第4 圖所示將具有一個以上的晶片定位用孔18之導板16介 於黏著劑1 7而被固定在托架板1 3。 因半導體晶片W係藉隔板墊1 1固持，故可在導板 Μ的晶片定位用孔1 8放入隔板墊1 1 。此時，由於在隔 板墊11與導板16之間設有於晶片研磨時推壓隔板墊 1ί向橫方向延伸之間隙1 9。其間隙1 9最好爲0. 5〜 1 . 5mm。 即，最好考慮到藉隔板墊1 1的壓縮變形之擴張而對 應隔板墊11之硬度和研磨時之加壓條件而將此間隙適當 選擇在前述0. 5〜1. 5mm的範圍內。 因間隙未達0. 5mm時，研磨時隔板墊11會接觸 到導板1 6，隔板墊1 1的晶片固持面之外周部會隆起， 就無法以均一的厚度研磨晶片W。另外，間隙超過1. 5 mm時，晶片W的內面會經由晶片W的插入位置或研磨中 的擺動，而從隔板墊1 1脫落非常的不理想。 又，導板1 6也必須具有所需之平面度及平行度。研 磨時，使晶片W吸附在隔板墊1 1。此時在隔板墊1 1之 晶片固持面會佈滿水份，除去表面多餘的水份之後*空氣 就不會侵入到隔板墊1 1之晶片固持面與晶片W之界面* 即可一邊壓住晶片W之中心部一邊使其吸附在隔板墊1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CMS ) A4規格（210X297公釐） ^^1 —^1 (^1· In ^^1 ^^1 I n^i (請先聞讀背面之注意事項再填寫本買) 訂 線 -12 - 經濟部中央標準局貝工消費合作社印裝 A7 _B7 五、發明説明（l〇 ) 此種作法，藉由以第4圖之晶片固持治具3令其固持 晶片W而加以研磨，就能得到平行度及平面度良好的晶片 W »作爲此晶片固持治具3 ，除了如第4圖所示針對一片 托架板1 3固持多枚晶片之成批式研磨方式外，也可採用 針對一片托架板固持一枚晶片之單片式研磨方式》於使用 成批式研磨方式之晶片固持治具3 (第4圖）時，會比單 片式研磨方式具有提高生產性之優點。 上述第2次研磨過程結束之後進而施行所需對應的上 述半導體晶片的另一邊之精加工研磨。再者；此精加工研 磨，當然也可以納入上述第2次研磨過程來進行。 〔本發明之效果〕 如以上所述，若依本發明，即可作爲成批式處理一次 固持多枚晶片而提高生產性，因上蠘法的隔板墊很柔軟所 以極少有凹陷不良品，且藉由兩面研磨，平坦度具有比習 知之單面研磨更加優良的效果· 〔圓面之簡單說明〕 第1圖係表示用在本發明之單面研磨裝置之一實施形 態之側面圖； 第2圖係第1圖單面研磨裝置的隔板墊之構造斷面圖 t 第3圓係表示第2圖之隔板墊之精密平面加工狀態之 斷面圖； 本紙悵尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -----------^------1T------0 (請先閲讀背面之注項再填寫本頁) -13 - 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 A7 B7 五、發明説明（11 ) 第4圖係使用第2圖之隔板墊之晶片固持治具之斷面 IH3 · 圖， 第5圖係兩面研磨裝置之斷面說明圖； 第6圖係表示卸下兩面研磨裝置的上定盤狀態之上面 說明圖》 〔符號之說明〕 1 單面研磨裝置 2 旋轉定盤 3 晶片固持治具 4 研磨劑供給裝置 6 研磨襯墊 7 旋轉軸 8 旋轉軸 9 研磨劑 11 隔板墊 1 2 孔 13 托架板 14， 17 黏著劑 1 5 平面研磨盤 16 導板 18 晶片定位用孔 22 兩面研磨裝置 2 4 下定盤 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨0><297公釐） ------------^------ίτ------0 , t (請先聞讀背面之注$項再填寫本頁) -14 - 五、發明説明（12 ) 2 4 ; a 下研磨布 2 6 上定盤 2 6 ; a 上研磨布 2 8 中心齒輪 3 0 內齒輪 3 2 托架 3 4 托架孔 3 6 噴嘴 3 8 貫穿孔 W 晶片 A7 B7 I------•丨裝------訂------線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局貝工消費合作社印聚 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -15 -

Claims (1)

1. A8 B8 C8 D8 申請專利範圍 第86100837號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國8 7年i月修正 ^^^1 1^1 n 1^1 I —^^1 ι^ϋ m Bn— HM— 1^1 nn—"* U3. 、v9 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1 . 一種半導體晶片之研磨方法，其特徵爲：使用兩 面研磨裝置研磨半導體晶片兩面之第1次研磨過程與使用 單面研磨裝置的托架板上將具有1個以上的晶片定位用孔 的導板藉著在該定位用孔放入隔板墊使其固定之晶片固持 治具來固持半導體晶片的一邊且研磨半導體晶片的另一邊 之第2次研磨過程所構成》 2 . 如申請專利範圍第1項所述之半導體晶片之研 磨方法，其中，上述第2次研磨過程結束後*更具有精加 工研磨上述半導體晶片另一邊之精加工研磨過程。 3. 如申請專利範圍第1項所述之半導體晶片之研磨 方法，其中，前述隔板墊係由疏水性發泡體所製成，其承 受300gf/crrf荷重時的厚度Ti和承受1800 g f/cni荷重時的厚度T2之差（Τι _T2)爲1〜 1 0 0 ，且被形成在其晶片固持面之孔，其孔徑爲 經濟部中央標率局員工消費合作社印製 1 0 〜3 0 y m。 4. 如申請專利範圍第2項所述之半導體晶片之研磨 方法，其中，前述隔板墊係由疏水性發泡體所製成，其承 受300gf/cma荷重時的厚度Τι和承受1800 g f/ciri荷重時的厚度Τ2之差（Τι — Τ2)爲1〜 1 0 0 //m，且被形成在其晶片固持面之孔’其孔徑爲 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ‘) A4規格（210 X 297公釐）_ 1 _

   A8 B8 C8 D8 申請專利範圍 第86100837號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國8 7年i月修正 ^^^1 1^1 n 1^1 I —^^1 ι^ϋ m Bn— HM— 1^1 nn—"* U3. 、v9 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1 . 一種半導體晶片之研磨方法，其特徵爲：使用兩 面研磨裝置研磨半導體晶片兩面之第1次研磨過程與使用 單面研磨裝置的托架板上將具有1個以上的晶片定位用孔 的導板藉著在該定位用孔放入隔板墊使其固定之晶片固持 治具來固持半導體晶片的一邊且研磨半導體晶片的另一邊 之第2次研磨過程所構成》 2 . 如申請專利範圍第1項所述之半導體晶片之研 磨方法，其中，上述第2次研磨過程結束後*更具有精加 工研磨上述半導體晶片另一邊之精加工研磨過程。 3. 如申請專利範圍第1項所述之半導體晶片之研磨 方法，其中，前述隔板墊係由疏水性發泡體所製成，其承 受300gf/crrf荷重時的厚度Ti和承受1800 g f/cni荷重時的厚度T2之差（Τι _T2)爲1〜 1 0 0 ，且被形成在其晶片固持面之孔，其孔徑爲 經濟部中央標率局員工消費合作社印製 1 0 〜3 0 y m。 4. 如申請專利範圍第2項所述之半導體晶片之研磨 方法，其中，前述隔板墊係由疏水性發泡體所製成，其承 受300gf/cma荷重時的厚度Τι和承受1800 g f/ciri荷重時的厚度Τ2之差（Τι — Τ2)爲1〜 1 0 0 //m，且被形成在其晶片固持面之孔’其孔徑爲 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ‘) A4規格（210 X 297公釐）_ 1 _ D8 D8 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 1 0 〜3 Ο e m。 5. 如申請專利範圍第1〜4項任一項所述之半導體 晶片之研磨方法，其中，作爲前述隔板墊，係使用以每分 鐘承受3 0 0 g f / cma荷重時之中心，自垂直的兩直徑 的外周端以5 mm之刻度5度的厚度之最大與最小之差 TV5爲1 μιη以下者。 6. 如申請專利範圍第1〜4項任一項所述之半導體 晶片之研磨方法，其中，前述所謂隔板墊，係以其晶片固 持面爲上，固定在托架板的狀態，將該隔板墊之晶片固持 面用精密平面研磨盤，其平面性以每分鐘承受3 0 0 g f /ciri荷重時之中心，自垂直的兩直徑的外周端以5mm 之刻度5度的該隔板墊的厚度之最大與最小之差TV5爲 1/zm以下，作平面研磨。 7. 如申請專利範圍第5項所述之半導體晶片之研磨 方法，其中，前述所謂隔板墊，係以其晶片固持面爲上， 固定在托架板的狀態，將該隔板墊之晶片固持面用精密平 面研磨盤，其平面性以每分鐘承受3 0 0 gf/crri荷重 時之中心，自垂直的兩直徑的外周端以5 mm之刻度5度 的該隔板墊的厚度之最大與最小之差TV5爲1 //m以下 ，作平面研磨。 8. 如申請專利範圍第1〜4項任一項所述之半導體 晶片之研磨方法，其中，在前述導板之晶片定位用孔之內 周緣部與前述隔板墊之外周緣部間設0. 5mm〜1. 5 m m之間隙。 本紙張尺度適用中國國家梯準（CNS ) A4規格（210X297公釐）_ 9 _ ^^1 m — I» i - -« I - HI I 111 m In nn 1^1 -¾--° (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) a? Α8 Β8 C8 D8 、申請專利範圍 9·如申請專利範圍第5項所述之半導體晶片之研磨 方法，其中，在前述導板之晶片定位用孔之內周緣部與前 設 間 部 緣 周 外 之 墊 板 隔 述 mm 5 隙 間 之mm 5 研與間 之部之 片緣m 晶周m 體內 5 導之 半孔 1 之用 ~ 述位m 所定m 項片_ 5 6 晶 第之 ο 圍板設 範導間 利述部 專前緣 請在周 申，外 如中之 .其墊 ο ， 板 1 法隔 方述 磨前 研與 之部 片緣 晶周 體內 導之 半孔 之用 述位 所定 項片 7 晶 第之 圍板 範導 ύ β 專前 請在 申 ， 如中 •其 ΊΧ » 1 法 。 方 隙 磨 設 間 部 緣 周 外 之 墊 板 隔 述。 前隙 mm 5 間 之mm 5 (請先閔讀背面之注意事項再填寫本頁) 哀_ <1Τ 經濟部中央標率局員工消費合作社印製 本紙浪尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）_ 3 _