TW318222B - - Google Patents

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TW318222B TW085111239A TW85111239A TW318222B TW 318222 B TW318222 B TW 318222B TW 085111239 A TW085111239 A TW 085111239A TW 85111239 A TW85111239 A TW 85111239A TW 318222 B TW318222 B TW 318222B
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Description

A7 B7 318222 五、發明説明( 本發明係有關於動態随機存取記憶體技術(DRAM),尤 其與新的DRAM系統架構有關,此架構可排除目前對系統 頻寬的限制及相關的問題,且提供有意義的增強系統性能 並使成本下降,而廣泛使用在多種應用中,因此提供聯合 的記憶體架構。 此類系統之設計有多種(尤其是網路/通訊上的應用)受限 於性能,係由於對系統主記憶體資源之存取(該記憶體幾 乎全爲DRAM)。大部份乃因爲使用單匯流雄架構的關係 ,其中一匯流排互連CPU,主記憶-體及I/O源。此種在過 去及現在使用的相似架構因爲頻寬限制,而限制CPU管理 多數I/O源的功能。 同樣的系統頻寬限制亦使得圖形/多媒體設計者必需從 主記憶體中分開圖形記憶體,因此對系統成本產生不良的 影響。用於圖形應用的特殊DRAM已更進一步發展以増強 視訊頻寬。而某些使用不定型式dram的系統架構已提出 ’此允許一共同記憶體同時使用在主記憶體及圖形記憶體 中,因爲某些操作不具效率,因此所得到的功效有限。 一直到本發明提供一嶄新dram架構及其產生的唯一系 統架媒(此將於下文中加以説明)之前,低成本,高性能的 獬合記愫體架構仍在構思的階段,本發明已排除上述大部 份問題’且提供更寬的數據頻寬功能,以互連結更多的數 據源,而在較低的成本下增強性能。基於此新技術的系統 配置將使主έ己憶體功能及圖形記憶體具有相同的效用,因 此説明達成低成本,高性能的聯合記憶體架構。因此此晶 U - m .^1 1- m u HI 1 u I -- ------- n 丁 、T (請先w·讀背^之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央樣準局貝工消費合作社印製
318222 A, B7____ 五、發明説明(2 ) 片稱爲"AMPIC DRAM",表示 Multi Port Internally Cached DRAM。 發明背景 如上文中所説明者,大部份的高性能系統使用匯流排爲 本的架構’其中單系統匯流排互連結CPU,主記憶體及 I /0源,此將於下文中加以説明。參見圖丨(在文中"主記 憶體"及"系統記憶體"交互使用。此爲相當直接的前進設 計’且提供擴展用的空間;雖然其具相當嚴重的限制。即 CPU或周邊需要對主記憶體(一般配置dram)存取,一採 取一裁定以存取系統匯流排。因―此在系統中同時動作量受 到外部匯流排的功能限制。 當CPU速度增加時’系統匯流排頻寬必需對應増加,而 冗全發揮系統功能。雖然,增加匯流排頻寬更困難,且耗 費成本乃至在技術上成爲不可能或極具筇貴。另外,可在 匯流排之I /0源數亦受頻寬限制。須知理論上單匯流排允 許高度擴充性,而實際操作受到此擴充的劇烈限制。 在各種型式的應用中此問題更嚴重。在下文中以網路及 圖形應用爲例説明本發明,此使讀者可更進一步了解本發 明’此文中的例子並非用於限制本發明。 網路應用例 典型的網路配備(亦稱爲互連結設備)如開關,路由器, 橋接器,中樞器’如ATM,S0NET,權杖環,FDDI,乙 太網路,光纖頻道等,此將於下文中加以説明,見圖2。 設計包含高性能CPU及大量的主記憶體,_般配置以習知 本紙張尺度適用中國國家210x„57^ ------- ϋ !-! 1 -I 1 --- - X, ϋ 士^I I I— 1 - I----1 In —^ϋ 0¾ ,T (請先閱讀背φ-之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央榡隼局貝工消費合作杜印製 A7 318222 --— ____B7 五、發明説明(3 ) 技術中的DRAM,此將於下文中加以説明,見圖3及圖4。 I---------^衣------1T (請先亂讀背赶之注意事項再填寫本頁) 來自不同網路的數據以封包的型式向主記憶體傳輸(一封 包馬位π組之組合),爲CPU所處理,且然後傳輸至對應 的目的網路。 上述諸網路(ATM,SONET,光纖頻道,標示環,FDm 等)提供不同的裝置’以從一點向一點傳輸數據。硬體, 軟體及數據傳輸速度均不同。需要有互連結配置以使得兩 使用不同準則的網路使用者可互通。 在一互連結配置中,應用網路介面控制器配置網路介面 (一般稱爲網路控制器),各型介-面具有不同的網路介面控 制器。因此對於光纖頻道或ATM乙太網路具有不同的網路 介面(見圖3,4)。 在圖4的例子中,此説明例的系統配置只用於説明數據 流程,其使用下列參數: a ·系統匯流排爲3 2位元寬(4位元組); b .四個他種DRAM,2Mx8已配置成2Mx32 ;
c. 四個網路介面光纖頻道,atm,乙太網路及FDD I :以及 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 d. 封包大小爲1〇24位元。 考慮由如乙太網路上的使用者向另一在FDDI網路上之使 用者傳輸封包之例。此封包爲互連結配置之乙太網路介面 控制器所接收,且爲控制器晶片所分析,只有相關的資訊 儲存在習知技術之區域FIFO (先進先出)記憶體中,以再向 主記憶體傳輸。因爲在系統匯流排上具有多個裝置(該匯 -6- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) A, B7 五、發明説明( 流排包含CPU及不同的網路控制器),在所有的主動資源 上發生裁定,且可得到系統1己憶體匯流排。在乙太網路控 制器經裁定得到匯流排後,然後數據使用3 2位元寬系統匯 流排介面向系統記憶體傳輸》因爲在封包中有丨〇24位元组 及4個位元組向主記憶體傳輸’因此需要有256次傳輸才能 移動該封包。介面每次得到匯流排時只允許網路控制器進 行4位元組之傳輸’則最少需要得到256裁定循環(介面猝 發傳輸功能爲網路控制器所提供的話,則裁定數可更小。 例如’每次得到匯流排時需.要有1 6位元組的猝發傳輸功能 ’則最少需要有6 4配置循環)。 在封包餘存在主5己憶體後,此封包爲cpu所處理(主要 爲硬體資訊),且在本例中,向FDDI連接埠。現在進行反 向處理》數據由FDDI介面控制器從主記憶體中取出,且 向晶片内部FIFO記憶體傳輸。此亦需要256次傳輸及對應 的裁定數。然後數據同時從FDDI控制器向網路傳輸。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 在每秒100百萬位元的速率下操作FDDI,每秒10/100百 萬位元下操作乙太網路,每秒近6〇〇百萬位元下操作at Μ ’每秒1 6百萬位元下操作標記環,且每秒8〇〇百萬位元下 操作光纖頻道。 在裁定中耗費大量的傳輸及時間耗費可使用數據頻寬中 相當的一部份,且亦降低CPU存取頻率,當網路介面數增 加’或高速介面加入時,則對各數據源之可使用時間(包 含CPU)下降,因此而系統的峰値性能緊縮。而強迫設計 者必需設計更高性能的CPU,及相關的昴貴組成,而驅使
經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 318222 五、發明説明( 成本增加。可經此習知技術之系揸 由於上述限丨n,& 的網路數仍低(係 、限制),當網路數愈來愈多, 快時,對於谪庙且傳輸速度愈來愈 題顯得愈來愈糟糕。 们國際網路而言’此問 一圖形/多媒體應用例 爲了説明發明背景,使用圖形/ 用,在此阁I < Λ, 夕踩體應用作爲説明之 ^系統中具有兩主要的記# a對於將酤_、向 G G體相關功能; 、將顯不又圖形更新幕記憶體,以及 設Γ幕記憶體’以更.新陰極射線管㈣或 並縣私…作而要大量的一般數據傳輸,稱爲”BitBlt", 二方kβ己憶體中之-處向另—處傳輸;雖然此在特性 將產生猝發現象。而消耗系統頻寬中相當大的—部份, 因此需要使用分開的記憶體以儲存圖形數據,如圖5所示 者,此將於下文中加以説明,目此對系統成本產生逆效應 考慮而要更新一 1 6列幕記憶體之例,且使用習知技術中 的2Μ X 8 DRAM。爲了在新I / 〇源中傳輸j 6列數據,所需 要傳輸的數據數爲: 將傳輸之列數(16) X各列中行數(丨〇24)= 1 6,3 84。 顯然地對應裁定數需要時系統匯流排進行。而且需要在 短時間時進行如此大量的數據傳輸,因此在短的時間開槽 中消耗大部份的可用數據頻寬,而必需要有CPU及其他的 I / Ο源。在本發明之前,現在的DRAM製造商無法在此領 域中排除此一問題。 -8- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) M規格(210X297公釐) Μ — (請先閲讀背面之注意事項再填寫本y) -訂 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 A7 B7 五、發明説明(6 ) 當然,需要重複幕記憶體取得以載入且更新CRT設計, 且依據顯示型式(VGA,super VGA等),此更新所需要的 頻寬而變,但傾向於每秒數百個百萬位元或更高。不似 ••BitBlt"在特性上持續CRT更新需求,且使用相當多的系 統頻寬。 例如,考慮下列的例子: a. — 1024 X 768像素的尺寸; b .每次不交錯進行7 2次更新;以及 c .對紅,綠,藍色彩每像素具有8位元。 以位元組表示的每秒頻寬爲: 1024 X 768 X 72 X 8 X 3/8 = 170 MBytes。 介面使用主記憶體的話很難符合習知技術中DRAM的需 要。因此,必須開發更昂貴的特殊DRAM,而其他一項特 殊DRAM爲"視頻DRAM”,稱爲"VRAM"。大部份的 VRAM爲雙連接埠,但也有一些例外爲三連接埠。乙太網 路的VRAM具有與習知技術之DRAM相似的系統介面,但 在晶片内亦具有列寬緩衝器(稱爲SAM,串列存取記憶體) ,此緩衝器經分開但數目相等的插腳與外部世界交互作用 ,其可使用在系統介面中,如下文之圖_ 6中所示者。例如 ,一 256K X 8的VRAM亦具有額外的連接埠,其爲8位元 寬,以持續串列更新CRT數據。"SAM"緩衝器與外部顯示 介面具固定連結。操作時,C P U (或系統匯流排主控器)經 系統數據介面存取,且在VRAM中儲存或更新幕影像。然 後整列的幕數據移向一存取中的” S A Μ ”緩衝器。然後, 本紙伕尺度適用中國國家標準(CMS ) Α4規格(210X 297公釐) I--------^衣------.訂-------Λ (請先閱讀背氙之注意事項再填寫本頁) 318222
五、發明説明( 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 此數據經SAM I/O介面向顯示器傳輸,該1/〇介面的寬度 與系統介面同。 此VRAM當設計只有與圖形數據源/目的交互作用時提供 可接收的解決方法。雖然由於大量額外的插腳及更大㈣ 晶粒而使其比傳統DRAM更昂貴。且此架構提供非常剛性 的架構。由於膨脹而與更多的裝置產生更多的介面而嚴格 限制插腳成長數。固定連結外部丨/〇介面的"SAM"且預先 決定數據連接埠大小。此方法也沒有解決大數據移動需求 加速的問題。因此VRAM提供可接受的解決方法,但在本 發明之前均缺乏較好的交替性。- VRAM (尤其是3連接埠形式)亦可使用在網路上,但由 於前述剛性架構,因此很少使用,與數據源數互作的功能 受到限制(精確的説,只能與兩數據源互動),但板空間較 大,結構更貴,且功率耗損大。 系統配置及相關問題中的技術狀態 總而T之’因此基於傳統DRAM (如上述圖3)之乙太網 路習知技術及現行系統的配置受到上述限制的負擔。與網 路應用有關的功能(在此大量的高速網路需要在低成本上 互連結)大部份都還沒有解決,因此網路介面的價格較高 〇 而系統頻寬限制及固定CRT顯示更新要求導致視頻 DRAM的發展,主要用於圖形應用且一般用於圖6中的配 置,如前所述,且此種配置的性能比習知技術中的dram 更好,而在主記憶體及顯示數據頻寬的性能提升,而此種 10- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請4閲讀背面、心注意事項再填寫本頁) -裝-
*1T • am 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(8 ) 配置上不良的效應爲由於來自圖形記憶體之主記憶體分開 及VRAM本身的成本較高之故而使系統成本上升。 另一種習知圖形DRAM的型式爲RAMBUS公司所出品的 "RDRAM”,其操作頻率爲250 Mhz,對於圖形應用可良好 的動作,而且對於高端圖形/多媒體環境的成本比VRAM 更有效,但此方法仍需保留兩分開的匯流排。 在P C市場中(6 0 %的晶片消耗量在此一市場),成本相 當重要。一項研究係用於找出稱爲聯合DRAM架構的配置 ,此架構使圖形及主記憶體功能所共用匯流排,且只使用 一種記憶體裝置。 ^ 一種方法是同時使用圖形及記憶體组件;但所增加的成 本消除了共同記憶體所增的效益。另一種解決的方法係使 用前述RDRAM,此方法在各晶片的插腳數上比VRAM小 ,因此功率耗損低,佔空間小,而成本低。但不幸的是因 爲區塊型準則與介面限制,且應用非局部主記憶體存取因 此極不具效率,所以無法接受"聯合記憶體架構"的觀念。 使用RDRAM亦在放射,雜訊干擾及PCB佈局上面臨電子 工程上極鉅的挑戰,而使設計工作極爲困難。 因此目前在研究上已傾向於研發低成本/高效能的聯合 記憶體架構,其可符合主記憶體及圖形記憶體存取上的多 種要求,且具有同等的效率。 可以很有效地解決此一問題,實際上本發明已朝向新型 DRAM架構的發展,其方法爲: a.提供比垂直裝置速度更高而具嶄新架構的系統數據頻寬 _-11 - _ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) I-------— $------,1T------Λ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 B7 518222 五、發明説明(9 b.從多個I/〇源在對系統頻寬最小的衝墼 w單下,移動大量的 數據; c .互連結比習知技術方法更多數的丨/ 〇源; d. 在晶片内移動極多的數據方塊,其速率至少比時間方塊 快上一階’而對系統頻寬的衝擊可不計較; e. 可建構不同之資料傳輸速率以配合不同之丨/〇源. f. 降低進入封包之接收及其往後傳輸間的等待時間; g. 提供低插腳計數; - h. 提供合理的成本; i. 提供低功率耗損; j _提供簡單的系統介面而使設計上的耗費達到最小,以及 k·對主記憶體及圖形要求可達到相同的效力,因此提供眞 正的"聯合記憶體架構",且實際上爲一通用的方法。、 發明目的 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 因此本發明的目的係提供一使用嶄新多連接埠内部快取 存取DRAM架構的改進動態随機存取(DrAM)系統,架構 尽方法,該DRAM架構可排除系統頻寬限制及相關的問題 ,而以降低的成本提供使系統的性能大大地提升,因此實 質上可使用於多種應用中。 本發明的另一目的係提供一嶄新的系統,其中在晶片内 數據塊的傳輸速度比習知技術中的方法快好幾階,且可 -12- 本紙乐尺度適用中國國家標準(CNs )六4%格(210X297公釐 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 五、發明説明(K)) 互連數目相當多的數據源,而實暂μk ω处 。 τ資上增加性能並降低成本 本發明的另-目的係基於此薪新的架構提供U配置 、,此配置可使主記憶體功能及圖形記憶體的操作等效,而 達成一眞正高性能的聯合記憶禮架構。 在下文中將更進一步説明本發明的目的,且在申請專利 範圍中更詳盡地説明。 發明概述 總而言之,從本發明的一觀點中·,本發明包含一種系 統,使用在包含控制器的系統中'該控制器如包含平行數 據連接埠及動態隨機存取記憶體(DRAM)的中央處理單元 ,該DRAM與一共同的系統匯流排介面連結且與其競爭, —改進的DRAM架構包含多連接埠之内部快取存取的 DRAM (AMPIC DRAM),其包含多個獨立的串列數據介面 ,各介面連結於分開的外部1/0源之間,且經由對應的緩 衝器與内部DRAM記憶體連結;一置於_列介面及緩衝器 間的切換模組;及在動態配置下由匯流排主控制器連結争 列介面至緩衝器的切換邏輯控制,該控制器如cpu,適當 的時候,對所需要的數據路由能力(r〇utability)進行路由 分配之切換動作。 此將於下文中加以説明本發明較佳之模組設計及技術。 圖式之簡單說明 由下文中的說明可更進一步了解本發明之特徵及優點, 閲讀時並請參考附圖,其中圖1 - 6説明習知技術中的技術 13- 本紙張尺度中SH家縣(CNS ) Α4^_ ( 2丨(^297公瘦 ----------^------1Τ------Λ (請先閔讀背&之注意事項再填tsr本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 318222 at _______ B7 五、發明説明(11 ) 圖1爲典型習知技術中單一匯流排平行架構的方塊圖; 圖2示典型習知技術中的網路配置; 圖3及4示典型習知技術網路配置,此配置使用dram, 以用於如圖2所示的配置中; 圖5爲圖形應用之習知技術應用的方塊圖,該應用包含 分開的記憶體且使用習知技術中的DRAM ;且 、圖6爲圖形應用之典型架構之相似圖,該應用使用 VRAM ; - 圖7爲依據本發明架構的方塊圖,且使用本發明之多連 結埠内部快取存取"(AMPIC) DRAM,·; 圖8爲圖7之"AMPIC DRAM"的部位頂階架構的相似參考 ’顯示補充串列介面間的多工/橫桿切換,緩衝器及 dram核心; 圖9示圖8中使用記憶體數據多工器配置的細部; 圖1 0示配置如連接痒之多串列介面例; 圖ϊ 1爲"AMPIC DRAM"之典型2位元連接埠圖及相關的 控制線; 圖12,13爲串列數據傳輸格式例’且圖13用於説明各 連接埠中的兩位元; 圖1 4爲雙排"AMPIC DRAM"控制模組架構之部份頂階例 的方塊圖’該架構含此將於下文中加以説明的平行列内部 交換中介裝置(稱爲PRITI),而不使用儲存元件; 圖15示"PRITI"傳輸操作之序列,該傳輸含兩排之内部 —----- _ 14 - 本紙狀度適ϋίϊ標準(CNS〉A4·· ( 21Gxl^^--s -----------裝------訂----- (請先S5-·讀背¾之注意事項再填寫本頁.} A7 B7 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 五、發明説明(12 數據傳輸; 圖16與圖14相似’但對"PRITI"功能提供兩列寬組儲存 元件; 圖17示"PRITI"傳輸,含圖16中兩列寬组儲存元件, 其顯示操作序列及兩排間的内部數據交換; 圖1 8與圖1 7相似’但只使用單列寬組儲存元件; 圖19爲本發明之,,AMPIC DRAM”所使用的插腳配置圖之 範例,其包含9個典型的_列介面; 圖20示典型的網路配置,此配置應用本發明之„AMpic DRAM"架構,其含應用CPU操作的3 2位元寬度系統匯流 排; 圖21爲圖形應用的示意圖; 圖2 2爲一示意圖,用於説明四排系統配置,而各排間連 結不同的網路介面; 圖2 3與圖2 2相似’但應用兩排的"amp IC DRAM”及含 習知技術DRAM的兩排; 圖24與圖22類似’其中兩排用於圖形,且兩排用於裝 置應用; 圖2 5示"AMPIC DRAM”配置的另外一種配置,其中含兩 内部排及前述"PRITI”功能,其中一排用於主記憶體,而 另一排用於圖形或其他應用,· 圖26爲圖1 9中”AMPIC DRAM"系統之變更,適於用於 所謂"PARAS"介面且加以存取,可參見美國專利申請案案 號08/32 0,058,申請日期1994年10月7號,且應用於低插 15- 本纸乐尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) I II —^n n - ---* (請先閲讀背釕之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明(l3 ) 腳°十數於整合έ己憶體架構[此應用中提供一方法及裝置用 於經由薪新的介面及近接程序改進不同步及同步動態隨機 存取兒憶體裝置的功能,其中相同的列寬用於各列,行及 數據存取和寫入及讀取循環使用相同的插腳;且在實質上 相同尺寸的t封包應用數目較少的插腳而有效地增加數據頻 寬及存取範圍。] 圖2 7爲多排"AMPIC DRAM"控制模组之部份頂階例的方 塊圖’該架構含上述平行列内部交換介間裝置("PIRTI”), 其含單列寬组错存元件。 - 本發明之較佳實施例 爲了經由急劇降低在系統模組上傳輸及對應系統匯流排 上的裁定而降低頻寬及改進在新的,,AMPIc dram"對心解 中的瓶頸。因此實質上改進整個系統的性能,且應用較快 的内部數據轉換功能。其他的優點包含在數據頻寬上具較 低衝擊的系統膨脹性,因此如上所述使系統成本降低。 現在請參考圖7 ’使用習知技術中主平行連接埠數據的 CPU單元連結系統匯流排,且亦連結包含後述之本發明 ,'AMPIC DRAM"的主記憶體單元,且補充串列介面輸入 (# 1至#^從對應的輸入/輸出(l/ο)來源至#11與其連結 〇 在此説明中,在"AMPIC DRAM"上提供多個一位元寬獨 立串列介面,且在I / 〇來源及主記憶體。這些串列介面加 到用於系統匯流排介面的主平行;i阜,以爲中央處理單元 CPU或相似的主控制裝置所使用。此記憶體介面數主要受 -16 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(2丨0X297公釐)
I----------裝------訂----- {锖先聞讀背面之注意事項再填寫本頁J A7 B7 S1S122_ 五、發明説明(Η ) 限於裝置技術,插腳計數,電源消耗及成本等。經介面#1 至#n接收的串列數據或將傳輸的數據儲存在小的對應緩衝 器#1至中"AMPIC DRAM"的内部;此將於圖8中加以説 明。爲了實際上的考慮,此範圍從64位元組至512位元組 ’但在理論上受到感測放大器佈局的限制。在習知技術的 佈局中,受限於在DRAM核心中可使用的數據位元數。因 此,如果每列存取中可用的位元組數爲1〇24,則可對各内 部排設計最大緩衝器尺寸"AMPIC DRAM"。介面,,m ,,爲緩 衝器數,且·· η "爲串列介面數,則封包緩衝器數,,m "(在文 中封包緩衝器"用於與"緩衝器"交互使用)大於或等於串 列介面數"η "。" m"的上限受到技術的限制,而非架構所 限制。 依據本發明,一多工器及/或橫桿切換邏輯或組合(圖8 的多工器/橫桿)連結"η ”串列介面至"m "缓衝器。各串列 介面及緩衝器間的連結由CPU (或現在的電流系統匯流排 主控器)動態配置,且對數據路由能適當地變動。 圖9爲對4串列介面及4緩衝器配置的可能串列介面配置 之功能方塊圖。存在多種方法可配置所需要的架構,但是 基本的設計理念均相同。當在圖8中封包緩衝器及DRAM 核心間數據需要在圖8中移動,則執行不同主動封包緩衝 器間的裁定‘(arbitration)且CPU動作。但是,不需要經_ 列介面從封包緩衝器中接收裁定結果或將裁定結果向封包 緩衝器傳輸。 進入的封包緩衝器可再定義爲輸出串列緩衝器,且將數 -17- 泰紙張尺度適用中國國家標準(CNS )八4说格(210X297公釐) (請先W-讀背一5之注意事項再填寫本頁) 裝. 訂 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明(15 ) •«e A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 據指向的目的地,而不必執行在緩衝器及核心DRAM問數 據傳輸的中間步驟。此降低進入封包接收的延遲時間,且 隨後向目的地傳輸。指係因"AMPIC DRAM,•經 Mux/Crossbar切換模式具有將任何緩衝器指向予任何串列 介面的"AMPIC DRAM"能力。 在"AMPIC DRAM”架構能力中,多個一位元寬串列介面 亦可配置成尺寸窄而寬的匯流排(稱爲"連接琿"),如〗,2 ,4或8等,但理論中沒有此種限制。其可爲裝置技術中允 許的從1至"η"的任何數目’且需要承受配置。一當多個 _列介面已群聚在一起且形成一連接埠,其均連結共同封 包緩衝器,此在圖10中將更詳細地顯示出來,其中一位元 寬的連接埠與_列介面相同。此允許更快數據傳輸,且同 時維持韌性,且在與操作不同頻寬的4源相介接及數據傳 輸要求上相當有用。在圖8中顯示各封包緩衝器有能力同 時與η串列介面中最大者相介接(如果該緩衝器匯流排形 成一連接埠)。緩衝器對於相同尺寸之連接埠的配置同於 與其相連結的連接埠(有時候稱爲接驳)。 在各連接埠上的争列數據流爲對應的控制線所控制。各 連接淳介㊉包含一控制器及一组串列數據介自。例如,如 果各記憶體連接埠只有一位元寬,則每數據線中的—位元 使用一控制線。介面兩串列介面配置成一連接淳’則—控 制線,料㈣元連料,如圖u所示者4 了使插腳數 達到最小’因此串列介面控制線只要每連接槔的—控 制線的準則符合的話,則配置成串列數據介面線。各控^ ^-- (請先路讀背;5之注意事項再填寫本頁) 訂 • tm m —^n
I -I 8-1 I I - -11 I_________ Jg 本紙張尺奴财關^7^7^ (2ί㈣97公们 經濟部中央榡準局員工消費合作社印製 A7 ^ ___B7_ 五、發明説明(16 ) 線與連接蟑的相關性是可以加以配置的。控制線的目的係 用於控制I/〇源及串列連接埠間的數據流。介面插腳計數 並不是製造商所顧慮者,則確可提供分開的控制插腳。對 於某些應用來説,甚至可以不需要插腳,且與系統平行介 接系統匯.流排的I / 〇源足以交換控制資訊。 介於I / 0源及AMPIC DRAM"串列連接淳間的數據傳輸 格式爲可使得各記憶體晶片(同一 "AMPIC DRAM"排部份) 在其連接埠同時接收且傳輸位元,如圖12所示。在下文中 將引用一例子加以説明。例如,-如圖j 2四個2 Μ χ 8的 AMPIC DRAM"形成3 2位元寬系統介面(且—連接埠定義 爲一位元串列介面)。四個晶片中的各晶片均同時接收數 據。晶片0接收位元0,晶片i接收位元8,晶片2接收位元 16,且晶片3接收位元24。在下一循環中,所有位元數增 1。持續此操作,直到全部32位元均已傳輸爲止,因此各 晶片接收其8位元。一完成後,此處理重複下一 3 2位元如 圖1 2中所示者,依此可類推。 現在考慮另一例子,其爲由兩串列介面形成一連接埠, 如圖1 3所示者之情況。然後_ 8位元的介面提供予丨/ 〇源 ,此I / 0源必需各提供兩位元予"AMpic DRAM„。位元的 順序可使得晶片0接收位元〇及位元丨,晶片丨接收位元8及 位元9,晶片2接收位元16及位元17,且晶片3接收位元 24及位元25。在下一循環中,全部位元數加]。持續此程 序直到3 2位均已傳輸,各晶片接收8位元。一完成後, 對下3 2位元重複此一處理’依此可類推。 1---------- 19 - 本紙張^必^國國家標準(CNS ) A4規格 ^I—?τI---'^ (請先姑‘讀背面之注意事項再填寫本頁) 18222 五、發明説明(17 ;) 須知’本發明的架構盔 JL M . …决防止對應(如網路控制器晶片) 共用干仃系統匯流排,如果 置及狀態管理。 ’ 5 ,可使用如控制器配 二的Γ *圖19所示提供至時鐘插腳予"_。 ::置各串列介面,以在此時脈的倍數下操作 允Η性存在,以適應多個來源,也有可能在主時 脈外,提供其他的時脈,其. 、/、又裝置技術,插腳計數及成 本的限制。須知指定的時旅瓶电Λ由 结你哭_脈頻率馬串列介面的特性,而非 一,.’。因此,任何',m"緩衝器均可接駁至任何串 列連接埠,且在該連接埠的速率下操作。 J夕二,本發明™C DRAM"配置可從一緩衝器向另一 ㈣裔切換串列介面’而不必中斷該傳輸。此在網路及圖 形j存在^種重要的應用。可在一次存取中對—緩衝器載 入-列寬數據’而其他的緩衝器用於傳輸此資訊。須知, δ已RAM中由其他銷售者已配置一相似的兩緩衝器方法 中,則必定與本發明不同。"AMpic"爲一本發明的多工器 ^桿切換圖,可消除全部限制。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 在經—列寬匯流排連結的"AMPIC DRAM,,中可存在的内 部排數可多於一,使得全部緩衝器可在此匯流排内,或者 在另—實施例中,可對各内部排提供緩衝器中的分開群。 因爲上述頻率"B i t B 11"操作的關係在系統頻寬上的衝擊 可由多餘一的内部DRAM核心排而急劇降低,如圖1 4所示 該DRAM核心排經由一列寬介面連結使得當需要從記憶體· 中的内部排向另一内部排傳輸時,應用對應的,,RAS”信號 -— ._-20- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A*規格 (210X297公釐) A7 B7 318222 五、發明説明(l8 ) 同時對各排中適位址進行脈波選衝β來自將讀取之列的數 據可在感測放大器上使用後,此操作之序列。在完成—列 傳輸之後,可開始另一傳輸,且此處理持續,直到完成爲 止。此類型的傳輸稱爲"pRITIi,(Parallel R〇w Internal Transaction Intervention)。顯然地當持續此内部傳輸時, 不了對其他存取排存取。須知在串列介面上的傳輸可持續 此内部傳輸。另一可與本發明對照的相似觀念見於美國專 利申請案案號5473566,1995年1 1月5號出版。 經由此新技術,在一列存取時間中,可傳輸大量數據。 而且’考慮含兩内部排的"AMPIC DRAM”,各排爲! Μ χ 8。各排的内部架構中具有一 κ (1〇〇〇)列,且各具8位元 見度。應用"PRITI"功能,在一 "ras"循環中,可内部傳 輸8 Κ位元。與今日使用的方法比較下,已經有了很大的 進步,在現有的系統中8位元的數據經由系統匯流排介面 傳輸且在最佳的介面中取1 Κ循環及對應的裁定。如果具 有r列及’’ c "行,則應用本發明之"pRm"功能所需要的 總傳輸數爲,,Γ",而在習知技術方法中所需要的總傳輸數 爲"r X c',。 對任意排數來説處理過程均相同。介面有"m"内部排婉 列寬介面連結,則"PRm"圖可從一排傳輸數據至多餘二 的其餘排同時傳輸。當-廣播封包從—排向其他所有内部 排移動時’此項設計相當有用。應用本發明,不需要任何 列寬暫存器或鎖存器(稱爲列寬组儲存元件),所以產 本極低的配置。 ____ -21 - 本紙張尺度賴"家辟(⑽)&4麟(21Qx29»·^ ------------ 裝------訂------ A (請I路讀背vg之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印褽 A7 B7 經濟部中央標準局負工消費合作杜印製 五、發明説明(19 ) 在前述圖1 4中示"PRITI"模組。對"PRITI"載入各排的起 啓列位址及傳輸計數。在配置後,其裁定以得到兩排中的 内部匯流排》在此基本的觀念上,此可有多種變動,如圖 配置"PRITI"模組以使得一當得到可存取的權力時可用於 預定的猝發傳輸數’或在每次傳輸後加以釋放而允許其他 的資料共用DRAM核心。 本發明另一不同的實施例包含使用圖27中一寬组的儲存 元件(或任何可執行邏輯對等工作的配置)以執行數據交換 操作。例如’對於i Mx i且具1〇24位元列寬的dRAM來 説’該組儲存元件可包含1〇24個儲存元件。在此,應用一 漬取操作存取一内部排,且在該排之感測放大器中得到數 據(该排稱爲排2 ),且儲存在儲存元件的列寬组中、然後 從其他排(排1)中重取數據,且然後寫入排2。在此操作之 後,來自儲存元件的數據窝入排。圖18之圖顯示此操作的 適田序列。此項配置所需要的電路比在下文中應用兩組儲 存元件之電路所需要的儲存元件數少,但仍允許數據交換 ,但其成本爲較慢的執行速度。此方法適用於排丨至"m " 。此功能允許在短時間内,進行大量數據轉換,此爲多媒 體/圖形應用中相當有用的工具。由於加入—组儲存元件 ’所以此配置所需要的"PRITI"比原來的方法多,但在新 數據移向定位前不需要節省原始數據。 本發明的另一變更使用兩組儲存元件(見圖16,或任何 可執行對等邏輯工作的電路)以執行數據轉換操作。在此 ,在各兩内部排中的各排應用讀取操作同時存取,且在感 -22· 衣紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(21〇χ 297公釐 (請尤蚱讀背面之注意事項再填寫本頁) '1Τ
A 318222 五、發明説明(2〇 ) 測放大器處所得到的數據儲存在列寬組儲存元件中 16所示。如此得到且加以料的數據隨後可同時寫入= 。圖1 7示此操作的典型序列。 J中 因此本發明之|,PRITI "方法並不限於兩内部 用於DRAM晶片内的任意多排架構。而;: "PRITI"之方法應用於傳統型式之DRAM中,而 "AMPIC DRAM..之架構。而且另—更複雜的”PRITI,|^ 需要額夕卜暫存器的列外亦包含以行形成的傳輸邊界以= 行存取。 執入 與美國專利申請案案號5473566中不同的是在本發明的 實施例中,只需要-列寬組的儲存元件,而非各内部排各 需要一個。這正是本發明適於廣泛應用且保持相當便宜之 DRAM架構的原因。 對本發明更進一步的修改包含: ^濟部中央榡準局員工消費合作社印策 a ·在連結多排的儲存元件組中配置多於一的列寬匯流排。 一般,如果爲’’ m ”排,則最大非冗餘列寬匯流排數爲 ” m/2 ’’。如果每匯流排中一组此儲存元件位元組,則只需 要”m/2”組儲存元件需要製造同時分開之"m" ,, pRlTi,f 傳輸,各排一個; b .如果排數大時,則此排可次分在分開的各排中。例如, 在一 8排的配置中,4排可在一匯流排内,而其他4排可在 第二匯流排内,且應用上述"PRITr傳輸配置執行,且然 後,這些次排經其他匯流排應用上述"PRITI"傳輸功能中 的任一項功能連結。 -23 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(21〇Χ29·7公釐) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(21 ) 在此説明中使用一列寬之匯流排,如果需要減低成本的 話,一部份的列寬匯流排亦有效。須知不具有記憶體的 DRAM亦可包含此特列功能的優點。 在介面設計上有關MAMPIC DRAM"之衝擊 晶片具有某些不同的插腳,以反映其唯一之架構。圖19 示2 Μ X 8晶片(含9個串列介面)中一種可能的腳位設計, 而加入的插腳在以"AMPIC DRAM"爲基礎的主記憶體之介 面設計中需要加以變動。 圖1 9示提供一用於系統匯流排介面的n WAIT"信號,此 時緩衝器及DRAM核心間發生内部傳輸。CPU (或其他的 主控器)可使用此項設計以延遲存取之開始時間或用於不 同的配置中,可存取循環可以允許在存取前可完成内部傳 輸。如上文中所説明亦提供主時脈插腳("主時脈")。 當高度配置”AMPIC DRAM"時,需要有一架構可分別 DRAM核心究竟對應一裁定命令或一匯流排傳輸指令。在 圖1 9中的方法係提供一額外的控制信號以放大一命令或數 據存取。 在命令循環期間,當在"RAS"循環時不使用命令指令時 ,可在數據線上執行。對於内部傳輸命令此項設計特別有 用,在此需要沿緩衝器ID提供一 DRAM核心。此方法允許 使用傳統的信號"RAS"及"CAS”以提供核心DRAM位址, 其中數據線具有緩衝器數或任何其他的資訊/指令。實際 上可以發出兩種命令:一種是當"RAS”動作時,另一爲確 定"CAS"時。具有多種已知方法可配置此存取裝置,此受 __-24-_ 本紙張尺度適用中國國家標準(CMS ) A4規格(210X297公釐) ----------扣衣------、訂-----JA (請先閱讀背釙之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(22 ) 裝置技術及成本考慮所影響。 本發明的"AMPIC DRAM"所具有的插腳數由於串列連接 埠的關係所以比習知技術中的DRAM多,如果使用前述專 利申請案中"PARAS”型DRAM模型,則可令此”AMPIC DRAM"中的插腳數只增加所需要的邊際數。 含"AMPIC DRAM”的網路應用例 如上文中所説明,依據本發明,在各網路控制器及主記 憶體中提供串列介面/連接埠。在控制器及主記憶體間的 數據移動主要爲_列型式。從網路控制器中接收的_列數 據或將向網路控制器傳輸的數據儲存在封包緩衝器中,而 爲系統匯流排主控器所指定。在本文中當然假設網路控制 器可依據新系統架構所需要的格式接收串列數據。 考慮前文中3 2位元寬匯流排之例,其中使用2M X 8 "AMPIC DRAM"(而非習知技術中的DRAM)頻寬封包緩衝 器及四網路介面。例如在乙太網路上的使用者可傳輸一 1 024位元組的封包予另一使用者(如在FDDI網路上)。在 此基於主記憶體而含"AMPIC DRAM"的新系統架構中,如 圖2 0所示,在"AMPIC DRAM"上爲串列連接埠所接收的 數據連結乙太網路控制器。不需要任何裁定,且在乙太網 路時不會消耗任何主記憶體頻寬。在完成數據傳輸後(四 個” AMPIC DRAM”將接收25 6位元組),在此封包緩衝器經 裁定得到位元匯流排後,可在一次存取中完全傳輸至 DRAM核心中。當一列位址提供予DRAM核心時,其感測 放大器具有此列的所有數據位元。因此,可在一次存取中 _-25^_ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) I-------------ir-----J ^ (請先W-讀背;g之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 318222 at B7 五、發明説明(23 ) 儲存整個封包緩衝器,介面封包缓衝器的尺寸小於一列寬 ,則必需要進行多次存取。 此爲本發明勝過上述習知技術中平行匯流排之處,在習 知技術中的平行匯流排需要有256次存取及對應的裁決數 〇 在封包向” AMPIC DRAM”核心傳輸後,在本例中可爲 CPU存取且再指向FDDI連接埠。現在發生反向處理。在 單次得到裁定的存取中封包從一核心向適當的封包傳輸。 隨後此數據從封包緩衝器經串列連接埠向FDDI控制器傳 輸,且然後同時從FDDI控制器向其網路傳輸。再一次, 此逆向動作只向其傳輸裁定一次,但是在現存的設計中需 要256次傳輸及對應的裁定。 本發明的DRAM中的其他優點包含可得到相當大的增益 ,係因可只在一次存取可將廣播封包載入所有適當的緩衝 器中,且隨後向整個網路傳輸,且多列可依序存取,.並載 入不同的缓衝器,並隨後經連接埠傳輸,而提供較高的性 能。 含"AMPIC DRAM”之圖形/多媒體應用例 因此,在"BitBlt"操作中必定會消耗相當大的頻寬,其 中大量的數據必需要從一記憶體區向另一區移動。此消耗 系統頻寬相當大的一部份,因此一般用於圖形的DRAM與 主系統記憶體分開。但是此將增加系統成本。本發明亦提 供一方法可不必使用兩分開的匯流排,此將於下文中加以 説明。 _-26-_ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) --------1^.------ir-----J ^ (請先&‘讀背®之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 3182^2 . _—--——— B7_____ 五、發明説明(24 ) 使用圖5中習知技術之例子,其中一設計中的1 6列必需 更新’雖然此時DRAM組件爲相同2Mx8之"AMPIC DRAM",且具有兩内部排,各排爲11^乂8,且配置 "PRITI"功能’可在一新位址中傳輸1 6列的數據,而對於 新'AMPIC DRAM”的數據傳輸數可同於列數即: 傳輸數=將傳輸(16)之數 此又是1 63 84次傳輸的—項重大的改進,且可設計對於 習知技術以DRAM爲基礎之設計中現在所需要的相關裁定 ’且表示性能上量的3階改進。亦可降低系統頻寬的衝擊 。只在一存取時間中’可依據本發明傳輸大量數據。架構 的更新(包含系統及晶片準位)允許DRAM配置提供增強的 系統性能。 如前述配置"AMPIC DRAM",以提供高速設計用之圖形 幕數據。 例如’考慮下列提供予圖2 1之配置的參數: a.每晶片可用的5串列介面; b .配置4個此種晶片之3 2位元寬系統; c·各連接埠上的4個串列介面定義成一連接埠,且用於傳 輸設計數據;以及 d.各連接蜂的數據重取率爲Mhz (可快於此速率)。 在本例中,因爲在圖形中每晶片具有4個串列介面,可 配置16位元寬的圖形介面,其提供每循環2位元組速率的 數據’因此提供每秒頻寬200百萬位元组,已足敷用於大 部份的圖形應用中。介面使用具有9串列介面的"ampic -27- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4%/格(21〇χ297公釐 I I I II 裳 II —訂 I - (請先閱讀背奇之注意事碩再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(25 ) DRAM",可對8位元寬匯流排配置該晶片以提供更多的設 計數據頻寬。 以"AMPIC DRAM”爲基礎配置之系統的其他範例: 在上文中所使用的系統中,位元組具有3 2位元寬系統匯 流排的外部排。在某些應用中,外部排數可多於1,如使 用4排,各”AMPIC DRAM"具32位元寬度,如圖22所示。 此架構允許如果需要的話可將不同的網路介面連結各排。 此可在與其他盛行的方法比較下在合理的成本内更進一步 增加需要的互連性。例如,如果在各” AMPIC DRAM"上提 供9個串列介面,且各排連結四個網路介面,則共連結16 個網路。此與現存的技術比較,表示主要增益,一般在數 據4至5介面中得到尖峰値。 應用此架構,當所使用的外部排數多於1時,來自一排 的"AMPIC DRAM"串列連接埠可連結另一排的串列連接埠 。此在排間提供一加入路徑,可使用封包緩衝器以快速在 外部排傳輸數據。 在系統配置中,不需要使用全部的"AMPIC DRAM"。在 某些應用中可混合” AMPIC DRAM"與現存的DRAM,如圖 2 3中所示者。 在系統配置中的另一實施例中,可使用n AMPIC DRAM" 以提供圖形或設計介面,如圖2 4中所示者,以連結其他型 式的I / 0源,如視步照相機或衛星介面等。 聯合記憶體架構 · 在理想的情況下,配置者,爲了使圖形及主記憶體功能 _ -28-_ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) ----------i------ΐτ------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(26 ) 具有共同記憶體晶片,且仍提供所需要的功能。這種稱爲 "聯合記憶體架構”的方法(UMA)已產生強烈的爭論,且也 提出多種解決方法,包含上述的PDRAM晶片。而本方法 使用的插腳數較少,因此功率耗損低,成本低,且以封包 爲本的準則及上述的介面限制,不能如主記憶體一般有效 地工作,也沒有辦法進行局部存取。 另一潛在的解決方法即使用VRAM於主記憶體及圖形記 憶體中,但所加的成本無法彌補此項變動的優點。 因此在本發明之前,很不幸地沒有合理的方法可符合P C 市場廣泛的需求。 本發明中基於"AMPIC DRAM”之系統準位方法(已用圖 1 9的實施例加以説明)。提供可配置的串列介面及"PRITI" 功能,可確信此種設計的彌補此缺陷.。其所具有的信號插 腳多於RAMBUS(但電源及接地插腳數較少),至VRAM較 少,且在兩種操作上等效。應用本發明的配置,可應用較 少的頻寬而使得圖形及主記憶體功能内儲於同一記憶體中 ,因此符合聯合記憶體架構的目標。 此解決的另一實施例爲在晶片中具有兩内部排。一同於 圖形或相似應用中的"AMPIC"模組,而另一内部排可能較 大,可於習知技術中基於主記憶體的DRAM相同,且此兩 排均共用本發明的"PRITI"功能,如圖2 5中所示者。此種 潛在的整合方法提供兩最佳區域:一排示主記憶體,而另 一排似最適化圖形記憶體。此晶片架構允許兩内部排之間 具有大量的數據遷移,而由於"PRITI"功能所以系統頻寬 _-29-_ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先讀背面之注意事項再填寫本頁) 丨裝. 經濟部中央標準局貝工消費合作杜印製 -30- 318222 a- B7 五、發明説明(27 ) 的衝擊很少,因此提供同一晶片及單—匯流排上所需要的 全部功能,可用於各種應用中》 介面如圖26所示,"AMPIC”架構中使用稱爲"PARaS" DRAM的應用之介面存取裝置,則可對本發明更進一步地 加以改進,而降低插腳計數及成本,而在最低可能成本下 完成一主s己憶體及圖形的最適化。現在請考慮2 M X 8 DRAM (含"PARAS"介面)之例子,所節省的插腳數爲8, 然後,此可用於提供串列介面。如果只有配置5個串列介 面,則在南性能/低成本晶片中的插腳數可與習知技術中 的DRAM比較,當然其優點已於前文中加以説明。此整合 DRAM的優點爲: 口 a.提供增強的系統數據頻寬,除了板裝置速度增加外,加 構亦已更新。 $ b ·可在系統頻寬的最小衝擊内,移動大量的數據進出多的 I / 0 源。 ' c .可加以配置,以適應! /〇源中不同的數據遷移率。 d ·可應用快好幾階數據率,且對系統頻寬衝擊最少的方法 移動晶片内部中較大的數據方塊。 e .该裝置具所提供功能之較低的插腳計數。 f.由於插腳數降低所以成本較低。 g ·功率耗損很低。 h.此架構可降低進入封包及隨後傳輸之間的等待時間。 1.與習知技術的方法比較起來可互連爲數極多的丨/〇源。 j•系統設計介面幾乎與現在DRAM相同,因此縮小設計循 本紙張尺度適财國國 n I n I n — I I I —— ^ 丁._ I I _ U3 、-n I n--- * ^ (請先吣讀背IB-'之注意事項再填寫本頁) ^8222 A7 B7 五、 發明説明(28 環 k.對於主記憶體及圖形需要而可更有效率的工# 供聯合記憶體架構。 ®此提 對於熟習本技術者可對上述修改提供方法以载τ _ 封包至相似的他種連接埠,且可串列緩衝器,或力σ 同的 串列介 面或緩衝器開關予DRAM外的其他DRAM裝置,此 ^^在本 發明申請專利範圍的精神及觀點内。 ---------t—— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) I^ 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐)

Claims (1)

  1. 第85111239號專利申請案 中文申請專利範圍修正本(86年5月) 8 8 8 8 -ABCD 修ίiilTC 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 々、申請專利範圍 1. 一種使用於一系統之改進的動態隨機存取記憶體架構, -----—- 該系統包含一主控制器(如CPU )之系統,該控制器色含 平行數據連接埠及一動態隨機存取記憶體(DRAM),該 DRAM與一共同的系統匯流排介面連結且與其競爭,該 改進的DRAM架構包含多連接埠之内部快取存取的 DRAM (AMPIC DRAM),其包含多個獨立的串列數據介 面,各介面經由對應的缓衝器連結於分開的外部I / 0源 與内部DRAM記憶體之間;一置於串列介面及缓衝器間 的切換模組;及在動態配置下由匯流排主控制器連結串 列介面至緩衝器的切換邏輯控軚,該控制器如CPU,適 當的時候,對所需要的數據路由能力(routability)進行 路由分配之切換動作。 2. 如申請專利範圍第1項之一改進的DRAM架構,其中切 換模組包含一或多個多工器或橫桿(cross bar)開關,或 其組合。 3. 如申請專利範圍第1項之一改進的DRAM架構,其中該 記憶體爲系統的DRAM核心主記憶體。 4. 如申請專利範圍第3項之一改進的DRAM架構,其中該 缓衝器爲數據封包缓衝器,且提供一裝置用於在多個主 動封包緩衝器及CPU間執行介面存取之裁定(arbitration) 操作,當經由記憶體介面從封包緩衝器中接收或傳輸數 據時,則不需要裁定。 5. 如申請專利範圍第1項之一改進的DRAM架構,其中該 DRAM切換模組指定任何緩衝器予申列緩衝器,且在緩 衝器及核心DRAM間不需要傳輸數據時的任何中間步 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐) ---------I------、玎------^ (請先閱讀背面之注意事項箕填寫本頁) A8 B8 C8 D8 318222 々、申請專利範圍 驟。 6_如申請專利範固第1項之一改進的DRAM架構,其中各 獨立的串列介面具一位元寬度。 7. 如申請專利範圍第6項之一改進的DRAM架構,其中在 多個一位元寬串列介面上配置一共同I / 〇源,作爲·連結 至共同緩衝器的窄寬度匯流排或連接埠。 8. 如申請專利範圍第7項之一改進的DRAM架構,其中該 緩衡器的功能爲當形成一連接埠時,同時介接全部_列 介面,且介接配置在同一尺寸上的各緩衝器上,作爲其 所連結或駁接的連接埠。 9. 如申請專利範圍第1項之一改進的d R A Μ架構,其中對 各介面提供一控制線以控制I / 〇源及串列連接埠間的串 列數據流。 10. 如申請專利範園第1項之一改進的dram架構,其中提 供多個DRAM晶片,各連接埠連結於匯流排介面及〗/ 〇 源串列介面間,且應用一或多個串列介面作爲連接皡。 11. 如申請專利範圍第1項之一改進的DRAM架構,其中至 少提供兩經由列寬暫存器連結的兩内部DRAM核心,該 介面具有與對應RAS信號循環能力同時進行脈波選衝的 列位址。 12. 如申請專利範園第1 1項之一改進的d RAM架構,其中 由内部邏輯提供方向控制,使得在完成傳輸後,開始另 一傳輸’且所產生的平行列内部轉換介入(parallel r〇w internal transaction intervention(PRITI))持續完成。 13. 如申請專利範園第1 2項之一改進的D RAM架構,其中 -2- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) ^— (請先閲讀背面之注意事項弄填寫本頁) 訂 線· 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A8 S18222 1 々、申請專利範圍 提供一裝置,以在此内部轉換期間拒絕近接DRAM核 心,而在内部轉換期間允許_列介面傳輸。 14. 如申請專利範圍第1 3項之一改進的D RAM架構,其中 兩儲存元件的兩列寬組在該排之間介接,且提供裝置, 以應用該操作在各排間的一列上同時存取,並儲存.在儲 存元件中,且然後同時寫回數據源。 15. 如申請專利範圍第1 3項之一改進的D RAM架構,其中 一儲存元件之一列寬組放在一列寬匯流排介面上,且提 供列數據予一儲存排,並在數據寫入該排之後寫入至少 另一排中。 16. 如申請專利範圍第1項之一改進的D RAM架構,其中除 了分開的-列介面插腳外,尚對位在匯流排介面側的 DRAM晶片提供位址,存取,RAS,CAS,WRITE, WAIT,CMD/DATA 及 MASTER CLOCK插腳;只要在緩 衝器及DRAM核心間發生内部傳輸動作,則使用WAIT 信號的CPU不是延遲存取(WAIT)開始操作,即是延遲 存取循環,而允許在存取處理之前完成内部傳輸,'當 RAS循環期間,不使用數據線時,將存取之命令控制信 號加到數據線上;RAS及CAS線提供核心DRAM存取, 而數據線緩衝器數或其他指令資料;且主時脈控制串列 介接。 17. 如申請專利範圍第1項之一改進的D RAM架構,該系統 適於網路上的應用,該網路包含多個網路猃制器,各網 路串聯而與產生的主記憶體DRAM中的一或多個相介 接,隨後再連結匯流排介面之一側,且含一連結介面另 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) ---------^------ίτ------0 (請先閲讀背面之注意事項-?填寫本頁) 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 318232 六、申請專利範圍 一側的CPU,其中控制及主記憶體之間的數據移動主要 爲串列型式,且從網路控制器接收的串列數據作爲將向 網路控制器傳輸者儲存在封包緩衝器中,該緩衝器由系 統匯流排主CPU指定。 18. 如申請專利範園第1 7項之一改進的D R A Μ架構,,其 中,當一網路控制器傳輸數據予第二網路控制器時,爲 該網路控制器中之一記憶體連接埠所接收的數據傳輸向 對應以DRAM爲基礎的主記憶體,而不需要裁定 (arbitration)或消耗主記憶體頻寬,且應用在得到匯i流 排後由封包緩衝器經由在唯一的單次存取中,將該傳輸 數據加到對應的DRAM核心中,且將列存取數據提供予 DRAM核心;且其中傳輸向DRAM的封包爲CPU所處 理,且再指向網路控制器連接埠,且在裁定後在單次存 取中將數據向對應的封包缓衝器傳輸,然後經對應的串 列連接埠向該第二網路控制器及其網路傳輸。 19. 如申請專利範圍第i項之一改進的d ram架構,該系統 適於圖形/多媒體應用,該應用包含最小設計列數的傳 輸’且對記憶體D RAM形成多個顯示串列介面連接棒, 隨後再連結該匯流排介面中之一侧,且一 CPU連結匯流 排介面的另一側,其中設計連接埠及記憶體間的數據移 動主要爲串列型式,且從設計介面接收的_列數據儲存 在爲系統匯流排主CPU所指定的封包緩衝器中。 20. 如申請專利範圍第19項之一改進的draM架構,其中 提供裝置,以傳輸與數據傳輸操作同數的顯示列數。 21. 如申請專利範圍第17項之一改進的DRAM架構,其中 ^------ίτ------0 (請先閲讀背面之注意事項孑%寫本頁)
    318222 A8 68 C8 D8 經濟部中央標準局員工消費合作社印褽 申請專利範圍 一或多個習知技術中的傳統dram之外部排(沒有串列 介面)亦連結匯流排介面。 22. 如申請專利範圍第17項之一改進的dram架構,其中 提供一或多個"AMPIC DRAM·,之外部排,且亦連結匯流 排介面’並與圖形顯示數據.連接埠形成串列介接。. 23. —種在具有平行數據連接埠的cpu系統中排除DRAM系 統頻寬限制的方法,該CPU控制一系統匯流排介面,— 或多個配置有記憶體之DRAM單元或DRAM排單元與該 匯流排介面連結,此方法可増加數據傳輸的實質速度, 而降低配置的需要,且以較低的成本及較低的電力耗損 增加I / 0源,該方法包含應用至少一補充記憶體數據連 接崞經對應串列介面介接一外部〗/ 〇源;在Dram内部 對各串列介面提供一緩衝器,且提供一置於缓衝器及串 列介面間的切換模組;且使得CPU經由動態配置切換模 組的切換工作控制至緩衝器之串列介面的連結,而適用 於所需要的數據路由能力。 24. 如申請專利範園第23項之方法,其中由多工或橫向切換 或兩者而實現切換操作。 25. 如申請專利範圍第2 3項之方法,其中該切換指定緩衝器 至任何介面,且在緩衝器及DRAM記憶體之間不需要任 何數據傳輸的中間步驟,且裁定緩衝器及Cpu間的匯流 排介面存取’但不需要裁定以經由串列介面從缓衝器中 接收數據或向其傳輸數據。 26·如申請專利範圍第i項中一改進的DRAM架構,此架構 用於一晶片,此晶片包含至少兩排Dram至切換模組和 ---------1------IT------^ (請先閔讀背面之注意事項召填寫本頁)
    210X297公釐) A8 B8 C8 D8
    申請專利範圍 緩衝器;平行的列内部交換介間裝m内部數據列 的傳輸及連結,使得至少串列至一1/〇圖形顯示器的_ 排使用另-排’以主要作爲主記憶禮核心,得到CPU存 取=或兩排,在該另一排中移動數據,且在平行的列内 t交換介間裝置的控制之下',在各排間移動數據,·因此 提供適於聯合記憶體架構的晶片。 7·種用於具有主控制器的系統中之改進的記憶體單元架 構,該控制器如中央處理單元(cpu),此cpu具有平行 數據連接埠及隨機存取記憶體單元,各記憶體單元連結 且競相對一共同E流排介面存取,該改進的記憶體單元 架構包含多連接埠内部快取記憶體單元,該單元包含多 個獨立的串列數據介面,各介面係經對應之緩衝器連結 於一分開的外部I / 〇源及内部記憶體之間;一切換模組 -置於串列介面及緩衝器之間,及一切換模組邏輯控制, 可經由匯流排主控制器(如該CPU)在一動態配置之下, 連結串列介面至緩衝器,以切換路由分配,使其適用於 所需要數據之路由能力。 I I I裝 II 訂 旅 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐)
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