A7 317614 B7_ 五、發明説明（1 ) 〔產業上之利用領域〕 本發明係關於一種输出電路者，更具體而言’係關於 一種提高保證耐壓電平的輸出電路者* (請先聞讀背面之注^^項再填寫本頁) 〔以往之技術〕 將以往之输出《路的一構成例表示於第6圖· 在第6圓中，雙極性電晶髏601、602係被達林 頓（Darlington)連接。在道些之雙極性電晶髏6 0 1、 6 0 2之集極與電源V cc之間，順時鐘方向地連接有蕭特 基位障二極體（Schottky barrier diode) 6 0 3 * 又， 雙極性電晶體6 0 1之射捶係經由電阻元件6 0 4連接於 雙極性電晶體6 0 2之射極，而該雙極性電晶體6 0 2之 射極係連接於输出端子6 1 2 *又，雙極性電晶髖6 0 1 之基極係連接於NOR電路6 0 5之输出端。該NOR電 路6 0 5之其中一方的输入端係經由NOT電路6 0 6連 接於倌號输入端子6 1 3，而另一方的输入端子係連接於 输出促成信號用端子6 1 4 · 經濟部中央橾準扃貝工消费合作社印装 一方面，雙極性電晶髏6 0 7係集極連接於输出端子 6 1 2，射極被接地，且基極連接於NMO S電晶髖 6 1 1之源極•在該雙極性電晶髖6 0 7之基極與接地 GND之間，設有電阻元件609 ·又，NM0S電晶體 6 0 6之汲極係經由電阻元件6 1 0連接於電源Vcc，閘 極係連接於NOR電路611之输出端•該NOR電路 6 1 1係其中一方之输入端連接於信號输入端子6 1 3， 本紙張尺度適用中關家鮮（CNS ) ( 210X297公# 4 - ~ Μ濟部中央標準局貝X消费合作社印製 A7 ______B7____ 五、發明説明（2 ) 而另一方之输入端連接於输出促成信號用端子614· 在這種输出電路中，输出促成信號/0 E在低電平且 输入信號Din在髙電平時，N0R電路6 0 5之输出係成 爲髙電平* N0R電路6 1 1之输出係成爲低電平。如此 ，雙極性電晶體6 0 1係成爲導通，因此，雙極性m晶釐 6 0 2也導通•反觀，由於NMO S電晶體6 0 8係成爲 斷開，因此，雙極性電晶髓6 0 7也斷開。故*從输出端 子6 1 2所输出之信號D。〇之髦位係成爲高電平· —方面，输出促成信號/0 E在低電平且输入信號 Din也在低電平時，NOR電路6 0 5之输出係成爲低《 平，NOR電路6 1 1之输出係成爲高電平，故雙極性電 晶體601、602、607係分別成爲断開、斷開、導 通。因此，输出信號D cUt之電位係成爲低《平（零伏特 )· 又，输出促成信號/0 E在高電平時，不管输入信號 Din之信號電平，由於NOR電路6 0 5、6 1 1之输出 係低電平，因此，雙極性電晶髖601、602、607 係分別成爲斷開，故输出信號D之電位係成爲不定· 〔發明欲解決之課題〕 第7圈係表示用於說明如表示於第6豳之输出電路之 使用例的方塊圖•在同圓中，在系統匯流201 ，經由介 面盤221〜226*連接有作爲終端裝置之CPU( Central Processing Unit) 2 1 1，軟式磁碟機裝置 本紙浪尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2!0Χ297公釐）-5 - n-ai— 11(- Lf in Λ ^------訂------, (請先w讀背面之注$項再填寫本I ) 經濟部中央標準局貝工消费合作社印製 317βί4 A7 B7 五、發明説明（3 ) 212，硬式磁碟機裝置213，印表機214 ’平面面 板鼷動器裝置2 1 5及記億《2 1 6。在介面盤2 2 1〜 2 2 6內分別設有表示於第6圔之输出電路· 在表示於第7圓之系統中，一般係僅1埠成爲動作狀 態，而其他之埠係成爲非動作狀態。例如，僅C P U 211與軟式磁碟機裝置212之間的埠位於動作狀態時 ，CPU 21 1與其他介面盤223〜226之間的埠 係大都成爲非動作狀態•此時，介面盤2 1 1、222係 在動作狀態，惟其他介面盤2 2 3〜2 2 6係成爲拒絕狀 態•或是，因最近對於低耗電志向較強，因此，在例如未 使用硬式磁碟機裝置213，印表機214，平面面板鼷 動器裝置2 1 5及記憶髖2 1 6時，也有切斷對應於道些 終端之介面2 2 3〜2 2 6之電源之情形•因此，藉由從 動狀態之介面盤內的输出電路所输出之信號D。^，須構 成各输出電路，使漏電流不會發生在抑制狀態或斷電狀態 之介面盤內的输出電路•發生這種漏霉流時，則有降低信 號Doui:之電位而生誤動作之虞，又，成爲增大耗電之原 因· 尤其是，現在，输出信號0。^爲5伏特之終端成爲 主流，惟考置今後會增加3伏特之終端裝置者，因此，可 考置在一系統內混雜5伏特終端與3伏特終端。故，输出 信號Doul:在對應於3伏特之終端的介面盤之輸出電路， 也必須確保約7伏特爲止的斷開、漏泄特性。 第8圏係表示用於說明漏«流之具體性發生路徑所用 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（ 210 X 297公釐μ 6 - <請先閱讀背面之注$項再填寫本頁) 訂 f S丄7614 A7 ______B7_ 五、發明説明（4 ) 的電路圓。在第8圖中，與第6圔附與相同記號之構成部 ’係分別表示與第6圖之情形相同者*又，NMO S電晶 «801、PMOS電晶« 8 03及蕭特基位障二極體 8 0 2所成的NOT電路，係構成NOR電路6 0 5之输 出部的電路。 在第8圖中，路徑A係表示從输出端子6 1 2經由鼇 阻元件6 0 4供應於雙極i電晶«6 0 1之射極的電流漏 泄至基極側，並通過蕭特基位障二極體6 0 2及NMO S 電晶髖8 0 1而流出至接地GND之情形•路徑A之漏泄 係一般電晶髄6 0 1之射極，反向耐量與蕭特基位障二極 髏6 0 2之上昇電壓VF之和比電壓V eut小的输出電路中 *發生在用於移行至抑制狀態使NMO S電晶體8 0 1成 爲導通時· 經濟部中央樣準局贝工消费合作社印装 (請先《讀背面之注意事項再填寫本頁) 路徑B係表示從输出端子6 12經由電阻元件6 0 4 供應於雙極性竃晶«6 0 1之射極的電流漏泄至基極側， 又從PMO S電晶髏8 0 3之汲極漏泄至半導體基板而流 出至接地GND之情形•路徑B之漏泄係一般雙極性電晶 體6 0 1之射極6 0 1之射極，反向耐1:與PMO S電晶 體8 0 3之汲極，基板間之橫方向的耐量之和比電壓 V 小的输出電路中，發生在移行至断電狀態時· 路徑C係表示從输出端子6 1 2經由電阻元件6 0 4 供應於雙極性電晶體6 0 1之射極的電流漏泄至基極側， 又從PMO S電晶體8 0 3及汲極漏泄至源極而流出至電 源線之情形*路徑C之漏泄係一般雙極性電晶髖6 0 1之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4规格（210X297公釐μ 7 - 經濟部中央標準局貝工消费合作社印裝 A7 _B7_ 五、發明説明（5 ) 射極，反向耐量與PMO S電晶體8 0 3閾值電壓V 及 該雙極性電晶體8 0 3之反向閘極效果之和比重壓 小的输出電路中，發生在移行至斷電狀態時（亦即成爲 V cc= 0 時）* 路徑D係表示從输出端子6 1 2經由電阻元件6 0 4 供應於雙極性電晶體6 0 1之射極的電流漏泄至基極側， 又從PMO S電晶體8 0 3之汲極經由基板漏泄至電源 Vcc之情形•路徑D之漏泄係一般雙極性電晶體6 0 1之 射極，反向耐置與汲極，基板間之横方向的耐置之和比電 壓Veu1:小的输出電路中，發生在移行至斷電狀態時* ( 亦即，成爲vcc=〇時）· 在此，爲了提高输出電路之斷開、漏泄特性，考置提 高構成输出電路之雙極性電晶體6 0 1、6 0 3等之耐量 的對策，惟藉由道種對策，實質上不可能將如第6圖所示 之输出電路之斷開、漏泄特性提高至約7伏特•擬提高雙 極性電晶镰或MO S竃晶镄之斷開、漏泄特性時，則其他 之電晶體特性會惡化，因而输出特性會惡化。例如，在雙 極性電晶镫中，擬提高射極，反向耐置時，則電流放大比 率h FE會降低，又在MO S電晶體中，擬提高接合耐量或 閾值電壓V 時，則互相《導G „會降低。 本發明係鑑於道種以往技術之缺黏而削作者，其目的 係在於提供一種不損及输出特性而可提高斷開、漏泄特性 的输出電路· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)M規格（210X297公釐）_ 8 - I- n I ·- I ί 1 -i -- 衣— -1- I - - - - g ....... ϋ -8 I ------ — {請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央揉準局貝工消费合作杜印«. 317614 A7 B7 五、發明説明（6 ) 〔解決課題所用之手段〕 第1項發明之输出電路，其特徵爲：具備 基極输入信號，集極連接於電源且射極連接於输出端 子之達材頓連接雙極性電晶體電路，及 源極連接於上述雙極性電晶髖電路之最後段的雙極性 電晶髏之基極，汲極被接地，閘極输入上述信號，且反向 閘極經由第1二極髖與上述電源相連接的第1PMOS電 晶體等· 在上述第1項明中，又具備： 源極連接於上述電源，汲極連接於上述最後段的雙極 性電晶髖之基極，閘極输入上述信號之反轉值，且反向閘 極連接於上述電源的第2PM0S電晶體，及 串聯地連接於該第2 MO S電晶髖之源極與上述電源 之間，或上述第2 PMO S電晶體之汲極與上述最後段的 雙極性電晶髖之基極之間的第2二極釐者*較理想· 第2項發明之输出電路，其特徵爲：具備 基極输入信號，集極連接於電源且射極連接於输出端 子之達林頓連接的雙極性電晶《電路，及 集極連接於上述雙極性電晶«電路之最後段的雙極性 電晶體之基極，且射極被接地的防止漏泄用雙極性電晶體 等。 〔作用〕 第1項發明，由於在最後段的雙極性電晶臁之基極與 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐>-9 - {請先閏讀背面之注意事項再填寫本頁) 策 - 317614 at ___B7_ 五、發明説明（7 ) 接地之間設置第1 PMOS電晶髓，可將對於接地之斷 開、漏泄特性，僅提高該第1 PMO S電晶體之反向閘 極電壓之分置者。 又，在第1項發明中*由於又具備第2 PMOS電 晶體及第2二極髏，故可將對於m源之斷開、漏泄特性， 僅提高第2二極髖之基納（Zener)電應之分置· 第2項發明，由於在最後段的雙極性電晶體之基極與 接地之間設置第3雙極性電晶體，可將對於接地之斷開、 漏泄特性，僅提高該第3雙極性m晶髖之反向耐置之分量 者· (實施例） 以下，參照圖式說明本發明之實施例。 (實施例1 ) 經濟部中央揉率局員工消费合作社印製 {請先聞請背面之注意事項再填寫本買) 作爲實施例1，說明第1項發明之一資施例（相對應 於申請專利範困第1項）。第1圓係表示本實施例之输出 電路之構成的電路圖。 在第1圓中，藉由雙極性電晶體101 、102 ，構 成有達林頓連接之電路（相當於本發明之「雙極性電晶體 電路」）·在此，雙極性電晶體101係基極連接於 NOR電路1 〇 5之输出端，且集極連接於電源Vcc·又 ，在雙極性電晶體1 0 2 (相當於本發明之「最後段的雙 極性電晶體」），係基極連接於雙極性電晶體1 0 1之射 本紙張尺度適用中國國家梯準（CNS ) A4規格（210X297公釐1〇 _ A7 B7 經濟部中央揉準局貝工消费合作社印装 五、 發明説明（8 ) 1 極 • 集 極經由 蕭 特 基 位 障 二 極 體 1 0 3 連 接 於 電 源 V CC > 1 1 且 射極連接於 输 出 端 子 1 1 4 0 1 I P Μ 0 S 電 晶 體 1 0 4 ( 相 當 於 本 發 明 之 厂 第 1 1 1 I P Μ 0 S met 曰 電商 體 J ) 9 係 源 極 連 接 於 雙 極 性 電 晶 髖 1 0 2 請 先 1 閎 \ 之 基 極 ) 汲極被 接 地 » 閘 極 連 接 於 N 0 R 電 路 1 0 6 之 输 讀 背 1 出 端 且 反向 閘 極 經 由 蕭特 基 位 障 二 極體 1 0 3 ( 相 當 於 之 注 备 \ 本 發 明 之 「第 1 二 極 髖 J ) 連 接 於 電 源 V C C 。 % 項 1 N 0 R電 路 1 0 5 > 1 0 6 係 其 中 — 方 之 输 入 端 均 經 再 填 寫 本 Λ 木 由 Ν 0 Τ 電路 1 0 7 連 接於 信號 输 入 端 子 1 1 5 而 另 — 頁 1 I 方 之输 入 端係 連 接 於 输 出 促成 信 號 用 端 子 1 1 6 〇 1 1 I 一 方 面， 雙 極 性 電 晶 體 1 0 8 係 集 極 連 接 於 输 出 端 子 1 1 1 1 1 4 1 射極被接地 且 基 極 連 接 於 N Μ 0 S 電 晶 髖 1 訂 1 0 9 之 源極 〇 又 在該 雙 極性 電 晶 體 1 0 8 之基極與接 1 1 地 G N D 之間 設有 電 阻 元 件 1 1 1 〇 N Μ 0 S 電 晶 餿 1 1 1 0 9 之汲極係經 由 電 阻 元 件 1 1 2 連 接 於 電 源 V CC 閘 1 I 極 係 連 接 於N 0 R 電 路 1 1 3 之 输 出 端 • 該 Ν 0 R 電 路 I 1 1 3 係 其中 之 一 方 的 输 入 端 連 接 於 信 號输 入 端 子 1 1 5 1 1 I » 另 一 方 之输 入 端連接於输出促成 信號 用 端 子 1 1 6 0 1 1 1 在 這 種输 出 路 中 输 出 促 成 信 號 / 0 Ε 爲 低 電 平 且 1 1 输 入 信 號 D in 爲高 電 平 時 9 N 0 R 電 路 1 0 5 1 0 6 之 * 1 1 输 出 係 成 爲高 電 平 • N 0 R 電 路 1 1 3 之 输 出 係 成 爲 低 電 1 平 ( 因 此 ，雙 極 性 電 晶 體 1 0 1 之输 入 信 號 係 實 質 上 成 爲 1 I D in ) 〇 由此 9 雙 極 性 電 晶 體 1 0 1 係 成 爲 導 通 > 又 因 1 I N 0 R 電 路1 r— 0 6 之 输 出 係 成 爲 髙 電 平 • 因 此 » Μ 0 S 電 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家楳準（CNS)A4規格（210X297公釐+ 11 - 317614 A7 B7 五、發明説明（9 ) 晶體104係被斷開。故，雙極性電晶髏102也導逋· 反觀，因NMO S電晶體1 0 9係被斷開，因此，雙極性 電晶體1 0 8被斷開•因此’從输出端子1 1 6所输出之 信號的電位係成爲高電平。 一方面输出促成信號/〇 E爲低電平且输入信號 Din也爲低電平時，由於NORM路1 0 5、1 0 6之输 入係成爲低電平，NOR電路1 1 3之输出係成爲髙電平 ，故，雙極性電晶髖101、PM0S電晶髓104、 NMO S電晶體1 0 9係分別成爲斷開、斷開、導通。由 此，雙極性氰晶體1 0 2係斷開，而雙極性電晶體1 0 8 係成爲導通•因此，信號0。〇之電位係成爲低電平· 又，输出促成信號/OE係高《平時*不管输入信號 Din之信號電平，由於NOR電路105、106、 113之输入係成爲低電平，因此，電晶體101、 1 0 9係均被斷開，而電晶體1 0 4係成爲斷開•故，電 晶體1 0 2、1 0 8係均被斷開，而信號D。^之電位係 成爲不定* 經濟部中央揉準局貝工消费合作社印裂 (請先聞讀背面之注$項再填寫本頁) 以下，說明本資施例之输出電路的斷開、漏泄特性* 在本實施例之输出電路中，在抑制狀態下，電流之漏 泄係從第1圖之输出端子1 1 4供應於雙極性電晶體 1 0 2之射極的電流漏泄至基極側•通過PMO S電晶體 104而沿著流出在接地GND的路徑（亦即，第1圖之 路徑a i)所發生。在本實施例之输出電路，對於路徑a j 之漏泄的断開、漏泄特性，係雙極性電晶體1 〇 2之射極 本紙張尺度適用中困國家標準（CNS)A4规格（2丨OX297公釐+ 12 - A7 B7 五、發明説明（1G) ，反向耐量，及PMO S電晶髏1 0 4之閾值電壓’以及 該PMO S電晶體1 0 4之反向閘極偏壓效果的電壓之和 所供應*由此，依照本實施例，不會變化各元件之耐置， 比以往之情形（參照第8圖之路徑A)可容易提高2〜3 伏特之耐1:。 —方面，在斷電狀態中，在從输出端子1 1 4電流漏 泄於電源Vcc之路徑（路徑Gi) ’由於存有雙極性壜晶 體101、102，因此，可得到雙極性電晶體之射極’ 反向耐纛之兩倍的耐量，因此，與以往者（參照第8圖之 路徑C)相比較漏泄之虞極小· 如此，依照本實施例之输出電路，由於不必提高各元 件之耐置即可提高作爲整體输出電路之耐量，因此•不會 損及输出特性下成爲可提高断開、漏泄特性· (實施例2 ) 經濟部中央樣準局貝工消费合作社印袋 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 作爲實施例2，說明第1項發明之其他實施例（相對 應於申請專利範困第1、2項），第2圖係表示本實施例 之输出電路之構成的電路圖。 在第2園，也藉由雙極性電晶體101 、102，構 成有本發明之「雙極性電晶髄《路」。在此，雙極性電晶 鳢1 0 1係基極連接於下述之NOR電路1 05的输出端 ，集極經由蕭特基位障二極體1 0 3連接於電源Vcc*又 ，雙極性電晶體1 0 2係基極連接於雙極性電晶髏1 0 1 之射極，集極經由二極體1 0 3連接於電源Vcc，且射極 本紙張尺度適用中國國家標準（〇阳>八4规格（2丨0父297公釐+13 — 317614 A7 _B7_ 五、發明説明（11) 連接於輸出端子1 1 4 * PMO S電晶體10 4係與資施例1同樣，係源極連 接於雙極性電晶髖1 0 2之基極、汲極被接地，閘極連接 於NOR電路1 〇 6之输出端*且反向閘極經由蕭特基位 障二極體1 0 3連接於電源Vcc。 一方面，PMOS電晶髏201(相當於本發明之「 第2PMOS電晶髖」），係源極連接於電源Vcc，汲極 經由蕭特基位障二極《202(相當於本發明之「第2二 極體」）連接於雙極性電晶艟1 0 2之基極，閘極經由 NOT電路2 0 3連接於NOR電路1 0 8之输出端，且 反向閘極連接於電源Vcc。 對於其他之構成，由於與資施例1之情形同樣•因此 省略其說明* 經濟部中央標準局貝工消费合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 在道種输出電路中，输出促成信猇/0 E爲低電平且 输入信號Din爲低電平時，NOR電路1 0 5之输出係成 爲高電平，NOR電路1 1 3之輸出係成爲低電平•由此 ，雙極性電晶體101係成爲導通。又，因NOR電路 106之输出係成爲髙電平•因此，PMOS電晶髖 104係被断開，PMOS電晶髖201係成爲導通•因 此，雙極性電晶體1 0 2係成爲導通*反觀，因NMOS m晶體1 0 9係被斷開，因此，雙極性電晶體1 0 8也被 斷開。由此，從输出端子1 1 6所输出之信號D。^的電 位係成爲髙電平· 一方面，输出促成信猇/0 E爲低電平且输入信號 本纸張尺度適用t國國家#準（CNS ) A4规格（210X297公釐> 14 - A7 B7 五、發明説明（12)
Din也爲低m平時，由於NOR電路1 0 5之输入係成爲 低電平，NOR氰路1 1 3之输出係成爲高電平，因此， 雙極性電晶體1 0 1、NMOS電晶體1 0 9係分別成爲 斷開、導通。又，由於NOR電路1 0 6之输出係成低電 平，因此，PMOSm晶髖104係被導通，而PMOS 電晶體201係成爲斷開*故，雙極性電晶《102、 1 0 8係分別成爲斷開，而信號D QUt之電位係成低電平 〇 又，輸出促成信號/〇 E爲髙電平時，由於不管输入 信號Din之信號電平，NOR電路105、106、 1 1 3之输出係成爲低霉平，因此，雙極性電晶體1 0 1 、PMOS電晶體201 'NMOS電晶髖109係分別 成爲斷開，一方面，電晶《1 0 4係成爲導通•故，雙極 性《晶體1 0 2、1 0 8係分別成爲斷開，信號D 之 電位係成爲不定· 經濟部中央樣準局貝工消费合作社印装 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 以下，說明本實施例之输出電路之斷開、漏泄特性· 在本實施例之输出電路中，在抑制狀態下，m流之漏 泄係沿著第2圖之路徑a2(亦即，從輸出端子1 1 4供 應於雙極性電晶體1 0 2之射極的電流漏泄於基極側，通 過PMOS電晶體104而流出至接地GND之路徑）而 發生•本實施例之输出電路也與實施例1同樣.，對於該路 徑a i之漏泄的斷開、漏泄特性，係以雙極性電晶體 1 0 2之射極，反向耐量，及PMOS電晶體1 04之閾 值電壓•以及該PMO S電晶體1 〇 4之反向閘極偏壓效 本紙張尺度適用中國國家4Mt(CNS)A4規格（ 210X297公釐+ 15 - A7 _B7_ 五、發明説明（13) 果的電壓之和所供應。由此’依照本實施例’不會變化各 元件之耐量，比以往之情形（參照第8圖之路徑A)可容 易提高2〜3伏特之耐置· 一方面，在斷電狀態中，對於從路徑D2(從输出端 子1 1 4供應於雙極性電晶體10 2之射極的電流漏泄於 基極側，通過蕭特基位障二極體202，又從PMOS電 晶體2 0 1之汲極漏泄於半導體基板而流出至接地GND 之路徑）及路徑C2 (從輸出端子1 1 4供應於雙極性電 晶髏1 0 2之射極的電流漏泄於基極側，通過二極髏 2 0 2，又從PMOS電晶體2 0 1之汲極漏泄於源極而 流出至電源V cc之路徑）而發生之漏泄的斷開、漏泄特性 僅上昇蕭特基位障二極髖2 0 2之透納霉壓的分量*因此 ，與以往者（參照第8圓之路徑BC)，可提高耐量· 如此，依照本資施例之輸出電路，由於不必提髙各元 件之耐量即可提高作爲整髖输出電路之耐量，因此，不會 損及输出特性下成爲可提高醱開、漏泄特性· 經濟部中央櫺準局貝工消费合作社印裂 (請先閾讀背面之注f項再填寫本買) 又*在達林頓連接之输出電路，输出電位D 之髙 電平的電壓值會成爲Vcc- 2 VBE，惟在本實施例之輪出 電路，由於以PMO S電晶體2 0 1直接驩動雙極性電晶 體1 0 2之構成，因此，即使電源電位V cc降低也可極力 抑制输出電位Dcut之降低· (實施例3 ) 作爲實施例3，說明第1項發明之其他實施例（相對 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（ 210X297公釐+ 16 - 317614 A7 __B7_ 五、發明説明（14 ) 應於申請專利範園第1 ，2項）· 第3圖係表示本實施例之输出電路之構成的電路圈· 又，在第3圖中，與第1圓附與相同記號之構成部係分別 表示與第1圖之情形相同者· 雙極性電晶體301(相當於第1項發明之『雙極性 電晶體電路」），係集極經由蕭特基位障二極體302連 接於電源Vcc，且射極連接於输出端子1 1 4 ·· PMOS電晶髏303(相當於第1項發明「第1 PMOS電晶體」），係源極連接於雙極性電晶髖301 之基極、汲極被接地，閘極連接於NORM路1 0 6之输 出端，且反向閘極經由蕭特基位障二極體302(相當於 第1項發明之「第1二極體」）連接於電源Vcc • ‘ PMOS電晶《304(相當於第1項發明之「第2 PMOS電晶體」），係源極經由蕭特基位障二極髏 3 0 5 (相當於第1項明之「第2二極髏」）連接於電源
Vcc，汲極連接於雙極性電晶體3 0 1之基極，閘極經由 NOT電路1 〇 5之输出端·且反向閘極經由蕭特基位障 經濟部中央樣牟局貝工消费合作杜印掣 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本霣) 二極髖3 0 2連接於電源Vcc* 在這種输出電路中，输出促成信號/0 E爲低電平且 输入信號Din爲高電平時，NOR電路105、106之 输出係成爲高電平（因此，PMOS電晶體3 0 3之输入 信號係實質上成爲Din，又PMO S電晶體3 0 4之输入 信號係實質上成爲Din之反轉值），NOR電路1 1 3之 输出係成爲低電平。由此，PMOS電晶體3 0 3係被断 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐17 — ' 經濟部中央標準局貝工消费合作社印製 A 7 B7 五、發明説明（15) 開，因PMOS電晶嫌3 0 4係成爲導通*因此，雙極性 電晶體3 0 1也成爲導通。對於此，因NMO S電晶體 1 0 9係成爲斷開，因此，雙極性電晶體1 0 8也成爲斷 開。故，從输出端子1 1 4输出之信猇D euit之電位係成 爲髙電平。 一方面•输出促成信號/0 E爲低電平且输入信號 Din爲低電平時，由於N0R電路1 〇 5、1 0 6之输出 係成爲低電平（因此，PMO S電晶髏3 0 3之输入信號 係實質上成爲Din，又，PM0S電晶體3 0 4之输入信 號係實質上成爲反轉值），N0R電路113之输出係成 爲高《平，因此，PM0S電晶體303、304係分別 成爲導通、断開*故雙極性電晶體3 0 1係成爲斷開。又 ，由於NOR電路1 1 3之输出係成爲高電平，因此， NMO S電晶體1 0 9係被導通*故雙極性電晶髏1 0 6 係被導通·故信號之電位係成爲低電平· 又，输出促成信號/0E爲高電平時（抑制狀態）， 係不管输入信號Din之信號電平，由於NOR電路1 〇 5 、106、113之输出係成爲低電平，因此，PMOS 電晶體303、PMOS電晶髖304、NMOS電晶體 1 0 9係分別成爲導通、斷開、斷開，故雙極性《晶體 3 0 1、雙極性電晶體3 0 8係分別被斷開，输出信號 D之電位係成爲不定。 以下，說明本實施例之输出電路之斷開、漏泄特性· 在本實施例之输出電路中*在抑制狀態，電流之漏泄 本纸張尺度適用中國國家標準（<：炤）八4规格（2丨0父297公釐+18- --11- ^^1 1-# - I ' 策-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ,-rr 317614 A7 B7_ 五、發明説明（16) {請先閲讀背面之注$項再填寫本頁) 係沿著第3圓之路徑33 (從输出端子1 1 4供應於雙極 性電晶體3 ο 1之射極的m流漏泄至基極側，通過 PMO S電晶體3 0 3流出於接地GND的路徑）而發生 β 在本實施例之输出電路，對於路徑a 3之漏泄的斷開、 漏泄特性，係以雙極性電晶體3 0 1之射極、反向耐置， 及PMO S電晶體3 0 3之閩值電壓，以及依該PMO S 電晶體3 0 3之反向閘極偏壓效果所產生之竃壓的和所供 應•由此，依照本實施例，不會變化各元件之耐置下，比 以往者（參照第8圖之路徑A)可容易提髙2〜3伏特的 耐量。 M濟部中央揉準局貝工消费合作杜印製 一方面，在斷電狀態下，可提髙對於沿著路徑C3( 從输出端子1 1 4供應於雙極性電晶體3 0 1之射極的《 流漏泄至基極側，從PMO S幫晶髏3 0 4之汲極漏泄至 源極，及通過蕭特基位障二極髖3 0 5而流出至電源Vcc 之路徑）或是路徑d3(從输出端子1 1 4供應於雙極性 電晶髗301之射極的電流漏泄至基極側，又從PMOS 電晶體3 0 4之汲極經由蕭特基位障二極《3 0 2漏泄至 電源V cc的路徑）所發生的漏泄的斷開、漏泄特性•亦即 ，本實施例之输出電路*係對於該漏泄之斷開、漏泄特性 ，僅上昇蕭特基位障二極體3 0 5或蕭特基位障二極髏 3 0 2之透鈉電壓之分童•因此，比以往（參照第8圓之 路徑B，C)，可提高耐置。 如此*藉由本發明之輸出電路，也由於不必提髙各元 件之耐量即可提高作爲整體输出電路之耐置，因此，不會 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐备19 - ' ~ ' A7 _B7_ 五、發明説明（17 ) 損及输出特性下成爲可提高斷開、漏泄特性· (實施例4 ) 作爲實施例4，說明第2項發明（相對應申請專利範 圍第3項）之一實施例。 第4圖係表示本資施例之输出電路之構成的電路圖· 又，在第4圓中，與第1圈附與相同記號之構成部係分別 表示與第1圖之情形相同者。 經濟部中央揉準局貝工消费合作杜印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁 在第4圖係由雙極性《晶體4 0 1、4 0 2構成達林 頓連接之電路（相當於本發明之「雙極性電晶驁電路」） ，在1，雙極性氰晶髏4 0 1係基極連接於NOR «路 1 0 5之输出端，且集極連接於電源Vcc·雙極性電晶髓 4 0 2 (相當於第2項發明之「最後段之雙極性蕙晶髖j )，係基極連接於雙極性電晶tt401之射極，集極經由 二極體4 0 4連接於Vcc，且射極連接於输出端子1 1 4 •又*雙極性電晶髖4 0 3 (相當於第2項發明之「防止 漏泄用雙極性電晶體」），係集極連接於雙極性電晶髏 4 0 2，且連接有射極* 又，在電源V cc與接地GND之間，串聯地連揆有 P Μ 0 S電晶體4 0 5及N Μ 0 S電晶體4 0 6、4 0 7 • PMOS電晶體405、NMOS電晶體407之閘極 係連接於NOT電路4 0 8之输出端，NMO S電晶髏 4 0 6之閘極係連接於電晶體4 0 2之基極•又， PMO S1：晶體4 0 5之反向閘極係連接於電源Vcc， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS )八4规格（210X297公釐> 20 - 經濟部中央棋率局貝工消费合作社印製 4% ^ r* JI Λ w〇i4 A7 __B7_ 五、發明説明（18 ) NMOS電晶體406、NMOS電晶髖407之反向閘 極係被接地· 在道種输出竃路中，输出促成信號/〇 E爲低電平且 输入信號D in爲高電平時，則NOR電路105、106 之输出係成爲高電平（因此，雙極性電晶體40 1之輸入 信號係實質上成爲Din) ，N0R電路113之输出係成 爲低氰平•由此，由於雙極性電晶髏4 0 1係成爲導通· 因此，雙極性電晶體402係成爲導通•一方面， NMO S電晶體1 〇 9係成爲断開，因此，雙極性髦晶« 1 0 8也成爲斷開。由此，從输出端子1 1 4所输出之信 號:的電位係成爲高髦平•又，此時，PMO S電晶 體405、NM0S電晶髏406、NMOS電晶證 4 0 7係分別成爲導通，導通，斷開，因此，雙極性電晶 饈403係成爲導通· 一方面，輸出促成信號/0 E爲低電平，输入信號 Din也爲低電平時*由於NOR電路105、106之输 出係成爲低電平（因此，PMOS4電晶《303之输入 信號係實質上成爲Din)，因此，雙極性電晶體3 0 1係 成爲斷開，又，PMOS電晶髏405、NMOS電晶體 406、NMOS電晶髖407係分別成爲撕開、斷開、 導通•故，雙極性電晶體.4 0 2係成爲斷開•又，因 NOR «路1 13之输出係成爲高電平* NM0S雪晶體 1 0 9係成爲導通*因此，雙極性電晶體1 0 8係成爲導 通•由此，输出信號0。〇之電位係成爲低電平· 本紙浪尺度適用中國國家搮率（CNS)A4规格（ 210X297公釐）· 21 - (請先閱讀背面之注f項再填寫本買) 訂 經濟部中央揉準局負工消费合作社印製 A7 B7 五、發明説明（19) 又，输出促成信號/0E爲高電平時（抑制狀態）， 係不管输入信號Din之信號電平，NOR電路1 〇 5、 1 0 6、1 1 3之输出係成爲低電平*由此，電晶雔 40 1、109係成爲斷開•又，PMOS電晶體405 、NMOS電晶《4 0 6、NMOS電晶«407係分別 成爲斷開、斷開、導通，因此，雙極性電晶體4 0 3係成 爲斷開*故，雙極性電晶體402、雙極性鼇晶髖108 係分別成爲断開，因此输出信號D QU1t之電位係成爲不定 以下，說明本資施例之输出電路的斷開、漏泄特性· 在本實施例之输出電路中，在抑制狀態下，電流之漏 泄係沿著第4圖之路徑a4(從输出端子1 1 4通過雙極 性電晶體402、403而流出至接地GND之路徑）所 發生，惟在本實施例之输出電路，藉存有雙極性電晶體 402、403，由於可得到雙極性電晶體之射極，反向 耐量的兩倍耐置，故比以往之情形（參照第8圖之路徑A )相比較，漏泄之虞極小· 又，在斷電狀態，係沿著路徑G4 (從输出端子 1 1 4.通過雙極性電晶體4 0 2、雙極性電晶體4 0 1而 流出至電源V cc之路徑）所發生，惟此時，由於也存有雙 極性電晶體4 0 2，雙極性電晶體40 1 ，可得到雙極性 電晶體之射極，反向耐置的兩倍耐置，故比以往之情形（ 參照第8圖之路徑C)相比較*漏泄之虞極小· 如此，依照本實施例之输出電路，由於不必提高各元 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4规格（ 210X297公釐X 22 - (請先聞讀背面之注$項再填寫本頁) 訂 S17614 A7 B7 五、發明説明（2()) 件之耐量即可提高作爲整髏输出電路之耐量，因此*不會 損及输出特性下成爲可提高斷開、漏泄特性* (實施例5 ) 作爲資施例，說明第2項發明（相對應於申請專利範 園第3項）之其他實施例· 第5圈係表示本實施例之输出電路之構成的電路圖· 又，在第5圓中*與第1圓或第4圓附與相同記號之構成 部係分別表示與這些圓之情形相同者· 在第5圖中，PMOS電晶體5 0 1係源極連接於雙 極性電晶體402之基極；汲極連接於雙極性氰晶镰 4 0 3之基極，閘極連接於NOR電路1 0 6之输出端， 且反向閘極經由蕭特基位障二極體4 0 4而連接於電源 V cc * 又，NMO S電晶體5 0 2係源極及反向閘極被接地 ，而汲極連接於雙極性電晶體4 0 3之基極，且閘極連接 於NOR電路10 6之输出端* 在這種输出電路，输出促成信號/〇 E爲低《平且输 入信號Dln爲高電平時，NOR電路1 〇 5、1 0 6之输 出係成爲高電平，NOR電路1 1 3之输出係成爲低電平 。由此，雙極性m晶體401係被導通，又，PM〇sm 晶體501、NM0S電晶體502分別成爲断開、導通 ，由於雙極性電晶體電晶體4 0 3係成爲斷開，因此雙極 性霉晶體4 0 2係成爲導通。一方面，由於NMO S電晶 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2丨0X297公釐} 23 - (請先聞讀背面之注f項再填寫本頁> 訂 經濟部中央樣準局貝工消費合作社印製 經濟部中央揉準局貝工消费合作社印裝 A7 ___B7_ 五、發明説明（21) 體1 0 9係被斷開，因此，雙極性電晶體1 0 8係被斷開 。由此，從输出端子1 1 4所输出之信號0。^的電位係 成爲高電平* 一方面，输出促成信號/0 E爲低電平而输入倍號 Din也爲低m平時，由於N0R電路105、106之输 出係成爲低電平，雙極性電晶體3 0 1係成爲斷開，因此 ，雙極性電晶髏4 0 2係成爲斷開•又，由於.NOR電路 1 1 3之输出係成爲高竃平，NMOS電晶《1 0 9係被 導通，因此，雙極性電晶髖1 0 8係成爲導通•由此，输 出信號Dcu1t之電位係成爲低電平· 又，输出促成信號/OE爲高電平時（抑制狀態）， 係不管输入信號Din之信號電平，由於NOR電路1 0 5 、106、113之输出係成爲低電平，因而電晶體 401 、NM0S電晶體109係分別成爲斷開，因此， 雙極性電晶髖4 0 2、雙極性電晶體1 0 8係分別成爲斷 開，输出信號«位係成爲不定· 以下，說明本本發明之输出電路的斷開、漏泄特性· 在本實施例之输出電路中，在抑制狀態下，電流之漏 泄係沿著第4圖之路徑33 (從输出端子1 1 4通過雙極 性電晶體4 0 2、雙極性電晶《4 0 3，而流出至接地之 路徑）所發生，惟在本實施例之输出電路，藉存有雙極性 電晶體40 2、雙極性電晶體40 3，由於可得到雙極性 電晶體之射極，反向耐置的兩倍耐量，故比以往之情形（ 參照第8圚之路徑A)相比較，漏泄之虞極小· 本紙張尺度適用中國國家標準（仁阳）八4规格（2丨0父297公釐+24- ~~~~ ^^1 11¾ i fru 1^1 Min ^ am (請先《讀背面之注$項再填窝本頁) 訂 經濟部中央揉準局貝工消费合作杜印装 317614 A7 __B7__ 五、發明説明（22) 又，在斷m狀態，係沿著路徑cs(從输出端子 1 14通過雙極性電晶體402、401而流出至接地之 路徑）所發生*惟此時，由於也存有雙極性電晶髖4 0 2 、4 01，可得到雙極性電晶體之射極，反向耐量的兩倍 耐量，故比以往之情形（參照第8圖之路徑C)相比較， 漏泄之虞極小* 如此，依照本資施例之输出電路，由於不必提髙各元 件之耐置即可提高作爲整體输出電路之耐置，因此，不會 損及输出特性下成爲可提髙斷開、漏泄特性。 〔發明之效果〕 如以上所詳述，依照本發明，由於不必提高各元件之 耐量即可提高作爲整體输出電路之耐量，因此，提供一種 不會損及输出特性即可提高断開、漏泄特性的输出電路· 〔圖式之簡單說明〕 第1圖係表示實施例1之输出電路之構成的電路圖， 第2圔係表示實施例2之输出電路之構成的電路圖， 第3圓係表示實施例3之输出電路之構成的電路酒* 第4圖係表示實施例4之輸出電路之構成的電路圖， 第5圖係表示實施例5之输出電路之構成的電路圖， 第6圖係表示以往之输出電路之構成例的電路圖， 第7圖係表示用於說明表示在第6圈之输出電路之使 本紙張尺度通用中國國家標準（€呢）八4規格（2丨0><297公釐+25- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本I) ·'衣. 訂 A7 B7 五、發明説明（23) 用例所用的方塊圖， 第8圖係表示用於說明表示在第6圖之输出電路之漏 電流之具體性發生路徑所用的電路圖。 〔記號之說明〕 101 、102、108 :雙極性電晶體， 1 0 3 :蕭特基位障二極體* 104、 201、202:PMOsm晶體， 105、 106、113:NOR電路， 107:NOT電路， 1〇9:NMOS電晶髖， 1 1 4 :输出端子， 115:信號输入端子， 116:輸出促成信號用端子。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
T 經濟部中央搮準局貝工消费合作社印袋 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（ 210X297公釐I 26 -