TW311153B - - Google Patents
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Description
經濟部中央標準局貝工消費合作社印家 311153 A7 __B7_ 五、發明説明(1 ) 一一 發明技術範疇 本發明涉及多晶氧化鋁體(PCA)到藍賫石的整體 轉換固態加工方法,該方法採用將藍寶石晶種整體結合, 到P CA體上,並將該結合體加熱至1 1 〇 〇°c以上但在 α —氧化鋁的大約2 0 5 0 °C熔點溫度以下,經過一段足 夠使P C A體轉換成具有與晶種相同結晶取向的藍寶石的 時間》 發明背景
多晶氧化鋁(P C A )的製備及其在高壓鈉弧放電燈 (下文叫作HP S燈)的用途在本領域技術人員中是古老 而熟知的。Coble, Laska等人和Charles等人分別在 USP 3 0 2 6 2 1 0.,USP 4150317 和 USP 4 2 8 5 7 3 2中公開了高密度P CA體的製備,該體 具有改良的可見光穿透性,是用相當純的氧化鋁粉和少量 氧化鎂製成的。美國專利USP 4285732進而告之 ,在這種摻氧化鎂的氧化鋁中添加氧化锆和氧化鈴,以便 在燒結期間減少尖晶石相沉積的機會,並減少擴大或偏離 的晶粒生長。按照這些專利製備用作Η P S燈弧光管 P CA體,其平均晶粒尺寸範圍是在1 5微米到1 0 0微 米之間。 與將P CA弧光管用作HP S燈的用途相關聯的兩個 主要缺點是:與光透射性不同的光的半透射性,以及在弧 光中晶粒間界處鈉與氧化鋁反應而生成可降低燈壽命的鋁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 -4 - B7 B7 經濟部中央標準局貝工消費合作社印繁 五、發明説明(2 ) . — 酸鈉。HP S燈的設計要增大P CA弧光管內鈉的內分壓 ,以改善彩色再現和提供白光發射。然而*鈉內分壓越髙 燈壽命越短,這是由於增大了鈉從弧光腔的損耗速率•連 續地鈉損失會導至燈運行電壓持續提高,與之相關的色溫 和色再現指數兩者皆降低,並且顔色從白色漂移到粉色。 再者,穿過弧光腔壁遷移的鈉沉積在其空的外燈殼內壁, 在燈殼上形成棕色污斑,反過來,污斑進一步減少燈的光 輸出。這些問題可隨著藍寶石(即單晶氧化鋁)弧光管而 顯著減少。 製備用作Η P S燈弧光腔的藍寶石弧光管可用許多方 法,包括一種由Tyco實驗室公司研究改良的引上法即公 知的邊緣限定薄膜供料生長法,或叫導模法(EFG)。 這個方法使用一晶種.和一模具,模具在熔融氧化鋁的表面 上,在該處通過模具從熔體連續拉出一根中空管。這種方 法代價髙昂且费時。另一種用來製備單晶氧化鋁或藍寶石 的方法叫伤浮面法,其中,P C A饋料棒以預定的速度引 入熱區,熱區內有一個或多個激光器或者其他集熱源聚焦 在棒上使得熱區內氧化鋁熔化,產生熔融氧化鋁的一種% 熔體容量'。藍寶石纖維就是從這種熔體容量中以所要求 的速度連續拉出,與此同時移動饋料棒,但是速率要慢使 得該製程是個連績作業。這種方法主要用來製藍寶石繊維 ,並不容易由其自身來製備單晶氧化鋁管,儘管它的這種 用途已公開在美國專利USP 3943324中。曰本 專利申請公開說明書J P — 6 2 — 28 1 1 8揭示了一種 (請先《讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) ~ A7 —_B7_ 五、發明説明(3 ) — _ 熱爐方法可將P C A管轉換成藍寶石管,但未表明使用整 體結合的起始晶種來生成藍寶石。
需要有一種以簡便的並且相當低成本的方式由P C A 來製藍寶石,優選採用一種固態方法將多晶陶瓷件或陶瓷 體轉換成單晶並且在轉換時基本上沒有熔融結構,使得到 的單晶體具有與原來多晶件基本相同的尺寸和形狀。固態 轉換方法將能夠使得製備的單晶件具有非均勻、不對稱的 和複雜的形狀以及簡單的形狀。如果這種方法在進行由多 晶陶瓷結構到生成單晶陶瓷結構時在所需要的能源和時間 兩方面能有效地大大降低成本,則它也是對本領域的一個 大改進。 發明概述 , 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 攻,· 本發明涉及一種固態方法,它將多晶陶瓷材料或陶瓷 體整體轉換成單晶材料,其方式是將整體結合了相同材料 單晶的多晶材料加熱到晶粒間界遷移的最小溫度以上,但 在陶瓷材料的熔化溫度以下》所說整體結合意指多晶材料 和單晶晶種隨著大多數界面孔隙的去除和不受限制跨越界 面的晶粒生長而變成單一結構。所生成的單晶材料和原多 晶陶瓷體有相同的形狀和尺度。整體轉換意指單晶的前沿 擴散超過一宏觀距離(即大于5 0微米)。這個方法發現 對多晶氧化鋁(P CA)轉換成單晶氧化鋁(下文叫作, 藍寶石特別有用》固態方法意指多晶陶瓷材料或陶瓷 體轉換成單晶是發生在多晶材料的熔化溫度以下•然而, 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS > A4規格(210X297公釐) 311153 A7 B7 五、發明説明(4 ) _ _ 這並不排除轉換期間表面稍有熔化的可能性。所以,採用 本發明的固態轉換方法,可先製成預結晶的、簡單或複雜 形狀的多晶材料,然後轉換成相應的具有所要求晶向的單 晶材料,同時不用熔化物件來轉換,從而基本上保持了原 有形狀•用本發明的方法可將商標爲Luca loxR的多晶氧 化鋁體轉化成藍寶石體•通過將組件加熱到1 1 〇 〇°C以 上大約2 0 5 0 °C (氧化鋁熔點)以下的方式使部分燒結 P CA體和藍寶石晶種結合*當P CA在藍寶石晶種上收 縮時就整體式形成結合體,並且晶粒生長越經整個界面。 再次將結合的物件加熱到1 1 0 0°C以上大約氧化鋁 熔點以下。這樣就可在加晶種的P C A結構體中開始消除 諸如Mg 0和孔隙這樣的殘留晶粒生長抑制劑。像固態反 應一樣,產生P CA.向藍寶石的轉換,而且轉換後的 P C A物體具有和晶種相同的結晶取向。 本發明製備的藍寶石在殘留孔隙方面不同于E F G或 引上法製備的藍寶石,一般說來,殘留的孔隙低于1 Ο-3 體積部分,和其他方法提拉造成空穴而存在的線性孔隙結 構相比,該殘留孔隙完全是隨機無序的。按本發明已製得 可用於Η P S燈弧光腔的中空藍寶石管。 圖示簡單說明 圖1 (a)到1 (e)實施說明本發明中採用藍賫石 晶種與部份燒結的或素瓷煅燒的P C A體的各種實施例。 圖2是一張放大2 0 0倍光學顯微照片,說明在藍賫_ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注$項再填寫本頁) 訂 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 -7 - A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明 ( 5 ) 1 1 石 晶 種 和 P C A 物 件 之 間 的 整 體 結 合 〇 1 1 圖 3 示 意 說 明 P C A 體 的 表 面 上 熱生 成 晶 種 的 實 施 例。 1 1 I 圖 號 說 明 請 先 1 1 1 閲 I 1 素 燒 P C A 管 讀 背 1 面 I 2 P C A 管 之 已 加 熱 區 域 ( 局 部 藍 賨 石 晶 種 ) 之 注 意 1 1 3 藍 寶 石 晶 種 1 項 1 I 再 1 | 5 P C A 管 填 Μ 1 本 I 7 藍 寶 右 單 晶 嫌 維 頁 1 I 9 晶 種 1 I 1 0 藍 賫 石 織維 1 1 I 1 1 藍 寶 石 晶 種 1 訂 I 1 4 界 面 • 1 1 1 5 藍 寶 石 生 長 進 入 P C A 1 1 1 6 P C A 區 域 1 I 線 發 明 詳 伽 細 說 明 1 1 I 回 到 圖 1 ( a ) ♦ 示 意 說 明 了 呈 空 心 管 的 預 燒 結 1 1 I P C A 緻 密 體 或 素 瓷 m 燒 體 1 的 一 端 ♦ 管 中 已 插 入 一 短空 1 心 管 或 環 狀 的 藍 寶 石 晶 種 3 晶 種 管 或 環 3 具 有 的 外 徑是 1 1 這 樣 要 求 的 在 它 和 素 瓷 m 燒 P C A 管 1 的 內 徑 之 間 當最 1 1 終 燒 結 期 間 素 瓷 m 燒 P C A 收 縮 時 應 形 成 一 個 整 體 結 合體 1 1 〇 外 管 內 徑 ~~· 般 收 縮 到 最 終 的 燒 /yu 結 內 徑 即 比 晶 種 3 的外 1 I 徑 小 1 1 0 % 〇 這 就 能 如 圓 2 所 示 在 P C A 和 藍 寶 石晶_ 1 1 1 本纸張尺細中國國家揉準(CNS)贿(训謂公 A7 B7 311153 五、發明説明(6 ) -- 種之間成整體結合· 圖2是晶種和P CA體之間整體結合的照片。藍寶石 晶種3在標號1 4處顯示有個帶有殘餘孔隙的起始界面β 區域1 5表示藍寶石生長已進入P C Α體’區域1 6表示 還未轉換成藍寶石的剩餘P CA區。 圖1 ( b )說明另一個實施例,其中顯示空心管結構 的一端,該結構包括藍賫石單晶織維7在兩個P CA管1 和5之間的整體結合。形成這種結構的方法是:在完全燒 結的內管5和部分燒結的外管1之間插入藍寶石單晶纖維 7,並共同煅燒這個結構。外管收縮後的內徑比內管5的 外徑小大約1〜10%。這就保證了嫌維和PCA表面之 間的緊配合。 圓1 ( c )說明.另外一個實施例,同前實施例一樣, 晶種9也以嫌維形式相對于P CA內外管1和5的縱向軸 分別成一個角度。因此,由實施例1 (b)和1 (c)形 成的藍寶石管沿其長度將有不..同的結晶方向,即結晶方向 將符合藍寶石嫌維結晶取向的方向。 圖1 ( d )說明另一個實施例,此場合下藍寶石晶種 1 1是個環,它可在部分燒結PCA管1內定向,將其燒 結使得在接觸點生成整體結合。隨後該管轉換成其結晶方 向與管1內晶種環11的取向相應的藍寶石。 圖1 (e)說明另一個實施例,其中藍寶石纖維10 當晶種使用,將它插入部分燒結P CA管1內鑽的洞內, 然後充分燒結並使P C A管轉換成藍賫石。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) (請先Μ讀背面之注意事項再填寫本頁) - 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 -9 - 經濟部中央標準局員工消費合作杜印聚 A7 _ B7 五、發明説明(7 ) - 或者,在P CA上創建一個晶種(藍賫石)結構也是 可能的,其方法是使該表面經受一個局部熱源,如激光器 ’等離子吹管或氫氧焰。這種結構的實例在圖3中被說明 〇 P C A管1的區域2已被加熱並局部轉化爲藍寶石晶 種,該晶種用在隨後的管的其餘部分的轉換,轉換期間的 加熱溫度在1 1 0 0°C以上但在氧化鋁大約2 0 5 0°C熔 點下。 製備用于本發明實施例的這種結構體時,技術人員用 部分燒結的通用電器公司LucaloxR氧化鋁管(Part NO. LT 5 5 - 3 6 - PS )開始,該管在 GE Wi 1 loughby Q u a r t z P 1 a n t,W i 1 1 o u g h b y, 0 h i 〇 有售。部分燒結的材 料應由高純(9 9 ..9 8w t %)氧化鋁粉原料來加工而 成,例如Baikowski CR-1 0氧化鋁。它應當不含有對生 成藍寶石有明顯有害作用的雜質。部分燒結的通用電器公 司Lucalox氧化銘含有的M g—.>0在475〜750 wppm 之間。Mg 0作爲助劑加到氧化鋁中有助于消除隨後燒結 時殘留的孔隙,這是透過防止氧化鋁晶粒內部孔隙的夾雜 而達到的,並也能有助于控制後面燒結步驟中P C A晶粒 或結晶體的生長,使得通過正常的晶粒生長產生相當均勻 的晶粒尺寸和等軸晶粒結構成爲可能》在製備的P C A未 燒結體內(該未燒結體隨後接觸晶種被煅燒或加熱)採用 的MgO量其範圍在大約3 0 0〜1 5 0 0 wppm,但也 可以偏離這個量,這要取決于該物體的大小、形狀和厚度 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(2丨0父297公釐) ------------------1T------< - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 B7 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 五、發明説明 ( 8 ) 1 | 以 及 該 方 法 採 用 的 確切煅燒 時間 和 溫度。 1 1 將 商 業 購得 的 藍 寶 石 晶 種( Saph i kon公 司 Mi If ord, 1 | NH. ) 或 由 預 先 轉 化 的 藍 寶 石晶 種 安置接觸 預 燒 結 過 的 /«—V 1 I P C A 體 〇 通 常 將 藍 寶 石 管 或棒 切 成環件放 置 在 預 燒 結 管 請 先 閲 1 1 1 內 部 〇 將 結 合 件 在 其 露 點 低 于2 0 °c的含氫 氣 氛 中 燒 結 〇 背 1 1 實 際 上 氫 的 露 點 範 圍 是 一 1 0 °C 到 大約—1 1 0 °C 0 本 領 之 注 索 1 1 域 技 術 人 員 都 知 道 用 氫 氣 流是 較 佳的。 1 項 1 I - 再 1 1 P C A 和 藍 寶 石 晶 種 組件也 可 在其他爐 子 氣 氛 中 燒 結 填 寫 1 本 I » 包 牯 Η e 、 Η 2 和 N 2 的 混和 氣 氛,或真 空 中 爲 的 是 頁 1 | 得 到 兀 全 緻 密 的 結 構 〇 1 | 部 分 燒 結 過 的 P C A 體 的燒 結 溫度範圍 在 真 空 或 Η 2 1 1 I 氣 中 爲 1 7 0 0 °C 至 大 約 1 9 8 0 。(:,以 1 8 0 0 — 1 訂 I 1 9 0 0 °C 之 間 〇 • 1 1 所 得 結 構 體 包 含 的 P C A體 具 有相當均 勻 的 晶 粒 尺 寸 1 1 > 其 平 均 大 小 的 範 圍 是 大 約 15 7 0 μ m 以 1 5 1 1 5 0 β m 之 間 更 佳 e 其 密 度 將大 于 3.90 g / C C * 通 攻 1 常 以 大 于 3 • 9 7 g / C C 更佳 0 1 I 晶 粒 尺 寸 指 晶 粒 平 均 尺 度, 它 的測量方 法 是 熟 知 的 1 I 線 性 截 取 技 術 ( 1 i near 1 n t erce Pt technique ) 公 開 在 1 I A S Τ Μ E 1 1 2 — 8 8 中〇 整 體結合的 標 敵 是 藍 寶 石 1 -| 和 P C A 界 面 處 孔 隙 的 消 除 或防 止 ,以及晶 粒 生 長 由 藍 賣 1 1 石 進 入 到 P C A 區 〇 這 種 結 構于 圚 2中呈現 0 1 1 氧 化 鎂 摻 在 部 分 燒 /1/L· 結 的 Luca 1 ox PCA中 的 含 量 爲 大 約 1 | 3 0 0 5 0 0 wppm 〇 由 于 Luca 1 ox PCA氧 化 鎂 的 存 在 量, 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X29*7公釐) 11 - 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 A7 _B7_ 五、發明説明(9 ) -- 太大,以至于不能在本發明方法中轉換成藍寶石,因此必 須將氣化鎂存在量降低到1 0 0 wppm程度之下,以5 0 wppm以下較佳,以便能將晶種化的P C A結構體轉換成藍 寶石。 本領域技術人員都知道,在含氫氣氛、真空或惰性氣 體下加熱至大約1 7 0 0〜2 0 0 〇eC溫度可將氧化鎂驅 趕出P CA體。將P CA體加熱至這些溫度以減少氧化鎂 含量,隨後冷卻到室溫,慢慢進行以便減少熱衝擊及伴生 的P CA體開裂》可用簡便易行方式,實現這一點,即用 氫氣流氣氛下的電阻燒結爐,樣品可連綾移動通過爐子》 一個工序周期包括大約1 5小時加熱至大約1 8 8 0 °C溫 度,于1 880 °C溫度大約保持3小時,然後經大約1 5 小時冷卻工序回復到.室溫。氫氣的露點宜爲0°C以下。使 用越乾燥的氫氣,則需越少時間來降低Mg 0。可用其他 的時間、溫度和氣氛來減少鎂含量,這是本領域技術人員 所公知的_。較厚壁的PCA物件當然需要較長時間。通用 電器公司[1^&1(^11商標的空心?〇八管其外徑5.5 mm,壁厚l/2mm,于1880 °C需保持大約9〜 1 2小時*或經3〜4個周期通過加熱爐以便將氧化鎂含 童降至5 0 wppm以下的水平。 降低氧化鎂含量所用的每個工序周期都將增大晶粒或 結晶的尺寸。例如開始時平均晶粒尺寸爲大約2 5微米時 ,經氧化鎂童降至5 0 wppm以下的時間後平均晶粒尺寸在 大約4 0〜5 0微米之間,並且P CA體開始轉換成藍寶 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Μ規格(210X297公釐] ~ -\1 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 -峻! 經濟部中央標準局貝工消費合作社印裝 3xii53 ^ A7 ____ B7_ 五、發明説明(1G ) . 石。 如前所述,一旦氧化鎂含量降至足夠低時,連續的加 熱或熱工序周期使加晶種的,P C A結構轉換成藍寶石。 爲將多晶陶瓷體轉換成相應的單晶體,必須將多晶體加熱 至晶粒間界遷移的最小溫度以上,但在該特定材料的熔化 溫度以下,對于氧化鋁,分別是約1 100 °C和2050 °C。在本發明製程的實踐中,P CA結構體要加熱到至少 1 800 °C,例如,就外徑5. 5mm厚的Luca lox管而 言,需要逋過加熱爐3〜4次以便將氧化鎂含量降至5 0 wppm以下,再有另外3次通過或者叫熱處理以便將整根管 轉換成藍寶石。這三次另外的熱處理和減少氧化鎂含量所 採用的熱處理一樣,每次熱處理包括經1 5〜1 6小時將 管體慢慢從室溫加熱.至1880 °C溫度,在1880 °C保 持3小時然後經15〜16小時慢慢冷卻回復到室溫。等 溫長時間加熱氧化鎂含量低于5 0 wppm的P C A管體也可 得到管體至藍寶石的轉換,低所得產品不如熱周期工序所 得的好。 參照下面實施例將進一步理解本發明。 實施例 (1 )由通用電器Willonghby Quartz Plant得到部 分燒結的 Lucalox PCA 管(Willoughby, Ohio,產品號 LT 5 . 5 — 36 — PS)。它已在空氣中于1100 °C經過 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS )八4规格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -菩 -13 - 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(11) 預燒結,爲大約4 0〜4 5%的緻密度。當將其燒結至全 密度(3. 984g/cc)時它具有的外徑爲5. 5 mm,內徑爲4. 5mm。由5_ 〇mm (外徑)藍寶石 管切成長度大約〇· 5mm長的藍寶石晶種。將5. 0 mm (外徑)的晶種環插入到部分燒結的Lucalox PCA管 中。帶有晶種的管在H2氣中于1880 °C燒結·藍寶石 晶種上P C A管收縮造成的壓配合導致了提供有P C A部 件的初始晶種的整體型結合體。使用偏極光測定藍寶石晶 種的方向並與已知的C一軸定向藍賫石晶體相對照。 加晶種的第二種技術是採用大約〇. 005英吋直徑 的藍寶石纖維,它由在Milford, NH.的Saphikon公司 購得。將外徑5. 5 mm燒結的Lucalox PCA管插入一個 最終燒結後預計得5. . 0mm內徑的部分燒結的PCA管 內。藍寶石纖維插入兩管之間。 插入晶種的工件用兩種不同方式煅燒。採用的第一種 技術是將試樣多次通過通有氫氣流的連績型電阻爐,經大 約1 8 8 0 °C峰值溫度約3小時。管件多次通過4〜1 0 次,以減少氧化鎂含量至5 0 wppm以下並使PCA轉換成 藍寶石。第二種方法用同樣的連續型爐,但P C A放置爐 內。在這種實施例中* PCA樣品在1880 °C保持24 小時並且在1 7 5 0 °C保持另外的3 0 0小時。在長度爲 2 0 0mm加晶種的P CA管轉換成藍寶石單晶體方面, 兩種煅燒條件都發現是有效的。管件和晶種有相同的晶向 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐) (請先閲讀背面之注$項再填寫本頁) 訂 -坡 -14 - A7 B7 五、發明説明(12) . 按本發明製得的藍賣石材料特性的測定係使用掃描式 電子顯微鏡•偏極光顯微鏡,X —射線技術的背射勞埃圚 和旋進法圖。偏極光技術用來確定出晶種和轉換成藍寶石 管的方向是相同的。x_射線技術的勞埃圖和旋進法照片 圖用來確認本發明製程製得的材料是單晶· 應當了解,對本領域技術人員是明顯的並易于作出的 各種其他改進並不背離本發明的精神和範疇。因此,不應 將以下所附申請專利範圍限制在前述說明書內,而應視爲 包含本發明中所有可專利新穎性技術特徵者,它們包括本 領域技術人員對本發明所屬技術特徵以其等效物對待的所 有技術特徵。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) - -峡·. 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -15 -
Claims (1)
- 補充 311153 A8 B8 C8 D8 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 六、申請專利範 圍 1 I 1 • 一 種 將 固 態 多 晶 氧 化 鋁 ( poly cr ysta1 1 i η e 1 1 al um i na, P C A ) 髖整體轉換成藍寶石的固態方法 包 1 1 括 將 密 度 至 少 3 * 9 g / C C 且 晶 粒 尺 寸 低 於 7 0 微 米 的 /«-S 1 | 固 態 P C A 體 與 固 態 藍 寶 石 晶 種 整 體 結 合 並 將 該 P C A 請 先 閲 1 1 體 和 該 晶 種 在 1 1 0 0 °c 以 上 使 氧 化 鋁 晶 粒 間 界 遷 移 但 低 背 1 1 f 於 2 0 5 0 °C 以 防 止 該 P C A 體 熔 化 的 溫 度 下 加 熱 達 - 段 之 注 1 1 意 I 足 以 使 該 P C A 體 轉 換 成 藍 寶 石 體 的 時 間 〇 事 項 1 1 再 1 1 2 如 串 請 專 利 範 圍 第 1 項 之 方 法 其 中 該 藍 寶 石 體 填 寫 1 本 具 有 與 該 晶 種 相 同 的 晶 體 取 向 〇 頁 1 1 3 • 如 串 請 專 利 範 圍 第 1 項 之 方 法 9 其 中 該 Ρ C A 體 1 I 不 含 有 數 量 能 阻 止 晶 粒 生 長 的 晶 粒 生 長 抑 制 劑 〇 1 1 4 如 串 請 專 利 範 圍 第 1 項 之 方 法 其 中 該 Ρ C A 包 1 訂 | 括 a — 氧 化 銘 〇 1 1 5 如 串 請 專 利 範 圍 第 1 項 之 方 法 其 中 該 Ρ C A 體 1 1 在 轉 換 之 前 含 有 氧 化 鎂 0 1 1 6 如 串 請 專 利 範 圍 第 5 項 之 方 法 其 中 該 氧 化 鎂 存 歧 在 量 在 轉 換 時 不 大 于 1 0 0 wppm 0 i I 7 如 串 請 專 利 範 圍 第 6 項 之 方 法 其 中 該 轉 換 溫 度 1 1 I 至 少 爲 1 8 0 0 X 0 1 8 * 如 中 請 專 利 範 圍 第 1 項 之 方 法 其 中 該 爲 轉 換 而 1 進 行 的 加 熱 是 以 多 個 熱 周 期 來 實 現 的 〇 1 1 9 • 如 串 請 專 利 範 圍 第 1 項 之 方 法 包 括 1 | ( i ) 氧 化 銘 的 部 分 德 /70 結 體 它 含 有 氧 化 鎂 大 于 1 I 3 0 0 wppm 層 1 1 本紙張尺度適用中國國家揉準(CNS > A4说格(210X297公釐) -16 - A8 B8 . C8 _ D8___ 六、申請專利範圍 _ _ (ii) 將與具有既定結晶方向的藍寶石晶種接觸的該 部份燒結體在1 7 0 0 °C以上的溫度加熱,以形成整體結 合的結構體; (iii) 在1 7 0 0 °C以上的溫度將該結構體加熱,以 降低氧化鎂量至1 0 0 wppm以下並達到至少3. 9 g / c c之密度;以及 (i v )在1 1 〇 〇 °C以上,但低於2 0 5 0 °C (即該 P C A體之熔化點)的溫度下進一步加熱該結構體達一段 足以使該P C A體轉換成晶體取向同於該晶種的藍寶石的 時間。 1 0 ·如申請專利範圍第1項之方法,其中該p CA 體中含有氧化鎂含量低於1 0 Owp Pm且相當均句晶粒 尺寸低於70微米的.α —氧化鋁。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 ά 經濟部中央標準局貝工消費合作社印裝 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) -17 -
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US08/126,628 US5549746A (en) | 1993-09-24 | 1993-09-24 | Solid state thermal conversion of polycrystalline alumina to sapphire using a seed crystal |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW311153B true TW311153B (zh) | 1997-07-21 |
Family
ID=22425874
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW083107233A TW311153B (zh) | 1993-09-24 | 1994-08-06 |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5549746A (zh) |
EP (1) | EP0645475B1 (zh) |
JP (1) | JPH07165485A (zh) |
KR (1) | KR950008734A (zh) |
CN (1) | CN1038774C (zh) |
CA (1) | CA2132184A1 (zh) |
DE (1) | DE69428962T2 (zh) |
ES (1) | ES2162841T3 (zh) |
TW (1) | TW311153B (zh) |
Families Citing this family (69)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
IL109236A (en) * | 1993-04-13 | 1998-01-04 | Sumitomo Chemical Co | A-alumina powder and its production |
JP3343014B2 (ja) * | 1996-01-08 | 2002-11-11 | 株式会社東芝 | 酸化物単結晶の製造方法 |
US6126889A (en) * | 1998-02-11 | 2000-10-03 | General Electric Company | Process of preparing monolithic seal for sapphire CMH lamp |
US6214427B1 (en) | 1998-08-28 | 2001-04-10 | General Electric Company | Method of making an electronic device having a single crystal substrate formed by solid state crystal conversion |
US6299681B1 (en) | 1998-11-27 | 2001-10-09 | General Electric Company | Single crystal conversion control |
US6475942B1 (en) | 2000-09-05 | 2002-11-05 | General Electric Company | Conversion of polycrystalline alumina to single crystal sapphire using molybdenum doping |
US6873108B2 (en) * | 2001-09-14 | 2005-03-29 | Osram Sylvania Inc. | Monolithic seal for a sapphire metal halide lamp |
US20060202627A1 (en) * | 2005-03-09 | 2006-09-14 | General Electric Company | Ceramic arctubes for discharge lamps |
US8091209B1 (en) | 2005-12-16 | 2012-01-10 | Seagate Technology Llc | Magnetic sensing device including a sense enhancing layer |
AU2007205947B2 (en) | 2006-01-20 | 2012-03-08 | Amg Idealcast Solar Corporation | Methods and apparatuses for manufacturing monocrystalline cast silicon and monocrystalline cast silicon bodies for photovoltaics |
JPWO2008123626A1 (ja) | 2007-04-03 | 2010-07-15 | 日本碍子株式会社 | 複合発光管容器 |
KR20100049078A (ko) * | 2007-07-20 | 2010-05-11 | 비피 코포레이션 노쓰 아메리카 인코포레이티드 | 시드 결정으로부터 캐스트 실리콘을 제조하는 방법 및 장치 |
KR20100050510A (ko) * | 2007-07-20 | 2010-05-13 | 비피 코포레이션 노쓰 아메리카 인코포레이티드 | 시드 결정으로부터 캐스트 실리콘을 제조하는 방법 |
WO2009015168A1 (en) | 2007-07-25 | 2009-01-29 | Bp Corporation North America Inc. | Methods for manufacturing geometric multi-crystalline cast materials |
US8709154B2 (en) | 2007-07-25 | 2014-04-29 | Amg Idealcast Solar Corporation | Methods for manufacturing monocrystalline or near-monocrystalline cast materials |
US8157912B2 (en) * | 2007-09-11 | 2012-04-17 | Osram Sylvania Inc. | Method of converting PCA to sapphire and converted article |
US8225768B2 (en) | 2008-01-07 | 2012-07-24 | Mcalister Technologies, Llc | Integrated fuel injector igniters suitable for large engine applications and associated methods of use and manufacture |
US8635985B2 (en) | 2008-01-07 | 2014-01-28 | Mcalister Technologies, Llc | Integrated fuel injectors and igniters and associated methods of use and manufacture |
US8413634B2 (en) | 2008-01-07 | 2013-04-09 | Mcalister Technologies, Llc | Integrated fuel injector igniters with conductive cable assemblies |
US7628137B1 (en) | 2008-01-07 | 2009-12-08 | Mcalister Roy E | Multifuel storage, metering and ignition system |
US8074625B2 (en) | 2008-01-07 | 2011-12-13 | Mcalister Technologies, Llc | Fuel injector actuator assemblies and associated methods of use and manufacture |
US8387599B2 (en) | 2008-01-07 | 2013-03-05 | Mcalister Technologies, Llc | Methods and systems for reducing the formation of oxides of nitrogen during combustion in engines |
US8192852B2 (en) | 2008-01-07 | 2012-06-05 | Mcalister Technologies, Llc | Ceramic insulator and methods of use and manufacture thereof |
US8365700B2 (en) | 2008-01-07 | 2013-02-05 | Mcalister Technologies, Llc | Shaping a fuel charge in a combustion chamber with multiple drivers and/or ionization control |
US8561598B2 (en) | 2008-01-07 | 2013-10-22 | Mcalister Technologies, Llc | Method and system of thermochemical regeneration to provide oxygenated fuel, for example, with fuel-cooled fuel injectors |
CN101307484B (zh) * | 2008-02-04 | 2011-08-31 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 多晶-单晶固相转化方法 |
TW201012978A (en) * | 2008-08-27 | 2010-04-01 | Bp Corp North America Inc | Apparatus and method of use for a casting system with independent melting and solidification |
EP2470775B1 (en) | 2009-08-27 | 2015-04-29 | McAlister Technologies, LLC | Shaping a fuel charge in a combustion chamber with multiple drivers and/or ionization control |
CA2783185C (en) | 2009-12-07 | 2014-09-23 | Mcalister Technologies, Llc | Adaptive control system for fuel injectors and igniters |
KR101364416B1 (ko) | 2009-12-07 | 2014-02-17 | 맥알리스터 테크놀로지즈 엘엘씨 | 대형 엔진 적용에 적합한 일체식 연료 인젝터 점화기 및 연관된 이용 및 제조방법 |
US20110297753A1 (en) | 2010-12-06 | 2011-12-08 | Mcalister Roy E | Integrated fuel injector igniters configured to inject multiple fuels and/or coolants and associated methods of use and manufacture |
WO2011100717A2 (en) | 2010-02-13 | 2011-08-18 | Mcalister Roy E | Methods and systems for adaptively cooling combustion chambers in engines |
WO2011100701A2 (en) | 2010-02-13 | 2011-08-18 | Mcalister Roy E | Fuel injector assemblies having acoustical force modifiers and associated methods of use and manufacture |
CN102021647B (zh) * | 2010-10-22 | 2012-05-30 | 北京工业大学 | 一种快速生长厘米量级红宝石晶体的方法 |
US8528519B2 (en) | 2010-10-27 | 2013-09-10 | Mcalister Technologies, Llc | Integrated fuel injector igniters suitable for large engine applications and associated methods of use and manufacture |
US8091528B2 (en) | 2010-12-06 | 2012-01-10 | Mcalister Technologies, Llc | Integrated fuel injector igniters having force generating assemblies for injecting and igniting fuel and associated methods of use and manufacture |
US8820275B2 (en) | 2011-02-14 | 2014-09-02 | Mcalister Technologies, Llc | Torque multiplier engines |
WO2013025626A1 (en) | 2011-08-12 | 2013-02-21 | Mcalister Technologies, Llc | Acoustically actuated flow valve assembly including a plurality of reed valves |
US8683988B2 (en) | 2011-08-12 | 2014-04-01 | Mcalister Technologies, Llc | Systems and methods for improved engine cooling and energy generation |
US10052848B2 (en) | 2012-03-06 | 2018-08-21 | Apple Inc. | Sapphire laminates |
US9221289B2 (en) | 2012-07-27 | 2015-12-29 | Apple Inc. | Sapphire window |
US8851047B2 (en) | 2012-08-13 | 2014-10-07 | Mcallister Technologies, Llc | Injector-igniters with variable gap electrode |
US9169821B2 (en) | 2012-11-02 | 2015-10-27 | Mcalister Technologies, Llc | Fuel injection systems with enhanced corona burst |
US8746197B2 (en) | 2012-11-02 | 2014-06-10 | Mcalister Technologies, Llc | Fuel injection systems with enhanced corona burst |
US9169814B2 (en) | 2012-11-02 | 2015-10-27 | Mcalister Technologies, Llc | Systems, methods, and devices with enhanced lorentz thrust |
US9309846B2 (en) | 2012-11-12 | 2016-04-12 | Mcalister Technologies, Llc | Motion modifiers for fuel injection systems |
US9115325B2 (en) | 2012-11-12 | 2015-08-25 | Mcalister Technologies, Llc | Systems and methods for utilizing alcohol fuels |
US9200561B2 (en) | 2012-11-12 | 2015-12-01 | Mcalister Technologies, Llc | Chemical fuel conditioning and activation |
US20140131466A1 (en) | 2012-11-12 | 2014-05-15 | Advanced Green Innovations, LLC | Hydraulic displacement amplifiers for fuel injectors |
US8800527B2 (en) | 2012-11-19 | 2014-08-12 | Mcalister Technologies, Llc | Method and apparatus for providing adaptive swirl injection and ignition |
US9232672B2 (en) | 2013-01-10 | 2016-01-05 | Apple Inc. | Ceramic insert control mechanism |
US9194337B2 (en) | 2013-03-14 | 2015-11-24 | Advanced Green Innovations, LLC | High pressure direct injected gaseous fuel system and retrofit kit incorporating the same |
US8820293B1 (en) | 2013-03-15 | 2014-09-02 | Mcalister Technologies, Llc | Injector-igniter with thermochemical regeneration |
US9562500B2 (en) | 2013-03-15 | 2017-02-07 | Mcalister Technologies, Llc | Injector-igniter with fuel characterization |
US9678540B2 (en) | 2013-09-23 | 2017-06-13 | Apple Inc. | Electronic component embedded in ceramic material |
US9632537B2 (en) | 2013-09-23 | 2017-04-25 | Apple Inc. | Electronic component embedded in ceramic material |
US9154678B2 (en) | 2013-12-11 | 2015-10-06 | Apple Inc. | Cover glass arrangement for an electronic device |
CN103820859A (zh) * | 2013-12-31 | 2014-05-28 | 西南技术物理研究所 | 掺杂钇铝石榴石陶瓷转变为单晶的制备方法 |
US9225056B2 (en) | 2014-02-12 | 2015-12-29 | Apple Inc. | Antenna on sapphire structure |
US10406634B2 (en) | 2015-07-01 | 2019-09-10 | Apple Inc. | Enhancing strength in laser cutting of ceramic components |
US9995875B2 (en) | 2015-07-28 | 2018-06-12 | The Penn State Research Foundation | Method and apparatus for producing crystalline cladding and crystalline core optical fibers |
WO2017057272A1 (ja) * | 2015-09-30 | 2017-04-06 | 日本碍子株式会社 | エピタキシャル成長用配向アルミナ基板 |
JP6684815B2 (ja) * | 2015-09-30 | 2020-04-22 | 日本碍子株式会社 | エピタキシャル成長用配向アルミナ基板 |
JP6691132B2 (ja) * | 2015-09-30 | 2020-04-28 | 日本碍子株式会社 | アルミナ焼結体及び光学素子用下地基板 |
CN106673625B (zh) * | 2017-01-03 | 2019-07-16 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 晶粒定向排列透明多晶氧化铝陶瓷的制备方法 |
CN110475915B (zh) * | 2017-03-30 | 2021-11-02 | 京瓷株式会社 | 管状蓝宝石构件、热交换器、半导体制造装置及管状蓝宝石构件的制造方法 |
CN107829132A (zh) * | 2017-10-10 | 2018-03-23 | 上海应用技术大学 | 一种制备氧化铝单晶的方法 |
KR102410138B1 (ko) * | 2019-11-04 | 2022-06-20 | 조남태 | 나노입자의 용융점 저하 현상을 이용한 재료 성장 장치 및 재료 성장 방법 |
EP4063337A1 (en) | 2021-03-26 | 2022-09-28 | Glassomer GmbH | Material and process for fabricating and shaping of transparent ceramics |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3026210A (en) * | 1961-01-03 | 1962-03-20 | Gen Electric | Transparent alumina and method of preparation |
US3591348A (en) * | 1968-01-24 | 1971-07-06 | Tyco Laboratories Inc | Method of growing crystalline materials |
US3564328A (en) * | 1968-07-29 | 1971-02-16 | Corning Glass Works | Ceramic articles and method of fabrication |
US3943324A (en) * | 1970-12-14 | 1976-03-09 | Arthur D. Little, Inc. | Apparatus for forming refractory tubing |
US3998686A (en) * | 1975-03-10 | 1976-12-21 | Corning Glass Works | Sapphire growth from the melt using porous alumina raw batch material |
GB1595518A (en) * | 1977-03-11 | 1981-08-12 | Gen Electric | Polycrystalline alumina material |
US4402787A (en) * | 1979-05-31 | 1983-09-06 | Ngk Insulators, Ltd. | Method for producing a single crystal |
JPS5692192A (en) * | 1979-12-24 | 1981-07-25 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Method for growing semiconductor single crystal |
US4629377A (en) * | 1985-07-30 | 1986-12-16 | Fellows Corporation | Disposable disk cutter |
EP0237103B1 (en) * | 1986-03-11 | 1991-11-21 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Composite body |
CA2137249A1 (en) * | 1992-06-02 | 1993-12-09 | Masahide Mohri | .alpha.-alumina |
-
1993
- 1993-09-24 US US08/126,628 patent/US5549746A/en not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-08-06 TW TW083107233A patent/TW311153B/zh not_active IP Right Cessation
- 1994-08-25 ES ES94306284T patent/ES2162841T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1994-08-25 EP EP94306284A patent/EP0645475B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-08-25 DE DE69428962T patent/DE69428962T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1994-09-15 CA CA002132184A patent/CA2132184A1/en not_active Abandoned
- 1994-09-20 CN CN94115347A patent/CN1038774C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1994-09-22 JP JP6227126A patent/JPH07165485A/ja not_active Withdrawn
- 1994-09-23 KR KR1019940023958A patent/KR950008734A/ko not_active Application Discontinuation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5549746A (en) | 1996-08-27 |
JPH07165485A (ja) | 1995-06-27 |
CN1038774C (zh) | 1998-06-17 |
CA2132184A1 (en) | 1995-03-25 |
EP0645475B1 (en) | 2001-11-07 |
ES2162841T3 (es) | 2002-01-16 |
DE69428962D1 (de) | 2001-12-13 |
KR950008734A (ko) | 1995-04-19 |
DE69428962T2 (de) | 2002-08-01 |
EP0645475A1 (en) | 1995-03-29 |
CN1103680A (zh) | 1995-06-14 |
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees | ||
MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |