A 7 B7 經濟部中央標準局Μ X消费合作社印 五、發明説明（ 1 ) '1 [發明所臑之技術領域] 1 1 I 本 發 明 有 關 於 使 用 自 行 對 準 接 觸 之 Aj£ 導 黼 願 裝 置 及 其 製 造 1 1 方 法 t 尤 其 有 關 於 自 行 對 準 接 m 處 理 之 後 X 程 之 m 接 觸 〇 請 先 m 1 1 | [習知之技術] 讀 背 1 1 面 f 對 於 使 用 白 行 對 準 接 觸 之 習 知 之 s參·： 導 體 裝 置 下 面 Μ 動 之 注 I | 意 1 ! 態 随 機 存 取 記 憶 器 (M下稱為D RAM) 為 例 用 來 進 行 說 明 〇 事 項 t h 1 I 圖 29用 來 表 示 習 知 之 DR ΛΜ之 ψ fii 設 計 和 剖 面 m 造 〇 如 圆 2 9 填 1 % 本 裝 所 示 DRAM 之 記 憶 器 單 元 是 首 先 在 半 導 體 基 板 上 配 置 轉 移 頁 1 I 閘 (字線 WL) 然 後 再 在 其 上 « '響. 位 元 線 (BL) ύ 因 此 位 1 1 元 線 接 觸 部 被 設 計 在 字 線 之 間 從 上 方 落 下 到 字 線 之 間 隙。 1 1 另 外 — 方 面 在 電 容 II 部 關 發 有 3次元之堆#型單元（ 1 訂 堆 積 型 )或溝道型駆元（ 满 堀 型 )用来代替爾容麗連到槿限 1 I 之 平 行 平 板 型 電 極 1:1 Η 中 尤 Ά 是 在 堆 1 k 列 中 採 用 1 | COB構造（Ca pa C ί ί 0 r _ Ον e r ~ B it 1 i Π ϋ )( # 照 IDEM Τ e c h . 1 1 I D ί g · 1 9 88 . P Ρ . 592 -5 9 5 ) 不必擔心位元線接觸 可Μ 1 線 使 記 憶 區 域 之 單 位 擊 充 分 的 變 大 〇 在 此 種 構 造 中 如 其 -! 名 所 示 因 為 電 容 器 在 位 元 線 之 上 方 所 Μ ^9L 容 器 之 接 觸 -! I 部 (亦即儲存節點接觸部） 被 設 If 在 位 元 線 和 于 線 之 格 子 之 I I 間 需 要 從 上 方 落TfJ格 子 之 間 隙 〇 1 1 随 著 微 细 加 X 技 術 之 m 步 要 Μ 微 細 化 尺 寸 將 ae 里 叠 或 尺 1 1 寸 之 總 誤 差 控 m 成 很 小 會 變 成 非 常 困 難 〇 慨 如 使 其 厘 « 時 1 1 變 成 如 ΙΒΠ 腿 29所 示 位 元 線 接 觸 部 或 黼 存 節 點 趨 ίκ 觸 部 會 造 成 1 | 與 轉 移 閛 短 路 〇 對 於 該 鼹 格 之 微 細 化 之 横 方 向 之 控 _ 效 率 1 I « 變 成 需 要 有 餘 裕 程 度 之 斑 理 組 合 亦 即 爾 砸 m 有 自 行 對 準 1 1 本纸张尺度適用十阀國家標準（〔’阽）/\4現格（2丨0><2(;7公嬸） 307899 at B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印聚 五、發明説明（ r 1 I 接 觸 技 術 〇 1 1 1 圖 30表 示 使 用 有 矽 氮 化 膜 之 行對 準接觸 技術 之 實 例 〇 1 | 在 使 用 有 氮 化 膜 之 § 行 對 準 接 觸 技術 中，具 有Μ 氮 化 膜 覆 請 閱 1 I 蓋 在 配 線 曆 之 上 部 和 側 壁 之 Si N (矽氮 化腆）儸鑒方式（ 黎 照 讀 背 面 1 1 1 II SP 5270240) 和 將 1Η氮化膜包夾在履間氣化膜之間之 之 注 素 f Ί m Μ Si Ν(矽 氮 化 膜 )方式（ 參 照 Sy 1 P . VLSI. Tech Di g · 1 項 1 4 再 1 I 1987 * ΡΡ * 9 3 •-V-· 9 4 ) 、任- -種方式鄯是將作為鈾刻姐摟餍 % 本 1 裝 之 Si η (矽 氮 化 膜 )覆蕹在作為下部配線之縳移剛 )在S ί Η I ·—， 1 I 側 壁 方 式 中 以 不 削 去 Si N之方式班行氣化膜蝕刻用來獾 1 1 1 得 與 基 板 之 接 觸 在 覆 篕 Si N方式中 ，M S ί N暫時 的 阻 止 氣 1 1 化 膜 接 觸 g由 刻 然 後 對 S ί N和下曆之氧化膜進行蝕刻 ϋ 1 訂 Μ 獲 得 與 基 板 之 接 觸 0 1 1 侬 照 上 述 之 方 式 Μ 氮 化 膜 作 為祖 擋層， 進行 a 行 對 準 1 I 接 觸 開 Ρ 後 之 裝 置 在 後 X 程 所 發 生之 問鼴是 鋁配 線 用 之 接 1 1 | 觸 蝕 刻 之 問 題 0 Η 3 1 表 示 窗 穿 曆 閲絕 緣膜之 鋁接 觸 部 之 狀 1 線 態 9 爾 要 在 靥 間 膜 之 各 種 深 度 播 得接 觸 如 鼴3 1所 示 » 尤 ΐ 1 其 是 使 鋁 接 觸 部 之 層 間 媒 進 行 完 全平 坦化時 ，活 性 區 域 和 1 I 字 線 上 之 接 觸 部 變 深 饰， 凤 高 比 變 大 在寬高 比較 大 之 微 细 1 I 接 觸 部 中 /± 孔 洞 之 底 部 會 使 蝕 刻速 度降低 因而 發 生 RIE 1 1 1 La g ( R e a c L i ve 1〇 η Et c h ί η g La g) ° 尤其是 K氮 化 膜 作 為 1 1 姐 擋 層 之 行 對 準 方 式 其 構造 S將不 容易 被 触 刻 之 1 1 氮 化 膜 配 置 在 容 易 發 生 L a g之較深之接觸孔洞之底部 1 1 * 在 對 氮 ib 膜 進 行 開 P 之 期 間 對於 上部之 位元 線 和 爾 元 1 I 板 會 產 ife 過 度 _ 刻 因 此 會 發 /jb 突出 剝饑之 PI鼸 0 1 1 本紙張疋度適用中國_家榡率（CNS } A4規,格（2丨OX297公f ) -5 ~ 307899 B7 經濟部中央樣準局負工消费合作社印聚 五、發明说吵 ( ；i) 1 1 I [I 3明所欲解決之間題] 1 1 I 如 上 所 述 » 在 習 知 之 使 rrt 用 自 行 對 準 接 觸 之 半 導 黼 裝 置 之 1 | 請 1 I 製 m 時 於 後 X 程 之 鋁 接 觸 之 形 成 會 有 各 雄 桶 間 題 〇 本 發 明 先 閱 1 I 用 來 解 決 此 等 間 題 其 的 m 提 供 —- 種 半 導 JMK 釅 裝 置 所 使 蜻 背 而 1 1 用 之 白 行 對 準 接 觸 技 術 是 利 用 羅 化 顯 本 發 明 亦 提 供 之 注 I 1 意 1 在 層 間 有 效 形 成 鋁 接 觸 部 等 之 導 通 路 徑 之 半 導 髑 裝 置 及 其 事 項 1» 1 再 1 1 製 造 方 法 〇 填 % 本 1 裝 [解決間題之手段] 頁 1 I 本 發 明 之 半 導 髓 裝 置 之 特 激 :；1 具 備 有 半 導 髓 基 板 • m 1 1 I 錄 膜 覆 Μ 該 半 谢 辱 體 基 板 之 ί£ 面 導 爾 娜 具 有 接 觸 部 1 1 被 配 置 在 該 m 緣 m 中 之 上 述 半 導 體 基 板 之 主 面 近 傍 矽 氮 1 訂 化 膜 被 配 置 在 丄 逑 之 m 緣 m 中 用 來 覆 麗 上 述 之 半 導 體 1 1 基 板 之 主 面 和 上 逑 之 導 電 部 和 導 通 路 徑 在 貫 穿 上 述 之 1 I 絕 緣 膜 和 上 述 之 δ夕 氮 化 IU4 膜 之 後 到 達 上 述 導 爾 部 之 撥 觸 部 〇 1 1 1 本 發 明 之 另 一 態 樣 之 半 導 體 裝 麗 之 特 激 是 具 備 有 半 導 1 線 體 基 板 在 主 面 具 有 接 觸 部 絕 緣 m 覆 m 在 該 導 體 基 1 I 板 -y 主 面 導 電 部 具 有 接 觸 部 被 配 m Μ. 在 m m 緣 膜 中 之 上 i I 述 半 専 體 基 板 之 主 面 近 傍 矽 觀 化 膜 被 配 η〇α 置 在 上 述 之 絕 I I 緣 膜 中 用 來 覆 Μ 上 述 之 半 導 體 基 板 之 主 面 和 上 述 之 導 電 I 1 部 導 通 路 徑 在 Μ 穿 上 述 之 絕 緣 膜 和 上 述 之 矽 Jtsu 撤 化 膜 之 I I 後 到 達 上 述 導 電 部 之 接 觸 部 和 導 通 路 徑 在 «0- 興 穿 上 述 之 I I 絕 緣 膜 和 上 述 .V 矽 氮 化 願 之 後 到 達 上 述 半 導 黼 基 板 之 接 觸 I I 部 0 I I 本 發 明 之 另 態 樣 之 半 導 髓 裝 V •E9·. 之 特 擞 是 具 備 有 半 導 1 1 木紙依尺度遴用中阈國家標卒（CNS > Λ4規格（210XM7公犛） 經濟部中央標率局Μ工消f合作社印製 307899 A7 A / B7 五、發明説明（‘i) 髑基板，在主面具有接觸部；is緣_，覆麓在該半導髓基 板之主面；導電部，具有接觸部被配置在該涵緣顏中之上 述半導體基板之主面近傍：矽氮化臟，被κ置在上述之絕 緣膜中，殘留成用來覆簠上述之半導驩基板之主面，在上 述導電部之區域則被除去：其他導電都，被配置在上述之 絕緣膜中；導通路徑，從該其他導電部賃穿上述之涵緣膜 和上述之矽氮化膜之後到埵上述半導體基板之接觸部；和 導通路徑，在貫穿上述涵緣膜之後到_上述導霄鄯之接觸 部。 本發明之另一態樣之半導體裝置之特激播具備有：半導 體基板，在其主面具菏·方和另外一方之撥觸部；絕緣膜 ，覆蓋在該半導體之主面；導電部，具有接觸部被配置在 該絕緣膜中之上述半導鱺基板之在面近傍；矽氮化膜*被 配置在上述之絕緣膜中，殘留成用來覆駑上述半導髗基板 之主面之上述另外一方之接觸部，在上述之一方之接觸部 和上述之導電部之區域則被除去；其他導爾部，被K置在 上述之絕緣膜中；導通路徑，從該其他導電部賃穿上述之 絕緣膜和上述之矽氰化膜之後到達上述半導艚基板之上述 之另外一方之接觸部；和導通路徑，在貫穿上述«緣膜之 後到達上述之一方之接觸部。 本發明之另一態樣之半導讎裝置之特擻噩具備有：半導 體基板；絕緣膜，覆Μ在該半導髗基板之主面：導霍部， 被配置在該絕緣膜中之上述半導醱基板之主面近傍，形成 從該主面突出；矽氮化膜，被配置在上述之_緣臟中，形 本紙張尺度適用中阈國家標準（C’NS ) Λ4规格U10X 297公釐） (讀先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 19^^ Kn nn nn ml m m 1 1* nn i ^^^1 -s A7 B7 經濟部中央標準局負工消费合作社印鉍 五、發明説明（ L )). 1 1 成 覆 蓋 在 上 述 導 爾 鄒 之 側 面 « 和 導 通 路 徑 f 在 貢 穿 上 述 鱷 1 1 1 緣 膜 之 後 到 壤 上 述 導 電 部 之 接 觸 部 1 I 本 發 明 之 另 戆 樣 之 半 導 臞 裝 董 之 特 緻 最 具 備 η ： 半 導 請 先 閱 1 I 體 基 板 t 在 主 面 具 有 接 m 部 嫌 緣 顏 * 覆 篕 在 該 半 m 體 基 讀 背 1 1 1 板 之 主 面 ; 導 電 部 f 具 有 接 觸 部 被 配 置 在 該 函 緣 臟 中 之 上 之 注 \ 雪, ! 述 半 導 體 基 板 之 主 面 近 傍 • 形 成 從 該 主 面 突 出 1 矽 氣 化 顏 W>"s 1 項 [ 再 1 1 t 被 配 置 在 上 述 之 絕 緣 膜 中 * 形 成 覆 Μ 在 上 述 導 爾 部 之 俩 填 寫 本 1 裝 面 > 導 通 路 徑 ， 在 貫 穿 上 述 絕 緣 勝 之 後 到 達 上 逑 導 糴 部 之 頁 s^-· 1 I 接 觴 部 和 導 通 路 徑 在 貫 穿 上 述 絕 緣 _ 之 後 到 壤 上 述 半 1 1 | 導 體 基 板 之 主 面 之 接 m 部 〇 1 1 本 發 明 之 另 — 態 樣 之 半 導 鼸 裝 置 之 持 緻 Μ 具 備 有 半 導 1 訂 體 基 板 涵 緣 膜 覆 Μ 在 該 半 導 雜 基 板 之 主 面 導 霉 都 » 1 I 被 配 置 在 該 絕 緣 m 中 之 上 述 半 導 讎 基 板 之 主 面 近 傍 形 成 1 I 從 該 主 面 突 出 矽 Isst 觀 化 膜 被 m 置 在 1; 述 之 絕 緣 _ 中 形 1 1 | 成 覆 Μ 在 上 述 之 導 爾 部 和 m •rr 通 繼 路 徑 在 貢 穿 上 述 之 絕 緣 1 線 膜 和 上 述 之 矽 氮 化 顏 之 後 到 達 上 述 導 電 部 之 偷 m 觴 鄯 〇 本 發 明 之 另 —_. 態 樣 之 半 導 鼸 裝 置 之 特 黻 是 具 備 有 半 導 J I 體 基 板 » 在 主 面 具 有 接 觸 部 緬 緣 膜 覆 Μ 在 該 半 導 髖 基 1 | 板 之 主 面 導 電 部 9 被 配 置 在 鼷 m 緣 膜 中 之 上 述 半 導 體 基 1 1 I 板 之 主 面 近 傍 > 形 成 從 該 主 面 突 出 矽 氣 ib _ t 被 配 置 在 1 1 上 述 之 絕 緣 膜 中 * 形 成 覆 董 在 上 述 之 導 霣 m 導 通 路 徑 t 1 1 在 貫 穿 上 述 之 絕 緣 m 和 上 述 矽 缀 化 顧 之 後 到 達 上 述 導 電 部 1 I 之 接 觸 部 和 導 通 路 徑 * 在 m 穿 上 述 之 鮰 緣 a·** 顯 之 後 到 達 上 1 I 述 半 導 體 基 板 之 接 圈 部 0 1 1 本紙悵尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4現格（210X 297公釐） 8 A7 rn 經濟部中央標準局員工消费合作杜印袋 五、發明说明（ 1 1 本 發 明 之 另 態 备学 樣 之 半 導 黼 黏 iCx 置 之 特 激 m Μ 在 上 述 之 各 個 1 1 1 態 樣 中 具 備 有 ； 其 他 導 镦 部 » 被 配 置 在 上 述 之 m 緣 膜 中 » 1 I 具 有 接 觸 部 » 和 其 他 導 通 路 徑 在 貫 穿 上 述 之 m 緣 顏 之 後 請 閱 1 I 到 達 上 述 其 他 導 爾 部 之 接 觸 部 α 讀 背 1 1 而 l· 其 次 % 本 發 明 之 半 導 體 裝 置 之 製 造 方 法 之 特 m 是 所 具 備 之 注 4 I 意 之 工 程 包 含 有 在 半 導 體 基 板 主 面 m Μ 涵 緣 腹 < 在 該 絕 事 項 1 再 1 | 緣 膜 設 詈 JSI. 導 電 部 .使 矽 氮 化 _ 覆 m JmL 在 上 述 之 m 緣 願 和 上 述 4 η 本 1 之 導 電 部 至 少 在 上 述 導 霪 部 之 接 觸 部 之 區 域 除 去 上 述 之 頁 1 I 矽 氮 化 膜 然 後 Μ 其 他 絕 緣 膜覆 n 和 設 置 導 通 路 徑 使 其 1 1 I 在 賃 穿 上 述 之 其 他 絕 緣 m 之 後 到 達 上 述 導 爾 部 之 接 觸 部 〇 1 1 本 發 明 之 導 體 裝 置 之 製 造 /J 法 之 特 激 是 所 具 備 之 工 程 1 訂 包 含 有 在 半 導 體 基 板 之 主 面 覆 Μ JaA 第 絕 緣 釅 在 該 第 '* ! 1 m 緣 膜 設 置 導 電 部 在 該 導 爾 部 覆 Μ 第 二 婦 緣 膜 iLAf 將 矽 氮 1 I 化 膜 覆 蓋 在 上 述 之 第 一 絕 緣 膜 和 第 二 絕 緣 勝 至 少 在 上 述 [ 1 1 導 電 部 之 接 觸 部 之 區 域 除 去 上 述 之 矽 鳳 化 臌 然 後 Μ βτΛΓ 爾 三 1 線 絕 緣 膜 覆 Μ 和 設 置 導 通 路 徑 使 其 貫 穿 上 述 之 第 -一 絕 緣 膜 ί 1 之 後 到 達 上 述 導 電 部 之 接 觸 部 〇 I 本 發 明 之 另 態 樣 之 半 導 體 裝 置 之 製 造 方 法 之 特 微 是 所 1 I 具 備 之 X 程 包 含 有 在 半 導 Mm 頭 甘 板 之 主 面 覆 Μ 第 -一 絕 緣 m 1 1 I * 在 該 絕 緣 膜 設 置 導 爾 部 在 該 導 爾 部 覆 蓋 m — 鳐 緣 m . 9 I 1 將 矽 氮 化 膜 覆 Μ 在 上 述 之 第 —- 總 嫌 膜 和 第 涵 緣 顯 除 去 1 1 上 述 之 矽 親 化 膜 使 其 只 殘 留 在 上 述 之 半 導 體 基 板 之 主 面 之 1 I . 部 份 然 後 Μ 第 二 m 嫌 膜 覆 鐘 5 和 設 置 導 通 路 徑 使 其 貫 1 I 穿 上 述 之 第 三 絕 緣 顏 之 後 到 達 上 域 導 電 挪 之 接 m 部 〇 1 1 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) Λ4规格（2I0X297公楚） 9 307899五、發明説明（7) 所膜 ； 是緣膜 徽絕緣 特一嫌 之 第二 法躉第 方禳鑛 造面覆 製主鄯 之之爾 置板導 裝基該 黼體在 導導 ·， 半丰部 之在爾 樣：導 懸有置 一 含設 另包膜 之程緣 明工絕 發之該 本備在 具 ； 去然 除， *1 份 0 0 緣面 媚側 二 之 第部 和電 鼷導 緣述 絕上 一 在 第留 之殘 述只 上其 在使 Μ 膜 覆化 膜氮 化矽 氮 之 矽述 將上 第 之 述 上 穿 貫 其 使 〇 徑部 路觸 通接 導之 置部 設爾 和導 ;W 蓋上 覆锤 Aaw. Hu _ 1 緣後 絕之 三 膜 第緣 Μ 絕 後 三 具 .， -i. As» Ξ：p 是 緣 激絕 特一 之第 法 Μ 方覆 進面 製主 之 之 置板 裝基 髑艚 導導 半半 之在 揉 ： 慇有 一 含 另包 i 明程 發工 本之 備 將述 ; 上 膜在貫 緣 ·，其 絕膜使 二緣徑 第絕路 蘧二通 覆第導 部和置 電 _ 設 導緣和 該絕 ; 在一膜 .，第 緣 部之絕 電述三 導上 第 置在M 設蓋覆 _ 覆膜 緣膜化 絕化氮 該氮矽 在 矽之 穿 之 0 緣 麵二 第 之 述 及 瞋 化 氮 η 矽部 之觸 述接 上 之 U βτ if δ 膜爾 緣導 絕述 三上 第達 之到 述後 導導 半半 之在 樣 .. 戆有 一 含 另包 之程 明 Η 發之 本備 具 所膜 是緣 徽絕 特一 之第 法親 方覆 造面 製主 之之 置板 裝基 (請先聞讀背面之·;!意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 .. 膜 膜緣 緣11 絕 二二 第 第之 驁述 覆上 部和 電 _ 導緣 該罐 在 一 .. 第 部之 電述 導上 置在 設 Μ 膜覆 緣膜 絕化 該氮 在矽 ; 將 矽到上之 所 之後穿部 懋 述之貫爾 揪 上膜其導 特 在緣使述 之 蘧涵樫上 法 覆三路嫌 方 和第通到 進 部之導後 製 電述 置之 之 導上設膜 置 他穿和&裝 其貫 .·氮 臞 圃其都矽 導 包 使觸之 半 其徑接述 之 使路之上 櫬 膜通部和 態 緣導電膜 一 絕置導緣 另 三設他絕 之 第.，其三。明 置膜述第部發 設化上之觸本 氮達 述接 本紙張尺度適用中國國家榡举（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） ο A7 R7 經濟部中央樣準局員工消費合作社印製 五、發明説明（ 0 I I 具 備 之 X 程 包 含 有 ： 在 半 導 艚 基 板 之 主 面 覆 m 第 絕 緣 膜 1 1 1 » 在 該 第 絕 緣 m 設 6« 導 電 部 在 該 導 電 部 覆 舊 第 二 絕 緣 1 I 膜 將 矽 氮 化 膜 覆 蓋 在 上 述 之 第 — 絕 緣 m ι&κ 和 *3τ 第 二 鱷 緣 m > 請 先 閱 1 I 設 置 第 三 絕 緣 膜 使 其 包 wa 画 被 其 他 矽 氮 化 顏 覆 Μ jm 之 其 他 導 電 ή 背 而 1 1 1 部 和 覆 Μ 在 上 述 之 矽 氮 化 膜 設 罾 開 Ρ 使 其 貫 穿 上 述 第 之 注 Γ | t 1 絕 綠 膜 之 後 朗 向 上 述 導 爾 部 之 接 觸 部 到 達 上 述 之 矽 氮 化 膜 Ψ 項 L 存 1 I » 和 設 曹 開 P 使 其 貫 穿 上 述 第 嫌 緣 膜 之 後 朗 向 上 述 其 他 1 裝 本 導 電 部 之 接 觸 部 到 達 上 述 之 其 他 矽 iter Μ 化 願 » 和 設 置 導 通 路 页 1 I 徑 使 其 從 上 述 之 關 Ρ 貫 穿 上 述 之 砂 氮 化 膜 和 上 述 之 第 二 m 1 1 I 緣 膜 之 後 到 達 上 述 導 電 部 之 接 觸 部 和 設 置 導 通 路 徑 使 其 1 1 貫 穿 上 逑 之 其 他 矽 teat 攤 化 _ 之 後 到 達 上 述 其 他 導 爾 挪 之 接 觸 1 訂 部 0 1 I 本 發 明 之 另 一 態 攆 之 半 導 鱅 裝 置 之 製 進 方 法 之 特 擻 是 所 1 I 具 備 之 工 程 包 含 有 在 >J£ 導 體 基 板 之 主 面 覆 ·»>»· «TnL 絕 緣 黼 在 I 1 | 該 絕 緣 膜 設 置 導 電 部 使 矽 氮 化 臟 覆 Μ 在 上 述 之 導 電 部 > 1 線 其 他 絕 緣 膜 覆 Μ 上 述 之 矽 氰 化 _ 和 設 置 導 通 Ob 路 徑 使 其 \ 1 貫 穿 上 述 之 其 他 絕 緣 膜 和 上 述 之 矽 Μ 化 膜 之 後 到 •CSC 上 述 導 1 1 電 部 之 接 觸 部 〇 1 I 本 發 明 之 另 -—" 態 樣 之 半 導 讎 裝 BPt> 置 之 製 進 方 法 之 特 激 是 所 1 1 I 具 備 之 X 程 包 含 有 ： 在 半 導 體 基 板 之 主 面 覆 薏 絕 緣 膜 ♦ 在 Ί 該 絕 緣 膜 設 置 導 電 部 » 使 矽 氮 化 Ititt 願 覆 Μ 在 上 述 之 導 爾 部 1 1 Μ 其 他 絕 緣 膜 覆 Μ 上 述 之 矽 龈 化 臌 設 瞀 凰 辱 通 路 徑 使 其 貫 1 1 穿 上 述 之 絕 緣 膜 和 其 他 m 緣 膜 之 後 到 達 上 述 半 導 鐮 蘿 板 之 1 I 接 m 部 ί 和 設 置 導 通 路 徑 使 其 質 穿 上 述 之 其 他 絕 緣 綱 和 上 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X297公漦） - Λ7 307899 B7 五、發明説明（9) 述之矽氮化膜之後到遠上述導電部之接觸部。 [發明之實胞形態] (請先閱讀背而之注意事項再填寫本頁) 實施形態1 圖1用來說明本發明之實施形戆1之半寒鼸鞋置之構造I (a)表示平面之狀戆，（b)表示剖目之構進。在Μ下之實施 形態中是以半導髑裝置中之D RA Μ為例J1行說明。在麵中所 示之半導髓裝置（DRAM)中，其構成包t有：記慷簞元陣列 部A，未具有鋁接觸部ί和周邊電路部B*具有在碁板，轉 移閘，位元線和單元板上之鋁接觸部。 如圖所示•該半導醱裝置具_有：半導讎基板1，作為 第一絕緣膜之氣化膜2，作為第二涵緣顏之氣化膜3，矽氮 化膜4，作為第.王絕緣臢之蹰間絕緣_或層間氧化膜5 *第 •氣化膜2上之導電部MU 7，雇間撾緣膜5中之導爾都8和9 ，層間絕緣_ 5中之其他導爾都1 0和接觸通路1 1。 經濟部中央標準局貝工消費合作杜印繁 半導艚基板1在其主面形成有多酒之元伴，其中Κ接觸 部la表示層間之接觸部，Μ接觸部lb表示與導電部10接觸 之接觸部。第一氧化膜2覆蓋在半導艚基板】之主面，用來 形成_極氧化膜，在半導體基板〖之接觸部1 a具有關口 2 a 。第二氧化膜3覆醤在導爾部6和7，形成將其覆Μ。覆蓋 該導電部6之第二氧化膜3在該導爾郤6之接觸都6 a具有開 口 3a ° 矽氮化膜（S ί N ) 4覆蘯在第一氧化_ 2和第二氣化膜3，在 半導髓基板1之主面之接觸都la具有開口 4a，在導爾部6之 接觴部6 a具有開口 4 b。S外，該砂氮化勝4在形成於記憶 木紙张尺度適用中阈阀家標枣（CNS ) Λ4現格（210X297公鳞） 12 307899 A7 B7 五、發明説明（丨0) (請先閱讀背面之注意事項#填两本頁) 單元陣列部A之自行對_接觴用之間峙，亦形成在调龜部B。 層間絕緣膜5覆Μ在半導驩基板1之主面之接觸挪之包圃 . 區域，和包_導爾部6之接觸部6a之第一氣化_2和第二氣 化膜3，及矽氮化膜4，在半導钃基板1之接觸挪1 a具有開 口 5a，在導霜部6之接觸部6a具有開口 5b。另外，在被配 置於該曆間絕緣膜5中之中空位置之導®部8之接觸部8 a具 有開口 5 c，在専電部9之接觸部9 a具有開口 5 d。 導爾郤6被設置成突出到第一氧化臟2之上，由作為轉移 閘之字線所形成。導電部7被設置成突出到第一氣化_ 2之 上，用來形成_極電極或字線。導電部8是被配置在膺間 絕緣膜5之中空位置之作為位元線之専電挪•具有接觸部 8 a。導電部9是被配置在曆間涵緣_ 5之中空位置之作為電 容器之單元板之導電部•具有接觸部9a «導爾部1 0是與導 電部8相同之被配置在曆間絕緣_ 5之中空位置之位元線之 導電部，具有接觸通路1 1。 在該半導體裝置之紀憧單元_列部A具有作為對半導體 基板1之導通路徑之位元線接觸通路丨1或黼存節點接觸部（ 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 圖中未顯示），在此處使用自行對準技術。 另外一方面，在周邊爾路部B具有與S憧摩元陣列郤A之 位元線接觸通路1 1同時形成之位元線接觴通路1 1。另外， 在層間絕緣臌5之關a S a、5 b、5 C、5 ，具有形成為曆間 之導通路徑之上部金屬配線稱為鋁接觸部，分別接埵到半 導體基板丨之接觸部la，導爾部6之接觸部6a，中空位置之 導爾部8之接觸部8a和中空位置之導電部9之接牖部9a。 本紙張尺度適用中國國家標窣（CNS ) Λ4規格（210X297公f ) -1 3 - ___B7 五、發明説明（1 1) 属矽 金之 郤圈 上周 與其 , 去 中除 置由 裝經 牖是 導部 半 _ 之接 槺 之 形爾 _ 所 資觸 本接 在} 部 ί觸 所接 上s 如線 配 有蝕 會成 不 形 0 i 觴之 接臟 鋁化 之観 有在 所決 在解 ,Μ 式可 方， 這化 用氮 利之 。 。 用題 成使間 形所之 所準曆 膜對擋 化行胆 氮 cn 刻 在蓋 ，覆 ΠΗ ϊί 亦面 主 0 之 式U 方板 之基 述體 所導 下半 如於 攞 ， 把中 Μ置 可裝 態體 形導 施半 實之 本態 ’ 形 外胞 另實 本 膜 緣 絕 個 各 由 有 緣 絕 之 成 構 緣 0 該 在 中 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) .裝. 之 膜 化 板氮 0 矽 髏’ 専中 半膜 於緣 部 4 艚 導 電半 導在 有 Μ I覆 設成 傍置 近設 面被 絕和 該面 在主 > 之 外丨 另 路 通 導 有 β, 娀 0 形電 ’ 導 外達 另到 ο 後 156之 咅 4 電膜 導ib 接 之 化 氣 矽 和 膜膜 緣.化 絕氮 穿 矽 貫 。 在la , 部 徑觸 之 穿 貫 在 徑 板緣 氮 矽 和 、-· 部 路 通 導 有 成 形 外 另 接 - 之 之 1 徑 板路 基通 «I導 _ 等 半該 達於 到大 後成 之形 4徑 直 Π 有8r 成部 形簡 ’ 接 9之 ' 8 部 部電 電導 導等 他該 其達 有到 設後 中 之 之 臟 膜緣 緣絕 絕穿 在貫 ’ 在 外 ’ 另徑 。 路 徑通 直導 線 經濟部中央樣隼局負工消费合作社印裝 態 形 施 實 圖 實 之 明 發 本 明 說 來 用 5 之 Μ 裝 髑 導 半 之 2 態 形 體示 導表 半來 之用 鑣別 構分 之虢 1 符 態 之 形 同 轤 施相 實 1 ^ Η 具與 造其 製-來中 用圖 於附 適等 ,該 法在 方。 造置 製裝 如 先 酋 序 程 之 〇 造 份製 βΓ ΪΗ 8 笋 之 明 當說 相將 或面 同下 相 糖 導 半 在 示 所 膜 緣 涵 * - 第 Μ 覆 面 主 之 11 板 基 第 該 在 次 其 本紙iR尺度適用中國國家樣準（CNS ) Λ4规格（210X297*#:) 4
A7 __._B7_ 五、發明説明Ο 2 ) 氧化膜2之一部份形成突出之導爾部（轉移閜）6和導爾部（ 字線）7。然後，Μ第二綑緣膜（縝化顏）3覆驁該導爾部6和 在其上之全面覆蓋矽氮化。該矽氮化顯4在-成於記 « 憶單元陣列部A之自行對準接觸用之同時，亦形成在周瑾 部B。然後，在其上之全面覆酱第四絕緣膜（矽|| ft膜）5 ’ 。然後•對其全郤之面皰加抗触劑1 2 >_ Μ在半導黼基板 1之接觴都la之周麵之®域和導爾都6之接_挪“之周麵之 區域設置開口。 其次，如_ 3所示，從該閜口對第四氣化臢5 '進行遘擇 .......... 性之蝕刻藉Μ將其除去。其次如瀾4所示，除去抗蝕麵1 2 ，以殘留之第四氣化膜5 ’作為簞_，利用熱磷酸等迆行癲 式蝕刻，用來選擇性的除去矽缀ib膜4。 其次，如圖5所示，在半導黼基板1之包含第一和第二氧 化膜2、3之全面*對作為層間臟緣臢之矽氣化膜t施加平坦 化處理。因為殘留之第四氧化鎭5 '與曆間氧化膜5形成一 體，所以圖中未分開的顧示。在該過程中|設置位元線接 觸通路1 1具有開U部貫穿半導鱺基板丨之主面之位元線接 觸部1 b上之矽氮化膜4和第一氧化膜2。另外，在曆間氣化 膜5之中空位置設置導電部（位元線）8和導爾部（位元線）10 。另外，導電部（犟.元板）9同樣的形成埋入到曆間氧化膜5 之中。 然後•施加抗蝕劑>在鋁接_部所補饔之部位，從上
V 部進行開口，對蹰間氣化膜5施加蠢擇性之鈾_藉K設置 15 - -----r---ί--裝------訂------線ί (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央棟準局員工消費合作社印裝 本紙張尺度適用中國國家榡率（CNS ) Λ4规格（210X29?公釐） 307899 A7 B7 五、發明説明（U ) (請先閱讀背而之注意事項再填湾本頁) 開口部使其通過半導艚基板1之接觸挪la，導爾都6之接觴 部6a，導霣部8之接觸》8a和導爾部9之接觸都9a。然後， 除去抗触劑1 3，利用靥間氣化臟5之該等開口 ，在與暦間 絕緣膜5之上側之電路之間形成作為導通路徑之鋁接鼸部。 依照瑄種方式•在本實施形態中，使氣化膜5 |重叠在氮 化膜4之上•利用抗蝕劑1 2對氣化膜5 '進行_型製作，然 後在除去抗蝕劑1 2之後，以氣化膜5 ’作為簞幕，利用熱磷 酸等進行濕蝕刻。 一 -----------------------------------一^^ 如上所述，在本霣施肜態之半辱觸裝置之製造方法中， 於與上部金屬配線（鋁接觸部）接觸所需要之接觸部，除去 其」| Η冬6# 。利用道種方式，在幸部之鋁接觸部不 會有自行對準所使用之氮化_。可Μ解決在氮化_上阻撺 蝕刻之問題。另外，在習知方式之Κ抗触劑作為軍幕Μ乾 ..一 .......""" 式蝕刻除去氮化膜之方法中，因為與氣化_之選揮比不充 分•所Μ會有削去基板】之間魈，依照本實施形態，假如 使用與氣化膜之選揮比很大之濕式蝕刻艘，可Κ獾得毽定 之製堦方法，不會有基板削去和電漿損傷之間題。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 另外，本實胞形態可Μ把握如下所述之方式。亦即，在 本實_形態之製造右法中，所包含之工程有：使第一絕緣 膜2覆蓋在半導體基板1之主面，在該第一 »緣膜2設置導 電郤6，使第二絕緣膜3禳Μ在該導爾邬6，使矽氮化_ 4覆 蓋在第一絕緣膜2和第二絕緣臢3，除去矽觀化膜4之導電 部之接觸部6a之區域，以第三豳緣膜5加Μ覆Μ，在第三 絕緣膜5設置開口，和設置導通路徑使其貫穿第三涵緣膜5 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4说格（210X297公t ) ^ 307839 五、發明説明（1 4) 導 3 達態 到形 後皰 之實 用示 R6«η ) i 鼸表 觸之(b 接明， 之發態 156本狀 說面 來平 形 施 示 , 半 造之 構7K 之所 置中 裝I ϋ ο 導造 半櫞 之 之 3 面 釀 1 剖 有 B 含部 包路 成霣 構邊 之周 M)和 A R ; (D部 置觴 装接 髑鋁 辱有 記 ΰ, 0 歹 牵 元 板 基 在 有 具 具位 未 ， ， 閘 AnJ 移 轉 外相 另或 0 同 部相 觸示 接表 鋁來 之 用 上別 板分 元號 單符 和之 線同 元相 如 二 \ 所 第 2 膜 fb 氣 有 _ 備 化 具氮 置矽 裝， 體； 導 半 該 膜 fb 氧 與第 其 1 , 板 中。基 d1 QH IT Mflnn 該部導 在之半 第 5 膜 緣 鲴 間 層 (請先閲讀背面之注意事項再填κ本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印^ 氧化膜上之導電部6和導電部7 ·被配置在牖鬮絕緣膜5之 中空位置之導電部8和導電部9 |被配置在曆間絕緣膜5之 中空位置之其他導電部1 0和其接觸通路1 1 半導艚基板1在其主面形成有多個之元件，其中Μ接觸 部1 a表示層間之接觸部，Μ接觸挪1 b表示輿導甯挪1 0接觸 之接觸部。第一氧化膜2覆蹵在半導體基板】之主面，用來 形成閘極氣化_ >在半導鶼基板1之接觴挪〗a眞有_ 口 2 a。 第二氧化膜3形成覆Μ在設於第一氣化臓2上之導電部6 和7。覆Μ導電部6之第二氣化驥3在該導爾挪6之接觸部6 a 具有開口 3a。 矽氮化膜（S ί N ) 4，在記憶簞元陣列部A覆Μ在第一氣化 膜2和第二氣化膜3*在具有鋁接觸鄯之周邊爾路挪Β，於 位元說_通路11之周園，只覆Μ在包_位元線接觸部之區 域之氧化2。另外，該砂氮化膜4在形成於記慷單元脾列 本紙帒尺度適用中國阐家梂準（CNS > Λ4规格（2I0X297公竣〉 -17 - 經濟部中央榡準局貝工消t合作社印製 A7 B7 五、發明説明（V5) 部A之自行對準接觸用之同時*亦形成在周邊部B。 層間絕緣膜5覆麓在第一氣化膜2和第二氣化膜3*和矽 氣化膜4，在半導龌基板1之接觸部la具有鬮口 5a·在導爾 部6之接觸部6 a之位置具有關U 5 b。另外*在埋入到該層 間絕緣膜5中之中空位置之導爾部8之接觸部8a具有開口 5c ，在中空位置之導«部9之接觴挪9a具有關口 5d。 導電部6形成作為轉移閘之字線《導爾挪7用來形成閘極 電極或字線。導甯部8是被配置在層間絕緣鹏5中之埋入之 中空位置之作為位元線之導電部，具有接觸部8a。導電部 9是被配置在曆間絕緣膜5中之埋入之中空位置之作為電容 器之單元板之導電部，具有接觸導爾部10*與蘑間 絕緣膜5中之埋人之中空位置之導電部6相同之作為位元線 之導電郤，具有通到半導牖基板1之接觸通路Π。 在該半導體裝置之記憶頭元陣列部A，具有作為對半導 髑基板1之導通路徑之位元線接牖通路U或馘存節點接觸 部（圈中未顯示），在此處使用自行對準技術。 另外一方面，在周邊電路B具有與記憶單元_列部A之位 元媒接觸通路11同時形成之位元鏽接觸通路11。另外，在 層間絕緣膜5之開口 5 a、5 b、5 c、5 (〗，具有形成為曆間之 導通路徑之上部金臑配線稱為鋁接觸郤，分刖接埵到半導 體基板1之接觸部la，導電部6之接觸部6a>中空位置之導 爾部8之接觸部8a和中空位置之導®部9之接觸部9a。 另外，具有記憶犟元陣列部1\之位元線10和輿其接觸部 U同時形成之位元線1 0及其接觸通路1 I。 衣紙張反度適用中國國家標率（CNS ) Λ4現格（210X29?公犛） -----r---/--装------ΐτ------ (請先閱讀.背面之注項再填Μ-本頁) -18- 307899 ΑΊ _ Β7五、發明説明（U;) 部觸列 路接». 爾線元/ 邊7C擊 周位慵 之。記~0 0-0 觸b用 接ftf_ K 鋁一襲 罾i畠 具 :因 阀一 在 「是 之 置 > 留 裝In·殘 0 _觸2 導 s g 半 w'fb 嫦 之 Ϊ 氮 «It7之 位 形 — 圃 留 施 Ϊ 周 * f 殘 . 實1之 本 Tlb fj B 韵 化 鲲矽饔 需 Μ 所 贩 技 li 對 行自； 之一 同i 目？部一 觸-接 嬢元位 之 ο 部膜 不 部 觸 Μ 鋁i 胆 上 顏 化 氮 之一在 有^決 所U解 於，Μ ’ 可 Β 0 4* 路_ 電化 邊氮 周之 在 用： ’ 使一 式所I 方準 種對 這行 用自 利有 會 列為 _ 成 元積 單面 憶之 記膜 於化 ’ 氮 中矽 態有 形留 細殘 實使 本Μ 在可 外部 另路 0 電 題邊 問周 之之 刻外 触一 Μ 擋部 之ft 數容 係霣 質之 SI UV 高鐮 之 K 間小 線減 配來 之用 走M 行可 所 -路度 路限 電小 使最 由成 經小 ， 減 度膜 限化 小氮 最 矽 上 性 特 ’ 霉外 在另 實 本 。 在 果 -效 之 良 〇 優式 有方 具之 高述 提所 之 下 C - - 度树 速握 作把 動K 是可 其態 尤形 亦 (請先閱婧背而之注^"項再填寫本頁) •裝. 訂 中 置 裝 髓 導 半板 之基 態體 形導 腌半 實在 本， 膜 緣 絕 髑 各 由 有 蓋 覆 lb緣 、 絕 a -1 之 鄯成 觸溝 β 5 撼 有 3 具、 yr * 面 主 其 <z -線 膜 緣 絕 該 。 在 6 ， 部 膜爾 外 另 之 1» 板 基 髑 導 半 於 中 導 有 置 設 镰 坻 蘭 的 留 殘 成 置 設 被 4 膜 ib 氮 矽 中 膜 緣 絕 該 在 經濟部中央標準局®:工消费合作社印裝 面 主 之 li 板 基 體 導 半 在 篕 覆 外 另 ο 去 除 被 則 域 區 之 6 部 電 接設 在中 * 膜 lb緣 部絪 觸在 接， 之
導導 和 之 a 也 1 AR 穿 貢 ο 11 B, 0 爾 導 該 從 1i 11 路 SX 通 觸 接 有 成 形 ο 1X β 0 電 矽 和 擬 緣 之 4 緣 絕 膜穿 化貫 氮有 部 觸 接 之 11 板 基 體 導 半 逹 接 後 部 簡 接 之 6 部 電 導 埵 接 後 緣 絕 達 之 U 接 板後 基 膜 體緣 導絕 半穿 達 貫 徑 路 通 導 之 a 11 ij 謝 觴 接 部 爾 導 之 成 形 亦 外 另 接有 和成 徑形 路亦 通 ’ 導外 之 另 之 0 9 本紙張尺度適ffl中阑阚家樑導（ΓΝ5ί ) Λ4規格（ΉΟ/297公犛） —19- uiuuiLiirji ...... '"iallnBMM*ia|,nMM**H*liPBamMW*v~~ ^ .-.ΐίΐη·.^_(J9味 A7 B7 五、發明説明（r?) 之導通路徑。 實施形態4 _7〜_10用來說明本發明之資撫形艟4之半導龌裝置之 製造方法·適於用來製進具有實施形繼3之瓣進之半導體 裝置。在該等附圖中•其與_1和團2相間之符號分別用來 表示相同或相凿之部份。 下面將說明其製造之程序|酋先如_7所示•在半導體 基板1之主面覆Μ第一涵緣膜（氣化膜）2。其次，在該第一 氧化膜2之一部份形成導電部（轉移閛）6和導爾部（字線）7 。然後，以第二絕緣膜（氧化膜）3覆Μ該導爾部6和？。在 其上之全面覆Μ矽氮化膜4。該矽氣化膜4在形成於記镰單 元陣列部Α之自行對準撥觸用之同時•亦形成在周壜部Β。 然後，在其上之全面覆Μ第四_緣膜（矽氧化腹）5'。其次 ，對其全部之面施加抗蝕劑12，在鋁接觸部之周邊«路部 Β使該抗蝕劑12只殘留在用Μ獲得位元線之接觸部之半導 體基板1之主面之接觸部lb之周_區域，然後通行除去。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標隼局Μ工消費合作社印裝 去 除 Κ 加Μ 0 刻 触 ，性 “擇 8 選 圖行 如進 - 5 次膜 其化 氣 四 第 之 域 區 之 2 1— 劑 触 抗 去 除 經 已 對 触 抗 之 留 殘 去 除 5 鵰 示bm Μ 9 氣 圖四 如第 , 之 次留 其殘 刻 _ 熱 用 利 幕 單 為 作 β, 咨 麵 接膜 線化 元 氮 位矽 使之 ’ 域 刻區 鈾他 周 之 觀 矽 之 Μ 賴 刻 蝕 之 性 揮 邏 行 通 触 性 揮 1Μ 式 一了 進 等 次媒 其化 氧 板 基 黼 導 半 在 I不 所 ο 11 覼 如 化 氣 矽 和 面 全 之 包三 之第 丨Μ 覆 留除 一 膜 殘其第緣 其 對 二 第 和 層 為 作 本紙悵尺度適用中國國家橾隼（CNS ) Λ4規格（21〇Χ297公釐） 丨___..........丨·>_η»·ι· | ......... 20 H7 H7 經濟部中央標準局員工消費合作社印聚 五、發明説明（！ 6) 間絕緣膜之矽氣化膜> 5藉K進行平坦化。因為殘留之第四 氣化膜5'與曆間氣化膜5形成一黼*所M_中未分開的顧 示。在該過程中，設置位元線撥賺通路1 1具有開口部貫穿 半導體基板〗之主面之位元線接觸_丨b L·之矽観化膜4和第 一氧化膜2。另外，在層間氧化膜5之中空位置設置導爾部 8(位元線）和導電部10(位元鐮）。另外，導爾邾9(犟元板） 同樣的形成埋入到雇間氣化膜5之中。 然後，在全郤之面胞加抗鈾麵丨3，在鋁接黼部所餺要之 部位，從上部進行開口 *對醑関氣化黼5_加龌揮性之蝕 刻藉Μ設置開口部使其通過半導黼基板1之撥觸部1 a，導 镭部6之接觸部6a，字線8之接鼸部83和犟元板9之接觸部 9a。然後，除去抗蝕劑13，利用層間氣化_ 5之該等開口 ，在與上部之間形成作為導通路徑之鋁接觸鄯。 依照瑄棰方式/在本實_形態中，使氣化臢5 ’重曼在氮 化膜4之上，利用抗蝕_ 1 2對氧化膜5 ’進行匪型製作，然 後在除去抗触麵1 2之後，以氣彳b _ 5 '作為罩幕，利用熱磷 酸等進行濕式蝕刻。 依照本實施形態之製造方法畤，在周_爾路部B，於全 部之鋁接觸部不會有自行對準所使用之氮化膜4，可K解 決在氮化膜4上之胆播蝕刻之間題。另外*在本實施形態 中|於記憶f元陣列部Μ外之周«爾路部B，坷W使殘留 有矽氟化膜4之面積成為最小限度，經由使周邊爾路部Β所 行走之配線間之高介質係數之矽氮化臟滅小成最小限度| 可Μ用來滅小配嬢間之電容置，在爾特性上|尤其是動作 本紙张尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4現格（2Ι〇Χ 297ϋ! " (請先閲讀背面之注意事項再填荈本頁) .裝. 線 Λ 7 Β7 經濟部中央標苹局員工消费合作社印^ 五、發明説明（1 1 1 I 速 度 之 提 高 具 有 優 良 之 效 果 0 1 1 I 另 外 » 在 習 知 方 式 之 Μ 抗 触 麵 作 為 壤 蓽 Μ乾式触刻除去 1 I 氮 化 膜 之 方 法 中 ， 因 為 1¾¾ 興 氧 化 臛 之 _ 揮 比 不充分，所Μ會 請 閱 讀 背 1 1 1 有 削 去 基 板 之 間 EUS 題 • 依 照 本 實 m 形 態 » 假 如使用與氣化膜 1 I J· I 之 選 擇 比 很 大 之 m 式 蝕 刻 時 9 可 Μ 獾 得 蘧 定之製造方法， 之 注 意 1 I 不 會 有 基 板 削 去 和 漿 損 傷 之 调 廳 〇 事 項 ! I 再 1 1 另 外 本 實 施 形 態 可 K 把 握 如 下 所 述 之 方式。亦即，在 填 1 施 % 裝 本 實 形 態 之 製 堦 方 法 中 所 包 含 之 工 程 有：使第一絕緣 頁 1 I 膜2覆Μ在半導體基板1之 主 面 在 該 第 鰯嫌膜2設置導 1 1 電 部 6 使第二 二絕緣膜3覆 Μ 在 該 導 電 部 6 使矽觀化_ 4覆 1 1 Μ 在 第 —. 絕緣膜2和第：: 二涵緣_ 3 使矽氣化_ 4殘留在半 1 訂 導 髑 基 板 1之主面之- -部份（只 在 用 Μ 形 成 位元鐮接觴部之 1 I 區 域 ) 覆Μ在第1 i絕緣膜5 在 第 涵緣膜5設置關口· 1 1 I 和 設 置 導 通 路 樫 使 其 貫 穿 上 述 之 第 三撾緣顯5之後到埵導 1 1 電路6之接觸部6 a f > i 線 另 外 實 施 形 態 i至4之 主 藤 试 纖 是 在 下 挪配媒（_移閘） 1 1 * 上 方 設 置 如 同 氮 化 臛 之 rrj 用 Μ 姐 止 氧 化 繼 被 餘刻之材料，利 用 電 路 部 (用以獲得記慵翬元_列部Κ外之鋁接觸部）用來 1 I 除 去 上 述 之 蝕 刻 胆 撺 材 料 〇 另 外 9 在 fign JW 施 形戆1和2中，利 1 1 用 鋁 接 觸 部 之 爾 路 部 只 除 去 所 鞲 Μ 之 接 _ _之周鼸之矽氮 1 1 化 膜 S ί Ν 在霣施形戆3和4中 利用鋁接觸節之爾路部只 1 1 殘 留 位 元 線 接 觸 部 之 周 鼷 之 Si N c 1 I 實 施 形 態 5 1 圈 11是剖面 構 趣 _ 用 來 說 m 本 發 明 之資嫵形戆5之半 1 1 衣紙張尺度過用中阐阀家捸隼（CMS ) Λ4規格（210Χ2<)7公鑛} A7 307899 B7 五、發明説明（20) 等體装置之構造。_中所示之半導艚裝置（DRAM)中，其構 成包含有：記憶單元陣列部A，未具有鋁接觸部；和周逢 電路部B，具有在基板*轉移閜，位元線和單元板上之鋁 接觸部。另外，在該圖中，其與黼1相同之符號分別用來 表示相間或相當之部份。 如圔所示，該半導髏裝置具備有：半導髗基板1，第-絕緣膜（氣化膜）2，第二涵掾膜（氣化_ ) 3，矽氮化膜4， 第三絕緣膜（曆間絕緣膜）5，第一氧化顏2上之導爾部（轉 移閛）6和導電部（字嬢）7，埋入在曆間絕緣膜5中之中空位 置之導鬣部（位元線）8和導®部（單元板）9，埋入在曆間涵 緣膜5中之中空位置之另一導爾部（位元嬢）1 0和其接觸通 路1 1。 半導艚基板1在其主面形成有多個之元件•其中Μ接觸 部la表示層間之接觸部，以接觴郞lb表示興導罨部（位元 嬢）1 0接«之接觸部。第一氣化臢2覆Μ在半導髗基板1之 主面，在該半導髑基板1之接觴部la具有開口 2a。 第二氧化膜3覆Μ在被配置於第一氣化_ 2上之導電部6 和7。覆Μ在導爾郤6之第二氣化膜3在該導爾挪6之接觸部 6a具有開口 3a。 矽氮化膜（S i N ) 4覆滅在第一氣化膜2和第二氣化_ 3 *在 半導體基板1之主面之接觸部la具有開口 4a’在導爾部6之 接觸部6 a具有開口 4 b。另外，該砂氮化膜4在形成於記憶 摩元陣列部A之自行接觸用之同時，亦形成在周邊部B。 曆間絪緣膜5覆Μ在砂氮化_ 4 *在半導嫌基板1之接觸 一 2 3 一 ----J-------t.------11------棒. (請先閲靖背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央梂準局貝工消f合作社印製 木紙悵尺度適汛中阀阀家梂卒（CNS ) Λ4規格（2丨OXM7公f ) 經濟部中央橾準局員工消t合作社印聚 B7 五、發明説明（2i) 部la具有開口 5a，和在導電部6之接觸部6a具有開口 5b。 另外，在埋入到該曆間綑嫌顧5中之中空位置之導電部8之 接觸部8 a具有開口 5 c，在導爾部9之接觸|都9 a具有開口 5 d 導電部6在第·氧化膜2之一部份形成從該氣化臟2突出 之方式，用來形成作為轉移閘之字線》導爾部7在第一氧 化膜2之一部份形成從該氣化_ 2突出之方式，用來形成閛 極電極或字線。導霄部8是被K置在層間鰌緣臢5中之中空 位置（離開半導體基板1之主面具有一定之__)之作為位 元線之導電部，具有接觸部8a。導爾部9避被K置在曆間 絕緣膜5中之中空位置（雌開半導黼基板1之主面具有一定 之間阐）之作為電容器之單元板之導電郷，具有接姗部9a 。導爾部1 0是與導電部8相间之被埋入到曆閬絕緣膜5中之 另一中空位置之作為位元線之導電都|具有接觸通路1 1。 在該半導髑裝置之記懦單元_列部A具有作為對半導臞 基板1之導通路徑之位元線接觸通路11或黼存節點癢觸郤（ _中未顧示），在此處使用自行對準技術。 另外一方面，在周邊爾路部I具有與記懦犟元陣列部A之 位元線接觸通路11闻時形成之位元線接觸繙路11。S外， 在層間絕緣膜5之關LJ 5 a、5 b、5 c、5 d，具有形成為靥間 之導通路徑之上部金牖配線稱為鋁接觸部，分別接達到半 導體基板〗之接觸部la，導霣部6之接觸部6a*中空位置之 導霣郤8之接觸部8a和中空位置之導爾挪9之接觸都9a。 在本實施形態之覆MS丨型自行對準方式之半導黼裝置中 ，可Μ使鋁接_鄯貫穿矽氮化_ *確實的接蠊半導黼基板 本紙张尺度適;fH，國國家橾準（CNS ) Λ4規格（2丨0X 297公t ) „ . -24- -----ο-----裝------訂------線；. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) Λ7 B7 經濟部中央標率局®C工消費合作杜印製 五、發明説明（U 1 1 1 之 接 觸 部 和 轉 移 m 之 接觸 部0 1 1 1 另 外 » 本 實 胞 形 態 可Μ 把攞如下 所述 之方式。 亦 即， 在 1 I 本 實 施 形 態 之 半 導 體 裝置 中，於半 導體 基板1之主面覆蓋 請 1 1 Μ | 有 由 各 m m 緣 m 2 、3 、5構成之絕緣瞋 ，在釀豳緣膜中 • 讀 背 | 面 1 於 半 導 熥 基 板 1之主面近傍設置有導電部6。另外 » 在該 絕 之 注 r I 意 1 | 緣 膜 中 1 矽 氮 化 膜 4被設置成覆駑在半導髓基板1 之 主面 和 事 項 1 | 導 電 部 6 3另外 形成有導通路樫 ，在貫穿讁緣臌和上述 再 填 1 氮 化 m η 裝 之 矽 4之後到達上述導爾路6之接 觸靜8 a ° 另 外， 形 頁 1 1 成 有 導 通 路 徑 在 貢 穿鲴 緣膜和矽 氮化 臢4之後到達半導 1 I 體 基 板 1之接觸部1 a ( '矽氮化臢4之 開口 直徑形成 與 該等 導 1 1 通 路 德 之 .1. m 相 同 而 旦互 相接合。 另外 ，在絪緣 顧 之中 設 1 訂 有 其 他 之 導 電 路 8 9 ，肜 成有導通 路徑 ，在貫穿 絕 緣膜 之 1 1 後 到 達 該 導 電 部 8 9之接 觸部8 a、 9 a 0 1 1 | m 施 形 態 6 1 1 圖 12 圖 14用 來 說 明本 發明之實 靡形 態6之半導黼裝置 1 線 之 製 造 方 法 適 於 用 來製 造具有實 施形 態5之構造之半導 體 裝 tea 置 〇 另 外 > 在 該 圖中 ，其興圖 1或η 1 2相同之 符 號分 別 1 I 用 來 表 示 相 同 或 相 當 之部 份。 1 | 下 面 將 說 明 其 製 造 之程 序，箝先 如圔 12所示， 在 半導 醱 1 1 基 板 1之主面11蓋第 • _緣膜（飆化 膜）2 。其次， 在 該第 ___. 1 1 氧 化 m 2之 •部份形成從該氣化膜2突出 之導電部 (轉移閘 1 1 )&和 導 電 部 (字钱 i ) 7 « 然後* Κ第二 1絕緣_ (氣化 飘 )3覆 Μ 1 I 該 導 爾 部 6和導霄部7 該第氣 化胸 2和第二氣化臌3 之 1 1 I 上 > 全 面 的 m Μ 矽 氮 化膜 4 該矽氮化臟4在形成 於 記慵 覃 1 1 本紙张尺度適用中國圃家標率（CNS ) Λ4规格（2丨0X297公t ) -2 5 307899 A 7 B7 五、發明説明（23) 元陣列部A之自行對準接觴用之同時，亦形成在周邊部B。 其次，在矽氮化膜4之上進行第三絕緣臟（作為靥間絕緣 膜之矽|化旗）5之平坦化。在此過程屮，設置位元線接觸 通路1 1具有開LJ部貫穿半導體基板1之主面之位元線接觸 部lbti矽氮化膜4和第一氧化臓2。另外，導電部（位元線） 8和導電部（位元線）1 0破設置在離關半導鱅基板1之主面之 矽氮化膜4 -定卩8隔之中空位置，在導爾都1 〇形成有接達 到半導體基板1之接觸通路丨1。另外，導爾部（舉元板）9同 樣的形成埋入到層間氣化膜5之中。 然後，施加抗蝕劑1 3，首先對未被矽氮化膜4覆Μ之位 元線8和單元板9之位置進行開口，對靥間氣化膜5進行選 擇性蝕刻，用來設置開I :丨5 c、5 d使其達到接觸部8 a、i) a。 其次，如圖1 3所示，K抗蝕_胆塞開口，達到位元線8 和單元板9之接觸部8a、9a，在破矽氮化膜4覆蹵之半導髑 基板1之接觸部1 a和轉移閘6之接觸部6 a之位置，設置抗蝕 劑〗3之開U ，對層間氣化膜5進行邐擇性之鈾刻，賴Μ設 置開口使其達到矽氮化_ 4 » 其次，如圖1 4所示，從半導黼基板]之接觸部1 a之位置 之開口 5 a和轉移閘（ΐ之接觸部6 a之位置之開U 5 b，對矽氮 化阐4和矽氣化膜2進行触刻，用來設置PS 口 5 a、5 b其達到 接觭部1 a和接觸部6 a。然後*除去抗蝕劑1 3，利用層間氧 化膜之該等開U用來形成鋁接_娜賴K作為與上部之間之 導通路徑。 本實胞形態之製造方法是往覆I S i型自行對準方式中， -2 6 - -----：-----^------1T------0.. (請先閱讀背面之注$項再填^本頁) 經濟部中央標準局貝工消费合作杜印製 本紙张尺度適用中阐阈家標隼（rNS ) Λ4规樁（2Κ)Χ2<Π公纊> 27 A7 B7 經濟部中央標準局Μ工消费合作社印製 五、發明説明（2 1) 1 1 I 使 用 2個之罩幕 *分成2次 的 m 行 鋁 接 觸 部 之 蝕 刻 鶼 Μ 製造 1 1 1 開 Ρ 〇 此 製 造 方 法 所 包 含 之 工 程 有 ； 第 關 Ρ X 裡 t 用來 V 1 I 形 成 在 開 P 孔 洞 内 沒 有 氮 化 H/-I 膜 之 位 元 線 8和在單元板9丄之 請 先 Μ 1 1 I 接 觸 部 之 關 P 和 第 —— 開 P 工 程 > 用 來 形 成 在 開 P 孔 涧内 讀 背 1 1 具 有 氮 化 膜 之 基 板 1和轉移_ G上 之 接 觸 部 之 m P ύ 第 -·工 之 注 1 程 只 £sr 羈 化 m 乾 式 蝕 刻 進 行 關 P t 第 工 程 搔 在 氣 化 膜乾 1 項 } | 1 I 式 蝕 刻 之 後 追 加 氮 化 m 蝕 刻 和 底 部 氣 化 膜 鈾 刻 〇 1 裝 寫 本 侬 照 這 種 方 時 為 著 使 鈾 刻 而 成 之 關 p 之 開 Ρ 孔 洞内 頁 1 I 具 有 氮 ib m 之 接 觸 部 和 米 具 有 化 m 之 接 觸 _分 醒 可Μ 1 1 1 使. 甩 不 同 種 類 之 蝕 刻 方 法 所 具 有 之 效 果 Μ 可 避 免 由 於過 1 1 度 蝕 刻 而 造 成 上 部 配 線 之 膜 厚 之 減 小 和 突 出 之 剌 離 0 1 訂 另 外 本 實 施 形 態 可 以 把 握 如 所 述 之 方 式 〇 亦 即 ，在 1 I 本 實 形 態 之 製 造 方 法 中 所 包 含 之 X 程 有 使 第 涵緣 1 I 膜 2覆Μ在半導體基板1 之 主 面 在 該 第 鰯 緣 旗 eani 2設置導 1 1 I 電 部 6 使第二 ：.,ia it m 3 覆 蓋 在 11 導 電 部 6 使矽氮化膜4覆 1 線 蓋 在 第 __· m 緣 膜 2和第_ 二絕緣_ 3 包 園 9S -一 導 電 部 8 和 1 I， 設 置 第 三 絕 緣 膜 5使其覆蓋在矽氮化膜4 在 第 三 絕 緣 m 5 1 | 設 置 開 P 和 設 置 導 通 路 徑 使 其 貫 穿 第 絕 緣 膜 5後到達 1 I 另 導 電 部 8之接觸部8 a ’ 在第三涵緣_ 5和 矽 鈑 化 膜 4設 1 1 置 開 U t 和 設 置 導 通 路 徑 使 其 在 貫 穿 m 三 絕 緣 膜 5和δ夕氮 1 1 化 膜 4之後分別到達導爾部6之 接 觸1 部 6 a 和 半 導 體 基 板 1之 1 1 接 觸 部 la 〇 1 1 實 施 形 態 7 1 I 圖 15 是 剖 面 構 造 麵 > 用 來 說 m 本 發 明 之 寶 豳 形 ?之半 1 1 木紙張尺度適用t阀阀家標5f ( C-NS ) Λ4現袼（2IOX 297公驂） -27 經濟部中央標苹局貝工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4规格（210Χ 297公籍） Λ7 B7 五、發明説明（25) 導髓裝置之構造。在匾中之示之半導艚裝置（DRAM)中，其 構成包含有··記慵爾元陣列部A，未具有鋁接觸部；和周 邊電路部B，具有在基板，轉移閘，位元鏽和簞元板上之 鋁接觸部。另外，/i該圖中，其與圓1相闾之符號分別用 來表示相同或相當之部份。 如圖所示，該半導騸裝置具有：半導驩基板1，第一 緣膜（氧化膜）2，第二絕緣膜（氣化膜）3，砂觀化膜4， 第三絕緣膜（層間絕緣_) 5，第一氧fb膜2上之導電部（轉 移閘）(5和導電部（字線）7，埋入在曆間鳐嫌顧5中之中空位 置之辱電部（位元線）8和導電部（簞元板）9，埋入在靥間絕 緣膜5中之中空位置之另一導電部（位元線）1 〇和其接觸通 路U。 半導體基板1在其主面形成有多錮之元件，其中Μ接觸 部la表示層間之接觸部，Μ接觸挪lb表示與導®挪（位元 線）I 0接觸之接觸部。第一諷化膜2覆Μ在半導艘基板1之 主面，在該半導體基板1之接觸部1 a具有開口 2 a。 第二氣化蜈3覆Μ在破配置於第一氣化祺2上之導霉部6 和7。覆篕在導電部6之第二氣化臟3在該導電部6之接觸部 6a具有開U 3a。 石夕氮化膜（S ί N ) 4覆蓋在第一氣化膜2和第二氧化臟3，在 半導臛基板1之主面之接細節la具有關口 4a，在導爾路6之 接觸部6 a具奋開U 4 b。另外該矽氮化膜4在肜成於記懂W 元_列部A之@行接觸用之囘時，亦形成在周瑾都B > 層間絕緣膜Γ)覆Μ在矽氮化膜4 ·在半導讎基板1之接觸 -2 8 - ίϊ— mV I— i in (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
,1T 經濟部十央榡準局貝工消费合作社印製 A7 B7 五、發明説明（26) 部1 a具有開U 5 a，和在導霣部6之接觸部6 a具有開U 5 b。 另外，在埋人到該層間涵緣膜5中之中空位置之導爾部8之 接觸部8 a具有開口 5 c，在導電部9之接觸部9 a具有開口 5 d。 導電郤6 /：£第·氣化_ 2之——部份形成從該氣化_ 2突出 之方式，用來形成作為轉移_之字線。導甯部7在第·氧 化膜2之一部份形成從該氣fb _ 2突出之方式，用來肜成關 極電極或字線。導電部8是被配置在層間撾緣膜5中之屮空 位置（離開半導髓基板1之主面具有·定之間隔）之作為位 元線之導ϋ部，ϋ有接觸部8 a。該導爾部8之:面覆Μ 有矽氮化膜4 I，和在導電部8之接觸部8 a之位置具有開tJ 。 導電部9是被配置在靥間絕緣膜5中之中空位置（離開半 等體基板丨之上ffl具有…定Z間隔）之作為電容器之單元板 之導電部，A釕接觸部9 a。在該導爾部9之上面覆Μ有矽 氮fb膜4 ’，和在導電部9之接觸部9 a之位置具有開U »導 S部1 0與被il入到層間絕緣_ 5中之另-中空位置之辱電 部8相同，作為位元線之導電部，具有接觸罐路1 1 〇 在該半導體裝置之記憶單元陣列部Λ具有作為對半導體 基板1之導通路徑之位元線接觸通路1 ]或黼存節點接觭部（ 圖中未顯示），在此處使用自行對準技術。 另外一方fij *在周邊電路Β具有與紀憧單元陣列部Α之位 元線接觸通路1 1同時形成之位元線接觸通路1 1。另外，在 ®間絕緣脫5之開U 5 a、5 b、5 c、5 d，具有形成為曆間之 導通路徑之上部金屬配線稱為鋁接觸部，分別接達到半導 艚基板1之接觸部丨a，導電部6之接觸郞6 a，中空位置之導 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X297公t ) ----r.-------裝------訂------線 (婧先閱讀背而之注意事項再填寫本頁) 29 經濟部中央標率扃員工消費合作社印製 A7 __B7 五、發明説明（27) 霄部8之接觸部8 a和中空位置之導電部9之接觸部9 a。 本賨施形態之構造是將氣化媒配置在去除餵接觸部之配 線和基板上部。利用氮化膜暫聘的龃止継掇觸部，變化氣 體等之蝕刻條件•在除去氮化顯之後，_加_撤之氣化膜 '' .· ......... - 蝕刻，用來形成接觴部。 依照本實施形態時，使用自行對準接觸用來確實的賃穿 矽氮化膜，用來形成鋁接觸部作為與上部靥之導通路徑。 另外，因為各霞導農趣Μ同樣之方式被矽氬化雇應鳌，所 Κ可Κ以相同之方式進行處理和加工> ..... ..........—................ .... - - —'>· ....... .................. 另外，本莨胞形態可Μ把握如下所述之方式。亦即•在 本實施形態之半導體裝置中，於半導髓基板1之主面覆Μ 有由各個絕緣膜2、3、5構成之絕緣臌，在該涵緣鎮中， 於半導賵基板1之1:面近傍設置有導電部6 «另外*在該絕 緣膜中，矽氮化_ 4被設置成覆蓋在卞導髖]之主_和導電 部6。另外，形成有導通路徑，在貫穿絕緣膜和上述之矽 氮化膜4後到達導電部6之接觸靡6 a 另外，肜成有導通路 徑，在質穿，絕緣膜和矽氮化臢4之後到達半導髓基板1之接 觸部1 a。矽氮化膜4之開U直徑肜成與該等導通路徑之直 徑相同而且互相接合。另外，在絪緣_中設有其他之導爾 邬8、9，被矽氮化膜4 ‘覆Μ ，和形成有導通路徑，在貫穿 絕緣膜和該矽氮化膜4 ’之後到建該等導爾都8、9之接觸部 8 a ' 9 a 0 另外，在Μ上所說明之實施形態1、3、5和7中，於紀憶 頃元陣列部|利用覆M S i Ν方式之自行對準攘鼸用來形成 本紙張尺度適用中國國家標率（CNS ) Λ4規格（2IOX297公i ) „ Λ —Λ 〇 一 (請先閱讀背面之注$項再填寫本頁) 裝- -=·β A7 6 υΛ /IV 明 说. 明 發 五 線半 配之 之觸 部接 上鋁 自 之 來讕 使所 , 有 部具 路得 爾獲 邊以 周用 在 ， ’ _ 的化 時氮 同矽 其之 與成 ’ 形 膜所 化穿 氮貫 SIPI的 形1 對 施(¾相 寘淺比 /Γ. dM 在路與 - 通 。 外導裕 另於餘 。 大 有 置成具 裝形且 體小而 導大 - 之小氮 Ρ大矽 關之 ， 之徑中 膜直f 化之 0^0 矽 I□形 ,孔施 部 中I* 實 3觸 £ 和接t 和 之 洞 孔 部 觴 接 0 即 亦 /V 徑 路 通 導 與 成 形 小 火 之 口 小 開大 之之 膜徑 fb直 同 相 8 態 形 施 實 置導 裝半 鰌之 導造 半構 之之 8 7 態態 形形 _ 細 實實 之有 明具 發造 本製 明來 說用 來於 用適 8 1X , _ 法 i 方 6 1 造 圖製 之 與 其 。 ， 份 中部 _ 之 該 當 在 相 ， 或 外 冏 另 相 。 示 置表 裝來 體用 或 JU 分 號 符 之 同 fin 教 經濟部中夹標準局員工消费合作杜印製 F面將說明其製造之程序，首先如6所示，在半導髓 基板1之主面覆Μ第一鱷緣膜（氣化顧）2。其次，在該第一 氧化膜2之-部份形成從該氣化_ 2突出之導電部（轉移關 )6和導電部（字線）7。然後，Μ第二絕緣閜（氣化臟）3覆Μ 該導锺部6和7。在該第一氣化_ 2和Μ二氣化_ 3之上，全 面的覆蓋矽氮化膜4。該矽氮化膜4在形成於記憶簞元陣列 部Α之自行對準接觸用之同時，亦肜成在周繳部Β。 其次•在矽氮化臟4之上之全面迪行第三涵嫌膜（作為曆 間絕緣膜之矽氣化膜）5之平坦化。在此璏程中，設置位元 線接觸通路1 1具有開口部賃穿半導_基板1之主面之位元 線接觸部1 b上之矽氮ib膜4和第一氣化祺2。另外，導電部 (位元線）8和導爾部（位元線）1 0被設置成離閬半導髗基板1 本紙張尺度適用中國國家樣隼（CNS ) Λ4規格（2丨OX297公釐j ^ 叫 裝 訂 I線 (請先閲讀背面之注f項再填寫本頁) A? B7 經濟部中央標準局員工消費合作杜印製 五、發明説明（23) 1 1 I 之 主 面 之 矽 氮 化 臟 4 -定間矚之中空位置。另外 •在該位 1 1 | 元 8 、1 0之上面覆Μ有矽氮化膜4 ’ ，另外 •導霣挪（《元 1 I 板 )9同 樣 的 在 其 上 面 覆 蘧 有 砂 氮 化_ 4，，被 設 在 釀 曆 間氧化 請 先 1 1 閱 | 膜 5之中 .1 讀 背 1 面 1 然 後 ， 如 圃 1 7所 示 在 曆 間 m fb m 5之金面施加抗蝕_ 之 注 *1 1 1 3 在 半 導 體 基 板 1之接觸部1 a 導電部6之 接 觸 部 6 a，位 % 項 L | 再 1 I 元 線 8之接觸部8 a和單元板9之 接 觸部 9a之位 置 » 設 置該抗 填 1 寫 本 Λ 蝕 劑 1 3 之 開 U 後 該 開 P 對 曆 間 氣化 膜5進行«擇性之触 頁 1 1 刻 用 A » 來 設 置 開 P 5 a 5 b 5c •N 5d 使其 分別通 雄 矽 氮 化膜4 1 1 I 4 其 次 如 圖 18所 示 從 該 寺 關 口對 矽氮化 m 职 4進行触刻 I 1 訂 * 用 來 形 成 關 P 陡 再 通 連 位 元 線 8之接觸部8 a和單元板9之 1 I 接 觸 部 9 a Ο 對 於 半 導 驩 基 板 1之接觸部〗a和導爾部6之接觸 1 1 I 部 6a 之 開 U 除 砂 氮 化 m 4 另夕卜 因為有氣化臢2成3 1 1 * 所 利 用 氣 ib 膜 蝕 刻 法 加 K 除 去， 輔以形 成 開 0 5a、 1 線 5b使 其 分 別 通 達 接 觸 部 1 a 和 接 觸 暴6 a 。然後 除 去 抗蝕劑 1 4 13 利 用 層 間 氧 ib m 5之該等關口用來形成鋁接觴部&双作 1 | 為 與 上 部 之 間 之 導 通 路 徑 0 1 I 在 本 實 胞 形 態 中 之 製 造 方 法 昼 將氮 化顧G 置 在 去 除鋁接 1 1 觸 部 之 配 線 和 基 板 上 面 0 利 用 鼴 化顧 暫時的 阻 止 鋁 接觸部 1 1 » 變 化 氣 體 等 之 蝕 刻 條 件 在 除 去氮 化膜之 後 m 加稍微 1 1 之 氧 化 膜 触 刻 用 來 形 成 接 觸 部 〇 1 I 依 照 埴 種 方 式 時 當 與 如 间 m 板接 觸部之 深 接 ftm IP9 部比較 1 I 時 m 接 觸 部 之 蝕 刻 禰 賢 相 當 1 之畤 間，因 為 Μ 作 為蝕刻 1 1 3 2 一 本紙張尺度適用中國阚家標準（CNS ) Λ4現格（2Ι〇Χ 2们公觼〉 A7 307899 B7 五、發明説明（30 ) 姐播膜之概化膜覆Μ在各髑《線•所Μ具有各儸配蠊不會 被削去之效果。 另外，本實_肜態可Μ把擷節下所述之方式。亦即，在 本實施形態之製造方法中，所m含之X程有：使第一撾緣 膜2覆篕在半導體基板1之主面，在該第一絕緣鼸2股置導 爾部6，使第二絕緣猶3覆篕在該導锺部6，使矽氮化_ 4覆 蓋在第一絕緣膜2和第二絕緣膜3，包麵破其他之矽氮化膜 覆Μ之導電部8，和設置第三緬緣膜5使其覆蓬在砂氮化膜 4，設置開口使其質穿第三絕緣_ 5後朝向導電部6之接觸 部6a的到達砂氮丨b膜4，和設置開口使其霣穿第三絕緣膜5 之後朝向其他導爾部8之接觸部8 a的到埵其他之矽氮化膜 4 ’，設置導通路徑使其從該等關丨】貫穿砂氮化膜4和第二 絕緣膜2之後到達罅電部（5之接觴部6 a，和設置導通路徑使 其貫穿其他之矽氮化膜4 ’之後到達另一導爾部8之接觸部 8 a 0 另外，在Μ上所說明之實施肜慇2、4、6和8中，所示之 製造方法是在記憶犟元陣列部A，利用覆M S ί Η方式之自行 對準接觸用來形成矽氮化膜4，興其冏時的，在周邊霉路 部Β形成矽氮化膜4，Μ Μ形成從上都曆貫穿該矽籤化膜4 之配線稱為鋁接觸部。另外，在其中之實胞形鑣2和4中， 因為在周邊電路部β使用Μ形成鋁接觸部之匾域之矽氮化 膜4被預先的除去，.所Μ覆釐蹰關氣化膜5，然後形成導通 路徑（亦即鋁接觸部）使其貫穿該曆間氣化顧5。與此相對 的，在實胞形態6和8中，即使？f周邋電路挪Β亦使臁間氧 本紙张尺度適W中國國家榡準（CNS ) Λ·4規格{ 21〇Χ297公鑲） -----L----^------ΐτ------终- (請先閲讀背面之注$項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 3 3 A7 B7 五、發明説明（3.L) 之 4 氧 間 膜曆 化該 氮穿 矽貫 在其 釐使 覆 } I 5 翔 膜觸 化接 0 亦 /fv 徑 ο 路 4 通膜 導化 成氮 形矽 後和 «5 膜 b 態 形 0 實 造 構 a 剖 是 9 11 _ 半 之 9 態 形 _ 實 之 明 發 本 W 說 來 用 圃元 在單 0 憧 造記 構 ： 之有 置含 裝包 體成 導構 置 裝 艘 導 半’ 之 A 示 剖 序 歹 鋁 有 具 未 AM部 D-u Me D 黼 中 其
周 D 部 部 路觸 爾接 邊鋁 閘 移 轉 板 基 該 在 外 另 中 之 用 上別 板分 元號 單符 和之 鑲同 元相 /L 1 长麵 與 Μ ΤΤι 具 〇 置 份裝 部體 之導 當半 相該 或’ 冏示 相所 示圈膜 表如緣 來Μ 膜 化 氧 _ 緣 絕 二 第 板氮 基砂 黼 ， ί 3 導 } 半膜 L· 5^3 有氧 第 化 間 氣曆 一 到 第入 ,» 5 i 7 膜 丨 緣線 絕字0 ( 層 (S電 膜導 緣和 0)6 三 閘 第移 搏 (W空 tj. 1 舖 4 爾之 _ 中 之 5 <-*1^ t _ 2緣 絕 間 曆 rtu 至 入 埋 11 9 裏 板元 元位 /ΙΛ 9 β部爾 電導 導 一 和另 )8之 線董 元位 位空 /IV K, 中 0 , 之 電 中 導 5 之 膜 置緣 通 觸 接 其 及 I I I |裳 n ^ 線 (請先閱绩背面之注$項再填商本頁) 經濟部中央櫺隼局員工消费合作社印製 本紙張尺度遴用中國國家標举（CNS > Λ4规格（2丨〇〆297公蘑} 路1 1，和較薄之第五絕緣膜（氧化勝）1 4。 半導艤基板1在其主面形成有多鑭之元件，其中Μ接觸 部la表示層間之接觸部，Μ接觸部lb表示與導電_10接觸 之接觸部。第一氣化膜2覆驁在半導黼基板〗之主面，在通 到位元線接觸通路11之位置具有關口。第二氣化顏3覆Μ 導電部6和7之上面，覆釐在導爾路6之上面之第二氣化膜3 在該導電部6之接_部6a具有關口 3a、 第五氣薄曆9!萑—響1JUJL1之麗遽..和甚丄之 氧化膜3之側面和上面。另外，該第五氧化膜1 4並不是必 一 3 4 ~ A7 B7 經濟部中央標準扃貝工消贫合作社印製 五、發明説明（h) 需的，也可Μ不設簠該第五氧化鼸1 4。 矽慨化膜4 ( S i Ν )，在紀憶犟元_列_ Α覆鐮在第一氣化 膜2和第四氧化膜14，在具有鋁接觸部之周邊爾路挪B，肜 成導霣部6、7之側面，只覆Μ在第五氣化膜1 4之上并部份 。另外*該矽規化膜4在形成於記慵簞元陣列挪Α之自行對 準接觸用之同時*亦形成在周邊部B。 層間絕緣膜5覆蓋在第一氣化膜2 ·第五氣化_ 1 4和矽氮 化膜4，在半導醱基板1之接_»13具有開口 5a，在導霄部 6之接觸部β a具有開口 5 b。另外，在埋入到該賺間糴緣膜5 中之中空位置之導電部8之接觸部8 a具有關口 5 c，在中空 位置之導爾部9之接觸部9 a具有開D 5 d。 導電部6形成從第一氣化_ 2突出，用來形成作為轉移閘 之字線。導電部7用來形成關極爾極或字線。導爾部8是被 配置在層間絕緣瞑5中之埋入之中空位置之作為位元線之 導爾部，具有接觸部8a。 導馕部9是被配置在曆間_緣_5中之埋入之中空位置之 作為爾容器之單元板之導電部*具有接嶋挪9 a。導爾部10 是與曆間絕緣膜5中之埋入之中空位置之導爾都8相間之作 為位元線之導電部，具有通到半導黼基板1之接觴通路Π。 在該半導髓裝置之記憶簞元_列郤A，具有作為對半導 體基板1之導通路徑之位元鐮接_部或鏞存節點接觸挪（圈 中未顧示），在此處使用自行對準技術。 另外-方面，在周邊爾路B具有與記懷躍元_列部A之位元 線接觸通路U同時形成之位元線撥觴通路Π。另外，在牖 本紙張尺度適用中國國家標率（CNS ) Λ4規格（210X297公t ) 裝 訂 線 (請先閱讀背面之注意事項#填筠本頁) 35
7 A 3 /—\明説明發 ,五 □ 開 之 0 為 稱 線 K 靨 金 部 上 膜之 嫌徑 絕路 間通 導 之 蹰 為 成 形 有 具 髓 導 半 到 達 攮 3 分 部 觸 部 爾 導 之 都置 爾位 導+空 , ^H· la和 TJ 3 S 8 觸部 接觸 之接 1 之 板 8 基部 之 部 _ 觴 接 之 β9 空挪 中 電 導 之 置 壁化 側膜 之薄 態被 4- 形14 施膜 實化 本氣 在壁 rtu 價 之 6 閛 移 轉 中 式 方 對 行 自 型 之 都 觸 接 鋁 有 具 在 觀 只一 4 膜 經濟部中央標準局®:工消t合作杜印聚 (請先閱讀背面之洼f項再填究本頁) 部 路 鑼 邊 留 作 0 0^0 單 憶 紀 在 留 0 只 是 〇 ~ Μ 壁 '可 側II 之 眾 5之 用 使 所 閘 移 轉Μ 在^ 留一 時 式 方 —ft 種 此 照 幕>邋植 粗 之 •裝· 0 較 比 0 罩 部 之 列留 _ 殘 元或 接 在 只 與 當 周 之 部 缺 欠 式 形 型 _ 行 進 易 W ae./ Μ 可 在 且 而 行阻 自刻 有 蝕 在之 存t 未屢 , 化 挪.氮 鯽決 接解 ^.w 之 可 有M 所所 於 -4 ^W B. b *0 «U 路氮 爾之 邊用 周使 所，問 _ 之 ,ιτ 題 式 方擦 之有 述具 所面 下主 如 於 握’ Μ 置 可裝 態騸 形導 施半 實 之 本態 ’ 形 外施 另實 本 緣 0 麵 各 由 蓋 覆 1Α 板 基 體 導’ 半 外 述另 ο 於 出 , 突 中面 膜主 緣從 面 側 之 WP 0 電 導 •4 β, Hu 0 0 電後 導 之 在體 , 導 即半 亦之 板 0 其該使 在6 *?» S ^3Γ 導 置設傍近 Β ΓΕΞ 主 之 之 成 構 膜 緣 在Μ 覆 4 0 化 氮 矽 使 ij 蠢 0 爾 邊 周 在 膜 ’ 緣徑 絕’路 穿通 貫導 在有 ’ 成 徑形 路 ’ 通外 導另 有。 成6a 形都 , 觸 外接 另之 6» 通 導 有 ο 成都 形 _ , 接 9之 ' 8 部 部爾 «導 板導等 基之該 體他達 導其到 半有後 達設之 到中臟 後之緣 之 _ 絪 膜緣穿 緣絕貫 絕在在 穿 ， ， 貫外徑 在另路 a 1X 0 觸 接 之 面 主 之 實拖形態1 ο 木紙恨尺度適用中闽阈家標唪（CNS ) Λ4規格（2丨ΟΧ 297公釐) ” ~ J D - 線‘！ 經濟部中央標牟局Μ工消費合作社印聚 A7 B7__ 五、發明説明（‘3 I ) 圃20〜圔24用來說明本發明之寶_形鐮10之半導黼裝置 之製造方法，«於用來製造具有資施形軀9之構造之半導 體裝置。在該围中，其與圈1或圃2相同之符醵分別用來表 示相同或相當之部份。 下面將說明其製造程序，酋先如麵20所示*在半導鶼基 板1之主面覆Μ第一絕緣膜（氧化願）2。其次，在該第一氣 化膜2之一部份形成從該氣化_ 2突出之導爾部（轉移閘）6 和導電部（字線）7。然後，Μ第二絕緣顏（氣化膜）3覆邂在 該導®部6和導爾部7之上面。在酸導镭部6、7和其上之第 二氧化膜3之周園側面和上面*覆蘧薄層之第五絕緣膜（氧 化膜）1 4。 在該第二氧化臟2和第五氧化膜1 4之Jb，全面的覆蘧眇 氮化膜4。該矽氮丨b膜4在形成於記憶孽元_列部A之自行 對準接觸用之同時，亦形成在周邊部B。其次* Μ抗触削 12覆蓋其全面，然後使記憶單元陣列部Α之抗触劑12殘留 ，從具有鋁接觸部之周逢電路鄒B道行除去。 其次，如圖2〗所示，在抗蝕_ 1 2已被除去之周瑾爾路部 B，利用異方性蝕刻使導電部6和7之側面之砂槻化膜4殘留 *除去其他部份之矽氮化膜4。採用此種方式時*紀檷戡 元陣列部A之導電部7和具有鋁接觸部之周嫌電路部B之導 爾部6、7分別形成如圏2 4所示《 其次，如圖2 2所示，在半導醑基板1之包含第一氣化臟2 ，矽氮化膜4和第五氣化_14之全面覆蘧第三_緣擬（作為 層間絕緣膜之矽氣化膜）5和進行平坦化。在此過程中*設 本紙悵尺度適历中國國家榣率（CNS ) Λ4規格（210X29?公兼> -----r--L^------ΪΤ------i (請先閲績背面之注意事項再填寫本頁) 37 A7 307899 __B7_ 五、發明説明（3 j ) 置位元線通路11具有關口部使其貫穿半導黼基板1之主面 之位元線接觸部lb之上之第一氣化膜2。另外，導爾部（位 元線）8和導電部（位元線）1 0被設在曆間氣化臢5之中空位 置。另外，導電部（擊元板）9同樣的肜成埋入到曆間氧化 膜5中。然後•在全面胞加抗_劑1 3，從上雛對爾饔鋁接 觸郤之部位進行開口。 其次，如圖2 3所示，從該抗蝕劑1 3之開U ，對躕間氣化 膜5迆行選擇性蝕刻，藉以設置關口部使其通到半導體基 板1之接觸部1 a，導電部6之接觸部6 a，字鐮8之接觸部8 a 和單元板9之接觸部9 a。半導體基板1之接觸鄯】a上之第一 氧化膜2和導電部6上之第三氧化_ 3和第五氣化膜1 4亦同 時被触刻《然後•除去抗蝕繭U *利用曆間氣化臢5之該 等開I：：! ·阳來肜成鋁接觸部藉Μ作為與上部之間之導通路 徑。 在此種方式之本實_形戆中•於導電部（轉移閛）6之形 成之後|使薄膜之氧化膜1 4和氮化膜4依照導電部（轉移關 )6之閘極電極之肜狀，忠實的（保形）成膜，成為«櫬爾極 形狀，在記憶單元_列部Α進行抗蝕爾1 3之麵型製作之後 ，以異方性對氮化關4進行乾式蝕刻。因為興方性乾式蝕 刻是只依垂直方向進行蝕刻，所Μ導爾部（轉移閘）6之側 壁之縱方向變厚，氮化膜4只殘留在側壁部。 在本實胞形態中，矽氮化_4之壤擇性触_所使用之罩 幕可Μ使用只殘留在記慵單元陣列部Α之粗鼸軍蓁，當與 只在接觴部之周圃形成欠缺或殲留之眾幕比較時，可以更 -3 8 - 裝 訂 線 (請先閱讀背面之注$項再填寫本頁) 經濟部t央標準局Μ工消費合作社印製 本紙悵尺度適汛中圃國家標率（CNS ) Λ4规格（210Χ 297公缓） A7 B7 經濟部中央標準局員工消费合作杜印製 五、發明説明（3 〇) 1 1 | 容 易 的 進 行 圈 型 製 作 » 而 且 在 颳 邊 爾路 挪Β >於所有之 鋁 1 1 I 接 觸 部 Μ f 在 寒 自 行 對準 所 使 用 之氮 化_ 4，所Κ可 以 1 1 解 決 氮 化 膜 上 之 蝕 刻 m 撺 之 問 黼 0 诗 先 ΛΆ 1 1 1 另 外 在 本 實 施 形 態 中 因 為 利 用紀 憶摩 元陣列挪AM 1^4 讀 背 1 I 面 1 外 之 具 有 鋁 接 醑 部 之 周 邊 電 路 部 Βίϊ g殘留有矽氮化膜之 丽 之 1 横 成 最 小 限 度 所 Κ 在 具 有 鋁 接 觸 部之 周_ 電路部B所 行 $ 項 1 I . -k 1 1 走 之 配 線 間 經 由 將 高 介 質 係 敝 之 矽氮 化讓 4滅小為最 小 填 1 本 裝 之 限 度 可 Μ 減 小 配 線 間 之 電 容 麗 ，在 電特 性方面具有提 頁 1 I 高 動 作 速 度 之 效 果 υ 1 1 另 外 本 實 施 形 態 可 Μ 把 握 如 下 所述 之方 式。亦即 在 1 1 本 實 施 形 態 之 製 m 方 法 中 所 铤 ♦ 之工 程有 :使第一絕緣 1 訂 膜 2覆Μ在半導體基板1 之 主 面 在 該撾 緣膜 2設置導爾 部6 1 I > 使 第 二 絕 緣 膜 3覆Μ &該導電部6 ，使 矽観 化膜4覆蘯 在 1 1 1 第 — 絕 緣 m 2和第— 二絕緣_ 3 使 矽 氮化 瞋4殘留在導爾 部6 1 1 之 側 面 部 份 然 後 Μ 第 絕 緣 m 5力 D Μ覆Μ 設置導通 路 1 線 徑 在 第 三 絕 緣 m 瞬 5具有開口使其貫穿第Ξ ^絕蟓_ 5之後到達 f 1 導 電 部 6之接觸部6 a 和設置導通路徑到達半導髖基板 1之 1 1 接 觸 部 1 a 0 1 I 窗 WI 施 形 態 11 1 1 圖 25昼 剖 面 構 造 _ 圈 用 來 說 m 本 發明 之實 _形態11之半 1 1 導 賵 装 置 之 構 m 0 在 _ 中 所 示 之 半 導髓 装置 (D R A Μ )中 其 1 1 構 成 包 含 有 m 憶 摩 元 陣 列 部 A 未具有鋁播觸部；和 周 1 I 邊 電 路 部 B 具有在基板 轉移Μ < 位元鑲和犟元板上 之 1 1 I 鋁 接 觸 部 〇 另 外 在 該 IBft WB 中 其 與 嬲1相同之符號分別 用 1 1 3 9 - 本紙張尺度適用中國國家樣率（CNS ) Λ4規格（210X297公釐） 307899 A7 A7 __^_B7__ 五、發明説明Γ37) 來表示相同或相當之部份。 如_所示*該半導體裝置具镧有：半導鐮基板1，第一 絕緣臢（氣化膜> 2，第二絕緣顏（氣化臢）3 I矽氣化膜4， 第三絕緣膜（曆間絕緣膜）5，第一氣化韉2上之導爾鄯（轉 移閘）6和導電部（字線）7，埋入到靥間鱺緣顏5中之中空位 置之導電部（位元線）8和導爾部（擊元板）9，埋入到曆間緬 緣膜5中之中空位置之其他導爾部（位元鑲）1 0及其接觴通 路1 1。 半導體基板i在其主面肜成有多傭元件，其中以接鯽部 la表示層間之接觸部，Μ接觸IP lb表示與導爾部10接觸之 接觸部。第·氧化膜2覆蘧在半導髓基板1之主面|在該半 導艚基板1之接觸部1 a具有開口 2a。 矽氮化膜（S ί N Μ形成覆蹵在第-·氣化膜2上之導爾部6、 7之方式。覆蓋在導電部6之矽氮化膜4在導電部6之接觸部 6 a具有開口 4 a。另外，該矽氮化膜4在形成於記憶單元陴 列部A之自行對準接觸用之同時•亦形成在周壜部B。 經濟部中央標率局員工消费合作社印製 (請先閲讀背面之注$項再填艿本頁) 層間絕緣膜5覆蓋在第一氣化膜2和矽氮化膜4，在半導 體基板】之接觸部la具有開口 5a，和在導镛挪6之接觸部6a 具有開口 5 b。另外，在埋入到該曆間《緣脚5中之中空位 置之導電部8之接觸部8a具有開口 5c，在導爾都9之接觸都 9a具有開口 5d。 導«部6在第一氣ib膜2之一部份，形成從該氣化臢2突 出之方式，用來形成作為轉移_之字線。導爾都7在第一 氧化膜2之一部份，形成從該氧化_突出之方式，用來形 本紙张尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X 297公釐） 40 ΑΊ 307899 Β7 五、發明説明Hb) 成閛極®極或字鐮。導爾部8是肜成在臞鬮_嫌_ 5中之中 空位置（離開半導黼基板1之主面具有一定之間隔）之作為 位元線之導電部•具有接觸挪8a。導電部9*形成在曆間 絪緣膜5中之中空位置（離關半導鎇基板1之主面具有一定 之間隔）之作為電容器之單元板之導爾部 > 具有接鯽部9a 。導爾部10是與導爾部8相同之作為位元線之導電部*具 有接觭通路Π。 該半導體裝置之記憶驩元陣列鄒A具有作為對半導體基 板1之導通路徑之位元線接觴通路1 1或儲存節點接觸郤（圃 中未顯示），在此處使用自行對準技術。 另外一方面，在周邊電路B具有興紀憶單元陣列挪A之位 元線接觸通路1 1囘時形成之位元線接觸通路1 1。另外，在 層間絕緣膜Γ)之開U 5 a、5 b、5 c、5 d *具有形成為曆間之 導通路徑之上部金麗配線稱為鋁接觸部，分別接達到半導 體基板1之接觸部1 a，導爾都6之接觸部6a，中空位準之導 電部8之接觸部8a和中空位置之導電部9之接觸部9a。 在本實施形態中，因為利用記憶單元陣列挪A Μ外之爲 有鋁接觸部之周邊電路部Β使殘留有矽H化膜4之面稹成為 最小限度，所Μ在具有鋁接觸»之周邊爾路部Β所行走之 配線間，經由將高介質係數之矽氮化_ 4滅小為最小之限 度，可Μ減小配線間之電容量，在電特性方面具有提高動 作速度之效果。 另外，本實_肜態可Μ把攞如下所述之方式。亦即*在 本實_肜態之製造方法中，於主面具有接_ U之半導體基 本紙张尺度適用f國國家標牟（C'NS ) Λ4現格（2彳0><2们公鑲) -----------装------II------.^ (請先閲讀背面之注f項再填寫本頁) 經濟部中央標準局貝工消费合作社印製 -41- 經濟部中央様準趵貞工消費合作社印製 B7 五、發明説明（33) 板1，覆蓋由各個絕緣_2、5構成之涵緣鼸。在該_綣膜 中，於半導體基板1之主面近傍設置導«部6使其從主面突 出。在該導甯部6之上面和側面覆釐矽鼷化臟4。另外*形 成有導通路徑，在貫穿絕緣膜和矽氮化膜4之後_到導镭 部6之接觸部6 a。另外，形成有導通路徑，在貫穿嫋緣膜5 之後到達半導體基板1之接觸部1 a。另外·在絕緣膜之中 設有其他之導爾部8、9，形成有導通路徑，在貫穿涵緣膜 之後到壤該等導電部之接觸部。 另外，在Μ上所說明之實豳形戆9和1 1中*所示之製造 裝置在記憶單元陣列部|利用S ί Ν側壁方式之自行對準接 觸，用來形成矽氮化膜，與此闾時的，在周殲霣路部形成 矽氮化膜，來自上郤靥之配嬢稱為鋁接觸_形成貢穿該δ夕 氮化膜。另外，在其中之實_形懸9，其矽龈化_之_ 口 大小形成大於導通路徑（亦即鋁接觸部）孔澜之直徑之大小 。與此相對的•在實皰形態1 1中*矽氮化顧之開口之大小 形成相同於導通路徑（亦即鋁捿觸）孔涧之直徑之大小。 實施形態12 圖26〜_28用來說明本發明之實施形戆12之半導黼裝置 之製造方法，適於用來製造具有實旛形態U之構造之半導 髓裝置。在該_中，其與圔1或圃2枏同之符_分別用來表 示相同或相當之部份。 下面將說明其製埴程序，苜先如画26所示*在半辱臞綦 板1之主面覆Μ第一絕緣膜（氧fb _) 2。其次，在該第一氣 化綱2之一部份形成從該氣化膜2突出之導爾_ (轉移W )6 木紙張尺度適用中囷國家檁淨-(CNS ) Λ4規格~( 210: 2^7¾ ) I I I I I I 裂 f 線· (請先閲讀背面之注意事項再填商本頁) A7 B7 嫂濟部中央標"-局員工消费合作社印製 五、發明説明（40) 1 1 I 和 導 電 部 (字線） 7 >然後，M覆釐該導爾部6和加K閉合之 1 1 1 方 式 t 從 氧 化 臢 2沿著導霣部6覆邂矽氣化膜。此處理之達 1 | 成 方 法 是 首 先 在 第 -氧化膜2之全面施加矽鑛化臢4，然後 讀 先 閱 1 I 迆 行 m 擇 性 之 蝕 刻 ，使矽氮化_ 4 R殘»在導镦都6、7之 讀 背 1 1 面 1 周 _ 而 其 他 部 份 之矽氮化__被除去。該矽缀化膜4在 之 注 F 1 肜 成 於 記 憶 單 元 陣 列都Α之自行對準接觸用之同時，亦形 f 項 | 再 1 I 成 在 周 邊 部 B 5 4 % 本 1 其 次 在 第 —- 氣 化顏2和矽氮化膜4之上，全面的施加第 頁 V' 1 I 二 絕 緣 膜 (作為暦間豳緣膜之矽氣化臌）5和進行平坦化。 1 1 I 在 此 過 程 中 設 继 麗 位元線通路1 1使其貫穿半導體基板1之 1 1 主 面 之 位 元 m 接 觸 郤1 b上之第一氣化臟2。另外，導霣部（ 1 訂 位 元 線 )8和 導 電 部 (位元線）10破配置在中空位置（離開半 1 1 導 髅 基 板 1之主面之矽観化膜4異有一定之間隔）。另外， 1 I 導 電 部 (單元板） 9同揉的被配置成埋入到曆間氧化膜5中。 1 1 I 然 後 施 加 抗 蝕 劑1 3，首先在未被矽氮化膜4覆逋之半 1 缚 導 體 基 板 1之接觸部la，位元線8之接觸部8a和單元板9之 1 1 接 觸 部 9a 之 位 m 行開口 ，對庸間氣化膜5通行堪擇性之 1 1 蝕 刻 用 來 m 行 Μ ftW 口使其達到接觸部la、8a、9a。 1 1 其 次 如 圖 27所 示，Μ抗蝕爾13阻塞關口 5a、5c、5d， 1 1 | 達 到 半 導 體 基 板 1 位元線8和隳元板9之接觸挪1 a、8 a、 1 1 9 a 在 被 該 矽 氮 ib 膜4覆麓之導電部6之接_部63之位置設 1 1 置 抗 蝕 劑 13之 開 P ，對躕間氣lb顧5遒行耀揮性之蝕刻， 1 1 用 來 進 行 開 P 使 其 達到導霣部6之砂氮化膜4。 1 I 其 次 » 如 _ 2 8所 示，從導爾郝6之接鰂部6 a之位簠之開 1 1 本紙張尺度適用中國國家標窣（CNS ) Λ4規格（2丨〇X2<?7公癀） 43 A7 B7 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 五、發明説明（41) 1 1 I Ρ 5b ♦ 對 矽 Μ 化 膜 4進行蝕_ 用來設置關口使其璩到接 1 1 I 觸 部 6 a ° 然 後 » 除 去 抗 蝕 _ 13 利 tjt FTS 曆 間氣 化 _ 5之該等 r-—n 1 I m P 用 來 形 成 鋁 搂 m 部 藉 Κ 作 為 與 上 部之 鬮 之 導 通 路 徑。 讀 先 閱 1 1 I 在 本 實 胞 形 態 之 Si N側壁型自行對準方式中 •使用2儷 之 4 背 1 I ift | 罩 幕 分 成 2次的進行鋁接觴挪之触刻賴Μ製壤開口 ，此 之 注 1 製 造 方 法 所 包 含 之 X 程 有 爾 -一 開 □ X 程， 用 來 形 成 在 開 1 項 1 I 真 I I P 孔 洞 内 沒 有 氮 化 膜 之 位 元 線 和 在 單 元 板上 之 接 _ _ 之 開 導 1 本 裝 P 和 第 二 開 D X 程 用 來 形 成 在 開 P 孔涧 内 具 有 轘 化 _ 頁 >/ 1 | 之 ** 轉 移 閘 上 之 接 觸 部 之 開 Ρ 0 m 工 程 只Μ 氣 化 膜 乾 式 蝕 1 1 刻 進 行 開 P 第 程 是 在 vSt ib _ 乾 式 触刻 之 後 迪 加 氮 1 1 化 膜 触 刻 〇 1 訂 依 照 道 種 方 式 時 為 蕃 使 蝕 細 而 成 之 關口 之 開 ρ 孔 洞 内 1 I 具 有 氮 化 膜 之 接 觸 部 和 来 具 有 撤 化 膜 之 接臃 挪 分 開 可 Μ 1 | 用 不 同 種 類 之 蝕 刻 方 法 所 具 有 之 效 果昼 可 邂 免 由 於 過 1 1 | 度 蝕 刻 而 m 成 上 部 配 線 之 親 厚 滅 小 和 突出 之 剌 鐮 〇 1 線 另 外 本 實 施 形 態 可 把 握 如 下 所 述 之方 式 〇 亦 即 本 1 1 實 形 態 之 製 堦 方 法 中 所 包 * 之 工 程 月 · 使 第 —> 絕 嫌 顏 1 I 2覆Μ在半導體基板1 之 主 面 在 該 第 一· 涵緣 膜 2設置導電 1 I 部 6， 使矽氮化膜4 覆 Μ 在 導 電 挪 6 使另外之鱷緣顧5 覆 釐 1 1 在 矽 篦 化 膜 4 在第- -涵嫌膜2和 % 外 之 絕錄 調 5設置關U 1 1 * 形 成 導 通 路 徑 在 貫 穿 第 — 絕 緣 膜 2和另外之總緣膜5之 後 1 1 到 達 半 導 賵 基 板 1之接觸部1 a， 在另外之鰌緣_ 5和 矽 氮 化 1 I 膜 4設置開口 形成導通路徑在貫穿釀另外之糴蟓_5和 矽 1 I 氮 化 膜 4之後到壤導®部6之 接 lye nm 部 6 a 1 1 本紙張尺度適用中國國家梂奉（CNS〉Λ4说格（2丨0乂297公釐） 44 經濟部中央標準局只工消費合作社印裝 本紙張尺度逋用中國國家梯窣（CNS > Λ4规格（210Χ297公鍰） A7 B7 五、發明説明（ 另外•在以上所說明之實施形鐮1 〇和12所示之製進方法 是在記憶單元陣列都A*利用SiN側壁方式之自行對準接觴 用來形成矽氮化膜4·與其闻時的，在周遒爾路部B形成矽 氮化膜4 · H Μ形成從上部曆貢穿該59氣化鼷4之配嬢稱為 鋁接觸部。另外，在其中之實》形態10中，因為在周邊電 路部Β使用Κ形成鋁接_部之區域之矽氮化顯4被預先的除 ，去所Μ覆Μ牖間氣化親5>然後肜成導通路徑（亦即鋁接 觸部）使其貫穿層間氧化膜5。胸此相對的，在實《形態12 中，即使在周邊霜路部Β亦使層間氧化_ 5覆董在矽氟化膜 4之上，然後形成導通路掙（亦即鋁接觸部）使其貫穿該曆 間氧化膜5和矽氮化膜4。 [附圖之簡庫說明] 圖1用來說明本發明之實胞形戆1之半導黼裝置之構造。 圖2用來說明本發.明之實施形蠛2之半導臁裝置之製進方 法0 圖3用來說明本發明之實施形態2之半導艚裝置之製造方 法0 圖4用來說明本發明之實豳形戆2之半導儺裝置之製造方 法。 _5用來說明本發明之賣豳形鏞2之半導臞镞置之嬲進方 法。 圈6用來說明本發明之實施形態3之半導體裝置之構造。 圃7用來說明本發明之實施形戆4之半導鼸裝置之製造方 法0 4 5 - (請先閱讀背而之注項存填寫本頁) .裝. -* 線 經漪部中央標準局Η工消费合作社印製 A7 B7 五、發明説明（43) _ 8用來說明本發明之實糜形態4之半導體裝置之製遒方 法0 圔9用來說明本發明之實豳形戆4之半導髗裝置之製造方 法0 圈10用來銳明本發明之實豳彤戆4之半辱臞裝置之製造 方法。 _11用來說明本發明之實豳肜癩5之半導艚裝置之構造。 圓12用來說明本發明之實胞彫蠊6之半導鱅裝置之製造 方法。 圈13用來說明本發明之實胞形鏍6之半導鼸裝置之製造 方法。 _14用來說明本發明之實_形戆6之半導黼製置之製造 方法。 圖1 5用來說明本發明之實豳肜態6之半導嫌裝置之構造。 _ 16用來說明本發明之實施彫戆6之半導體装置之製造 方法。 画17用來說明本發明之賨施彤钃7之半導鼸裝置之製造 方法。 圖18用來說明本發明之賨施彤鐮8之半導齷裝置之製造 方法。 麵用來說明本發明之實施肜鏞8之半導鼸裝置之構造。 圈20用來說明本發明之實施形態8之半導騮裝置之製造 方法。 圖21用來說明本發明之實_肜態9之半導黼裝置之製堦 本紙張尺度適用中阐國家櫺準（CNS > A4规格< 210X29?公釐） -----.-----裝------訂------0ί (诗先閲讀背面之注$項再填寫本页) —4 — 經濟部中央標準局MX消費合作社印製 本紙張尺庋適用中國圃家標率（CNS ) Μ規格（2丨0'〆297公釐） B7 五、發明説明（44 ) 方法。 画22用來說明本發明之實_彤_10之半導黼裝置之製造 方法。 _23用來說明本發明之實廳形戆〗0之半導鳙裝置之製埴 方法。 圈24用來說明本發明之實胞形軀10之半導鐮裝鷲之製進 方法。 _ 25用來說明本發明之實施彤鳙11之半導驩裝置之構造。 圖26用來說明本發明之實施形雛12之半導鼸裝置之製進 方法。 圓27用來說明本發明之實施形鐮12之半導黼裝置之製造 方法。 圖28用來說明本發明之實施形玀1 2之半導鱺裝置之製進 方法。 圖2 9表示習知之D R A Μ之構進《 圖3 0用來說明使用矽氮化_之自行對準接觸技術。 圖31表示貫穿曆間絕緣膜之辱通路徑（鋁接觴部）之狀態。 [符號之說明] 1 ...半導體基板， 1 a , 1 b ...接鼸挪， 2 ...第一鱷嫌 膜（氧化膜）， 2 a ...開U ， 3 ...第二鰌緣_(氧化膜） ， 3a...開口， 4...矽氮化祺， 4a,4b...開 U， 5 ...第三絕緣綱（曆間罐緣_或靨_氣化顏>， 5 a , 5 b , 5 c ,5d...開口， 5’...第四絕蝝膜（氧化_>， 6··.導爾 部（轉移閘）， 6a.·.接觸部， 7...導霣餺（字嬝>， -4 7 - -----Γ----餐------ΤΓ------it (請先閱讀f面之注意Ϋ項再填寫本頁) A 7 B7 五、發明说明（化） 8.. .導霣部（位元線）， 8a...接觸部， 9...導爾部（單 元板）， 93...接_部， 10...導電部（位元線）· 11.. .位元線接觴通路， 12,〗3.,.抗_麵， 14...第五 絕緣_ (氣化膜）。 -----.-----装------1T------ (請先閱讀背面之注$項存填寫本頁) 經濟部中央梂準局負工消费合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) Μ規格（210X297«f )