經濟部中央標準局員工消費合作社印製 3Ό4296 Λ7 --- Β7 五、發明説明（1 ) 〔發明領域〕 本發明有關於半導體晶片封裝，且尤其更有關於用於帶 自動接合（tape-automated bonding, TAB)之帶載體封裝 (tape carrier package, TCP)。 〔發明背景〕 近年來，趨勢已朝向執行更多樣化功能之具有較高電路 密度之較大半導體元件。另一方面，半導體元件使用者希 望減輕重量及更小型化。 例如’筆記型個人電腦中使用之液晶顯示器（LCD)必須 於固定A4個人電腦外殼尺寸中具有盡可能大之顯示器。因 此’帶載體封裝（TCP)目前於LCD驅動器中使用且時常安置 在LCD周邊上，此使得更細小之TCP係必要者。 圖20係典型TCP結構之剖面，此TCP結構用以連接LCD驅 動器3至LCD板基底1〇與印刷接線基底16。引線框架8形 成在聚醯亞胺底座薄膜7上。凸出電極15 (凸出接合墊） 形成在半導體積體電路（1C)晶片3 ( LCD驅動器）上且以面 向上（upward-facing)帶自動接合（TAB)方法連接至引線框 架8之内部引線8a輿8a，群。第一群TCP之外部引線8b經由 各向異性導電薄膜70連接至板基底1〇上之導電薄膜電極60 ’且第二群外部引線8b連接（焊接）至印刷接線基底16上之 導電電極80。 例如圈21中所示者，就160x3通道LCD顯示器9而言， 在基底10周邊各側面上連接三個1C驅動器晶片3,其經由 外部引線8b分别連接至LCD顯示器9之矩陣電極11與12。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4現格（210Χ297公釐） (請先閲讀背而之注意事項再填寫本頁) 裝· A7 s------67 ___ 五、發明説明（2 ) " ' 然後’自頂部黏合並密封模製樹脂13例如環氧樹脂等 將1C晶片3封裝。所形成之封裝μ頰示於圖22中，其=焊 料阻（resist) 20塗佈在引線框架8上。 ' 各1C晶片3藉由接近其侧面所安置之相對應之向上突起 之凸出電極15而連接至相對應之内部引線8a與8a，。當然 ’内部引線8a’輿外部引線8b，將來自印刷接線基底16 (未 類示於圖21中）之輸入信號傳導至ic晶片3，且内部引線 8a輿外部引線8b將來自1C晶片3之驅動輸出信號傳送至LCD 類示器9。 如圖22中所示者，用於連接ic晶片之傳統底座框架7設 置開口或元件孔21大於相對應之1C晶片3。儘管已建議各 種方法以縮小含有外部引線之TCP單元，例如增加底座薄 膜7上接線節距（引線節距）之密度、減少晶片3與元件 孔21間之尺寸差、以及減少晶片3之尺寸，但此等方法所 能達成者有一極限。 圖23顯示另一建議之用以縮小TCP結構24之方法，其中 開口 21係製成爲小於晶片3且晶片3之周邊部分與底座薄 膜7之内部邊緣重疊。於此例中，凸出電極15向晶片3中 央移動開口 21所減少之量。 於圈23之TCP結構中，必須在晶片3與底座薄膜7之間形 成固定間隙22並使得熔融樹脂13於接合期間可通過間隙22 自晶片頂部流至側面以展佈密封樹脂13，同時保持晶片3 與底座薄膜7間之適當距離。 於此二TCP 14與24不同型式中接合内部引線之方法將參 本紙張尺度適用中國國家標率（CNS ) Λ4規格（210X29?公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --------^---：--批衣------訂----- 一 經濟部中央標準局員工消費合作社印製
、發明説明（ S〇^296 照相對應之圖24與25予以解説。 就圖22之"大孔"形狀而言，圈24顯示關於iC晶片3與底 ----^---^---^— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 座薄膜7之底座薄膜導件33、底座薄膜夾32、接合台31、 以及接合工具30之安置。就闽23之"小孔"形狀而言，圖25 類示闞於1C晶片3與底座薄膜7之類似安置，除了接合工 具30較窄外。 口 於圖24與25中，當薄膜7由薄膜夾32與薄膜導件33保持 在支承势（Α)時，接合工具30施加負荷至内部引線部分在 力點（Β)處，且元件孔21之周邊邊緣在功能點（(：）處。點（Α) 與（Β)間之距離於圖25結構中可能大於圈24中者。 於此刻’點（Α)與（C)間之距離亦變大，故依此原理，點 (C)之位移變大。響應於接合工具3〇施加在内部引線以與 8a’上之負荷，圖25結構中底座薄膜7接近元件孔21之變 形大於圖24中者。 如圖26中所示者，當接合工具30施加壓力在力點（B)處 至内部引線8a、8a’時，可撓底座薄膜7繞支承點（A)向下 旋轉’以間隙22之量降低，接觸晶片3之頂部表面。因圖 25中之位移大於圖24中者，故底座薄膜7之變形於圖25中 亦較大。 經濟部中央橾準局員工消費合作社印製 如圖27中所示者，接合工具30使得各引線8a、8a，向下 旋轉、變形，直至接觸向上突起之凸出電極15，該電極與 引線藉由熱及壓力而接合。於凸出電極與其對應之内部引 線間可能出現非所欲之位移，因爲在底座薄膜7繞支承點 U)變形後，元件孔21中相對應之内部引線8a、8a’出現變 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X 297公釐） 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（4 ) 形。 因爲圈27中僅在底座薄膜7接合至晶片3頂部表面後， 内部引線8a、8a，才接合至電極15，所以晶片3之頂部表 面與底座薄膜7之下部表面間之間隙很小。若於接合後嘗 試藉由自頂部加入熔融樹脂’如圖23中所示者施以樹脂密 封，則熔融樹脂不能易於向下流至晶片側面且可能無法黏 著至晶片側面表面。因爲樹脂可能無法均勻展佈至晶片端 部及側面表面，故樹脂密封將不完整。因此，除了不能保 持機械強度外，元件之可靠度將降低。 圖28顯示用於内部引線接合方法之TCP弓丨線框架8之特 定樣式。因爲有許多内部引線’故於内部引線接合期間， 施加大應力，使得内部引線兩端大量變形，且傾向於被拉 向側面中央。 如圖29放大平面圈VI所示者，内部引線8a 1在兩端處被 向内拉向侧面中央處之内部引線8a 2。此大變形造成對 角線位移，其改變引線節距（相鄰引線間之間隔）。因此 ，内部引線8a 1自其對應之凸出電極15處移位。又，如圖 29侧面圖V2所示者，引線框架8自身翹曲，故内部引線 8a 1在兩端處上升，且甚至可能與凸出電極15分離。 内部5丨線自其對應之凸出電極處之位置移位之一原因係 底座薄膜7及内部引線自支承點（A)之長度於内部引線接 合期間由於垂直間隙22而增加。 因此’本發明之一目的係提供一消除引線接合位置移位 之TCP，提供更可靠之接合，保持底座材料7與相對晶片 本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS ) Λ4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝. 、-° 五、發明説明（ A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 表面間之固定間陳’且均勻塗佈密封樹脂於1(：晶片表面及 側面。 〔發明概要〕 本發明有關於半導體元件’其中底座材料上之引線與半 導體晶片接合’且有關於支座用以於底座材料半導體晶片 接合期間接納並支承底座材料。 於底座材料與半導體晶片間設置之支座係形成用以於接 合期間接納並支承底座材料，故當支座具有底座材料與半 導體晶片間之間除之厚度（高度）時，該支座實施内部引線 接合方法中底座材料之支承點功能。因此，支承點與力點 間（距離可大量減少。當支座厚度（高度）小時，僅直到底 座材料接觸支座時才產生繞底座材料支承點之位移，故具 有支座之位移量小於無支座者。 是故’隨著類著減少底座材料中產生之變形可 位移對於内部引線接合之影響，使得於接合期 間大量減v位置移位係可能者。座二支承點之長度由於支座而被減少，且底 -材ii:設置爲-突起在半導體晶片上或爲 ’本發明係形成爲於設以丨線之底座薄膜中具有 詳言之 210χ29·;.ϋΤ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) n^i n ·=裝_ 、*τ 五、發明説明（6 )
Hu I I— I I I 裝―-I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -孔其小於半導體^，半導體晶於其與底座 相間具有—指定間陳以覆董該孔，引線之内部部分自底 座薄膜頂部延伸通過孔並接合至半導體晶片，以及-用以 接納底座薄膜上位移部分（其係於接合期間被移位）之突 起係設置於間隙中作爲支座。 於此例中，内部5丨線可接合至半導體晶片之凸出電極且 用以接納底座薄膜位移部分之間隔物突起可設窠在半導體 晶片上作爲假凸出電極。 間隔物突起或假凸出電極可設置在半導體晶片之鈍化薄 膜上。 除了支承底座材料外，支座之功能可作爲一間隔物其保 持半導體晶片與底座材料間之間隙。
本發明亦針對1C本身且不僅封裝，例如TCP。於封装之 例中，係針對使用樹脂密封引線框架及1C晶片，以及於IC 晶片本身之例中，係針對具有支座（例如假凸出電極）之 IC晶片。 〔圖式簡述〕 圖1係依據本發明半導體元件之第一實施例（使用面朝 上方法之TCP)之剖面。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 圖2係用於圖1半導體元件之内部引線接合處理中一梦 骤之剖面。 圖3係圈2之部分放大圖。 圖4係圖3内部引線接合處理中再一步驟之剖面。 圖5係圖1引線接合元件後施加樹脂密封處理之剖面。 本紙張尺度適用中國國家榡隼〈CNS ) Λ4规格（2丨〇><297公釐） 3〇429e at Β7 五、發明説明（7 ) 圖6係圖5樹脂處理密封後之半導體元件放大刦面。 圖7係圖1半導體元件之1C晶片上實際與假凸出電極（ 間隔物突起）之第一規劃之立體圖。 圖8係圖1半導體元件之1C晶片上實際與假凸出電極之 第二規劃之頂視圖。 圖9係圖1半導體元件之1C晶片上實際與假凸出電極之 第三規劃之立體圖。 圖10係製造實際與假凸出電極方法之連續步驟（1-6)之 剖面。 圖11係依據本發明半導體元件之第二實施例（使用面朝 下方法之TCP)之剖面。 圖12係用於圖11半導體元件之内部引線接合處理中一步 驟之部分剖面。 圖13係圖12内部引線接合處理中再一步驟之剖面。 圖14係製造TCP半導體元件第三實施例中一步驟之剖面 ，其中有向下突起在底座薄膜上接近該薄膜中之元件孔。 圖15係依據本發明半導體元件之第四實施例（使用面向 上方法之TCP)之立體圖，其中内部引線不具有自由端。 圖16係圖15半導體元件之部分放大剖面。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 m kl^^i ^^^^1 —«^^1 ms nn Bui ^^—^1 ^^^^1 一J - , 务 i (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖17係圖15半導體元件之内部引線接合處理中一步驟之 剖面。 圖18係圖17内部引線接合處理中再一步驟之剖面。 圖19係依據本發明半導體元件之第五實施例（使用面向 下方法之TCP)之剖面，其中内部引線不具有自由端。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X297公釐） 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 A7 _ 1 丨丨丨··—丨丨 - B7 五、發明説明（8 ) 圖20係傳統TCP結構之剖面圖，用以藉由傳統面向上TAB 方法連接LCD驅動器晶片介於LCD板與印刷接線基底之間。 圖21係LCD板之示意頂部平面圈，其周邊附著數個圖2〇 之LCD驅動器晶片封裝。 圖22係圖20傳統封裝之半導體元件之放大刦面。 圖23係具有不同結構之另一封裝之半導體元件之剖面。 圖24係圖22半導體元件之内部引線接合處理中一步踩之 剖面。 圈25係圖23半導體元件之内部引線接合處理中一步驟之 剖面。 圖26係圖25接合處理之放大部分圈。 圖27係圖26引線接合處理中再一步嫌之剖面。 圖28係用於TAB安裝半導體元件IC晶片之引線框架之頂 視平面圖。 圖29係圖28内部引線接合至半導體晶片上凸出電極後之 引線框架之放大部分頂視平面圖（Π)及放大側面圖（V2)。 於圖中，3係1C晶片、7係底座薄膜、8係引線框架、 8a、8a ’係内部引線、8b、8b ’係外部引線、9係LCD顯示 器、10係LCD板基底、13係密封樹脂、14、24、34係半導 體晶片封裝、15係凸出電極、16係印刷接線基底、20、50 係焊料阻、21係元件孔、22係間隙、30係接合工具、31係 接合台、32係接合夾、33係接合導件、35係假凸出電極、 55係突起、60係導電薄膜電極、70係各向異性導電薄膜、 80係導電電極、（A)係支承點、（B)係力點、以及（C)係功 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ----1---1---- 裝------訂 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 B7 五、發明説明（9 ) 能點。 〔詳細説明〕 圖卜10顯示應用本發明至TCP之實施例。於圖i之？(：{) 34中，引線框架8附著至底座薄膜7其具有元件孔21小於 相對應之1C晶片3。如圖23與25_27之傳統結構中，有—固 定間隙22介於底座薄膜7輿1C晶片3之間，引線框架之内 部引線8a、8a’接合至晶片上凸出電極，以及相同元件號 碼係用於類似於傳統結構者之元件。然而，此新顆TCP結 構另於1C晶片3之面向上表面設置許多間隔物突起或假電 極35，其形狀類似於實際之凸出電極15，向上突起於間陈 22中〇 假凸出電極35之垂直高度大約相等於間味22且沿著1C晶 片3兩側面以指定節距（相鄰元件間之間隔）成列設置。 各列假電極35於側向上繞功能點（C)定位，此功能點（ς)即 底座薄膜7圍繞元件孔21之邊緣。 如圖7中所示者’假凸出電極35係設置在實際凸出電極 15兩列80之二側面上之各區域81中。於闺7實例中，假凸 出電極35係安置爲輿實際凸出電極15具有相同節距，但其 他節距可予使用。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 — — — —— — — ^ 裝 |打 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 較佳地，就將於後文討論之功能與效果之觀點而言，假 凸出電極35設置相等節距或相同分佈。且，假凸出電極35 之節距通常係實際凸出電極15節距之卜100倍，較佳係2一 80倍，且最佳係2-10倍。當假凸出電極35之節距太小時， 接合形成變得困難，且若節距大大，則假電極防止底座薄 -11 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X297公釐） 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（10 ) 膜7變形之效果不佳。圖8顯示假/實際電極節距比爲2 :1之特定實例。於另一實例中，圖9各假凸出電極35之 寬度相當於連結二相鄰實際電極15者。 於圖1所示TCP 34中，各元件尺寸實例係：半導體晶片 :1.300毫米寬、17.200毫米長；元件孔：0.800毫米寬， 孔輿晶片之重疊：0.250毫米；實際凸出電極之數目：240 ，節距：0.069毫米（圖8中）；實際凸出電極列間之距離 :0.300毫米；假凸出電極之數目：120，節距：0.138毫 米（圖7與8中），假凸出電極列間之距離： 0.900毫米 ;實際與假凸出電極之平面面積：在晶片中心線一側面上 係0.063X 0.063毫米，在另一側面上係0.053X 0.053毫米 ;間隙22之厚度及實際與假凸出電極之高度：18微米；底 座薄膜之厚度：75微米或125微米；引線框架8 (内部引線 8a與8a’）之厚度：18微米、25微米或35微米。 現在説明此使用具有假凸出電極35之1C晶片3之新穎TCP 34如何操作用於内部引線接合及樹脂密封處理。如圖2中 所示者，内部引線接合開始於安置接合工具30、接合台31 、底座薄膜夾32及底座薄膜導件33相關於1C晶片3與可撓 底座薄膜7,故有一間隙22介於晶片3之上表面與底座薄 膜7之下表面之間。如圖3中所示者，1C晶片3之上表面 設置假凸出電極35其具有相同於間隙22之垂直高度，使得 儘管接合工具30施加壓力至内部引線8a、8a’在力點（B)處 ，但間隙22被保持，因爲假凸出電極35防止底座薄膜7繞 支承點（A)彈性變形。因此，底座薄膜7之位移量最小且 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X 297公釐） ! ^ . 裝 訂 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 B7 3〇4296 五、發明説明（11 ) 變形不會伴隨位移。 然後，接合工具30被推向下，如圖4中所示者，藉由旋 轉内部引線8a、8a’將其變形直至其接觸晶片3之凸出電 極15，並藉由加熱而與凸出電極15接合。因爲底座薄膜7 被假凸出電極35支持，故未變形且僅内部引線8a、8a’在 元件孔21中變形。 於使用面向上方法將内部引線8a與8a’接合至凸出電極 15後，1C晶片3被安置在支承台40上，如圖5所示者，且 密封樹脂液體13’被滴在引線及晶片上。因爲間隙22被間 隔之假凸出電極35所保持，故樹脂液體13’順利地自1C晶 片3頂部流過間隙至側面，如圖5中由箭頭所指示者。當 樹脂凝固後，TCP 34自1C晶片3上表面密封至晶片3之端 部或側面表面，如圖6中所示者。 於底座薄膜7與1C晶片3之間設置之假凸出電極35於内 部引線接合期間接納並支持底座薄膜7。因爲假凸出電極 35具有與間隙22相同之垂直尺寸，故於内部引線接合處理 期間，假凸出電極35成爲底座薄膜7之支承點，大量減少 底座薄膜7支承點與接合工具30力點間之距離。如圖4中 所示者，因爲假凸出電極35之垂直尺寸相同於間隙22者， 故園繞底座薄膜7支承點（A)之任何位移極少。 藉由顯著減少底座薄膜7之變形，可消除此變形於内部 引線接合期間所造成非所欲之内部引線8a、8a’之位移， 且可大量減少接合中之位置移位。 又，藉由依據凸出電極35之支持，可消除自底座薄膜7 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X297公釐） ^^^1 ^^^^1 flm ; ml n^i nn· nn —Bn BKV 一* - i (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 B7 五、發明説明（12 ) 支承點之長度，且於接合期間可穩定支持底座薄膜7，故 可減少接合期間施加至内部引線之應力對於晶片長度方向 中兩端之影響’可大量減少内部引線中之變形與位移及引 線節距中之改變與增加，並可更可靠地實施接合。 除了防止底座薄膜7變形外，於晶片3上作爲間隔物之 假凸出電極35可藉由保持晶片3與底座薄膜7間之穩定間 隙22而改善樹脂密封。樹脂液體13,順利流過間隙，均句 塗布晶片表面’從而穩定TCP封裝之可靠度與品質。由於 穩定之間隙’可依據樹脂液體成分預定流過間隙之樹脂液 體13’之量’此有利於控制樹脂密封處理。 假凸出電極不須設置在晶片3之電路形成表面；其可於 正常凸出電極形成在晶片3鈍化薄膜上同時予以製造且 於此刻，接線引線或主動及被動元件可安置在凸出電極35 之下層。因此，假凸出電極35之設置無須增加特别處理或 改變晶片3之尺寸或面積，故僅稍微增加材料成本。 假凸出電極35於鈍化薄膜上之設置可任意安置，只要其 在鈍化薄膜上，且其形狀可任意設計。故，除了其角色作 爲間隔物或阻止物以防止底座薄膜7變形外，其可用以於 連結晶片3與底座薄膜7之接合程序中標示位置。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 其次，將參照圖10編號之步驟解説用以於鈍化薄膜上製 造凸出包$假凸出電極35之方法。於步骤1中，將連接至 内部電路Μ塾42形成在半導禮晶㈣基底41之主要表面 上，且接著沉積鈍化薄膜43 (實際上係多層薄膜），以將 墊42之頂部表面曝露。 本紙張尺度適财_ CNS ) 經濟部中央榡準局負工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（13) 於步驟2，作爲障壁金屬之金（Au)層45及鎢化鈦層 44係疊層在鈍化薄膜43輿墊42上，然後於步驟3中，將整 個表面塗佈光阻46。 於步驟4中，藉由曝光及顯影，形成光阻46之預定樣式 。使用剩餘之光阻46作爲遮軍，將金電鍍施加至障壁金屬 層（Tiff層44/Au層45)以形成Au凸出電極15用於接合，並 形成Au假凸出電極35用於無光阻46區域中之間隔。 步驟4顯示Au凸出電極15形成在一列中，其任一侧面上 形成一列Au假凸出電極35。此不同於圖7與8在於此實際 凸出電極15在單一列中。爲提供兩列凸出電極15，塑改 爲預先形成兩列。 於步驟5中，除去光阻46，且接著於步驟6中，將無Au 層15與35區域中曝露之Au層45與TiW層44以蝕刻除去。因 爲Au層45非常薄，所以蝕刻對於^層15與35小有影響。 依此方式，吾人可同時以預定樣式形成Au實際凸出電極 15於導電墊42上且形成Au假凸出電極35於鈍化薄膜43上。 TiW層44具有障壁功能其於凸出電極形成期間執行退火時 防止Au原子擴散進入基底。Au層45增加Au層15與35相關於 TiW層44之黏著。 圖1卜13顯示另一實施例，其中本發明係應用於具有使 用面向下方法製造之半導體晶片之TCP。就此TCP而言，1C 晶片3係安裝在底座薄膜之上而#之下。如圖12中所示者 ，將固定厚度之焊料阻50塗佈至底座薄膜7之引線形成表 面上。藉由設置假凸出電極35於晶片3底部表面上，防止 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X297公釐） n 1 n I— n I i ^ I-I n I I n HI T • 、T (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 B7 經濟部中央標率局貝工消費合作衽印製 五、發明説明（l4 ) 底座薄膜7變形等等（否則其可能於内部引線接合期間發 生）而同時保持焊料阻50與晶片3間之間隙係可能者。 於圖12所示之内部引線接合處理期間接合之實施係藉 由自下部施加接合工具3〇，向上移動接合工具30 ,如圖13 所π，將内部引線83與83’彈性變形，以使其接觸凸出電 極15。若假凸出電極35不存在，底座薄膜7可能繞支承點 (Α)旋轉，直至焊料阻5〇之功能點（c)接觸晶片3，將底座 薄膜7變形。設置假凸出電極35接近功能點（c)可防止底 座薄膜7繞支承點（A)旋轉。於此，接合工具3〇係顯示爲 自下部作用，以使吾人易於瞭解依據晶片定向之差異，但 於實際製造中’將圖12反轉，且接合工具自頂部向下作用 〇 依此方式，可大量減少或消除底座薄膜7之位移，且可 順利地以面向下方法執行晶片之安裝（接合），不致產生伴 隨位移之變形。 又’於接合後，假凸出電極35保持間隙22，所以實施樹 脂密封係可能者，因爲樹脂液體順利地流過間隙22。假凸 出電極35係以相同於上述實施例方式予以設置，故可得到 相同於上述之效果。 類示再一實施例，其中對應於假凸出電極35之間隔 物突起55設置在底座薄膜上 而非晶片3上。間隔物突起55 具有相同於圖7顯示之假凸出電極之樣式、尺寸、及厚度 膜與底座薄膜7 —體設置，位於鄰接元件孔21之底座薄 、逄緣處。此等突起55可附著至底座薄膜7，但可藉由 -16 - (CNS ) Λ4規格（210χ 297公釐〉 ^^1· I - ΙΪ- - 1^1 I inl« ^^1 ^^1 ^^1 ^^1 ^^1 ^^^1 , 0¾ i (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 --- ' ------- 五、發明説明（15 ) 處理底座薄膜7而設置或一體形成。 於圖14晶片3與底座薄膜7如圈3定位後，以圈4所示 相同方法實施内部引線接合。當底座薄膜7試圖線支承點 (A)旋轉時，突起55觸晶片3之頂部表面，防止底座薄膜 7旋轉。因此，可得到前述之相同功能及效果。又，ic晶 片3可爲傳統晶片，所以於晶片製造中無須额外處理。 圖15-19顯示又一實施例，其中本發明應用於TCP。雖然 先前實施例藉由弩曲内部引線如與心’之自由端進入元件 孔21中以實施接合，但此實施例中設置於底座薄膜7上之 各内部引線自孔21之一側橫跨至另一側。如圖15與16中所 示者，橫跨元件孔21之底座薄膜7上之各内部$丨線8a、8a 被寶曲至孔中，而於其中央處接合至晶片3上對應之凸出 電極15。 如圖17中所示者，内部引線接合開始於安置接合工具3〇 、接合台31、底座薄膜夾32及底座薄膜導件33相關於晶 片3及可撓底座薄膜7載有引線框架8其内部引線8a、Ζ 各橫跨底座薄膜7中之孔。間隙22設置於晶片3上表面與 底座薄膜7下表面之間。 接合工具30向下壓各内部引線8a、8a’之中央，如圖18 所示，直至各内部引線接觸對應之凸出電極15 (如虚線所 指示者）’且以面向上方法實施接合。因Ic晶片3上兩列 面向上假凸出電極35具有與間隙22相同之垂直尺寸，所以 可得到先前實施例之利益，例如於内引線接合期間接納底 座薄膜7、減少底座薄膜7之位移等等。 本紙張尺度適用中國國家樣準（CNS) Λ4規格（21〇χ297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 裝· 、1Τ 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 A7 __；_________B7五、發明説明（16 ) — '~' ' 因爲内部引線橫跨元件孔21且不具有自由端，故不易由 於應力、振動等等發生變形或位置移位。更且，橫跨之 内部引線亦增強接近元件孔21之底座薄膜7，增加底座薄 膜之物理強度及對於外力例如碰撞、接觸等等之抵抗力 ，有助於底座薄膜於接近元件孔21處保持平坦。 甚至當内部引線製成狹窄，例如，30微米或更小時，各 内部引線8a、8a’可穩定保持在預定位置，不會突出或與 内部引線列分離，且内部引線列平坦性可穩定保持。因此 ,於内部引線接合處理中不會產生接觸缺陷，所有内部引 線8a’及8a’可安置爲與對應凸出電極15良好接觸，以及可 充分適應數種接腳。 如圖19中所示者，於接合處理後，樹脂13塗佈在底座薄 膜7之内部邊緣以及1C晶片3之頂部及側面表面。由於此 樹脂充分流過由假凸出電極35保持之間隙22，故形成良好 密封。 圖19實施例與圖15-18者差異僅在於使用面向下方法實 施接合且焊料阻50形成在内部引線上（參考圖11-13)。 囡此’可得到圖15-18及圈1卜13實例中述及之功能及效果 〇 封裝技術領域中人士可易於明瞭，在不偏離本發明技術 思想下，能以各種方式修飾上述實施例。突出或假凸出電 極之形成方法、材料、形成位置、尺寸、及樣式可以各種 方式改變。例如，於圖卜10中，假凸出電極35可安置在1C 晶片3上自元件孔21移除之一位置處且甚至在圖14實例中 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) _ I - ..... - - I - : II · 裝· -訂_ 本紙張尺度適用中國國家榡準（CNS ) A4規格（210X297公釐） A7 ------ 67___ 五、發明説明（17 ) 〜 -- ，突起55可安置在底座薄膜上自元件孔21移除之一位置處。 又，甚至可改變關於1C晶片3凸出電極15之樣式、尺寸 、形成位置、材料、形成方法等等。且，接合方法之改 變可含有引線框架之形狀及材料。 於上述實施例中，主要顯示用於LCD驅動器之封裝，但 本發明可應用於封裝各種其他半導體元件。 本發明具有一結構，其中於底座材料上設置之内部引線 接合至半導體晶片，且用於接合期^接納並支持底座材料之 支座設置在底座材料與半導體晶片之間。此支座於接合期 間接納並支持底座材料，且支座執行内部引線接合處理中 底座材料支承點之功能；因此，可大量減少支承點與力點 間之距離，並可大量減少繞底座材料支承點之位移。 除了類著減少底座材料中產生之變形外，本發明減少底 座材料位移對於内部引線之影響，因此可大量減少接合期 間内部引線與凸出電極間之位置移位。 經濟部中央榡準局員工消費合作衽印製 n· In an —Bn fn ^^^1 In m HI —J (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 由於假凸出電極之支持，相距底座材料支承點之長度變 短，且於接合期間可穩定支持底座材料，所以可減少接合 期間施加至引線應力對於晶片長度方向中兩端部之影響， 可大量減少引線變形及位移、引線中之改變及上升等等 ，以及可達成良好可靠度之接合。 假凸出電極作爲間隔物用以於晶片與底座材料之相對表 面間保持固定間隙，JL密封樹脂可通過間陳均句塗佈在晶 片表面及端部或側面表面上’所以可'達成樹脂密封封裝可 靠度與品質之穩定性及改善。 本紙張尺度適用中國國家標率（CNS ) Λ4規格（210X297公釐）