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Description
經濟部中央漂準局員工消費合作社印製 299424 A7 B7 五、發明説明(/ ) 坊術镅《 本發明有鼷一種靜«保護之晶片裝置,其具一間隙供 «性放«且根據該技術供製作«路板,Μ及一種供製作 其之方法。 琎明背# 一種靜«保護裝置係使用於防止霣子設備遭受靜«損 壞,較特別地,使用於本規格之名辭”靜霣保謂装置”意 謂一種裝置,其係並聯連接於所要保嫌之1C(積體霣路) 或LSI(大型稹體霣路),且在正常情況下(即,無靜霣鼷 衡時)保持為一.種電性絕緣體Μ使不影響該«路,但是 當靜電脈衡施加於其時則變成電性導通(於第4圔中之S1 為開放(on),以防止諸如1C’s與LSI’s之電子裝置遭受 靜電損壊。 使用於防止1C’s與LSI’s(IC與LSI之電子裝置)遭受靜 電損壊之裝置,包含:變岨體,然纳二極Η以及放霣間 隙裝置,而該等不同之保護裝置被堪取供不同之應用。 變阻體與然纳二極體係周知畲引起高準位之霣流洩篇, 躭然納二極體而言,如同它們具有一極性,必須Μ相反 方向相互並明來埋接該等之兩個供應用,其中霣流可流 動於兩方向中,因此,成本相當地高。 在另一方面,放霣型裝置真正地不畲Α扭漏霣流且構 造簡單,所Μ較不易失敗。該放霣電壓可《由改變放電 間隙來調整,而就密封之结構而言,可藉由改變經密封 氣《之壓力與經密封之氣《種類來調整。 -3 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公嫠) !r-----〖—裝------訂-----ί ·線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(> ) 若干商業上現有之•装置,例如由三菱金钃所販售之一 種商檷名稱為”通過電湧之保護器",使用一種由専霣膜 所覆蓋之圖柱狀ft瓷阻H,而放霣間隙則以雷射切割形 成於該臢中,且整涸總成被密封於一玻璃容器中。 根據該等揭示於日本專利公開(Kokai)公告中之案》 第 2-223182, 3-89588, 3-261086, 4-22086M 及 5-6785 1號,放電間陳係直接地形成於印刷«路板之上。 商業上現有之密封於容器中之放電間隙型装置具有令 人激賞之特性,但由於它們複雜之结構,故在大小上相 當地大,而且,很難降低放霣間隙型裝置之大小到一缠 用於小裝置供表面安裝或適用於晶片裝置之大小,亦即 ,到1至2 mu («米)寬度,2至4 mB長度,Μ及1至2 »大小。而且,可預期大量不同物質之需求Μ用於其製 作係遺反降低成本之努力。 該等掲示於日本専利公開(Koka ί )公告中之累號第2-2 23 182, 3-89588 , 3 -26 1086· 4-22086Μ 及 5 -6785 1 號係 基於直接形成一放電間隙於印刷霣路板上之《念。根據 正常之製作方法,該間隙之可行大小係較大於150 χ/·( 微米),且大致上其尺寸寬裕度係於± 2 0至3 0之範園 。事實上,在日本專利公開公告第2-223182«中放«間 隙之尺寸偁獲得為較少奄米,在日本裏刹公開公告第2-89588號中為4奄米,在日本専利公開公告第3-261086 號中為0.5奄米.Μ及在日本専利公開公告第5-678518 號中為0.15«米。以該放《間隙於此一範圃之大小,放 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) ----r--.---( I 裝------訂----.--f 線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(4 ) «霣壓極高Μ致該等*裝置之功效受限制,且該等装置並 不適用於較易受靜《損壊之1C’s與LSI’s之保護。可想 像地,該等揭示於日本専利公告之裝置係意圈用於含有 比IC's更高霣懕準位之霣子設備,確實與本發明之目的 相反。因而,可结論的係並無習用技術賴使用製作印刷 «路板之技術成功地達成本發明之任務。 放霣間隙大小輿實際放霣霣懕準位間之闥係將研討於 下文中。 第3圈顯示一對平行電極間放霣霣壓(火花霣壓)與間 隙間之鼷係。(該圔形係根據取自1988年6月20日由欧姆 (0 h )出版,日本靜霣協會編輯之"靜電手冊)第2 2 1頁中 之方程式)甚至躭所有該等研討於習用日本専利公告中 0.15β·放電間隙或最小放電間隙而言,第3圔指出在該 平行轚極間之放電電壓將大約為1.5kv(仟伏)。餘及突 出型電極,放電電壓較少於該準位10至20X,但仍不足 Μ保護1C’s與LSI’s,而久缺精確之間隙大小也使先前 所揭示者並不邈用於本發明之目的。 先前所揭示者亦無法提出保護放電間隙免受周遭影響 之問題,若無適當之保護於周遭之影響上,由於存在於 周遭中之水分與氣«對導電性元件表面之污染,放«« 壓可能改變,若塗布該放電間隙以阻體或類似物Μ用於 保護,則阻體將充填於間隙中,而將造成放霣霣壓之實 霣改變,即使當該間隙充填阻«時,該間隙減至十分小 準位Κ用於達成一種令人滿意之保護動作(然而,此係 -5 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(21〇X297公釐) ----i--;---(-. — 裝------訂----„--{-線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(4 ) 一種不切實際之假設·,因為所需之間隙係少於1至2«隱 (撤米)M用於表現所期望之保嫌功效),仍會存在問® 即該充填間隙之阻《可能受到霣氣放霣影響,而發生霣 阻或間隙電感之減低。 琏明《沭 鑑於習用技術之該等問题,本發明之主要目的係提供 一種靜霣保護裝置,其係高度有效地保護諸如IC’s與LS I’s(IC與LSI之霣子裝置)相當地易受損壊之裝置免受靜 «損壞》 本發明之第二目的係提供一種靜霣保嫌裝置,其係缠 用於大量生產,且生產成本低。 本發明之第三目的係提供一種靜霄保護裝置,允許其 放電間隙被高度精準地控制。 本發明之第四目的係提供一種靜《保護裝置,其在使 用上係持久的。 本發明之第五目的依提供一種靜霣保嫌裝置,其真地 地不含漏電流。 本發明之第六目的係提供一種靜電保護裝置,其係缠 用於精緻設計,且特別通合被製作為一種表面安装装置 或一種晶片裝置。 本發明之第七目的係提供一種方法,«用於製作一* 根據本發明之靜電保護裝置。 本發明之該等與其他目的可《由提供一種晶片型靜« 保護装置來達成.該晶片型靜霣保護裝置包含:一内部 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) ^^^1 mV —Bui a^—· r rnl^n nn n i^n 1 * flm ^m· HH9 *^1l— ί^Λ I I 0¾. i J ^ 各 0 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 五、發明説明(, A7 B7 絕緣靨配置有一 ϋ穿·孔用Μ界定一空氣間隙;一對《路 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 該緣於18互 涵中成放遭 一等所 該老言 氟及脂電 在絕孔兩相 一器製且周由該曆 画之而 六 K 樹放 段部隙之一 於容來,於各及板 包置質P®/ ,之定 Η 外間«之 合璃本側絕係 Μ 平 作装物目烯物飾界 路對氣緣段 结玻成内姐,一之 脂該脂).乙聚修故 霣一空絕片 段於低之地子之成 樹成樹up氟共經 , 等;該部路 片封M成度端段形 胺造物Γ0四烯之热 該間合内霣 路包能雄高之片所 亞所化 U ,丙備隔 ,此封該等 霣知置狀為接路端 醢電氟團物基製地 側彼便著該 之習裝曆作連電末 聚放魷基聚氧所度 一於以沿之 置較該叠可互等之 或性。之共烴脂高 少隙側子連 裝地使一置相該俩 脂霣性成烯氟樹係 至間兩端 Μ 護質明於裝於,應 樹由定組乙全櫬霣 磨氣之對相 保實發合該用層對 物少铺所氟 / 有物 緣空層一 一 霣係本封故等緣相 化減之列四烯同脂 絕一緣及與 靜激,係,該絕之 氟可置下 / 乙不樹 部定絕 Μ 於 對特此隙開,部成 用,裝由烯氟備等 内界部.,用 一其因間隔地内總 使質該種乙四具該 孩中内況各 有,,氣界致該之 》 物菩一 ·,種為 於孔該情成 具中單空外大含層 ,之改自胞物一因 著隙於之形 明板簡該與。包緣 地隙可遘樹聚飾。 附間置氣而。發 Η 構為段響一絕。別間且可烯共修成 段氣安透供接本基结因 Η 影著部成特霣,其乙烯藉組 片空層不末連 緣之。霣之沿外形 放化,氟丙 一 來 m' —y I nn I ^ I In nn ml nn ml 一 nn 1— —i— I (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明U ) 間隙之樹脂物質之老·化即可遴免,且因此任何不要之* 鱭専通之霣流亦可《免。所κ,與其中使手一般樹脂物 質於放霣間隙之情況相比較,該裝置之安全性亦獲改蕾。 用於形成該靜電保護裝置之金願物霣係根據専霣性, 抗蝕性K及易於定出圓案而理[取的,且非單一性,而是 可由嗣,嫌,金,銀,鋁或該等金鼷之合金姐成。 根據本發明之一較佳實施例,各霣路片段係插入於該 内部絕緣層與一相闞連外部絕緣曆之間。該空氣間隙孔 之粬之兩末孅可實霣地分別由各電路分段閉合。於此情 況中,隔開該等電硌片段層之放霣間隙大小係高度豳界 的,且應該在15至60微米之範園内Μ用於保嫌一般之電 子裝置。當放電間隙之大小滅至少於15 «^時,則控制 該大小變得極度困難,且該困難度引起製程增加。用於 保護一般之1C’s與LSI’s, 15至60W Β之範圃足以當作放 «間隙;而用於保護較易受損壊之IC’s與LSI’s,放電 間隙應在15至30u«之範_中。於應用中.只有該等較 高罨壓準位之靜電脈街欲去除者,放電間陳之大小可增 · 至大約150 w·。若放電間隙之大小增加至超過此準位, 放霄霣壓將變得很高,以致該裝置將無效於本發明之目 的,或無效於保護電子裝置以及電子設備。 空氣間隙之_夕兩末端由倨別之外部絕緣曆閉合亦係 可行的,而電路片段刖穿過該空氣間隙孔。於此情況中 ,該放霣間隙可減少至約而不畲失去大小之控制或 不會過度增加涉及製程中之困難度。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公嫠) ; 一 裝------訂----r-J-線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
B7 五、發明説明(7 ) 靜霣保護裝置部分·之整個厚度只需要足Μ専通瞬間霣 流即可,且躭氣相霣鍍而言可為1 u·之程度而躭液相 霣鍍與金驅薄片而言為5至70^·之範圃内,雖決不限 制但視製造之籣易與成本而定。 根據本發明之靜電保護裝置之结構可取多種可行形式 之一種,例如,可有效地使用薄樹脂鼸為界定放霣間隙 曆之内部絕緣層且可降低放電霣壓Μ有效地保嫌該等相 當地易受靜霣損壊之霣子裝置。假如由内部絕緣暦分播 之放«間隙之大小相當大時,該内部絕緣層可由加強型 樹脂物質或樹脂膜來組成,至少部分用於界定放霣間陳 之物質可令人滿意地由氟化物樹脂物質或聚醸亞胺樹脂 物質來姐成,因為該等係相對地不易老化。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 該氟化物樹脂物質可選自一種由下列所成基圈之構件 .即聚四氟乙烯樹脂,乙烯/四氟乙烯共聚物,四氟乙 烯/六氟丙烯共聚物,四氟乙烯/全氟烴氧基丙烯共聚 物.Μ及一藉由修飾一種具備不同有拥樹脂所製備之經 修飾之樹脂來組成。就成本之角度來看,聚四氟乙烯係 相當地低廉,所Μ令人喜愛。四氟乙烯/全氟烴氧基丙 烯共聚物因相當低之塱模溫度,故係較佳的,而乙烯/ 四氟乙烯共聚物則含有一均勻較低之塱棋灌度。 假如邐取聚醢亞胺樹脂物質時.其可在藉由修飾而被 賦予一黏附特性之後被單獨使用或结合一由氟化物或聚 醢亞胺樹脂構成而具持久黏接特性之黏接曆使用,有著 大Μ此種可行之姐合但並不背離本發明之發明理念。於 -9- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) Α7 Β7 ,f s Ji-科π 補充 五、發明説明(?) Av\ nj -一-- 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 後者之情況中, 或短波紫外繚於 而,該等製程係 應被視為限制本 用於該靜轚保 加強型樹脂材料 據所需之櫬械強 為加強型樹脂物 為防止在用於 層狀之絕緣物質 地係在纘孔前蝕 而β層及接合絕 ,接著再嫌出用 在用於界定一空 放轚間隙之霄路 絕緣物質在叠層 絕緣物質附著或 段層之内部表面 質(表面層)厚度 而較大於50 w 定0 導霄層可由放 或液相電鍍於基 根據本發明另 接合劑 射於該 根據各 發明。 護裝置 之使用 度,目 質之物 界定空 流入於 刻該専 緣物質 於界定 氣間隙 片段層 及接合 沈澱於 上。而 可自由 ,視製 之類似物可鞴由豳加霣漿,電暈 聚釀亞胺物霣之表面來改菩。然 自之特殊應用而醣意灌揮的,不 之一部分或所有之结 係純粹隨意理用的, 的Κ及成本來選取, 質包含塗Μ玻璃粉之 氣間隙之孔形成後之 用Μ界定空氣間隙之 電層Μ形成靜霣保嫌 (表面層)以增加空氣 空氣間隙大小之孔。 之各孔之開口末皤與 間之距離《加,且即 步驟之期間進入孔中 該用於界定一放霣間 用於增加空氣間隙大 選取,但較佳地係較 造之籣易,成本Κ及 構性物質之 而且慝該根 該等可選取 布,紙等。 步驟中成叠 孔中,較佳 裝置之部分 間隙之大小 所Μ ,因為 用於界定一 使當少量之 ,也很少有 隙之霣路片 小之涵緣物 少於500 « β 產品大小而 置金臛薄片磨,或藉直接施加氣相霣鍍 板上來形成。 一較佳實豳例,該對霄路片段係插入於 10 本紙張尺度適用中'國國家標隼(CNS〉Λ4規格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 B7五、發明説明(9 ) 內部絕緣曆與一外部•絕緣曆之間且具備有該二«路片段 之相互反側之邊緣被定位於空氣間隙孔之内。較佳地, 各電路片段具有3至10«·之大小範圃。 鑑於本發明之目的,分隔該等片段層之放電間隙之大 經濟部中娄撑準局員工消費合作社印製 至,加作 小超之 間 Μ 製置度 . 15時增當 L大至明 « 足視裝离U 片 之φ.κβ,β之加發 Ξ 放 須K»eM » wH S5度足厂^隙增本❶&之 只可保制ϋ。» 裝Η難園LS間小於效Μ少 度且霣控貝果金 子^困範與^霣大用無㈣極 厚薄靜度.结之 «Μ 之之’SM放之得嫌 β 種 小很該厚:t 之段 般'«中"Ic°r則隙使保10此 最M若之10句片 一以程0«之1,間,之於成 層可,確於均路 護 Θ 製i6壞 除鼋高備小形 電度例精大生 « 保以於51損 H-m 放很設較來 0 0 0 0^0^ 於U含1受2:«須該為子度本 之該一 ,度K形 用 Η 且S,易 d 街如變fl厚成 段,如"厚難M 在 M_I'較 a 脈假將與有低 片此。3«若且用 應㈣困LS護30¾ 。壓置其與 路因定於,,上 且 Η度與保至靜 霄裝刻度 電。確小孔低II 極'S於15之0«電子蝕準 之可而較針降緣 的^°得1C用在位15放 《現精 置即立度生度絕 界ΒΨ變般但應準約則於發高 裝流成厚產準一 臨ΚΒ制一 •則壓大,用人 Κ 護電與段會精於 度 W 控護隙隙電到位或明地 保間易片且之用 高 ΐ 之保間間高加準,發效 電瞬簡路,隙使 係 a 小供轚電較增此的本有。靜通之電雞間可 小60大。放放有可出目 可隙 導造之困電 —.-----i I裝------訂----^—ί 線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) A7 B7 經濟部中央.A準局員工消費合作社ί製 五、發明説明( ) 1 1 包 含 極 薄 之 鋦 薄 片 » •極 薄 之 结 合 鋁 載 髓 之 m 薄 片 以 及 揭 1 1 示 於 曰 本 專 利 公 閭 公 告 第 4- 217815號 之 鋦 (載腰) $ 嫌 合 1 L 金 (阻止器)與鋦 (極薄之薄片)之合成薄 片 〇 請 1 I 若 m 取 聚 釀 亞 胺 之 樹 脂 物 質 時 » 較 佳 地 » 將 樹 脂 物 質 kj 閲 1 讀 1 I 直 接 地 黏 接 於 鋦 薄 片 而 不 介 入 任 何 接 合 劑 〇 修 飾 之 聚 背 ιέ 1 之 1 醢 亞 胺 亦 係 可 被 接 受 » 雖 然 在 性 能 上 稍 為 遜 色 0 注- 意 1 1 連 接 至 相 闞 連 嫌 子 之 一 用 Μ 相 互 連 接 的 各 霣 路 片 段 之 事 項 1 再 一 部 分 可 配 置 以 厚 度 範 園 白 10至 50 U Β » 而其餘部分之 填 1 本 裝 金 鼷 暦 之 厚 度 則 在 3 至 10 U 賺之範画内 >藉此, 用於相 頁 '—-· 1 I 互 連 接 之 端 子 部 分 可 被 加 強 » 且 該 晶 片 型 靜 霣 保 護 裝 置 1 1 抗 溫 度 變 化 之 可 靠 性 可 以 獲 得 改 菩 〇 1 I 較 特 別 地 * 由 於 周 遭 溫 度 中 改 變 之 溫 度 變 化 所 造 成 之 1 1 熱 應 力 會 集 中 於 靜 電 保 護 装 置 連 接 於 孔 Μ 用 於 相 互 連 接 1 之 罨 路 片 段 之 區 域 中 « 因 此 参 增 加 該 等 電 路 片 段 有 Μ 部 1 I 分 之 厚 度 係 有 效 於 改 菩 該 等 部 分 間 電 性 連 接 之 可 靠 性 〇 ! 1 « 雖 期 望 厚 度 大 9 但 過 大 之 厚 度 會 造 成 製 程 之 間 級 (蝤加 J 工 時 9 增 加 物 質 9 Μ 及 由 於 降 低 樹 脂 應 應 於 厚 度 之 能 力 線 I 所 改 變 叠 層 狀 之 情 況 ) >而且, 為厚度增加超過某- -準 1 1 位 時 將 會 減 低 由 增 加 厚 度 所 獲 得 之 優 貼 〇 基 於 該 等 考 慮 1 1 • 較 佳 地 参 厚度係於10至50 U 飄之範圃内 > 1 I 在 絕 緣 物 質 之 間 配 置 用 於 界 定 空 氣 間 隙 之 孔 接合以 1 及 其 他 元 件 可 藉 由 選 取 一 種 具 有 黏 接 特 性 而 逋 用 於 其 後 1 | 之 步 驟 供 配 置 有 孔 用 以 界 定 空 氣 間 隙 之 絕 緣 物 質 之 物 質 | 9 或 藉 由 覆 Μ 絕 緣 物 質 Μ 一 種 具 有 較 低 軟 化 點 而 無 任 何 1 1 12- 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(Π ) 黏接特性之物質來達·成,亦可插人具有厚度於5至30 u 範圃中,較佳地在5至15« 之範園内Μ及砍化點較配 置有孔之絕緣物質之軟化點低之樹脂膜於該配置有孔之 絕緣物質與其他元件之間。 該兩種方法可合併,較特別地,亦可覆篕在配置有孔 且具備較低軟化酤物質之絕緣物質之表面,以及亦可插 入樹脂膜用以叠曆及接合。 於該等情況中,樹脂種類,叠層條件Μ及該等放電間 隙之形吠與大小必須遘當地遘取,Μ使热軟化樹脂不致 填滿於該等放霣間隙中。 於叠曆與接合之步驟中,絕緣物質而非該等用於接合 目的之物質可由聚四氟乙烯組成,而該等用於接合目的 者可由具有砍化點較聚四氟乙烯低之四氟乙烯/乙烯共 聚物樹脂姐成。藉由選取此一組合,因絕緣物質具有比 支撐該靜霣保護裝置之鼋路片段之樹脂物質較低之软化 點,故接合溫度可降低,而且靜電保護装置之霣路片段 之熱失真亦可藉此而減少。 已知諸如水氣,二氧化碲氣體可滲透遇基板且綉蝕靜 電保謂裝置之電路片段。假如此一情況發生,放電電應 將隨時間改變,且該裝置之特性會實質地變化使該裝置 不癀用於箱要高精準度之應用。 當該裝置被使用於需要高精準度之應用中或該裝置必 須使用於極度不利之環境中時,包括有插入樹脂瞑使用 之方法係有效的,可想像地,因為沒有横向延伸之加強 -13- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) ---:----.---1—裝------訂----,一If 線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明() 構件曝露於空氣間隙·,故自此一加強構件之界面所纊散 之環境物霣可K港免。 具備保蠖曆Μ覆篕靜霣保護裝置之霣路片段可能導致 放霣間隙部分之阻塞,但因相W之部分未受任何壓力, 故可藉由使用在高溫時表琨高度黏著性之樹脂膜Μ及藉 由逋當選取接合條件來防止放霣間隙部分之阻塞。較佳 地,該保護暦之厚度不要大於30«·,更佳地不要大於 15/ζβ。該膜厚度之最低限係由現有製造技術,搡作Κ 及產生針孔之可能性所負责之最低限來確定,且大致地 約5«»。是否使用保護曆,保護層應為多少厚度等,可 藉由考嫌所打算之靜電保護裝置之規格,特性輿作槊環 境來確定。 單獨使用此一薄保護層無法提供足夠之欐械強度,且 由於與其他元件醛損故無法獲得預期之结果。然而,根 據本發明,因為靜霄保謅裝置之電路片段係密封於界定 在一絕緣基板内部之空氣間隙中,該保護瞋並不需要具 有任何實質之櫬械強度。它滿足於是杏該靜電保護裝置 之電路片段能防止周遭物質,而薄保護膜則足Μ用於此 一目的0 當該等電路片段各自插入於内部絕緣層與相U連之外 部絕緣層之一之間,而該空氣間隙孔之軸之二末蟠實質 地由各自之電路片段封合或被該等霣路片段穿«時,刖 塗布Μ電鍍曆且位於空氣間隙孔中之罨路片段之零件可 從該空氣間隙孔之一内壁表面Κ範園自5至lOOtf·之高 -1 4 _ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) I.------4 —裝------訂------f 線 * (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(<〇 度突出。因此,放霣•間隙係由霣鍍從該内部絕緣ig之最 上方與最下方表面突出之島之末鏽表面且由使其突出來 界定,而該放霣間隙之大小可控制於高精準度。於突出 霣鍍構件間之霣性放霣係由空氣放霣組成,故由於簠複 霣性放電之物霣表面之退化可真正地被排除。 躭該靜電保護裝置而言,其中該等霣路片段均被插入 於内郤絕緣靨與外部絕緣匾之一之間,且胲等«路Η段 之彼此相對之邊緣被定位於空氣間隙孔之中,各II路片 段可配置以一金靨霣鍍曆至少其一部分鄰接於相對於其* 緣之另一電路片段之邊緣。較佳地,於塗布有霣鍍«且 位於空氣間隙孔中之電路片段之零件間最小距離之範匾 自 5 至 15〇w·。 因為放轚間隙係首先由蝕刻界定,Μ及在確定間隙之 大小之後,電鍍執行於界定放電間隙之圓案上,故放« 間隙可控制於高精準度。當執行電鍍Μ便界定放《間隙之 部分時,相同之優點亦可達成,而不箱要之部分導霣層 可藉蝕刻去除。 因為在導電層之表面上之該等間隙之大小係較小於在 基底物質與導霣層間由於電鍍存在之界面之大小,且在 突出電鍍構件間之電性放電由取代表面放電之空氣放電 所組成,故不但可防止放電受基底物質表面之不規則所 影響,而且由於重複霣性放«之物質表面之退化可真正 地被排除。 根據本發明,一種用於製作晶片型靜«保護装置之方 -15- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) I J. —裝 訂 r (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局負工消费合作社印裝 A7 B7 五、發明説明(β ) 法,包含下列步驟:·製備一叠層狀總成其包含一對金鼸 曆而一内部絕緣層插入該對金鼸層之間;藉由蝕刻Μϋ擇 性地去除該等金鼷層來形成霣路片段,各霣路片段含有 一蘭鐃該等空氣間隙孔之一部分;叠層與接合一外部絕 緣曆與金鼸薄Η於一内部絕緣曆與霣路片段之總成之各 傷;形成貫穿孔用於在一總成内相互速接,而該總成係 由前述步驟製備於該等空氣間隙孔之間;藉由遘揮性地 蝕刻該金鼷薄片Μ形成用於園繞著孔而相互埋接之皤子 片段供相互連接;形成一導«曆於該等孔之内壁上Μ用 於相互連接;Μ及》由切穿各用於相互連接之孔來切開 一由前述步驟所製備之瘅成為各別之晶片型靜霣保護裝 置,Μ便界定用於相互連接之端子與各用於相互連接而 被切半之孔。 一種用於製作晶片型靜電保護裝置之方法亦可包含下 列步驟:製備一具有金廳層於其各側之第一外部絕緣曆 ,至少該等金鼸層之一具有範圍自3至10«·之厚度;藉 由從第一外部絕緣層蝕刻掉一金羼層不箱要之部分以形 成許多數電路片段於該第一外部絕緣曆,各相闞連配對 之電路片段被配置Μ彼此相對之邊緣於空氣間隙孔之中 •,製備一内部絕掾層配置Κ許多數用Μ界定空氣間隙之 孔;叠曆與接合該内部絕緣曆與第一外部絕緣曆之另一 金鼷層及形成於第二外部絕緣層之一側之上而彼此分開 面對之金鼷層於第一外部絕緣層與一具有金屬層形成於 其一側之第二外部絕緣曆之間;形成貫穿孔用於在一總 -16- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -----·---1丨裝------訂------f 線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(β ) 成内相互連接,而該•總成係由前述步驟製備於該等空氣 間隙孔之間;藉由遘揮性地蝕刻該金臞薄片以形成用於 _鐃著孔而相互連接之端子Η段供相互連接;形成一導 霣層於該等孔之内壁上Μ用於相互埋接;Μ及藉由切穿 各用於相互連接之孔來切開一由前述步驟所製備之總成 為各別之晶片型靜電保護裝置,Μ便界定用於相互連接 之端子與各手於相互連接而被切半之孔。 具有範園自3至10«·厚度且形成於第一外部絕緣曆 上之金鼷層可由下列步味製備:叠層一合成金_雇,其 包含一具有厚度範圍自10至50tfm之第一鋦曆,一中間 曆由厚度小於1«·之鎳或其合金構成以及一具有厚度範 圃自3至10w·之第二綢層,於第一外部絕緣層,且具 備第二鋦曆面向第一外部絕緣曆;去除第一網曆;Μ及 去除中間曆直到第二飼層曝露為止。 該第一鋦磨鄱接於與用於相互*接之貫穿孔連接貼之 部分係保留而未予Μ去除,藉此,一部分埋接於用於相 互埋接之相W連端子之一之各電路片段可配置以範園自 10至50ϋ·之厚度,而其餘之金屬層部分之厚度則在3至 10u·之範_中。藉此,用於相互連接之端子部分被加 強,且該晶片型靜電保護裝置抗溫度變化之可靠亦為之 改菩。 為控制最大之放電間隙大小與放電電壓,本發明之方 法尚可包含在叠曆與接合步驟之前施加一保護性電嫌之 控制量於該等《路片段之步驟。 -17- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •裝. 、-° 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(4 ) 園式蘸抹 現#照附說明本發明於下。 第1(a)至1(1)圈顧示種種之製造步驟以描鍮本發明之 第一實施例,其中(a)至(e)以及(h)至(k)為截面 與(g)為平面圖,示出在步驟(e)時基板之正面與反面表 面上之霣路圈案:(1)為一平面圓,示出該基板如何被 切開為個別之裝置; 第2匾係一外部示意圈,示出根據本發明晶片型靜電 保護裝置之第一實施例; 第3圔係一園表,示出在一對平行霣極間之間陳大小 與火花電壓間之鼷係; 第4圈係一方塊匾;示出當靜電脈街施加於一 1C時最 度靜電保護裝置功效之方法; 第5U)至5(i)圖係截面圔,示出種種之製造步驟Μ描 繪本發明之第二實施例; 第6(a)至6(k)圖顯示種種之製造步驟Κ描鍮本發明之 第三實施例,其中(a)至(c)M及(g>至U)為截面臑,(e) 與(f)為平面匾,示出在步驟(d)時基板之正面與反面表 面上之電路圓案;(k)為一平面_,示出該基板如何被 切開為涸別之裝置; 第7(a)至7(j)國係截面B.示出種種之製造步驟Μ描 鎗本發明之第四實施例; 第8(a)至8(g)圈係截面圈,示出種種之製造步驟以描 繪本發明之第五實施例; -18- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) .裝· 、tr 經濟部中央..準局員工消費合作钍十製 A7 _ B7 五、發明説明(7 ) 第9(a)至9(c)圔係平面鼷,示出用於界定空氣間隙之 孔與«路片段間可行之位置闞係; 第10(a)至10(1)匾顯示種種之製造步驟以描繪本發明 之第六實施例,其中(a)至(d)以及(g)至(k)為截面圖, (e)與(f)為平面圈,示出在步驟(d)時基板之正面與反 面表面上之電路圔案;(U為一平面圓,示出該基板如 何被切開為俚別之裝置; 第11(e)至ll(j)圃係截面圃,示出種種之製造步驟以 描繪本發明之第t實腌例; 第12(a)至12(j)圔顯示種種之製造步驟Μ描繪本發明 之第八實腌例;其中U)K及(c)至(i)為截面圆,(b)為 一平面黼,示出在步驟(a)時基板之正面表面上之罨路 圓案;(j)為一平面鬮,示出該基板如何被切開為個別 之裝置; 第13(a)至13(g)圖顯示種種之製造步驟之描繪本發明 之第九實施例;其中(a)M及(c)至(g)為截面圃,(b)為 一平面匾,示出在步驟(a)時基板之正面表面上之電路 園案; 第14(a)至14(j)圃願示種種之製造步驟Μ描獪本發明 之第十實施例;其中(a)至(d)K及(f)至(j)為截面圖, (e)為一平面圆,示出在步驟(<Π時基板之正面苒面上之 電路圈案; 第15(a)至15(g)圈係平面圖,示出放《間隙可能之變 化; -1 9 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) I~·---.---1 —裝------訂----*—! 線'― * (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 B7 20Q494 五、發明説明(α ) 第16(a)至16(k)圔·顯示種種之製造步驟,K描搶本發 明之第十一實施例,其中(a)以及(c)至U)為截面酾, (b)為一平面圈,示出在步驟(a)時基板之正面表面上之 電路匾案;(k )為面圈,示出該基板如何被切開為 個別之裝置; 第17 (a)至圖顧示種種之製造步驟,以描獪本發 明之第十例,其中(a )以及(c )至ου為截面圃, (b )為平面示出在步驟(a)時基板之正面表面上之轚 路圏案。 酧住奮嘸例詳沭
實施例 I 參照第1(a)至1(1)圈所描繪之製造本發明第一實腌例 之種種步驟。一由具有18//B厚度之錮薄Η所構成之金 鼷層130如第1(a)圖中所示被附著於一絕緣基板之兩側, 該絕緣基板係由叠層一內部絕緣層121其由市售商檷名 為Apical (金拥I化學工業株式會社)之聚醢亞胺膜構成, 與一對表面層各由市售商檷名Aflex膜(朝日玻璃株式會 社)具6« m厚度且最低軟化點比該内部絕緣層121低之四 氟乙烯/乙烯共聚物片所組成,Μ飼薄H130置放於該絕 緣基板之各外部表面上,在溫度280t:, 3 0分鐘之壓製 時間Μ及20公斤/平方公分之壓力之壓製條件下所製備 的。該Apical瞑(金淵化學工業株式會社)可利用之厚度 為 7.5,12.5,25,38,50,75K 及 125« b。 用於界定空氣間隙之孔160(直徑1.2··)被«孔於如第 1(b)圃中所示之«成内,飼薄片之存在允許該等微细之 -20- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) ----.----**I裝-------訂----J •腺 4 * (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央率局員工消费合作社印製 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 __!Z_1 ^ 五、發明説明(,9 ) 一. 孔被»出所霈之精確度,然後,藉由蝕刻從基板之兩側 除去銅薄片以形成如第1(c)臞中所示由一内部闼緣曆121 K及一對表面層122所構成之穿孔基板。 然後,銅薄片131劈叠層於該基板之兩侧,如第1(d)·中 所示,且該鋦薄片被定出圈案再藉由蝕刻K界定靜《保 護裝置之片段150,如第1(e)圈中所示。用於該等靜«保 護装置之片段150之讓案被界定使許多數各包含一用於 相互埋接之端子片段140之保護裝置電路之Η段150K另 一方式沿著嫌軸方向安排且此縦列被簠複地平行安排於 側面方向中。(第1(f)圓顬示該被定出·案之基板之正 面,以及第1(g)圈顧示該被定出圖案之基板之反面表 面。)第2圖顯示一根據本發明完整之靜«保護裝置。 接著,一外部絕緣層123與一由高聚合環氧樹脂聚合 物MCF3000E(日立化成工業株式會社商檷名)塗覆嗣薄片 組成之外部金鼷曆130之總成被置於由該保護裝置霣路 之片段150與相互面對之外部絕緣層123所形成之總成之 各側,而該整個瘅成被热接合於溫度170Χ:,於90分鏟之 Κ製時間Μ及於20公斤/平方公分之壓力下之壓製條件 下,該最终之總成係圖编於第1(h)圈中。 如第1 ( i )圖中所示,在用於相互埋接之孔1 7 0被纘孔 於該瘅成中之後,一霣鍍層180例如藉由非®解鬣鍍形 成為1 5 w m之厚度(第1 ( j )圓),以及用於相互埋接之皤 子190係由去除該非電解霣鍍曆180之不褥要部分而形成 ,而鋦薄片曆130則賴由蝕刻形成(第l(k)及1(1)圈>。 -21 - 本紙張尺度適用中'國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
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I 端子190係由去除該非電解雷鍍層180之不需要部分而形 成,而飼薄片層130則藉由蝕刻形成(第6U)及6(k)園)。 第6(a)圖之鑽孔步驟之順序與第6(b)至6(d)圔之電路 形成步驟可互換,雖然第6匾描繪之實例其中乾嫌膜係 -2 5 _ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) —,—.---】—裝------訂----.—f .線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作杜印製 A7 B7五、發明説明(>4·) 用作蝕刻,但本發明镅非被限制於該触刻之製程。 謇啪例4 參照第7(a)至7(k)圈所描蝓之製造本發明第四實施例 之種種步驟。該等相對應於先前實施例之零件係檷示Μ 相同之數字。首先,具有1 8 w 厚度之綢薄片1 3 0在溫度 280t:,30分鐘之應製時間,以及20公斤/平方公分之壓 力之壓製條件下被热叠曆於一内部絕緣層121之兩俩,該 内部絕緣層係由具有 6a b,12/z b,25/z n,50ju b.IOOju , 150w ·,Μ及200α 厚度之Aflex鎮(朗日玻璃株式舍社 商標名)所構成。面向樹脂膜之鋦薄片之接觸表面係較 為光滑之傾(如第7(a)圖中所示)。 靜電保護裝置鼋路之片段150係藉由沈澱光阻體132為 所需電路片段之形狀於飼薄片上,蝕刻該飼薄片,Μ及 除去該光阻體而形成(如第7(b)至7(d)圖所示)。該匾案 被安排使許多數各包含一用於相互連接之端子片段140 之靜轚保護裝置電路之片段150沿著縦軸方向排列,且 此圓案重複於側面中。 一包含塗覆一表面層122之網薄片之表面層總成被以 溫度1 7 0 t: , 9 0分鐘之壓製時間,Μ及2 0公斤/平方公分 壓力$壓製條件下叠層於該内部絕緣層總成之各側,而 各該表面曆122則由高聚合環氧樹脂聚合物MCF3000E(日 立化成工業株式會社商檷名)所構成,然後,除去整固 的飼薄片(如第7(e)圖所示)。 離塗覆以高聚合環氧樹脂聚合物MCF3000E(日立化成 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝. -a 線· 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(4 ) 株式會社商檷名)之鋦薄Η被使用於本實雎例中,但並 非是強制使用一種叠曆以嗣薄片之絕緣物霣,而且,即 使當叠腫Μ嗣薄片之物霣被使用時,也可Μ互換纘孔Μ 及除去鋦薄片之顒序。 接著,用於界定空氣間隙之孔170(直徑1«2β·>被嫌孔 (如第7(f)圈所示),Μ及塗覆Μ聚合環氧樹脂之聚合物 HCF3000E(日立化成株式會社商檷名)之鋦薄片被置於該 缌成之上方,而聚合物 MCF3000E在用於接合目的之加 熱製程中具有低流動之傾向。然後,使該總成再經由相同 條件之壓製過程(如第7 “)圖所示)。 用於相互連接之孔如第7(h)圖所示被鑽孔,而一非電 解電鍍層1 8 0被形成為1 5 « η之厚度。然後,用於相互埋 接之端子190則藉由蝕刻形成(如第7(j)圖所示)。 奮槲例5 參照第8(a)至8(g)麗所描繪之製造本發明第五實施例 之種種步驟。該等相對應於先前實腌例之零件係禰示Μ 相同之數字。首先,製備一對表面層總成,各表面層蟪 成由一表面層122以及覆蓋在該表面層122—側之飼薄片 所構成。該表面層122可由具有6wb厚度Μ商標名Aflex 膜(朝日玻璃株式會社)販售之四氟乙烯/乙烯共聚物片 所構成。然後,該飼薄片130被以如先前實施例中之相 同方式定出圖案Μ界定許多數之電路片段150。 製備一由市售商檷名Apical (金拥I化學工業株式會社) 之聚醢亞胺膜所構成之內部絕緣層。如第8(b)圓中所示 -27- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X 297公釐) ---L.--Μ---^ -裝------訂----·--^ 绛 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(>t〇 ,該內部絕緣曆121與面向該內部絕緣曆121之霣路片段 1 5 0被Μ溫度2 8 0 t! , 3 0分鐘之壓製時間,以及2 0公斤/ 平方公分壓力之壓製條件下叠曆於該二表面暦姐合之間 。該Apical (金猁化學工業株式會社)可利用之厚度為7.5 ,12.5,25,38,50,75與125«匯,而網薄片之厚[度為18« b 。該Aflex膜具有比該Apical膜較為低之軟化點。 用於界定空氣間隙之孔160(直徑1.2·β)如第8(c)圈中 所示被鑽孔於該總成内,Μ及一對外部絕緣層》成如第 8(d)圈中所示被置於該總成之上方。各該外部絕緣曆總 成包含塗覆Κ 一外部絕緣曆120之飼薄片,而該外部絕 緣層係由具有在用於接合目的之加热過程中一低流動傾 向之高聚合環氧樹脂聚合物MCF3000E(日立化成株式會 社商標名)所構成。然後,使該總成再經由相同條件之 颸製遇程。 如第8(e)圖中所示,在用於相互速接之孔170被嫌孔 於該鎵成中之後,一電鍍曆180例如藉由非電解電鍍形 成為1 5 β之厚度(第8 ( f )圔),Μ及用於相互連接之端 子190係由去除該非電解電锻層之不需要部分而形成,而 鋦薄Η 130則藉由蝕刻形成(第8(g)圖)。 本實施例實質地表明了如第一實施例之特性。 製備用於比較之樣品,該等樣品在脚稈及物質上係相 同於本發明之第三至第五實豳例,除了未形成用於空氣 間隙之孔之外。製備比較用之樣品Μ及當作為本發 明實施例之用於靜霣保護装置之基板被分別切割成各涸 "28- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) --------^ >—裝------訂----ί 11 '線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明() _霣裝置且針對各種·测試Μ確定其放電霣壓準位Μ及其 保護1C之功效。該等放霣霣壓準位係《由施加一 DC電壓 而量度。 表 2 放電電壓準位 間隙大fi 實施例 比較用之樣品 6 150至 250 1500至 1800 12 250至 350 2900至 3300 25 400至 500 4000或更高 50 500至 700 4000或更高 100 900至 1100 4000或更高 150 1200至 1300 4000或更高 保護1C之功效則藉由使用如第4圖中所示之霣路來評 估,以及在施加由三基電子工業株式會社所製作之ESD80 12(波形:IEC801-2標準)所產生之10KV(仟伏)靜電K® 十次(脈衡間隔:1秒)於電路之後測試IC(由德州儀器製 造之SN75189AN之1C)之作業。 該等放電電壓準位之測量值摘錄於表2中°於用以保 護1C之功效之測試中,例如本發明之實施例中之1C係正 常作業,其中該膜厚度係6 ,12,25以及50«臟,但所有用抡酬 之1C卻失敗,其中包含6wb之該膜厚度之實例。 -29- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) --------7丨裝------訂----r J 線 * (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央^:準局員工消費合作社印製 A7 _B7 五、發明説明(d ) 第9(a>至9(c)圖描纗各用於界定空氣間隙之孔160之 位置與相闞連之霣路片段150間之種種闞係。可理解孔 160可整個地由該霣路片段150包園(第9(a)及9(b)圔), 或只部分地由該電路片段150包圃(第9(c)匾)。它滿足 了是否該孔160穿過至少部分之相闢埋電路片段150。 奮嘸例6 參照第10(a)至10(1)圏所描嬸之製造本發明第六實施 例之種種步驟。該等相對應於先前實施例之零件係禰示 Μ相同之數字。首先,具有18«·^度之鋦薄片130在溫 度280Ό, 30分鏟之壓製時間,Μ及20公斤/平方公分之 壓力之壓製條件下被热叠暦於一內部絕緣層121之兩側, 該內部絕緣層(朝日玻璃株式會社商標名)基板具有100 之厚度。該面向樹脂膜之詷薄片之接觸表面係較 為光滑之側。如第10(a)圃中所示,用於界定空氣間隙 之孔160(直徑1.2«·)被鑽孔於該鎊成内。 蝕刻阻體132被施加於網薄片130各謄之表面,而該鋦 薄片不需要之部分刖藉由啧灑化學蝕刻液體予Κ選擇性 地去除,Μ形成許多數靜霄保護裝置電路之片段150Μ 及用於相互連接之端子1 4 0 ,該等端子係埋接於相閫埋 之電路片段,而該化學蝕刻液«主要包三氯化嫌溶液( 如第10(b)至10(d)圖中所示)。該麵案被安排使許多數 靜電保護裝置電路之片段150與各包含用於相互埋接之 端子片段140沿著縱軸方向排列,且此圖案重複於該俩 面之方向中,如第10(e)至10(f)圈中所示。 -30- 本紙張尺度適用中國國家橾準(CNS ) A4規格(210X297公釐) I! 一---f I 裝------訂----„--^ 線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 A7 B7 五、發明説明(>9 ) 一鋦霣鍍暦191藉由非霣解電鍍程序沈澱於該艉薄Η 層130之_ «表面上,尤其是該網薄片層130曝露自該用 於界定空氣間隙之孔160之壁之末端表面被霣鍍一綱履 Μ界定突出192(如第10(g)圔所示),該嗣霣鍍曆191之 厚度Μ及該等突起192間之最小距齄被量度,而總成被 製備使突起間之最小距雕為30// 至50w β。 塗覆W聚合環氧樹脂聚合物MCF3000E (日立化成株 式會社商標名)之飼薄片被Μ溫度170Ό, 90分鐮之颳製 時間,Μ及20公斤/平方公分壓力之钱壓製條件下叠靥於 該瘅成兩側之上(如第10(h)圈之所示),然後,貫穿孔 170如第10(i)圖中所示被續透於該總成,且執行非霣解 電鍍(以數字180表示)於該等貫穿孔之内壁Μ及整個鋦 薄片之表面至15//ΙΙ之厚度(如第10(j)圖之所示)。然後 ,用於相互連接之端子片段190則由蝕刻形成(如第10(k )圈之所示)° 奮施例7 參照第11(a)至11(1)圖所描繪之製造本發明第t寅施 例之種種步驟。該等相對應於先前實施例之零件係標示 以相同之數字。首先,具有18«»厚度之鋦薄片130在溫 度280Ό, 30分鐘之壓製時間,以及20公斤/平方公分之 壓力之颸製條件下被叠層於一内部絕緣層121之兩側, 該內部絕緣層係由具有100« 厚度之Aflex膜(朝日玻璃 株式會社商禰名)之基板所構成。面向樹脂膜之鋦薄Η 之接觸表面係較為光滑之側。(如第11(a)匾中所示)。 -31 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) ---------4 I裝------訂----=--ί ' 線'~ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 B7 經濟部中央揉準局員工消費合作社印裝 五、發明説明 (^ ) 1 1 蝕 刻 阻 體 13 2被施加.於銅薄Η 130各層之表面, 而該銅 1 1 薄 Η 不 需 要 之 部 分 則 藉 由 噴灑化學蝕刻液體予以選擇性 1 1 地 去 除 9 以 形 成 許 多 數 靜 電保護裝置電路之片段150以 /-s. 請 1 1 及 用 於 相 互 連 接 之 端 子 14 0 ,該等端子傜連接於 相關連 閲 1 i 讀 1 1 之 電 路 片 段 s 而 該 化 學 蝕 刻液體主要包三氯化鐵溶液( 背 1 | 之 1 如 第 11 (b )至1 1 ( d) 圖 中 所 示)《該圖案被安排使 許多數 注 意 I 靜 電 保 護 裝 置 電 路 之 Η 段 150與各包含用於相互 連接之 事 項 1 -!鳴 | 再 端 子 片 段 14 〇沿著縱軸方向排列,且此圖案重複 於該側 填 寫 本 ( 裝 面 之 方 向 中 〇 頁 '—^ 1 I 塗 覆 以 聚 合 環 氧 樹 脂 聚 合物MCF3000E(日立化 成株式 1 1 社 商 標 名 )之銅薄片被以溫度170 °C, 90分鐘之壓製時 1 I 間 9 以 及 20公 斤 / 平 方 公 分壓力之熱壓製條件下叠層於 1 1 訂 1 該 總 成 兩 側 之 上 9 妖 後 9 該銅薄Η由嗔灑化學蝕刻液體 而 被 整 個 地 蝕 刻 掉 (如第1 1(e)圖之所示)。雖塗 覆以聚 1 I 合 環 氣 樹 脂 聚 合 物 M C F3 0 0 0 Ε (日立化成株式會社 商標名) 1 1 之 銅 薄 片 被 使 用 於 本 實 施 例中,但並非是強制使用一種 J 叠 層 以 銅 薄 片 之 絶 緣 物 質 〇 線 \ 接 著 9 量 度 為 直 徑 1 . 2 m m之孔160被鑽孔(如第 1 1 ( f )圖 1 1 之 所 示 ), 而曝露自該等孔之壁之末端表面由非 電解質 1 1 電 鍍 程 序 來 厚 厚 地 電 鍍 銅 以界定突起192(如第1 1 (g)圖 1 I 所 示 ), 該銅電鍍層之厚度以及該等突起192間之最小距 1 ! 離 被 量 度 , 而 基 板 被 製 備 使突起1 9 2間之最小距 離為30 1 I Μ πι與5 0 > u SI 〇 | -3 2 - 1 1 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4規格(210X297公釐) 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(W ) 然後,塗覆Μ聚合«氧樹脂之聚合物MCF3000E(日立 化成株式會社商檷名)之鋦薄Η被置於該總成之上方,而 聚合物MCP3000E在用於接合目的之加热製程中具有低流 動之傾向。然後,使該總成再經由相同條件之懕製過程 (如第11 ( h )鼷所示)。 貫穿孔如第11U)圈所示被鑽孔,Μ及執行非電解霣 鍍於該等貫穿孔170之內壁與整個飼薄片之表面至15W· 之厚度(Μ數字180表示於第11 (j>國中)。 然後,用於相互連接之端子片段190則由蝕刻形成(如 第11 (k)圔所示)。 量度放電電壓Μ及藉由使用晶Η型靜霣保護裝置來評 估保護1C之功效,而該晶片型靜電保護裝置則製備自該 结合若干晶片型靜電保護裝置之基板Μ及根據本發明第 六與第七實施例而製備,且切割成個別之靜霣裝置。 該放電轚壓係藉由施加DC電壓而量度的,保護1C之功 效則藉由使用如第5圔中所示之電路來評估,Μ及在施 加由三基電子工業株式會社所製作之ESD8012(波形:IEC 801-2檷準)所產生之10KV(仟伏)靜電脈衝十次(脈街間 隔:1秒)於罨路之後測試TTL 1C(由德州儀器製造之SN 75 189AH之1C)之作業。 根據該測試而導出.該放電電壓係於480至520伏特之 範圍內(n = 5) Μ用於該等在突出間含30« b之距離,Μ及 於670至750伏特之範圍内(η = 5)Μ用於該等在突出間含 50w a之距離。於測試供含有突出間30W 距離Μ及含有 -33- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) I— n ,βτI · ίί 線 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(P ) 突出間50w·距離之保護1C之功效之後,該等1C均作業 正常。
實施.例A 參照第12(a)至12(j)圖所描鑰之製造本發明第八實施 例之種種步驟。該等相對應於先前實施例之零件係標示 以相同之數字。首先,具有5«·厚度之嗣薄片被附著於 外部絕緣暦120之一側,K及具有18//厚度之鋦薄片130 被附著於該絕緣基板之另一側。用於該外部絕緣曆120 之由自製砂紙所補強之聚四氟乙烯樹脂預浸物所構成之 基礎物質與該極薄之飼薄片以及正常之鋦薄片之組合於 溫度380 ¾. 90分鐘之壓製時間,Μ及20公斤/平方公分 之壓力之懕製條件下被叠曆與壓製。 由阻體構成用於罨解沈澱之Sonne EDUV(闞西油漆株 式會社商棵名)被沈澱於該基板上,且在一系列包含攝 影暍光與顯影之作業後,形成一所需之阻體圔案。 該極薄之飼薄片被定出圈案Μ界定第12(a)圔所示之 包含藉由蝕刻之端子片段140之靜霣保護裝置電路之片 段150。該圈案被界定使許多數靜罨保護裝置電路之片 段150與用於相互連接之端子片段140被以另一方式沿著 側面方向安排,且此側列被重複地平行安排於联輪之方 向中。第12(b)麵示出該定出圈案之基板之平面圈。放 電間隙151之大小為20,50,100,1 50W及200« β。 一由市售商檷名Apical (金拥I化學工業株式會社)具125 w 厚度之聚醣亞胺瞋構成之内部絕緣曆121與一對各由 -34- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) --------{-裝------訂----^—1·線 f (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 五、發明説明(w ) 市售商榡名Aflex膜(·朝日玻璃株式會社)具6 «厚度之 四氟乙烯/乙烯共聚物Η所構成之表面層122M及一對鋦 薄片層130覆蓋於相對應表面層122之外部表面被Μ溫度 2 8 0 t: , 3 0分鐘壓製時間,Μ及2 0公斤/平方公分壓力之 壓製條件下叠曆(如第12(c)圔所示)。 用於界定空氣間隙之孔160(直徑1.2ββ)如第12(d)·! 所示被嫌孔於經叠層之鐮成内,而該鋦薄片130係藉由 蝕刻自該叠曆總成之兩側整個地去除Μ形成一經穿孔之 内部絕緣曆鎊成,如第12(e)_中所示。 該外部絕緣暦總成被形成具備靜電保護裝置霣路之片 段150,該内部絕緣層總成被提供具備用於界定空氣間 隙之孔160, Μ及另一外部絕緣層總成由聚四氟乙烯樹 脂膜所構成具其一俚覆蓋Μ鋦薄片該三曆在熱壓製之條 件之下被叠層與接合一起(如第12(f)圈所示)。用於相 互連接之孔170被形成(如第12(g)圈所示),電鍍被執行 至15w·之厚度(如第12(h)圖中由數字180所標示),Μ 及用於相互埋接之端子190藉由蝕刻而形成(如第12(i) 與12(j)圔所示)。 奮豳例9 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 參照第13(a)至13(g)画所描繪之製造本發明第九實胞 例之種種步驟。該等相對應於先前窗施例之零件係檷示 以相同之數字。首先,由相同於先前實施例之物質所構 成之一外部絕緣層雄成之一俩_由相同於先前實施例之 方法步驟被定出圈案以界定靜霣保護装置電路之片段150 -35- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(扑) 以及端子片段140(如第13(a)圖之截面圖;以及第13(b) 圖之平面圖之所示)。 備製一由市售商標名Apical(金淵化學工業株式會社) 具125# m厚度之聚醯亞胺膜所構成之内部絶緣層121,以 及用於界定空氣間隙之孔160(直徑1.4mm)被鑽孔於該内 部絶緣層121(如第13(c)圖之所示)。 製備另一外部絶緣層總成,該第二外部絶緣層總成包 含一由聚四氟乙烯樹脂膜所構成之外部絶緣層123,以 及覆蓋此外部絶緣膜123之銅薄片130。該第一外部絶緣 層總成被形成具備靜電保護裝置電路之片段150,該内 部絶緣層總成被提供具備用於界定空氣間隙之孔1 6 0 ,以 及該第二外部絶緣層總成三者被以溫度280 °C, 3Q分鐘 之壓製時間,以及20公斤/平方公分之壓力之壓製條件下 叠層與接合(如第13(d)圖所示)。一由市售商標名Af lex 膜(朝日玻璃株式會社)之四氟乙烯/乙烯共聚物片所構成 且具6>u m厚度之表面層122被插入於各鄰接配對之總成 間之界面。 用於相互連接之孔1 7 〇被形成(如第1 3 ( e )圖所示,電 鍍被執行至15# ni之厚度(如第13(f)圖中所標示之數字 180),以及用於相互連接之端子190藉由蝕刻而形成(如 第1 3 ( g )圖所示)。 啻旆例1 0 參照第14(a)至14(g)圖所描繪之製造本發明第十實施例 之種種步驟《該等相對應於先前實施例之零件係標示以相同 -3 6 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4規格(210X297公釐) ---·, ^ — 裝·------訂------ J 線 J (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央準局員工消費合作杜.f製 A7 B7五、發明説明(从) 之數字。首先,由一具有15W·厚度之第一銅靥211,— 具有5 « 厚度之第二網曆2 1 3 , Μ及一具有0 . 2 w JS度 插入於該兩鋦層間之鎳磷合金暦212所構成之金鼷薄Η 210被製備如第14(a)圃中之所示。 該金臞薄片210Μ第二飼暦213面對外部絕緣曆123而 附著於外部絕緣曆123之一側,而具有18W·厚度之綢薄 片130刖附著於該外部絕緣曆123之另一側.如第14(b) 匾中之所示。 覆躉該外部絕緣曆總成之金鼷薄片210之該三餍之第 一飼層除了部分欲界定用於相互連接之皤子190之外均 藉由蝕刻予Μ去除(如第14(c)画中之所示)。然後,除 去該插入之曆21 2Μ曝露第二鋦層213。該第二鋦暦213 不需要之部分藉由蝕刻去除以界定許多數之靜罨保護裝 置電路之片段150以及相閫連之端子片段140(示於第14( d)圔之截面黼中,Κ及第14(e)之平面黼中)。 一由市售商檷名Apical (金拥!化學工桊株式會社)具有 125«·厚度之聚醣亞胺瞋所構成之内部絕緣曆121 被製備,K及用於界定空氣間隙之孔160(直徑1.4·β)被 鑽孔於該内部絕緣層121(如第14(f)圖所示)。 製備另一外部絕緣層鎊成,該第二外部涵緣層雄成包 含一由聚四氟乙烯樹脂膜所構成之外部絕緣两123.以 及覆蓋此外部絕緣膜123之網薄Η 130。該第一外部絕緣 暦缌成被形成具備靜電保護裝置霣路之片段150,該内 部絕緣層總成被提供具備用於界定空氣間隙之孔160,Μ -37- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝- •ar .J-線· 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 經濟部中央-票準局負工消費合作杜印製 A7 B7 五、發明説明(4 ) 及該第二外部絕緣》鑲成三者被以溫度280Ϊ:, 30分鐘 之®製時間,Μ及20公斤/平方公分之壓力之壓製條件 叠曆與接合(如第14(g)覼所示)。一由市售商禰名Af lex _ (朗日玻璃株式會社)之四氟乙烯/乙烯共聚物片所構成 且具6« 厚度之表面層122被插入於各鄰接配對之總成 間之界面。 用於相互埋接之孔170被形成(如第14(h)圈所示),« 鍍被執行至15w 之厚度(如第14(i)園中所禰示之數字 180), K及用於相互連接之端子190藉由蝕刻而形成(如 第14 (j )圃中所示)。 因此,該裝置如先前實施例一樣地被製備,除了相對 應於該等界定用於相互連接之端子190之零件之鋦薄Η 厚度增加之外(如第14(j)鬮中所示)。 製備用於比較之樣品,該等樣品在製程及物霣上係相 同於本發明之第八至第十實施例,除了未形成用於空氣 間隙之孔之外。 製備當作比較用之樣品Μ及當作為本發明實施例之用 於靜堪保護裝置之基板被分別切割成各個靜電裝置且針 對各種测試以確定其放電電壓準位Κ及其保護1C之功效。 -38- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) ^ ^ !裝 訂 一線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(Μ ) 表 3 放電霣鼴準位 間隙大小實施例 實雎例 實施例 比較用之 (U 1 .) « 8 « 9 «10 樣品 20 300至 400 300至 450 350至 450 4000成更高 50 600至 800 650至 900 650至 900 4000成更高 100 850至 1150 900至 1200 950至 1100 4000或更高 150 1200至 1400 1300至 1600 1250至 1500 4000成更高 該等放《«壓準位係鞴由豳加一 DC霣壓而量度的•保 護1C之功效則藉由使用如第4圃中所示之霣路來評估, 以及在豳加由三基電子工業株式舍社所製作之ESD8012 (波形:IEC801-2標準)所產生之10KV(仟伏 > 靜電脈銜十 次(脈衡間隔:1秒)於霣路之後拥試IC(由德州儀器製 造之SN75189AN之1C)之作桊。 根據本執行之测試,在用於所有之第八至第十實豳例 Μ及用於20w·與50iu·之放霣間隙之測試之後· 1C令人 滿意地繼續作業著,但在用於樣品且甚至當放霣間隙為 20« b時之測試後,1C卻無法正常作業。 第15(a)至(g)匾示出空氣間隙151之種種可行之形式 雖然它們並不預期是唯一的。第15(a)IB示出一平行之 空氣間隙。第15(b)與(c)國各示出一對鋸齒邊緣相互面 對之空氣間隙,就第15(b)圏之實施例而言,該相對邊 _ 3 9 _ 本紙張尺度適用中國國家標率(CNS ) A4規格(210X 297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) • *^(I. In - -- - - - - - * 一eJI I i Hi —I— - I - ji ( 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 A7 B7 五、發明説明(4 ) 緣之突出與凹處相互面對,但論及第15(c)圖之實施例 中,該邊緣之一之突出相對於該相反邊緣之凹處,反之 亦然。於第15(d)圖之實施例中,該相對邊緣之一傜直 線的,而另一相對邊緣則被提供以一具有三角形狀之突 出。於第15(e)圖之實施例中,相對之兩邊緣均被提供 以一具有三角形狀之突出。於第15(f)圖之與實施例中, 相對邊緣之一被界定為一長條末端處之頭部而另一相對 邊緣則被界定以圍繞該頭部之C型部分。於第15(g)圖 之實施例中,相對之兩邊緣均被界定為叉型末端相互叉 指。 啻掄例1 1 參照第16(a)至16(g)圖所描繪之製造本發明第十一實施 例之種種步驟。該等相對應於先前實施例之零件傜標示 以相同之數字。首先,具有5;um厚度之極薄之銅薄Η被 睛著於一外部絶緣層123之一側,以及具有18yum厚度之 銅薄片130被附著於該絶緣基板之另一側。用於該外部 絶緣層123之由自製砂紙所補強之聚四氟乙烯樹脂預浸 物所構成之基礎物質與該極薄之銅薄片以及正常之銅薄 片之組合於溫度380 °C,90分鐘之壓製時間,以及20公 斤/平方公分之壓力之壓製條件下被叠層與壓製。 由阻體構成用於電解沈澱之S ο η n e E D U V (關西油漆株 式會社商標名)被沈澱於該外部絶緣層總成之上,且在 一条列包含攝影曝光與顯影之作業後,形成一所需之阻 體圖案。然後,該銅薄Η被定出圖案藉由噴灑主要由三 -4 0 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4規格(210X297公釐) ---;--------f I裝------訂-------j線彳 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(β ) 氮化鐵溶液所構成之化學蝕刻液體來蝕刻掉該銅薄片曝 露之部分以便界定如第16(a)圖中所示之靜電保護裝置 電路之片段150。該圖案被界定使許多數各包含一用於 相互連接之端子片段140之靜電保護裝置電路之片段150 以另一方式沿著側面方向安排,且該側列被重複地平行 安排於縱軸方向中(如第16(b)圖所示)。 用於測試之目的,該蝕刻條件(該蝕刻液體之合成物, 溫度與噴灑壓力,以及蝕刻時間)被控制以使該等放電 間隙為1 0 0 A m,以及非電解電鍍被執行於該等放電間隙 與該等電路Η段之上以便獲得具有30# b放電間隙之外 部絶緣層總成以及具有5 ϋ # m放電間隙之外部絶緣層總 成。用於實際商業生産之製程,首先,該蝕刻條件可粗 略地選取,於該等間隙大致之大小被量度之後,根據所 需間隙大小與實際量度之間隙大小間之差異來確定用於 蝕刻之時間週期,以使間隙大小之精確度可由變化一易於 控制之範圍内之電鍍時間來控制(如第16(c)圖所示)。 一由市售商標名Apical(金淵化學工業株式會社)具有 125/uni厚度之聚醯亞胺膜所構成之内部絶緣層121,於 溫度280 °C, 30分鐘之壓製時間,以及20公斤/平方 公分之壓製條件下與一對表面層122叠層,各表面層由 市售商標名Aflex膜(朝日玻璃株式會社)具6#ib厚度之 四氟乙烯/乙烯共聚物片所構成且具備一對覆蓋相對應 表面層122之外部表面之銅薄Η層(如第16(d)圖所示)。 -4 1 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4規格(210X 297公釐) ----------J I 裝.------訂----Γ 一線 — (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(& ) 如第16(e)_所示,•用於界定空氣間隙之孔160(直徑 1 . 2 n )被嫌孔於該II層餹成之中,且該飼薄片1 3 0藉由 蝕刻整涸地自該叠靨縴成之兩側除去以形成一穿孔之内 部絕緣層總成,如第16(f)圈所示。 被形成具備靜電保護裝置電路片段150之外部絕緣層 雄成,被提供具備用於界定空氣間隙之孔160之内部絕 緣層雄成,以及由具有其一側被覆Μ鋦薄片130之聚四 氟乙烯樹脂膜所構成之另一外部絕緣層總成在加熱與壓 力條件下被一起叠層與接合。用於相互連接之孔170被 形成(如第16(h)圖所示),罨鍍被執行至15«β之厚度( 如第16(i)之圖之數字180所示),Μ及藉由蝕刻形成用 於相互連接之端子190(如第16(«j)與16(k)_所示)。 奮_例12 參照第17( a)至17(h)圖所描繪之製造本發明第十二實 施例之種種步驟。該等相對應於先前實施例之零件係檷 示以相同之數字。首先,具有5WB厚度之極薄之網薄片 被附著於一外部絕緣層123之一側,K及具有18wa厚度 之飼薄片130被附著於該絕緣基板之另一側。用於該外 部絕緣層123之由自製砂紙所補強之聚四氟乙烯樹脂預 浸物所構成之基礎物質與該極薄之飼薄片K及正常之鋦 薄片之組合於溫度3 8 0 9 0分鐘之壓製時間,Μ及2 0 公斤/平方公分之壓力之壓製條件下被叠層與壓製。 由阻體構成用於電解沈澱之Sonne EDUV (閫西油漆株 式會社商檷名)被沈澱於該外部絕緣層總成之上,且在 -42- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) ---V--*----^ -裝*------訂----·—II 線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 五、發明説明(4丨) A7 B7 阻三 之由 需要 所主 一 灑 成噴 形由 • 0 後案 業圖 作由 之定 影被 顯 Η 與薄 光銅 曝該 影, 攝後 含然 包 〇 列案 集圖 一 體 曝 片 薄 銅 該 掉 刻 蝕 來 體 液 刻 蝕(a 學17 化第 之如 成定 構界 C3 所便15 液以段 溶分片 鐵部之 化之路 氛露電 示多 所許 中使 圖定 a)界 ί7(被 ί案 圖 該 置 裝 護 保 Β Qdtr 靜 之 包 各 數 路 S 置 裝 護 保 gB 靜 之 ο 4 段 片 子 端 一 片 含之 於 用 段 行 平 地 複 tlwll 3 被 列 側)0 該示 且所 ,圔 ) 钐 b 安7( 向1 "第 面5 側中 著向 沿方 之式軸 接方縱 連一於 互另排 相以安 物電 成放 合等 之該 體使 液以 刻制 蝕控 該被 ( V) 件間 條時 刻刻 蝕蝕 該及 ,以 的 , 目力 之壓 試灑 測噴 於與 用度 溫 隙 1 之 間 I 隙 霄 I 放岛 S 二 該BMC 於Λί 行30 執有 被具 鍍得 電獲 解便 電以 br 及上 以之 , 段 η Κ 路 ο t 1 買 為等 隙該 間與 層 緣 絶 部 外 之 隙 間 電 放 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 可據 件根 條 -刻後 蝕之 該度 ,量 先被 首小 ,大 程之 A 製致 50之大 有産隙 具生間 及業等 以商該 成際於 總實, 層於取 緣用選 絶。地 部成略 外總粗 於 用易 定一 確化 來變 異由 差可 之度 間確 小精 大之 隙小 間大 之隙 度間 量使 際以 實 , 與期 小週 大間 隙時 間之 需刻 所蝕 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 }有 示具 隨a) )會 (C式 17株 第業 如工 J(學 制匕 控彳 Η金 時al 鍍1C 電AP 之名 内標 圍商 範售 之市 制由 控一 於 之 η 交 6 d Tgj 1 /(Λ 構孔17 所之第 膜隙如 胺^φ( 亞氣 i 之 醯空U 聚定12 之界層 度於緣 厚用絶 /uni’ 部 5 及内 2 V - V 1 以該 備 製 被 1A 2 4A 層nl] 緣4m 絶1. 部徑 内直 於 孔 鑽 被 —I —裝,------訂----*― 1 -- . 圖 示 成 總 3 層12 緣層 絶緣 部絶 外部 二外 第之 該成 攀 , 構 成所 總膜 層脂 緣樹 絶烯 部乙 外氟 一 四 另聚 備由 製一 含 包 以 本紙張尺度適用中國國家橾準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 五、發明説明(〇 ) 層 緣 絶 部 外 該 蓋 覆 及 靜具該以
片 之 路 S Ι?8Γ 置 裝 濩 保 S 隙 間 A7 B7 Μ 薄 銅 之 側 備 具 成 形 被 緣層 絶緣 部絶 L. β. 夕 剖 一 内 第之 之60 ο 1 5. L 1 孑 段之 Ρ ο 8 2 度 溫 在 成 總 氣層 空緣 定絶 界部 於外 用二 備第 方 平 / 斤 公 ο 2 及 7 1Α 第 如 圖 示 供及 提以 被, 鐘 分 間 時 成製 層總壓 玻合Η 曰 接月 與 層膜 «X 6 被 1 , f 下 A 件名 條標 製商 壓售 之市 力由壓一 分 〇 公丨 社面 會表 式之 株度 璃厚 之 層 具 且 成 構 所 片 物 聚 共 烯 乙 面 界 之 成 總 之 對 配 接 鄰 各 於 烯入 乙插 氟被 H 2 四 2 Λί内 6 孔 之m;相 接 A 於 連15用 互至及 相行以 於執 , 用被0) t.7v 8 鑛 1 之 度 厚 連 互 第 如 /HV 成 形 被 ) ο 00 9 /V 1 17子 第端 如之 /(\ 接 電字Ϊ ),數成 示之形 所示而 圖標刻 η所蝕 7 中由 ί圖藉 —、—,----^—裝.— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 示 ^+-}第 (h據 17根 第 與 成 割 切 被 成 總 等 該 之 備 製 所 例 施 實 功施 之由 C 0 I 系 護俗 保位 與準 壓壓 電電 E S 放放 而等 ,該 置 〇 裝置 護裝 保等 電該 靜各 型於 片估 晶評 之被 別則 個效 評 D 來ES 路之 電作 之製 示所 所社 中 會 圖式 4 株 第業 如 Η 用子 使電 由基 C藉三 的m由 度效加 量功施 壓之在 電1C及 DC護以 一 保 , 加 估 17 .7線 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 次之 十造 形衝 波脈 隔 間 B Qfdir 準於 伏 仟 之 有 具 等 該 於 對待 伏
由 /(\ C I Ξ試 ix . 測 之 後 二1 yiϋ U。 路 所ϋ業 作 之 標 2f秒 C 値電 吧5放 間各 B 電例Λί 放施 5 ®實有 二具 十等 與該 一 於 十對 第及 /c\ 以 衝製 脈器 電儀 靜州 丨德 為 壓 電 電 放 之 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) ο 置 ο 53裝65 至値為 5010壓 1共電 總電 或放 ,之 置隙 裝間 200494 A7 B7 五、發明説明(杉) 至750伏特(第十一與十二實胞例各5個裝置,成鑲共10 届裝置)。根據所執行之測試,該等1C於所有第十一與 第十二實豳例之測試後,繼績著令人滿意的作桊。 雖然本發明已K其較佳實腌例之覼點來說明,但很明 顯地係熟習於本技藝者可作各種改變與修飾並不會背離 本發明敘述於附加之申請専利範画之範疇。 ; | _裝 訂 | 線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 -45- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐)
Claims (1)
- 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 1. 一種晶片型靜電保護裝置,包含: 一内部絶緣層,被提供以一用於界定一空氣間隙之 貫穿孔; 一對電路片段,附著於該内部絶緣層之至少一側, 該電路片段界定一放電間隙於該空氣間隙孔之間; 一對外部絶緣層,各被置放於該内部絶緣層之各側 之上以密封該空氣間隙孔於一不透氣之情況中;以及 一對端子,沿著該内部絶緣層之各側末端而形成, 各用於相互連接一相關連之該等電路片段之一。 2 ·如申請專利範圍第1項之晶片型靜電保護裝置,其中 該等電路片段偽各插入於該内部絶緣層與一相關連之 該等外部絶緣層之一之間。 3. 如申請專利範圍第2項之晶Η型靜電保護裝置,其中 該空氣間隙孔之軸之兩末端偽實質地由該等個別之電 路片段所封合。 4. 如申請專利範圍第3項之晶片型靜電保護裝置,其中 該等空氣間隙係藉由一範圍自15至150# m(微米)之距 離相互隔開。 5 .如申請專利範圍第4項之晶片型靜電保護裝置,其中 該等空氣間隙傜藉由一範圍自15至60# m(徹米)之距離 相互隔開。 6.如申請專利範圍第5項之晶片型靜電保護裝置,其中 該等空氣間隙偽藉由一範圍自15至30// in(徹米)之距離 相互隔開。 -4 6 - 本紙張尺度逋用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) ---;---„-----裝------訂----r---f 咸 τ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 六、申請專利範圍 A8 Bg C8 D8 中由 其像 , 層 置緣 裝絶 護部 保内 電該 靜之 型孔 片隙 晶間 之氣 項空 1,該 第以 圍置 範配 利分 專部 請一 申少 如至 物 脂 樹 胺 亞 醯 聚1 及 以 質 物 脂 樹 物 化 〇 氟成 一 構 自所 取質 選物 種之 1 質 中物 其化 ,氟 置之 裝團 護基 保一 電自 靜取 型選 Η 一 晶由 之像 項層 7 緣 第絶 圍部 範内 利該 專之 請分 申部 如該 基 該 成 構 所 質 物 脂 樹 烯四 一 乙 ,飾 ,物修 脂聚由 樹共藉 烯烯一 乙丙及 氟氟以 四六 , 聚 / 物 由烯聚 傜乙共 圃氟烯 四丙 ,基 物氧 聚羥 共氟 烯全 乙 / 氟烯 四乙 / 氟 製 所 脂 樹 機 有 同 不 備 具 •t— 種 中側 。其應 成,對 組置相 所裝成 脂護總 樹保著 飾電沿 修靜一 經型由 之片各 備晶係 之子 項端 1 等 第該 圍之 範接 δε 專互 請相 申於 如用 9 緣 絶 部 〇 内層 該緣 含絶 包部 ε Lr "夕 總等 該該 ,及 成以 形 , 而一 層之 鍍段 電片 之路 成電 形等 所該 端 , 末層 專 請 申 圍 範 A3»- 置 裝 護 保 電 靜 型 片 晶 之 項 其 絶。 部段 外片 之路 MU ί 個等 等該 該過 由穿 傜偽 端孔 末隙 兩間 之氣 軸空 之該 孔而 隙 , 間合 氣封 空所 該層 中線 Φ 如 請 圍 範 利 專 由 0 傜 隙 間 氣 空 等 該 中 之 其). ,米 置徹 裝m( 護^ 保50 1yB 靜 型 Η 晶 之 項 至 5 自 圍 範 --^--^----η,-裝-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部中準局負工消費合作社印製 米 徹 /—ν' 0 ο 6 至 5 自 圍 範1 由 藉 僳 隙 <範 giJi間 t申豸 離 該 距¾中 置 裝 護 保 S 靜 型 片 晶 之 項 IX ix 第 圍 其之 開 隔 互 相 離 距 其 置 裝 護 保 β 靜 型 片 晶 之 項 2 Τ—Η 第 圍 範 利 專 請 串 如 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X 297公釐) 六、申請專利範圍 A8 B8 C8 D8 之 \/ 米 徹 /V 扭 ο 3 至 5 自 圍 範1 由0 俗 隙 C 間開 氣隔 空互 等相 該離 中距 第 圍 範 利 專 請 * 如 置 裝 J=E 護 保 B 靜 型 Μ 晶 之 項 其 緣緣 絶邊 部之 外反 與相 層此 緣彼 絶之 部段 内片 該路八、、 方 ΡΓ 入等 插該 被備 均具 段而 片 , 路間 電之 等一 該之 中層 中 之 孔 隙 間 氣 空 該 於 位 定 被 其 置 裝 護 保 i 靜 型 Η 晶 之 項 4 第 圍 範 利 專 請 申 如 厚 之 米 微 /fv A ο -I* 至 3 自 圍 範 一 有 具 段 片 路 電 該 各。 中度 之 其G ,米 置微 裝Μ 護 A «150 Β 靜 型 Μ 晶 之 項 5 Τ—I 第 圍 範 利 專 請 申 如 由0 係 隙 0 間開 氣隔 空互 等相 該離 中距 至 5 1Χ 自 圍 範 置 裝 護 保 5 ipr 靜 型 Η 晶 之 項 6 iA 第 圍 範 利 專 請 申 如 米 微 /fv 0 ο 6 至 5 1 -< 自 圍 範 一 由 藉 係 隙 〇 間開 氣隔 空互 等相 該離 中距 其之 —-------.— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 置 裝 護 保 電 靜 型 片 晶 之 項 7 IX 第 圍 範 利 專 請 申 如 米 徹 rnx 0 Μ ο 3 至 5 自 圍 範 一 由0 係 隙 0 間開 氣隔 空互 等相 該離 中距 其之 其 置 裝 護 保 B QdtT 靜 型 Η 晶 之 項 4 第 圍 範 利 專 請 申 如 T 線- 經濟部中央標準局員工消費合作社印装 各 之 一 之 子 端 等 該 之 接 it 遵 互 相 於 用 之 i- « 關 相 一 接 I- 逋 中 ^ ο 5 至 ο 1* 自 圍 範1 備 具 供 提 被 分 部 1 ο 之度 段厚 片之 路丨 ε l^sr 該 米 撤 第 圍 範 利 專 謓 申 如 内至 孔 5 隙自 間圍 氣範 空度 於厚 位有 中具 護 1 層 « ^ * *段双ί㈣S 之豸" 項之0// 43部 3 其 置 裝 1 由0 僳 分 蓋 覆 所 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) 經濟部中央標率局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 21. 如申請專利範圍第.14項之晶片型靜電保護裝置,其 中該保護層主要係由一氟化物樹脂之物質所構成。 22. 如申請專利範圍第14項之晶片型靜電保護裝置,其 中各該電路片段被提供具備一金羼電鍍層,至少其一 部分鄰接於相反於另一電路片段邊緣之該邊緣。 23. 如申請專利範圍第10項之晶片型靜電保護裝置,其 中位於該空氣間隙孔中之各電路片段之至少一部分被 提供具備一金屬電鍍層。 24. 如申請專利範圍第22項之晶Η型靜電保護裝置,其 中覆蓋以該電鍍層且位於該空氣間隙孔中之該等電路 片段之部分之間最小距離為範圍自5至150;uin(徹米)。 25. 如申請專利範圍第22項之晶Η型靜電保護裝置,其 中覆蓋以該電鑛層且位於該空氣間隙孔中之該等電路 Η段之部分以範圍自5至100;uin(微米)之高度突出自 該空氣間隙孔之一内壁表面。 26. —種製作晶Η型靜電保護裝置之方法,包含下列步 驟:. 製備一内部絶緣層,其被提供具備用於界定空氣間 隙之孔;附著一金颶層於被提供具備孔之該内部絶緣 層之各側;藉由自該絶緣層蝕刻掉該金屬層不需要之 部分,以形成許多數電路片段於該絶緣層之各側; 叠層與接合一外部絶緣層金屬薄Η於該内部絶緣層 與該等電路片段之總成之各側; 形成用於相互連接之貫穿孔於一總成内,該總成俗 -4 9 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS > A4規格(210X297公釐) --1--r----1 -裝·-----—訂 ^― 線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A8 B8 C8 D8 申請專利範圍 由上述步驟製備於該等空氣間隙孔之間; 藉由選擇性地蝕刻該金羼薄片以形成圍繞該等用於 相互連接之孔之用於柑互連接之端子κ段; 形成一導霣層於該等用於相互連接之孔之一内壁上 ;以及 藉由經各該等用於相互連接之孔來切割,以切割開 一由上述步班所製備之總成為個別之晶Η型靜霣保護 裝置以界定一用於相互連接之端子與一用於相互連接 之被切半分割開之各該孔。 27. 如申請專利範圍第2 6項之製作晶Η型靜霄保護裝置 之方法,其中至少一部分之該内部絕綠層僳由一種選 取自一氟化物樹脂物質以及一聚醯亞胺樹脂物質之物 質所構成。 28. 如申請專利範圍第27項之製作晶片型靜霣保護裝置 之方法,其中該部分之該内部絕緣層傑由一種選取自 —基因之氟化物樹脂物質所構成,該基圃你由聚四氟 乙烯樹脂,乙烯/四«乙烯共聚物,四«乙烯/六氣 丙烯共聚物,四氣乙烯/全氣烴氣基丙烯共聚物,以 ml —^^1 ^^^1 ·«11 nn Hi I n n Φ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部中央標準局員工消費合作社印掣 飾 修 經 之 備 製 所 脂 樹 機 有 同 不 備 具 種 1 姓 〇 修成 由組 籍所 一 脂 及樹 圔 範 利 專 誚 Φ 如 置 裝 護 保 霄 靜 型 Η 晶 作 製 之 法 方 之 至 備 具 供 提 被 層 65絕 部 内 該 中 其 範 度 厚 有 具 該 較 黏 化 軟 有 具 1 由 0 且成 靥作 面製 表所 之質 }物米W S低 B質 U 0 物 緣 絕 自部 圍内 本紙張尺度適用,中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) ABCD 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 々、申請專利範圍 ·--------------- .3 0.如申諝專利範圍第29項之製作晶Η型靜霣保護裝置 之方法,其中該内部絕緣層之表面層像由乙烯/四氱 乙烯共聚物所構成,而其餘之物質則由聚四《乙烯樹 脂所構成。 31. 如申請專利範園第2 6項之製作晶片型靜霣保護裝置 之方法,其中該等空氣間隙偽藉由一範園自15至150 «β(撖米)之距離相互隔開。 32. 如申請專利範函第31項之製作晶Η型靜霣保護裝置 之方法,其中該等空氣間除葆藉由一範匾自15至60 «n (撖米)之距離相互隔開。 33. 如申誚專利範圍第32項之裂作晶Μ型靜霣保護装置 之方法,其中該等空氣間除像藉由一範圍自15至30 um (撤米)之距離相互隔開。 34. 如申誚專利範函第2 6項之製作晶K型靜霣保護裝置 之方法,其中用於界定該等電路Μ段之該等金》層换 由金屬薄Μ所構成。 35. 如申讅專利範園第26項之製作晶Κ型靜霣保護装置 之方法,其中用於界定該等霣路Η段之該等金麗層傜 由氣相或液相電鍍所構成。 36. 如申誚專利範圔第2 6項之製作晶片型靜霣保護裝置 之方法,其中該等用於相互連接之孔藉由非霣解霣鍍 方式製作成導«性。 37. —種製作晶片型靜電保護裝置之方法,包含下列步 隳: -5 1 _ 本紙張尺度適用,中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) ! ------^ I裝^-----丨訂-----^線— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 A8 Βδ C8 D8 ττ、申請專利乾圍 製備一叠暦總成,該總成包含一對插入有一内部絕 掾層於其間之金鼷層; 形成許多數用於界定空氣間隙之貫穿孔於該叠曆雄 成内; 藉由蝕刻方式選擇性地除去該等金臞層Μ形成電路 片段•各該電路片段含有一圃繞著該等空氣間隙孔之 一之部分。 叠層及接合一外部絕緣層與金靨薄片於該内部絕緣 層與該等電路Η段之缌成之各側; 形成用於相互建接之貫穿孔於一總成内,該總成係 由上述步驟製備於該等空氣間隙孔之間; 藉由選擇性地蝕刻該金靨薄ΗΜ形成圍繞該等用於 相互連接之該等孔之用於相互連接之端子部分; 形成一導電層於該等用於相互連接之孔之一内壁上 ;Κ及 藉由經各該等用於相互連接之孔來切割,Κ切割開 一由上述步驟所製備之總成為個別之晶片型靜電保護 裝置以界定一用於相互連接之端子與一用於相互連接 之被切半分割開之孔。 38. 如申請專利範圍第37項之製作晶片型靜電保_裝置 之方法,尚包含施加電鍍於曝露在一相對應之該等空 氣間隙孔之一中之各該電路片段之邊緣,以便Κ 一預 定之高度突出該邊緣於該空氣間隙孔内之步驟。 39. —種製作晶片型靜電保讅裝置之方法,包含下列步 -52- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210 X 297公嫠) --Γ--„----^ ~裝------訂-------1.線"^ (請先閱績背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 驟; 製備一叠層總成,該缌成包含一對插入有一内部絕 緣曆於其間之金畐層; 藉由蝕刻方式選擇性地除去該等金靨曆以形成電路 片段; 叠層一中間絕緣層於一由上述步驟所製備之總成之 各側之上; 形成許多數用於界定空氣間隙之貫穿孔於該叠層總 成之中,各該空氣間隙孔穿過該等電路片段之一; 疊層及接合一外部絕緣層與金鼷薄片於該内部絕緣 層*該等電路Η段與該中間絕緣層之總成之各側; 形成用於相互連接之貫穿孔於一總成内,該總成係 由上述步驟製備於該等空氣間隙孔之間; 藉由選擇性地蝕刻該金鼷薄片Μ形成園鏡該等用於 相互連接之該等孔之用於相互連接之端子部分; 形成一導電層於該等用於相互連接之孔之一内壁上 ;Κ及 藉由經各該等用於相互連接之孔來切割,Κ切割開 一由上述步驟所製備之總成為個別之晶片型靜電保_ 裝置以界定一用於相互連接之端子與一用於相互連接 之被切半分剌開之孔。 40. —種製作晶片型靜電保護裝置之方法,包含下列步 驟; 製備一第一外部絕緣層,其具有金颺層於其各側, -5 3 _ 本紙張尺度逋用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) 5^ * 裝 訂 ^ I. (請先閱绩背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 至少該等金鼷層之具有一範圍自3至10«·(微米) 之厚度; «由自該第一外部絕緣靨蝕刻掉該一金屬層之不需 要部分Μ形成許多數電路片段於該第一外部絕緣層之 上,各相鼷連配對之該等電路片段被提供在該空氣間 隙孔中具備彼此相對之邊緣; 製備一内部絕緣層,其被提供具備許多數用於界定 空氣間隙之孔; 叠層與接合該内部絕緣層於該第一外部絕緣層一具 有一金臑層形成於其一側之第二外部絕緣層之間,具 備該第一外部絕緣層之另一金靨層與形成於該第二外 部絕緣層一側上之該金麗層彼此分開面對著; 形成用於相互連接之貫穿孔於一總成内,該總成係 由上述步驟製備於該等空氣間隙孔之間; 藉由選擇性地蝕刻該金靨薄片Μ形成酾繞該等用於 相互連接之該等孔之’用於相互連接之端子部分; 形成一導電層於該等用於相互連接之孔之一内壁上 ;Μ及 藉由經各該等用於相互連接之孔來切割,以切割開 一由上述步驟所製備之總成為個別之晶片型靜電保護 装置Μ界定一用於相互連接之端子與一用於相互連接 之被切半分割開之孔。 41.如申謫專利範圃第40項之製作晶片型靜電保護裝置 之方法, -54- 本紙張尺度逋用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) --Γ — —.----q 裝------訂----rI•一旅 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 申請專利範圍 其中具有一厚度範圈自3至10WB(撤米)且形成於該 第一外部絕緣層上之該金騙層係由下列步驟製備: 叠層一合成之金鼷層於該第一外部絕緣層,該金臑 層含有一具有一厚度範圍自1〇至50w b(微米)之第一 鋦層,一由鎳或其合金所組成之具有厚度少於1 B ( 撤米)之中間層,Μ及一具有厚度範圍自3至10/iB( 撤米)之第二飼層,且具備該第二鋦層面向該第一外 部絕緣層; 除去該第一網層;K及 除去該中間層直到該第二飼層曝露出來。 42. 如申請專利範圍第41項之製作晶片型靜電保護裝置 之方法,其中該第一網層與用於相互連接之該等貫穿 孔相連接之點之鄰接部分被保留未予去除。 43. 如申請專利範圍第40項之製作晶片型靜電保護裝置 之方法,尚包含在該叠層與接合步驟之前,施加一保 護性電鍍之控制量於該等電路片段。 44. 一種製作晶片型靜電保護裝置之方法,包含下列步 驟; 經濟部中央!準局員工消費合作社印裝 (請先閱绩背面之注意事項再填寫本頁) 製備一對電路片段之總成,各包含一外部絕緣層, 一覆Μ該外部絕緣層一側之第一金靨層,Μ及一覆蓋 該外部絕緣層另一側之第二金鼷層; 藉由蝕刻掉該第一金圈層之不需要部分而形成許多 數之電路片段於該外部絕緣層之一側上; 製備一內部絕緣層,其被形成具備許多數與該等電 -55- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) 經濟部中央.r準局員工消費合作社印策 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 路Η段结合而用於界定間隙之貫穿孔; 叠層與接合該内部絕緣暦於該等霄路片段層之間, 具備該電路片段總成之該等電路片段面向該内部絕緣 層且各該電路片段與一相關連之該内部絕緣層之空氣 間隙孔之一對齊; 形成用於相互連接之貫穿孔於一鎊成內,該總成係 由上述步驟製備於該等空氣間隙孔之間; 藉由選擇性地蝕刻該等第二金靨曆Μ形成圍繞該等 用於相互連接之該等孔之用於相互連接之蟠子部分; 形成一導電層於該等用於相互連接之孔之一内壁上 ;Μ及 藉由經各該等用於相互連接之孔來切割,Κ切割開 一由上述步驟所製備之缌成為個別之晶片型靜電保護 裝置Κ界定一用於相互連接之端子與一用於相互連接 之被切半分割開之孔。 45.—種製作晶Η型靜電保護裝置之方法,包含下列步 '驟; 製備一對電路片段之埋成,各包含一外部絕緣層, 一覆蓋該外部絕緣層一側之金臑層; 藉由蝕刻掉該金屬層之不需要部分而形成許多 數之電路片段於該外部絕緣層之一側上; 製備一内部絕緣層; 叠曆與接合該內部絕緣層於該等電路片段曆之間, 具備該電路片段缌成之該等電路片段面向該内部絕緣 -56*· 本紙張尺度逋用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) Llr,--.----^ -裝.------訂----ί-Η涑 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 六、申請專利範圍 成路 緣 層等.,係 等.,上 開護接 總霣 絕 段該著成 該分壁 割保埋 該等 部;片備向總 繞部内 切電互 ,該 外曆路具面該 圍子一 Μ 靜相 内過 一片霣,開, 成端之 ,型於 成穿 含薄等間分内;形之孔 割片用 埋孔 包國該之此成間 Κ 接之 切晶一 一隙 各金與成彼缌之 Η 連接 來之與 於間 ,之層雄層一孔薄互連 孔別子 孔氣 成側緣子片於隙鼷相互 之個端 穿空 總 一絕端薄孔間金於相 接為之 貫該 子曆部之靨穿氣二用於 連成接 之各 端緣內接金貫空第之用 互總連 隙, 之絕該埋之之等Μ 孔等 相之互。 . 間備 接部有互成接該^-等該 於備相孔 氣製 連外含相總連於蝕該於 用製於之 空所 互該一等子互備地之層 等所用開 定驟 相蓋合該端相製性接電 該驟一割 'W步.,對覆接於之於驟擇連専 各步定分 Μ 述一 一 一與成接用步選互一 經述界半 i 上之備及層總連成述由相成及由上以切 .•形由段製M«一 互形上藉於形 Μ 藉由置被 層 係片 層 之相 由 用 ; 一裝之 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐)
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Families Citing this family (99)
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---|---|---|---|---|
US5786238A (en) * | 1997-02-13 | 1998-07-28 | Generyal Dynamics Information Systems, Inc. | Laminated multilayer substrates |
GB2334627B (en) * | 1998-02-21 | 2003-03-12 | Mitel Corp | Vertical spark gap for microelectronic circuits |
US6318632B1 (en) * | 1998-07-30 | 2001-11-20 | Airborn, Inc. | Smart card reader with electrostatic discharge protection |
GB2347783A (en) * | 1999-03-06 | 2000-09-13 | Rover Group | A spark discharge device for ESD protection |
US20100044079A1 (en) * | 1999-08-27 | 2010-02-25 | Lex Kosowsky | Metal Deposition |
US20100038119A1 (en) * | 1999-08-27 | 2010-02-18 | Lex Kosowsky | Metal Deposition |
US20100038121A1 (en) * | 1999-08-27 | 2010-02-18 | Lex Kosowsky | Metal Deposition |
US20100044080A1 (en) * | 1999-08-27 | 2010-02-25 | Lex Kosowsky | Metal Deposition |
US7825491B2 (en) * | 2005-11-22 | 2010-11-02 | Shocking Technologies, Inc. | Light-emitting device using voltage switchable dielectric material |
AU6531600A (en) * | 1999-08-27 | 2001-03-26 | Lex Kosowsky | Current carrying structure using voltage switchable dielectric material |
US20080035370A1 (en) * | 1999-08-27 | 2008-02-14 | Lex Kosowsky | Device applications for voltage switchable dielectric material having conductive or semi-conductive organic material |
US6412168B1 (en) * | 2000-09-06 | 2002-07-02 | Visteon Global Tech, Inc. | Method of making an electrical circuit board |
WO2002054420A1 (fr) * | 2000-12-28 | 2002-07-11 | Tdk Corporation | Carte de circuit imprime laminee, procede de production d'une piece electronique et piece electronique laminee |
DE10252584A1 (de) * | 2002-11-12 | 2004-06-09 | Siemens Ag | Anordnung zum Schutz elektrischer Schaltungen vor Überspannung |
DE102004009072A1 (de) * | 2004-02-23 | 2005-09-08 | Phoenix Contact Gmbh & Co. Kg | Überspannungsschutzelement und Zündelement für ein Überspannungsschutzelement |
US8358815B2 (en) | 2004-04-16 | 2013-01-22 | Validity Sensors, Inc. | Method and apparatus for two-dimensional finger motion tracking and control |
US8175345B2 (en) | 2004-04-16 | 2012-05-08 | Validity Sensors, Inc. | Unitized ergonomic two-dimensional fingerprint motion tracking device and method |
US8165355B2 (en) | 2006-09-11 | 2012-04-24 | Validity Sensors, Inc. | Method and apparatus for fingerprint motion tracking using an in-line array for use in navigation applications |
US8447077B2 (en) | 2006-09-11 | 2013-05-21 | Validity Sensors, Inc. | Method and apparatus for fingerprint motion tracking using an in-line array |
US8131026B2 (en) | 2004-04-16 | 2012-03-06 | Validity Sensors, Inc. | Method and apparatus for fingerprint image reconstruction |
US8229184B2 (en) | 2004-04-16 | 2012-07-24 | Validity Sensors, Inc. | Method and algorithm for accurate finger motion tracking |
WO2005106774A2 (en) | 2004-04-23 | 2005-11-10 | Validity Sensors, Inc. | Methods and apparatus for acquiring a swiped fingerprint image |
DE602004005436T2 (de) * | 2004-06-30 | 2007-11-29 | Research In Motion Ltd., Waterloo | Funkenstreckevorrichtung und Verfahren zum elektrostatischen Entladungsschutz |
US7199050B2 (en) | 2004-08-24 | 2007-04-03 | Micron Technology, Inc. | Pass through via technology for use during the manufacture of a semiconductor device |
US7407716B2 (en) * | 2004-09-01 | 2008-08-05 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Light emitting devices with multiple light emitting layers to achieve broad spectrum |
EP1800243B1 (en) * | 2004-10-04 | 2010-08-11 | Validity Sensors, Inc. | Fingerprint sensing assemblies comprising a substrate |
WO2007062122A2 (en) | 2005-11-22 | 2007-05-31 | Shocking Technologies, Inc. | Semiconductor devices including voltage switchable materials for over-voltage protection |
US20100264225A1 (en) * | 2005-11-22 | 2010-10-21 | Lex Kosowsky | Wireless communication device using voltage switchable dielectric material |
TWI300153B (en) * | 2005-12-23 | 2008-08-21 | Innolux Display Corp | Led, scanning backlight and liquid crystal display |
DE102006016419A1 (de) | 2006-04-07 | 2007-10-18 | Infineon Technologies Ag | Chipkartenmodul und Verfahren zum Schützen eines Chipkartenmoduls vor Überspannungen |
US20080029405A1 (en) * | 2006-07-29 | 2008-02-07 | Lex Kosowsky | Voltage switchable dielectric material having conductive or semi-conductive organic material |
US7968014B2 (en) * | 2006-07-29 | 2011-06-28 | Shocking Technologies, Inc. | Device applications for voltage switchable dielectric material having high aspect ratio particles |
WO2008036984A2 (en) * | 2006-09-24 | 2008-03-27 | Shocking Technologies Inc | Technique for plating substrate devices using voltage switchable dielectric material and light assistance |
KR20090055017A (ko) * | 2006-09-24 | 2009-06-01 | 쇼킹 테크놀로지스 인코포레이티드 | 스탭 전압 응답을 가진 전압 가변 유전 재료를 위한 조성물및 그 제조 방법 |
US20120119168A9 (en) * | 2006-11-21 | 2012-05-17 | Robert Fleming | Voltage switchable dielectric materials with low band gap polymer binder or composite |
US8107212B2 (en) | 2007-04-30 | 2012-01-31 | Validity Sensors, Inc. | Apparatus and method for protecting fingerprint sensing circuitry from electrostatic discharge |
US8290150B2 (en) | 2007-05-11 | 2012-10-16 | Validity Sensors, Inc. | Method and system for electronically securing an electronic device using physically unclonable functions |
US7793236B2 (en) * | 2007-06-13 | 2010-09-07 | Shocking Technologies, Inc. | System and method for including protective voltage switchable dielectric material in the design or simulation of substrate devices |
US7799448B2 (en) * | 2007-06-19 | 2010-09-21 | Black & Decker Inc. | Battery pack for cordless devices |
US20090050856A1 (en) * | 2007-08-20 | 2009-02-26 | Lex Kosowsky | Voltage switchable dielectric material incorporating modified high aspect ratio particles |
US8276816B2 (en) | 2007-12-14 | 2012-10-02 | Validity Sensors, Inc. | Smart card system with ergonomic fingerprint sensor and method of using |
US8204281B2 (en) | 2007-12-14 | 2012-06-19 | Validity Sensors, Inc. | System and method to remove artifacts from fingerprint sensor scans |
US8206614B2 (en) * | 2008-01-18 | 2012-06-26 | Shocking Technologies, Inc. | Voltage switchable dielectric material having bonded particle constituents |
US20090220771A1 (en) * | 2008-02-12 | 2009-09-03 | Robert Fleming | Voltage switchable dielectric material with superior physical properties for structural applications |
US8116540B2 (en) | 2008-04-04 | 2012-02-14 | Validity Sensors, Inc. | Apparatus and method for reducing noise in fingerprint sensing circuits |
US8203421B2 (en) * | 2008-04-14 | 2012-06-19 | Shocking Technologies, Inc. | Substrate device or package using embedded layer of voltage switchable dielectric material in a vertical switching configuration |
WO2010036445A1 (en) | 2008-07-22 | 2010-04-01 | Validity Sensors, Inc. | System, device and method for securing a device component |
US20100047535A1 (en) * | 2008-08-22 | 2010-02-25 | Lex Kosowsky | Core layer structure having voltage switchable dielectric material |
WO2010033635A1 (en) * | 2008-09-17 | 2010-03-25 | Shocking Technologies, Inc. | Voltage switchable dielectric material containing boron compound |
WO2010039902A2 (en) * | 2008-09-30 | 2010-04-08 | Shocking Technologies, Inc. | Voltage switchable dielectric material containing conductive core shelled particles |
US9208931B2 (en) * | 2008-09-30 | 2015-12-08 | Littelfuse, Inc. | Voltage switchable dielectric material containing conductor-on-conductor core shelled particles |
US8391568B2 (en) | 2008-11-10 | 2013-03-05 | Validity Sensors, Inc. | System and method for improved scanning of fingerprint edges |
JP5506691B2 (ja) * | 2008-11-21 | 2014-05-28 | 昭和電工株式会社 | 放電ギャップ充填用樹脂組成物および静電放電保護体 |
US8278946B2 (en) | 2009-01-15 | 2012-10-02 | Validity Sensors, Inc. | Apparatus and method for detecting finger activity on a fingerprint sensor |
US8600122B2 (en) | 2009-01-15 | 2013-12-03 | Validity Sensors, Inc. | Apparatus and method for culling substantially redundant data in fingerprint sensing circuits |
US8399773B2 (en) * | 2009-01-27 | 2013-03-19 | Shocking Technologies, Inc. | Substrates having voltage switchable dielectric materials |
US9226391B2 (en) | 2009-01-27 | 2015-12-29 | Littelfuse, Inc. | Substrates having voltage switchable dielectric materials |
US8272123B2 (en) | 2009-01-27 | 2012-09-25 | Shocking Technologies, Inc. | Substrates having voltage switchable dielectric materials |
US8374407B2 (en) | 2009-01-28 | 2013-02-12 | Validity Sensors, Inc. | Live finger detection |
US8968606B2 (en) * | 2009-03-26 | 2015-03-03 | Littelfuse, Inc. | Components having voltage switchable dielectric materials |
US9053844B2 (en) * | 2009-09-09 | 2015-06-09 | Littelfuse, Inc. | Geometric configuration or alignment of protective material in a gap structure for electrical devices |
US9274553B2 (en) | 2009-10-30 | 2016-03-01 | Synaptics Incorporated | Fingerprint sensor and integratable electronic display |
US9336428B2 (en) | 2009-10-30 | 2016-05-10 | Synaptics Incorporated | Integrated fingerprint sensor and display |
US8791792B2 (en) | 2010-01-15 | 2014-07-29 | Idex Asa | Electronic imager using an impedance sensor grid array mounted on or about a switch and method of making |
US8866347B2 (en) | 2010-01-15 | 2014-10-21 | Idex Asa | Biometric image sensing |
US8421890B2 (en) | 2010-01-15 | 2013-04-16 | Picofield Technologies, Inc. | Electronic imager using an impedance sensor grid array and method of making |
US20110198544A1 (en) * | 2010-02-18 | 2011-08-18 | Lex Kosowsky | EMI Voltage Switchable Dielectric Materials Having Nanophase Materials |
US9666635B2 (en) | 2010-02-19 | 2017-05-30 | Synaptics Incorporated | Fingerprint sensing circuit |
US9224728B2 (en) * | 2010-02-26 | 2015-12-29 | Littelfuse, Inc. | Embedded protection against spurious electrical events |
US9320135B2 (en) * | 2010-02-26 | 2016-04-19 | Littelfuse, Inc. | Electric discharge protection for surface mounted and embedded components |
US9082622B2 (en) | 2010-02-26 | 2015-07-14 | Littelfuse, Inc. | Circuit elements comprising ferroic materials |
US8716613B2 (en) * | 2010-03-02 | 2014-05-06 | Synaptics Incoporated | Apparatus and method for electrostatic discharge protection |
US9001040B2 (en) | 2010-06-02 | 2015-04-07 | Synaptics Incorporated | Integrated fingerprint sensor and navigation device |
US8395875B2 (en) | 2010-08-13 | 2013-03-12 | Andrew F. Tresness | Spark gap apparatus |
DE102011102937B4 (de) | 2010-08-17 | 2017-03-02 | DEHN + SÖHNE GmbH + Co. KG. | Anordnung zur Zündung von Funkenstrecken |
US8331096B2 (en) | 2010-08-20 | 2012-12-11 | Validity Sensors, Inc. | Fingerprint acquisition expansion card apparatus |
US8538097B2 (en) | 2011-01-26 | 2013-09-17 | Validity Sensors, Inc. | User input utilizing dual line scanner apparatus and method |
US8594393B2 (en) | 2011-01-26 | 2013-11-26 | Validity Sensors | System for and method of image reconstruction with dual line scanner using line counts |
GB2489100A (en) | 2011-03-16 | 2012-09-19 | Validity Sensors Inc | Wafer-level packaging for a fingerprint sensor |
WO2012139287A1 (zh) * | 2011-04-13 | 2012-10-18 | 上海电科电器科技有限公司 | 产生触发电弧的元件 |
US10043052B2 (en) | 2011-10-27 | 2018-08-07 | Synaptics Incorporated | Electronic device packages and methods |
US9195877B2 (en) | 2011-12-23 | 2015-11-24 | Synaptics Incorporated | Methods and devices for capacitive image sensing |
US9785299B2 (en) | 2012-01-03 | 2017-10-10 | Synaptics Incorporated | Structures and manufacturing methods for glass covered electronic devices |
DE112013001679B4 (de) | 2012-03-26 | 2023-03-09 | Kemet Electronics Corporation | Asymmetrischer Hochspannungskondensator |
US9268991B2 (en) | 2012-03-27 | 2016-02-23 | Synaptics Incorporated | Method of and system for enrolling and matching biometric data |
US9251329B2 (en) | 2012-03-27 | 2016-02-02 | Synaptics Incorporated | Button depress wakeup and wakeup strategy |
US9137438B2 (en) | 2012-03-27 | 2015-09-15 | Synaptics Incorporated | Biometric object sensor and method |
US9600709B2 (en) | 2012-03-28 | 2017-03-21 | Synaptics Incorporated | Methods and systems for enrolling biometric data |
US9152838B2 (en) | 2012-03-29 | 2015-10-06 | Synaptics Incorporated | Fingerprint sensor packagings and methods |
CN109407862B (zh) | 2012-04-10 | 2022-03-11 | 傲迪司威生物识别公司 | 生物计量感测 |
CN102969654A (zh) * | 2012-12-18 | 2013-03-13 | 深圳市莱普斯科技有限公司 | 带熄弧栅的气体放电隙 |
US9665762B2 (en) | 2013-01-11 | 2017-05-30 | Synaptics Incorporated | Tiered wakeup strategy |
DE102013012842A1 (de) | 2013-08-02 | 2015-02-05 | Epcos Ag | Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl von Ableitern im Verbund, Ableiter und Ableiterverbund |
JP6467734B2 (ja) | 2017-02-10 | 2019-02-13 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 多層基板のフィルタ |
KR101843982B1 (ko) | 2017-02-22 | 2018-03-30 | 윤세원 | 전자부품 용기 및 그의 제조방법 |
KR102452045B1 (ko) * | 2017-12-28 | 2022-10-07 | (주)아모텍 | 과전압 보호소자 및 그 제조방법 |
KR101910471B1 (ko) | 2018-01-11 | 2018-10-22 | 윤세원 | 전자부품 용기 |
KR102576106B1 (ko) * | 2018-06-19 | 2023-09-08 | 주식회사 아모텍 | 과전압 보호소자 |
KR102586946B1 (ko) * | 2018-10-23 | 2023-10-10 | 주식회사 아모텍 | 과전압 보호용 복합소자 |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1437387A1 (de) * | 1964-07-03 | 1968-11-28 | Danfoss As | UEberspannungs-Schutzvorrichtung an Fernsprechnetzleitungen |
NL6702739A (zh) * | 1967-02-23 | 1968-08-26 | ||
GB1163795A (en) * | 1967-06-02 | 1969-09-10 | Ass Elect Ind | Over-Voltage Protection Circuit |
US3946428A (en) * | 1973-09-19 | 1976-03-23 | Nippon Electric Company, Limited | Encapsulation package for a semiconductor element |
US4181913A (en) * | 1977-05-31 | 1980-01-01 | Xerox Corporation | Resistive electrode amorphous semiconductor negative resistance device |
JPS5440170U (zh) * | 1977-08-24 | 1979-03-16 | ||
DE2835017C2 (de) * | 1978-08-10 | 1986-10-30 | Telefonbau Und Normalzeit Gmbh, 6000 Frankfurt | Verfahren zur Herstellung von Überspannungsableitern |
US4250616A (en) * | 1979-03-23 | 1981-02-17 | Methode Electronics, Inc. | Method of producing multilayer backplane |
JPS5933532B2 (ja) * | 1981-04-03 | 1984-08-16 | スタンレー電気株式会社 | 非晶質シリコンの形成方法 |
EP0198624A1 (en) * | 1985-03-29 | 1986-10-22 | Raychem Limited | Overvoltage protection device |
US4809044A (en) * | 1986-08-22 | 1989-02-28 | Energy Conversion Devices, Inc. | Thin film overvoltage protection devices |
US4821007A (en) * | 1987-02-06 | 1989-04-11 | Tektronix, Inc. | Strip line circuit component and method of manufacture |
GB8816631D0 (en) * | 1988-07-13 | 1988-08-17 | Raychem Ltd | Circuit protection arrangement |
JPH02223182A (ja) * | 1989-02-22 | 1990-09-05 | Toshiba Corp | マイクロコンピュータ制御の電気機器 |
JPH0389588A (ja) * | 1989-08-31 | 1991-04-15 | Toshiba Lighting & Technol Corp | プリント配線板 |
US5027136A (en) * | 1990-01-16 | 1991-06-25 | Dennison Manufacturing Company | Method and apparatus for charged particle generation |
JPH03261086A (ja) * | 1990-03-08 | 1991-11-20 | Nippon Chemicon Corp | 静電破壊防止装置 |
JPH0422086A (ja) * | 1990-05-17 | 1992-01-27 | Cosel Usa Inc | サージ電圧の保護回路 |
JP3010820B2 (ja) * | 1991-09-10 | 2000-02-21 | ソニー株式会社 | プリント基板 |
US5727310A (en) * | 1993-01-08 | 1998-03-17 | Sheldahl, Inc. | Method of manufacturing a multilayer electronic circuit |
-
1996
- 1996-04-15 US US08/632,158 patent/US5714794A/en not_active Expired - Fee Related
- 1996-04-16 GB GB9607888A patent/GB2300070B/en not_active Expired - Fee Related
- 1996-04-18 TW TW085104637A patent/TW299494B/zh active
- 1996-04-18 KR KR1019960011799A patent/KR100196633B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1996-04-18 DE DE19615395A patent/DE19615395C2/de not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-07-25 US US08/900,579 patent/US5915757A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB2300070B (en) | 1997-06-18 |
GB2300070A (en) | 1996-10-23 |
GB9607888D0 (en) | 1996-06-19 |
DE19615395A1 (de) | 1996-10-24 |
US5915757A (en) | 1999-06-29 |
US5714794A (en) | 1998-02-03 |
KR960039343A (ko) | 1996-11-25 |
DE19615395C2 (de) | 1999-09-23 |
KR100196633B1 (ko) | 1999-06-15 |
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