TW295670B - - Google Patents

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2^56/0 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、 發明説明（1 ) 1 發 明 之 背 景 1 1 1 . 發 明 之 領 域 1 1 1 本 發 明 係 闞 於 —^ 種 蒸 鍍 膜 及 包 含 該 膜 之 電 容 器 〇 請 先 鏞 1 閱 | I .有闞技藝之說明 讀 背 面 I 使 用 高 聚 合 物 膜 之 電 容 器 因 其 高 度 耐 電 壓 及 良 好溫度及 1 1 意 1 I 頻 率 特 性 而 被 廣 泛 使 用 0 尤 其 是 9 具 有 蒸 氣 沈 積 金靥層作 事 項 1 I 為 其 電 極 之 蒸 鍍 膜 被 有 利 使 用 > 因 為 其 具 有 被 稱 為”自行 再 填 寫 本 装 合 搛 ”之期望的特性c 頁 1 闞 於 用 來 形 成 蒸 氣 沈 積 層 之 金 雇 9 一 般 選 擇 鋁 (A 1 )，因 1 1 為 其 在 空 氣 中 具 有 良 好 的 耐 蝕 性 〇 然 而 翮 於 欲 與交流電 1 1 流 在 高 電 壓 下 操 作 之 電 容 器 電 容 器 内 側 所 產 生 之電暈放 1 訂 電 使A I被氣化 且 為 非 導 電 性 〇 結 果 所 謂 ” △ C效應”之現 1 I 象 會 產 生 其意味電容器之電容C會降低 =為了防止由電 1 1 放 電 所 造 成 之 △ C效應 Ζ η時常被用來蒸鍍 >然而，Ζη卻 1 1 具 有 腐 蝕 問 題 〇 -4 .八 為 了 解 決 此 等 問 題 曰 本 專 利 公 告 案 (公告）6 3 -15737號 1 I 及 美 國專利4477858號已提出對抗措施 1 1 曰 本 專 利 公 告 案 (公告）6 3 -15737號揭示利 用 真 空蒸鍍室 1 1 内 側 之 蒸 氣 沈 積 在 蒸 鍍 後 立 刻 在 Ζ η 層 之 清 m 表 面上形成 I 1 油 層 9 使 水 不 會 直 接 與 蒸 氣 沈 積 之 Ζ η 層 之 表 面 接 觸，來防 I 止 蒸 氣 沈 積 之 Ζ η 層 之 氧 化 > 藉 Μ 防 止 沈 積 Ζ η 層之腐蝕。然而 1 使用此法 9 電 容 器 之 蒸 氣 沈 積 的 Ζ η 層 t 在 高 溫 度環境下 1 1 I 使 用 時 容 易 被 羥 化 > 其 會 誘 導 t a η < 5之增加或自行合嫌之 1 1 能 力 的 劣 化 0 此 會 造 成 電 容 器 由 於 所 謂 ”熱失控’ 之現象而 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2I0X297公釐） 4 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、 發明説明 (2 1 崩 潰 〇 特 別 是 9 在 電 容 器 膜 被 捲 繞 软 核 心 並 用 蟈 或 m 青 簡 1 單 包 裝 之 情 況 下 水 份 容 易 進 入 電 容 器 内 而 會 圼 現 上 述 1 1 問 題 0 請 先 1 為 了 改 良 Ζ η 之 耐 蝕 性 美 國 專 利 4, 477 , 858號提出- 一種 閱 1 背 Ί 方 法 其 中 A 1 與 Ζ η 同 時 被 蒸 氣 沈 積 0 藉 使 A 1 含 量 沿 其 厚 度 面 之 1 注 1 白 聚 合 物 膜 表 面 側 連 鑛 降 至 金 羼 層 表 面 側 如 圖 2所示 意 事 1 項 | 可 達 成 在 電 容 器 之 耐 濕 性 與 △ C效應之改良c 然而 雖然 再 ύ —>4 耐 濕 性 之 改 良 受 肯 定 惟 由 於 電 暉 放 電 之 Δ C效應被發現 寫 本 裝 頁 1 在 該 電 容 器 内 大 於 僅 用 Ζ η 蒸 鍍 之 膜 製 成 者 0 1 I 發 明 之 概 述 1 1 I 因 此 本 發 明 之 巨 的 為 提 供 一 種 適 於 電 容 器 之 蒸 鍍 膜 9 1 1 藉 其 可 防 止 Δ C效應 及可防止由於腐蝕之t an δ 之 增 加 及 1 丁 1 由 於 南 行 合 搛 之 劣 化 之 熱 失 控 其 具 有 安 定 性 即 使 在 高 1 I 濕 度 下 亦 然 〇 本 發 明 之 巨 的 另 提 供 一 種 使 用 依 照 本 發 明 之 1 I 蒸 鍍 膜 之 電 容 器 〇 1 本 發 明 之 等 深 入 研 究 而 發 現 上 述 巨 的 可 藉 形 成 具 有 A 1 及 1 Ζ η 之 蒸 氣 沈 積 的 層 而 達 成 其 中 A 1 含 量 Μ 規 定 方 式 連 續 改 1 1 變 9 藉 Μ 完 成 本 發 明 〇 1 1 即 本 發 明 提 供 一 種 蒸 鍍 膜 包 含 一 聚 合 物 基 膜 及 一 主 1 真 1 1 要 由 A 1 與 Zn 所 組 成 之 蒸 氣 沈 積 層 其 被 形 成 在 該 聚 合 物 基 1 1 · 膜 上 9 其 中 在 該 蒸 氣 沈 積 層 内 之 A 1 含 量 沿 其 厚 度 方 向 連 讀 1 1 改 變 使 A 1 含 量 可 滿 足 式 1 1 a 2 < a 3 < a 1 1 I (其中 ，a “戈表在該蒸氣沈積層與該聚合物基層間之界 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） _ 5 3

7 7 A B — 與 量 1 ► A 含泠 11 \基 心 量中 重之 之間 量面 部層 積 沈 — 與氣 玥A1蒸 説於該 明基與 發内面 、 面 界 五 全 η 之 % 該 在 表 代 2 a 量 i S 部 全 之 之 % 及 量 含 量 i 屋 之 量 S S 部 全 量 Z 重與 之A1 於 基 內 面 表 層 積 沈 氣。 蒸I 該量 在含 表A1 代之 3 % 〇 可 器其 容 ， 電膜 之鍍 膜蒸 鍍之 蒸器 之容 發造 本製 照 於 依適 含種 包 一 種供 一 提 供， 提明 亦發 明本 發 照 本依 少並 減膜 容鍍 電蒸 之用 電使 放種 暈一 電供 於提 由亦 器。 容障。 電故熱 及之容 蝕控電 腐失之 之熱效明 層於功說 積 由利單 沈止有簡 氣防述之 蒸及上圖 止 Μ 有附 防，具 (請先閣讀背面之注意事項再填寫本頁) ----T-----ί I 裝. 示 頃 Bn 例 之 面 剖 之 圖内 層 金 積 沈 氣 蒸 之 膜 鍍 蒸 之 明 發 本 照 依 於 量 含 、1Τ 頃 篇 2 淨 圖之 量 含 1 A 内 層 « 金 積 沈 氣 蒸 之 膜 鍍 蒸 知 習 於 量 含 11 A 示 圖 面 及 示 顯 略 明 說 细 詳 之 例 體 具 概 tfc 3 佳 圖較 置 裝 之 膜 鍍 蒸 之 明 發 本 照 依 造 製 ιί 1 種 線 經濟部中央揉準局員工消費合作社印裝 〇 中 膜其 基 。 物成 合製 聚所 一 物 含 合 包聚 膜成 鍍合 鍍或 蒸成 之 合 明半 發 、 本然 照 天 依由 ’ 可 述膜 所基 上物 如合 聚 佳醢 較聚 物 、 合 脂 聚樹 成酯 合聚 Μ 性脂 化樹 電烴 及烯 性聚 電括 、 包 性例 械佳 機較 、 之 性物 熱合 耐聚 據成 根合 樹、 酷脂 酸樹 碳氟 聚含 、' 脂 旨 樹樹 胺化 亞基 醢丙 胺烯 酿聚 聚、 、 脂 脂樹 樹笨 胺聚 亞 、 _ 脂 聚樹 、 碾 脂聚 樹、 胺 性苯 電聚 及 、 性酯 械 二 機乙 據酸 根酞 ’ 對 是聚 別 、 特酯 。二 脂乙 樹酸 炔萘 丙聚 聚 、 及烯 UH UP BH _HK 樹聚 烯 Μ 乙 ， 苯論 聚而 6 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） 83. 3.10,000 經濟部中央揉準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（4 ) 硫、聚碳酸酯及聚苯乙烯較佳。上述聚合物可單獨或以结 合方式使用。 聚合物基膜之厚度不受限制，通常可為0.δ〜SOwin，較 佳為2〜25w m。 主要由A1與Zn所組成之蒸氣沈積金鼷層可藉真空蒸氣沈 積所形成。真空蒸氣沈積法可藉使用電阻加熱法，感應加 熱法、間接加热法、電子束法或濺射法實施之。其中，就 製造效率而言，Μ電阻加熱法、感應加熱法及間接加熱法 較佳。 依照本發明之蒸鍍膜之重要特徵為蒸氣沈積金靥層沿其 厚度方向連鑛改變，使其可滿足式： a2< a3〈 ai 此處，代表在聚合物膜與蒸氣沈積層間之界面（即， 蒸氣沈積層之表面，其表面接觸聚合物基膜）内基於A1與 Zn全部重量之重量太之八丨含量；32代表在該界面與該蒸氣 沈積層表面間之中心基於A 1與Zn全部重量之重量S；之A1含量 ;及33代表在蒸氣沈積層之表面（其表面與聚合物基膜相 對）内基於A1與Ζη全部重量之重量！《之61含量。因此，依照 本發明蒸鍍膜金臑層内之Α1含量為如圖1所示者。此與顯 示習知蒸鍍膜之金羼層內之Α1含量剖面圖（美國專利 4477858號）之圖2相反。由於>乂金屬層厚度方向之特定Α1 剖面，耐濕性受到極大改良而AC效應之問題亦大為減少。

為了進一步促進本發明之有利功效，較好是根據整個蒸 氣沈積層之重量！《之&1含量不超過基於整個蒸氣沈積層/U -7 - 1^ II ^ 丨 ^ ( 各、 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） 83. 3. 10,000 A7 B7

經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（5 ) 與Zn全部量之10重量ίΚ。當根據整個蒸氣沈積層之重量％之 全部Α1含量不超過基於整個蒸氣沈積層Α1與Ζη全部重量之 5重量％，且ai、a2及a3在Μ下範圍内： 31^60 重量 3!、0<32認2.0重量！1；、0.5$33蠤10重量！《時 ，可進一步促進本發明之有利功效。 > 蒸氣沈積金靥層除了 A1與ΖηΜ外可包含一種或Μ上金屬 ，如 Cu、 Si、 Mg、 Μη、 Cr、 Pb、 Sn、 Fe、 Cd等，M 不會對 電容器之性能有不利影響之虽為原則。雖然有些金雇如Si 會促進耐濕性，由於耐蝕性通常會因此等金羼而減少，此 等金屬之量較好儘量低。因此，此等金層之全部含量較佳 為不超過1重量％，更佳為不超過0.1重量！ϋ。 蒸氣沈積金靥層之厚度不受限制，通常為0.005〜0.5 juib，較佳為 0.007 〜〇.〇5wni。 有機層可在蒸氣沈積金靨層上形成。藉形成有機層，可 進一步促進附濕性。 機成有機層之有機材料較佳為具有水中低溶解度之有機 物質。尤其是，Μ親脂低分子物質或油較佳。構成有機層 之較佳有機材料之例包括聚矽氧油、含氟油、聚烷基萘油 、聚烷基酞酸酯油、聚苯醚油、石油餾份、礦油、微晶蟈 、聚烯烴蟈、石蠟等。就促進耐濕性而言，特佳者為二甲 基聚矽氧烷油及甲基苯基聚矽氧烷油、Μ及改質聚矽氧、 氟化聚矽氧油及全氟烯烴油*其具有氫二烯基、羥基、胺 基、環氧基、羧基等作為反應基。 若構成有機層之有櫬材料太小時，無法達到耐濕性之促 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS )八4規格（210Χ297公釐）-8-修正頁 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

J 訂 以 6/0 Α7 Β7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（6 ) 進，若其太大時，膜表面會粘著，導致粘著性之降低。因 此，有機材料之量應被適當選定。即，雖然有機層之厚度 不受限制，其通常可為0.0005〜0.05wm，較佳為0.001〜 0 . 0 1 /i m ° 較佳為氧化蒸氣沈積層之表面以形成氧化層，並將構成 有機層之有機材料吸附至氧化層。Μ此结構，耐濕性可大 為改良，而電翬放電之起始電壓被增加，使效應顯著 降低。金靨層表面之氧可藉真空蒸氣沈積室内用氧等雛子 體處理金靥層而被達成。氧化層之厚度不受限制，通常可 為 0.001 〜O.OliU m，較佳為 0.002 〜0.06w m。 依照本發明之蒸鍍瞑之製法不受限制。依照本發明之蒸 鍍膜可在相同真空蒸氣沈積室内藉蒸氣沈積A1，然後Zn， 最後A1，使A1與Ζη共存而製備。 另外，依照本發明之蒸鍍膜可被製備如下。即，Α1被首 先蒸發，然後立刻Ζη被蒸發於相同真空蒸氣沈積室内，使 Α1與Ζη之蒸氣共存。藉適當控制Α1與Ζη蒸氣之量，冷卻筒 之溫度及聚合物基膜之蓮行速度，可控制沈積在聚合物基 膜表面上之Α1與Ζη之混合金靥之冷卻速率，藉以形成具有 上述Α1含量剖面之A丨與Ζη之蒸氣沈積層。Μ此方法，雖然 上述參數之可接受範圍窄，但此法可較佳用於商業生產， 因為此法可僅供兩個蒸發源，即，Α1與Ζη之蒸發源並僅控 制此兩個源而完成。 此法現參照圖3詳述之。在真空蒸氣沈積1内，聚合物膜 首先自解開輥2解開。然後*膜藉導輥10被導入冷卻筒4。 (請先閎讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 訂

J 4 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） 9 A7 B7 五、發明説明（7 ) 連 際58 邊源 油發 藉蒸 係Α1 部自 際鋁 邊。 ’ 成 上形 膜被 在而 連 3 S— 油 6 佈源 塗發 上 部 際 a 在而 3 置 装 成 形 發 蒸 鑛 蒸 η Ζ 自 η 積 沈 等 溫 低 用 使 藉 係 面 表 之 層 η 表 之 層 鼷 金 積 沈 氣 蒸 在 Μ 藉 化 氧 而 ， 7 要置 必裝 有化 如氧 〇 之 發體 蒸子 Kt _ 雜 之 油 之 内 器 容 熱 加 入 放 含 包1 藉 油 後 然 後 此 ο 上 面 表 之 層 化 氧 在 積 沈 氣 蒸 ο Ϊ 而 層 8 化置 氣装 成發 形蒸 面油 板 隔 藉 室 積 沈 空 真 上 成 分 吸 被 間 時 著 随 油 之 上 面 表 層 〇 9 化 輥氧 繞在 捲積 一 沈 繞氧 捲蒸 ο 1 ο ο 輥室層 導下化 膜室甘:附 藉及 氧 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝- 本S各 —Γ 得 5 ' 獲源雔 了發距 為蒸之 Α1間 源 界Ξ源 m 發 i 明蕤發 發na蒸 佈 分 A 之 定 間 離度 距溫 之 之 6 與 在 4 制筒 控卻 當冷 逋與 ’ 源 是發 的蒸筒 量各卻 重在冷 合 聚 及 度 溫 之 4 訂 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 物基膜之運行速度。更特別的是，在一較佳具體例中，在 A1蒸發源5之中心與Zn蒸發源6之中心間之距離為150〜250 mm，在A1蒸發源5之表面與在冷卻筒4表面上之點（該點在 垂直於A1蒸發源5之表面之線上）間之距離為150〜250 mm， 在Zn蒸發源6之噴嘴表面與冷卻筒4之表面間之距離為2〜5 nun，冷卻筒4之溫度為-25〜，且膜運行速度為500〜 800m/min。在藉表面電阻計及原及光線吸收計監控蒸發的 A1及Zn之量可調整此等參數，俾可達到所欲電阻（通常在 沈積層高電阻段，表面電阻6〜40Ω/Ε：)及達到1〜10重量 S：之全部A1含量，藉Μ達到沈積A1與Zn之所欲量。若蒸發 源間之距離低於150 ira及若在Zn蒸發源6與冷卻筒4間之距 離超過5ηπη時，ai太小，若Zn蒸源源間之距離超過250 nmi時 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） A7 B7 五、發明説明（8 ) ，a 1則太大。 須知，上述方法僅為一具體例，而蒸鍍膜之製法並不限 於上述方法。 蒸氣沈積層内A1及Zn之含量及其分佈可藉下面方法測定 。即，首先，一部份蒸氣沈積層藉鹽酸溶解，而A1與Zn之 含量藉電感耦合等離子體光譜測定法（ICP)所測定。然後 ，蒸鍍膜被安裝於奥格（Auger)電子光譜等裝置内，而沈 積金靨層之原子組成係在測射蝕刻沈積金屬層時被測定。 藉將如此所得原子組成數據及由ICP所得之A1與Zn含量數 據規格化，可得圖1所示之組成物分佈圖表。ai、32及33 之值及A1之全部含量亦可被測定。 在本發明中，”在蒸氣沈積層與聚合物基膜間之界面”一 詞被界定為自聚合物膜之碳原子C升起之奥格尖峰值等於 其飽和值之1/2之點，”在該界面與蒸氣沈積層表面間之中 心”一詞被界定為在如此界定之界面與蒸氣沈積層之表面 間之中途點。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 本發明亦提供一種包含依照本發明之上述蒸鍍膜之電容 器。除了所用之蒸鍍膜為依照本發明之蒸鍍膜以外，電容 器可具有與習知膜電容器相同之結構。即，在捲繞型電容 器之情況下，在相對側具有邊際部之一對蒸鍍膜（通常由 將蒸鍍膜切成具有較窄寬度之帶所得）被層合，層合體被 捲繞一核心。一所謂metallicon之金靥被噴至所得捲物之 二側表面。在層合佈體型電容器之情況下，在相對側具有 邊際部之蒸鍍膜被交替地層合。所謂metallicon之金屬被 j— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（9 ) 噴至所得層合體之二側表面。然後將電端子連接至 metallcion。然後所得结構可被包含於殻内。 現說明測定理值之方法。 (1) A1與Zn之定量測定 9απ2之樣品用稀釋硝酸溶解，並測定20ml溶液。A1與 Zn之定量測定係用電感耦合等離子體光譜學（ICP)分析溶 液而實施。所用之ICP裝置為SPS1200VR型，獲自SEIKO電 子工業公司。 (2) A 1與Zn之組成物分佈 A1與Zn組成物分佈係藉Auger電子光譜學定量分析，使 用JAMP-10S型之裝置（獲自JE0L)，同時藉Ar離子自其頂表 面蝕刻蒸氣沈積層。 A r離子蝕刻之條件： 加速電壓：3KV 樣品電流：1X10-6 A 触刻速率：依照Sio219nm/min 測定條件： 加速電壓：3KV 切割號：5 樣品電流：8X10—8 A 樣品之傾斜角度：72° 光束直徑：10 w Μ (3) 靜電電容（C)。 靜電電容係在60Hz及400V之測定條件下，使用自動西林 電橋（AUTOMATIC SCHERING BRIDGE)型 DAC-PSC-20W(獲自 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）~Ϊ2 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（l〇 ) SOKEN DENKI公司）*藉西林電橋而測定。 本發明現利用其實豳例詳述之。但須知，實施例僅為例 示目的，不應Μ任何限制方式闌釋。 實施例1，比較例1及2 使用圖3所示之裝置，具有厚度為7wm之聚丙烯膜係用 A1與Zn蒸鍍。在蒸發源間之距離為218臓，在A1蒸發源5之 表面與在冷卻筒4表面上之點（該點在垂直於A1蒸發源5表 面之線上）間之距離為194咖，在Zn蒸發源δ之蒸發噴之最 上表面與冷卻筒4間之距離為4 mm，冷卻茼之溫度為-221C 且膜運速度為712m/min。在沈積Al— Zn膜中，31為36重量 %，32為0.1重量！(!而33為2.0重量！(：，41之全部含量為2.4重 量！《(實施例1)。為了比較起見，在上述丙烯膜上，僅Zn使 用Ag為核心被蒸氣沈積。另為了比較起見，上述聚丙烯膜 係Μ習知方式用A1與Zn蒸鍍，即，31為80重量％，32為6重 量S；及a3為5重量；(；，全部A1含量為10重量％。 關於蒸鍍層之電阻測定，3nmi重邊緣在電極之出口側製 成，其電阻被製成為2.5Ω/□。活性壓之電阻被製成為8 Ω /□ ° 此等蒸鍍膜在蒸鍍後被熟化一日，並切割成具有50mm寬 及邊際寬為2.5Β1ΙΒ之窄捲物。 然後，將此等窄捲物再捲繞軟核心，實施金觸噴鍍、熱 處理*並該電極端子接附。將其浸入蟠中，用瀝青包裝Μ 製成具有電容為5wF之電容器。 將各實施例之10個電容器進行375VAC，並在40t， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ~ 一 1〇 一 I.--.-----'1 裝------訂-----~1竦 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（U ) 95XRH下保持於恒定溫度及濕氣室内歷時小時。此等 樣品之電容係以西林電橋進行测定，K測定在此試驗中發 生之電容（△〇之改變。其结果被示於表1。 表1 Δ 0/0(¾) 在試驗時故障之電容器數 實施例1 -2.75 0/10 比較例1 -9.65 6/10 比較例2 -19.45 0/10 (試驗後之電容）_ (試驗前之電容） △ c/c ⑴--X 100 (試驗前之電容） 如表1所示，依照本發明之電容器，電容之改變小且在 試驗時電容器無故障。 實施例2，比較例3 除了鋁蒸發速率及蒸氣沈積金靨層之表面係藉其主電輸 入為1KW之氧等離子體處理而氧化，接著在相同蒸氣沈積 室内於蒸氣沈積金薦層之氧化層上將甲基苯基矽氧烷（商 標 SH702，獲自 TORAY DOW CORNING SILICONE公司）蒸氣沈 積，甲基苯矽氧烷係自170t：下加熱之容器蒸發Μ外，重 複如實腌例1相同之操作（實施例2)。 為了比較起見，在具有上述相同厚度之聚丙烯膜上，僅 Ζη使用Cu作為核心被蒸氣沈積（比較例3)。在如實施例2相 同蒸氣沈積室内在蒸氣沈積金鼷層上將甲基苯基矽氧烷蒸 氣沈積。此等膜之電阻規格被製成與實施例1者相同。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 14 - J-------~ ·裝------訂-------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 __B7 五、發明説明（12 ) 此等蒸鍍膜係以如實施例1相同方式切割。以如實施例1 相同方式試驗自其製備之電容器及其性能。其结果被示於 表2。 表2 △ C/C ⑴ 在試驗時故障之電容器數 實施例2 -1.25 0/10 比較例3 -6.95 4/10 (試驗後之電容）一（試驗前之電容） △ C/C U) = - X 100 (試驗前之電容） 由表2可知，依照本發明之電容器顯示優異特性。 實胞例3、4及5，比較例4及5

在如實施例1類似方式中，用A1與Zri蒸鍍具有厚度為7W 之聚丙烯膜，使A1含量達到表3所示之值。此等膜之電阻 規格被製成與實施例1者相同。在實施例3，4及5中，聚（ 二甲基矽氧烷）（商標SH200、10CS，獲自TORAY DOW CORNING SILICONE公司）後在相同真空蒸氣沈積室内在蒸 氣沈積金屬層之表面上蒸氣沈積*自1001C加熱之容器將 其蒸發。在比較例5例，A1首先被蒸氣沈積，然後Zn被蒸 氣沈積，然後A1再被蒸氣沈積。 使用如此所得之膜，Μ如實施例1相同方式製備並試驗 電容器。其结果被示於表3。 如表3所示，依照本發明之電容器，特別是具有全部Α1 含量不超過5重量S； •顯示優異特性。 私紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） -15 - JI. -----·裝-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、1Τ .7竦 A7

B 五·、發明説明（13 ) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 表3 A1 分 試驗結果 32 83 全部 A1 含量 △ C/C 在試驗時故 (¾) 故障之電容 器數 實施例3 30 not more 1 . 5 0.15 -1.56 0/10 than 0 . 1 實施例4 65 0.6 6.0 4.5 -1.84 0/10 實胞例5 78 2.1 10 9.5 -3.21 0/10 比較例4 76 4 4 5.6 -10.31 0/10 比較例5 85 2.8 100 25 -34.52 0/10 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、τ Γ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐）f 6

Claims (1)

1. / ίτ *· 85. 8, 13 修正本 A8 Βδ C8 D8 ?:>ί 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 申請專利範圍 1. 一種蒸鍍膜，包含一聚合物基膜及一主要由A1與Zn所 組成之蒸氣沈積層，其被形成在該聚合物基膜上，其中在 該蒸氣沈積層内之A丨含量沿其厚度方向連績改變，使A1含 量可滿足式（A )，（ B )及（c ): ' a 2 < a 3 < a 1 -(A)， a ι ^ 6 0 M fi % -( B )， 0$32$2.0重量$ -(C) 並且該蒸氣沈積層之全部A1含量M重量！1：計，不超過整 個蒸氣沈積層之A1及Zn總量之10重量％ (其中* 31代表在該蒸氣沈積層與該聚合物基層間之界 面内基於Α1與Ζη全部重量之重量！(；之Α1含量；32代表在該 界面與該蒸氣沈積層表面間之中心基於Α1與Ζη之全部重量 之重量！Κ2Α1含量；及33代表在該蒸氣沈積層表面内基於 Α1與Ζη全部重量之重量1«之六1含量）。 2. 如申請專利範圍第1項之蒸鍍膜，其中aiS60重量3；， 0<a2S2.0重量％，0.5Sa3^10重量！《，該蒸氣沈積層之 全部A1含量Μ重量》：計，不超過整個蒸氣沈積層之A1及Zn 總量之5重量％者。 3. 如申請專利範圍第1項之蒸鍍膜，更包含一形成在該 蒸氣沈積層上之有機層者。 4. 如申請專利範圍第2項之蒸鍍膜，更包含一形成在該 蒸氣沈積層上之有機層者。 5. 如申請專利範圍第3項之蒸鍍膜，其中該蒸氣沈積層 之表面被氧化Μ形成一氧化層且構成該有機層之有機材料 被吸附在該氧化層上者。 本紙張尺度適用中國國家梯準（CNS ) A4規格（210X297公釐）_卜 I 裝 訂 一 泞 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 6. 如申請專利範圍第4項之蒸鍍膜，其中該蒸氣沈積層 之表面被氧化Μ形成一氧化層且構成該有機層之有機材料 被吸附在該氧化層上者。 · 7. —種包含如申請專利範圖第1至6中任一項之該蒸鍍膜 r之電容器者。 .(請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝- -3 J 經濟部中央梂準局貝工消費合作社印製 本紙張尺度逋用中國國家梂準（CNS ) A4規格（210X297公釐）-2-