TW210329B - - Google Patents
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Description
經濟部屮央榀準XJ貝工消赀合作杜印Μ ‘二 η 6 五、發明説明() 概略而言,本發明係關藉磺熱式還原之陶瓷物料,例 如氮化鋁或碩化矽,係由對應之氧化物,於碳存在下生成 者。 U.S.-A3, 032, 398揭示気化鋁之連續生產方法和嫌 。由氧化鋁、磺與鋁酸鈣黏合劑所組成的九粒,逆著氣態 気之逆流,由預熱段,向下連續通入由外部加熱的長形反 應段内。九粒於反應段內,無均勻加熱至不超過1750T:之 溫度而生成気化鋁。氖化鋁於反應段下方的某一點連續移 開、回收。反應氣體向上通出反應段之外,進入膨脹室內 ;膨脹室係雒持於某種溫度,該盡度可使反應氣體內所含 之揮發性鈣物種冷凝而沈積於膨脹室内者。業已不含鈣組 分的反應氣龌由膨脹段頂送出。含鈣沈積物可由膨脹段內 定期移出,而無需中斷流經爐的九粒流。 日本特許公告案61-4743 5揭示氣化鋁粉末之製法。由 氧化鋁粉末和碳粉所組成之九粒,於黏合劑存在下饋邊垂 直爐,於1400至180010之溫度下於含氮氛圍^燒製。九粒 之抗壓強度為2-401<g/九粒,係由瀘頂饋入。瀘内填充Μ 九粒後,九粒於含氮氣體存在下燒製而生成氮化鋁。隨後 ,自燫内移出氮化鋁。黏合劑較好為有機黏合劑,含水溶 性聚合物,如聚乙烯醇,羥乙基纖維素;羧甲基纖維素; 糖蜜;疏水黏合劑,如石油樹脂,及酚糸樹脂。若由瀘底 連續移出產物九粒,則可連續加入起始九粒,填充該爐。 本發明為一種由對應之金靥氧化物製備金屬氣化物或 金屬碳化物之方法,該方法包括: (請先閲讀背而之注意事項再填寫本頁) 裝- 訂- 線. 衣紙張尺度边用中a Η家樣準(CNS) Ή規格(210X297公货〉 3 81. 4. 10,000張'(H) 103^9 Λ 6 Π6 經濟部屮央標準局β工消费合作杜印製 五、發明説明() 將經煅燒的多孔母質九粒K下述速率,直接加至垂直 的重力流式磺熱反應嫌之經受熱的長形反應段,所述速率 係足K部分,而非完全,填滿反應段,及生成九粒床者, 所述九粒床逆著逆流氣體流而向下流經反應段;添加時, 母質九粒係處於低於或等於用來煅燒該母質之溫度下;母 質九粒含有至少一種金羼氧化物,碳或碳源,及姑合劑; 反應段係維持於足以將該等九粒脫去揮發份,Μ及將金羼 氧化物藉磺熱式還原成其對應之金靥氣化物或金靥碩化物 之溫度下; 將母質九粒脫去揮發松,侔確保大體上全部揮發組分 皆送出反應嫌外,而並未冷凝於反應鲅内面上,或冷凝於 九粒床内之其它九粒上;及 藉碳熱方式將金颶氧化物還原或其對應之金屬氣化物 或金屬碩化物。 前述方法可提供數種優點。經煅燒的九粒可忍受因下 述情況所引起的熱震;當未曾預熱之九粒直接加至受熱的 反應段時,會出現熱震。部分镇滿的且經受熱的反應段, 可避免比較上較涼的九粒直接堆積至反應段上方。比較涼 的九粒之溫度低於反應段溫度,此九粒提供表面,而送出 反應段之外的揮發性組分可於此表面上冷凝。冷凝的揮發 份可使九粒鈷在一起。若有足量丸粒黏在一起,則可有效 生成橋,橋阻斷九粒之流入受熱反應段。此時,反應瀘作 業須長時間停工,侔移開阻塞。部分填滿的受熱反應段也 促進揮發份的移開,而無需値別收集裝置,此裝置需定期 (請先閲誚背而之注意事項再填寫本頁) 裝- 訂 線. 表紙張反度逍用中a國家楳毕(CNS) Τ4規格(210x297公货) 4 81. 4. 10,000張⑻ 2103^9 A 6 B 6 五、發明説明() 清潔。部分填滿的受熱反應段又致使吾人可使用更簡單的 反應爐,而無需預熱,或預熱裝置。 該圖為適用於本發明方法之嫌裝置之垂直、部分剖面 的示意画。 榡以參考编號10之爐係由垂直容器11與多値加熱元件 30所組成。垂直容器11包含一加有一凸緣帽之上端12,及 以作業方式與排出管21連接的一下端20。於排出管21内, 安置一排出控制閥22。而於上端12之近侧,爲一氣體及揮 發性物料排出管17。排出管17可水平安置,或近乎水平, 且以作業方式與進料管14連接。進料管14内設置一進料控 制機構組,或閥15。進料管14H作業方式與母質九粒源( 未出示)連接。加熱元件30組合而生成,一具有一上端32 和一下端33的,受熱反應段。參考编號18代表可視同九粒 床19之上表面者。 本發明係關經由碩熱還原,由對應的金屬氧化物製備 金屬気化物或金屬碳化物粉末。金屬氧化物宜擇自具下列 性質的金颶氧化物: 經濟部屮央標準局β工消卟合作社印5i U〉熱力學性質,因此,於1000°至24001C之溫度範圍, 有利於其碳熱還原反應;及 (b)於前述溫度範圍内,低於或等於0.1大氣壓之蒸氣壓 Ο 當含氧化物之母質九粒引進反應段時,蒸氣壓低可減少經 由揮發所損失的物料。金屬氧化物之金屬部分有利地係擇 自:鋁、矽、鈦、锆、給、妲、鉬、钒,或鉻。金颶部分 81. 4. 10,000» (H) (請先閲讀背而之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度逍用中國a家標準(CNS)TM規格(210X29V公犮) 經濟部屮央梂準局EJ:工消1Ϊ'合作社印製 2i03£>ci A 6 _______U_6___ 五、發明説明() 有利地為鋁、矽或钛。金屬部分期望為鋁或矽。如文中所 用,“對應的金厲氧化物”一詞意味著攜至金靥碳化物或 金屬気化物之金屬部分。舉例說明之,二氧化矽爲氣化矽 及氮化矽之對應金屬氧化物。 本發明所用之金屬氧化物之主要粒子大小宜於由0.05 至20微米U m )。有利的範圍係由0.2至2 w m。金屬氧 化物之純度宜大於99.8%。純度期望大於99.97%。純度 為99.99%或Μ上可得滿意的產物,但成本較高。咸信前 述純度適合供電手子级使用。而低抵98%或甚至96%之金 屬氧化物純度,可產生可接受供其它最終用途使用的金屬 氮化物或金屬碩化.物物料。 本發明方法始于經煅燒的多孔母質九粒,直接加至垂 直反應爐之長形受熱反應段之時。九粒含有至少一捶金屬 氧化物,碩或至少一種可供碳之物料,及至少一種黏合劑 組成物。 母質丸粒宜藉四步驟式方法製備。步驟一中,九粒成 分,如金颶氧化物粉末,與足量水混合而生成可擠壓組成 物。低剪混合裝置,如帶式摻混機,可將九粒成分與水均 化混合,而大體並無金屬污染水平。步驟二者,可擠壓组 成物經由擠壓機加工,生成具有期望的大小與形狀的擠壓 產物。一種大小與形狀的组合為0.25 〃(0.62cm)九粒。配 備有模板,而板具有多個具期望尺寸之孔的,單螺桿單階 四英寸(10.2cm)擠壓機,可得滿意的結果,特別當與模面 切削機併用時尤為如此。步驟三者,擠壓產物乾燥至榡的 私紙張尺度逍用中國困家標iMCNS)甲4規格(2)0X297公龙) _ 6 — 81. 4. 10 000張(H) (請先閲讀背而之注意事項再塡窍本頁) -裝. 線- Λ 6 \\6 經濟部屮央榀準局CX工消费合作杜印奴 五、發明説明() 水含量數,Μ丸粒重量爲準,低於約2 wt%。檫的水含量 有利地低於約1 wt%。須小心避免快速乾燥,K致九粒表 面上生成外皮。外皮會干播由九粒内部去除水分。典型地 ,乾燥係於例如加壓空氣爐之裝置內,於不超過約150X: 之溫度,進行一段足Μ逹成檫的水含童,而未生成皮層的 時間。於150*0之溫度歷約15小時之乾燥時間,可得满意 的結果。乾燥時間宜短抵2小時。乾燥溫度較低,所需乾 燥時間較長。步驟四者,乾九粒經“煅燒”。如文中所用 ,“經煅燒”一詞代表乾九粒被加熱至,足Μ將黏合劑組 成物之組分分解成含硝殘渣的,溫度;及維持於該溫,直 至殘餘氣體的逸出有效地停止為止.。煅燒溫度典型地係於 250Τ至400=之範圍。煅燒溫度較好由300Ό至3501C。乾 燥與煅燒步驟較好組合成一連纊過程。特別有效的組合包 含:加熱至150¾之溫度歴2小時;以1小時時間提升至 約330¾之溫度;於該溫維持6或7小時時間;及然後, 例如以5至8小時時間,冷卻至周溫。 丸粒之強度須夠高,因而當九粒未經預熱而加至受熱 反應段時,可忍受溫度的急速變化,亦名“熱震”。欲達' 此強度水平,無法消除煅焼步驟。若未經煅燒,乾丸粒易 崩散成極細的粉末或粉塵。破丸粒由於固體組分之大小分 布範圍廣,故會引起架橋問題。固體組分包含丸粒,不等 尺寸的破九粒及粉末。若粉末·及九粒段夠小,則可能於床 内變流體化,因而造成維持正確的床水平,及流經受熱反 應段之連續固體反應物流方面的問題。轉成粉塵也會導致 (請先閲讀背而之注意事項#填寫本頁) 各紙張尺度边用中國w家摇準(CNS) Ή規格(210X297公¢) 8】.4. 10,000張(H) 五、發明説明() (請先閲讀背而之注意事項#填寫本頁) 原料損失的問題,咎於粉塵被捕捉於逆流氣體滾内,而被 掃出反應爐之外。來自黏合劑物料,特別澱粉分解而得的 含碌殘渣,相信可對九粒提供充分強度,侔當九粒暴露於 前述熱震時,通道仍可維筘結構完整性。 九粒之耐碎強度(美國試驗與材料學會(ASTM)試驗方 法D4179.82)相信為對熱震抗性的指檫。經煅燒後九粒的 耐碎強度有利地係於10至20磅力(lb,) (44至88牛頓(N))之 範圍内。耐碎強度小於約10 lbf(44N)之煅燒後九粒,當 暴於受熱反應段之熱震時,對於斷裂敏感。煅烧後九粒之 強度由超過20 lbf(88N)S高達100 lbf(449N)。使用耐碎 強度超過20 lbr(88N),特別趨近100 lt>f(449N)者因下述 二原因故於經濟上不合實用。第一,須費時、耗能量去碾 硏金屬氦化物或金展碳化物九粒產物。第二,特別是碾碎 ,與硏磨極度耐碎物料,無可避免地會從磨製或硏製介質 ,引進污染物,如金》。 九粒也須具充分孔隙度,俥輔助氣體滲透,及於九粒 受熱時,允許揮發性物料由九粒中逃逸。Μ氖化物為例, 孔隙度也許充分,俾輔肋氣態氦之慘透,進行氣化作用。 適當孔隙度係於0.03至0.67cib3/ g母質丸粒物料之範圍。 此孔隙度等於空隙容積由10%至70%。孔隙度可依ASTM試 驗方法D-4641-87測定。 碳宜為選自乙炔黑、工廠碳、熱黑、焦炭、碳黑,及 石墨中之任一種物料。該物料有利地為磺黑或石墨。胃 碳及金屬氧化物起始物料無需為大體純質(純度大於) .紙5良尺度边用中as家標準(CNS)1?7*!規格(2]0χ297公足) _ 81. 4. 10,000張(Η) 103L9 Λ 6 ΙΪ 6 五、發明説明() 99. Owt% )。本發明方法至少可去除一部分,於反應段溫 度下會揮發的污染物,例如鐵及碱金屬。換言之,母質九 粒加至受熱反應段後,至少出現若干純化作用。舉例說明 之,由本發明所得之經硪熱還原物料,比較對應的母質九 粒之,矽含量低40-80%,鐵含量低60-90%。如此,本發 明之一長處為可使用較低純度起始物料。例如,可使用純 度99.9%之氮化鋁,而非99.99%。 黏合劑組成物有利地為小麥澱粉與玉米澱粉之摻合物 。小麥澱粉宜呈預膠化的冷水可溶形式,例如由〇gil vie 磨坊以商品名GEN VIS 700™供應者。澱粉之預膠化過程 係將锻.粉烹煮至路其最大膨脹狀態,然後,於乾燥鼓·上乾 燥而去除水。預膠化過程打開澱粉顆粒,因而,快速出現 再膠化。玉米澱粉'宜為未經改質的粉狀玉米澱粉,此澱粉 不溶於冷水,而可分散於熱水者。如文中所用,“冷”係 指周溫(約25=),“熱”係指高逹80它,典型地由58至72 t之溫度。“熱”溫隨各種澱粉而異,.玉米澱粉為62-72 1C,小麥澱粉爲58-64¾。 經濟部屮央標準扃負工消伢合作社印驭 (請先閱讀背而之注意事項再填寫本頁) 文中所用之“澱粉”及“改質澱粉”等詞,定義於簡 明介.璺字典,11 版,Van Nostrand Reinnold公司(1987) ,:1089-90頁。澱粉(CAS : 9005-84-9)為具如下重複單位 之碳水化合物聚合物:
各紙张尺度边用中困困家標毕((^5)^規怙(2】0沁297公犮) _ 9 - 81. 4. 10,000張(H) 經濟部中央標準局A工消«*合作杜印製 ⑽以 Λ6 __Π6_ 五、發明説明() 澱粉係由約25%直鍵澱粉(由糖苷鍵連接的脫水葡萄糖吡 喃糖單位)與75%支鍵澱粉(支餺结構式〉所組成。於熱水 中出現不可逆的凝膠生成現象;使用例如甲醯胺、甲酸, 及強碱及金屬鹽等化合物,可於室溫誘使顆粒脹大。 改質澱粉爲藉乙醯基化、氯化、酸水解、或酶僱作用 ,可由澱粉(玉米、馬鈐薯、樹薯)衍生物的數種水溶性聚 合物中之任一種。此等反應可Μ安定的流體溶液及薄膜形 式,獲得澱粉乙酸酯類、酯素,及醚類。 澱粉之合併用量有利地為5-15wt%,係以煅燒前,母 質九粒内所含之非澱粉固體之重量為基準。合併用量期望 由8至12wt%。合併用量較好爲約l〇wt%。小麥與玉米澱 粉二者之合宜數量係溶入3至12wt%之範圍,係以煅燒前 ,母質九粒内所含之非澱粉固體之重量為基準。較好者為 3 wt%玉米澱粉與7 wt%小麥澱粉之組合。 其它己知之黏合物料可與小麥及玉米澱粉之摻合物併 用,或取代後者,規定須符合如下二條件。第一,物料須 分解成含碩殘渣,而其功用類似得自澱粉摻合物之殘渣者 。第二,得自此黏合物料之殘渣,須對所生成之碳化物或 気化物物料之物理性質,不會產生不良影饗者。 母質九粒係Μ足Μ部分,但非完全,填滿反應段之速 率,直接加至受熱反應段。九粒構成一移動床19,床19有 一上表面18,當有更多母質九粒被加至反應段時,上表面 18被建鑲更新。然而,上表面不可延伸至受熱段或反應段 上方。若延伸至其上方,則於受熱段外侧與上方之九粒之 (請先閲請背而之注意事項冉艰寫本頁) 裝< 訂, 線. 各紙張尺度逍用中a Η家標準(CNS)T4規格(210X297公货) 一 1〇 - 81. 4'. 10,000ft (H) 21〇3^c? Λ 6 Π 6 五、發明説明( 經濟部屮央標準局β工消赀合作杜印製 溫度,將比受熱段内之丸粒溫度更低。若受熱段外侧之丸 粒溫度,低於揮發性物料之冷凝溫度,則床將被冷凝的物 料所阻塞。阻塞通常將使反應爐作業中止一段時間,俾足 Μ清潔反應爐爐面,而去除會生成阻塞的物料。唯反應段 須充分填滿,俾使碩熱反應於九粒流出反應段之外前,實 質進行至完成。 九粒之添加速率,係足夠對直徑11.4cm之1.4m熱段, 逹成且維持移動床之上表面水平,於占熱段之65至95%之 範圍内。文中所用之“占熱段之%”係得自受熱反應段之 下端之測量值。此範圍宜占熱段之70至90%,較好占熱段 之80至85%。Μ床水平占熱段之82%,可得特別滿意的結 果。九粒加至受熱反應段之真正速率,及受熱反應段内床 水平,將隨受熱反應段之高度、直徑、構型,及容積而異 。若於受熱反應段内之停留時間夠長,則低於熱段之65% 的水平可產生可接受性產物。唯此種水平無法充分有效利 用反應爐的空間。舉例言之,1 · 4kg/ hr之進料速率,足 以於1.4nx 11. 4cm之受熱反應段内,將床水平維持於占熱 段之82%。更高的進料速率,例如2.7kg/ hr,可用Μ將 床水平調整至期望的水平。產物丸粒係Μ足Μ維持床水平 之速率移開。產物移出速率爲0.5-0.8kg/hr,將有助於 於1.4mX 11.4cm受熱反應段内維持82%之水平。用於轉定 受熱反應段之適當床水平、添加速率,及產物移出速率易 由業界人士決定。例如,隨箸受熱反應段之大小的加大, 九粒之添加速率及產物之移出速率也須增高。床水平將視 •先 閲 ifi 背 而 之 注 意 事 項 % 本 頁 裝 訂 線 ♦^紙尺度边用中困®家標準(CHS)T4規格(210x297公垃) -11 - 81. 4. 10,000¾ (H) 經濟部屮央榣準局只工消奸合作杜印製 .:10329 Λ 6 一 —_Π6_ 五、發明説明() ,欲獲起始物料轉成產物之期望的轉化水平,於受熱反應 段內所需停留時間多長而增減。 前述添加速率,也使母質九粒於進入受熱反應段後, 可被脫去揮發份。反應段溫度與九粒添加速率之合併功效 ,允許九粒中之揮發性組分送出反應瀘之外,而未冷凝於 反應爐之内表面上,或丸粒床內之其它九粒上。如此可減 少(即使並非消除)反應瀘的阻塞。 逆流氣體流,隨期望的產物爲金展氮化物或金屬碳化 物而異。若期望的產物爲金屬氣化物,則氣髅流包括氣或 . 可釋出氮之物料。中性氣體氛圍,例如由氬或其它貴氣體 提供者,則有助於生成金屬碳化物。氣體流之速率須夠高 而可促進碳熱還原作用,而又夠低而可避免九粒床之流體 化者。界定適當的氣體流速之方法係Μ占最低流體化速度 ,11„^之百分率表示。1/4 " (0.64cm)丸粒之11„£計算值為 6.4ft/s(l_99m/s) 土 25% 誤差。Uraf 為 Ergun 氏流經一柱 之壓降方程式之導數。D. Kunil及0· Levenspiel於流體 化工程,66-67及70-73頁(1969)論述該導數。S. Ergun於 “流經填充柱之流體流”,化學工稈發届.48期,89-94 頁(1952)解說該方程式。氣體流速占1^£之40至90% ,可 得有利的結果。氣體流速宜占Umf之60至80%。當流速接 近1^£時,九粒床逐漸傾向於懸浮、分離,而非自由移動 通過反應爐。當流速約略達時,床内丸粒開始生成直 通脈路。結果導致未反應的丸粒通過反應瀘。 含氖氣體包含大體純質的氮氣,含氮氣體,及於反應 (請先閲讀背而之注意事項#碭寫本頁) 裝· 訂- 本紙張尺度边用中《«家棕準(CHS)«fM^^(2】〇x2i)7A*) - 12 - 81. 4. 10,000¾ (Η) Λ 6 Β 6 2i〇3i3 五、發明説明() 段溫度時,易轉成氣氣之物料,如氨。含氮氣體由垂直反 應爐底部連續引入,而提供逆者九粒之向下移動的逆流。 含氦氣體的供應速率係足Μ提供足量氦,俾於母質九粒送 出反應段之外前,完成母質九粒的大體完全還原性氮化作 用者。當含気氣體係Μ,藉化學計算學測得可滿足碩熱還 原反應之數量(後文稱為“化學計算量”)之,2至20倍之 速率供應時可得適當結果。有利地,含氮氣體係Μ化學計 算量之4至16倍供應。含氖氣體宜以化學計算量之約6倍 供應。 來自受熱反應段之廢氣含有定量一氧化碳。廢氣中之 一氧化碳分壓低於約10%,代表反應非Μ最佳效率作業。 一氧化碳分壓超過約60%,代表所生成之產物含有非期望 的高水平殘碳或結合碳。廢氣内期望的一氧化碳分壓係由 10至 25%。 · 有利地,反應段偽維持於適合各別有待生產物料之溫 度範圍内。氣化鋁之溫度範圍宜fcl500°C至18001C,期望 由1600t至1750¾。碳化矽之範圍宜由1400Ό至2200¾, 期望由1600C至19001C。氮化矽之範圍宜由12001至1600 C,期望由 1300T:至 1500=。 碳熱還原後之丸粒係藉橒準機構組,如閘料斗或其它 固體移出裝置,由反應爐中移出。丸粒内所含之粗產物係 藉習知技術回收。舉例言之,含於氣供鋁產物内之游離破 ,可於於750至800¾作業的旋轉窯内,於空氣及氦之流動 性流存在下被燒除或被氧化。經燒除後之丸粒隨後利用習 (請先閲讀背而之注意事項洱填寫本頁) 裝< 經濟部屮央#準劝β工消赀合作社印製 木紙張尺度边用中ffl Η家標毕(CNS)TM規怙(210x297公货) -13 — 8]. 4. 10,000張(H) 2103:3 Λ 6 Η 6 經濟部屮央榣準灼Α工消许合作杜印5i 五、發明説明() 知裝置,如二滾軸壓碎機,軋碎,以及若有所需,如於噴 射磨機内硏磨而得適當產物,微粒狀碩化矽。回收包含於 燒除步驟後,進行一額外滾濾步驟,俾去除未反應的或後 反應爐氧化的氧化矽。 下列實施例示例說明本發明,而不得視為限制本發明 之範圍。除非有其它規定,否則所有份數及百分率皆為Μ 重量計。 啻旃例1 : 70 lbs(31.8kgs)氧化鋁及 25 lbs(11.4kgs)磺,於半 填滿Μ 0.5 〃(1.3cm)球形硏磨介質(99. 5%氧化鋁)之79加 侖(gal.〉(300L)珠磨機内,Μ每分鐘30.5轉之速率硏磨4 小時。商業上以商品名A16-SG得自美國鋁業公司,氧化鋁 ,其表面積為9.46ma/g。Μ每百萬之份數(ppm)計,氧化 鋁之雜質水平如下:鈣-66;矽-53;鉻-小於10;及鐵-80 。商業上Μ商品名Shawinigan™乙快黑得自雪佛龍化學公 司之碳,其表面積為67 W/g。碳之雜質水平Ump)如下: 鈣-15 ;矽-120 ;鉻-3 ;及鐵-18。 180 lbs(81.8kgs〉硏製後之物料移至 13ft3(0_37m3) 帶式摻混機,與18 lbs(S.2 kgs〉小麥衍生得之可溶澱粉 乾式摻混約15分鐘。連續摻混中,(3gal . (49L)水Μ約3 gal (11. 4L)/min.之速率加至經乾式摻混之混合物内。 又持纊摻混20分鐘,獲得經濕混物料之可加工或可層合圍 堆° 經濕混物料Μ填充用螺鑽,饋至Bonnet 4 〃(l〇.2cm) (請先lalift背而之注意事項#塥寫本頁) 裝· 訂_ 線. 本紙張尺度边用中S Η家標準(CNS) >P<iym('2]〇x297公货) 14 81. 4. 10,000¾ (Η) 2103^^ 經濟部屮央榣準局Α工消讣合作杜印製 五、發明説明() 單螺桿成型擠壓機。擠壓機配備有132孔,直徑3/ 16 " (0.5cm)之一模板,及一馬達傳動的模面切削機,生成長 3/ 16 " (0.5cm)之正圓柱形擠壓產物。圓柱體於一30 gal (114L)轉鼓内約滾轉8小時,而被滾圓成球形丸粒。滾轉 過程開始前,約1 lb(〇. 4kg〉經硏製的氧化鋁/磺混合物 加至轉鼓,侔降低濕圓柱體粘合之傾向。 球形丸粒於托盤中填充至深2 i η .( 5 . lcm)。托盤載入 經氣清洗之爐内,煅燒九粒。嫌溫M 150¾ / hr之速率增 至150t,於該溫維持15小時,然後,M9〇TC/hr之速率 增至33010及於該溫維持3小時,隨後Μ 6小時時間降至 60C之溫度。煅燒後,丸粒由爐中移出,及使用配備有美 國榡準18號篩(0.001m孔)之24 〃(6 lcm)旋轉篩振搖機,去 除細粉。 篩後的九粒載於垂直管形反應嫌的進料斗。反應爐含 具有長4.5ft (1.4m)熱段之一根内徑1.5in(l 1.4cm)之石墨 管。將經控制的高電流通經管,加熱之。於管之頂與底作 水冷式電連接。管頂配備Μ氣體出口管,及來自可變速式 3 i η . (7.6cm)旋轉進料閥之進料管。進料閥又被供给來自 進料斗的九粒。管底配備Μ可變速式3 in. (7.6cm)旋轉閥 ,侔控制管内物料水平。供给氣態氖之接頭位在旋轉閥上 方,氣態氖向上流經含於管内的九粒床,及經由出口管送 出管頂之外。輔助由反應爐中移出產物的閘料斗配置位於 此閥下方。 '反應爐床水平係由一糸列五個順熱段均勻隔開的高溫 (請先閲讀背而之注意事項再填寫本頁} 15 81. 4. 10,000張(H) 五、發明説明() Λ 6 Η 6 經濟部屮央標準局貝工消贽合作社印製 計.測定。架於反應壚頂之攝影機可提供視覺影像,此影像 與床深度有闢。 反應爐内«Κ足置預先反應的丸粒,而建立床水平係 占熱段之20%後,反應鑪預熱至120〇υ溫度。預熱期間, 氣態気係以1橒準立方英尺/分i (scfm) (28.3標準升/ 分鐘(s/m〉或0.283m3/s>之速率供應给反應麄。一俟達 此溫,Μ 6 lbs/hr(2.7kg/hr)之速率加入經煅燒的丸粒 ,及Μ 1.8 lbs (0.8kg>/hr之速率移出產物九粒。加料與 移出速率持續至床水平或床頂逹熱段之約82%爲止,此時 ,進料速率降至約3 lbs(1.4kg)/hr,俾將床水平維持 於或近82%。隨著床水平之加高,溫度Μ 2. 5小時時間升 至1700Ό。此外,與5經煅燒九粒開始饋入反應爐內同時 ,氣態氣之供料率增至1.7scfm(48.1 sU〉。 由反應爐所得產物爲具有與經煅燒九粒約略同等大小 的淺灰色九粒。藉X射線繞射分析產物,顯示主要爲氣化 鋁。使用帶有型號HF-400爐之LEC0型號IR-412,分析產物 ,顯示碳含量约為3%。使用帶有型號EF-400爐之LEC0型 號TC-436,分析產物,顯示氧含量約為0.2%。此產物又 於旋轉式燒盡式爐内,於750°C,使用空氣與氣之50/50 鱧積比混合物加工歴120分鐘,俾去除過量碳。經進一步 加工後之產物主要含表面積2.41 m3/g之氮化鋁及下列各 雜質:氧-0.7U % ;碳-0·05 % ;鈣-21每百萬份之份數 (ppm);砂-66ppm;銘-9ppm;及鐵 _13ppm。 窨掄例2 : (請先閲讀背而之注意事項孙塡寫本頁) 裝- 線- 卜紙5fc尺度逍用中a Η家樣準(CNS)^M規格(2)0X297公延) 一 16 — 81. 4. 10,000^(11) 五、發明说明() Λ 6 Π 6 經濟部屮央捃準局员工消许合作社印製 經煅燒的九粒係如例1而製備,唯使用4%小麥衍生 之可溶澱粉與6%玉米衍生之不溶澱粉之混合物,取代1〇 %小麥衍生之可溶澱粉。經煅燒九粒之耐碎強度介於6至 9 11^間(26.9N至40.4N間〉。經煅燒九粒係如例1般處理 ,但略修改其過程。修改部分為:氣態氮流速為2.7scfm (76 slm)而非1.7scfm(48.1 slm〉;產物清除速率為每小 時1.2至1.8磅(0· 5至0.8kg〉而非1_ 81b/hr ;及經煅燒丸 粒之進料速率為2.0至3.0 lb(0.9至1.4kg)/hr而非3.0 1 b/ hr。 產物經加工而如例1去除過量碩後,主要爲気化鋁, 表面積為2.83ma/g,及帶如下雜質:氧-1.17% ;磺-ΰ·08% ;鈣-123ppm;矽-83ppm;鉻-少於 lOppm;及鐵-21 ppm ° hh較例A : 重複例1之程序,但持續添加經煅燒之九粒,直至床 頂高於熱段頂約6英吋(15.2cn〇。此對應於床水平約110 %。高於熱段之九粒溫度低於約1000¾。一旦逹成此狀態 ,床水平持績升高,即令由反應器中持續去除產物亦如此 。如此代表反應爐中某一點的床出現架橋或阻塞。 反應爐關閉後,位在床頂或近處之經煅燒料九粒黏合 在一起。 M. 重複例2之程序,但有某些改變。此等改變含反應爐 溫為1600Ό,產物清除速率2.0 lb(0.9kg)/hr,及氮流 (請先閲讀背而之注意事項#填寫本頁) 表紙尺度边用中S ®家標準(CNS) 規枋(210x297公龙) 17 81. 4. 10,000張⑻ 五、發明説明() 速1.8至2·75 scim(51至78 slm)。磺燒光前,產物之氧含 量介於0.5至0.9%。 基於前述參數,達成穩態後,經煅燒丸粒Μ ,藉柑同 方式但未超150¾之溫度煅燒所製得之,九粒置換。易言 之,九粒於15010乾燥,但未煅燒。Μ攝影機抬攝之影像 ,顯示反應爐爐頂之粉塵雲。 經作業數小時後,視頻監視器上影像顯示:床頂顯然 Μ流體床觀察得之類似方式冒泡。產物之氧含量係於5至 20%之範圍。氣含量增高,代表床含有細粒而非九粒,及 粒子經流體化。也顯示有實質百分率之進料材通經反應爐 ,而僅短時間暴於反應條件下。 富掄例3 : 重複例2程序,但僅使用2%可溶性小麥衍生得之澱 粉與8%玉米衍生得之不溶性澱粉之混合物,而非4%可 溶性小麥衍生得之澱粉與8%玉米衍生得之不溶性澱粉之 混合物。經煅燒九粒之耐碎強度爲2至4 lbf (9.0至18.0 N) 〇 經濟部屮央#準局A工消作合作社印製 (請先閲讀背而之注意事項再填寫本頁) 於視頻監視器上可見顯著量之粉塵。代表進料九粒略 出現降解。分析產物!尺寸,顯示分佈範圍廣,非如例2之 具有近乎經煅燒九粒同等大小的九粒。產物之氧含量於 0. 5至0.9%間改變。 · 使用3 %小麥衍生得之可溶澱粉與7 %玉米衍生得之 不溶澱粉的混合物,可得類似的結果。 實施例1 - 3及比較例A和B驗證兩點。第一,本發 本紙張尺度逍用中BH家猱毕(CNS)TM規ifi(2]0x297公; 18 - 8】.4.〗0,000張_(}〇 Λ6 ____Π_6 五、發明説明() 明方法可得具有固定的或結合的碳及氧含量低於約1 %之 產物。第二,小麥澱粉,或含足量小麥澱粉之小麥與玉米 澱粉混合物可用作黏合物料,只要黏合物料經煅燒即可。 使用其它材料及裂程變化,可得類似結果,全體變化皆羼 本發明所揭示之範圍。 (請先閲讀背而之注意事項#塥筠本頁) 經濟部中央標準局Μ工消赀合作杜印製 衣紙張尺度逍用中國s家標準(CNS)TM規怙(210x297公垃) 19 8】.4. 10.000張(H)
Claims (1)
- 經濟部中央揉竿居S工消费合作社印製 A7 B7 C7 D7 9 修正必 a 來年ν月日 i補充 六、申請專利範固 第81 102150號申請案申請專利範圍修正本 修正日期:82年2月 1. 一樣由對應之金颶氧化物製備金屬氮化物或金屬碳化 粉末 琢^方法,該方法包括: 將經煅燒的多孔母質九粒以下述速率,直接加至垂直 的重力流式硝熱反應爐之經受熱的長形反應段,所述 速率係足以部分,而非完全,填滿反應段,及生成九 粒床者,所述丸粒床逆著逆流氣體流而向下流經反應 段;添加時,母質九粒係處於低於或等於用來烺燒該 母質之溫度下;母質九粒含有至少一種金麋氧化物, 碳或碳源,及黏合劑;反應段係維持於足Μ將該等九 粒脫去揮發份,Μ及將金屬氧化物藉磺.熱式還原成其 對應之金鼴氦化物或金*碩化物之溫度下; 將母質丸粒脫去揮發份,俾確保大體上全部揮發組分 皆送出反應爐外,而並未冷凝於反應爐内面上,或冷 凝於九粒床内之其它九粒上;及 藉碩熱方式將金羼氧化物還原成其對應之金羼氮化物 或金屬碛化物。 2. 如申請專利範圍第1項之方法,其中之金羼氧化物爲 氧化鋁,氣體流包括氮,及對應之金屬氮化物為氮化 鋁。 3. 如申請專利範圍第1項之方法,其中之金屬氧化物爲 氧化矽*氣體流包括氬,及對應之金*磺化物爲碳化 砂。 ------ί.ΊΙ.-------「-------裝------tr-----「線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)· 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)甲4规格(210 X 297公笼) 81.9.10,000 '0 A7 B7 C7 D7 六、申請專利範囲 4_如申請專利範圍第〗項之方法,其中之金屬氧化物為 氧化矽,氣體流包括気,及對應之金雇気化物為氣化 砂。 5. 如申請專利範圍第1、2、3、或4項之方法,其中 之母質丸粒含有黏合劑而其數量係當九粒饋至通氧反 應段,暴於熱震下時,允許九粒保有其結構完整性者 〇 6. 如申請專利範圍第5項之方法,其中之黏合劑為小麥 與玉米澱粉之摻合物,該摻合物之存在量,K母質重 量為準,爲1至20%重量比。 7. 如申請專利範圍第6項之方法,其中之小麥及玉米澱 粉係以小麥澱粉對玉米澱粉之重量比屬_於1: 10至10 :1之範圍而存在者。 8·如申請專利範圍第'2項之方法,其中之溫度係維持於 由1500TC至1800¾之範圍俥生產氮化鋁粉末。 9·如申請專利範圍第4項之方法,其中之溫度係維持於 由12001至1600它之範圍俥生產氮化矽粉末。 經濟部中央標準居員工消费合作社印製 1〇·如申請專利範圍第3項之方法,其中之溫度係維持於 由14001C至2200 C之範菌俾生產金靥碳化物粉末。 11. 如申請專利範圍第8項之方法,其中之氮化鋁具低於 重量百分比1 %之氧含量。「. | 12. 如申請專利範圍第π騸纒項之方法,其 中之氧含量係由重量百分比0.2至0.7% ° 13. 如申請專利範圍第5項之方法,其中之經锻燒的母質 81.9.10,000 本紙張尺度適用中國因家樣準(CNS>甲4規格(210 X 297公楚〉 經濟部中央標準局R工消费合作社印製 A7 c; D7 六、申請專利範团 九粒係以足Μ,對長1.4cm而直徑11.4cm之熱段,維 持九粒床之上表面水平係在熱段之65至95%範圍内之 速率而添加者。 14.如申請專利範圍第13項之方法,其中之經煅燒的母質 九粒具有於44至88牛頓範圍內之耐碎強度。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)甲4規格(210 X 297公釐) 81.9.10,000
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US67362491A | 1991-03-22 | 1991-03-22 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW210329B true TW210329B (zh) | 1993-08-01 |
Family
ID=24703426
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW081102150A TW210329B (zh) | 1991-03-22 | 1992-03-21 |
Country Status (16)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US5370854A (zh) |
EP (1) | EP0576540B1 (zh) |
JP (1) | JPH06505955A (zh) |
CN (1) | CN1065448A (zh) |
AT (1) | ATE128102T1 (zh) |
AU (1) | AU650734B2 (zh) |
BR (1) | BR9205846A (zh) |
CA (1) | CA2105776C (zh) |
DE (1) | DE69204996T2 (zh) |
DK (1) | DK0576540T3 (zh) |
ES (1) | ES2077409T3 (zh) |
FI (1) | FI934127A (zh) |
IL (1) | IL101314A0 (zh) |
NO (1) | NO933361D0 (zh) |
TW (1) | TW210329B (zh) |
WO (1) | WO1992016457A1 (zh) |
Families Citing this family (35)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0519806B1 (fr) * | 1991-06-19 | 1997-03-19 | Elf Atochem S.A. | Procédé continu de préparation de nitrure d'aluminium par carbonitruration d'alumine |
FR2687393B1 (fr) * | 1992-02-18 | 1994-04-15 | Elf Atochem Sa | Procede continu de preparation de nitrure de silicium par carbonitruration et nitrure de silicium ainsi obtenu. |
FR2710048B1 (fr) * | 1993-09-17 | 1995-11-03 | Atochem Elf Sa | Procédé de préparation en continu de nitrure d'aluminium par carbonitruration d'alumine. |
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Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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-
1992
- 1992-02-27 AT AT92907918T patent/ATE128102T1/de not_active IP Right Cessation
- 1992-02-27 WO PCT/US1992/001482 patent/WO1992016457A1/en active IP Right Grant
- 1992-02-27 DK DK92907918.4T patent/DK0576540T3/da active
- 1992-02-27 CA CA002105776A patent/CA2105776C/en not_active Expired - Fee Related
- 1992-02-27 AU AU14683/92A patent/AU650734B2/en not_active Ceased
- 1992-02-27 BR BR9205846A patent/BR9205846A/pt not_active Application Discontinuation
- 1992-02-27 DE DE69204996T patent/DE69204996T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1992-02-27 ES ES92907918T patent/ES2077409T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1992-02-27 JP JP4507382A patent/JPH06505955A/ja active Pending
- 1992-02-27 EP EP92907918A patent/EP0576540B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1992-03-20 IL IL101314A patent/IL101314A0/xx unknown
- 1992-03-21 TW TW081102150A patent/TW210329B/zh active
- 1992-03-21 CN CN92101899A patent/CN1065448A/zh active Pending
-
1993
- 1993-01-08 US US08/001,990 patent/US5370854A/en not_active Expired - Fee Related
- 1993-09-21 FI FI934127A patent/FI934127A/fi unknown
- 1993-09-21 NO NO933361A patent/NO933361D0/no unknown
-
1994
- 1994-08-24 US US08/296,051 patent/US5607297A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
AU650734B2 (en) | 1994-06-30 |
JPH06505955A (ja) | 1994-07-07 |
DE69204996T2 (de) | 1996-02-08 |
CA2105776A1 (en) | 1992-09-23 |
US5607297A (en) | 1997-03-04 |
DK0576540T3 (da) | 1996-02-12 |
WO1992016457A1 (en) | 1992-10-01 |
FI934127A0 (fi) | 1993-09-21 |
CN1065448A (zh) | 1992-10-21 |
EP0576540A1 (en) | 1994-01-05 |
BR9205846A (pt) | 1994-08-02 |
CA2105776C (en) | 2002-04-23 |
IL101314A0 (en) | 1992-11-15 |
US5370854A (en) | 1994-12-06 |
EP0576540B1 (en) | 1995-09-20 |
ATE128102T1 (de) | 1995-10-15 |
FI934127A (fi) | 1993-09-21 |
ES2077409T3 (es) | 1995-11-16 |
NO933361L (no) | 1993-09-21 |
DE69204996D1 (de) | 1995-10-26 |
NO933361D0 (no) | 1993-09-21 |
AU1468392A (en) | 1992-10-21 |
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