TW202405960A

TW202405960A - 熱管理結構及製造熱管理結構的方法

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Publication number: TW202405960A
Application number: TW112127634A
Authority: TW
Inventors: 林君明
Original assignee: 林君明
Priority date: 2022-07-28
Filing date: 2023-07-24
Publication date: 2024-02-01
Also published as: JP2024019051A

Abstract

本發明實施例提供一種封裝結構及其形成方法。封裝結構包括第一晶粒和熱管理結構，第一晶粒具有前表面及相對於前表面的後表面，熱管理結構位於第一晶粒的後表面上方。熱管理結構包括第一磷銅合金層，其熱耦合至第一晶粒的後表面。

Description

熱管理結構及製造熱管理結構的方法

本案涉及有關熱管理結構及製造熱管理結構的方法。

半導體積體電路(IC)行業經歷了指數級增長。IC材料和設計方面的技術進步使得每一代新的IC都具有比上一代更小、更複雜的電路。在IC發展過程中，功能密度(即每個晶圓面積的互連裝置數量)普遍增加，而幾何尺寸(即可以使用製程創建的最小組件(或線))則縮小。這種按比例縮小的過程的優點，通常是可提高生產效率。

半導體裝置和積體電路廣泛用於各種電子應用，例如手機和其他電子設備。晶圓的晶粒可以與其他半導體裝置或晶粒在晶圓級進行加工和封裝，並且已開發各種用於晶圓級封裝的技術。例如，晶圓級封裝面臨很多需要解決的問題。

半導體結構和微電子封裝的主要問題是散熱不良和缺乏達成熱管理的能力。半導體結構和微電子封裝可能具有局部過熱的問題，這不利於電子裝置的產量、性能和可靠性。

根據本案一實施例，一種封裝結構，其包括：第一晶粒，其具有前表面和後表面，該後表面與該前表面相對；以及第一熱管理結構，其位於該後表面上方，該第一熱管理結構包括：第一磷銅合金層，其熱耦合至該第一晶粒的該後表面。

根據本案一實施例，一種封裝結構，其包括：第一晶粒，其具有前表面和後表面，該後表面與該第一晶粒的該前表面相對，該第一晶粒具有第一寬度；第二晶粒，其具有前表面和後表面，該後表面與該第二晶粒的該前表面相對，該第二晶粒具有第二寬度，該第二寬度大於該第一寬度，該第一晶粒的該後表面朝向該第二晶粒的該前表面；凸塊結構，其電性連接至該第一晶粒和該第二晶粒；以及熱管理結構，其位於該第一晶粒的該後表面和該第二晶粒的該後表面上方，其中該熱管理結構包括第一磷銅合金層，該第一磷銅合金層熱耦合至該第一晶粒的該後表面和該第二晶粒的該後表面。

根據本案一實施例，一種封裝結構，其包括：第一晶粒，其具有前表面和後表面，該後表面與該第一晶粒的該前表面相對；第二晶粒，其具有前表面和後表面，該後表面與該第二晶粒的該前表面相對，該第一晶粒的該前表面朝向該第二晶粒的該前表面；第一凸塊結構，其電性連接至該第一晶粒和該第二晶粒；以及熱管理結構，其位於該第一晶粒的該後表面和該第二晶粒的該後表面上方，其中該熱管理結構包括第一磷銅合金層，該第一磷銅合金層熱耦合至該第一晶粒的該後表面和該第二晶粒的該後表面。

經由本案所提出的熱管理結構，能讓半導體裝置具有優異的導熱性、阻礙擴散的能力，與矽表面之間的黏合力強、重量更輕、尺寸更小等優點。

本申請主張2022年7月28日提交的美國非臨時申請案第17/815,613號以及2023年6月12日提交的美國非臨時申請案第18/333,130號的優先權，其公開內容通過引用整體併入本文。

本申請引用2022年3月18日提交的美國非臨時申請案第17/697,937號中所闡述的整體說明書和附圖。

以下揭示內容提供了許多不同的具體實施例或示例，用於實現所提供主題的不同特徵。下面描述組件和佈置的具體示例以簡化本發明。當然，這些僅是示例而不是限制性的。例如，在以下描述中在第二特徵上方或之上形成第一特徵可包括第一特徵和第二特徵形成為直接接觸的具體實施例，並且還可以包括在第一和第二特徵之間形成額外特徵的具體實施例，使得第一和第二特徵不直接接觸。此外，本發明可以在各種示例中重複參考數字及/或字母。這種重複的目的是為了簡單和清楚，並且其本身並不限定所討論的各種具體實施例及/或配置之間的關係。

此外，為了便於描述，本文可以使用諸如「之下」、「下方」、「較低」、「上方」、「較高」等空間相對術語來描述一個元件或特徵與另一元件或特徵的關係，如圖所示。除了附圖中描繪的方位之外，空間相關術語旨在涵蓋在使用或操作中設備的不同方位。設備可以利用其他方式定向(旋轉90度或以其他方向)，並且同樣可以相應地解釋本文中使用的空間相關描述符號。

儘管闡明本發明的廣泛範圍的數值範圍和參數是近似值，但盡可能準確地報告具體實施例中闡述的數值。然而，任何數值本質上都具有某些誤差，這些誤差必然是由在相應測試測量中發現的標準偏差引起的。此外，如本文所用，術語「大約」、「基本上」、「實質上」和「大約」用於描述和解釋小的變化。當與事件或情況結合使用時，這些術語可以指事件或情況準確發生的情況以及事件或情況發生的情況非常接近。例如，當與數值結合使用時，這些術語可以指小於或等於該數值的正負10%的變化範圍，例如小於或等於正負5%、小於或等於正負4%，小於或等於正負3%，小於或等於正負2%，小於或等於正負1%，小於或等於正負0.5%，小於或等於正負0.1%，或小於或等於正負0.05%。例如，如果兩個數值之間的差異小於或等於平均值的正負10%，例如小於或等於正負5%，則可認為兩個數值「基本」相同或相等、小於等於正負4%、小於等於正負3%、小於等於正負2%、小於等於正負1%、小於等於正負0.5%、小於等於至正負0.1%，或小於或等於正負0.05%。例如，「基本上」平行可以指小於或等於正負10°的相對於0°的角度變化範圍，例如小於或等於正負5°、小於或等於正負4°、小於或等於正負3°、小於或等於正負2°、小於或等於正負1°、小於或等於正負0.5°，小於或等於正負0.1°，或小於或等於正負0.05°。例如，「基本上」垂直可指小於或等於正負10°的相對於90°的角度變化範圍，例如小於或等於正負5°、小於或等於正負4°、小於或等於正負3°、小於或等於正負2°、小於或等於正負1°、小於或等於正負0.5°，小於或等於正負0.1°，或小於或等於正負0.05°。因此，除非有相反的指示，否則在本發明和所附請求項中提出的數值參數是可以根據需要變化的近似值。至少應根據報告的有效數字的數量並應用普通的捨入技術來解釋每個數值參數。範圍在本文中可以表示為從一個端點到另一個端點或兩個端點之間。除非另有說明，否則本文揭示的所有範圍均包括端點。

電子裝置普遍具有散熱不良的問題。具體而言，傳統散熱片尺寸大、重量大、厚度大，難以應用於改良封裝結構或其他電子裝置，這可能會違背電子裝置尺寸逐漸縮小的趨勢。此外，傳統的散熱片太重，進而導致相鄰微電子裝置的可靠性產生問題，這些微電子裝置可能包括具有較低應變/應力容限的改良技術特徵。在其他對比實施例中，傳統的熱界面材料(TIM，例如散熱膏)容易產生可靠性問題。特別是，在乾燥條件下TIM可能會破裂，而在潮濕條件下TIM可能會產生氣泡(這可能會進一步導致裂紋)。這些問題尤其阻礙了TIM在汽車電子、航空電子或其他對可靠性要求非常高的行業中的應用。在其他比較實施例中，使用基本純銅作為散熱片可能會面臨銅氧化的問題，這很容易產生可靠性問題。

因此，本發明實施例提供了與各種類型的設備高度兼容，及更小、更薄和更輕的熱管理結構。特別是，磷銅合金(例如Cu ₃P)可結合到各種應用中的散熱結構中，例如半導體裝置、封裝、晶圓、晶圓基板、積體電路(IC)、印刷電路板(PCB)、中介層、再分佈層、核心基板、無核心基板、陶瓷基板、接合結構、及凸塊結構等。在一些具體實施例中，可進行化學鍍或電鍍操作形成磷銅合金層。標題為「包括磷銅合金的導電結構和製造導電結構的方法」的美國專利申請案第17/697,937號的全部內容通過引用併入本文。可以參考上述併入的參考文獻找到電鍍技術的細節。例如，可藉由在鍍液中提供磷基化學品和銅基化學品形成磷銅合金，其中磷基化學品可以是下列化學品之一：磷化氫(PH ₃)、磷醯氯(POCl ₃)或三氯化磷(PCl ₃)。相對的，銅基化學品可以是以下化學品之一：硫酸銅(II)(CuSO ₄)或焦磷酸銅(II)(Cu ₂P ₂O ₇)。在一些具體實施例中，所形成的磷銅合金可表現出更好的品質和潤濕性，進一步改良裝置性能。

在本發明實施例中，為各種類型的封裝結構或半導體結構提供了用於熱管理的裝置，如分別參考圖1至圖14所討論的。一些具體實施例提供一種封裝結構，利用更好且眾所周知的頂部冷卻(TSC)方式，而非底部冷卻(BSC)方法，將熱管理結構電鍍在晶粒的後表面上。因此，可以改良這種結構的熱管理性能(因為與裸露的封裝頂面相比，引線的熱阻要高得多)，其中這種熱管理裝置可能有助於改善散熱，並帶走熱量，以緩解局部過熱的問題(如對於高壓功率裝置，可防止裝置的某處溫度超過閾值、減緩溫度上升速度、而增加可靠性)。

此外，在本發明實施例中，磷銅合金(例如Cu ₃P)具有更緻密的結構，可提高抗腐蝕、耐磨性、潤濕性、強度、韌性、共形性、及加工性等。此外，與傳統散熱板和熱界面材料(如散熱膏)相比，包含磷銅合金(如Cu ₃P)的散熱結構表現出更高的導熱性和導電性。

本發明實施例中的磷化銅(I)(Cu ₃P)可包括: 非化學計量化合物Cu _3-xP，其中在一些具體實施例中，x可以小於0.1以變成缺銅的Cu ₃P。換句話說，磷化銅(I)中的磷成分(例如，按重量百分比計算)可在約13.98%至約14.39%的範圍內。

磷銅合金(尤其是Cu ₃P)的上述優點提供了更好的整體裝置性能，並且這種與半導體結構的製造操作的高度兼容性更具潛能及改變封裝結構的配置，進一步增強裝置性能。在某些情況下，傳統散熱裝置缺乏一致性和可加工性，限制了應用於封裝技術的潛在可能性。

本發明實施例利用電鍍操作，形成磷銅合金(尤其是Cu ₃P)，其可兼容用於各種類型的製程，並形成: 半導體裝置、封裝、晶圓、晶圓基板、PCB、IC、中介層、再分佈層、核心基板、無核心基板、陶瓷基板、接合結構、及凸塊結構等。

在一些具體實施例中，可藉由化學鍍或電鍍技術形成磷銅(其可以包括Cu ₃P)。化學鍍(也可稱為化學鍍或自催化鍍)是一種: 利用金屬陽離子在液槽中的自催化化學還原作用，在各種材料上形成金屬，或含金屬合金塗層的技術，其方法是將待電鍍的工件浸入還原劑中，還原劑在被某些材料催化時，可將金屬離子轉變為在工件上形成塗層的金屬。通常，化學鍍技術的優點包括兼容性和產品品質。在某些情況下，化學鍍技術既可應用於導電工件，也可應用於非導電工件，也可應用於尺寸較小或表面積較小的工件。此外，與電鍍技術相比，藉由化學鍍技術形成的塗層可表現出更好的抗腐蝕，及/或更好的耐磨性。

相反地，電鍍是一種藉由施加外部產生的電流在各種材料上形成金屬塗層的技術。電鍍技術的優點包括效率更高且產量更大。

通常，使用化學鍍或電鍍操作更容易控制磷銅的厚度，並且即使當磷銅的熱管理結構的厚度較低，如此產出的薄膜，仍能表現出優異的熱管理性能。

半導體結構的具體實施例，其包括熱管理結構1，其包括黏合層1a、位於黏合層1a上方的擴散阻擋層1b，及位於擴散阻擋層1b上方的磷銅合金層1c(其可以包括Cu ₃P)，後續將參考圖1進行討論。

參考圖1，圖1是根據本發明的一些具體實施例在製造操作中間階段期間的半導體結構的剖面圖。設有基板101，基板101包括前表面101F和後表面101B，後表面101B背對前表面101F。

在一些具體實施例中，將基板101的厚度縮減至預定大小，例如，將基板101的厚度T101縮減至約20μm至約50μm的範圍內。在一些具體實施例中，基板101中界定出預定的切割區域101D，隨後可以根據切割區域101D對基板101進行切割。在一些具體實施例中，進行半切割法操作以產生延伸至基板101中間位置的凹槽，此時基板101的各部分暫時尚未分離。在一些替代實施例中，基板處可形成劃線以界定隨後將被切割的區域。

在一些具體實施例中，將基板101上下翻轉用於微影製程。即，基板101的後表面101B朝向上方。應用剝離方法將熱管理結構1沉積在後表面101B上及基板101上的晶粒周邊周圍。在基板101的後表面101B上形成光阻劑層191，或利用乾膜以作為保護層，其中，光阻劑層191可包括環氧類光阻劑材料(如SU-8光阻劑等)的負性光阻劑，或聚合物材料(如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)等)的正性光阻劑。注意正性光阻劑的分辨率比負性光阻劑好，但需要電子束微影技術，將正性光阻劑變為負性光阻劑。

可部分移除光阻劑層191，以暴露基板101後表面101B的至少一部分。在一些具體實施例中，光阻層191的剩餘部分可與半切割區域101D(或切割線)重疊。然後，在基板101後表面101B暴露部分的上方，形成熱管理結構1。在一些具體實施例中，熱管理結構1包括磷銅合金(例如Cu ₃P)。

在一些具體實施例中，熱管理結構1的形成包括在基板101後表面101B暴露部分的上方形成黏合層1a；在黏合層1a的上方形成擴散阻擋層1b；在擴散阻擋層1b的上方形成磷銅合金層1c(其可包括Cu ₃P)。在一些具體實施例中，在形成熱管理結構1期間，複合金屬層192包括一部分的黏合層1a、擴散阻擋層1b，和磷銅合金層1c；複合金屬層192也同時形成，或沉積在光阻劑層191的頂部。

在一些具體實施例中，黏合層1a配置成可減輕因為下方矽表面(即，基板101後表面101B的暴露部分)，例如藉由共晶接合，所引起的晶格不匹配問題。因此，黏合層1a可增強熱管理結構1與基板101之間的黏合力。黏合層1a可包括以下的至少一種：(a)導電層，例如晶格常數相對接近矽的金屬層(例如銀、鋁、金等)、(b)金屬矽化物層(例如鎳矽化物、鈷矽化物、鈀矽化物等)，其厚度範圍可在從0.1μm至約0.6μm之間、或(c)潤濕層(例如鎳晶種層等)，其中鎳和矽之間的晶格不匹配可降低到0.4%左右，且鎳和矽之間的黏合力是足夠的。在一些具體實施例中，要克服磷銅合金結合到半導體裝置中時所產生的可靠性問題(例如剝離)，可使用黏合層1a作為輔助。

在一些具體實施例中，在黏合層1a包括鎳晶種層的情況下，黏合層1a的厚度可在約0.5μm至約2μm的範圍內。此外，可利用以下方式形成鎳晶種層：在下方矽表面(即基板101的後表面101B的暴露部分)上形成鎳層，對鎳層與基板101進行退火，改變鎳層與基板101之間的界面性質。在一些具體實施例中，退火操作可包括使用準分子雷射退火操作(其可使用雷射氣體，例如XeF、XeCl、KrF、KrCl、ArF、氟氣等)。在退火操作下，靠近鎳層和基板101之間界面的Ni ₂Si(具有較高的鎳濃度)可以轉化為NiSi，且一部分NiSi會再進一步轉化為NiSi ₂，其與Ni ₂Si相比可提供更大的黏合力。

擴散阻擋層1b可用於緩和擴散，並可降低內應力。在一些具體實施例中，擴散阻擋層1b可包括以下至少一種：(a)鈷磷(CoP)層，其可藉由化學鍍技術形成，且厚度範圍約在0.1μm至約0.6μm之間，(b)鎳層，其可藉由化學鍍操作形成，且厚度範圍約在0.5 μm至約2 μm之間，(c)耐火金屬層、金屬氮化物衍生物，或金屬合金(例如鈦、鎢、鉬、鉭、釩、鈦鎢、鈦鎢氮化物、W ₂N、TiN、及TaN等)，其可藉由物理氣相沉積(PVD)形成，且厚度範圍約在0.1μm至約0.5μm之間。具體而言，與利用PVD操作形成的材料相比，鈷磷(CoP)層表現出更大的階梯覆蓋，且表現出強大的阻礙擴散的能力。另一方面，耐火金屬層、金屬氮化物衍生物，或其金屬合金(例如鈦、鎢、鉬、鉭、釩、鈦鎢、鈦鎢氮化物、W ₂N、TiN、及TaN等)表現出更大的導熱性，同時可阻礙高溫下的擴散。

磷銅合金層1c相比於傳統的散熱板和熱界面材料，具有更大的導熱性，及更緻密的結構，可提高抗腐蝕、耐磨性、潤濕性、強度、韌性、共形性、及加工性等。

而後採用剝離法去除光阻劑層191。不僅光阻劑層191，還有沉積的三層複合金屬層192(1a、1b和1c)也可以去除，並且只有1a、1b和1c這三層保留在每個晶粒上。然後藉由切割操作將基板101分成多個晶粒。例如，切割操作是全切割法操作，且可根據切割區域101D或切割線來執行。在一些具體實施例中，使用金剛石切割機或雷射執行切割操作。在執行切割操作之後，在基板101(其後表面101B上方佈置有熱管理結構1)上產生分離部分，基板101可以是晶粒。如前所述，熱管理結構1的熱管理是促進散熱。熱管理結構1表現出優異的導熱性、阻礙擴散的能力，與矽表面之間的黏合力強、重量更輕、尺寸更小(例如厚度更薄)。此外，形成這種熱管理結構1的製程，高度兼容於形成其他電子裝置的其他普通操作。

隨後將參考圖2的具體實施例，進一步討論包括熱管理結構1的半導體結構。具體地，參考圖2討論的熱管理結構1進一步包括背向基板101頂表面處的鋸齒輪廓。也就是說，熱管理結構1包括: 多個突起1d。在一些具體實施例中，熱管理結構1的鋸齒輪廓包括: 平面部1c和在平面部1c之上的鋸齒部1d。

在熱管理結構1的磷銅合金層1c上將光阻劑層圖案化，其中，所述光阻劑層可包括環氧基光阻劑材料(如SU-8光阻劑等)，或高分子材料(如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)等)。在一些具體實施例中，將光阻劑層圖案化成若干突起1d(其類似於鋸齒頂部輪廓)，其中至少部分磷銅合金層1c從光阻劑層暴露出來。

在一些具體實施例中，藉由化學鍍操作在熱管理結構1和光阻劑層上方，形成厚度小於1μm的磷銅合金材料層1d。另外，也可藉由電鍍操作形成厚度小於200μm的磷銅合金層1d，以獲得更緻密、更厚的結構層，並提高散熱效率。在一些具體實施例中，磷銅合金材料層1d的輪廓與熱管理結構1和光阻劑層的表面輪廓共形。在一些具體實施例中，磷銅合金材料層1d的一部分位於磷銅合金層1c的暴露部分之上，另一部分位於光阻劑層之上。

執行光阻劑去除的操作。請注意，此處執行的光阻劑去除操作是使用負性光阻劑(例如聚異戊二烯橡膠)或正性光阻劑(例如作為光阻劑的Novolac樹脂或其等效物)，其與傳統的環氧基光阻劑材料(例如SU-8、PMMA等)相比，能夠形成更薄的層，完成剝離製程步驟，去除光阻劑層和光阻劑層正上方的部分磷銅合金材料層。去除光阻劑後，會殘留一部分磷銅合金材料層，以下將殘留部分稱為突起1d。突起1d包括磷銅合金(例如Cu ₃P)。

此外，磷銅合金層1c的一部分可從突起1d暴露出來。磷銅合金層1c和突起1d可以統稱為導熱層1X，其具有鋸齒狀的輪廓。進一步地，熱管理結構1(例如，其可包括黏合層1a、擴散阻擋層1b、磷銅合金層1c)和突起1d可以統稱為熱管理模組1Y，可從參考圖1進行的討論中找到關於黏合層1a、擴散阻擋層1b和磷銅合金層1c的討論內容。在一些具體實施例中，可進行進一步的蝕刻操作，以在熱管理結構1中形成凹陷或中空結構，進而增加表面積並促進散熱能力。在一些具體實施例中，可重複參照圖2討論的操作，以增加突起1d的高度。

隨後將參考圖3和圖4，討論用於形成晶粒方法的具體實施例。具體地，熱管理結構1、磷銅合金材料層2(參見圖4)和散熱器3結合到參考圖3和圖4所討論的半導體結構中，以促進散熱能力。散熱器3的整體底面積，可大於晶粒區域101D。

參考圖3，圖3是根據本發明的一些具體實施例，在製造操作中間階段期間的半導體結構的剖面圖。載體381具有第一表面381A及相對於第一表面381A的第二表面381B。在一些具體實施例中，載體381是由具有足夠硬度或機械強度的材料製成。例如，可由玻璃製成載體381。膠帶382附著到載體381的第一表面381A。在一些具體實施例中，膠帶382可由矽膠帶、熱釋放膠帶、紫外線(UV)環氧樹脂膠帶，或其他合適的材料製成。在一些具體實施例中，膠帶382的第一表面382A和第二表面382B具有黏性，其中膠帶382的第二表面382B附著於載體381的第一表面381A，膠帶382的第一表面382A背對載體381。

多個晶粒301附著到膠帶382的第一表面382A。在一些具體實施例中，每個晶粒301具有附著到膠帶382第一表面382A的前表面301F，及背對膠帶382的後表面301B。在一些具體實施例中，將一些晶粒301佈置成陣列，或者當俯視時是沿著一條或多條線佈置晶粒301。在一些具體實施例中，晶粒在附著到膠帶382之前厚度被削薄。在一些具體實施例中，一些晶粒301是分離的。在一些具體實施例中，可將裝置、主動區域或導電特徵形成在接近晶粒301前表面301F的位置處。

在一些替代具體實施例中，基板附著到膠帶382的第一表面382A，其中，將基板進行半切割法的預處理，以界定出每個晶粒的位置(也就是隨後將如何切割每個晶粒)，以方便後續的切割操作。或者說，這樣的基板包括多個晶粒301，其中一些晶粒301可以是時連接的。

形成熱管理結構1以覆蓋晶粒301。可從參照圖1的討論中找到熱管理結構1的細節，其中，熱管理結構1包括黏合層1a、黏合層1a上方的擴散阻擋層1b和擴散阻擋層1b上方的磷銅合金層1c(其可包括Cu ₃P)。在一些具體實施例中，黏著層1a附著於晶粒301，而磷銅合金層1c遠離晶粒301。磷銅合金層1c可以熱耦合到晶粒301的側表面。在一些具體實施例中，磷銅合金層1c的厚度可小於200μm。在一些具體實施例中，熱管理結構1也可形成在晶粒301之間的間隙中，其中黏合層1a可直接接觸晶粒301的側壁。在一些具體實施例中，利用化學鍍和電鍍操作形成磷銅合金層1c，進而可提高磷銅合金層1c覆蓋晶粒301的品質。此外，可避免由於晶粒301之間的熱管理結構1的連接所引起的問題。

在一些具體實施例中，將第一光阻劑層(未單獨示出)沉積和圖案化，使得可在晶粒301之間的切割區域(未單獨示出)上方形成掩模層。當熱管理結構1沉積在晶粒301的上表面和側壁上時，第一光阻劑層覆蓋一部份膠帶382的第一表面382A，因此一部份的第一表面382A未被熱管理結構1覆蓋。在完成熱管理結構1的形成之後，可將第一光阻劑層去除或剝離。

多個散熱器3設置在熱管理結構1上方。在一些具體實施例中，每個晶粒301的後表面301B設置有一個或多個散熱器3。在一些具體實施例中，一個晶粒301對應一個散熱器3，其中散熱器3的寬度W3小於晶粒301的寬度W301。在一些具體實施例中，散熱器3可包括: 銅、泡沫銅、鋁、導熱金屬、陶瓷、Al ₂O ₃、及AlN等材料。在一些具體實施例中，為了提高散熱效率，可將每個散熱器3的表面積設計成: 大於具有相似體積的立方體形散熱器的表面積。在一些具體實施例中，散熱器3可具有帶鋸齒輪廓的一個或多個表面。例如，每個散熱器3可在一側或兩側(例如沿Z方向)具有多個鰭狀突起。在一些具體實施例中，散熱器3是指整個外表面的鰭狀散熱器3。在一些具體實施例中，散熱器3具有多個外露的間隙或孔，以減輕重量並增加散熱面積。在一些具體實施例中，散熱器3的底部可直接接觸熱管理結構1的磷銅合金層1c。從熱容方面進行考量，散熱器3可提供散熱路徑，緩解局部過熱問題。

形成磷銅合金材料層2M以覆蓋散熱器3的暴露表面。在一些具體實施例中，磷銅合金材料層2M的材質為Cu ₃P。在一些具體實施例中，磷銅合金材料層2M還覆蓋了熱管理結構1第一表面1A從散熱器3暴露出來的部分。在一些具體實施例中，磷銅合金材料層2M覆蓋散熱器3的頂部、四個側面和底部。磷銅合金材料層2M的厚度T2的範圍，可在約20μm至約200μm之間。在一些具體實施例中，可藉由同時應用化學鍍和電鍍操作形成磷銅合金材料層2M，其中將晶粒301、載體381、膠帶382、熱管理結構1及散熱器3設置於系統的電鍍液中。磷銅合金材料層2M提供優良的散熱能力，且進一步提高熱管理結構1的散熱器3與磷銅合金層1c之間的附著力(圖3中未示出1c，但可在圖1中找到)。也就是說，散熱器3可緊密地附著到晶粒301，且提高了其可靠性。

在一些具體實施例中，將第二光阻劑層(未單獨示出)沉積和圖案化，以便在晶粒301之間的切割區域的上方形成掩模層。當磷銅合金材料層2M沉積在散熱器3的上表面和側壁上時，一部份膠帶382的上表面382A由於被第二光阻劑層覆蓋，因此未被磷銅合金材料層2M所覆蓋。在完成熱管理結構1的磷銅合金材料層2M的形成後，可將第二光阻劑層去除或剝離。因晶粒301之間切割區域的空隙沒有被熱管理結構1或磷銅合金材料層2M佔據，可以降低切割區域的材料厚度，因此，可更順利地進行切割操作。

參考圖3和圖4，圖4是根據本發明的一些具體實施例在製造操作中間階段期間的半導體結構的剖面圖。執行切割操作使得能以預定方式分離每個晶粒301。在一些具體實施例中，是使用金剛石切割機或雷射執行切割操作。請注意，磷銅合金材料層2M(或2)(如圖3所示)的厚度T2的範圍(如圖3所示)可在約20μm至約200μm之間。在一些具體實施例中，切割操作的深度可到達晶粒的前表面381F(如圖3所示)。

如圖3和圖4所示，在進行切割操作之後，晶粒301可與膠帶382分離，進而得到晶粒301，及熱管理結構1、磷銅合金材料層2(磷銅合金材料層2M被切割後剩餘的部分)，還有附著到晶粒301的一個或多個散熱器3。以下可將熱管理結構1、磷銅合金材料層2和一個或多個散熱器3統稱為熱管理輔助單元4。

其中，磷銅合金材料層2的性能表現出良好的抗腐蝕、耐磨、強度及/或韌性。故磷銅合金材料層2還可作為防腐(或防銹)保護層。因此，可省略對散熱器3的額外防銹處理，進而降低成本並提高產量。此外，一些傳統的防銹處理甚至會降低散熱器3的散熱能力。另外，如前所述，磷銅合金材料層2的形成高度兼容於散熱器3的各種材料，例如，包括但不限於銅、泡沫銅、鋁、導熱金屬、陶瓷、Al ₂O ₃、及AlN。

在一些可選的實施例中，熱管理輔助單元4還可包括導電層2a、第一磷銅合金材料層2b和第二磷銅合金材料層2c。導電層2a可以是銀層或金層，以共形方式塗覆在散熱器3上。也就是說，導電層2a位於第一磷銅合金材料層2b與散熱器3之間。在一些具體實施例中，導電層2a覆蓋散熱器3的頂部、四個側面和底部，第一磷銅合金材料層2b覆蓋導電層2a的頂部和四個側面。銀(或金)層2a可進一步增強散熱能力。進一步地，第一磷銅合金材料層2b可減輕下層導電層2a的氧化，進一步增強熱管理輔助單元4的抗腐蝕能力。第二磷銅合金材料層2c可形成在散熱器3X底部的間隙和孔的表面上。在一些具體實施例中，導電層2a以共形方式塗覆散熱器3X底部的間隙和孔的表面，然後再覆蓋第二磷銅合金材料層2c。

在一些可選實施例中，可用鋁層代替熱管理結構1的磷銅合金層1c，且可藉由電鍍操作形成鋁層。鋁層具有優良的散熱能力且成本較低。在一些具體實施例中，可進行陽極氧化操作以增強鋁層的抗腐蝕和防銹能力。

如將參考圖5A討論的: 熱管理結構1可進一步結合到封裝結構中。

參考圖5A，圖5A是根據本發明的一些具體實施例，在製造操作的中間階段期間使用銅柱封裝結構的剖面圖。與傳統的焊料凸塊相比，銅柱技術可更好地控制接頭直徑和間距高度，進而能製造出更細間距的接頭(20-40 μm)，而焊料凸塊技術則可達到低於約125 μm的間距極限。銅柱可在晶粒底部和封裝基板頂部之間提供圓柱形接頭。其他優勢包括改良的電遷移阻力、熱導率、熱循環可靠性、簡化的凸塊底下金屬化(UBM)、及更高的I/O密度。這些限制對於銅柱接頭的影響較小，是實現28 nm及以下最新矽製程節點的絕對必備功能，並且還允許根據行動裝置製造商的要求，實現更小的裝置，減少封裝基板層的數量，及降低成本。

在圖5A中，提供了半導體基板501(或者在一些具體實施例中，可以是半導體晶圓或矽中介層，其中，基板501包括前表面501F和背向前表面501F的後表面501B。一個或多個導電焊墊502，其可作為基板501的輸入/輸出(I/O)焊墊，並且形成於半導體基板501的前表面501F上方。在一些具體實施例中，半導體基板501可以是矽基板。絕緣層503形成於半導體基板501之上，且隨後被選擇性地移除以暴露至少一部份的導電焊墊502。在一些具體實施例中，絕緣層503包括SiO ₂。在半導體基板501是矽中介層的具體實施例中，半導體基板501的厚度範圍可約在20μm到大約50μm之間。

可在一次操作中，形成在基板501後表面501B上方的熱管理結構1，及在絕緣層503和導電焊墊502上方的凸塊底下金屬化(UBM)材料層(未示出，其將被圖案化並成為UBM層1U)。在一些具體實施例中，UBM材料層的組成類似於熱管理結構1的組成。具體地，UBM材料層和熱管理結構1可分別具有黏合層1a、位於黏合層1a上方的擴散阻擋層1b，和位於擴散阻擋層1b上方的磷銅合金層1c(其可包括Cu ₃P)。熱管理結構1的黏著層1a鄰接基板501的後表面501B，UBM材料層的黏著層1a鄰接絕緣層503與導電焊墊502。熱管理結構1的磷銅合金層1c遠離基板501的後表面501B，UBM材料層的磷銅合金層1c遠離絕緣層503和導電焊墊502。在一些具體實施例中，黏合層1a的厚度範圍在約0.5μm至約2.0μm之間。在一些具體實施例中，擴散阻擋層1b的厚度可在約0.1μm至約0.5μm之間。在一些具體實施例中，磷銅合金層1c的厚度可在約1μm至約3μm之間。

具體而言，黏合層1a分別形成於基板501的後表面501B上方及絕緣層503與導電焊墊502上方(基板501的前表面501F上方)。可在單一操作中形成熱管理結構1的磷銅合金層1c和UBM材料層的磷銅合金層1c。在一些具體實施例中，可在單一操作中形成在基板501的後表面501B和前表面501F之上的黏合層1a。如先前參考圖2所討論的，黏合層1a配置成可減輕因為下方矽表面，例如藉由共晶接合，所引起晶格不匹配的問題。因此，黏合層1a可增強熱管理結構1與基板501的後表面501B之間的黏著性。此外，由於UBM材料層黏合層1a的黏著力強，故可提高後續接合操作的可靠性。

黏合層1a可包括以下的至少一種：(a)導電層，例如晶格常數相對接近矽的金屬層(例如銀、鋁、金等)、(b)金屬矽化物層(例如鎳矽化物、鈷矽化物、鈀矽化物等)、或(c)潤濕層(例如鎳晶種層等)，其中鎳和矽之間的晶格不匹配可降低到0.4%左右，且鎳和矽之間的黏合力是足夠的。

在一些具體實施例中，在黏合層1a包括鎳晶種層的情況下，可由化學鍍操作形成鎳晶種層，隨後進行退火操作。在一些具體實施例中，退火操作可包括用準分子雷射退火操作(其可用雷射氣體，例如XeF、XeCl、KrF、KrCl、ArF、氟氣等)。此外，使用化學鍍操作則可於單一操作中，在基板501的後表面501B和前表面501F上，形成黏合層1a。

擴散阻擋層1b可用來減少導電柱506中的銅(直徑和間距因應用方式而異，例如DRAM分別為5μm和10μm)向焊墊的擴散，且可降低內應力。在一些具體實施例中，擴散阻擋層1b可包括以下至少一種：(a)鈷磷(CoP)層，其可藉由化學鍍技術形成、(b)鎳層，其可藉由化學鍍操作形成、(c)耐火金屬層、金屬氮化物衍生物或金屬合金(例如鈦、鎢、鉬、鉭、釩、鈦鎢、鈦鎢氮化物、W ₂N、TiN、及TaN等)。具體而言，與利用PVD操作形成的材料相比，鈷磷(CoP)層表現出更大的階梯覆蓋性，且表現出強大的阻礙擴散能力。另一方面，耐火金屬層、金屬氮化物衍生物或金屬合金(例如鈦、鎢、鉬、鉭、釩、鈦鎢、鈦鎢氮化物、W ₂N、TiN、TaN等)表現出更大的導熱性，同時阻礙高溫下的擴散。在一些具體實施例中，在使用鈷磷(CoP)層或鎳層作為用於熱管理結構1的擴散阻擋層1b以及UBM材料層的材料的情況下，可藉由化學鍍操作在單一操作中形成熱管理結構1的擴散阻擋層1b以及UBM材料層的擴散阻擋層1b。

磷銅合金層1c相比於傳統的散熱板和熱界面材料表現出更大的導熱性，更緻密的結構，可提高抗腐蝕、耐磨性、潤濕性、強度、韌性、共形性、及加工性等。

在一些具體實施例中，可進行化學鍍操作形成磷銅合金層1c。特別地，藉由進行化學鍍操作，可在單一操作中形成熱管理結構1的磷銅合金層1c(其在基板501的後表面501B之上)和UBM材料層的磷銅合金層1c(其在基板501的前表面501F之上)，因為可將整個基板501浸泡在電鍍溶液中。

此外，在UBM材料層上方形成導電柱506，隨後在導電柱506上方形成合金層507。例如，在UBM材料層上方形成光阻劑層(或乾膜，未示出)，且可以執行利用圖案化掩模(未示出)的微影操作。可以由例如銅的導電材料形成導電柱506，且合金層507可作為用於接合的焊接材料。光阻劑層界定出對應於導電焊墊502的多個凹陷，進而使得至少一部分UBM材料層從光阻劑層暴露出來。在一些具體實施例中，可在熱管理結構1的磷銅合金層1c上形成保護層(例如光阻劑層或乾膜)。並且，導電柱506可形成在凹陷中，其中導電柱506可直接接觸UBM材料層的磷銅合金層1c。在一些具體實施例中，可藉由電鍍操作形成導電柱506，如前所述，其能提高效率。進一步地，在電鍍操作過程中保護層可保護熱管理結構1。在一些具體實施例中，導電柱506的厚度範圍可約在8μm至約10μm之間。

在一些具體實施例中，焊料合金層507可包括諸如錫、銀、銅和銻的錫銀合金(諸如96.3%錫、3%銀、0.5%銅和0.2%銻)。在一些可選實施例中，焊料合金層507可包括錫、銀、鉍和銅(例如93.3%錫、3.1%銀、3.1%鉍和0.5%銅)。在一些具體實施例中，焊料合金層507的厚度範圍可在約10μm到約15μm之間。在一些具體實施例中，焊料合金層507可用作後續接合操作的導電凸塊。在形成焊料合金層507之後，利用剝離操作去除光阻劑保護層，進而可暴露導電柱506的側壁及焊料合金層507的側壁。

此外，可去除未被導電柱506覆蓋的一部分UBM材料層，進而暴露絕緣層503的下方部分，並形成UBM層1U(其是UBM材料層的圖案化版本)。在一些具體實施例中，去除操作可包括反應離子蝕刻(RIE)操作或其他合適的方式。因此，剩餘的UBM層1U和導電焊墊502統稱為導電焊墊、接觸焊墊或輸入/輸出(I/O)焊墊509。或者說，導電焊墊509包括磷銅合金(例如Cu ₃P)。在UBM層1U的形成過程中，不需要真空環境，因為要製造真空環境的成本高昂，可能面臨產能較低的挑戰。在形成UBM層1U和熱管理結構1之後，可去除基板501前表面的圖案化掩模層。用於形成UBM層的UBM材料圖案化可在導電焊墊502和導電焊墊509形成之前進行，也可在導電焊墊502和導電焊墊509的圖案化操作之後進行。

可執行回流操作以形成包括銅基合金和錫銀合金的柱。半導體基板501可接合到載體599(例如IC板或基板)，進而形成封裝。在一些具體實施例中，如參考本發明實施例所討論的包括磷銅合金的導電焊墊509可應用於其他多層分佈結構，例如晶圓基板、PCB、中介層、IC載板、再分佈層、核心基板、無核心基板、及陶瓷基板等。這種配置可提高電性連接的可靠性及電性連接特性。

圖5B是根據本發明封裝結構530的一些具體實施例的剖面圖。封裝結構530類似於圖5A中所示的封裝結構，為了簡潔起見將不再重複說明這些相似特徵的細節。參考圖5B，提供基板501。隨後，在基板501的前表面501F上方沉積並圖案化一個或多個導電焊墊502。絕緣層522形成在前表面501F和導電焊墊502之上。可由介電材料(例如氧化矽)形成絕緣層522。將絕緣層522圖案化，使得可從導電焊墊502的上表面去除一部分的絕緣層522，而暴露每個導電焊墊502的中心部分。

在導電焊墊502上方形成UBM層1U的黏合層1a，並將黏合層1a圖案化。圖案化後黏著層1a的側壁與絕緣層522的側壁齊平。可包括與使用剝離光阻劑層的剝離製程相關聯的微影和蝕刻操作，進行黏合層1a的圖案化。介電質的第一層524、第二層526和第三層528隨後沉積在黏合層1a和絕緣層522上以形成三層抗反射結構529。可由若干介電層形成三層抗反射結構529，以形成介電層堆疊。根據一些具體實施例，三層抗反射結構529的第一層524和第三層528包括氮化矽、氮氧化矽等，是採用低溫沉積法或旋塗法進行沉積。根據一些具體實施例，三層抗反射結構529的第二層526包括氧化矽等，也可用低溫沉積法或旋塗法進行沉積。可利用共形方式將第一層524沉積在絕緣層522和黏合層1a的上表面之上，而可利用覆蓋方式將第二層526和第三層528沉積在第一層524之上。

形成一個或多個導通孔(未單獨示出)穿過三層抗反射結構529，以暴露黏合層1a。根據一些具體實施例，以覆蓋方式將光阻劑層(未單獨示出)沉積在三層抗反射結構529上。執行微影和蝕刻操作以蝕刻穿過層528、526和524的導通孔，直到將黏合層1a的上表面暴露出來。層524、526、528的側壁可界定出黏合層1a上方導通孔的側壁。

隨後將UBM層1U的擴散阻擋層1b和磷銅合金層1c沉積在黏合層1a和三層抗反射結構529上方的光阻劑層的上表面之上。此外，將用於形成導電柱506的導電材料沉積在UBM層1U上方的導通孔中。將用於形成焊料合金層507的導電材料沉積在導電柱506的導電材料之上。根據一些具體實施例，可重複多次導電柱506的沉積操作，以根據不同需要而增加導電柱506的沉積高度。

對光阻劑層進行剝離操作，以去除三層抗反射結構529上的光阻劑層。在去除光阻劑層的同時，也去除在三層抗反射結構529上方用於形成導電柱506和焊料合金層507的導電材料時的多餘材料。使得第三層528的上表面被暴露出來。對焊料合金層507的材料進行回流焊，以形成球形或半球形的焊料合金層507。

根據一些具體實施例，可形成導電柱506使其藉由基板穿孔(TSV)結構而穿過基板501，其中通常由塊材矽形成基板501。在這種情況下，可以縮減基板501的厚度，並且穿過基板501形成穿孔，隨後沉積三層抗反射結構529並在穿孔中電鍍銅。其餘用於形成UBM層1U和導電柱506的操作，類似於先前描述封裝結構530的具體實施例。

封裝結構530的優勢是由於相鄰的導電柱506與焊料合金層507之間的空間被三層抗反射結構529填充，外部顆粒、濕氣、水或灰塵不會落入導電柱506之間的間隙中。因此可保持導電柱506的電絕緣性能和可靠性。

圖5C是根據本發明的一些具體實施例封裝結構540的剖面圖。封裝結構540在許多態樣類似於封裝結構530，並且為了簡潔起見將不再重複說明這些相似的特徵。請參考圖5B與圖5C，封裝結構540與封裝結構530的不同之處在於相鄰導電柱506之間的三層抗反射結構529的絕大部分都被去除。僅在擴散阻擋層1b的側壁上留下三層抗反射結構529較薄的部分。根據一些具體實施例，第一層524的水平部分保持在絕緣層522的上方以保護和封裝下方的絕緣層522。

圖5D是根據本發明的一些封裝結構550具體實施例的剖面圖。封裝結構550在許多態樣類似於封裝結構530或540，並且為了簡潔起見將不再重複說明這些相似的特徵。請參考圖5C與圖5D，封裝結構550與封裝結構540的不同之處在於:相鄰導電柱506之間的三層抗反射結構529中，整個第二層526和第三層528都被去除。三層抗反射結構529的第一層524保留在擴散阻擋層1b、黏合層1a和絕緣層522的側壁上及絕緣層522水平部分的上方。僅由空氣填充相鄰導電柱506之間的空間，因此相鄰導電柱506的擴散阻擋層1b是朝向彼此的。

請參考圖5A，當形成UBM層1U的黏合層1a、擴散阻擋層1b和磷銅合金層1c時，可同時分別沉積熱管理結構1的黏合層1a、擴散阻擋層1b與磷銅合金層1c。根據一些具體實施例，可使用單一沉積製程形成熱管理結構1的黏合層1a和UBM層，可藉由一次沉積製程形成熱管理結構1的擴散阻擋層1b和UBM層，可藉由一次沉積製程形成熱管理結構1的磷銅合金層1c和UBM層。請參考圖5B至圖5D，雖然未分別示出，但熱管理結構1亦可形成於封裝結構530、540或550的基板501的後表面501B。類似地，當形成封裝結構530、540或550的UBM層1U的黏合層1a、擴散阻擋層1b及磷銅合金層1c時，可同時分別沉積封裝結構530、540或550的熱管理結構1的黏合層1a、擴散阻障層1b及磷銅合金層1c。根據一些具體實施例，可使用單一沉積製程形成熱管理結構1的黏合層1a和封裝結構530、540或550的UBM層，可使用單一沉積製程形成熱管理結構1的擴散阻擋層1b和封裝結構530、540或550的UBM層，可藉由一次沉積製程形成熱管理結構1的磷銅合金層1c和封裝結構530、540或550的UBM層。

隨後將參考圖6討論封裝結構的具體實施例，其包括界面層6和磷銅合金層7，且提供熱管理結構。

參照圖6，圖6是根據本發明的一些具體實施例封裝結構(例如扇出式晶圓級封裝，FOWLP)的剖面圖。有兩種扇出結構/製程，第一種是先晶片(chip-first)：晶片首先嵌入臨時(載體或面板)或永久材料結構中，然後是RDL(再分佈層)形成過程。第二種是後晶片(chip-last)(也稱為先RDL)：在載體或面板上的RDL預成型之前，不會將晶片集成到封裝過程中。在下面的具體實施例中，則是在修改第一個(具有一些ABF或BT的插入層)或應用第二個(例如陶瓷插入器)兩者中擇一。在一些具體實施例中，每個晶粒803的前表面803F，其具有導電圖案，每個晶粒803的後表面803B則與前表面803F相對。在一些具體實施例中，在晶粒803貼附到膠帶之前，要先縮減晶粒803的厚度。在一些具體實施例中，晶粒803是已知良裸晶粒(KGD)。在一些具體實施例中，晶粒803是扇出型半導體晶粒。參考圖5A和圖6，凸塊結構510的UBM層1U設置在晶粒803的前表面803F之上且接觸位於晶粒803前表面上的輸入/輸出(I/O)焊墊(或接觸焊墊)502。參考圖6，可切割基板501以產生多個晶粒803。將多個晶粒803的後表面803B附著在膠帶或面板(例如矽膠帶、熱釋放膠帶、紫外線(UV)環氧樹脂膠帶或其他合適的材料)及/或載體(未示出)，其中，各晶粒803彼此間隔一間距，因此可形成扇出中介層，其中扇出區RO介於兩個晶粒803之間，以符合扇出裝置的規格。僅在扇出區RO處形成封裝劑或模製化合物804以封裝晶粒803(例如，橫向圍繞晶粒803)。可進一步將模製化合物804形成在晶粒803之間的間隙中。模製化合物804可封裝晶粒803的至少一個側表面。在一些具體實施例中，扇出區RO中的模製化合物804的厚度T804，類似於晶粒803的厚度T803。在一些具體實施例中，厚度T804與厚度T803之間的差異在約2μm至約5μm的範圍內。在一些具體實施例中，模製化合物804是由環氧模製化合物(EMC)、聚醯亞胺(PI)或諸如塑膠或聚合物材料的其他合適材料製成。在一些具體實施例中，可藉由模製技術(例如射出成型)、3D列印、增材製造等，形成模製化合物804。在一些具體實施例中，在再分佈層(RDL)811的扇出區RO處的模製化合物804中形成多個凹陷，進而允許隨後在模製化合物804中形成導電導通孔805(其直徑和間距在各種應用場合是不同的，例如針對DRAM，直徑和間距分別為5μm和10μm)，導電導通孔805可形成為穿孔。換句話說，模製化合物804橫向包圍導電導通孔805。

參考圖5和圖6，在FOWLP的製程之後，在輸入/輸出(I/O)焊墊502(或接觸焊墊)或模製化合物804中形成一些導通孔，然後電鍍銅以填充兩者上的導通孔，並形成插入導電特徵812。最後，在中介層811上形成導電柱8a和合金(錫銀(Sn-Ag))層8b。在一些具體實施例中，在8a和8b的形成過程中，在RDL 811上方形成保護層(未示出，可以是光刻膠、乾膜、膠帶、掩膜或犧牲層)。

在一些具體實施例中，導電導通孔805是由銅製成，且可利用電鍍操作形成導電導通孔805。

扇出中介層FO的再分佈層(RDL)811形成在焊墊502上具有凸塊結構(未示出)的晶粒803的前表面803F上(圖6中所示的部分A)，藉由中介層811，使晶粒的焊墊502呈扇形展開。圖6焊墊502上的凸塊結構可對應於圖5的凸塊結構510，其中，凸塊結構510包括導電焊墊509、導電柱506及合金層507。在一些具體實施例中，參考本申請的圖5或美國申請案第17/697,937號的圖5A至圖5D討論結合操作，其通過引用併入本文。RDL 811包括背對晶粒803的多個導電特徵812。接著，可從膠帶分離由晶粒803形成的模組M1、模製化合物804、形成在模製化合物804中的導電導通孔805、及再分佈層(RDL)811。接下來，將模組M1翻轉並設置在另一膠帶之上，使其用於下一製造步驟如下。

界面層6和磷銅合金層7形成在每個晶粒803的後表面803B之上。在一些具體實施例中，界面層6包括黏合層和擴散阻擋層，其可對應於參考圖1或圖5A討論的黏合層1a和擴散阻擋層1b。在一些具體實施例中，藉由化學鍍操作在每個界面層6上形成厚度小於1μm的磷銅合金層7(其可由Cu ₃P製成)。另外，磷銅合金層7也可以藉由電鍍操作形成厚度小於200μm，以獲得更緻密的結構，更厚的層，且提高效率。在本發明實施例中(包括適用的其他具體實施例)，界面層6和磷銅合金層7統稱為熱管理結構TM，其可將熱能耦合到晶粒803的後表面803B。在一些具體實施例中，銅界面層6和磷銅合金層7可進一步延伸到一部分的模製化合物804及模製化合物804中所形成的一些導電導通孔805上方的位置。在一些具體實施例中，形成界面層6和磷銅合金層7的過程中，在RDL 811上方形成保護層(未示出，可以是光阻劑、乾膜、膠帶、掩模或犧牲層)，以避免污染。

在一些具體實施例中，被界面層6和磷銅合金層7覆蓋的導電導通孔805的子集，此後在一些應用中可稱為球柵陣列接地導通孔，或利用導通孔805’接地。接地導通孔805’可與未被界面層6覆蓋的其餘導通孔805相鄰佈置。接地導通孔805’利用導電特徵812電性連接到晶粒803前表面803F上方焊墊502上的凸塊結構510的熱管理結構。在一些具體實施例中，焊墊502上的凸塊結構510連接到系統接地點G，且配置為將晶粒803接地。有時，導電接地特徵812、接地導通孔805’和焊墊502上凸塊結構的組合可將散熱效率比僅應用熱管理結構TM的散熱效率提高30-40％。這些新理念是本發明實施例的重點。

在由界面層6和磷銅合金層7暴露的多個導電導通孔805上方形成柱8。此外，柱8形成在背對晶粒803的多個導電特徵812之上。在一些具體實施例中，柱8為多層結構，例如，柱8包括導電柱8a和位於導電柱8a上方的合金(錫銀(Sn-Ag))層8b。在一些具體實施例中，導電柱8a由導電材料例如銅形成，且合金層8b用作用於接合柱8的焊接材料。在一些具體實施例中，可藉由電鍍操作形成導電柱8a和合金層8b。在一些具體實施例中，可在形成柱8之前在預定區域上執行電鍍操作以形成光阻劑層(未示出)，隨後可將光阻劑層(或乾膜)去除。在一些具體實施例中，柱8適於接合到另一個晶粒(未示出)或其他合適的裝置，以形成堆疊型連接。使用這種FOWLP的成本比使用TSV中介層要低得多。

在一些具體實施例中，導電導通孔805的外端8E與連接到凸塊結構的熱管理結構的導通孔805’的末端平齊。導電導通孔805的外端8E利用導電柱8a連接到柱8的合金層8b。在一些具體實施例中，導電導通孔805的內端8I在晶粒803的前表面803F上方連接到RDL 811。至此圖6中FOWLP的第一個模組就完成了，可與其他封裝進行結合。

隨後將參考圖7A至圖7F，討論具有散熱層的封裝結構具體實施例。具體地，圖7A、圖7B和圖7C示出用於形成具有熱管理結構的第一晶粒的方法，圖7E示出用於形成具有熱管理結構的第二晶粒的方法，圖7F示出用於將第一晶粒接合到第二晶粒的方法。

參考圖7A，圖7B是根據本發明的一些具體實施例，在製造操作中間階段期間的半導體結構的剖面視圖。參考圖7A並遵循FOWLP的第一製造製程，在第一晶粒901的前表面803F上方形成扇出中介層FO(具有再分佈線(RDL)911)的多層ABF(或BT)，且有一些導通孔形成在輸入/輸出(I/O)焊墊(或接觸焊墊)502上，然後設置在晶粒901前表面901F上方的凸塊結構510的UBM層1U與輸入接觸/輸出(I/O)焊墊(或接觸焊墊)502在晶粒901的前表面上接觸。扇出區RO(例如，優選由ABF或BT層製成)和封裝劑或模製化合物912形成在第一晶粒901之上，且至少部分地橫向包圍第一晶粒901，其中，第一晶粒901具有前表面901F及與前表面901F相對的後表面901B。在一些具體實施例中，模製化合物912由環氧模製化合物(EMC)、聚醯亞胺(PI)或諸如塑膠或聚合物材料的其他合適材料製成。模製化合物912可封裝晶粒901的至少一個側表面。在一些具體實施例中，可藉由模製技術(例如射出成型)、3D列印、及增材製造等形成模製化合物912。多個導電導通孔913配置在模製化合物912中且被模製化合物912橫向包圍。在一些具體實施例中，多個接地導通孔或導通孔913’形成在靠近第一晶粒901的位置處以減少接地環路面積和寄生效應。在一些具體實施例中，通孔913’配置成將第一晶粒901接地。接地通孔913’可配置為電性連接位於第一晶粒901的前表面901F和第一晶粒901的後表面901B上方的熱管理結構TM。RDL 911上的導電特徵914可電性連接到一些導電導通孔913及/或接地導通孔913’。因此，扇出區RO的RDL 911完全形成，且藉由扇出中介層FO將第一晶粒901的前表面901F與焊墊502(未示出)上的凸塊結構的UBM層1U扇出。

多個柱8分別形成在RDL 911的多個導電導通孔913和多個導電特徵914之上。在一些具體實施例中，柱8為多層結構，例如，柱8包括導電柱8a(銅)和導電柱8a上方的合金層8b(錫銀(Sn-Ag))。在一些具體實施例中，可藉由化學鍍操作形成導電柱8a和合金層8b。

請注意，在裝置的製造過程中，可應用以下操作。在模製化合物912上將第一光阻劑層916(或乾膜)圖案化，以覆蓋模製化合物912上的柱8。在一些具體實施例中，多個接地導通孔913’和第一晶片901的後表面901B從第一光阻劑層916暴露出來。第二光阻劑層916’形成在RDL 911上方以覆蓋RDL 911上方的柱8。在一些具體實施例中，每個柱8的側壁被第一光阻劑層916或第二光阻劑層916’覆蓋。在一些可選具體實施例中，可由其他犧牲層或膠帶代替第二光阻劑層916’。

參考圖7B和圖7C，圖7B是在製造操作的中間階段期間的半導體結構的剖面圖，圖7C是根據本發明的一些具體實施例圖7B的半導體結構在製造操作的中間階段期間的俯視圖。在第一晶粒901的後表面901B和接地導通孔913’上形成界面層6。在一些具體實施例中，界面層6包括黏合層和擴散阻擋層，其可對應於參考圖1或圖5A討論的黏合層1a和擴散阻擋層1b。在一些具體實施例中，在每個界面層6上形成磷銅合金層7(其可由Cu ₃P製成)，進而形成熱能耦合到晶粒901後表面901B的熱管理結構TM。在一些具體實施例中，可藉由化學鍍操作形成界面層6和磷銅合金層7，而在化學鍍操作期間，柱8受到第一光阻劑層916(或乾膜)或第二光阻劑層916’(如圖7A所示)的保護。在形成界面層6和磷銅合金層7之後，去除第一光阻劑層916和第二光阻劑層916’，形成第一結構900A。

參考圖7D，圖7D是在製造操作中間階段期間的半導體結構的俯視圖。圖7D所示的俯視圖類似於圖7C所示的俯視圖，除了圖7C在俯視圖中示出接地通孔913’環繞第一晶粒901或磷銅合金層7(或界面層6)的相對兩側外，而圖7D為俯視時接地導通孔913’環繞第一晶粒901或磷銅合金層7(或界面層6)的四側。接地導通孔913’可佈置在導通孔913和第一晶粒901之間。在一些具體實施例中，進一步配置接地導通孔913’在第一晶粒901的四個側面以提供針對電磁干擾(EMI)的屏蔽。由於在第一晶粒901的四個側面設置接地導通孔913’，可大大增加接地導通孔913’的散熱面積，故圖7D所示的散熱性能可得到顯著改善。有時，導電接地電路和導通孔913’接地的組合可將僅應用熱管理結構TM的散熱效率提高30-40％。因此，它們是本發明實施例的兩個關鍵點。

參考圖7E，圖7E是根據本發明的一些具體實施例在製造操作中間階段期間的半導體結構的剖面圖。提供第二晶粒902，其中第二晶粒902具有前表面902F及與前表面902F相對的後表面902B。在一些具體實施例中，第二晶粒902是設置有一個或多個記憶體裝置的記憶體晶粒。在一些具體實施例中，第二晶粒902可以是動態隨機存取記憶體(DRAM)晶粒或快閃記憶體晶粒。多個界面層6’形成在一部分的第二晶粒902之上(其中可以由犧牲光阻劑或乾膜界定出界面層6’的區域)。柱8可以形成在每個界面層6’之上。界面層6’的組成與前述界面層6相似。在一些具體實施例中，柱8為多層結構，例如，柱8包括導電柱8a和位於導電柱8a上方的合金層8b。導電柱8a、合金層8b和界面層6’在本文中可以統稱為第二晶粒902的凸塊結構906且配置成電性連接到第一晶粒901。

在第二晶粒902的後表面902B上方形成界面層6，且在界面層6上方形成磷銅合金層7(其可以由Cu ₃P製成)，進而形成第二結構900B。參考圖6討論界面層6的組成。在一些具體實施例中，可藉由化學鍍操作形成界面層6，其厚度小於1μm，可採用化學鍍和電鍍操作形成磷銅合金層7，其厚度小於200μm，而在化學鍍操作過程中，光阻劑層916或膠帶(未示出)可以保護界面層6’和柱8。在此，界面層6和磷銅合金層7統稱為熱管理結構TM，其可將熱能耦合至晶粒902的後表面902B。

參考圖7F，圖7F是根據本發明的一些具體實施例，在製造操作中間階段期間的封裝結構的剖面圖。圖7B所示的第一結構900A接合到圖7E所示的第二結構900B，使得第一晶粒901和第二晶粒902可在垂直方向上堆疊。在一些具體實施例中，第一晶粒901在垂直方向上與第二晶粒902重疊。在一些具體實施例中，在第一結構900A接合到第二結構900B之後，將第一晶粒901的後表面901B面朝第二晶粒902的前表面902F。第一晶粒901後表面901B上方扇出區RO上的柱8連接到第二晶粒902前表面902F上方的對應柱8。在一些具體實施例中，第二晶粒902前表面902F上方的一些柱8連接到第一晶粒901前表面901F上方的磷銅合金層7。在一些具體實施例中，合併第一結構900A中柱8的合金層8b(圖7B中所示)與第二結構900B中的柱8的合金層8b(圖7E中所示)，然後進行回流焊或熱壓接合，將合金層8b轉變為多個焊球8b”，以加強第一結構900A與第二結構900B之間的接合。故圖6中的厚度T804和厚度T803之間的差異就不重要。由此形成封裝結構900C。第一結構900A和第二晶粒902之間的兩個導電柱8a、兩個焊球8b”和界面層6’在本文中可以統稱為第二結構900B的凸塊結構910且電性連接第一晶粒901到第二晶粒902。在一些具體實施例中，佈置在第一結構900A和第二晶粒902之間的多個凸塊結構910包括第一(類型)凸塊915和第二(類型)凸塊915’。第一(類型)凸塊915佈置為將第一結構900A的導電導通孔913電性耦合到第二晶粒902，而第二(類型)凸塊915’佈置為靠近第一晶粒901且將界面層6和磷銅合金層7熱能耦合到第二晶粒902。在一些具體實施例中，由於重力的作用，焊球8b”的形狀可類似於橢圓體、橄欖球或美式足球。每個焊球8b”彼此分開以避免電氣短路問題。在一些具體實施例中，由於銅插塞的成本低，由絕緣材料封裝的銅插塞形成的柱8優於由矽導通孔形成的柱8。

隨後將參考圖8討論圖7E中設置有散熱器及封裝結構的具體實施例。具體地，圖8示出了一種方法：形成具有熱管理結構和散熱器的第一晶粒，形成具有熱管理結構和散熱器的第二晶粒，及將第一晶粒接合到第二晶粒。

參考圖8，圖8是根據本發明一些具體實施例的封裝結構的剖面圖。封裝結構1000C包括第一結構1000A和堆疊在第一結構1000A之上的第二結構1000B。第一結構1000A類似於參考圖7B討論的第一結構900A。然而，不同之處在於：第一結構1000A合金層8b的厚度(或整個柱8的厚度)進一步增加(例如，利用重複數次參考圖7A討論的一些操作來沉積焊料合金)。此外，一個或多個散熱器3X設置在第一晶粒901後表面901B上方的磷銅合金層7上。在一些具體實施例中，散熱器3X可包括諸如銅、泡沫銅、鋁、導熱金屬、陶瓷、Al ₂O ₃、AlN等材料。在一些具體實施例中，為了提高散熱效率，可將每個散熱器3X的表面積設計成大於具有相似體積的立方體形散熱器的表面積。在一些具體實施例中，散熱器3X可具有帶鋸齒輪廓的一個或多個表面。例如，每個散熱器3X可在其上側及/或下側具有多個突起，例如多個第一鰭狀突起3X’朝向第一晶粒901，及多個第二鰭狀突起3X”背向第一晶粒901。在一些具體實施例中，散熱器3X可具有多個凹槽或孔。此外，在散熱器3X的表面區域上形成磷銅合金材料層2(其可以由Cu ₃P製成)，例如，磷銅合金材料層2覆蓋多個第一鰭狀突起3X’與多個第二鰭狀突起3X’。磷銅合金材料層2可稱為覆蓋在散熱器3X上的塗層。在一些具體實施例中，由於散熱器3X設置有多個第一突起3X’，磷銅合金材料層2可藉由電鍍操作形成在散熱器3X與磷銅合金層7之間的間隙中。在一些具體實施例中，磷銅合金2的潤濕性提高了在間隙中形成磷銅合金的可及性。磷銅合金材料層2與磷銅合金層7的結合提高了散熱器3X的機械強度、附著力及可靠性。進一步地，磷銅合金材料層2和磷銅合金層7具有良好的導熱性，進而提供更好的散熱和溫度管理手段。

另外，可以藉由化學鍍操作形成磷銅合金層7，以獲得更緻密的結構，且可藉由電鍍操作形成磷銅合金材料層2，增加其厚度，提高效率。此外，使用電鍍操作有助於提高磷銅合金材料層2在散熱器3X上的覆蓋率及進入間隙或孔洞的可及性。

第二結構1000B類似於參考圖7E討論的第二結構900B。然而，不同之處在於第二晶粒902後表面902B上方的磷銅合金層7上進一步設置有一個或多個散熱器3Y。在一些具體實施例中，散熱器3Y可包括諸如銅、泡沫銅、鋁、導熱金屬、陶瓷、Al ₂O ₃、AlN等材料。在一些具體實施例中，為了提高散熱效率，可將每個散熱器3Y的表面積設計成大於立方體散熱器的表面積。在一些具體實施例中，散熱器3Y可具有帶鋸齒輪廓的一個或多個表面。例如，每個散熱器3Y可在一側或兩側具有多個突起，例如多個第一突起3Y’朝向第二晶粒902，多個第二突起3Y”背向第二晶粒902。在一些具體實施例中，散熱器3Y可具有多個凹槽或孔。在一些具體實施例中，散熱器3Y的寬度W3Y大於散熱器3X的寬度W3X。此外，在散熱器3Y的表面區域上形成磷銅合金材料層2(其可以由Cu ₃P製成)，例如，磷銅合金材料層2覆蓋多個第一突起3Y’和多個第二突起3Y”。在一些具體實施例中，由於散熱器3Y設置有多個第一突起3Y’，可藉由電鍍操作在散熱器3Y與磷銅合金層7之間的間隙中形成磷銅合金材料層2。

此外，使用電鍍操作可有助於提高磷銅合金材料層2在散熱器3Y上的覆蓋率及進入間隙或孔洞的可及性。在一些具體實施例中，第二晶粒902是具有稍大功耗的邏輯晶粒，且與具有較低功耗的一個或多個記憶體裝置901連接。在一些具體實施例中，第二晶粒902可以是DRAM晶粒或快閃記憶體晶粒。

在一些具體實施例中，藉由關於圖7B至7E的多次討論，可利用重複沉積焊料合金的操作來進一步增加第二結構1000B合金層8b的厚度(或整個柱8的厚度)。

第一結構1000A接合到第二結構1000B，其中第一晶粒901的後表面901B面朝第二晶粒902的前表面902F。第一結構1000A(如圖8所示)的多個柱8連接至第二結構1000B(如圖8所示)的對應柱8。可執行回流操作，且合併第一結構1000A的柱8與第二結構1000B的柱8，進而形成多個凸塊結構8P。將第一結構900A接合到第二結構900B之後的凸塊結構8P包括圖7B所示的第一結構900A的柱8和圖7E所示的凸塊結構910。值得注意的是，兩個凸塊結構8P的配置應分別具有較大的高度，且散熱器3X與晶粒902之間存在間隙，以利於空氣對流。因此，第一晶粒901可與第二晶粒902在垂直方向上堆疊，而不會造成干擾(即兩個元件在某些位置不希望發生物理接觸，但焊料兩側產生的表面張力可解決回流操作中這種對準問題)。在一些具體實施例中，第一晶粒901垂直地重疊第二晶粒902。此外，形成底膠層1001以覆蓋凸塊結構8P的側壁，進而形成封裝結構1000C。在一些具體實施例中，底膠層1001封裝凸塊結構8P。底膠層1001可以位於第一結構1000A的模製化合物912和第二結構1000B的第二晶粒902之間。在一些具體實施例中，底膠層1001可以是非流動底膠，且底膠層1001基本上不直接接觸第一晶粒901。如此可避免底膠層1001嚴重阻礙散熱，進而提升封裝結構1000C的散熱能力。

隨後將參考圖9A和圖9B討論設置有熱管理結構和散熱器的封裝結構的具體實施例。這種配置進一步允許容納一些推輓輸出器，例如：第一晶粒901是用於5G無線系統驅動放大器組#1的MIMO(多重輸入多重輸出)解決方案，其銅柱連接到插入基板(未顯示)。第二晶粒902是另一組驅動放大器#2。因此應增加熱管理。為了權衡空間並減少兩個大驅動電流產生的電磁干擾(EMI)和熱對流問題的干擾，可如圖9A和圖9B所示，從俯視角度將兩個晶粒以交叉(例如垂直)的方式配置，並部分堆疊，而不是將兩者設置在同一平面上。在一些替代具體實施例中，散熱器3X(如圖9A所示)可放置在第二晶粒902和第一晶粒901上方的磷銅合金層7之間。在一些具體實施例中，參見圖9B，散熱器3X的下側與散熱器3X下方磷銅合金層7的上表面基本齊平，兩端的散熱器3X的上側可延伸到第二晶粒902上方，但散熱器3X的中間區域不能接觸第二晶粒902，以便於進行空氣對流。在一些具體實施例中，散熱器3X的至少一部分基本上與第二晶粒902齊平。

請參照圖9A與圖9B，圖9A為本發明一些具體實施例的封裝結構的剖面圖，圖9B為圖9A所示的封裝結構的立體圖。圖9A的剖面圖是沿著圖9B的剖面線B-B所繪出的。圖9A及圖9B所示的封裝結構1100與圖8所示的封裝結構1000C相似，然而，不同之處在於，並不是增加凸塊結構8P的高度，而是改變散熱器3X及形成在散熱器3X上方的磷銅合金材料層2的配置。在一些具體實施例中，參考圖9B，散熱器3X的側面與第一晶粒901的那些側面基本齊平。

參照圖9B，可將形成在第一晶粒901和第二晶粒902之間的額外熱管理結構TM熱能耦合到第一晶粒901。第一晶粒901和第二晶粒902之間可預留空間(5-10μm)。可由底膠層1001填充此空間。具體地，多個散熱器3X放置在第一晶粒901的磷銅合金層7上方。(圖9A僅示出覆蓋散熱器3Y的磷銅合金材料層2，而圖9B為清楚起見而省略)。散熱器3X的一部分或整體在垂直方向不與第一晶粒901或第二晶粒902重疊。因此，晶粒的散熱路徑不會互相干擾。在一些具體實施例中，在第二晶粒902和第一晶粒901上方的磷銅合金層7之間沒有配置散熱器3X。這種配置還允許適應一些特殊條件。在一些替代實施例中，可將較小的散熱器3X放置在第二晶粒902和第一晶粒901上方的磷銅合金層7之間。在一些具體實施例中，參見圖9B，散熱器3X的下側與散熱器3X下方磷銅合金層7的上表面基本齊平，且散熱器3X的上側可延伸越過第二晶粒902。在一些具體實施例中，至少一部分的散熱器3X基本上與第二晶粒902齊平。在一些具體實施例中，從剖面圖或俯視圖來看，第一晶粒901具有晶粒寬度W901。在一些具體實施例中，從剖面圖或俯視圖來看，第二晶粒902具有晶粒寬度W902。晶粒寬度W902可大於晶粒寬度W901。在一些具體實施例中，從垂直於剖面線B-B的方向測量，第一晶粒901具有第一晶粒長度，從垂直於剖面線B-B的方向測量，第二晶粒902具有第二晶粒長度。如圖9B所示，第一晶粒長度大於第二晶粒長度，但在其他具體實施例中，第一晶粒長度實質上等於第二晶粒長度。

隨後將參考圖10討論設置有熱管理結構和散熱器的封裝結構的具體實施例。具體地，圖10示出平板電腦的封裝結構，其具有由多個(例如兩個)DRAM晶粒堆疊而成的第一模組和沿水平方向連接的第二晶粒(邏輯晶粒)。

參照圖10，圖10是根據本發明的一些具體實施例的封裝結構的剖面圖。封裝結構1200C包括第一結構1200A及第二結構1200B，第二結構1200B設置於第一結構1200A的旁邊。圖10示出的第一結構1200A類似於參考圖8所討論的第一結構1000A，但不同之處在於，第一結構1200A具有較寬的再分佈層，在此記為再分佈層911X，再分佈層911X具有第一區RA和與第一區RA相鄰的第二區RB。第一晶粒901設置在第一區RA之上。此外，柱設置在扇出區RO處的模製化合物912上方，第二DRAM堆疊在扇出區RO處。使用前面描述的相同方法，可以將第二個DRAM(設有熱管理結構和散熱器)堆疊在第一個DRAM上。在一些具體實施例中，第二DRAM上的磷銅合金材料層2還延伸到模製化合物912上方並覆蓋導電孔913。但是，接地導通孔913’不會接觸第一晶粒901後側表面的磷銅合金層7導熱。隨後在第二晶粒的後表面901B上化學鍍界面層6和磷銅合金層7。除了覆蓋第二晶粒後表面的散熱器外，還在扇出區RO上電鍍一層磷銅合金材料2並覆蓋接地導電導通孔913’，以增加散熱面積。FOWLP技術無需使用TSV中介層堆疊一組DRAM，不僅可以降低成本，還可以提高良率。在一些具體實施例中，兩層磷銅合金材料層2之間存在間隙909，以便空氣對流。

此外，第二區RB中的RDL 911X具有前表面911F和與前表面911F相對的後表面911B。多個導電特徵914設置於前表面911F與後表面911B，多個柱8設置於在前表面911F與後表面911B設置的部分導電特徵914上。在一些具體實施例中，柱8為多層結構，例如，參見圖7A或圖7B，柱8包括導電柱8a和位於導電柱8a上方的合金層8b。

圖10所示的第二結構1200B類似於圖8所示的第二結構1000B。在一些具體實施例中，如圖10所示的第二結構1200B所示，磷銅合金材料層2可直接接觸第二晶粒902的周邊區域。需要說明的是，在需要減輕第二晶粒902所受應力的情況下，可採用泡沫銅製成散熱器3Y，以減輕平板電腦的整體重量。另外，第二個晶粒902(邏輯晶粒)的功耗較大，因此應特別考量其熱管理。

第二結構1200B接合在RDL 911X前表面911F上方的第二區RB上方，以形成封裝結構1200C。在一些具體實施例中，第二晶粒902(邏輯晶粒)的功耗大於第一晶粒901(DRAM)。執行回流操作，使得第二結構1200B的柱8可合併和連接至RDL 911X前表面911F上方的柱8，這種加長式接頭可釋放邏輯驅動器產生的機械應力。順帶一提，還可利用FOWLP技術在第一個邏輯晶粒上堆疊多個邏輯晶粒，進而製成多核心電腦。

隨後將參考圖11討論設置有雙路徑RF發射器的熱管理結構的封裝結構的具體實施例。具體地，圖11示出在垂直方向上連接第一晶粒(例如混頻器)和第二晶粒(例如功率放大器)以及形成熱管理結構的方法。因此，應該應用屏蔽(和TM)板來解決功率放大器產生的EMI和散熱問題。

參考圖11，圖11是根據本發明的一些具體實施例的封裝結構的剖面圖。封裝結構1300C包括第一結構1300A和堆疊在第一結構1300A上方的第二結構1300B。參照圖11討論的第一結構1300A類似於參照圖7B、圖7C和圖7F討論的第一結構900A，不同之處在於導電導通孔913與接地導通孔913’的配置不同。在一些具體實施例中，如圖11所示，導電導通孔913靠近第一晶粒901設置，接地導通孔913’佈置在周邊區域，導電導通孔913可位於接地導通孔913’和第一晶粒901之間。

參考圖11討論的第二結構1300B(諸如雙路徑RF發射器)類似於參考圖7E和圖7F討論的第二結構900B，但不同之處在於，參考圖11所討論的第二結構1300B的界面層6和磷銅合金層7進一步延伸到第一結構1300A的扇出區RO之上，並基於EMI/EMC考量可將其作為屏蔽板。第一結構1300A接合到第二結構1300B，其中第一晶粒901的後表面901B面朝第二晶粒902的前表面902F。

第一結構1300A的多個柱8連接到第二結構1300B的相應柱8。可執行回流操作且可合併第一結構1300A的柱與第二結構1300B的柱8，進而形成多個凸塊結構8P以減少由雙路徑RF發射器第二晶粒產生的機械應力。

在一些具體實施例中，第一晶粒901垂直地重疊第二晶粒902。此外，形成底膠層1001以覆蓋凸塊結構8P的側壁。從底膠層1001暴露出第二晶粒902前表面902F的至少一部分，和第一晶粒901後表面901B的一部分。在一些具體實施例中，底膠層1001可以是不流動底膠。

界面層6形成在第二晶粒902的後表面902B上方、第二晶粒902從底膠層1001暴露出來的前表面902F上方，及第一晶粒901從底膠層1001暴露出來的後表面901B之上。第二晶粒902後表面902B之上的界面層6可以進一步延伸在第二晶粒902的側表面902S、底膠層1001的側壁之上、在扇出區RO中的模製化合物912的第一表面912S之上(其背對RDL 911)，及接地導通孔913’之上。在一些具體實施例中，模製化合物912的第一表面912S與第一晶粒901的後表面901B齊平。在每個界面層6上方形成磷銅合金層7(其可以由Cu ₃P製成)，進而形成封裝結構1300C。界面層6和形成在其上的磷銅合金層7統稱為熱管理結構TM及基於EMI/EMC考量的屏蔽板。在一些具體實施例中，兩層磷銅合金2之間具有間隙909，以便空氣對流。

在一些具體實施例中，可藉由化學鍍操作形成界面層6，可藉由電鍍操作形成磷銅合金層7，其中可在單一操作中形成界面層6中的每一個(在第二晶粒902的後表面902B上的界面層6、在第二晶粒902的前表面902F上的界面層6、及在第一晶粒901的後表面901B上的界面層6)，也可在單一操作中形成上述各界面層6上的磷銅合金層7。可選擇性地，在形成界面層6和磷銅合金層7的電鍍操作期間，形成犧牲層以保護第一結構1300A或第二結構1300B的特定部分。

此外，接地導通孔913’可連接到界面層6和磷銅合金層7，磷銅合金層7可從第二晶粒902的後表面902B延伸到模製化合物912第一表面912S上方的區域。這樣的配置不僅可解決電磁兼容性(EMC)問題，還可解決封裝結構1300C的電磁干擾(EMI)問題。

隨後將參考圖12討論與熱管理結構及同時設置基於EMI/EMC考量的屏蔽板封裝結構的具體實施例。

參照圖12，圖12是根據本發明的一些具體實施例的封裝結構的剖面圖。圖12所示的封裝結構1400類似於圖11所示的封裝結構1300C，但不同之處在於，第二晶粒902後表面902B上方的磷銅合金層7上還設置有一個或多個散熱器3Y，及在散熱器3Y的表面區域上形成磷銅合金材料層2(可以由Cu ₃P製成)，例如，磷銅合金材料層2覆蓋多個第一突起3Y’和多個第二突起3Y”。可在前述參考圖8的討論找到關於散熱器3Y的細節。在一些具體實施例中，散熱器3Y可包括諸如銅、泡沫銅、鋁、導熱金屬、陶瓷、Al ₂O ₃、AlN等材料。另外，可藉由化學鍍操作形成磷銅合金層7，以獲得更緻密的結構，且可藉由電鍍操作形成磷銅合金材料層2，增加層的厚度，並提高效率。在一些具體實施例中，磷銅合金材料層2共形於第二晶粒902後表面902B上方的磷銅合金層7的頂表面和側壁的輪廓。在一些具體實施例中，可在其他磷銅合金層7之上形成磷銅合金材料層2。注意在901B和902F之上的兩層磷銅合金2之間具有間隙909，以利於空氣對流。

隨後將參照圖13討論包括多個晶粒封裝結構的具體實施例。

參照圖13，圖13是根據本發明的一些具體實施例的封裝結構的剖面圖。第一結構1500A包括初級晶粒1501和接合到初級晶粒1501的二級晶粒1502。在一些具體實施例中，初級晶粒1501可以是處理器晶粒，例如設置有一個或多個處理單元的中央處理單元(CPU)晶粒。二級晶粒1502可以是設置有一個或多個邏輯裝置的邏輯晶粒。三級晶粒1503設置有一個或多個記憶體裝置。第一結構1500A還包括如下兩種扇出中介層FO。

第一扇出中介層FO由多層陶瓷薄膜製成，應採用後晶片(chip-last)的第二種FOWLP方法(也稱為先RDL)，也就是只有在RDL和RDL兩側的銅柱凸塊結構8P預成型後，晶片才能集成到封裝製程中(RDL包括形成於扇出區(FO)中的導電導通孔1513和接地導通孔1513’)。初級晶粒1501具有第一(前)表面1501F和與第一表面1501F相對的第二(後)表面1501S。接下來是藉由在晶片焊盤上沉積銀漿以黏合晶粒1501和陶瓷RDL，然後固化銀漿。這種陶瓷RDL的熱性能更適合高性能功率裝置。其他過程和注意事項與前面討論的第一種方法類似。請注意，可根據整體性能更改封裝晶粒的方法。圖13中應用的中介層僅用於說明。導電導通孔1513可位於接地導通孔1513’和初級晶粒1501之間。此外，多個導電柱8a和焊球8b”(其可由錫銀合金製成)可設置在從RDL 1511暴露出來的每個導電特徵1514(未示出)之上。接下來是將晶粒1501覆晶接合在陶瓷RDL上。這種陶瓷RDL的熱性能更適合高性能功率裝置。其他過程和注意事項與前面討論過的第一種方法類似。請注意，根據整體電氣、熱管理及成本性能，可更改封裝晶粒的方法。圖13中應用的中介層僅用於說明。此外，藉由凸塊結構8P將二級晶粒1502覆晶接合到初級晶粒1501，其中，二級晶粒1502的第一(前)表面1502F面朝初級晶粒1501，且二級晶粒1502的第二表面1502S背向初級晶粒1501。每個凸塊結構8P包括位於二級晶片1502的第二表面1502S上方的界面層6’(其成分與前述界面層6類似)，界面層6’設置在每個導電導通孔1513上方，導電柱8a設置在界面層6’上方，及焊球8b”連接在上述兩個導電柱8a之間。此外，形成底膠層1001以覆蓋凸塊結構8P的側壁。在一些具體實施例中，底膠層1001可以是無流動底膠且底膠層1001基本上不直接接觸初級晶粒1501。此外，二級晶粒1502的一部分可從底膠層1001暴露出來。注意，在1501S和1502F之上兩層磷銅合金層7之間具有間隙1509，以利於空氣對流。

第二結構1500B包括三級晶粒1503，其中三級晶粒1503設置有一個或多個記憶體裝置。在一些具體實施例中，三級晶粒1503可以是DRAM晶粒或快閃記憶體晶粒。第二結構1500B還包括扇出中介層FO(優選由ABF層製成或由雙馬來醯亞胺-三氮雜苯(BT)層製成，具有至少部分地橫向圍繞三級晶粒1503的封裝劑或模製化合物1522，其中三級晶粒1503具有第一(前)表面1503F和與前表面1503F相對的第二(後)表面1503S。模製化合物1522可封裝三級晶粒1503的至少一個側表面。在一些具體實施例中，模製化合物1522由環氧模製化合物EMC)、聚醯亞胺(PI)或諸如塑膠或聚合物材料的其他合適材料製成。在一些具體實施例中，可藉由模製技術(諸如射出模製)、3D列印、增材製造等形成模製化合物1522。多個導電導通孔1523和多個接地導通孔(或穿孔)1523’設置在模製化合物1522中且被模製化合物1522橫向包圍。在一些具體實施例中，接地導通孔1523’形成在模製化合物1522的外圍區域中，且導電導通孔1523位於接地導通孔1523’和三級晶粒1503之間。

第二結構1500B還包括佈置在模製化合物1522兩個相對側上的第一RDL 1521a和第二RDL 1521b，其中第一RDL 1521a鄰近三級晶粒1503的第二表面1503S。在一些具體實施例中，三級晶粒1503的第二表面1503S從第一RDL 1521a暴露出來。此外，多個導電柱8a和合金層8b可設置在第一RDL 1521a和第二RDL 1521b上。

利用凸塊結構8P’將第一結構1500A接合到第二結構1500B。形成底膠層1001以覆蓋凸塊結構8P’的側壁，其中底膠層1001位於第二結構1500B的第二RDL 1521b與第一結構1500A的RDL 1511之間。多個熱管理結構TM，其包括界面層6和界面層6上方的磷銅合金層7(其可由Cu ₃P製成)，形成在初級、二級或三級晶粒1501、1502、1503的暴露表面之上以獲得封裝結構1500C。例如，熱管理結構TM可分別形成於以下列結構之上，且可將熱能耦合到以下結構：三級晶粒1503的第一表面1503F、初級晶粒1501的第二表面1501S、二級晶粒1502的第一表面1502F、及二級晶粒1502的第二表面1502S，進而幫助改善上述晶粒1501、1502、1503中的每一個的熱耗散。在一些具體實施例中，熱管理結構TM還熱能耦合至二級晶粒1502的第一表面1502F、二級晶粒1502的第二表面1502S、封裝凸塊結構8P的底膠層1001的側面、及包覆凸塊結構8P’的底膠層1001的側面。

在一些具體實施例中，二級晶粒1502的第二表面1502S上方的熱管理結構TM進一步延伸到第一結構1500A底膠層1001的側壁上方、第二結構1500B底膠層1001的側壁、RDL 1511的側壁及模製化合物1512的側壁。在主晶粒1501的第二表面1501S之上的熱管理結構TM可進一步延伸在第二RDL 1521b和模製化合物1512的外圍區域之上，進而使熱管理結構TM電性連接至第一結構1500A的接地導通孔1513’與第二結構1500B的接地導通孔1523’。接地導通孔1523’和接地導通孔1513’可具有相同的電位，從而提供參考電壓位準。熱管理結構TM的這種配置既可提高散熱能力又可提供參考電壓位準。此外，藉由化學鍍操作，可在單一操作中形成設置在每個晶粒上熱管理結構TM的界面層6，也可一次形成設置在每個晶粒上熱管理結構TM的磷銅合金層7。隨後將參考圖14討論包括多個晶粒的封裝結構的具體實施例，其類似於參考圖13的討論，但不同之處在於：將第一結構連接至第二結構之前，會先形成熱管理結構。

參考圖14，圖14是根據本發明的一些具體實施例的封裝結構的剖面圖。圖14所示的第一結構1600A類似於圖13所示的第一結構1500A，但不同之處在於，熱管理結構TM形成於並熱能耦合至初級晶粒1501的第二表面1501S、二級晶粒1502的第一表面1502F、及二級晶粒1502的第二表面1502S。前述配置有助於改善前述晶粒1501、1502、1503中的每一個的熱耗散。此外，二級晶粒1502的第二表面1502S上方的熱管理結構TM進一步延伸到第一結構1500A的底膠層1001的側壁上方和模製化合物1512的周邊區域上方，進而覆蓋接地導通孔1513’。

第二結構1600B接合至第一結構1600A以獲得封裝結構1600C。圖14所示的封裝結構1600C類似於圖13所示的封裝結構1500C，但不同之處在於，在一些情況下，二級晶粒1502的第二表面1502S上方的熱管理結構TM不會進一步延伸至第二RDL 1521b的外圍區域上方。注意，在1501S和1502F之上磷銅合金層7的兩層之間具有間隙1509，以利於空氣對流。

圖15是根據本發明開的一些具體實施例的封裝結構1700的剖面圖。封裝結構1700包括第一晶粒1710、第二晶粒1720、第三晶粒1730和基板1740。在一些具體實施例中，第一晶粒1710是封裝晶粒，且包括佈置成堆疊的第一半導體裝置1712和多個第二半導體裝置1714。在一些具體實施例中，第一半導體裝置1712是邏輯晶粒，且第二半導體裝置1714是記憶體晶粒。第一晶粒1710還可包括佈置在第一半導體裝置1712和最底下的第二半導體裝置1714之間的第一RDL 1716。此外，第一晶粒1710包括兩個相鄰的第二半導體裝置1714之間的一個或多個第二RDL 1718。第二半導體裝置1714與第二RDL 1718交替佈置。上述第一晶粒1710的組件被堆疊並被接合以構造第一晶粒1710，例如，第一半導體裝置1712、第一RDL 1716、第二半導體裝置1714中的第一個、第二RDL中的第一個1718、第二半導體裝置1714中的第二個、第二RDL中的第二個1718、直到第N第二半導體裝置1714(N為第二半導體裝置1714的數量)。

在一些具體實施例中，第二晶粒1720是無線收發器晶粒，其包括收發器、記憶體晶片、天線和RF裝置中的至少一種。在一些具體實施例中，第三晶粒1730是感測器晶粒，其包括感測器裝置、記憶體晶片和類比電路中的至少一種。

基板1740可包括第一層1742和在第一層1740上方的第二層1744。在一些具體實施例中，第一層1742用作封裝結構1700的底層，且由陶瓷、矽、玻璃或任何其他合適的材料形成第一層1742。在一些具體實施例中，第二層1744是配置為將第一晶粒1710、第二晶粒1720和第三晶粒1730電性互連的RDL或互連層。

在一些具體實施例中，封裝結構1700還包括佈置在基板1740第二層1742上側上的導電凸塊1746。封裝結構1700還可包括佈置在第一晶粒1710、第二晶粒1720和第三晶粒1730中的每一個晶粒下側上的導電凸塊1748。每個導電凸塊1746可對齊相應的導電凸塊1748。導電凸塊1746和1748可以是微凸塊、C4凸塊等。封裝結構1700還包括導電柱1752以電性連接凸塊1746和對應的凸塊1748，用於將基板1740電性耦合到第一晶粒1710、第二晶粒1720和第三晶粒1730。在一些具體實施例中，可省略導電柱1752，使導電凸塊1746直接接合到對應的導電凸塊1748。

在一些具體實施例中，封裝結構1700還包括在第一晶粒1710、第二晶粒1720和第三晶粒1730上表面和側壁上方的UBM層1760。在一些具體實施例中，UBM層1760的材料、構造和形成方法與參照圖5A至圖5D描述的UBM層1U的材料、構造和形成方法類似。在一些其他具體實施例中，UBM層1760由第一子層和第一子層上方的第二子層形成，其中第一子層類似於參照圖1、圖2和圖5A至圖5D描述的黏合層1a，第二子層與參照圖1、圖2和圖5A至圖5D描述的擴散阻擋層1b類似。在一些具體實施例中，封裝結構1700還包括形成在UBM層1760上方的磷銅合金層1770。銅-磷合金層1770可沉積在第一晶粒1710、第二晶粒1720和第三晶粒1730的上表面和側壁上方。磷銅合金層1770的材料、功能、構造和形成方法與參照圖1、圖2和圖5A至圖5D描述的磷銅合金層1c的材料、功能、構造和形成方法類似。在一些具體實施例中，用於發射或接收電磁波的第二晶粒1720或第三晶粒1730的天線、RF裝置或其他組件從UBM層1760、銅-磷合金層1770和熱管理結構1750暴露出來，以確保天線、射頻裝置等的正常功能。

在一些具體實施例中，第一晶粒1710、第二晶粒1720和第三晶粒1730中的每一個均設有熱管理結構1750，其中熱管理結構1750包括在第一晶粒1710、第二晶粒1720和第三晶粒1730中的每一個上表面(後表面)上方的散熱器3X。散熱器3X可形成在磷銅合金層1770的上表面之上。在一些具體實施例中，熱管理結構1750還包括沉積在相應散熱器3X的表面上和間隙中的磷銅合金材料層2。散熱器3X和磷銅合金材料層2可類似於參照圖3、4、8、9A、9B和10所描述的那些散熱器3X和磷銅合金材料層2。

在一些具體實施例中，第一晶粒1710還包括延伸穿過第一晶粒1710封裝的多個封裝導通孔1810和第二封裝導通孔1820(圖15僅圖示了兩個示例性封裝導通孔1810和1820)。封裝導通孔1810可配置成信號路徑，其用於將第一半導體裝置1712和第二半導體裝置1714電性連接到基板1740的第二層1744。第一半導體裝置1712、第二半導體裝置1714、第一RDL 1716和第二RDL 1718可包括導線，導線電性耦合至封裝導通孔1810並用於傳輸信號。封裝導通孔1820可配置成用於接地的接地路徑，其用於將第一半導體裝置1712和第二半導體裝置1714電性連接到基板1740的第一層1742。第一半導體裝置1712、第二半導體裝置1714、第一RDL 1716和第二RDL 1718可包括導線，導線連接到封裝導通孔1820而接地。

在一些具體實施例中，封裝導通孔1810和1820中的每一個包括核心層1812、潤濕層1814和擴散阻擋層1816。在一些具體實施例中，核心層1812由導電材料形成，例如銅、鎢、鋁等，並配置為傳導封裝導通孔1810、1820的電路徑或接地路徑。在一些具體實施例中，由磷銅合金層形成潤濕層1814，且潤濕層1814橫向圍繞核心層1812。磷銅合金層1814可改善核心層1812材料的潤濕度。在一些具體實施例中，由過渡金屬或其氮化物形成擴散阻擋層1816，例如，鈦和氮化鈦，且擴散阻擋層1816橫向圍繞潤濕層1814和核心層1812。在一些具體實施例中，由形成在第一晶粒1710上的側壁1810S或1820S界定出封裝導通孔1810、1820。在一些具體實施例中，襯裡層1818作為擴散阻擋層1816和第一晶粒1710或封裝導通孔1810、1820之間的側壁1810S或1820S的襯裡，且襯裡層1818側向圍繞擴散阻擋層1816、磷銅合金層1814及核心層1812。襯裡層1818可由介電材料(例如，氧化物或氮化物)形成，且配置為使擴散阻擋層1816與第一晶粒1710的半導體基板電絕緣。雖然所示出實例僅顯示出磷銅合金層作為導通孔1810或導通孔1820的潤濕層1814，由磷銅合金層形成的潤濕層1814還可應用於其他類型的導通孔，例如模製導通孔、矽導通孔、基板導通孔等。

在一些具體實施例中，封裝導通孔1820的頂部延伸穿過最頂部的第二半導體裝置1714且耦合到UBM層1760的下表面。在一些具體實施例中，封裝導通孔1810的頂部延伸到最頂部第二半導體裝置1714的下表面且穿過最頂部第二半導體裝置1714，與UBM層1760分離，以避免信號路徑異常短路。

在一些具體實施例中，以下提供形成封裝結構1700的示例方法。基板1740設置有多個絕緣層和導線層以形成一個或多個導電路徑，其中信號路徑設置在第二層1744中，而接地路徑設置在第一層1742中。隨後，在基板1740的上側上形成導電凸塊1746。在一些具體實施例中，導電導通孔(例如，封裝導通孔1820的下部)穿過基板1740的第二層1744形成以電性連接到第一層1742。

提供第一晶粒1710。例如，第一半導體裝置1712和第二半導體裝置1714形成在一個或多個晶圓基板上並被切割成單獨的晶粒。此外，第一RDL 1716和第二RDL 1718也形成在一個或多個晶圓基板上並切割成單獨的晶粒。在一些具體實施例中，一部分的封裝導通孔1810和1820形成在第一半導體裝置1712、第二半導體裝置1714、第一RDL 1716和第二RDL 1718中的每一個中。可利用合適的接合裝置將上述第一晶粒1710組件中的每一個彼此對準並接合，例如，熱壓接合(TCB)、混合接合、熔合接合等。第一半導體裝置1712、第二半導體裝置1714、第一RDL 1716和第二RDL 1718中的封裝導通孔1810和1820的不同部分電性耦合在一起，以形成垂直延伸的導通孔1810、1820。

可提供第二晶粒1720和第三晶粒1730。此外，導電凸塊1748可形成在第一晶粒1710、第二晶粒1720和第三晶粒1730的下側之上，且藉由接合至導電凸塊1746和1748再接合到基板1740。UBM層1760和磷銅合金層1770依次沉積在第一晶粒1710、第二晶粒1720和第三晶粒1730的上表面和側壁之上。散熱器3X佈置在第一晶粒1710、第二晶粒1720和第三晶粒1730上方及磷銅合金層1770之上。磷銅合金材料層2沉積在散熱器3X的表面上和間隙中，以形成熱管理結構1750。至此，即完成封裝結構1700。

在本發明實施例中，針對各種類型的封裝結構或半導體結構提供了熱管理(例如改善散熱)的手段，如分別參考圖1至圖14所討論的。用於改善散熱的操作的兼容性允許將該手段結合到用於形成封裝結構或半導體結構的各種類型的操作中。本發明實施例中的熱管理手段包括但不限於：熱管理結構1、散熱器(例如散熱器3、3X或3Y)、磷銅合金材料層2、包括界面層6和銅-磷合金層7(其可以由Cu ₃P製成)的熱管理結構TM、熱管理輔助單元4或其組合。如參考圖1和圖2所討論的，熱管理結構1(其包括黏合層1a、位於黏合1a上方的擴散阻擋層1b、位於擴散阻擋層1b上方的磷銅合金層1c(可包含Cu ₃P))用於熱管理，可改善散熱。黏合層1a可增強熱管理結構1與基板之間的黏著力。擴散阻擋層1b可以用於減輕擴散，並且能夠減少內應力。與傳統的散熱板和熱界面材料相比，磷銅合金層1c表現出更大的導熱性，並且具有更緊密精實結構，並能提高防腐性、耐磨性、潤濕性、強度、韌性、共形性、加工性能等。此外，圖2的具體實施例還包括形成多個凸起1d以進一步提高散熱能力。熱管理結構1可進一步併入參考圖5A所討論的封裝結構中；具體地，形成在基板後表面的熱管理結構1和柱的UBM層1U之間的共同材料可以在單一操作中形成。

參見圖3和圖4，提供了熱管理輔助單元4，其包括熱管理結構1、磷銅合金材料層以及一個或多個散熱器3。散熱器3的結構具有較大的散熱表面積，散熱器3上形成的磷銅合金材料層2的加入有助於改善散熱器3的熱管理和黏合力。

包括界面層6和磷銅合金層7的熱管理結構TM可用在封裝結構中以改善熱耗散(或熱管理)。例如，參考圖6(形成在設置在模製化合物中的一個或多個晶粒之上的熱管理結構TM)和圖7A至圖7F(沿垂直方向堆疊的多個晶粒)討論用於形成封裝結構的操作。

多個散熱器(例如散熱器3、3X或3Y)及其上形成的磷銅合金材料層2及散熱器下方的熱管理結構TM可進一步結合到用於形成封裝結構的操作中以改善熱耗散(或熱管理)。進一步的示例可在圖8(增加整個柱的厚度以避免干擾)、圖9A、圖9B和圖10(在水平方向上連接第一晶粒和第二晶粒)中看到。

參考圖11、圖13和圖14討論將熱管理結構TM併入包括在垂直方向上堆疊的多個晶粒的封裝結構中的有效方式。例如，圖11展示了兩個晶粒的配置，且進一步使用熱管理結構TM來覆蓋某些應用方法中的接地導通孔。圖13與圖14為三個或更多晶粒堆疊在一起的封裝結構，其中可根據應用調整熱管理結構TM形成的時間。此外，熱管理結構TM中的一個還可將接地導通孔與晶粒分開，進而提供參考電壓位準。圖12進一步示出結合一個或多個散熱器(例如散熱器3、3X或3Y)及形成在散熱器上的磷銅合金材料層2，以進一步提高散熱或熱管理的能力。

在一些具體實施例中，雖然沒有單獨示出，但是本發明實施例中討論的熱管理結構TM，如圖7B、7E、7F、11、13和14所示，可佈置成包括突起1d，其形式類似於圖2所示的突起1d。突起1d可以包括類似於-磷合金層7的磷銅合金材料。在一些具體實施例中，熱管理結構TM的鋸齒輪廓包括平面部7和位於平面部分7上方的鋸齒部1d。

此外，上述技術還可應用於各種技術節點和各種類型的技術世代。例如，上面討論的技術可進一步應用於2.5D和3D封裝結構。

本發明的一些具體實施例提供了一種封裝結構。封裝結構包括具有前表面及與前表面相對的後表面的第一晶片；及後表面的熱管理結構。熱管理結構包括可將熱能耦合到第一晶粒後表面的第一磷銅合金層。

本發明的一些具體實施例提供了一種封裝結構。該封裝結構包括：第一晶粒，具有前表面和與第一晶粒的前表面相對的後表面，第一晶粒具有第一寬度；第二晶粒具有前表面以及與第二晶粒的前表面相對的後表面，第二晶粒具有大於第一寬度的第二寬度，第一晶粒的後表面面朝第二晶粒的前表面；凸塊結構電性連接第一晶粒與第二晶粒；以及位於第一晶粒的後表面和第二晶粒的後表面上方的熱管理結構。熱管理結構包括熱能耦合到第一晶粒的後表面和第二晶粒的後表面的第一磷銅合金層。

本發明的一些具體實施例提供一種封裝結構，封裝結構包括：第一晶粒，具有前表面以及與第一晶粒的前表面相對的後表面；第二晶粒具有前表面及與第二晶粒的前表面相對的後表面，第一晶粒的前表面面對第二晶粒的前表面；第一凸塊結構電性連接第一晶粒和第二晶粒；以及位於第一晶粒的後表面和第二晶粒的後表面上方的熱管理結構(TM，6/7)。熱管理結構包括熱能耦合到第一晶粒的後表面和第二晶粒的後表面的第一磷銅合金層。

前述概述了幾個具體實施例的特徵，使得本領域技術人員可以更好地理解本發明的各態樣。本領域技術人員應當理解，他們可以容易地使用本發明作為設計或修改其他操作和結構的基礎，以用於實現與本文介紹的具體實施例相同的目的和/或相同的優點。本領域技術人員還應當認識到，這樣的等同構造並不脫離本發明的精神和範圍。並且他們可以在不脫離本發明的精神和範圍的情況下做出各種改變、替換和修改。

此外，本發明的範圍並不旨在限於說明書中描述的過程、機器、製造、物質的組成、手段、方法和步驟的特定具體實施例。本領域的一般通技術人員從本發明的揭示內容中將容易理解，目前存在的或以後將開發的執行基本相同功能的過程、機器、製造、物質的組成、手段、方法或步驟，或者根據本發明，可以利用與本文描述的相應具體實施例實現基本上相同的結果。因此，所附請求項旨在將這樣的過程、機器、製造、物質的組成、裝置、方法或步驟包括在其範圍內。

1:熱管理結構 1a:黏合層 1b:擴散阻擋層 1c:磷銅合金層/平面部 1d:磷銅合金層突起/鋸齒部 1U: UBM層 1X:導熱層 1Y:熱管理模組 2:磷銅合金材料層 2a:導電層 2b:第一磷銅合金材料層 2c:第二磷銅合金材料層 2M:磷銅合金材料層 3:散熱器 3X:散熱器底部 3X’:第一鰭狀突起 3X":第二鰭狀突起 3Y:散熱器 3Y’:第一個突起 3Y":第二個突起 4:熱管理輔助單元 6:界面層 6’:界面層 7:磷銅合金層 8:柱 8a:導電柱 8b:合金層 8b":錫球 8E:外端 8I:內端 8P:凸塊結構 8P’:凸塊結構 101:基板 101B:後表面 101D:切割區域 101F:前表面 191:光阻層 192:複合金屬層 301:晶粒 301B:後表面 301F:前表面 381:載體 381A:第一表面 381B:第二表面 382:膠帶 382A:第一表面 382B:第二表面 501:半導體基板 501B:後側 501F:前側 502:導電墊 503:絕緣層 506:導電柱 507:合金層 509:輸入/輸出(I/O)墊 510:凸塊結構 522:絕緣層 524:第一層 526:第二層 528:第三層 529:三層抗反射結構 599:載體 803:晶粒 803B:後表面 803F:前表面 804:封裝劑/模製化合物 805:導電導通孔 805’:球柵陣列接地導通孔/接地導通孔 811:再分佈層(RDL) 812:導電特徵 900A:第一結構 900B:第二結構 900C:封裝結構 901:第一晶粒 901B:後表面 901F:前表面 902:第二晶粒 902B:後表面 902F:前表面 906:凸塊結構 909:間隙 911:再分配層(RDL) 911B:後表面 911X:再分配層(RDL) 911F:前表面 912:模置化合物 912S:第一表面 913:導電導通孔 913’:接地導通孔/通孔 914:導電特徵 915:第一(型)凸塊 915’:第二(型)凸塊 916:第一光阻層/乾膜 916’:第二光阻層 1000A:第一結構 1000B:第二結構 1000C:封裝結構 1001:底膠層 1100:封裝結構 1200A:第一結構 1200B:第二結構 1200C:封裝結構 1300A:第一結構 1300B:第二結構 1300C:封裝結構 1400:封裝結構 1500A:第一結構 1500B:第二結構 1500C:封裝結構 1501:初級晶粒 1501F:第一表面 1501S:第二表面 1502:二級晶粒 1502F:第一表面 1502S:第二表面 1503:三級晶粒 1503F:第一表面 1503S:第二表面 1511:再分配層(RDL) 1512:模製化合物 1513:導電導通孔 1513’:接地導通孔 1521a:第一RDL 1521b:第二RDL 1522:模製化合物 1523:導電導通孔 1523’:接地導通孔 1600A:第一結構 1600B:第二結構 1600C:封裝結構 1700:封裝結構 1710:第一晶粒 1712:第一半導體裝置 1714:第二半導體裝置 1716:第一RDL 1718:第二RDL 1720:第二晶粒 1730:第三晶粒 1740:基板 1742:第一層 1744:第二層 1746:導電凸塊 1748:導電凸塊 1750:熱管理結構 1752:導電柱 1760:UBM層 1770:磷銅合金層 1810:封裝穿孔 1810S:側壁 1812:核心層 1814:潤濕層 1816:擴散阻擋層 1818:襯層 1820:封裝穿孔 1820S:側壁 RA:第一區 RB:第二區 RO:扇出區 T101:厚度 T803:厚度 T804:厚度 TM:熱管理結構 W3:寬度 W301:寬度 W3X:寬度 W3Y:寬度 W901:寬度 W902:寬度

當結合附圖閱讀時，從以下詳細描述中最能理解本發明的態樣。值得注意的是，根據業界的標準做法，各特徵並未按比例繪製。事實上，為了能明確清楚地討論，各種特徵的尺寸都可以任意增加或縮小。

圖1是根據本發明的一些具體實施例在製造操作的中間階段期間的半導體結構的剖面圖。

圖2是根據本發明的一些具體實施例的半導體結構剖面圖。

圖3和圖4是根據本發明的一些具體實施例的在製造操作的中間階段期間的半導體結構的剖面圖。

圖5A是根據本發明的一些具體實施例的封裝結構在製造操作的中間階段期間的剖面圖。

圖5B是根據本發明的一些具體實施例的封裝結構剖面圖。

圖5C是根據本發明的一些具體實施例的封裝結構剖面圖。

圖5D是根據本發明的一些具體實施例的封裝結構剖面圖。

圖6是根據本發明的一些具體實施例的封裝結構的剖面圖。

圖7A和圖7B是根據本發明的一些具體實施例的半導體結構在製造操作的中間階段期間的剖面圖。

圖7C是根據本發明的一些具體實施例針對圖7B的半導體結構在製造操作的中間階段期間的俯視圖。

圖7D是根據本發明的一些具體實施例在製造操作的中間階段期間圖7B的半導體結構的俯視圖。

圖7E是根據本發明的一些具體實施例在製造操作的中間階段期間的半導體結構的剖面圖。

圖7F是根據本發明的一些具體實施例封裝結構在製造操作的中間階段期間的剖面圖。

圖8是根據本發明的一些具體實施例封裝結構的剖面圖。

圖9A是根據本發明的一些具體實施例封裝結構的剖面圖。

圖9B是根據本發明的一些具體實施例的圖9A中所示的封裝結構的透視圖。

圖10是根據本發明的一些具體實施例的封裝結構剖面圖。

圖11是根據本發明的一些具體實施例的封裝結構剖面圖。

圖12是根據本發明的一些具體實施例的封裝結構剖面圖。

圖13是根據本發明的一些具體實施例的封裝結構剖面圖。

圖14是根據本發明的一些具體實施例的封裝結構剖面圖。

圖15是根據本發明的一些具體實施例的封裝結構剖面圖。

1:熱管理結構

1a:黏合層

1b:擴散阻擋層

1c:磷銅合金層/平面部

101:基板

101B:後表面

101D:切割區域

101F:前表面

191:光阻層

192:複合金屬層

T101:厚度

Claims

一種封裝結構，其包括：第一晶粒，其具有前表面和後表面，該後表面與該前表面相對；以及第一熱管理結構，其位於該後表面上方，該第一熱管理結構包括：第一磷銅合金層，其熱耦合至該第一晶粒的該後表面。
如請求項1所述之封裝結構，進一步包括：第一黏合層，其介於該第一磷銅合金層和該第一晶粒的該後表面之間；以及第一擴散阻擋層，其介於該第一黏合層和該第一磷銅合金層之間。
如請求項1所述之封裝結構，其中該第一磷銅合金層包括磷化亞銅(Cu ₃P)。
如請求項1所述之封裝結構，其中該第一磷銅合金層包括平面部和鋸齒部，該鋸齒部位於該平面部上方。
如請求項1所述之封裝結構，進一步包括：散熱器，其設置成位於該第一熱管理結構上方。
如請求項1所述之封裝結構，進一步包括：第一導電柱和第二熱管理結構，該第一導電柱位於該第一晶粒的該前表面，該第二熱管理結構側向圍繞該第一導電柱。
如請求項6所述之封裝結構，進一步包括：介電層堆疊，其側向圍繞該第二熱管理結構。
如請求項1所述之封裝結構，進一步包括：第三熱管理結構，其設置成位於該第一晶粒的該前表面上方，其中該第三熱管理結構包括堆疊排列的第三磷銅合金層、第二黏合層和第二擴散阻擋層，其中該第三熱管理結構接觸在該第一晶粒的該前表面上的輸入/輸出(I/O)焊墊。
如請求項8所述之封裝結構，進一步包括：第二導電柱，其位於該第三熱管理結構上方；以及銲接材料，其連接至該第二導電柱。
如請求項9所述之封裝結構，進一步包括：第四熱管理結構，其側向圍繞該第二導電柱。
如請求項1所述之封裝結構，進一步包括：封裝劑，其封裝該第一晶粒的至少一個側表面；以及第一穿孔，其位於該封裝劑之中並且接觸位於該第一晶粒的該後表面上方的第一熱管理結構。
如請求項1所述之封裝結構，其中該第一晶粒包括穿孔，其延伸穿過該第一晶粒，其中該穿孔包括：核心層，其包括導電材料；以及潤濕層，其包括第四磷銅合金層，該第四磷銅合金層側向圍繞該核心層。
如請求項1所述之封裝結構，進一步包括：第二晶粒，其鄰近該第一晶粒；第一凸塊底下金屬層(UBM)，其位於該第一晶粒的該前表面之上並且連接至該第一晶粒的第一導電焊墊；以及第二UBM，其位於該第二晶粒的該前表面並且連接至該第二晶粒的第二導電焊墊，其中該第一UBM和該第二UBM中的每一者都包括第二磷銅合金層。
一種封裝結構，其包括：第一晶粒，其具有前表面和後表面，該第一晶粒的該後表面與該第一晶粒的該前表面相對，該第一晶粒具有第一寬度；第二晶粒，其具有前表面和後表面，該第二晶粒的該後表面與該第二晶粒的該前表面相對，該第二晶粒具有第二寬度，該第二寬度大於該第一寬度，該第一晶粒的該後表面朝向該第二晶粒的該前表面；凸塊結構，其電性連接至該第一晶粒和該第二晶粒；以及熱管理結構，其位於該第一晶粒的該後表面和該第二晶粒的該後表面上方，其中該熱管理結構包括第一磷銅合金層，該第一磷銅合金層熱耦合至該第一晶粒的該後表面和該第二晶粒的該後表面。
如請求項14所述之封裝結構，進一步包括：封裝劑，其封裝該第一晶粒；以及第一穿孔，其位於該封裝劑之中並且將該第一晶粒的該前表面連接至位於該第一晶粒的該後表面上方的該熱管理結構。
如請求項15所述之封裝結構，其中該凸塊結構包括第一凸塊，該第一凸塊電連接該第二晶粒的該前表面和位於該第一晶粒的該後表面上方的該熱管理結構。
如請求項16所述之封裝結構，其中該第一凸塊和該第一穿孔配置成分別接地該第二晶粒和該第一晶粒。
如請求項17所述之封裝結構，進一步包括多個穿孔，其包含第一穿孔，從俯視觀察，該第一穿孔圍繞該該第一晶粒的四個側面。
如請求項14所述之封裝結構，進一步包括：散熱器，其熱耦合至位於該第一晶粒的該後表面上方的該熱管理結構；以及塗覆層，其覆蓋該散熱器並且包括第二磷銅合金層。
如請求項14所述之封裝結構，進一步包括：第一散熱器，其熱耦合至位於該第一晶粒的該後表面上方的該熱管理結構，其中該第一散熱器是鰭狀散熱器並且基本上齊平於該第二晶粒。
如請求項14所述之封裝結構，其中從俯視觀察，該第一晶粒和第二晶粒呈交叉排列。
如請求項14所述之封裝結構，其中該熱管理結構進一步包括第三磷銅合金層，該第三磷銅合金層熱耦合至該第二晶粒的該前表面。
一種封裝結構，其包括：第一晶粒，其具有前表面和後表面，該第一晶粒的該後表面與該第一晶粒的該前表面相對；第二晶粒，其具有前表面和後表面，第二晶粒的該後表面與該第二晶粒的該前表面相對，該第一晶粒的該前表面朝向該第二晶粒的該前表面；第一凸塊結構，其電性連接至該第一晶粒和該第二晶粒；以及熱管理結構，其位於該第一晶粒的該後表面和該第二晶粒的該後表面上方，其中該熱管理結構包括第一磷銅合金層，該第一磷銅合金層熱耦合至該第一晶粒的該後表面和該第二晶粒的該後表面。
如請求項23所述之封裝結構，進一步包括；第三晶粒，其具有前表面和後表面，該後表面與該第三晶粒的該前表面相對，該第三晶粒的該前表面朝向該第一晶粒的該後表面；以及第二凸塊結構，其電性連接至該第一晶粒和該第三晶粒，其中該熱管理結構進一步熱耦合至該第三晶粒的該前表面、該第三晶粒的該後表面，第一底膠的側表面和第二底膠的側表面，該第一底膠封裝該第一凸塊結構，該第二底膠封裝該第二凸塊結構。