TW202349029A - 抗反射膜及其製造方法、以及圖像顯示裝置 - Google Patents

抗反射膜及其製造方法、以及圖像顯示裝置 Download PDF

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Abstract

本發明之抗反射膜(10)依序具有透明膜基材(11)、硬塗層(12)及抗反射層(13)。抗反射膜(10)之耐熱性試驗前後之第1方向之尺寸變化率較佳為-0.10%以上0.10%以下。又，抗反射膜(10)之耐濕熱性試驗前後之第1方向之尺寸變化率較佳為0.01%以上0.20%以下。透明膜基材(11)較佳為聚對苯二甲酸乙二酯膜。

Description

抗反射膜及其製造方法、以及圖像顯示裝置
本發明係關於一種抗反射膜及其製造方法、以及圖像顯示裝置。
於液晶顯示器或有機EL(Electroluminescence，電致發光)顯示器等圖像顯示裝置之視認側，以防止因外界光之反射所引起之畫質降低、提高對比度等為目的配置有抗反射膜。抗反射膜中，於透明膜基材上具備包含折射率不同之複數個薄膜之積層體之抗反射層。
例如，專利文獻1中揭示有一種於硬塗膜上具備SiO底塗層，並於其上具備包含作為高折射率層之氧化鈮(Nb 2O 5)層與作為低折射率層之氧化矽(SiO 2)層之交替積層體的抗反射層之抗反射膜。  [先前技術文獻]  [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2009-47876號公報
[發明所欲解決之問題]
近年來，具備使用樹脂膜等可彎曲基板(軟性基板)之有機EL面板之可彎曲圖像顯示裝置(可摺疊顯示器)正在被實用化。作為可摺疊顯示器之覆蓋窗，例如可使用於軟性基板上設有抗反射層之抗反射膜。
可摺疊顯示器一般以摺疊之狀態存放。於摺疊狀態下，向摺疊部位(彎曲部位)之內側賦予壓縮應力，且向彎曲部位之外側賦予拉伸應力。當將顯示面作為內側摺疊顯示器時，抗反射膜成為將抗反射層之形成面作為內側摺疊之狀態(彎曲狀態)。當於高溫下或高溫高濕下以彎曲狀態存放顯示器時，存在抗反射層發生微細之裂痕之情況，其成為顯示器之視認性降低之原因。
鑒於上述情況，本發明之目的在於提供一種即便於高溫下或高溫高濕下以彎曲狀態存放，抗反射層亦不易產生裂痕，耐彎曲性優異之抗反射膜及其製造方法、以及使用該抗反射膜之圖像顯示裝置。  [解決問題之技術手段]
＜本發明之態樣＞  本發明包含以下態樣。
[1]一種抗反射膜，其係依序具有透明膜基材、硬塗層及抗反射層者，且  在進行於溫度85℃之環境下保持48小時之耐熱性試驗時，上述耐熱性試驗前後之任一邊之方向之尺寸變化率為-0.10%以上0.10%以下。
[2]如上述[1]所記載之抗反射膜，其中上述耐熱性試驗前後之與上述邊之方向正交之方向之尺寸變化率為-0.10%以上0.10%以下。
[3]一種抗反射膜，其係依序具有透明膜基材、硬塗層及抗反射層者，且  在進行於溫度60℃且相對濕度95%之環境下保持48小時之耐濕熱性試驗時，上述耐濕熱性試驗前後之任一邊之方向之尺寸變化率為0.01%以上0.20%以下。
[4]如上述[3]所記載之抗反射膜，其中上述耐濕熱性試驗前後之與上述邊之方向正交之方向之尺寸變化率為0.01%以上0.20%以下。
[5]如上述[1]至[4]中任一項所記載之抗反射膜，其中上述透明膜基材為聚對苯二甲酸乙二酯膜。
[6]如上述[1]至[5]中任一項所記載之抗反射膜，其中上述抗反射層之厚度為150 nm以上280 nm以下。
[7]如上述[1]至[6]中任一項所記載之抗反射膜，其進而具備配置於上述硬塗層與上述抗反射層之間之底塗層。
[8]如上述[1]至[7]中任一項所記載之抗反射膜，其進而具備配置於上述抗反射層之與上述硬塗層側為相反側之防污層。
[9]如上述[1]至[8]中任一項所記載之抗反射膜，其進而具備配置於上述透明膜基材之與上述硬塗層側為相反側之黏著劑層。
[10]一種圖像顯示裝置，其具備圖像顯示面板、及配置於上述圖像顯示面板之視認側之如上述[1]至[9]中任一項所記載之抗反射膜。
[11]一種抗反射膜之製造方法，其係如上述[1]至[9]中任一項所記載之抗反射膜之製造方法，其包括：  步驟Sa，其藉由卷對卷方式之濺鍍成膜裝置於上述硬塗層之與上述透明膜基材側為相反側成膜上述抗反射層；及  步驟Sb，其於上述步驟Sa之後，加熱形成有上述抗反射層之積層體。
[12]如上述[11]所記載之抗反射膜之製造方法，其於上述步驟Sb中，於溫度110℃以上之條件下加熱上述積層體。  [發明之效果]
根據本發明，可提供一種即便於高溫下或高溫高濕下以彎曲狀態存放，抗反射層亦不易產生裂痕，耐彎曲性優異之抗反射膜及其製造方法、以及使用該抗反射膜之圖像顯示裝置。
以下，對本發明之較佳實施方式進行說明。首先，對本說明書中使用之用語進行說明。「折射率」係溫度23℃之氛圍下之針對波長550 nm之光之折射率。層狀物(更具體而言為透明膜基材、硬塗層、黏著劑層等)之「主面」係指層狀物之與厚度方向正交之面。構成抗反射膜之各層之厚度(膜厚)之數值係10個測定值之算術平均值，該10個測定值係自將層沿厚度方向切斷所得之剖面之圖像中隨機選擇10處測定部位，並對所選擇之10處測定部位之厚度進行測定而得。
「任一邊之方向」意指與長方形或正方形之抗反射膜之4個邊中任一邊平行之方向。以下，有時將抗反射膜之任一邊之方向記載為「第1方向」。又，有時將與第1方向正交之方向(詳細而言，為與上述4個邊中與第1方向正交之邊平行之方向)記載為「第2方向」。第1方向例如為以後述之卷對卷方式之濺鍍法形成抗反射層時的膜之搬送方向(以下，有時記載為「MD方向」)。第2方向例如為以後述之卷對卷方式之濺鍍法形成抗反射層時的膜之與搬送方向正交之方向(以下，有時記載為「TD方向」)。
以下，存在於化合物名之後附記「系」來概括性地統稱化合物及其衍生物之情形。又，於在化合物名之後附記「系」來表示聚合物名之情形時，意指聚合物之重複單元源自化合物或其衍生物。本說明書中所例示之成分或官能基等只要無特別記載，則可單獨使用，亦可併用2種以上。
為了便於理解，以下說明中所參照之圖式將各自之構成要素模式性地示於主體中，所圖示之各構成要素之大小、個數、形狀等存在為了便於製作圖式而與實際不同之情形。又，為了便於說明，於後文說明之圖式中，存在對與先前說明之圖式相同之構成部分標註相同符號並省略其說明之情形。
＜第1實施方式：抗反射膜＞  以下，作為本發明之第1實施方式之抗反射膜之具體例，對抗反射膜ARF1及抗反射膜ARF2進行說明。抗反射膜ARF1及抗反射膜ARF2均係依序具有透明膜基材、硬塗層及抗反射層之抗反射膜(積層體)。抗反射膜ARF1在進行於溫度85℃之環境下保持48小時之耐熱性試驗時，耐熱性試驗前後之第1方向之尺寸變化率為-0.10%以上0.10%以下。抗反射膜ARF2在進行於溫度60℃且相對濕度95%之環境下保持48小時之耐濕熱性試驗時，耐濕熱性試驗前後之第1方向之尺寸變化率為0.01%以上0.20%以下。
由於抗反射膜ARF1抑制高溫下第1方向之收縮，故而即便於高溫下以彎曲狀態存放，抗反射層亦不易產生裂痕，耐彎曲性優異。又，由於抗反射膜ARF2抑制高溫高濕下第1方向之收縮，故而即便於高溫高濕下以彎曲狀態存放，抗反射層亦不易產生裂痕，耐彎曲性優異。以下，於無需區分之情形時，將抗反射膜ARF1及抗反射膜ARF2之各者記載為「抗反射膜ARF」。又，有時將即便於高溫下以彎曲狀態存放，抗反射層亦不易產生裂痕之性質僅記載為「高溫下之耐彎曲性」。又，有時將即便於高溫高濕下以彎曲狀態存放，抗反射層亦不易產生裂痕之性質僅記載為「高溫高濕下之耐彎曲性」。
以下，有時將高溫下或高溫高濕下記載為「過酷環境下」。又，有時將即便於過酷環境下以彎曲狀態存放，抗反射層亦不易產生裂痕之性質僅記載為「過酷環境下之耐彎曲性」。又，有時將於溫度85℃之環境下保持抗反射膜48小時之耐熱性試驗僅記載為「耐熱性試驗」。又，有時將於溫度60℃且相對濕度95%之環境下保持抗反射膜48小時之耐濕熱性試驗僅記載為「耐濕熱性試驗」。又，有時將耐熱性試驗或耐濕熱性試驗記載為「過酷環境試驗」。以下，只要無特別限定，「過酷環境試驗」為以抗反射膜為對象之試驗。
再者，耐熱性試驗之氛圍之相對濕度例如為1%以下，可為0.5%以下或0.1%以下。
對於過酷環境試驗前後之第1方向或第2方向之尺寸變化率(單位：%)，於將過酷環境試驗前之第1方向或第2方向之長度設為L1(單位：mm)，將過酷環境試驗後之第1方向或第2方向之長度設為L2(單位：mm)之情形時，係根據式「尺寸變化率＝100×(L2－L1)/L1」算出。於第1方向或第2方向之尺寸變化率＜0%之情形時，意指藉由過酷環境試驗第1方向或第2方向之長度減小。另一方面，於第1方向或第2方向之尺寸變化率＞0%之情形時，意指藉由過酷環境試驗第1方向或第2方向之長度增加。尺寸變化率之測定方法為與後述之實施例相同之方法或依據其之方法。
為獲得高溫下之耐彎曲性更優異之抗反射膜ARF1，耐熱性試驗前後之第2方向之尺寸變化率較佳為-0.10%以上0.10%以下。
為獲得高溫下之耐彎曲性更優異之抗反射膜ARF1，耐熱性試驗前後之第1方向及第2方向之尺寸變化率均較佳為-0.09%以上，更佳為-0.08%以上，可為-0.07%以上、-0.06%以上或-0.05%以上。又，為獲得高溫下之耐彎曲性更優異之抗反射膜ARF1，耐熱性試驗前後之第1方向及第2方向之尺寸變化率均較佳為0.09%以下，更佳為0.05%以下，可為0.04%以下、0.03%以下、0.02%以下或0.01%以下。為獲得高溫下之耐彎曲性進一步優異之抗反射膜ARF1，耐熱性試驗前後之第1方向及第2方向之尺寸變化率中之至少一者較佳為0.00%以上0.10%以下，更佳為0.00%以上0.04%以下，進而較佳為0.00%以上0.03%以下，進而更佳為0.00%以上0.02%以下，尤佳為0.00%以上0.01%以下。
為獲得高溫下之耐彎曲性尤其優異之抗反射膜ARF1，較佳為耐熱性試驗前後之第1方向之尺寸變化率為0.00%以上0.10%以下，且耐熱性試驗前後之第2方向之尺寸變化率為-0.07%以上0.00%以下，更佳為耐熱性試驗前後之第1方向之尺寸變化率為0.00%以上0.04%以下，且耐熱性試驗前後之第2方向之尺寸變化率為-0.07%以上0.00%以下，進而較佳為耐熱性試驗前後之第1方向之尺寸變化率為0.00%以上0.03%以下，且耐熱性試驗前後之第2方向之尺寸變化率為-0.06%以上0.00%以下，進而更佳為耐熱性試驗前後之第1方向之尺寸變化率為0.00%以上0.02%以下，且耐熱性試驗前後之第2方向之尺寸變化率為-0.05%以上0.00%以下，尤佳為耐熱性試驗前後之第1方向之尺寸變化率為0.00%以上0.01%以下，且耐熱性試驗前後之第2方向之尺寸變化率為-0.05%以上0.00%以下。於耐熱性試驗前後之第1方向及第2方向之尺寸變化率為上述範圍內之情形時，為進一步抑制高溫下、彎曲狀態之抗反射層發生裂痕，較佳為以使抗反射膜ARF1沿第1方向彎曲之狀態存放。
為獲得高溫高濕下之耐彎曲性更優異之抗反射膜ARF2，耐濕熱性試驗前後之第2方向之尺寸變化率較佳為0.01%以上0.20%以下。
為獲得高溫高濕下之耐彎曲性更優異之抗反射膜ARF2，耐濕熱性試驗前後之第1方向及第2方向之尺寸變化率均較佳為0.02%以上，更佳為0.03%以上，可為0.04%以上、0.05%以上、0.06%以上、0.07%以上、0.08%以上或0.09%以上。又，為獲得高溫高濕下之耐彎曲性更優異之抗反射膜ARF2，耐濕熱性試驗前後之第1方向及第2方向之尺寸變化率均較佳為0.15%以下，更佳為0.14%以下，進而較佳為0.13%以下。為獲得高溫高濕下之耐彎曲性進一步優異之抗反射膜ARF2，耐濕熱性試驗前後之第1方向及第2方向之尺寸變化率均較佳為0.05%以上0.13%以下，更佳為0.06%以上0.13%以下，進而較佳為0.07%以上0.13%以下，進而更佳為0.08%以上0.13%以下，尤佳為0.09%以上0.13%以下。
為獲得高溫高濕下之耐彎曲性尤其優異之抗反射膜ARF2，較佳為耐濕熱性試驗前後之第1方向之尺寸變化率為0.05%以上0.11%以下，且耐濕熱性試驗前後之第2方向之尺寸變化率為0.10%以上0.13%以下，更佳為耐濕熱性試驗前後之第1方向之尺寸變化率為0.06%以上0.11%以下，且耐濕熱性試驗前後之第2方向之尺寸變化率為0.11%以上0.13%以下，進而較佳為耐濕熱性試驗前後之第1方向之尺寸變化率為0.07%以上0.11%以下，且耐濕熱性試驗前後之第2方向之尺寸變化率為0.11%以上0.13%以下，進而更佳為耐濕熱性試驗前後之第1方向之尺寸變化率為0.08%以上0.11%以下，且耐濕熱性試驗前後之第2方向之尺寸變化率為0.11%以上0.13%以下，尤佳為耐濕熱性試驗前後之第1方向之尺寸變化率為0.09%以上0.11%以下，且耐濕熱性試驗前後之第2方向之尺寸變化率為0.12%以上0.13%以下。於耐濕熱性試驗前後之第1方向及第2方向之尺寸變化率為上述範圍內之情形時，為進一步抑制高溫高濕下、彎曲狀態之抗反射層發生裂痕，較佳為以使抗反射膜ARF2沿第1方向彎曲之狀態存放。
以下，參照圖式對抗反射膜ARF之構成進行說明。圖1係表示抗反射膜ARF之一例之剖視圖。圖1所示之抗反射膜10依序具有透明膜基材11、硬塗層12及抗反射層13。於抗反射膜10為抗反射膜ARF1之情形時，抗反射膜10之耐熱性試驗前後之第1方向之尺寸變化率為-0.10%以上0.10%以下。又，於抗反射膜10為抗反射膜ARF2之情形時，抗反射膜10之耐濕熱性試驗前後之第1方向之尺寸變化率為0.01%以上0.20%以下。
又，抗反射膜10進而具備配置於硬塗層12與抗反射層13之間之底塗層18、及配置於抗反射層13之與硬塗層12側為相反側之防污層19。即，抗反射膜10依序具有透明膜基材11、硬塗層12、底塗層18、抗反射層13及防污層19。
抗反射層13自硬塗層12側(底塗層18側)起依序具有高折射率層14、低折射率層15、高折射率層16及低折射率層17這4層。關於高折射率層及低折射率層之詳情，見下文。再者，抗反射膜ARF之抗反射層並不限定於如抗反射層13之4層構成，可為2層構成、3層構成、5層構成、或6層以上之積層構成。抗反射膜ARF之抗反射層較佳為2層以上之高折射率層與2層以上之低折射率層之交替積層體。為降低空氣界面之反射，抗反射膜ARF之抗反射層較佳為最外層(離硬塗層12最遠之層)為低折射率層。
抗反射膜ARF可為與圖1所示之抗反射膜10不同之層構成。例如，抗反射膜ARF可為如圖2所示進而具備配置於透明膜基材11之與硬塗層12側為相反側之黏著劑層21之抗反射膜20。
構成黏著劑層21之黏著劑並無特別限定，例如，可適當地選擇使用以丙烯酸系聚合物、矽酮系聚合物、聚酯、聚胺基甲酸酯、聚醯胺、聚乙烯醚、乙酸乙烯酯-氯乙烯共聚物、改性聚烯烴、環氧系樹脂、氟系樹脂、天然橡膠、合成橡膠等聚合物為基礎聚合物之透明黏著劑。黏著劑層21之厚度並無特別限定，但就兼具薄層性及接著性之觀點而言，較佳為5 μm以上100 μm以下。
於黏著劑層21之與透明膜基材11側為相反側之主面可暫時黏有剝離襯墊(未圖示)。剝離襯墊例如於使抗反射膜20與後述之圖像顯示面板101(參照圖3)貼合之前，保護黏著劑層21之表面。作為剝離襯墊之構成材料，較佳使用由丙烯酸、聚烯烴、環狀聚烯烴、聚酯等形成之塑膠膜。剝離襯墊之厚度例如為5 μm以上200 μm以下。較佳為對剝離襯墊之表面實施離型處理。作為離型處理中使用之離型劑之材料，可例舉：矽酮系材料、氟系材料、長鏈烷基系材料、脂肪酸醯胺系材料等。
以上，參照圖式對第1實施方式之抗反射膜之構成進行了說明，但本發明之抗反射膜並不限定於上述構成。
例如，對於本發明之抗反射膜，耐熱性試驗前後之第1方向之尺寸變化率為-0.10%以上0.10%以下，且耐濕熱性試驗前後之第1方向之尺寸變化率可為0.01%以上0.20%以下。於此情形時，可獲得高溫下之耐彎曲性優異，並且高溫高濕下之耐彎曲性優異之抗反射膜。
又，本發明之抗反射膜可為不具備底塗層及防污層之抗反射膜。又，本發明之抗反射膜可具備與上述構成中所含之層(透明膜基材、硬塗層、底塗層、抗反射層及防污層)不同之光學功能層。
繼而，對第1實施方式之抗反射膜(更詳細而言，為抗反射膜ARF)之要素進行說明。
[透明膜基材]  透明膜基材例如為具有可撓性之透明樹脂膜。作為構成透明膜基材之材料，例如可例舉：聚酯樹脂、聚烯烴樹脂、聚苯乙烯樹脂、丙烯酸樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚醚碸樹脂、聚碸樹脂、聚醯胺樹脂、聚醯亞胺樹脂、纖維素樹脂、降莰烯樹脂、聚芳酯樹脂、及聚乙烯醇樹脂。作為聚酯樹脂，例如可例舉：聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚對苯二甲酸丁二酯、及聚萘二甲酸乙二酯。作為聚烯烴樹脂，例如可例舉：聚乙烯、聚丙烯、及環烯烴聚合物(COP)。作為纖維素樹脂，例如可例舉三乙醯纖維素(TAC)。該等材料可單獨使用，亦可併用兩種以上。作為透明膜基材之材料，就透明性及強度之觀點而言，較佳為選自由聚酯樹脂、聚烯烴樹脂、及纖維素樹脂所組成之群中之一種，更佳為選自由PET、COP、及TAC所組成之群中之一種，進而較佳為PET。即，作為透明膜基材，較佳為選自由聚酯樹脂膜、聚烯烴樹脂膜、及纖維素樹脂膜所組成之群中之一種膜，更佳為選自由PET膜、COP膜、及TAC膜所組成之群中之一種膜，進而較佳為PET膜。
就強度之觀點而言，透明膜基材之厚度較佳為5 μm以上，更佳為10 μm以上，進而較佳為20 μm以上。就處理性之觀點而言，透明膜基材之厚度較佳為300 μm以下，更佳為200 μm以下。
可對透明膜基材之一個主面或兩個主面進行表面改質處理。作為表面改質處理，例如可例舉：電暈處理、電漿處理、臭氧處理、底塗處理、輝光處理、及偶合劑處理。
就提高抗反射膜之透明性之觀點而言，透明膜基材之全光線透過率(JIS K 7375-2008)較佳為80%以上，更佳為90%以上，進而較佳為95%以上100%以下。
[硬塗層]  硬塗層為提高抗反射膜之硬度或彈性模數等機械特性之層。硬塗層例如包含硬化性樹脂組合物(硬塗層形成用組合物)之硬化物。作為硬化性樹脂組合物中所含之硬化性樹脂，例如可例舉：聚酯樹脂、丙烯酸樹脂、聚胺酯樹脂、丙烯酸胺基甲酸酯樹脂、醯胺樹脂、矽酮樹脂、環氧樹脂、及三聚氰胺樹脂。該等硬化性樹脂可單獨使用，亦可併用兩種以上。就提高硬塗層之硬度之觀點而言，作為硬化性樹脂，較佳為選自由丙烯酸樹脂及丙烯酸胺基甲酸酯樹脂所組成之群中之一種以上，更佳為丙烯酸樹脂。
又，作為硬化性樹脂組合物，例如可例舉：紫外線硬化型樹脂組合物、及熱硬化型樹脂組合物。就提高抗反射膜之生產性之觀點而言，作為硬化性樹脂組合物，較佳為紫外線硬化型樹脂組合物。紫外線硬化型樹脂組合物中包含選自由紫外線硬化型單體、紫外線硬化型低聚物及紫外線硬化型聚合物所組成之群中之一種以上。作為紫外線硬化型樹脂組合物之具體例，可例舉日本專利特開2016-179686號公報中記載之硬塗層形成用組合物。
又，硬化性樹脂組合物可含有微粒子。藉由於硬化性樹脂組合物中調配微粒子，可進行硬塗層中之、硬度之調整、表面粗糙度之調整、折射率之調整及防眩性之調整。作為微粒子，例如可例舉：金屬氧化物粒子、玻璃粒子、及有機粒子。作為金屬氧化物粒子之材料，例如可例舉：二氧化矽、氧化鋁、氧化鈦、氧化鋯、氧化鈣、氧化錫、氧化銦、氧化鎘、及氧化銻。作為有機粒子之材料，例如可例舉：聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚胺基甲酸酯、丙烯酸-苯乙烯共聚物、苯并胍胺、三聚氰胺、及聚碳酸酯。
就提高硬塗層之硬度之觀點而言，硬塗層之厚度較佳為1 μm以上，更佳為2 μm以上。就確保抗反射膜之柔軟性之觀點而言，硬塗層之厚度較佳為50 μm以下，更佳為40 μm以下，進而較佳為35 μm以下，進而更佳為30 μm以下。
可對硬塗層之與透明膜基材側為相反側之主面進行表面改質處理。作為表面改質處理，例如可例舉：電漿處理、電暈處理、臭氧處理、底塗處理、輝光處理、及偶合劑處理。為提高設置於硬塗層之與透明膜基材側為相反側之層(例如，為後述之底塗層)與硬塗層之密接性，較佳為對硬塗層之與透明膜基材側為相反側之主面進行電漿處理。
[底塗層]  為提高硬塗層與抗反射層之密接性，較佳為於硬塗層與抗反射層之間設置底塗層。作為底塗層之材料，可例舉：矽、鎳、鉻、錫、金、銀、鉑、鋅、鈦、銦、鎢、鋁、鋯、鈀等金屬(或半金屬)；該等金屬(或半金屬)之合金；該等金屬(或半金屬)之氧化物、氟化物、硫化物或氮化物等。構成底塗層之氧化物可為氧化銦錫(ITO)等複合氧化物。其中，作為底塗層之材料，較佳為無機氧化物，尤佳為氧化矽、氧化銦或ITO。
為提高硬塗層與抗反射層之密接性，並且確保底塗層之透光性，底塗層之厚度較佳為0.5 nm以上20 nm以下，更佳為0.5 nm以上10 nm以下，進而較佳為1.0 nm以上10 nm以下。
[抗反射層]  抗反射層包含折射率不同之2層以上之薄膜。一般而言，抗反射層以入射光與反射光反轉之相位相互抵消之方式調整薄膜之光學膜厚(折射率與厚度之積)。藉由將抗反射層作為折射率不同之2層以上之薄膜之多層積層體，可於可見光之寬頻帶之波長範圍內降低反射率。
作為構成抗反射層之薄膜之材料，可例舉金屬(或半金屬)之氧化物、氮化物、氟化物等。抗反射層較佳為高折射率層與低折射率層之交替積層體。
高折射率層之折射率例如為1.9以上，較佳為2.0以上。作為高折射率層之材料，可例舉：氧化鈦、氧化鈮、氧化鋯、氧化鉭、氧化鋅、氧化銦、ITO、摻銻氧化錫(ATO)等。其中，較佳為選自由氧化鈦及氧化鈮所組成之群中之一種以上。低折射率層之折射率例如為1.6以下，較佳為1.5以下。作為低折射率層之材料，可例舉：氧化矽、窒化鈦、氟化鎂、氟化鋇、氟化鈣、氟化鉿、氟化鑭等。其中，較佳為氧化矽。尤佳為交替地積層作為高折射率層之氧化鈮(Nb 2O 5)薄膜與作為低折射率層之氧化矽(SiO 2)薄膜。除低折射率層與高折射率層以外，亦可設置折射率超過1.6且未達1.9之中折射率層。
高折射率層及低折射率層之膜厚分別較佳為5 nm以上200 nm以下，更佳為10 nm以上150 nm以下。只要視折射率或積層構成等，以降低可見光之反射率之方式設計各層之膜厚即可。例如，作為高折射率層與低折射率層之積層構成，可例舉自硬塗層側起包含光學膜厚20 nm以上55 nm以下之高折射率層、光學膜厚35 nm以上55 nm以下之低折射率層、光學膜厚80 nm以上250 nm以下之高折射率層、及光學膜厚100 nm以上150 nm以下之低折射率層之4層構成。
於抗反射層為交替地積層作為高折射率層之氧化鈮(Nb 2O 5)薄膜與作為低折射率層之氧化矽(SiO 2)薄膜而成之4層交替積層體之情形時，作為抗反射層之構成，可例舉自硬塗層側起依序具備厚度5 nm以上20 nm以下之氧化鈮薄膜、厚度20 nm以上40 nm以下之氧化矽薄膜、厚度65 nm以上120 nm以下之氧化鈮薄膜、及厚度60 nm以上100 nm以下之氧化矽薄膜之構成。
為獲得過酷環境下之耐彎曲性更優異之抗反射膜，抗反射層之厚度較佳為150 nm以上280 nm以下，更佳為180 nm以上280 nm以下，進而較佳為190 nm以上260 nm以下，進而更佳為200 nm以上250 nm以下。再者，於本說明書中，「抗反射層之厚度」係構成抗反射層之各層之厚度之合計(合計厚度)。
[防污層]  抗反射膜較佳為於抗反射層之與硬塗層側為相反側具備防污層，更佳為具備防污層作為抗反射膜之最表層。藉由設置防污層，例如，可降低來自外部環境之污染(指紋、手垢、灰塵等)之影響，並且容易去除附著於抗反射膜之表面之污染物質。
為抑制抗反射層之抗反射性能之降低，防污層較佳為與抗反射層之最表層(例如低折射率層)之折射率差較小。作為防污層之折射率，較佳為1.6以下，更佳為1.55以下。
作為防污層之材料，較佳為含氟化合物。關於含氟化合物，防污性優異，並且可有助於低折射率化。其中，就撥水性優異，且可發揮較高之防污性方面而言，較佳為含有全氟聚醚骨架之烷氧基矽烷化合物。作為含有全氟聚醚骨架之烷氧基矽烷化合物，例如可例舉具有複數個碳原子數1以上4以下之直鏈狀或支鏈狀之全氟環氧烷單元之烷氧基矽烷化合物。作為碳原子數1以上4以下之直鏈狀或支鏈狀之全氟環氧烷單元，例如可例舉：全氟環氧甲烷單元(-CF 2O-)、全氟環氧乙烷單元(-CF 2CF 2O-)、全氟環氧丙烷單元(-CF 2CF 2CF 2O-)、全氟環氧異丙烷單元(-CF(CF 3)CF 2O-)等。
防污層之厚度例如為2 nm以上50 nm以下。防污層之厚度越大，防污性越有提高之傾向。防污層之厚度較佳為5 nm以上，更佳為7 nm以上，進而較佳為8 nm以上。另一方面，就提高防眩性之觀點而言，防污層之厚度較佳為30 nm以下，更佳為20 nm以下。
[抗反射膜之較佳態樣]  為獲得高溫下之耐彎曲性尤其優異之抗反射膜，第1實施方式之抗反射膜較佳為滿足下述條件1，更佳為滿足下述條件2，進而較佳為滿足下述條件3，進而更佳為滿足下述條件4。  條件1：耐熱性試驗前後之第1方向及第2方向之尺寸變化率中之至少一者為0.00%以上0.04%以下。  條件2：滿足上述條件1，且抗反射層之厚度為150 nm以上280 nm以下。  條件3：耐熱性試驗前後之第1方向之尺寸變化率為0.00%以上0.04%以下，且耐熱性試驗前後之第2方向之尺寸變化率為-0.07%以上0.00%以下。  條件4：滿足上述條件3，且抗反射層之厚度為150 nm以上280 nm以下。
又，為獲得高溫高濕下之耐彎曲性尤其優異之抗反射膜，第1實施方式之抗反射膜較佳為滿足下述條件i，更佳為滿足下述條件ii，進而較佳為滿足下述條件iii，進而更佳為滿足下述條件iv。 條件i：耐濕熱性試驗前後之第1方向及第2方向之尺寸變化率均為0.05%以上0.13%以下。  條件ii：滿足上述條件i，且抗反射層之厚度為150 nm以上280 nm以下。  條件iii：耐濕熱性試驗前後之第1方向之尺寸變化率為0.05%以上0.11%以下，且耐濕熱性試驗前後之第2方向之尺寸變化率為0.10%以上0.13%以下。  條件iv：滿足上述條件iii，且抗反射層之厚度為150 nm以上280 nm以下。
又，為獲得高溫下之耐彎曲性尤其優異，並且高溫高濕下之耐彎曲性尤其優異之抗反射膜，第1實施方式之抗反射膜較佳為滿足上述條件1及i，更佳為滿足上述條件2及ii，進而較佳為滿足上述條件3及iii，進而更佳為滿足上述條件4及iv。
＜第2實施方式：圖像顯示裝置＞  繼而，對本發明之第2實施方式之圖像顯示裝置進行說明。第2實施方式之圖像顯示裝置具備圖像顯示面板、及配置於圖像顯示面板之視認側之第1實施方式之抗反射膜。以下，對於與第1實施方式重複之內容，省略說明。
圖3係表示第2實施方式之圖像顯示裝置之一例之剖視圖。圖3所示之圖像顯示裝置100具備圖像顯示面板101、及配置於圖像顯示面板101之視認側(圖3中之上方側)之作為第1實施方式之抗反射膜之一例的抗反射膜10。於圖像顯示裝置100中，抗反射膜10之透明膜基材11與圖像顯示面板101經由黏著劑層21貼合。
作為圖像顯示面板101，可例示液晶單元、有機EL單元等包含圖像顯示單元之圖像顯示面板。
由於第2實施方式之圖像顯示裝置於圖像顯示面板之視認側配置有抗反射膜，故而外界光之反射被降低，視認性優異。又，由於第2實施方式之圖像顯示裝置具備第1實施方式之抗反射膜(過酷環境下之耐彎曲性優異抗反射膜)，故而即便以使抗反射層形成面側作為內側彎曲之狀態存放，彎曲部位之抗反射層亦不易發生裂痕。因此，第2實施方式之圖像顯示裝置例如亦可用作可摺疊顯示器。為獲得可進一步抑制過酷環境下抗反射層發生裂痕之可摺疊顯示器，可摺疊顯示器之彎曲部位較佳為可將抗反射膜沿第1方向彎曲之彎曲部位。
＜第3實施方式：抗反射膜之製造方法＞  繼而，對本發明之第3實施方式之抗反射膜之製造方法進行說明。第3實施方式之抗反射膜之製造方法係第1實施方式之抗反射膜之較佳製造方法。以下，對於與第1實施方式重複之內容，省略說明。
第3實施方式之抗反射膜之製造方法包括：步驟Sa，其藉由卷對卷方式之濺鍍成膜裝置於硬塗層之與透明膜基材側為相反側成膜抗反射層；步驟Sb，其於步驟Sa之後，加熱形成有抗反射層之積層體。由於第3實施方式之抗反射膜之製造方法包括步驟Sa及步驟Sb，故而可容易地製造第1實施方式之抗反射膜。以下，將步驟Sa記載為「抗反射層形成步驟」。又，將步驟Sb記載為「抗反射層加熱步驟」。
第3實施方式之抗反射膜之製造方法可包括除抗反射層形成步驟及抗反射層加熱步驟以外之步驟(其他步驟)。作為其他步驟，例如可例舉：後述之硬塗層形成步驟、硬塗層之表面處理步驟、硬塗層加熱步驟、底塗層形成步驟及防污層形成步驟。
以下，對第3實施方式之抗反射膜之製造方法之一例所包括之各步驟進行說明。
[硬塗層形成步驟]  硬塗層形成步驟為於透明膜基材上形成硬塗層之步驟。例如，於透明膜基材上塗佈硬化性樹脂組合物(硬塗層形成用組合物)，並視需要去除溶劑且使樹脂硬化，藉此形成硬塗層。硬塗層形成用組合物例如包含上述之硬化性樹脂、及聚合起始劑(例如光聚合起始劑)，視需要包含可溶解或分散該等成分之溶劑。
硬塗層形成用組合物除上述成分以外，亦可包含微粒子、調平劑、黏度調整劑(觸變劑、增黏劑等)、抗靜電劑、抗黏連劑、分散劑、分散穩定劑、抗氧化劑、紫外線吸收劑、消泡劑、界面活性劑、潤滑劑等添加劑。
作為硬塗層形成用組合物之塗佈方法，可採用棒式塗佈法、輥塗法、凹版塗佈法、桿式塗佈法、孔縫式塗佈法、淋幕式塗佈法、噴注式塗佈法、缺角輪塗佈法等任意適當之方法。塗佈後之塗膜之乾燥溫度只要根據硬塗層形成用組合物之組成等設定為適當之溫度即可，例如為50℃以上150℃以下。於硬塗層形成用組合物中之樹脂成分為熱硬化性樹脂之情形時，藉由加熱使塗膜硬化。於硬塗層形成用組合物中之樹脂成分為光硬化性樹脂之情形時，藉由照射紫外線等活性能量線而使塗膜硬化。照射光之累計光量較佳為100 mJ/cm 2以上500 mJ/cm 2以下。
[硬塗層之表面處理步驟]  於硬塗層之表面處理步驟中，對硬塗層之與透明膜基材側為相反側之主面進行表面改質處理。作為表面改質處理，例如可例舉：電漿處理、電暈處理、臭氧處理、底塗處理、輝光處理、及偶合劑處理。於表面改質處理為電漿處理之情形時，作為惰性氣體，例如使用氬氣。又，電漿處理中之放電電力例如為10 W以上10000 W以下。
[硬塗層加熱步驟]  硬塗層加熱步驟為於硬塗層上設置其他層(例如，底塗層、抗反射層等)之前，對包含硬塗層之積層體(例如，具有透明膜基材與硬塗層之膜狀積層體)進行加熱之步驟。藉由設置硬塗層加熱步驟，例如可抑制因透明膜基材之熱收縮而引起之抗反射膜之尺寸變化。
於第3實施方式中，由於在抗反射層形成步驟中使用卷對卷方式之濺鍍成膜裝置，故而就提高生產性之觀點而言，較佳為於硬塗層加熱步驟中，一面以卷對卷方式搬送上述積層體一面進行加熱。作為加熱時之加熱裝置，例如可例舉：熱風烘箱、紅外線加熱器等。
硬塗層加熱步驟中之上述積層體之加熱溫度例如為100℃以上200℃以下。硬塗層加熱步驟中之上述積層體之加熱時間例如為30秒以上30分鐘以下。再者，於設置硬塗層之表面處理步驟及硬塗層加熱步驟之情形時，硬塗層加熱步驟可於硬塗層之表面處理步驟前實施亦可於其後實施。
[底塗層形成步驟]  底塗層形成步驟為於硬塗層上形成(成膜)底塗層之步驟。底塗層之成膜方法並無特別限定，可為濕式塗佈法及乾式塗佈法中任一種。就可形成膜厚均勻之薄膜之方面而言，較佳為真空蒸鍍法、CVD(Chemical Vapor Deposition，化學氣相沈積)法、濺鍍法等乾式塗佈法。又，於第3實施方式中，由於在抗反射層形成步驟中使用卷對卷方式之濺鍍成膜裝置，故而就提高生產性之觀點而言，作為底塗層之成膜方法，較佳為使用卷對卷方式之濺鍍成膜裝置進行成膜之方法(卷對卷方式之濺鍍法)。
於卷對卷方式之濺鍍法中，可一面將長條膜(例如，形成有硬塗層之透明膜基材)沿長度方向(MD方向)搬送，例如一面將底塗層及抗反射層連續成膜。於濺鍍法中，一面將氬氣等惰性氣體、及視需要之氧氣等反應性氣體導入成膜室內，一面進行成膜。於成膜氧化物層作為底塗層之情形時，利用濺鍍法所進行之氧化物層之成膜可藉由使用氧化物靶之方法、及使用金屬(或半金屬)靶之反應性濺鍍中之任一種來實施。
作為用於實施濺鍍法之電源，例如可例舉：DC(direct current，直流)電源、AC(Alternating Current，交流)電源、RF(Radio Frequency，射頻)電源、及MFAC(Medium Frequency Alternating Current，中波交流)電源(頻帶為數kHz～數MHz之AC電源)。濺鍍法中之放電電力例如為1 kW以上100 kW以下，較佳為1 kW以上50 kW以下。實施濺鍍法時之成膜輥之表面溫度例如為-25℃以上25℃以下，較佳為-20℃以上0℃以下。實施濺鍍法時之成膜室內之壓力較佳為0.01 Pa以上10 Pa以下，更佳為0.05 Pa以上5 Pa以下，進而較佳為0.1 Pa以上1 Pa以下。
[抗反射層形成步驟]  於抗反射層形成步驟中，藉由卷對卷方式之濺鍍成膜裝置於硬塗層之與透明膜基材側為相反側(例如，硬塗層表面或底塗層表面)成膜抗反射層。即，於第3實施方式中，藉由卷對卷方式之濺鍍法成膜抗反射層之各層。於抗反射層形成步驟中實施濺鍍法時，例如可於上述之[底塗層形成步驟]中所說明之條件中適當地設定成膜條件。
藉由本發明人等之研究判明，當藉由卷對卷方式之濺鍍法成膜抗反射層之各層時，抗反射膜於過酷環境下容易收縮。尤其是，於使用PET膜等延伸膜作為透明膜基材之情形時，上述抗反射膜之收縮變得顯著。以卷對卷方式搬送形成抗反射層之積層體(例如，至少具有透明膜基材與硬塗層之膜狀積層體)時，於搬送方向上對上述積層體賦予張力，故而推測上述積層體中發生殘留應力，抗反射膜於過酷環境下變得容易收縮。
[防污層形成步驟]  防污層形成步驟為於抗反射層之與硬塗層側為相反側形成防污層之步驟。於防污層形成步驟中，例如使用含氟化合物作為材料，並利用乾式塗佈法形成防污層。作為乾式塗佈法，例如可例舉：真空蒸鍍法、濺鍍法、及CVD法，較佳為真空蒸鍍法。
[抗反射層加熱步驟]  抗反射層加熱步驟為對形成有抗反射層之積層體(以下，有時記載為「帶抗反射層之膜」)進行加熱之步驟。藉由對帶抗反射層之膜進行加熱，例如帶抗反射層之膜之殘留應力之至少一部分被去除，且過酷環境下之抗反射膜之收縮得以抑制。其結果，獲得過酷環境下之耐彎曲性優異之抗反射膜。再者，於設置防污層形成步驟之情形時，抗反射層加熱步驟可於防污層形成步驟前實施亦可於其後實施。於設置防污層形成步驟之情形時，為獲得過酷環境下之耐彎曲性更優異之抗反射膜，抗反射層加熱步驟較佳為於防污層形成步驟後實施。
於第3實施方式中，由於在抗反射層形成步驟中使用卷對卷方式之濺鍍成膜裝置，故而就提高生產性之觀點而言，較佳為於抗反射層加熱步驟中，一面以卷對卷方式搬送帶抗反射層之膜一面進行加熱。作為加熱時之加熱裝置，例如可例舉：熱風烘箱、紅外線加熱器等。
為獲得過酷環境下之耐彎曲性更優異之抗反射膜，抗反射層加熱步驟中之帶抗反射層之膜之加熱溫度較佳為110℃以上，更佳為115℃以上，進而較佳為120℃以上，可為130℃以上、140℃以上、150℃以上、160℃以上、170℃以上或180℃以上。又，為獲得過酷環境下之耐彎曲性更優異之抗反射膜，抗反射層加熱步驟中之帶抗反射層之膜之加熱時間較佳為30秒以上，更佳為1分鐘以上，進而較佳為2分鐘以上，可為5分鐘以上、10分鐘以上或15分鐘以上。
為抑制抗反射膜之透明性降低，抗反射層加熱步驟中之帶抗反射層之膜之加熱溫度較佳為200℃以下，更佳為190℃以下。又，為抑制抗反射膜之透明性降低，抗反射層加熱步驟中之帶抗反射層之膜之加熱時間較佳為30分鐘以下，更佳為20分鐘以下。
上述耐熱性試驗前後之第1方向及第2方向之尺寸變化率、以及上述耐濕熱性試驗前後之第1方向及第2方向之尺寸變化率均可藉由變更抗反射層加熱步驟中之加熱條件(詳細而言，為加熱溫度、加熱時間等)來調整。  [實施例]
以下，對本發明之實施例進行說明，但本發明並不限定於以下實施例。
＜實施例1之抗反射膜之製作＞  [硬塗層形成步驟]  混合以固形物成分換算計為100重量份之紫外線硬化型多官能丙烯酸樹脂組合物(Aica Kogyo公司製造之「Z-850-50H-D」，固形物成分濃度：44重量%)、光聚合起始劑(IGM Resins公司製造之「Omnirad2959」)4重量份、及調平劑(共榮社化學公司製造之「LE-303」)0.05重量份，獲得混合液。繼而，於所獲得之混合液中添加甲基異丁基酮，獲得固形物成分濃度40重量%之硬塗層形成用組合物。繼而，於作為透明膜基材之PET膜(東麗公司製造之「50U48」，厚度：50 μm)之一個主面塗佈上述硬塗層形成用組合物，形成塗膜。接著，藉由將該塗膜於溫度80℃下加熱60秒來使其乾燥後，利用紫外線照射使其硬化。進行紫外線照射時，使用高壓水銀燈作為光源，使用波長365 nm之紫外線，將累計光量設為300 mJ/cm 2。由此，於PET膜上形成厚度3 μm之硬塗層。
[硬塗層之表面處理步驟]  繼而，藉由卷對卷方式之電漿處理裝置，於1.0 Pa之真空氛圍下，一面搬送形成有硬塗層之PET膜，一面對硬塗層之表面進行電漿處理。進行電漿處理時，使用氬氣作為惰性氣體，將放電電力設為150 W。由此，獲得具備PET膜、及經電漿處理之硬塗層之積層體(以下，有時記載為「光學膜F1」)。
[硬塗層加熱步驟]  繼而，光學膜F1一面藉由卷對卷方式之搬送裝置進行搬送，一面藉由熱風烘箱於溫度140℃下加熱2分鐘。
[底塗層形成步驟]  繼而，將加熱後之光學膜F1導入至卷對卷方式之濺鍍成膜裝置，將成膜室內減壓至1×10 -4Pa。繼而，一面搬送光學膜F1，一面以100：10之體積比導入氬氣與氧氣，將成膜輥之表面溫度設為-8℃，並藉由濺鍍法，於硬塗層上形成厚度1.5 nm之ITO層(底塗層)。於底塗層之形成中，使用以90：10之重量比含有氧化銦與氧化錫之ITO靶作為靶材料。又，利用濺鍍法成膜時，將電源設為MFAC電源，將放電電力設為2.5 kW，將成膜室內之壓力設為0.2 Pa。
[抗反射層形成步驟]  繼底塗層之形成後，一面使用卷對卷方式之濺鍍成膜裝置搬送底塗層形成後之光學膜F1，一面藉由濺鍍法於底塗層上依序成膜第1層：厚度12 nm之Nb 2O 5層(折射率：2.33)、第2層：厚度28 nm之SiO 2層(折射率：1.46)、第3層：厚度100 nm之Nb 2O 5層、及第4層：厚度85 nm之SiO 2層。由此，於底塗層上形成4層構成(包含第1層、第2層、第3層及第4層之4層構成)之抗反射層。於第1層～第4層之各層之成膜中，均將成膜輥之表面溫度設為-8℃，將電源設為MFAC電源，將成膜室內之壓力設為0.7 Pa。又，於第1層之成膜中，使用Nb靶，以100：5之體積比導入氬氣與氧氣，將放電電力設為10.5 kW。於第2層之成膜中，使用Si靶，以100：30之體積比導入氬氣與氧氣，將放電電力設為14 kW。於第3層之成膜中，使用Nb靶，以100：13之體積比導入氬氣與氧氣，將放電電力設為22 kW。於第4層之成膜中，使用Si靶，以100：30之體積比導入氬氣與氧氣，將放電電力設為12 kW。
[防污層形成步驟]  使用將塗佈劑(信越化學工業公司製造之「SHIN-ETSU SUBELYN KY1903-1」，有效成分：含有全氟聚醚骨架之烷氧基矽烷化合物)乾燥固化而得者作為蒸鍍源，將蒸鍍源之加熱溫度設為260℃，藉由真空蒸鍍法於抗反射層上形成厚度12 nm之防污層。由此，獲得具備PET膜、硬塗層、底塗層、抗反射層、及防污層之積層體(以下，有時記載為「光學膜F2」)。
[抗反射層加熱步驟]  繼而，光學膜F2一面藉由卷對卷方式之搬送裝置進行搬送，一面藉由熱風烘箱於溫度120℃下加熱2分鐘。由此，獲得實施例1之抗反射膜。
＜實施例2～9及比較例1～5之抗反射膜之製作＞  除將硬塗層加熱步驟中之光學膜F1之加熱條件及抗反射層加熱步驟中之光學膜F2之加熱條件變更為表1所示之條件以外，藉由與實施例1相同之製作方法，分別獲得實施例2～9及比較例1～5之抗反射膜。再者，於實施例6～9及比較例4之抗反射膜之製作中，未實施硬塗層加熱步驟。又，於比較例4及5之抗反射膜之製作中，未實施抗反射層加熱步驟。
[表1]
   硬塗層加熱步驟之 加熱條件 抗反射層加熱步驟之 加熱條件
實施例1 140℃×2分鐘 120℃×2分鐘
實施例2 140℃×2分鐘 140℃×2分鐘
實施例3 140℃×2分鐘 160℃×2分鐘
實施例4 140℃×2分鐘 180℃×2分鐘
實施例5 140℃×2分鐘 180℃×15分鐘
實施例6 無加熱處理 120℃×2分鐘
實施例7 無加熱處理 140℃×2分鐘
實施例8 無加熱處理 160℃×2分鐘
實施例9 無加熱處理 180℃×2分鐘
比較例1 140℃×2分鐘 60℃×2分鐘
比較例2 140℃×2分鐘 80℃×2分鐘
比較例3 140℃×2分鐘 100℃×2分鐘
比較例4 無加熱處理 無加熱處理
比較例5 140℃×2分鐘 無加熱處理
＜尺寸變化率之測定方法＞  [耐熱性試驗前後之尺寸變化率之測定方法]  作為用於測定耐熱性試驗前後之尺寸變化率之試驗片，使用雷射加工機(GCC公司製造之「LaserPro Spirit GLS」)，自各抗反射膜切出100 mm×100 mm之尺寸(MD方向之長度：100 mm、TD方向之長度：100 mm)之試驗片。切出試驗片時之氛圍溫度及相對濕度分別為20℃及50%。繼而，於進行將各試驗片於溫度85℃且相對濕度1%以下之乾燥烘箱(愛斯佩克公司製造之「PH-202」)中靜置48小時之耐熱性試驗後，於溫度20℃且相對濕度50%之氛圍下靜置24小時，求出耐熱性試驗前後之尺寸變化率。即，各試驗片之各方向(MD方向及TD方向)之尺寸變化率係根據耐熱性試驗前之溫度20℃且相對濕度50%下之各方向之長度L1(100 mm)、及耐熱性試驗後於溫度20℃且相對濕度50%之氛圍下靜置24小時後測得之各方向之長度L2，藉由上述式算出。
[耐濕熱性試驗前後之尺寸變化率之測定方法]  作為用於測定耐濕熱性試驗前後之尺寸變化率之試驗片，使用雷射加工機(GCC公司製造之「LaserPro Spirit GLS」)，自各抗反射膜切出100 mm×100 mm之尺寸(MD方向之長度：100 mm、TD方向之長度：100 mm)之試驗片。切出試驗片時之氛圍溫度及相對濕度分別為20℃及50%。繼而，於進行將各試驗片於溫度60℃且相對濕度95%之恆溫恆濕試驗機(愛斯佩克公司製造之「PL-2J」)中靜置48小時之耐濕熱性試驗後，於溫度20℃且相對濕度50%之氛圍下靜置24小時，求出耐濕熱性試驗前後之尺寸變化率。即，各試驗片之各方向(MD方向及TD方向)之尺寸變化率係根據耐濕熱性試驗前之溫度20℃且相對濕度50%下之各方向之長度L1(100 mm)、及耐濕熱性試驗後於溫度20℃且相對濕度50%之氛圍下靜置24小時後測得之各方向之長度L2，藉由上述式算出。
＜耐彎曲性評估＞  [高溫下之耐彎曲性評估]  作為用於評估高溫下之耐彎曲性之試驗片，使用雷射加工機(GCC公司製造之「LaserPro Spirit GLS」)，自各抗反射膜切出寬度10 mm×長度100 mm之尺寸之試驗片200(長度方向：MD方向、寬度方向：TD方向)。繼而，如圖4所示，於以試驗片200之抗反射層(未圖示)側之面成為內側之方式使其沿MD方向(圖4中之X方向)彎曲之狀態下，使MD方向之兩端貼合於厚度D(D：4.0 mm或3.8 mm)之間隔件300。於圖4之狀態下，試驗片200之彎曲部分之彎曲半徑為D/2。繼而，將圖4之狀態之試驗片200於溫度85℃且相對濕度1%以下之乾燥烘箱(愛斯佩克公司製造之「PH-202」)中靜置48小時後取出，利用光學顯微鏡確認彎曲部分有無裂痕(抗反射層之白濁)。並且，於未確認到裂痕之情形時，判定為A。另一方面，於確認到裂痕之情形時，判定為B。於使用厚度4.0 mm之間隔件時之判定結果為A之情形時，評估為「高溫下之耐彎曲性優異」，於使用厚度4.0 mm之間隔件時之判定結果為B之情形時，評估為「高溫下之耐彎曲性較差」。
[高溫高濕下之耐彎曲性評估]  作為用於評估高溫高濕下之耐彎曲性之試驗片，使用雷射加工機(GCC公司製造之「LaserPro Spirit GLS」)，自各抗反射膜切出寬度10 mm×長度100 mm之尺寸之試驗片200(長度方向：MD方向、寬度方向：TD方向)。繼而，如圖4所示，於以試驗片200之抗反射層(未圖示)側之面成為內側之方式使其沿MD方向(圖4中之X方向)彎曲之狀態下，使MD方向之兩端貼合於厚度D(D：4.0 mm或3.8 mm)之間隔件300。於圖4之狀態下，試驗片200之彎曲部分之彎曲半徑為D/2。繼而，將圖4之狀態之試驗片200於溫度60℃且相對濕度95%之恆溫恆濕試驗機(愛斯佩克公司製造之「PL-2J」)中靜置48小時後取出，利用光學顯微鏡確認彎曲部分有無裂痕(抗反射層之白濁)。並且，於未確認到裂痕之情形時，判定為A。另一方面，於確認到裂痕之情形時，判定為B。於使用厚度4.0 mm之間隔件時之判定結果為A之情形時，評估為「高溫高濕下之耐彎曲性優異」，於使用厚度4.0 mm之間隔件時之判定結果為B之情形時，評估為「高溫高濕下之耐彎曲性較差」。
＜評估結果＞  對於實施例1～9及比較例1～5，將耐熱性試驗前後之尺寸變化率、耐濕熱性試驗前後之尺寸變化率、及耐彎曲性之判定結果示於表2中。再者，於表2中，「4.0 mm」及「3.8 mm」均意指於耐彎曲性評估中所使用之間隔件之厚度。
[表2]
   耐熱性試驗前後之尺寸變化率 耐濕熱性試驗前後之尺寸變化率 耐彎曲性之判定結果
TD 方向 MD 方向 TD 方向 MD 方向 高溫下 高溫高濕下
4.0 mm 3.8 mm 4.0 mm 3.8 mm
實施例1 -0.07% -0.02% 0.10% 0.07% A B A A
實施例2 -0.06% -0.03% 0.10% 0.06% A B A A
實施例3 -0.05% -0.02% 0.10% 0.06% A B A A
實施例4 -0.04% 0.01% 0.12% 0.09% A A A A
實施例5 -0.03% 0.01% 0.12% 0.09% A A A A
實施例6 -0.06% -0.04% 0.10% 0.05% A B A A
實施例7 -0.05% -0.04% 0.10% 0.05% A B A A
實施例8 -0.05% -0.02% 0.10% 0.06% A B A A
實施例9 -0.05% 0.00% 0.13% 0.11% A A A A
比較例1 -0.26% -0.23% -0.01% -0.06% B B B B
比較例2 -0.26% -0.23% 0.00% -0.06% B B B B
比較例3 -0.26% -0.24% 0.00% -0.07% B B B B
比較例4 -0.24% -0.26% -0.05% -0.10% B B B B
比較例5 -0.23% -0.23% -0.02% -0.06% B B B B
如表2所示，於實施例1～9中，耐熱性試驗前後之MD方向之尺寸變化率為-0.10%以上0.10%以下。於實施例1～9中，耐濕熱性試驗前後之MD方向之尺寸變化率為0.01%以上0.20%以下。
如表2所示，於實施例1～9中，使用厚度4.0 mm之間隔件時之高溫下之耐彎曲性之判定結果為A。因此，實施例1～9之抗反射膜之高溫下之耐彎曲性優異。於實施例1～9中，使用厚度4.0 mm之間隔件時之高溫高濕下之耐彎曲性之判定結果為A。因此，實施例1～9之抗反射膜之高溫高濕下之耐彎曲性優異。
如表2所示，於比較例1～5中，耐熱性試驗前後之尺寸變化率於TD方向及MD方向均未達-0.10%。於比較例1～5中，耐濕熱性試驗前後之尺寸變化率於TD方向及MD方向均未達0.01%。
如表2所示，於比較例1～5中，使用厚度4.0 mm之間隔件時之高溫下之耐彎曲性之判定結果為B。因此，比較例1～5之抗反射膜之高溫下之耐彎曲性差。於比較例1～5中，使用厚度4.0 mm之間隔件時之高溫高濕下之耐彎曲性之判定結果為B。因此，比較例1～5之抗反射膜之高溫高濕下之耐彎曲性差。
根據以上結果示出，根據本發明可提供過酷環境下之耐彎曲性優異之抗反射膜。
10,20:抗反射膜 11:透明膜基材 12:硬塗層 13:抗反射層 14:高折射率層 15:低折射率層 16:高折射率層 17:低折射率層 18:底塗層 19:防污層 21:黏著劑層 100:圖像顯示裝置 101:圖像顯示面板 200:試驗片 300:間隔件 D:厚度
圖1係表示本發明之抗反射膜之一例之剖視圖。  圖2係表示本發明之抗反射膜之另一例之剖視圖。  圖3係表示本發明之圖像顯示裝置之一例之剖視圖。  圖4係表示評估抗反射膜之耐彎曲性時之試驗片之彎曲狀態之剖視圖。
10:抗反射膜
11:透明膜基材
12:硬塗層
13:抗反射層
14:高折射率層
15:低折射率層
16:高折射率層
17:低折射率層
18:底塗層
19:防污層

Claims (12)

  1. 一種抗反射膜，其係依序具有透明膜基材、硬塗層及抗反射層者，且  在進行於溫度85℃之環境下保持48小時之耐熱性試驗時，上述耐熱性試驗前後之任一邊之方向之尺寸變化率為-0.10%以上0.10%以下。
  2. 如請求項1之抗反射膜，其中上述耐熱性試驗前後之與上述邊之方向正交之方向之尺寸變化率為-0.10%以上0.10%以下。
  3. 一種抗反射膜，其係依序具有透明膜基材、硬塗層及抗反射層者，且  在進行於溫度60℃且相對濕度95%之環境下保持48小時之耐濕熱性試驗時，上述耐濕熱性試驗前後之任一邊之方向之尺寸變化率為0.01%以上0.20%以下。
  4. 如請求項3之抗反射膜，其中上述耐濕熱性試驗前後之與上述邊之方向正交之方向之尺寸變化率為0.01%以上0.20%以下。
  5. 如請求項1或3之抗反射膜，其中上述透明膜基材為聚對苯二甲酸乙二酯膜。
  6. 如請求項1或3之抗反射膜，其中上述抗反射層之厚度為150 nm以上280 nm以下。
  7. 如請求項1或3之抗反射膜，其進而具備配置於上述硬塗層與上述抗反射層之間之底塗層。
  8. 如請求項1或3之抗反射膜，其進而具備配置於上述抗反射層之與上述硬塗層側為相反側之防污層。
  9. 如請求項1或3之抗反射膜，其進而具備配置於上述透明膜基材之與上述硬塗層側為相反側之黏著劑層。
  10. 一種圖像顯示裝置，其具備圖像顯示面板、及配置於上述圖像顯示面板之視認側之如請求項1或3之抗反射膜。
  11. 一種抗反射膜之製造方法，其係如請求項1或3之抗反射膜之製造方法，其包括：  步驟Sa，其藉由卷對卷方式之濺鍍成膜裝置於上述硬塗層之與上述透明膜基材側為相反側成膜上述抗反射層；及  步驟Sb，其於上述步驟Sa之後，加熱形成有上述抗反射層之積層體。
  12. 如請求項11之抗反射膜之製造方法，其於上述步驟Sb中，於溫度110℃以上之條件下加熱上述積層體。
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