TW202337829A

TW202337829A - 氧化鋁粉末

Info

Publication number: TW202337829A
Application number: TW111145153A
Authority: TW
Inventors: 岸田寛; 坂元俊介; 松尾祥史
Original assignee: 日商住友化學股份有限公司
Priority date: 2021-11-26
Filing date: 2022-11-25
Publication date: 2023-10-01
Also published as: CN118201878A; WO2023095868A1

Abstract

本發明之氧化鋁粉末以基本參數法解析X射線繞射波峰而求得之體積基準的結晶粒徑分佈之相對標準偏差為0.25~0.80。

Description

氧化鋁粉末

本發明有關氧化鋁粉末，特別是有關可製造耐電漿性優異的燒結體之氧化鋁粉末。

半導體零件之製造步驟中，進行將形成於Si晶圓上之氧化物絕緣膜以腐蝕性氣體及電漿予以部分去除，形成電路圖型。此時，半導體製造用裝置之構成構件(例如靜電卡盤)亦暴露於腐蝕性氣體及電漿中。其結果，自構成構件產生數μm等級之顆粒，而發生於Si晶圓上形成之電路斷線(因顆粒堆積而未形成電路之一部分)之問題。因此，為了抑制顆粒發生，已檢討耐電漿性優異之構成構件(例如非專利文獻1)。非專利文獻1中記載藉由AD(氣溶膠沉積)法製造之陶瓷製膜體與習知陶瓷燒結體相比，具有優異之耐電漿性。 [先前技術文獻] [非專利文獻]

[非專利文獻1] 「耐電漿性優異之低發塵零件之開發」，清原等人，陶瓷，50(2015)，第6期，日本陶瓷協會

[發明欲解決之課題]

AD法係非加熱而獲得緻密陶瓷膜之優異方法，但由於需要腔室之設備及排氣，故於連續生產方面存在問題。本發明人等針對活用既有燒結技術用以製造耐電漿性優異之陶瓷燒結體，特別是氧化鋁燒結體之氧化鋁粉末的條件進行積極檢討。由於為了獲得此種氧化鋁燒結體，必須使用適當之氧化鋁粉末，故本發明之實施形態之目的係提供一種可製造耐電漿性優異之氧化鋁燒結體的氧化鋁粉末。 [用以解決課題之手段]

本發明之態樣1係一種氧化鋁粉末，其係以基本參數法解析X射線繞射波峰而求得之體積基準的結晶粒徑分佈之相對標準偏差為0.25~0.80。

本發明之態樣2係如態樣1之氧化鋁粉末，其中構成前述氧化鋁粉末之氧化鋁粒子之平均圓度為0.71~ 0.86。

本發明之態樣3係如態樣1或2之氧化鋁粉末，其中體積基準的結晶粒徑為650~1400Å。 [發明效果]

藉由使用本發明之實施形態之氧化鋁粉末，可製造耐電漿性優異之氧化鋁燒結體。

本發明人等發現，為了提高氧化鋁燒結體之耐電漿性，重要的是選擇原料的氧化鋁粉末。基於此見解，進而進行積極檢討之結果，首次發現藉由將氧化鋁粉末之結晶尺寸，特別是體積基準之結晶直徑分佈的相對標準偏差(「分佈RSD：Relative Standard Deviation」，有時簡稱為「分佈RSD」)控制於0.25~0.80，可提高氧化鋁燒結體之耐電漿性。基於此見解，完成可製造耐電漿性優異之氧化鋁燒結體的氧化鋁粉末。

針對本發明之實施形態之氧化鋁粉末進行說明。

實施形態之氧化鋁粉末藉由基本參數(FP)法解析X射線繞射峰而求出之體積基準的結晶直徑分佈之相對標準偏差(分佈RSD)為0.25~0.80。

若使用基本參數(FP)法，則可基於X射線繞射圖型求出分佈RSD。使用PF法之該分佈RSD之特定係藉由解析軟體進行。例如，使用市售之解析軟體(RIGAKU股份有限公司製之統合粉末X射線分析軟體SmartLab Studio II)，解析藉由粉末X射線繞射測定所得之繞射輪廓。解析條件(峰輪廓之設定)係設為峰形狀：FP(基本參數)法，結晶尺寸分佈類型：對數正規分佈。

氧化鋁粉末之粉末X射線繞射，可使用例如市售之X射線繞射裝置(RIGAKU股份有限公司製SmartLab)。X射線源未受限制，但使用例如CuKα。繞射角2θ之測定範圍例如為10°以上90°以下。作為解析所用之X射線繞射峰，於例如為α氧化鋁之情況，使用為高角度側且檢測強度高的(113)面的峰(X射線源為CuKα時，2θ=43.0±1°的峰)。

以上述方法求出之分佈RSD為0.25~0.80之範圍的氧化鋁粉末適用於製造耐電漿性優異之氧化鋁燒結體。其理由尚不清楚，但分佈RSD為0.25~0.80的事實意指氧化鋁粉末之體積基準的結晶直徑比較一致。認為體積基準之結晶直徑一致有助於改善耐電漿性。又本說明書中，體積基準之結晶直徑可稱為「體積平均直徑」或「結晶直徑」。

又分佈RSD越小，結晶直徑越均一，但由於使分佈RSD小於0.25未必容易，因此下限設為0.25。分佈RSD較佳為0.27~0.72，更佳為0.30~0.64，特佳為0.34~0.57。

構成氧化鋁粉末之氧化鋁粒子的平均圓度較佳為0.71~0.86。若為此範圍內，則可更改善耐電漿性。氧化鋁粒子之平均圓度更佳為0.75~0.85，特佳為0.79 ~0.85。

氧化鋁粒子之平均圓度係藉以下順序算出。取得氧化鋁粒子之SEM圖像。將氧化鋁粒子固定於碳帶上。SEM圖像係藉由掃描型電子顯微鏡(例如日立高科技股份有限公司製之掃描型電子顯微鏡「S-5500」)，以特定加速電壓獲取而獲得。使用圖像處理軟體(例如免費軟體的ImageJ (https://fiji.sc/))對取得之SEM圖像進行二值化處理，分別算出於被輪廓包圍之氧化鋁粒子的面積(式(1)中之「面積」)及氧化鋁粒子近似於橢圓時之該橢圓的長軸徑(式(1)中之「長軸直徑」)。 1粒氧化鋁粒子之圓度藉由以下式(1)算出。 1粒氧化鋁粒子之圓度=4×面積/[π×(長軸徑) ²]・・・(1) 針對至少25個氧化鋁粒子，分別算出1粒的圓度，將該等之平均值設為「氧化鋁粒子之平均圓度」。

又，如由式(1)可了解，「1粒氧化鋁粒子之圓度」越接近1，其氧化鋁粒子之SEM圖像上的形狀越接近真圓。因此，氧化鋁粒子之平均圓度越接近1，構成氧化鋁粉末之氧化鋁粒子於SEM圖像上的形狀越接近真圓。

氧化鋁粉末之體積基準的結晶直徑較佳為650~1400Å。若為該範圍內，則可更改善耐電漿性。結晶直徑與分佈RSD同樣，藉由使用市售解析軟體(例如RIGAKU股份有限公司製，統合粉末X射線解析軟體SmartLab Studio II)，解析粉末X射線繞射輪廓而求出。結晶直徑更佳為800~1350Å，又更佳為820~1350Å，特佳為820~ 950Å。

氧化鋁粉末，基於獲得優異耐電漿性之觀點，主要包含α氧化鋁，進而可為包含γ氧化鋁、η氧化鋁、θ氧化鋁、δ氧化鋁、勃姆石及假勃姆石之任一者以上之混合物。氧化鋁粉末中之α氧化鋁含量較佳為90重量%以上，更佳為99重量%以上，最佳為99.9重量%以上

氧化鋁粉末實質上僅由氧化鋁組成，但有時含有因原料、資材或製造設備等之狀況所夾帶之不可避免的雜質，如Fe、Si及/或Na。不可避免的雜質只要在不顯著降低氧化鋁材料之耐電漿性之程度則可含有，一般可容許之量合計為100ppm以下。含量合計較佳為10ppm以下。Fe、Si及Na等之含量可藉由發光分光法測定。

顯示可製造本實施形態之氧化鋁粉末之製造方法的一例。

本實施形態之製造氧化鋁粉末之方法包含：調製分散有種晶之種晶漿料之步驟；將前述種晶漿料與鋁醇鹽混合獲得氫氧化鋁漿料之步驟；將前述氫氧化鋁漿料乾燥及燒成，獲得氧化鋁粉末之步驟。此外，亦可包含將所得氧化鋁粉末粉碎之步驟。在獲得氫氧化鋁漿料之前，亦可包含將鋁醇鹽螯合化之步驟。

針對各步驟加以詳述。

[1.調製種晶漿料之步驟] 將氧化鋁顆粒(種晶原料)分散於水中後，以球磨機進行濕式粉碎。其後，以冷卻離心機(例如himac製：CR7N)進行離心，除去沉澱物。藉此，獲得將分散有種晶之種晶漿料。

種晶較佳為α氧化鋁。藉由使用α氧化鋁之種晶，於後述燒成步驟中，可於低溫燒成進行氧化鋁之α化。種晶之粒徑較小較佳，通常使用0.01μm~0.2μm者。

種晶之BET比表面積有助於最終所得之氧化鋁粉末的結晶直徑。為了使氧化鋁粉末之分佈RSD落於實施形態之範圍(0.25~0.80)，及/或為了使結晶直徑落於較佳範圍(650~1400Å)，種晶之BET比表面積較佳為30m ²/g以上，更佳為40m ²/g以上，又更佳為50m ²/g以上，特佳為70m ²/g以上。 BET比表面積係根據JIS-Z-8830：2013「利用氣體吸附之粉體(固體)之比表面積測定法」所規定之方法，藉由氮吸附法一點法求出。

種晶漿料中之種晶含量只要使所得之種晶漿料具有適當流動性，則未特別限制。例如，種晶漿料中之種晶含量為5質量%~40質量%。

[2.將鋁醇鹽螯合化之步驟] 任意地，亦可包含將氧化鋁醇鹽螯合化之步驟。此步驟中，將鋁醇鹽藉由螯合劑螯合化。由於藉由螯合化將體積大的配位子配位成為立體障礙，故與未螯合化之鋁醇鹽相比，可更有效地抑制後述水解時引起之鋁醇鹽之縮合反應。藉由抑制縮合反應，容易獲得微粒之氫氧化鋁。

作為鋁醇鹽可使用例如乙醇鋁、正丙醇鋁、異丙醇鋁、正丁醇鋁、第二丁醇鋁、第三丁醇鋁等。

作為螯合劑，可使用例如乙醯乙酸乙酯、三乙醇胺(TEA)、乙二胺(EDA)。

[3.藉由將前述種晶漿料與(任意經螯合化之)前述鋁醇鹽混合獲得氫氧化鋁漿料之步驟] 將種晶漿料與(任意經螯合化之)鋁醇鹽連續供給於攪拌器中並混合。藉由以攪拌器高速旋轉剪切攪拌該混合物，使種晶漿料中之水與鋁醇鹽進行水解反應，獲得含有水解物的氫氧化鋁粒子之漿料(氫氧化鋁漿料)。

種晶漿料與(任意經螯合化之)鋁醇鹽之供給量較佳控制為使混合物中之種晶含量適當。特別是種晶含量有助於最終獲得之氧化鋁粉末的結晶直徑。為了將氧化鋁粉末之分佈RSD落於實施形態之範圍(0.25~0.80)，及/或為了將結晶直徑落於較佳範圍(650~1400Å)，種晶之較佳含量，以混合物中之金屬成分(鋁醇鹽及種晶中所含之鋁成分)之氧化物換算，混合物中之鋁成分之合計每100質量份，種晶中之鋁成分為1質量分以上，較佳為2質量份以上，且為50質量份以下，較佳為40質量份以下，特佳為30質量份以下。

又，種晶漿料及(任意經螯合化之)鋁醇鹽之供給量，以(種晶漿料所含之水)/((任意經螯合化之)鋁醇鹽)之調配比，以莫耳計，較佳控制為約1.5~約6.0之範圍內。

該步驟中，將混合物進行高速旋轉剪切機攪拌為1個特徵。本說明書中，所謂「高速旋轉剪切攪拌」係指渦輪(轉子)與定子(螺桿)之間之間隙較小(例如2mm以下)且渦輪(轉子)進行高速旋轉時(例如周速約1m/秒~約40m/秒)時，藉由渦輪(轉子)與定子(螺桿)之間產生之剪切力、壓力變動、空蝕、碰撞力、電位芯等之機械能進行攪拌。

作為可進行此種高速旋轉剪切攪拌之攪拌機舉例為T.K均質混合機(特殊機化工業股份有限公司製)、Clearmix(M Technic股份有限公司製)、多轉子均質積、Megatron均質機(KINEMATICA)、Supraton(月島機械股份有限公司製)。

高速旋轉剪切攪拌中，渦輪(轉子)之轉速設為3000rpm~21500 rpm，較佳為8000rpm~15000rpm，例如10000rpm。轉速超過上述範圍時，種晶漿料中之水與(經螯合化之)鋁醇鹽之兩液可充分混合，並且可抑制所生成之氫氧化鋁漿料中之氫氧化鋁凝集。藉此，獲得含有微粒氫氧化鋁之氫氧化鋁漿料。且，種晶可均勻分散於氫氧化鋁漿料中。

又，鋁醇鹽之水解可使用連續式反應裝置進行。作為連續式反應裝置，可應用罐式連續型、管道式連續型等。所謂罐式連續型係指種晶漿料與(任意經螯合化之)鋁醇鹽連續供給至具備可高速旋轉剪切之攪拌機的罐中，邊連續排出與供給之液量同液量邊進行鋁醇鹽之水解(及生成氫氧化鋁粒子)之方法。於管道式連續型中，對產線中組入之可高速旋轉剪切之攪拌機連續供給種晶漿料與(任意經螯合化之)鋁醇鹽之方法。根據該等連續式反應裝置，與批式反應裝置相比，由於生產性極高且實現氫氧化鋁粒子的生成條件之均一化，故可獲得含有粒徑分佈均一而無粗大凝集粒子之氫氧化鋁的氫氧化鋁漿料。

[4.將前述氫氧化鋁漿料乾燥及燒成獲得氧化鋁粉末之步驟] 將氫氧化鋁漿料以已知方法乾燥，所得之氫氧化鋁於燒成爐中燒成，藉此獲得氧化鋁粉末。燒成通常於800℃以上，較佳900℃以上，通常為1000℃以下，較佳為980℃以下，更佳於960℃以下進行。若超過1000℃，則難以獲得微粒之氧化鋁粉末。且未達800℃時，氧化鋁粉末中之α相含量有變低之傾向。

燒成可於大氣中進行，亦可於氮氣、氬氣等之惰性氣體中進行，邊維持大氣中水蒸氣之高分壓邊進行燒成是為有效。特別是不包含將鋁醇鹽螯合化之步驟時，若於水蒸氣分壓較高的環境(即高露點環境)中燒成時，可於低燒成溫度獲得α相。又包含將鋁醇鹽螯合化之步驟時，於水蒸氣分壓低之環境(即低露點環境)及低燒成溫度，可獲得α相。

燒成可使用例如管狀電爐、箱型電爐、隧道爐、遠紅外爐、微波加熱爐、豎爐、反射爐、旋轉爐、輥底爐、燃氣(LNG、LPG)爐等之通常燒成爐進行。燒成可以間歇式進行，亦可以連續式進行。且亦可以靜置式進行，亦可以流體式進行。

作為控制燒成時之露點的方法，於使用例如電能作為熱源的電爐或管狀爐作為燒成爐時，係將水噴霧至導入爐內之乾燥空氣中之方法或將蒸汽導入爐內之方法係為有效。使用燃氣爐作為燒成爐時，將燃氣、石油等之燃料燃燒並將產生的水分導入爐內之方法係為有效，此外，追加導入蒸汽更為有效。

露點係使用水蒸氣量自換算表求出或使用水蒸氣壓自計算式求出。水蒸氣壓及水蒸氣量(絕對濕度)各可自飽和水蒸氣壓或飽和水蒸氣量與相對濕度求出。又飽和水蒸氣壓可自Tetens式計算。

不包含將鋁醇鹽螯合之步驟時，較佳將爐內之露點控制為30℃以上，更佳將露點控制為40℃以上，特佳將露點控制為50℃以上。

如此，獲得分佈RSD為0.25~0.80之氧化鋁粉末。又，藉由控制種晶之BET比表面積及/或控制氫氧化鋁漿料中種晶之含量，可獲得結晶直徑為650~1400Å之氧化鋁粉末。

[5.將所得氧化鋁粉末粉碎之步驟] 以上述製造方法雖可獲得本發明實施形態之氧化鋁粉末，但亦可進而將氧化鋁粉末粉碎。氧化鋁粉末之粉碎例如可使用振動磨機、球磨機或噴射磨機等之介質粉碎機。且，粉碎後之氧化鋁粉末亦可進行分級。又，燒結用氧化鋁粉末通常是在粉碎及調整粒度後進行成型及燒結。然而，由於實施形態之氧化鋁粉末進行粉碎時，分佈RSD有變大之傾向，故較佳不進行粉碎以將分佈RSD抑制為較低。

本實施形態中，本揭示之氧化鋁粉末係作為用於製造靜電卡盤等之半導體製造用裝置的構件的適宜原料加以說明，但除此之外，亦可作為塗覆材料、熔射膜、氧化物燒結體、複合氧化物燒結體、軸承、軸承(bearing)、陶瓷珠、半導體密封樹脂用填料、散熱填料、絕緣填料、光反射材、光散射材、噴砂材、研磨粒、生物材料、齒科材料等的原料加以利用。 [實施例]

(實施例1) 針對實施例1之氧化鋁粉末試料(試料No.1)之製作方法加以說明。

[種晶(α氧化鋁)漿料之調製] 將氧化鋁粒子(種晶原料)分散於水中後，以球磨機進行濕式粉碎。隨後，以冷卻離心機(himac製：CR7N)以轉速4000rpm進行30分鐘離心處理，除去沉澱物。藉此，獲得分散有種晶之種晶漿料。且，測定所得之種晶漿料中種晶的BET比表面積。首先，將種晶漿料中的水分蒸發獲得種晶，按照JIS-Z-8830：2013「利用氣體吸附之粉體(固體)之比表面積測定法」所規定之方法，藉由氮氣吸附法一點法求出BET比表面積。種晶之BET比表面積的測定結果示於表1。

[螯合化異丙醇鋁之調製] 將異丙氧化鋁螯合化，調製螯合化之異丙醇鋁(表1中於「螯合化有無」中表述為「有」)。將異丙醇鋁與乙醯乙酸乙酯(螯合劑)以莫耳比成為100:3予以混合，獲得3莫耳%螯合化之異丙醇鋁。

[α氧化鋁粉末之製造] 使用精密乳化分散機CLEARMIX CLM-2.2S(M Technic製)將螯合化之異丙醇鋁與種晶漿料以轉速10000rpm混合及水解。藉此，獲得氫氧化鋁漿料。決定螯合化異丙醇鋁與種晶漿料之調配比例，使得(種晶漿料中所含之水)/(螯合化異丙醇鋁)之比例成為2.7/1(莫耳比)。以此等調配比調配時，氫氧化鋁漿料中，以金屬成分之氧化物換算，(經螯合化之)異丙醇鋁及種晶所含之鋁成分合計每100質量份，種晶中所含之鋁成分含有2質量份。又各鋁成分之含量(質量份)係假設為所使用之異丙醇鋁全部成為氧化鋁而計算求出。

將所得之氫氧化鋁漿料在150℃乾燥，獲得氫氧化鋁粒子，將其放入氧化鋁製坩鍋中，以箱型電爐燒成。燒成條件係以200℃/小時的升溫速度升溫至燒成溫度985℃，於該燒成溫度保持4小時。

(實施例2~6) 實施例2、3之試料(試料No.2、3)中，如表1所示，變更種晶的BET比表面積、種晶的添加份數及氫氧化鋁粒子的燒成溫度。實施例4、5及6的試料(試料No.4、5及6)中，如表1所示，變更種晶的BET比表面積、種晶的添加份數及氫氧化鋁粒子的燒成溫度，進而於燒成後進行以球磨機之粉碎。

(實施例7~12) 實施例7、8及9之試料(試料No.12、13及14)中，異丙醇鋁係使用未經螯合化者(表1之「螯合化有無」中表述為「無」)。又，如表1所示，變更種晶的BET比表面積、種晶添加份數及氫氧化鋁粒子的燒成溫度。於氫氧化鋁粒子之燃燒中使用燃氣爐代替箱型電爐。實施例10、11及12之試料(試料No.15、16及17)中，如表1所示，異丙醇鋁係使用未經螯合化者，並變更種晶的BET比表面積、種晶添加份數及氫氧化鋁粒子的燒成溫度，以燃氣爐燒成，進而於燒成後以球磨機進行粉碎。

(比較例1~5) 比較例1之試料(試料No.7)中，如表1所示，未添加種晶，變更氫氧化鋁粒子之燒成溫度，進而於燒成後以球磨機進行粉碎。如表2所示，比較例2~5之試料(試料No.8~11)係市售的住友化學製高純度氧化鋁。

分別將實施例1~12及比較例1之各試料之製造條件示於表1，比較例2~5之各試料種類示於表2，實施例1~12及比較例1~5之各試料的測定結果及計算結果示於表3~4。又表3中，劃底線之數值表示偏離本發明實施形態之範圍或較佳範圍者。

[表2]

試料No.	氧化鋁粉末	製造商
8	AKP-20	住友化學	比較例2
9	AKP-53	住友化學	比較例3
10	AKP-700	住友化學	比較例4
11	AA-03	住友化學	比較例5

[體積基準之結晶直徑(體積平均直徑)及體積基準之結晶直徑分佈的相對標準偏差(分佈RSD)之計算] 對於α氧化鋁粉末，藉由FP法求出體積基準之結晶直徑(體積平均直徑)及體積基準之結晶直徑分佈的相對標準偏差(分佈RSD)。以CuKα作為輻射源，以2θ=10°~90°之測定範圍進行α氧化鋁粉末之粉末X射線繞射測定。X射線繞射裝置使用RIGAKU股份有限公司製，SmartLab。使用解析軟體(RIGAKU股份有限公司製，統合粉末X射線解析軟體SmartLab Studio II)，對於藉由粉末X射線繞射測定所得之繞射輪廓進行解析。解析條件(峰剖面設定)係峰形：FP(基本參數)法，結晶尺寸分佈類型：對數正規分佈。藉由選擇α氧化鋁之相當於(113)面的2θ=43.0±1°之範圍內的繞射峰進行解析，算出體積基準的結晶直徑分佈之相對標準偏差(分佈RSD)。

進而，自解析軟體之結晶尺寸分佈視圖，以體積平均直徑作為橫軸，以結晶相對於結晶直徑之概率密度函數作為縱軸，繪製總面積為1的結晶直徑分佈函數曲線。各試料之體積平均直徑及分佈RSD之值示於表3。

[成形燒結體之製造] 使用α氧化鋁粉末製作成形燒結體。將適量α氧化鋁粉末，使用ϕ20mm之成型模具以30MPa進行單軸加壓成形，進而以靜壓機施加98MPa之加壓，獲得表面尺寸ϕ20mm、厚度5~10mm的成形體。將成形體放入氧化鋁坩鍋中，放入箱型電爐內，以200℃/小時之升溫速度升溫至燒結溫度1450℃。藉由在該燒成溫度保持2小時將成形體燒結，獲得成形燒結體。將所得之成形燒成體的表面進行研磨，作為測定用之燒結體試料。

[耐電漿性評價] 將燒結體試料暴露於電漿後，進行表面粗糙度之評價，評價耐電漿性。用膠帶遮蔽燒結體試料之表面之半面後，設置於電漿蝕刻裝置(SAMCO公司製：RIE-400iPBT)內。將燒結體試料之表面暴露於CF ₄、SF ₆、Ar混合氣氛氣體之電漿中，輸出功率為1 kW暴露5小時。暴露於電漿之表面(電漿露出面)的表面粗糙度使用雷射顯微鏡(Keyence公司製：VK-X3000)，以透鏡倍率50倍，間距0.1μm，測定範圍為長214.5μm(768pix)，寬286.1 μm(1024pix)，測定表面的面粗糙度Sa。又於各試料之不同3處進行測定，將該等之平均值設為電漿露出面之面粗糙度Sa _EX。又，剝離膠帶後之表面(亦稱「遮蔽面」)亦以同樣測定範圍、測量條件測定表面的面粗糙度Sa。於試料之不同2處進行測定，將該等之平均值設為遮蔽面的面粗糙度Sa _MK。

求出電漿露出面之面粗糙度Sa _EX與遮蔽面之面粗糙度Sa _MK之差ΔSa(ΔSa=Sa _EX-Sa _MK)。電漿露出面之面粗糙度Sa _EX、遮蔽面之面粗糙度Sa _MK及該等之差ΔSa示於表4。

實施例1~12之試料(試料No.1~6、12~17)係添加適當量的具有適當物性(尤其是BET比表面積)之種晶而製作之氧化鋁粉末。因此，所得之氧化鋁粉末的分佈RSD在實施形態之範圍內。使用該等氧化鋁粉末製作的成形燒結體之電漿露出面的面粗糙度Sa _EX與遮蔽面的面粗糙度Sa _MK之差ΔSa較小，可知具有高的耐電漿性。

另一方面，比較例1之試料(試料No.7)係未添加種晶而製造之氧化鋁粉末。因此，所得之氧化鋁粉末的分佈RSD超出實施形態之範圍。且比較例2~5之試料(試料No.8~11)係作為比較用而準備之市售氧化鋁粉末。該等氧化鋁粉末之分佈RSD超出實施形態之範圍。使用該等氧化鋁粉末製造之成形燒結體之電漿露出面之面粗糙度Sa _EX與遮蔽面之面粗糙度Sa _MK之差ΔSa較大，可知電漿性較差。

本申請案以申請日為2021年11月26日的日本專利申請案特願2021-192363為申請基礎主張優先權。藉由參考特願2021-192363而併入本說明書中。

Claims

一種氧化鋁粉末，其係以基本參數法解析X射線繞射波峰而求得之體積基準的結晶粒徑分佈之相對標準偏差為0.25~0.80。
如請求項1之氧化鋁粉末，其中構成前述氧化鋁粉末之氧化鋁粒子之平均圓度為0.71~0.86。
如請求項1或2之氧化鋁粉末，其中體積基準的結晶粒徑為650~1400Å。