TW202334059A

TW202334059A - 濺射靶及其製造方法

Info

Publication number: TW202334059A
Application number: TW111143385A
Authority: TW
Inventors: 佐藤祐介; 佐藤貴則; 神永賢吾
Original assignee: 日商Ｊｘ金屬股份有限公司
Priority date: 2022-02-25
Filing date: 2022-11-14
Publication date: 2023-09-01
Also published as: WO2023162327A1; KR20230129054A; TWI821015B; CN116964242A; JP2023124653A

Abstract

本發明提供一種能夠抑制濺射靶的破裂，且Al含量高的Cu－Al二元合金濺射靶及其製造方法。該濺射靶由含有Cu以及Al的二元合金、且餘量由不可避免的雜質組成的燒結體構成，Cu和Al的含量（at%）滿足0.48≤Al/（Cu＋Al）≤0.70的關係式，相對密度爲95%以上。

Description

濺射靶及其製造方法

本發明，涉及一種濺射靶（以下，有時也僅稱爲“靶”。）及其製造方法。特別地，涉及一種包含Cu－Al二元合金的濺射靶及其製造方法。

一部分的半導體裝置，具有多層布線結構體，所述多層布線結構體具備：導體布線、絕緣膜、擴散阻擋層等。以往，導體布線大多使用純Cu，近年，隨著布線的微細化，電阻抗等新的問題顯現出來。與之伴隨地，在進行新的導體布線用的材料的摸索。

專利文獻1中，作爲布線材料，公開了各種金屬間化合物，作爲其中之一公開了CuAl ₂。另外，爲了形成金屬間化合物CuAl ₂，在專利文獻1中，公開了使用直流濺射法對Cu和Al的純金屬靶進行蒸鍍。

專利文獻2中，作爲布線材料用途，公開了經由鍛造以及軋製等步驟來製造CuAl合金的濺射靶。

在專利文獻3中，代替CuAl合金的濺射靶，提出了使用將靶表面形狀爲扇狀的Cu和Al金屬交錯地進行組合得到的靶。並且公開了使用該濺射靶進行成膜的結果是，Cu和Al在組分上混合成了所需的濃度，得到了與Cu－Al合金所形成的濺射靶同等的Cu－Al合金膜。

進一步，在專利文獻4中還公開了在Cu靶上放置作爲添加物的Al片，並將此用作靶進行成膜的方法。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2019-212892號公報

專利文獻2：國際公開第2015/151901號

專利文獻3：日本特開2009-188281號公報

專利文獻4：日本特開2004-076080號公報

發明要解決的技術問題

金屬間化合物CuAl ₂，作爲新的布線材料而備受關注，因此正在摸索透過濺射形成布線的方法。其中，像專利文獻1那樣對純Cu和純Al這兩種靶進行共濺射很複雜，另外，爲了形成目標的金屬間化合物，必須對各種各樣的濺射條件進行調節。

因此，在進行濺射的時間點已經形成了金屬間化合物CuAl ₂更有利。即，期望有CuAl ₂的靶材。

但是，本發明人進行研究後結果發現，基於與專利文獻2所公開的方法同樣的方法（軋製，鍛造等步驟），不準備專利文獻2中記載的CuAl（Al：0.01wt%、10wt%）的錠而是準備CuAl ₂的錠之後，當對其進行軋製、鍛造等加工時，材料會破裂，實際上無法製造濺射靶。可認爲這是由於，與專利文獻2中記載的CuAl（Al：0.01wt%、10wt%）的情况相比，在CuAl ₂中，由於Al的含量增多，因此韌性降低。因此，以往，實際上不可能實現Al含量高的Cu－Al二元合金濺射靶。

在專利文獻3以及4的方法中，由於熱膨脹、收縮特性等特性不同的材料相接近，因此在濺射靶被加熱或冷卻時或在加工時，發生破裂的可能性很高。另外，由於使用不同的原材料，所以在濺射時混入雜質的風險也很高。因此，基於抑制濺射靶的破裂，並抑制濺射時的雜質的混入的觀點，不是組合不同種類的成分的濺射靶，而是具有更均勻的組分的Cu－Al二元合金濺射靶更優選。

本發明鑒於上述技術問題點而提出，在一實施方式中，要解決的技術問題是提供一種能夠抑制濺射靶的破裂，且Al含量高的Cu－Al二元合金濺射靶及其製造方法。

解決技術問題的方法

本發明人經過深入研究發現，透過使得濺射靶爲燒結體，能夠得到Al含量高的Cu－Al二元合金濺射靶。本發明基於上述知識而完成，在下文中進行示例。

［1］

一種濺射靶，由含有Cu以及Al的二元合金、且餘量由不可避免的雜質組成的燒結體構成，其中，

Cu和Al的含量（at%），滿足0.48≤Al/（Cu＋Al）≤0.70的關係式，

相對密度爲95%以上，濺射靶。

［2］

在透過電感耦合等離子體發光分光分析法，對在從所述濺射靶的濺射面的中心向外周延伸且彼此正交的2條直線上的、所述濺射面的中心位置、外周位置，以及位於它們的中間的中間位置的合計5個點的Al的含量進行測量的情况下，各個含量的最大值以及最小值之差爲0.2at%以下，如［1］所述的濺射靶。

［3］

當使用X射線繞射裝置進行分析，並對其結果使用RIR（Reference Intensity Ratio）法進行定量分析時，CuAl ₂和CuAl的合計值的質量比爲95%以上，如［1］或［2］所述的濺射靶。

［4］

所述Cu以及Al的二元合金，包含CuAl ₂和/或CuAl的金屬間化合物，如［1］～［3］中任一項所述的濺射靶。

［5］

氧含量爲50～1000質量ppm，如［1］～［4］中任一項所述的濺射靶。

［6］

一種濺射靶的製造方法，該濺射靶由含有Cu以及Al的二元合金、且餘量由不可避免的雜質組成的燒結體構成，其中，

所述燒結體中的Cu和Al的含量（at%），滿足0.48≤Al/（Cu＋Al）≤0.70的關係式，

所述方法，包括：

製作霧化粉的步驟；

將所述霧化粉，以及來自於所述霧化粉的粉末中的至少一者，在550℃以上的溫度下透過熱壓制進行燒結的步驟，

方法。

［7］

在製作所述霧化粉之前，還包括製作Cu和Al的含量（at%）滿足0.48≤Al/（Cu＋Al）≤0.70的關係式的錠的步驟，

由所述錠製作所述霧化粉，如［6］所述的方法。

［8］

在燒結之前，還包括進一步粉碎所述霧化粉的步驟，如［6］或［7］所述的方法。

［9］

所述Cu以及Al的二元合金，包含CuAl ₂和/或CuAl的金屬間化合物，如［6］～［8］中任一項所述的方法。

發明的效果

根據本發明，能夠提供一種能夠抑制濺射靶的破裂，且Al含量高的Cu－Al二元合金濺射靶及其製造方法。

接著，對本發明的實施方式進行說明。本發明不限於以下的實施方式，應當理解的是，在不脫離本發明的趣旨的範圍內，基於本領域技術人員的通常的知識，能適當地進行設計的改變、改良等。

（1．組分）

本發明在一實施方式中，是一種由含有燒結體構成的濺射靶，該燒結體含有Cu以及Al的二元合金，餘量由不可避免的雜質組成。濺射靶，可以包括背板，除此之外，還可以包括接合層。

濺射靶的形狀也沒有特別限定，典型地可以是平板狀（例如，圓形，矩形等）。

在濺射靶中，Cu和Al的含量（at%），滿足0.48≤Al/（Cu＋Al）≤0.70的關係式。

透過使得與Cu以及Al的合計含量相比的Al的含有率爲48at%以上且70at%以下，能夠良好地形成由Cu以及Al的金屬間化合物構成的導電體。該導電體，能夠期待導電性、以及導電體與絕緣體之間的密合性優良等特性。基於該觀點，與Cu以及Al的合計含量相比的Al的含有率，優選爲50at%以上，更優選爲55at%以上，還更優選爲62at%以上，進一步優選爲66at%以上。

另外，基於同樣的觀點，與Cu以及Al的合計含量相比的Al的含有率，優選爲69at%以下，更優選爲68at%以下。

濺射靶，優選包含CuAl ₂和/或CuAl的金屬間化合物，進一步優選地，濺射靶是CuAl ₂和/或CuAl的金屬間化合物。即，Cu和Al的含量，優選是Al/（Cu＋Al）＝0.67±0.02、或者Al/（Cu＋Al）＝0.50±0.02，更優選是Al/（Cu＋Al）＝0.67±0.01、或者Al/（Cu＋Al）＝0.50±0.01，進一步優選是Cu和Al的含量是Al/（Cu＋Al）＝0.67、或者Al/（Cu＋Al）＝0.50。

只要能夠製作CuAl ₂或CuAl的金屬間化合物的靶材，就無需分別地製作用於形成CuAl ₂布線材料或CuAl布線材料的Cu和Al的純金屬靶，另外在濺射中混入雜質的風險較低。因此，本實施方式的濺射靶的純度，優選爲4N（99.99質量%）以上，還更優選爲4N5（99.995質量%）以上，進一步優選爲5N（99.999質量%）以上。

這裏，濺射靶的純度爲4N（99.99質量%）以上意味著，在使用輝光放電質量分析法（GDMS）進行組分分析時，濺射靶中含有的Na、P、S、K、Ca、Cr、Fe、Ni、As、Ag、Sb、Bi、Th、U的合計量小於0.01質量%（100質量ppm）。

需要說明的是，Cu以及Al的含量，在如下文所述透過由Cu以及Al的金屬間化合物構成的錠來製造濺射靶的情况下，可以採用該錠中的Cu以及Al的含量，在根據産品的濺射靶來進行測定的情况下，濺射靶的組分，能夠透過電感耦合等離子體發光分光分析法（ICP－OES）來測定。

濺射靶的氧含量沒有特別限定，製造工藝上50質量ppm以上是不可避免的，優選爲1500質量ppm以下。典型地，氧含量的下限，優選爲200質量ppm以上，或500質量ppm以上，氧含量的上限，可以爲1000質量ppm以下。濺射靶的氧含量，透過惰性氣體融解－紅外線吸收法（例如，LECO公司製造TCH600）進行測定。

（2．相對密度）

本發明的濺射靶，在一實施方式中，相對密度爲95%以上。透過增高靶的相對密度，能夠抑制濺射靶的加工時或濺射時産生破裂。另外，在進行電弧少的穩定的濺射的方面，靶的相對密度越高越優選。相對密度優選爲97%以上，更優選爲98%以上，還更優選爲99%以上。相對密度的上限沒有特別限定，例如能夠爲100%以下，或者能夠爲99.9%以下，還能夠爲99.5%以下，又能夠爲99.0%以下。

相對密度，透過相對密度＝實測密度÷理論密度×100（%）的式子算出。這裏，實測密度，是重量除以體積的值，體積透過阿基米德法測量。假設濺射靶全部爲CuAl ₂（θ相）以及CuAl（η相），CuAl ₂（θ相）的理論密度選用4.35g/cm ³，CuAl（η相）的理論密度選用5.36g/ cm ³，透過加權平均從而計算出理論密度。另外，CuAl ₂（θ相）以及CuAl（η相）的比例，可透過濺射靶的組成計算出。使用該理論密度算出的該相對密度，也可能會超過100%。

基於抑制濺射靶的加工時或濺射時的破裂的産生的觀點，期望相對密度越高越好，但是僅僅熔解Cu和Al或者Cu－Al合金，並鑄造錠，則即使能夠提高相對密度，在切斷或固定的途中也容易破裂，難以得到作爲産品的濺射靶。本發明，如下文所述，透過製作霧化粉，並將該霧化粉等進一步在規定的條件下進行燒結，能夠得到首先相對密度較高，且難以破裂的Cu－Al二元合金濺射靶。

（3．組分的均一性）

在本發明的一實施方式中，對在從平板裝的濺射靶的濺射面的中心向外周延伸且彼此正交的2條直線上的、所述濺射面的中心位置、外周位置以及位於它們的中間的中間位置的共計5個點的Al的含量，在透過ICP－OES進行測量的情况下，各個含量的最大值以及最小值之差優選爲0.2at%以下。需要說明的是，外周位置是指，從濺射靶的最外周朝向中心方向的、中心至最外周之長度的1/8的位置。位於中心位置與外周位置的中間的中間位置，是位於將中心位置與外周位置相連的直線的中心點的位置。像這樣，由於測量位置處的Al含量之差小，且組分的均勻性高，因此濺射靶的組分在各位置變得均勻，有利於形成均勻的導電層。

基於該觀點，基於上述方法測定的Al的含量的最大值以及最小值之差，更優選爲0.1at%以下。該組分的均勻性，透過例如將Cu單體或Al單體交錯地進行配置或混合的濺射靶無法實現，但是透過如下文所述製作霧化粉，能夠實現高水準的均勻性。

這裏，參照圖1進行說明，在濺射靶的濺射面爲圓形的情况下，其中心A爲圓心，中心位置A，和外周位置E、C，和位於其中間的中間位置B、D的5個點，呈L字型配置。外周位置E、C，選用從濺射靶的最外周朝向中心A的方向的、中心至最外周之長度的1/8的位置。在濺射靶的濺射面爲矩形的情况下，其中心是對角線的交點。

（4．結晶結構）

濺射靶的結晶結構，能夠透過使用XRD（X射線繞射裝置）對濺射面進行分析，從而進行確定。各結晶相的質量比，對於XRD分析的結果使用RIR（Reference Intensity Ratio：參考強度比）法進行定量分析，由此得出。這裏，RIR法是指，根據RIR值與由XRD的結果得到的各結晶相的最強峰強度的值之比，求出結晶相的質量比的方法。在濺射靶中包含結晶相A、B、C、・・・的情况下，結晶相A的質量比X _A透過以下的式子計算。

X _A＝I _Ak _A/（I _Ak _A＋I _Bk _B＋I _Ck _C＋・・・）

其中，I是各個結晶相的X射線的最強峰的強度，k表示各結晶相的RIR值。RIR值，能夠使用國際繞射數據中心的粉末繞射文件(PDF)數據庫中記載的值。

透過使用RIR法進行定量分析，能夠得到Cu、Al、CuAl ₂、CuAl的各相的定量值，因此，也能夠得到CuAl ₂＋CuAl的合計值的質量比。

CuAl ₂＋CuAl的合計值的質量比優選爲95%以上，更優選爲98%以上。由此，能夠良好地形成由Cu以及Al的金屬間化合物構成的導電體。另外，在CuAl ₂爲主要的相的情况下，CuAl ₂的質量比優選爲70%以上，更優選爲90%以上，還更優選爲95%以上。這裏，主要的相是指，濺射靶中所包含的結晶相中的、最多的結晶相。在CuAl爲主要的相的情况下，CuAl的質量比優選爲70%以上，更優選爲90%以上，還更優選爲95%以上。由此，能夠良好地形成由Cu以及Al的金屬間化合物構成的導電體。進一步，在本發明的優選的實施方式中，CuAl ₂＋CuAl的合計值的質量比爲100%，即，不含有Cu單相或Al單相。

（5．製造方法）

本發明的濺射靶由燒結體構成即可，具體的製造方法沒有限定，一實施方式中的製造方法，至少包括以下的步驟。

・製作霧化粉的步驟，以及，

・將霧化粉、以及來自於該霧化粉的粉末中的至少一者，在550℃以上的溫度下透過熱壓制進行燒結的步驟。

更優選地，可以製作Cu和Al的含量（at%）滿足0.48≤Al/（Cu＋Al）≤0.70的關係式的錠，並由錠製作霧化粉。

另外，霧化粉，可以進一步被粉碎，並在該粉碎之後，透過熱壓制進行燒結。

以下，對各步驟進行詳細描述。

5－1．製作錠的步驟

如下文所述，只要能夠製成成爲Cu－Al二元合金的原材料的霧化粉即可，並不一定必須準備錠，但是在本發明的一部分的實施方式中，優選地，熔解所需的Cu以及Al，或者熔解所需的Cu－Al合金，製作Cu和Al的含量（at%）滿足0.48≤Al/（Cu＋Al）≤0.70的關係式的錠。在這種情况下，能夠根據上文所述的最終的靶的成分選擇熔解對象。例如，在靶的成分爲CuAl ₂的情况下，可以熔解CuAl ₂合金，或者，也可以以Cu和Al的原子比爲1：2的方式投放並進行熔解。透過進行熔解並製作錠，則能夠攪拌原料並促進均勻化。

熔解溫度沒有特別的限定，優選爲800～1000℃，更優選爲850～950℃。

將熔液注入鑄模（模具）中，能夠製作所需的錠。

5－2．由錠製作霧化粉的步驟

對於所得到的錠進行霧化處理能夠得到霧化粉。需要說明的是，雖然優選使用上述的錠作爲原料，但是只要能夠製作具有所需的Cu和Al的原子比的霧化粉則沒有特別的限定。例如，在靶的成分爲CuAl ₂的情况下，能夠以原子比爲1：2的方式將Cu和Al投放入霧化裝置並熔解，以製作霧化粉。由於透過霧化處理形成粉末，所以能夠給後述步驟的熱壓制提供粉末，能夠製造靶。另外，透過製作霧化粉，能夠促進材料的均勻化。

霧化處理，可舉出霧化盤霧化、水霧化、氣體霧化等，優選氣體霧化。氣體霧化的條件沒有特別的限定，霧化處理的溫度優選爲700～900℃，更優選爲750～850℃。氣體壓力沒有特別的限定，優選爲1～10MPa，更優選爲3～7MPa。

5－3．粉碎霧化粉的步驟

霧化粉之後可以被供於熱壓制以形成燒結體，在另一實施方式中，可以在進一步粉碎霧化粉後，供於熱壓制。由此，能夠提高靶的相對密度。並且，由於相對密度提高，所以能夠提高濺射特性。

進行粉碎的方式，沒有特別的限定，能夠使用公知的機械式粉碎機（例如，桌上型衝擊式粉碎機（例如，NY lab公司製造的SP磨機））。

上述霧化粉或者透過粉碎該霧化粉而得到的粉末的粒徑（雷射繞射法的粒子直徑分布測定中的體積基準的50%累積頻率處的粒子直徑D50），優選地，爲35μm～45μm左右。需要說明的是，在不實施粉碎霧化粉的步驟的情况下，霧化粉的粒徑，可以比上述範圍更大，例如，可以是45μm～100μm。

5－4．進行熱壓制的步驟

透過將上述霧化粉或者透過粉碎該霧化粉得到的粉末，投放入熱壓制的容器中並進行熱壓制，從而能夠得到燒結體。熱壓制的條件是，在至少550℃以上進行。透過在550℃以上進行，加工性提高（例如，能夠降低製造過程中的破裂的可能性）。另外，透過在550℃以上進行，相對密度也提高。溫度的上限沒有特別限定，爲700℃以下，典型地爲600℃以下。更優選地，爲560～580℃。

壓力，沒有特別限定，優選爲200～450kgf/cm ²，更優選爲250～350kgf/cm ²。另外，保持時間也沒有特別限定，優選爲3～8小時，更優選爲5～6小時。

5－5．其他的步驟

在透過熱壓制得到燒結體之後，可以適當地進行其他的加工處理。例如，爲了進一步提高相對密度，可以進行熱等靜壓加壓處理。另外，爲了將燒結體精加工成出廠用的産品的形狀，可以適當地實施磨削和/或切斷等機械加工。並且，可以將燒結體接合在背板上精加工成最終産品。這些其他的步驟的條件，沒有特別限定，可以採用本領域公知的條件。

需要說明的是，如上文所述，由於在上述製造方法中對粉末進行燒結，因此可以不包含軋製步驟以及鍛造步驟。

本發明的一實施方式的濺射靶，加工性優良，在製造過程中的加工（例如，磨削、切斷等）中破裂的可能性很小。另外，由於相對密度也比較高，因此能夠避免被磨削油等浸潤。另外，由於以燒結體的方式進行製造，因此無需實施軋製步驟以及鍛造步驟，能夠排除這些軋製步驟以及鍛造步驟所引起的破裂的可能性。

進一步，本發明的一實施方式的濺射靶，材料的均勻性也優良，例如，外觀上的不均勻（例如，顔色不均勻）減少。例如，透過SEM等方式觀察組織時，觀察場所的濃淡差異減少。

〔實施例〕

以下，透過實施例對本發明進行具體說明，但是，這裏的說明僅僅以例示爲目的，並非意在僅限於此。

（實施例1～3，比較例1，2）

將組分爲Al：66.7at%±0.5at%，且餘量爲Cu以及不可避免的雜質的CuAl ₂金屬間化合物熔解（900℃）並製作錠。接著，對實施例1～3以及比較例2的錠實施霧化處理（氣體霧化）。霧化處理的溫度爲780℃，氣體壓力爲5MPa。在一部分的實施例（實施例1）中，透過SP磨機對所得到的霧化粉進行進一步粉碎。粉碎前的粒子的D50爲75μm，粉碎後的粒子的D50爲40μm。其中，對於比較例1，製作錠之後，不進行霧化處理等，透過軋製以及鍛造等嘗試製作濺射靶。

（實施例4）

將組分爲Al：62.7at%±0.5at%，餘量爲Cu以及不可避免的雜質的Cu以及Al的金屬間化合物熔解（900℃）並製作錠。接著，對錠實施霧化處理（氣體霧化）。霧化處理的溫度爲780℃，氣體壓力爲5MPa。

（實施例5）

將組分爲Al：50at%±0.5at%，餘量爲Cu以及不可避免的雜質的CuAl金屬間化合物熔解（900℃）並製作錠。接著，對錠實施霧化處理（氣體霧化）。霧化處理的溫度爲780℃，氣體壓力爲5MPa。

對於得到的粉末，在溫度570℃（一部分的實施例中爲550℃、555℃，以及一部分的比較例中爲525℃）、250～350kgf/cm ²、保持時間5～6小時的條件下實施熱壓制，得到厚度16～17mm、直徑460mm的圓形的燒結體。最後，對各燒結體實施切斷・磨削等加工。確認此時有無破裂。

對於得到的燒結體，如上文所述測定相對密度。作爲理論密度，除了實施例4、5以外，使用CuAl ₂（θ相）以及CuAl（η相）的比例分別爲97.5vol%、2.5vol%，並進行加權平均而求出的值（4.38g/ cm ³）。實施例4中除了理論密度使用4.39g/ cm ³，在實施例5中除了CuAl（η相）的理論密度使用5.36g/ cm ³之外，使用同樣的方法測定相對密度。

另外，燒結體的純度以及氧含量，如上文所述進行測定。需要說明的是，比較例1、2，加工性變差，無法用作濺射靶，因此沒有進行純度和氧含量的測定。

另外，在實施例2以及5的燒結體中，從如上文所述的圖1所示的A～E的5點，分別切出10g左右的試料。然後，對於各試料，透過ICP－OES（安捷倫科技公司製造，Agilent 5110 ICP－OES）測定Al的含量。具體地，點A是中心位置，點B以及D是中間位置，點C以及E是外周位置，在切出試料時要注意僅僅切出以這些點爲中心的5mm以內的試料。分別計算含量的最大值以及最小值之差發現，實施例2以及5中爲0.1at%。

另外，使用X射線繞射裝置（Rigaku公司製造，型號MiniFlex600）對實施例2、4以及5的燒結體的濺射面進行分析，並適用RIR（Reference Intensity Ratio）法，對CuAl ₂（θ相）以及CuAl（η相）進行定量化。計算方法是，將使用X射線繞射裝置得到的繞射圖譜中的各相的最強峰的積分強度與RIR值相乘的值，除以各相的最強峰的積分強度與RIR值相乘的值的總和，從而求出。RIR值，使用了國際繞射數據中心的粉末繞射文件( PDF )數據庫中記載的值（ICSD中的No.01－071－5027以及03－065－1228）。具體地，CuAl ₂（θ相）的RIR值使用2.74（No.01－071－5027），CuAl（η相）的RIR值使用2.06（No.03－065－1228）。分析條件如下設定。

・X射線源：CuK α線

・測定範圍：2θ＝10°～90°

・步長：0.01°

・掃描速度：20.0°/min

・檢測器：高速一維檢測器D/teX Ultra

・管電壓：40kV

・管電流：30mA

各實施例以及比較例的製造條件以及評價的內容在表1～3中示出。

表1

表2

表3

在實施例1～5中，均沒有發生破裂，能夠將靶製造成産品。並且，相對密度爲95%以上。進一步，本發明的濺射靶，能夠耐受反復的加熱和冷卻，在濺射時也難以發生破裂。另外，根據對實施例2和5的組分的分析可知，各測定位置處的Al的含量基本相同，雖然沒有記載於表2，但是可知各測定位置的餘量爲Cu。即，可知本發明的濺射靶，Cu以及Al的組分的均勻性良好。需要說明的是，如表2所示，最終製作的濺射靶的元素組分比與原材料的組分比，可能略微不同。

比較例1，是在熔解並製造錠之後，嘗試透過軋製以及鍛造來進行製造的例子。還沒到軋製以及鍛造，在錠的切斷和固定的過程中，就發生了破裂。

在比較例2中，按照與實施例2～3相同的條件，熔解並製造錠之後，製作霧化粉。但是，熱壓制的溫度過低，精加工成最終産品的加工（切斷、磨削）時，發生了破裂以及磨削油的浸潤。

在實施例1中，製作霧化粉之後，進一步進行粉碎，因此與實施例2相比，最終産品的相對密度提高。

進一步，根據表3可知，在本發明中能夠沒有問題地生成Cu和Al的金屬間化合物。另外，在實施例2以及4中，可認爲，由於形成了較多的CuAl ₂（θ相），因此有利於形成比較均勻的CuAl ₂組分的濺射膜。在實施例5中，可認爲，由於形成了較多的CuAl（η相），因此有利於形成比較均勻的CuAl組分的濺射膜。如表3所示，在這些例子中，CuAl ₂＋CuAl的合計值的質量比爲100%，即，沒有Cu單相或Al單相。

以上，對本發明的具體的實施方式進行了說明。上述各實施方式，僅僅是本發明的具體例，本發明不限於這些實施方式。例如，上述的各實施方式中的一個所公開的技術特徵，能夠適用於其他的實施方式。

以上所述僅為本發明較佳可行實施例而已，舉凡應用本發明說明書及申請專利範圍所爲之等效變化，理應包含在本發明之專利範圍內。

［本發明］ A:中心位置/中心 B,D:中間位置 C,E:外周位置

圖1是示出用於評價組分的均勻性的濺射靶的測定位置的圖。

A:中心位置/中心

B,D:中間位置

C,E:外周位置

Claims

一種濺射靶，由含有Cu以及Al的二元合金、且餘量由不可避免的雜質組成的燒結體構成，其中，Cu和Al的含量（at%），滿足0.48≤Al/（Cu＋Al）≤0.70的關係式，相對密度爲95%以上的濺射靶。
如請求項1所述之濺射靶，其中在透過電感耦合等離子體發光分光分析法，對位於從所述濺射靶的濺射面的中心向外周延伸且彼此正交的2條直線上的、所述濺射面的中心位置、外周位置以及位於它們的中間的中間位置的共計5個點的Al的含量進行測量的情况下，各個含量的最大值以及最小值之差爲0.2at%以下。
如請求項1或2所述之濺射靶，其中，當使用X射線繞射裝置進行分析，並對其結果使用RIR（Reference Intensity Ratio）法進行定量分析時，CuAl ₂和CuAl的合計值的質量比爲95%以上。
如請求項1或2所述之濺射靶，其中，所述Cu以及Al的二元合金，包含CuAl ₂和/或CuAl的金屬間化合物。
如請求項1或2所述之濺射靶，其中，氧含量爲50～1000質量ppm。
一種濺射靶的製造方法，該濺射靶由含有Cu以及Al的二元合金、且餘量由不可避免的雜質組成的燒結體構成，其中，所述燒結體中的Cu和Al的含量（at%），滿足0.48≤Al/（Cu＋Al）≤0.70的關係式，所述方法，包括：製作霧化粉的步驟；以及將所述霧化粉以及來自於所述霧化粉的粉末中的至少一者，在550℃以上的溫度下透過熱壓制進行燒結的步驟。
如請求項6所述之製造方法，其中，在製作所述霧化粉之前，還包括製作Cu和Al的含量（at%）滿足0.48≤Al/（Cu＋Al）≤0.70的關係式的錠的步驟，並由所述錠製作所述霧化粉。
如請求項6或7所述之製造方法，其中，在燒結之前，還包括進一步粉碎所述霧化粉的步驟。
如請求項6或7所述之製造方法，其中，所述Cu以及Al的二元合金，包含CuAl ₂和/或CuAl的金屬間化合物。