JP2006206966A - スパッタリングターゲット材の製造方法 - Google Patents

スパッタリングターゲット材の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2006206966A
JP2006206966A JP2005020951A JP2005020951A JP2006206966A JP 2006206966 A JP2006206966 A JP 2006206966A JP 2005020951 A JP2005020951 A JP 2005020951A JP 2005020951 A JP2005020951 A JP 2005020951A JP 2006206966 A JP2006206966 A JP 2006206966A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
alloy
solid solution
brittle phase
binary
phase
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2005020951A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4476827B2 (ja
Inventor
Akihiko Yanagiya
彰彦 柳谷
Yoshikazu Aikawa
芳和 相川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sanyo Special Steel Co Ltd
Original Assignee
Sanyo Special Steel Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sanyo Special Steel Co Ltd filed Critical Sanyo Special Steel Co Ltd
Priority to JP2005020951A priority Critical patent/JP4476827B2/ja
Publication of JP2006206966A publication Critical patent/JP2006206966A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4476827B2 publication Critical patent/JP4476827B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Abstract

【課題】 本発明は、高強度、均質な性能を持つスパッタリングターゲット材の製造方法を提供する。 【解決手段】 脆性相が存在する2元系合金において、脆性相が存在する2元系合金での純金属と合金粉末を混合するに当たり、2元系状態図より脆性相(金属間化合物)が生成しない領域を選択して純金属と固溶体の粉末を混合した後熱間加圧成形し、脆性相のない合金を製造するスパッタリングターゲット材の製造方法。さらに、脆性相が存在する2元系合金において、脆性相が存在する2元系合金での2種の合金粉末を混合するに当たり、2元系状態図より脆性相(金属間化合物)が生成しない領域での最大融点を持つ固溶体を形成する場合は、該最大融点を持つ固溶体を挟んで二つの固溶体粉末を混合した後、熱間加圧成形し合金化するスパッタリングターゲット材の製造方法。
【選択図】 図1

Description

本発明は、高強度、均質な性能を持つスパッタリングターゲット材の製造方法に関するものである。
近年、耐熱材料やHDD用ターゲット材の新しい高融点金属を含有する合金が出現し、その製造方法としては、鋳造法および粉末成形法が試みられている。前者である鋳造法は最も一般的に使用される安価な方法であるが、組織の微細性や均質性で劣る。また、酸化物(SiO2 、ZrO2 )が入ったものなど高融点のターゲット材に対応できない。さらに、後者である粉末成形法は鋳造法に比べて高価であるが、組織が微細で組成も均質であるため作製される膜の品質が高いが、粉末を製造するに当たり、高融点の粉末を製造することが困難であるという、それぞれの欠点を持っている。
一方、ターゲット材に用いられる組成は金属や酸化物も含めて多岐に渡るが、金属元素単体のターゲット材は少なく、大部分は2元素以上の金属、もしくは金属合金と酸化物の複合体となっている。粉末法でこのような2元素以上からなる材料を作製する場合、狙い組成の合金粉末をあらかじめアトマイズ法などにより作製し、これをHIP(熱間等方圧プレス)やHP(ホットプレス)等で成形する。しかし、この方法ではその合金が高融点でありアトマイズが困難である場合は作製することができない。
また、純金属同士を所定組成になるように混合し、これをHIP(熱間等方圧プレス)やHP(ホットプレス)等で成形する方法もある。この方法では、成形時の加熱のみでは均一に合金化せず偏析の要因となる。このように偏析の存在するターゲット材をスパッタした場合、出来た薄膜の成分均質性が失われてしまう。また、2元素間に脆性相が存在するような合金系においては高温での成形時にその脆性相が析出し、これが原因で成形時に割れが発生するため好ましくない。
一例として、Cr−Mn系合金のターゲット材を作製しようとした場合、純Crと純Mnを混合して成形すると、一部脆性相(σ)が析出し、これが原因で成形時に割れが発生したり、スパッタ時にその脆性部が欠落してスパッタ不良を起こしたりする。これを解決する方法として、例えば特開2002−212607号公報(特許文献1)に開示されているように、HIP法に替えて熱間押出法によって簡易に高圧が得られるこの方法で均一な単相を得る方法が提案されている。
また、特開2003−167324号公報(特許文献2)に開示されているように、金属粉末あるいは水素化金属粉末とSi粉末を混合し、これを加熱合成して金属シリサイド粉末とした後、この金属シリサイド粉末を機械的に微粉砕し、この微粉砕金属シリサイド粉末と微細Si粉とを所定のモル比となるように均一混合し真空加熱炉を用いて焼成した金属シリサイド粉を焼結する金属シリサイドスパッタリングターゲットの製造方法が提案されている。
特開2002−212607号公報 特開2003−167324号公報
しかしながら、上述した特許文献1の熱間押出法によって簡易に高圧が得られる方法ではあるが、純金属粉末同士での形成であり、どうしても偏析の生じることは避けられない。また、特許文献2の焼結方法では合金系によっては脆性相が析出し、割れの要因となったり、ターゲット材として強度が落ちるという問題がある。
上述のような問題を解消するために、発明者らは鋭意開発を進めた結果、合金粉末を使用することにより、純金属粉末同士を形成するよりも偏析が小さく、また金属間化合物(脆性相)が生成しない領域を選択して成形することにより割れの少ないターゲット材としての強度を向上させたスパッタリングターゲット材の製造方法を提供するものである。
その発明の要旨とするところは、
(1)脆性相が存在する2元系合金において、脆性相が存在する2元系合金での純金属と合金粉末を混合するに当たり、2元系状態図より脆性相(金属間化合物)が生成しない領域を選択して純金属と固溶体の粉末を混合した後熱間加圧成形し、脆性相のない合金を製造することを特徴とするスパッタリングターゲット材の製造方法。
ここで2元系状態図より脆性相(金属間化合物)が生成するとは、純金属1と純金属2からなる2元系合金が、純金属1がα%(αは1〜99の任意の値)で純金属2が(100−α)%で脆性相(以下「合金1」という)を生成することをいう。また2元系状態図より脆性相が生成しない領域を選択とは、2元系合金が純金属1をα%未満で純金属2を(100−α)%を含有する合金(以下「合金2」という)を用いるという意味である。更に2元系状態図より脆性相(金属間化合物)が生成しない領域を選択して純金属と固溶体の粉末とは、純金属1からなる粉末1と、合金2が純金属1と合金0の固溶体である合金2からなる粉末2の両方を指す意味である。
(2)脆性相が存在する2元系合金において、脆性相が存在する2元系合金での2種の合金粉末を混合するに当たり、2元系状態図より脆性相(金属間化合物)が生成しない領域での最大融点を持つ固溶体を形成する場合は、該最大融点を持つ固溶体を挟んで二つの固溶体粉末を混合した後、熱間加圧成形し合金化することを特徴とするスパッタリングターゲット材の製造方法にある。
ここでこの製造方法は、1の脆性相が、純金属1がβ%(βは1〜99の任意の値)で純金属2が(100−β)%からなる脆性相(以下「合金3」という)でなり、他の脆性相が、純金属1がγ%(γは1〜99の任意の値、ただしβ<γ)で純金属2が(100−γ)%からなる脆性相(以下「合金4」という)を有する2元系合金における製造方法に関するものである。
2元系状態図より脆性相(金属間化合物)が生成しない領域で固溶体を形成する場合とは、合金3と合金4の間の成分、つまり純金属1がβより多くγより少ない成分の合金(以下「合金5」という。)が合金3と合金4の固溶体であることを意味する。次に2元系状態図より脆性相が生成しない領域での最大融点を持つ固溶体を形成する場合は、この合金5の一組成である合金が合金3と合金4の融点よりも高い融点を有する場合であり、かつ合金5のなかで最も融点の高い組成の合金(以下「合金5’」という)のことをいう。更に該最大融点を持つ固溶体を挟んで二つの固溶体粉末を混合とは、合金5’よりもβが多い合金5からなる粉末と合金5’よりもβが少ない合金5からなるとを混合することをいう。
以上述べたように、本発明による合金粉末を使用することにより、純金属粉末同士を成形するよりも偏析が小さく、かつ脆性相が存在せず、しかも割れもなく高強度で均質なターゲット材の作製が可能となる極めて優れた効果を奏するものである。
以下、本発明について図面に従って詳細に説明する。
図1は、本発明に係るA−E金属状態図である。この図に示すように、A−E金属状態図において脆性相がC固溶体とD固溶体間にある場合を示した金属状態図である。本発明の第1は、この図1に示すような脆性相が存在するA−E2元系状態図において、純金属Aと固溶体Cの粉末を混合して、熱間加圧成形し、B組成の合金を製造することを特徴とするスパッタリングターゲット材の製造方法にある。
図2は、本発明に係る他のA−E金属状態図である。この図に示すように、A−E金属状態図において脆性相がC固溶体とE金属間にある場合を示した金属状態図である。本発明の第2は、この図2に示すような脆性相が存在するA−E2元系状態図において、B組成金属の融点がA−E2元系状態図で最大である場合に、純金属A´固溶体と固溶体Cの粉末を混合して、熱間加圧成形し、合金化することを特徴とするスパッタリングターゲット材の製造方法にある。
図3は、ターゲット表面でのスパッタ現象を示す図である。この図に示すように、ターゲット材2にArなどの不活性な物質である入射イオン3を高速で衝突させると、ターゲット材2の表面で原子や分子と衝突して種々の現象が起こる。この現象のうちで、ターゲット材2を構成する原子や分子が叩き出される過程をスパッタリングといい、この叩き出せれたスパッタ粒子4、マイナスイオン5、γ電子6、スパッタ粒子の逆戻り7および入射イオンの反射8並びに反跳粒子9等と同時に原子や分子を基板1上に付着させ薄膜を形成する技術をスパッタ法という。
本発明は、上述したスパッタリングのためのターゲット材の製造方法にある。この材料としては、例えばCr−Mn系の例で言えば、0≦Cr≦60原子%、残部Mnからなる成形体を作製する際、一方にはCr−55原子%程度の固溶体からなる合金粉末を作製し、これに純Crを所定の組成になるように混合することにより、σ相の析出は抑えられる。脆性相が析出しないので成形時の割れもなく、ターゲットとしての強度も十分で組成均質性も高い。他にもCo−Cr系、Fe−Cr系、Cr−W系、Cr−Si系等、合金系に脆性相が存在し、かつ所望する組成域が固溶体領域であれば同様に活用できる。
以下、本発明について実施例によって具体的に説明する。
表1に示す原料粉末をガスアトマイズ粉末法により製造し、それぞれの原料粉末をV型混合機を用いて各組成に30分間の混合を行なった後、熱間加圧成形によるHIPおよびHPにより、成形圧:100MPa、成形温度:1473Kの条件で成形し、その後徐冷して、成形体サイズ:直径180mm×高さ10mmのものを得た。その成形体の特性調査として、外観:割れ発生の有無(カラーチェックにより確認し、10枚中1枚以上割れがあれば、割れありとして評価)を評価した。また、X線回折:構成相の同定(測定角度20〜80°、ターゲットCukα)により脆性相の有無を確認した。さらに、成分分析のバラツキ:EPMAにより線分析(測定幅1mm)を行い、平均値を0とした時の平均高さを組成バラツキとして算出した。その結果を表1に示す。
Figure 2006206966
表1に示すように、No.1〜15は本発明例であり、No.16〜21は比較例である。比較例No.16、17は純Crと純Mnの混合によるものであり、いずれも割れが発生し、脆性相を有し、かつ組成バラツキの値が大きい。また、比較例No.18、19は純Coと純Wの混合によるものであり、これもNo.16、17と同様に、いずれも割れが発生し、脆性相を有し、かつ組成バラツキの値が大きい。さらに、比較例No.20、21は純Coと純Crとの混合によるものであり、これもNo.16〜19と同様に、いずれも割れが発生し、脆性相を有し、かつ組成バラツキの値が大きいことが分かる。
これに対し、本発明例であるNo.1〜12は各純Cr、Co、Feと合金粉末との混合から成形された2元系合金であり、いずれの特性も優れていることが分かる。また、本発明例であるNo.13〜15は脆性相(金属間化合物)が生成しない領域での最大融点を持つ固溶体を形成する場合での、この最大融点を持つ固溶体を挟んで二つの2種の合金粉末を混合して、熱間加圧成形し合金化したもので、この場合も、No.1〜12と同様に、いずれの特性も優れていることが分かる。
このように、純金属粉と合金粉での成形は、脆性相が存在する合金系において、固溶体が得られる組成領域で合金粉末を作製し、この粉末に純金属粉末もしくは別組織の固溶体を混合し目的の成分とした上で成形することにより、脆性相が存在せず、割れもなく高強度で均質なターゲット材の作製が可能となったものである。
本発明に係るA−E金属状態図である。 本発明に係る他のA−E金属状態図である。 ターゲット表面でのスパッタ現象を示す図である。
符号の説明
1 基板
2 ターゲット材
3 入射イオン
4 スパッタ粒子
5 マイナスイオン
6 γ電子
7 スパッタ粒子の逆戻り
8 入射イオンの反射
9 反跳粒子


特許出願人 山陽特殊製鋼株式会社
代理人 弁理士 椎 名 彊


Claims (2)

  1. 脆性相が存在する2元系合金において、脆性相が存在する2元系合金での純金属と合金粉末を混合するに当たり、2元系状態図より脆性相(金属間化合物)が生成しない領域を選択して純金属と固溶体の粉末を混合した後熱間加圧成形し、脆性相のない合金を製造することを特徴とするスパッタリングターゲット材の製造方法。
  2. 脆性相が存在する2元系合金において、脆性相が存在する2元系合金での2種の合金粉末を混合するに当たり、2元系状態図より脆性相(金属間化合物)が生成しない領域での最大融点を持つ固溶体を形成する場合は、該最大融点を持つ固溶体を挟んで二つの固溶体粉末を混合した後、熱間加圧成形し合金化することを特徴とするスパッタリングターゲット材の製造方法。
JP2005020951A 2005-01-28 2005-01-28 スパッタリングターゲット材の製造方法 Expired - Fee Related JP4476827B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005020951A JP4476827B2 (ja) 2005-01-28 2005-01-28 スパッタリングターゲット材の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005020951A JP4476827B2 (ja) 2005-01-28 2005-01-28 スパッタリングターゲット材の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2006206966A true JP2006206966A (ja) 2006-08-10
JP4476827B2 JP4476827B2 (ja) 2010-06-09

Family

ID=36964139

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005020951A Expired - Fee Related JP4476827B2 (ja) 2005-01-28 2005-01-28 スパッタリングターゲット材の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4476827B2 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008063640A (ja) * 2006-09-11 2008-03-21 Sanyo Special Steel Co Ltd CoW系ターゲット材およびその製造方法
JP2008138232A (ja) * 2006-11-30 2008-06-19 Mitsubishi Materials Corp 高Ga含有Cu−Ga二元系合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法
JP2009120863A (ja) * 2007-11-12 2009-06-04 Mitsubishi Materials Corp Cu−In−Ga三元系焼結合金スパッタリングターゲットの製造方法
JP2011210291A (ja) * 2010-03-28 2011-10-20 Mitsubishi Materials Corp 磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008063640A (ja) * 2006-09-11 2008-03-21 Sanyo Special Steel Co Ltd CoW系ターゲット材およびその製造方法
JP2008138232A (ja) * 2006-11-30 2008-06-19 Mitsubishi Materials Corp 高Ga含有Cu−Ga二元系合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法
JP2009120863A (ja) * 2007-11-12 2009-06-04 Mitsubishi Materials Corp Cu−In−Ga三元系焼結合金スパッタリングターゲットの製造方法
JP2011210291A (ja) * 2010-03-28 2011-10-20 Mitsubishi Materials Corp 磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP4476827B2 (ja) 2010-06-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
USRE40100E1 (en) Fabrication of B/C/N/O/Si doped sputtering targets
US20070189916A1 (en) Sputtering targets and methods for fabricating sputtering targets having multiple materials
TWI622661B (zh) W-Ni濺鍍靶及其製法和用途
JP5342810B2 (ja) Al基合金スパッタリングターゲット材の製造方法
TWI445827B (zh) A powder containing sintered elements containing Cu, In, Ga and Se, a sintered body and a sputtering target, and a method for producing the powder
WO2005012591A1 (ja) スパッタリングターゲット及びその製造方法
KR102519021B1 (ko) 텅스텐 실리사이드 타깃 및 그 제조 방법
JP2010095770A (ja) Ti−Al系合金ターゲット及びその製造方法
JP2009074127A (ja) 焼結スパッタリングターゲット材およびその製造方法
JP4476827B2 (ja) スパッタリングターゲット材の製造方法
WO2019159856A1 (ja) スパッタリングターゲット材
JP2009197310A (ja) スパッタリングターゲット
KR20160071619A (ko) 철계 초내열 합금의 제조방법
JP5505844B2 (ja) 酸化コバルト及び非磁性酸化物を有するCoCrPtに基づく合金スパッタリングターゲット及びその製造法
JP2010150573A (ja) Wc粒子を分散させた自溶性複合合金粉末およびその製造方法。
JP2021080542A (ja) 焼結材料及びその製造方法
TWI821015B (zh) 濺射靶及其製造方法
JP7412659B2 (ja) スパッタリングターゲット部材、スパッタリングターゲット組立品、及び成膜方法
WO2016157922A1 (ja) 軟磁性膜および軟磁性膜形成用スパッタリングターゲット
WO2023176450A1 (ja) 複合材及び複合材の製造方法並びに金型
TWI797385B (zh) 濺鍍靶及濺鍍靶之製造方法
JP7178707B2 (ja) MgO-TiO系スパッタリングターゲットの製造方法
WO2020188987A1 (ja) スパッタリングターゲット及び、スパッタリングターゲットの製造方法
WO2023095805A1 (ja) 複合材及び複合材の製造方法並びに金型
US20130008784A1 (en) Cocrpt-based alloy sputtering targets with cobalt oxide and non-magnetic oxide and manufacturing methods thereof

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20070806

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20090605

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090616

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090811

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20090812

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20091117

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20091228

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20100309

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20100310

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4476827

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130319

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130319

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140319

Year of fee payment: 4

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees