TW202330849A - 黏著帶 - Google Patents
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Abstract
本發明之目的在於提供一種黏著帶，該黏著帶於承接晶片零件時，可良好地黏貼晶片零件，且於再轉印晶片零件時，可發揮優異之剝離性能，抑制對晶片零件之黏著劑殘留。本發明為一種黏著帶，其具有黏著劑層，上述黏著劑層之球黏性（ball tack）為No12以下，上述黏著劑層之厚度t（μm）與上述黏著劑層於23℃、1Hz之剪切儲存彈性模數G’（kPa）的比t／G’為1以上。
Description
本發明係關於一種黏著帶。
於半導體裝置之製造步驟中，有時會將配置於黏著劑層上之多個晶片零件轉印至驅動電路基板上。
例如，微型LED顯示器係以下之顯示裝置，亦即構成像素之晶片逐一為微細之發光二極體（LED，Light Emitting Diode）晶片，此微型LED晶片自發光而顯示影像。微型LED顯示器由於對比度高，應答速度快，且因無需液晶顯示器、有機EL顯示器等所使用之濾光片等而亦可薄型化，因此作為新一代顯示裝置備受矚目。於微型LED顯示器中，多個微型LED晶片被以高密度鋪滿成平面狀。
於此種微型LED顯示器等半導體裝置之製造步驟中，例如使黏著劑層上配置有多個晶片零件之轉印用積層體與驅動電路基板對向，從轉印用積層體將晶片零件剝離，與驅動電路基板進行電連接（轉印步驟）。
轉印步驟亦有時會進行複數次。亦即，進行下述操作：在最後將晶片零件轉印於驅動電路基板上之前，為了運送或施加處理，而會將晶片零件暫時轉印於載體材上，然後，從載體材將晶片零件再轉印於其他載體材或驅動電路基板上。作為載體材，例如，於專利文獻1記載有一種至少具備有基材與撞擊吸收層之轉印基板。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]國際公開第2019／065441號
作為載體材，由於亦需要暫時保持晶片零件之性能，因此亦研究使用具有黏著劑層之黏著帶。
然而，當使用以往之黏著帶作為載體材的情形時，有時會於承接晶片零件時，晶片零件未貼合在黏著帶，無法良好地進行轉印。又，於承接晶片零件後，再轉印於其他載體材或驅動電路基板上時，亦有下述問題：發生晶片零件之剝離不良，或即使可將晶片零件剝離，黏著劑層之殘渣亦會附著於晶片零件。
本發明之目的在於提供一種黏著帶，該黏著帶於承接晶片零件時，可良好地黏貼晶片零件，且於再轉印晶片零件時，可發揮優異之剝離性能，抑制對晶片零件之黏著劑殘留。
本發明1為一種黏著帶，其具有黏著劑層，該黏著劑層之球黏性（ball tack）為No12以下，該黏著劑層之厚度t（μm）與該黏著劑層於23℃、1Hz之剪切儲存彈性模數G’（kPa）的比t／G’為1以上。
本發明2為如本發明1之黏著帶，其於使該黏著劑層之球黏性No為y時，滿足下述式（1）。
y≧－13.366（t／G’）＋28.94 （1）
本發明3為如本發明2之黏著帶，其於使該黏著劑層之球黏性No為y時，滿足下述式（2）。
y≧－11.981（t／G’）＋41.528 （2）
本發明4為如本發明1之黏著帶，其中，該黏著劑層之球黏性為No4以下。
本發明5為如本發明1、2、3或4之黏著帶，其中，該黏著劑層含有（甲基）丙烯酸系聚合物，該（甲基）丙烯酸系聚合物含有40重量％以上之來自形成為均聚物時玻璃轉移溫度（Tg）在0℃以下的（甲基）丙烯酸酯之構成單元。另，於本說明書中，「（甲基）丙烯酸」意指「甲基丙烯酸及／或丙烯酸」。
本發明6為如本發明5之黏著帶，其中，該形成為均聚物時玻璃轉移溫度（Tg）在0℃以下的（甲基）丙烯酸酯含有：具有碳數12以上之烷基且形成為均聚物時玻璃轉移溫度（Tg）在0℃以下的（甲基）丙烯酸酯。
本發明7為如本發明5或6之黏著帶，其中，該（甲基）丙烯酸系聚合物之重量平均分子量為100萬以下。
本發明8為如本發明6之黏著帶，其中，該具有碳數12以上之烷基且形成為均聚物時玻璃轉移溫度（Tg）在0℃以下的（甲基）丙烯酸酯含有（甲基）丙烯酸月桂酯。
本發明9為如本發明5或6之黏著帶，其中，該形成為均聚物時玻璃轉移溫度（Tg）在0℃以下的（甲基）丙烯酸酯含有：具有碳數7以上但未達12之烷基且形成為均聚物時玻璃轉移溫度（Tg）在0℃以下的（甲基）丙烯酸酯。
本發明10為如本發明5、6、7、8或9之黏著帶，其中，該（甲基）丙烯酸系聚合物含有3重量％以上之來自含有羥基之單體的構成單元。
本發明11為如本發明5、6、7、8、9或10之黏著帶，其中，該黏著劑層進一步含有異氰酸酯系交聯劑。
本發明12為如本發明1、2、3、4、5、6、7、8、9、10或11之黏著帶，其中，該黏著劑層之凝膠分率為80重量％以上95重量％以下。
本發明13為如本發明1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11或12之黏著帶，其具有基材。
本發明14為如本發明1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12或13之黏著帶，其係於轉印零件之步驟中，用以承接該零件。
本發明15為如本發明14之黏著帶，其中，該零件為半導體裝置。
以下詳述本發明。
本發明人等發現對於具有黏著劑層之黏著帶，藉由將黏著劑層之球黏性調整為特定範圍，且將黏著劑層之厚度t（μm）與黏著劑層於23℃、1Hz之剪切儲存彈性模數G’（kPa）的比t／G’調整為特定範圍，可得到適用作為載體材之黏著帶。亦即，本發明人等發現若為此種黏著帶，則於承接晶片零件時，可良好地黏貼晶片零件，且於再轉印晶片零件時，可發揮優異之剝離性能，抑制對晶片零件之黏著劑殘留，而完成本發明。
圖1表示示意性地顯示將配置於黏著劑層上之晶片零件轉印於黏著帶上之步驟的一例之剖面圖。
於圖1所示之步驟中，於積層在基材5上之黏著劑層4上配置有晶片零件1，例如藉由照射雷射光等之方法，從黏著劑層4將晶片零件1剝離。黏著帶8係用以承接從黏著劑層4剝離之晶片零件1，且然後將晶片零件1再轉印於其他載體材或驅動電路基板上的載體材。黏著帶8至少具有黏著劑層2，視需要亦可具有基材3。
另，關於基材5與黏著劑層4之積層體9，例如，可為「基材5是樹脂膜等基材，黏著劑層4僅由黏著劑層構成」之單面黏著帶，亦可為「基材5是玻璃基板等支撐體，黏著劑層4是雙面黏著帶（亦可具有基材）」之支撐體與雙面黏著帶的積層體。
本發明之黏著帶為具有黏著劑層之黏著帶。
關於本發明之黏著帶，上述黏著劑層之球黏性為No12以下。若上述黏著劑層之球黏性為No12以下，由於黏著帶之黏著力不會過高，因此於再轉印晶片零件時，可發揮優異之剝離性能，能夠抑制對晶片零件之黏著劑殘留。上述黏著劑層之球黏性較佳為No8以下，更佳為No4以下。若上述黏著劑層之球黏性為No4以下，則再轉印晶片零件時之剝離性能將會特別高。上述黏著劑層之球黏性的下限並無特別限定，但從更加提升晶片零件之保持性能的觀點，較佳為No2以上，更佳為No3以上。
另，黏著劑層之球黏性，例如可使用球黏性試驗器（安田精機製作所公司製）等，依照JIS Z0237，於溫度23℃，相對濕度50％之環境下測定而算出。
本發明之黏著帶的上述黏著劑層厚度t（單位：μm）與上述黏著劑層於23℃、1Hz之剪切儲存彈性模數G’（單位：kPa）的比t／G’為1以上。
為了於承接晶片零件時晶片零件良好地黏貼於黏著帶，而考慮調整上述黏著劑層之緩衝性。作為與上述黏著劑層之緩衝性有關的物性，例如可舉厚度t及剪切儲存彈性模數G’。本發明人等發現相較於厚度t及剪切儲存彈性模數G’各自單獨之值，調整此等之比t／G’較為重要。例如，當厚度t相對小之情形時，剪切儲存彈性模數G’必須相對小，但當厚度t相對大之情形時，即使剪切儲存彈性模數G’相對大，晶片零件亦可良好地黏貼於黏著帶。亦即，本發明人等發現藉由調整根據厚度t之剪切儲存彈性模數G’值，於承接晶片零件時晶片零件可良好地黏貼於黏著帶。
若上述t／G’為1以上，則黏著帶於承接晶片零件時，可良好地黏貼晶片零件。上述t／G’較佳為1.3以上，更佳為2以上。上述t／G’之上限並無特別限定，從容易維持上述黏著劑層之形狀，抑制上述黏著劑層從黏著帶端部滲出的觀點，較佳之上限為10，更佳之上限為5。
上述黏著劑層之厚度t（μm），若上述t／G’滿足上述範圍，則並無特別限定，較佳之下限為30μm，較佳之上限為200μm。若上述厚度t為上述範圍內，則黏著帶於承接晶片零件時可更加良好地黏貼晶片零件。上述厚度t更佳之下限為40μm，更佳之上限為150μm，再更佳之下限為70μm，再更佳之上限為100μm。
上述黏著劑層於23℃、1Hz之剪切儲存彈性模數G’（kPa），若上述t／G’滿足上述範圍，則並無特別限定，較佳之下限為10kPa，較佳之上限為100kPa。若上述剪切儲存彈性模數G’為上述範圍內，則黏著帶於承接晶片零件時可更加良好地黏貼晶片零件。上述剪切儲存彈性模數G’更佳之下限為15kPa，更佳之上限為40kPa。
另，黏著劑層於23℃、1Hz之剪切儲存彈性模數G’，例如可使用黏彈性譜儀（IT KEISOKU SEIGYO公司製，DVA－200）等，於單純升溫模式之升溫速度5℃／分、1Hz的條件下測定－40～140℃之動態黏彈性頻譜（dynamic viscoelastic spectrum）時，以於23℃之儲存彈性模數的形態獲得。
另，當上述黏著劑層之厚度未達100μm的情形時，藉由重疊上述黏著劑層，以厚度成為100μm以上之方式形成測定用黏著劑層。對所得到之測定用黏著劑層，如上述般進行剪切儲存彈性模數G’之測定。
本發明之黏著帶，於將上述黏著劑層之球黏性No設為y時，較佳滿足下述式（1）。另，t表示黏著劑層之厚度（μm），G’表示黏著劑層於23℃、1Hz之剪切儲存彈性模數（kPa）。
y≧－13.366（t／G’）＋28.94 （1）
本發明人等對本案說明書中之實施例及比較例所得到的黏著帶，將縱軸設為「為黏著劑層之球黏性No的y」，將橫軸設為「t／G’」，繪製出各點。然後，分析「為與黏著劑層黏著力有關之物性的球黏性No」與「為與黏著劑層緩衝性有關之物性的t／G’」之關係性，及此等之關係性對黏著帶之性能（於實施例及比較例所得到之黏著帶的評價結果）造成的影響。
上述式（1）係基於由所繪製之各點中的特定點所製成之近似直線[y＝－13.366（t／G’）＋28.94]者。藉由具有滿足上述式（1）之y及t／G’，黏著帶於承接晶片零件時可更加良好地黏貼晶片零件。認為這可能是因為上述黏著劑層之黏著力與緩衝性的關係性良好。
另，用以導出上述式（1）之特定點為（t，G’，y）＝（75，52.9，10）及（t，G’，y）＝（50，31.9，8）。
本發明之黏著帶，於將上述黏著劑層之球黏性No設為y時，更佳為滿足下述式（1）’。另，t表示黏著劑層之厚度（μm），G’表示黏著劑層於23℃、1Hz之剪切儲存彈性模數（kPa）。
y≦－13.366（t／G’）＋60.187 （1）’
藉由具有滿足上述式（1）’之y及t／G’，黏著帶於承接晶片零件時可進而更良好地黏貼晶片零件。上述式（1）’係基於y＋11.981（t／G’）成為最大之實施例者，用以導出上述式（1）’之特定點為（t，G’，y）＝（75，18.5，6）。
本發明之黏著帶於將上述黏著劑層之球黏性No設為y時，更佳為滿足下述式（2）。另，t表示黏著劑層之厚度（μm），G’表示黏著劑層於23℃、1Hz之剪切儲存彈性模數（kPa）。
y≧－11.981（t／G’）＋41.528 （2）
上述式（2）係基於由所繪製之各點中的其他特定點所製成之近似直線[y＝－11.981（t／G’）＋41.528]者。藉由具有滿足上述式（2）之y及t／G’，黏著帶於承接晶片零件時可進而更良好地黏貼晶片零件。認為這可能是因為上述黏著劑層之黏著力與緩衝性的關係性更加良好。另，用以導出上述式（2）之特定點為（t，G’，y）＝（75，28.5，10）及（t，G’，y）＝（75，26.8，8）。
本發明之黏著帶於將上述黏著劑層之球黏性No設為y時，更佳為滿足下述式（2）’。另，t表示黏著劑層之厚度（μm），G’表示黏著劑層於23℃、1Hz之剪切儲存彈性模數（kPa）。
y≦－11.981（t／G’）＋54.572 （2）’
藉由具有滿足上述式（2）’之y及t／G’，黏著帶於承接晶片零件時可進而更良好地黏貼晶片零件。上述式（2）’係基於y＋11.981（t／G’）成為最大之實施例者，用以導出上述式（2）’之特定點為（t，G’，y）＝（75，18.5，6）。
本發明之黏著帶於將上述黏著劑層之球黏性No設為y時，更佳為滿足下述式（3）。另，t表示黏著劑層之厚度（μm），G’表示黏著劑層於23℃、1Hz之剪切儲存彈性模數（kPa）。
y≧5.411（t／G’）－15.939 （3）
上述式（3）係基於由所繪製之各點中的其他特定點所製成之近似直線[y＝5.412（t／G’）－15.939]者。藉由具有滿足上述式（3）之y及t／G’，黏著帶於承接晶片零件時可進而更良好地黏貼晶片零件。認為這可能是因為上述黏著劑層之黏著力與緩衝性的關係性更加良好。另，用以導出上述式（3）之特定點為（t，G’，y）＝（75，18.5，6）及（t，G’，y）＝（180，54.3，2）。
本發明之黏著帶於將上述黏著劑層之球黏性No設為y時，更佳為滿足下述式（4）。另，t表示黏著劑層之厚度（μm），G’表示黏著劑層於23℃、1Hz之剪切儲存彈性模數（kPa）。
y≦5.700（t／G’）－5.000 （4）
上述式（4）係基於由所繪製之各點中的其他特定點所製成之近似直線[y＝5.700（t／G’）－5.000]者。藉由具有滿足上述式（4）之y及t／G’，黏著帶於承接晶片零件時可進而更良好地黏貼晶片零件。認為這可能是因為上述黏著劑層之黏著力與緩衝性的關係性更加良好。另，用以導出上述式（4）之特定點為（t，G’，y）＝（75，28.5，10）及（t，G’，y）＝（80，28.5，11）。
圖2表示對本案說明書中之實施例及比較例所得到的黏著帶，將縱軸設為「為黏著劑層之球黏性No的y」，將橫軸設為「t／G’」而繪製出各點之圖。
於圖2所示之圖中，以□（白色方塊）、●（黑色圓圈）及〇（白色圓圈）表示之點皆為基於實施例所得到之黏著劑層之球黏性在No12以下，t／G’在1以上的黏著帶之點。其中，以□（白色方塊）表示之點為基於不滿足上述式（1）之情形時的黏著帶之點。又，以●（黑色圓圈）表示之點為基於滿足上述式（1），可更加良好地黏貼晶片零件之情形時的黏著帶之點，而以〇（白色圓圈）表示之點則為基於不僅滿足上述式（1）且亦滿足上述式（2），可進而更良好地黏貼晶片零件之情形時的黏著帶之點。另一方面，以×表示之點係基於比較例所得到的黏著帶之點。
另，於圖2中之近似直線，係將橫軸t／G’表示為x。
將上述黏著劑層之球黏性調整至上述範圍的方法並無特別限定，例如，可舉調整上述黏著劑層所含之基底聚合物的組成、分子量（重量平均分子量（Mw））、分子量分布（重量平均分子量／數量平均分子量（Mw／Mn））、交聯度（凝膠分率）等之方法。將上述t／G’調整至上述範圍之方法並無特別限定，可舉調整上述黏著劑層之厚度t、剪切儲存彈性模數G’、上述黏著劑層所含之基底聚合物的組成、分子量（重量平均分子量（Mw））、分子量分布（重量平均分子量／數量平均分子量（Mw／Mn））、交聯度（凝膠分率）之方法等。
上述黏著劑層並無特別限定，例如可舉丙烯酸黏著劑層、橡膠系黏著劑層、胺酯（urethane）黏著劑層、聚矽氧系黏著劑層等。其中，從易於調整分子量、交聯度等，且耐熱性、耐候性、成本等優異之觀點，較佳為含有（甲基）丙烯酸系聚合物之丙烯酸黏著劑層。
上述（甲基）丙烯酸系聚合物為含有來自（甲基）丙烯酸系單體之構成單元的聚合物。
上述（甲基）丙烯酸系單體並無特別限定，例如可舉（甲基）丙烯酸甲酯、（甲基）丙烯酸乙酯、（甲基）丙烯酸丙酯、（甲基）丙烯酸丁酯、（甲基）丙烯酸異丁酯、（甲基）丙烯酸戊酯、（甲基）丙烯酸己酯、（甲基）丙烯酸庚酯、（甲基）丙烯酸辛酯、（甲基）丙烯酸異辛酯、（甲基）丙烯酸2－乙基己酯、（甲基）丙烯酸壬酯、（甲基）丙烯酸異壬酯、（甲基）丙烯酸癸酯、（甲基）丙烯酸月桂酯、（甲基）丙烯酸異十四酯、（甲基）丙烯酸十八酯、（甲基）丙烯酸異十八酯、（甲基）丙烯酸環己酯、（甲基）丙烯酸異莰酯等。此等（甲基）丙烯酸系單體可單獨使用，亦可併用2種以上。
其中，較佳為形成為均聚物時玻璃轉移溫度（Tg）在0℃以下的（甲基）丙烯酸酯（以下，亦稱為「（甲基）丙烯酸酯（a）」。）。亦即，上述（甲基）丙烯酸系聚合物較佳含有來自上述（甲基）丙烯酸酯（a）之構成單元。
藉由上述（甲基）丙烯酸系聚合物含有此種相對柔軟之構成單元，上述黏著劑層之球黏性及上述t／G’可被輕易調整至上述範圍，黏著帶於再轉印晶片零件時之剝離性能更加提高，於承接晶片零件時可更加良好地黏貼晶片零件。
上述（甲基）丙烯酸酯（a）之玻璃轉移溫度（Tg）若在0℃以下，則並無特別限定，但就再轉印晶片零件時之剝離性能會更加提高，於承接晶片零件時可進而更良好地黏貼晶片零件而言，較佳之下限為－80℃，較佳之上限為－5℃。上述玻璃轉移溫度（Tg）的更佳之下限為－70℃，更佳之上限為－10℃。
另，關於形成為均聚物時之玻璃轉移溫度（Tg），對於重量平均分子量（Mw）為5000～100萬左右或聚合度為50～1萬左右之均聚物，例如可使用示差掃描熱析儀（TA Instruments公司製）等進行測定。
上述（甲基）丙烯酸酯（a）較佳含有具有碳數12以上之烷基且形成為均聚物時玻璃轉移溫度（Tg）在0℃以下的（甲基）丙烯酸酯（以下，亦稱為「（甲基）丙烯酸酯（a－1）」。）。又，上述（甲基）丙烯酸酯（a）亦較佳含有具有碳數7以上但未達12之烷基且形成為均聚物時玻璃轉移溫度（Tg）在0℃以下的（甲基）丙烯酸酯（以下，亦稱為「（甲基）丙烯酸酯（a－2）」。）。
藉由上述（甲基）丙烯酸系聚合物含有具有此等碳鏈相對長之烷基的構成單元，上述黏著劑層之球黏性及上述t／G’可輕易調整至更佳之範圍。
其中，上述（甲基）丙烯酸酯（a）更佳含有上述（甲基）丙烯酸酯（a－1）及上述（甲基）丙烯酸酯（a－2）兩者。
上述（甲基）丙烯酸酯（a－1）並無特別限定，於上述之（甲基）丙烯酸系單體之中，例如可舉丙烯酸月桂酯（形成為均聚物時之Tg為－23℃）、甲基丙烯酸月桂酯（形成為均聚物時之Tg為－65℃）等。進一步可舉丙烯酸異十四酯（形成為均聚物時之Tg為－56℃）、丙烯酸異十八酯（形成為均聚物時之Tg為－18℃）等。其中，就上述黏著劑層之球黏性及上述t／G’可輕易調整至更佳之範圍而言，較佳為選自由丙烯酸月桂酯、甲基丙烯酸月桂酯及丙烯酸異十八酯構成之群的至少1種。並且，更佳為（甲基）丙烯酸月桂酯，再更佳為丙烯酸月桂酯。
上述（甲基）丙烯酸酯（a－2）並無特別限定，例如可舉丙烯酸庚酯（形成為均聚物時之Tg為－68℃）、丙烯酸2－乙基己酯（形成為均聚物時之Tg為－70℃）、丙烯酸辛酯（形成為均聚物時之Tg為－65℃）等。進一步可舉丙烯酸異壬酯（形成為均聚物時之Tg為－58℃）、丙烯酸異癸酯（形成為均聚物時之Tg為－62℃）等。其中，就上述黏著劑層之球黏性及上述t／G’可輕易調整至更佳之範圍而言，較佳為丙烯酸2－乙基己酯。
上述（甲基）丙烯酸系聚合物中，來自上述（甲基）丙烯酸酯（a）之構成單元的含量並無特別限定，較佳之下限為40重量％。若上述構成單元之含量為40重量％以上，則上述黏著劑層之球黏性及上述t／G’可輕易調整至更佳之範圍，黏著帶於再轉印晶片零件時之剝離性能更加提高，於承接晶片零件時可更加良好地黏貼晶片零件。上述構成單元之含量的更佳下限為42重量％，再更佳之下限為45重量％。
上述構成單元之含量的上限並無特別限定，較佳之上限為98重量％，更佳之上限為95重量％。
上述（甲基）丙烯酸系聚合物較佳進一步含有「來自含有交聯性官能基之單體的結構」。
藉由上述（甲基）丙烯酸系聚合物含有上述來自含有交聯性官能基之單體的結構，而可藉由交聯性官能基之交聯來調整上述黏著劑層之凝聚力，故容易調整上述黏著劑層之黏著力及剪切儲存彈性模數G’。藉此，上述黏著劑層之球黏性及上述t／G’可輕易調整至更佳之範圍，黏著帶於再轉印晶片零件時之剝離性能更加提高，於承接晶片零件時可更加良好地黏貼晶片零件。上述交聯性官能基可交聯或亦可未交聯，但更佳為交聯。惟，即使於未交聯之結構的狀態下，上述黏著劑層之凝聚力亦會因官能基間之相互作用而提高。
作為上述含有交聯性官能基之單體，例如可舉含有羧基、羥基、環氧基、雙鍵、參鍵、胺基、醯胺基、腈基等之單體。此等含有交聯性官能基之單體可單獨使用，亦可併用2種以上。其中，較佳為選自由含有羧基之單體及含有羥基之單體構成之群的至少1種。就藉由利用異氰酸酯系交聯劑進行之交聯可輕易調整上述黏著劑層之剪切儲存彈性模數G’而言，更佳為含有羥基之單體。
另，上述含有交聯性官能基之單體，亦可進一步含有烷基、醚基（ether group）、羰基、酯基、碳酸酯基（carbonate group）、醯胺基、胺酯基（urethane group）等。
作為上述含有羧基之單體，可舉（甲基）丙烯酸等（甲基）丙烯酸系單體。作為上述含有羥基之單體，可舉（甲基）丙烯酸4－羥基丁酯、（甲基）丙烯酸2－羥基乙酯等。作為上述含有環氧基之單體，可舉（甲基）丙烯酸環氧丙酯等。作為上述含有雙鍵之單體，可舉（甲基）丙烯酸烯丙酯、己二醇二（甲基）丙烯酸酯等。作為上述含有參鍵之單體，可舉（甲基）丙烯酸炔丙酯等。作為上述含有醯胺基之單體，則可舉（甲基）丙烯醯胺等。
上述（甲基）丙烯酸系聚合物中，上述來自具有交聯性官能基之單體的結構之含量並無特別限定，從調整上述黏著劑層之黏著力及剪切儲存彈性模數G’的觀點，上述構成單元之含量的較佳下限為0.1重量％，較佳上限為30重量％。上述構成單元之含量的更佳下限為0.5重量％，更佳上限為25重量％。
又，上述（甲基）丙烯酸系聚合物中，來自上述含有羥基之單體的結構之含量並無特別限定，從調整上述黏著劑層之黏著力及剪切儲存彈性模數G’的觀點，上述構成單元之含量的較佳下限為1重量％，較佳上限為20重量％。上述構成單元之含量的更佳下限為3重量％，更佳上限為10重量％。
若要得到上述（甲基）丙烯酸系聚合物，可使含有上述（甲基）丙烯酸系單體、上述含有交聯性官能基之單體等的單體混合物於聚合起始劑之存在下作自由基反應，進行共聚。作為使上述單體混合物作自由基反應之方法，亦即聚合方法，可使用以往公知之方法，例如可舉溶液聚合（沸點聚合或等溫聚合）、乳化聚合、懸浮聚合、總體聚合（bulk polymerization）等。
上述（甲基）丙烯酸系聚合物之重量平均分子量（Mw）並無特別限定，較佳之上限為100萬。若上述重量平均分子量（Mw）為100萬以下，則上述球黏性及上述t／G’可輕易調整至更佳之範圍，黏著帶於再轉印晶片零件時之剝離性能更加提高，於承接晶片零件時可更加良好地黏貼晶片零件。上述重量平均分子量（Mw）之更佳上限為95萬，再更佳之上限為90萬。
上述重量平均分子量（Mw）之下限並無特別限定，從上述黏著劑層之黏著力、形狀保持性等觀點，較佳之下限為40萬，更佳之下限為50萬。
另，（甲基）丙烯酸系聚合物之重量平均分子量，例如可藉由GPC（Gel Permeation Chromatography：凝膠滲透層析）法以標準聚苯乙烯換算來求出。更具體而言，例如可使用Waters公司製之「2690 Separations Module」作為測定機器，使用昭和電工公司製之「GPC KF－806L」作為管柱，使用乙酸乙酯作為溶劑，於樣品流量1mL／min，管柱溫度40℃之條件下進行測定。
上述黏著劑層亦可含有增黏樹脂。
作為上述增黏樹脂，例如可舉松酯系樹脂、氫化松香（hydrogenated rosin）系樹脂、萜烯系樹脂、萜烯酚系樹脂、薰草哢－茚系樹脂、脂環族飽和烴系樹脂、C5系石油樹脂、C9系石油樹脂、C5－C9共聚系石油樹脂等。此等之增黏樹脂可單獨使用，亦可併用2種以上。
上述增黏樹脂之含量並無特別限定，從更加提高再轉印晶片零件時之剝離性能的觀點，較佳不含有上述增黏樹脂。當含有上述增黏樹脂之情形時，相對於為上述黏著劑層之主成分的樹脂（例如，（甲基）丙烯酸系聚合物）100重量份，較佳之上限為10重量份。若上述增黏樹脂之含量為10重量份以下，則上述黏著劑層於再轉印晶片零件時之剝離性能會更加提高。
上述黏著劑層，較佳藉由含有交聯劑而於構成上述黏著劑層之樹脂（例如，上述（甲基）丙烯酸系聚合物、上述增黏樹脂等）的主鏈間形成有交聯結構。
上述交聯劑並無特別限定，例如可舉異氰酸酯系交聯劑、吖
系交聯劑、環氧系交聯劑、金屬螯合物型交聯劑等。其中，當上述（甲基）丙烯酸系聚合物含有來自上述含有羥基之單體的構成單元之情形時，就可藉由與羥基之交聯輕易調整上述黏著劑層之剪切儲存彈性模數G’而言，較佳為異氰酸酯系交聯劑。
上述交聯劑之含量相對於為上述黏著劑層之主成分的樹脂（例如，上述（甲基）丙烯酸系聚合物）100重量份，較佳為0.01～10重量份，更佳為0.1～7重量份。
上述黏著劑層亦可進一步含有煙燻二氧化矽（fumed silica）等無機填料。藉由摻合上述無機填料，可提高上述黏著劑層之凝聚力。
上述黏著劑層亦可進一步含有塑化劑、樹脂、界面活性劑、蠟、微粒子填充劑等公知之添加劑。此等添加劑可單獨使用，亦可併用2種以上。
上述黏著劑層之凝膠分率並無特別限定，較佳之下限為80重量％，較佳之上限為95重量％。若上述凝膠分率為80重量％以上，則上述黏著劑層之黏著力可調整至相對低之範圍，黏著帶於再轉印晶片零件時之剝離性能會更加提高。若上述凝膠分率為95重量％以下，則容易調整上述黏著劑層之剪切儲存彈性模數G’。其結果，黏著帶於承接晶片零件時可更加良好地黏貼晶片零件。上述凝膠分率更佳之下限為85重量％，更佳之上限為94重量％，再更佳之下限為87重量％，再更佳之上限為93重量％。
另，黏著劑層之凝膠分率可藉由以下之方法測定。
從黏著帶僅取出0.1g之黏著劑層（黏著劑組成物），浸漬於乙酸乙酯50mL中，以振動器於溫度23度、200rpm之條件下振動24小時。振動後，使用金屬網（metal mesh）（孔徑＃200篩孔），將乙酸乙酯與吸收乙酸乙酯而潤脹之黏著劑組成物加以分離。將分離後之黏著劑組成物於110℃之條件下乾燥1小時。測定乾燥後之包含金屬網之黏著劑組成物的重量，使用下式算出黏著劑層之凝膠分率。
凝膠分率（重量％）＝100×（W
1－W
2）／W
0（W
0：初始黏著劑組成物重量，W
1：乾燥後之包含金屬網的黏著劑組成物重量，W
2：金屬網之初始重量）
惟，當上述黏著劑組成物於乙酸乙酯不完全溶解之情形時，則使用甲苯或己烷、水等溶劑代替乙酸乙酯。具體而言，黏著劑組成物例如當含有苯乙烯系彈性物之情形時，使用甲苯或己烷，而當含有聚乙烯醇之情形時，則使用90℃之熱水。
本發明之黏著帶可為不具有基材之未受支撐類型，但從容易自支撐體剝離黏著帶，容易再利用支撐體之觀點，較佳為具有基材之受支撐類型。為受支撐類型之情形時，本發明之黏著帶可為僅於基材之單面具有黏著劑層的單面黏著帶，亦可為於基材之雙面具有黏著劑層的雙面黏著帶。
又，藉由將支撐體與本發明之黏著帶黏貼，使用性會獲得提升，故本發明之黏著帶較佳為雙面黏著帶，更佳為於基材之雙面具有黏著劑層的雙面黏著帶。上述支撐體並無特別限定，例如可舉玻璃、石英基板、金屬板等。
當本發明之黏著帶為於基材之雙面具有黏著劑層的雙面黏著帶之情形時，雙面之黏著劑層可為如上述之黏著劑層，亦可為一面是如上述之黏著劑層，另一面（與支撐體等接觸之面）是其他之黏著劑層。上述其他之黏著劑層並無特別限定，可使用以往公知之黏著劑層。
上述基材並無特別限定，作為上述基材之材料，例如可舉聚對酞酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯（polyethylene naphthalate）、聚縮醛、聚醯胺、聚碳酸酯、聚苯醚（polyphenylene ether）、聚對酞酸丁二酯（polybutylene terephthalate）、超高分子量聚乙烯、間規聚苯乙烯、聚芳酯（polyarylate）、聚碸、聚醚碸（polyether sulfone）、聚苯硫醚（polyphenylene sulfide）、聚醚醚酮、聚醯亞胺、聚醚醯亞胺、氟樹脂、液晶聚合物等。其中，就耐熱性優異而言，較佳為聚對酞酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯。
上述基材之厚度並無特別限定，較佳之下限為4μm，較佳之上限為188μm。藉由上述基材之厚度為上述範圍內，而可製成具有適度之強度，使用性優異的黏著帶。上述基材厚度之更佳下限為50μm，更佳上限為125μm，再更佳之下限為75μm，再更佳之上限為100μm。
本發明之黏著帶的用途並無特別限定，較佳為於轉印零件之步驟中，用以承接該零件。
上述零件並無特別限定，較佳為半導體裝置。作為上述半導體裝置，例如可舉微型LED晶片、影像感測器之光學晶片等晶片零件。其中，較佳為微型LED晶片。
本發明之黏著帶，尤其適用作為於如圖1所示之將配置於黏著劑層上之晶片零件轉印於黏著帶上的步驟中，用以承接晶片零件之黏著帶。將晶片零件轉印於本發明之黏著帶上的方法並無特別限定，例如可採用照射雷射光等方法。將晶片零件從本發明之黏著帶再轉印於其他載體材或驅動電路基板上的方法並無特別限定，例如可使用直接層疊具有黏著性之其他載體材，加以剝離後進行轉印的方法，或照射雷射光等方法。
若根據本發明，則可提供一種黏著帶，該黏著帶於承接晶片零件時，可良好地黏貼晶片零件，且於再轉印晶片零件時，可發揮優異之剝離性能，抑制對晶片零件之黏著劑殘留。
以下舉實施例進一步詳細說明本發明之態樣，但本發明並非僅限定於此等實施例。
（實施例1）
（1）（甲基）丙烯酸系聚合物之製備
將52重量份之乙酸乙酯放入於具備有溫度計、攪拌機、冷卻管的反應器，進行氮氣置換後，將反應器加熱而開始回流。乙酸乙酯沸騰後，於30分鐘後投入0.08重量份之偶氮雙異丁腈作為聚合起始劑。歷時1小時30分鐘將89.7重量份之丙烯酸2－乙基己酯、10重量份之丙烯酸4－羥基丁酯及0.3重量份之丙烯酸均等且慢慢地滴加於其中，使之反應。於滴加結束30分鐘後，添加0.1重量份之偶氮雙異丁腈，進一步使之聚合反應5小時，於反應器內加入乙酸乙酯，加以稀釋，且同時進行冷卻，藉此而得到（甲基）丙烯酸系聚合物之溶液。
對所得到之（甲基）丙烯酸系聚合物，使用Waters公司製之「2690 Separations Module」作為測定機器，使用昭和電工公司製之「GPC KF－806L」作為管柱，使用乙酸乙酯作為溶劑，於樣品流量1mL／min，管柱溫度40℃之條件下，測定重量平均分子量。
（2）黏著帶之製造
於所得到之（甲基）丙烯酸系聚合物的溶液，相對於（甲基）丙烯酸系聚合物100重量份，以固形物成分成為1.7重量份之方式加入CORONATE L－45（東曹公司製）作為異氰酸酯系交聯劑，並且充分加以攪拌，而得到黏著劑溶液。將所得到之黏著劑溶液以乾燥被膜之厚度成為75μm的方式使用敷料器（applicator）塗覆於作為基材之厚度100μm的聚對酞酸乙二酯（PET）膜上，以110℃乾燥3分鐘，藉此而得到黏著帶。
（3）凝膠分率之測定
從黏著帶僅取出0.1g之黏著劑層（黏著劑組成物），浸漬於乙酸乙酯50mL中，以振動器於溫度23度，200rpm之條件下振動24小時。振動後，使用金屬網（孔徑＃200篩孔），將乙酸乙酯與吸收乙酸乙酯而潤脹之黏著劑組成物加以分離。於110℃之條件下將分離後之黏著劑組成物乾燥1小時。測定乾燥後之包含金屬網之黏著劑組成物的重量，使用下式算出黏著劑層之凝膠分率。
凝膠分率（重量％）＝100×（W
1－W
2）／W
0（W
0：初始黏著劑組成物重量，W
1：乾燥後之包含金屬網的黏著劑組成物重量，W
2：金屬網之初始重量）
（4）剪切儲存彈性模數G’之測定
另外製作僅由黏著劑層構成之厚度1mm之片。對此黏著劑層，使用黏彈性譜儀（IT KEISOKU SEIGYO公司製，DVA－200），於單純升溫模式之升溫速度5℃／分，1Hz之條件下測定－40～140℃之動態黏彈性頻譜。將23℃之儲存彈性模數作為黏著劑層於23℃、1Hz之剪切儲存彈性模數G’。
求出黏著劑層之厚度t（μm）與黏著劑層於23℃、1Hz之剪切儲存彈性模數G’（kPa）的比t／G’。又，算出－13.366（t／G’）＋28.94之值、－13.366（t／G’）＋60.186之值、－11.981（t／G’）＋41.528之值、－11.981（t／G’）＋54.572之值、－5.412（t／G’）－15.939之值及5.700（t／G’）－5.000之值。
（5）球黏性之測定
對黏著劑層使用球黏性試驗器（安田精機製作所公司製），依照JIS Z0237，測定於溫度23℃，相對濕度50％之環境下的球黏性。
（實施例2～32，比較例1～8）
除了將（甲基）丙烯酸系聚合物之組成及重量平均分子量，以及交聯劑之量如表1～3所示般加以變更外，其餘皆以與實施例1相同方式得到黏著帶。作為交聯劑，亦使用為異氰酸酯系交聯劑之CORONATE HX（東曹公司製）、為環氧系交聯劑之TETRAD−C（三菱瓦斯化學公司製）。
＜評價＞
對實施例及比較例所得到之黏著帶進行下述評價。將結果表示於表1～3。
（1）晶片零件之轉印性能（晶片零件之貼合）評價
在所得到的黏著帶之外，另外準備試驗用單面黏著帶。
將試驗用單面黏著帶貼合於排列有10個Si晶片（500μm×500μm見方，厚度50μm）之晶圓的Si晶片側之面。然後將晶圓剝離，藉此將Si晶片朝試驗用單面黏著帶上配置。
使配置有Si晶片之試驗用單面黏著帶與實施例或比較例所得到之黏著帶對向，使用半導體固態雷射，使輸出4W、4KHz之365nm的雷射光從試驗用單面黏著帶之基材側照射各Si晶片，將Si晶片剝離，轉印於黏著帶上。於黏著帶承接Si晶片時，將10個Si晶片全部貼合於黏著帶之情形記為「〇〇〇」，貼合9個之情形記為「〇〇」，貼合8個之情形記為「〇」，貼合之Si晶片為7個以下的情形則記為「×」，來評價晶片零件之轉印性能。
（2）再轉印性能及再轉印時之黏著劑殘留
將所得到之黏著帶貼合於排列有10個Si晶片（500μm×500μm見方，厚度50μm）之晶圓的Si晶片側之面。然後，藉由將晶圓剝離，而將Si晶片朝黏著帶上配置。
使配置有Si晶片之黏著帶與保護帶（6312C，積水化學工業公司製）之黏著面對向，使用2kg之輥以300mm／min之速度進行壓接，藉此將Si晶片壓接於保護帶，然後，藉由將保護帶剝離，而將Si晶片從黏著帶剝離，將Si晶片轉印於保護帶上。將可從黏著帶配置10個Si晶片於保護帶上之情形記為「〇〇」，可配置8～9個Si晶片之情形記為「〇」，可配置之Si晶片為0～7個的情形則記為「×」，來評價再轉印性能。
又，以顯微鏡觀察從黏著帶剝離之Si晶片的表面，將未觀察到黏著劑殘留之情形記為「〇」，觀察到黏著劑殘留之情形則記為「×」，來評價黏著劑殘留。
[表1]
| 實施例1 | 實施例2 | 實施例3 | 實施例4 | 實施例5 | 實施例6 | 實施例7 | 實施例8 | 實施例9 | 實施例10 | 實施例11 | 實施例12 | 實施例13 | 實施例14 | 實施例15 | |||
| 黏著劑層 （重量份） | （甲基）丙烯酸系聚合物 | BA | - | - | - | - | - | - | - | 47.5 | 47.5 | 42.5 | 42.5 | 37.5 | 37.5 | 37.5 | 32.5 |
| 2-EHA | 89.7 | 95 | 95 | 95 | 95 | 47.5 | 47.5 | - | - | 5 | 5 | 10 | 10 | 10 | 15 | ||
| LA | - | - | - | - | - | 47.5 | 47.5 | 47.5 | 47.5 | 47.5 | 47.5 | 47.5 | 47.5 | 47.5 | 47.5 | ||
| LMA | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| ISTA | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| 4-HBA | 10 | 4.7 | 4.7 | 4.7 | 4.7 | 4.7 | 4.7 | 4.7 | 4.7 | 4.7 | 4.7 | 4.7 | 4.7 | 4.7 | 4.7 | ||
| AAc | 0.3 | 0.3 | 0.3 | 0.3 | 0.3 | 0.3 | 0.3 | 0.3 | 0.3 | 0.3 | 0.3 | 0.3 | 0.3 | 0.3 | 0.3 | ||
| 交聯劑 | CORONATE L | 1.7 | 1.3 | 1.9 | 2.5 | 1.6 | 0.9 | 0.9 | 0.7 | 1.9 | 0.9 | 1.6 | 1.2 | 1.9 | 0.9 | 1.6 | |
| CORONATE HX | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| TETRAD−C | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| （甲基）丙烯酸系聚合物之Mw[萬] | 55 | 82 | 82 | 82 | 82 | 89 | 89 | 52 | 52 | 85 | 85 | 82 | 82 | 82 | 80 | ||
| 黏著劑層 | 凝膠分率[重量％] | 86 | 89 | 93 | 94 | 89 | 89 | 89 | 80 | 93 | 83 | 90 | 86 | 92 | 82 | 90 | |
| 厚度t[µm] | 75 | 50 | 50 | 50 | 75 | 50 | 75 | 50 | 50 | 50 | 50 | 50 | 50 | 75 | 50 | ||
| 剪切儲存彈性模數G'[kPa] | 52.9 | 35.9 | 45.9 | 48.1 | 43.0 | 25.2 | 25.2 | 38.1 | 44.5 | 34.1 | 35.3 | 31.9 | 32.2 | 31.0 | 29.0 | ||
| 球黏性No | 10 | 7 | 6 | 5 | 7 | 7 | 8 | 12 | 10 | 10 | 8 | 8 | 6 | 10 | 6 | ||
| t/G' | 1.42 | 1.39 | 1.09 | 1.04 | 1.74 | 1.98 | 2.98 | 1.31 | 1.12 | 1.47 | 1.42 | 1.57 | 1.55 | 2.42 | 1.72 | ||
| -13.366(t/G')+28.94 | 10 | 10.3 | 14.4 | 15.0 | 5.6 | 2.4 | -10.8 | 11.4 | 13.92 | 9.3 | 10.0 | 8.0 | 8.2 | -3.4 | 5.9 | ||
| -13.366(t/G')+60.186 | 41.2 | 41.6 | 45.6 | 46.3 | 36.9 | 33.7 | 20.4 | 42.6 | 45.2 | 40.6 | 41.3 | 39.2 | 39.4 | 27.8 | 37.1 | ||
| -11.981(t/G')+41.528 | 24.5 | 24.8 | 28.5 | 29.1 | 20.6 | 17.8 | 5.9 | 25.8 | 28.1 | 24.0 | 24.6 | 22.7 | 22.9 | 12.5 | 20.9 | ||
| -11.981(t/G')+54.572 | 37.6 | 37.9 | 41.5 | 42.1 | 33.7 | 30.8 | 18.9 | 38.8 | 41.1 | 37.0 | 37.6 | 35.8 | 36.0 | 25.6 | 33.9 | ||
| 5.412(t/G')-15.939 | -8.3 | -8.4 | -10.0 | -10.3 | -6.5 | -5.2 | 0.2 | -8.8 | -9.9 | -8.0 | -8.3 | -7.5 | -7.5 | -2.8 | -6.6 | ||
| 5.700(t/G')-5.000 | 3.1 | 2.9 | 1.2 | 0.9 | 4.9 | 6.3 | 12.0 | 2.5 | 1.4 | 3.4 | 3.1 | 3.9 | 3.9 | 8.8 | 4.8 | ||
| 評價 | 晶片零件之轉印性能 | 〇〇 | 〇 | 〇 | 〇 | 〇〇 | 〇〇 | 〇〇〇 | 〇〇 | 〇 | 〇〇 | 〇 | 〇〇 | 〇 | 〇〇 | 〇〇 | |
| 再轉印時之黏著劑殘留 | 〇 | 〇 | 〇 | 〇 | 〇 | 〇 | 〇 | 〇 | 〇 | 〇 | 〇 | 〇 | 〇 | 〇 | 〇 | ||
| 再轉印性能 | 〇 | 〇 | 〇 | 〇 | 〇 | 〇 | 〇 | 〇 | 〇 | 〇 | 〇 | 〇 | 〇 | 〇 | 〇 |
[表2]
| 實施例16 | 實施例17 | 實施例18 | 實施例19 | 實施例20 | 實施例21 | 實施例22 | 實施例23 | 實施例24 | 實施例25 | 實施例26 | 實施例27 | 實施例28 | 實施例29 | 實施例30 | 實施例31 | 實施例32 | |||
| 黏著劑層 （重量份） | （甲基）丙烯酸系聚合物 | BA | 32.5 | - | - | - | 50.5 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
| 2-EHA | 15 | 57.5 | 57.5 | 52.5 | - | - | 47.5 | 37.5 | 37.5 | 37.5 | 37.5 | 27.5 | 27.5 | 27.5 | - | 27.5 | 44 | ||
| LA | 47.5 | 37.5 | 37.5 | 42.5 | 47.5 | 47.5 | - | 57.5 | 57.5 | 57.5 | 57.5 | 67.5 | 67.5 | 67.5 | 67.5 | 67.5 | 50 | ||
| LMA | - | - | - | - | - | 47.5 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| ISTA | - | - | - | - | - | - | 47.5 | - | - | - | - | - | - | - | 27.5 | - | - | ||
| 4-HBA | 4.7 | 4.7 | 4.7 | 4.7 | 1.7 | 4.7 | 4.7 | 4.7 | 4.7 | 4.7 | 4.7 | 4.7 | 4.7 | 4.7 | 4.7 | 4.7 | 4.7 | ||
| AAc | 0.3 | 0.3 | 0.3 | 0.3 | 0.3 | 0.3 | 0.3 | 0.3 | 0.3 | 0.3 | 0.3 | 0.3 | 0.3 | 0.3 | 0.3 | 0.3 | 1.3 | ||
| 交聯劑 | CORONATE L | 1.9 | 0.9 | 0.9 | 0.9 | 1.2 | 0.7 | 0.7 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | |
| CORONATE HX | - | - | - | - | - | - | - | 1 | 1.2 | 1.3 | 1.7 | 1 | 1.2 | 1.3 | 1.3 | 1.3 | - | ||
| TETRAD−C | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 5 | ||
| （甲基）丙烯酸系聚合物之Mw[萬] | 82 | 54 | 54 | 52 | 75 | 78 | 42 | 80 | 80 | 80 | 80 | 83 | 83 | 83 | 45 | 83 | 86 | ||
| 黏著劑層 | 凝膠分率[重量％] | 92 | 85 | 85 | 84 | 81 | 88 | 86 | 91 | 92 | 92 | 94 | 92 | 92 | 93 | 93 | 93 | 96 | |
| 厚度t[µm] | 75 | 75 | 80 | 75 | 75 | 75 | 75 | 75 | 75 | 75 | 75 | 75 | 75 | 75 | 75 | 180 | 65 | ||
| 剪切儲存彈性模數G'[kPa] | 29.8 | 28.5 | 28.5 | 26.8 | 38.9 | 23.3 | 18.5 | 35.5 | 44.7 | 45.8 | 73.1 | 37.8 | 41.7 | 54.3 | 35.4 | 54.3 | 20.0 | ||
| 球黏性No | 8 | 10 | 11 | 8 | 11 | 7 | 6 | 5 | 3 | 3 | 2 | 5 | 3 | 2 | 3 | 2 | 1 | ||
| t/G' | 2.52 | 2.63 | 2.81 | 2.80 | 1.93 | 3.22 | 4.05 | 2.11 | 1.68 | 1.64 | 1.03 | 1.98 | 1.80 | 1.38 | 2.12 | 3.31 | 3.25 | ||
| -13.366(t/G')+28.94 | -4.7 | -6.2 | -8.6 | -8.5 | 3.2 | -14.1 | -25.2 | 0.7 | 6.5 | 7.1 | 15.2 | 2.4 | 4.9 | 10.5 | 0.6 | -15.4 | -14.5 | ||
| -13.366(t/G')+60.187 | 26.5 | 25.0 | 22.7 | 22.8 | 34.4 | 17.2 | 6.0 | 31.9 | 37.8 | 38.3 | 46.5 | 33.7 | 36.1 | 41.7 | 31.9 | 15.9 | 16.7 | ||
| -11.981(t/G')+41.528 | 11.4 | 10.0 | 7.9 | 8.0 | 18.4 | 3.0 | -7.0 | 16.2 | 21.4 | 21.9 | 29.2 | 17.8 | 20.0 | 25.0 | 16.1 | 1.8 | 2.6 | ||
| -11.981(t/G')+54.572 | 24.4 | 23.0 | 20.9 | 21.0 | 31.5 | 16.0 | 6.0 | 29.3 | 34.5 | 35.0 | 42.3 | 30.8 | 33.0 | 38.0 | 29.2 | 14.9 | 15.6 | ||
| 5.411(t/G')-15.939 | -2.3 | -1.7 | -0.8 | -0.8 | -5.5 | 1.5 | 6.0 | -4.5 | -6.9 | -7.1 | -10.4 | -5.2 | -6.2 | -8.5 | -4.5 | 2.0 | 1.6 | ||
| 5.700(t/G')-5.000 | 9.3 | 10.0 | 11.0 | 11.0 | 6.0 | 13.3 | 18.1 | 7.0 | 4.6 | 4.3 | 0.8 | 6.3 | 5.3 | 2.9 | 7.1 | 13.9 | 13.5 | ||
| 評價 | 晶片零件之轉印性能 | 〇〇 | 〇〇〇 | 〇〇〇 | 〇〇〇 | 〇〇 | 〇〇〇 | 〇〇〇 | 〇〇 | 〇 | 〇 | 〇 | 〇〇 | 〇 | 〇 | ○○ | 〇〇〇 | 〇〇 | |
| 再轉印時之黏著劑殘留 | 〇 | 〇 | 〇 | 〇 | 〇 | 〇 | 〇 | 〇 | 〇 | 〇 | 〇 | 〇 | 〇 | 〇 | 〇 | 〇 | 〇 | ||
| 再轉印性能 | 〇 | 〇 | 〇 | 〇 | 〇 | 〇 | 〇 | 〇 | ○○ | ○○ | ○○ | 〇 | ○○ | ○○ | ○○ | ○○ | ○○ |
[表3]
| 比較例1 | 比較例2 | 比較例3 | 比較例4 | 比較例5 | 比較例6 | 比較例7 | 比較例8 | |||
| 黏著劑層 （重量份） | （甲基）丙烯酸系聚合物 | BA | - | - | - | 47.5 | 89.7 | - | - | - |
| 2-EHA | 89.7 | 89.7 | 89.7 | 47.5 | - | 95 | 95 | 47.5 | ||
| LA | - | - | - | - | - | - | - | 47.5 | ||
| LMA | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| ISTA | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| 4-HBA | 10 | 10 | 10 | 4.7 | 10 | 4.7 | 4.7 | 4.7 | ||
| AAc | 0.3 | 0.3 | 0.3 | 0.3 | 0.3 | 0.3 | 0.3 | 0.3 | ||
| 交聯劑 | CORONATE L | 1.7 | 1.7 | 2.5 | 0.5 | 1.5 | 0.3 | 0.3 | 0.3 | |
| CORONATE HX | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| TETRAD−C | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| （甲基）丙烯酸系聚合物之Mw[萬] | 80 | 80 | 80 | 52 | 155 | 82 | 80 | 89 | ||
| 黏著劑層 | 凝膠分率[重量％] | 86 | 86 | 90 | 88 | 98 | 65 | 65 | 61 | |
| 厚度t[µm] | 30 | 50 | 50 | 30 | 75 | 75 | 100 | 75 | ||
| 剪切儲存彈性模數G'[kPa] | 52.9 | 52.9 | 58.9 | 33.5 | 90.2 | 43.3 | 43.3 | 23.5 | ||
| 球黏性No | 6 | 9 | 6 | 10 | 2 | 13 | 14 | 13 | ||
| t/G' | 0.57 | 0.95 | 0.85 | 0.90 | 0.83 | 1.73 | 2.31 | 3.19 | ||
| -13.366(t/G')+28.94 | 21.4 | 16.3 | 17.6 | 17.0 | 17.8 | 5.8 | -1.9 | -13.7 | ||
| -13.366(t/G')+60.186 | 52.6 | 47.6 | 48.8 | 48.2 | 49.1 | 37.0 | 29.3 | 17.5 | ||
| -11.981(t/G')+41.528 | 34.7 | 30.2 | 31.4 | 30.8 | 31.6 | 20.8 | 13.9 | 3.3 | ||
| -11.981(t/G')+54.572 | 47.8 | 43.2 | 44.4 | 43.8 | 44.6 | 33.8 | 26.9 | 16.3 | ||
| 5.412(t/G')-15.939 | -12.9 | -10.8 | -11.3 | -11.1 | -11.4 | -6.6 | -3.4 | 1.3 | ||
| 5.700(t/G')-5.000 | -1.8 | 0.4 | -0.2 | 0.1 | -0.3 | 4.9 | 8.2 | 13.2 | ||
| 評價 | 晶片零件之轉印性能 | × | × | × | × | × | ○○ | ○○○ | ○○○ | |
| 再轉印時之黏著劑殘留 | 〇 | 〇 | 〇 | 〇 | 〇 | × | × | × | ||
| 再轉印性能 | 〇 | 〇 | 〇 | 〇 | ○○ | × | × | × |
BA：丙烯酸丁酯
2－EHA：丙烯酸2－乙基己酯
LA：丙烯酸月桂酯
LMA：甲基丙烯酸月桂酯
ISTA：丙烯酸異十八酯
4－HBA：丙烯酸4－羥基丁酯
AAc：丙烯酸
[產業上之可利用性]
若根據本發明，則可提供一種黏著帶，該黏著帶於承接晶片零件時，可良好地黏貼晶片零件，且於再轉印晶片零件時，可發揮優異之剝離性能，抑制對晶片零件之黏著劑殘留。
1:晶片零件
2:黏著劑層
3:基材
4:黏著劑層
5:基材
8:黏著帶
9:基材與黏著劑層之積層體
[圖1]係示意性地顯示將配置於黏著劑層上之晶片零件轉印於黏著帶上之步驟的一例之剖面圖。
[圖2]係對本案說明書中之實施例及比較例所得到之黏著帶，將縱軸作為「為黏著劑層之球黏性No的y」，將橫軸作為「t／G’」而繪製出各點之圖。
Claims (15)
- 一種黏著帶，具有黏著劑層，其特徵在於： 該黏著劑層之球黏性（ball tack）為No12以下， 該黏著劑層之厚度t（μm）與該黏著劑層於23℃、1Hz之剪切儲存彈性模數G’（kPa）的比t／G’為1以上。
- 如請求項1之黏著帶，其於使該黏著劑層之球黏性No為y時，滿足下述式（1）， y≧－13.366（t／G’）＋28.94 （1）。
- 如請求項2之黏著帶，其於使該黏著劑層之球黏性No為y時，滿足下述式（2）， y≧－11.981（t／G’）＋41.528 （2）。
- 如請求項1之黏著帶，其中，該黏著劑層之球黏性為No4以下。
- 如請求項1、2、3或4之黏著帶，其中，該黏著劑層含有（甲基）丙烯酸系聚合物，該（甲基）丙烯酸系聚合物含有40重量％以上之來自形成為均聚物時玻璃轉移溫度在0℃以下的（甲基）丙烯酸酯之構成單元。
- 如請求項5之黏著帶，其中，該形成為均聚物時玻璃轉移溫度在0℃以下的（甲基）丙烯酸酯含有：具有碳數12以上之烷基且形成為均聚物時玻璃轉移溫度在0℃以下的（甲基）丙烯酸酯。
- 如請求項5或6之黏著帶，其中，該（甲基）丙烯酸系聚合物之重量平均分子量為100萬以下。
- 如請求項6之黏著帶，其中，該具有碳數12以上之烷基且形成為均聚物時玻璃轉移溫度在0℃以下的（甲基）丙烯酸酯含有（甲基）丙烯酸月桂酯。
- 如請求項5或6之黏著帶，其中，該形成為均聚物時玻璃轉移溫度在0℃以下的（甲基）丙烯酸酯含有：具有碳數7以上但未達12之烷基且形成為均聚物時玻璃轉移溫度（Tg）在0℃以下的（甲基）丙烯酸酯。
- 如請求項5、6、7、8或9之黏著帶，其中，該（甲基）丙烯酸系聚合物含有3重量％以上之來自含有羥基之單體的構成單元。
- 如請求項5、6、7、8、9或10之黏著帶，其中，該黏著劑層進一步含有異氰酸酯系交聯劑。
- 如請求項1、2、3、4、5、6、7、8、9、10或11之黏著帶，其中，該黏著劑層之凝膠分率為80重量％以上95重量％以下。
- 如請求項1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11或12之黏著帶，其具有基材。
- 如請求項1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12或13之黏著帶，其係於轉印零件之步驟中，用以承接該零件。
- 如請求項14之黏著帶，其中，該零件為半導體裝置。
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