TW202244478A - 顆粒物清潔度檢測方法 - Google Patents
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- 239000002245 particle Substances 0.000 title claims abstract description 237
- 238000001514 detection method Methods 0.000 title claims abstract description 124
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 title claims abstract description 106
- 238000002791 soaking Methods 0.000 claims abstract description 240
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 36
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 136
- GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N hydron Chemical compound [H+] GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 79
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 76
- 238000007654 immersion Methods 0.000 claims description 70
- 239000013618 particulate matter Substances 0.000 claims description 46
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 claims description 45
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 27
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 26
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 26
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 11
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 8
- -1 polyethylene Polymers 0.000 claims description 6
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 claims description 4
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 claims description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 32
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 16
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 14
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 8
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 5
- 238000005237 degreasing agent Methods 0.000 description 3
- 239000013527 degreasing agent Substances 0.000 description 3
- 150000002632 lipids Chemical class 0.000 description 3
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 231100000719 pollutant Toxicity 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000000527 sonication Methods 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N15/00—Investigating characteristics of particles; Investigating permeability, pore-volume or surface-area of porous materials
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N15/00—Investigating characteristics of particles; Investigating permeability, pore-volume or surface-area of porous materials
- G01N15/10—Investigating individual particles
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N15/00—Investigating characteristics of particles; Investigating permeability, pore-volume or surface-area of porous materials
- G01N2015/0096—Investigating consistence of powders, dustability, dustiness
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N15/00—Investigating characteristics of particles; Investigating permeability, pore-volume or surface-area of porous materials
- G01N15/10—Investigating individual particles
- G01N2015/1024—Counting particles by non-optical means
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
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- Pathology (AREA)
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
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- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Ultrasonic Waves (AREA)
Abstract
一種顆粒物清潔度檢測方法，包括以下步驟：將浸泡液取至預設容器內；對該預設容器內的浸泡液的顆粒物數量進行檢測，並判斷檢測到的浸泡液的顆粒物數量是否滿足預設的第一標準；若是，則採用浸泡液對已進行清潔處理的待檢測件進行顆粒物檢測。本發明提供的顆粒物清潔度檢測方法，能夠降低檢測結果的誤差，提高檢測結果的準確度，從而提高檢測結果的可靠性和穩定性，進而降低半導體設備的零部件對半導體製程結果的影響。
Description
本發明涉及半導體技術領域，具體地，涉及一種顆粒物清潔度檢測方法。
陶瓷在機械加工過程中容易因靜電效應或者微裂而產生陶瓷小顆粒，並且容易沾染灰塵等雜質。而在半導體設備中，一些零部件需要使用陶瓷製作，例如靜電吸盤（Electrostatic Chuck，簡稱ESC）中用於承載晶圓的承載件為陶瓷件，若這些陶瓷件上存在顆粒物，則會產生晶圓吸附不良、製程結果顆粒物超標等一系列問題。因此，在陶瓷件製作完成後，需要對陶瓷件進行清洗，以去除陶瓷件上顆粒物，並需要對陶瓷件的顆粒物清潔度進行檢測，避免顆粒物清潔度未達標的陶瓷件投入使用。
現有的陶瓷件的顆粒物清潔度檢測方式，通常是將清洗後的陶瓷件浸入浸泡液，再使用液體顆粒計數器（Liquid Particle Counter，簡稱LPC）對浸泡液中的顆粒物數量進行檢測，以借助檢測到的顆粒物數量來判斷陶瓷件的顆粒物清潔度是否達標。但是，現有的陶瓷件的顆粒物清潔度檢測方式具有較多的人為主觀因素，造成顆粒物清潔度檢測的檢測結果誤差較大，準確度較低，從而對檢測結果的可靠性和穩定性產生影響，進而對半導體製程結果產生影響。
本發明旨在至少解決現有技術中存在的技術問題之一，提出了一種顆粒物清潔度檢測方法，其能夠降低檢測結果的誤差，提高檢測結果的準確度，從而提高檢測結果的可靠性和穩定性，進而降低半導體設備的零部件對半導體製程結果的影響。
為實現本發明的目的而提供一種顆粒物清潔度檢測方法，包括以下步驟：將浸泡液取至預設容器內；對該預設容器內的該浸泡液的顆粒物數量進行檢測，並判斷檢測到的該浸泡液的顆粒物數量是否滿足預設的第一標準；若是，則採用該浸泡液對已進行清潔處理的待檢測件進行顆粒物檢測。
可選的，該採用該浸泡液對已進行清潔處理的待檢測件進行顆粒物檢測，包括以下步驟：將該待檢測件浸沒在該浸泡液中；對浸有該待檢測件的該浸泡液進行超聲震盪，直至達到第一預設時長之後靜置，其中，該第一預設時長為該待檢測件表面顆粒經震盪可全部脫落所需的時長；檢測靜置後的該浸泡液中的顆粒物數量，並將檢測到的該浸泡液中的顆粒物數量作為第二檢測值；計算該第二檢測值與對未浸泡該待檢測件的該浸泡液檢測顆粒物數量獲得的第一檢測值的差值，並判斷該差值是否滿足預設的第二標準，若是，則該待檢測件的顆粒物清潔度合格。
可選的，該第一預設時長的獲得包括以下步驟：在進行該顆粒物清潔度檢測之前，對浸有該待檢測件的該浸泡液進行N次超聲震盪，並在每次超聲震盪之後靜置，且在每次超聲震盪並靜置之後，對該浸泡液的氫離子濃度指數和電阻值進行檢測，若檢測到的第t+1次超聲震盪並靜置後的該浸泡液的氫離子濃度指數和電阻值，與檢測到的第t次超聲震盪並靜置後的該浸泡液的氫離子濃度指數和電阻值相等，則將該第一預設時長設定為從第1次到第t次超聲震盪所花費的時長之和，其中，N為大於或等於2的正整數，t為大於或等於1的正整數，且（t+1）小於或等於N。
可選的，該採用該浸泡液對已進行清潔處理的待檢測件進行顆粒物檢測，還包括以下步驟：在該將該待檢測件浸沒在該浸泡液中之後，且在該對浸有該待檢測件的該浸泡液進行超聲震盪，直至達到第一預設時長之後靜置之前，對該浸泡液的評估參數值進行檢測，並將檢測到的該浸泡液的評估參數值作為第一評估參數值；在該靜置之後，且在該檢測靜置後的該浸泡液中的顆粒物數量之前，對靜置後的該浸泡液的評估參數值進行檢測，並將檢測到的該浸泡液的評估參數值作為第二評估參數值；計算該第二評估參數值與該第一評估參數值的差值，並判斷該差值是否滿足預設的第三標準，若滿足，則進行該檢測靜置後的該浸泡液中的顆粒物數量。
可選的，該評估參數值為該浸泡液的氫離子濃度指數，該第一評估參數值為第一氫離子濃度指數，該第二評估參數值為第二氫離子濃度指數；該判斷該差值是否滿足預設的第三標準，若是，則進行該檢測靜置後的該浸泡液中的顆粒物數量，包括：判斷該第二氫離子濃度指數與該第一氫離子濃度指數的差值是否在第一預設範圍內，若是，則進行該檢測靜置後的該浸泡液中的顆粒物數量；和/或，該評估參數值為該浸泡液的電阻值，該第一評估參數值為第一電阻值，該第二評估參數值為第二電阻值；該判斷該差值是否滿足預設的第三標準，若是，則進行該檢測靜置後的該浸泡液中的顆粒物數量，包括：判斷該第二電阻值與該第一電阻值的差值是否在第二預設範圍內，若是，則進行該檢測靜置後的該浸泡液中的顆粒物數量。
可選的，該浸泡液為去離子水，該第一標準為在該浸泡液中直徑大於或等於0.3μm（微米）的顆粒物的數量小於或等於400P/ml（個每毫升）。
可選的，在該將該待檢測件浸沒在該浸泡液中的步驟中，使該待檢測件的頂部距離該浸泡液的頂面第一預設距離，並使該待檢測件的底部距離該浸泡液的底面第二預設距離；在該檢測靜置後的該浸泡液中的顆粒物數量的步驟中，在該待檢測件的頂部上方第三預設距離處取樣。
可選的，該採用該浸泡液對已進行清潔處理的該待檢測件進行顆粒物檢測，還包括以下步驟：在該將該待檢測件浸沒在該浸泡液中之前，對該浸泡液進行超聲震盪，直至達到第三預設時長之後靜置第四預設時長；對該浸泡液中的顆粒物數量進行檢測，並將檢測到的該浸泡液中的顆粒物數量作為該第一檢測值。
可選的，將該對該預設容器內的該浸泡液的顆粒物數量進行檢測的步驟中檢測獲得的顆粒物數量作為該第一檢測值。
可選的，該將該浸泡液取至該預設容器內，包括以下步驟：將該浸泡液取至第一預設容器內，同時進行計時，並在達到第五預設時長時停止取液；將該第一預設容器放置在第二預設容器內；其中，該第一預設容器採用聚乙烯材料製作。
本發明具有以下有益效果：本發明提供的顆粒物清潔度檢測方法，在對待檢測件進行顆粒物檢測之前，先對浸泡液的顆粒物數量進行檢測，並判斷檢測到的浸泡液的顆粒物數量是否滿足預設的第一標準，若浸泡液的顆粒物數量滿足預設的第一標準，再採用浸泡液對已進行清潔處理的待檢測件進行顆粒物檢測，這樣就可以避免浸泡液中的顆粒物在不滿足上述第一標準時對待檢測件的顆粒物清潔度造成干擾，以能夠降低檢測結果的誤差，提高檢測結果的準確度，從而提高檢測結果的可靠性和穩定性，進而降低半導體設備的零部件對半導體製程結果的影響。另外，通過在對待檢測件進行顆粒物檢測之前，先判斷浸泡液的顆粒物數量是否滿足第一標準，可以使浸泡液的顆粒物數量具有統一的技術標準，從而可以避免人為主觀因素對檢測結果產生影響。
以下揭露提供用於實施本揭露之不同構件之許多不同實施例或實例。下文描述組件及配置之特定實例以簡化本揭露。當然，此等僅為實例且非意欲限制。舉例而言，在以下描述中之一第一構件形成於一第二構件上方或上可包含其中該第一構件及該第二構件經形成為直接接觸之實施例，且亦可包含其中額外構件可形成在該第一構件與該第二構件之間，使得該第一構件及該第二構件可不直接接觸之實施例。另外，本揭露可在各個實例中重複參考數字及/或字母。此重複出於簡化及清楚之目的且本身不指示所論述之各個實施例及/或組態之間的關係。
此外，為便於描述，諸如「下面」、「下方」、「下」、「上方」、「上」及類似者之空間相對術語可在本文中用於描述一個元件或構件與另一(些)元件或構件之關係，如圖中圖解說明。空間相對術語意欲涵蓋除在圖中描繪之定向以外之使用或操作中之裝置之不同定向。設備可以其他方式定向(旋轉90度或按其他定向)且因此可同樣解釋本文中使用之空間相對描述詞。
儘管陳述本揭露之寬泛範疇之數值範圍及參數係近似值，然儘可能精確地報告特定實例中陳述之數值。然而，任何數值固有地含有必然由於見於各自測試量測中之標準偏差所致之某些誤差。再者，如本文中使用，術語「大約」通常意謂在一給定值或範圍之10%、5%、1%或0.5%內。替代地，術語「大約」意謂在由此項技術之一般技術者考量時處於平均值之一可接受標準誤差內。除在操作/工作實例中以外，或除非以其他方式明確指定，否則諸如針對本文中揭露之材料之數量、時間之持續時間、溫度、操作條件、數量之比率及其類似者之全部數值範圍、數量、值及百分比應被理解為在全部例項中由術語「大約」修飾。相應地，除非相反地指示，否則本揭露及隨附發明申請專利範圍中陳述之數值參數係可根據需要變化之近似值。至少，應至少鑑於所報告有效數位之數目且藉由應用普通捨入技術解釋各數值參數。範圍可在本文中表達為從一個端點至另一端點或在兩個端點之間。本文中揭露之全部範圍包含端點，除非另有指定。
為使本領域的技術人員更好地理解本發明的技術方案，下面結合附圖來對本發明提供的顆粒物清潔度檢測方法進行詳細描述。
為了便於對本發明實施例提供的顆粒物清潔度檢測方法進行說明，首先對現有技術中的待檢測件的清洗方法以及顆粒物清潔度檢測方法進行介紹。以待檢測件的材質為陶瓷為例，在現有技術中，待檢測件的清洗方法可以是先將待檢測件浸入脫脂劑中，以去除待檢測件上的脂類物質，避免待檢測件上的脂類物質將待檢測件上的顆粒物覆蓋，導致在後續的清洗過程中待檢測件上的顆粒物無法被清洗下來。之後，可以再將待檢測件浸入去離子水（Deionized water）中漂洗，以去除待檢測件上被脫脂劑從待檢測件上分離出來的脂類物質以及殘留的脫脂劑，之後，可以再使用去離子水對待檢測件上的盲孔、褶皺等區域進行加壓噴淋，以將待檢測件上位於盲孔、褶皺等區域中的顆粒物清洗下來，之後，可以再將待檢測件浸入酸溶液中，以借助酸溶液將待檢測件上的顆粒物腐蝕下來，之後，可以再將待檢測件浸入去離子水中漂洗，以去除待檢測件上被酸溶液腐蝕下來的顆粒污染物以及殘留的酸溶液，之後，可以再使用去離子水對待檢測件上的盲孔、褶皺等區域進行加壓噴淋，以將待檢測件上位於盲孔、褶皺等區域中的顆粒物以及酸溶液清洗下來，之後，可以再將待檢測件浸入去離子水中進行超聲震盪清洗，以去除待檢測件上的顆粒物，之後，可以對待檢測件的顆粒物清潔度進行檢測，若待檢測件的顆粒物清潔度合格，則循環上述清洗步驟，若待檢測件的顆粒物清潔度不合格，則可以將待檢測件浸入去離子水中浸洗，以去除在對待檢測件的顆粒物清潔度進行檢測過程中，殘留在待檢測件上的浸泡液，之後，可以使用過濾後的乾燥氣體將待檢測件吹幹，以去除待檢測件上可見的水分，之後，可以再將待檢測件放入無塵室中烘烤，以去除待檢測件上的水分，之後，可以使用氮氣對待檢測件進行全面吹掃，以去除待檢測件上顆粒物以及水分。
在現有技術中，待檢測件的顆粒物清潔度檢測方法可以是先將潔淨的浸泡槽放入超聲波槽內，再向浸泡槽中加入去離子水，再將待檢測件放入至浸泡槽中，並浸沒在去離子水中，之後，可以使用液體顆粒計數器對去離子水的顆粒物數量進行檢測，之後，可以對浸有待檢測件的去離子水進行超聲震盪，之後，再使用液體顆粒計數器對去離子水的顆粒物數量進行檢測，通過計算超聲震盪之前的去離子水的顆粒物數量與超聲震盪之後的去離子水的顆粒物數量的差值，並判斷該差值是否滿足預設的標準，若該差值滿足預設的標準，則待檢測件的顆粒物清潔度合格，若該差值不滿足預設的標準，則待檢測件的顆粒物清潔度不合格。另外，待檢測件的顆粒物清潔度檢測方式也可以是先用擦拭布對待檢測件進行擦拭，並目測擦拭布上是否有明顯汙跡，若擦拭布上有明顯汙跡，則將擦拭布放入去離子水中浸泡，並對浸泡有擦拭布的去離子水進行超聲震盪，再利用液體顆粒計數器對超聲震盪之後的去離子水的顆粒物數量進行檢測，以通過檢測到的超聲震盪之後的去離子水的顆粒物數量對待檢測件的顆粒物清潔度是否合格進行判斷。
但是，本申請發明人在採用上述的兩種待檢測件的顆粒物清潔度檢測方法對待檢測件的顆粒物清潔度進行檢測的過程中，發現上述的兩種待檢測件的顆粒物清潔度檢測方法都存在較多的人為主觀因素，容易造成顆粒物清潔度檢測的檢測結果誤差較大，準確度較低，從而對檢測結果的可靠性和穩定性產生影響，進而對半導體製程結果產生影響。例如，在將待檢測件浸沒在去離子水中，並通過計算超聲震盪之前的去離子水的顆粒物數量與超聲震盪之後的去離子水的顆粒物數量的差值，對待檢測件的顆粒物清潔度是否合格進行判斷時，去離子水的標準、待檢測件的浸泡時長、浸泡程度以及超聲震盪的超聲波強度和時長等均沒有統一的標準，這就導致不同人對這些參數的取值不同，存在較多的人為主觀因素，又例如，在採用擦拭布對待檢測件進行擦拭，並目測擦拭布上是否有明顯汙跡，再通過將擦拭布放入去離子水中浸泡，以通過檢測到的超聲震盪之後的去離子水的顆粒物數量對待檢測件的顆粒物清潔度是否合格進行判斷時，擦拭布存在汙跡的程度、擦拭布本身的材質、擦拭力度、擦拭位置和擦拭面積等均沒有統一的標準，這也會導致不同人對這些參數的取值不同，同樣存在較多的人為主觀因素，這些人為主觀因素均會對檢測結果產生影響，從而造成顆粒物清潔度檢測的檢測結果誤差較大。
為了解決上述問題，如圖1和圖8所示，本發明實施例提供一種顆粒物清潔度檢測方法，包括以下步驟：
S1，將浸泡液1取至預設容器2內；
S2，對預設容器2內的浸泡液1的顆粒物數量進行檢測，並判斷檢測到的浸泡液1的顆粒物數量是否滿足預設的第一標準；若是，則進行步驟S3；
S3，採用浸泡液1對已進行清潔處理的待檢測件3進行顆粒物檢測，其中，待檢測件例如為已進行清潔處理的機械加工件。
本發明實施例提供的顆粒物清潔度檢測方法，在對待檢測件3進行顆粒物檢測之前，先對浸泡液1的顆粒物數量進行檢測，並判斷檢測到的浸泡液1的顆粒物數量是否滿足預設的第一標準，若浸泡液1的顆粒物數量滿足第一標準，再採用浸泡液1對已進行清潔處理的待檢測件3進行顆粒物檢測，這樣就可以避免浸泡液1中的顆粒物在不滿足上述第一標準時對待檢測件3的顆粒物清潔度造成干擾，以能夠降低檢測結果的誤差，提高檢測結果的準確度，從而提高檢測結果的可靠性和穩定性，進而降低半導體設備的零部件對半導體製程結果的影響。另外，通過在對待檢測件進行顆粒物檢測之前，先判斷浸泡液的顆粒物數量是否滿足第一標準，可以使浸泡液的顆粒物數量具有統一的技術標準，從而可以避免人為主觀因素對檢測結果產生影響。
在實際應用中，若檢測到的浸泡液1的顆粒物數量不滿足預設的第一標準，則可以對浸泡液1進行過濾，直到浸泡液1的顆粒物數量滿足預設的第一標準。但是，本發明實施例並不以此為限，例如，若檢測到的浸泡液1的顆粒物數量不滿足預設的第一標準，也可以對浸泡液1進行更換，更換後的浸泡液1的顆粒物數量滿足預設的第一標準即可。
需要說明的是，本發明實施例中所涉及的待清洗件3可以為靜電吸盤（Electrostatic Chuck，簡稱ESC），本發明實施例提供的顆粒物清潔度檢測方法，可用於檢測該靜電吸盤表面的顆粒清潔度，當然本發明實施例提供的顆粒物清潔度檢測方法也可以應用於其他需要檢測顆粒物清潔度的部件，本發明實施例對此沒有特別的限制。另外，本發明實施例提供的顆粒物清潔度檢測方法不僅可以對在經過上述的清洗方法清洗後的待檢測件3的顆粒物清潔度進行檢測，而且還可以對其他任意清洗方法清洗後的待檢測件進行檢測，本發明實施例對此沒有特別的限制。
可選的，浸泡液1可以為去離子水。
可選的，上述第一標準可以為在浸泡液1中直徑大於或等於0.3μm（微米）的顆粒物的數量小於或等於400P/ml（個每毫升）。即，若檢測到的浸泡液1中的直徑大於或等於0.3μm的顆粒物的數量小於或等於400P/ml，則檢測到的浸泡液1的顆粒物數量滿足預設的第一標準，可以採用該浸泡液1對待檢測件3的顆粒物清潔度進行檢測，若檢測到的浸泡液1中的直徑大於或等於0.3μm的顆粒物的數量大於400P/ml，則檢測到的浸泡液1的顆粒物數量不滿足預設的第一標準，不可以採用該浸泡液1對待檢測件3的顆粒物清潔度進行檢測。但是，上述第一標準並不局限於此，在實際應用中，對於第一標準的設定與所選取的浸泡液相關，以該浸泡液不影響待檢測件的顆粒物清潔度為基準。
通過使用顆粒物數量滿足預設的第一標準的浸泡液1對待檢測件3進行顆粒物檢測，不僅可以避免由於浸泡液1中的顆粒物數量過多，而對待檢測件3的顆粒物清潔度造成干擾，而且還可以為浸泡液1是否可以用於檢測設定了統一的技術標準，從而可以避免人為主觀因素對檢測結果產生影響，進而可以降低檢測結果的誤差，提高檢測結果的準確度，從而提高檢測結果的可靠性和穩定性，進而降低半導體設備的零部件對半導體製程結果的影響。
如圖2、圖10-圖12所示，在本發明一優選實施例中，上述步驟S3，可以包括以下步驟：
S31，將上述步驟S2中檢測獲得的顆粒物數量作為第一檢測值；
即，預先對上述步驟S2中檢測獲得的顆粒物數量進行記錄。
S32，將待檢測件3浸沒在浸泡液1中；
S33，對浸有待檢測件3的浸泡液1進行超聲震盪，直至達到第一預設時長之後靜置；
S34，檢測靜置後的浸泡液1中的顆粒物數量，並將檢測到的浸泡液1中的顆粒物數量作為第二檢測值；
S35，計算第二檢測值與第一檢測值的差值，並判斷差值是否滿足預設的第二標準，若是，則待檢測件3的顆粒物清潔度合格；若否，則待檢測件3的顆粒物清潔度不合格。
上述第一預設時長可以設定為待檢測件3表面顆粒經震盪可全部脫落所需的時長。一般而言，對待檢測件3震盪時長越長，待檢測件3表面顆粒脫落的越完全，也即第一預設時長越長，則檢測準確度越高。對於不同類型的待檢測件3，第一預設時長可能相同也可能不同。此處所說的全部脫落，為基本上保證顆粒脫落至浸泡液1，最終浸泡液1中顆粒數量基本不變。通過對浸有待檢測件3的浸泡液1進行超聲震盪，直至達到第一預設時長，可以基本上保證待檢測件3表面上的顆粒全部脫落，這樣可以在絕大程度上避免在經過超聲震盪、靜置之後，待檢測件3的表面上仍附著有顆粒，從而能夠準確地檢測到待檢測件3表面的顆粒物數量，使第二檢測值更準確，繼而能夠降低檢測結果的誤差，提高檢測結果的準確度，從而提高檢測結果的可靠性和穩定性，進而降低半導體設備的零部件對半導體製程結果的影響。
可選的，以待檢測件3的材質為陶瓷為例，上述第二標準可以為在浸泡液1中直徑大於或等於0.2μm的顆粒物的數量小於或等於150000ea/ml（個每毫升）。此時，第一檢測值和第二檢測值可以為浸泡液1中直徑大於或等於0.2μm的顆粒物的數量，若第二檢測值與第一檢測值的差值小於或等於150000ea/ml，則該差值滿足預設的第二標準，待檢測件3的顆粒物清潔度合格，若第二檢測值與第一檢測值的差值大於150000ea/ml，則該差值不滿足預設的第二標準，待檢測件3的顆粒物清潔度不合格。
但是，第二標準並不以此為限，第二標準可以根據待檢測件3的材質作適應性改變，例如，當待檢測件3的材質為鋁合金、不銹鋼和石英時，第二標準均可以為在浸泡液1中直徑大於或等於0.2μm的顆粒物的數量小於或等於150000ea/ml，當待檢測件3的材質為樹脂時，第二標準可以為在浸泡液1中直徑大於或等於0.2μm的顆粒物的數量小於或等於50000ea/ml。
另外，通過對超聲震盪的時長（即，上述第一預設時長）進行預設，可以使超聲震盪的時長具有統一的標準，避免每次對同類待檢測件3的顆粒物清潔度進行檢測時，由於不同人對超聲震盪的時長設定不同而對同類待檢測件3的顆粒物清潔度的檢測結果造成干擾，進一步減少人為主觀因素，從而能夠進一步降低檢測結果的誤差，而且無需在每次檢測時另外設定，操作更為便利。
在本發明一優選實施例中，上述第一預設時長的獲得可以包括以下步驟：
在進行顆粒物清潔度檢測之前，對浸有待檢測件3的浸泡液1進行N次超聲震盪，並在每次超聲震盪之後靜置，且在每次超聲震盪並靜置之後，對浸泡液1的氫離子濃度指數和電阻值進行檢測，若檢測到的第t+1次超聲震盪並靜置後的浸泡液1的氫離子濃度指數和電阻值，與檢測到的第t次超聲震盪並靜置後的浸泡液1的氫離子濃度指數和電阻值相等，則將第一預設時長設定為從第1次到第t次超聲震盪所花費的時長之和，其中，N為大於或等於2的正整數，t為大於或等於1的正整數，且（t+1）小於或等於N。
這是由於在對浸有待檢測件3的浸泡液1進行超聲震盪並靜置之後，待檢測件3上的顆粒物會被超聲震盪至浸泡液1中，因此，浸有待檢測件3的浸泡液1在超聲震盪前後的氫離子濃度指數（即，PH值）和電阻值均會發生變化，且被超聲震盪至浸泡液1的顆粒物越多，則浸有待檢測件3的浸泡液1在超聲震盪前後的氫離子濃度指數和電阻值的變化越大。因此，當檢測到的第t+1次超聲震盪並靜置後的浸泡液1的氫離子濃度指數和電阻值，與檢測到的第t次超聲震盪並靜置後的浸泡液1的氫離子濃度指數和電阻值不相等時，則說明超聲震盪的時長不足以將待檢測件3上的顆粒物充分震下，需要延長超聲震盪時長，而當檢測到的第t+1次超聲震盪並靜置後的浸泡液1的氫離子濃度指數和電阻值，與檢測到的第t次超聲震盪並靜置後的浸泡液1的氫離子濃度指數和電阻值相等時，則說明第t次對浸泡液1的氫離子濃度指數和電阻值進行檢測時，待檢測件3上的顆粒物已經被充分震下，也就是說第1次到第t次超聲震盪所用的時長總和可以將待檢測件3上的顆粒物充分震下，因此，可以將第1次到第t次超聲震盪的時長之和作為第一預設時長。由於浸泡液1的氫離子濃度指數和電阻值的檢測較為簡單，因此，這樣可以使得第一預設時長的獲得較為簡便。
但是，第一預設時長的獲得方式並不以此為限，例如，也可以在每次超聲震盪並靜置之後，對浸泡液1中的顆粒物數量進行檢測，若檢測到的第t+1次顆粒物數量與檢測到的第t次顆粒物數量相等，則將第1次到第t次超聲震盪的時長之和作為第一預設時長。
例如，在進行顆粒物清潔度檢測之前，對浸有待檢測件3的浸泡液1進行第1次超聲震盪0min並靜置5min，之後對浸泡液1的氫離子濃度指數和電阻值進行檢測，檢測到的超聲震盪並靜置後的浸泡液1的氫離子濃度指數和電阻值分別為6.35和4MΩ，對浸有待檢測件3的浸泡液1進行第2次超聲震盪5min並靜置5min，之後對浸泡液1的氫離子濃度指數和電阻值進行檢測，檢測到的超聲震盪並靜置後的浸泡液1的氫離子濃度指數和電阻值分別為6.50和4.31MΩ，由於6.50和4.31MΩ與6.35和4MΩ不相等，即，檢測到的第2次超聲震盪並靜置後的浸泡液1的氫離子濃度指數和電阻值，與檢測到的第1次超聲震盪並靜置後的浸泡液1的氫離子濃度指數和電阻值不相等，因此，對浸有待檢測件3的浸泡液1進行第3次超聲震盪2min並靜置5min，之後對浸泡液1的氫離子濃度指數和電阻值進行檢測，檢測到的超聲震盪並靜置後的浸泡液1的氫離子濃度指數和電阻值分別為6.59和4.42MΩ，由於6.59和4.42MΩ與6.50和4.31MΩ不相等，即，檢測到的第3次超聲震盪並靜置後的浸泡液1的氫離子濃度指數和電阻值，與檢測到的第2次超聲震盪並靜置後的浸泡液1的氫離子濃度指數和電阻值不相等，因此，對浸有待檢測件3的浸泡液1進行第4次超聲震盪2min並靜置5min，之後對浸泡液1的氫離子濃度指數和電阻值進行檢測，檢測到的超聲震盪並靜置後的浸泡液1的氫離子濃度指數和電阻值分別為6.64和4.45MΩ，由於6.64和4.45MΩ與6.59和4.42MΩ不相等，即，檢測到的第4次超聲震盪並靜置後的浸泡液1的氫離子濃度指數和電阻值，與檢測到的第3次超聲震盪並靜置後的浸泡液1的氫離子濃度指數和電阻值不相等，因此，對浸有待檢測件3的浸泡液1進行第5次超聲震盪1min並靜置5min，之後對浸泡液1的氫離子濃度指數和電阻值進行檢測，檢測到的超聲震盪並靜置後的浸泡液1的氫離子濃度指數和電阻值分別為6.65和4.49MΩ，由於6.65和4.49MΩ與6.64和4.45MΩ不相等，即，檢測到的第5次超聲震盪並靜置後的浸泡液1的氫離子濃度指數和電阻值，與檢測到的第4次超聲震盪並靜置後的浸泡液1的氫離子濃度指數和電阻值不相等，因此，對浸有待檢測件3的浸泡液1進行第6次超聲震盪1min並靜置5min，之後對浸泡液1的氫離子濃度指數和電阻值進行檢測，檢測到的超聲震盪並靜置後的浸泡液1的氫離子濃度指數和電阻值分別為6.65和4.49MΩ，由於6.65和4.49MΩ與6.65和4.49MΩ相等，即，檢測到的第6次超聲震盪並靜置後的浸泡液1的氫離子濃度指數和電阻值，與檢測到的第5次超聲震盪並靜置後的浸泡液1的氫離子濃度指數和電阻值相等。
因此，將第1次到第5次對浸有待檢測件3的浸泡液1進行超聲震盪的時長之和作為第一預設時長，即，第1次超聲震盪的時長0min、第2次超聲震盪的時長5min、第3次超聲震盪的時長2min、第4次超聲震盪的時長2min、第5次超聲震盪的時長1min相加，得到第一預設時長為10min。
在本發明一優選實施例中，上述步驟S33中，可以對浸有該待檢測件的該浸泡液進行超聲震盪，直至達到第一預設時長之後靜置，直至達到第二預設時長。即，以第一預設時長，對浸有待檢測件3的浸泡液1進行超聲震盪，再以第二預設時長，對浸有待檢測件3的浸泡液1進行靜置。
通過在對浸有待檢測件3的浸泡液1進行超聲震盪之後，再對浸有待檢測件3的浸泡液1進行靜置，可以避免超聲震盪產生的氣泡對待檢測件3的顆粒物清潔度造成干擾，並通過對超聲震盪的時長和靜置的時長進行預設，可以避免每次對待檢測件3的顆粒物清潔度進行檢測時，由於超聲震盪的時長不同，以及靜置的時長不同對待檢測件3的顆粒物清潔度造成干擾，進一步減少人為主觀因素，從而能夠進一步降低檢測結果的誤差，提高檢測結果的準確度，繼而提高檢測結果的可靠性和穩定性，進而降低半導體設備的零部件對半導體製程結果的影響。
可選的，第一預設時長可以為9min（分鐘）-11min的任意一值。
優選的，第一預設時長可以為10min。
可選的，第二預設時長可以為大於等於5min的任意一值。
優選的，第二預設時長可以為5min。
在選定一個第一預設時長和一個第二預設時長之後，在每次對待檢測件3的顆粒物清潔度進行檢測時，均採用選定的一個第一預設時長和選定的一個第二預設時長。舉例來說，第一預設時長選定為10min，第二預設時長選定為5min，則在每次對待檢測件3的顆粒物清潔度進行檢測時，均先對浸有待檢測件3的浸泡液1進行超聲震盪10min，之後，再對浸有待檢測件3的浸泡液1進行靜置5min。
需要說明的是，在本實施例中，步驟S31中，將上述步驟S2中檢測獲得的顆粒物數量作為第一檢測值，但是本發明實施例並不局限於此，例如，如圖5和圖9所示，在本發明一優選實施例中，在進行步驟S32之前，上述步驟S3還包括以下步驟：
S107，對浸泡液1進行超聲震盪並靜置；
S31’，對浸泡液1中的顆粒物數量進行檢測，並將檢測到的浸泡液1中的顆粒物數量作為第一檢測值。
在獲取第一檢測值之前，先對浸泡液1進行超聲震盪並靜置，一方面可以使浸泡液1中的顆粒物均勻分散，另一方面可以避免超聲震盪產生的氣泡對浸泡液1的顆粒物清物檢測造成干擾，以提高第一檢測值的準確度。
需要說明的是，上述步驟S31’代替上述步驟S31，在依次進行上述步驟S107和步驟S31’之後，進行步驟S32。
可選的，步驟S107中，可以對浸泡液進行超聲震盪，直至達到第三預設時長之後靜置第四預設時長。
通過對超聲震盪的時長和靜置的時長進行預設，可以避免每次對浸泡液1的顆粒物清潔度進行檢測時，由於超聲震盪的時長不同，以及靜置的時長不同對浸泡液1的顆粒物清潔度造成干擾，進一步減少人為主觀因素，從而能夠進一步降低檢測結果的誤差，提高檢測結果的準確度，繼而提高檢測結果的可靠性和穩定性，進而降低半導體設備的零部件對半導體製程結果的影響。
可選的，第三預設時長可以為9min-11min的任意一值。
優選的，第三預設時長可以為10min。
可選的，第四預設時長可以為大於等於5min的任意一值。
優選的，第四預設時長可以為5min。
在選定一個第三預設時長和一個第四預設時長之後，在每次對浸泡液1的顆粒物清潔度進行檢測時，均採用選定的一個第三預設時長和選定的一個第四預設時長。舉例來說，第三預設時長選定為10min，第四預設時長選定為5min，則在每次對浸泡液1的顆粒物清潔度進行檢測時，均先對浸泡液1進行超聲震盪10min，之後，再對浸泡液1進行靜置5min。
在本發明一優選實施例中，在上述步驟S3包括上述步驟S31至步驟S35的基礎上，還可以包括以下步驟：
在上述步驟S32之後，且在上述步驟S33之前，對浸泡液1的評估參數值進行檢測，並將檢測到的浸泡液1的評估參數值作為第一評估參數值；
在上述步驟S33之後，且在上述步驟S34之前，對靜置後的浸泡液1的評估參數值進行檢測，並將檢測到的浸泡液1的評估參數值作為第二評估參數值；
計算上述第二評估參數值與第一評估參數值的差值，並判斷該差值是否滿足預設的第三標準，若滿足，則進行上述步驟S34。
上述評估參數值可以包括浸泡液1的氫離子濃度指數，上述第一評估參數值為第一氫離子濃度指數，上述第二評估參數值為第二氫離子濃度指數；和/或，上述評估參數值包括浸泡液1的電阻值，第一評估參數值為第一電阻值，第二評估參數值為第二電阻值。需要說明的是，上述評估參數值可以既包括浸泡液的氫離子濃度指數，又包括浸泡液1的電阻值，也可以只包括浸泡液的氫離子濃度指數，或者只包括浸泡液1的電阻值。也就是說，可以同時對浸泡液1的電阻值和氫離子濃度指數進行評估，也可以只對其中一者進行評估。
以只對浸泡液1的氫離子濃度指數進行評估為例，如圖3所示，上述步驟S3還包括：
在上述步驟S32之後，且在上述步驟S33之前，進行以下步驟：
S101，對浸泡液1的氫離子濃度指數進行檢測，並將檢測到的浸泡液1的氫離子濃度指數作為第一氫離子濃度指數；
在上述步驟S33之後，且在上述步驟S34之前，進行以下步驟：
S102，對靜置後的浸泡液1的氫離子濃度指數進行檢測，並將檢測到的浸泡液1的氫離子濃度指數作為第二氫離子濃度指數；
S103，計算第二氫離子濃度指數與第一氫離子濃度指數的差值，並判斷上述第二氫離子濃度指數與第一氫離子濃度指數的差值是否在第一預設範圍內，若是，則進行上述步驟S34；若否，則對浸泡液1進行過濾或更換浸泡液，之後返回上述步驟S101。
由於在上述步驟S32之後，且在上述步驟S33之前，待檢測件3上的顆粒物會被超聲震盪至浸泡液1中，因此，浸有待檢測件3的浸泡液1在超聲震盪前後的氫離子濃度指數（即，PH值）會發生變化，且被超聲震盪至浸泡液1中的顆粒物越多，則浸有待檢測件3的浸泡液1在超聲震盪前後的氫離子濃度指數的變化越大。通過計算上述第二氫離子濃度指數與第一氫離子濃度指數的差值，可以獲知上述步驟S33（即，對浸有待檢測件3的浸泡液1進行超聲震盪，直至達到第一預設時長之後靜置）前後的氫離子濃度指數的變化數值，再判斷該差值是否滿足預設的第三標準（即，是否在上述第一預設範圍內），若是，則進行上述步驟S34（即，檢測浸泡液1中的顆粒物數量），這樣當上述步驟S33（即，對浸有待檢測件3的浸泡液1進行超聲震盪，直至達到第一預設時長之後靜置）前後的氫離子濃度指數的變化數值過大，待檢測件3的顆粒物清潔度必然不合格時，就無需對浸泡液1中的顆粒物數量進行檢測，即，若上述差值不在上述第一預設範圍內，則可以對浸泡液進行過濾或更換浸泡液之後再返回步驟S101。
只有當上述步驟S33（即，對浸有待檢測件3的浸泡液1進行超聲震盪，直至達到第一預設時長之後靜置）前後的氫離子濃度指數的變化數值較小，待檢測件3的顆粒物清潔度可能合格時，才對浸泡液1中的顆粒物數量進行檢測，可以減少對浸泡液1中的顆粒物數量進行檢測的次數，從而能夠提高檢測效率，並且，由於浸泡液1的氫離子濃度指數的檢測較為簡單，因此，這樣可以使得檢測較為簡便。
可選的，上述第一預設範圍可以為小於或等於0.5。即，若第二氫離子濃度指數與第一氫離子濃度指數的差值小於或等於0.5，則該差值滿足預設的第三標準，可以進行上述步驟S34（即，檢測浸泡液1中的顆粒物數量），若第二氫離子濃度指數與第一氫離子濃度指數的差值大於0.5，則該差值不滿足預設的第三標準，無需進行上述步驟S34（即，檢測浸泡液1中的顆粒物數量）。舉例來說，若在上述步驟S33之前，檢測到的浸泡液1的第一氫離子濃度指數為6.35，在上述步驟S33之後，檢測到的浸泡液1的第二氫離子濃度指數為6.65，則第二氫離子濃度指數與第一氫離子濃度指數的差值為0.3小於0.5，則該差值在上述第一預設範圍內，滿足預設的第三標準，可以進行上述步驟S34（即，檢測浸泡液1中的顆粒物數量）。
以只對浸泡液1的電阻值進行評估為例，如圖4所示，上述步驟S3還包括：
在上述步驟S32之後，且在上述步驟S33之前，進行以下步驟：
S104，對浸泡液1的電阻值進行檢測，並將檢測到的浸泡液1的電阻值作為第一電阻值；
在上述步驟S33之後，且在上述步驟S34之前，進行以下步驟：
S105，對靜置後的浸泡液1的電阻值進行檢測，並將檢測到的浸泡液1的電阻值作為第二電阻值；
S106，計算第二電阻值與第一電阻值的差值，並判斷差值是否在第二預設範圍內，若是，則進行上述步驟S34；若否，則對浸泡液1進行過濾或更換浸泡液，之後返回上述步驟S104。
由於在上述步驟S32之後，且在上述步驟S33之前，待檢測件3上的顆粒物會被超聲震盪至浸泡液1中，因此，浸有待檢測件3的浸泡液1在超聲震盪前後的電阻值會發生變化，且被超聲震盪至浸泡液1中的顆粒物越多，則浸有待檢測件3的浸泡液1在超聲震盪前後的電阻值的變化越大。通過計算上述第二電阻值與第一電阻值的差值，可以獲知上述步驟S33（即，對浸有待檢測件3的浸泡液1進行超聲震盪，直至達到第一預設時長之後靜置）前後的電阻值的變化數值，再判斷該差值是否滿足預設的第三標準（即，是否在上述第二預設範圍內），若是，則進行上述步驟S34（即，檢測浸泡液1中的顆粒物數量），這樣當上述步驟S33（即，對浸有待檢測件3的浸泡液1進行超聲震盪，直至達到第一預設時長之後靜置）前後的電阻值的變化數值過大，待檢測件3的顆粒物清潔度必然不合格時，就無需對浸泡液1中的顆粒物數量進行檢測，即，若上述差值不在上述第一預設範圍內，則可以對浸泡液進行過濾或更換浸泡液之後再返回步驟S104。
只有當上述步驟S33（即，對浸有待檢測件3的浸泡液1進行超聲震盪，直至達到第一預設時長之後靜置）前後的電阻值的變化數值較小，待檢測件3的顆粒物清潔度可能合格時，才對浸泡液1中的顆粒物數量進行檢測，可以減少對浸泡液1中的顆粒物數量進行檢測的次數，從而能夠提高檢測效率，並且，由於浸泡液1的電阻值的檢測較為簡單，因此，這樣可以使得檢測較為簡便。
可選的，上述第二預設範圍可以為小於或等於0.5MΩ（兆歐）。即，若第二電阻值與第一電阻值的差值小於或等於0.5MΩ，則該差值滿足預設的第三標準（即，在上述第二預設範圍內），可以檢測浸泡液1中的顆粒物數量，若第二電阻值與第一電阻值的差值大於0.5MΩ，則該差值不在上述第二預設範圍，無需檢測浸泡液1中的顆粒物數量。舉例來說，若在上述步驟S33（即，對浸有待檢測件3的浸泡液1進行超聲震盪，直至達到第一預設時長之後靜置）之前，檢測到的浸泡液1的第一電阻值為4MΩ，在上述步驟S33（即，對浸有待檢測件3的浸泡液1進行超聲震盪，直至達到第一預設時長之後靜置）之後，檢測到的浸泡液1的第二電阻值為4.49MΩ，則第二電阻值與第一電阻值的差值為0.49MΩ小於0.5MΩ，則該差值滿足預設的第三標準，可以進行上述步驟S34（即，檢測浸泡液1中的顆粒物數量）。
在本發明一優選實施例中，可以對浸有待檢測件3的浸泡液1以預設超聲波強度進行超聲震盪。
通過對超聲震盪的超聲波強度進行預設，可以避免每次對待檢測件3的顆粒物清潔度進行檢測時，由於超聲震盪的超聲波強度不同對待檢測件3的顆粒物清潔度造成干擾，進一步減少人為主觀因素，從而能夠進一步降低檢測結果的誤差，提高檢測結果的準確度，繼而提高檢測結果的可靠性和穩定性，進而降低半導體設備的零部件對半導體製程結果的影響。
可選的，超聲波強度可以為8-10W/inch2（瓦每平方英寸）的任意一值，即，在選定一個超聲波強度之後，在每次對待檢測件3的顆粒物清潔度進行檢測時，均採用選定的一個超聲波強度。舉例來說，超聲波強度選定為9W/inch2，則在每次對待檢測件3的顆粒物清潔度進行檢測時，均對浸有待檢測件3的浸泡液1以9W/inch2的超聲波強度進行超聲震盪。
如圖11所示，在本發明一優選實施例中，在將待檢測件3浸沒在浸泡液1中時，可以使待檢測件3的頂部距離浸泡液1的頂面第一預設距離（如圖11中距離A所示），並使待檢測件3的底部距離浸泡液1的底面第二預設距離（如圖11中距離B所示），在檢測經上述步驟S33（即，對浸有該待檢測件的該浸泡液進行超聲震盪，直至達到第一預設時長之後靜置）之後的浸泡液1中的顆粒物數量時，可以在待檢測件3的頂部上方第三預設距離處取樣。
通過使待檢測件3的頂部距離浸泡液1的頂面第一預設距離，並使待檢測件3的底部距離浸泡液1的底面第二預設距離，可以使待檢測件3頂部的顆粒物和待檢測件3底部的顆粒物均能夠從待檢測件3上被浸泡下來至浸泡液1中，並且通過對待檢測件3的頂部與浸泡液1的頂面之間的距離進行預設，並對待檢測件3的底部與浸泡液1的底面之間的距離進行預設，可以避免由於每次對待檢測件3的顆粒物清潔度進行檢測時，待檢測件3的頂部與浸泡液1的頂面之間的距離不同，以及待檢測件3的底部與浸泡液1的底面之間的距離不同對待檢測件3的顆粒物清潔度造成干擾，進一步減少人為主觀因素，從而能夠進一步降低檢測結果的誤差，提高檢測結果的準確度，繼而提高檢測結果的可靠性和穩定性，進而降低半導體設備的零部件對半導體製程結果的影響。並且，經過本申請發明人在實驗中不斷測試，發現在檢測浸泡液1中的顆粒物數量時，在待檢測件3的頂部上方第三預設距離處取樣，所獲得的浸泡液1中的顆粒物數量最能夠體現待檢測件3的顆粒物清潔度，並且通過對取樣的位置進行預設，可以避免由於每次對待檢測件3的顆粒物清潔度進行檢測時，取樣位置的不同對待檢測件3的顆粒物清潔度造成干擾，進一步減少人為主觀因素，從而能夠進一步降低檢測結果的誤差，提高檢測結果的準確度，繼而提高檢測結果的可靠性和穩定性，進而降低半導體設備的零部件對半導體製程結果的影響。
可選的，第一預設距離可以為85mm（毫米）-115mm。
優選的，第一預設距離可以為100mm。
可選的，第二預設距離可以為25mm-35mm。
優選的，第二預設距離可以為30mm。
可選的，可以通過在預設容器2內放置支撐架，並將待檢測件3放置於支撐架上，以使待檢測件3的頂部能夠距離浸泡液1的頂面第一預設距離，並使待檢測件3的頂部能夠距離浸泡液1的底面第二預設距離。
可選的，支撐架的材質可以為特氟龍。
可選的，第三預設距離可以為25mm-35mm。
優選的，第三預設距離可以為30mm。
在本發明一優選實施例中，可以在待檢測件3的頂部上方第三預設距離處多次取樣，並將多次取樣獲得的浸泡液1中的顆粒物數量作為多個第二檢測值，並計算多個第二檢測值的平均值，並計算該平均值與第一檢測值的差值，並判斷該差值是否滿足預設的第二標準，若是，則待檢測件3的顆粒物清潔度合格。
例如在待檢測件3的頂部上方第三預設距離處進行15次取樣，直徑大於或等於0.1μm的顆粒物的數量分別為32000ea/ml、43000ea/ml、57000ea/ml、73000ea/ml、76000ea/ml、70000ea/ml、68000ea/ml、63000ea/ml、55000ea/ml、50000ea/ml、47000ea/ml、42000ea/ml、39000ea/ml、36000ea/ml和31000ea/ml，之後將15次取樣獲得的浸泡液1中的顆粒物數量作為15個第二檢測值，並計算15個第二檢測值的平均值，即為54000ea/ml，再計算54000ea/ml與第一檢測值的差值，並判斷該差值是否滿足預設的第二標準，若是，則待檢測件3的顆粒物清潔度合格。
需要說明的是，上文中的第二標準是在浸泡液1中直徑大於或等於0.2μm的顆粒物的數量，而此處的取樣的是在浸泡液1中直徑大於或等於0.1μm的顆粒物的數量，因此，此處的取樣不可以與上文中的第二標準進行比較，需要再建立一個以浸泡液1中直徑大於或等於0.1μm的顆粒物的數量為基礎的標準，通過取樣浸泡液1中直徑大於或等於0.1μm的顆粒物的數量，由於直徑大於或等於0.1μm的顆粒物包括有直徑大於或等於0.2μm的顆粒物，因此，直徑大於或等於0.1μm的顆粒物的數量要多於直徑大於或等於0.2μm的顆粒物的數量，這樣可以進一步提高檢測結果的準確度。但是，取樣的浸泡液1中的顆粒物的直徑並不以此為限，例如，取樣的浸泡液1中的顆粒物的直徑也可以為大於或等於0.3μm。
如圖6、圖7和圖8所示，在本發明一優選實施例中，步驟S1，將浸泡液1取至預設容器2內可以包括以下步驟：
S201，將浸泡液1取至第一預設容器21內，同時進行計時，並在達到第五預設時長時停止取液；
S202，將第一預設容器21放置在第二預設容器22內；其中，第一預設容器21可以採用聚乙烯材料製作。
通過將浸泡液1取至第一預設容器21內的時長（即，第五預設時長）進行預設，可以避免每次對浸泡液1的顆粒物清潔度進行檢測時，由於將浸泡液1取至第一預設容器21內的時長不同對浸泡液1的顆粒物清潔度造成干擾，進一步減少人為主觀因素，從而能夠進一步降低檢測結果的誤差，提高檢測結果的準確度，繼而提高檢測結果的可靠性和穩定性，進而降低半導體設備的零部件對半導體製程結果的影響。並且，由於聚乙烯材料具有防潮、耐酸堿和抗氧化的特性，可以進一步降低檢測結果的誤差，進一步提高檢測結果的準確度，從而進一步提高檢測結果的可靠性和穩定性，進而進一步降低半導體設備的零部件對半導體製程結果的影響。
可選的，第五預設時長可以為135s（秒）-155s。
優選的，第五預設時長可以為150s。
如圖8所示，在本發明一優選實施例中，第二預設容器22可以包括能夠產生超聲震盪的震盪槽。
綜上所述，本發明提供的顆粒物清潔度檢測方法，能夠降低檢測結果的誤差，提高檢測結果的準確度，從而提高檢測結果的可靠性和穩定性，進而降低半導體設備的零部件對半導體製程結果的影響。
前述內容概括數項實施例之特徵，使得熟習此項技術者可更佳地理解本揭露之態樣。熟習此項技術者應瞭解，其等可容易地使用本揭露作為用於設計或修改用於實行本文中介紹之實施例之相同目的及/或達成相同優點之其他製程及結構之一基礎。熟習此項技術者亦應瞭解，此等等效構造不背離本揭露之精神及範疇，且其等可在不背離本揭露之精神及範疇之情況下在本文中作出各種改變、置換及更改。
1:浸泡液
2:預設容器
3:待檢測件
4:液體顆粒計數器
21:第一預設容器
22:第二預設容器
當結合附圖閱讀時，從以下詳細描述最佳理解本揭露之態樣。應注意，根據產業中之標準實踐，各種構件未按比例繪製。事實上，為了論述的清楚起見可任意增大或減小各種構件之尺寸。
圖1為本發明實施例提供的顆粒物清潔度檢測方法的一種流程圖；
圖2為本發明實施例提供的顆粒物清潔度檢測方法的另一種流程圖；
圖3為本發明實施例提供的顆粒物清潔度檢測方法的另一種流程圖；
圖4為本發明實施例提供的顆粒物清潔度檢測方法的另一種流程圖；
圖5為本發明實施例提供的顆粒物清潔度檢測方法的另一種流程圖；
圖6為本發明實施例提供的顆粒物清潔度檢測方法的另一種流程圖；
圖7為本發明實施例提供的顆粒物清潔度檢測方法在將浸泡液取至第一預設容器內的示意圖；
圖8為本發明實施例提供的顆粒物清潔度檢測方法在對浸泡液的顆粒物數量進行檢測的示意圖；
圖9為本發明實施例提供的顆粒物清潔度檢測方法在對浸泡液進行超聲震盪並靜置的示意圖；
圖10為本發明實施例提供的顆粒物清潔度檢測方法在對浸泡液中的顆粒物數量進行檢測獲得第一檢測值的示意圖；
圖11為本發明實施例提供的顆粒物清潔度檢測方法在將待檢測件浸沒在浸泡液中，並對浸有待檢測件的浸泡液進行超聲震盪並靜置的示意圖；
圖12為本發明實施例提供的顆粒物清潔度檢測方法在對浸泡液中的顆粒物數量進行檢測獲得第二檢測值的示意圖。
S1-S3:步驟
Claims (10)
- 一種顆粒物清潔度檢測方法，包括以下步驟： 將一浸泡液取至一預設容器內； 對該預設容器內的該浸泡液的顆粒物數量進行檢測，並判斷檢測到的該浸泡液的顆粒物數量是否滿足預設的第一標準； 若是，則採用該浸泡液對已進行清潔處理的待檢測件進行顆粒物檢測。
- 如請求項1所述的顆粒物清潔度檢測方法，其中，該採用該浸泡液對已進行清潔處理的待檢測件進行顆粒物檢測，包括以下步驟： 將該待檢測件浸沒在該浸泡液中； 對浸有該待檢測件的該浸泡液進行超聲震盪，直至達到一第一預設時長之後靜置，其中，該第一預設時長為該待檢測件表面顆粒經震盪可全部脫落所需的時長； 檢測靜置後的該浸泡液中的顆粒物數量，並將檢測到的該浸泡液中的顆粒物數量作為一第二檢測值； 計算該第二檢測值與對未浸泡該待檢測件的該浸泡液檢測顆粒物數量獲得的第一檢測值的差值，並判斷該差值是否滿足預設的一第二標準，若是，則該待檢測件的顆粒物清潔度合格。
- 如請求項2所述的顆粒物清潔度檢測方法，其中，該第一預設時長的獲得包括以下步驟： 在進行該顆粒物清潔度檢測之前，對浸有該待檢測件的該浸泡液進行N次超聲震盪，並在每次超聲震盪之後靜置，且在每次超聲震盪並靜置之後，對該浸泡液的氫離子濃度指數和電阻值進行檢測， 若檢測到的第t+1次超聲震盪並靜置後的該浸泡液的氫離子濃度指數和電阻值，與檢測到的第t次超聲震盪並靜置後的該浸泡液的氫離子濃度指數和電阻值相等，則將該第一預設時長設定為從第1次到第t次超聲震盪所花費的時長之和，其中，N為大於或等於2的正整數，t為大於或等於1的正整數，且（t+1）小於或等於N。
- 如請求項2所述的顆粒物清潔度檢測方法，其中，該採用該浸泡液對已進行清潔處理的待檢測件進行顆粒物檢測，還包括以下步驟： 在該將該待檢測件浸沒在該浸泡液中之後，且在該對浸有該待檢測件的該浸泡液進行超聲震盪，直至達到一第一預設時長之後靜置之前， 對該浸泡液的評估參數值進行檢測，並將檢測到的該浸泡液的評估參數值作為一第一評估參數值； 在該靜置之後，且在該檢測靜置後的該浸泡液中的顆粒物數量之前， 對靜置後的該浸泡液的評估參數值進行檢測，並將檢測到的該浸泡液的評估參數值作為一第二評估參數值； 計算該第二評估參數值與該第一評估參數值的差值，並判斷該差值是否滿足預設的一第三標準，若滿足，則進行該檢測靜置後的該浸泡液中的顆粒物數量。
- 如請求項4所述的顆粒物清潔度檢測方法，其中，該評估參數值為該浸泡液的氫離子濃度指數，該第一評估參數值為一第一氫離子濃度指數，該第二評估參數值為一第二氫離子濃度指數； 該判斷該差值是否滿足預設的第三標準，若是，則進行該檢測靜置後的該浸泡液中的顆粒物數量，包括： 判斷該第二氫離子濃度指數與該第一氫離子濃度指數的差值是否在一第一預設範圍內，若是，則進行該檢測靜置後的該浸泡液中的顆粒物數量； 和/或，該評估參數值為該浸泡液的電阻值，該第一評估參數值為一第一電阻值，該第二評估參數值為一第二電阻值； 該判斷該差值是否滿足預設的第三標準，若是，則進行該檢測靜置後的該浸泡液中的顆粒物數量，包括： 判斷該第二電阻值與該第一電阻值的差值是否在一第二預設範圍內，若是，則進行該檢測靜置後的該浸泡液中的顆粒物數量。
- 如請求項1所述的顆粒物清潔度檢測方法，其中，該浸泡液為去離子水，該第一標準為在該浸泡液中直徑大於或等於0.3μm（微米）的顆粒物的數量小於或等於400P/ml（個每毫升）。
- 如請求項2所述的顆粒物清潔度檢測方法，其中，在該將該待檢測件浸沒在該浸泡液中的步驟中，使該待檢測件的頂部距離該浸泡液的頂面一第一預設距離，並使該待檢測件的底部距離該浸泡液的底面一第二預設距離； 在該檢測靜置後的該浸泡液中的顆粒物數量的步驟中，在該待檢測件的頂部上方一第三預設距離處取樣。
- 如請求項2所述的顆粒物清潔度檢測方法，其中，該採用該浸泡液對已進行清潔處理的該待檢測件進行顆粒物檢測，還包括以下步驟： 在該將該待檢測件浸沒在該浸泡液中之前，對該浸泡液進行超聲震盪，直至達到一第三預設時長之後靜置一第四預設時長； 對該浸泡液中的顆粒物數量進行檢測，並將檢測到的該浸泡液中的顆粒物數量作為該第一檢測值。
- 如請求項2所述的顆粒物清潔度檢測方法，其中，將該對該預設容器內的該浸泡液的顆粒物數量進行檢測的步驟中檢測獲得的顆粒物數量作為該第一檢測值。
- 如請求項1所述的顆粒物清潔度檢測方法，其中該將該浸泡液取至該預設容器內，包括以下步驟： 將該浸泡液取至一第一預設容器內，同時進行計時，並在達到一第五預設時長時停止取液； 將該第一預設容器放置在一第二預設容器內；其中，該第一預設容器採用聚乙烯材料製作。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110522751.X | 2021-05-13 | ||
| CN202110522751.XA CN113267431B (zh) | 2021-05-13 | 2021-05-13 | 颗粒物清洁度检测方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW202244478A true TW202244478A (zh) | 2022-11-16 |
| TWI823373B TWI823373B (zh) | 2023-11-21 |
Family
ID=77230584
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW111116419A TWI823373B (zh) | 2021-05-13 | 2022-04-29 | 顆粒物清潔度檢測方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN113267431B (zh) |
| TW (1) | TWI823373B (zh) |
| WO (1) | WO2022237577A1 (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113267431B (zh) * | 2021-05-13 | 2024-06-21 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 颗粒物清洁度检测方法 |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0744170B2 (ja) * | 1988-03-11 | 1995-05-15 | 信越半導体株式会社 | 精密洗浄方法 |
| JPH06267921A (ja) * | 1993-03-15 | 1994-09-22 | Hitachi Ltd | 洗浄装置 |
| US6241827B1 (en) * | 1998-02-17 | 2001-06-05 | Tokyo Electron Limited | Method for cleaning a workpiece |
| JP2001276760A (ja) * | 2000-04-03 | 2001-10-09 | Toshiba Corp | 部品清浄度評価方法とその装置および洗浄方法 |
| JP2004356356A (ja) * | 2003-05-29 | 2004-12-16 | Oki Electric Ind Co Ltd | 洗浄終了判定方法および洗浄装置 |
| CN101152651B (zh) * | 2006-09-28 | 2010-11-03 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 一种陶瓷零件表面的清洗方法 |
| JP2009289960A (ja) * | 2008-05-29 | 2009-12-10 | Tokyo Electron Ltd | 石英部材の洗浄方法及び洗浄システム |
| JP5467854B2 (ja) * | 2009-12-15 | 2014-04-09 | 日本発條株式会社 | 超音波の強度測定方法及び強度測定装置 |
| JP5470186B2 (ja) * | 2010-07-30 | 2014-04-16 | 日本発條株式会社 | 被検査物の清浄度検査装置と、清浄度検査方法 |
| JP6261814B2 (ja) * | 2015-12-14 | 2018-01-17 | 三菱電機株式会社 | 洗浄装置および洗浄方法、並びに膜分離バイオリアクタ |
| US10081036B2 (en) * | 2016-09-19 | 2018-09-25 | Applied Materials, Inc. | Methods and systems for liquid particle prequalification |
| US11007620B2 (en) * | 2017-11-14 | 2021-05-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method and apparatus for cleaning process monitoring |
| CN109709023A (zh) * | 2018-12-26 | 2019-05-03 | 沈阳富创精密设备有限公司 | 应用于半导体领域的氧化钇涂层零件颗粒的检测方法 |
| CN109894450A (zh) * | 2019-02-27 | 2019-06-18 | 江苏南大光电材料股份有限公司 | 电子材料包装容器的清洗及在线式洁净度检测方法 |
| CN110047736B (zh) * | 2019-04-22 | 2021-02-26 | 成都晶宝时频技术股份有限公司 | 一种晶片清洗方法 |
| CN110132803B (zh) * | 2019-05-17 | 2024-06-11 | 洛阳大工检测技术有限公司 | 零配件清洁度检测方法及零配件清洁度检测系统 |
| CN111069140A (zh) * | 2019-11-25 | 2020-04-28 | 哈尔滨思哲睿智能医疗设备有限公司 | 一种医疗器械末道清洗工艺的验证方法 |
| CN113267431B (zh) * | 2021-05-13 | 2024-06-21 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 颗粒物清洁度检测方法 |
-
2021
- 2021-05-13 CN CN202110522751.XA patent/CN113267431B/zh active Active
-
2022
- 2022-04-29 WO PCT/CN2022/090185 patent/WO2022237577A1/zh active Application Filing
- 2022-04-29 TW TW111116419A patent/TWI823373B/zh active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2022237577A1 (zh) | 2022-11-17 |
| CN113267431B (zh) | 2024-06-21 |
| CN113267431A (zh) | 2021-08-17 |
| TWI823373B (zh) | 2023-11-21 |
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