TW202242422A

TW202242422A - 探針卡

Info

Publication number: TW202242422A
Application number: TW111112679A
Authority: TW
Inventors: 吉田敬
Original assignee: 日商日本電子材料股份有限公司
Priority date: 2021-03-31
Filing date: 2022-03-31
Publication date: 2022-11-01
Also published as: WO2022208708A1

Abstract

本發明之目的在於提供一種探針用電極墊不易自配線基板剝離之高可靠性之探針卡。本發明具備：配線基板103，其設有電極墊3；探針5，其安裝於電極墊3；及補強膜6，其以跨越電極墊3之端邊301、302之方式形成於電極墊3上及其周邊區域，且覆蓋電極墊3之一部分；電極墊3具有用於安裝探針5之探針安裝區域300，補強膜6形成於除上述探針安裝區域300以外之電極墊3上之區域之至少一部分。

Description

探針卡

本發明係關於探針卡，更詳細而言，係關於探針安裝於配線基板上之電極墊之探針卡之改良。

探針卡係對形成於半導體晶圓上之半導體設備之電特性進行檢查時使用之檢查裝置，分別與形成於半導體晶圓上之2個以上電極接觸之2個以上探針設於配線基板上。半導體設備之檢查係藉由使探針卡靠近半導體晶圓，使探針前端接觸半導體晶圓上之電極，經由探針及配線基板使測試裝置與半導體設備導通而進行。

探針卡於配線基板上形成有電極墊，於該電極墊上安裝探針。探針每次接觸檢查對象物時，會因由檢查對象物施加之負載而彈性變形。此時，由檢查對象物施加於探針之負荷經由探針傳遞至電極墊。探針由於藉由焊接等牢固地接合於電極墊，因此探針相對不易從電極墊脫離。

然而，隨著最近探針配置之間距窄化，電極墊之尺寸變小，而產生如下問題：電極墊對配線基板之接合強度不足，由於檢查時之探針之彈性變形，電極墊自配線基板剝離。探針焊接於電極墊上，金屬彼此牢固地結合。與此相對，電極墊為堆積於配線基板之樹脂膜上之金屬膜，因此電極墊及配線基板間之結合力較探針及電極墊間之結合力弱。因此，由於電極墊之尺寸變小，因此產生檢查時電極墊自配線基板剝離，無法進行適當檢查之問題。

為了防止電極墊剝離，習知提出藉由在配線基板之內部埋設電極墊，提高電極墊及配線基板間之固定力（例如專利文獻1、2）。

於專利文獻1中，於配線基板上依序形成電極墊及高分子層，將電極墊埋設於高分子層內之後，藉由研磨使電極墊露出。因此，電極墊之側面被高分子層包圍，除底面之結合力以外，亦產生側面之結合力，抑制電極墊自配線基板剝離。

於專利文獻2中，於配線基板上形成金屬晶種膜，進而於金屬晶種膜上除周緣部以外之一部分區域堆積金屬鍍覆層，將該等埋設於黏接材料內之後，藉由研磨等使金屬鍍覆層之上表面露出。因此，金屬晶種膜及金屬鍍覆層之側面被黏接材料包圍，並且金屬晶種膜之上表面周緣部被黏接材料覆蓋，從而抑制電極墊自配線基板剝離。

又，習知提出藉由使用由樹脂構成之補強構件，覆蓋形成於電極墊上之探針之一部分，而防止探針傾斜或倒下（例如專利文獻3）。現有技術文獻專利文獻

專利文獻1：日本特開2016-195235號公報專利文獻2：日本特表2007-534947號公報專利文獻3：日本特開2011-43441號公報

[發明所欲解決之問題]

於專利文獻1之方法中，存在如下問題：於電極墊之側面與高分子層之壁面之間無法產生充分之結合力，若電極墊之尺寸變小則結合力不足，無法充分防止電極墊自配線基板剝離。

於專利文獻2之方法中，存在如下問題：若電極墊之排列間距變窄，則要求較高之開口精度，因此成為間距窄化之瓶頸。金屬鍍覆層係藉由在覆蓋金屬晶種膜之遮罩層形成開口部，於該開口部內堆積金屬材料而形成。以此方式形成之金屬鍍覆層之上表面成為探針安裝區域。因此，於電極墊間距窄化，電極墊之寬度變窄之情形時，存在為了確保探針安裝區域且用黏接材料覆蓋金屬晶種膜上之周邊部，便需要較高之開口精度，而間距窄化受到開口精度限制之問題。

於專利文獻3之方法中，為了防止探針傾斜而用補強構件覆蓋探針之一部分，因此於探針有異常或損傷之情形時，存在無法交換探針，需要交換整個配線基板之問題。

本發明係鑒於上述實情而成者，目的在於提供探針用電極墊不易自配線基板剝離之可靠性高之探針卡。目的尤其在於提供以窄間距排列之電極墊不易自配線基板剝離之探針卡。又，目的在於提供可交換探針且電極墊不易自配線基板剝離之探針卡。 [解決問題之手段]

第1本發明之實施態樣之探針卡具備：配線基板，其設有2個以上電極墊；2個以上探針，其等分別安裝於2個以上之上述電極墊；及補強膜，其以跨越上述電極墊之端邊之方式形成於上述電極墊上及上述配線基板上，覆蓋上述電極墊之一部分。上述電極墊具有用於安裝上述探針之探針安裝區域，上述補強膜形成於除上述探針安裝區域以外之上述電極墊上之區域之至少一部分，2個以上之上述電極墊沿第1方向對齊配置，形成1個電極墊行，上述補強膜構成為沿上述第1方向延伸之帶狀形狀，形成於2個以上之上述電極墊上。

藉由採用上述構成，以跨越電極墊之端邊之方式形成有補強膜，可防止電極墊自配線基板剝離。尤其是由帶狀形狀構成之補強膜分別覆蓋2個以上電極墊，藉此可有效地防止電極墊之剝落。又，即便於補強膜未形成於由相鄰電極墊之探針安裝區域夾住之區域，電極墊以窄間距配置，電極墊之第1方向之寬度較窄之情形時，亦可容易地確保探針安裝區域。也就是說，藉由使補強膜為沿電極墊行延伸之帶狀形狀，可確保探針安裝區域且防止電極墊之剝落。進而，由於補強膜未形成於探針上，因此於安裝於電極墊之探針有異常或損傷之情形時，可交換該探針。

第2本發明之實施態樣之探針卡除上述構成以外，上述探針具有：基底部，其安裝於上述電極墊；接觸部，其與檢查對象物接觸；及樑部，其連結上述基底部及上述接觸部，沿著上述配線基板延伸；上述補強膜以跨越隔著上述探針安裝區域位於與上述接觸部為相反側之上述端邊之方式形成。

藉由採用上述構成，以跨越由於探針之彈性變形而產生要將電極墊自配線基板剝離之應力之端邊之方式形成有補強膜，可更有效地防止電極墊之剝落。

第3本發明之實施態樣之探針卡除上述構成以外，上述電極墊具有將與上述第1方向交叉之第2方向設為長邊方向之細長形狀，上述補強膜於上述第2方向上以跨越隔著上述探針安裝區域對向之上述電極墊之一對端邊之一者之方式形成，從上述探針安裝區域至在上述第1方向上對向之上述電極墊之一對端邊為止的距離，短於從上述探針安裝區域至形成上述補強膜之上述端邊為止的距離。

藉由採用上述構成，可確保被補強膜覆蓋之電極墊上之區域，又，可確保探針安裝區域且將電極墊以窄間距進行排列。

第4本發明之實施態樣之探針卡除上述構成以外，具備分別跨越上述一對端邊之2個上述補強膜。

藉由採用上述構成，可於因探針之彈性變形而易於剝離之電極墊上之區域形成補強膜，可更有效地防止電極墊之剝落。

第5本發明之實施態樣之探針卡除上述構成以外，具備2個上述電極墊行，其等分別由沿著上述第1方向對齊配置之2個以上電極墊構成，且相互相鄰；上述補強膜以分別跨越屬於一上述電極墊行之上述電極墊之與另一上述電極墊行對向之端邊、及屬於上述另一電極墊行之上述電極墊之與上述一電極墊行對向之端邊之方式，形成於2個以上之上述電極墊上、及夾於2個上述電極墊行之上述配線基板上之區域。

藉由採用上述構成，可用1個補強膜覆蓋分別屬於相互相鄰之2個電極墊行之2個以上電極墊，可更有效地防止電極墊之剝落。

第6本發明之實施態樣之探針卡除上述構成以外，安裝於屬於上述2個電極墊行之上述電極墊的上述探針，其接觸檢查對象物之接觸部呈一行對齊配置。

第7本發明之實施態樣之探針卡除上述構成以外，上述補強膜係藉由塗佈後之熱硬化而形成。

第8本發明之實施態樣之探針卡除上述構成以外，上述補強膜由聚醯亞胺構成。 [發明之效果]

根據本發明，可提供探針用電極墊不易自配線基板剝離之可靠性高之探針卡。尤其可提供以窄間距排列之電極墊不易自配線基板剝離之探針卡。又，可提供可交換探針且電極墊不易自配線基板剝離之探針卡。

圖1係表示本發明之實施形態之探針卡10之概略構成之一例的圖，示出將探針卡10於鉛直面切割時之剖面。探針卡10以探針設置面朝下之狀態安裝於晶圓檢測器，與載置於平台200上之半導體晶圓20對向，藉由將平台200上下移動，可使探針5與半導體晶圓20上之電極21接觸。

探針卡10由主基板100、補強板101、內插器102、ST（Space Transformer）基板103及2個以上探針5構成。

主基板100係可裝卸地安裝於晶圓檢測器之配線基板，例如使用圓板狀之玻璃環氧基板。主基板100之下表面之周緣部由晶圓檢測器之卡支持器201支持，大致水平配置。

於主基板100之上表面之中央部，安裝有用於抑制主基板100之應變之補強板101。又，於主基板100之上表面之周緣部，設有連接有測試裝置（未圖示）之訊號端子之2個以上外部端子11。內插器102配置於主基板100及ST基板103之間，係將主基板100之配線及ST基板103之配線導通之基板間之連接手段。

ST基板103為絕緣性之多層配線基板，例如為貼合2個以上陶瓷板之積層板，用於轉換電極間距。ST基板103透過基板支架12安裝於主基板100，配置為大致水平。基板支架12之一端固定於主基板100之下表面，另一端支持ST基板103之下表面之周緣部。

電極墊3係用於安裝探針5之電極，於ST基板103之下表面形成有複數個電極墊3。電極墊3經由內插器102與主基板100之外部端子11導通。又，電極墊3係藉由使用電鍍法或蝕刻法之光微影處理而形成之導電性金屬所構成之薄膜。

探針5由可彈性變形之導電性金屬例如NiCo（鎳鈷合金）構成，具有用於與半導體晶圓20上之電極21接觸之前端。探針5藉由焊接而固定於電極墊3上。

平台200係半導體晶圓20之載置台，可於水平面內移動及旋轉、以及於上下方向移動。藉由使平台200水平移動或旋轉，可進行探針5之前端與半導體晶圓20之電極21之對位。對位後，藉由使平台200上升，可使半導體晶圓20靠近探針卡10，使探針5之前端接觸電極21。

此時，為了吸收探針5及電極21之高度偏差，使全部探針5與電極21接觸，而進行過驅動(Overdrive)。過驅動係自探針5之前端與電極21開始接觸之狀態使兩者進而靠近既定距離之處理。藉由過驅動，各探針5根據探針5及電極21之高度偏差進行彈性變形，可使全部探針5確實地接觸對應之電極21。

圖2係示意性地表示將探針5安裝於圖1之ST基板103之情況之圖，圖3係表示安裝有探針5之ST基板103之下表面之圖。

（1）電極墊3 於ST基板103之下表面形成有複數個電極墊3，對於1個電極墊3安裝有1個探針5。於ST基板103之下表面形成有由絕緣性樹脂構成之絕緣膜，於該絕緣膜上形成電極墊3。於電極墊3之中央部設有用於安裝探針5之探針安裝區域300，補強膜6形成於不與探針安裝區域300重複之電極墊3上之區域。

（2）探針行51 複數個探針5於圖中沿縱向（第1方向）對齊配置，形成探針行51。屬於同一探針行51之探針5包含第1探針5A及第2探針5B。第1及第2探針5A、5B具有相互不同之形狀，於探針行51內交替地配置。

（3）電極墊行31A、31B 複數個電極墊3與探針5對應配置。與同一探針行51對應之複數個電極墊3形成第1電極墊行31A及第2電極墊行31B。第1電極墊行31A係藉由將對應於第1探針5A之電極墊3沿圖中之縱向（第1方向）對齊配置而形成。同樣地，第2電極墊行31B係藉由將對應於第2探針5B之電極墊3沿圖中之第1方向對齊配置而形成。第1及第2電極墊行31A、31B相隔微小間隙相互相鄰地配置，相互平行地延伸。

（4）探針5 探針5具有接觸部501、樑部502及基底部503。接觸部501係與檢查對象物之電極21接觸之探針5之前端部，設於樑部502之一端。基底部503係具有與電極墊3接合之接合部504之支持部，設於樑部502之另一端。樑部502係連結接觸部501及基底部503之連結部，具有沿ST基板103延伸之細長形狀。也就是說，探針5具有懸臂梁構造，藉由接觸部501自電極21接收之負載使樑部502彈性變形，藉此實現過驅動。

第1及第2探針5A、5B構成為接觸部501及樑部502由大致相同之形狀構成，對於相同之負載，接觸部501表現出大致相同之舉動。另一方面，第1及第2探針5A、5B之基底部503之形狀不同，水平面內之接觸部501至接合部504之距離不同。屬於同一探針行51之探針5A、5B以接觸部501於相同直線上對齊、接合部504於不同電極墊行31A、31B上對齊之方式配置。

（5）補強膜6 補強膜6係用於對電極墊3進行補強之絕緣性樹脂膜。補強膜6以跨越電極墊3之端邊301或302之方式，形成於電極墊3及其周邊之ST基板103上。因此，電極墊3牢固地固定於ST基板103，檢查時電極墊3不易自ST基板103剝離。

又，補強膜6以覆蓋除探針安裝區域300以外之電極墊3上之區域之至少一部分之方式形成。藉由以覆蓋電極墊3上之周邊區域之方式形成補強膜6，於探針安裝區域300內不會形成補強膜6，而露出電極墊3。因此，即便於形成補強膜6後亦可裝卸探針5，例如，於探針5有異常或損傷之情形時，可交換探針5。

又，補強膜6具有沿電極墊行31A或31B延伸之帶狀形狀，形成於屬於該電極墊行31A或31B之2個以上電極墊3上。因此，與於每一電極墊3形成補強膜6之情形相比，電極墊3更加牢固地固定於ST基板103，電極墊3不易剝離。

又，電極墊3具有相互對向之一對端邊301、302，以分別跨越一對端邊301、302之方式形成有2個補強膜6，分別覆蓋隔著探針安裝區域300對向之電極墊3上之2個區域。因此，與僅於一對端邊301、302之一者形成補強膜6之情形相比，電極墊3更加牢固地固定於ST基板103，電極墊3不易剝離。

又，期望形成有補強膜6之一對端邊301、302係於與該電極墊3對應之探針5之樑部502之延伸方向上對向之一對端邊。圖中，由於樑部502之延伸方向為橫向（第2方向），因此以分別跨越電極墊3之左右之端邊301、302之方式形成2個補強膜6。

探針5具有懸臂梁構造，因此檢查時若接觸部501接觸檢查對象物，則於基底部503作用有，向接觸部501側傾斜之方向之力。此時，於電極墊3上之區域中之隔著探針安裝區域300與接觸部501為相反側之區域中，產生將電極墊3自ST基板103剝離之應力。因此，藉由以分別跨越大致矩形之電極墊3所具有之4個端邊中於樑部502之延伸方向上對向之一對端邊301、302之方式形成2個補強膜6，可有效地抑制電極墊3剝離。

再者，亦可構成為於電極墊3之對向之一對端邊301、302之一者形成有補強膜6，而於另一者未形成補強膜6。於僅於一對端邊301、302之任一者形成補強膜6之情形時，藉由以跨越隔著探針安裝區域300與接觸部501為相反側之端邊301、即距離接觸部501最遠之電極墊3之端邊301之方式形成補強膜6，可有效地抑制電極墊3剝離。

進而，形成於電極墊行31A及31B之間之補強膜60以覆蓋屬於電極墊行31A之電極墊3上之區域、及屬於電極墊行31B之電極墊3上之區域兩者之方式形成。也就是說，補強膜60以一併跨越屬於一電極墊行31A之電極墊3之端邊中與另一電極墊行31B對向之端邊302、及屬於上述另一電極墊行31B之電極墊3之端邊中與上述一電極墊行31A對向之端邊301之方式形成。

電極墊行31A、31B相互接近地形成，於兩者間僅留有狹窄之區域。因此，藉由形成一併覆蓋分別屬於不同電極墊行31A、31B之2個電極墊3的1個補強膜60，即便為狹窄區域，亦可形成補強膜6，抑制電極墊3剝離。

圖4係電極墊3之放大圖，放大示出圖2之一部分。電極墊3係由4個端邊301～304構成之大致矩形，且由將第2方向設為長邊方向之細長形狀構成。於第2方向上對向之一對端邊301、302被補強膜6覆蓋，而於第1方向上對向之一對端邊303、304除兩端附近以外，未被補強膜6覆蓋。

探針安裝區域300係設於電極墊3之大致中央，將橫向設為長邊方向之細長矩形之區域。距離L1～L4係探針安裝區域300至端邊301～304之長度。於在第2方向上對向之一對端邊301、302形成補強膜6，使第2方向之距離L1、L2長於第1方向之距離L3、L4，藉此可於電極墊3上確保用於形成補強膜6之所需之區域。又，於在第1方向上對向之一對端邊303、304未形成補強膜6，使第1方向之距離L3、L4短於第2方向之距離L1、L2，較佳為設為零，藉此可使電極墊行31A、31B內之電極墊3之排列間距窄小化。

圖5係表示將圖3之ST基板103沿A-A切割線切割時之剖面之一例的圖（A-A剖視圖）。再者，圖5係以鉛直下方向朝上之方式示出之圖，上下方向與圖1相反。

ST基板103係於積層2個以上陶瓷基板701、702而得之積層板上積層形成1或2個以上絕緣膜703、704。電極墊3形成於最外側之絕緣膜704上。絕緣膜703、704使用聚醯亞胺等絕緣性樹脂，電極墊3使用銅等導電性金屬。又，絕緣膜703、704係藉由使用蝕刻法之光微影處理而形成。

於ST基板103內設有配線圖案71及通孔72。電極墊3經由該等與設於ST基板103之相反側之主面即下表面（圖1中為上表面）之電極導通。

探針5A、5B係屬於相同探針行51之探針，接觸部501及樑部502之形狀及位置雖重複，但基底部503之形狀不同，接合部504之位置亦不同。

補強膜6以跨越電極墊3之對向之一對端邊301、302之方式，形成於與端邊301、302相鄰之電極墊3上之區域、及與電極墊3相鄰之絕緣膜704上之區域。補強膜6使用聚醯亞胺等絕緣性樹脂，藉由使用蝕刻法之光微影處理而形成。又，補強膜6係藉由在塗佈後進行熱硬化而形成。

圖6係表示將圖3之ST基板103沿A-A切割線切割時之剖面之另一例的圖（A-A剖視圖）。與圖5之剖面相比，於電極墊3埋設於絕緣膜705之方面不同。絕緣膜705與絕緣膜703、704同樣地，係由聚醯亞胺等絕緣性樹脂構成之薄膜，使用光微影技術而形成。於水平面內，電極墊3被絕緣膜705包圍，電極墊3之側面與絕緣膜705之側面密接。因此，與圖5之情形相比，電極墊3更不易剝離。

補強膜6以跨越電極墊之端邊301、302之方式，形成於與端邊301、302相鄰之電極墊3上之區域、及與電極墊3相鄰之絕緣膜705上之區域。

再者，於上述實施形態中，說明了作為電極墊行31A、31B及補強膜6之延伸方向之第1方向、及作為電極墊3之長邊方向之第2方向相互正交之情形之例，但兩者只要為交叉之方向即可，可不正交。又，期望樑部502之延伸方向與第2方向一致，但亦可不一致。

又，於上述實施形態中，說明了探針行51由形狀不同之2種探針5A、5B構成，與2個電極墊行31A、31B對應之情形之例，但本發明並不僅限定於此種情形。例如，於探針行51僅由相同形狀之探針5A構成，僅與1個電極墊行31A對應之情形時，亦可應用本發明。於該情形時，於ST基板103配置有2個以上電極墊3，安裝有2個以上探針5。

又，於上述實施形態中，說明了探針行51由複數個探針5構成，電極墊行31A、31B分別由複數個電極墊3構成之情形時之例，但本發明並不僅限定於此種情形。例如，於探針行51由2個以上探針5構成，電極墊行31A、31B分別由2個以上電極墊3構成之情形時，亦可應用本發明。

3:電極墊 5:探針 5A:探針（第1探針） 5B:探針（第2探針） 6、60:補強膜 10:探針卡 11:外部端子 12:基板支架 20:半導體晶圓 21:電極 31A:第1電極墊行 31B:第2電極墊行 51:探針行 71:配線圖案 72:通孔 100:主基板 101:補強板 102:內插器 103:ST基板 200:平台 201:卡支持器 300:探針安裝區域 301～304:端邊 501:接觸部 502:樑部 503:基底部 504:接合部 701、702:陶瓷基板 703～705:絕緣膜 L1～L4:距離

[圖1]係表示本發明之實施形態之探針卡10之概略構成之一例的圖。 [圖2]係示意性地表示將探針5安裝於圖1之ST基板103之情況之圖。 [圖3]係表示安裝有探針5之ST基板103之下表面之圖。 [圖4]係圖2之電極墊3之放大圖。 [圖5]係表示將圖3之ST基板103沿A-A切割線切割時之剖面之一例的圖（A-A剖視圖）。 [圖6]係表示將圖3之ST基板103沿A-A切割線切割時之剖面之另一例的圖（A-A剖視圖）。

3:電極墊

5、5A、5B:探針

6、60:補強膜

31A、31B:電極墊行

103:ST基板

300:探針安裝區域

301、302:端邊

501:接觸部

502:樑部

503:基底部

504:接合部

Claims

一種探針卡，其特徵在於具備：配線基板，其設有2個以上電極墊； 2個以上探針，其等分別安裝於2個以上之上述電極墊；及補強膜，其以跨越上述電極墊之端邊之方式形成於上述電極墊上及上述配線基板上，覆蓋上述電極墊之一部分；上述電極墊具有用於安裝上述探針之探針安裝區域，上述補強膜形成於除上述探針安裝區域以外之上述電極墊上之區域之至少一部分， 2個以上之上述電極墊沿第1方向對齊配置，形成1個電極墊行，上述補強膜構成為沿上述第1方向延伸之帶狀形狀，形成於2個以上之上述電極墊上。
如請求項1之探針卡，其中，上述探針具有：基底部，其安裝於上述電極墊；接觸部，其與檢查對象物接觸；以及樑部，其連結上述基底部及上述接觸部，沿著上述配線基板延伸；上述補強膜以跨越隔著上述探針安裝區域位於與上述接觸部為相反側之上述端邊之方式形成。
如請求項1之探針卡，其中，上述電極墊具有將與上述第1方向交叉之第2方向設為長邊方向之細長形狀，上述補強膜於上述第2方向上以跨越隔著上述探針安裝區域對向之上述電極墊之一對端邊之一者之方式形成，從上述探針安裝區域至在上述第1方向上對向之上述電極墊之一對端邊為止的距離，短於從上述探針安裝區域至形成上述補強膜之上述端邊為止的距離。
如請求項3之探針卡，其具備： 2個上述補強膜，其等分別跨越上述一對端邊。
如請求項1之探針卡，其具備： 2個上述電極墊行，其等分別由沿著上述第1方向對齊配置之2個以上電極墊構成，且相互相鄰；上述補強膜以分別跨越屬於一上述電極墊行之上述電極墊之與另一上述電極墊行對向之端邊、及屬於上述另一電極墊行之上述電極墊之與上述一電極墊行對向之端邊之方式，形成於2個以上之上述電極墊上、及夾於2個上述電極墊行之上述配線基板上之區域。
如請求項5之探針卡，其中，安裝於屬於上述2個電極墊行之上述電極墊的上述探針，其接觸檢查對象物之接觸部呈一行對齊配置。
如請求項1至6中任一項之探針卡，其中，上述補強膜係藉由塗佈後之熱硬化而形成。
如請求項1至7中任一項之探針卡，其中，上述補強膜由聚醯亞胺構成。