TW202239608A - 樹脂片成型用離型膜 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種離型膜,其離型層的塗佈均勻性、剝離力的速度取決性、各種樹脂片的塗敷性、再利用性均良好。 本發明之樹脂片成型用離型膜具有聚酯膜、及使水性塗佈組成物反應及固化而成之離型層,前述水性塗佈組成物包含水、具有以SiO 4/2所表示之Q單元之聚矽氧A、具有Si-H基之聚矽氧B、交聯反應抑制劑、鉑系觸媒及偶合劑,前述聚矽氧A中,構成前述Q單元之Si原子的含量為5莫耳%至60莫耳%之範圍。

Description

樹脂片成型用離型膜
本發明係關於一種具有聚酯膜及離型層之樹脂片成型用離型膜。
先前,將聚酯膜作為基材之離型膜的耐熱性及機械特性高,被用作用以將黏著片或覆蓋膜、高分子電解質膜等樹脂片進行溶液製膜之支撐膜。因此,揭示有如專利文獻1至專利文獻3所記載之技術,提出有由特殊的化學物質來形成成為樹脂片的澆鑄面之離型層。
但是,專利文獻1至專利文獻3之技術中,由於在離型層形成有特殊的化學物質,故而於將使用過的離型膜進行粉碎、熔融而再次用作聚酯膜的原料之情形時容易包含異物。因此亦有去除離型層而進行再利用之方法,但由於去除時要使用藥液或進行機械去除,故而再利用步驟增加,因此成本增高,且步驟增加所致之化石燃料消耗亦增多,而並非上策。
作為聚矽氧系之離型膜,已知有設置有由聚二甲基矽氧烷之加成聚合硬化物或縮聚硬化物所構成之離型層之膜。這些硬化物具有非黏著、離型效果優異、且熱穩定性優異之優點,但由於離型層的表面自由能小,故而缺乏塗佈原料之潤濕性,於所獲得之樹脂片容易產生起因於潤濕性不良之塗敷缺陷。因此,要求樹脂片成型時的潤濕性及剝離性優異的離型膜。另外,為了優異之剝離性,故而離型層與基材膜之密接性或離型層之塗佈形成之均勻性亦容易成為問題。
針對此種課題,專利文獻4中提出有一種離型膜,具有使含有2種三烷氧基矽烷之水性塗佈組成物反應固化而獲得之離型層。
另外,作為控制聚矽氧的反應性之技術,專利文獻5中提出有一種離型膜,設置有使包含含烯基之聚矽氧、具有Si-H基之聚矽氧、交聯反應抑制劑及鉑系觸媒之水性塗佈組成物硬化而成之離型層。
進而,專利文獻6中提出有一種離型膜,具有使用水性塗佈組成物(含有以預定之莫耳%之範圍含有烯基及/或以SiO 4/2所表示之Q單元之聚矽氧、及具有Si-H基之聚矽氧)而形成之離型層。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2020-131440號公報。 [專利文獻2]日本特開2012-171230號公報。 [專利文獻3]日本特開2003-246035號公報。 [專利文獻4]日本特開2019-55567號公報。 [專利文獻5]日本特開2014-83697號公報。 [專利文獻6]日本特開2021-11081號公報。
[發明所欲解決之課題]
另一方面,根據本發明者等人之研究,判明於使用聚矽氧系之離型膜之情形時,根據離型層的組成,有時剝離力會隨著剝離速度上升而變大,這會對各種樹脂片的生產效率造成影響。另外,根據本發明者等人之研究,判明於將聚矽氧系之離型膜進行再利用,而用作成為基材之聚酯膜的原料之情形時,根據離型層的組成,會產生大量特定尺寸以上之異物,這會使離型層產生凹凸。
然而,專利文獻4至專利文獻6之發明中,未考慮這些課題,在製造出離型層的塗佈均勻性、剝離力的速度取決性、各種樹脂片的塗敷性、再利用性皆良好的離型膜之方面均有改善之餘地。
因此,本發明的目的在於提供一種離型膜,其離型層的塗佈均勻性、剝離力的速度取決性、各種樹脂片的塗敷性、再利用性均良好。 [用以解決課題之手段]
本發明者等為了達成上述課題而進行了努力研究,結果發現:藉由以包含具預定量之Q單元之聚矽氧A、具有Si-H基之聚矽氧B、及偶合劑之水性塗佈組成物來形成離型層,能夠解決上述課題,從而完成本發明。亦即,本發明包含以下之內容。
[1]一種樹脂片成型用離型膜,具有聚酯膜、及使水性塗佈組成物反應及固化而成之離型層;前述水性塗佈組成物包含水、具有以SiO 4/2所表示之Q單元之聚矽氧A、具有Si-H基之聚矽氧B、交聯反應抑制劑、鉑系觸媒及偶合劑;前述聚矽氧A中,構成前述Q單元之Si原子的含量為5莫耳%至60莫耳%之範圍。
[2]如[1]所記載之樹脂片成型用離型膜,其中前述偶合劑係具有乙烯基、環氧基、胺基、或巰基之矽烷偶合劑。
[3]如[1]或[2]所記載之樹脂片成型用離型膜,其中前述水性塗佈組成物相對於前述聚矽氧A及前述聚矽氧B之合計100質量份,含有前述偶合劑0.1質量份至30質量份。
[4]如[1]至[3]中任一項所記載之樹脂片成型用離型膜,其中前述聚矽氧A係除了具有前述Q單元以外進而於分子內具有烯基之聚矽氧A1,或者前述聚矽氧A係具有前述Q單元且於分子內不具有烯基之聚矽氧A2,且前述水性塗佈組成物進而包含具有烯基且於分子內不具有前述Q單元之聚矽氧C;相對於前述聚矽氧A1中的全部Si原子、或者前述聚矽氧A2及前述聚矽氧C中的全部Si原子,與烯基鍵結著之Si原子的含量為0.05莫耳%至20莫耳%之範圍。
[5]如[1]至[4]中任一項所記載之樹脂片成型用離型膜,其中前述離型層的表面自由能為10mN/m以上至40mN/m以下。
[6]如[1]至[5]中任一項所記載之樹脂片成型用離型膜,其中前述聚酯膜具有不含粒子之表面層,前述離型層配置於該表面層上。
[7]如[4]至[6]中任一項所記載之樹脂片成型用離型膜,其中前述與烯基鍵結著之Si原子的含量與構成前述Q單元之Si原子的含量之莫耳比(與烯基鍵結著之Si原子的含量/Q單元中所含之Si原子的含量)為0.1以上至1.0以下。 [發明功效]
根據本發明,能夠提供一種離型膜,其離型層的塗佈均勻性、剝離力的速度取決性、各種樹脂片的塗敷性、再利用性均良好。
獲得此種效果之原因的詳情並不明確,但可認為原因在於,藉由將構成可形成三維結構之Q單元之Si原子的含量設為預定值以下,再利用時不易產生異物,並且塗佈水性塗佈組成物時不易產生不均勻化。另外,可認為藉由將構成Q單元之Si原子的含量設為預定值以上,能夠表現出充分的塗膜硬度,剝離力的速度取決性及各種樹脂片的塗敷性得到改善。此時,可認為偶合劑亦有助於形成三維結構而影響塗膜硬度,藉此各種樹脂片的塗敷性尤其得到改善。可認為具有Si-H基之聚矽氧B亦有助於此種硬化反應。
以下,對本發明詳細地進行說明。
[離型膜] 本發明之離型膜係具有作為基材膜之聚酯膜、及使水性塗佈組成物反應及固化而成之離型層而成之膜。如後文詳細說明,水性塗佈組成物中含有可相互反應之聚矽氧A、聚矽氧B、及偶合劑,因此不容易鑑定所獲得之高分子的結構及特定出基於此之申請專利範圍,存在不實際的情況。因此,藉由方法限定產品申請專利範圍(Product-By-Process Claim)之形式而特定出本發明之離型膜。
再者,本發明中,根據本發明之實施形態,可包含下述之(1)至(5)所示之反應式之至少1個。下述之反應式中,-Si-OH基係藉由與Si原子鍵結著之烷氧基之水解而亦可產生之化學結構,可有助於後述之Q單元之形成。
Figure 02_image001
[化1]
[離型層] 本發明中之離型層係使水性塗佈組成物反應及固化而獲得之層。水性塗佈組成物的特徵在於:含有水、具有以SiO 4/2所表示之Q單元之聚矽氧A、具有Si-H基之聚矽氧B、交聯反應抑制劑、鉑系觸媒及偶合劑。另外,特徵在於:前述聚矽氧A中,構成前述Q單元之Si原子的含量為5莫耳%至60莫耳%之範圍。以下,對每種構成成分進行詳細說明。
[具有以SiO 4/2所表示之Q單元之聚矽氧A] 作為含有以SiO 4/2所表示之Q單元(以下,簡稱為Q單元)之聚矽氧A,可例示具有下述通式(I)之有機聚矽氧烷。
R1 aR2 bSiO (4 a b)/2・・・(I) (式(I)中,R1為碳數2至8之烯基,R2為選自烷基或芳基中的碳數1至16之1價飽和烴基,a為0至3之整數,b為0至3之整數,且a+b≦3) 作為R1所表示之碳數2至8之烯基,可例舉乙烯基、烯丙基、丁烯基、戊烯基、己烯基等,這些烯基中,尤佳為乙烯基。另外,作為R2所表示之烷基,可例舉甲基、乙基、丙基、丁基等,另外,作為芳基,可例舉苯基、甲苯基等。其中,就輕剝離性之方面而言,較佳為R2之取代基之50莫耳%以上為甲基。
藉由使離型層中包含具有Q單元之聚矽氧A,藉由緻密的網狀結構使聚矽氧系離型層的塗膜硬度增加,能夠抑制將樹脂片剝離時的黏性損失,因此連帶實現輕剝離化。另外,若離型層中包含含有Q單元之聚矽氧A,則潤濕性提升,因此能夠抑制樹脂片塗敷時的針孔缺點。
式(I)中,於a=b=0之情形時,成為以SiO 4/2所表示之Q單元之結構單元。另外,式(I)中,於a為1至2、b為0至1之情形時,成為由與烯基鍵結著之Si原子所構成之結構單元(D'單元)。另外,式(I)中,於a為0、b為2之情形時,成為由與2個烷基或芳基鍵結著之Si原子所構成之結構單元(D單元)。再者,式(I)中,於a+b為1之情形時,成為T單元。
具有Q單元之聚矽氧A只要至少具有Q單元即可,亦可進而包含上述各結構單元。例如,可為除了具有Q單元以外進而於分子內具有含有烯基之結構單元(D'單元)之聚矽氧A1,亦可為具有由與2個烷基或芳基鍵結著之Si原子所構成之結構單元(D單元)等及Q單元,且於分子內不具有烯基之聚矽氧A2。聚矽氧A1亦可為除了具有Q單元及D'單元以外於分子內包含D單元之聚矽氧。進而,亦可將聚矽氧A1與聚矽氧A2併用。
再者,水性塗佈組成物包含聚矽氧A1即可,亦可進而包含具有烯基且於分子內不具有前述Q單元之聚矽氧C。亦即,於包含多種聚矽氧之情形時,只要其中任一種包含Q單元即可。
Q單元中所含之Si原子的含量相對於水性塗佈組成物中所含之聚矽氧A中的全部Si原子為5莫耳%至60莫耳%,較佳為10莫耳%至55莫耳%,更佳為20莫耳%至50莫耳%。於Q單元中所含之Si原子的含量未達5莫耳%之情形時,無法表現出充分的塗膜硬度,未能連帶實現輕剝離化,若超過60莫耳%,則過度賦予潤濕性而牢固地密接,因此結果引起重剝離化。
水性塗佈組成物較佳為包含具有與烯基鍵結著之Si原子(D'單元)之聚矽氧,可例舉:聚矽氧A為除了具有Q單元以外進而於分子內具有烯基之聚矽氧A1之情形;及/或聚矽氧A為具有Q單元且於分子內不具有烯基之聚矽氧A2,且水性塗佈組成物進而包含具有烯基且於分子內不具有前述Q單元之聚矽氧C之情形。
該情形時,相對於水性塗佈組成物中所含之聚矽氧A1中的全部Si原子、或聚矽氧A2及聚矽氧C中的全部Si原子,與烯基鍵結著之Si原子(D'單元)的含量較佳為0.05莫耳%至20莫耳%之範圍,更佳為0.1莫耳%至17莫耳%,進而較佳為0.2莫耳%至15莫耳%。若與烯基鍵結著之Si原子的含量為下限以上,則組成物的硬化速度變得充分,於後述之製膜中容易有效率地形成硬化狀之聚矽氧覆膜。另外,若與烯基鍵結著之Si原子之比例為上限以下,則不會過度賦予潤濕性,而不易引起重剝離化。
另外,Q單元中所含之Si原子的含量較佳為多於與烯基鍵結著之Si原子的含量,作為較佳的範圍,以與烯基鍵結著之Si原子的含量/Q單元中所含之Si原子的含量之比率計為0.10以上至1.0以下。若該比率為0.10以上,則含有Q單元之聚矽氧的塗膜凝聚性變得良好而成為堅硬的塗膜。若該比率為1.0以下,則相對於含有Q單元之聚矽氧,含有烯基之聚矽氧變多,因此表面自由能變大,樹脂片原料的澆鑄性變得良好,故而較佳。作為更佳的範圍,以與烯基鍵結著之Si原子的含量/Q單元中所含之Si原子的含量之比率計為0.15以上至0.7以下。
本發明中之含有Q單元之聚矽氧可利用公知的方法進行製造。例如可藉由下述方式進行製造,亦即,使鍵結有4個烷氧基之烷氧基矽烷共聚,或者使於側鏈具有由鍵結有2個烷氧基之Si原子所構成之結構單元之聚矽氧寡聚物交聯或高分子量化。另外,本發明中之含有Q單元之聚矽氧較佳為以水分散體之狀態含有於該組成物中。
聚矽氧A係離型層中所含之聚矽氧之主成分,因此聚矽氧A的含量於水性塗佈組成物中所含之聚矽氧之合計量中,較佳為65質量%至99質量%,更佳為80質量%至98質量%。
[具有Si-H基之聚矽氧B] 具有Si-H基之聚矽氧B係具有Si-H基所表示之與Si原子直接鍵結之氫原子之聚矽氧(以下,有時稱為聚矽氧B)。作為聚矽氧B,可例示具有以下述通式(II)所表示之結構單元之有機氫聚矽氧烷。較佳為聚矽氧具有該結構單元,並且具有下述通式(II)中d為0且c為2之結構單元作為其他結構單元。
R3 cH dSiO (4 c d)/2・・・(II) (式(II)中,R3為選自烷基或芳基中的碳數1至16之1價飽和烴基,c為0至2之整數,d為1至3之整數,且c+d≦3) 具有Si-H基之聚矽氧B可為直鏈狀結構、支鏈狀結構之任一種。作為R3所表示之烷基,可例舉甲基、乙基、丙基、丁基等,另外,作為芳基,可例舉苯基、甲苯基等。其中,就輕剝離性之方面而言,較佳為R3之取代基之50莫耳%以上為甲基。
就硬化特性之觀點而言,具有Si-H基之聚矽氧B較佳為於聚矽氧B之1分子中具有至少3個、較佳為5個以上之與Si原子鍵結著之氫原子。含Si-H基之聚矽氧可利用公知的方法進行製造。另外,具有Si-H基之聚矽氧B較佳為以水分散體之狀態含有於水性塗佈組成物中。
另外,關於具有Si-H基之聚矽氧B的含量,於將可具有烯基且具有Q單元之聚矽氧A與含有Si-H基之聚矽氧B的含量之合計設為100質量份之情形時,較佳為1質量份至60質量份,更佳為2質量份至50質量份,進而較佳為3質量份至40質量份。於含量為1質量份以上之情形時,硬化反應容易進行,因此容易獲得充分的塗膜硬度,於60質量份以下之情形時,Si-H不易過度析出至表面,不易引起樹脂片之重剝離化。
[界面活性劑] 用以設置離型層之水性塗佈組成物中,為了促進向基材膜之潤濕,較佳為添加界面活性劑。作為該界面活性劑,可例舉陰離子系界面活性劑、陽離子系界面活性劑、非離子系界面活性劑等,亦可使用這些界面活性劑中的1種以上。但是,發明者等人進行了努力研究,結果判明,為了防止各水分散體彼此之凝聚,且不對聚矽氧之硬化反應造成影響,較佳為使用非離子系界面活性劑作為乳化劑。
作為非離子系界面活性劑,較佳為HLB(Hydrophilic Lipophilic Balance;親水親油平衡)值為6至18之範圍,例如可例舉選自高級醇、或高級脂肪酸之氧化烯烴加成物、高級脂肪酸與醇之氧化烯烴加成物之酯物、烷醇醯胺之氧化烯烴加成物、山梨醇酐酯之氧化烯烴加成物、高級脂肪酸甘油酯之氧化烯烴加成物等氧化烯烴加成型中的至少1種。此處,HLB值係藉由Griffin之計算式所算出之值。
作為氧化烯烴,可例舉氧化乙烯、氧化丙烯、氧化丁烯,可使用這些氧化烯烴中的1種亦可使用多種。於使用多種之情形時,可為嵌段、無規之任一種加成形式,HLB值較佳為8至18之範圍,進而較佳為10至15之範圍。這些非離子系界面活性劑中,可較佳地例舉聚氧乙烯月桂醚、聚氧乙烯十三烷基醚等。視需要非離子系界面活性劑亦可混合2種以上。若將HLB值偏離該範圍之非離子系界面活性劑用作聚矽氧水分散體之乳化劑,則有乳化分散力或水分散體的穩定性降低之情況。非離子系界面活性劑較佳為相對於全部固體成分以0.1質量%至20質量%之範圍使用,更佳為0.2質量%至15質量%之範圍,進而較佳為0.5質量%至10質量%之範圍。若為該範圍之下限以上,則乳化狀態變得良好,若為該範圍之上限以下,則不易引起重剝離化。
[水系溶媒] 作為水性塗佈組成物中所含之水系溶媒,可使用包含水之水系溶媒。藉由使用水系溶媒,能夠於製膜步驟中不使用有機溶劑所需之防爆設備及回收設備而形成聚矽氧離型層。視需要,亦可為有機溶媒或水與有機溶媒之混合系。
[鉑系觸媒] 水性塗佈組成物中,例如為了促進含有烯基及/或Q單元之1種以上之聚矽氧與含Si-H基之聚矽氧進行加成反應,可使用鉑系觸媒。
作為鉑系觸媒,可使用公知的鉑系觸媒,例如可例舉氯化鉑或氯鉑酸。考慮於聚矽氧之分散性,該鉑系觸媒亦可使用1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷鉑(0)錯合物(Karstedt觸媒),於使聚矽氧乳化時可藉由同時分散而確保均勻分散性。
較佳為以相對於水性塗佈組成物中所含有之全部聚矽氧(包含聚矽氧A、聚矽氧B等)的質量,鉑元素的質量為10ppm至800ppm之範圍來包含鉑系觸媒量。藉由設為此種範圍,能夠充分地進行聚矽氧之硬化。並且,能夠抑制聚矽氧凝聚物之產生,能夠獲得表面性優異之離型膜。若鉑元素的質量比超過上限,則存在烯基與Si-H基之加成反應得到加速,產生聚矽氧凝聚物之傾向。就此觀點而言,鉑系觸媒量更佳為600ppm以下,進而較佳為500ppm以下,尤佳為200ppm以下,非常較佳為120ppm以下,最佳為100ppm以下。另外,若鉑元素的質量比為下限以上,則加成反應充分進行,不易引起聚矽氧之硬化不良。就此觀點而言,鉑觸媒量更佳為15ppm以上,進而較佳為20ppm以上,尤佳為25ppm以上,最佳為80ppm以上。
[交聯反應抑制劑] 為了抑制室溫下的鉑系觸媒的活性,較佳為使水性塗佈組成物中含有交聯反應抑制劑。該交聯反應抑制劑較佳為具有炔基之交聯反應抑制劑。作為具有炔基之交聯反應抑制劑,只要具有炔基,則並無特別限定,具體而言,可例示:1-乙炔基-1-環己醇、4-乙基-1-辛炔-3-醇、3-甲基-1-十二炔-3-醇、3,7,11-三甲基-1-十二炔-3-醇、1,1-二苯基-2-丙炔-3-醇、3-乙基-6-乙基-1-壬炔-3-醇、3-甲基-1-十五炔-3-醇、2,5-二甲基-3-己炔-2,5-二醇、3-苯基-1-丁醇-3-醇。本發明中,由於採用水性乳液塗佈組成物,故而就與水之親和性及對於鉑之配位能力之平衡及沸點而言,較佳為使用所例示之具有炔基及羥基之交聯反應抑制劑。
交聯反應抑制劑的含量相對於用於形成離型層之水性塗佈組成物質量,較佳為5ppm至1000ppm,更佳為10ppm至700ppm,進而較佳為20ppm至500ppm。於該交聯反應抑制劑的含量為下限以上之情形時,存在適用期變長,於室溫下聚矽氧不易進行加成硬化反應,不易產生聚矽氧凝聚物之傾向。另外,若該交聯反應抑制劑的含量為上限以下,則於將對象材剝離後聚矽氧不易移行至對象材,於熱處理時揮發之反應抑制劑的量減少,因此不易產生烘箱內部的污染。
[偶合劑] 本發明中之偶合劑例如為通式YRSiX 3所表示之化合物,例如可例舉矽烷偶合劑。此處,Y為如乙烯基、環氧基、胺基、巰基等之有機官能基,Y尤佳為環氧基或乙烯基。
R為如亞甲基、伸乙基、伸丙基之伸烷基、或單鍵。X為如甲氧基、乙氧基、乙醯氧基等之水解性基、或烷基,3個X中至少1個為水解性基,較佳為3個X為水解性基。作為水解性基,較佳為甲氧基。
作為較佳的矽烷偶合劑,可例舉:3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、3-縮水甘油氧基丙基甲基二乙氧基矽烷、乙烯基三乙氧基矽烷、乙烯基三乙醯氧基矽烷、乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基三(2-甲氧基乙氧基)矽烷、乙烯基甲基二甲氧基矽烷等。
作為偶合劑的其他例,可例舉包含鋯、鈦、鋁等金屬之有機金屬化合物,有機金屬化合物較佳為分類為烷氧化物、螯合物、醯化物系之化合物。若例舉具體例,則有四乙醯丙酮酸鋯、乙酸鋯、乙醯丙酮酸鈦、三乙醇胺鈦酸酯、乳酸鈦等,並不限定於這些。
另外,作為偶合劑,亦可將Y為環氧基之矽烷偶合劑與Y為乙烯基之矽烷偶合劑併用等使用2種以上之偶合劑。
藉由添加偶合劑而使作為離型層之主成分之聚矽氧與聚酯膜之耐久密接性提升。例如,於使用有機溶劑之溶液澆鑄方式之樹脂片之澆鑄時,存在有機溶劑成分滲透至離型層之情形,有離型層被侵蝕之可能性,但藉由添加偶合劑,能夠抑制侵蝕。於高溫下之熔融澆鑄方式之樹脂片之澆鑄時,離型層曝露於高溫,有熱劣化之可能性,但藉由添加偶合劑,能夠抑制熱劣化,保持離型層。
就如上所述之觀點而言,作為偶合劑的含量,相對於水性塗佈組成物中所含之聚矽氧A及聚矽氧B之合計100質量份,較佳為0.1質量份至30質量份,更佳為1質量份至20質量份。
[其他成分] 水性塗佈組成物中,在無損本發明之效果之範圍內,例如可混合抗靜電劑、紫外線吸收劑、顏料、著色劑、有機或無機粒子、潤滑劑、抗黏連劑等其他添加劑。
[聚矽氧水分散體之製作] 製作成為水性塗佈組成物的原料之各聚矽氧水分散體時,可例舉使用上述之聚矽氧成分、水系溶媒及界面活性劑進行乳化之方法。這些成分之乳化可使用公知的方法,例如可例舉:使用均質機、真空乳化機(AGI-HOMO MIXER)、超級行星式混合機(Ultra Planetary Mixer)等攪拌裝置將預先製作之聚矽氧及界面活性劑、以及視需要之其他成分於水系介質中進行機械乳化之方法。
另外,可調整攪拌翼的大小、攪拌速度及攪拌時間來調整水分散體的粒徑。各聚矽氧水分散體的分散粒子的平均粒徑較佳為200nm以下,更佳為100nm至200nm。
[聚酯膜] 作為用作離型膜的基材膜之聚酯膜,可使用公知的聚酯膜,可使用聚對苯二甲酸乙二酯、聚間苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚(1,4-環己二亞甲基對苯二甲酸酯)、聚萘二羧酸乙二酯等公知的聚酯。其中,由於聚對苯二甲酸乙二酯在力學物性與成型性之平衡良好,故而尤佳。
上述所例示之各聚酯可為均聚物,亦可為將這些聚酯中的一種作為主要成分之共聚物,或亦可為摻合物。此處,所謂「主要成分」,係指以聚酯的重複結構單元的莫耳數作為基準為80莫耳%以上。另外,主要成分的比例較佳為85莫耳%以上,進而較佳為90莫耳%以上。另外,共聚成分或摻合成分以聚酯的重複結構單元的莫耳數作為基準為20莫耳%以下,較佳為15莫耳%以下,進而較佳為10莫耳%以下。
聚酯膜中,在無損本發明之課題之範圍內,亦可含有滑劑粒子、著色劑、抗靜電劑、抗氧化劑。於要求表面平坦性之情形時,較佳為實質上不含滑劑粒子。
製造聚酯時可使用公知的方法,可例舉如下方法:藉由酯化反應或酯交換反應而獲得低聚合度之聚酯後,使用聚合觸媒提高聚合度。
另外,聚酯膜亦可利用公知的方法獲得,可使用逐步延伸方法、同步雙軸延伸方法之任一種方法。例如可藉由下述步驟進行製造:將聚酯以熔融狀態自擠出機的模頭擠出成片狀之步驟;藉由將所獲得之片狀物進行冷卻固化而製成未延伸聚酯膜之步驟;以及藉由將所獲得之未延伸聚酯膜沿製膜方向及寬度方向延伸。於聚酯膜為積層構成之情形時,例如可例示如下方法:準備A層用之聚酯及B層用之聚酯,將這些聚酯以熔融狀態進行積層而自模頭共擠出成片狀,繼而依據上述方法進行製膜。
作為聚酯膜,就表面平坦性之方面而言,較佳為不含滑劑之膜,但亦可為含有用以控制表面粗糙度之滑劑、例如碳酸鈣、高嶺土、二氧化矽、氧化鈦等之無機微粒子及/或觸媒殘渣之析出微粒子等之膜。可較佳地使用如下基材膜,該基材膜於設置離型層之側的表面具有不含滑劑之平滑層,於內面側具有包含用以控制表面粗糙度之滑劑之粗面層。
藉由該構成,能夠兼顧表面平滑性及滑動性。本發明中,所謂不含粒子,具體而言,係指將聚酯膜的質量作為基準而粒子含量為0.5質量%以下,較佳為0.1質量%以下,更佳為0.05質量%以下,進而較佳為0.01質量%以下,尤佳為0.005質量%以下。再者,於積層聚酯膜的至少一表面層為不含粒子之構成之情形時,係指將該層的質量作為基準而粒子含量為0.5質量%以下,較佳為0.1質量%以下,更佳為0.05質量%以下,進而較佳為0.01質量%以下,尤佳為0.005質量%以下。若聚酯膜中含有粒子,則有時由粒子所形成之聚酯膜的表面突起以凹陷狀轉印至樹脂片,或引起樹脂片之貫穿。
作為聚酯膜的厚度,並無特別限制,就作為載體膜之搬送性或強度及成本等之觀點而言,較佳為10μm至250μm,較佳為15μm至100μm,更佳為20μm至50μm。
另外,對於塗佈水性塗佈組成物之離型層形成面,為了提高相對於離型層之密接性,可進行表面處理或設置易接著層。作為表面處理,可例舉:電漿處理、電暈放電處理、紫外線處理、火焰處理及電子束/放射線處理等,作為易接著層,可例舉:含有與基材膜相同之樹脂,進而含有抗靜電劑、顏料、界面活性劑、潤滑劑、抗黏連劑等之層。但是,本發明中,由於離型層中所使用之水性塗佈組成物含有偶合劑,故而即便不設置易接著層等,亦能夠使離型層對於基材膜具有充分的密接性。
[離型層之形成] 本發明中,使用水性塗佈組成物於基材膜的至少一面形成離型層。離型層係於該基材膜上塗佈該水性塗佈組成物後,實施加熱、乾燥,使水性塗佈組成物反應及固化而形成離型層。該離型層之形成較佳為於製膜步驟中形成。
離型層的厚度以乾燥後的厚度計較佳為5nm至100nm。若離型層的厚度為下限以上,則容易充分獲得離型特性,另外,若為上限以下,則存在剝離強度不易增大之傾向,此外,無需將水性塗佈組成物設為高濃度或增加塗敷量,存在容易塗佈之傾向。因此,離型層的厚度更佳為10nm至80nm,進而較佳為15nm至70nm。
於基材膜上塗佈水性塗佈組成物時,該水性塗佈組成物的固體成分濃度以水性塗佈組成物的質量作為基準,較佳為20質量%以下,進而較佳為1質量%至10質量%。若水性塗佈組成物中的固體成分濃度為下限以上,則有造膜性變得良好之傾向。另外,若固體成分濃度為上限以下,則塗液的穩定性及離型層的外觀容易變得良好。作為調整固體成分濃度之水性溶媒,較佳為使用水。
可於任意階段實施水性塗佈組成物對於基材膜之塗佈,但較佳為於聚酯膜之製造過程中實施,進而較佳為塗佈於配向結晶化結束前之聚酯膜。
此處,結晶配向結束前的聚酯膜包含:未延伸膜、使未延膜沿縱向(以下,有時稱為膜連續製膜方向、長度方向、MD方向)或橫向(以下,有時稱為與縱向正交之方向、寬度方向、TD方向)之任一方向配向所得之單軸配向膜、進而沿縱向及橫向之兩方向進行低倍率延伸配向所得之膜(最終沿縱向或橫向進行再延伸而使配向結晶化結束之前的雙軸延伸膜)等。
其中,較佳為所謂線內塗佈,亦即,於未延伸膜或沿一方向配向之單軸延伸膜塗佈水性塗佈組成物,直接實施縱延伸及/或橫延伸及熱固定。可藉由塗佈後的延伸步驟或熱固定處理使離型層乾燥,亦可進而視需要增加乾燥步驟。另外,於使用觸媒使組成物硬化而獲得硬化狀之覆膜之情形時,可藉由延伸步驟或熱固定處理使之硬化,亦可進而視需要增加硬化步驟。
於將水性塗佈組成物塗佈於聚酯膜時,作為用以提升塗佈性之預處理,較佳為對膜表面實施電暈表面處理、火焰處理、電漿處理等物理處理,或者與組成物一起併用前述乳化劑作為潤濕劑。
作為塗佈方法,可應用公知的任意的塗敷法。例如可將如下方法單獨或組合使用:輥式塗佈法、凹版塗佈法、輥刷法、噴霧塗佈法、氣刀塗佈法、含浸法、簾幕式塗佈法等。
[離型膜的特性] 本發明中,後述之試驗法中的離型層的表面自由能較佳為10mN/m以上至40mN/m以下之範圍,更佳為12mN/m以上至38mN/m以下,進而較佳為14mN/m以上至36mN/m,尤佳為15mN/m以上至35mN/m之範圍。若離型層的表面自由能為上限以下,則附著力減小而不易重剝離化。另外,若為下限以上,則於樹脂片塗敷時不易產生排斥所致之缺點,亦不易產生針孔缺點。
[用途] 本發明之離型膜係用於用作樹脂片製造時所使用之樹脂片成型之載體膜之離型膜。於用於該用途之情形時,即便於離型膜上製作乾燥後的厚度為1μm以下之薄膜樹脂片,潤濕性亦良好,因此樹脂片的針孔減少,例如於用於坯片製造用之離型膜之情形時,能夠減少薄壁之積層陶瓷電容器的不良率。 [實施例]
以下,以實施例及比較例更具體地說明本發明,但本發明並不受以下之實施例之限定。再者,以下之實施例中的物性等的評價方法如下所述。
(1)離型層的表面自由能 針對於23℃、50%RH之條件下調濕24小時後之樣品,使用接觸角計(協和界面化學(股)製造DMo-501),滴加水並靜置30秒,測定此時的靜態接觸角。以相同的方式分別測定乙二醇、二碘甲烷的靜態接觸角,使用下述各液體的表面張力成分,建立與離型層的表面張力成分相關之下述聯立方程式(將水、乙二醇、二碘甲烷之各自之測定液設為1、2、3,γLD表示液體的分散力成分,γLP表示液體的極性力成分,γLH表示液體的氫鍵成分,γL表示液體中的各表面張力成分的合計值,另外,γSD表示離型層的分散力成分,γSP表示離型層的極性力成分,γSH表示離型層的氫鍵結成分。另外,θ表示接觸角)。 (γSD・γLD1) 1/2+(γSP・γLP1) 1/2+(γSH・γLH1) 1/2=γL1(1+cosθ1)/2 (γSD・γLD2) 1/2+(γSP・γLP2) 1/2+(γSH・γLH2) 1/2=γL2(1+cosθ2)/2 (γSD・γLD3) 1/2+(γSP・γLP3) 1/2+(γSH・γLH3) 1/2=γL3(1+cosθ3)/2 再者,水、乙二醇、二碘甲烷之γLD、γLP、γLH、γL如表1所示。
[表1]
分散力 極性力 氫鍵 合計
γLD γLP γLH γL
29.1 1.3 42.4 72.8
乙二醇 30.1 0.0 17.6 47.7
二碘甲烷 46.8 4.0 0.0 50.8
其次,根據上述所求出之γSD、γSP及γSH的數值,使用下述式算出離型層表面的表面自由能γS。 γS=γSD+γSP+γSH
(2)離型層的塗佈均勻性 將離型膜切成A4版,使用螢光燈、鹵素燈以目視觀察離型層面時,比較凝聚狀塗佈缺點的個數,藉由以下基準進行評價。 ◎:無塗佈缺點 ○:塗佈缺點為1個至2個 △:塗佈缺點為3個至5個 ×:塗佈缺點為6個以上
(3)剝離力的速度取決性 利用橡膠輥於離型膜的離型層面貼附聚酯黏著帶(日東電工公司製造,No.31B),於該聚酯黏著帶上使5kg之壓接輥往返一次而進行壓接。以此狀態於溫度23℃、濕度55±5%RH之條件下放置1天。利用高速剝離試驗機(TESTER SANGYO(股)製造,TE-701),以10m/分鐘、30m/分鐘、50m/分鐘、70m/分鐘、90m/分鐘以剝離角度180°以各自的剝離速度拉伸所貼合之黏著帶,以這些強度作為剝離力(mN/50mm),評價剝離速度與剝離力之關係。 ○:隨著剝離速度上升而剝離力變輕。 △:即便剝離速度上升而剝離力亦幾乎不變化。 ×:隨著剝離速度上升而剝離力變重。
(4)針孔評價(樹脂片的塗敷性) 使用以下方法,製作3種樹脂片,並進行評價。 (4-1)樹脂片(A) 使環狀烯烴樹脂(ARTON G7810,JSR公司製造,固體成分100質量%)0.5質量份溶解於甲苯80質量份、四氫呋喃20質量份而製作樹脂溶液(A)。使用敷料器以乾燥後的樹脂片成為0.5μm的厚度之方式塗佈於離型膜樣品的離型面,於100℃乾燥1分鐘後,於樹脂單面重疊另一離型膜樣品的A層面,並施加10分鐘、1kg/cm 2之負荷,然後將離型膜剝離,獲得樹脂片(A)。 (4-2)樹脂片(B) 將離子交換樹脂(20%Nafion分散溶液,DE2021CS型,富士軟片和光純藥公司製造,固體成分20質量%)10質量份、水10質量份、異丙醇20質量份混合,製作樹脂溶液(B)。使用敷料器以乾燥後的樹脂片成為0.5μm的厚度之方式塗佈於離型膜樣品的離型面,於100℃乾燥1分鐘後,於樹脂片面重疊另一離型膜樣品的A層面,並施加10分鐘、1kg/cm 2之負荷,然後將離型膜剝離,獲得樹脂片(B)。 (4-3)樹脂片(C) 將紫外線硬化性樹脂(胺基甲酸酯丙烯酸酯,製品名:8UX-015A,TAISEI FINE CHEMICAL製造,固體成分100質量%)20質量份、甲基乙基酮40質量份、異丙醇39質量份、光自由基起始劑(Irgacure (註冊商標)907,BASF公司製造)1質量份混合,製作樹脂溶液(C)。使用敷料器以乾燥後的樹脂片成為1.0μm的厚度之方式塗佈於離型膜樣品的離型面,於90℃乾燥15秒後,使用高壓水銀燈,以成為300mJ/cm 2之方式照射紫外線,於樹脂片面重疊另一離型膜樣品的A層面,施加10分鐘、1kg/cm 2之負荷,然後將離型膜剝離,獲得樹脂片(C)。
針對所獲得之樹脂片3種全部,利用以下方法進行評價。於所獲得之樹脂片的膜寬度方向的中央區域內以25cm 2之範圍自樹脂漿料的塗佈面的相反面照射光,觀察光穿透所見之針孔的產生狀況,按照下述基準進行目視判定。 ○:未產生針孔,且厚度偏差無特別問題。 △:雖未產生針孔,但略見凹陷,厚度偏差無特別問題。 ×:略微產生針孔,及/或厚度偏差稍微顯著。 ××:產生少許針孔,及厚度偏差有些顯著。 ×××:產生大量針孔,及厚度偏差非常顯著。
(5)再利用性評價 再利用性係利用萬能投影機,以投下照射放大20倍,針對膜中所含有之異物的尺寸及個數,計數具有50μm以上之最大直徑之異物的個數。測定面積設為0.05m 2。 ◎:異物個數未達10個/0.05m 2,使用上無問題。 ○:異物個數為10個/0.05m 2以上至未達30個/0.05m 2,對樹脂片的平坦性有些許影響,但使用上無問題。 △:異物個數為30個/0.05m 2以上至未達100個/0.05m 2,可限定樹脂片的用途而使用。 ×:異物個數為100個/0.05m 2以上,樹脂片的澆鑄面的變形非常顯著而無法使用。
(6)數量平均分子量 利用凝膠滲透層析法(GPC;Gel Permeation Chromatography)進行測定,算出聚苯乙烯換算值。
(7)離型層的厚度 將離型膜切成三角形之小片後,藉由塗佈而於離型層表面形成厚度2nm之Pt(鉑)層。將所獲得之樣品固定於多軸包埋膠囊,使用環氧樹脂進行包埋處理,使用切片機ULTRACUT-S,沿與膜的面方向垂直的方向進行切片,獲得厚度50nm之超薄樣品。繼而,將所獲得之超薄樣品載置於網格台,藉由2%鋨酸,於60℃、2小時之條件下進行蒸汽染色。使用蒸汽染色後的超薄樣品,藉由穿透式電子顯微鏡LEM-2000,於加速電壓100kv之條件下觀測膜剖面,測定離型層的厚度。測定係針對任意之10點實施,將這些點的平均值設為離型層的厚度(單位:nm)。
[實施例1] 將作為A層之包含平均粒徑為0.9μm之碳酸鈣之粒子0.06質量%之聚對苯二甲酸乙二酯([η]=0.63dl/g、Tg=78℃)、及作為B層之不含粒子之聚對苯二甲酸乙二酯([η]=0.63dl/g、Tg=78℃)以熔融狀態積層為A層/B層之2層並自擠出機的模頭擠出,藉由常規方法利用冷卻滾筒進行冷卻而製成未延伸膜,繼而沿縱向以80℃延伸3.6倍後,以製品厚度成為30nm之方式,利用輥式塗佈機將製造例1中所獲得之塗佈液(水性塗佈組成物)均勻地塗佈於膜的B層表面。再者,所使用之塗佈液係使用調整後24小時以內之塗佈液。
繼而,將塗佈後的膜於115℃進行乾燥,於145℃沿橫向延伸4.0倍,進而於230℃熱固定約10秒鐘,使塗佈液反應及固化而形成離型層,從而獲得具有前述離型層之離型膜(整體厚度12μm、A層厚度9μm、B層厚度3μm),並實施該離型膜之評價。該離型膜之評價結果示於表3。
再者,A層使用50質量%之如下原料,該原料係針對各實施例、比較例,將採取製品捲筒時未成為製品之離型膜部分或因缺點等而未成為製品之離型膜粉碎至膜片長徑成為約5mm以下,並進行熔融,從而再生所得。
製造例1 [含有烯基及Q單元之聚矽氧A1之水分散體] 使用能夠攪拌容器內整體之乳化裝置(MP Labo股份有限公司製造,裝置名「Ultra Planetary Mixer」),使由聚矽氧A1 97質量%、及作為界面活性劑之聚氧乙烯十三烷基醚(竹本油脂股份有限公司製造,商品名「New Kargen D-1208」)3質量%所構成之原料於水介質中進行機械乳化,獲得固體成分20質量%之聚矽氧A1之水分散體。另外,藉由調整乳化時的攪拌速度及攪拌時間而將乳液粒徑調整為平均粒徑200nm。
再者,聚矽氧A1的組成係由如下3種結構單元所構成,且數量平均分子量調整為250000,前述3種結構單元係:於式(I)中R1為乙烯基且R2為甲基,並且於直接鍵結有乙烯基之矽僅鍵結有1個乙烯基之結構單元6.00莫耳%;由式(I)中a=b=0之Q單元所構成之結構單元60.00莫耳%;以及於式(I)中R2為甲基且a=0、b=2之結構單元(兩末端為a=0、b=3)34.00莫耳%。
[具有Si-H基之聚矽氧B之水分散體] 使用能夠攪拌容器內整體之乳化裝置(MP Labo股份有限公司製造,裝置名「Ultra Planetary Mixer」),使由含Si-H基之聚矽氧97質量%、及作為界面活性劑之聚氧乙烯十三烷基醚(竹本油脂股份有限公司製造,商品名「New Kargen D-1208」)3質量%所構成之原料於水介質中進行機械乳化,獲得固體成分10質量%之含Si-H基之聚矽氧B之水分散體。另外,藉由調整乳化時的攪拌速度及攪拌時間而將乳液粒徑調整為平均粒徑160nm。
再者,含Si-H基之聚矽氧組成係由如下結構單元所構成,且藉由後者之結構單元的重複數而將數量平均分子量調整為4000:於式(II)中,R3為甲基,c=d=1,亦即於直接鍵結有氫基之矽上僅鍵結有1個氫基,氫原子未鍵結於末端矽原子,具有直接鍵結有氫基之矽原子之結構單元之重複數30;以及二甲基矽氧烷之結構單元(兩末端為甲基)。
[塗佈液] 作為水性塗佈組成物,於以包含含有烯基及Q單元之聚矽氧A1 90質量份、及具有Si-H基之聚矽氧B 5質量份之方式混合而成之聚矽氧水分散體中,混合下述之偶合劑C-1 5質量份、相對於聚矽氧A1與聚矽氧B之合計質量為100ppm之下述之鉑系觸媒、以及相對於塗佈液質量為200ppm之下述之交聯反應抑制劑,以成為目標之離型層厚度之方式用水稀釋塗佈液的固體成分濃度,製備塗佈液。 ・偶合劑C-1:3-縮水甘油氧基丙基三乙氧基矽烷(Shin-Etsu Silicone股份有限公司製造,商品名「KBM-403」) ・鉑系觸媒:鉑系觸媒乳液(信越化學工業股份有限公司製造,商品名「CAT-PM-10A」) ・交聯反應抑制劑:1-乙炔基環己醇(Alfa Lancaster公司製造)
[實施例2至實施例11] 於實施例1中,使用表2所示之聚矽氧A-1至聚矽氧A-11而將水性塗佈組成物的組成替換為表3所示之組成,除此以外,於與實施例1完全相同之條件下製作離型膜,並進行前述評價。評價結果示於表3。
再者,偶合劑C-2係未將乙烯基三乙氧基矽烷(Shin-Etsu Silicone股份有限公司製造,商品名「KBM-1003」)進行精製而使用。另外,將聚矽氧A-11的數量平均分子量調整為2000。
[比較例1至比較例3] 於實施例1中,使用表2所示之聚矽氧A-9、聚矽氧A-10、或聚矽氧A-11而將水性塗佈組成物的組成替換為表4所示之組成,除此以外,於與實施例1完全相同之條件下製作離型膜,並進行前述評價。評價結果示於表4。
[比較例4] 實施例1中,如下所述替換塗佈液,除此以外,於與實施例1完全相同之條件下製作離型膜,並進行前述評價。評價結果示於表4。
亦即,作為塗佈液,將三聚氰胺樹脂之NIKALAC MX-035(三和化學股份有限公司製造)設為48質量份、聚矽氧改質丙烯酸樹脂之SYMAC US-480(東亞合成公司製造)設為50質量份、聚矽氧系界面活性劑之DOWSIL 500W Additive(Dow Toray股份有限公司製造)設為2質量份,以成為目標之離型層厚度之方式用水稀釋塗佈液的固體成分濃度,製備塗佈液。
[比較例5] 於實施例1中,不使用偶合劑,除此以外,於與實施例1完全相同之條件下製作離型膜,並進行前述評價。評價結果示於表4。
[表2]
  A-1 A-2 A-3 A-4 A-5 A-6 A-7 A-8 A-9 A-10 A-11
相對於聚矽氧A中之全部Si原子,與烯基鍵結著之Si原子的含量(i)  (莫耳%) 6.00 6.00 6.00 6.00 20.00 20.00 20.00 0.00 20.00 20.00 1.00
相對於聚矽氧A中之全部Si原子,Q單元中所含之Si原子的含量(ii)  (莫耳%) 60.00 40.00 20.00 10.00 60.00 40.00 20.00 40.00 0.01 70.00 0.00
相對於聚矽氧A中之全部Si原子,(i)及(ii)以外的Si原子的含量  (莫耳%) 34.00 54.00 74.00 84.00 20.00 40.00 60.00 60.00 79.99 10.00 99.00
[表3]
Figure 02_image003
[表4]
單位 比較例1 比較例2 比較例3 比較例4 比較例5
聚矽氧A A-1 質量份 - 95
A-2 -
A-3 -
A-4 -
A-5 -
A-6 -
A-7 -
A-8 -
A-9 90 -
A-10 90 -
A-11 90 -
聚矽氧B 5 5 5 - 5
偶合劑 C-1 5 5 5
C-2
相對於聚矽氧A中之全部Si原子,與烯基鍵結著之Si原子的含量(i)  (莫耳%) 莫耳% 20.00 20.00 1.00 - 6.00
相對於聚矽氧A中之全部Si原子,Q單元中所含之Si原子的含量(ii)  (莫耳%) 莫耳% 0.01 70.00 0.00 - 60.00
相對於聚矽氧A中之全部Si原子,(i)及(ii)以外的Si原子的含量  (莫耳%) 莫耳% 79.99 10.00 99.00 34.00
與烯基鍵結著之Si原子的含量(i)/Q單元中所含之Si原子的含量(ii) 比率 2000.00 0.29 - - 0.10
離型層的表面自由能 mN/m 18 21 15 22 20
離型層的塗佈均勻性 - ×
剝離力的速度依存性 - × ×
針孔評價(樹脂片的塗敷性) 樹脂片(A) - ×× ××× ×
樹脂片(B) - ××× ×××
樹脂片(C) - ×× ××× ×
再利用性評價 異物個數 個/0.05m ×
如表3所示,實施例1至實施例11中,離型層的塗佈均勻性、剝離力的速度取決性、各種樹脂片的塗敷性、再利用性均良好。
相對於此,如表4所示,於使用了構成Q單元之Si原子的含量少於特定範圍之聚矽氧A-9或聚矽氧A-11之比較例1及比較例3中,剝離力的速度取決性及各種樹脂片的塗敷性差。反之,於使用了構成Q單元之Si原子的含量多於特定範圍之聚矽氧A-10之比較例2中,因樹脂成分增加而導致離型層的塗佈均勻性及再利用性差。
另外,於離型層含有三聚氰胺樹脂等之比較例4中,因交聯成分等增加而導致再利用性差。 [產業可利用性]
本發明之離型膜由於離型層的塗佈均勻性、剝離力的速度取決性、各種樹脂片的塗敷性、再利用性均良好,故而可用於各種用途,産業上的利用價值極高。

Claims (7)

  1. 一種樹脂片成型用離型膜,具有聚酯膜、及使水性塗佈組成物反應及固化而成之離型層; 前述水性塗佈組成物包含水、具有以SiO 4/2所表示之Q單元之聚矽氧A、具有Si-H基之聚矽氧B、交聯反應抑制劑、鉑系觸媒及偶合劑; 前述聚矽氧A中,構成前述Q單元之Si原子的含量為5莫耳%至60莫耳%之範圍。
  2. 如請求項1所記載之樹脂片成型用離型膜,其中前述偶合劑係具有乙烯基、環氧基、胺基、或巰基之矽烷偶合劑。
  3. 如請求項1或2所記載之樹脂片成型用離型膜,其中前述水性塗佈組成物相對於前述聚矽氧A及前述聚矽氧B之合計100質量份,含有前述偶合劑0.1質量份至30質量份。
  4. 如請求項1或2所記載之樹脂片成型用離型膜,其中前述聚矽氧A係除了具有前述Q單元以外進而於分子內具有烯基之聚矽氧A1,或者前述聚矽氧A係具有前述Q單元且於分子內不具有烯基之聚矽氧A2,且前述水性塗佈組成物進而包含具有烯基且於分子內不具有前述Q單元之聚矽氧C; 相對於前述聚矽氧A1中的全部Si原子、或者前述聚矽氧A2及前述聚矽氧C中的全部Si原子,與烯基鍵結著之Si原子的含量為0.05莫耳%至20莫耳%之範圍。
  5. 如請求項1或2所記載之樹脂片成型用離型膜,其中前述離型層的表面自由能為10mN/m以上至40mN/m以下。
  6. 如請求項1或2所記載之樹脂片成型用離型膜,其中前述聚酯膜具有不含粒子之表面層,前述離型層配置於該表面層上。
  7. 如請求項4所記載之樹脂片成型用離型膜,其中前述與烯基鍵結著之Si原子的含量與構成前述Q單元之Si原子的含量之莫耳比(與烯基鍵結著之Si原子的含量/Q單元中所含之Si原子的含量)為0.1以上至1.0以下。
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