TW202236498A - 基板處理裝置及基板處理方法 - Google Patents

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Abstract

本發明揭露一種根據基板或基板處理技術控制在基板上安置的夾圈的個數，從而，能夠有效地防止基板的彎曲變形(warpage)的基板處理裝置及基板處理方法。根據本發明的實施例的基板處理裝置，包括：支撐卡盤，其用於支撐所述基板；及彎曲變形防止裝置，其在所述支撐卡盤上支撐的所述基板的周圍區域安置一個以上的夾圈，而向所述基板的周圍區域施加荷重，從而，防止所述基板的彎曲變形。所述彎曲變形防止裝置藉由調整在所述基板的周圍區域安置的所述夾圈的個數而調整向所述基板的周圍區域施加的荷重。

Description

基板處理裝置及基板處理方法
本發明係有關於基板處理裝置及基板處理方法，更詳細地，係有關於一種能夠防止基板的彎曲變形(warpage)的基板處理裝置及基板處理方法。
一般而言，半導體積體電路是非常小、薄的矽晶片，但，其由各種電子部件構成，完成一個半導體晶片需要經過圖型技術、蝕刻技術、蒸鍍技術、封裝技術等各種製造工序。因在晶圓(wafer)等半導體基板上蒸鍍各種物質，相互不同的熱膨脹率導致在半導體基板上發生彎曲變形(warpage)現象。
並且，可向晶圓施加夾具荷重而防止晶圓的彎曲變形，但，因晶圓的材質(例如，矽、玻璃等)導致晶圓的彎曲變形水平發生差異，並且，晶圓的強度/硬性、脆性等方面存在物性差異，因此，存在不易藉由相同的夾具荷重防止各種材質的晶圓彎曲變形的有限性。
例如，如果是剛性較大的晶圓，即使施加夾具荷重，晶圓也可能無法完全與卡盤緊貼。如上述地，在晶圓上發生彎曲變形的狀態下進行電漿處理時，在晶圓下面發生局部電漿，而使得晶圓和部件受到損傷。為了防止上述情況，如果使用更重的夾具，對於玻璃等脆性較弱的材質的基板進行處理時，可能發生基板破碎的問題。
[解決課題]
本發明的目的為提供一種根據基板或基板處理技術控制在基板上安置的夾圈的個數，從而，能夠有效地防止基板的彎曲變形(warpage)的基板處理裝置及基板處理方法。
[本發明的技術方案]
根據本發明的實施例的基板處理裝置，包括：支撐卡盤，其用於支撐所述基板；及彎曲變形防止裝置，其在所述支撐卡盤上支撐的所述基板的周圍區域安置一個以上的夾圈，而向所述基板的周圍區域施加荷重，從而，防止所述基板的彎曲變形。
所述彎曲變形防止裝置藉由調整在所述基板的周圍區域安置的所述夾圈的個數而調整向所述基板的周圍區域施加的荷重。
所述彎曲變形防止裝置包括：多個銷，其沿著所述支撐卡盤的周圍配置，並由上下方向延伸；多個支撐部件，其在所述多個銷沿著上下方向設置，而將所述夾圈由水平方向支撐；多個夾圈，其形成有使得所述多個銷貫通的貫通孔，並且，形成能夠加壓所述基板的周圍區域的環形狀，分別被所述多個支撐部件支撐；升降驅動部，其使得所述多個銷升降驅動；及控制部，其控制所述升降驅動部而使得所述多個銷升降驅動，以便藉由所述多個銷的升降高度調整在所述基板的周圍區域安置的夾圈的個數。
所述多個支撐部件包括：多個第一支撐部件，其在所述多個銷的第一位置形成；及多個第二支撐部件，其在相比所述多個銷的所述第一位置更高的第二位置形成。
所述多個夾圈包括：第一夾圈，其在所述多個第一支撐部件上被支撐，並且，形成有使得所述多個銷貫通的多個第一貫通孔；及第二夾圈，其在所述多個第二支撐部件上被支撐，並且，形成有使得所述多個銷貫通的多個第二貫通孔。
多個所述第一貫通孔和多個所述第二貫通孔形成不同的大小或不同的形狀。
所述第一貫通孔形成無法使得所述多個第一支撐部件貫通且同時使得所述多個第二支撐部件貫通的形狀。
所述第二貫通孔形成無法使得所述多個第二支撐部件貫通的形狀。
所述控制部根據所述基板的材質及基板處理技術中的至少一個而決定所述多個銷的升降高度；並且，根據決定的所述升降高度使得所述多個銷升降，由此，調整在所述基板的周圍區域安置的夾圈的個數。
所述第一支撐部件及所述第二支撐部件分別在所述銷的周圍部分突出形成，所述第一貫通孔形成有使得所述銷貫通且無法使得所述第一支撐部件貫通並同時使得所述第二支撐部件貫通的第一直徑。所述第二貫通孔形成有相比所述第一直徑更小的第二直徑，而使得所述銷貫通且所述第二支撐部件無法貫通。
根據本發明的實施例的基板處理裝置，所述多個銷藉由所述控制部及所述升降驅動部下降時，在所述基板的周圍區域安置的夾圈的個數增加，所述多個銷藉由所述控制部及所述升降驅動部上升時，在所述基板的周圍區域安置的夾圈的個數減少。
所述第一支撐部件形成上窄下寬 (上狹下廣)的接頭圓錐形狀。所述第一支撐部件的下部直徑大於所述第一貫通孔的直徑，所述第一支撐部件的上部直徑與所述第一貫通孔的直徑相同或小於所述第一貫通孔的直徑。
所述第一夾圈和所述第二夾圈由上下方向分隔配置，所述升降驅動部使得所述多個銷驅動升降所述第一夾圈與所述第二夾圈之間的分隔距離以上。
所述控制部從控制所述升降驅動部使得所述多個銷下降第一高度而在所述基板的周圍區域安置所述第一夾圈的第一模式和控制所述升降驅動部使得所述多個銷下降第二高度而在所述基板的周圍區域安置所述第一夾圈及所述第二夾圈的第二模式中選擇一個，而調整向所述基板施加的夾具荷重。
根據本發明的實施例的基板處理方法，包括：藉由彎曲變形防止裝置在支撐卡盤上支撐的所述基板的周圍區域安置一個以上的夾圈而向所述基板的周圍區域施加荷重，從而，能夠防止所述基板的彎曲變形的步驟。
所述防止所述彎曲變形的步驟包括：藉由控制部根據所述基板的材質及基板處理技術中的至少一個，決定沿著支撐卡盤的周圍配置並由上下方向延伸的多個銷的升降高度的步驟；及根據所述升降高度藉由升降驅動部使得所述多個銷升降驅動，由此，使得在所述多個銷由上下方向設置的多個支撐部件上支撐的多個夾圈升降，而能夠調整在所述基板的周圍區域安置的夾圈的個數的步驟。
根據本發明的實施例的基板處理方法，其特徵在於，藉由所述控制部及所述升降驅動部使得所述多個銷下降時，在所述基板的周圍區域安置的夾圈的個數增加，藉由所述控制部及所述升降驅動部使得所述多個銷上升時，在所述基板的周圍區域安置的夾圈的個數減少。
防止所述彎曲變形的步驟包括如下步驟：藉由所述控制部從控制所述升降驅動部使得所述多個銷下降第一高度而在所述基板的周圍區域安置所述第一夾圈的第一模式和控制所述升降驅動部使得所述多個銷下降第二高度而在所述基板的周圍區域安置所述第一夾圈及所述第二夾圈的第二模式中選擇一個，由此，調整向所述基板施加的夾具荷重。
以下，參照圖式更詳細地說明本發明的實施例。本發明的實施例可以各種形態變形，本發明的範圍並非限定於下面的實施例。本實施例是為了向本發明的技術領域的普通技術人員更全面地說明本發明而提供。因此，為了強調更加明確的說明，圖式中的要素的形狀誇大表示。
圖1為概略表示本發明的實施例的基板處理裝置的截面圖。參照圖1，本發明的實施例的基板處理裝置100為執行處理基板10的技術的裝置。基板處理裝置100可為執行對於基板10的技術的不同種類的裝置。基板處理裝置100可提供執行例如電漿(plasma)技術、封裝(package)技術、回流焊(reflow)技術、蝕刻技術、蒸鍍技術、圖型技術或熱處理技術等的裝置。藉由根據本發明的實施例的基板處理裝置100進行處理的基板10可為半導體晶圓(Wafer)、遮罩(Mask)、剝離基板或液晶顯示器(LCD)等，但，並非限定於此。
根據本發明的實施例的基板處理裝置100包括在腔室100a內提供的支撐卡盤110、處理部120及彎曲變形防止裝置130。腔室100a的內部具有用於處理基板10的處理空間。根據藉由基板處理裝置100執行的基板處理技術的種類，在腔室100a的內部提供對於基板10進行處理時所需的各種部件。
例如，基板處理裝置100以利用電漿對於基板10進行處理的裝置使用時，在腔室100a的處理空間可形成有用於提供發生電漿的技術氣體的構成、用於將技術氣體變換為電漿的構成(例如，高頻發生器)及用於排放處理空間內部的技術氣體及電漿的部件等。
支撐卡盤110是為了支撐基板10而提供。支撐卡盤110可為支撐基板10的底面的多個支撐銷、靜電卡盤等，但，並非限定於此。在支撐卡盤110的周圍可形成有用於導引基板10的導環(guide ring)111。支撐卡盤110可藉助於絕緣體(insulator)112絕緣。並且，在腔室100a內可形成有用於均勻地排放技術氣體的排氣環113。
處理部120是對於基板10執行上述的基板處理技術的構成，例如，包括用於生成及控制電漿的高頻發生器，高頻控制器、用於加熱基板10的加熱器等。
圖2為表示構成本發明的實施例的基板處理裝置的彎曲變形防止裝置的立體圖。圖3為將圖2的A部的一部分擴大表示的立體圖。參照圖1至圖3，彎曲變形防止裝置130是在支撐卡盤110上支撐的基板10的周圍區域(例如，基板的周緣部)安置一個以上的夾圈162、164，而對於基板10的周圍區域施加荷重，由此，能夠防止基板10的彎曲變形(warpage)。
基板10的彎曲變形是在基板處理技術中主要發生於基板10的周圍區域(邊緣區域)，因此，夾圈162、164可形成能夠加壓基板10的周圍區域的環形狀。在圖示的示例中，夾圈162、164形成圓形環形狀的圓盤，但，根據基板10的形狀也可變形為四角環等。
彎曲變形防止裝置130可包括：多個銷140、多個支撐部件150、多個夾圈160、升降驅動部170及控制部180。多個銷140可沿著支撐卡盤110的周圍配置。即，多個銷140可配置成圍繞支撐卡盤110和在支撐卡盤110上支撐的基板10。在圖示的示例中，在支撐卡盤110的周圍以120°間隔配置有3個銷140，但，銷140的個數及排列間隔可不同地變型。多個銷140可由上下方向延伸而使得多個夾圈160進行升降運行。多個銷140可藉由升降驅動部170升降運轉。
多個夾圈160包括：第一夾圈162和第二夾圈164。夾圈162、164具有能夠防止基板10的彎曲變形的重量。夾圈162、164安置在支撐卡盤110上放置的基板10的邊緣區域上。第一夾圈162包括：環形狀的圓盤162b；從圓盤162b的內徑部向下部延伸，形成圓筒或四角筒等筒形狀，而向基板10的周圍區域施加荷重的荷重施加盤162c。荷重施加盤162c可形成與基板10的周圍區域相同的形狀。
在一實施例中，基板10為圓盤形狀時，夾圈162、164可形成中心部被開放的圓形環形狀。夾圈162、164的內徑部與基板10的外徑部鄰近地設計，並從內徑部以放射狀向外側延伸地形成。多個夾圈162、164與支撐卡盤110及在支撐卡盤110上支撐的基板10的中心同心配置。並且，多個夾圈162、164藉由在多個銷140上設置的多個支撐部件150由上下方向分隔而配置。
各個銷140包括：下部銷142；具有相比下部銷142更小直徑的中間銷144；具有相比中間銷144更小直徑的上部銷146。多個支撐部件150由上下方向設置在多個銷140而將夾圈162、164由水平方向支撐。第一支撐部件152形成於下部銷142與中間銷144之間。第二支撐部件154形成於中間銷144與上部銷146之間。
多個支撐部件150包括：第一支撐部件152和第二支撐部件154。第一支撐部件152形成於多個銷140的第一位置(下部位置)，第二支撐部件154形成於相比多個銷的第一位置更高的第二位置(上部位置)。第一支撐部件152及第二支撐部件154為了支撐多個夾圈162、164的底面部而分別在銷140的周圍部分突出形成。
多個夾圈162、164以安置在多個支撐部件152、154上的狀態被支撐。第一夾圈162可支撐在形成於多個銷140的多個第一支撐部件152上。為了將第一夾圈162與基板10平行地支撐，多個第一支撐部件152在多個銷140以相同的高度形成。
第二夾圈164可支撐在形成於多個銷140的多個第二支撐部件154上。為了將第二夾圈164與基板10平行地支撐，多個第二支撐部件154在多個銷140以相同的高度形成。如上述地，包括第一夾圈162和第二夾圈164的多個夾圈162、164藉由形成於多個銷140的多個支撐部件152、154由上下方向分隔的狀態被支撐。
在多個夾圈162、164形成有使多個銷140 貫通的貫通孔162a、164a。第一夾圈162形成有使得多個銷140貫通 (藉由)的多個第一貫通孔162a。第二夾圈164形成有使得多個銷140貫通(藉由)的多個第二貫通孔164a。多個第一貫通孔162a和多個第二貫通孔164a在第一夾圈162和第二夾圈164由上下方向相互對應的位置形成。
第一夾圈162的第一貫通孔162a和第二夾圈164的第二貫通孔可形成相互不同的大小或不同的形狀。為了使得第一夾圈162被第一支撐部件152支撐，第一貫通孔162a形成無法使得多個第一支撐部件152貫通的形狀。
並且，第一貫通孔162a形成能夠使得多個第二支撐部件154貫通的形狀。即，第二支撐部件154可形成能夠藉由第一貫通孔162a的形狀。為了使得第二夾圈164被第二支撐部件154支撐，第二貫通孔164a可形成無法使得多個第二支撐部件154貫通的形狀。
升降驅動部170可藉由控制部180驅動而使得多個銷140升降驅動。升降驅動部170可形成例如將多個銷140升降驅動的液壓汽缸、液壓馬達、螺旋軸/導桿等，但，並非限定於此，可使用能夠使得多個銷140升降驅動的各種驅動方式。升降驅動部170能夠使得多個銷140以第一夾圈162與第二夾圈164之間的分隔距離以上升降驅動。在一實施例中，升降驅動部170在導環111的外側貫通排氣環113而形成。
控制部180控制升降驅動部170而使得多個銷140升降驅動，從而，根據多個銷140的升降高度調整在基板10的周圍區域(周緣部)上安置的夾圈162、164的個數。控制部180從控制升降驅動部170使多個銷140下降第一高度而將第一夾圈162安置在基板10的周圍區域的第一模式和控制升降驅動部170使多個銷140下降第二高度而將第一夾圈162及第二夾圈164安置在基板10的周圍區域的第二模式中選擇任一個，由此，能夠調整向基板10施加的夾具荷重。
在一實施例中，第一支撐部件152可形成上窄下寬(上狹下廣)的截頭圓錐形狀。在第一夾圈162形成的第一貫通孔162a能夠使得銷140貫通，但無法使第一支撐部件152貫通，同時形成有能夠使得第二支撐部件154貫通的第一直徑D3。第一支撐部件152的下部直徑D1大於第一貫通孔162a的第一直徑D3，第一支撐部件152的上部直徑與第一貫通孔162a的第一直徑D3相同或更小。
第二支撐部件154可形成於銷140的上部區域，並且，形成包圍銷140的上部區域的圓形環形狀。第二貫通孔164a形成相比第一貫通孔162a的第一直徑D3更小的第二直徑D4，從而，能夠使得銷140貫通，但，第二支撐部件154無法貫通。第二貫通孔164a的第二直徑D4相比第二支撐部件154的直徑D2更小，並且，與銷140的上部區域直徑相同或更大地形成。
第二支撐部件154的直徑D2相比第二貫通孔164a的第二直徑D4更大，並且，與第一貫通孔162a的第一直徑D3相同或更小地形成。銷140藉由升降驅動部170下降時，第二支撐部件154可藉由第一夾圈162的第一貫通孔162a而下降，從而，第二支撐部件154從第二夾圈164的底面向下部分隔，以使第二夾圈164安置在第一夾圈162上。
圖4為表示藉助於本發明的實施例的基板處理裝置在基板的周圍區域安置一個夾圈的運轉狀態的截面圖；圖5為圖4的B部的擴大圖；圖6為表示藉助於本發明的實施例的基板處理裝置在基板的周圍區域安置兩個夾圈的運轉狀態的截面圖；圖7為圖6的C部的擴大圖。
參照圖1至圖7，控制部180根據基板10的材質及基板處理技術中的至少一個而決定多個銷140的升降高度，並且，根據決定的升降高度使得多個銷140升降，從而，能夠調整在基板10的周圍區域安置的夾圈162、164的個數。
藉由控制部180和升降驅動部170使得多個銷140下降，由此，在基板10的周圍區域安置的夾圈162、164的個數逐一地階段性地增加。相反地，藉由控制部180和升降驅動部170使得多個銷140上升，由此，在基板10的周圍區域安置的夾圈162、164的個數逐一地階段性地減少。在圖示的示例中，使用了兩個夾圈162、164，但，也可使用3個以上的夾圈。
本發明的實施例根據基板的材質或基板處理技術等，利用多個夾圈選擇性地使用在基板的周圍區域安置的夾圈的個數，從而，對於各種材質的基板和各種基板處理技術進行彎曲變形(warpage)控制。
例如，如果是脆性較弱的材質的基板，藉由位於多個夾圈162、164中下部的一個夾圈162對於基板10的周圍區域施加荷重，而進行基板處理技術， 由此，藉助於1個夾圈162的較小的荷重防止基板10的彎曲變形，並且，不發生破裂現象。
與其不同地，如果是基板的剛性較強，使得多個銷140下降而藉由2個夾圈162、164或3個以上的夾圈對於基板10的周圍區域施加荷重，而進行基板處理技術，由此，藉助於較大的荷重有效地控制基板10的彎曲變形。
如上述地，根據基板10的材質或基板處理技術而調整在基板10的周圍區域安置的夾圈162、164的個數使用，從而，將基板10所受的壓力最小化，並且，在進行電漿等基板處理時防止因彎曲變形的局部電漿損傷等問題。
在圖示的示例中，銷140在支撐卡盤110的周圍形成有3個，但，銷140的個數也可變更為4個以上。並且，在圖示的示例中，夾圈160形成圓形環形狀，但，根據基板的形狀也可形成四角環形狀等。
完成對於基板10的處理後，藉由控制部180和升降驅動部170使得多個銷140複歸至上部位置，而將夾圈162、164從基板10的上面分隔後，藉由基板搬運裝置(省略圖示)將基板10搬運至腔室100a的外部，並且，將後續處理的基板10搬入到腔室100a內，並在支撐卡盤110上支撐。然後，根據在支撐卡盤110上支撐的基板10的種類或對於基板10執行的基板處理技術，藉由控制部180決定適宜的夾圈162、164的個數，由此，升降驅動部170運轉使得多個銷140下降，而將適當個數的夾圈162、164安置在基板10的周圍區域的狀態進行後續基板處理技術。
圖8為本發明的實施例的基板處理方法的順序圖。參照圖1及圖8，根據藉由基板處理裝置100進行基板處理技術的基板10的材質及/或基板處理技術，決定多個銷140的升降高度(步驟 S10)。
藉由控制部180根據升降高度而使得多個銷140升降驅動，從而，使得在多個支撐部件152、154上支撐的多個夾圈162、164升降，由此，能夠調整在基板10的周圍區域安置的夾圈162、164的個數(步驟S20)。在基板10的周圍區域安置適當的個數的夾圈162、164後，對於基板10執行基板處理技術 (步驟S30)。
圖9為表示本發明的另一實施例的基板處理裝置的一部分的立體圖。根據圖9的實施例的基板處理裝置與上面說明的實施例不同點為：構成彎曲變形裝置130的第一支撐部件152和第二支撐部件154由不同的方向與銷140結合，並且，在第一夾圈162形成的第一貫通孔162a形成與第二支撐部件154對應的長孔形狀。
多個銷140可貫通多個第一貫通孔162a的端部區域而形成。在銷140下降時，桿形狀的第二支撐部件154可藉由第一夾圈162的長孔形狀的第一貫通孔162a而下降，由此，第二支撐部件154從第二夾圈164的下面向下部分隔，使得第二夾圈164安置在第一夾圈162上。
當銷140上升時，桿形狀的第二支撐部件154藉由第一夾圈162的長孔形狀的第一貫通孔162a而上升，與第二夾圈164的下面接觸而將第二夾圈164抬升，從而，使得第二夾圈164向上部位置移動。
並且，銷140繼續上升時，桿形狀的第一支撐部件152與第一夾圈162的下面接觸，而將第一夾圈162抬升，從而，在基板10的周圍區域安置的第一夾圈162向上部位置移動。
根據圖9的實施例，多個銷140分別貫通多個第一貫通孔162a的端部區域而形成，從而，能夠防止在多個銷140的升降運轉時第一夾圈162的中心位置向半徑方向扭曲。第二夾圈164的中心位置也可藉助於貫通多個第二貫通孔164a的多個銷140而防止向半徑方向扭曲。
圖10為表示本發明的又另一實施例的基板處理裝置的一部分的截面圖；圖11及圖12為用於說明圖10的實施例的基板處理裝置的動作的截面圖。圖10至圖12的實施例的基板處理裝置彎曲變形防止裝置130與上面說明的實施例不同點為：包括3個支撐部件152、154、156和3個夾圈162、164、166。各個銷140包括越向上部直徑階段性地逐漸減少的銷部件 (下部銷142、中間銷144、上部銷146、第四銷部件148)。
各個支撐部件152、154、156形成越向上部直徑逐漸減少的截頭圓錐形狀。支撐部件152、154、156中第一支撐部件152的平均直徑最大，第二支撐部件154的平均直徑相比第一支撐部件152減少，第三支撐部件156的平均直徑相比第二支撐部件156減少。
支撐部件152、154、156中第一支撐部件152形成最大的平均直徑，第二支撐部件154的平均直徑相比第一支撐部件152的平均直徑減少，第三支撐部件156的平均直徑相比第二支撐部件156的平均直徑減少。
第一支撐部件152形成於第一銷部件142與第二銷部件(中間銷144)之間。第二支撐部件154設置在第二銷部件(中間銷144)與第三銷部件(上部銷146)之間。第三支撐部件156設置在第三銷部件(上部銷146)與第四銷部件148之間。
第一夾圈162的第一貫通孔162a形成小於第一支撐部件152的最大直徑(下部直徑)且大於最小直徑(上部直徑)的直徑。第二夾圈164的第二貫通孔164a形成小於第二支撐部件154的最大直徑(下部直徑)且大於最小直徑(上部直徑)的直徑。
第三夾圈166的第三貫通孔166a形成小於第三支撐部件156的最大直徑(下部直徑)且大於最小直徑(上部直徑)的直徑。從而，第一夾圈162能夠被第一支撐部件152支撐。類似地，第二夾圈164被第二支撐部件154支撐，第三夾圈166被第三支撐部件154支撐。
圖10中多個銷140以下降第一高度的狀態向基板10的周圍區域只施加第一夾圈162的荷重。當銷140再下降而下降第二高度時，向基板10的周圍區域施加第一夾圈162的荷重且還施加第二夾圈164的荷重，因此，向基板10施加更大的夾具荷重。
並且，多個銷140更下降而下降第三高度時，在基板10的周圍區域不僅施加第一夾圈162和第二夾圈164的荷重，第三夾圈166的荷重也向基板10的周圍區域施加，從而，向基板10的周圍區域施加的夾具荷重更加大。
相反地，當多個銷140上升時，首先，第三支撐部件156與第三夾圈166的底面接觸而將第三夾圈166抬升。然後，多個銷140更上升時，第二支撐部件154與第二夾圈164的底面接觸而將第二夾圈164抬升。
然後，多個銷140更上升時，第一支撐部件152與第一夾圈162的底面接觸而將第一夾圈162抬升。如上述地，在基板10的周圍區域上安置的所有夾圈162、164、166向上部移動時，可搬運基板10。
圖10至圖12的實施例的基板處理裝置，根據基板(10)及/或基板處理技術在基板(10)的周圍區域選擇性地安置1個夾圈、2個夾圈、或3個夾圈，從而，以3個荷重模式不同地調整向基板(10)的周圍區域施加的夾具荷重。
並且，雖未圖示，也可使用4個以上的夾圈而將向基板(10)的周圍區域施加的夾具荷重藉由4個以上的荷重模式進行調整。並且，也可適用不同重量的夾圈，藉由調整多個銷(140)的升降高度不同地變更向基板(10)施加的夾具荷重。
以上的詳細說明示例本發明。並且，上述的內容是表示說明本發明的較佳實施形態，本發明可在各種不同的組合、變更及環境下使用。即，在本說明書中公開的發明的概念的範圍、說明的公開內容和均等的範圍及/或本發明的技術或知識的範圍內可進行變更或修改。
上述的實施例用於說明為體現本發明的技術思想的最佳的狀態，也可進行本發明的詳細的適用領域和用途中所需的各種變更。因此，以上的發明的詳細說明並非為了藉由揭露的實施狀態限定本發明。並且，附加的申請專利範圍還包括其他實施形態。
[本發明的有益效果]
根據本發明的實施例，提供一種根據基板或基板處理技術控制在基板上安置的夾圈的個數，從而，能夠有效地防止基板的彎曲變形(warpage)的基板處理裝置及基板處理方法。
10:基板 100:基板處理裝置 100a:腔室 110:支撐卡盤 111:導環 112:絕緣體 113:排氣環 120:處理部 130:彎曲變形防止裝置 140、142、144、146:銷 148:銷部件 150、152、154、156:支撐部件 160、162、164、166:夾圈 162a、164a、166a:貫通孔 162b:圓盤 162c:荷重施加盤 170:升降驅動部 180:控制部 D1~D4:直徑 S10~S30:步驟
圖1為概略表示本發明的實施例的基板處理裝置的截面圖。
圖2為表示構成本發明的實施例的基板處理裝置的彎曲變形防止裝置的立體圖。
圖3為擴大表示圖2的A部的一部分的立體圖。
圖4為表示藉助於本發明的實施例的基板處理裝置在基板的周圍區域安置一個夾圈的運轉狀態的截面圖。
圖5為圖4的B部的擴大圖。
圖6為表示藉助於本發明的實施例的基板處理裝置在基板的周圍區域安置兩個夾圈的運轉狀態的截面圖。
圖7為圖6的C部的擴大圖。
圖8為本發明的實施例的基板處理方法的順序圖。
圖9為本發明的另一實施例的基板處理裝置的一部分的立體圖。
圖10為表示本發明的又另一實施例的基板處理裝置的一部分的截面圖。
圖11及圖12為用於說明圖10的實施例的基板處理裝置的動作的截面圖。
10:基板
100:基板處理裝置
100a:腔室
110:支撐卡盤
111:導環
112:絕緣體
113:排氣環
120:處理部
130:彎曲變形防止裝置
140:銷
150、152、154:支撐部件
160、162、164:夾圈
170:升降驅動部
180:控制部

Claims (14)

  1. 一種基板處理裝置，作為用於處理基板的基板處理裝置，其包括： 支撐卡盤，其用於支撐所述基板；及 彎曲變形防止裝置，其在所述支撐卡盤上支撐的所述基板的周圍區域安置一個以上的夾圈，而向所述基板的周圍區域施加荷重，從而，防止所述基板的彎曲變形，且 所述彎曲變形防止裝置藉由調整在所述基板的周圍區域安置的所述夾圈的個數而調整向所述基板的周圍區域施加的荷重。
  2. 如請求項1所述的基板處理裝置，其中， 所述彎曲變形防止裝置包括： 多個銷，其沿著所述支撐卡盤的周圍配置，並由上下方向延伸； 多個支撐部件，其在多個所述銷沿著上下方向設置，而將所述夾圈由水平方向支撐； 多個所述夾圈，其形成有使得多個所述銷貫通的貫通孔，並且，形成能夠加壓所述基板的周圍區域的環形狀，分別被多個所述支撐部件支撐； 升降驅動部，其使得多個所述銷升降驅動；及 控制部，其控制所述升降驅動部而使得多個所述銷升降驅動，以便藉由多個所述銷的升降高度調整在所述基板的周圍區域安置的所述夾圈的個數。
  3. 如請求項1所述的基板處理裝置，其中， 多個所述支撐部件包括： 多個第一支撐部件，其在多個所述銷的第一位置形成；及 多個第二支撐部件，其在相比多個所述銷的所述第一位置更高的第二位置形成， 多個所述夾圈包括： 第一夾圈，其在多個所述第一支撐部件上被支撐，並且，形成有使得多個所述銷貫通的多個第一貫通孔；及 第二夾圈，其在多個所述第二支撐部件上被支撐，並且，形成有使得多個所述銷貫通的多個第二貫通孔，且 多個所述第一貫通孔和多個所述第二貫通孔形成不同的大小或不同的形狀。
  4. 如請求項3所述的基板處理裝置，其中， 所述第一貫通孔形成無法使得多個所述第一支撐部件貫通且同時使得多個所述第二支撐部件貫通的形狀， 所述第二貫通孔形成無法使得多個所述第二支撐部件貫通的形狀。
  5. 如請求項1所述的基板處理裝置，其中， 所述控制部根據所述基板的材質及基板處理技術中的至少一個而決定多個所述銷的升降高度，且 根據決定的所述升降高度使得多個所述銷升降，由此，調整在所述基板的周圍區域安置的所述夾圈的個數。
  6. 如請求項3所述的基板處理裝置，其中， 所述第一支撐部件及所述第二支撐部件分別在所述銷的周圍部分突出形成， 所述第一貫通孔形成有使得所述銷貫通且無法使得所述第一支撐部件貫通並同時使得所述第二支撐部件貫通的第一直徑， 所述第二貫通孔形成有相比所述第一直徑更小的第二直徑，而使得所述銷貫通且所述第二支撐部件無法貫通。
  7. 如請求項3所述的基板處理裝置，其中， 多個所述銷藉由所述控制部及所述升降驅動部下降時，在所述基板的周圍區域安置的所述夾圈的個數增加， 多個所述銷藉由所述控制部及所述升降驅動部上升時，在所述基板的周圍區域安置的所述夾圈的個數減少。
  8. 如請求項3所述的基板處理裝置，其中， 所述第一支撐部件形成上窄下寬或上狹下廣的接頭圓錐形狀。
  9. 如請求項8所述的基板處理裝置，其中， 所述第一支撐部件的下部直徑大於所述第一貫通孔的直徑，所述第一支撐部件的上部直徑與所述第一貫通孔的直徑相同或小於所述第一貫通孔的直徑。
  10. 如請求項3所述的基板處理裝置，其中， 所述第一夾圈和所述第二夾圈由上下方向分隔配置， 所述升降驅動部使得多個所述銷驅動升降所述第一夾圈與所述第二夾圈之間的分隔距離以上。
  11. 如請求項3所述的基板處理裝置，其中， 所述控制部從控制所述升降驅動部使得多個所述銷下降第一高度而在所述基板的周圍區域安置所述第一夾圈的第一模式和控制所述升降驅動部使得多個所述銷下降第二高度而在所述基板的周圍區域安置所述第一夾圈及所述第二夾圈的第二模式中選擇一個，而調整向所述基板施加的夾具荷重。
  12. 一種基板處理方法，作為藉由請求項1至11中的任一項所述的基板處理裝置將基板進行處理的基板處理方法，其包括以下步驟： 藉由彎曲變形防止裝置在支撐卡盤上支撐的所述基板的周圍區域安置一個以上的夾圈而向所述基板的周圍區域施加荷重，從而，能夠防止所述基板的彎曲變形的步驟，且 防止所述彎曲變形的步驟包括： 藉由控制部根據所述基板的材質及基板處理技術中的至少一個，決定沿著所述支撐卡盤的周圍配置並由上下方向延伸的多個銷的升降高度的步驟；及 根據所述升降高度藉由升降驅動部使得多個所述銷升降驅動，由此，使得在多個所述銷由上下方向設置的多個支撐部件上支撐的多個夾圈升降，而能夠調整在所述基板的周圍區域安置的所述夾圈的個數的步驟。
  13. 如請求項12所述的基板處理方法，其中， 藉由所述控制部及所述升降驅動部使得多個所述銷下降時，在所述基板的周圍區域安置的所述夾圈的個數增加， 藉由所述控制部及所述升降驅動部使得多個所述銷上升時，在所述基板的周圍區域安置的所述夾圈的個數減少。
  14. 如請求項12所述的基板處理方法，其中， 防止所述彎曲變形的步驟包括以下步驟： 藉由所述控制部從控制所述升降驅動部使得多個所述銷下降第一高度而在所述基板的周圍區域安置第一夾圈的第一模式和控制所述升降驅動部使得多個所述銷下降第二高度而在所述基板的周圍區域安置所述第一夾圈及第二夾圈的第二模式中選擇一個，由此，調整向所述基板施加的夾具荷重。
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