TW202222483A - 邊緣修整方法 - Google Patents
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- 238000009966 trimming Methods 0.000 title claims abstract description 38
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 35
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims abstract description 144
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 81
- 239000000463 material Substances 0.000 description 35
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 8
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 8
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
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- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
- B28D5/02—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by rotary tools, e.g. drills
- B28D5/022—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by rotary tools, e.g. drills by cutting with discs or wheels
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/27—Work carriers
- B24B37/30—Work carriers for single side lapping of plane surfaces
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B7/00—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor
- B24B7/20—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground
- B24B7/22—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain
- B24B7/228—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain for grinding thin, brittle parts, e.g. semiconductors, wafers
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B9/00—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor
- B24B9/02—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground
- B24B9/06—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground of non-metallic inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain
- B24B9/065—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground of non-metallic inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain of thin, brittle parts, e.g. semiconductors, wafers
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
- B28D5/0058—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material
- B28D5/0082—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material for supporting, holding, feeding, conveying or discharging work
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
- B28D5/02—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by rotary tools, e.g. drills
- B28D5/022—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by rotary tools, e.g. drills by cutting with discs or wheels
- B28D5/026—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by rotary tools, e.g. drills by cutting with discs or wheels with a cutting blade carried by a movable arm, e.g. pivoted
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B24B27/00—Other grinding machines or devices
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Computer Hardware Design (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
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Abstract
[課題]讓磨削時產生之端材的體積變小。
[解決手段]提供一種邊緣修整方法,是對在外周部具有倒角部之被加工物的外周部進行切削,前述邊緣修整方法具備以下步驟:切入步驟,在以工作夾台的保持面保持被加工物之保持步驟之後,使旋轉之切削刀片與工作夾台相對移動來將切削刀片切入被加工物的外周部;切削步驟,在切入步驟之後,藉由旋轉工作夾台來切削被加工物的外周部,而形成環狀的落差;及移動步驟,在切削步驟之後,為了形成相鄰於落差之環狀的其他落差,而在切削刀片的旋轉軸方向上移動切削刀片,前述邊緣修整方法藉由以切入步驟、切削步驟與移動步驟的順序來重複進行,而在外周部形成厚度隨著從被加工物的最外周端朝向內側而增加之階梯狀的傾斜區域。
Description
本發明是有關於一種對外周部具有倒角部之被加工物的外周部進行切削之邊緣修整方法。
在半導體器件晶片的製造步驟中,為了將以矽等之半導體材料所形成之圓盤狀的半導體晶圓(亦即被加工物)薄化,通常會將位於和形成有器件之正面側為相反側之被加工物的背面側均勻地磨削。
然而,由於在被加工物的正面側、背面側的各外周部通常形成有倒角部(也稱為斜角部),所以當磨削被加工物的背面側而將被加工物形成為例如一半以下的厚度時,會在正面側的外周部形成所謂的刀緣(也稱為銳利邊緣)。薄化後的被加工物會有以此刀緣為起點而破損之疑慮。
於是,為了防止破損,已有以下之手法被提出:在被加工物的磨削前,進行去除被加工物的正面側的倒角部之邊緣修整,並在此邊緣修整之後,磨削被加工物的背面側(參照例如專利文獻1)。
然而,若在邊緣修整後磨削被加工物的背面側,會有以下情形:伴隨磨削的衝擊等,相對較大之(例如5cm左右之)圓弧狀的區域會從背面側的外周部缺損而成為端材。像這樣的相對較大之端材,由於無法以通常設於磨削裝置之磨削屑的回收機構來回收,因此每當產生端材時,作業人員必須以人工作業方式來回收端材。
先前技術文獻
專利文獻
專利文獻1:日本特開2000-173961號公報
發明欲解決之課題
本發明是有鑒於所述之問題點而作成的發明,其目的在讓磨削時產生之端材的體積變小。
用以解決課題之手段
根據本發明的一個態樣,可提供一種邊緣修整方法,是對在外周部具有倒角部之被加工物的該外周部進行切削,前述邊緣修整方法具備以下步驟:
保持步驟,以工作夾台的保持面保持該被加工物;
切入步驟,在該保持步驟之後,使旋轉之切削刀片與該工作夾台相對移動來將該切削刀片切入該被加工物的該外周部;
切削步驟,在該切入步驟之後,藉由旋轉該工作夾台來切削該被加工物的該外周部,而形成環狀的落差;及
移動步驟,在該切削步驟之後,為了形成相鄰於該落差之環狀的其他落差,而在該切削刀片的旋轉軸方向上移動該切削刀片,
前述邊緣修整方法藉由以該切入步驟、該切削步驟與該移動步驟的順序來重複進行,而在該外周部形成厚度隨著從該被加工物的最外周端朝向內側而增加之階梯狀的傾斜區域。
根據本發明的其他態樣,可提供一種邊緣修整方法,是對在外周部具有倒角部之被加工物的該外周部進行切削,前述邊緣修整方法具備以下步驟:
保持步驟,以工作夾台的保持面保持該被加工物;及
加工步驟,在該保持步驟之後,同時進行以下動作:使旋轉之切削刀片與該工作夾台相對移動來將該切削刀片切入該被加工物的該外周部;旋轉該工作夾台;及在該切削刀片的旋轉軸方向上移動該切削刀片,
在該加工步驟中,是在該外周部形成傾斜區域,前述傾斜區域是厚度隨著從該被加工物的最外周端朝向內側而增加之階梯狀的區域,且在頂視觀看該傾斜區域的情況下複數個落差的底面形成為螺旋狀。
發明效果
在本發明之一態樣的邊緣修整方法中,在外周部形成厚度隨著從被加工物的最外周端朝向內側而增加之階梯狀的傾斜區域。藉此,在例如去除正面側的倒角部並磨削背面側的情況下,一開始就難以產生端材。
又,即使假設產生有端材,和磨削了藉由以往的邊緣修整方法而僅形成有1個落差之被加工物的背面側的情況下所產生之圓弧狀的端材相比較,仍然可以讓端材的體積以及圓弧的長度變小。因此,即使假設產生有端材,仍然有很高的可能性可以用通常設置於磨削裝置之磨削屑回收機構來回收此端材,而可以將作業人員以人工作業方式回收端材的頻率減少。
用以實施發明之形態
參照附加圖式,說明本發明的一個態樣之實施形態。首先,參照圖1來說明施行邊緣修整之被加工物11。被加工物11是例如以矽等的半導體材料所形成之圓盤狀的晶圓。
被加工物11具有例如約300mm的直徑、及100μm以上且800μm以下之預定的厚度。被加工物11的正面11a側藉由互相交叉之複數條分割預定線(切割道)13而被區劃成複數個區域。
在各區域形成有IC(積體電路,Integrated Circuit)、LSI(大型積體電路,Large Scale Integration)等之器件15。複數個器件15已配置在圓形的器件區域17a。
在器件區域17a的外側,以包圍器件區域17a的周圍的方式存在不具有器件15之環狀的外周剩餘區域17b。在圖1中,為了方便而以一點鏈線來表示器件區域17a與外周剩餘區域17b的交界線。
在正面11a側的外周部11c與背面11b側的外周部11c的每一個外周部11c,涵蓋外周部11c的一圈而形成有已將角部倒角之倒角部11d(也稱為斜角部)(參照圖2(A))。
在對被加工物11施行邊緣修整的情況下,可使用切削裝置2。如圖1所示,切削裝置2具有圓盤狀的工作夾台4。工作夾台4具有以非多孔質的樹脂所形成之圓盤狀的框體。
在框體的上部形成有圓盤狀的凹部(未圖示),且在此凹部固定有以多孔質陶瓷所形成之圓盤狀的多孔質板。多孔質板的上表面和框體的上表面大致面齊平,且配置成相對於和切削裝置2的上下方向(Z軸方向)大致正交的水平面(X-Y平面)大致平行。
在多孔質板的上表面,可透過設置於框體中的流路(未圖示)而由噴射器等之吸引源(未圖示)傳達負壓。多孔質板的上表面與框體的上表面是作為吸引並保持被加工物11之保持面4a而發揮功能(參照圖2(A))。
在工作夾台4的下部連結有馬達等的第1旋轉驅動源的輸出軸(未圖示)。當使第1旋轉驅動源動作時,工作夾台4會以輸出軸作為旋轉軸4b(參照圖3(A))而朝預定的方向旋轉。
在第1旋轉驅動源的下方配置有用於使工作夾台4朝X軸方向移動之滾珠螺桿式的X軸移動機構(未圖示)。在保持面4a的上方配置有切削單元6(參照圖2(A))。
參照圖2(A)來說明切削單元6的構成。切削單元6具有大致圓筒狀的主軸殼體8。於主軸殼體8連結有用於使切削單元6沿著Z軸方向上下移動之滾珠螺桿式的Z軸移動機構(未圖示)。
在Z軸移動機構連結有用於使切削單元6沿著Y軸方向移動之滾珠螺桿式的Y軸移動機構(未圖示)。再者,X軸方向、Y軸方向以及Z軸方向是互相正交的方向。
在主軸殼體8以可旋轉的方式容置有大致平行於Y軸方向地配置之圓柱狀的主軸10的一部分。在主軸10的一端部(基端部)設置有伺服馬達等之第2旋轉驅動源。
在主軸10的另一端部(前端部)裝設有圓環狀的切削刀片12。再者,在本實施形態中,所使用的是具有與外周剩餘區域17b大致相同寬度(例如約3mm)的刀刃厚度之切削刀片12。
在圖2(A)中,雖然是顯示不具有圓環狀的基台而僅由切刃所構成之無輪轂型(也稱為墊圈型)的切削刀片12,但亦可取代於此,而使用具有基台以及切刃之輪轂型的切削刀片12。
接著,參照圖1至圖8,說明對正面11a側的外周部11c進行切削之第1實施形態的邊緣修整方法。首先,如圖1所示,將被加工物11以被加工物11的背面11b接觸於保持面4a的方式來載置在保持面4a。
在載置時,是使正面11a側的中心與保持面4a的中心在X-Y平面方向上大致一致。此時,被加工物11的厚度方向是成為和Z軸方向大致平行。接著,使負壓作用在多孔質板的上表面,而以保持面4a來吸引保持被加工物11(保持步驟S10)。
圖1是顯示保持步驟S10的圖。在保持步驟S10之後,使主軸10旋轉,而使切削刀片12繞著旋轉軸10a旋轉。不過,工作夾台4是不旋轉而設成靜止狀態。
然後,將切削單元6以及工作夾台4的各個位置調整成:主軸10的旋轉軸10a的延長線和工作夾台4的旋轉軸4b(參照圖3(A))的延長線相交,且切削刀片12位於外周部11c的正上方。
接著,藉由使切削刀片12與工作夾台4相對移動,而將切削刀片12切入正面11a側的外周部11c(切入步驟S20)。在本實施形態中,是藉由以Z軸移動機構使切削單元6朝下方移動,而藉由所謂的切斷切割(chopper cut)來使切削刀片12切入。
在切入步驟S20中,是以切削刀片12正交於正面11a的方式,將切削刀片12切入外周部11c。自正面11a往背面11b之切入量是設定為未到達背面11b之預定的深度(例如100μm至200μm)。
圖2(A)是顯示切入步驟S20之切削裝置2的局部剖面側視圖,圖2(B)是顯示切入步驟S20之切削裝置2的立體圖。
再者,在切入步驟S20中,亦可取代切斷切割,而以使切削單元6與工作夾台4在X軸方向上相對移動之作法來將切削刀片12切入正面11a側的外周部11c。
切入步驟S20之後,在仍使切削刀片12旋轉的狀態下,固定切削單元6的位置。在此狀態下,藉由使工作夾台4繞著旋轉軸4b旋轉大致1圈,而在正面11a側的外周部11c形成環狀的落差11e
1(參照圖3(A))(切削步驟S30)。
再者,在切削步驟S30中,只要使工作夾台4旋轉1圈以上即可,亦可使其旋轉1.5圈或旋轉2圈。無論如何,可以藉由對正面11a側的外周部11c部分地進行切削,而形成環狀的落差11e
1。
圖3(A)是顯示切削步驟S30之切削裝置2的局部剖面側視圖,圖3(B)是顯示切削步驟S30之切削裝置2的立體圖。在切削步驟S30之後,判斷所形成之落差的數量是否在預定數量以上(判斷步驟S40)(參照圖7)。
判斷步驟S40是例如控制切削裝置2的動作之控制單元(未圖示)依據切削單元6的移動動作之資訊來判斷。控制單元可藉由電腦來構成,前述電腦包含例如以CPU(中央處理單元,Central Processing Unit)為代表之處理器(處理裝置)、DRAM(動態隨機存取記憶體,Dynamic Random Access Memory)、SRAM(靜態隨機存取記憶體,Static Random Access Memory)、ROM(唯讀記憶體,Read Only Memory)等之主記憶裝置、及快閃記憶體、硬碟驅動機、固態硬碟等之輔助記憶裝置。
在輔助記憶裝置中記憶有包含預定的程式之軟體。可藉由依照此軟體使處理裝置等動作,而實現控制單元的功能。不過,亦可為作業人員進行判斷來取代控制單元。
落差的數量是設定為2個以上之預定數量(在本實施形態中為4個)。在本實施形態中,由於要形成4個落差(在S40中為「否」),因此會前進到移動步驟S50。但是,在已形成有4個落差的情況下(在S40中為「是」),即結束邊緣修整。
緊接在第1次切削步驟S30之後的移動步驟S50中,是例如將工作夾台4設為靜止狀態。然後,為了形成相鄰於落差11e
1的外側之環狀的其他落差11e
2(參照圖5(B)),使切削刀片12往保持面4a的外側移動。
具體而言,是利用Y軸移動機構,使切削單元6沿著旋轉軸10a方向(亦即Y軸方向)往保持面4a的外側移動相當於微小距離(例如0.75mm)。圖4(A)是顯示移動步驟S50之切削裝置2的局部剖面側視圖。
圖4(B)是移動步驟S50中的被加工物11的外周部11c的放大剖面圖。如圖4(B)所示,在移動步驟S50中,是伴隨於切削單元6的移動,使切削刀片12往保持面4a的外側移動相當於以箭頭所示之微小距離。
再者,在移動步驟S50中,亦可在已使工作夾台4接續於切削步驟S30而旋轉之狀態下,使切削刀片12往保持面4a的外側移動。在移動步驟S50之後,返回到切入步驟S20。
在第2次的切入步驟S20中,是將工作夾台4設為靜止狀態,並讓旋轉中的切削刀片12朝落差11e
1切入到比落差11e
1的底面更深且未到達背面11b之預定的深度為止。
圖5(A)是顯示第2次的切入步驟S20之被加工物11的外周部11c的放大剖面圖。在第2次的切入步驟S20之後,藉由使工作夾台4旋轉至少1圈,而在落差11e
1的外側形成落差11e
2(第2次的切削步驟S30)。
圖5(B)是第2次的切削步驟S30之後的外周部11c的放大剖面圖。由於在第2次的切削步驟S30之後,在S40中為「否」,因此使切削刀片12朝保持面4a的外側移動相當於微小距離(第2次的移動步驟S50)。
在本實施形態中,是以切入步驟S20、切削步驟S30與移動步驟S50的順序來重複進行。藉此,在外周部11c形成厚度隨著從被加工物11的最外周端11c
1(參照圖6(A))朝向被加工物11的徑方向的內側而增加之階梯狀的傾斜區域11f。
圖6(A)是邊緣修整之後的被加工物11的外周部11c的放大剖面圖,圖6(B)是邊緣修整之後的被加工物11的整體的剖面圖。又,圖7是顯示邊緣修整方法的流程圖。
本實施形態的傾斜區域11f雖然是以4個落差11e
1、11e
2、11e
3以及11e
4來構成,但落差的數量並非限定為4個。傾斜區域11f具有至少2個落差,所期望的是具有3個以上的落差。
在傾斜區域11f之形成後,使用磨削裝置14(參照圖8(A))來磨削被加工物11的背面11b側。磨削裝置14具有圓盤狀的工作夾台16。工作夾台16具有吸引保持正面11a側之保持面16a。
在工作夾台16的下部連結有伺服馬達等的第3旋轉驅動源的輸出軸(未圖示)。當使第3旋轉驅動源動作時,工作夾台16會以繞著預定的旋轉軸16b的方式旋轉。
在保持面16a的上方配置有磨削單元18。磨削單元18具有朝Z軸方向大致平行地配置且作為旋轉軸18a而發揮功能之圓柱狀的主軸。在主軸的下端部透過輪座而裝設有圓環狀的磨削輪20。
在背面11b側的磨削時,首先會為了降低對器件15的損傷,而在正面11a側貼附樹脂製的保護膠帶(未圖示)。並且,以保持面16a隔著保護膠帶來吸引保持正面11a側。
接著,在使工作夾台16以及磨削輪20朝預定的方向旋轉的狀態下,將磨削單元18朝下方磨削進給。隨著背面11b側被磨削,被加工物11會逐漸地變薄。
圖8(A)是顯示磨削背面11b側之情形的圖。在本實施形態中,由於在外周部11c形成有階梯狀的傾斜區域11f,因此即使磨削背面11b側,端材本身仍難以產生。
但是,當將被加工物11薄化一定程度時,會伴隨於磨削的衝擊等,而在背面11b側的外周部11c產生缺損,也會有此缺損成為端材19之情形(參照圖8(B))。圖8(B)是圖8(A)所示之區域22的放大圖。
但是,在本實施形態中,由於形成有階梯狀的傾斜區域11f,因此即使假設產生有端材19,和磨削了藉由以往的邊緣修整方法而僅形成有1個落差之被加工物11的背面11b側的情況下所產生之圓弧狀的端材19相比較,仍然可以讓端材19的體積以及圓弧的長度變小。
因此,即使假設產生有端材19,仍然有很高的可能性可以用通常設置於磨削裝置14之磨削屑回收機構(未圖示)來回收此端材19,而可以讓作業人員以人工作業方式回收端材19的頻率減少。
圖9(A)是顯示對以比較例之邊緣修整方法所形成之僅具有1個落差的被加工物11的背面11b側進行磨削之情形的圖,圖9(B)是圖9(A)所示之區域24的放大圖。
於對在外周部11c僅形成有1個落差之被加工物11的背面11b側進行磨削的情況下,如圖9(B)所示,會因為落差而產生破裂,且變得容易產生端材19。又,由於所產生之端材19相較於第1實施形態的端材19,體積變得較大,因此每當產生端材19時,作業人員必須以人工作業方式回收端材19。
其次,針對第1實施形態的變形例來說明。在第1實施形態中,是從正面11a的中心朝向外周部11c(亦即朝外側方向)依序形成了落差11e
1至11e
4。
但是,在變形例中,是從正面11a的外周部11c朝向正面11a的中心部(亦即朝向內側方向)依序形成了落差11e
1至11e
4。圖10(A)是顯示變形例之第1次的切入步驟S20的圖,圖10(B)是顯示形成複數個落差11e
1到11e
4之順序的圖。
再者,圖10(B)中的複數個箭頭是顯示在移動步驟S50中的切削刀片12的移動之方向以及量。在該變形例中,也是和第1實施形態同樣,可以在外周部11c形成厚度隨著從最外周端11c
1朝向被加工物11的徑方向的內側而增加之階梯狀的傾斜區域11f。
其次,說明第2實施形態。圖11是第2實施形態之邊緣修整方法的流程圖。在第2實施形態中,是在保持步驟S10之後,在外周部11c形成厚度隨著從最外周端11c
1朝向被加工物11的徑方向的內側而增加之階梯狀的傾斜區域11f(加工步驟S22)。
不過,在加工步驟S22中會同時地進行以下動作:將切削刀片12切入被加工物11的外周部11c;使工作夾台4旋轉;及在主軸10的旋轉軸10a方向上移動切削刀片12。
在加工步驟S22中的切削刀片12的切入中,是藉由以Z軸移動機構使切削單元6朝下方移動,而使旋轉之切削刀片12與工作夾台4相對移動。亦即,藉由所謂的切斷切割來使切削刀片12切入。再者,隨著時間的經過而逐漸地增加切入深度。
此外,在加工步驟S22中的切削刀片12的移動中,是利用Y軸移動機構,而隨著時間的經過逐漸地使切削單元6沿著Y軸方向從保持面4a的內側往外側移動。
藉此,將外周部11c加工成:在從頂視觀看傾斜區域11f的情況下,複數個落差11e
1、11e
2、11e
3以及11e
4的底面成為螺旋狀(參照圖12)。圖12是加工後的被加工物11的頂視圖。
再者,在加工步驟S22中的切削刀片12的移動中,亦可和上述之變形例同樣地,使已切入外周剩餘區域17b的外側之切削刀片12從外周剩餘區域17b的外側往內側移動。不過,在此情況下,會隨著時間的經過而逐漸地減少切入深度。
在第2實施形態中,也是和第1實施形態同樣,即使磨削背面11b側,端材19本身仍難以產生。又,即使假設產生有端材19,和磨削了藉由以往的邊緣修整方法而僅形成有1個落差之被加工物11的背面11b側的情況下所產生之圓弧狀的端材19相比較,仍然可以讓端材19的體積以及圓弧的長度變小。
因此,即使假設產生有端材19,仍然有很高的可能性可以用通常設置於磨削裝置14之磨削屑回收機構(未圖示)來回收此端材19,而可以讓作業人員以人工作業方式回收端材19的頻率減少。
其次,說明第3實施形態。圖13(A)是顯示使用了具有比外周剩餘區域17b的寬度更大之刀刃厚度的切削刀片12a的第3實施形態之邊緣修整方法的圖。
在使用切削刀片12a的情況下,也可以進行第1以及第2實施形態還有上述之變形例的任一種。刀刃厚度越厚,即使對刀刃厚度方向施加應力也難以讓切削刀片變形。因此,切削刀片12a會特別適合於形成第2實施形態中所說明之螺旋狀的傾斜區域11f。
其次,說明第4實施形態。圖13(B)是顯示使用具有比外周剩餘區域17b的寬度更小之刀刃厚度的切削刀片12b的第4實施形態之邊緣修整方法的圖。
在使用切削刀片12b的情況下,也可以進行第1以及第2實施形態還有上述之變形例的任一種。尤其是,在使用切削刀片12b的情況下,由於是以切削刀片12b的外周側面的整體來切削被加工物11,所以相較於刀刃厚度較厚的切削刀片12a,具有難以產生偏磨耗之優點。
另外,上述實施形態之構造、方法等,只要在不脫離本發明之目的之範圍內,均可適當變更而實施。
2:切削裝置
4,16:工作夾台
4a,16a:保持面
4b,10a,16b,18a:旋轉軸
6:切削單元
8:主軸殼體
10:主軸
11:被加工物
11a:正面
11b:背面
11c:外周部
11c
1:最外周端
11d:倒角部
11e
1,11e
2,11e
3,11e
4:落差
11f:傾斜區域
12,12a,12b:切削刀片
13:分割預定線
14:磨削裝置
15:器件
17a:器件區域
17b:外周剩餘區域
18:磨削單元
19:端材
20:磨削輪
22,24:區域
Z:方向
S10:保持步驟
S20:切入步驟
S22:加工步驟
S30:切削步驟
S40:判斷步驟
S50:移動步驟
圖1是顯示保持步驟的圖。
圖2(A)是顯示切入步驟之切削裝置的局部剖面側視圖,圖2(B)是顯示切入步驟之切削裝置的立體圖。
圖3(A)是顯示切削步驟之切削裝置的局部剖面側視圖,圖3(B)是顯示切削步驟之切削裝置的立體圖。
圖4(A)是顯示移動步驟之切削裝置的局部剖面側視圖,圖4(B)是被加工物的外周部的放大剖面圖。
圖5(A)是顯示第2次的切入步驟之被加工物的外周部的放大剖面圖,圖5(B)是第2次的切削步驟之後的外周部的放大剖面圖。
圖6(A)是邊緣修整之後的被加工物的外周部的放大剖面圖,圖6(B)是邊緣修整之後的被加工物的整體的剖面圖。
圖7是顯示邊緣修整方法的流程圖。
圖8(A)是顯示磨削被加工物的背面側之情形的圖,圖8(B)是圖8(A)所示之區域的放大圖。
圖9(A)是顯示對以比較例之邊緣修整方法所形成之僅具有1個落差的被加工物的背面側進行磨削之情形的圖,圖9(B)是圖9(A)所示之區域的放大圖。
圖10(A)是顯示變形例之第1次的切入步驟的圖,圖10(B)是顯示形成複數個落差之順序的圖。
圖11是第2實施形態之邊緣修整方法的流程圖。
圖12是加工步驟之後的被加工物的頂視圖。
圖13(A)是顯示使用了具有比外周剩餘區域的寬度更大之刀刃厚度的切削刀片之邊緣修整方法的圖,圖13(B)是顯示使用了具有比外周剩餘區域的寬度更小之刀刃厚度的切削刀片之邊緣修整方法的圖。
4:工作夾台
4a:保持面
11:被加工物
11a:正面
11b:背面
11c:外周部
11c1:最外周端
11e1,11e2,11e3,11e4:落差
11f:傾斜區域
Z:方向
Claims (2)
- 一種邊緣修整方法,對在外周部具有倒角部之被加工物的該外周部進行切削,前述邊緣修整方法的特徵在於: 具備以下步驟: 保持步驟,以工作夾台的保持面保持該被加工物; 切入步驟,在該保持步驟之後,使旋轉之切削刀片與該工作夾台相對移動來將該切削刀片切入該被加工物的該外周部; 切削步驟,在該切入步驟之後,藉由旋轉該工作夾台來切削該被加工物的該外周部,而形成環狀的落差;及 移動步驟,在該切削步驟之後,為了形成相鄰於該落差之環狀的其他落差,而在該切削刀片的旋轉軸方向上移動該切削刀片, 前述邊緣修整方法藉由以該切入步驟、該切削步驟與該移動步驟的順序來重複進行,而在該外周部形成厚度隨著從該被加工物的最外周端朝向內側而增加之階梯狀的傾斜區域。
- 一種邊緣修整方法,對在外周部具有倒角部之被加工物的該外周部進行切削,前述邊緣修整方法的特徵在於: 具備以下步驟: 保持步驟,以工作夾台的保持面保持該被加工物;及 加工步驟,在該保持步驟之後,同時進行以下動作: 使旋轉之切削刀片與該工作夾台相對移動來將該切削刀片切入該被加工物的該外周部; 旋轉該工作夾台;及 在該切削刀片的旋轉軸方向上移動該切削刀片, 在該加工步驟中,是在該外周部形成傾斜區域,前述傾斜區域是厚度隨著從該被加工物的最外周端朝向內側而增加之階梯狀的區域,且在頂視觀看該傾斜區域的情況下複數個落差的底面形成為螺旋狀。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020205661A JP7573935B2 (ja) | 2020-12-11 | 加工方法 | |
JP2020-205661 | 2020-12-11 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW202222483A true TW202222483A (zh) | 2022-06-16 |
Family
ID=81749930
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW110145091A TW202222483A (zh) | 2020-12-11 | 2021-12-02 | 邊緣修整方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20220184768A1 (zh) |
KR (1) | KR20220083607A (zh) |
CN (1) | CN114628230A (zh) |
DE (1) | DE102021213772A1 (zh) |
TW (1) | TW202222483A (zh) |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3515917B2 (ja) | 1998-12-01 | 2004-04-05 | シャープ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
CN104723186B (zh) * | 2013-12-20 | 2017-03-15 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | 钨硅合金的机械加工方法 |
CN104044087B (zh) * | 2014-06-18 | 2016-09-07 | 蓝思科技股份有限公司 | 一种蓝宝石抛光用铜盘及其修盘方法 |
JP6908464B2 (ja) * | 2016-09-15 | 2021-07-28 | 株式会社荏原製作所 | 基板加工方法および基板加工装置 |
WO2019124031A1 (ja) * | 2017-12-19 | 2019-06-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理システム、基板処理方法及びコンピュータ記憶媒体 |
US11538711B2 (en) * | 2018-07-23 | 2022-12-27 | Micron Technology, Inc. | Methods for edge trimming of semiconductor wafers and related apparatus |
-
2021
- 2021-11-16 US US17/455,062 patent/US20220184768A1/en active Pending
- 2021-12-02 TW TW110145091A patent/TW202222483A/zh unknown
- 2021-12-03 DE DE102021213772.5A patent/DE102021213772A1/de active Pending
- 2021-12-03 KR KR1020210171893A patent/KR20220083607A/ko active Search and Examination
- 2021-12-07 CN CN202111483398.5A patent/CN114628230A/zh active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN114628230A (zh) | 2022-06-14 |
DE102021213772A1 (de) | 2022-06-15 |
US20220184768A1 (en) | 2022-06-16 |
KR20220083607A (ko) | 2022-06-20 |
JP2022092769A (ja) | 2022-06-23 |
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