TW202221957A - 顯示裝置 - Google Patents

顯示裝置 Download PDF

Info

Publication number
TW202221957A
TW202221957A TW110139464A TW110139464A TW202221957A TW 202221957 A TW202221957 A TW 202221957A TW 110139464 A TW110139464 A TW 110139464A TW 110139464 A TW110139464 A TW 110139464A TW 202221957 A TW202221957 A TW 202221957A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
electrode
trench
organic layer
layer
sub
Prior art date
Application number
TW110139464A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI804018B (zh
Inventor
金城拓海
Original Assignee
日商日本顯示器股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商日本顯示器股份有限公司 filed Critical 日商日本顯示器股份有限公司
Publication of TW202221957A publication Critical patent/TW202221957A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI804018B publication Critical patent/TWI804018B/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/353—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels characterised by the geometrical arrangement of the RGB subpixels

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Diaphragms For Electromechanical Transducers (AREA)
  • Measuring Pulse, Heart Rate, Blood Pressure Or Blood Flow (AREA)
  • Vehicle Body Suspensions (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

根據一實施例，本實施形態之顯示裝置具備：基材；第1絕緣層，其配置於上述基材之上；第1電極，其配置於上述第1絕緣層之上；第2絕緣層，其配置於上述第1絕緣層之上，且具有與上述第1電極重疊之開口部、不與上述第1電極重疊之第1溝槽、及上述開口部與上述第1溝槽之間之第1面；有機層，其包含發光層；及第2電極，其覆蓋上述有機層；上述有機層具有：第1部分，其配置於上述開口部，覆蓋上述第1電極；第2部分，其配置於上述第1面；及第3部分，其配置於上述第1溝槽，與上述第2部分分開。

Description

顯示裝置
本發明之實施形態係關於一種顯示裝置。
近年，應用有機發光二極體(OLED：Organic Light Emitting Diode)作為顯示元件之顯示裝置不斷實用化。顯示元件於像素電極與共通電極之間具備有機層。有機層除發光層外，還包含有電洞輸送層或電子輸送層等之功能層。此種有機層例如藉由真空蒸鍍法形成。
例如，於形成積層有複數個功能層之有機層之情形時，於有機層之周邊部，功能層之端面不一致，有招致顯示元件之性能劣化之虞。
本實施形態之目的在於提供一種可抑制顯示元件之性能劣化之顯示裝置。
一實施形態之顯示裝置具有：基材；第1絕緣層，其配置於上述基材之上；第1電極，其配置於上述第1絕緣層之上；第2絕緣層，其配置於上述第1絕緣層之上，且具有與上述第1電極重疊之開口部、不與上述第1電極重疊之第1溝槽、及上述開口部與上述第1溝槽之間之第1面；有機層，其包含發光層；及第2電極，其覆蓋上述有機層；上述有機層具有：第1部分，其配置於上述開口部，覆蓋上述第1電極；第2部分，其配置於上述第1面；及第3部分，其配置於上述第1溝槽，與上述第2部分分開。
另一實施形態之顯示裝置具有：基材；第1絕緣層，其配置於上述基材之上；第1電極，其配置於上述第1絕緣層之上；第2絕緣層，其配置於上述第1絕緣層之上，且具有與上述第1電極重疊之開口部、不與上述第1電極重疊之第1溝槽、上述開口部與上述第1溝槽之間之第1面、隔著上述開口部位於上述第1溝槽之相反側之第2溝槽、及上述開口部與上述第2溝槽之間之第2面；有機層，其包含發光層；及第2電極，其覆蓋上述有機層；上述有機層具有：第1部分，其配置於上述開口部，覆蓋上述第1電極；第2部分，其配置於上述第1面；第3部分，其配置於上述第1溝槽，與上述第2部分分開；第4部分，其配置於上述第2面；及第5部分，其配置於上述第2溝槽，與上述第4部分相鄰。
根據本實施形態，可提供一種能抑制顯示元件之性能劣化之顯示裝置。
以下，關於本發明之實施形態，一面參照圖式一面進行說明。
另，揭示僅為一例，對於本領域技術人員可容易想到之確保發明主旨之適當變更者，當然為本發明之範圍所含者。又，圖式為了使說明更為明確，有與實際態樣相比，模式性表示各部之寬度、厚度及形狀等之情形，但僅為一例，並非限定本發明之解釋者。又，於本說明書與各圖中，有時對發揮與既出之圖式所述者相同或類似功能之構成要素，標註相同之參照符號，適當省略重複之詳細說明。
另，圖式中為了易於理解而視需要記載互相正交之X軸、Y軸、及Z軸。將沿著X軸之方向稱為X方向或第1方向，將沿著Y軸之方向稱為Y方向或第2方向，將沿著Z軸之方向稱為Z方向或第3方向。將藉由X軸及Y軸規定之面稱為X-Y平面，將藉由X軸及Z軸規定之面稱為X-Z平面。將觀察X-Y平面稱為俯視。
本實施形態之顯示裝置DSP係具備有機發光二極體(OLED)作為顯示元件之有機電致發光顯示裝置，搭載於電視、電腦、行動終端、行動電話等。
圖1係顯示本實施形態之顯示裝置DSP之一構成例之圖。顯示裝置DSP於絕緣性基材10之上具備顯示圖像之顯示部DA。基材10可為玻璃，亦可為具有可撓性之樹脂薄膜。
顯示部DA具備矩陣狀排列於第1方向X及第2方向Y之複數個像素PX。像素PX具備複數個副像素SP1、SP2、SP3。於一例中，像素PX具備紅色之副像素SP1、綠色之副像素SP2、及藍色之副像素SP3。另，像素PX除上述3色之副像素外，亦可具備加有白色等其他顏色之副像素之4個以上之副像素。
對包含於像素PX之1個副像素SP之一構成例簡單進行說明。
即，副像素SP具備像素電路1、與藉由像素電路1驅動控制之顯示元件20。像素電路1具備像素開關2、驅動電晶體3、及電容器4。像素開關2及驅動電晶體3係例如由薄膜電晶體構成之開關元件。
關於像素開關2，閘極電極連接於掃描線GL，源極電極連接於信號線SL，汲極電極連接於構成電容器4之一電極及驅動電晶體3之閘極電極。關於驅動電晶體3，源極電極連接於構成電容器4之另一電極及電源線PL，汲極電極連接於顯示元件20之陽極。顯示元件20之陰極連接於供電線FL。另，像素電路1之構成並不限於圖示之例。
顯示元件20係作為發光元件之有機發光二極體(OLED)。例如，副像素SP1具備出射與紅色波長對應之光之顯示元件，副像素SP2具備出射與綠色波長對應之光之顯示元件，副像素SP3具備出射與藍色波長對應之光之顯示元件。關於顯示元件20之構成予以後述。
圖2係顯示包含於像素PX之副像素之佈局之一例之圖。此處，著眼於圖1中以一點鏈線顯示之4個像素PX進行說明。
構成1個像素PX之副像素SP1、副像素SP2、及副像素SP3分別形成為於第2方向Y延伸之大致長方形狀，排列於第1方向X。若著眼於排列在第1方向X之2個像素PX，則相鄰之副像素之發光色互不相同。又，若著眼於排列在第2方向Y之2個像素PX，則相鄰之副像素之發光色相同。另，副像素SP1、副像素SP2、及副像素SP3各者之面積可相同，亦可互不相同。
圖3係包含於像素PX之副像素之佈局之另一例之圖。
構成1個像素PX之副像素SP1及副像素SP2排列於第2方向Y，副像素SP1及副像素SP3排列於第1方向X，副像素SP2及副像素SP3排列於第1方向X。副像素SP1形成為於第1方向X延伸之大致長方形狀，副像素SP2及副像素SP3形成為於第2方向Y延伸之大致長方形狀。副像素SP2之面積大於副像素SP1之面積，副像素SP3之面積大於副像素SP2之面積。另，副像素SP1之面積亦可與副像素SP2之面積相同。
若著眼於排列在第1方向X之2個像素PX，則於副像素SP1及副像素SP3交替配置之區域、及副像素SP2及副像素SP3交替配置之區域中，相鄰之副像素之發光色互不相同。
若著眼於排列在第2方向Y之2個像素PX，則於副像素SP1及副像素SP2交替配置之區域，相鄰之副像素之發光色互不相同。又，於複數個副像素SP3排列之區域，相鄰之副像素之發光色相同。
另，圖2及圖3所示之各副像素之外形相當於顯示元件之第1電極，或顯示元件之發光區域之外形，但係簡化而顯示者，未必反映出實際之形狀。
圖4係顯示顯示元件20之一例之剖視圖。
絕緣層(第1絕緣層)11配置於基材10之上。圖1所示之像素電路配置於基材10之上，由絕緣層11覆蓋，但此處省略圖示。絕緣層11相當於顯示元件20之基底層，例如為有機絕緣層。
絕緣層(第2絕緣層)12配置於絕緣層11之上。絕緣層12係例如有機絕緣層。絕緣層12以劃分顯示元件20或副像素之方式形成，有被稱為肋部、隔板等之情形。
顯示元件20具備第1電極E1、有機層OR、及第2電極E2。第1電極E1係配置於每個副像素或每個顯示元件之電極，有被稱為像素電極、下部電極、陽極等之情形。第2電極E2係對複數個副像素或複數個顯示元件共通配置之電極，有被稱為共通電極、對向電極、上部電極、陰極等之情形。
第1電極E1配置於絕緣層11之上，其周邊部由絕緣層12覆蓋。第1電極E1與圖1所示之驅動電晶體3電性連接。第1電極E1係例如由銦錫氧化物(ITO)或銦鋅氧化物(IZO)等透明導電材料形成之透明電極。另，第1電極E1亦可為由銀、鋁等之金屬材料形成之金屬電極。又，第1電極E1亦可為透明電極及金屬電極之積層體。例如，第1電極E1亦可作為按透明電極、金屬電極、及透明電極之順序積層之積層體構成，亦可作為3層以上之積層體構成。
有機層OR配置於第1電極E1之上。此種有機層OR包含有發光層EL。於圖4所示之例中，有機層OR進而包含有功能層F1及F2。功能層F1、發光層EL、及功能層F2自第1電極E1之側起依序積層。功能層F1及F2係例如電洞注入層、電洞輸送層、電洞區塊層、電子注入層、電子輸送層、電子區塊層，但亦可為其他功能層。又，圖示之功能層F1及F2各者不限於單層體，亦可為積層有複數個功能層之積層體。又，亦可省略功能層F1及F2之至少一者。
第2電極E2覆蓋有機層OR。第2電極E2係例如由ITO或IZO等之透明導電材料形成之透明電極。第2電極E2與配置於顯示部DA之供電線，或配置於顯示部DA之外側之供電線電性連接。另，可能有第2電極E2由透明保護膜(包含無機絕緣膜及有機絕緣膜之至少1者)覆蓋之情形。
於第1電極E1之電位相對高於第2電極E2之電位之情形時，第1電極E1相當於陽極，第2電極E2相當於陰極。又，於第2電極E2之電位相對高於第1電極E1之電位之情形時，第2電極E2相當於陽極，第1電極E1相當於陰極。
作為一例，於第1電極E1相當於陽極之情形時，發光層EL與第1電極E1之間之功能層F1包含電洞注入層及電洞輸送層之至少1者，發光層EL與第2電極E2之間之功能層F2包含電子輸送層及電子注入層之至少1者。
此處，對絕緣層12更詳細地進行說明。
絕緣層12具有開口部OP、第1溝槽T1、第2溝槽T2、第1面121、及第2面122。
開口部OP形成於與第1電極E1重疊之區域，且為貫通絕緣層12到達第1電極E1之貫通孔。如上所述，第1電極E1之周邊部由絕緣層12覆蓋，第1電極E1之中央部於開口部OP自絕緣層12露出。
第1溝槽T1及第2溝槽T2形成於不與第1電極E1重疊之區域。第2構造T2於第1方向X上，隔著開口部OP位於第1溝槽T1之相反側。於圖4所示之例中，雖第1溝槽T1及第2溝槽T2各者未貫通絕緣層12，但亦可貫通絕緣層12到達絕緣層11。
第1面121相當於絕緣層12中之開口部OP與第1溝槽T1之間之表面。此種第1面121包含有圖示之開口部OP右側之斜面S1、及與斜面S1相連之上表面U1。
第2面122相當於絕緣層12中之開口部OP與第2溝槽T2之間之表面。此種第2面122包含有圖示之開口部OP左側之斜面S2、及與斜面S2相連之上表面U2。另，上表面U1及U2例如為平坦面，但亦可為曲面。
絕緣層12於第1溝槽T1中，具有第1側面SS1、第2側面SS2、及底面B1。第1側面SS1及第2側面SS2於第1方向X上空出間隔對向。第1側面SS1與第1面121(或上表面U1)相連。第1溝槽T1相當於由第1側面SS1、第2側面SS2、及底面B1包圍之空間。於比較第1側面SS1與斜面S1之斜率之情形時，第1側面SS1係較斜面S1更陡峭之面。
第1溝槽T1上部之第1側面SS1與第2側面SS2之間隔D1大於第1溝槽T1下部之第1側面SS1與第2側面SS2之間隔D2。即，第1溝槽T1以越朝向底面B1，沿著第1方向X之寬度越小之方式形成。
絕緣層12於第2溝槽T2中，具有第3側面SS3、第4側面SS4、及底面B2。第3側面SS3及第4側面SS4於第1方向X上空出間隔而對向。第3側面SS3與第2面122(或上表面U2)相連。第2溝槽T2相當於由第1側面SS3、第4側面SS4、及底面B2包圍之空間。於比較第3側面SS3與斜面S2之斜率之情形時，第3側面SS3係較斜面S2更陡峭之面。
第2溝槽T2亦與第1溝槽T1相同，以越朝向底面B2，沿著第1方向X之寬度越小之方式形成。
接著，對有機層OR進行說明。
有機層OR具有第1部分OR1、第2部分OR2、第3部分OR3、第4部分OR4、及第5部分OR5。該等第1部分OR1、第2部分OR2、第3部分OR3、第4部分OR4、及第5部分OR5包含相同顏色之發光層EL。
第1部分OR1配置於開口部OP，覆蓋第1電極E1。第2電極E2積層於第1部分OR1。因第1部分OR1位於第1電極E1與第2電極E2之間，故可形成顯示元件20之發光區域。
第2部分OR2配置於第1面121。第2部分OR2與第1部分OR1相連。於圖4所示之例中，雖第2部分OR2跨及斜面S1及上表面U1連續形成，但可能有於其中途中斷之情形。關於第2部分OR2中之位於第1側面SS1之延長線上之部分，功能層F1、發光層El、及功能層F2各者之端面大致齊平。第2電極E2積層於第2部分OR2，且覆蓋功能層F1、發光層EL、及功能層F2各者之端面。
因此種第2部分OR2位於絕緣層12與第2電極E2之間，故幾乎不發光。
第3部分OR3配置於第1溝槽T1，與第2部分OR2分開。於圖4所示之例中，第3部分OR3於第1溝槽T1中配置於第2側面SS2，但幾乎未配置於與第1面121相連之第1側面SS1。又，雖有第3部分OR3配置於底面B1之一部分之情形，但亦可能有幾乎未配置於底面B1情形。另，雖第3部分OR3與第2側面SS2相接，但亦可於第2側面SS2與第3部分OR3之間介置有其他薄膜。第2電極E2覆蓋第3部分OR3。
此種第3部分OR3位於絕緣層12與第2電極E2之間，且因與第1部分OR1完全分離，故不發光。另，因第3部分OR3無助於發光，故除了如上述般第2電極E2覆蓋第3部分OR3之整體以外，第2電極E2亦可覆蓋第3部分之一部分，或者，亦可省略覆蓋第3部分OR3之第2電極E2。又，第2電極E2可於該像素與相鄰之像素之間中斷。
第2電極E2於第2部分OR2與第3部分OR3之間，未介隔有機層OR地配置於第1側面SS1。雖第2電極E2與第1側面SS1相接，但亦可於第1側面SS1與第2電極E2之間介置有其他薄膜。又，雖第2電極E2與底面B1之至少一部分相接，但亦可於底面B1與第2電極E2之間介置有其他薄膜。於第1溝槽T1貫通至絕緣層11之情形時，第2電極E2與絕緣層11相接，但亦可於絕緣層11與第2電極E2之間介置有其他薄膜。
第4部分OR4配置於第2面122。第4部分OR4與第1部分OR1相連。於圖4所示之例中，第4部分OR4跨及斜面S2及上表面U2連續形成，但可能有於其中途中斷之情形。關於第4部分OR4中之位於第3側面SS3之延長線上之部分，功能層F1、發光層EL、及功能層F2各者之端面大致齊平。第2電極E2積層於第4部分OR4，且覆蓋功能層F1、發光層EL、及功能層F2各者之端面。
因此種第4部分OR4位於絕緣層12與第2電極E2之間，故幾乎不發光。
第5部分OR5配置於第2溝槽T2，且與第4部分OR4分開。於圖4所示之例中，第5部分OR5於第2溝槽T2中，配置於第4側面SS4，但幾乎未配置於與第2面122相連之第3側面SS3。又，雖有第5部分OR5配置於底面B2之一部分之情形，但亦可能有幾乎不配置於底面B2之情形。另，雖第5部分OR5與第4側面SS4相接，但亦可於第4側面SS4與第5部分OR5之間介置有其他薄膜。第2電極E2覆蓋第5部分OR5。
此種第5部分OR5位於絕緣層12與第2電極E2之間，且與第1部分OR1完全分離，故不發光。另，因第5部分OR5無助於發光，故除如上述般第2電極E2覆蓋第5部分OR5之整體以外，第2電極E2亦可覆蓋第5部分OR5之一部分，或者，亦可省略覆蓋第5部分OR5之第2電極E2。又，第2電極E2可於該像素與相鄰之像素之間中斷。
第2電極E2於第4部分OR4與第5部分OR5之間，未介隔有機層OR地配置於第3側面SS3。雖第2電極E2與第3側面SS3相接，但亦可於第3側面SS3與第2電極E2之間介置有其他薄膜。又，雖第2電極E2與底面B2之至少一部分相接，但亦可於底面B2與第2電極E2之間介置有其他薄膜。於第2溝槽T2貫通至絕緣層11之情形時，第2電極E2與絕緣層11相接，但亦可於絕緣層11與第2電極E2之間介置有其他薄膜。
構成此種有機層OR之各層例如藉由真空蒸鍍法形成。於圖中以一點鏈線顯示用以形成有機層OR之有機材料自蒸鍍源放射狀擴散之狀況。
於形成具有開口部OP、第1溝槽T1、及第2溝槽T2之絕緣層12後，於蒸鍍有機材料時，第2側面SS2及第4側面SS4位於有機材料之導入路徑上，另一方面，第1側面SS1及第3側面SS3偏離有機材料之導入路徑。
因此，如圖4所示，於第2側面SS2及第4側面SS4形成有機層OR，另一方面，於第1側面SS1及第3側面SS3幾乎不形成有機層OR。
如上所述，有機層OR中之相當於周邊部之第3部分OR3與有助於發光之第1部分OR1、及與第1部分相連之第2部分OR2分離。又，相當於有機層OR之周邊部之第5部分OR5與第4部分OR4分離，且該第4部分OR4與第1部分OR1相連。因此，抑制有機層OR之周邊部之不期望之電流洩漏(例如，未經由發光層EL，而經由功能層F1於第1電極E1與第2電極E2之間流動電流之不良)等，可抑制顯示元件20之性能劣化。
圖5係顯示顯示元件20之另一例之剖視圖。圖5所示之例與圖4所示之例相比，有機層OR之形狀不同。
有機層OR具有第1部分OR1、第2部分OR2、第3部分OR3、第4部分OR4、第5部分OR5、及第6部分OR6。該等第1部分OR1、第2部分OR2、第3部分OR3、第4部分OR4、第5部分OR5、及第6部分OR6包含有相同顏色之發光層EL。第2電極E2分別覆蓋第1部分OR1、第2部分OR2、第3部分OR3、第4部分OR4、第5部分OR5、及第6部分OR6。
第1部分OR1配置於開口部OP，覆蓋第1電極E1。
第2部分OR2配置於第1面121，與第1部分OR1相連。
第3部分OR3配置於第1溝槽T1，與第2部分OR2分開。於圖5所示之例中，雖第3部分OR3於第1溝槽T1中，配置於第2側面SS2，但幾乎未配置於與第1面121相連之第1側面SS1。又，雖有第3部分OR3配置於底面B1之一部分之情形，但亦可能有幾乎未配置於底面B1之情形。另，雖第3部分OR3與第2側面SS2相接，但亦可於第2側面SS2與第3部分OR3之間介置有其他薄膜。
第2電極E2於第2部分OR2與第3部分OR3之間，未介隔有機層OR地配置於第1側面SS1。雖第2電極E2與第1側面SS1相接，但亦可於第1側面SS1與第2電極E2之間介置有其他薄膜。又，雖第2電極E2與底面B1之至少一部分相接，但亦可於底面B1與第2電極E2之間介置有其他薄膜。於第1溝槽T1貫通至絕緣層11之情形時，第2電極E2與絕緣層11相接，但亦可於絕緣層11與第2電極E2之間介置有其他薄膜。又，因第3部分OR3無助於發光，故除如圖5所示般第2電極E2覆蓋第3部分OR3之整體以外，第2電極E2亦可覆蓋第3部分OR3之一部分，或者，亦可省略覆蓋第3部分OR3之第2電極E2。又，第2電極E2可於該像素與相鄰之像素之間中斷。
第4部分OR4配置於第2面122，與第1部分OR1相連。
第5部分OR5配置於第2溝槽T2，與第4部分OR4相連。於圖5所示之例中，雖第5部分OR5於第2溝槽T2中配置於與第2面122相連之第3側面SS3，但未配置於第4側面SS4。又，雖有第5部分OR5配置於底面B2之一部分之情形，但亦可能有幾乎未配置於底面B2之情形。另，雖第5部分OR5與第3側面SS3相接，但亦可於第3側面SS3與第5部分OR5之間介置有其他薄膜。
第6部分OR6配置於絕緣層12之上表面U3。第2溝槽T2形成於上表面U2與上表面U3之間。此種第6部分OR6與第5部分OR5分開。
第2電極E2於第5部分OR5與第6部分OR6之間，未介隔有機層OR地配置於第4側面SS4。雖第2電極E2與第4側面SS4相接，但亦可於第4側面SS4與第2電極E2之間介置有其他薄膜。又，雖第2電極E2與底面B2之至少一部分相接，但亦可於底面B2與第2電極E2之間介置有其他薄膜。於第2溝槽T2貫通至絕緣層11之情形時，第2電極E2與絕緣層11相接，但亦可於絕緣層11與第2電極E2之間介置有其他薄膜。又，因第6部分OR6無助於發光，故除如圖5所示般第2電極E2覆蓋第6部分OR6之整體以外，第2電極E2亦可覆蓋第6部分OR6之一部分，或者，亦可省略覆蓋第6部分OR6之第2電極E2。又，第2電極E2可於該像素與相鄰之像素之間中斷。
構成此種有機層OR之各層與圖4所示之例同樣，例如藉由真空蒸鍍法形成。但，此處，應用相對於基材10之法線自傾斜方向蒸鍍之斜向蒸鍍法。於圖中以一點鏈線顯示將用以形成有機層OR之有機材料自蒸鍍源具有指向性地導入之狀況。
於形成具有開口部OP、第1溝槽T1、及第2溝槽T2之絕緣層12後，於蒸鍍有機材料時，第2側面SS2及第3側面SS3位於有機材料之導入路徑上，另一方面，第1側面SS1及第4側面SS4偏離有機材料之導入路徑。
因此，如圖5所示，於第2側面SS2及第4側面SS3形成有機層OR，另一方面，於第1側面SS1及第4側面SS4幾乎不形成有機層OR。
如上所述，有機層OR中之相當於周邊部之第3部分OR3與有助於發光之第1部分OR1、及與第1部分OR1相連之第2部分OR2分離。又，相當於有機層OR之周邊部之第6部分OR6與和第1部分OR1相連之第4部分OR4及第5部分OR5分離。因此，可抑制周邊部之不期望之電流洩漏等，抑制顯示元件20之性能劣化。
接著，對形成於絕緣層12之溝槽之形狀例進行說明。另，於以下說明之各例中，副像素SP11及SP12之發光色係紅色(R)，副像素SP21及SP22之發光色係綠色(G)，副像素SP11及SP21排列於第1方向X，副像素SP12及SP22排列於第1方向X，副像素SP11及SP12排列於第2方向Y，副像素SP21及SP22排列於第2方向。於各圖中，圖示出副像素SP11及SP12中構成顯示元件之第1電極RE1及紅色有機層ROR，圖示出副像素SP21及SP22中構成顯示元件之第1電極GE1及綠色有機層GOR。
圖6係顯示溝槽之第1形狀例之俯視圖。
溝槽TY11至TY14分別沿著第2方向Y延伸。
溝槽TY11及TY12跨及副像素SP11及SP12連續形成。副像素SP11及SP12各者之第1電極RE1位於溝槽TY11及TY12之間。
溝槽TY13及TY14跨及副像素SP21及SP22連續形成。副像素SP21及SP22各者之第1電極GE1位於溝槽TY13及TY14之間。
溝槽TX11至TX14分別沿著第1方向X延伸，與溝槽TY11至TY14交叉。
溝槽TX11及TX12跨及副像素SP11及SP21連續形成。副像素SP11之第1電極RE1及副像素SP21之第1電極GE1位於溝槽TX11及TX12之間。
溝槽TX13及TX14跨及副像素SP12及SP22連續形成。副像素SP12之第1電極RE1及副像素SP22之第1電極GE1位於溝槽TX13及TX14之間。
若著眼於副像素SP11，則第1電極RE1由溝槽TY11及TY12、與溝槽TX11及TX12包圍。例如，溝槽TY11相當於上述第1溝槽T1，溝槽TY12相當於上述第2溝槽，溝槽TX11相當於與溝槽TY11及TY12相連之第3溝槽，及溝槽TX12相當於與溝槽TY11及TY12相連之第4溝槽。於俯視時，溝槽TY11及TY12、與溝槽TX11及TX12不與第1電極RE1重疊。
形成有機層ROR之區域擴展至溝槽TY11及TY12之外側，又，擴展至溝槽TX11及TX12之外側。於溝槽TY11、溝槽TY12、溝槽TX11、及溝槽TX12之至少1者，有機層ROR分離成有助於發光之部分、與周邊部。因此，抑制顯示元件之性能劣化。
於其他副像素SP12、SP21、SP22中，亦與副像素SP11同樣，有機層擴展至包圍第1電極之4個溝槽之外側，於至少1個溝槽中，分離成有助於顯示之部分與周邊部。因此，於各副像素中，抑制顯示元件之性能劣化。
圖7係顯示溝槽之第2形狀例之俯視圖。
第2形狀例與第1形狀例相比，不同點在於：於第1方向X延伸之溝槽、及於第2方向Y延伸之溝槽各者不連續地形成，各副像素之溝槽形成為環狀。副像素SP11之溝槽T11包圍第1電極RE1，副像素SP12之溝槽T12包圍第1電極RE1，副像素SP21之溝槽T21包圍第1電極GE1，副像素SP22之溝槽T22包圍第1電極GE1。溝槽T11、T12、T21、及T22互相分開。
若著眼於副像素SP11，則形成有機層ROR之區域擴展至溝槽T11之外側。於溝槽T11之至少一部分中，有機層ROR分離成有助於發光之部分與周邊部。其他副像素SP12、SP21、SP22中，亦與副像素SP11同樣。因此，於此種第2形狀例中，亦可獲得與第1形狀例相同之效果。
圖8係顯示溝槽之第3形狀例之俯視圖。
第3形狀例與第1形狀例相比，不同點在於：省略排列於第2方向Y之副像素之間之溝槽。例如，橫穿副像素SP11與副像素SP12之間之溝槽、及橫穿副像素SP21與副像素SP22之間之溝槽皆未形成。但，於最外周，形成於第1方向X延伸之溝槽TX。雖溝槽TX以將溝槽TY11至TY14相連之方式連續形成，但亦可於溝槽TY12與溝槽TY13之間中斷。
有機層ROR跨及副像素SP11及SP12配置。形成有機層ROR之區域中沿著第1方向X之兩端部擴展至溝槽TY11及TY12之外側，沿著第2方向Y之一端部擴展至溝槽TX之外側。
有機層GOR跨及副像素SP21及SP22配置。於形成有機層GOR之區域中，沿著第1方向X之兩端部擴展至溝槽TY13及TY14之外側，沿著第2方向Y之一端部擴展至溝槽TX之外側。另，此處未圖示之有機層ROR之沿著第2方向Y之另一端部、及有機層GOR之沿著第2方向Y之另一端部亦分別擴展至溝槽之外側。
於此種第3形狀例中，亦可獲得與第1形狀例相同之效果。
圖9係顯示溝槽之第4形狀例之俯視圖。
第4形狀例與第1形狀例相比，不同點在於：將相鄰之副像素之間之2條溝槽置換成1條溝槽。例如，溝槽TX12形成於副像素SP11與副像素SP12之間、及副像素SP21與副像素SP22之間。溝槽TY12形成於副像素SP11與副像素SP21之間、及副像素SP12與副像素SP22之間。
若著眼於副像素SP11，則第1電極RE1由溝槽TY11及TY12、與溝槽TX11及TX12包圍。有機層ROR之邊部位於溝槽TY11及TY12，且位於溝槽TX11及TX12。
於此種第4形狀例中，亦可獲得與第1形狀例相同之效果。
圖10係顯示溝槽之第5形狀例之俯視圖。
第5形狀例與第3形狀例相比，不同點在於：將相鄰之副像素之間之2條溝槽置換成1條溝槽。例如，溝槽TY12形成於副像素SP11與副像素SP21之間、及副像素SP12與副像素SP22之間。另，於第5形狀例中，亦與第3形狀例同樣，未形成橫穿排列於第2方向Y之副像素之間之溝槽。
於此種第5形狀例中，亦可獲得與第1形狀例相同之效果。
此處說明之第1至第5形狀例亦應用於發光色為藍色(B)之副像素。抑制發光色為紅色、綠色、藍色之各個顯示元件之性能劣化。
接著，對跨及發光色不同之2個副像素之剖面構造例進行說明。另，於與以下說明之各例對應之圖中，僅圖示主要部，省略圖示絕緣層11之下層及有機層OR之上層。各例顯示出跨及排列於第1方向X之紅色之副像素SP11與綠色之副像素SP21之剖面構造。副像素SP11具備第1電極RE1及有機層ROR，副像素SP21具備第1電極GE1及有機層GOR。
圖11係顯示第1構造例之剖視圖。於第1構造例中，例如，如圖6之第1形狀例，於第1電極RE1與第1電極GE1之間形成有2個溝槽TY12及TY13。
有機層ROR配置於第1電極RE1之上，且亦配置於絕緣層12之上，於溝槽TY12處分離。具體而言，雖第3部分OR3配置於溝槽TY12之側面SS12，但未配置於側面SS11。即，側面SS11之至少一部分自有機層ROR露出，有機層ROR中之第3部分OR3與第2部分OR2分開。
有機層GOR配置於第1電極GE1之上，且亦配置於絕緣層12之上，於溝槽TY13處分離。具體而言，雖第5部分OR5配置於溝槽TY13之側面SS21，但未配置於側面SS22。即，側面SS22之至少一部分自有機層GOR露出，有機層GOR中之第5部分OR5與第4部分OR4分開。
雖有機層GOR之第5部分OR5與有機層ROR之第3部分OR3分開，但亦可彼此相接。
該等有機層ROR及GOR，如參照圖4所說明，於將有機材料放射狀蒸鍍之情形時形成。
圖12係顯示第2構造例之剖視圖。於第2構造例中，有機層ROR與第1構造例相同，於溝槽TY12處分離。
有機層GOR於溝槽TY13處分離。具體而言，雖第5部分OR5與第4部分OR4相連，配置於溝槽TY13之側面SS22，但未配置於側面SS21。即，側面SS21之至少一部分自有機層GOR露出，有機層GOR中之第6部分OR6與第5部分OR5分開。
該等有機層ROR及GOR，如參照圖5所說明，藉由斜向蒸鍍法形成。
圖13係顯示第3構造例之剖視圖。於第3構造例中，例如，如圖9之第4形狀例，於第1電極RE1與第1電極GE1之間形成1條溝槽TY12。
有機層ROR於溝槽TY12處分離。具體而言，雖第3部分OR3配置於溝槽TY12之底面B12，但未配置於側面SS11。即，側面SS11之至少一部分自有機層ROR露出，有機層ROR中之第3部分OR3與第2部分OR2分開。
有機層GOR於溝槽TY12處分離。具體而言，雖第5部分OR5配置於底面B12，但未配置於側面SS12。即，側面SS12之至少一部分自有機層GOR露出，有機層GOR中之第5部分OR5與第4部分OR4分開。
於上述之第1構造例至第3構造例中，雖已對於絕緣層12形成溝槽之情形進行說明，但亦可將溝槽置換為突部P。藉由將與上述溝槽相同形狀之突部P配置於絕緣層12之上，可獲得與形成溝槽時相同之效果。作為俯視突部P時之形狀例，可應用參照圖6至圖10說明之溝槽之各形狀例。
圖14係顯示第4構造例之剖視圖。第1電極RE1與第1電極GE1之間之絕緣層12不具有溝槽。突部P1及P2配置於絕緣層12之上。突部P1及P2各自具有大致三角形之剖面。該等突部P1及P2例如可與圖6及圖8所示之溝槽TY12及TY13置換，又，可與圖7所示之溝槽T11及T22置換。
有機層ROR配置於第1電極RE1之上且亦配置於絕緣層12之上，於突部P1處分離。具體而言，雖第3部分OR3位於突部P1與突部P2之間，且配置於絕緣層12之上，但未配置於突部P1之側面SS11。即，側面SS11之至少一部分自有機層ROR露出，有機層ROR中之第3部分OR3與第2部分OR2分開。
有機層GOR配置於第1電極GE1之上且亦配置於絕緣層12之上，於突部P2處分離。具體而言，雖第5部分OR5位於突部P1與突部P2之間，且配置於絕緣層12之上，但未配置於突部P2之側面SS12。即，側面SS12之至少一部分自有機層GOR露出，有機層GOR中之第5部分OR5與第4部分OR4分開。
圖15係顯示第5構造例之剖視圖。突部P配置於絕緣層12之上。突部P具有大致梯形之剖面。該突部P例如可與圖9及圖10所示之溝槽TY12置換。以下之說明設想於形成有機層ROR後，形成有機膜GOR之情形。
有機層ROR配置於第1電極RE1之上且亦配置於絕緣層12之上，於突部P處分離。具體而言，第2部分OR2配置於突部P之側面SS12。雖第3部分OR3於突部P與第1電極GE1之間配置於絕緣層12之上，但未配置於突部P之側面SS11。即，側面SS11之至少一部分自有機層ROR露出，有機層ROR中之第3部分OR3與第2部分OR2分開。
有機層GOR配置於第1電極GE1之上且亦配置於絕緣層12之上，於突部P處分離。具體而言，第4部分OR4覆蓋有機層ROR之第3部分OR3，且配置於突部P之側面SS11。雖第5部分OR5配置於有機層ROR之第2部分OR2之上，但未配置於突部P之側面SS12。即，側面SS12之至少一部分自有機層GOR露出，有機層GOR中之第5部分OR5與第4部分OR4分開。
圖16係顯示第6構造例之剖視圖。第6構造例與第5構造例相比，不同點在於：突部P具有大致三角形之剖面。
有機層ROR配置於第1電極RE1之上且亦配置於絕緣層12之上，於突部P處分離。具體而言。有機層ROR分離成位於突部P與第1電極RE1之間之第2部分OR2、與位於突部P與第1電極GE1之間之第3部分OR3。
有機層GOR配置於第1電極GE1之上且亦配置於絕緣層12之上，於突部P處分離。具體而言。有機層GOR分離成位於突部P與第1電極GE1之間之第4部分OR4、與位於突部P與第1電極RE1之間之第5部分OR5。
於該等第1至第6構造例中，有機層ROR及GOR各者亦分離成有助於顯示之部分與周邊部，抑制顯示元件之性能劣化。
又，第1至第6構造例亦應用於發光色係藍色(B)之副像素。即，發出藍色之有機層BOR亦分離成有助於顯示之部分與周邊部，抑制顯示元件之性能劣化。
接著，對變化例進行說明。
圖17係顯示第1變化例之剖視圖。
第1變化例與圖4所示之例相比，不同點在於：於第1溝槽T1及第2溝槽T2之正下方配置有供電線FL。供電線FL配置於絕緣層11之上，例如，由與第1電極E1相同材料形成。第1溝槽T1及第2溝槽T2各自貫通至供電線FL。即，供電線FL各者位於第1溝槽T1及第2溝槽T2之底面。
第2電極E2於第1溝槽T1及第2溝槽T2中與供電線FL相接。藉此，可自供電線FL對第2電極E2供給特定電位。
圖18係顯示第2變化例之剖視圖。
第2變化例與圖5所示之例相比，不同點在於：於第1溝槽T1及第2溝槽T2之正下方配置有供電線FL。第2電極E2於第1溝槽T1及第2溝槽T2與供電線FL相接。藉此，可自供電線FL對第2電極E2供給特定電位。
於第1變化例及第2變化例中，雖於第1溝槽T1及第2溝槽T2之兩者之正下方配置有供電線FL，但亦可於第1溝槽T1及第2溝槽T2之任一者之正下方配置供電線FL。又，於第1溝槽T1及第2溝槽T2未貫通至絕緣層11之情形時，亦可於形成於絕緣層12之第1溝槽T1及第2溝槽T2之底面配置供電線FL。
圖19係顯示顯示元件20之另一例之剖視圖。
於圖19所示之中，有機層(包含發光層EL、有機層F1及F2)OR跨及相鄰之副像素共通配置。例如，包含相同顏色之發光層EL之有機層OR跨及第1方向X上相鄰之副像素SP31及SP32而配置。相同地，包含相同顏色之發光層EL之有機層OR亦配置於第2方向Y上相鄰之副像素。進一步而言，於顯示部DA之所有副像素SP配置有包含相同顏色之發光層EL之有機層OR。即，於圖19所示之例較佳適於單色顯示之顯示裝置DSP。例如，於各顯示元件20之發光色為白色之情形時，藉由配置與像素元件20對向之彩色濾光片，可實現多色顯示。又，於各顯示元件20之發光色為紫色之情形時，藉由配置與像素元件20對向之光轉換層，可實現多色顯示。
第1溝槽T1形成於副像素SP31之第1電極E31與副像素SP32之第1電極E32之間之絕緣層12。有機層OR於第1溝槽T1分離成配置於副像素SP31之有機層OR31、與配置於副像素SP32之有機層OR32。
有機層OR31幾乎未配置於第1溝槽T1之第1側面SS1。
雖有機層OR32配置於第1溝槽T1之第2側面SS2，但幾乎未配置於第1側面SS1。覆蓋有機層OR31及OR32之第2電極E2未介隔有機層OR地配置於第1側面SS1。
於應用參照圖5說明之斜向蒸鍍法之情形時，於相鄰之副像素之間之溝槽，有機層OR與上述同樣地分離。藉此，抑制相鄰之副像素之間之串擾。
根據上述之本實施形態，可提供一種能抑制顯示元件之性能劣化之顯示裝置。
以上，業者可基於已作為本發明之實施形態說明之顯示裝置，進行適當設計變更實施而得之所有顯示裝置只要包含本發明之主旨，則皆屬於本發明之範圍內。
於本發明之思想範疇中，若為業者，則可想到各種變化例，當了解該等變化例亦屬於本發明之範圍者。例如，業者對上述實施形態適當進行構成要素之追加、削除或設計變更者，或進行步驟之追加、省略或條件變更者，只要具備本發明之主旨，則皆包含於本發明之範圍內。
又，應理解藉由上述實施形態中敘述之態樣而得之其他作用效果、自本說明書之記載明瞭者、或業者可適當想到者，當然皆為由本發明而得者。
[相關申請案之交叉參考] 本申請案基於2020年11月17日申請之日本專利申請案第2020-190929號並主張優先權，該案之所有內容以引用之方式併入本文中。
1:像素電路 2:像素開關 3:驅動電晶體 4:電容器 10:基材 11:絕緣層 12:絕緣層 20:顯示元件 121:第1面 122:第2面 B1:底面 B2:底面 B12:底面 D1:間隔 D2:間隔 DA:顯示部 DSP:顯示裝置 E1:第1電極 E2:第2電極 E31:第1電極 E32:第1電極 EL:發光層 F1:功能層 F2:功能層 FL:供電線 GE1:第1電極 GL:掃描線 GOR:有機層 OP:開口部 OR:有機層 OR1:第1部分 OR2:第2部分 OR3:第3部分 OR4:第4部分 OR5:第5部分 OR6:第6部分 OR31:有機層 OR32:有機層 P:突部 P1:突部 P2:突部 PL:電源線 PX:像素 RE1:第1電極 ROR:有機層 S1:斜面 S2:斜面 SL:信號線 SP:副像素 SP1:副像素 SP2:副像素 SP3:副像素 SP11:副像素 SP12:副像素 SP21:副像素 SP22:副像素 SP31:副像素 SP32:副像素 SS1:第1側面 SS2:第2側面 SS3:第3側面 SS4:第4側面 SS11:側面 SS12:側面 SS21:側面 SS22:側面 T1:第1溝槽 T2:第2溝槽 T11:溝槽 T12:溝槽 T21:溝槽 T22:溝槽 TX:溝槽 TX11:溝槽 TX12:溝槽 TX13:溝槽 TX14:溝槽 TY11:溝槽 TY12:溝槽 TY13:溝槽 TY14:溝槽 U1:上表面 U2:上表面 U3:上表面
圖1係顯示本實施形態之顯示裝置DSP之一構成例之圖。 圖2係顯示包含於像素PX之副像素之佈局之一例之圖。 圖3係顯示包含於像素PX之副像素之佈局之另一例之圖。 圖4係顯示顯示元件20之一例之剖視圖。 圖5係顯示顯示元件20之另一例之剖視圖。 圖6係顯示溝槽之第1形狀例之俯視圖。 圖7係顯示溝槽之第2形狀例之俯視圖。 圖8係顯示溝槽之第3形狀例之俯視圖。 圖9係顯示溝槽之第4形狀例之俯視圖。 圖10係顯示溝槽之第5形狀例之俯視圖。 圖11係顯示第1構造例之剖視圖。 圖12係顯示第2構造例之剖視圖。 圖13係顯示第3構造例之剖視圖。 圖14係顯示第4構造例之剖視圖。 圖15係顯示第5構造例之剖視圖。 圖16係顯示第6構造例之剖視圖。 圖17係顯示第1變化例之剖視圖。 圖18係顯示第2變化例之剖視圖。 圖19係顯示顯示元件20之另一例之剖視圖。
10:基材
11:絕緣層
12:絕緣層
20:顯示元件
121:第1面
122:第2面
B1:底面
B2:底面
D1:間隔
D2:間隔
E1:第1電極
E2:第2電極
EL:發光層
F1:功能層
F2:功能層
OP:開口部
OR:有機層
OR1:第1部分
OR2:第2部分
OR3:第3部分
OR4:第4部分
OR5:第5部分
S1:斜面
S2:斜面
SS1:第1側面
SS2:第2側面
SS3:第3側面
SS4:第4側面
T1:第1溝槽
T2:第2溝槽
U1:上表面
U2:上表面

Claims (16)

  1. 一種顯示裝置，其具備： 基材； 第1絕緣層，其配置於上述基材之上； 第1電極，其配置於上述第1絕緣層之上； 第2絕緣層，其配置於上述第1絕緣層之上，且具有與上述第1電極重疊之開口部、不與上述第1電極重疊之第1溝槽、及上述開口部與上述第1溝槽之間之第1面； 有機層，其包含發光層；及 第2電極，其覆蓋上述有機層；且 上述有機層具有： 第1部分，其配置於上述開口部，覆蓋上述第1電極； 第2部分，其配置於上述第1面；及 第3部分，其配置於上述第1溝槽，與上述第2部分分開。
  2. 如請求項1之顯示裝置，其中上述第1部分、上述第2部分、及上述第3部分包含相同顏色之上述發光層。
  3. 如請求項1之顯示裝置，其中上述第2絕緣層進而具有上述第1溝槽之第1側面及第2側面， 上述第2電極未介隔上述有機層地配置於與上述第1面相連之上述第1側面， 上述第3部分配置於上述第2側面。
  4. 如請求項3之顯示裝置，其中上述第1溝槽上部之上述第1側面與上述第2側面之間隔大於上述第1溝槽下部之上述第1側面與上述第2側面之間隔。
  5. 如請求項3之顯示裝置，其中上述第2絕緣層進而具有： 第2溝槽，其隔著上述開口部位於上述第1溝槽之相反側；及 上述開口部與上述第2溝槽之間之第2面；且 上述有機層具有： 第4部分，其配置於上述第2面；及 第5部分，其配置於上述第2溝槽，與上述第4部分分開。
  6. 如請求項5之顯示裝置，其中上述第2絕緣層進而具有上述第2溝槽之第3側面及第4側面， 上述第2電極未介隔上述有機層地配置於與上述第2面相連之上述第3側面， 上述第5部分配置於上述第4側面。
  7. 如請求項3之顯示裝置，其中上述第2絕緣層進而具有： 第2溝槽，其隔著上述開口部位於上述第1溝槽之相反側； 上述開口部與上述第2溝槽之間之第2面；及 上述第2溝槽之第3側面及第4側面；且 上述有機層具有： 第4部分，其配置於上述第2面；及 第5部分，其配置於與上述第2面相連之上述第3側面；且 上述第2電極未介隔上述有機層地配置於上述第4側面。
  8. 如請求項5之顯示裝置，其中上述第2絕緣層進而具有： 不與上述第1電極重疊之第3溝槽及第4溝槽；且 上述第3溝槽及上述第4溝槽各者與上述第1溝槽及上述第2溝槽相連， 於俯視時，上述第4溝槽隔著上述第1電極位於上述第3溝槽之相反側。
  9. 如請求項1之顯示裝置，其進而具備：位於上述第1溝槽之底面的供電線；且 上述第2電極於上述第1溝槽中與上述供電線相接。
  10. 如請求項1之顯示裝置，其中 上述有機層進而包含電洞注入層、電洞輸送層、電子注入層、及電子輸送層之至少1者。
  11. 一種顯示裝置，其具備： 基材； 第1絕緣層，其配置於上述基材之上； 第1電極，其配置於上述第1絕緣層之上； 第2絕緣層，其配置於上述第1絕緣層之上，且具有與上述第1電極重疊之開口部、不與上述第1電極重疊之第1溝槽、上述開口部與上述第1溝槽之間之第1面、隔著上述開口部位於上述第1溝槽之相反側之第2溝槽、及上述開口部與上述第2溝槽之間之第2面； 有機層，其包含發光層；及 第2電極，其覆蓋上述有機層；且 上述有機層具有： 第1部分，其配置於上述開口部，覆蓋上述第1電極； 第2部分，其配置於上述第1面； 第3部分，其配置於上述第1溝槽，與上述第2部分分開； 第4部分，其配置於上述第2面；及 第5部分，其配置於上述第2溝槽，與上述第4部分相鄰。
  12. 如請求項11之顯示裝置，其中上述第1部分、上述第2部分、上述第3部分、上述第4部分、及上述第5部分包含有相同顏色之上述發光層。
  13. 如請求項12之顯示裝置，其中 上述第1溝槽具有與上述第1面相連之第1側面及與上述第1側面對向之第2側面， 上述第2溝槽具有與上述第2面相連之第3側面及與上述第3側面對向之第4側面， 上述第2電極未介隔上述有機層地配置於上述第1側面及上述第4側面，且 上述第3部分配置於上述第2側面， 上述第5部分配置於上述第3側面。
  14. 如請求項13之顯示裝置，其進而具備：位於上述第1溝槽之底面之供電線；且 上述第2電極於上述第1溝槽中與上述供電線相接。
  15. 如請求項11之顯示裝置，其中 上述有機層進而包含電洞注入層、電洞輸送層、電子注入層、及電子輸送層之至少1者。
  16. 如請求項13之顯示裝置，其中上述第1溝槽上部之上述第1側面與上述第2側面之間隔大於上述第1溝槽下部之上述第1側面與上述第2側面之間隔， 上述第2溝槽上部之上述第3側面與上述第4側面之間隔大於上述第2溝槽下部之上述第3側面與上述第4側面之間隔。
TW110139464A 2020-11-17 2021-10-25 顯示裝置 TWI804018B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020190929A JP2022080003A (ja) 2020-11-17 2020-11-17 表示装置
JP2020-190929 2020-11-17

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202221957A true TW202221957A (zh) 2022-06-01
TWI804018B TWI804018B (zh) 2023-06-01

Family

ID=81345668

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW110139464A TWI804018B (zh) 2020-11-17 2021-10-25 顯示裝置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20220157905A1 (zh)
JP (1) JP2022080003A (zh)
CN (1) CN114512515A (zh)
DE (1) DE102021210744A1 (zh)
TW (1) TWI804018B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210152058A (ko) * 2020-06-04 2021-12-15 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007103098A (ja) * 2005-09-30 2007-04-19 Seiko Epson Corp 有機ｅｌ装置の製造方法、有機ｅｌ装置及び電子機器
JP4655102B2 (ja) * 2008-04-11 2011-03-23 ソニー株式会社 表示素子およびその製造方法、ならびに表示装置
JP5256863B2 (ja) * 2008-06-06 2013-08-07 ソニー株式会社 有機発光素子およびその製造方法ならびに表示装置
TWI562423B (en) * 2011-03-02 2016-12-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Light-emitting device and lighting device
JP2013054979A (ja) * 2011-09-06 2013-03-21 Sony Corp 有機ｅｌ表示装置、有機ｅｌ表示装置の製造方法および電子機器
KR101994227B1 (ko) * 2012-12-07 2019-09-30 엘지디스플레이 주식회사 유기전계 발광소자 및 그 제조방법
JP2014212070A (ja) * 2013-04-19 2014-11-13 ソニー株式会社 表示装置およびその製造方法、ならびに電子機器
KR102255063B1 (ko) * 2013-11-28 2021-05-21 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치
CN104752476B (zh) * 2013-12-31 2018-05-22 乐金显示有限公司 有机发光显示装置及其制造方法
JP2016062885A (ja) * 2014-09-22 2016-04-25 ソニー株式会社 表示装置およびその製造方法、ならびに電子機器
KR101640803B1 (ko) * 2014-09-26 2016-07-20 엘지디스플레이 주식회사 유기발광다이오드 표시장치 및 그 제조방법
KR102394427B1 (ko) * 2015-04-02 2022-05-04 엘지디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 이를 제조하는 방법
KR102397686B1 (ko) * 2015-10-30 2022-05-12 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN107565041B (zh) * 2016-06-30 2019-12-31 乐金显示有限公司 有机发光显示装置及其制造方法
KR20180062284A (ko) * 2016-11-30 2018-06-08 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102083315B1 (ko) * 2017-09-11 2020-03-03 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR101948898B1 (ko) * 2017-09-29 2019-02-15 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 다이오드 표시장치
KR102454390B1 (ko) * 2017-12-05 2022-10-14 엘지디스플레이 주식회사 전계발광표시장치
KR102514205B1 (ko) * 2017-12-07 2023-03-27 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
KR102468861B1 (ko) * 2017-12-22 2022-11-18 엘지디스플레이 주식회사 전계발광표시장치
KR20200040046A (ko) * 2018-10-08 2020-04-17 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
KR102520022B1 (ko) * 2018-11-26 2023-04-10 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
KR20200069729A (ko) * 2018-12-07 2020-06-17 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
KR20200080741A (ko) * 2018-12-27 2020-07-07 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
JP7244352B2 (ja) 2019-05-22 2023-03-22 ファナック株式会社 ファイル管理装置
JPWO2022190597A1 (zh) * 2021-03-08 2022-09-15

Also Published As

Publication number Publication date
TWI804018B (zh) 2023-06-01
US20220157905A1 (en) 2022-05-19
DE102021210744A1 (de) 2022-05-19
CN114512515A (zh) 2022-05-17
JP2022080003A (ja) 2022-05-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11711939B2 (en) Thin film transistor substrate
US10446623B2 (en) Organic light emitting display panel and method for fabricating the same
US10026922B2 (en) Display device
JP2008135325A (ja) 有機ｅｌ表示装置とその製造方法
CN114551519A (zh) 显示装置
CN114695468A (zh) 显示装置
US20220223669A1 (en) Display device
WO2022163123A1 (ja) 表示装置
TWI804018B (zh) 顯示裝置
WO2022190597A1 (ja) 表示装置
US20220157900A1 (en) Display device
CN114649385A (zh) 显示装置
CN115440771A (zh) 显示装置
WO2022163310A1 (ja) 表示装置
WO2022168513A1 (ja) 表示装置及び表示装置の製造方法
WO2022176395A1 (ja) 表示装置
WO2022176736A1 (ja) 表示装置
TWI694625B (zh) 發光裝置
JP2022112270A (ja) 表示装置
WO2022172560A1 (ja) 表示装置
US20230130794A1 (en) Display device and manufacturing method of display device
US20240130213A1 (en) Display device
CN114512517A (zh) 显示装置
JP2023003013A (ja) 電子機器
JP2023088582A (ja) 表示装置およびその製造方法