TW202216588A - 電磁波吸收材、電磁波吸收塗料、電子裝置及樹脂零件 - Google Patents

Abstract

電磁波吸收材包含源自奈米碳管之粉碎碳粒。藉由此種構造，可圖求兼顧電磁波吸收材之伸縮性及導電性。

Description

電磁波吸收材、電磁波吸收塗料、電子裝置及樹脂零件

本發明係關於電磁波吸收材、電磁波吸收塗料、電子裝置及樹脂零件。

現已提案有利用電磁波吸收材作為抑制自電子裝置等發出之電磁波的洩漏或抑制由來自外部之電磁波所致之電子裝置的故障等的手段。於專利文獻1提案有對於矽氧橡膠添加奈米碳管的電磁波吸收材。

『專利文獻』 《專利文獻1》：日本專利公開第2011-233834號公報

依據電磁波吸收材之用途，謀求具有相當的伸縮性或可加工成各式形狀。是故，在遭受伸縮的情況或成為各式形狀的情況下，在電磁波吸收材中維持相互導通之網絡而為佳。另一方面，電磁波吸收材所包含之奈米碳管雖具有相對良好的導電性，但一般容易變成硬質的狀態。若因機械應力或熱膨脹使電子裝置之形狀變化，則有於電磁波吸收材產生龜裂、網絡破損而招致特性劣化之虞。

本發明係鑑於上已述之情事而發想者，其課題在於提供能夠圖求兼顧伸縮性及導電性的電磁波吸收材、電磁波吸收塗料、電子裝置及樹脂零件。

依本發明之第1方面而提供之電磁波吸收材，其包含源自奈米碳管之粉碎碳粒。

在本發明之良佳實施型態中，前述粉碎碳粒藉由動態光散射法測量之粒度為0.5 μm以上且1.5 μm以下，且藉由雷射散射法測量之粒度為15 μm以上且70 μm以下。

在本發明之良佳實施型態中，前述粉碎碳粒藉由動態光散射法測量之粒度與藉由雷射散射法測量之粒度的差為15 μm以上。

在本發明之良佳實施型態中，其形成為薄片狀。

在本發明之良佳實施型態中，其形成為由相互堆疊之多個層體而成的薄片狀。

在本發明之良佳實施型態中，其具有粉碎碳粒之濃度較其他層體還高的層體。

在本發明之良佳實施型態中，其具有與前述粉碎碳粒之濃度較其他層體還高的層體相比所吸收之電磁波之頻帶相異的層體。

在本發明之良佳實施型態中，其具有包含磁性體之層體及包含高介電體之層體之至少一者。

依本發明之第2方面而提供之電磁波吸收塗料，其包含源自奈米碳管之粉碎碳粒。

在本發明之良佳實施型態中，前述粉碎碳粒藉由動態光散射法測量之粒度為0.5 μm以上且1.5 μm以下，且藉由雷射散射法測量之粒度為15 μm以上且70 μm以下。

在本發明之良佳實施型態中，前述粉碎碳粒藉由動態光散射法測量之粒度與藉由雷射散射法測量之粒度的差為15 μm以上。

依本發明之第3方面而提供之電子裝置，其塗布有依本發明之第2方面而提供之電磁波吸收塗料。

依本發明之第4方面而提供之樹脂零件，其塗布有依本發明之第2方面而提供之電磁波吸收塗料。

根據本發明，可圖求兼顧伸縮性及導電性。

本發明之其他特徵及優點，藉由參照所附圖式如下進行之詳細的說明而變得更為明顯。

以下參照圖式具體說明本發明之良佳實施型態。

圖1繪示本發明相關之電磁波吸收材之一例。本實施型態之電磁波吸收材A1具有基材1及粉碎碳粒2。

電磁波吸收材A1之用途不特別受限，可使用作為例如用以抑制電磁波之洩漏或進入的電磁波遮蔽物體之部件或電子裝置之構成部件。並且，電磁波吸收材A1所吸收之電磁波之頻段不特別受限。本實施型態之電磁波吸收材A1形成為薄片狀。

基材1係用以維持電磁波吸收材A1之薄片狀之形狀者，由絕緣性之材質而成。基材1以由相對柔軟富有伸縮性之材質而成為佳。此種基材1之材質示例如下。

基材1之材質之一例係彈性體。包含彈性體（具有橡膠狀彈性之高分子化合物）之中之任1種或2種以上。彈性體之種類雖不特別受限，但為例如熱固性彈性體、熱塑性彈性體等。作為彈性體之具體例，可舉出例如日本瑞翁公司製之Quintac（註冊商標）（苯乙烯－異戊二烯嵌段共聚物）。

熱固性彈性體之種類雖不特別受限，但為例如天然橡膠、合成橡膠、矽氧橡膠系彈性體、胺甲酸酯橡膠系彈性體及氟橡膠系彈性體等。

作為熱塑性彈性體，可舉出芳族乙烯系單體與共軛二烯系單體的共聚物。具體而言，例如作為芳族乙烯系單體與共軛二烯系單體的共聚物，可列舉：苯乙烯－丁二烯嵌段共聚物、苯乙烯－異戊二烯嵌段聚合物等二嵌段型嵌段聚合物；苯乙烯－丁二烯－苯乙烯嵌段聚合物、苯乙烯－異戊二烯－苯乙烯嵌段聚合物（SIS）、苯乙烯－丁二烯－異戊二烯嵌段聚合物、苯乙烯－異丁烯－苯乙烯嵌段聚合物（SIBS）等三嵌段型嵌段聚合物；如苯乙烯－丁二烯－苯乙烯－丁二烯嵌段聚合物、苯乙烯－異戊二烯－苯乙烯－異戊二烯嵌段聚合物、苯乙烯－丁二烯－異戊二烯－苯乙烯嵌段聚合物、苯乙烯－丁二烯－苯乙烯－異戊二烯嵌段聚合物、苯乙烯－異丁烯－丁二烯－苯乙烯等之多嵌段型含苯乙烯嵌段聚合物及此等之氫化物或部分氫化物等。此等之中，以使用SIS等嵌段聚合物為較佳。

粉碎碳粒2係藉由包含於基材1而對電磁波吸收材A1貢獻至少局部之導電性者，係實現電磁波吸收之功能者。利用粉碎碳粒2之電磁波吸收，可列舉例如：由粉碎碳粒2構成之導通網絡之電阻成分者、利用該導通網絡之RC成分者等，以及伴隨發熱之磁性衰減。粉碎碳粒2係藉由將奈米碳管粉碎而獲得之源自奈米碳管之粒子。此外，電磁波吸收材A1不受限於僅包含粉碎碳粒2者。除了粉碎碳粒2以外，還可為包含例如由鐵氧體而成之粒子或由高介電體而成之粒子者。作為高介電體，可列舉：鈦酸鋇、鈦酸鍶、鈦酸鈣、鈦酸鎂、鈦酸鋅、鈦酸鑭、鈦酸釹、鈦酸鉛、鋯酸鋇、鋯酸鈣、錫酸鋇、錫酸鈣、矽酸鎂等，此等可單獨或混合2種以上使用。

圖2繪示電磁波吸收材A1之製造方法之一例。本實施型態之製造方法具備粉碎碳粒生成工序與電磁波吸收材生成工序。粉碎碳粒生成工序係藉由將奈米碳管粉碎以生成源自於奈米碳管之粉碎碳粒2的工序。電磁波吸收材生成工序係形成由基材1及粉碎碳粒2而成之電磁波吸收材A1的工序。電磁波吸收材生成工序，舉例而言，使用利用粉碎碳粒生成工序獲得之粉碎碳粒2與成為基材1之糊狀或液狀的絕緣體材料，藉由薄片形成處理或塗布處理等以往眾所周知之方法來進行。

〈實施例〉

以下描述粉碎碳粒生成工序之實施例。此外，本發明之粉碎碳粒生成工序不受任何限制，可採用能夠生成滿足於後所述之條件之粉碎碳粒的各式方法。

（前處理）

首先，以單層奈米碳管（以下稱為SWCNT：例如日本瑞翁公司製SG101）之含量成為0.35 wt%的方式混合分散於溶媒。此時之溶媒係使用MEK（甲基乙基酮）。使用高壓均質器分散此溶液，獲得SWCNT分散液（第1分散液）。

隨後，將此SWCNT分散液放置在液溫20～40℃，去除溶媒。之後，使用玻璃攪拌棒等攪拌至成為粉末狀。

（粉碎處理）

藉由行星型球磨機，將做成粉末狀之SWCNT粉碎。將溶媒加入經粉碎之SWCNT的粉末，再次使用高壓均質器予以分散。此時之溶媒係使用CyH（環己烷）。並且，SWCNT含量為0.07～0.15 wt%。將再分散之SWCNT分散液（第2分散液）移至玻璃容器等，施加超音波震動。之後，放置24小時，確認SWCNT不與溶媒分離。在觀察到分離的情況下，再次施加超音波震動。

（萃取處理）

於確認未觀察到SWCNT與溶媒之分離後，進一步施加超音波震動。之後，放置30分鐘左右，藉由滴管等吸取SWCNT分散液之液面附近之上部，萃取至另一容器。

〈比較例〉

比較例1中，使用CyH作為溶媒，準備使未粉碎狀態之SWCNT分散的SWCNT分散液。準備一般的碳黑作為比較例2、3。由碳黑製造商公佈之粒徑為15 nm～55 nm。比較例2中，準備與實施例相同以CyH作為溶媒之碳黑分散液。比較例3中，準備以MEK作為溶媒之碳黑分散液。

（粒度量測前之預稀釋） （1-1）於玻璃容器分別採取實施例及比較例1～3之分散液2 mL，對此加入IPA（異丙醇：關東化學之鹿1級）以獲得預稀釋液。 （1-2）於以磁力攪拌器等攪拌前述容器之預稀釋液後，進行超音波處理。超音波條件為頻率：39 kHz，輸出100 W，照射時間3分鐘。 （1-3）超音波處理後，於10分鐘以內進行以下之粒度量測。

〈動態光散射法〉 （2-1）於利用動態光散射法之量測裝置使用Malvern公司製：Zetasizer Nano系列。該裝置藉由粒徑標準粒子（LTX3060A、LTX3200A），預先適切校正成例如量測誤差為2%以下之程度。 （2-2）將前述預稀釋液1 mL放入12 mm見方之玻璃槽（PCS1115），裝設於前述裝置。於該玻璃槽蓋上蓋件。 （2-3）粒子資訊設定成折射率＝2.0，虛數部0.850。 （2-4）溶媒資訊設定成2-Propanol，折射率=1.3750，黏度＝2.038。 （2-5）量測溫度設定成25℃。 （2-6）量測溫度自到達至量測的時間設定成60秒。 （2-7）槽之設定係設定為「glass cuvette」。 （2-8）量測時之檢測角度定為173°。 （2-9）將用於1次之量測的時間定為「Automatic」。 （2-10）重複次數定為3次。 （2-11）「Measurement Position」設定成「Seek for measurement position」並定為自動。 （2-12）關於粒度分布之平滑的模型定為「General Purpose」。 （2-13）採用Z-Average，將量測3次之平均定為量測值。

〈雷射散射法〉 （3-1）於利用雷射散射法之量測裝置使用Malvern公司製：Mastersizer 3000。 （3-2）粒子資訊設定成折射率＝2.0，虛數部0.850。 （3-3）溶媒資訊設定成乙醇，折射率＝1.3600。 （3-4）使用於量測之溶媒係使用乙醇（關東化學之鹿1級）。 （3-5）將指定量之前述乙醇填充於分散單元，使之在前述裝置內循環120秒。

圖3繪示利用動態光散射法及雷射散射法之粒度量測的結果。如圖3所示，藉由動態光散射法量測之粒度D1在實施例中分布於0.5 μm以上且1.5 μm以下的範圍。在比較例1中分布於1.3 μm～5.4 μm的範圍。在比較例2、3中分布於0.1 μm～1.5 μm的範圍。另一方面，藉由雷射散射法量測之粒度D2在實施例中為15 μm以上，進一步為50 μm以下。在比較例1中為35 μm以上。在比較例2、3中為15 μm以下。

圖4係將利用動態光散射法及雷射散射法之粒度量測之結果藉由以下方法整理的圖表。橫軸係粒度D2與粒度D1的差（D2－D1）。差（D2－D1）在實施例中為15 μm以上。在比較例1中為32 μm以上。在比較例2、3中分布於0.1 μm～15 μm的範圍。縱軸係粒度D2與粒度D1的比（D2／D1）。比（D2／D1）在實施例中為15以上。在比較例1中分布於7～63的範圍。在比較例2、3中分布於0.3～48的範圍。

實施例與比較例1、比較例2及比較例3相比較時，在圖3中，實施例係滿足「藉由動態光散射法測量之粒度D1為0.5 μm以上且1.5 μm以下，且藉由雷射散射法測量之粒度D2為15 μm以上，進一步為50 μm以下」這種條件者，比較例1～3皆未滿足此條件（以下稱為條件1）。並且，如由圖4所理解，僅實施例係皆滿足藉由動態光散射法測量之粒度D1與藉由雷射散射法測量之粒度D2的差（D2－D1）為15 μm以上之條件（以下稱為條件2）及藉由雷射散射法測量之粒度D2與藉由動態光散射法測量之粒度D1的比（D2／D1）為15以上之條件（以下稱為條件3）之任一者與條件1者。

〈柔軟性之評價例〉

以下對於本實施型態之電磁波吸收材A1說明進行了伸縮性之評價試驗的結果例。

準備將粉碎碳粒2之混合比率設定成0.5 wt%、10 wt%、30 wt%的柔軟性評價例1～3，作為柔軟性評價例。電磁波吸收材A1成形為30 mm × 15 mm且厚度為100 μm的薄片形狀。將此薄片狀之電磁波吸收材A1彎折360°，確認龜裂等發生的狀況，以作為彎折測試。並且，藉由玻璃環氧樹脂靜態夾頭固定電磁波吸收材A1之長邊方向之兩端之各5 mm的部分，使電磁波吸收材A1之除了固定部以外的部分（長度20 mm的部分）拉伸10%，確認龜裂等發生的狀況，以作為拉伸測試。

『表1』

	柔軟性評價例1 （混入比率：0.5 wt%）	柔軟性評價例2 （混入比率：10 wt%）	柔軟性評價例3 （混入比率：30 wt%）
彎折測試	良好	良好	良好
拉伸測試	良好	良好	良好

表1揭示評價例1～3之評價試驗結果。如表1所示，可知所有柔軟性評價例1～3在彎折測試及拉伸測試中未觀察到龜裂等之發生，而具有良好的柔軟性。

〈電磁波特性之評價例〉

以下對於本實施型態之電磁波吸收材A1說明進行了電磁波之吸收及遮蔽（電磁波特性）之評價試驗的結果。此外，電磁波吸收材A1的厚度做成400 μm。

準備將粉碎碳粒2之混合比率設定成0.5 wt%、10 wt%、30 wt%的電磁波特性評價例1～3，作為電磁波特性評價例。將此等電磁波特性評價例1～3作為對象，使用各頻段相異之KEC法（0.5 MHz～1000 MHz）、DFFC（Dual Focus Flat Cavity）法（1 GHz～8.5 GHz）、FS（Free Space）法（60 GHz～90 GHz）之3種方法來進行。此外，在KEC法中，測量電場（表2）及磁場（表3）之各自的衰減。在DFFC法（表4）及FS法中，測量電磁波之遮蔽及穿透。對於FS法，揭示吸收特性（表5）與遮蔽特性（表6）的結果。此外，在各表中，以分貝表示揭示衰減量。

『表2』

KEC法 （電場）頻率	電磁波特性評價例1 （混入比率：0.5 wt%）	電磁波特性評價例2 （混入比率：10 wt%）	電磁波特性評價例3 （混入比率：30 wt%）
1 MHz	21 dB	60 dB以上	60 dB以上
10 MHz	15 dB	47 dB	55 dB
100 MHz	5 dB	33 dB	42 dB
1000 MHz	0.5 dB	3 dB	20 dB

『表3』

KEC法 （磁場）頻率	電磁波特性評價例1 （混入比率：0.5 wt%）	電磁波特性評價例2 （混入比率：10 wt%）	電磁波特性評價例3 （混入比率：30 wt%）
1 MHz	1 dB以下	1 dB以下	1 dB以下
10 MHz	1 dB以下	1 dB以下	1 dB以下
100 MHz	1 dB以下	1 dB以下	1 dB以下
1000 MHz	1.5 dB	2.5 dB	3 dB

『表4』

DFFC法 頻率	電磁波特性評價例1 （混入比率：0.5 wt%）	電磁波特性評價例2 （混入比率：10 wt%）	電磁波特性評價例3 （混入比率：30 wt%）
2 GHz	1.5 dB	12 dB	18 dB
5 GHz	1.5 dB	12 dB	18 dB
8 GHz	1.5 dB	12 dB	18 dB

『表5』

FS法（吸收特性）頻率	電磁波特性評價例1 （混入比率：0.5 wt%）	電磁波特性評價例2 （混入比率：10 wt%）	電磁波特性評價例3 （混入比率：30 wt%）
50 GHz	1.5 dB	8.0 dB	2.0 dB
70 GHz	2.0 dB	6.0 dB	1.5 dB
80 GHz	4.0 dB	6.0 dB	1.5 dB

『表6』

FS法（遮蔽特性）頻率	電磁波特性評價例1 （混入比率：0.5 wt%）	電磁波特性評價例2 （混入比率：10 wt%）	電磁波特性評價例3 （混入比率：30 wt%）
50 GHz	1.0 dB	18 dB	25 dB以上
70 GHz	1.0 dB	19 dB	25 dB以上
80 GHz	1.0 dB	20 dB	25 dB以上

除了表5之FS法（吸收特性）以外，在大部分的評價試驗中皆觀察到混入比率高者則電磁波之吸收及遮蔽的效果提高的傾向。是故，混入比率做成30 wt%左右，因維持柔軟性且同時提高吸收及遮蔽效果，故為佳。另一方面，在使反射之影響減輕以提高吸收效果的情況下，如表5所示，藉由將混入比率做成10 wt%以下，並將電磁波吸收材A1之厚度加厚或使電磁波吸收材A1堆疊，可使電磁波吸收效果增加。

此外，藉由將鐵氧體加入合併於粉碎碳粒2，可提高電磁波吸收材A1之磁場之吸收及遮蔽效果。並且，亦可藉由使加了鐵氧體的電磁波吸收材A1堆疊，以使電磁波吸收效果增加。並且，在要求較高柔軟性的情況下，亦可相互堆疊具有粉碎碳粒2之電磁波吸收材A1與混入有鐵氧體的另一薄片。並且，亦可對於電磁波吸收材A1加入鈦酸鋇等高介電體，以作為提高電磁波吸收效果的另一策略。

其次，說明電磁波吸收材A1的作用。

如圖3及圖4所示，可藉由條件1明確區別源自奈米碳管之粉碎碳粒（實施例）與未粉碎之奈米碳管（比較例1）或一般碳黑（比較例2、3）。此事起因於藉由將碳黑粉碎而獲得之粉碎碳粒與未粉碎之奈米碳管（比較例1）或碳黑（比較例2、3），其因應粒度量測之種類的量測結果之傾向相異。亦即，奈米碳管一般容易成為硬質的狀態。並且，奈米碳管雖然為原本呈細長筒狀的型態，但筒狀因粉碎而在某種程度上受到破壞成塊，其尺寸變小。然而，即使粉碎後，其仍係由多個細的粒子所構成者。是故，在實施例中，對於粒度D1，與比較例2、3的大小雖不明確，但對於粒度D2，明確大於比較例2、3。並且，在實施例中，對於粒度D1，具有較比較例1還小的傾向。若以差（D2－D1）或比（D2／D1）比較此關係，則能夠進行更有利的區別。

使用有因條件1而區別之粉碎碳粒2的電磁波吸收材A1，其具有源自於奈米碳管之良好的導電性，同時藉由利用粉碎之小粒化（與比較例2之粒度D1的差），可提高伸縮性。藉此，可圖求兼顧電磁波吸收材A1之伸縮性的提升或對於各式形狀之成形性的提升，以及導電性的提升。因此，在以各式條件使用電磁波吸收材A1的情況下，可獲得更為良好的電磁波吸收效果。除了條件1以外，藉由適切組合條件2及條件3以進行區別，可更為確實篩選出粉碎碳粒2，其適於兼顧電磁波吸收材A1之伸縮性的提升或對於各式形狀之成形性的提升，以及導電性的提升。

圖5繪示本發明相關之電磁波吸收材之另一例。本例之電磁波吸收材A2係由多個單元層體B而成。各單元層體B係例如與於上已述之電磁波吸收材A1相同的構造。此等單元層體B相互堆疊，且藉由接合等相互固定。單元層體B所包含之粉碎碳粒2的濃度亦可彼此相異。

藉由此種電磁波吸收材A2，亦與電磁波吸收材A1同樣可圖求兼顧伸縮性的提升或對於各式形狀之成形性的提升，以及導電性的提升。並且，能夠更為容易將形成為薄片狀之電磁波吸收材A2的厚度加厚。再者，在變厚的電磁波吸收材A2之厚度方向上，可抑制粉碎碳粒2之濃度分布有所偏差。

圖6繪示本發明相關之電磁波吸收材之再一例。本例之電磁波吸收材A3係由多個單元層體B1、B2、B3而成。各單元層體B1、B2、B3相互堆疊，且藉由接合等方法相互固定。單元層體B3之粉碎碳粒2的濃度較單元層體B1、B2還高。單元層體B1包含磁性體粒子28。磁性體粒子28係例如鐵氧體粒子。單元層體B2包含高介電體粒子29。單元層體B1、B2之粉碎碳粒2的濃度較單元層體B3之粉碎碳粒2的濃度還低，亦可為例如0。在所繪示之例中，單元層體B1、B2之粉碎碳粒2的濃度為0。單元層體B1與單元層體B3相比，所吸收之電磁波之頻帶相異，更具體而言，吸收較低頻帶的電磁波。單元層體B2藉由助於介電常數的提升，能夠使所構成之RC網絡的電容成分增大。藉此，單元層體B2可吸收較低頻段的電磁波。作為構成高介電體粒子29的高介電體，可列舉：鈦酸鋇、鈦酸鍶、鈦酸鈣、鈦酸鎂、鈦酸鋅、鈦酸鑭、鈦酸釹、鈦酸鉛、鋯酸鋇、鋯酸鈣、錫酸鋇、錫酸鈣、矽酸鎂等，此等可單獨或混合2種以上使用。

藉由此種電磁波吸收材A3，亦與電磁波吸收材A1、A2同樣可圖求兼顧伸縮性的提升或對於各式形狀之成形性的提升，以及導電性的提升。並且，如由本例所理解，在本發明相關之電磁波吸收材形成為薄片狀的情況下，其具體的構造不受任何限制。藉由除了單元層體B3還具有單元層體B1，可吸收較寬頻帶的電磁波。

圖7繪示本發明相關之電磁波吸收材之再一例。本例之電磁波吸收材A31係與於上已述之電磁波吸收材A3同樣由多個單元層體B1、B2、B3而成。電磁波吸收材A31之單元層體B2的構造與電磁波吸收材A3之單元層體B2相異。

本例之單元層體B2包含高介電體粒子29及粉碎碳粒2兩者。惟單元層體B2之粉碎碳粒2的濃度較單元層體B3之粉碎碳粒2的濃度還低。藉由此種電磁波吸收材A31，亦與電磁波吸收材A1、A2同樣可圖求兼顧伸縮性的提升或對於各式形狀之成形性的提升，以及導電性的提升。並且，如由本例所理解，在本發明相關之電磁波吸收材形成為薄片狀的情況下，其具體的構造不受任何限制。

圖8繪示本發明相關之電磁波吸收材之再一例。本例之電磁波吸收材A4係由單元層體B而成。本例之單元層體B包含磁性體粒子28及粉碎碳粒2。根據電磁波吸收材A4，因由1個單元層體B而成的構造，可吸收較寬頻段的電磁波。

圖9繪示本發明相關之塗布有電磁波吸收塗料之電子裝置之一例。本實施型態之電子裝置C具備電子元件51、多個引線52、53a、53b、導線54a、54b、樹脂部55及電磁波吸收材A5。

電子元件51係使用例如半導體形成以實現各種電子功能的元件。引線52、53a、53b係由例如Cu等金屬而成的導電性部件。於引線52搭載有電子元件51。於引線53a接合有導線54a之一端，於引線53b接合有導線54b之一端。導線54a、54b係由例如Au等金屬而成，各自的另一端接合於電子元件51。樹脂部55覆蓋電子元件51、引線52、53a、53b之各一部分及導線54a、54b，係由例如環氧樹脂而成之絕緣性的部件。

電磁波吸收材A5覆蓋電子裝置C之構成要件，在所繪示之例中，覆蓋樹脂部55。電磁波吸收材A5與於上已述之電磁波吸收材A1、A2、A3同樣具有基材1及粉碎碳粒2。並且，電磁波吸收材A5係藉由塗布而形成。電磁波吸收材A5形成於與引線53a、53b分離的位置。此係為了避免與引線53a及引線53b的短路。

在藉由塗布形成電磁波吸收材A5的情況下，藉由塗布電磁波吸收塗料來形成。電磁波吸收塗料包含成為基材1之糊狀材料或液狀材料，且對於此種糊狀材料或液狀材料混入粉碎碳粒2。作為糊狀材料，可舉出例如矽氧潤膏，以高黏度之矽氧潤膏為佳。

於電子裝置C，設置有電磁波吸收材A5。藉此，能夠抑制自電子裝置C之電磁波的洩漏，或能夠抑制自外部之電磁波雜訊影響電子元件51。並且，若藉由塗布形成電磁波吸收材A5，則即使電子裝置C之樹脂部55等的形狀複雜，仍可由電磁波吸收材A5確實覆蓋電子裝置C。並且，即使在因機械應力或熱膨脹使電子裝置C之形狀變化的情況下，亦能夠抑制於電磁波吸收材A5產生龜裂等，避免網絡的破損，而可維持特性。

再者，本發明相關之樹脂零件具備由樹脂而成之零件本體與覆蓋該零件本體之至少一部分的電磁波吸收塗料。作為電磁波吸收塗料，適切使用在於上已述之實施型態中之電磁波吸收塗料即可。零件本體不受任何限制，可適切列舉例如：以保險桿為代表之汽車零件、以行動電話之外殼為代表的電子儀器零件等。

由電磁波吸收塗料覆蓋零件本體之至少一部分，藉此在提高關於樹脂零件所應用之儀器或裝置等的電磁波雜訊之遮蔽效果的同時，與使用例如金屬零件遮蔽電磁波雜訊的構造相比可謀求輕量化。

本發明相關之電磁波吸收材、電磁波吸收塗料、電子裝置及樹脂零件並非受於上已述之實施型態所限者。本發明相關之電磁波吸收材、電磁波吸收塗料及電子裝置之具體的構造，係自由設計變更成各種構造。

1:基材 2:粉碎碳粒 28:磁性體粒子 29:高介電體粒子 51:電子元件 52,53a,53b:引線 54a,54b:導線 55:樹脂部 A1,A2,A3,A31,A4,A5:電磁波吸收材 B,B1,B2,B3:單元層體 C:電子裝置

〈圖1〉係繪示本發明相關之電磁波吸收材之一例的剖面圖。

〈圖2〉係繪示本發明相關之電磁波吸收材之製造方法之一例的流程圖。

〈圖3〉係繪示本發明相關之電磁波吸收材之一例之電極層之粉碎碳粒之粒度之量測結果的圖表。

〈圖4〉係繪示本發明相關之電磁波吸收材之一例之電極層之粉碎碳粒之粒度之量測結果的圖表。

〈圖5〉係繪示本發明相關之電磁波吸收材之另一例的剖面圖。

〈圖6〉係繪示本發明相關之電磁波吸收材之再一例的剖面圖。

〈圖7〉係繪示本發明相關之電磁波吸收材之再一例的剖面圖。

〈圖8〉係繪示本發明相關之電磁波吸收材之再一例的剖面圖。

〈圖9〉係繪示本發明相關之使用有電磁波吸收塗料的電子裝置之一例的剖面圖。

1:基材

2:粉碎碳粒

A1:電磁波吸收材

Claims (13)

1. 一種電磁波吸收材，其包含源自奈米碳管之粉碎碳粒。
2. 如請求項1所述之電磁波吸收材，其中前述粉碎碳粒藉由動態光散射法測量之粒度為0.5 μm以上且1.5 μm以下，且藉由雷射散射法測量之粒度為15 μm以上且70 μm以下。
3. 如請求項2所述之電磁波吸收材，其中前述粉碎碳粒藉由動態光散射法測量之粒度與藉由雷射散射法測量之粒度的差為15 μm以上。
4. 如請求項1至3之任一項所述之電磁波吸收材，其形成為薄片狀。
5. 如請求項4所述之電磁波吸收材，其形成為由相互堆疊之多個層體而成的薄片狀。
6. 如請求項5所述之電磁波吸收材，其具有粉碎碳粒之濃度較其他層體還高的層體。
7. 如請求項6所述之電磁波吸收材，其具有與前述粉碎碳粒之濃度較其他層體還高的層體相比所吸收之電磁波之頻帶相異的層體。
8. 如請求項7所述之電磁波吸收材，其具有包含磁性體之層體及包含高介電體之層體之至少一者。
9. 一種電磁波吸收塗料，其包含源自奈米碳管之粉碎碳粒。
10. 如請求項9所述之電磁波吸收塗料，其中前述粉碎碳粒藉由動態光散射法測量之粒度為0.5 μm以上且1.5 μm以下，且藉由雷射散射法測量之粒度為15 μm以上且70 μm以下。
11. 如請求項10所述之電磁波吸收塗料，其中前述粉碎碳粒藉由動態光散射法測量之粒度與藉由雷射散射法測量之粒度的差為15 μm以上。
12. 一種電子裝置，其塗布有如請求項9至11之任一項所述之電磁波吸收塗料。
13. 一種樹脂零件，其塗布有如請求項9至11之任一項所述之電磁波吸收塗料。

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