TW202205430A - 半導體裝置的製造方法、基板處理裝置及程式 - Google Patents

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Abstract

若根據本案之一形態，則具有：在氣體型態畫面上設定閥的開閉狀態而作成處方之工程、及藉由實行被作成的處方來處理基板之工程， 作成處方的工程是提供一種包含(a)在氣體型態畫面上任意的閥的開閉狀態變化時，選擇該氣體型態畫面上的氣體配管之工程及(b)確認被連接至選擇的氣體配管的閥的開閉狀態之工程的技術。

Description

半導體裝置的製造方法、基板處理裝置及程式
本案是有關半導體裝置的製造方法，基板處理裝置及程式。
在基板處理裝置中，藉由從氣體供給系供給氣體至處理室內的基板(以下亦稱為晶圓)，進行預定的處理。至少將此氣體供給系顯示於操作畫面，進行流至各氣體供給系的氣體配管的氣體的流量或閥的開閉等的設定。
到此為止，在操作畫面上，進行氣體配管內的流動狀態的檢測或模擬實驗及閥的設定。並且，進行明示(著色等)氣體配管內的氣體的流動。
在專利文獻1是揭示可檢測氣體配管中的氣體的充滿狀態而顯示的半導體製造裝置。在專利文獻2是揭示模擬從氣體來源供給氣體至目的的供給去處時的氣體的流動的基板處理裝置。在專利文獻3是揭示可在操作畫面上設定閥開閉的基板處理裝置。
最近的裝置的微細化或深層化，使得製程複雜化。因此使用多種多樣的氣體，為了依照氣體種類來供給氣體至處理室，需要各式各樣的閥或配管的組合。隨之，顯示閥或氣體配管的氣體型態圖會複雜化。
又，一旦此氣體型態圖變複雜，則以往那樣明示配管內的氣流的程度是難以確認氣體的流動。 先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本特開2002-025918號公報 專利文獻2：日本特開2010-102693號公報 專利文獻3：日本特開2006-093494號公報
(發明所欲解決的課題)
若根據本案，則提供一種在操作畫面上將任意的閥設為開狀態時，可一面確認影響哪個氣體配管，一面確認所望的氣流狀態之技術。 (用以解決課題的手段)
若根據本案之一形態，則具有：在氣體型態畫面上設定閥的開閉狀態而作成處方之工程、及藉由實行被作成的處方來處理基板之工程， 作成前述處方的工程是提供一種包含(a)在前述氣體型態畫面上任意的閥的開閉狀態變化時，選擇該氣體型態畫面上的氣體配管之工程及(b)確認被連接至前述選擇的氣體配管的閥的開閉狀態之工程的技術。 [發明的效果]
若根據本案，則在將任意的閥設為開狀態時，可一面確認影響哪個氣體配管，一面以能形成所望的氣流狀態之方式在操作畫面上設定閥的開閉狀態。
以下，一面參照圖面，一面說明有關本案之一實施形態。首先，在圖1、圖2中，說明有關本案所實施的基板處理裝置10。
基板處理裝置10是具備框體111，在該框體111的正面壁111a的下部是開設有被設為可維修的開口部的正面維修口103，該正面維修口103是藉由正面維修門104來開閉。
在框體111的正面壁111a是傳送盒搬入搬出口112會被開設成連通框體111的內外，傳送盒搬入搬出口112是藉由前遮擋板(front shutter)113來開閉，在傳送盒搬入搬出口112的正面前方側是設置有裝載埠(基板搬送容器交接台)114，裝載埠114是被構成為將被載置的傳送盒110對位。
傳送盒110是密閉式的基板搬送容器，藉由未圖示的工程內搬送裝置來搬入至裝載埠114上，又從裝載埠114上搬出。
在框體111內的前後方向的大略中央部的上部是設置有旋轉式傳送盒架(基板搬送容器儲存架)105，旋轉式傳送盒架105是被構成為儲存複數個的傳送盒110。
旋轉式傳送盒架105是具備：垂直立設而被間歇旋轉的支柱116、及在上中下段的各位置放射狀地支撐於該支柱116的複數段的架板(基板搬送容器載置架)117，架板117是被構成為針對複數個目標載置傳送盒110的狀態下儲存。
在旋轉式傳送盒架105的下方是設有傳送盒開啟器(基板搬送容器蓋體開閉機構)121，傳送盒開啟器121是具有載置傳送盒110且可開閉傳送盒110的蓋之構成。
裝載埠114與旋轉式傳送盒架105、傳送盒開啟器121之間是設置有傳送盒搬送機構(容器搬送機構)118，傳送盒搬送機構118是保持傳送盒110而可昇降、可進退於水平方向，被構成為在與裝載埠114、旋轉式傳送盒架105、傳送盒開啟器121之間搬送傳送盒110。
在框體111內的前後方向的大略中央部的下部是副框體119會跨越於後端而設。在副框體119的正面壁119a是用以對於副框體119內搬入搬出晶圓200的晶圓搬入搬出口(基板搬入搬出口)120會一對排列於上下2段而開設，對於上下段的晶圓搬入搬出口120分別設有傳送盒開啟器121。
傳送盒開啟器121是具備：載置傳送盒110的載置台122、及開閉傳送盒110的蓋的開閉機構123。傳送盒開啟器121是藉由開閉機構123來開閉被載置於載置台122的傳送盒110的蓋，藉此被構成為開閉傳送盒110的晶圓出入口。
副框體119是構成從配設有傳送盒搬送機構118或旋轉式傳送盒架105的空間(傳送盒搬送空間)成為氣密的移載室124。在移載室124的前側區域是設置有晶圓移載機構(基板移載機構)125，晶圓移載機構125是具備載置晶圓200的所要片數(在圖示是5片)的晶圓載置板125c，晶圓載置板125c是可直動於水平方向，可旋轉於水平方向，又可昇降。晶圓移載機構125是被構成為對於晶舟(基板保持體)217裝填及釋出晶圓200。
在移載室124的後側區域是構成收容晶舟217而使待機的待機部126，在待機部126的上方是設有縱型的處理爐202。處理爐202是在內部形成處理室201，處理室201的下端部是成為爐口部，爐口部是藉由爐口遮擋板(爐口開閉機構)147來開閉。
在框體111的右側端部與副框體119的待機部126的右側端部之間是設置有用以使晶舟217昇降的晶舟昇降機(基板保持具昇降機構)115。在被連結至晶舟昇降機115的昇降台的臂128是作為蓋體的密封蓋129會被水平地安裝，密封蓋129是垂直地支撐晶舟217，可在將晶舟217裝入至處理室201的狀態下氣密地閉塞爐口遮擋板147。
晶舟217是被構成為使複數片(例如50片～125片程度)的晶圓200中心一致而以水平姿勢多段保持。
在與晶舟昇降機115側對向的位置是配設有清潔單元134，清潔單元134是以供給風扇及防塵過濾器所構成，使能供給清淨化後的空氣或惰性氣體的淨化空氣133。在晶圓移載機構125與清潔單元134之間是設置有作為使晶圓200的圓周方向的位置整合的基板整合裝置的凹槽對準裝置(未圖示)。
從清潔單元134吹出的淨化空氣133是被構成為流通於裝置(未圖示)及晶圓移載機構125、晶舟217之後，藉由未圖示的管路來吸入，被排氣至框體111的外部，或藉由清潔單元134來吹出至移載室124內。
其次，利用圖3的縱剖面圖來說明在本案之一實施形態所適用的基板處理裝置10的處理爐202的概略構成。
如圖3所示般，處理爐202是具有作為加熱機構(溫度調整部)的加熱器207。加熱器207是圓筒形狀，藉由被支撐於保持板來垂直地安裝。加熱器207是亦作為以熱來使氣體活化(激發)的活化機構(激發部)機能。
在加熱器207的內側是與加熱器207同心圓狀地配設反應管203。反應管203是例如藉由石英(SiO2 )或碳化矽(SiC)等的耐熱性材料所構成，形成上端閉塞且下端開口的圓筒形狀。反應管203的筒中空部是形成處理室201。處理室201是被構成為可收容作為基板的晶圓200。在此處理室201進行對於晶圓200的處理。
在處理室201內，複數的噴嘴249會被設為貫通反應管203的下部側壁。各噴嘴249是分別連接複數的氣體供給管232。
在氣體供給管232中，從氣流的上游側依序分別設有流量控制器(流量控制部)的質量流控制器(MFC) 241及開閉閥的閥243。
從氣體供給管232是分別原料氣體、惰性氣體、反應氣體等的各種氣體會經由MFC241、閥243、噴嘴249來供給至處理室201內。
並且，在反應管203的側壁下方是連接將處理室201的氣氛排氣的排氣管231。排氣管231是經由作為檢測出處理室201內的壓力的壓力檢測器(壓力検出部)的壓力感測器245及作為壓力調整器(壓力調整部)的APC (Auto Pressure Controller)閥244來連接藉由真空泵所構成的排氣裝置246。APC閥244是被構成為藉由在使排氣裝置246作動的狀態下開閉閥，可進行處理室201內的真空排氣及真空排氣停止，更在使排氣裝置246作動的狀態下，根據藉由壓力感測器245所檢測出的壓力資訊來調節閥開度，藉此可調整處理室201的壓力。主要藉由排氣管231、壓力感測器245、APC閥244來構成排氣系。亦可思考將排氣裝置246含在排氣系中。
另外，有時將氣體供給管232及排氣管231彙總稱為氣體配管的情況。
而且，在反應管203的下方是設有作為可氣密地閉塞反應管203的下端開口的爐口蓋體的密封蓋219。密封蓋219是例如藉由SUS等的金屬材料所構成，被形成圓盤狀。在密封蓋219的上面是設有作為與反應管203的下端抵接的密封構件的O型環220。在密封蓋219的下方是設置有使後述的晶舟217旋轉的旋轉機構267。旋轉機構267的旋轉軸255是貫通密封蓋219來連接至晶舟217。旋轉機構267被構成為藉由使晶舟217旋轉來使晶圓200旋轉。密封蓋219是被構成為藉由被設置於反應管203的外部的昇降機構的晶舟昇降機115來昇降於垂直方向。晶舟昇降機115是被構成為藉由使密封蓋219昇降，將晶圓200搬入及搬出(搬送)至處理室201內外的搬送裝置(搬送機構)。
作為基板支撐具的晶舟217是被構成為將複數片例如25～200片的晶圓200以水平姿勢且彼此中心一致的狀態下使排列於垂直方向而多段地支撐，亦即取間隔來使配列。晶舟217是例如藉由石英或SiC等的耐熱性材料所構成。在晶舟217的下部是例如藉由石英或SiC等的耐熱性材料所構成的隔熱板218會以水平姿勢來多段地支撐。
在反應管203內是設置有作為溫度檢測器的溫度感測器263。根據藉由溫度感測器263所檢測出的溫度資訊來調整往加熱器207的通電情況，藉此處理室201內的溫度會成為所望的溫度分佈。溫度感測器263是沿著反應管203的內壁而設。
而且，如圖4所示般，控制部(控制手段)的控制器240是被構成為具備CPU(Central Processing Unit) 240a、RAM(Random Access Memory)240b、記憶裝置240c、I/O埠240d的電腦。RAM240b、記憶裝置240c、I/O埠240d是被構成為可經由內部匯流排240e來與CPU240a交換資料。控制器240是連接例如被構成為觸控面板等的輸出入裝置252。
記憶裝置240c是例如以快閃記憶體、HDD (Hard Disk Drive)等所構成。在記憶裝置240c內是可讀取地儲存有控制基板處理裝置的動作的控制程式、或記載有預定的處理程序(以後亦稱為步驟)或條件等的處方等。主要以複數的步驟所構成的製程處方是被組合成使預定的處理的各步驟實行於控制器240，可取得預定的結果者，作為程式機能。以下，亦將包含製程處方的處方或控制程式等總簡稱為程式。又，以後亦將製程處方簡稱為處方。在本說明書中稱程式時，有只包含處方單體時，只包含控制程式單體時，或包含該等的雙方的情況。RAM240b是被構成為暫時性地保持藉由CPU240a所讀出的程式或資料等的記憶區域(工作區域)。
I/O埠240d是被連接至上述的MFC241、閥243、壓力感測器245、APC閥244、排氣裝置246、溫度感測器263、加熱器207、旋轉機構267、晶舟昇降機115等。
CPU240a是被構成為從記憶裝置240c讀出控制程式而實行，且按照來自輸出入裝置252的操作指令的輸入等，從記憶裝置240c讀出處方。CPU240a是被構成為按照讀出的處方的內容，控制MFC241之各種氣體的流量調整動作、閥243的開閉動作、APC閥244的開閉動作及根據壓力感測器245之APC閥244的壓力調整動作、排氣裝置246的起動及停止、根據溫度感測器263之加熱器207的溫度調整動作、旋轉機構267之晶舟217的旋轉及旋轉速度調節動作、晶舟昇降機115之晶舟217的昇降動作等。
控制器240是可藉由將被儲存於外部記憶裝置250的上述的程式安裝於電腦而構成。外部記憶裝置252是例如包含HDD等的磁碟、CD等的光碟、MO等的光磁碟、USB記憶體等的半導體記憶體等。記憶裝置240c或外部記憶裝置250是被構成為電腦可讀取的記錄媒體。以下，將該等總簡稱為記錄媒體。在本說明書中稱記錄媒體時，有只包含記憶裝置240c單體時，只包含外部記憶裝置250單體時，或包含該等雙方的情況。另外，對電腦的程式提供是亦可不經由外部記憶裝置250，利用網際網路或專線等的通訊手段來進行。
本實施形態的基板處理裝置10是在設定複數的參數而作成處方時，顯示表達包含閥或氣體配管的氣體型態圖之氣體型態畫面，模擬藉由在此氣體型態畫面上開啟哪個閥而可從氣體來源供給氣體至目的的供給去處，一面設定閥的開閉等的參數，一面可作成處方之構成。
在圖5所示的氣體型態畫面中，顯示複數的MFC241、多數的閥243、氣化器260、處理爐202、排氣裝置246等的各種的裝置之間會如網路般藉由多數的氣體配管來連接的狀態。特別是閥243a～243h被顯示為最接近未圖示的氣體來源(氣體源)的閥。
在此氣體型態畫面中，可監視現在的閥為顯示開啟狀態(開狀態)或關閉狀態(閉狀態)的開閉狀態。具體而言，藉由在閥為開啟狀態的情況及關閉狀態的情況所顯示的顏色切換，可知該閥為開啟狀態或關閉狀態。
而且，在此氣體型態畫面是除了閥的開閉狀態的監視機能以外，還設有供以使用者切換任意的閥的開閉狀態的操作機能。使用者在使用此閥的操作機能時，藉由按下在氣體型態圖上顯示的閥的畫像，可切換開啟狀態及關閉狀態。另外，被構成為可使同時按下複數的任意的閥的開閉狀態。
而且，在此氣體型態畫面是亦具備：在實際進行閥的操作之前，模擬操作閥而開閉狀態變化時，氣體流至哪個氣體配管，將氣體配管著色而使顯示色變化，藉此將模擬結果指示給使用者那樣的機能。
而且，本實施形態的基板處理裝置10是藉由使操作畫面大畫面化，除了閥243以外，可將包含處理爐202、MFC等的流量控制器241、氣化器260、作為壓力調整器的APC閥244、搬送裝置等的裝置的氣體型態圖顯示於與未圖示的溫度、壓力、搬送系等的複數的參數同樣的畫面上。因此，不用切換操作畫面，設定被顯示於氣體型態圖的閥243或裝置及複數的參數，藉此被顯示的步驟的設定為可能。可一面藉由作為畫面切換部的畫面切換按鍵280來切換步驟，一面進行處方的作成。而且，藉由使用顯示多種的裝置的氣體型態畫面，可利用氣流的模擬實驗機能來設定參數，即使是初學者也容易作成處方。
控制器240是被構成為在操作畫面上作成處方時，可一面在操作畫面上至少顯示複數的參數，一面在圖5所示的氣體型態畫面上受理閥的開閉狀態的設定。又，控制器240是被構成為可受理複數的參數之中，例如與由未圖示的溫度、壓力、搬送系所組成的群來選擇的至少1個關聯的參數的設定，但該等的參數終究是一例，依據處方來顯示於操作畫面的參數是可適當設定。
又，此氣體型態畫面是被構成為至少顯示被設成從供給氣體等的原料至反應室的供給系統到將反應室減壓至真空環境的排氣系統之閥。而且，可設定在氣體型態畫面上作為圖標顯示的上述的流量控制器241、氣化器260、排氣裝置246、壓力調整器等的裝置的各種參數。
並且，在此操作畫面是具有作為用以登錄被設定的參數的登錄部的登錄按鍵270，此登錄按鍵270是被構成為在被按下時受理參數的設定內容。
而且，此登錄按鍵270是被構成在氣體型態畫面中從氣體來源到目的的氣體供給去處之間的閥全部成為開啟狀態，來自氣體來源的氣體到達氣體供給去處時可按下。
亦即，登錄按鍵270是被構成為在氣體型態畫面中從氣體來源到目的的氣體供給去處之間的閥全部不是開啟狀態時，無法按下。
並且，在此操作畫面是設有：被構成登錄按鍵270之設定內容的受理後可按下，從一個的步驟往其他的步驟切換畫面之畫面切換按鍵280。
其次，參照圖6的流程圖來說明有關本實施形態的基板處理裝置10的氣體配管的著色機能(氣流模擬顯示機能)。在本實施形態中，例如，當圖5所示的氣體型態畫面被顯示於操作畫面時，圖6所示的機能是成為有效。但，例如亦可一旦未圖示的設定按鍵或氣體型態畫面上的任一的閥243被按下，則圖6所示的機能會從無效成為有效，開始本流程圖。
在圖6中，首先在S101中，控制器240是判定是否氣體型態畫面上的任一的閥243被操作。至閥243被操作為止，成為待機狀態。在此，本實施形態是對閥243特殊化進行說明，但亦可按照MFC的設定值來調整氣體配管的著色。例如，亦可按照MFC的設定值來變更線的粗度等。
然後，在S101中，判定成氣體型態畫面上的任一的閥243被操作時，控制器240是在S102中，判定是否在氣體型態圖顯示的全部的氣體配管被選擇。
在此S102中，判定成全部的氣體配管被選擇時，控制器240是回到S101，成為待機狀態。
然後，在此S102中，判定成全部的氣體配管未被選擇時，控制器240是在S103中，選擇1個在氣體型態畫面上顯示的閥間的氣體配管數之中，尚未被選擇的氣體配管。
然後，控制器240是在S104中，首先將選擇的氣體配管著以黑色。
其次，控制器240是在S105中，判定是否被連接至選擇的氣體配管的閥為1個以上開啟狀態(開狀態)。
然後，在S105中，判定成被連接至選擇的氣體配管的閥為1個以上開啟狀態(開狀態)時，控制器240是在S106中，以虛線的氣體色來將選擇的氣體配管著色。在此，所謂氣體色是表示氣體被供給的狀態的顏色，例如可使用黃色、藍色、綠色等的任意的色。
其次，控制器240是在S107中，判定是否從氣體來源到選擇的氣體配管的全部的閥為開啟狀態(開狀態)。
然後，在S107中，判定成從氣體來源到選擇的氣體配管的全部的閥為開啟狀態(開狀態)時，控制器240是在S108中，以實線的氣體色來將選擇的氣體配管著色。
另外，在S105中，判定被連接至選擇的氣體配管的閥不為1個以上開啟狀態時，或在S107中，判定從氣體來源到選擇的氣體配管的全部的閥不為開啟狀態時，控制器240是回到S102。
藉由進行上述的處理，任一的閥被操作而切換開閉狀態時，控制器240是1個1個依序選擇在氣體型態畫面上顯示的全部的氣體配管，重複S102～S108的處理。
另外，雖未含在圖6所示的流程圖中，但若重複S102～S108的處理，閥開閉狀態的設定結束，按下圖5所示的登錄按鍵270，則可保存閥的開閉狀態。又，亦可取代登錄按鍵270，以保存閥開閉的設定狀態的保存按鍵等來保存。
其次，舉簡單的氣體型態圖為例具體說明有關在上述的圖6的流程圖中說明的氣體配管的著色處理。
將在進行此說明時使用的簡易的氣體型態圖例顯示於圖7。在此，為了說明氣體配管的著色處理的程序，使用單純的構成的氣體型態圖。具體而言，圖7所示的氣體型態圖是成為氣體來源247及處理爐202以及排氣裝置246之間會藉由5根的氣體配管a～e及4個的閥1～4來連接的構成。
在此，閥a～e是以斜線來表示時，是表示關閉狀態，以白色來表示時，是表示開啟狀態。
其次，參照圖8～圖12來說明有關在圖7所示的氣體型態圖中，使用者作成關於將來自氣體來源247的氣體供給至處理爐202時的程序之處方。
首先，說明使用者如圖8(A)所示般，將最接近氣體來源247的閥1及最接近處理爐202的閥4切換成開啟狀態。
由於如此閥1、4的開閉狀態切換，因此控制器240是依序選擇5個的氣體配管a～e，實行上述般的著色處理。
首先，控制器240是在S102中，判定是否全部的氣體配管的選擇完了，在此由於哪個的氣體配管皆尚未選擇，因此前進至S103的處理。
在S103中，控制器240是選擇1個氣體配管，在此是選擇氣體配管a說明。
因此，控制器240是如圖8(B)所示般，將選擇的氣體配管a著以黑色。
其次，控制器240是在S105中，判定是否被連接至選擇的氣體配管a的閥為1個以上開啟狀態。在此，由於被連接至氣體配管a的閥1為開啟狀態，因此控制器240是如圖8(C)所示般，以虛線的氣體色來將氣體配管a著色。
進一步，控制器240是在S107中，判定是否從氣體來源247到選擇的氣體配管a的全部的閥為開啟狀態。在此，由於從氣體來源247到氣體配管a不存在閥，因此控制器240是如圖9(A)所示般，以實線的氣體色來將此氣體配管a著色。
其次，控制器240是回到S102的處理，判定是否全部的氣體配管的選擇完了，由於在此是僅氣體配管a被選擇，氣體配管b～e尚未選擇，因此前進至S103的處理。
在S103中，控制器240是選擇氣體配管b說明。
因此，控制器240是如圖9(B)所示般，將選擇的氣體配管b著以黑色。
其次，控制器240是在S105中，判定是否被連接至選擇的氣體配管b的閥為1個以上開啟狀態。在此，由於被連接至氣體配管b的閥1為開啟狀態，因此控制器240是如圖9(C)所示般，以虛線的氣體色來將氣體配管b著色。
進一步，控制器240是在S107中，判定是否從氣體來源247到選擇的氣體配管b的全部的閥為開啟狀態。在此，由於從氣體來源247到氣體配管b的閥1為開啟狀態，因此控制器240是如圖10(A)所示般，以實線的氣體色來將此氣體配管b著色。
其次，控制器240是回到S102的處理，判定是否全部的氣體配管的選擇完了，由於在此是僅氣體配管a、b被選擇，氣體配管c～e尚未選擇，因此前進至S103的處理。
在S103中，控制器240是選擇氣體配管c說明。
因此，控制器240是如圖10(B)所示般，將選擇的氣體配管c著以黑色。
其次，控制器240是在S105中，判定是否被連接至選擇的氣體配管c的閥為1個以上開啟狀態。在此，由於被連接至氣體配管c的閥4為開啟狀態，因此控制器240是如圖10(C)所示般，以虛線的氣體色來將氣體配管c著色。
進一步，控制器240是在S107中，判定是否從氣體來源247到選擇的氣體配管c的全部的閥為開啟狀態。在此，由於從氣體來源247到氣體配管c的閥之中，閥1為開啟狀態，但閥2為關閉狀態，因此控制器240是將氣體配管c設為虛線的氣體色不變。
其次，控制器240是回到S102的處理，判定是否全部的氣體配管的選擇完了，在此是僅氣體配管a、b、c被選擇，氣體配管d、e尚未選擇，因此前進至S103的處理。
在S103中，控制器240是選擇氣體配管d說明。
因此，控制器240是如圖11(A)所示般，將選擇的氣體配管d著以黑色。
其次，控制器240是在S105中，判定是否被連接至選擇的氣體配管d的閥為1個以上開啟狀態。在此，由於被連接至氣體配管d的閥4為開啟狀態，因此控制器240是如圖10(B)所示般，以虛線的氣體色來將氣體配管d著色。
進一步，控制器240是在S107中，判定是否從氣體來源247到選擇的氣體配管d的全部的閥為開啟狀態。在此，由於從氣體來源247到氣體配管c的閥之中，閥1、4為開啟狀態，但閥2為關閉狀態，因此控制器240是將氣體配管d設為虛線的氣體色不變。
最後，控制器240是回到S102的處理，判定是否全部的氣體配管的選擇完了，在此是僅氣體配管a～d被選擇，氣體配管e尚未選擇，因此前進至S103的處理。
在S103中，控制器240是選擇氣體配管e。
因此，控制器240是如圖11(C)所示般，將選擇的氣體配管e著以黑色。
其次，控制器240是在S105中，判定是否被連接至選擇的氣體配管e的閥為1個以上開啟狀態。在此，被連接至氣體配管e的閥3是關閉狀態，因此控制器240是將氣體配管e設為黑色不變。
然後，控制器240是回到S102的處理，判定是否全部的氣體配管的選擇完了，由於在此是選擇全部的氣體配管a～e，因此回到S101的處理，氣體配管的著色處理結束。
藉由實行上述般的處理，將閥1、4切換成開啟狀態，藉此氣體型態圖最終被著色成圖11(C)所示般的狀態。
看到被著色成圖11(C)所示般的狀態的氣體型態圖的使用者可知為了將來自氣體來源247的氣體供給至處理爐202，只要將被設在以實線的氣體色所著色的氣體配管b及以虛線的氣體色所著色的氣體配管c之間的閥2設為開啟狀態即可。
而且，使用者將此閥2從關閉狀態切換成開啟狀態時，藉由重複與上述同樣的處理，如圖12所示般，氣體配管c、d也藉由實線的氣體色而被著色。
如此，控制器240是例如被夠成為在圖5所示般的氣體型態畫面上至少實行相當於上述的S102･S103的下述(a)工程、相當於上述的S105的下述(b)工程、相當於上述的S107的下述(c)工程。 (a)在氣體型態畫面上任意的閥的開閉狀態變化時，依序選擇此氣體型態畫面上的全部的氣體配管之工程 (b)確認被連接至選擇的氣體配管的閥的開閉狀態之工程 (c)確認從氣體來源到選擇的氣體配管之間的全部的閥是否為開狀態之工程
而且，在(b)工程中，控制器240是被構成為當被連接至選擇的氣體配管的閥之中，任一的1個為開啟狀態時，實行以任意的色的虛線例如黃色的虛線來將選擇的氣體配管著色之工程(S106)。
又，在(b)工程中，控制器240是被構成為當被連接至選擇的氣體配管的閥為全部關閉狀態時，結束對於選擇的氣體配管的處理，轉移至對於其次的氣體配管的處理。
進一步，在(c)工程中，控制器240是被構成為當從氣體來源到選擇的氣體配管之間的全部的閥為開啟狀態時，實行將選擇的氣體配管從任意的色的虛線切換成任意的色的實線例如黃色的實線之工程(S108)。另外，在(a)工程中，氣體配管的選擇是不被限定於隨著在氣體型態畫面上的顯示的變化者，只要在控制器240的內部邏輯性地選擇即足夠。
如此，若根據本實施形態，則藉由控制器240進行氣體型態畫面的氣體的流動的狀態顯示，當使用者將任意的閥設為開啟狀態時，可在操作畫面上容易得知影響哪個氣體配管。
以往，將在氣體型態畫面上顯示的任意的閥的開閉狀態從關閉狀態切換成開啟狀態時，氣體未到達其任意的閥的狀態，亦即未產生氣體的流動的狀態，是無法使被連接至其任意的閥的氣體配管的圖像(graphic)顯示變化。因此，難以得知切換至開狀態的任意的閥會給予哪個氣體配管怎樣的影響，但由於即使是無氣體的流動的狀態也使持有著色的機能，因此將氣體未到達的狀態的閥設為開狀態時之給予氣體配管的影響是可以該閥作為起點追溯氣體配管。
若根據本實施形態，則可不靠使用者的技能，正確地設定閥的開閉。亦即，以往是若為熟知氣體型態圖的構造的老練的使用者，則可瞬間地判斷複雜的氣體型態圖的構造，正確地設定閥的開閉。若根據本實施形態，則即使是初學的使用者，也只要操作氣體型態圖的哪個閥便可將氣體的流動狀態顯示於氣體型態圖上，因此可邊在畫面上掌握閥開閉時的氣體的流動狀態邊作業，所以設定閥的開閉的作業時間延遲等的問題會被抑制。
其次，根據圖16所示的流程圖說明利用上述般的氣體配管的著色處理，將在圖5所示的氣體型態畫面上顯示的閥的開閉狀態的設定應用於處方作成的情況。特別是參照圖13～圖15說明有關氣體型態畫面上的閥開閉狀態的設定。
首先，在操作畫面是顯示有用以作成處方的處方編集畫面。此時，圖6所示的流程圖是成為有效。然後，一旦控制器240在處方編集畫面上受理操作，則確認是否在氣體型態畫面上的操作。
在處方編集畫面上的操作為在氣體型態畫面上的操作時，轉移至模擬顯示處理步驟。亦即，控制器240是被構成為實行圖6所示的流程圖的S101。
以下，在圖16中，控制器240是針對氣體型態畫面上的閥被操作，轉移至模擬顯示處理步驟時說明。在此，說明有關在圖5的氣體型態畫面中所示的氣體型態圖上設定使從最接近氣體來源的閥243a供給的氣體通過氣化器260來供給至處理爐202的供給場所a那樣的閥開閉狀態的情況。以下，有關圖13～圖15的配管的著色的說明是省略。
在本實施形態中，只要以能從所欲流動氣體的供給去處追溯氣體配管而經由氣化器260之方式將閥設為開啟狀態即可。具體而言，如圖13所示般，只要將最接近處理爐202的供給場所a的閥b切換成開啟狀態即可。
若參照圖13，則可知被連接至成為開啟狀態的閥b的兩側之氣體配管會被著色成虛線的氣體色。然後，在圖16中，結束模擬顯示處理步驟，受理其次的操作，確認使編集作業結束或繼續。
其次，使用者是如圖14所示般，只要將被連接至所欲經由的裝置的氣化器260的輸出入之閥e、d切換成開啟狀態即可。
若參照圖14，則可知被連接至成為開啟狀態的閥e、d之氣體配管會被著色成虛線的氣體色。同樣，結束圖16的模擬顯示處理步驟，受理其次的操作，確認使編集作業結束或繼續。
看到此圖14所示般的氣體型態圖的使用者可容易掌握應切換至其次開啟狀態的閥為閥c、f。此結果，在圖15中顯示表示使用者將閥c、f切換至開啟狀態之後的氣體型態圖的氣體型態畫面。亦即，受理在圖16的氣體型態畫面上的操作，被模擬顯示處理的結果會被顯示於圖15。
另外，嚴格來講，處理爐202的排氣側的閥243也需要切換設定成開狀態，但在此是省略。
在圖15所示的氣體型態畫面中，可知從h的閥243a供給的氣體經由閥f、e來供給至氣化器260，來自氣化器260的氣體經由閥d、c、b來到達至處理爐202的供給場所a的氣體配管會被著色成實線的氣體色。亦即，在圖16中，結束模擬顯示處理步驟，受理其次的操作，為了確認使編集作業結束或繼續，為待機狀態。
然後，當來自氣體來源247的氣體到達至供給去處的處理爐202時，亦可如圖15所示般，登錄按鍵270被顯示成能按下。藉由按下此登錄按鍵270，設定各種參數。藉此，預先使在未流動氣體的狀態的閥開閉設定無法登錄。因此，可減低閥開閉的誤設定。
在此，記載從氣體來源247到處理爐202，使預定的氣體供給的設定方法，但在處理處理爐202內的晶圓200時所必要的製程氣體是不限於一種，製程氣體的種類會按照形成於晶圓200的膜種而成複數。例如，若膜種為SiN，則至少需要含Si氣體即含N氣體，若膜種為SiOCN，則需要含Si氣體、含N氣體、含O氣體及含C氣體。因此，處理晶圓200時，需要製程氣體A、製程氣體B的2種類的氣體時，需要從製程氣體A的氣體來源A到處理爐202的閥的開閉狀態的設定及從製程氣體B的氣體來源B到處理爐202的閥的開閉狀態的設定。
進一步，處理晶圓200時，即使是需要製程氣體A、製程氣體B的2種類的氣體，若晶圓200的處理為至少實行製程氣體A供給(原料氣體供給工程)、淨化氣體供給(淨化工程)、製程氣體B供給(反應氣體供給工程)、淨化氣體供給(淨化工程)的處理，則需要在氣體來源A、氣體來源B、淨化氣體源與處理爐202之間閥的開閉狀態的設定。另外，若被顯示於氣體型態畫面上，則在無直接關係於製程的氣體源(例如淨化氣體源)與移載室124之間當然也可進行同樣的配管的著色。
另外，在圖16中，一旦登錄按鍵270被操作，則轉移至參數登錄工程。此情況，在包含現在的閥開閉狀態的設定之處方編集畫面所設定的參數資訊會被寫入至作成中的處方。在其次的保存處理步驟中，此處方會被保存於記憶裝置240c。另外，此步驟是一旦處方完成，則只要保存即可，因此亦可使顯示保存確認畫面來確認是否保存。又，登錄按鍵270是不須是在氣體型態畫面，只要在處方編集畫面上設在哪裡皆無妨。
並且，在處方編集畫面中，不僅氣體型態畫面，設定未圖示的溫度、壓力、搬送系等的複數的參數的區域也會被顯示於同畫面上。該等的參數是可在處方編集畫面設定，一旦受理該等的參數的操作，則控制器240是轉移至圖16的處理參數選擇工程或搬送參數選擇工程，按照操作來選擇溫度、壓力、搬送系等的複數的參數之中任一的參數，接著受理有關被選擇的參數的輸入、變更、修正等的編集。
然後，若大概在處方編集畫面上的包含閥開閉狀態的複數的參數的設定結束，則按下登錄按鍵270，進行一次保存(至少將處方編集畫面上的參數資訊寫入至處方的處理)。其次，控制器240是藉由在處方編集畫面上所顯示的步驟選擇部來受理切換去處的步驟的選擇，一旦畫面切換按鍵280被按下，則顯示被選擇的步驟。然後，還可在處方編集畫面進行包含閥開閉狀態的複數的參數的設定。另外，在本實施形態中，省略步驟選擇部的步驟選擇工程，控制器240是被構成為畫面切換按鍵280被按下也會使切換顯示成其次的步驟的處方編集畫面。
另外，選擇其他的處方的處方選擇部會被設在處方編集畫面，可複製藉由此處方選擇部所選擇的處方。但，即使是同樣的膜種，也不能斷言氣體型態畫面完全相同，因此即使利用處方複製機能，也需要在氣體型態畫面上的閥開閉狀態的設定。藉此，每個步驟的參數編集作業會被減輕，可縮短處方作成時間。
另外，若進行用以從處方編集畫面脫離至其他的主畫面等的其他的畫面的處理，則控制器240是被構成為結束圖16的流程圖。例如，在切換至其他的畫面之前，亦可使顯示是否真的要結束處方編集畫面上的作業之確認畫面。
如此，若根據本案的實施形態，則可取得以下的(a)～(f)之中至少一個以上的效果。 (a)若根據本實施形態，則即使與氣體來源之間的全部的閥不為開啟狀態的氣體配管，當被連接的閥之中的至少1個為開啟狀態時，該氣體配管被著色成虛線的氣體色。因此，在氣體型態畫面中，將任意的閥設為開啟狀態時，可知影響哪個氣體配管。 (b)又，若根據本案的實施形態，則由於可從氣體來源及供給氣體的氣體供給去處的2方向追溯配管路徑，因此與只能從氣體來源追溯配管路徑的情況作比較，可容易掌握為了實現符合被指定的條件那樣的配管路徑而應將哪個閥設為開啟狀態。 (c)又，若根據本案的實施形態，則藉由選擇在氣體型態畫面上顯示的圖標而使操作畫面顯示，可進行流量控制器、氣化器、排氣裝置、壓力調整器等的各種裝置的參數的設定。 (d)進一步，若根據本案的實施形態，則僅從氣體來源到氣體供給去處的配管路徑完成時，可登錄被設定的各種參數，可防止使用者錯誤進行配管路徑的設定。 (e)若根據本案的實施形態，則除了在氣體型態畫面上設定的閥開閉等的各種參數以外，還可使登錄溫度･壓力等的參數的區域顯示於同畫面，使能設定參數，因此可防止使用者錯誤進行參數的設定。 (f)若根據本案的實施形態，則不僅可減低在氣體型態畫面上設定的閥開閉等的各種參數的誤設定，而且可藉由複製處方，使能設定溫度･壓力等的參數，因此可防止使用者錯誤進行參數的設定，且可縮短處方作成的時間。
另外，本案的實施形態的基板處理裝置10是不僅製造半導體的半導體製造裝置，也可適用處理LCD裝置之類的玻璃基板的裝置。又，當然也可適用在曝光裝置、微影裝置、塗佈裝置、利用電漿的處理裝置等的各種基板處理裝置。
以上，說明本案的各種的典型的實施形態，但本案是不被限定於該等的實施形態，亦可適當組合使用。
10:基板處理裝置 200:晶圓(基板) 202:處理爐 240:控制器 241:質量流控制器(MFC) 243:閥 246:排氣裝置 247:氣體來源 270:登錄按鍵 280:畫面切換按鍵
[圖1]是表示在本案之一實施形態所適用的基板處理裝置10的立體圖。 [圖2]是表示在本案之一實施形態所適用的基板處理裝置10的側剖面圖。 [圖3]是在本案之一實施形態所適用的基板處理裝置10的處理爐202的縱剖面圖。 [圖4]是在本案之一實施形態所適用的基板處理裝置10的控制器240的概略構成圖，以方塊圖來表示控制器的控制系的圖。 [圖5]是在作成處方時所被顯示的氣體型態畫面的圖示例。 [圖6]是用以說明本案之一實施形態的基板處理裝置10的氣體配管的著色機能的流程圖。 [圖7]是表示在說明圖6的流程圖時使用的簡易的氣體型態圖例的圖。 [圖8]是用以針對在圖7所示的氣體型態圖中將來自氣體來源247的氣體供給至處理爐202時的程序，說明氣體配管的著色處理的圖。 [圖9]是用以針對在圖7所示的氣體型態圖中將來自氣體來源247的氣體供給至處理爐202時的程序，說明氣體配管的著色處理的圖。 [圖10]是用以針對在圖7所示的氣體型態圖中將來自氣體來源247的氣體供給至處理爐202時的程序，說明氣體配管的著色處理的圖。 [圖11]是用以針對在圖7所示的氣體型態圖中將來自氣體來源247的氣體供給至處理爐202時的程序，說明氣體配管的著色處理的圖。 [圖12]是用以針對在圖7所示的氣體型態圖中將來自氣體來源247的氣體供給至處理爐202時的程序，說明氣體配管的著色處理的圖。 [圖13]是用以說明有關一面對於圖5所示的氣體型態畫面上的氣體配管進行著色處理，一面在包含該氣體型態畫面的操作畫面上進行參數設定時的程序的圖。 [圖14]是用以說明有關一面對於圖5所示的氣體型態畫面上的氣體配管進行著色處理，一面在包含該氣體型態畫面的操作畫面上進行參數設定時的程序的圖。 [圖15]是用以說明有關一面對於圖5所示的氣體型態畫面上的氣體配管進行著色處理，一面在包含該氣體型態畫面的操作畫面上進行參數設定時的程序的圖。 [圖16]是用以說明有關在圖5所示的氣體型態畫面上進行參數設定時的處方作成程序的流程圖。

Claims (16)

  1. 一種半導體裝置的製造方法，係具有：在氣體型態畫面上設定閥的開閉狀態而作成處方之工程、及藉由實行被作成的處方來處理基板之工程， 作成前述處方的工程係包含： (a)在前述氣體型態畫面上任意的閥的開閉狀態變化時，選擇該氣體型態畫面上的氣體配管之工程；及 (b)確認被連接至前述選擇的氣體配管的閥的開閉狀態之工程。
  2. 如請求項1記載的半導體裝置的製造方法，其中，更包含(c)，其在(b)中，被連接至前述選擇的氣體配管的閥之中，即便是1個開狀態的情況，也確認是否從氣體來源到前述選擇的氣體配管之間的閥為開狀態之工程。
  3. 如請求項1記載的半導體裝置的製造方法，其中，在(b)中，當被連接至前述選擇的氣體配管的閥為全部閉狀態時，結束對於前述選擇的氣體配管的處理，轉移至對於其次的氣體配管的處理。
  4. 如請求項2記載的半導體裝置的製造方法，其中，在(c)中，當從氣體來源到前述選擇的氣體配管之間的全部的閥為開狀態時，將前述選擇的氣體配管從前述任意的色的虛線切換成前述任意的色的實線。
  5. 如請求項1記載的半導體裝置的製造方法，其中，在(a)中，前述氣體型態畫面，係被構成為可使複數的任意的閥的開閉狀態同時變化。
  6. 如請求項1記載的半導體裝置的製造方法，其中，前述氣體型態畫面，係被構成為至少顯示從供給原料至反應室的供給系統到將該反應室減壓至真空環境的排氣系統所設的閥。
  7. 如請求項6記載的半導體裝置的製造方法，其中，前述氣體型態畫面，係被構成為更從由流量控制器、氣化器、排氣裝置、壓力調整器所成的群來顯示至少1個以上的圖標。
  8. 如請求項7記載的半導體裝置的製造方法，其中，從由流量控制器、氣化器、排氣裝置、壓力調整器所成的群來顯示至少1個的前述圖標，係於前述氣體型態畫面上被顯示成可設定參數。
  9. 如請求項1記載的半導體裝置的製造方法，其中，進一步，包含前述氣體型態畫面的操作畫面，係被構成可設定與從由溫度、壓力、搬送系所成的群來選擇的至少1個關聯的參數。
  10. 如請求項9記載的半導體裝置的製造方法，其中，進一步，前述操作畫面，係具有用以登錄被設定的前述參數的登錄部， 前述登錄部，係被構成為按下時受理前述參數的設定內容。
  11. 如請求項9記載的半導體裝置的製造方法，其中，進一步，前述操作畫面，係具有用以登錄被設定的前述參數的登錄部， 前述登錄部，係被構成在前述氣體型態畫面中從前述氣體來源到目的的氣體供給去處之間的閥為全部開狀態時可按下。
  12. 如請求項11記載的半導體裝置的製造方法，其中，前述登錄部，係被構成為在前述氣體型態畫面中從前述氣體來源到目的的氣體供給去處之間的閥不為全部開狀態時，無法按下。
  13. 如請求項12記載的半導體裝置的製造方法，其中，進一步，前述處方係具有複數的步驟， 前述操作畫面，係具有畫面切換部，其被構成前述登錄部之前述設定內容的受理後可按下，從一個的步驟往其他的步驟切換畫面。
  14. 如請求項1記載的半導體裝置的製造方法，其中，在(b)中，被連接至前述選擇的氣體配管的閥之中，即便是1個開狀態的情況，也以任意的色的虛線來將前述選擇的氣體配管著色。
  15. 一種程式，係被實行於基板處理裝置，該基板處理裝置係在氣體型態畫面上設定閥的開閉狀態而作成處方，藉由實行被作成的處方來處理基板， 其特徵為： 藉由電腦來使下列程序實行於前述基板處理裝置， (a)在前述氣體型態畫面上任意的閥的開閉狀態變化時，選擇該氣體型態畫面上的氣體配管之程序；及 (b)確認被連接至前述選擇的氣體配管的閥的開閉狀態之程序。
  16. 一種基板處理裝置，係具備控制部，其係在氣體型態畫面上設定閥的開閉狀態而作成處方，藉由實行被作成的處方來處理基板， 其特徵為： 前述控制部，係被構成為在作成前述處方時，至少實行： (a)在前述氣體型態畫面上任意的閥的開閉狀態變化時，選擇該氣體型態畫面上的氣體配管之處理；及 (b)確認被連接至前述選擇的氣體配管的閥的開閉狀態之處理。
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JP2006093494A (ja) 2004-09-27 2006-04-06 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
JP5275606B2 (ja) * 2007-10-12 2013-08-28 株式会社日立国際電気 基板処理装置及び画面表示プログラム並びに基板処理装置の表示方法
JP5465954B2 (ja) * 2008-09-29 2014-04-09 株式会社日立国際電気 基板処理装置及び判断プログラムを格納する記憶媒体及び基板処理装置の表示方法
JP2011165959A (ja) * 2010-02-10 2011-08-25 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
JP5802691B2 (ja) * 2013-02-15 2015-10-28 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、シミュレーション装置、プログラムおよびシミュレーション方法

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