TW202205402A - 晶圓加工用片材及晶圓之加工方法 - Google Patents

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Abstract

本發明係一種晶圓加工用片材，其具備與晶圓主面接觸之基材片材，且上述基材片材在30℃～80℃下之儲存模數E'30-80 之指數近似曲線之指數係數為-0.035～-0.070。

Description

晶圓加工用片材及晶圓之加工方法
本發明係關於一種晶圓加工用片材及晶圓之加工方法。
於加工晶圓時，為了保護晶圓免於因該加工導致破損，而貼合片材。例如，於為了使表面形成有凸塊等之晶圓薄化而進行之背面研磨步驟中，在凸塊等之形成面貼合片材而保護形成面。又，於自晶圓切出半導體晶片之切割步驟中，在將片材貼合於晶圓之狀態下進行切割。
對於此種片材，要求其具有對晶圓表面之凹凸之追隨性(階差追隨性)。一直以來，片材之追隨性之提昇係藉由以下方式而進行，即，使黏著劑厚度變厚，或者於基材膜與黏著劑之間設置具有緩衝性之柔軟之樹脂層。然而，於晶圓表面之凹凸較大之情形時，存在以下問題：追隨性不足，或者黏著層進入至晶圓表面之凹部之深處而發生由糊劑殘留引起之良率降低或加工而成之晶片之動作不良。
作為解決此種問題之方法，於專利文獻1中提出了一種技術，其係將片材構成為在基材片材之單面具有直徑較供貼附之半導體晶圓之外徑小之非黏著部、及圍繞該非黏著部之黏著部，且使黏著部在23℃下之黏著力成為500 mN以上，藉此防止糊劑殘留，並且防止保護性能之降低。 先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本專利特開2013-211438號公報
[發明所欲解決之問題]
然而，於專利文獻1中所記載之技術中，僅設置與半導體晶圓之邊緣接著之黏著部，並未構成為於非黏著部直接保護凸塊等。因此，例如於背面研磨步驟中，當半導體晶圓設有突起電極時，半導體晶圓之背面研削在僅該突起電極之前端與基材片材抵接之狀態下進行，因此於背面研削時會對突起電極施加過大負荷，而有導致突起電極破損之虞。
又，於專利文獻1中所記載之技術中，僅設置與半導體晶圓之邊緣接著之黏著部，並未提出任何下述內容：例如與晶圓表面之凹凸接觸之黏著部可不產生糊劑殘留而良好地剝離。
本發明係鑒於上述問題而完成者，其目的在於提供一種於加溫時會對晶圓表面表現出適度之追隨性且剝離性亦優異之晶圓加工用片材、及使用該晶圓加工用片材之晶圓之加工方法。 [解決問題之技術手段]
本發明人等為了解決上述問題進行了努力研究。結果發現，藉由使用具有特定之儲存模數特性之基材片材作為與晶圓主面接觸之片材，可解決上述問題，從而完成了本發明。
即，本發明如下所述。 [1] 一種晶圓加工用片材，其具備與晶圓主面接觸之基材片材，且 上述基材片材在30℃～80℃下之儲存模數E'30-80 之指數近似曲線之指數係數為-0.035～-0.070。 [2] 如[1]所記載之晶圓加工用片材，其中 上述基材片材在30℃下之儲存模數E'30 與在80℃下之儲存模數E'80 之差(E'30 －E'80 )為4.00×107 ～4.00×108 Pa。 [3] 如[1]或[2]所記載之晶圓加工用片材，其中 上述基材片材在80℃下之儲存模數E'80 為5.00×105 ～1.00×107 Pa。 [4] 如[1]至[3]中任一項所記載之晶圓加工用片材，其中 上述基材片材在80～110℃之溫度範圍內之儲存模數E'80-110 為1.00×106 ～1.00×107 Pa。 [5] 如[1]至[4]中任一項所記載之晶圓加工用片材，其中 上述基材片材在80℃下之損失彈性模數E''80 為1.50×104 ～1.50×106 Pa。 [6] 如[1]至[5]中任一項所記載之晶圓加工用片材，其中 上述基材片材在30℃下之損失彈性模數E''30 為1.00×106 ～1.50×108 Pa。 [7] 如[1]至[6]中任一項所記載之晶圓加工用片材，其中 上述基材片材之熔點為70℃以上。 [8] 一種晶圓之加工方法，其包括： 貼合步驟，其將經加溫之如[1]至[7]中任一項所記載之晶圓加工用片材之基材片材之表面、與晶圓之主面加以貼合；及 加工步驟，其於將上述基材片材與上述晶圓貼合在一起之狀態下加工上述晶圓。 [9] 如[8]所記載之晶圓之加工方法，其中 於上述加工步驟中，對未貼合有上述基材片材之上述晶圓之主面進行研磨而獲得薄化晶圓。 [10] 如[8]所記載之晶圓之加工方法，其中 於上述加工步驟中，切割上述晶圓而獲得半導體晶片。 [發明之效果]
根據本發明，可提供一種於加溫時對晶圓表面表現出適度之追隨性且剝離性亦優異之晶圓加工用片材、及使用該晶圓加工用片材之晶圓之加工方法。
以下，對本發明之實施方式(以下稱為「本實施方式」)進行詳細說明，但本發明並不限於此，可於不脫離其主旨之範圍內進行各種變化。再者，圖式中，對同一元件標註同一元件符號，省略重複說明。又，除非特別說明，否則上下左右等之位置關係應基於圖式所示之位置關係。進而，圖式之尺寸比率並不限於圖示之比率。
[晶圓加工用片材] 本實施方式之晶圓加工用片材具備下述基材片材，其與晶圓主面接觸，且在30℃～80℃下之儲存模數E'30-80 之指數近似曲線之指數係數為-0.035～-0.070。
藉由使用具有此種儲存模數特性之基材片材，於加溫時對具有凹凸之晶圓表面發揮適度之追隨性，又，於背面研磨步驟或切割步驟後剝離性亦優異，可抑制對晶圓表面之糊劑殘留等。藉此，於背面研磨步驟或切割步驟中，可更適當地對晶圓表面進行保護及去保護，可有助於提昇半導體裝置之良率。
首先，對本實施方式之晶圓加工用片材之使用形態簡單地進行說明。圖1係表示使用本實施方式之晶圓加工用片材之晶圓之背面研磨加工之一例的剖視圖。於圖1中，晶圓加工用片材10具有基材片材11及緩衝層等其他層12，半導體晶圓20於晶圓主面20a具有凸部20b。本實施方式之晶圓加工用片材10係於背面研磨步驟及切割步驟等半導體晶圓20之加工製程中，於晶圓主面20a貼附基材片材11之表面11a而使用。
更具體而言，於加工製程之前，在使晶圓主面20a與基材片材11之表面11a接觸之狀態下對基材片材11進行加溫(步驟A)。當基材片材11被加溫時，彈性模數降低，基材片材11以追隨於形成在晶圓主面20a之凸部20b之方式被貼合於晶圓主面20a(步驟B)。
繼而，對基材片材11進行降溫，對半導體晶圓20之背面20a'執行背面研磨加工(步驟C)。背面研磨加工之具體方法並無特別限制，可使用公知之方法。例如，可列舉如下等方法：一面將含有研磨粒之漿料供給至半導體晶圓20之背面20a'，一面進行研削，而使半導體晶圓20薄化。若於背面研磨加工之前對基材片材11進行降溫，則基材片材11之彈性模數在追隨於晶圓主面20a之狀態下回復，從而可在晶圓主面20a與基材片材11之表面11a不發生偏移之情況下保護晶圓主面20a。
最後，自晶圓主面20a將基材片材11剝離(步驟D)。此時，要想抑制糊劑殘留，較佳為基材片材11具有適度之彈性。藉此，於步驟B中使其追隨時，片材成分不會過量地進入至凹部，從而可進一步抑制過量地進入至凹部之片材成分在凹部產生糊劑殘留。又，由於片材成分不會過量地進入至凹部，故而於剝離時，凸部不易因進入至凹部之片材成分而受到負荷，剝離性變得優異。
尤其是對於本實施方式之晶圓加工用片材而言，上述步驟A至B中之追隨性較為重要。例如，如圖2B所示，於追隨性不充分，空隙32較大之情形時，難以充分地保護形成於晶圓主面20a之凸部20b，而容易招致加工製程中之良率之降低。又，於追隨性不充分之情形時，亦產生如下問題，即，於晶圓加工用片材10之背面容易產生表面波紋33。另一方面，如圖2C所示，於因追隨性過高而導致基材片材進入至凸部20b之間隙34為止之情形時，容易招致以下問題：剝離時卡住而導致凸部20b受損，或者無法剝離。
因此，關於本實施方式之晶圓加工用片材10，如圖2A所示，重要的是藉由具有適度之追隨性而發揮充分之保護性能，並且不使其進入至凸部20b之間隙31，從而亦確保剝離性。以下，對晶圓加工用片材10之構成進行詳細說明。
(基材片材) (儲存模數E') 於如上所述之半導體晶圓20之加工製程中，為了適當地保護晶圓表面20a，而要求基材片材11對晶圓主面20a之追隨性。因此，於本實施方式中，規定加溫時之儲存模數E'(彈性分量)之降低特性。更具體而言，於本實施方式中，將利用以下指數近似曲線來表示30℃～80℃下之儲存模數E'30-80 時之指數係數(以下，亦簡稱為「指數係數k」)規定為上述降低特性。 指數近似曲線：y＝αekx y：儲存模數E' x：溫度(℃) α：係數 e：納皮爾常數 k：指數係數
本實施方式中之指數係數k為-0.035～-0.070，較佳為-0.040～-0.070，更佳為-0.045～-0.070，進而較佳為-0.050～-0.070。藉由使指數係數k成為-0.035以下，自30℃升溫至80℃之情形時之儲存模數E'大幅度降低，於高溫時追隨性得到進一步提昇。另一方面，藉由使指數係數k成為-0.070以上，可抑制於高溫時發揮過度之追隨性，反而導致剝離性降低。
本實施方式中之係數α較佳為1.00×108 ～8.00×108 ，更佳為2.00×108 ～6.00×108 ，進而較佳為2.50×108 ～4.50×108 。藉由使係數α處於上述範圍內，追隨性及剝離性呈進一步提昇之趨勢。
上述指數近似曲線係用於表現30℃～80℃下之儲存模數E'之曲線之特徵者，因此較佳為與儲存模數E'之曲線具有充分之關聯。就該觀點而言，決定係數R2 較佳為0.90～1.00，更佳為0.94～1.00，進而較佳為0.98～1.00。藉由使決定係數R2 處於上述範圍內，指數近似曲線可更正確地表示30℃～80℃下之儲存模數E'之曲線。因此，指數係數k可更適當地表現儲存模數E'之特性。
基材片材在80℃下之儲存模數E'80 較佳為5.00×105 ～1.00×107 Pa，更佳為7.00×105 ～8.00×106 Pa，進而較佳為1.00×106 ～7.00×106 Pa。藉由使儲存模數E'80 成為5.00×105 Pa以上，可抑制於高溫時發揮過度之追隨性，剝離性呈進一步提昇之趨勢。又，藉由使儲存模數E'80 成為1.00×107 Pa以下，於高溫時追隨性得到進一步提昇。
又，基材片材在30℃下之儲存模數E'30 較佳為5.00×106 ～1.50×108 Pa，更佳為8.00×106 ～1.00×108 Pa，進而較佳為3.00×107 ～8.00×107 Pa。藉由使儲存模數E'30 成為5.00×106 Pa以上，糊劑殘留得到抑制，剝離性呈進一步提昇之趨勢。又，藉由使儲存模數E'30 成為1.50×108 Pa以下，即便剝離時基材片材卡在凸部之間隙，凸部亦不易受損，剝離性呈進一步提昇之趨勢。
基材片材在80～110℃之溫度範圍內之儲存模數E'80-110 較佳為1.00×106 ～1.00×107 Pa，更佳為1.00×106 ～7.50×106 Pa，進而較佳為1.00×106 ～5.00×106 Pa。藉由使儲存模數E'80-110 成為1.00×106 Pa以上，於高溫區域儲存模數E'之降低呈減緩趨勢。因此，抑制追隨性在高溫時之貼合下過度提昇，剝離性呈進一步提昇之趨勢。又，藉由使儲存模數E'80-110 成為1.00×107 Pa以下，高溫時之追隨性呈進一步提昇之趨勢。再者，「儲存模數E'80-110 為1.00×106 ～1.00×107 Pa」意指80～110℃之溫度範圍內之儲存模數E'落在1.00×106 ～1.00×107 Pa之範圍內。
基材片材之儲存模數E'30 與儲存模數E'80 之差(E'30 －E'80 )較佳為4.00×107 ～4.00×108 Pa，更佳為4.00×107 ～1.00×108 Pa，進而較佳為4.00×107 ～8.00×107 Pa。藉由使差(E'30 －E'80 )成為4.00×107 Pa以上，彈性在高溫時充分地降低，追隨性呈進一步提昇之趨勢。又，藉由使差(E'30 －E'80 )成為4.00×108 Pa以下，而抑制基材片材追隨至凸部之間隙，剝離性呈進一步提昇之趨勢。
(損失彈性模數E'') 關於本實施方式之基材片材，就追隨性及剝離性之觀點而言，可進而特定出損失彈性模數E''(黏性成分)。就此種觀點而言，基材片材在80℃下之損失彈性模數E''80 較佳為1.50×104 ～1.50×106 Pa，更佳為7.50×104 ～1.00×106 Pa，進而較佳為1.00×105 ～9.00×105 Pa。藉由使損失彈性模數E''80 成為1.50×104 Pa以上，於高溫時追隨性呈進一步提昇之趨勢。又，藉由使損失彈性模數E''80 成為1.50×106 Pa以下，抑制於高溫時發揮過度之追隨性，剝離性呈進一步提昇之趨勢。
又，基材片材在30℃下之損失彈性模數E''30 較佳為1.00×106 ～1.50×108 Pa，更佳為1.00×106 ～7.50×107 Pa，進而較佳為1.00×106 ～5.00×107 Pa。藉由使損失彈性模數E''30 成為1.00×106 Pa以上，可進一步抑制剝離時基材片材卡在凸部之間隙而導致凸部受損，剝離性呈進一步提昇之趨勢。又，藉由使損失彈性模數E''30 成為1.50×108 Pa以下，糊劑殘留得到抑制，剝離性呈進一步提昇之趨勢。
基材片材之損失彈性模數E''30 與損失彈性模數E''80 之差(E''30 －E''80 )較佳為1.00×105 ～5.00×108 Pa，更佳為5.00×105 ～1.00×108 Pa，進而較佳為1.00×106 ～5.00×107 Pa。藉由使差(E''30 －E''80 )成為1.00×105 Pa以上，追隨性呈進一步提昇之趨勢。又，藉由使差(E''30 －E''80 )成為5.00×108 Pa以下，剝離性呈進一步提昇之趨勢。
(熔點) 基材片材之熔點較佳為70℃以上，更佳為80℃以上，進而較佳為85℃以上。藉由使基材片材之熔點成為70℃以上，於加溫時可抑制基材片材熔融。藉此，可抑制基材片材進入至凸部之間隙，因此剝離性呈進一步提昇之趨勢。基材片材之熔點之上限並無特別限制，較佳為200℃，更佳為150℃以下，進而較佳為120℃以下。
關於儲存模數E'及其近似曲線之指數係數k及決定係數R2 、以及損失彈性模數E''及熔點，可藉由調整基材片材中所使用之樹脂之種類或基材片材之組成而進行控制。
又，本實施方式之動態黏彈性測定可依據慣例而進行。作為試樣，例如可使用於溫度23℃(±2℃)、相對濕度50%(±5%)之恆溫恆濕槽中所保持之試樣。又，作為裝置，例如可使用名為「Rheometric Series RSA III」(TA Instruments公司製造)之裝置。關於其他條件，並無特別限制，可根據實施例中所記載之條件進行測定。
又，基材片材之熔點可依據JIS K7121進行測定。
基材片材主要包含樹脂，亦可視需要含有添加劑。樹脂可單獨使用一種，亦可併用兩種以上。
(樹脂) 作為基材片材中所使用之樹脂，並無特別限制，例如可列舉：離子聚合物樹脂、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、軟質聚丙烯樹脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物樹脂、乙烯-丁二烯共聚物樹脂、乙烯-丁二烯共聚物之氫化物樹脂、乙烯-1-丁烯共聚物樹脂、軟質丙烯酸樹脂等。其中，較佳為離子聚合物樹脂及乙烯-乙酸乙烯酯共聚物，更佳為離子聚合物樹脂。藉由使用此種樹脂，追隨性及剝離性呈進一步提昇之趨勢。再者，樹脂可單獨使用一種，亦可併用兩種以上。
作為上述離子聚合物樹脂，只要為利用金屬離子使特定之聚合物進行分子間鍵結而獲得者，便無特別限制，例如可列舉：聚烯烴系離子聚合物、丙烯酸系離子聚合物、聚苯乙烯系離子聚合物、聚酯系離子聚合物。該等離子聚合物樹脂可單獨使用一種，亦可併用兩種以上。其中，較佳為聚烯烴系離子聚合物及丙烯酸系離子聚合物，更佳為聚烯烴系離子聚合物。藉由使用此種樹脂，追隨性及剝離性呈進一步提昇之趨勢。
作為上述聚烯烴系離子聚合物，並無特別限制，例如可列舉：乙烯-甲基丙烯酸鹽共聚物、乙烯-丙烯酸鹽共聚物、乙烯-甲基丙烯酸鹽-丙烯酸酯共聚物等。
作為上述丙烯酸系離子聚合物，並無特別限制，例如可列舉：丙烯酸酯-丙烯酸鹽共聚物、丙烯酸酯-甲基丙烯酸鹽共聚物、甲基丙烯酸酯-丙烯酸鹽共聚物、甲基丙烯酸酯-甲基丙烯酸鹽共聚物等。
作為上述聚苯乙烯系離子聚合物，並無特別限制，例如可列舉：苯乙烯-苯乙烯磺酸鹽共聚物、苯乙烯-丙烯酸鹽共聚物、苯乙烯-甲基丙烯酸鹽共聚物、苯乙烯-苯乙烯羧酸鹽共聚物、苯乙烯-N-甲基4-乙烯基吡啶鎓鹽共聚物等。
作為上述聚酯系離子聚合物，並無特別限制，例如可列舉：共聚有磺基對苯二甲酸鹽之聚對苯二甲酸乙二酯、共聚有磺基間苯二甲酸鹽之聚對苯二甲酸乙二酯、共聚有磺基對苯二甲酸之聚對苯二甲酸丁二酯、共聚有磺基間苯二甲酸之聚對苯二甲酸丁二酯等。
作為構成上述離子聚合物樹脂之鹽之金屬離子，並無特別限制，例如可列舉：鈉離子或鋰離子等一價金屬離子；鋅離子、鈣離子或鎂離子等二價金屬離子；鋁離子等三價金屬離子；等。離子聚合物樹脂中之聚合物與金屬離子可基於聚合物中之離子性官能基及金屬離子之價數進行任意組合而使用。
又，作為上述乙烯-乙酸乙烯酯共聚物，只要為乙烯與乙酸乙烯酯之共聚物，便無特別限制。乙烯-乙酸乙烯酯共聚物中之乙酸乙烯酯之含量相對於源自乙烯及乙酸乙烯酯之結構單元之總莫耳數，較佳為1～35莫耳%，更佳為3～25莫耳%，進而較佳為3～15莫耳%。藉由使乙酸乙烯酯之含量處於上述範圍內，追隨性及剝離性呈進一步提昇之趨勢。
作為上述軟質聚丙烯樹脂，並無特別限制，例如可舉例向聚丙烯樹脂中摻合橡膠成分而獲得者。作為此處所使用之橡膠成分，並無特別限制，例如可列舉：苯乙烯-丁二烯共聚橡膠、苯乙烯-丁二烯-苯乙烯嵌段共聚橡膠、苯乙烯-異戊二烯-苯乙烯嵌段共聚橡膠、乙烯-丙烯共聚橡膠等。
上述基材片材中所使用之樹脂之重量平均分子量(Mw)較佳為10,000～1,000,000，更佳為50,000～500,000。
(厚度) 基材片材之厚度較佳為50～500 μm，更佳為70～400 μm，進而較佳為100～300 μm。藉由使基材片材之厚度處於上述範圍內，不僅對晶圓表面之凹凸發揮充分之追隨性，而且作為片材之強度亦得以保持，因此不易產生剝離時之片材之斷裂，剝離性亦呈進一步提昇之趨勢。
(其他成分) 基材片材可視需要含有公知之塑化劑、熱穩定劑、著色劑、有機系潤滑劑、無機系潤滑劑、界面活性劑、加工助劑等其他添加劑。
(其他層) 本實施方式之晶圓加工用片材10可於基材片材11之與晶圓主面20a接觸之表面11a的相反側之面具有其他層12(參照圖1)。作為其他層12，並無特別限制，例如可列舉：用以將與晶圓20貼合在一起之狀態下之基材片材11固定於載台之黏著層；或介置於基材片材11與載台之間之緩衝層等。
關於除基材片材11以外之層構成，只要本實施方式之晶圓加工用片材10係於加工製程之前為了保護晶圓主面20a而使用者，便無特別限定，可根據加工製程之種類任意地組合其他層12而使用。再者，其他層12可為單層，亦可為具有相同或不同功能之層之積層體。
又，本實施方式之晶圓加工用片材10具有基材片材11之與晶圓主面20a接觸之表面11a，因此晶圓加工用片材10較佳為於表面11a不具有黏著層等，該表面11a與晶圓主面20a之形成有凸部20b之面接觸。
[晶圓之加工方法] 本實施方式之晶圓之加工方法包括：貼合步驟，其將經加溫之上述晶圓加工用片材之基材片材之表面、與晶圓之主面加以貼合；及加工步驟，其於將基材片材與上述晶圓貼合在一起之狀態下加工上述晶圓。以下，利用圖1對各步驟進行說明。
[貼合步驟] 於貼合步驟中，將經加溫之上述晶圓加工用片材10之基材片材11之表面11a、與晶圓之主面20a加以貼合。於貼合步驟中，可將基材片材11在已預先加溫之狀態下與晶圓主面20a貼合，亦可將基材片材11與晶圓主面20a貼合後進行加溫。
藉由在經加溫之狀態下將基材片材11之表面11a與晶圓之主面20a加以貼合，可在表面11a追隨於晶圓之主面20a之狀態下進行貼合(參照圖1之B)。如此，凸部20b埋入至基材片材11中，藉此可保護具有凸部20b之晶圓之主面20a。
加溫時之溫度較佳為60～150℃，更佳為70～120℃，進而較佳為80～120℃。又，基材片材11之加溫時間較佳為3～120秒，更佳為5～90秒。藉由使加溫條件處於上述範圍內，基材片材11之追隨性呈進一步提昇之趨勢。
[加工步驟] 作為於將基材片材11與晶圓20貼合在一起之狀態下加工晶圓20之加工步驟，並無特別限制，可適當使用任意之晶圓加工製程。例如，作為加工步驟，可列舉如下等加工：背面研磨加工，其對晶圓之未貼合有基材片材11側之背面20a'進行加工而獲得薄化晶圓21；及切割加工，其切割晶圓20而獲得半導體晶片。其中，本實施方式之晶圓之加工方法可較佳地用於背面研磨加工。
背面研磨加工之具體方法並無特別限制，可使用公知之方法。例如可列舉一面將包含研磨粒之漿料供給至晶圓之背面20a'一面進行研削之方法等。藉此獲得之薄化晶圓21之厚度只要為符合加工目的之厚度，便無特別限制，例如較佳為300 μm以下，更佳為150 μm以下，進而較佳為50 μm以下。
於背面研磨加工中，會對晶圓之厚度方向施加負載而導致凸部20b等受損，從而容易招致良率之降低。相對於此，藉由使用本實施方式之晶圓加工用片材，可於將凸部20b之至少一部分埋入至基材片材11中之狀態下進行加工，因此可避免凸部20b等受損。
又，若為本實施方式之晶圓加工用片材，由於具有特定之黏彈性特性，故而基材片材11追隨於晶圓20之主面20a，而可保護晶圓20之主面20a，並且可達成適度之密接性。因此，於使用凸部20b與黏著劑接觸之形態的先前之黏著片材時，可消除此時所產生之於晶圓20之主面20a產生糊劑殘留等問題。又，亦無須如使黏著層附著於晶圓20之外周部之先前之晶圓加工用片材般，將黏著層以良好之位置精度貼合於晶圓20之外周部，因此亦可進一步簡化加工製程。
[剝離步驟] 本實施方式之晶圓加工方法可具有將薄化晶圓21與基材片材11進行剝離之剝離步驟。基材片材11之剝離方法並無特別限制，例如，如圖1所示，可藉由以下方式進行，即，以基材片材11之一端遠離薄化晶圓21之方式使基材片材11朝向方向F彎曲。
剝離步驟可於常溫下進行，亦可於加溫下進行。實施剝離步驟之溫度較佳為10～70℃，更佳為20～60℃。
於使用具有黏著層之先前之晶圓加工用片材之情形時，於晶圓20之主面20a等存在黏著劑之糊劑殘留問題。然而，若為本實施方式之晶圓加工用片材，由於具有特定之黏彈性特性，故而可在不產生黏著劑之糊劑殘留之情況下進行剝離。
再者，如上所述，本發明並不限於上述實施方式，可於不脫離其主旨之範圍內進行各種變化。即，上述實施方式之任何方面均僅為示例，不應限定性地進行解釋。
例如，貼合步驟中之貼合除了於常壓下進行以外，亦可於減壓下進行。又，亦可使用硬化性樹脂來代替其他層12，或除其他層12以外還使用硬化性樹脂。於使用硬化性樹脂之情形時，例如將硬化性樹脂供給至膜上，於基材片材11之與晶圓主面20a接觸之表面11a的相反側之面，使表面11a之相反側之面與膜對向並進行加壓，以攤開硬化性樹脂。然後，使硬化性樹脂硬化，藉此可將晶圓加工用片材10固定於膜上。
進而，圖1主要例示了背面研磨加工，於切割加工或其他晶圓加工製程中，亦可使用本實施方式之晶圓加工用片材。 [實施例]
以下，使用實施例及比較例來更具體地說明本發明。本發明不受以下實施例任何限定。
[實施例1] 藉由T模法，將乙烯-甲基丙烯酸-丙烯酸酯之鋅鹽共聚物形成為厚度150 μm之基材片材(GUNZE公司製造，製品名「HMD-150」)。
[實施例2] 藉由T模法，將乙烯-乙酸乙烯酯共聚物形成為厚度150 μm之基材片材(RIKEN TECHNOS公司製造，製品名「EU90B」，乙酸乙烯酯含量6莫耳%)。
[比較例1] 藉由T模法，將乙烯甲基丙烯酸共聚物(三井杜邦聚合化學公司製造之樹脂，製品名「Nucrel N0407」)形成為厚度150 μm之基材片材。
[比較例2] 藉由吹脹法，將低密度聚乙烯形成為厚度150 μm之基材片材(Aicello公司製造，製品名「N-280」)。
[比較例3] 藉由吹脹法，將直鏈低密度聚乙烯形成為厚度150 μm之基材片材(Aicello公司製造，製品名「N-165」)。
[比較例4] 藉由T模法，將氫化苯乙烯系熱塑性彈性體(旭化成公司製造，樹脂製品名「H1041」)形成為厚度150 μm之基材片材。
[比較例5] 藉由T模法，將流延聚丙烯形成為厚度150 μm之基材片材(Futamura公司製造，製品名「FRTK-S」)。
[比較例6] 藉由T模法，將聚胺酯樹脂形成為厚度150 μm之基材片材(Nihon Matai公司製造，製品名「Esmer URS」)。
[動態黏彈性測定] 基於下述條件對上述各基材片材進行動態黏彈性測定。首先，於溫度23℃(±2℃)、相對濕度50%(±5%)之恆溫恆濕槽中將基材片材保持40小時。使用所獲得之基材片材作為試樣，於一般之大氣環境下(乾燥狀態下)進行動態黏彈性測定。作為動態黏彈性測定裝置，使用名為「Rheometric Series RSA III」(TA Instruments公司製造)之裝置。 (測定條件) 測定裝置          ：「Rheometric Series RSA III」(TA Instruments公司製造) 試樣                 ：縱1 cm×橫0.5 cm×厚度0.2 cm 試驗長度          ：1 cm 試樣之預處理    ：於溫度23℃、相對濕度50%之大氣中保持40小時 試驗模式          ：拉伸 頻率                 ：1.6 Hz (10 rad/sec) 溫度範圍          ：0～150℃ 升溫速度          ：5℃/min 應變範圍          ：0.10% 初始負載          ：148 g 測定間距          ：1 point/℃
將藉由上述測定所獲得之儲存模數E'及損失彈性模數E''示於圖3、5～11。又，基於圖3、5～11，求出30℃～80℃下之儲存模數E'30-80 之指數近似曲線，特定出其指數係數等。將儲存模數E'及損失彈性模數E''、以及與指數近似曲線相關之各值彙總於表1中。再者，於圖4中，例如示出於表示實施例1之動態黏彈性測定之結果之曲線圖中記載指數近似曲線及決定係數R2 而得之曲線圖。圖4(a)係以對數尺標表示儲存模數E'之曲線圖，且為將圖3之30℃～80℃之溫度範圍抽出者。圖4(b)係為了表現出指數近似曲線之形狀，而採用不以對數尺標表示圖4(a)之儲存模數E'之形式所得之曲線圖。 指數近似曲線：y＝αekx y：儲存模數E' x：溫度(℃) α：係數 e：納皮爾常數 k：指數係數
[追隨性試驗] 將藉由上述方式所獲得之基材片材用作晶圓加工用片材，於100℃下歷時1分鐘壓接於晶圓之形成有凸部之面而貼附。作為晶圓，使用直徑8英吋、厚度725 μm之晶圓。又，作為形成於晶圓之凸部，使用在外周之3.0 mm以外之區域形成有高度230 μm之凸塊(突起電極)者。
然後，暫時降溫至室溫(25℃)，於常溫下將基材片材自晶圓剝離。觀察剝離後之基材片材之剖面，評價其剖面形狀屬於圖2所述之A～C中之哪一個。將其結果示於表1。又，於圖12示出實施例1、比較例2、及比較例3中之基材片材之剖面之照片。
[剝離性試驗] 如上所述自晶圓將基材片材剝離後，觀察晶圓之表面，依據下述基準來評價剝離性。 (糊劑殘留之評價基準) A：於晶圓表面未發現基材片材之殘留 B：於晶圓表面發現少量之基材片材之殘留 C：於晶圓表面發現基材片材之殘留 (凸部受損之評價基準) A：未發現晶圓之凸部受損，或者可容易地剝離 B：發現晶圓之凸部稍微受損，或者剝離時須耗費些許力氣，有使凸部受損之風險 C：發現晶圓之凸部受損，或者剝離時須耗費力氣，凸部受損之風險較高
[表1]
   指數近似曲線 儲存模數 損失彈性模數 熔點[℃] 追隨性 剝離性
係數α 指數係數k 決定係數R2 E'30 [Pa] E'80 [Pa] 差(E'30 －E'80 )[Pa] E''30 [Pa] E''80 [Pa] 差(E''30 -E''80 )[Pa] 糊劑殘留評價 凸部受損評價
實施例1 4.0E＋08 -0.059 0.999 6.50E＋07 Pa 3.28E＋06 Pa 6.18E＋07 Pa 1.26E＋07 Pa 7.66E＋05 Pa 1.18E＋07 Pa 86℃ A A A
實施例2 3.0E＋08 -0.045 0.968 7.14E＋07 Pa 6.64E＋06 Pa 6.48E＋07 Pa 2.27E＋06 Pa 5.21E＋05 Pa 1.75E＋06 Pa 80℃ A A A
比較例1 6.0E＋07 -0.009 0.628 4.32E＋07 Pa 2.36E＋07 Pa 1.96E＋07 Pa 4.05E＋06 Pa 1.54E＋06 Pa 2.52E＋06 Pa 80℃ A C A
比較例2 1.0E＋08 -0.017 0.950 8.24E＋07 Pa 3.05E＋07 Pa 5.19E＋07 Pa 8.75E＋06 Pa 1.64E＋06 Pa 7.10E＋06 Pa 90℃ C C B
比較例3 4.0E＋08 -0.029 0.942 1.15E＋08 Pa 2.97E＋07 Pa 8.55E＋07 Pa 1.83E＋07 Pa 3.99E＋06 Pa 1.43E＋07 Pa 110℃ B C C
比較例4 1.0E＋08 -0.018 0.502 4.34E＋07 Pa 1.00E＋07 Pa 3.34E＋07 Pa 3.09E＋06 Pa 6.37E＋06 Pa -3.29E＋06 Pa 87℃ A C A
比較例5 6.0E＋08 -0.019 0.982 3.09E＋08 Pa 1.26E＋08 Pa 1.84E＋08 Pa 1.99E＋07 Pa 1.34E＋07 Pa 6.51E＋06 Pa 120℃ C C C
比較例6 1.0E＋08 -0.024 0.993 5.57E＋07 Pa 1.79E＋07 Pa 3.79E＋07 Pa 6.74E＋06 Pa 1.69E＋06 Pa 5.05E＋06 Pa 140℃ B C B
關於比較例1及4，雖然追隨性相比較而言沒有問題，但會在晶圓表面產生糊劑殘留，因此可能發生加工製程中之良率之降低。又，關於較例2及5，追隨性過高，結果基材片材進入至凸部之間隙，因此在剝離時凸部受損，或者受損之風險較高，進而容易產生糊劑殘留。進而，關於比較例3及6，因追隨性較低，故而凸部得不到充分保護。其結果為，在僅凸部之前端與基材片材抵接之狀態下進行半導體晶圓之背面研削，於背面研削等加工製程中，會對凸部施加過大之負荷而使凸部受損，因此可能產生加工製程中之良率之降低。 [產業上之可利用性]
本發明之晶圓加工用片材作為背面研磨加工、切割加工、及其他晶圓加工製程中所使用之保護用片材，具有產業上之可利用性。
10:晶圓加工用片材 11:基材片材 11a:表面 12:層 20:半導體晶圓 20a:主面 20a':背面 20b:凸部 21:薄化晶圓 31:間隙 32:空隙 33:表面波紋 34:間隙
圖1A～D係表示使用本實施方式之晶圓加工用片材之晶圓之背面研磨加工之一例的剖視圖。 圖2A～C係用以說明晶圓加工用片材之追隨性之剖視圖。 圖3係表示實施例1中之動態黏彈性測定之結果之曲線圖。 圖4(a)、(b)係於表示實施例1中之動態黏彈性測定之結果之曲線圖中記載指數近似曲線而得之曲線圖，且示出以對數尺標表示儲存模數E'之曲線圖A、及未以對數尺標表示儲存模數E'之曲線圖B。 圖5係表示實施例2中之動態黏彈性測定之結果之曲線圖。 圖6係表示比較例1中之動態黏彈性測定之結果之曲線圖。 圖7係表示比較例2中之動態黏彈性測定之結果之曲線圖。 圖8係表示比較例3中之動態黏彈性測定之結果之曲線圖。 圖9係表示比較例4中之動態黏彈性測定之結果之曲線圖。 圖10係表示比較例5中之動態黏彈性測定之結果之曲線圖。 圖11係表示比較例6中之動態黏彈性測定之結果之曲線圖。 圖12係表示實施例1、比較例2、及比較例3中之基材片材之剖面之照片。

Claims (10)

  1. 一種晶圓加工用片材，其具備與晶圓主面接觸之基材片材，且 上述基材片材在30℃～80℃下之儲存模數E'30-80 之指數近似曲線之指數係數為-0.035～-0.070。
  2. 如請求項1之晶圓加工用片材，其中 上述基材片材在30℃下之儲存模數E'30 與在80℃下之儲存模數E'80 之差(E'30 －E'80 )為4.00×107 ～4.00×108 Pa。
  3. 如請求項1或2之晶圓加工用片材，其中 上述基材片材在80℃下之儲存模數E'80 為5.00×105 ～1.00×107 Pa。
  4. 如請求項1至3中任一項之晶圓加工用片材，其中 上述基材片材在80～110℃之溫度範圍內之儲存模數E'80-110 為1.00×106 ～1.00×107 Pa。
  5. 如請求項1至4中任一項之晶圓加工用片材，其中 上述基材片材在80℃下之損失彈性模數E''80 為1.50×104 ～1.50×106 Pa。
  6. 如請求項1至5中任一項之晶圓加工用片材，其中 上述基材片材在30℃下之損失彈性模數E''30 為1.00×106 ～1.50×108 Pa。
  7. 如請求項1至6中任一項之晶圓加工用片材，其中 上述基材片材之熔點為70℃以上。
  8. 一種晶圓之加工方法，其包括： 貼合步驟，其將經加溫之如請求項1至7中任一項之晶圓加工用片材之基材片材之表面、與晶圓之主面加以貼合；及 加工步驟，其於將上述基材片材與上述晶圓貼合在一起之狀態下加工上述晶圓。
  9. 如請求項8之晶圓之加工方法，其中 於上述加工步驟中，對未貼合有上述基材片材之上述晶圓之主面進行研磨而獲得薄化晶圓。
  10. 如請求項8之晶圓之加工方法，其中 於上述加工步驟中，切割上述晶圓而獲得半導體晶片。
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JP6364314B2 (ja) * 2014-10-23 2018-07-25 積水化学工業株式会社 半導体接合用接着フィルム
JP2019014768A (ja) * 2017-07-03 2019-01-31 日本ポリエチレン株式会社 積層フィルム用樹脂組成物及び積層フィルム
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