CN115039206A - 晶片加工用片材及晶片的加工方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及晶片加工用片材，其具备与晶片主面接触的基材片材，上述基材片材的30℃～80℃时的储能弹性模量E’30‑80的指数逼近曲线的指数系数为‑0.035～‑0.070。

Description

晶片加工用片材及晶片的加工方法
技术领域
本发明涉及晶片加工用片材及晶片的加工方法。
背景技术
加工晶片时，为了保护晶片免受因该加工引起的破损而贴合片材。例如，在为了使表面形成有凸块等的晶片变薄而进行的背面研磨工序中，进行了在凸块等的形成面上贴合片材来保护形成面的步骤。另外，在从晶片切出半导体芯片的切割工序中，在晶片上贴合有片材的状态下进行切割。
对于这样的片材，要求对晶片表面的凹凸的追随性(阶差追随性)。以往，通过下述方式来提高片材的追随性，即，使粘合剂厚度变厚；或者，在基材膜与粘合剂之间设置具有缓冲性的柔软的树脂层。然而，在晶片表面的凹凸较大的情况下，存在下述问题：追随性不足；或者，粘合层进入到晶片表面的凹部的深处，发生由胶糊残留引起的成品率下降、加工后的芯片的动作不良。
作为解决上述问题的方法，专利文献1中公开了下述技术：通过以在基材片材的单面具有直径小于待粘贴的半导体晶片的外径的非粘合部、和围绕该非粘合部的粘合部的方式构成片材，使粘合部的23℃时的粘合力为500mN以上，从而防止胶糊残留、并且防止保护性能的下降。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2013-211438号公报
发明内容
发明所要解决的课题
然而，就专利文献1中记载的技术而言，仅设置与半导体晶片的边缘粘接的粘合部，并未形成在非粘合部直接保护凸块等的构成。因此，例如在背面研磨工序中，在半导体晶片上设置有突起电极的情况下，在仅该突起电极的前端与基材片材抵接的状态下进行半导体晶片的背面磨削，因此，在背面磨削时，有可能对突起电极施加过大的负荷而使突起电极破损。
另外，就专利文献1中记载的技术而言，仅设置与半导体晶片的边缘粘接的粘合部，例如，对于与晶片表面的凹凸接触的粘合部能够在不产生胶糊残留的情况下良好地剥离，没有任何公开。
本发明是鉴于上述问题点而做出的，其目的在于提供在加热时对晶片表面显示适度的追随性、剥离性也优异的晶片加工用片材、及使用了该晶片加工用片材的晶片的加工方法。
用于解决课题的手段
本申请的发明人为了解决上述课题而进行了深入研究。结果发现，通过使用具有规定的储能弹性模量特性的基材片材作为与晶片主面接触的片材，能够解决上述课题，从而完成了本发明。
即，本发明如下所述。
〔1〕晶片加工用片材，其具备与晶片主面接触的基材片材，
上述基材片材的30℃～80℃时的储能弹性模量E’30-80的指数逼近曲线的指数系数为-0.035～-0.070。
〔2〕如〔1〕所述的晶片加工用片材，其中，上述基材片材的30℃时的储能弹性模量E’30与80℃时的储能弹性模量E’80之差(E’30-E’80)为4.00×107～4.00×108Pa。
〔3〕如〔1〕或〔2〕所述的晶片加工用片材，其中，上述基材片材的80℃时的储能弹性模量E’80为5.00×105～1.00×107Pa。
〔4〕如〔1〕～〔3〕中任一项所述的晶片加工用片材，其中，上述基材片材的、80～110℃的温度范围中的储能弹性模量E’80-110为1.00×106～1.00×107Pa。
〔5〕如〔1〕～〔4〕中任一项所述的晶片加工用片材，其中，上述基材片材的80℃时的损耗弹性模量E”80为1.50×104～1.50×106Pa。
〔6〕如〔1〕～〔5〕中任一项所述的晶片加工用片材，其中，上述基材片材的30℃时的损耗弹性模量E”30为1.00×106～1.50×108Pa。
〔7〕如〔1〕～〔6〕中任一项所述的晶片加工用片材，其中，上述基材片材的熔点为70℃以上。
〔8〕晶片的加工方法，其包括：
将经加热的、〔1〕～〔7〕中任一项所述的晶片加工用片材的基材片材的表面与晶片的主面贴合的贴合工序；和
在将上述基材片材与上述晶片贴合的状态下对上述晶片进行加工的加工工序。
〔9〕如〔8〕所述的晶片的加工方法，其中，在上述加工工序中，对未贴合有上述基材片材的上述晶片的主面进行研磨，得到薄化晶片。
〔10〕如〔8〕所述的晶片的加工方法，其中，在上述加工工序中，将上述晶片切割，得到半导体芯片。
发明效果
根据本发明，能够提供加热时对晶片表面显示适度的追随性、剥离性也优异的晶片加工用片材、及使用了该晶片加工用片材的晶片的加工方法。
附图说明
[图1]为示出使用了本实施方式的晶片加工用片材的晶片的背面研磨加工的一例的截面图。
[图2]为用于对晶片加工用片材的追随性进行说明的截面图。
[图3]为实施例1的动态粘弹性测定的结果的坐标图。
[图4]是在示出实施例1的动态粘弹性测定的结果的坐标图中记载指数逼近曲线而得的坐标图，示出以对数刻度表示储能弹性模量E’的坐标图A和不以对数刻度表示的坐标图B。
[图5]为示出实施例2的动态粘弹性测定的结果的坐标图。
[图6]为示出比较例1的动态粘弹性测定的结果的坐标图。
[图7]为示出比较例2的动态粘弹性测定的结果的坐标图。
[图8]为示出比较例3的动态粘弹性测定的结果的坐标图。
[图9]为示出比较例4的动态粘弹性测定的结果的坐标图。
[图10]为示出比较例5的动态粘弹性测定的结果的坐标图。
[图11]为示出比较例6的动态粘弹性测定的结果的坐标图。
[图12]为示出实施例1、比较例2、及比较例3中的基材片材的截面的照片。
具体实施方式
以下，详细地对本发明的实施方式(以下，称为“本实施方式”)进行说明，但本发明不限于此，可以在不超出其主旨的范围内进行各种变形。需要说明的是，附图中，对同一要素标注同一附图标记，省略重复的说明。另外，只要没有特别说明，上下左右等位置关系基于附图所示的位置关系。此外，附图的尺寸比率不限于图示的比率。
〔晶片加工用片材〕
本实施方式的晶片加工用片材具备30℃～80℃时的储能弹性模量E’30-80的指数逼近曲线的指数系数为-0.035～-0.070的基材片材作为与晶片主面接触的基材片材。
通过使用具有这样的储能弹性模量特性的基材片材，加热时对具有凹凸的晶片表面发挥适度的追随性，另外，在背面研磨工序、切割工序后，剥离性也优异，能够抑制在晶片表面的胶糊残留等。由此，在背面研磨工序、切割工序中，能够更适当地对晶片表面进行保护及脱保护，能够有助于半导体器件的成品率提高。
首先，简单地对本实施方式的晶片加工用片材的使用形态进行说明。图1示出表示使用了本实施方式的晶片加工用片材的晶片的背面研磨加工的一例的截面图。图1中，晶片加工用片材10具有基材片材11和缓冲层等其他层12，半导体晶片20在晶片主面20a具有凸部20b。本实施方式的晶片加工用片材10在背面研磨工序、切割工序等半导体晶片20的加工工艺中，将基材片材11的表面11a粘贴于晶片主面20a而使用。
更具体而言，在加工工艺前，在使晶片主面20a与基材片材11的表面11a接触的状态下，对基材片材11进行加热(工序A)。基材片材11被加热时弹性模量下降，以追随形成于晶片主面20a的凸部20b的方式与晶片主面20a贴合(工序B)。
然后，将基材片材11降温，对半导体晶片20的背面20a’执行背面研磨加工(工序C)。背面研磨加工的具体方法没有特别限定，可以使用已知的方法。例如，可举出一边向半导体晶片20的背面20a’供给包含磨粒的浆料一边进行磨削，使半导体晶片20变薄的方法等。若在背面研磨加工前将基材片材11降温，则在追随晶片主面20a的状态下弹性模量恢复，在晶片主面20a与基材片材11的表面11a不发生偏移的情况下保护晶片主面20a。
最后，将基材片材11从晶片主面20a剥离(工序D)。此时，从抑制胶糊残留的观点考虑，基材片材11优选具有适度的弹性。由此，在工序B中使其追随时，片材成分不会过度进入凹部，进一步抑制过度进入凹部的片材成分在凹部发生胶糊残留。另外，由于片材成分不会过度进入凹部，因此在剥离时，凸部不易因进入凹部的片材成分而受到负荷，有剥离性优异的倾向。
尤其是对于本实施方式的晶片加工用片材而言，上述工序A至B中的追随性是重要的。例如，如图2的B所示，在追随性不充分、空隙32变大的情况下，难以充分地保护形成于晶片主面20a的凸部20b，容易导致加工工艺中的成品率的下降。另外，在追随性不充分的情况下，也会发生容易在晶片加工用片材10的背面产生波纹33这样的问题。另一方面，如图2的C所示，在因追随性过高而基材片材进入到凸部20b的间隙34的情况下，容易导致下述问题：剥离时发生钩挂，使凸部20b损伤；或者无法剥离。
因此，在本实施方式的晶片加工用片材10中，如图2的A所示，重要的是通过具有适度的追随性，从而发挥充分的保护性能，并且不进入到凸部20b的间隙31，确保剥离性。以下，对晶片加工用片材10的构成进行详细说明。
(基材片材)
(储能弹性模量E’)
在上述这样的半导体晶片20的加工工艺中，为了适当地保护晶片表面20a，要求基材片材11对晶片主面20a的追随性。因此，本实施方式中，对加热时的储能弹性模量E’(弹性成分)的下降特性进行规定。更具体而言，本实施方式中，作为上述下降特性，对用以下的指数逼近曲线表示30℃～80℃时的储能弹性模量E’30-80时的指数系数(以下，也简称为“指数系数k”)进行规定。
指数逼近曲线：y＝αekx
y：储能弹性模量E’
x：温度(℃)
α：系数
e：纳皮尔常数
k：指数系数
本实施方式中的指数系数k为-0.035～-0.070，优选为-0.040～-0.070，更优选为-0.045～-0.070，进一步优选为-0.050～-0.070。通过使指数系数k为-0.035以下，从30℃升温至80℃时的储能弹性模量E’的下降较大，高温时追随性进一步提高。另一方面，通过使指数系数k为-0.070以上，从而能够抑制因高温时发挥过量的追随性反而使剥离性下降的情况。
本实施方式中的系数α优选为1.00×108～8.00×108，更优选为2.00×108～6.00×108，进一步优选为2.50×108～4.50×108。通过使系数α在上述范围内，有追随性及剥离性进一步提高的倾向。
上述指数逼近曲线用于表示30℃～80℃时的储能弹性模量E’的曲线的特征，因此，优选与储能弹性模量E’的曲线具有充分的相关性。从该观点考虑，决定系数R2优选为0.90～1.00，更优选为0.94～1.00，进一步优选为0.98～1.00。通过使决定系数R2在上述范围内，指数逼近曲线更准确地表示30℃～80℃时的储能弹性模量E’的曲线。因此，指数系数k更恰当地表示储能弹性模量E’的特性。
基材片材的80℃时的储能弹性模量E’80优选为5.00×105～1.00×107Pa，更优选为7.00×105～8.00×106Pa，进一步优选为1.00×106～7.00×106Pa。通过使储能弹性模量E’80为5.00×105Pa以上，从而有高温时发挥过量的追随性的情况被抑制、剥离性进一步提高的倾向。另外，通过使储能弹性模量E’80为1.00×107Pa以下，从而有高温时追随性进一步提高的倾向。
另外，基材片材的30℃时的储能弹性模量E’30优选为5.00×106～1.50×108Pa，更优选为8.00×106～1.00×108Pa，进一步优选为3.00×107～8.00×107Pa。通过使储能弹性模量E’30为5.00×106Pa以上，有胶糊残留被抑制、剥离性进一步提高的倾向。另外，通过使储能弹性模量E’30为1.50×108Pa以下，从而即使在进行剥离时基材片材钩挂在凸部的间隙，凸部也不易损伤，有剥离性进一步提高的倾向。
基材片材的、80～110℃的温度范围中的储能弹性模量E’80-110优选为1.00×106～1.00×107Pa，更优选为1.00×106～7.50×106Pa，进一步优选为1.00×106～5.00×106Pa。通过使储能弹性模量E’80-110为1.00×106Pa以上，有在高温区域中储能弹性模量E’的下降钝化的倾向。因此，有下述倾向：在高温时的贴合中，抑制追随性过度提高，剥离性进一步提高。另外，通过使储能弹性模量E’80-110为1.00×107Pa以下，有高温时的追随性进一步提高的倾向。需要说明的是，“储能弹性模量E’80-110为1.00×106～1.00×107Pa”是指80～110℃的温度范围中的储能弹性模量E’处于1.00×106～1.00×107Pa的范围。
基材片材的储能弹性模量E’30与储能弹性模量E’80之差(E’30-E’80)优选为4.00×107～4.00×108Pa，更优选为4.00×107～1.00×108Pa，进一步优选为4.00×107～8.00×107Pa。通过使差(E’30-E’80)为4.00×107Pa以上，有高温时弹性充分下降、追随性进一步提高的倾向。另外，通过使差(E’30-E’80)为4.00×108Pa以下，有抑制基材片材追随凸部的间隙、剥离性进一步提高的倾向。
(损耗弹性模量E”)
就本实施方式的基材片材而言，从追随性、剥离性的观点考虑，可以还规定损耗弹性模量E”(粘性成分)。从这样的观点考虑，基材片材的80℃时的损耗弹性模量E”80优选为1.50×104～1.50×106Pa，更优选为7.50×104～1.00×106Pa，进一步优选为1.00×105～9.00×105Pa。通过使损耗弹性模量E”80为1.50×104Pa以上，有高温时追随性进一步提高的倾向。另外，通过使损耗弹性模量E”80为1.50×106Pa以下，有抑制高温时发挥过量的追随性、剥离性进一步提高的倾向。
另外，基材片材的30℃时的损耗弹性模量E”30优选为1.00×106～1.50×108Pa，更优选为1.00×106～7.50×107Pa，进一步优选为1.00×106～5.00×107Pa。通过使损耗弹性模量E”30为1.00×106Pa以上，从而有下述倾向：进一步抑制因进行剥离时基材片材钩挂在凸部的间隙而使凸部损伤的情况，剥离性进一步提高。另外，通过使损耗弹性模量E”30为1.50×108Pa以下，有胶糊残留被抑制、剥离性进一步提高的倾向。
基材片材的损耗弹性模量E”30与损耗弹性模量E”80之差(E”30-E”80)优选为1.00×105～5.00×108Pa，更优选为5.00×105～1.00×108Pa，进一步优选为1.00×106～5.00×107Pa。通过使差(E”30-E”80)为1.00×105Pa以上，有追随性进一步提高的倾向。另外，通过使差(E”30-E”80)为5.00×108Pa以下，有剥离性进一步提高的倾向。
(熔点)
基材片材的熔点优选为70℃以上，更优选为80℃以上，进一步优选为85℃以上。通过使基材片材的熔点为70℃以上，从而有能够抑制加热时基材片材熔融的倾向。由此，能够抑制基材片材进入到凸部的间隙，因此有剥离性进一步提高的倾向。基材片材的熔点的上限没有特别限定，优选为200℃，更优选为150℃以下，进一步优选为120℃以下。
储能弹性模量E’及其逼近曲线的指数系数k、决定系数R2、以及损耗弹性模量E”、熔点可以通过调整基材片材中使用的树脂的种类、基材片材的组成来控制。
另外，本实施方式的动态粘弹性测定可按照通常方法进行。作为样品，例如，可以使用保持于温度为23℃(±2℃)、相对湿度为50％(±5％)的恒温恒湿槽中的样品。另外，作为装置，例如，可以使用装置名“Rheometric Series RSA III”(TA Instruments公司制)。关于其他条件，没有特别限定，可按照实施例中记载的条件测定。
另外，基材片材的熔点可按照JIS K7121进行测定。
基材片材主要由树脂构成，可根据需要包含添加剂。树脂可以单独使用一种，也可以并用两种以上。
(树脂)
作为基材片材中使用的树脂，没有特别限定，例如，可举出离聚物树脂、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、软质聚丙烯树脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物树脂、乙烯-丁二烯共聚物树脂、乙烯-丁二烯共聚物的氢化物树脂、乙烯-1-丁烯共聚物树脂、软质丙烯酸树脂等。其中，优选离聚物树脂及乙烯-乙酸乙烯酯共聚物，更优选离聚物树脂。通过使用这样的树脂，有追随性及剥离性进一步提高的倾向。需要说明的是，树脂可以单独使用一种，也可以并用两种以上。
作为上述离聚物树脂，只要是以金属离子将规定的聚合物进行分子间键合而得的树脂即可，没有特别限定，例如，可举出聚烯烃系离聚物、丙烯酸系离聚物、聚苯乙烯系离聚物、聚酯系离聚物。上述离聚物树脂可以单独使用一种，也可以并用两种以上。其中，优选聚烯烃系离聚物及丙烯酸系离聚物，更优选聚烯烃系离聚物。通过使用这样的树脂，有追随性及剥离性进一步提高的倾向。
作为上述聚烯烃系离聚物，没有特别限定，例如，可举出乙烯-甲基丙烯酸盐共聚物、乙烯-丙烯酸盐共聚物、乙烯-甲基丙烯酸盐-丙烯酸酯共聚物等。
作为上述丙烯酸系离聚物，没有特别限定，例如，可举出丙烯酸酯-丙烯酸盐共聚物、丙烯酸酯-甲基丙烯酸盐共聚物、甲基丙烯酸酯-丙烯酸盐共聚物、甲基丙烯酸酯-甲基丙烯酸盐共聚物等。
作为上述聚苯乙烯系离聚物，没有特别限定，例如，可举出苯乙烯-苯乙烯磺酸盐共聚物、苯乙烯-丙烯酸盐共聚物、苯乙烯-甲基丙烯酸盐共聚物、苯乙烯-苯乙烯羧酸盐共聚物、苯乙烯-N-甲基-4-乙烯基吡啶鎓盐共聚物等。
作为上述聚酯系离聚物，没有特别限定，例如，可举出共聚有磺基对苯二甲酸盐的聚对苯二甲酸乙二醇酯、共聚有磺基间苯二甲酸盐的聚对苯二甲酸乙二醇酯、共聚有磺基对苯二甲酸的聚对苯二甲酸丁二醇酯、共聚有磺基间苯二甲酸的聚对苯二甲酸丁二醇酯等。
作为构成上述离聚物树脂的盐的金属离子，没有特别限定，例如，可举出钠离子、锂离子等1价金属离子；锌离子、钙离子、镁离子等2价金属离子；铝离子等3价金属离子等。离聚物树脂中的聚合物和金属离子可以基于聚合物中的离子性官能团和金属离子的价数而任意地组合使用。
另外，作为上述乙烯-乙酸乙烯酯共聚物，只要为乙烯与乙酸乙烯酯的共聚物即可，没有特别限定。乙烯-乙酸乙烯酯共聚物中的乙酸乙烯酯的含量相对于来自乙烯和乙酸乙烯酯的结构单元的总摩尔数而言，优选为1～35摩尔％，更优选为3～25摩尔％，进一步优选为3～15摩尔％。通过使乙酸乙烯酯的含量在上述范围内，有追随性及剥离性进一步提高的倾向。
作为上述软质聚丙烯树脂，没有特别限定，例如，可举出对聚丙烯树脂掺混橡胶成分而得的软质聚丙烯树脂。作为此处使用的橡胶成分，没有特别限定，例如，可举出苯乙烯-丁二烯共聚橡胶、苯乙烯-丁二烯-苯乙烯嵌段共聚橡胶、苯乙烯-异戊二烯-苯乙烯嵌段共聚橡胶、乙烯-丙烯共聚橡胶等。
上述基材片材中使用的树脂的重均分子量(Mw)优选为10,000～1,000,000，更优选为50,000～500,000。
(厚度)
基材片材的厚度优选为50～500μm，更优选为70～400μm，进一步优选为100～300μm。通过使基材片材的厚度在上述范围内，从而有下述倾向：对晶片表面的凹凸发挥充分追随性，并且也保持作为片材的强度，因此，剥离时不易发生片材的断裂，剥离性也进一步提高。
(其他成分)
基材片材可根据需要包含已知的增塑剂、热稳定剂、着色剂、有机系润滑剂、无机系润滑剂、表面活性剂、加工助剂等其他添加剂。
(其他层)
本实施方式的晶片加工用片材10可以在基材片材11的与表面11a(其与晶片主面20a接触)相反一侧的面具有其他层12(参见图1)。作为其他层12，没有特别限定，例如，可举出：用于将与晶片20贴合的状态的基材片材11固定于工作台的粘合层；介于基材片材11与工作台之间的缓冲层等。
本实施方式的晶片加工用片材10只要是出于在加工工艺前保护晶片主面20a的目的而使用的片材即可，关于基材片材11以外的层构成，没有特别限定，可以根据加工工艺的种类任意地组合其他层12而使用。需要说明的是，其他层12可以为单层，也可以为具有相同或不同功能的层的层叠体。
另外，本实施方式的晶片加工用片材10具有基材片材11的与晶片主面20a接触的表面11a，因此，优选在与晶片主面20a的形成有凸部20b的面接触的表面11a中不具有粘合层等。
〔晶片的加工方法〕
本实施方式的晶片的加工方法包括：将经加热的、上述晶片加工用片材的基材片材的表面与晶片的主面贴合的贴合工序；和在将基材片材与上述晶片贴合的状态下，对上述晶片进行加工的加工工序。以下，使用图1对各工序进行说明。
〔贴合工序〕
在贴合工序中，将经加热的、上述晶片加工用片材10的基材片材11的表面11a与晶片的主面20a贴合。在贴合工序中，可以将基材片材11在已预先加热的状态下与晶片主面20a贴合，也可以在将基材片材11与晶片主面20a贴合后进行加热。
通过在经加热的状态下将基材片材11的表面11a与晶片的主面20a贴合，从而能够在表面11a追随晶片的主面20a的状态下贴合(参见图1的B)。如此，凸部20b没入基材片材11中，由此能够保护具有凸部20b的晶片的主面20a。
加热的温度优选为60～150℃，更优选为70～120℃，进一步优选为80～120℃。另外，基材片材11的加热时间优选为3～120秒，更优选为5～90秒。通过使加热条件在上述范围内，有基材片材11的追随性进一步提高的倾向。
〔加工工序〕
作为在将基材片材11与晶片20贴合的状态下对晶片20进行加工的加工工序，没有特别限定，可以适当应用任意的晶片加工工艺。例如，作为加工工序，可举出：对晶片的未贴合基材片材11的背面20a’进行研磨而得到薄化晶片21的背面研磨加工；将晶片20切割而得到半导体芯片的切割加工等。其中，本实施方式的晶片的加工方法能够合适地用于背面研磨加工。
背面研磨加工的具体方法没有特别限定，可以使用已知的方法。例如，可举出一边向晶片的背面20a’供给包含磨粒的浆料一边进行磨削的方法等。由此得到的薄化晶片21的厚度只要为与加工目的相适应的厚度即可，没有特别限定，作为一例，优选为300μm以下，更优选为150μm以下，进一步优选为50μm以下。
在背面研磨加工中，会在晶片的厚度方向上施加载荷而使凸部20b等破损，容易导致成品率的下降。与此相对，通过使用本实施方式的晶片加工用片材，能够在将凸部20b的至少一部分埋入基材片材11的状态下进行加工，因此能够避免凸部20b等的破损。
另外，若为本实施方式的晶片加工用片材，则由于具有规定的粘弹性特性，因此，基材片材11追随晶片20的主面20a而能够保护晶片20的主面20a，且同时能够实现适度的密合性。因此，能够消除在使用现有类型的凸部20b与粘合剂接触这样形态的粘合片时产生的、在晶片20的主面20a上的胶糊残留等问题。另外，也不需要如使粘合层附着于晶片20外周部的现有晶片加工用片材这样、将粘合层以良好的位置精度贴合于晶片20的外周部，因此，也能够进一步简化加工工艺。
〔剥离工序〕
本实施方式的晶片加工方法可以具有将薄化晶片21与基材片材11剥离的剥离工序。基材片材11的剥离方法没有特别限定，例如，如图1所示，可以通过以基材片材11的一端远离薄化晶片21的方式使基材片材11朝向方向F弯曲来进行。
剥离工序可以于常温进行，也可以在加热下进行。实施剥离工序的温度优选为10～70℃，更优选为20～60℃。
在使用具有粘合层的现有类型晶片加工用片材的情况下，在晶片20的主面20a等上粘合剂的胶糊残留成为问题。然而，若为本实施方式的晶片加工用片材，则由于具有规定的粘弹性特性，因此能够在不产生粘合剂的胶糊残留的情况下进行剥离。
需要说明的是，如前文所述，本发明不限于上述的实施方式，可以在不超出其主旨的范围内进行各种变形。即，上述实施方式在所有方面不过是示例，不作限定性解释。
例如，贴合工序中的贴合除了在常压下进行外，也可以在减压下进行。另外，也可以代替其他层12或在其基础上使用固化性树脂。使用固化性树脂的情况下，例如，向膜上供给固化性树脂，以使固化性树脂在基材片材11的与表面11a(其与晶片主面20a接触)相反一侧的面扩展的方式，使与表面11a相反一侧的面与膜对置并进行加压。然后，通过使固化性树脂硬化，从而能够将晶片加工用片材10固定于膜上。
此外，图1主要示例了背面研磨加工，但在切割加工、其他晶片加工工艺中，也可以使用本实施方式的晶片加工用片材。
实施例
以下，使用实施例及比较例来更具体地说明本发明。本发明不受以下的实施例任何限定。
〔实施例1〕
利用T模法，将乙烯-甲基丙烯酸-丙烯酸酯的锌盐共聚物形成为厚度150μm的基材片材(GUNZE公司制，产品名“HMD-150”)。
〔实施例2〕
利用T模法，将乙烯-乙酸乙烯酯共聚物形成为厚度150μm的基材片材(RIKENTECHNOS公司制，产品名“EU90B”，乙酸乙烯酯含量6摩尔％)。
〔比较例1〕
利用T模法，将乙烯甲基丙烯酸共聚物(三井杜邦聚合化学公司制树脂，产品名“Nucrel N0407”)形成为厚度150μm的基材片材。
〔比较例2〕
利用吹胀法，将低密度聚乙烯形成为厚度150μm的基材片材(Aicello公司制，产品名“N-280”)。
〔比较例3〕
利用吹胀法，将直链低密度聚乙烯形成为厚度150μm的基材片材(Aicello公司制，产品名“N-165”)。
〔比较例4〕
利用T模法，将氢化苯乙烯系热塑性弹性体(旭化成公司制，树脂产品名“H1041”)形成为厚度150μm的基材片材。
〔比较例5〕
利用T模法，将未拉伸聚丙烯形成为厚度150μm的基材片材(Futamura公司制，产品名“FRTK-S”)。
〔比较例6〕
利用T模法，将氨基甲酸酯树脂形成为厚度150μm的基材片材(日本Matai公司制，产品名“Esmer URS”)。
〔动态粘弹性测定〕
基于下述条件，进行上述各基材片材的动态粘弹性测定。首先，将基材片材在温度23℃(±2℃)、相对湿度50％(±5％)的恒温恒湿槽中保持40小时。使用得到的基材片材作为样品，在通常的大气气氛下(干燥状态)进行动态粘弹性测定。作为动态粘弹性测定装置，使用装置名“Rheometric Series RSA III”(TA Instruments公司制)。
(测定条件)
测定装置：“Rheometric Series RSA III”(TA Instruments公司制)
样品：长1cm×宽0.5cm×厚0.2cm
试验长度：1cm
样品的前处理：在温度23℃、相对湿度50％的大气中保持40小时
试验模式：拉伸
频率：1.6Hz(10rad/秒)
温度范围：0～150℃
升温速度：5℃/min
应变范围：0.10％
初始载荷：148g
测定间隔：1point/℃
将通过上述测定得到的、储能弹性模量E’及损耗弹性模量E”示于图3、5～11。另外，基于图3、5～11，求出30℃～80℃时的储能弹性模量E’30-80的指数逼近曲线，确定其指数系数等。将储能弹性模量E’及损耗弹性模量E”、以及与指数逼近曲线有关的各值归纳于表1。需要说明的是，图4中，作为一例，示出在表示实施例1的动态粘弹性测定的结果的坐标图中记载指数逼近曲线和决定系数R2而得的坐标图。图4的(a)为以对数刻度表示储能弹性模量E’的坐标图，且是将图3的30℃～80℃的温度范围提取出的图。图4的(b)是为了表现指数逼近曲线的形状而采用不以对数刻度表示图4的(a)的储能弹性模量E’的形式的坐标图。
指数逼近曲线：y＝αekx
y：储能弹性模量E’
x：温度(℃)
α：系数
e：纳皮尔常数
k：指数系数
〔追随性试验〕
使用以上述方式得到的基材片材作为晶片加工用片材，使其于100℃压接1分钟而粘贴于晶片的形成有凸部的面。作为晶片，使用直径8英寸、厚度725μm的晶片。另外，作为晶片上形成的凸部，使用在外周的3.0mm以外的区域形成有高度230μm的凸块(突起电极)的凸部。
然后，暂时降温至室温(25℃)，在常温下将基材片材从晶片剥离。对剥离后的基材片材的截面进行观察，评价其截面形状属于图2所示的A～C中的哪一者。将其结果示于表1。另外，图12示出表示实施例1、比较例2、及比较例3中的基材片材的截面的照片。
〔剥离性试验〕
在如上文所述将基材片材从晶片剥离后，对晶片的表面进行观察，按下述基准评价剥离性。
(胶糊残留的评价基准)
A：在晶片表面未观察到基材片材的残留
B：在晶片表面略微观察到基材片材的残留
C：在晶片表面观察到基材片材的残留
(凸部损伤的评价基准)
A：在晶片的凸部未观察到损伤、或者能够容易地剥离；
B：在晶片的凸部略微观察到损伤、或者剥离时需耗费少许力气，可能损伤凸部；
C：在晶片的凸部观察到损伤、或者剥离时耗费力气，很可能损伤凸部。
[表1]
Figure BDA0003776361920000181
关于比较例1及4，虽然追随性相较而言没有问题，但在晶片表面产生胶糊残留，因此会发生加工工艺中的成品率的下降。另外，关于比较例2及5，追随性过高，结果，基材片材进入凸部的间隙，因此剥离时损伤凸部、或损伤的可能性高，进而，容易产生胶糊残留。此外，关于比较例3及6，追随性低，因此凸部的保护不充分。结果，在仅凸部的前端与基材片材抵接的状态下进行半导体晶片的背面磨削，在背面磨削等加工工艺中，对凸部施加过大的负荷，凸部破损，因此可能发生加工工艺中的成品率的下降。
产业上的可利用性
本发明的晶片加工用片材作为背面研磨加工、切割加工、其他晶片加工工艺中使用的保护用片材具有产业上的可利用性。
附图标记说明
10…晶片加工用片材、11…基材片材、11a…表面、12…层、20…半导体晶片、20a…主面、20b…凸部、20a’…背面、21…薄化晶片、31…间隙、32…空隙、33…波纹、34…间隙

Claims (10)

1.晶片加工用片材，其具备与晶片主面接触的基材片材，
所述基材片材的30℃～80℃时的储能弹性模量E’30-80的指数逼近曲线的指数系数为-0.035～-0.070。
2.如权利要求1所述的晶片加工用片材，其中，所述基材片材的30℃时的储能弹性模量E’30与80℃时的储能弹性模量E’80之差(E’30-E’80)为4.00×107～4.00×108Pa。
3.如权利要求1或2所述的晶片加工用片材，其中，所述基材片材的80℃时的储能弹性模量E’80为5.00×105～1.00×107Pa。
4.如权利要求1～3中任一项所述的晶片加工用片材，其中，所述基材片材的、80～110℃的温度范围中的储能弹性模量E’80-110为1.00×106～1.00×107Pa。
5.如权利要求1～4中任一项所述的晶片加工用片材，其中，所述基材片材的80℃时的损耗弹性模量E”80为1.50×104～1.50×106Pa。
6.如权利要求1～5中任一项所述的晶片加工用片材，其中，所述基材片材的30℃时的损耗弹性模量E”30为1.00×106～1.50×108Pa。
7.如权利要求1～6中任一项所述的晶片加工用片材，其中，所述基材片材的熔点为70℃以上。
8.晶片的加工方法，其包括：
将经加热的、权利要求1～7中任一项所述的晶片加工用片材的基材片材的表面与晶片的主面贴合的贴合工序；和
在将所述基材片材与所述晶片贴合的状态下对所述晶片进行加工的加工工序。
9.如权利要求8所述的晶片的加工方法，其中，在所述加工工序中，对未贴合有所述基材片材的所述晶片的主面进行研磨，得到薄化晶片。
10.如权利要求8所述的晶片的加工方法，其中，在所述加工工序中，将所述晶片切割，得到半导体芯片。
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