TW202201510A - 晶片之製造方法 - Google Patents

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鈴木元
小川雄輝
田中圭
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日商迪思科股份有限公司
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Abstract

[課題]在利用將藉由雷射光束所形成之改質層作為分割起點之方法而分割晶圓時，抑制在切割道以外分割該晶圓，且抑制所得之晶片的抗折強度的降低。[解決手段]在利用將藉由雷射光束所形成之改質層作為分割起點之方法而分割晶圓並形成晶片時，並非將存在於劃定該晶片的界線之多條切割道之全部的功能層進行分割，而是僅分割該功能層中包含該多條切割道的交叉點位置之大致十字（亦即，在俯視下，將於特定方向延伸之長方形及於與該特定方向正交的方向延伸之長方形以兩者的中心部重疊之方式進行配置的形狀）的區域。

Description

晶片之製造方法
本發明係關於一種分割晶圓而形成晶片之晶片之製造方法。
具備半導體元件之晶片是藉由沿著交叉之多條切割道而分割在正面具有功能層之晶圓所形成。該功能層係例如藉由在由矽等半導體所構成之基板的正面摻雜有雜質之雜質區域以及成膜於該雜質區域上之絕緣膜及導電膜等所構成。又，該多條切割道係劃定平面方向中的晶片的界線者，一般被排列成格子狀。
專利文獻1中揭示利用亦稱為SDBG（Stealth Dicing Before Grinding，先隱形切割後研削）之雷射光束而分割晶圓之技術。
具體而言，在專利文獻1所記載的發明中，使雷射光束於晶圓的正面進行掃描並於基板形成改質層後，從背面研削該晶圓，藉此該改質層成為分割起點而分割晶圓。亦即，在專利文獻1所記載的發明中，為了於劃定晶片的界線之切割道形成改質層而利用雷射光束。
然而，晶片所包含之功能層的膜厚係因近年來對於半導體元件的品質（例如，DRAM及NAND型快閃記憶體等半導體記憶體的大容量化）之要求提高而呈現增大的傾向。因此，在如專利文獻1所記載的發明般於基板形成改質層之情形中，未形成該改質層的部分呈現變厚的傾向。
其結果，有時晶圓的功能層不會沿著切割道被分割。具體而言，有時會產生將形成於基板之改質層作為分割起點之裂痕係在該功能層中於相對於垂直方向呈傾斜之方向延伸等問題。
專利文獻2中揭示用於解決此種問題之方法。具體而言，在專利文獻2所記載的發明中，預先對切割道照射雷射光線或實施劃割加工，而形成比功能層的厚度更深之槽，藉此能使以改質層作為分割起點之裂痕於垂直方向延伸。 [習知技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2004-111428號公報。 [專利文獻2]日本特開2007-173475號公報。
[發明所欲解決的課題] 但是，在專利文獻2所記載的發明中，形成於切割道之槽會貫通功能層並到達基板。因此，有時基板會損傷而晶片的抗折強度會降低。
於是，本發明之目的在於提供一種晶片之製造方法，其在利用將藉由雷射光束所形成之改質層作為分割起點之方法而分割晶圓時，能抑制該晶圓在切割道以外被分割，且抑制所得之晶片的抗折強度的降低。
[解決課題的技術手段] 根據本發明，提供一種晶片之製造方法，其沿著多條切割道分割晶圓並形成晶片，所述晶圓係於基板正面形成功能層，且在由格子狀地排列之該多條切割道所劃分之多個區域分別形成有元件，所述晶片之製造方法包含下述步驟：功能層分割步驟，其僅分割形成於該晶圓的正面側之該功能層中包含該多條切割道的交叉點位置之大致十字的區域；改質層形成步驟，其將穿透該晶圓的該基板之波長的雷射光束從該晶圓的背面側沿著該多條切割道進行照射，而於該基板形成改質層；及分割步驟，其在該功能層分割步驟及該改質層形成步驟後，對於該晶圓賦予外力，而將該晶圓沿著該多條切割道分割成一個個晶片。
較佳為，該功能層分割步驟係對於形成於該晶圓之該多條切割道，從該晶圓的正面側照射被該晶圓吸收之波長的雷射光束，而形成比該功能層的厚度更深之雷射加工槽。
較佳為，該功能層分割步驟係對於形成於該晶圓之該多條切割道實施劃割加工，而形成比該功能層的厚度更深之劃割加工槽。
較佳為，該分割步驟為背面研削步驟，所述背面研削步驟係藉由研削單元而從該晶圓的背面側研削該晶圓，薄化至晶片的完工厚度，且將該晶圓分割成一個個晶片。
[發明功效] 在本發明中，在利用將藉由雷射光束所形成之改質層作為分割起點之方法而分割晶圓並形成晶片前，將存在於多條切割道之功能層的一部分進行分割。因此，使將改質層作為分割起點之龜裂在多條切割道的功能層已被分割的區域進展之可能性提高。藉此，能降低晶圓在多條切割道以外被分割之可能性。
又，在本發明中，存在於多條切割道之功能層的殘留部分並未被分割，因此不會損傷位於其下方之基板。藉此，能抑制所得之晶片的抗折強度的降低。
在本發明中，在利用將藉由雷射光束所形成之改質層作為分割起點之方法而分割晶圓並形成晶片時，不將存在於劃定該晶片的界線之多條切割道的功能層全部分割，而是僅將該功能層中包含該多條切割道的交叉點位置之大致十字（亦即，在俯視下，將於特定的方向延伸之長方形及於與該特定的方向正交的方向延伸之長方形以兩者的中心部重疊之方式進行配置的形狀）的區域進行分割。
以下參照圖1～5詳述此種發明的一例。此外，後述的晶片之製造方法僅為本發明之實施方式，本發明並不受限於後述發明則自不待言。
圖1為表示製造晶片所使用的晶圓之一例的圖。圖1所示的晶圓11具有大致圓盤狀的基板15，所述基板15係藉由對於薄基板形成用於表示晶體方向之缺口或定向平面而獲得，所述薄基板係從由矽等半導體所構成之圓柱狀的晶棒所裁切出。然後，在基板15的正面形成有功能層19，所述功能層19包含摻雜雜質之雜質區域以及成膜於該雜質區域上之多個絕緣膜及多個導電膜。
此外，在本說明書中，為了方便而將晶圓11中基板15存在之側稱為背面13側，又，將功能層19存在之側稱為正面17側。
在功能層19中，由格子狀地排列之多條切割道21而劃分多個區域。分別位於多個區域23之功能層19係構成獨立之半導體元件，藉由沿著多條切割道21分割晶圓11，而製造具備半導體元件之晶片。
此外，作為晶圓11，能應用各式各樣者。例如，作為晶圓11，能應用其尺寸為8～12吋且其厚度為725～775μm之晶圓。
又，在本說明書中雖針對將由矽等半導體所構成之圓盤狀的晶圓11進行加工之情形進行說明，但成為加工的對象之晶圓的材質、形狀、構造及大小等並無限制。例如，可對於使用其他半導體、陶瓷、樹脂及金屬等材料所形成之任意形狀的晶圓實施本說明書所揭示的加工。同樣地，形成於晶圓之元件的種類、數量、形狀、構造、大小及配置等亦無限制。
圖2為表示將存在於圖1所示之多條切割道21的功能層19的一部分進行分割之功能層分割步驟的一例之態樣的立體圖。
圖2所示的功能層分割步驟係使用具備卡盤台10、雷射加工單元12及攝像單元14之雷射加工裝置而進行。
卡盤台10具備保持被加工物之大致水平的保持面。又，卡盤台10在將該被加工物保持於該保持面之狀態下，能藉由未圖示之移動機構而於圖2所示之X的箭頭方向及Y的箭頭方向移動。此外，兩箭頭方向皆為與該保持面大致平行之方向，又，兩箭頭方向為互相大致正交之方向。
雷射加工單元12被配置於卡盤台10的上方，且能對卡盤台10的保持面側照射被晶圓11吸收之波長（例如355nm）的脈衝雷射光束。該脈衝雷射光束係被基板15及功能層19之至少一者吸收。
攝像單元14係以與雷射加工單元12同時設置之方式配設於卡盤台10的上方，且能拍攝卡盤台10的保持面側。
在該功能層分割步驟中，首先，於圓盤狀的黏著膠膜18的上表面的周邊區域黏貼環狀的框架16，又，於其中央區域黏貼晶圓11的背面。接著，將晶圓11的背面側設置於卡盤台10的保持面。
接著，攝像單元14檢測形成於晶圓11之多條切割道21的位置資訊。接著，根據所檢測之多條切割道21的位置資訊，以使從雷射加工單元12所照射之雷射光束沿著多條切割道21進行掃描之方式，移動卡盤台10。
具體而言，首先，以沿著多條切割道21的任一者而照射雷射光束之方式，移動卡盤台10，所述多條切割道21係格子狀地排列之多條切割道21中沿著第一方向平行排列之多條切割道21。此時，雷射加工單元12僅於沿著該第一方向之多條切割道21的交叉點位置的鄰近處照射脈衝狀之雷射光束。
該雷射光束為被晶圓11吸收之波長的雷射光束。因此，在被該雷射光束照射的區域會產生雷射燒蝕而形成槽。
藉由重複照射此種雷射光束，而在俯視下，於該切割道的交叉點位置形成互相分離且其長邊沿著第一方向之長方形狀的雷射加工槽。又，對於與該切割道21同樣地沿著第一方向平行排列之剩餘的切割道21，亦依序進行雷射光束的照射。
接著，使卡盤台10旋轉90°後，對於格子狀地排列之多條切割道21中與已形成雷射加工槽之多條切割道21正交排列之多條切割道21，亦依序進行雷射光束的照射。換言之，對於沿著與該第一方向大致正交之第二方向平行排列之多條切割道21，亦依序進行雷射光束的照射。
其結果，如圖3所示，僅在包含劃分多個區域23之多條切割道21的交叉點位置之大致十字的區域形成多個雷射加工槽25。此外，雷射加工槽25比存在於多條切割道21之功能層19的厚度更深。亦即，雷射加工槽25係以其底面位於基板15之方式貫通功能層19。
因此，基板15露出於雷射加工槽25的底面。又，在多條切割道21之已形成雷射加工槽25的區域中，分割功能層19。
又，多個雷射加工槽25係分別互相遠離，並且，位於包含多個交叉點位置之任一者且不包含該交叉點位置以外的交叉點位置之區域。
此外，作為雷射加工單元12，能應用各式各樣者。例如，作為雷射加工單元12，能應用具備YAG雷射振盪器、YVO4雷射振盪器及CO2雷射振盪器等者。又，作為雷射加工單元12，能應用所照射雷射光束之波長為266～10600nm，其平均輸出為0.1～50.0W，其重複頻率為10kHz～50MHz者。
又，用於評價半導體元件的性能之TEG（Test Element Group，測試式元件組），一般而言，由有效活用晶圓11之觀點而言，係被設置於多條切割道21。另一方面，多條切割道21殘存有TEG之情形，在後述的分割步驟中會變得難以沿著多條切割道21分割晶圓11。
因此，此種TEG較佳為形成於包含多條切割道21的交叉點位置之大致十字的區域，並藉由在功能層分割步驟中之雷射加工槽25的形成而被去除。
換言之，雷射加工槽25較佳為具備可完全去除此種TEG之尺寸的大小。例如，雷射加工槽25較佳為尺寸大於以下形狀：在俯視下，將兩個長方形以中心部重疊之方式進行配置的形狀，所述兩個長方形為：具備長度50μm之長邊的長方形，所述長邊沿著大致正交之兩條切割道之一者所延伸的方向；及具有長度50μm之長邊的長方形，所述長邊沿著該兩條切割道之另一者所延伸的方向。
另一方面，由抑制分割晶圓11而得之一個個晶片的抗折強度的降低之觀點而言，較佳為雷射加工槽25的尺寸小。例如，在位於透過特定的切割道而相鄰之一對區域23之間之雷射加工槽25的一部分中，在該切割道延伸的方向中的長度（例如，圖3所示之「L1」）較佳為在該方向中的區域23的長度（例如，圖3所示之「L2」）的1／4，更佳為1／8以下，最佳為1／12以下。
本發明的實施方式中的功能層分割步驟係如上述般被實施。
圖4為表示在功能層分割步驟後所進行之改質層形成步驟的一例之態樣的縱剖面圖。圖4所示的改質層形成步驟係使用具備卡盤台20與雷射照射單元22之雷射照射裝置而進行。
卡盤台20具備保持被加工物之大致水平的保持面。又，卡盤台20係在將被加工物保持於該保持面之狀態下，藉由未圖示之移動機構而能於圖4所示之X的箭頭方向移動。此外，該方向為與該保持面大致平行之方向。
雷射照射單元22被配置於卡盤台20的上方，且能對卡盤台20的保持面側照射雷射光束。
在該改質層形成步驟中，首先，將晶圓11的正面17黏貼於具有與晶圓11大致相同的直徑之圓盤狀的黏著膠膜26的上表面。接著，在功能層分割步驟中將黏貼於晶圓11的背面13之黏著膠膜18取下（參照圖2）。
接著，透過黏著膠膜26而將晶圓11的正面17側設置於卡盤台20的保持面。接著，以使從雷射照射單元22所照射之穿透基板15之波長（例如1064nm）的脈衝雷射光束的聚光點位於基板15內之方式進行設定。
接著，以使從雷射照射單元22所照射之雷射光束沿著多條切割道21進行掃描之方式移動卡盤台20，且從雷射照射單元22照射穿透晶圓11的基板15之波長的脈衝雷射光束。
具體而言，首先，對於格子狀地排列之多條切割道21中沿著第一方向平行排列之多條切割道21，依序進行雷射光束的照射。
接著，使卡盤台20旋轉90°後，對於格子狀地排列之多條切割道21中與已被雷射光束照射的多條切割道21正交排列之多條切割道21，亦依序進行雷射光束的照射。換言之，對於沿著與該第一方向大致正交之第二方向平行排列的多條切割道21，亦依序進行雷射光束的照射。
其結果，如圖4所示，在存在於多條切割道21（具體而言，為與互相分離之多個雷射加工槽25重疊之區域，及與位於相鄰之雷射加工槽25之間的功能層19重疊之區域）之基板15內形成改質層27。
此外，作為雷射照射單元22，能應用各式各樣者。例如，作為雷射照射單元22，能應用具備YAG雷射振盪器及YVO4雷射振盪器等者。又，作為雷射照射單元22，能為所照射之雷射光束的波長為1099～1400nm，其平均輸出為0.5～3.0W，其重複頻率為80～150kHz。
在本發明的實施方式中的改質層形成步驟係如上述般被實施。
圖5為表示在改質層形成步驟後所進行之分割步驟的一例之態樣的立體圖。圖5所示的分割步驟係使用具備卡盤台28與研削單元30之研削裝置而進行。
卡盤台28具備保持被加工物之大致水平的保持面。又，卡盤台28在將該被加工物保持於該保持面之狀態下，藉由未圖示之旋轉機構而能以軸心32為中心進行旋轉。
研削單元30係配置於卡盤台28的上方，且藉由未圖示之旋轉機構而以軸心34為中心進行旋轉，並能藉由研削磨石36而研削設置於卡盤台28的保持面之被加工物。
在該分割步驟中，首先，透過黏著膠膜26而將晶圓11的正面側設置於卡盤台28的保持面。
接著，在使卡盤台28及研削單元30一起旋轉之狀態下，一邊使研削單元30下降一邊使晶圓11的背面與研削磨石36接觸，藉此研削晶圓11。
藉此，晶圓11被薄化至因應研削單元30的下降量之預定的完工厚度，且藉由該研削而對晶圓11施加外力。其結果，存在於晶圓11的基板15內之改質層27成為分割起點，晶圓11沿著多條切割道21而被分割成一個個晶片。
在本發明之實施方式中的分割步驟係如上述般被實施。藉此，形成多個晶片。
在上述晶片之製造方法中，在利用將藉由雷射光束所形成之改質層27作為分割起點之方法而分割晶圓11並形成晶片前，將存在於多條切割道21之功能層19的一部分進行分割。因此，將改質層27作為分割起點之龜裂在多條切割道21之功能層19已被分割的區域進展之可能性提高。藉此，能降低晶圓11在多條切割道21以外被分割之可能性。
又，在上述晶片之製造方法中，因存在於多條切割道21之功能層19的殘留部份未被分割，故不會損傷位於其下方之基板15。藉此，能抑制所得之晶片的抗折強度的降低。
上述晶片之製造方法為本發明之一態樣，使用與該方法不同之步驟的晶片之製造方法亦被包含在本發明中。例如，上述晶片之製造方法中的步驟之至少一者亦可被取代成後述的步驟。
首先，在上述晶片之製造方法中，雖表示了在功能層分割步驟後進行改質層形成步驟的例子，但兩步驟的順序並未被特別限定，也可在改質層形成步驟後進行功能層分割步驟。
又，在上述晶片之製造方法中，作為本發明中的功能層分割步驟，雖表示了在晶圓11被黏貼於黏著膠膜18之狀態下形成雷射加工槽25之步驟，但本發明中的功能層分割步驟也可在晶圓11未被黏貼於黏著膠膜18之狀態下進行。
在晶圓11未被黏貼於黏著膠膜18之狀態下進行功能層分割步驟之情形，因變得不需要費工夫將黏著膠膜18從晶圓11取下，故較佳。另一方面，在晶圓11被黏貼於黏著膠膜18之狀態下進行功能層分割步驟之情形，因將框架16黏貼於黏著膠膜18，可提高將晶圓11設置於卡盤台10的保持面時及將晶圓11從卡盤台10的保持面取下時之便利性（處理性），故較佳。
又，在上述晶片之製造方法中，作為本發明中的功能層分割步驟，雖表示了對多條切割道21照射雷射光束而形成比功能層19的厚度更深之雷射加工槽25之步驟（參照圖2及3），但本發明中的功能層分割步驟並不受限於使用雷射光束。
例如，作為本發明中的功能層分割步驟，也可採用對於多條切割道21實施劃割加工，而形成比功能層19的厚度更深之劃割加工槽之步驟。該劃割加工例如只要使用金剛石劃割器等而實施即可。
又，在上述晶片之製造方法中，作為本發明中的分割步驟，雖然表示了藉由研削裝置研削晶圓11的背面而將晶圓11分割為一個個晶片之背面研削步驟（參照圖5），但本發明中的分割步驟並不受限於使用研削裝置。
例如，作為本發明之分割步驟，可採用擴張圖6及7所示的擴片膠膜38而分割晶圓11之步驟。具體而言，圖6所示的步驟係使用具備圓筒形的鼓輪40與支撐單元42之擴張裝置而進行。
支撐單元42具備以包圍鼓輪40的上端部之方式而設置之環狀的支撐台44。支撐台44能支撐被擴張物的周邊區域。
又，支撐單元42具備在支撐台44上沿著其周向大致等間隔地配置之多個夾具46。多個夾具46能與支撐台44一起握持並固定被擴張物的周邊區域。
又，支撐單元42具備在支撐台44下沿著其周向大致等間隔地配置之多個桿體48。多個桿體48係支撐支撐台44及多個夾具46，且能藉由未圖示之升降機構而與支撐台44及多個夾具46一起升降。
在該分割步驟中，首先，於圓盤狀的擴片膠膜38的上表面的周邊區域黏貼環狀的框架50，又，於其中央區域黏貼晶圓11的背面13。接著，在改質層形成步驟中將黏貼於晶圓11的正面17之黏著膠膜26取下（參照圖4）。
接著，以支撐台44的上表面位於與鼓輪40的上端相同的平面上之方式，使多個桿體48升降。接著，如圖6所示，以晶圓11的背面13成為朝下之方式，藉由夾具46固定擴片膠膜38的周邊區域及框架50。接著，如圖7所示，使多個桿體48與支撐台44及多個夾具46一起下降。
藉此，僅以鼓輪40的上端與支撐台44分離之距離，使擴片膠膜38的中央區域往晶圓11的平面方向擴張。此時，往該平面方向擴張之力會作用在黏貼於擴片膠膜38之晶圓11。其結果，存在於晶圓11的基板15內之改質層27成為分割起點，晶圓11沿著多條切割道21而被分割成一個個晶片。
（實施例） 以下說明本發明之實施例。首先，準備於由12吋的矽所構成之基板的正面側形成有功能層之厚度為約700μm的晶圓。該晶圓係以最終獲得之晶片的尺寸成為12.73mm×12.44mm之方式由格子狀地排列之多條切割道所劃分。
接著，準備樣品1與樣品2，所述樣品1為對於該晶圓的正面側照射平均輸出成為1.1W之雷射光束而形成多個雷射加工槽的樣品，所述樣品2為對於該晶圓的正面側照射平均輸出成為2.0W之雷射光束而形成多個雷射加工槽的樣品（功能層分割步驟）。
在樣品1及2中的多個雷射加工槽，分別僅被形成於包含多條切割道的交叉點位置之大致十字的區域，並以其底面位於基板之方式貫通功能層。
又，在樣品1及2中的多個雷射加工槽，分別在俯視下為將兩個長方形以中心部重疊之方式進行配置的形狀，所述兩個長方形為：具有長度1.5mm之長邊的長方形，其長邊沿著大致正交的兩條切割道之一者所延伸的方向；及具有長度1.5mm之長邊的長方形，其長邊沿著該兩條切割道之另一者所延伸的方向。
此外，為了準備樣品1及2而利用之雷射光束係波長為355nm且重複頻率為600kHz之脈衝雷射光束。
又，在該功能層分割步驟中，以進給速度成為250mm／s之方式一邊使保持晶圓之卡盤台移動，一邊對於晶圓進行雷射光束的照射。
又，在該功能層分割步驟中，首先，對於格子狀地排列之多條切割道中平行排列之多條切割道依序照射雷射光束，接著，使卡盤台旋轉90°後，對於與此等切割道正交排列之多條切割道依序照射雷射光束。
接著，分別對於樣品1及2從背面側對多條切割道照射雷射光束，而於基板形成改質層（改質層形成步驟）。
此外，在該改質層形成步驟中對樣品1及2照射之雷射光束係波長為1099nm且重複頻率為120kHz之脈衝雷射光束。該脈衝雷射光束之聚光點被設定在基板內的高度相異之兩個地點。又，以兩地點為聚光點之雷射光束的平均輸出皆為1.5W。
又，在該改質層形成步驟中，以進給速度成為1000mm／s之方式一邊使保持各樣品之卡盤台移動，一邊對於各樣品進行雷射光束的照射。
又，在該改質層形成步驟中，首先對於格子狀地排列之多條切割道中平行排列之多條切割道依序照射雷射光束，接著，使卡盤台旋轉90°後，對於與此等切割道正交排列之多條切割道依序照射雷射光束。
最後，研削各樣品的背面並薄化至預定的厚度，藉此沿著多條切割道進行分割而製造一個個晶片（分割步驟）。此時，兩樣品皆在多條切割道中被分割，不會產生裂痕以改質層為分割起點而在相對於垂直方向呈傾斜的方向延伸之問題。
作為用於與由上述實施例的樣品1及2所得到之晶片進行比較的比較例，準備後述的樣品。首先，除了未進行上述的功能層分割步驟此點以外，藉由與實施例同樣的方法而製造一個個晶片（比較例1）。
又，在上述功能層分割步驟中，除了在多條切割道的整體形成比功能層的厚度更深之多個雷射加工槽此點以外，藉由與實施例同樣的方法而製造一個個晶片（比較例2）。
進行在實施例以及比較例1及2中所製造之晶片的抗折強度試驗。具體而言，在以支點間距離成為3mm之方式支撐該晶片的狀態下，使於該支點間中與該晶片接觸之桿體以進給速度1mm／min進行移動，藉此獲得各晶片的抗折強度。
藉由上述抗折強度試驗所得到之各晶片的抗折強度係如同表1所記載。
[表1]
Figure 02_image001
如表1所記載，可知在功能層分割步驟中於多條切割道的整體形成比功能層的厚度更深之雷射加工槽之比較例2其抗折強度大幅降低，而藉由實施例所製造之晶片則無此情形，並具備與不進行功能層分割步驟之比較例1同等的抗折強度。
11:晶圓 13:背面 15:基板 17:正面 19:功能層 21:切割道 23:區域（半導體元件） 25:雷射加工槽 27:改質層 10:卡盤台 12:雷射加工單元 14:攝像單元 16:框架 18:黏著膠膜 20:卡盤台 22:雷射照射單元 26:黏著膠膜 28:卡盤台 30:研削單元 32:軸心 34:軸心 36:研削磨石 38:擴片膠膜 40:鼓輪 42:支撐單元 44:支撐台 46:夾具 48:桿體 50:框架
圖1係表示晶圓之一例的立體圖。 圖2係表示功能層分割步驟的一例之態樣的立體圖。 圖3係表示功能層分割步驟後之晶圓的一例之局部放大俯視圖。 圖4係表示改質層形成步驟的一例之態樣的縱剖面圖。 圖5係表示分割步驟的一例之態樣的立體圖。 圖6係表示分割步驟的其他例子之態樣的縱剖面圖。 圖7係表示分割步驟的其他例子之態樣的縱剖面圖。
15:基板
21:切割道
23:區域(半導體元件)
25:雷射加工槽
L1:雷射加工槽的一部分在切割道延伸的方向中的長度
L2:區域的長度

Claims (4)

  1. 一種晶片之製造方法，其沿著多條切割道分割晶圓並形成晶片，該晶圓係於基板的正面形成功能層，且在由格子狀地排列的該多條切割道所劃分之多個區域分別形成有元件，該晶片之製造方法包含下述步驟： 功能層分割步驟，其僅分割形成於該晶圓的正面側之該功能層中包含該多條切割道的交叉點位置之大致十字的區域； 改質層形成步驟，其將穿透該晶圓的該基板之波長的雷射光束從該晶圓的背面側沿著該多條切割道進行照射，而於該基板形成改質層；及 分割步驟，其在該功能層分割步驟及該改質層形成步驟後，對於該晶圓賦予外力，而將該晶圓沿著該多條切割道分割成一個個晶片。
  2. 如請求項1之晶片之製造方法，其中，該功能層分割步驟係對於形成於該晶圓之該多條切割道，從該晶圓的正面側照射被該晶圓吸收之波長的雷射光束，而形成比該功能層的厚度更深之雷射加工槽。
  3. 如請求項1之晶片之製造方法，其中，該功能層分割步驟係對於形成於該晶圓之該多條切割道實施劃割加工，而形成比該功能層的厚度更深之劃割加工槽。
  4. 如請求項1至3中任一項之晶片之製造方法，其中，該分割步驟為背面研削步驟，該背面研削步驟係藉由研削單元而從該晶圓的背面側研削該晶圓，薄化至晶片的完工厚度，且將該晶圓分割成一個個晶片。
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