TW202147931A - 電路基板、電路基板的製造方法及電子機器 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種不使用接著劑且製造步驟短之電路基板、電路基板的製造方法、及電子機器。 本發明係有關於一種交互地積層有複數個第1絕緣基材與複數個第2絕緣基材之電路基板，在第1絕緣基材之第1表面設置有形成圖案狀之第1金屬層，且在第1絕緣基材之第2表面設置有形成圖案狀之第2金屬層；第1金屬層是形成為第1絕緣基材之第1表面之側會成為大徑之梯形形狀，第2金屬層是形成為第1絕緣基材之第2表面之側會成為大徑之梯形形狀，且以梯形形狀之方向分別成為彼此相異之方式積層。

Description

電路基板、電路基板的製造方法及電子機器

發明領域

本發明係有關於一種電路基板、電路基板的製造方法、及使用了電路基板之電子機器。

發明背景

一直以來，為了將電子部件高密度地組裝進電子機器，通常廣泛地使用印刷配線板等的電路基板。印刷配線板是將鋪設在積層板之銅箔依據電子電路圖案進行蝕刻而成，雖然高密度地實裝電子部件相當困難，但在成本方面是有利的。

另一方面，伴隨著對於電子機器小型化、高性能化、低價格化等的要求，電路基板之電子電路的微細化、多層化、及電子部件之高密度實裝化急速地進展，針對電路基板，已經有越來越多多層印刷配線板之研討。

在製造多層印刷配線板這樣具有多層構造之電路基板時，可舉例如專利文獻1，將形成有配線圖案之複數個絕緣性基材藉由接著層貼合之方式來進行。

又如專利文獻2，提出一種作為多層配線板，在作為基底之核心材的兩面，依據由絕緣材料構成之基板層上形成導體圖案之順序進行積層而形成之增層式多層配線板。 先行技術文獻 專利文獻

[專利文獻1]特開2006-66738號公報 [專利文獻2]特開2004-158671號公報

發明概要 發明欲解決之課題

在如上述專利文獻1般設有接著層並將複數個基板貼合之情況當中，追根究底來說，接著層對於所製造之多層印刷配線板來說是非必要的材料，且在高速傳輸用基板中亦會有無法滿足電特性之情形，此外還有成本面上浪費過多之課題。 又，如上述專利文獻2般的增層型的多層配線板，其在製造步驟上需要非常長的時間，且關於良率也因為每一層之良率在多層化後會以層數之乘數反映至整體的良率，還有製造成本高之課題。

因此，本發明為了解決上述課題，作為其目的，是提供一種不使用接著層且製造步驟短之電路基板、電路基板之製造方法、及電子機器。 用以解決課題之手段

本發明之電路基板是一種交互地積層有複數個第1絕緣基材與複數個第2絕緣基材之電路基板，其特徵在於：在前述第1絕緣基材之第1表面設置有形成圖案狀之第1金屬層，在前述第1絕緣基材之第2表面設置有形成圖案狀之第2金屬層；第1導電性糊填充於前述第1絕緣基材之貫通孔內，且前述第1導電性糊會連接前述第1金屬層與前述第2金屬層；第2導電性糊填充於前述第2絕緣基材之貫通孔內，且前述第2導電性糊會連接第1絕緣基材之第2金屬層與第1絕緣基材之第1金屬層，其中前述第1絕緣基材之第2金屬層積層於前述第2絕緣基材之第1表面之側，前述第1絕緣基材之第1金屬層積層於前述第2絕緣基材之第2表面之側；前述第1金屬層是形成為前述第1絕緣基材之第1表面之側會成為大徑之梯形形狀，而前述第2金屬層是形成為前述第1絕緣基材之第2表面之側會成為大徑之梯形形狀，且前述第1金屬層與前述第2金屬層是以梯形形狀之方向分別成為彼此相異之方式積層。

又，其特徵在於：以埋沒在前述第2絕緣基材之第1表面的方式設置有第1絕緣基材之第2金屬層，且前述第1絕緣基材之第2金屬層積層於第2絕緣基材之第1表面之側；並以埋沒在前述第2絕緣基材之第2表面的方式設置有第1絕緣基材之第1金屬層，且前述第1絕緣基材之第1金屬層積層於第2絕緣基材之第2表面之側。

又，其特徵在於：前述第1絕緣基材與前述第2絕緣基材之間在沒有接著層之情況下接合。 藉此，能在沒有接著層之情況下構成多層之電路基板，故能期待電特性之提升、製造步驟之短縮化、良率之提升及成本削減。

本發明之電路基板之製造方法的特徵在於包含有下述步驟︰製造具有已硬化之第1絕緣基材與半硬化狀之第2絕緣基材之單元構成體之步驟，其中第1絕緣基材在第1表面設置有形成圖案狀之第1金屬層、在第2表面設置有形成圖案狀之第2金屬層，且在形成於第1金屬層與第2金屬層之間的第1貫通孔內填充有連接第1金屬層與第2金屬層之第1導電性糊，而第2絕緣基材配置於第1絕緣基材之第2表面之側，並在與前述第2金屬層相連通之第2貫通孔內填充有連接前述第2金屬層之第2導電性糊；以及將複數個單元構成體當中的一個單元構成體中之第1絕緣基材與另外的單元構成體之第2絕緣基材相互接合，並將複數個單元構成體進行積層之步驟。 藉由採用此方法，預先製造複數個單元構成體，再將複數個單元構成體進行積層以製造多層之電路基板，故能期待製造步驟之短縮化及成本削減。

又，其特徵亦在於：前述第1金屬層形成為前述第1絕緣基材之第1表面之側會成為大徑之梯形形狀，前述第2金屬層形成為前述第1絕緣基材之第2表面之側會成為大徑之梯形形狀。

又，其特徵亦在於：在製造前述單元構成體之步驟當中，前述單元構成體中的第2金屬層埋沒於前述第2絕緣基材。

又，其特徵亦在於：將複數個單元構成體當中的一個單元構成體中之第1絕緣基材與另外的單元構成體之第2絕緣基材相互接合之際，一個單元構成體中之第1金屬層埋沒於另外的單元構成體之第2絕緣基材內。

又，其特徵亦在於：前述單元構成體之前述第1絕緣基材與前述第2絕緣基材在沒有接著層之情況下接合。

又，其特徵亦在於：複數個單元構成體彼此之積層是在沒有接著層之情況下接合。

本發明之電子機器，其特徵在於具有請求項1~請求項3之電路基板、及電子部件。 發明效果

依據本發明，能製造複數個單元構成體，並將複數個單元構成體進行積層並藉此構成多層的電路基板，因此能期待製造步驟之短縮化、良率之提升及成本削減。

用以實施發明之形態

(電路基板) 圖1顯示電路基板之一例的概略截面圖。 本實施型態之電路基板20是由第1絕緣基材22與第2絕緣基材24在沒有接著層之情況下交互地積層所構成。 第1絕緣基材22之第1表面22a形成有圖案化之第1金屬層26，相對於第1表面22a為相反之側的第2表面22b形成有圖案化之第2金屬層28。

第1絕緣基材22形成有用以連通第1金屬層26與第2金屬層28，且於第1金屬層26之側與第2金屬層28之側有開口之貫通孔30。貫通孔30填充有使第1金屬層26與第2金屬層28電連接之第1導電性糊32。 本實施型態當中，貫通孔30是以從第1表面22a朝向第2表面22b漸漸地成為大徑之方式形成，且第1導電性糊32為圓錐形狀。

第1絕緣基材22之第2表面22b之側配置有第2絕緣基材24。 在第2絕緣基材24之第1表面24a(亦即第2絕緣基材24之與第1絕緣基材22面對之側(圖1中為下方之側))有形成於第1絕緣基材22之第2表面22b的第2金屬層28埋沒於第2絕緣基材24內。

第2絕緣基材24之第2表面24b之側，亦即圖1中為上方之側有形成於位於第2絕緣基材24上方的第1絕緣基材22之第1表面22a的第1金屬層26埋沒於第2絕緣基材24內。

又，第2絕緣基材24形成有用以連通埋沒之第2金屬層28與第1金屬層26，且於第2金屬層28之側與第1金屬層26之側有開口之貫通孔34。貫通孔34填充有使第2金屬層28與第1金屬層26電連接之第2導電性糊36。 本實施型態當中，貫通孔34是以從第2絕緣基材24之第1表面24a朝向第2表面24b漸漸地成為大徑之方式形成，且第2導電性糊36形成為圓錐形狀。

其次，第1金屬層26形成為與第1絕緣基材22相接之側為大徑，不與第1絕緣基材22相接之相反側為小徑之梯形形狀。 另一方面，第2金屬層28形成為與第1絕緣基材22相接之側為大徑，不與第1絕緣基材22相接之相反側為小徑之梯形形狀。

本實施型態之電路基板20當中，第1絕緣基材22與第2絕緣基材24交互地積層，且設置於第1絕緣基材22與第2絕緣基材24之邊界的各金屬層26、28兩者都埋沒於第2絕緣基材24。 各金屬層26、28兩者都沒有埋沒於第1絕緣基材22。

又，本實施型態之電路基板20當中，若以第1絕緣基材22為中心，第1絕緣基材22兩側的各金屬層26、28是在第1絕緣基材22之側為大徑，而遠離第1絕緣基材22之方向為小徑之梯形形狀。 從電路基板20整體來看，所形成之金屬層26、28是以朝下方為小徑之梯形形狀的第1金屬層26、與朝上方為小徑之梯形形狀的第2金屬層交互地配置。然而，只有位於電路基板20最上面的表面金屬層62是朝上方為小徑之梯形形狀，且只有最上面的梯形形狀之方向沒有呈現交互狀態。

如此一般，第1絕緣基材22兩側的各金屬層26、28形成為在第1絕緣基材22之側為大徑之梯形形狀，是因為在製造步驟中將配置於第1絕緣基材22兩側的金屬層從第1絕緣基材22的兩側進行蝕刻處理而造成的。

(電路基板之製造方法)接著，根據圖2~圖19說明電路基板之製造方法。 首先，如圖2~圖3所示，於第1金屬箔40積層半硬化狀態(未完成硬化)的第1絕緣基材22，並在第1絕緣基材22上面積層用作光罩之樹脂薄膜42。

作為第1金屬箔40，一般能採用銅箔，但不特別限定為銅箔，能因應目的而適當地選擇鎳等各種金屬箔。 又，第1金屬箔40至少在第1絕緣基材22之側的面可以是粗面，也能採用HVLP箔等低粗度處理金屬箔。

又，作為第1絕緣基材22，是以含有熱硬化性樹脂或熱可塑性樹脂為佳，可採用例如預浸布(使環氧樹脂等含浸於玻璃纖維等不織布基材或織布基材之物)。然而，作為第1絕緣基材22之樹脂，只要是會使用於電路基板之絕緣性基材，可以是例如屬於熱硬化性樹脂之雙馬來醯亞胺-三氮雜苯樹脂，或者屬於熱可塑性樹脂之改質聚苯醚樹脂等。

圖4顯示貫通第1絕緣基材22厚度方向之貫通孔形成之情形。 貫通孔30貫通了第1絕緣基材22與樹脂薄膜42，且是以使金屬箔40封住貫通孔30底面之方式形成。作為貫通孔30之形成方法，有使用雷射形成之方法，但不限定於使用雷射之形成方法。 作為以雷射形成貫通孔30時的雷射之種類，可舉出CO₂ 雷射、YAG雷射等，可作適當的選擇。又，雷射輸出功率亦無特別限定，可作適當的選擇。

圖5顯示於貫通孔30填充了第1導電性糊32之情形。 作為第1導電性糊32，可採用含有導電性填充物與接合劑樹脂之物。 作為導電性填充物，可舉例如銅、金、銀、鈀、鎳、錫、鉍等金屬粒子。該等金屬粒子可單獨使用1種類，亦可2種類以上混合使用。 作為接合劑樹脂，可採用例如屬於熱硬化性樹脂之一種的環氧樹脂。然而，並不限定於環氧樹脂，可以採用聚醯亞胺樹脂等。又，作為接合劑樹脂，可以不是熱硬化性樹脂而是熱可塑性樹脂。

又，作為第1導電性糊32於貫通孔30之填充方法，可舉出使用刮刀等治具對於貫通孔30在大氣氣壓下或真空下填充第1導電性糊32之方法。

圖6顯示剝離了樹脂薄膜42之情形。 藉由剝離樹脂薄膜42，造成第1導電性糊32從第1絕緣基材22之第2表面22b的開口突出了相當於樹脂薄膜42厚度之狀態。

圖7~圖8顯示剝離了樹脂薄膜42後，將第2金屬箔50配置於第1絕緣基材22的上面(與配置有第1金屬箔40之面為相反側的面)之情形。 作為第2金屬箔50，一般能採用銅箔，但不特別限定為銅箔，能因應目的而適當地選擇鎳等各種金屬箔。 又，第2金屬箔50在第1絕緣基材22之側的面可以是粗面，也能採用HVLP箔等低粗度處理金屬箔。

第1金屬箔40與第2金屬箔50是與第1絕緣基材22相接合。接合可以透過熱壓接合或加壓接合來進行，藉此，第1導電性糊32及第1絕緣基材22會硬化。 在此，熱壓接合之溫度及壓力、加壓接合之壓力可以因應第1導電性糊32、第1絕緣基材22之材料而作適當選擇。

其次，如圖9所示，進行配置於第1絕緣基材22兩面之第1金屬箔40、第2金屬箔50之蝕刻處理。 本實施型態之蝕刻處理是採用濕式蝕刻，將乾式薄膜52分別貼附於第1金屬箔40、第2金屬箔50之表面上，透過光罩53對於乾式薄膜52實行曝光及顯影，獲得形成特定圖案之第1金屬層26、第2金屬層28。

在蝕刻處理當中，金屬箔形成圖案狀之梯形形狀的第1金屬層26、第2金屬層28。這是藉由藥品作等向性蝕刻來進行蝕刻處理所產生。 如圖10，藉由蝕刻處理，形成了在第1絕緣基材22之第1表面22a之側為大徑之梯形形狀的第1金屬層26，且形成了在第1絕緣基材22之第2表面22b之側為大徑之梯形形狀的第2金屬層28。

又，可在第1絕緣基材22兩面形成了第1金屬層26與第2金屬層28之狀態下，對第1金屬層26與第2金屬層28之表面進行粗面化處理。另外，即使沒有對第1金屬層26與第2金屬層28之表面進行粗面化處理亦可，特別是在對於電特性有要求之時，會採取使用HVLP箔作為金屬層等作法而不作粗面化處理。若不作金屬層之粗面化處理，亦可使用耦合劑等在金屬層與絕緣基材之間發生化學性的密合。

圖11顯示在第1絕緣基材22之第2表面22b之側積層了半硬化狀態(未完成硬化)的第2絕緣基材24，並於第2絕緣基材之表面積層了樹脂薄膜54之情形。 第2絕緣基材24可採用與第1絕緣基材22相同材質之物，且是以含有熱硬化性樹脂或熱可塑性樹脂為佳，可採用例如預浸布(使環氧樹脂等含浸於玻璃纖維等不織布基材或織布基材之物)。然而，作為第2絕緣基材24之樹脂，只要是會使用於電路基板之絕緣性基材，可以是例如屬於熱硬化性樹脂之雙馬來醯亞胺-三氮雜苯樹脂，或者屬於熱可塑性樹脂之改質聚苯醚樹脂等。

第2絕緣基材24是半硬化狀態，形成於第1絕緣基材22之第2表面22b的第2金屬層28是埋沒於第2絕緣基材24。

圖12顯示貫通第2絕緣基材24厚度方向之貫通孔34形成之情形。 貫通孔34貫通了第2絕緣基材24與樹脂薄膜54，且是以使第2金屬層28封住貫通孔34底面之方式形成。作為貫通孔34之形成方法，有使用雷射形成之方法，但不限定於使用雷射之形成方法。 作為以雷射形成貫通孔34時的雷射之種類，可舉出CO₂ 雷射、YAG雷射等，可作適當的選擇。又，雷射輸出功率亦無特別限定，可作適當的選擇。

圖13顯示於貫通孔34填充第2導電性糊36之情形。 第2導電性糊36可採用與第1導電性糊32相同材質之物。作為第2導電性糊36，可採用含有導電性填充物與接合劑樹脂之物。 作為導電性填充物，可舉例如銅、金、銀、鈀、鎳、錫、鉍等金屬粒子。該等金屬粒子可單獨使用1種類，亦可2種類以上混合使用。 作為接合劑樹脂，可採用例如屬於熱硬化性樹脂之一種的環氧樹脂。然而，並不限定於環氧樹脂，可以採用聚醯亞胺樹脂等。又，作為接合劑樹脂，可以不是熱硬化性樹脂而是熱可塑性樹脂。

又，作為第2導電性糊36於貫通孔34之填充方法，可舉出使用刮刀等治具對於貫通孔34在大氣氣壓下或真空下填充第2導電性糊36之方法。

圖14顯示剝離了第2絕緣基材24表面之樹脂薄膜54之情形。 藉由剝離樹脂薄膜54，造成第2導電性糊36從第2絕緣基材24之與第1絕緣基材22之側為相反側之表面的開口突出了相當於樹脂薄膜54厚度之狀態。

在剝離了樹脂薄膜54的狀態下，完成了由2個絕緣基材積層而成的1個單元構成體60。 單元構成體60是由硬化完成之第1絕緣基材22、及積層於第1絕緣基材22之第2表面22b之側的半硬化狀態之第2絕緣基材24積層而構成。此外，第2金屬層28埋沒於第2絕緣基材24內，且第2導電性糊36並未硬化，而是突出於第2絕緣基材24之第2表面24b之側的狀態。 又，單元構成體60在第1絕緣基材22之第1表面22a形成有第1表面22a之側為大徑且朝著遠離第1表面22a之方向為小徑之梯形形狀的第1金屬層26，而在第1絕緣基材22之第2表面22b形成有第2表面22b之側為大徑且朝著遠離第2表面22b之方向為小徑之梯形形狀的第2金屬層28。

本實施型態之電路基板之製造方法是將如圖14所示之單元構成體60進行複數積層而製造多層之電路基板。相較於增層型是1層層形成之情況，如本實施型態般預先製造複數個單元構成體，再將複數個單元構成體進行積層則能期待製造時間的短縮化。

圖15顯示複數個單元構成體積層之狀態。 複數個單元構成體60之積層是將一個單元構成體60的半硬化狀態之第2絕緣基材24與另外的單元構成體60的完成硬化之第1絕緣基材22相接合。 因此，在一個單元構成體60的第2絕緣基材24會埋沒著另外的單元構成體60的第2金屬層28。

圖15~圖19當中，對於積層了複數個單元構成體60之電路基板的製造步驟進行說明。又，圖15~圖19當中，是以積層了2個單元構成體60之4層的電路基板為例。 首先，在積層了複數個單元構成體60之狀態下，於最上面(複數個單元構成體60當中在最上方之單元構成體60的第2絕緣基材24之側)配置表面用金屬層62。作為表面用金屬層62，可舉出銅等，但不限於銅而能適當地選擇其他金屬。 此外，雖未圖示於圖15~圖19，作為積層對象之複數個單元構成體60當中，最下方的單元構成體60當中最下面的第1金屬層26亦可以是未經由蝕刻而圖案化，維持一面完整的金屬層。

如圖16所示，在最上面配置表面用金屬層62後，對表面用金屬層62及複數個單元構成體60進行熱壓接合或加壓接合。 藉由熱壓接合或加壓接合，各個單元構成體60之第2絕緣基材24及第2導電性糊36硬化，各個單元構成體60彼此接合。 又，在最上面的表面用金屬層62是與積層後的單元構成體60當中位於最上方的單元構成體60之第2絕緣基材24相接合。 在此，熱壓接合之溫度及壓力可以因應第1導電性糊32、第1絕緣基材22、第2導電性糊36、第2絕緣基材24之材料而作適當選擇。

接著如圖17~圖18所示，對表面用金屬層62作蝕刻處理。 本實施型態之蝕刻處理是採用濕式蝕刻，將乾式薄膜64貼附於表面用金屬層62之表面上，透過光罩63對於乾式薄膜64實行曝光及顯影，獲得形成特定圖案之表面用金屬層62。 此外，對於在最下面的第1金屬層26如果直至目前為止的步驟都還沒有進行圖案化，亦可在此階段進行蝕刻處理並圖案化。

如圖19所示，所製造的多層電路基板20的各個絕緣基材22、24在沒有接著層之情況下彼此接合。這是因為單元構成體60製造時將半硬化之第2絕緣基材24與第1絕緣基材22相接合，且在積層複數個單元構成體60之際，第1絕緣基材22與半硬化之第2絕緣基材24受到熱壓接合，以及第2導電性糊36與第1金屬層26受到熱壓接合。又，藉由該等製造步驟，第1金屬層26與第2金屬層28兩者都是以埋沒於第2絕緣基材24之方式構成。

又，形成於多層電路基板20內之梯形形狀的金屬層26、28是配置成其梯形形狀之方向呈現交互之狀態。亦即，多層電路基板20之第1金屬層26與第2金屬層28交互地配置，且第1金屬層26是梯形形狀的小徑之側朝向底面方向，第2金屬層28則是梯形形狀的小徑之側朝向與第1金屬層26呈相反之方向(多層電路基板上部之側的方向)。然而，電路基板20的最上面因為是在最後實施蝕刻處理，故形成有以第2絕緣基材24之第2表面24b之側為大徑之梯形形狀的表面用金屬層62。因此，最上面的表面用金屬層62與就位在下方的第2金屬層28兩者都是大徑之側朝向著底面方向，只有最上面的梯形形狀之方向沒有彼此相異。

依據本實施型態之電路基板的製造方法所製造出的電路基板、以及本實施型態之電路基板可使用作為母板(支撐基板)，亦可使用作為中介板(中繼基板)。特別是可使用作為伺服器類與高速通訊類的母板或中介板，還可以使用作為構成半導體元件之電路基板。又，亦適用於使用在半導體良劣判定之檢查裝置、探針卡等。

(電子機器) 電子機器具有上述之電路基板與電子部件，還因應需要而具有其他部件。 例如，作為電子機器，可舉出智慧型手機、平板型攜帶終端、電腦等。

20:電路基板 22:第1絕緣基材 22a:第1表面 22b:第2表面 24:第2絕緣基材 24a:第1表面 24b:第2表面 26:第1金屬層 28:第2金屬層 30:貫通孔 32:第1導電性糊 34:貫通孔 36:第2導電性糊 40:第1金屬箔 42:樹脂薄膜 50:第2金屬箔 52:乾式薄膜 53:光罩 54:樹脂薄膜 60:單元構成體 62:表面用金屬層 63:光罩 64:乾式薄膜

圖1…圖1顯示電路基板之一例的概略截面圖。 圖2…圖2顯示製造電路基板之方法之一例的概略截面圖(其1)。 圖3…圖3顯示製造電路基板之方法之一例的概略截面圖(其2)。 圖4…圖4顯示製造電路基板之方法之一例的概略截面圖(其3)。 圖5…圖5顯示製造電路基板之方法之一例的概略截面圖(其4)。 圖6…圖6顯示製造電路基板之方法之一例的概略截面圖(其5)。 圖7…圖7顯示製造電路基板之方法之一例的概略截面圖(其6)。 圖8…圖8顯示製造電路基板之方法之一例的概略截面圖(其7)。 圖9…圖9顯示製造電路基板之方法之一例的概略截面圖(其8)。 圖10…圖10顯示製造電路基板之方法之一例的概略截面圖(其9)。 圖11…圖11顯示製造電路基板之方法之一例的概略截面圖(其10)。 圖12…圖12顯示製造電路基板之方法之一例的概略截面圖(其11)。 圖13…圖13顯示製造電路基板之方法之一例的概略截面圖(其12)。 圖14…圖14顯示製造電路基板之方法之一例的概略截面圖(其13)。 圖15…圖15顯示製造電路基板之方法之一例的概略截面圖(其14)。 圖16…圖16顯示製造電路基板之方法之一例的概略截面圖(其15)。 圖17…圖17顯示製造電路基板之方法之一例的概略截面圖(其16)。 圖18…圖18顯示製造電路基板之方法之一例的概略截面圖(其17)。 圖19…圖19顯示製造電路基板之方法之一例的概略截面圖(其18)。

20:電路基板

22:第1絕緣基材

22a:第1表面

22b:第2表面

24:第2絕緣基材

24a:第1表面

24b:第2表面

26:第1金屬層

28:第2金屬層

30:貫通孔

32:第1導電性糊

34:貫通孔

36:第2導電性糊

62:表面用金屬層

Claims (10)

1. 一種電路基板，其交互積層有複數個第1絕緣基材與複數個第2絕緣基材，其特徵在於︰ 在前述第1絕緣基材之第1表面設置有已形成圖案狀之第1金屬層； 在前述第1絕緣基材之第2表面設置有已形成圖案狀之第2金屬層； 第1導電性糊填充於前述第1絕緣基材之貫通孔內，且前述第1導電性糊會連接前述第1金屬層與前述第2金屬層； 第2導電性糊填充於前述第2絕緣基材之貫通孔內，且前述第2導電性糊會連接第1絕緣基材之第2金屬層與第1絕緣基材之第1金屬層，其中前述第1絕緣基材之第2金屬層積層於前述第2絕緣基材之第1表面之側，前述第1絕緣基材之第1金屬層積層於前述第2絕緣基材之第2表面之側； 前述第1金屬層是形成為前述第1絕緣基材之第1表面之側會成為大徑的梯形形狀； 前述第2金屬層是形成為前述第1絕緣基材之第2表面之側會成為大徑的梯形形狀； 前述第1金屬層與前述第2金屬層是以梯形形狀之方向分別成為彼此相異之方式積層。
2. 如請求項1之電路基板，其中以埋沒在前述第2絕緣基材之第1表面的方式設置有第1絕緣基材之第2金屬層，且前述第1絕緣基材之第2金屬層積層於第2絕緣基材之第1表面之側； 以埋沒在前述第2絕緣基材之第2表面的方式設置有第1絕緣基材之第1金屬層，且前述第1絕緣基材之第1金屬層積層於第2絕緣基材之第2表面之側。
3. 如請求項1或2之電路基板，其中前述第1絕緣基材與前述第2絕緣基材之間在沒有接著層之情況下接合。
4. 一種電路基板之製造方法，其特徵在於包含有下述步驟︰ 製造具有已硬化之第1絕緣基材與半硬化狀之第2絕緣基材之單元構成體之步驟，其中第1絕緣基材在第1表面設置有形成圖案狀之第1金屬層、在第2表面設置有形成圖案狀之第2金屬層，且在形成於第1金屬層與第2金屬層之間的第1貫通孔內填充有連接第1金屬層與第2金屬層之第1導電性糊， 第2絕緣基材配置於第1絕緣基材之第2表面之側，並在與前述第2金屬層相連通之第2貫通孔內填充有連接前述第2金屬層之第2導電性糊；及 將複數個單元構成體當中的一個單元構成體中之第1絕緣基材與另外的單元構成體之第2絕緣基材相互接合，並將複數個單元構成體進行積層之步驟。
5. 如請求項4之電路基板之製造方法，其中前述第1金屬層形成為前述第1絕緣基材之第1表面之側會成為大徑的梯形形狀， 前述第2金屬層形成為前述第1絕緣基材之第2表面之側會成為大徑之梯形形狀。
6. 如請求項4或5之電路基板之製造方法，其中在製造前述單元構成體之步驟當中，前述單元構成體中的第2金屬層會埋沒於前述第2絕緣基材。
7. 如請求項4之電路基板之製造方法，其中將複數個單元構成體當中的一個單元構成體中之第1絕緣基材與另外的單元構成體之第2絕緣基材相互接合之際，一個單元構成體中之第1金屬層埋沒於另外的單元構成體之第2絕緣基材內。
8. 如請求項4之電路基板之製造方法，其中前述單元構成體之前述第1絕緣基材與前述第2絕緣基材在沒有接著層之情況下接合。
9. 如請求項4之電路基板之製造方法，其中複數個單元構成體彼此之積層是在沒有接著層之情況下接合。
10. 一種電子機器，其特徵在於包含有如請求項1至3中任一項之電路基板、及電子部件。

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