JP7128857B2 - 回路基板、回路基板の製造方法及び電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、回路基板、回路基板の製造方法、回路基板を用いた電子機器に関する。

従来より、電子部品をコンパクトに電子機器に組み込むためにプリント配線板などの回路基板が一般に広く使用されている。プリント配線板は、積層板に張り合わせた銅箔を電子回路パターンに従ってエッチングしたものであって、高密度に電子部品を実装することは困難であるが、コスト面で有利である。

一方、電子機器に対する小型化、高性能化、低価格化などの要求に伴い、回路基板の電子回路の微細化、多層化、及び電子部品の高密度実装化が急速に進み、回路基板に対し、多層プリント配線板の検討が活発化してきた。

多層構造を有する回路基板である多層プリント配線板を製造する際には、例えば特許文献１のように配線パターンが形成された複数の絶縁性基材を接着層により張り合わせることが行われている。

また、特許文献２のように、多層配線板として、ベースとなるコア材の両面に、絶縁材料からなる基板層に導体パターンを形成した順番に積層して形成したビルドアップ多層配線板が提案されている。

特開２００６－６６７３８号公報 特開２００４－１５８６７１号公報

上述した特許文献１のように接着層を設けて複数の基板を張り付ける場合、そもそも接着層は、製造された多層プリント配線板においては必要のない材料であり、また高速伝送用基板においては電気的特性を満足できない場合もあり、さらにコスト的に無駄が大きいという課題がある。
また、特許文献２のようなビルドアップ型の多層配線板は製造工程に非常に長時間を必要とし、また歩留まりについても一層あたりの歩留まりが多層化されると層数の乗数として全体の歩留まりに反映されてしまい、製造コストも高いという課題がある。

そこで、本発明は上記課題を解決すべくなされ、その目的とするところは、接着層を用いずに且つ製造工程が短い回路基板、回路基板の製造方法、電子機器を提供することにある。

本発明にかかる回路基板によれば、複数の第１絶縁基材と、複数の第２絶縁基材が交互に積層されている回路基板であって、前記第１絶縁基材の第１表面においてパターン状に形成された第１金属層が設けられ、前記第１絶縁基材の第２表面においてパターン状に形成された第２金属層が設けられ、前記第１金属層と前記第２金属層とを接続する第１導電性ペーストが前記第１絶縁基材の貫通孔内に充填され、前記第２絶縁基材の第１表面側に積層された第１絶縁基材の第２金属層と、前記第２絶縁基材の第２表面側に積層された第１絶縁基材の第１金属層とを接続する第２導電性ペーストが前記第２絶縁基材の貫通孔内に充填され、前記第１金属層は、前記第１絶縁基材の第１表面側が大径となる台形形状に形成されており、前記第２金属層は、前記第１絶縁基材の第２表面側が大径となる台形形状に形成されており、前記第１金属層と前記第２金属層は、台形形状の向きがそれぞれ互い違いになるように積層され、前記第２絶縁基材の第１表面には、第２絶縁基材の第１表面側に積層されている第１絶縁基材の第２金属層が埋没して設けられ、前記第２絶縁基材の第２表面には、第２絶縁基材の第２表面側に積層されている第１絶縁基材の第１金属層が埋没して設けられていることを特徴としている。

また、前記第１絶縁基材と前記第２絶縁基材との間は接着層無しで接合されていることを特徴としてもよい。
これによれば、接着層無しで多層の回路基板を構成することができるため、電気的特性の向上、製造工程の短縮化、歩留まりの向上及びコスト削減を図ることができる。

本発明にかかる回路基板の製造方法によれば、第１表面にパターン状に形成された第１金属層が設けられ、第２表面にパターン状に形成された第２金属層が設けられ、第１金属層と第２金属層との間に形成された第１貫通孔内に第１金属層と第２金属層とを接続する第１導電性ペーストが充填された硬化済みの第１絶縁基材と、第１絶縁基材の第２表面側に配置されて、前記第２金属層と連通する第２貫通孔内に前記第２金属層と接続する第２導電性ペーストが充填された半硬化状の第２絶縁基材と、を有する単位構成体を製造する工程と、複数の単位構成体のうちの一の単位構成体における第１絶縁基材と、他の単位構成体における第２絶縁基材とを互いに接合し、複数の単位構成体を積層する工程と、を含むことを特徴としている。
この方法を採用することによって、単位構成体を複数製造しておき、複数の単位構成体を積層させることにより多層の回路基板を製造するため、製造工程の短縮化及びコスト削減を図ることができる。

また、前記第１金属層は、前記第１絶縁基材の第１表面側が大径となる台形形状に形成され、前記第２金属層は、前記第１絶縁基材の第２表面側が大径となる台形形状に形成されることを特徴としてもよい。

また、前記単位構成体を製造する工程において、前記単位構成体における第２金属層は、前記第２絶縁基材に埋没することを特徴としてもよい。

また、複数の単位構成体のうちの一の単位構成体における第１絶縁基材と、他の単位構成体における第２絶縁基材とを互いに接合する際に、一の単位構成体における第１金属層が他の単位構成体の第２絶縁基材内に埋没することを特徴としてもよい。

また、前記単位構成体は、接着層無しで前記第１絶縁基材と前記第２絶縁基材とが接合されることを特徴としてもよい。

また、複数の単位構成体どうしの積層は、接着層無しで接合されることを特徴としてもよい。

本発明にかかる電子機器によれば、請求項１～請求項３記載の回路基板と、電子部品とを有することを特徴としている。

本発明によれば、単位構成体を複数製造して、複数の単位構成体を積層させることにより多層の回路基板を構成することができるため、製造工程の短縮化、歩留まりの向上及びコスト削減を図ることができる。

回路基板の一例を示す概略断面図である。 回路基板を製造する方法の一例を示す概略断面図（その１）である。 回路基板を製造する方法の一例を示す概略断面図（その２）である。 回路基板を製造する方法の一例を示す概略断面図（その３）である。 回路基板を製造する方法の一例を示す概略断面図（その４）である。 回路基板を製造する方法の一例を示す概略断面図（その５）である。 回路基板を製造する方法の一例を示す概略断面図（その６）である。 回路基板を製造する方法の一例を示す概略断面図（その７）である。 回路基板を製造する方法の一例を示す概略断面図（その８）である。 回路基板を製造する方法の一例を示す概略断面図（その９）である。 回路基板を製造する方法の一例を示す概略断面図（その１０）である。 回路基板を製造する方法の一例を示す概略断面図（その１１）である。 回路基板を製造する方法の一例を示す概略断面図（その１２）である。 回路基板を製造する方法の一例を示す概略断面図（その１３）である。 回路基板を製造する方法の一例を示す概略断面図（その１４）である。 回路基板を製造する方法の一例を示す概略断面図（その１５）である。 回路基板を製造する方法の一例を示す概略断面図（その１６）である。 回路基板を製造する方法の一例を示す概略断面図（その１７）である。 回路基板を製造する方法の一例を示す概略断面図（その１８）である。

（回路基板）
図１に回路基板の概略断面図を示す。
本実施形態における回路基板２０は、第１絶縁基材２２と、第２絶縁基材２４が交互に接着層無しで積層されて構成されている。
第１絶縁基材２２の第１表面２２ａには、パターン化された第１金属層２６が形成されており、第１表面２２ａと反対側の第２表面２２ｂには、パターン化された第２金属層２８が形成されている。

第１絶縁基材２２には、第１金属層２６と第２金属層２８を連通するように、第１金属層２６側と第２金属層２８側で開口する貫通孔３０が形成されている。貫通孔３０には、第１金属層２６と第２金属層２８を電気的に接続する第１導電性ペースト３２が充填されている。
本実施形態では、貫通孔３０は、第１表面２２ａから第２表面２２ｂに向けて徐々に大径となるように形成されており、第１導電性ペースト３２はコーン形状となっている。

第１絶縁基材２２の第２表面２２ｂ側には、第２絶縁基材２４が配置されている。
第２絶縁基材２４の第１表面２４ａには、（すなわち第２絶縁基材２４の第１絶縁基材２２との対向面側（図１では下方側）には）、第１絶縁基材２２の第２表面２２ｂに形成された第２金属層２８が第２絶縁基材２４内に埋没している。

第２絶縁基材２４の第２表面２４ｂ側、すなわち図１では上方側においては、第２絶縁基材２４の上方に位置する第１絶縁基材２２の第１表面２２ａに形成された第１金属層２６が第２絶縁基材２４内に埋没している。

また、第２絶縁基材２４には、埋没している第２金属層２８と第１金属層２６を連通するように、第２金属層２８側と第１金属層２６側で開口する貫通孔３４が形成されている。貫通孔３４には、第２金属層２８と第１金属層２６を電気的に接続する第２導電性ペースト３６が充填されている。
本実施形態では、貫通孔３４は、第２絶縁基材２４の第１表面２４ａから第２表面２４ｂに向けて徐々に大径となるように形成されており、第２導電性ペースト３６はコーン形状となっている。

そして、第１金属層２６は、第１絶縁基材２２に接する側が大径となり、第１絶縁基材２２には接していない反対側では小径となっている台形形状となっている。
一方、第２金属層２８は、第１絶縁基材２２に接する側が大径となり、第１絶縁基材２２には接していない反対側では小径となっている台形形状となっている。

本実施形態における回路基板２０は、第１絶縁基材２２と第２絶縁基材２４が交互に積層され、且つ第１絶縁基材２２と第２絶縁基材２４の境界に設けられている各金属層２６、２８は双方とも第２絶縁基材２４に埋没している。
第１絶縁基材２２には各金属層２６、２８は双方とも埋没していない。

また、本実施形態における回路基板２０は、第１絶縁基材２２を中心にみると第１絶縁基材２２の両側の各金属層２６，２８は第１絶縁基材２２側が大径となり第１絶縁基材２２から離れる方向に小径となる台形形状となっている。
回路基板２０全体でみると、形成されている金属層２６、２８は、下方に向けて小径となる台形形状の第１金属層２６、上方に向けて小径となる台形形状の第２金属層が交互に配置されている。ただし、回路基板２０の最上面に位置する表面金属層６２のみ上方に向けて小径となる台形形状であって、最上面のみ台形形状の向きは交互になっていない。

このように、第１絶縁基材２２の両側の各金属層２６，２８は第１絶縁基材２２側で大径となる台形形状となっているのは、製造工程時において第１絶縁基材２２の両側に配置した金属層を第１絶縁基材２２の両側からエッチング処理することで生じるものである。

（回路基板の製造方法）
次に、図２～図１９に基づいて回路基板の製造方法について説明する。
まず、図２～図３に示すように、第１金属箔４０に対して半硬化状態の（硬化済みではない）第１絶縁基材２２を積層し、第１絶縁基材２２の上面にマスク用の樹脂フィルム４２を積層する。

第１金属箔４０としては、一般的な銅箔を採用することができるが、特に銅箔に限定するものではなく、ニッケルなど目的に応じて様々な金属箔を適宜選択することができる。
また第１金属箔４０は、少なくとも第１絶縁基材２２側の面が粗面となっていてもよいし、ＨＶＬＰ箔などの低粗度処理金属箔を採用することもできる。

また、第１絶縁基材２２としては、熱硬化性樹脂又は熱可塑性樹脂を含有することが好ましく、例えばプリプレグ（ガラス繊維等の不織布基材や織布基材に、エポキシ樹脂などを含侵させたもの）を採用することができる。ただし、第１絶縁基材２２の樹脂としては、回路基板で用いられる絶縁性の基材であれば、例えば熱硬化性樹脂であるビスマレイミドトリアジン樹脂、または熱可塑性樹脂である変形ポリフェニレンエーテル樹脂などであってもよい。

図４に、第１絶縁基材２２の厚さ方向に貫通する貫通孔を形成したところを示す。
貫通孔３０は、第１絶縁基材２２と樹脂フィルム４２を貫通し、金属箔４０が貫通孔３０の底面を閉塞するように形成される。貫通孔３０の形成方法としては、レーザを用いて形成する方法があるが、レーザによる形成方法に限定するものではない。
レーザで貫通孔３０を形成する場合のレーザの種類としては、ＣＯ₂レーザ、ＹＡＧレーザなどがあげられるが、適宜選択することができる。また、レーザ出力についても特に制限はなく、適宜選択することができる。

図５に、貫通孔３０に第１導電性ペースト３２を充填したところを示す。
第１導電性ペースト３２としては、導電性フィラーとバインダー樹脂とを含有するものを採用することができる。
導電性フィラーとしては、例えば銅、金、銀、パラジウム、ニッケル、錫、ビスマスなどの金属粒子が挙げられる。これらの金属粒子は、１種類で用いるか、または２種類以上を混合させてもよい。
バインダー樹脂としては、例えば熱硬化性樹脂の一種であるエポキシ樹脂を採用することができる。ただし、エポキシ樹脂に限定するものではなく、ポリイミド樹脂などを採用してもよい。また、バインダー樹脂としては、熱硬化性樹脂ではなく、熱可塑性樹脂であってもよい。

また、第１導電性ペースト３２の貫通孔３０への充填方法としては、スキージなどの治具を使用して貫通孔３０に大気圧下又は真空下において第１導電性ペースト３２を充填する方法が挙げられる。

図６に、樹脂フィルム４２を剥離したところを示す。
樹脂フィルム４２を剥離することによって、樹脂フィルム４２の厚みの分だけ第１導電性ペースト３２が第１絶縁基材２２の第２表面２２ｂの開口から突出した状態となる。

図７～図８に、樹脂フィルム４２を剥離した後に、第２金属箔５０を第１絶縁基材２２の上面（第１金属箔４０が配置されている面とは反対側の面）に配置するところを示す。
第２金属箔５０としては、一般的な銅箔を採用することができるが、特に銅箔に限定するものではなく、ニッケルなど目的に応じて様々な金属箔を適宜選択することができる。
また、第２金属箔５０の、第１絶縁基材２２側の面は粗面となっていてもよいし、ＨＶＬＰ箔などの低粗度処理金属箔を採用することもできる。

第１金属箔４０と第２金属箔５０は、第１絶縁基材２２と接合される。接合は、熱圧着又は圧着によって行うことができ、これにより、第１導電性ペースト３２及び第１絶縁基材２２が硬化する。
なお、熱圧着の温度及び圧力、圧着の圧力は、第１導電性ペースト３２、第１絶縁基材２２の材料に応じて適宜選択することができる。

次に、図９に示すように、第１絶縁基材２２の両面に配置されている第１金属箔４０、第２金属箔５０のエッチング処理を行う。
本実施形態のエッチング処理においては、ウェットエッチングを採用しており、ドライフィルム５２を第１金属箔４０、第２金属箔５０のそれぞれの表面に貼り付け、フォトマスク５３を介してドライフィルム５２に対して露光及び現像を実行し、所定のパターンとして形成された第１金属層２６、第２金属層２８を得る。

エッチング処理において、金属箔はパターン状の台形形状の第１金属層２６、第２金属層２８として形成される。これは、薬品による等方性エッチングによってエッチング処理が行われることから生じるものである。
図１０のように、エッチング処理により第１絶縁基材２２の第１表面２２ａ側が大径となる台形形状の第１金属層２６が形成され、第１絶縁基材２２の第２表面２２ｂ側が大径となる台形形状の第２金属層２８が形成される。

また、第１絶縁基材２２の両面に第１金属層２６と第２金属層２８が形成された状態で、第１金属層２６と第２金属層２８の表面を粗面化処理するとよい。なお、第１金属層２６と第２金属層２８の表面を粗面化処理しなくてもよく、特に電気的特性が要求される場合には金属層としてＨＶＬＰ箔を用いるなどして粗面化処理しない。金属層の粗面化処理をしない場合には、カップリング剤などを用いて金属層と絶縁基材との間を化学的に密着させることもできる。

図１１に、第１絶縁基材２２の第２表面２２ｂ側に、半硬化状態の（硬化済みではない）第２絶縁基材２４を積層し、第２絶縁基材の表面に樹脂フィルム５４を積層したところを示す。
第２絶縁基材２４は、第１絶縁基材２２と同じ材質のものを採用することができ、熱硬化性樹脂又は熱可塑性樹脂を含有することが好ましく、例えばプリプレグ（ガラス繊維等の不織布基材や織布基材に、エポキシ樹脂などを含侵させたもの）を採用することができる。ただし、第２絶縁基材２４の樹脂としては、回路基板で用いられる絶縁性の基材であれば、例えば熱硬化性樹脂であるビスマレイミドトリアジン樹脂、または熱可塑性樹脂である変形ポリフェニレンエーテル樹脂などであってもよい。

第２絶縁基材２４は、半硬化状態であり、第１絶縁基材２２の第２表面２２ｂに形成した第２金属層２８は第２絶縁基材２４に埋没する。

図１２に、第２絶縁基材２４の厚さ方向に貫通する貫通孔３４を形成したところを示す。
貫通孔３４は、第２絶縁基材２４と樹脂フィルム５４を貫通し、第２金属層２８が貫通孔３４の底面を閉塞するように形成される。貫通孔３４の形成方法としては、レーザを用いて形成する方法があるが、レーザによる形成方法に限定するものではない。
レーザで貫通孔３４を形成する場合のレーザの種類としては、ＣＯ₂レーザ、ＹＡＧレーザなどがあげられるが、適宜選択することができる。また、レーザ出力についても特に制限はなく、適宜選択することができる。

図１３に、貫通孔３４に第２導電性ペースト３６を充填したところを示す。
第２導電性ペースト３６は、第１導電性ペースト３２と同じ材質のものを採用することができる。第２導電性ペースト３６としては、導電性フィラーとバインダー樹脂とを含有するものを採用することができる。
導電性フィラーとしては、例えば銅、金、銀、パラジウム、ニッケル、錫、ビスマスなどの金属粒子が挙げられる。これらの金属粒子は、１種類で用いるか、または２種類以上を混合させてもよい。
バインダー樹脂としては、例えば熱硬化性樹脂の一種であるエポキシ樹脂を採用することができる。ただし、エポキシ樹脂に限定するものではなく、ポリイミド樹脂などを採用してもよい。また、バインダー樹脂としては、熱硬化性樹脂ではなく、熱可塑性樹脂であってもよい。

また、第２導電性ペースト３６の貫通孔３４への充填方法としては、スキージなどの治具を使用して貫通孔３４に大気圧下又は真空下において第２導電性ペースト３６を充填する方法が挙げられる。

図１４に、第２絶縁基材２４の表面の樹脂フィルム５４を剥離したところを示す。
樹脂フィルム５４を剥離することによって、樹脂フィルム５４の厚みの分だけ第２導電性ペースト３６が第２絶縁基材２４の第１絶縁基材２２側と反対側の表面の開口から突出した状態となる。

樹脂フィルム５４を剥離した状態で、２つの絶縁基材が積層された１つの単位構成体６０が完成する。
単位構成体６０は、硬化済みの第１絶縁基材２２と、第１絶縁基材２２の第２表面２２ｂ側に積層された半硬化状態の第２絶縁基材２４とが積層されて構成されている。そして、第２金属層２８は第２絶縁基材２４内に埋没しており、また第２導電性ペースト３６も硬化しておらず、第２絶縁基材２４の第２表面２４ｂ側に盛り上がっている状態である。
また、単位構成体６０は、第１絶縁基材２２の第１表面２２ａにおいて、第１表面２２ａ側が大径であり第１表面２２ａから離れる方向に向けて小径となる台形形状の第１金属層２６が形成され、第１絶縁基材２２の第２表面２２ｂにおいて、第２表面２２ｂ側が大径であり第２表面２２ｂから離れる方向に向けて小径となる台形形状の第２金属層２８が形成される。

本実施形態の回路基板の製造方法は、図１４に示された単位構成体６０を複数積層することによって多層の回路基板を製造する。ビルドアップ型のように１層ずつ形成する場合よりも、本実施形態のように予め複数の単位構成体を製造しておき、複数の単位構成体を積層することで製造時間の短縮化を図ることができる。

図１５に、複数の単位構成体が積層される状態を示す。
複数の単位構成体６０の積層は、一の単位構成体６０の半硬化状態の第２絶縁基材２４と、他の単位構成体６０の硬化済みの第１絶縁基材２２が接合される。
このため、一の単位構成体６０の第２絶縁基材２４に、他の単位構成体６０の第２金属層２８が埋没する。

図１５～図１９に、複数の単位構成体６０を積層した回路基板の製造工程について説明する。なお、図１５～図１９では、２つの単位構成体６０を積層した４層の回路基板を例とする。
まず、複数の単位構成体６０を積層した状態で最上面（複数の単位構成体６０のうちの最上部の単位構成体６０の第２絶縁基材２４側）に表面用金属層６２を配置する。表面用金属層６２としては、銅などを挙げることができるが、銅に限定するものではなく他の金属を適宜選択することができる。
なお、図１５～図１９では図示しないが、積層対象とする複数の単位構成体６０のうち、最下部の単位構成体６０における最下面の第１金属層２６は、エッチングによるパターニングをせずに一面ベタの金属層のままであってもよい。

図１６に示すように、最上面に表面用金属層６２を配置した後に、表面用金属層６２及び複数の単位構成体６０を熱圧着又は圧着する。
熱圧着又は圧着により、各単位構成体６０の第２絶縁基材２４及び第２導電性ペースト３６が硬化し、各単位構成体６０どうしが接合される。
また、最上面の表面用金属層６２は、積層した単位構成体６０のうちの最上部に位置する単位構成体６０の第２絶縁基材２４と接合する。
なお、熱圧着における温度及び圧力は、第１導電性ペースト３２、第１絶縁基材２２、第２導電性ペースト３６、第２絶縁基材２４の材料に応じて適宜選択することができる。

次に図１７～図１８に示すように、表面用金属層６２をエッチング処理する。
本実施形態のエッチング処理においては、ウェットエッチングを採用しており、ドライフィルム６４を表面用金属層６２の表面に貼り付け、フォトマスク６３を介してドライフィルム６４に対して露光及び現像を実行し、所定のパターンとして形成された表面用金属層６２を得る。
なお、最下面の第１金属層２６に対してここまでの工程でパターニングしていなかった場合、この段階でエッチング処理してパターニングしてもよい。

図１９に示すように、製造された多層の回路基板２０は、接着層無しで各絶縁基材２２，２４どうしが接合されている。これは、単位構成体６０の製造時において半硬化した第２絶縁基材２４が第１絶縁基材２２と接合され、且つ複数の単位構成体６０を積層する際に第１絶縁基材２２と半硬化した第２絶縁基材２４とが熱圧着され、第２導電性ペースト３６と第１金属層２６とが熱圧着されるためである。また、これらの製造工程により、第１金属層２６と第２金属層２８は、双方とも第２絶縁基材２４に埋没して構成されることとなる。

また、多層の回路基板２０内に形成されている台形形状の金属層２６、２８はその台形形状の向きが交互に配置されている。すなわち、多層の回路基板２０は、第１金属層２６と第２金属層２８とが交互に配置され、かつ第１金属層２６は台形形状の小径の側が底面方向に向いており、第２金属層２８は台形形状の小径の側が第１金属層２６とは反対の方向（多層回路基板の上部側方向）に向いている。ただし、回路基板２０の最上面においては、最後にエッチング処理を実行するため、第２絶縁基材２４の第２表面２４ｂの側が大径となる台形形状の表面用金属層６２が形成されている。このため、最上面の表面用金属層６２とそのすく下方に位置する第２金属層２８は、双方とも大径の側が底面方向に向いており、最上面のみ台形形状の方向が互い違いにはなっていない。

本実施形態における回路基板の製造方法によって製造される回路基板、及び本実施形態における回路基板は、マザーボード（支持基板）としても使用可能であり、またインターポーザ（中継基板）としても使用可能である。特にサーバー系や高速通信系のマザーボードやインターポーザに使用可能であり、さらに半導体素子を構成する回路基板としても使用可能である。また、半導体の良否判定に使用する検査装置、プローブカード等にも適用することができる。

（電子機器）
電子機器は、上述した回路基板と電子部品とを有し、さらに必要に応じてその他の部材を有する。
例えば、電子機器としては、スマートフォン、タブレット型携帯端末、コンピュータなどが挙げられる。

２０ 回路基板
２２ 第１絶縁基材
２２ａ 第１表面
２２ｂ 第２表面
２４ 第２絶縁基材
２４ａ 第１表面
２４ｂ 第２表面
２６ 第１金属層
２８ 第２金属層
３０ 貫通孔
３２ 第１導電性ペースト
３４ 貫通孔
３６ 第２導電性ペースト
４０ 第１金属箔
４２ 樹脂フィルム
５０ 第２金属箔
５２ ドライフィルム
５３ フォトマスク
５４ 樹脂フィルム
６０ 単位構成体
６２ 表面用金属層
６３ フォトマスク
６４ ドライフィルム

Claims (9)

1. 複数の第１絶縁基材と、複数の第２絶縁基材が交互に積層されている回路基板であって、
   前記第１絶縁基材の第１表面においてパターン状に形成された第１金属層が設けられ、
   前記第１絶縁基材の第２表面においてパターン状に形成された第２金属層が設けられ、
   前記第１金属層と前記第２金属層とを接続する第１導電性ペーストが前記第１絶縁基材の貫通孔内に充填され、
   前記第２絶縁基材の第１表面側に積層された第１絶縁基材の第２金属層と、前記第２絶縁基材の第２表面側に積層された第１絶縁基材の第１金属層とを接続する第２導電性ペーストが前記第２絶縁基材の貫通孔内に充填され、
   前記第１金属層は、前記第１絶縁基材の第１表面側が大径となる台形形状に形成されており、
   前記第２金属層は、前記第１絶縁基材の第２表面側が大径となる台形形状に形成されており、
   前記第１金属層と前記第２金属層は、台形形状の向きがそれぞれ互い違いになるように積層され、
   前記第２絶縁基材の第１表面には、第２絶縁基材の第１表面側に積層されている第１絶縁基材の第２金属層が埋没して設けられ、
   前記第２絶縁基材の第２表面には、第２絶縁基材の第２表面側に積層されている第１絶縁基材の第１金属層が埋没して設けられていることを特徴とする回路基板。
2. 前記第１絶縁基材と前記第２絶縁基材との間は接着層無しで接合されていることを特徴とする請求項１記載の回路基板。
3. 第１表面にパターン状に形成された第１金属層が設けられ、第２表面にパターン状に形成された第２金属層が設けられ、第１金属層と第２金属層との間に形成された第１貫通孔内に第１金属層と第２金属層とを接続する第１導電性ペーストが充填された硬化済みの第１絶縁基材と、
   第１絶縁基材の第２表面側に配置されて、前記第２金属層と連通する第２貫通孔内に前記第２金属層と接続する第２導電性ペーストが充填された半硬化状の第２絶縁基材と、を有する単位構成体を製造する工程と、
   複数の単位構成体のうちの一の単位構成体における第１絶縁基材と、他の単位構成体における第２絶縁基材とを互いに接合し、複数の単位構成体を積層する工程と、を含むことを特徴とする回路基板の製造方法。
4. 前記第１金属層は、前記第１絶縁基材の第１表面側が大径となる台形形状に形成され、
   前記第２金属層は、前記第１絶縁基材の第２表面側が大径となる台形形状に形成されることを特徴とする請求項３記載の回路基板の製造方法。
5. 前記単位構成体を製造する工程において、前記単位構成体における第２金属層は、前記第２絶縁基材に埋没することを特徴とする請求項３又は請求項４記載の回路基板の製造方法。
6. 複数の単位構成体のうちの一の単位構成体における第１絶縁基材と、他の単位構成体における第２絶縁基材とを互いに接合する際に、一の単位構成体における第１金属層が他の単位構成体の第２絶縁基材内に埋没することを特徴とする請求項３～請求項５のうちのいずれか１項記載の回路基板の製造方法。
7. 前記単位構成体は、接着層無しで前記第１絶縁基材と前記第２絶縁基材とが接合されることを特徴とする請求項３～請求項６のうちのいずれか１項記載の回路基板の製造方法。
8. 複数の単位構成体どうしの積層は、接着層無しで接合されることを特徴とする請求項３～請求項７のうちのいずれか１項記載の回路基板の製造方法。
9. 請求項１～請求項２記載の回路基板と、電子部品とを有することを特徴とする電子機器。

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