TW202142648A - 膜狀接著劑 - Google Patents

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Abstract

本發明的膜狀接著劑(13)含有於主鏈具有環結構且玻璃轉移溫度(Tg)為140℃以上之樹脂(a)。前述膜狀接著劑(13)較佳為進而含有由環氧樹脂(b1)及熱硬化劑(b2)所構成之環氧系熱硬化性樹脂(b)，且相對於前述膜狀接著劑100質量%，前述樹脂(a)的含量較佳為5質量%至20質量%，前述環氧系熱硬化性樹脂(b)的含量較佳為60質量%至85質量%，環氧樹脂(b1)的含量較佳為30質量%至60質量%。

Description

膜狀接著劑
本發明係關於一種膜狀接著劑。 本申請案基於2020年3月30日在日本提出申請之日本特願2020-060370號主張優先權，且將該申請案的內容引用至本文中。
半導體晶片通常藉由貼附於該半導體晶片的內面之膜狀接著劑而黏晶於基板的電路形成面。然後，使用所獲得之黏合體，製作半導體封裝體，使用該半導體封裝體，最終製造目標半導體裝置。
內面具備膜狀接著劑之半導體晶片例如藉由將內面具備膜狀接著劑之半導體晶圓與膜狀接著劑一起進行分割(切斷)而製作。另外，內面具備膜狀接著劑之半導體晶圓係首先將膜狀接著劑衝床加工成半導體晶圓的形狀及大小，然後貼附於半導體晶圓的內面而製備。
作為膜狀接著劑，根據目的，至此為止揭示有各種熱硬化型黏晶膜。 例如，專利文獻1至專利文獻3中所記載之熱硬化型黏晶膜，均揭示有包含丙烯酸樹脂作為基礎聚合物，進而併用環氧樹脂及熱硬化劑作為環氧系熱硬化性樹脂。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2008-244464號公報。 [專利文獻2]日本特開2011-103440號公報。 [專利文獻3]日本特開2015-198117號公報。
[發明所欲解決之課題]
然而，關於先前的膜狀接著劑，於進行平面衝床加工成為圓形並將成為無用部分之膜狀接著劑的圓形的外周部加以捲取時，有時會產生捲取不良。
本發明的目的在於提供一種膜狀接著劑，將經過衝床加工成為無用部分之外周部加以捲取時，能夠充分地抑制捲取不良。 [用以解決課題之手段]
本發明提供以下之膜狀接著劑。 [1]一種膜狀接著劑，含有於主鏈具有環結構且玻璃轉移溫度(Tg)為140℃以上之樹脂(a)。 [2]如前述[1]所記載之膜狀接著劑，其中相對於前述膜狀接著劑100質量%，前述樹脂(a)的含量為5質量%至20質量%。 [3]如前述[1]或[2]所記載之膜狀接著劑，係含有環氧樹脂(b1)。 [4]如前述[3]所記載之膜狀接著劑，其中相對於前述膜狀接著劑100質量%，前述環氧樹脂(b1)的含量為30質量%至60質量%。 [5]如前述[3]或[4]所記載之膜狀接著劑，係含有熱硬化劑(b2)，且相對於前述膜狀接著劑100質量%，由前述環氧樹脂(b1)及前述熱硬化劑(b2)所構成之環氧系熱硬化性樹脂(b)的含量為60質量%至85質量%。 [6]如前述[1]至[5]中任一項所記載之膜狀接著劑，其中前述膜狀接著劑的熔融黏度的起始檢測溫度為60℃以下。 [7]如前述[1]至[6]中任一項所記載之膜狀接著劑，其中前述膜狀接著劑實質上不含丙烯酸樹脂。 [8]如前述[1]至[7]中任一項所記載之膜狀接著劑，係用於以下之用途：將貼附於前述膜狀接著劑且形成有改質層之半導體晶圓連同前述膜狀接著劑沿著前述改質層進行分割，並拾取所獲得之具膜狀接著劑之半導體晶片。 [發明功效]
根據本發明，提供一種膜狀接著劑，將經過衝床加工成為無用部分之外周部加以捲取時，能夠充分地抑制捲取不良。
◇膜狀接著劑 本發明的一實施形態的膜狀接著劑含有於主鏈具有環結構且玻璃轉移溫度(Tg)為140℃以上之樹脂(a)。本實施形態的膜狀接著劑由於含有於主鏈具有環結構且玻璃轉移溫度(Tg)為140℃以上之樹脂(a)，故而於將經衝床加工成為無用部分之外周部加以捲取時，能夠充分地抑制捲取不良。
本實施形態的膜狀接著劑的衝床加工適性可利用下述方法來評價。 亦即，準備由第1剝離膜、膜狀接著劑及第2剝離膜依序積層而成之寬度395mm之輥狀的評價用片。第1剝離膜及第2剝離膜係厚度38μm之聚對苯二甲酸乙二酯(PET；Polyethylene Terephthalate)製膜的單面藉由聚矽氧處理進行了剝離處理。 可使用衝床加工裝置，將評價用片以衝壓第1剝離膜以外的層之方式進行平面衝床加工成為直徑330mm之圓形，並捲取成為無用部分之第2剝離膜及膜狀接著劑的圓形的外周部，確認有無捲取不良。 衝床加工裝置例如可使用琳得科公司製造的製品名：LPM300。
評價基準如下所述。 A：無捲取不良。 C：膜狀接著劑斷裂而有捲取不良。
本說明書中，將半導體晶片中之形成有電路之面稱為「電路形成面」，將與該電路形成面為相反側之面稱為「內面」。並且，將具備半導體晶片及設置於該半導體晶片的內面之膜狀接著劑之結構體稱為「具膜狀接著劑之半導體晶片」。 另外，本說明書中，基板中之形成有電路之面亦稱為「電路形成面」。 具備本實施形態的膜狀接著劑之具膜狀接著劑之半導體晶片可藉由該膜狀接著劑以良好的狀態黏晶於基板的電路形成面。
本實施形態的膜狀接著劑的熔融黏度的起始檢測溫度並無特別限定，較佳為80℃以下，更佳為70℃以下，尤佳為60℃以下。藉由前述起始檢測溫度為前述上限值以下，於將具膜狀接著劑之半導體晶片黏晶於基板或半導體晶片的電路形成面時，於膜狀接著劑的表面與基板或半導體晶片的電路形成面之間產生空隙部之情況得到抑制，膜狀接著劑對接著對象物之埋入性變高。另外，能夠於低溫下黏晶於電路形成面。
本實施形態的膜狀接著劑的熔融黏度的起始檢測溫度的下限值並無特別限定。例如，就膜狀接著劑的操作性變得更良好之方面而言，前述起始檢測溫度較佳為40℃以上。
膜狀接著劑的熔融黏度的起始檢測溫度可利用下述方法來測定。 亦即，使用毛細管流變儀，於該毛細管流變儀的料筒(毛細管)內設置由測定對象之膜狀接著劑所構成之試樣，一邊藉由活塞(能夠一邊接觸於料筒的內壁，一邊沿著該內壁於料筒的長度方向(換言之，中心軸方向)上移動)維持對該料筒內的膜狀接著劑施加固定大小的力之狀態(施加荷重之狀態)，一邊使料筒升溫。然後，自設置於料筒的前端部(對膜狀接著劑施加力之方向的前端部)之孔開始向料筒的外部擠出膜狀接著劑，亦即開始檢測膜狀接著劑的熔融黏度，採用此時的料筒的溫度作為膜狀接著劑的熔融黏度的起始檢測溫度(℃)。測定用試樣之膜狀接著劑的大小及形狀可考慮料筒的大小等而適宜調節。 本說明書中，所謂「熔融黏度」，只要無特別說明，則意指利用上述之方法所測定之熔融黏度。
本實施形態中，測定熔融黏度的起始檢測溫度之膜狀接著劑較佳為自剛製造後便不於超過25℃之溫度條件下保存，且25℃以下之溫度條件下的保存時間為1年以內。 進而，此時的溫度以外的膜狀接著劑的保存條件如下所述。亦即，膜狀接著劑較佳為於空氣氛圍下進行保存，較佳為靜置保存，較佳為於暗處進行保存。並且，更佳為以滿足這些2個以上之條件之方式進行保存，尤佳為以滿足全部條件之方式進行保存。
膜狀接著劑的熔融黏度及熔融黏度的起始檢測溫度例如均可藉由調節膜狀接著劑的含有成分的種類及量等而適宜調節。例如，可藉由調節作為膜狀接著劑的含有成分之後述之樹脂(a)中的構成單元的種類及含有比率、環氧樹脂(b1)的構成成分、熱硬化劑(b2)的立體結構、硬化促進劑(c)的反應性、以及填充材料(d)的平均粒徑等，而適宜調節上述之熔融黏度及熔融黏度的起始檢測溫度。但是，這些僅為上述之熔融黏度及熔融黏度的起始檢測溫度的調節方法的一例。
使用本實施形態的膜狀接著劑所製作之具膜狀接著劑之半導體晶片藉由當中的膜狀接著劑而接著(黏晶)於基板的電路形成面。進而，膜狀接著劑最終發生硬化。 因此，對於前述膜狀接著劑之硬化物，要求對接著對象物具有充分的接著力。
前述膜狀接著劑之硬化物的接著力的程度例如可藉由將力(亦即接著力)的最大值作為指標來判斷，前述力(亦即接著力)係製作第2試片(具備大小為2mm×2mm且厚度為20μm之前述膜狀接著劑之硬化物、設置於前述硬化物的一面的整面之厚度為500μm之銅板、及設置於前述硬化物的另一面的整面之厚度為350μm之矽晶片，且使前述硬化物的側面與前述矽晶片的側面經對位而構成)，於將前述銅板固定之狀態下，對前述第2試片中的前述硬化物的側面與前述矽晶片的側面經對位之部位，同時沿相對於前述硬化物的一面呈平行的方向上以200μm/s之速度施加力時，直至前述硬化物遭到破壞或前述硬化物自前述銅板剝離為止所施加之力。
圖7係用於以示意方式說明前述膜狀接著劑之硬化物的前述接著力的測定方法之剖視圖。 此外，為了易於理解本發明的特徵，方便起見，以下之說明中所使用之圖有時將成為要部之部分加以放大表示，而並不限於各構成要素的尺寸比率等與實際相同。
於前述接著力之測定時，製作第2試片9。 第2試片9係具備膜狀接著劑之硬化物90、設置於前述硬化物90的一面(本說明書中，有時稱為「第2面」)90b的整面之銅板91、及設置於前述硬化物90的另一面(本說明書中，有時稱為「第1面」)90a的整面之矽晶片92而構成。
膜狀接著劑之硬化物90係本實施形態的膜狀接著劑之硬化物。前述硬化物90的前述第1面90a及第2面90b的平面形狀係矩形(正方形)。 前述硬化物90的大小(前述第1面90a及第2面90b的大小)為2mm×2mm，前述硬化物90的厚度為20μm。
銅板91的厚度為500μm，矽晶片92的厚度為350μm。
第2試片9中，使膜狀接著劑之硬化物90的側面90c與矽晶片92的側面92c對位，例如，於該剖面中，於相對於膜狀接著劑之硬化物90的第1面90a或第2面90b呈平行的方向上，膜狀接著劑之硬化物90的側面90c的位置與矽晶片92的側面92c的位置一致。
較佳為矽晶片92的側面92c中至少與膜狀接著劑之硬化物90的側面90c對位著之部位為平面。 矽晶片92與前述硬化物90之接觸面的大小相對於前述硬化物90的第1面90a的大小為同等以上即可，較佳為相同。 矽晶片92與前述硬化物90之接觸面的平面形狀較佳為矩形，例如亦可為正方形，較佳為與前述硬化物90的第1面90a的平面形狀相同。 如後文實施例中所述，藉由膜狀接著劑(省略圖示)之切斷及硬化而形成前述硬化物90，藉由矽晶圓(省略圖示)之分割而形成矽晶片92時，可採用連續地進行這些切斷及分割之製程，該情形時，能夠使矽晶片92之與前述硬化物90之接觸面和前述硬化物90的第1面90a為相互相同的大小且相同的形狀，而且，前述硬化物90的側面90c與矽晶片92的側面92c之對位亦容易。
銅板91與膜狀接著劑之硬化物90之接觸面的大小相對於前述硬化物90的第2面90b的大小為同等以上即可，以大為佳。 關於銅板91之與前述硬化物90之接觸面的平面形狀，只要能夠使銅板91覆蓋前述硬化物90的第2面90b的整面，則並無特別限定，例如亦可為矩形。
於前述接著力之測定時，於將銅板91固定之狀態下，對第2試片9中的膜狀接著劑之硬化物90的側面90c與矽晶片92的側面92c的經對位之部位，同時沿相對於前述硬化物90的一面(前述第1面90a或第2面90b)呈平行的方向，以200μm/s之速度施加力P。此處係表示使用按壓機構8對上述之對位部位施加力P之情形。 就能夠更高精度地測定前述接著力之方面而言，按壓機構8中之施加力之部位較佳為平面，按壓機構8更佳為平板狀。 作為按壓機構8的構成材料，例如可列舉金屬等。
如前述，對膜狀接著劑之硬化物90及矽晶片92同時施加力P時，較佳為不使按壓機構8接觸於銅板91。
本實施形態中，如此般採用力P(對膜狀接著劑之硬化物90的側面90c與矽晶片92的側面92c經對位之部位施加力P，直至前述硬化物90遭到破壞或前述硬化物90自銅板91剝離為止所施加之力)的最大值作為前述硬化物90的接著力。
膜狀接著劑之硬化物的前述接著力較佳為100N/2mm□以上，更佳為110N/2mm□以上，例如可為125N/2mm□以上及140N/2mm□以上之任一種。
前述接著力的上限值並無特別限定。例如，前述接著力成為300N/2mm□以下之前述膜狀接著劑能夠更容易地製造。
前述接著力可為將上述之任一下限值與上限值任意組合而設定之範圍內的任一數值範圍。例如，一實施形態中，前述接著力較佳為100N/2mm□至300N/2mm□，更佳為110N/2mm□至300N/2mm□，例如可為125N/2mm□至300N/2mm□及140N/2mm□至300N/2mm□之任一種。但是，這些係前述接著力的一例。
本實施形態中，規定前述接著力之第2試片中的膜狀接著劑之硬化物可為熱硬化物或能量線硬化物，前述熱硬化物係藉由將熱硬化性之膜狀接著劑於160℃進行1小時加熱處理而獲得，前述能量線硬化物係藉由對能量線硬化性之膜狀接著劑，於照度230mW/cm2 、光量200mJ/cm2 之條件下照射能量線而獲得。
本說明書中，單位「N/2mm□」與「N/(2mm×2mm)」同義。
前述接著力可藉由調節膜狀接著劑的含有成分的種類或量等而進行調節。例如，可藉由調節膜狀接著劑中的聚合物成分、硬化性成分、偶合劑、填充材料等的種類或量等，而於廣泛之範圍內調節前述接著力。於熱硬化性之膜狀接著劑之情形時，可藉由調節後述之樹脂(a)、熱硬化性成分(b)、填充材料(d)、偶合劑(e)等的種類或量等，而於廣泛之範圍內調節前述接著力。
前述膜狀接著劑可由1層(單層)所構成，亦可由2層以上之多層所構成，於由多層所構成之情形時，這些多層相互可相同亦可不同，這些多層的組合並無特別限定。
此外，本說明書中，並不限於膜狀接著劑之情形，所謂「多層相互可相同亦可不同」，意指「可全部層相同，亦可全部層皆不同，還可僅一部分層相同」，進而，所謂「多層相互不同」，意指「各層的構成材料及厚度的至少一者相互不同」。
前述膜狀接著劑的厚度並無特別限定，較佳為1μm至50μm，更佳為3μm至40μm，尤佳為5μm至30μm。藉由膜狀接著劑的厚度為前述下限值以上，膜狀接著劑對被接著體(半導體晶圓、半導體晶片)之接著力變得更高。藉由膜狀接著劑的厚度為前述上限值以下，於後述之半導體晶片之製造步驟中，能夠更容易地切斷膜狀接著劑，另外，能夠進一步降低源自膜狀接著劑之切斷片的產生量。 此處，所謂「膜狀接著劑的厚度」，意指膜狀接著劑整體的厚度，例如所謂由多層所構成之膜狀接著劑的厚度，意指構成膜狀接著劑之全部層的合計厚度。
前述膜狀接著劑可使用含有樹脂(a)及溶媒等的構成材料之接著劑組成物而形成。例如，於膜狀接著劑之形成對象面塗敷接著劑組成物，視需要使之乾燥，藉此能夠於目標部位形成膜狀接著劑。 接著劑組成物中的常溫下不會氣化的成分彼此的含量之比率通常與膜狀接著劑中的前述成分彼此的含量之比率相同。此外，本說明書中，所謂「常溫」，意指不特別冷或特別熱的溫度，亦即平常的溫度，例如可列舉15℃至25℃之溫度等。
利用公知的方法塗敷接著劑組成物即可，例如可列舉使用以下各種塗佈機之方法：氣刀塗佈機、刮刀塗佈機、棒式塗佈機、凹版塗佈機、輥式塗佈機、輥刀塗佈機、簾幕式塗佈機、模具塗佈機、刀式塗佈機、網版塗佈機、Meyer棒式塗佈機、輕觸式塗佈機等。
接著劑組成物的乾燥條件並無特別限定，於接著劑組成物含有後述溶媒之情形時，較佳為進行加熱乾燥。含有溶媒之接著劑組成物例如較佳為於70℃至130℃且10秒至5分鐘之條件下進行乾燥。 以下，對膜狀接著劑及接著劑組成物的含有成分詳細地進行說明。
[樹脂(a)] 樹脂(a)只要為於主鏈具有環結構且玻璃轉移溫度(Tg)為140℃以上之樹脂，則無限定。藉由使用含有前述樹脂(a)之膜狀接著劑，將經過衝床加工成為無用部分之外周部加以捲取時，能夠充分地抑制捲取不良。 可認為藉由使用含有於主鏈具有環結構且玻璃轉移溫度(Tg)為140℃以上之樹脂(a)之膜狀接著劑，與先前的膜狀接著劑相比，膜狀接著劑於室溫之機械強度變高。可認為藉此具有於將經衝床加工成為無用部分之外周部加以捲取時變得不易斷裂等效果，結果能夠充分地抑制捲取不良。 若使用於主鏈具有環結構且玻璃轉移溫度(Tg)為140℃以上之樹脂、所謂之工程塑膠，則可抑制捲取不良。
樹脂(a)亦可為可視為聚合性化合物進行聚合反應而形成之聚合物成分或低聚物成分。樹脂(a)對膜狀接著劑賦予造膜性或可撓性等，並且使對半導體晶片等接著對象之接著性(貼附性)提高。
樹脂(a)的玻璃轉移溫度(Tg)為140℃以上，較佳為150℃以上，更佳為160℃以上。藉此，能夠使拾取適性良好。
樹脂(a)的玻璃轉移溫度(Tg)可基於JIS K7121，利用輸入補償DSC(Differential Scanning Calorimetry；示差掃描熱量法)來測定。
樹脂(a)藉由於主鏈具有環結構，能夠將玻璃轉移溫度(Tg)容易地調整為140℃以上。主鏈的環結構可為芳香環，亦可為脂肪族環，亦可為烴環，亦可為雜環。
樹脂(a)係於主鏈具有環結構且玻璃轉移溫度(Tg)為140℃以上之樹脂。藉由使用樹脂(a)，於拾取時，有時具膜狀接著劑之半導體晶片自後述支撐片之扯離變得更容易，或膜狀接著劑變得容易追隨於被接著體的凹凸面，從而可進一步抑制於被接著體與膜狀接著劑之間產生空隙等。
樹脂(a)的重量平均分子量較佳為1000至100000，更佳為2000至80000。樹脂(a)的數量平均分子量較佳為500至50000，更佳為1000至40000。
接著劑組成物及膜狀接著劑所含有之樹脂(a)可僅為1種，亦可為2種以上，於為2種以上之情形時，這些樹脂(a)的組合及比率可任意選擇。
本實施形態的膜狀接著劑中，相對於前述膜狀接著劑100質量%，前述樹脂(a)的含量較佳為5質量%至20質量%，更佳為6質量%至18質量%，尤佳為7質量%至16質量%。藉由前述樹脂(a)的含量為前述下限值以上，膜狀接著劑的結構進一步穩定化，容易發揮前述效果，藉由前述樹脂(a)的含量為前述上限值以下，作為膜狀接著劑之接著性變得良好。
本實施形態的膜狀接著劑較佳為實質上不含丙烯酸樹脂。
作為樹脂(a)，例如可使用公知的聚芳酯、聚碳酸酯、聚苯醚、聚苯硫醚、熱塑性聚醯亞胺、聚醚醚酮等所謂之工程塑膠。其中，較佳為聚芳酯、聚碳酸酯。
・聚芳酯 聚芳酯係由芳香族二羧酸及／或其衍生物與二元酚及／或其衍生物所構成之芳香族聚酯聚合物。作為用以導入芳香族二羧酸殘基之聚芳酯原料，並無特別限制，例如可列舉：對苯二甲酸、間苯二甲酸、鄰苯二甲酸、氯鄰苯二甲酸、硝基鄰苯二甲酸、2,5-萘二羧酸、2,6-萘二羧酸、2,7-萘二羧酸、1,5-萘二羧酸、甲基對苯二甲酸、4,4'-聯苯二羧酸、2,2'-聯苯二羧酸、4,4'-二苯醚二羧酸、4,4'-二苯基甲烷二羧酸、4,4'-二苯基碸二羧酸、4,4'-二苯基異亞丙基二羧酸、1,2-雙(4-羧基苯氧基)乙烷、間苯二甲酸-5-磺酸鈉等。其中，較佳為對苯二甲酸及間苯二甲酸。這些芳香族二羧酸可單獨使用，亦可併用2種以上。
作為用以導入二元酚殘基之聚芳酯原料，並無特別限制，例如可列舉：1,1-雙(4-羥基苯基)甲烷、1,1-雙(4-羥基苯基)乙烷、1,1-雙(4-甲基-2-羥基苯基)甲烷、1,1-雙(3,5-二甲基-4-羥基苯基)甲烷、1,1-雙(4-羥基苯基)環己烷、2,2-雙(4-羥基苯基)-4-甲基戊烷、2,2-雙(4-羥基苯基)丙烷(＝BisA)、2,2-雙(3-甲基-4-羥基苯基)丙烷、2,2-雙(3,5-二甲基-4-羥基苯基)丙烷、1,1-雙(4-羥基苯基)-1-苯基乙烷、1,1-雙(4-羥基苯基)-2-乙基己烷、2,2-雙(3-苯基-4-羥基苯基)丙烷、1,1-雙(3-甲基-4-羥基苯基)甲烷、4,4'-聯苯酚、對苯二酚等。其中，較佳為2,2-雙(4-羥基苯基)丙烷。這些二元酚可單獨使用，亦可併用2種以上。
・聚碳酸酯 聚碳酸酯係藉由使二元酚成分與光氣或碳酸二酯等碳酸酯前驅物質反應之方法而合成。作為二元酚成分，與作為聚芳酯原料所列舉之二元酚成分相同。其中，較佳為2,2-雙(4-羥基苯基)丙烷。
[熱硬化性成分(b)] 熱硬化性成分(b)係具有熱硬化性且用以使膜狀接著劑熱硬化之成分。 接著劑組成物及膜狀接著劑所含有之熱硬化性成分(b)可僅為1種，亦可為2種以上，於為2種以上之情形時，這些熱硬化性成分(b)的組合及比率可任意選擇。
作為熱硬化性成分(b)，例如可列舉：環氧系熱硬化性樹脂、聚醯亞胺樹脂、不飽和聚酯樹脂等。 這些之中，熱硬化性成分(b)較佳為環氧系熱硬化性樹脂。
[環氧系熱硬化性樹脂] 環氧系熱硬化性樹脂由環氧樹脂(b1)及熱硬化劑(b2)所構成。接著劑組成物及膜狀接著劑所含有之環氧系熱硬化性樹脂可僅為1種，亦可為2種以上，於為2種以上之情形時，這些環氧系熱硬化性樹脂的組合及比率可任意選擇。
[環氧樹脂(b1)] 作為環氧樹脂(b1)，可列舉公知的環氧樹脂，例如可列舉：多官能系環氧樹脂、聯苯化合物、雙酚A二縮水甘油醚及其氫化物、鄰甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、二環戊二烯型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、伸苯基骨格型環氧樹脂等2官能以上之環氧化合物。本說明書中，所謂環氧樹脂(b1)，係指具有硬化性之環氧樹脂，亦即未硬化之環氧樹脂。
環氧樹脂(b1)的數量平均分子量並無特別限定，就膜狀接著劑的硬化性、以及膜狀接著劑的硬化物的強度及耐熱性之方面而言，較佳為300至30000，更佳為400至10000，尤佳為500至3000。 環氧樹脂(b1)的環氧當量較佳為100g/eq至1000g/eq，更佳為150g/eq至800g/eq。
接著劑組成物及膜狀接著劑所含有之環氧樹脂(b1)可僅為1種，亦可為2種以上，於為2種以上之情形時，這些環氧樹脂(b1)的組合及比率可任意選擇。
相對於前述膜狀接著劑100質量%，前述環氧樹脂(b1)的含量較佳為30質量%至60質量%，更佳為35質量%至55質量%，尤佳為40質量%至50質量%。
環氧樹脂(b1)可為常溫下為液狀之環氧樹脂，亦可為常溫下為固形之環氧樹脂。
本實施形態的膜狀接著劑中，相對於前述膜狀接著劑100質量%，前述常溫下為液狀之環氧樹脂的含量較佳為5質量%至30質量%，更佳為8質量%至28質量%，尤佳為10質量%至26質量%。藉由前述常溫下為液狀之環氧樹脂的含量為前述下限值以上，能夠於低溫下黏晶於電路形成面，藉由前述環氧樹脂(b1)的含量為前述上限值以下，膜狀接著劑的形狀穩定性變得良好。
[熱硬化劑(b2)] 熱硬化劑(b2)係針對環氧樹脂(b1)之硬化劑。環氧樹脂(b1)及熱硬化劑(b2)的組合係發揮作為環氧系熱硬化性樹脂(本說明書中，有時稱為「環氧系熱硬化性樹脂(b)」)之功能。 接著劑組成物及膜狀接著劑所含有之環氧系熱硬化性樹脂(b)可僅為1種，亦可為2種以上，於為2種以上之情形時，這些環氧系熱硬化性樹脂(b)的組合及比率可任意選擇。
作為熱硬化劑(b2)，例如可列舉於1分子中具有2個以上之可與環氧基反應之官能基之化合物。作為前述官能基，例如可列舉酚性羥基、醇性羥基、胺基、羧基、酸基經酐化而成之基等，較佳為酚性羥基、胺基、或酸基經酐化而成之基，更佳為酚性羥基或胺基。
熱硬化劑(b2)中，作為具有酚性羥基之酚系硬化劑，例如可列舉：多官能酚樹脂、聯苯酚、酚醛清漆型酚樹脂、二環戊二烯型酚樹脂、芳烷基型酚樹脂等。 熱硬化劑(b2)中，作為具有胺基之胺系硬化劑，例如可列舉雙氰胺(DICY；dicyandiamide)等。
熱硬化劑(b2)亦可具有不飽和烴基。 作為具有不飽和烴基之熱硬化劑(b2)，例如可列舉：酚樹脂的一部分羥基由具有不飽和烴基之基取代而成之化合物、於酚樹脂的芳香環直接鍵結具有不飽和烴基之基而成之化合物等。 熱硬化劑(b2)中的前述不飽和烴基與上述之具有不飽和烴基之環氧樹脂中的不飽和烴基相同。
於使用酚系硬化劑作為熱硬化劑(b2)之情形時，就容易調節膜狀接著劑的接著力之方面而言，熱硬化劑(b2)以軟化點或玻璃轉移溫度高為佳。
熱硬化劑中，例如多官能酚樹脂、酚醛清漆型酚樹脂、二環戊二烯型酚樹脂、芳烷基型酚樹脂等樹脂成分的數量平均分子量較佳為300至30000，更佳為400至10000，尤佳為500至3000。 熱硬化劑中，例如聯苯酚、雙氰胺等非樹脂成分的分子量並無特別限定，例如較佳為60至500。 熱硬化劑(b2)較佳為由下述通式(1)所表示，更具體而言，較佳為鄰甲酚型酚醛清漆樹脂。
[化1]
Figure 02_image001
通式(1)中，n為1以上之整數，例如可為2以上、4以上、及6以上之任一種。 關於n的上限值，在無損本發明的效果之範圍內，並無特別限定。例如，n為10以下之鄰甲酚型酚醛清漆樹脂更容易製造或獲取。
通式(1)中，將鄰甲酚-二基(-C6 H4 (-OH)(-CH3 )-)彼此連結之亞甲基(-CH2 -)相對於這些鄰甲酚-二基之鍵結位置並無特別限定。
作為熱硬化劑(b2)，較佳為如由通式(1)所明示，具有於酚樹脂中與酚性羥基所鍵結之碳原子相鄰之碳原子(構成苯環骨格之碳原子)鍵結有甲基之結構，且於前述酚性羥基的附近具有立體阻礙。推測熱硬化劑(b2)藉由具有此種立體阻礙，可抑制該熱硬化劑(b2)之保存中的反應性。並且，推測藉由使用此種熱硬化劑(b2)，可抑制前述膜狀接著劑之保存中，含有成分(例如可硬化之成分)發生反應，從而可抑制特性發生變化。並且，推測藉由使用此種膜狀接著劑及半導體晶片，可獲得可靠性高之半導體封裝體。 使用通式(1)所表示之熱硬化劑(b2)之膜狀接著劑如此般保存穩定性高而能夠於室溫下保存，基於同樣的原因，接著劑組成物亦保存穩定性高而能夠於室溫下保存。
接著劑組成物及膜狀接著劑所含有之熱硬化劑(b2)可僅為1種，亦可為2種以上，於為2種以上之情形時，這些熱硬化劑(b2)的組合及比率可任意選擇。
相對於前述膜狀接著劑100質量%，前述熱硬化劑(b2)的含量較佳為10質量%至50質量%，更佳為15質量%至45質量%，尤佳為20質量%至40質量%。藉由前述熱硬化劑(b2)的含量為前述下限值以上，膜狀接著劑更容易進行硬化。藉由前述熱硬化劑(b2)的含量為前述上限值以下，膜狀接著劑的吸濕率降低，使用膜狀接著劑所獲得之封裝體的可靠性進一步提高。
相對於前述膜狀接著劑100質量%，由前述環氧樹脂(b1)及前述熱硬化劑(b2)所構成之環氧系熱硬化性樹脂(b)的含量較佳為60質量%至85質量%，更佳為65質量%至85質量%，尤佳為65質量%至80質量%。藉由前述環氧系熱硬化性樹脂(b)的含量為前述下限值以上，接合性提高，容易發揮前述效果，藉由前述熱硬化劑(b2)的含量為前述上限值以下，保存穩定性提高。
就上述效果變得更高之方面而言，熱硬化劑(b2)的軟化點例如可為64℃以上至130℃以下、68℃以上至130℃以下、72℃以上至130℃以下、及76℃以上至130℃以下之任一種，亦可為60℃以上至120℃以下、60℃以上至110℃以下、60℃以上至100℃以下、及60℃以上至90℃以下之任一種，亦可為64℃以上至120℃以下、68℃以上至110℃以下、72℃以上至100℃以下、及76℃以上至90℃以下之任一種。
含有樹脂(a)及環氧系熱硬化性樹脂(b)之膜狀接著劑具有熱硬化性，較佳為進而具有感壓接著性。一併具有熱硬化性及感壓接著性之膜狀接著劑可藉由於未硬化狀態下輕輕地按壓於各種被接著體而貼附。另外，膜狀接著劑亦可藉由進行加熱使之軟化而貼附於各種被接著體。膜狀接著劑藉由硬化最終成為耐衝擊性高之硬化物，該硬化物於嚴酷的高溫、高濕度條件下亦能保持充分的接著特性。
前述膜狀接著劑中，為了改良前述膜狀接著劑的各種物性，除樹脂(a)及環氧系熱硬化性樹脂(b)以外，亦可進而視需要含有不相當於這些成分之其他成分。 作為前述膜狀接著劑所含有之其他成分，例如可列舉硬化促進劑(c)、填充材料(d)、偶合劑(e)、能量線硬化性樹脂(g)、光聚合起始劑(h)、通用添加劑(i)等。這些之中，作為較佳的前述其他成分，可列舉硬化促進劑(c)、填充材料(d)、偶合劑(e)。
本說明書中，所謂「能量線」，意指具有能量量子之電磁波或帶電粒子束，作為該能量線的示例，可列舉紫外線、放射線、電子束等。 紫外線例如可藉由使用高壓水銀燈、熔合燈、氙氣燈、黑光燈或LED(Light Emitting Diode；發光二極體)燈等作為紫外線源而進行照射。電子束能夠照射藉由電子束加速器等產生之電子束。 本說明書中，所謂「能量線硬化性」，意指藉由照射能量線而硬化之性質，所謂「非能量線硬化性」，意指即便照射能量線亦不硬化之性質。
[硬化促進劑(c)] 硬化促進劑(c)係用以調節接著劑組成物及膜狀接著劑的硬化速度之成分。 作為較佳的硬化促進劑(c)，例如可列舉：三乙二胺、苄基二甲胺、三乙醇胺、二甲胺基乙醇、三(二甲胺基甲基)苯酚等三級胺；2-甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、2-苯基-4,5-二羥基甲基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羥基甲基咪唑等咪唑類(1個以上之氫原子由氫原子以外的基取代而成之咪唑)；三丁基膦、二苯基膦、三苯基膦等有機膦類(1個以上之氫原子由有機基取代而成之膦)；四苯基硼酸四苯基鏻、四苯基硼酸三苯基膦等四苯基硼鹽；以前述咪唑類作為客體化合物之包接化合物等。
接著劑組成物及膜狀接著劑所含有之硬化促進劑(c)可僅為1種，亦可為2種以上，於為2種以上之情形時，這些硬化促進劑(c)的組合及比率可任意選擇。
於使用硬化促進劑(c)之情形時，接著劑組成物及膜狀接著劑中，硬化促進劑(c)的含量相對於環氧系熱硬化性樹脂(b)的含量(亦即，環氧樹脂(b1)及熱硬化劑(b2)的總含量)100質量份，較佳為0.01質量份至5質量份，更佳為0.1質量份至2質量份。藉由硬化促進劑(c)的前述含量為前述下限值以上，能更顯著地獲得由使用硬化促進劑(c)所帶來之效果。藉由硬化促進劑(c)的含量為前述上限值以下，例如抑制高極性的硬化促進劑(c)於高溫、高濕度條件下在膜狀接著劑中朝膜狀接著劑與被接著體之接著界面側移動而偏析之效果變高，使用膜狀接著劑所獲得之半導體封裝體的可靠性進一步提高。
[填充材料(d)] 膜狀接著劑藉由含有填充材料(d)，容易調整該膜狀接著劑的熱膨脹係數，使該熱膨脹係數對於膜狀接著劑之貼附對象物而言最佳化，藉此使用膜狀接著劑所獲得之半導體封裝體的可靠性進一步提高。另外，藉由膜狀接著劑含有填充材料(d)，亦能夠降低膜狀接著劑的硬化物的吸濕率，或提高散熱性。
填充材料(d)可為有機填充材料及無機填充材料之任一種，較佳為無機填充材料。 作為較佳的無機填充材料，例如可列舉：二氧化矽、氧化鋁、滑石、碳酸鈣、鈦白、鐵丹、碳化矽、氮化硼等之粉末；將這些無機填充材料球形化而成之珠粒；這些無機填充材料的表面改質品；這些無機填充材料的單晶纖維；玻璃纖維等。 這些之中，無機填充材料較佳為二氧化矽、氧化鋁或這些之表面改質品。
填充材料(d)的平均粒徑並無特別限定，較佳為10nm至300nm，更佳為20nm至150nm，進而較佳為30nm至100nm。藉由填充材料(d)的平均粒徑為此種範圍，能充分地獲得由使用填充材料(d)所帶來之效果，並且膜狀接著劑的保存穩定性變得更高。 此外，本說明書中，所謂「平均粒徑」，只要無特別說明，則意指藉由雷射繞射散射法所求出之粒度分佈曲線中的累計值50%時的粒徑(D50 )的值。
接著劑組成物及膜狀接著劑所含有之填充材料(d)可僅為1種，亦可為2種以上，於為2種以上之情形時，這些填充材料(d)的組合及比率可任意選擇。
於使用填充材料(d)之情形時，接著劑組成物中，填充材料(d)的含量相對於溶媒以外的全部成分的總含量之比例(亦即，膜狀接著劑中的填充材料(d)的含量相對於膜狀接著劑的總質量之比例)較佳為5質量%至30質量%，更佳為7.5質量%至25質量%，尤佳為10質量%至20質量%。藉由填充材料(d)的含量為此種範圍，變得更容易調整前述熱膨脹係數。
[偶合劑(e)] 膜狀接著劑藉由含有偶合劑(e)，對被接著體之接著性及密接性提高。另外，藉由膜狀接著劑含有偶合劑(e)，該膜狀接著劑的硬化物在不損害耐熱性的前提下提高耐水性。偶合劑(e)具有可與無機化合物或有機化合物反應之官能基。
偶合劑(e)較佳為具有可與樹脂(a)、環氧系熱硬化性樹脂(b)等所具有之官能基反應之官能基之化合物，更佳為矽烷偶合劑。 作為較佳的前述矽烷偶合劑，例如可列舉：3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、3-縮水甘油氧基丙基甲基二乙氧基矽烷、3-縮水甘油氧基丙基三乙氧基矽烷、3-縮水甘油氧基甲基二乙氧基矽烷、2-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、3-胺基丙基三甲氧基矽烷、3-(2-胺基乙基胺基)丙基三甲氧基矽烷、3-(2-胺基乙基胺基)丙基甲基二乙氧基矽烷、3-(苯基胺基)丙基三甲氧基矽烷、3-苯胺基丙基三甲氧基矽烷、3-脲基丙基三乙氧基矽烷、3-巰基丙基三甲氧基矽烷、3-巰基丙基甲基二甲氧基矽烷、雙(3-三乙氧基矽基丙基)四硫化物、甲基三甲氧基矽烷、甲基三乙氧基矽烷、乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙醯氧基矽烷、咪唑矽烷、低聚物型或聚合物型有機矽氧烷等。
接著劑組成物及膜狀接著劑所含有之偶合劑(e)可僅為1種，亦可為2種以上，於為2種以上之情形時，這些偶合劑(e)的組合及比率可任意選擇。
於使用偶合劑(e)之情形時，接著劑組成物及膜狀接著劑中，偶合劑(e)的含量相對於樹脂(a)及環氧系熱硬化性樹脂(b)的總含量100質量份，較佳為0.03質量份至20質量份，更佳為0.05質量份至10質量份，尤佳為0.1質量份至5質量份。藉由偶合劑(e)的前述含量為前述下限值以上，能更顯著地獲得如下之由使用偶合劑(e)所帶來之效果：填充材料(d)於樹脂中的分散性提高、以及膜狀接著劑與被接著體之接著性提高等。藉由偶合劑(e)的前述含量為前述上限值以下，能進一步抑制產生逸氣。
[能量線硬化性樹脂(g)] 接著劑組成物及膜狀接著劑亦可含有能量線硬化性樹脂(g)。膜狀接著劑藉由含有能量線硬化性樹脂(g)，能夠藉由照射能量線而改變特性。
[通用添加劑(i)] 通用添加劑(i)可為公知的添加劑，可根據目的任意選擇，並無特別限定。作為較佳的通用添加劑(i)，例如可列舉：塑化劑、抗靜電劑、抗氧化劑、著色劑(染料、顏料)、吸氣劑(gettering agent)等。
接著劑組成物及膜狀接著劑所含有之通用添加劑(i)可僅為1種，亦可為2種以上，於為2種以上之情形時，這些通用添加劑(i)的組合及比率可任意選擇。 接著劑組成物及膜狀接著劑中的通用添加劑(i)的含量並無特別限定，根據目的適宜選擇即可。
[溶媒] 接著劑組成物較佳為進而含有溶媒。含有溶媒之接著劑組成物的操作性變得良好。 前述溶媒並無特別限定，作為較佳的前述溶媒，例如可列舉：甲苯、二甲苯等烴；甲醇、乙醇、2-丙醇、異丁醇(2-甲基丙烷-1-醇)、1-丁醇等醇；乙酸乙酯等酯；丙酮、甲基乙基酮等酮；四氫呋喃等醚；二甲基甲醯胺、N-甲基吡咯啶酮等醯胺(具有醯胺鍵之化合物)等。 接著劑組成物所含有之溶媒可僅為1種，亦可為2種以上，於為2種以上之情形時，這些溶媒的組合及比率可任意選擇。
就能夠使接著劑組成物中的含有成分更均勻地混合之方面而言，接著劑組成物所含有之溶媒較佳為甲苯、甲基乙基酮等。
[接著劑組成物之製造方法] 接著劑組成物係藉由調配用以構成該接著劑組成物之各成分而獲得。 調配各成分時的添加順序並無特別限定，亦可同時添加2種以上之成分。 於使用溶媒之情形時，可藉由下述方式使用：將溶媒與溶媒以外的任一種調配成分混合而將該調配成分預先稀釋；或是，不將溶媒以外的任一種調配成分預先稀釋而將溶媒與這些調配成分混合。
調配時混合各成分之方法並無特別限定，自以下公知的方法中適宜選擇即可：使攪拌子或攪拌翼等旋轉而進行混合之方法；使用混合機進行混合之方法；施加超音波進行混合之方法等。 關於添加及混合各成分時的溫度及時間，只要不使各調配成分劣化，則並無特別限定，適宜調節即可，溫度較佳為15℃至30℃。
圖1係以示意方式表示本發明的一實施形態的膜狀接著劑之剖視圖。此外，為了易於理解本發明的特徵，方便起見，以下之說明中所使用之圖有時將成為要部之部分放大表示，而並不限於各構成要素的尺寸比率等與實際相同。
此處所示之膜狀接著劑13於該膜狀接著劑13的一面(本說明書中，有時稱為「第1面」)13a上具備第1剝離膜151，於與前述第1面13a為相反側的另一面(本說明書中，有時稱為「第2面」)13b上具備第2剝離膜152。 此種膜狀接著劑13例如適於以輥狀保存。
膜狀接著劑13具有上述之特性。 膜狀接著劑13可使用上述之接著劑組成物而形成。
第1剝離膜151及第2剝離膜152均可為公知的剝離膜。第1剝離膜151及第2剝離膜152可相互相同，亦可例如自膜狀接著劑13剝離時所需之剝離力相互不同等而為相互不同。
圖1所示之膜狀接著劑13中，移除第1剝離膜151及第2剝離膜152之任一剝離膜所產生之露出面成為半導體晶圓(省略圖示)的內面的貼附面。並且，移除第1剝離膜151及第2剝離膜152之剩餘另一剝離膜所產生之露出面成為後述之支撐片或切割片的貼附面。
◇切割黏晶片 本發明的一實施形態的切割黏晶片具備支撐片，且於前述支撐片的一面上具備前述膜狀接著劑。
[支撐片] 前述支撐片可由1層(單層)所構成，亦可由2層以上之多層所構成。於支撐片由多層所構成之情形時，這些多層的構成材料及厚度相互可相同亦可不同，這些多層的組合只要無損本發明的效果，則並無特別限定。
作為較佳的支撐片，例如可列舉：僅由基材所構成之支撐片；具備基材、及設置於前述基材的一面上之黏著劑層之支撐片等。 於支撐片具備前述基材及黏著劑層之情形時，前述切割黏晶片中，前述黏著劑層配置於前述基材與前述膜狀接著劑之間。
僅由基材所構成之前述支撐片適宜作為載體片或切割片。具備此種僅由基材所構成之支撐片之切割黏晶片係將膜狀接著劑中之與具備支撐片(亦即基材)之側為相反側的面(本說明書中，有時稱為「第1面」)貼附於半導體晶圓的內面而使用。
另一方面，具備基材及黏著劑層之前述支撐片適宜作為切割片。具備此種支撐片之切割黏晶片亦將膜狀接著劑中之與具備支撐片之側為相反側的面(第1面)貼附於半導體晶圓的內面而使用。
切割黏晶片的使用方法將於後文進行詳細說明。 以下，對構成支撐片之各層進行說明。
[基材] 前述基材為片狀或膜狀，作為前述基材的構成材料，例如可列舉各種樹脂。 作為前述樹脂，例如可列舉：低密度聚乙烯(LDPE；Low Density Polyethylene)、直鏈低密度聚乙烯(LLDPE；Linear Low Density Polyethylene)、高密度聚乙烯(HDPE；High Density Polyethylene)等聚乙烯；聚丙烯、聚丁烯、聚丁二烯、聚甲基戊烯、降冰片烯樹脂等聚乙烯以外的聚烯烴；乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物、乙烯-降冰片烯共聚物等乙烯系共聚物(使用乙烯作為單體而獲得之共聚物)；聚氯乙烯、氯乙烯共聚物等氯乙烯系樹脂(使用氯乙烯作為單體而獲得之樹脂)；聚苯乙烯；聚環烯烴；聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚間苯二甲酸乙二酯、聚-2,6-萘二甲酸乙二酯、全部構成單元具有芳香族環式基之全芳香族聚酯等聚酯；2種以上之前述聚酯之共聚物；聚(甲基)丙烯酸酯；聚胺基甲酸酯；聚丙烯酸胺基甲酸酯；聚醯亞胺；聚醯胺；聚碳酸酯；氟樹脂；聚縮醛；改質聚苯醚；聚苯硫醚；聚碸；聚醚酮等。 另外，作為前述樹脂，例如亦可列舉前述聚酯與前述聚酯以外的樹脂之混合物等聚合物合金。前述聚酯與前述聚酯以外的樹脂之聚合物合金較佳為聚酯以外的樹脂的量為相對較少量。 另外，作為前述樹脂，例如亦可列舉：前文例示之前述樹脂中的1種或2種以上交聯而成之交聯樹脂；使用前文例示之前述樹脂中的1種或2種以上之離子聚合物等改質樹脂。
構成基材之樹脂可僅為1種，亦可為2種以上，於為2種以上之情形時，這些樹脂的組合及比率可任意選擇。
基材可由1層(單層)所構成，亦可由2層以上之多層所構成，於由多層所構成之情形時，這些多層相互可相同亦可不同，這些多層的組合並無特別限定。
基材的厚度較佳為50μm至300μm，更佳為60μm至150μm。藉由基材的厚度為此種範圍，切割黏晶片的可撓性、及對半導體晶圓或半導體晶片之貼附性進一步提高。 此處，所謂「基材的厚度」，意指基材整體的厚度，例如所謂由多層所構成之基材的厚度，意指構成基材之全部層的合計厚度。
基材較佳為厚度精度高，亦即較佳為無論何部位厚度偏差皆得到抑制。作為上述之構成材料中可用於構成此種厚度精度高之基材之材料，例如可列舉：聚乙烯、聚乙烯以外的聚烯烴、聚對苯二甲酸乙二酯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物等。
基材中，除含有前述樹脂等主要構成材料以外，亦可含有填充材料、著色劑、抗靜電劑、抗氧化劑、有機滑劑、觸媒、軟化劑(塑化劑)等公知的各種添加劑。
基材可為透明，亦可為不透明，還可根據目的而著色，還可蒸鍍其他層。
為了提高基材與設置於基材上之黏著劑層等其他層之密接性，亦可對基材的表面實施利用噴砂處理、溶劑處理等之凹凸化處理；電暈放電處理、電子束照射處理、電漿處理、臭氧／紫外線照射處理、火焰處理、鉻酸處理、熱風處理等氧化處理等。 另外，基材的表面亦可經實施底塗處理。 另外，基材亦可具有抗靜電塗層、防止於將切割黏晶片層疊保存時基材接著於其他片或基材接著於吸附台之層等。
基材可利用公知的方法進行製造。例如，含有樹脂之基材可藉由將含有前述樹脂之樹脂組成物進行成形而進行製造。
為了使拾取性良好，切割黏晶片較佳為基材剝離力處於適當的範圍。 通常，膜狀接著劑與支撐片之間的剝離力會因膜狀接著劑的材質及與膜狀接著劑接觸之支撐片的材質而變化，但藉由測定使用聚烯烴膜(GUNZE公司製造，FUNCRARE(註冊商標)LPD#80，厚度80μm)作為支撐片之情形時的剝離力，能夠評價膜狀接著劑本身的特性。準備將切割黏晶片切斷成25mm×250mm之矩形狀所得之試片，前述切割黏晶片係由：僅由基材所構成之作為支撐片之聚烯烴膜(GUNZE公司製造，FUNCRARE(註冊商標)LPD#80，厚度80μm)、及膜狀接著劑所構成。使用於聚苯乙烯板所構成之硬質支撐體的表面貼附有雙面膠帶之物品，於該雙面膠帶層疊25mm×250mm之切割黏晶片之膜狀接著劑，於23℃、相對濕度50%之環境下，使2kg之橡膠輥於該層疊品上往返一次，藉此經由雙面膠帶將切割黏晶片貼附於硬質支撐體。繼而，將該貼附品於23℃、相對濕度50%之相同環境下放置30分鐘後，使用島津製作所股份有限公司製造的萬能拉伸試驗機AG-IS作為測定裝置，測定使切割黏晶片的基材自膜狀接著劑以300mm/分鐘之速度以180°之角度剝離時的剝離力(N/25mm)。
如此測定之基材剝離力較佳為0.01N/25mm至0.2N/25mm，更佳為0.02N/25mm至0.10N/25mm，尤佳為0.04N/25mm至0.06N/25mm。
[黏著劑層] 前述黏著劑層為片狀或膜狀，含有黏著劑。 作為前述黏著劑，例如可列舉：丙烯酸樹脂、胺基甲酸酯系樹脂、橡膠系樹脂、聚矽氧系樹脂、環氧系樹脂、聚乙烯醚、聚碳酸酯、酯系樹脂等黏著性樹脂。
本說明書中，「黏著性樹脂」包括具有黏著性之樹脂及具有接著性之樹脂兩者。例如，前述黏著性樹脂不僅包括樹脂本身具有黏著性之樹脂，亦包括藉由與添加劑等其他成分併用而顯示黏著性之樹脂、及藉由存在熱或水等觸發(trigger)而顯示接著性之樹脂等。
黏著劑層可由1層(單層)所構成，亦可由2層以上之多層所構成，於由多層所構成之情形時，這些多層相互可相同亦可不同，這些多層的組合並無特別限定。
黏著劑層的厚度並無特別限定，較佳為1μm至100μm，更佳為1μm至60μm，尤佳為1μm至30μm。 此處，所謂「黏著劑層的厚度」，意指黏著劑層整體的厚度，例如所謂由多層所構成之黏著劑層的厚度，意指構成黏著劑層之全部層的合計厚度。
黏著劑層可使用能量線硬化性黏著劑而形成，亦可使用非能量線硬化性黏著劑而形成。亦即，黏著劑層可為能量線硬化性及非能量線硬化性之任一種。能量線硬化性之黏著劑層能夠容易地調節該黏著劑層於硬化前及硬化後的物性。
黏著劑層可使用含有黏著劑之黏著劑組成物而形成。例如，於黏著劑層之形成對象面塗敷黏著劑組成物，視需要使之乾燥，藉此能夠於目標部位形成黏著劑層。黏著劑組成物中的常溫下不會氣化的成分彼此的含量之比率通常與黏著劑層中的前述成分彼此的含量之比率相同。
黏著劑組成物可利用與上述之接著劑組成物之情形相同的方法進行塗敷。
於黏著劑層為能量線硬化性之情形時，作為能量線硬化性之黏著劑組成物，例如可列舉以下之黏著劑組成物等：黏著劑組成物(I-1)，含有非能量線硬化性之黏著性樹脂(I-1a)(以下，有時簡稱為「黏著性樹脂(I-1a)」)及能量線硬化性化合物；黏著劑組成物(I-2)，含有於前述黏著性樹脂(I-1a)的側鏈導入有不飽和基之能量線硬化性之黏著性樹脂(I-2a)(以下，有時簡稱為「黏著性樹脂(I-2a)」)；黏著劑組成物(I-3)，含有前述黏著性樹脂(I-2a)及能量線硬化性化合物。
於黏著劑層為非能量線硬化性之情形時，作為非能量線硬化性之黏著劑組成物，例如可列舉含有前述黏著性樹脂(I-1a)之黏著劑組成物(I-4)等。
黏著劑組成物(I-1)至黏著劑組成物(I-4)等黏著劑組成物除調配成分不同之方面以外，可利用與上述之接著劑組成物之情形相同的方法進行製造。
其次，按照支撐片的每一種類，一邊參照圖式，一邊說明本實施形態的切割黏晶片的示例。
圖2係以示意方式表示本發明的一實施形態的切割黏晶片之剖視圖。 此外，於圖2以後的圖中，對與既已說明之圖所示相同的構成要素，標附與該已說明之圖之情形相同的符號，並省略該構成要素之詳細說明。
此處所示之切割黏晶片101具備支撐片10，於支撐片10上具備膜狀接著劑13。支撐片10僅由基材11所構成，換言之，切割黏晶片101具有於基材11的一面(本說明書中，有時稱為「第1面」)11a上積層有膜狀接著劑13之構成。另外，切割黏晶片101進而於膜狀接著劑13上具備剝離膜15。
切割黏晶片101中，於基材11的第1面11a積層有膜狀接著劑13，於膜狀接著劑13中之與具備基材11之側為相反側的面(本說明書中，有時稱為「第1面」)13a的一部分、亦即周緣部附近的區域積層有治具用接著劑層16，於膜狀接著劑13的第1面13a中未積層治具用接著劑層16之面、及治具用接著劑層16中未與膜狀接著劑13接觸之面16a(上表面及側面)積層有剝離膜15。 此處，基材11的第1面11a亦稱為支撐片10的第1面10a。
剝離膜15與圖1所示之第1剝離膜151或第2剝離膜152相同。
治具用接著劑層16例如可為含有接著劑成分之單層結構，亦可為於成為芯材之片的兩面積層有含有接著劑成分之層而成之多層結構。
切割黏晶片101係以移除剝離膜15之狀態，於膜狀接著劑13的第1面13a貼附半導體晶圓(省略圖示)的內面，進而將治具用接著劑層16的面16a中的上表面貼附於環形框架等治具而使用。
圖3係以示意方式表示本發明的另一實施形態的切割黏晶片之剖視圖。 此處所示之切割黏晶片102除不具備治具用接著劑層16之方面以外，與圖2所示之切割黏晶片101相同。亦即，切割黏晶片102中，於基材11的第1面11a(支撐片10的第1面10a)積層有膜狀接著劑13，於膜狀接著劑13的第1面13a的整面積層有剝離膜15。 換言之，切割黏晶片102係基材11、膜狀接著劑13及剝離膜15依序於這些層的厚度方向上積層而構成。
圖3所示之切割黏晶片102係與圖2所示之切割黏晶片101之情形同樣地，以移除剝離膜15之狀態，於膜狀接著劑13的第1面13a中的中央側的一部分區域貼附半導體晶圓(省略圖示)的內面，進而將膜狀接著劑13的周緣部附近的區域貼附於環形框架等治具而使用。
圖4係以示意方式表示本發明的又一實施形態的切割黏晶片之剖視圖。 此處所示之切割黏晶片103除了於基材11與膜狀接著劑13之間進而具備黏著劑層12之方面以外，與圖2所示之切割黏晶片101相同。支撐片10係基材11及黏著劑層12之積層體，切割黏晶片103亦具有於支撐片10的第1面10a上積層有膜狀接著劑13之構成。
切割黏晶片103中，於基材11的第1面11a積層有黏著劑層12，於黏著劑層12中之與基材11側為相反側的面(本說明書中，有時稱為「第1面」)12a的整面積層有膜狀接著劑13，於膜狀接著劑13的第1面13a的一部分、亦即周緣部附近的區域積層有治具用接著劑層16，於膜狀接著劑13的第1面13a中未積層治具用接著劑層16之面、及治具用接著劑層16中未與膜狀接著劑13接觸之面16a(上表面及側面)積層有剝離膜15。
圖4所示之切割黏晶片103係以移除剝離膜15之狀態，於膜狀接著劑13的第1面13a貼附半導體晶圓(省略圖示)的內面，進而將治具用接著劑層16的面16a中的上表面貼附於環形框架等治具而使用。
圖5係以示意方式表示本發明的又一實施形態的切割黏晶片之剖視圖。 此處所示之切割黏晶片104除不具備治具用接著劑層16，且膜狀接著劑的形狀不同之方面以外，與圖4所示之切割黏晶片103相同。亦即，切割黏晶片104具備基材11，於基材11上具備黏著劑層12，於黏著劑層12上具備膜狀接著劑23。支撐片10係基材11及黏著劑層12之積層體，切割黏晶片104亦具有於支撐片10的第1面10a上積層有膜狀接著劑23之構成。
切割黏晶片104中，於基材11的第1面11a積層有黏著劑層12，於黏著劑層12的第1面12a的一部分、亦即中央側的區域積層有膜狀接著劑23。並且，於黏著劑層12的第1面12a中未積層膜狀接著劑23之區域、及膜狀接著劑23中未與黏著劑層12接觸之面23a(上表面及側面)上積層有剝離膜15。
自切割黏晶片104之剝離膜15側的上方往下看而俯視切割黏晶片104時，膜狀接著劑23的表面積小於黏著劑層12的表面積，例如具有圓形狀等形狀。
圖5所示之切割黏晶片104係以移除剝離膜15之狀態，於膜狀接著劑23的面23a中的上表面貼附半導體晶圓(省略圖示)的內面，進而將黏著劑層12的第1面12a中未積層膜狀接著劑23之區域貼附於環形框架等治具而使用。
此外，圖5所示之切割黏晶片104中，亦可於黏著劑層12的第1面12a中未積層膜狀接著劑23之區域，與圖2及圖4所示之切割黏晶片同樣地積層治具用接著劑層(省略圖示)。此種具備治具用接著劑層之切割黏晶片104係與圖2及圖4所示之切割黏晶片之情形同樣地，將治具用接著劑層的面中的上表面貼附於環形框架等治具而使用。
圖6係以示意方式表示本發明的又一實施形態的切割黏晶片之剖視圖。 此處所示之切割黏晶片105具備由基材11所構成之支撐片10，於支撐片10(基材11)上具備膜狀接著劑23及治具用接著劑層16。切割黏晶片105具有於支撐片10的第1面10a上、亦即基材11的第1面11a上積層有膜狀接著劑23之構成。
切割黏晶片105於支撐片10的第1面10a的一部分(基材11的第1面11a的一部分)、亦即中央側的區域積層有膜狀接著劑23。進而，切割黏晶片105於支撐片10的第1面10a(基材11的第1面11a)中未積層膜狀接著劑23之膜狀接著劑23的周緣部附近的區域積層有治具用接著劑層16。並且，於治具用接著劑層16及膜狀接著劑23上積層有剝離膜15。
自切割黏晶片105之剝離膜15側的上方往下看而俯視切割黏晶片105時，膜狀接著劑23的表面積小於支撐片10(基材11)的表面積，例如具有圓形狀等形狀。支撐片10(基材11)及治具用接著劑層16亦可以與膜狀接著劑23成為同心圓之方式受到衝壓。
切割黏晶片105係將治具用接著劑層16的面中的上表面貼附於環形框架等治具而使用。
如此，無論支撐片及膜狀接著劑為何種形態，切割黏晶片均較佳為具備治具用接著劑層。作為具備治具用接著劑層之切割黏晶片，可為如圖2及圖4所示般於膜狀接著劑上具備治具用接著劑層之切割黏晶片，亦可為如圖6所示般於支撐片上的膜狀接著劑的周緣部附近的區域具備治具用接著劑層之切割黏晶片。
本實施形態的切割黏晶片並不限定於圖2至圖6所示之切割黏晶片，亦可在無損本發明的效果之範圍內，將圖2至圖6所示之切割黏晶片的一部分構成變更或刪除，或者對前文說明之切割黏晶片進而追加其他構成。
例如，圖2至圖6所示之切割黏晶片可將基材、黏著劑層、膜狀接著劑及剝離膜以外的層設置於任意部位。 另外，切割黏晶片中，亦可於剝離膜與直接接觸於該剝離膜之層之間產生一部分間隙。 另外，切割黏晶片中，各層的大小或形狀可根據目的任意調節。
◇膜狀接著劑及切割黏晶片的使用方法 本實施形態的膜狀接著劑及切割黏晶片可用以經過具膜狀接著劑之半導體晶片之製造來製造半導體封裝體及半導體裝置。
不具備支撐片之膜狀接著劑係於貼附於半導體晶圓的內面後，例如視需要移除剝離膜，於該露出面(換言之，與貼附於半導體晶圓之側為相反側的面。本說明書中，有時稱為「第2面」)貼附切割片。以此種方式獲得之切割片、膜狀接著劑及半導體晶圓依序於這些層的厚度方向上積層而構成之積層結構體之後係供給於公知的切割步驟。此外，切割片及膜狀接著劑之積層結構可視為切割黏晶片。
本說明書中，有時將如此由切割黏晶片或前述切割黏晶片與半導體晶圓所積層而構成之積層結構體稱為「第1積層結構體」。
藉由進行切割步驟，將半導體晶圓分割為多個半導體晶片，並且膜狀接著劑亦沿著半導體晶片的外周被切斷，從而獲得內面具備該切斷後的膜狀接著劑之多個半導體晶片(亦即，具膜狀接著劑之半導體晶片)。這些多個具膜狀接著劑之半導體晶片係於切割片上以整齊排列之狀態受到固定。
本說明書中，有時將如此多個具膜狀接著劑之半導體晶片於切割片或前述支撐片上以整齊排列之狀態固定之積層結構體稱為「第2積層結構體」。
另一方面，前述切割黏晶片已經具有作為切割黏晶片之結構。因此，於切割黏晶片貼附於半導體晶圓的內面之階段，獲得切割黏晶片(切割片、膜狀接著劑)及半導體晶圓依序於這些層的厚度方向上積層而構成之積層結構體(亦即，前述第1積層結構體)。後續，如上所述，利用與使用不具備支撐片之膜狀接著劑之情形相同的方法，進行切割步驟，藉此獲得包含多個具膜狀接著劑之半導體晶片之第2積層結構體。
半導體晶圓的切割方法可為公知的方法，並無特別限定。 作為半導體晶圓之較佳的切割方法，例如可列舉：使用刀片之方法(亦即刀片切割)、藉由雷射照射而進行之方法(亦即雷射切割)、藉由包含研磨劑之水之噴附而進行之方法(亦即水切割)等切入半導體晶圓之方法。
作為半導體晶圓的切割方法，亦可列舉此種切入半導體晶圓之方法以外的方法。 亦即，該方法中，首先，於半導體晶圓的內部設定分割預定部位，以該部位作為焦點，以朝該焦點聚焦之方式照射雷射光，藉此於半導體晶圓的內部形成改質層。半導體晶圓的改質層與半導體晶圓的其他部位不同，藉由照射雷射光而發生變質，強度變弱。因此，藉由對半導體晶圓施加力，而於半導體晶圓的內部的改質層產生沿半導體晶圓的雙面方向延伸之龜裂，成為半導體晶圓之分割(切斷)的起點。繼而，對半導體晶圓施加力，於前述改質層的部位分割半導體晶圓，製作半導體晶片。 例如形成有改質層之半導體晶圓可藉由沿相對於半導體晶圓的表面平行的方向進行擴展並施加力來分割。
但是，使用先前的膜狀接著劑，即便欲將形成有改質層之半導體晶圓與膜狀接著劑一起沿著前述改質層進行分割，亦無法切斷膜狀接著劑，無法進行拾取。 本發明的膜狀接著劑由於含有於主鏈具有環結構且玻璃轉移溫度(Tg)為140℃以上之樹脂(a)，故而具備本發明的膜狀接著劑之切割黏晶片尤其可較佳地用於此種伴隨形成改質層之半導體晶圓的切割方法。
於使用膜狀接著劑及切割黏晶片之任一者之情形時，所獲得之具膜狀接著劑之半導體晶片均在隨後自切割片或支撐片扯離而進行拾取，並藉由膜狀接著劑黏晶於基板的電路形成面。
將具膜狀接著劑之半導體晶片黏晶於基板的電路形成面之後，利用與先前法相同的方法，製造半導體封裝體及半導體裝置。例如，視需要於該黏晶後的半導體晶片進而積層1個以上之半導體晶片，並進行打線接合(wire bonding)。繼而，使膜狀接著劑熱硬化，進而藉由樹脂將所獲得之積層結構體整體密封。藉由經過這些步驟，而製作半導體封裝體。並且，使用該半導體封裝體而製作目標半導體裝置。
本實施形態的較佳的膜狀接著劑的使用方法具有以下之態樣。 「11」一種膜狀接著劑的使用方法，係將貼附於膜狀接著劑(含有於主鏈具有環結構且玻璃轉移溫度(Tg)為140℃以上之樹脂(a))之半導體晶圓與前述膜狀接著劑一起進行分割而用於製造具膜狀接著劑之半導體晶片。 「12」一種膜狀接著劑的使用方法，係將貼附於膜狀接著劑(含有於主鏈具有環結構且玻璃轉移溫度(Tg)為140℃以上之樹脂(a))且形成有改質層之半導體晶圓與前述膜狀接著劑一起沿著前述改質層進行分割而用於製造具膜狀接著劑之半導體晶片。 「13」如前述「11」或「12」所記載之膜狀接著劑的使用方法，係用於拾取前述具膜狀接著劑之半導體晶片之用途。 「14」如前述「11」至「13」中任一項所記載之膜狀接著劑的使用方法，其中相對於前述膜狀接著劑100質量%，前述樹脂(a)的含量為5質量%至20質量%。 「15」如前述「11」至「14」中任一項所記載之膜狀接著劑的使用方法，其中前述膜狀接著劑含有環氧樹脂(b1)。 「16」如前述「15」所記載之膜狀接著劑的使用方法，其中相對於前述膜狀接著劑100質量%，前述環氧樹脂(b1)的含量為30質量%至60質量%。 「17」如前述「15」或「16」所記載之膜狀接著劑的使用方法，其中膜狀接著劑含有熱硬化劑(b2)，且相對於前述膜狀接著劑100質量%，由前述環氧樹脂(b1)及前述熱硬化劑(b2)所構成之環氧系熱硬化性樹脂(b)的含量為60質量%至85質量%。 「18」如前述「11」至「17」中任一項所記載之膜狀接著劑的使用方法，其中前述膜狀接著劑的熔融黏度的起始檢測溫度為60℃以下。 「19」如前述「11」至「18」中任一項所記載之膜狀接著劑的使用方法，其中前述膜狀接著劑實質上不含丙烯酸樹脂。 [實施例]
以下，藉由具體的實施例對本發明更詳細地進行說明。但是，本發明完全不受限於以下所示之實施例。
[單體] 比較例中，簡稱之單體的正式名稱表示如下。 MA：丙烯酸甲酯 BA：丙烯酸正丁酯 HEA：丙烯酸2-羥基乙酯 GMA：甲基丙烯酸縮水甘油酯
[接著劑組成物的製造原料] 本實施例及比較例中，用於製造接著劑組成物之原料表示如下。
[樹脂(a)] (a)-1：聚芳酯(UNITIKA公司製造，UNIFINER(註冊商標)M-2040，重量平均分子量50000、玻璃轉移溫度220℃) (a)-2：末端OH基之低分子量聚芳酯(UNITIKA公司製造，UNIFINER(註冊商標)V-577，數量平均分子量2000、玻璃轉移溫度174℃) (a)-3：聚碳酸酯(帝人公司製造，TS-2020，重量平均分子量20000、玻璃轉移溫度160℃)
[其他樹脂(a)] (a0)-1：使BA(55質量份)、MA(10質量份)、HEA(15質量份)及GMA(20質量份)共聚而獲得之丙烯酸樹脂(重量平均分子量800000、玻璃轉移溫度-25℃)。
[環氧樹脂(b1)] (b1)-1：鄰甲酚酚醛清漆型環氧樹脂(日本化藥公司製造的「EOCN-102S，環氧當量205g/eq至217g/eq、軟化點55℃至77℃) (b1)-2：聯三伸苯型環氧樹脂(日本化藥公司製造的「EPPN-502H」，環氧當量167g/eq、軟化點54℃、分子量1200) (b1)-3：液狀二環戊二烯型環氧樹脂(ADEKA公司製造的「EP-4088L」，環氧當量165g/eq) (b1)-4：液狀雙酚A型環氧樹脂(三菱化學公司製造的「jER828」，環氧當量184g/eq至194g/eq) [熱硬化劑(b2)] (b2)-1：鄰甲酚型酚醛清漆樹脂(DIC公司製造的「Phenolite(註冊商標)KA-1160」，羥基當量117g/eq、軟化點80℃、通式(1)中的n：6至7) [硬化促進劑(c)] (c)-1：2-苯基-4,5-二羥基甲基咪唑(四國化成工業公司製造的「Curezol(註冊商標)2PHZ-PW」，微粉末、平均粒徑5μm、最大20μm、熔點137℃至147℃)
[填充材料(d)] (d)-1：經環氧基修飾之球狀二氧化矽(Admatechs公司製造的「Admanano(註冊商標)YA050C-MKK」，平均粒徑50nm) [偶合劑(e)] (e)-1：具有環氧基、甲基及甲氧基之低聚物型矽烷偶合劑(Shin-Etsu Silicones公司製造的「X-41-1056」，環氧當量280g/eq)
[實施例1] [膜狀接著劑之製造] [接著劑組成物之製造] 使樹脂(a)-1(11質量份)、環氧樹脂(b1)-1(7質量份)、環氧樹脂(b1)-2(20質量份)、環氧樹脂(b1)-3(21質量份)、熱硬化劑(b2)-1(32.5質量份)、硬化促進劑(c)-1(0.5質量份)、填充材料(d)-1(7.0質量份)、及偶合劑(e)-1(1.0質量份)溶解或分散於甲基乙基酮/甲苯之2/1(質量比)之混合溶媒中，並於23℃進行攪拌，藉此獲得上述之全部成分的合計濃度為50質量%之接著劑組成物。此外，此處所示之甲基乙基酮、甲苯以外的成分的調配量全部為不含溶媒成分之目標物的量。
[膜狀接著劑之製造] 準備聚對苯二甲酸乙二酯(PET)製膜的單面藉由聚矽氧處理進行了剝離處理之第1剝離膜(琳得科公司製造的「SP-PET382150」，厚度38μm)及第2剝離膜(琳得科公司製造的「SP-PET381031」，厚度38μm)。第1剝離膜及第2剝離膜係寬度395mm之長條狀，且捲繞成輥狀。於第1剝離膜的剝離處理面塗敷前述所獲得之接著劑組成物，於100℃加熱乾燥1分鐘，藉此形成厚度10μm之膜狀接著劑。於前述膜狀接著劑的露出面貼合第2剝離膜的剝離處理面，從而獲得第1剝離膜、膜狀接著劑及第2剝離膜依序積層而成之輥狀的膜狀接著劑片。
[衝床加工適性] 使用衝床加工裝置，將前述所獲得之膜狀接著劑片以衝壓第1剝離膜以外的層之方式進行平面衝床加工成為直徑330mm之圓形，並捲取成為無用部分之第2剝離膜及膜狀接著劑的圓形的外周部，確認有無捲取不良。 衝床加工裝置係使用琳得科公司製造的製品名：LPM300。
評價基準如下所述。 A：無捲取不良。 C：膜狀接著劑斷裂而有捲取不良。
[切割黏晶片之製造] 將經平面衝床加工之前述膜狀接著劑片中的圓形的第2剝離膜加以剝離，於圓形的膜狀接著劑的露出面貼合作為基材之寬度395mm之長條狀的聚乙烯製膜(GUNZE公司製造，FUNCRARE(註冊商標)LPD#80，厚度80μm)與環狀的治具用接著劑層之貼合品。藉此，獲得具治具用接著劑層之聚乙烯製膜(基材)、直徑330mm之圓形的膜狀接著劑及第1剝離膜依序於這些層的厚度方向上積層而構成的寬度395mm之輥狀的切割黏晶片。
其次，以衝壓基材及治具用接著劑層以與直徑330mm之圓形的膜狀接著劑成為同心圓之方式，進行平面衝床加工成為直徑370mm之圓形，並捲取成為無用部分之基材及治具用接著劑層的圓形的外周部，進行去除，從而獲得切割黏晶片。 此外，將進行衝床加工成為直徑345mm之圓形並去除了圓形片之治具用接著劑層(琳得科公司製造，AdwillG-01CPP-5MDF)貼合於聚乙烯製膜，來獲得前述具治具用接著劑層之聚乙烯製膜。
[膜狀接著劑之評價] [基材剝離力] 將前述所獲得之切割黏晶片切斷成25mm×250mm之矩形狀，移除剝離膜。使用於聚苯乙烯板所構成之硬質支撐體的表面貼附有雙面膠帶之物品，於該雙面膠帶層疊25mm×250mm之切割黏晶片之膜狀接著劑，於23℃、相對濕度50%之環境下，使2kg之橡膠輥於該層疊品上往返一次，藉此經由雙面膠帶將切割黏晶片貼附於硬質支撐體。繼而，將該貼附品於23℃、相對濕度50%之相同環境下放置30分鐘後，使用島津製作所股份有限公司製造的萬能拉伸試驗機AG-IS作為測定裝置，測定使切割黏晶片的基材自膜狀接著劑以300mm/分鐘之速度以180°之角度剝離時的剝離力(N/25mm)。結果示於表1。
[膜狀接著劑的熔融黏度的起始檢測溫度之測定(膜狀接著劑對基板之埋入性之評價)] 由前述所獲得之膜狀接著劑於室溫下立即製作直徑10mm、高度20mm之圓柱狀的試片。 於毛細管流變儀(島津製作所公司製造的「CFT-100D」)的測定部位設置該剛製作後的試片，一邊對試片施加50kgf(4.9MPa)之力，一邊使試片以升溫速度10℃/min自50℃升溫至120℃。然後，求出自設置於模具之直徑0.5mm、高度1.0mm之孔開始擠出試片時、亦即開始檢測試片的熔融黏度時的溫度(起始檢測溫度)(℃)。結果示於表1。
[半導體晶圓之加工] 針對厚度為750μm之8吋之矽晶圓，使用帶貼合機(琳得科公司製造的「RAD3510」)，貼附背面研磨帶(琳得科公司製造的「Adwill(註冊商標)E-3125KL」)。使用雷射切片機(DISCO公司製造的「DFL7361」)，於貼附有背面研磨帶之矽晶圓的內部以2.5mm×2.5mm之形狀形成改質層。繼而，使用研磨機(DISCO公司製造的「DFG8760」)，利用乾式拋光精加工將內面進行研磨，獲得厚度為30μm之已形成有改質層之矽晶圓(磨削步驟)。
[拾取適性] 移除前述所獲得之剛製造後的切割黏晶片的剝離膜。於常溫下立即使用帶貼合裝置(琳得科公司製造的「Adwill(註冊商標)RAD2500」)，將前述切割黏晶片藉由前述膜狀接著劑及治具用接著劑層貼附於已形成有改質層之矽晶圓(直徑12吋、厚度30μm)的內面(研磨面)及環形框架上。藉由以上步驟，獲得基材、膜狀接著劑及矽晶圓依序於這些層的厚度方向上積層而構成之第1積層結構體。其次，使用拾取裝置(Canon Machinery公司製造的「BESTEM-D02」)，藉由1頂銷頂起方式，於頂起量300μm、頂起速度20mm/秒之條件下，沿著改質層來切斷矽晶圓及膜狀接著劑(切斷步驟)。將48個矽晶片連同切斷後的膜狀接著劑自切割黏晶片的支撐片扯離(扯離步驟)，嘗試拾取，確認拾取適性。以下表示判定基準。 A：能夠拾取48個晶片之全部。 B：能夠拾取48個晶片中的1個至47個晶片。 C：無法拾取。
[黏晶適性] 然後，將所拾取之矽晶片藉由貼附於該矽晶片之切斷後的膜狀接著劑以120℃、1N、0.2秒之條件熱壓接於電路圖案基板。作為電路圖案基板，使用於覆銅箔之積層板(三菱瓦斯化學股份有限公司製造的CCL-HL832NX-A，銅箔的厚度：15μm)的銅箔形成有電路圖案且於圖案上具有阻焊劑(太陽油墨製造的PSR-4000 AUS308)之基板(Shiima Electronics股份有限公司製造的「SM15-031-10A」，基板尺寸：157.0mm×70.0mm×0.2mm)。以目視觀察進行了拾取及熱壓接作業之晶片，計數存在龜裂、缺損、亦即存在所謂晶裂(die crack)之晶片。將存在晶裂之晶片視為NG，按照以下之判定基準評價黏晶適性。 A：能夠拾取及熱壓接48晶片之全部。 B：能夠拾取及熱壓接48晶片中的1個至47個晶片。 C：48晶片中連1個晶片也無法拾取及熱壓接。
[膜狀接著劑之熱硬化物的接著力之測定] [具膜狀接著劑之矽晶片之製造] 移除前述所獲得之剛製造後的切割黏晶片的剝離膜，於常溫下立即使用帶貼合裝置(琳得科公司製造的「Adwill(註冊商標)RAD2500」)，將前述切割黏晶片藉由膜狀接著劑貼附於內面成為#2000研磨面之矽晶圓(直徑200mm、厚度75μm)的內面(研磨面)。藉由以上步驟，獲得基材、膜狀接著劑及矽晶圓依序於這些層的厚度方向上積層而構成之第1積層結構體。其次，將所獲得之第1積層結構體固定於晶圓切割用環形框架，使用切割裝置(DISCO股份有限公司製造的DFD6361)，於切割速度：30mm/s、轉速：30000rpm之條件下，切割成2mm×2mm之晶片尺寸。關於切割時的切入量，對基材利用切割刀片切入20μm(亦即，膜狀接著劑的厚度方向的整個區域、及自基材之膜狀接著劑側的面起算深度20μm之區域)，藉此進行切割。作為切割刀片，使用DISCO公司製造的「Z05-SD2000-D1-90 CC」。 藉由以上步驟，使用切割黏晶片來製造具膜狀接著劑之矽晶片群，該具膜狀接著劑之矽晶片群係具備矽晶片、及設置於前述矽晶片的內面之膜狀接著劑而構成之多個具膜狀接著劑之矽晶片藉由前述膜狀接著劑以整齊排列於基材上之狀態受到固定。
[第2試片之製作] 繼而，將具膜狀接著劑之矽晶片群中的具膜狀接著劑之矽晶片自基材扯離而進行拾取。然後，使用手動黏晶機(CAMMAX Precima公司製造的「EDB65」)，將該具膜狀接著劑之矽晶片中的膜狀接著劑的露出面(與矽晶片側為相反側的面)整面壓接於銅板(厚度500μm)的表面，藉此將具膜狀接著劑之矽晶片黏晶於前述銅板上。此時的黏晶係藉由下述方式進行：針對加熱至125℃之具膜狀接著劑之矽晶片，沿相對於該具膜狀接著劑之矽晶片與前述銅板之接觸面呈正交之方向上施加2.45N(250gf)之力3秒。 繼而，將黏晶後的銅板於160℃加熱1小時，藉此使該銅板上的膜狀接著劑熱硬化。 藉由以上步驟，製作銅板、膜狀接著劑之硬化物、及矽晶片依序於這些層的厚度方向上積層而構成之第2試片。
[膜狀接著劑之熱硬化物的接著力之測定] 使用接合試驗機(Dage公司製造的「Series 4000」)，對前述所獲得之第2試片中的膜狀接著劑之硬化物的側面與矽晶片的側面經對位之部位，同時沿相對於前述硬化物的一面呈平行的方向，以200μm/s之速度施加力。此時，作為用以施加力之按壓機構，使用不銹鋼製之平板狀的按壓機構，將按壓機構之銅板側的前端的位置調節為自銅板之搭載有矽晶片之側的表面起7μm之高度，藉此使得按壓機構接觸於銅板。然後，測定直至前述硬化物遭到破壞或前述硬化物自銅板剝離為止所施加之力的最大值，採用該測定值作為前述硬化物的接著力(N/2mm□)。結果示於表1。
[膜狀接著劑及切割黏晶片之製造、以及膜狀接著劑之評價] [實施例2至實施例4、比較例1] 以接著劑組成物的含有成分的種類及含量成為表1所示之方式，變更製造接著劑組成物時的調配成分的種類及調配量，除此方面以外，利用與實施例1之情形相同的方法，製造膜狀接著劑及切割黏晶片，利用與實施例1之情形相同的方法評價膜狀接著劑。結果示於表1。
此外，表1中的含有成分一欄記載為「-」時，表示接著劑組成物不含該成分。
[表1]
  實施例1 實施例2 實施例3 實施例4 比較例1
接著劑組成物的含有成分(質量份) 樹脂(a) (a)-1 11 - - 11 -
(a)-2 - 11 - - -
(a)-3 - - 11 - -
其他樹脂(a0) (a0)-1 - - - - 16
環氧樹脂(b1) (b1)-1 7 8 7 7 7
(b1)-2 20 21 20 20 20
(b1)-3 21 18 21 - 16
(b1)-4 - - - 21 -
熱硬化劑(b2) (b2)-1 32.5 33.5 32.5 32.5 32.5
硬化促進劑(c) (c)-1 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5
填充材料(d) (d)-1 7.0 7.0 7.0 7.0 7.0
偶合劑(e) (e)-1 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0
合計 100 100 100 100 100
環氧系熱硬化性樹脂(b) 80.5 80.5 80.5 80.5 75.5
液狀之環氧樹脂 21 18 21 21 16
評價結果 衝床加工適性 A A A A C
基材剝離力(N/25mm) 0.05 0.06 0.05 0.04 0.40
膜狀接著劑的熔融黏度的起始檢測溫度(℃) 53 51 51 73 67
拾取適性 A A A A C
黏晶適性 A A A B C
膜狀接著劑之熱硬化物的接著力(N/2mm□) 224 196 230 232 128
由前述結果可明顯看出，實施例1至實施例4之膜狀接著劑顯示優異的衝壓適性。另外，實施例1至實施例4之膜狀接著劑中，基材剝離力小，拾取適性良好。 實施例1至實施例3中，可確認到膜狀接著劑的熔融黏度的起始檢測溫度為51℃至53℃而略低，基板之埋入性良好。 實施例1至實施例4之膜狀接著劑中，黏晶適性更良好。實施例1至實施例4之膜狀接著中，熱硬化劑(b2)的軟化點為80℃，具膜狀接著劑之矽晶片黏晶於基板上之溫度為120℃，因此能夠良好地黏晶。另外，膜狀接著劑之熱硬化物的接著力為196N/2mm□至232N/2mm□而足夠高。 [產業可利用性]
本發明能夠用於製造半導體裝置。
8:按壓機構 9:第2試片 10:支撐片 10a:支撐片的第1面 11:基材 11a:基材的第1面 12:黏著劑層 12a:黏著劑層的第1面 13,23:膜狀接著劑 13a:膜狀接著劑的第1面 13b:膜狀接著劑的第2面 15:剝離膜 16:治具用接著劑層 16a:治具用接著劑層的上表面及側面 23a:膜狀接著劑的上表面及側面 90:膜狀接著劑之硬化物 90a:膜狀接著劑之硬化物的第1面 90b:膜狀接著劑之硬化物的第2面 90c:膜狀接著劑之硬化物的側面 91:銅板 92:矽晶片 92c:矽晶片的側面 101,102,103,104,105:切割黏晶片 151:第1剝離膜 152:第2剝離膜 P:力
[圖1]係以示意方式表示本發明的一實施形態的膜狀接著劑之剖視圖。 [圖2]係以示意方式表示本發明的一實施形態的切割黏晶片之剖視圖。 [圖3]係以示意方式表示本發明的另一實施形態的切割黏晶片之剖視圖。 [圖4]係以示意方式表示本發明的又一實施形態的切割黏晶片之剖視圖。 [圖5]係以示意方式表示本發明的又一實施形態的切割黏晶片之剖視圖。 [圖6]係以示意方式表示本發明的又一實施形態的切割黏晶片之剖視圖。 [圖7]係用於以示意方式說明本發明的一實施形態的膜狀接著劑之硬化物的接著力的測定方法之剖視圖。
13:膜狀接著劑
13a:膜狀接著劑的第1面
13b:膜狀接著劑的第2面
151:第1剝離膜
152:第2剝離膜

Claims (8)

  1. 一種膜狀接著劑，含有於主鏈具有環結構且玻璃轉移溫度(Tg)為140℃以上之樹脂(a)。
  2. 如請求項1所記載之膜狀接著劑，其中相對於前述膜狀接著劑100質量%，前述樹脂(a)的含量為5質量%至20質量%。
  3. 如請求項1或2所記載之膜狀接著劑，係含有環氧樹脂(b1)。
  4. 如請求項3所記載之膜狀接著劑，其中相對於前述膜狀接著劑100質量%，前述環氧樹脂(b1)的含量為30質量%至60質量%。
  5. 如請求項3或4所記載之膜狀接著劑，係含有熱硬化劑(b2)，且相對於前述膜狀接著劑100質量%，由前述環氧樹脂(b1)及前述熱硬化劑(b2)所構成之環氧系熱硬化性樹脂(b)的含量為60質量%至85質量%。
  6. 如請求項1至5中任一項所記載之膜狀接著劑，其中前述膜狀接著劑的熔融黏度的起始檢測溫度為60℃以下。
  7. 如請求項1至6中任一項所記載之膜狀接著劑，其中前述膜狀接著劑實質上不含丙烯酸樹脂。
  8. 如請求項1至7中任一項所記載之膜狀接著劑，係用於以下之用途：將貼附於前述膜狀接著劑且形成有改質層之半導體晶圓連同前述膜狀接著劑沿著前述改質層進行分割，並拾取所獲得之具膜狀接著劑之半導體晶片。
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