WO2022210087A1 - フィルム状接着剤、ダイシングダイボンディングシート、半導体装置の製造方法、フィルム状接着剤の使用、ダイシングダイボンディングシートの使用、及び、半導体ウエハのリワーク方法 - Google Patents

フィルム状接着剤、ダイシングダイボンディングシート、半導体装置の製造方法、フィルム状接着剤の使用、ダイシングダイボンディングシートの使用、及び、半導体ウエハのリワーク方法 Download PDF

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祐太郎 石井
渉 岩屋
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リンテック株式会社
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    • H01L21/52—Mounting semiconductor bodies in containers

Definitions

  • the present invention relates to a film-like adhesive, a dicing die bonding sheet, a method of manufacturing a semiconductor device, use of a film-like adhesive, use of a dicing die bonding sheet, and a method of reworking a semiconductor wafer.
  • a semiconductor chip is usually die-bonded to the circuit formation surface of a substrate with a film-like adhesive (sometimes referred to as a "die-bonding film") provided on its back surface. After that, one or more semiconductor chips are further laminated on this semiconductor chip as necessary, wire bonding is performed, and then the whole obtained is sealed with resin to fabricate a semiconductor package. Using this semiconductor package, a desired semiconductor device is manufactured.
  • a film-like adhesive sometimes referred to as a "die-bonding film”
  • a semiconductor chip having a film-like adhesive on its back surface is produced, for example, by dividing a semiconductor wafer having a film-like adhesive on its back surface and cutting the film-like adhesive.
  • a method for dividing a semiconductor wafer into semiconductor chips in this manner for example, a method of dicing a semiconductor wafer together with a film-like adhesive using a dicing blade is widely used.
  • the film-like adhesive before cutting is used as a dicing die-bonding sheet laminated and integrated with a support sheet used for fixing the semiconductor wafer during dicing.
  • the semiconductor chips having the cut film-like adhesive on their back surfaces are separated from the support sheet and picked up.
  • Patent Document 1 discloses a dicing die bonding sheet including a support sheet and a film-like adhesive provided on the support sheet.
  • the second layer on the semiconductor wafer side has adhesiveness and energy ray curability, and the adhesive strength between the cured product of the second layer and the silicon mirror wafer is disclosed to be 6 N/25 mm or more.
  • the process of manufacturing a semiconductor chip with a film-like adhesive includes the process of attaching a film-like adhesive to the back surface of a semiconductor wafer. Due to the sticking failure at this time, it may be necessary to peel off the film-like adhesive from the semiconductor wafer and reuse the remaining expensive semiconductor wafer. However, conventionally, in such a case, the film-like adhesive could not be peeled cleanly from the semiconductor wafer.
  • the present invention provides a film-like adhesive that can be cleanly peeled off from the semiconductor wafer even after being attached to the back surface of the semiconductor wafer, a dicing die bonding sheet comprising the same, and a method for manufacturing a semiconductor device using these. It is an object of the present invention to provide a method for using a film adhesive, a dicing die bonding sheet, and a method for reworking a semiconductor wafer.
  • thermosetting film adhesive comprising: The film adhesive contains an acrylic resin (a) having a carboxy group, After the film-like adhesive was attached to the #2000 polished surface of a silicon wafer, the peeling force when the film-like adhesive was peeled off from the silicon wafer at a peeling speed of 300 mm/min and a peeling angle of 180° was A film adhesive that is less than 1.4 N/25 mm. [2] The film adhesive according to [1], wherein the content of the acrylic resin (a) is 10 to 30% by mass with respect to 100% by mass of the film adhesive.
  • a dicing die bonding sheet comprising a support sheet and the film adhesive according to any one of [1] to [5] provided on one surface of the support sheet.
  • the support sheet comprises a support film having no pressure-sensitive adhesive layer on the side that comes into direct contact with the film-like adhesive, The dicing die bonding sheet according to [6], wherein the film adhesive is laminated on one surface of the support film in direct contact therewith.
  • [10] Use of the film adhesive according to any one of [1] to [5], a step of attaching the back surface of a semiconductor wafer to the film-like adhesive, and attaching a support sheet to the exposed surface of the film-like adhesive; a step of producing semiconductor chips by dividing the semiconductor wafer, and cutting the film adhesive along the divided portions of the semiconductor wafer to produce semiconductor chips with a film adhesive; a step of separating and picking up the semiconductor chip with the film-like adhesive from the support sheet; For use in a semiconductor device manufacturing method including a step of die-bonding the picked-up semiconductor chip with a film-like adhesive to a circuit forming surface of a substrate with a film-like adhesive in the semiconductor chip with a film-like adhesive.
  • a film-like adhesive that can be cleanly peeled off from a semiconductor wafer even if it is attached to the back surface of a semiconductor wafer once, a dicing die bonding sheet comprising the same, and the manufacture of a semiconductor device using these.
  • Methods, use of film adhesives, use of dicing die bonding sheets, and methods of reworking semiconductor wafers are provided.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing a dicing die bonding sheet according to one embodiment of the present invention
  • FIG. 4 is a cross-sectional view schematically showing a dicing die bonding sheet according to another embodiment of the present invention
  • FIG. 4 is a cross-sectional view schematically showing a dicing die bonding sheet according to still another embodiment of the present invention
  • It is a sectional view showing typically a part of manufacturing method of a semiconductor device concerning one embodiment of the present invention.
  • It is a sectional view showing typically a part of manufacturing method of a semiconductor device concerning one embodiment of the present invention.
  • It is a sectional view showing typically a part of manufacturing method of a semiconductor device concerning one embodiment of the present invention.
  • It is a sectional view showing typically a part of manufacturing method of a semiconductor device concerning one embodiment of the present invention.
  • It is a sectional view showing typically a part of manufacturing method of a semiconductor device concerning one embodiment of the present invention.
  • a film adhesive according to one embodiment of the present invention is a thermosetting film adhesive,
  • the film adhesive contains an acrylic resin (a) having a carboxy group, After the film-like adhesive was attached to the #2000 polished surface of a silicon wafer, the peeling force when the film-like adhesive was peeled off from the silicon wafer at a peeling speed of 300 mm/min and a peeling angle of 180° was It is less than 1.4N/25mm.
  • the film adhesive according to the embodiment contains the acrylic resin (a) having a carboxy group, so the polarity is relatively large.
  • the adhesion between the semiconductor wafer and the thermosetting film-like adhesive can be kept low because the film-like adhesive has a large polarity.
  • the peeling force between the film adhesive and the silicon wafer can be reduced, and once the film adhesive is attached to the back surface of the semiconductor wafer, the film adhesive can be peeled cleanly from the semiconductor wafer. that is, the reworkability of the semiconductor wafer can be improved.
  • the surface of the semiconductor wafer or semiconductor chip on which the circuit is formed is referred to as the "circuit-formed surface", and the surface opposite to the circuit-formed surface is referred to as the "back surface”.
  • a structure including a semiconductor chip and a film-like adhesive provided on its back surface is called a "semiconductor chip with a film-like adhesive”.
  • the surface of the substrate on which the circuit is formed is also referred to as the "circuit forming surface”. With the film adhesive of this embodiment, die bonding to the circuit forming surface of the substrate can be performed in a favorable state.
  • a semiconductor chip with a film-like adhesive manufactured using the film-like adhesive of the present embodiment is adhered (die-bonded) to the circuit forming surface of the substrate by the film-like adhesive therein. Furthermore, the film adhesive is finally heat cured. Therefore, the heat-cured film adhesive is required to have sufficient adhesive strength with respect to the object to be adhered.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing a film adhesive according to one embodiment of the present invention.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing a film adhesive according to one embodiment of the present invention.
  • the drawings used in the following description in order to make the features of the present invention easier to understand, there are cases where the main parts are enlarged for convenience, and the dimensional ratios of each component are the same as the actual ones. not necessarily.
  • the film-like adhesive 13 shown here is provided on the support sheet 13 to form a film-like adhesive sheet 131 .
  • the film-like adhesive 13 may consist of one layer (single layer) or may consist of two or more layers. They may be the same or different, and the combination of these multiple layers is not particularly limited. It is preferable that the film-like adhesive consist of one layer.
  • a plurality of layers may be the same or different
  • all layers may be the same, or all layers may be may be different, or only some of the layers may be the same
  • multiple layers are different from each other means that "at least one of the constituent material and thickness of each layer is different from each other means 'different'.
  • the thickness of the film adhesive is not particularly limited, it is preferably 1 to 50 ⁇ m, more preferably 3 to 40 ⁇ m, and particularly preferably 5 to 30 ⁇ m.
  • the thickness of the film-like adhesive is at least the lower limit, the initial adhesive strength of the film-like adhesive to the adherend (semiconductor wafer, semiconductor chip) becomes higher.
  • the thickness of the film-like adhesive is equal to or less than the upper limit, the film-like adhesive can be cut more easily in the semiconductor chip manufacturing process described later, and cut pieces derived from the film-like adhesive are generated. The amount can be further reduced.
  • the "thickness of the film adhesive” means the thickness of the entire film adhesive. means the total thickness of the layers of
  • the film adhesive can be formed using an adhesive composition containing constituent materials such as an acrylic resin (a) and a solvent.
  • a film adhesive can be formed on a target site by applying an adhesive composition to a surface on which a film adhesive is to be formed and drying it as necessary.
  • the content ratio of the components that do not vaporize at room temperature in the adhesive composition is usually the same as the content ratio of the components in the film adhesive.
  • the term "ordinary temperature” means a temperature at which no particular cooling or heating is applied, that is, a normal temperature.
  • Coating of the adhesive composition may be performed by a known method, for example, air knife coater, blade coater, bar coater, gravure coater, roll coater, roll knife coater, curtain coater, die coater, knife coater, screen coater. , Meyer bar coater, kiss coater and the like.
  • Drying conditions for the adhesive composition are not particularly limited, but when the adhesive composition contains a solvent to be described later, it is preferable to dry by heating.
  • the solvent-containing adhesive composition is preferably dried, for example, at 70 to 130° C. for 10 seconds to 5 minutes.
  • the ingredients of the film-like adhesive and the adhesive composition are described in detail below.
  • Acrylic resin (a) is not limited as long as it is an acrylic resin having a carboxy group.
  • the film-like adhesive containing the acrylic resin (a) even if the film-like adhesive is once attached to the back surface of the semiconductor wafer, it can be peeled cleanly from the semiconductor wafer. can be excellent in reworkability.
  • the polarity of the film-like adhesive can be increased compared to conventional film-like adhesives, thereby allowing non-polar groups to It is thought that excessive adhesion with the material film can be suppressed.
  • the composition of the acrylic resin (a) it is possible to easily improve the adhesiveness to the substrate of the thermoset product obtained by thermosetting the film-like adhesive.
  • the content of the structural unit having a carboxy group is preferably 0.5% by mass or more, more preferably 1.0% by mass or more, more preferably 1.5% by mass, based on 100% by mass of the resin (a). It is more preferably at least 2.0% by mass, and particularly preferably at least 2.0% by mass. 3.
  • the content of the structural unit having a carboxy group may be 4.5% by mass or less, or 4.0% by mass or less, relative to 100% by mass of the acrylic resin (a). It may be 5% by mass or less, or may be 3.0% by mass or less.
  • examples of the monomer of the structural unit having a carboxy group include acrylic acid, methacrylic acid, and itaconic acid.
  • monomers constituting the acrylic resin (a) include (meth)acrylic acid ester monomers and derivatives thereof.
  • alkyl (meth)acrylates having 1 to 18 carbon atoms in the alkyl group specifically methyl (meth)acrylate, ethyl (meth)acrylate, propyl (meth)acrylate, butyl (meth)acrylate, 2-ethylhexyl (Meth)acrylate and the like.
  • (meth)acrylates having a cyclic skeleton specifically cyclohexyl (meth)acrylate, benzyl (meth)acrylate, isobornyl (meth)acrylate, dicyclopentanyl (meth)acrylate, dicyclopentenyl (meth)acrylate, dicyclopentenyloxyethyl (meth)acrylate, imide (meth)acrylate and the like.
  • functional group-containing monomers include hydroxymethyl (meth) acrylate, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, etc. having a hydroxyl group; and glycidyl (meth) acrylate having an epoxy group. etc.
  • an acrylic polymer containing a structural unit having a hydroxyl group is preferable because it has good compatibility with the curable component described later.
  • the acrylic polymer may be copolymerized with vinyl acetate, acrylonitrile, styrene, or the like.
  • acrylonitrile is preferably not substantially contained from the viewpoint of environmental consideration.
  • the acrylic resin (a) may be a polymer component or oligomer component that can be regarded as being formed by a polymerization reaction of a polymerizable compound.
  • the acrylic resin (a) imparts film-forming properties, flexibility, etc. to the film-like adhesive, and also improves the adhesiveness (sticking property) to the bonding target such as a semiconductor chip.
  • the weight average molecular weight of the acrylic resin (a) is preferably 10,000 to 1,000,000, more preferably 200,000 to 800,000, even more preferably 400,000 to 800,000.
  • the adhesive composition and the acrylic resin (a) contained in the film-like adhesive may be of one type or two or more types, and when two or more types are used, the combination and ratio thereof can be arbitrarily selected.
  • the film adhesive of the present embodiment preferably has a content of the acrylic resin (a) of 10 to 30% by mass, more preferably 12 to 25% by mass, relative to 100% by mass of the film adhesive. is more preferable, and 14 to 20% by mass is particularly preferable.
  • a content of the acrylic resin (a) is at least the lower limit, the structure of the film-like adhesive becomes more stable, and the above effects are more likely to be exhibited, and the content of the acrylic resin (a) is at the upper limit.
  • the adhesiveness as a film-like adhesive becomes favorable by being below.
  • the film adhesive preferably contains a thermosetting component (b).
  • the thermosetting component (b) is a thermosetting component for thermosetting the film adhesive.
  • the thermosetting component (b) contained in the adhesive composition and the film-like adhesive may be of only one type, or may be of two or more types. and ratio can be selected arbitrarily.
  • thermosetting component (b) examples include epoxy thermosetting resins, polyimide resins, unsaturated polyester resins, and the like.
  • thermosetting component (b) is preferably an epoxy thermosetting resin comprising an epoxy resin (b1) and a thermosetting agent (b2).
  • the epoxy thermosetting resin contained in the adhesive composition and the film-like adhesive may be of only one kind, or may be of two or more kinds. Any ratio can be selected.
  • Epoxy resin (b1) examples include known ones, such as polyfunctional epoxy resins, biphenyl compounds, bisphenol A diglycidyl ether and hydrogenated products thereof, o-cresol novolak type epoxy resins, dicyclopentadiene type epoxy resins. Bifunctional or higher epoxy compounds such as resins, biphenyl type epoxy resins, bisphenol A type epoxy resins, bisphenol F type epoxy resins, and phenylene skeleton type epoxy resins can be mentioned.
  • the epoxy resin (b1) refers to a curable, that is, an uncured epoxy resin.
  • the number average molecular weight of the epoxy resin (b1) is not particularly limited, it is preferably 300 to 30000 from the viewpoint of the curability of the film adhesive and the strength and heat resistance of the thermoset of the film adhesive. , 400 to 10,000, and particularly preferably 500 to 3,000.
  • the epoxy equivalent of the epoxy resin (b1) is preferably 100-1000 g/eq, more preferably 150-800 g/eq.
  • the epoxy resin (b1) contained in the adhesive composition and the film-like adhesive may be of only one type, or may be of two or more types, and when there are two or more types, the combination and ratio thereof can be arbitrarily selected.
  • the content of the epoxy resin (b1) is preferably 40 to 65% by mass, more preferably 46 to 60% by mass, and 48 to 58% by mass with respect to 100% by mass of the film adhesive. is particularly preferred.
  • the epoxy resin (b1) may be an epoxy resin that is liquid at normal temperature or an epoxy resin that is solid at normal temperature.
  • the content of the liquid epoxy resin at room temperature is preferably 2 to 20% by mass, more preferably 3 to 18% by mass, based on 100% by mass of the film adhesive. more preferably 4 to 16% by mass.
  • the content of the epoxy resin that is liquid at room temperature is at least the lower limit value, die bonding to the circuit forming surface at low temperatures is facilitated, and the content of the epoxy resin (b1) is at most the upper limit value. Thereby, the shape stability of the film-like adhesive is improved.
  • the thermosetting agent (b2) is a curing agent for the epoxy resin (b1).
  • the combination of the epoxy resin (b1) and the thermosetting agent (b2) functions as an epoxy thermosetting resin (herein sometimes referred to as "epoxy thermosetting resin (b)").
  • the epoxy thermosetting resin (b) contained in the adhesive composition and the film-like adhesive may be of one type or two or more types, and when there are two or more types, their combination and ratio are arbitrary. can be selected to
  • thermosetting agent (b2) examples include compounds having two or more functional groups capable of reacting with epoxy groups in one molecule.
  • the functional group include a phenolic hydroxyl group, an alcoholic hydroxyl group, an amino group, a carboxyl group, and an anhydrided group of an acid group. is preferably a group, more preferably a phenolic hydroxyl group or an amino group.
  • thermosetting agents (b2) phenol-based curing agents having phenolic hydroxyl groups include, for example, polyfunctional phenolic resins, biphenols, novolac-type phenolic resins, dicyclopentadiene-type phenolic resins, aralkyl-type phenolic resins, and the like.
  • thermosetting agents (b2) amine-based curing agents having an amino group include, for example, dicyandiamide (DICY).
  • the thermosetting agent (b2) may have an unsaturated hydrocarbon group.
  • examples of the thermosetting agent (b2) having an unsaturated hydrocarbon group include, for example, a compound obtained by substituting a portion of the hydroxyl groups of a phenol resin with a group having an unsaturated hydrocarbon group; Examples thereof include compounds in which a group having a saturated hydrocarbon group is directly bonded.
  • the unsaturated hydrocarbon group in the thermosetting agent (b2) is the same as the unsaturated hydrocarbon group in the above epoxy resin having an unsaturated hydrocarbon group.
  • thermosetting agent (b2) When a phenol-based curing agent is used as the thermosetting agent (b2), the softening point or glass transition temperature of the thermosetting agent (b2) is high because it facilitates adjustment of the adhesive strength of the film adhesive. things are preferred.
  • thermosetting agent (b2) the number average molecular weight of resin components such as polyfunctional phenolic resins, novolac-type phenolic resins, dicyclopentadiene-type phenolic resins, and aralkyl-type phenolic resins is preferably 300 to 30,000. , 400 to 10,000, and particularly preferably 500 to 3,000.
  • the molecular weight of non-resin components such as biphenol and dicyandiamide is not particularly limited, but is preferably 60 to 500, for example.
  • the thermosetting agent (b2) is preferably an o-cresol type novolac resin represented by the following general formula (1).
  • n is an integer of 1 or more, and may be, for example, 2 or more, 4 or more, or 6 or more.
  • the upper limit of n is not particularly limited as long as the effects of the present invention are not impaired.
  • o-cresol type novolac resins in which n is 10 or less are easier to produce or obtain.
  • o-cresol-diyl groups (--C 6 H 4 (--OH) (--CH 3 )--) of methylene groups (--CH 2 --) connecting o-cresol-diyl groups -
  • the binding position to the diyl group is not particularly limited.
  • thermosetting agent (b2) As the thermosetting agent (b2), as is clear from the general formula (1), the carbon atom adjacent to the carbon atom to which the phenolic hydroxyl group is bonded in the phenolic resin (the carbon atom constituting the benzene ring skeleton It preferably has a structure in which a methyl group is bonded to an atom) and has steric hindrance in the vicinity of the phenolic hydroxyl group. It is presumed that the thermosetting agent (b2) has such steric hindrance, which suppresses its reactivity during storage.
  • the reaction of the component contained therein, for example, the curable component, during storage is suppressed, and the change in properties is suppressed.
  • thermosetting agent (b2) represented by the general formula (1) has such high storage stability and can be stored at room temperature.
  • the composition also has high storage stability and can be stored at room temperature.
  • thermosetting agent (b2) contained in the adhesive composition and the film-like adhesive may be of one type or two or more types, and when there are two or more types, the combination and ratio thereof can be arbitrarily selected. .
  • the content of the thermosetting agent (b2) is preferably 10 to 50% by mass, more preferably 15 to 45% by mass, and 20 to 40% by mass relative to 100% by mass of the film adhesive. % is particularly preferred.
  • the content of the thermosetting agent (b2) is at least the lower limit, curing of the film-like adhesive proceeds more easily.
  • the content of the thermosetting agent (b2) is equal to or less than the upper limit, the moisture absorption rate of the film-like adhesive is reduced, and the reliability of the semiconductor package obtained using the film-like adhesive is further improved. .
  • the content of the epoxy thermosetting resin (b) composed of the epoxy resin (b1) and the thermosetting agent (b2) is 60 to 85% by mass with respect to 100% by mass of the film adhesive. preferably 65 to 85% by mass, particularly preferably 65 to 80% by mass.
  • the content of the epoxy-based thermosetting resin (b) is at least the lower limit, the bondability is improved and the above effects are more likely to be exhibited, and the content of the thermosetting agent (b2) is at the upper limit. Storage stability is improved by being below.
  • the content of the thermosetting component (b) preferably exceeds 400 parts by mass, and is 410 parts by mass or more, relative to 100 parts by mass of the acrylic resin (a). is more preferably 420 parts by mass or more.
  • the content of the thermosetting component (b) may be 700 parts by mass or less, may be 600 parts by mass or less, or may be 500 parts by mass or less. There may be.
  • the softening point of the heat curing agent (b2) is, for example, 64 ° C. or higher and 130 ° C. or lower, 68 ° C. or higher and 130 ° C. or lower, 72 ° C. or higher and 130 ° C. or lower, and 76 ° C. or higher and 130 ° C. 60° C. or higher and 120° C. or lower; 60° C. or higher and 110° C. or lower; 60° C. or higher and 100° C. or lower; 120° C. or lower, 68° C. or higher and 110° C. or lower, 72° C. or higher and 100° C. or lower, or 76° C. or higher and 90° C. or lower.
  • the film-like adhesive containing acrylic resin (a) and epoxy thermosetting resin (b) preferably has thermosetting properties and also pressure-sensitive adhesive properties.
  • a film-like adhesive having both thermosetting and pressure-sensitive adhesive properties can be applied to various adherends by lightly pressing in an uncured state.
  • the film-like adhesive may be one that can be applied to various adherends by being heated and softened.
  • the film-like adhesive is finally cured into a thermoset product having high impact resistance, and this thermoset product can maintain sufficient adhesive properties even under severe high-temperature and high-humidity conditions.
  • the film-like adhesive in addition to the acrylic resin (a) and the epoxy-based thermosetting resin (b), the film-like adhesive further contains other components that do not fall under these, if necessary.
  • the film adhesive includes, for example, a curing accelerator (c), an inorganic filler (d), a coupling agent (e), an energy ray-curable resin (g), and a photopolymerization initiator. (h), general-purpose additives (i), and the like.
  • preferred other components include the curing accelerator (c) and the coupling agent (e).
  • the term "energy ray” means an electromagnetic wave or charged particle beam that has an energy quantum, and examples thereof include ultraviolet rays, radiation, electron beams, and the like.
  • Ultraviolet rays can be applied by using, for example, a high-pressure mercury lamp, a fusion lamp, a xenon lamp, a black light, an LED lamp, or the like as an ultraviolet light source.
  • the electron beam can be generated by an electron beam accelerator or the like.
  • energy ray-curable means the property of curing by irradiation with energy rays
  • non-energy ray-curable means the property of not curing even when irradiated with energy rays. do.
  • the curing accelerator (c) is a component for adjusting the curing speed of the adhesive composition and film adhesive.
  • Preferred curing accelerators (c) include, for example, tertiary amines such as triethylenediamine, benzyldimethylamine, triethanolamine, dimethylaminoethanol, tris(dimethylaminomethyl)phenol; 2-methylimidazole, 2-phenylimidazole.
  • 2-phenyl-4-methylimidazole 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole, 2-phenyl-4-methyl-5-hydroxymethylimidazole (one or more hydrogen atoms other than hydrogen atoms) imidazole substituted with a group); organic phosphines such as tributylphosphine, diphenylphosphine, triphenylphosphine (phosphines in which one or more hydrogen atoms are substituted with an organic group); tetraphenylphosphonium tetraphenylborate, triphenylphosphine Tetraphenylboron salts such as tetraphenylborate and the like are included.
  • organic phosphines such as tributylphosphine, diphenylphosphine, triphenylphosphine (phosphines in which one or more hydrogen atoms are substituted with an organic group)
  • the curing accelerator (c) contained in the adhesive composition and the film-like adhesive may be of one type or two or more types, and when there are two or more types, the combination and ratio thereof can be arbitrarily selected. .
  • the content of the curing accelerator (c) is equal to the content of the epoxy thermosetting resin (b) (that is, the epoxy resin ( It is preferably 0.01 to 5 parts by mass, more preferably 0.1 to 2 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the total content of b1) and the thermosetting agent (b2).
  • the content of the curing accelerator (c) is at least the lower limit, the effect of using the curing accelerator (c) can be obtained more remarkably.
  • the content of the curing accelerator (c) is equal to or less than the above upper limit, for example, the highly polar curing accelerator (c) is in contact with the adherend in the film adhesive under high temperature and high humidity conditions. The effect of suppressing migration to the adhesive interface side and segregation is increased, and the reliability of the semiconductor package obtained using the film-like adhesive is further improved.
  • the film adhesive can easily adjust its coefficient of thermal expansion. The reliability of the semiconductor package obtained using the film adhesive is further improved.
  • the inorganic filler (d) in the film-like adhesive it is possible to reduce the moisture absorption rate of the thermoset of the film-like adhesive and improve the heat dissipation.
  • Preferable inorganic fillers (d) include, for example, powders of silica, alumina, talc, calcium carbonate, titanium white, red iron oxide, silicon carbide, boron nitride; beads obtained by spheroidizing these inorganic fillers; surface-modified products; single-crystal fibers of these inorganic fillers; and glass fibers.
  • the inorganic filler (d) is preferably silica, alumina or surface-modified products thereof.
  • the average particle size of the inorganic filler (d) is not particularly limited, it is preferably 10 to 300 nm, more preferably 20 to 150 nm, even more preferably 30 to 100 nm.
  • the average particle size of the inorganic filler (d) is in such a range, the effect of using the inorganic filler (d) can be sufficiently obtained, and the storage stability of the film-like adhesive is higher.
  • the "average particle size” means the value of the particle size ( D50 ) at an integrated value of 50% in a particle size distribution curve obtained by a laser diffraction scattering method, unless otherwise specified. .
  • the inorganic filler (d) contained in the adhesive composition and the film-like adhesive may be of one type or two or more types, and when there are two or more types, the combination and ratio thereof can be arbitrarily selected. .
  • the ratio of the content of the inorganic filler (d) to the total content of all components other than the solvent in the adhesive composition i.e., the film adhesive in the film adhesive
  • the ratio of the content of the inorganic filler (d) to the total mass of the agent is preferably 2 to 15% by mass, more preferably 4 to 12% by mass, and 6 to 10% by mass. is particularly preferred.
  • the content of the inorganic filler (d) is within such a range, it becomes easier to adjust the coefficient of thermal expansion. However, in order to further reduce transfer defects, the content of the inorganic filler (d) should be as small as possible.
  • the ratio of the content of the inorganic filler (d) to the total content of all components other than the solvent (that is, in the film adhesive, the inorganic filler ( The content ratio of d) is preferably 0 to 2% by mass, more preferably 0 to 1% by mass, and particularly preferably substantially free of the inorganic filler (d).
  • Coupling agent (e) By containing the coupling agent (e), the film-like adhesive has improved adhesiveness and adhesion to the adherend. In addition, by containing the coupling agent (e) in the film-like adhesive, the thermoset product thereof has improved water resistance without impairing heat resistance. Coupling agent (e) has a functional group capable of reacting with an inorganic compound or an organic compound.
  • the coupling agent (e) is preferably a compound having a functional group capable of reacting with the functional group of the acrylic resin (a), the epoxy thermosetting resin (b), etc., and is a silane coupling agent. is more preferred.
  • Preferred silane coupling agents include, for example, 3-glycidyloxypropyltrimethoxysilane, 3-glycidyloxypropylmethyldiethoxysilane, 3-glycidyloxypropyltriethoxysilane, 3-glycidyloxymethyldiethoxysilane, 2- (3,4-epoxycyclohexyl)ethyltrimethoxysilane, 3-methacryloyloxypropyltrimethoxysilane, 3-aminopropyltrimethoxysilane, 3-(2-aminoethylamino)propyltrimethoxysilane, 3-(2-amino ethylamino)propylmethyldiethoxysilane, 3-(phen
  • the coupling agent (e) contained in the adhesive composition and the film-like adhesive may be of one type or two or more types, and when there are two or more types, the combination and ratio thereof can be arbitrarily selected. .
  • the content of the coupling agent (e) in the adhesive composition and film adhesive is the total content of the acrylic resin (a) and the epoxy thermosetting resin (b). It is preferably 0.03 to 20 parts by mass, more preferably 0.05 to 10 parts by mass, and particularly preferably 0.1 to 5 parts by mass based on 100 parts by mass.
  • the content of the coupling agent (e) is at least the lower limit, the dispersibility of the inorganic filler (d) in the resin is improved, and the adhesion of the film adhesive to the adherend is improved. etc., the effect of using the coupling agent (e) can be obtained more remarkably.
  • the content of the coupling agent (e) is equal to or less than the upper limit, outgassing is further suppressed.
  • the adhesive composition may contain a cross-linking agent (f) for cross-linking the above functional groups with other compounds.
  • a cross-linking agent (f) for cross-linking the above functional groups with other compounds.
  • cross-linking agent (f) examples include an organic polyvalent isocyanate compound, an organic polyvalent imine compound, a metal chelate-based cross-linking agent (a cross-linking agent having a metal chelate structure), an aziridine-based cross-linking agent (a cross-linking agent having an aziridinyl group), and the like. is mentioned.
  • organic polyisocyanate compounds examples include aromatic polyisocyanate compounds, aliphatic polyisocyanate compounds and alicyclic polyisocyanate compounds (hereinafter collectively referred to as "aromatic polyisocyanate compounds, etc.”). trimers, isocyanurates and adducts of the aromatic polyvalent isocyanate compounds; terminal isocyanate urethane prepolymers obtained by reacting the aromatic polyvalent isocyanate compounds and the like with polyol compounds. etc.
  • the "adduct” is a mixture of the aromatic polyisocyanate compound, the aliphatic polyisocyanate compound or the alicyclic polyisocyanate compound and a low molecular weight compound such as ethylene glycol, propylene glycol, neopentyl glycol, trimethylolpropane or castor oil. It means a reactant with a compound containing molecularly active hydrogen. Examples of the adduct include a xylylene diisocyanate adduct of trimethylolpropane as described later.
  • terminal isocyanate urethane prepolymer means a prepolymer having urethane bonds and an isocyanate group at the end of the molecule.
  • the organic polyvalent isocyanate compound includes, for example, 2,4-tolylene diisocyanate; 2,6-tolylene diisocyanate; 1,3-xylylene diisocyanate; 1,4-xylylene diisocyanate; diphenylmethane-4 ,4'-diisocyanate; diphenylmethane-2,4'-diisocyanate; 3-methyldiphenylmethane diisocyanate; hexamethylene diisocyanate; isophorone diisocyanate; dicyclohexylmethane-4,4'-diisocyanate; Compounds in which one or more of tolylene diisocyanate, hexamethylene diisocyanate and xylylene diisocyanate are added to all or part of the hydroxyl groups of polyols such as propane; lysine diisocyanate and the like.
  • organic polyvalent imine compound examples include N,N'-diphenylmethane-4,4'-bis(1-aziridinecarboxamide), trimethylolpropane-tri- ⁇ -aziridinylpropionate, and tetramethylolmethane.
  • -tri- ⁇ -aziridinylpropionate, N,N'-toluene-2,4-bis(1-aziridinecarboxamide) triethylene melamine, and the like.
  • the cross-linking agent (f) When using an organic polyvalent isocyanate compound as the cross-linking agent (f), it is preferable to use a hydroxyl group-containing polymer as the acrylic resin (a).
  • a hydroxyl group-containing polymer When the cross-linking agent (f) has an isocyanate group and the acrylic resin (a) has a hydroxyl group, the reaction between the cross-linking agent (f) and the acrylic resin (a) can easily introduce a cross-linked structure into the film adhesive. can.
  • the cross-linking agent (f) contained in the adhesive composition and the film-like adhesive may be of one type or two or more types, and when there are two or more types, their combination and ratio can be arbitrarily selected.
  • the content of the cross-linking agent (f) is preferably 0 to 5 parts by mass, more preferably 0.1 to 3 parts by mass, with respect to 100 parts by mass of the acrylic resin (a). It is more preferably 0.2 to 1 part by mass.
  • the content of the cross-linking agent (f) is at least the lower limit, the effect of using the cross-linking agent (f) can be obtained more remarkably.
  • the content of the cross-linking agent (f) is equal to or less than the upper limit, the storage stability of the film-like adhesive becomes higher.
  • the adhesive composition and film adhesive may contain an energy ray-curable resin (g). Since the film-like adhesive contains the energy ray-curable resin (g), its properties can be changed by irradiation with energy rays.
  • the general-purpose additive (i) may be a known one, can be arbitrarily selected according to the purpose, and is not particularly limited.
  • Preferred general-purpose additives (i) include, for example, plasticizers, antistatic agents, antioxidants, colorants (dyes, pigments), gettering agents, and the like.
  • the general-purpose additive (i) contained in the adhesive composition and the film-like adhesive may be of one type or two or more types, and when there are two or more types, the combination and ratio thereof can be arbitrarily selected. .
  • the content of the general-purpose additive (i) in the adhesive composition and film-like adhesive is not particularly limited, and may be appropriately selected according to the purpose.
  • the adhesive composition preferably further contains a solvent.
  • An adhesive composition containing a solvent has good handleability.
  • the solvent is not particularly limited, preferred examples include hydrocarbons such as toluene and xylene; alcohols such as methanol, ethanol, 2-propanol, isobutyl alcohol (2-methylpropan-1-ol), and 1-butanol.
  • esters such as ethyl acetate; ketones such as acetone and methyl ethyl ketone; ethers such as tetrahydrofuran; amides (compounds having an amide bond) such as dimethylformamide and N-methylpyrrolidone;
  • the solvent contained in the adhesive composition may be of one type or two or more types, and when two or more types are used, the combination and ratio thereof can be arbitrarily selected.
  • the solvent contained in the adhesive composition is preferably toluene, methyl ethyl ketone, or the like, since the components contained in the adhesive composition can be more uniformly mixed.
  • An adhesive composition is obtained by blending each component for constituting the adhesive composition. There are no particular restrictions on the order of addition of each component when blending, and two or more components may be added at the same time.
  • the solvent may be mixed with any compounding component other than the solvent and used by diluting this compounding component in advance, or any compounding component other than the solvent may be diluted in advance. You may use by mixing a solvent with these compounding ingredients, without preserving.
  • the method of mixing each component at the time of blending is not particularly limited, and may be selected from known methods such as a method of mixing by rotating a stirrer or a stirring blade; a method of mixing using a mixer; a method of mixing by applying ultrasonic waves. It can be selected as appropriate.
  • the temperature and time at which each component is added and mixed are not particularly limited as long as each compounded component does not deteriorate, and may be adjusted as appropriate, but the temperature is preferably 15 to 30°C.
  • a dicing die bonding sheet comprises a support sheet and the film-like adhesive of the above embodiment provided on one surface of the support sheet.
  • the dicing die bonding sheet provided with such a support sheet is a film adhesive on the side opposite to the side provided with the support sheet (in this specification, it may be referred to as the "first side"). ) is attached to the back surface of the semiconductor wafer and used.
  • the support sheet has a function of fixing the semiconductor wafer during dicing and supporting the film-like adhesive, and fixes the semiconductor wafer via the film-like adhesive during dicing.
  • the support sheet may have a pressure-sensitive adhesive layer on a substrate.
  • the support sheet is preferably made of a support film that does not have a pressure-sensitive adhesive layer on the side that comes into direct contact with the film-like adhesive.
  • the support film may consist of one layer (single layer), or may consist of two or more layers. When the support film is composed of multiple layers, the constituent materials and thicknesses of these multiple layers may be the same or different, and the combination of these multiple layers is not particularly limited as long as the effects of the present invention are not impaired.
  • the support film preferably consists of one layer.
  • the support film is sheet-like or film-like, and its constituent material includes, for example, various resins.
  • the resin include polyolefins such as low-density polyethylene (LDPE), linear low-density polyethylene (LLDPE), high-density polyethylene (HDPE), polypropylene, polybutene, polybutadiene, polymethylpentene, and norbornene resin; ethylene-vinyl acetate Ethylene-based copolymers such as copolymers, ethylene-(meth)acrylic acid copolymers, ethylene-(meth)acrylic acid ester copolymers, ethylene-norbornene copolymers (obtained using ethylene as a monomer copolymers); vinyl chloride resins such as polyvinyl chloride and vinyl chloride copolymers (resins obtained using vinyl chloride as a monomer); polystyrene; polycycloolefins; polyethylene terephthalate, polyethylene n
  • the polymer alloy of the polyester and the resin other than polyester is preferably one in which the amount of the resin other than the polyester is relatively small.
  • the resin for example, a crosslinked resin in which one or more of the resins exemplified above are crosslinked; Also included are resins.
  • the resin constituting the support film may be of only one type, or may be of two or more types, and in the case of two or more types, the combination and ratio thereof may be arbitrarily selected.
  • the thickness of the support film is preferably 50-300 ⁇ m, more preferably 60-150 ⁇ m.
  • the thickness of the support film is within such a range, the flexibility of the dicing die bonding sheet and the adhesion to the semiconductor wafer or semiconductor chip are further improved.
  • the "thickness of the support film” means the thickness of the entire support film. means.
  • the support film has a high thickness accuracy, that is, the thickness variation is suppressed regardless of the part.
  • materials that can be used to form such a support film with high thickness accuracy include polyolefin, polyethylene terephthalate, ethylene-vinyl acetate copolymer, and the like. is preferred.
  • the support film contains various known additives such as fillers, colorants, antistatic agents, antioxidants, organic lubricants, catalysts, softeners (plasticizers), etc., in addition to the main constituent materials such as the above resins.
  • additives such as fillers, colorants, antistatic agents, antioxidants, organic lubricants, catalysts, softeners (plasticizers), etc.
  • the support film may be transparent or opaque, colored depending on the purpose, or may be vapor-deposited with other layers.
  • the support film is subjected to roughening treatment by sandblasting, solvent treatment, etc., corona discharge treatment, electron beam irradiation treatment, plasma treatment, etc. Treatment, ozone/ultraviolet irradiation treatment, flame treatment, chromic acid treatment, oxidation treatment such as hot air treatment, etc. may be applied to the surface.
  • the support film may have a primer-treated surface.
  • the support film is an antistatic coating layer; a layer that prevents the support film from adhering to other sheets or the support film from adhering to the adsorption table when the dicing die bonding sheets are superimposed and stored; may have
  • the support film can be manufactured by a known method.
  • a support film containing a resin can be produced by molding a resin composition containing the resin.
  • the dicing die-bonding sheet preferably has a support film peeling force within an appropriate range in order to improve pick-up properties.
  • the peeling force between the film adhesive and the support film varies depending on the material of the film adhesive and the material of the support film in contact therewith.
  • the peel force between the film adhesive and the support film can be measured as follows. A dicing die bonding sheet is prepared by cutting it into a rectangular shape of 25 mm ⁇ 250 mm.
  • a hard support made of a polystyrene plate with a double-sided tape attached to its surface was used, and a film-like adhesive of a dicing die bonding sheet of 25 mm ⁇ 250 mm was superimposed on the double-sided tape, and the temperature was maintained at 23°C and a relative humidity of 50%.
  • a rubber roller weighing 2 kg is reciprocated once over the superimposed one under the environment to adhere the dicing die bonding sheet to the hard support via the double-sided tape.
  • a universal tensile tester AG-IS manufactured by Shimadzu Corporation was used as a measuring device to support the dicing die bonding sheet.
  • the peel force (N/25 mm) is measured when the film is peeled from the film-like adhesive at a peel speed of 300 mm/min and at a peel angle of 180°.
  • the support film peeling force measured in this manner is preferably 0.01 to 0.2 N/25 mm, more preferably 0.06 to 0.18 N/25 mm, and more preferably 0.10 to 0.18 N/25 mm. 16 N/25 mm is particularly preferred.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing a dicing die bonding sheet according to one embodiment of the present invention.
  • the dicing die bonding sheet 101 shown here has a support film 11 and a film adhesive 13 on the support film 11 .
  • the support film 11 consists of only a single layer and does not have a pressure-sensitive adhesive layer on the side that comes into direct contact with the film-like adhesive.
  • the dicing die bonding sheet 101 is laminated by directly contacting the film adhesive 13 on one surface 11a of the support film 11 (in this specification, sometimes referred to as the “first surface”). configuration.
  • the dicing die bonding sheet 101 further has a release film 15 on the film adhesive 13 .
  • the film adhesive 13 is laminated on the first surface 11a of the support film 11, and the surface of the film adhesive 13 opposite to the side provided with the support film 11 (this specification In the book, the jig adhesive layer 16 is laminated on a part of the 13a (which may be referred to as the "first surface"), that is, the area near the peripheral edge, and the first surface 13a of the film adhesive 13 Of these, the release film 15 is provided on the surface on which the jig adhesive layer 16 is not laminated and on the surface 16a (upper surface and side surface) of the jig adhesive layer 16 that is not in contact with the film adhesive 13. Laminated.
  • the jig adhesive layer 16 may have, for example, a single-layer structure containing an adhesive component, or a multi-layer structure in which layers containing an adhesive component are laminated on both sides of a sheet serving as a core material. There may be.
  • the back surface of a semiconductor wafer (not shown) is attached to the first surface 13a of the film-like adhesive 13 in a state in which the release film 15 is removed.
  • the upper surface of the surface 16a of is attached to a jig such as a ring frame for use.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing a dicing die bonding sheet according to another embodiment of the present invention.
  • the dicing die-bonding sheet 102 shown here is the same as the dicing die-bonding sheet 101 shown in FIG. 2 except that the jig adhesive layer 16 is not provided. That is, in the dicing die bonding sheet 102, the film adhesive 13 is laminated on the first surface 11a of the support film 11, and the release film 15 is laminated on the entire first surface 13a of the film adhesive 13. .
  • the dicing die bonding sheet 102 is constructed by laminating the support film 11, the film adhesive 13 and the release film 15 in this order in the thickness direction.
  • the dicing die bonding sheet 102 shown in FIG. The back surface of a semiconductor wafer (not shown) is attached to a part of the side area, and the area near the peripheral edge of the film adhesive 13 is attached to a jig such as a ring frame for use.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view schematically showing a dicing die bonding sheet according to still another embodiment of the present invention.
  • the dicing die-bonding sheet 103 shown here has a support film 11 and a film-like adhesive 23 and a jig adhesive layer 16 on the support film 11 .
  • the dicing die bonding sheet 103 has a configuration in which a film adhesive 23 is laminated on the first surface 11 a of the support film 11 .
  • the dicing die-bonding sheet 103 has a film-like adhesive 23 laminated on a part of the first surface 11a of the support film 11, that is, the central region. Furthermore, the dicing die-bonding sheet 103 has a jig adhesive layer on the first surface 11a of the support film 11, in a region near the periphery of the film-like adhesive 23 where the film-like adhesive 23 is not laminated. 16 are stacked. A release film 15 is laminated on the jig adhesive layer 16 and the film adhesive 23 .
  • the film adhesive 23 has a smaller surface area than the support film 11 and has a circular shape, for example.
  • the support film 11 and the jig adhesive layer 16 may be punched out so as to form concentric circles with the film adhesive 23 .
  • the dicing die bonding sheet 103 is used with the upper surface of the jig adhesive layer 16 attached to a jig such as a ring frame.
  • the dicing die-bonding sheet is preferably provided with a jig adhesive layer regardless of the forms of the support film and the film-like adhesive.
  • a dicing die bonding sheet provided with a jig adhesive layer as shown in FIG. 2, a sheet having a jig adhesive layer on a film adhesive may be used.
  • a jig adhesive layer may be provided on the support film in the vicinity of the periphery of the film-like adhesive.
  • the dicing die bonding sheet of the present embodiment is not limited to those shown in FIGS. 2 to 4, and part of the configuration shown in FIGS. 2 to 4 is changed or deleted within a range that does not impair the effects of the present invention. , or may be a configuration in which other configurations are added to those described so far.
  • a partial gap may be formed between the release film and the layer in direct contact with the release film.
  • the size and shape of each layer can be arbitrarily adjusted according to the purpose.
  • the method for manufacturing a semiconductor device of this embodiment includes attaching the back surface of a semiconductor wafer to the film-like adhesive of the above-described embodiment, and further attaching a support sheet to the exposed surface of the film-like adhesive, or A step of attaching the back surface of the semiconductor wafer to the exposed surface of the film adhesive of the dicing die bonding sheet of the embodiment; a step of producing semiconductor chips by dividing the semiconductor wafer, and cutting the film adhesive along the divided portions of the semiconductor wafer to produce semiconductor chips with a film adhesive; a step of separating and picking up the semiconductor chip with the film-like adhesive from the support sheet; A step of die-bonding the picked-up semiconductor chip with a film-like adhesive to a circuit forming surface of a substrate with a film-like adhesive in the semiconductor chip with a film-like adhesive.
  • Step of attaching back surface of semiconductor wafer to film adhesive In the step of attaching the back surface of the semiconductor wafer to the exposed surface of the film-like adhesive, for example, the back surface of the semiconductor wafer is attached to the film-like adhesive of the above-described embodiment, and the exposed surface of the film-like adhesive is By attaching the support sheet, the semiconductor wafer, the film-like adhesive, and the support sheet are laminated in this order in the thickness direction to produce a laminated body.
  • This step is a conventional method of attaching a film-like adhesive to the back surface of a semiconductor wafer, except that the film-like adhesive according to one embodiment of the present invention is used in place of the conventional film-like adhesive. can be done in the same way as
  • the step of attaching the back surface of the semiconductor wafer to the exposed surface of the film-like adhesive for example, the surface of the film-like adhesive in the dicing die bonding sheet of the above-described embodiment opposite to the support sheet side (that is, the first surface) is attached to the back surface of the semiconductor wafer, whereby the semiconductor wafer, the film-like adhesive, and the support sheet are laminated in this order in the thickness direction.
  • a laminated body may be produced.
  • This step is a conventional method of attaching a dicing die bonding sheet to the back surface of a semiconductor wafer, except that the dicing die bonding sheet according to one embodiment of the present invention is used instead of the conventional dicing die bonding sheet. can be done in the same way as
  • the order of dividing the semiconductor wafer in the laminate (fabrication of semiconductor chips) and cutting the film-like adhesive in the laminate is particularly It is not limited, and may be performed in the order of dividing the semiconductor wafer and cutting the film adhesive, or may be performed in the order of cutting the film adhesive and dividing the semiconductor wafer, or dividing the semiconductor wafer and cutting the film. Cutting of the adhesive may be performed at the same time. Further, when the division of the semiconductor wafer and the cutting of the film-like adhesive are not performed at the same time, the division of the semiconductor wafer and the cutting of the film-like adhesive may be performed continuously or stepwise. good too.
  • Both the division of the semiconductor wafer and the cutting of the film-like adhesive can be performed by known methods.
  • dicing such as blade dicing, laser dicing by laser irradiation, or water dicing by spraying water containing an abrasive can continuously divide the semiconductor wafer and cut the film-like adhesive.
  • this is an example of a method of dividing a semiconductor wafer and a method of cutting a film adhesive.
  • the film-like adhesive is cut along the part where the semiconductor wafer is to be divided. It is carried out along the edge of the semiconductor chip.
  • the cutting of the film-like adhesive should be performed at the planned dividing portion of the semiconductor wafer. do along.
  • a semiconductor chip with a film adhesive In the step of producing a semiconductor chip with a film adhesive, a plurality of semiconductors with a film adhesive, each having a semiconductor chip and the film adhesive provided on the back surface of the semiconductor chip after being cut.
  • a semiconductor chip assembly with a film-like adhesive is produced, in which the chips are held on the support sheet.
  • the semiconductor chip assembly with a film-like adhesive a plurality of semiconductor chips with a film-like adhesive are held (fixed) in alignment on the single support sheet constituting the dicing die bonding sheet. ).
  • the semiconductor chip with film adhesive in the semiconductor chip assembly with film adhesive can be separated from the support sheet and picked up by a known method.
  • the film adhesive can be obtained.
  • the semiconductor chip with the film-like adhesive after being picked up can be die-bonded to the circuit forming surface of the substrate with the film-like adhesive therein.
  • the semiconductor package and semiconductor device can be manufactured by the same method as the conventional method. For example, if necessary, after stacking one or more semiconductor chips on the die-bonded semiconductor chip, wire bonding is performed. Next, the film-like adhesive is heat-cured, and the whole obtained is sealed with a resin. Through these steps, a semiconductor package can be produced. Using this semiconductor package, a desired semiconductor device can be manufactured.
  • 5A to 5D are cross-sectional views for schematically explaining the method for manufacturing a semiconductor device according to this embodiment.
  • a manufacturing method using the dicing die bonding sheet 101 shown in FIG. 2 is shown.
  • FIG. 5A shows a laminate 119A obtained in the sticking step.
  • 119 A of laminated bodies are equipped with the semiconductor wafer 9 and the dicing die-bonding sheet
  • FIG. 5B shows a semiconductor chip assembly 119B with a film-like adhesive obtained in the process of producing a semiconductor chip with a film-like adhesive.
  • the semiconductor chip assembly 119B with film-like adhesive includes a plurality of film-like adhesives including semiconductor chips 9' and film-like adhesives 130 after cutting provided on the back surfaces 9b' of the semiconductor chips 9'.
  • a semiconductor chip 139' with an agent is held on the support film 11 and configured.
  • FIG. 5C shows a state in which the semiconductor chip 139′ with the film-like adhesive is separated from the support film 11 in the direction of the arrow I by using the separating means 7 and picked up.
  • a vacuum collet or the like can be used as the separating means 7 .
  • the separating means 7 is not shown in cross section.
  • the semiconductor chip 9' is die-bonded to the circuit forming surface 5a of the substrate 5 with a film adhesive 130 in the die-bonding step.
  • 5A to 5D show a method of manufacturing a semiconductor device using the dicing die bonding sheet 101, but the same can be obtained by using other dicing die bonding sheets 102 to 103 and the like. .
  • the use of the film-like adhesive of this embodiment includes the steps of attaching the back surface of a semiconductor wafer to the film-like adhesive of the above-described embodiment, and further attaching a support sheet to the exposed surface of the film-like adhesive; a step of producing semiconductor chips by dividing the semiconductor wafer, and cutting the film adhesive along the divided portions of the semiconductor wafer to produce semiconductor chips with a film adhesive; a step of separating and picking up the semiconductor chip with the film-like adhesive from the support sheet;
  • a semiconductor device manufacturing method including a step of die-bonding the picked-up semiconductor chip with a film-like adhesive to a circuit forming surface of a substrate with a film-like adhesive in the semiconductor chip with a film-like adhesive. Another is the use of film-like adhesives.
  • Each step in using the film-like adhesive of this embodiment is the same as each step in the method of manufacturing a semiconductor device of the above-described embodiment.
  • the use of the dicing die bonding sheet of the present embodiment includes the step of attaching the back surface of a semiconductor wafer to the exposed surface of the film-like adhesive of the dicing die bonding sheet of the above-described embodiment; a step of producing semiconductor chips by dividing the semiconductor wafer, and cutting the film adhesive along the divided portions of the semiconductor wafer to produce semiconductor chips with a film adhesive; a step of separating and picking up the semiconductor chip with the film-like adhesive from the support sheet;
  • a semiconductor device manufacturing method including a step of die-bonding the picked-up semiconductor chip with a film-like adhesive to a circuit forming surface of a substrate with a film-like adhesive in the semiconductor chip with a film-like adhesive.
  • Each step in using the dicing die bonding sheet of this embodiment is the same as each step in the method of manufacturing a semiconductor device of the above-described embodiment.
  • the semiconductor wafer rework method of the present embodiment includes attaching the back surface of the semiconductor wafer to the film-like adhesive of the above-described embodiment, or the exposed surface of the film-like adhesive of the dicing die bonding sheet of the above-described embodiment. A step of attaching the back surface of the semiconductor wafer to A step of peeling the film-like adhesive from the semiconductor wafer is included.
  • Step of attaching back surface of semiconductor wafer to film adhesive In the step of attaching the back surface of the semiconductor wafer to the exposed surface of the film-like adhesive, for example, the back surface of the semiconductor wafer is attached to the film-like adhesive of the above-described embodiment. Furthermore, by attaching a support sheet to the exposed surface of the film-like adhesive, the semiconductor wafer, the film-like adhesive, and the support sheet are laminated in this order in the thickness direction to form a structure. A stacked laminate may be produced.
  • This step is a conventional method of attaching a film-like adhesive to the back surface of a semiconductor wafer, except that the film-like adhesive according to one embodiment of the present invention is used in place of the conventional film-like adhesive. can be done in the same way as
  • the step of attaching the back surface of the semiconductor wafer to the exposed surface of the film-like adhesive for example, the surface of the film-like adhesive in the dicing die bonding sheet of the above-described embodiment opposite to the support sheet side (that is, the first surface) is attached to the back surface of the semiconductor wafer, whereby the semiconductor wafer, the film-like adhesive, and the support sheet are laminated in this order in the thickness direction.
  • a laminated body may be produced.
  • This step is a conventional method of attaching a dicing die bonding sheet to the back surface of a semiconductor wafer, except that the dicing die bonding sheet according to one embodiment of the present invention is used instead of the conventional dicing die bonding sheet. can be done in the same way as
  • Step of peeling the film-like adhesive from the semiconductor wafer for example, the film-like adhesive and the semiconductor wafer obtained by the step of attaching the back surface of the semiconductor wafer to the above-described film-like adhesive are separated in their thickness direction.
  • the film-like adhesive is peeled off from the semiconductor wafer.
  • a peeling tape composed of a UV-curable adhesive layer laminated on a base film is prepared, and the exposed surface of the adhesive layer of the peeling tape is replaced with the exposed surface of the film adhesive of the laminate.
  • the film adhesive can be peeled off from the semiconductor wafer.
  • a semiconductor wafer, the film-like adhesive, and the support sheet are laminated in this order in the thickness direction of the laminated body. good.
  • the exposed surface of the pressure-sensitive adhesive layer of a peeling tape is attached to the exposed surface of the film adhesive.
  • the pressure-sensitive adhesive layer of the peeling tape and the film-like adhesive are adhered. Together with the peeling tape, the film adhesive can be peeled off from the semiconductor wafer.
  • the semiconductor wafer rework method of the present embodiment uses the film-like adhesive of the above-described embodiment or the dicing die bonding sheet of the above-described embodiment, the film-like adhesive is once attached to the back surface of the semiconductor wafer. can be peeled cleanly from semiconductor wafers
  • [Acrylic resin (a)] (a)-1: Acrylic resin obtained by copolymerizing BA (84 parts by mass), MMA (8 parts by mass), AA (3 parts by mass) and HEA (5 parts by mass) (weight average molecular weight 800000, glass transition temperature -42°C). (a)-2: Acrylic resin obtained by copolymerizing BA (86 parts by mass), MMA (8 parts by mass), AA (1 part by mass) and HEA (5 parts by mass) (weight average molecular weight 800000, glass transition temperature -44°C). (a)-3: Acrylic resin obtained by copolymerizing MA (85 parts by mass) and HEA (15 parts by mass) (weight average molecular weight: 400,000, glass transition temperature: 6°C).
  • (a)-4 Acrylic resin obtained by copolymerizing BA (10 parts by mass), MA (70 parts by mass), GMA (5 parts by mass) and HEA (15 parts by mass) (weight average molecular weight 400000, glass transition temperature -1°C).
  • (a)-5 Acrylic resin obtained by copolymerizing BA (55 parts by mass), MA (10 parts by mass), GMA (20 parts by mass) and HEA (15 parts by mass) (weight average molecular weight 800000, glass transition temperature -28°C).
  • (a)-6 Acrylic resin obtained by copolymerizing BA (40 parts by mass), EA (25 parts by mass), AN (30 parts by mass) and GMA (5 parts by mass) (weight average molecular weight 700000, glass transition temperature -9°C).
  • epoxy resin (b1)] (b1)-1: Liquid bisphenol F type epoxy resin (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation "YL983U, epoxy equivalent 165 to 175 g/eq)
  • (b1)-2 o-cresol novolak type epoxy resin (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.
  • a release film (“SP-PET381031” manufactured by Lintec Co., Ltd., thickness 38 ⁇ m) was prepared by releasing a polyethylene terephthalate (PET) film on one side by silicone treatment.
  • PET polyethylene terephthalate
  • the adhesive composition obtained above is applied to the release-treated surface of the release film and dried by heating at 100° C. for 1 minute to form a film-like adhesive having a thickness of 20 ⁇ m.
  • a film-like adhesive sheet in which the adhesive was laminated was obtained.
  • dicing die bonding sheet A polyolefin film (Fanclare (registered trademark) LLD#80, thickness 80 ⁇ m, manufactured by Gunze) was attached to the exposed surface of the film-like adhesive of the film-like adhesive sheet. As a result, a dicing die bonding sheet was obtained in which a polyolefin film (support film), a film-like adhesive and a release film were laminated in this order in the thickness direction.
  • a polyolefin film support film
  • a film-like adhesive and a release film were laminated in this order in the thickness direction.
  • the exposed surface of the pressure-sensitive adhesive layer of the peeling tape and the exposed surface of the film-like adhesive of the dicing die-bonding sheet were pasted together.
  • the resulting laminate was cut into a size of 25 mm wide by 25 cm long, and the support film of the dicing die bonding sheet was peeled off to expose the surface of the film adhesive to obtain a test piece for peel force measurement.
  • the exposed surface of the film adhesive of the test piece was attached to the polished surface of a silicon wafer (#2000, thickness: 350 ⁇ m), and UV irradiation was performed from the substrate side of the peeling tape (illuminance: 230 mW/cm 2 , Light intensity: 190 mJ/cm 2 ).
  • the peeling tape after UV irradiation was peeled off from the silicon wafer at a peeling angle of 180 ° and a peeling speed of 0.3 m / min, and JIS Z0237. : 2009
  • the peel strength [N/25 mm] of the film-like adhesive to a 6-inch silicon wafer was measured.
  • the peeling force of the film-like adhesive from the silicon wafer was originally measured by measuring the peeling force of the surface of the film-like adhesive in contact with the substrate. It is the same as the peeling force of the side contacting the wafer.
  • a dicing tape (Adwill (registered trademark), D-841, manufactured by Lintec Corporation) was prepared as a peeling tape.
  • a laminator manufactured by MCK Co., Ltd., MCL-650
  • the surface of the film adhesive of the dicing die bonding sheet was applied to the polished surface of a 6-inch silicon wafer (#2000, thickness: 350 ⁇ m) at 60 ° C. , and applied at a speed of 0.3 m/min.
  • the support film of the dicing die-bonding sheet was peeled off, and the pressure-sensitive adhesive layer of the peeling tape was attached to the exposed film-like adhesive with a squeegee.
  • a laminate was obtained in which the base material of the peeling tape, the pressure-sensitive adhesive layer, the film-like adhesive, and the silicon wafer were laminated in this order in the thickness direction.
  • This laminate was irradiated with UV from the substrate side of the peeling tape (illuminance: 230 mW/cm 2 , light intensity: 190 mJ/cm 2 ).
  • the laminate after UV irradiation is placed on an adsorption table of a tape mounter (RAD-2500 manufactured by Lintec Co., Ltd.) and fixed by adsorption, and the peeling tape after UV irradiation is peeled at a peeling angle of 180 ° and a peeling speed of 0.3 m. /min, and the reworkability was evaluated according to the following three-grade criteria.
  • ⁇ Measurement of adhesive strength> A polished surface of a silicon wafer obtained by cutting a 6-inch silicon wafer (#2000, thickness 350 ⁇ m) into quarters (a fan shape with a central angle of 90°) using a laminator (manufactured by MCK Co., Ltd., MCL-650) The film adhesive side of the dicing die bonding sheet was attached to the surface at 60° C. at a speed of 0.3 m/min. The support film of the dicing die bonding sheet attached to the silicon wafer was peeled off, and a copper foil (10 mm ⁇ 50 mm ⁇ 150 ⁇ m) was attached to the exposed film adhesive at 60° C. at a speed of 0.3 m/min.
  • the film adhesive was thermally cured at 160°C for 1 hour. Thereafter, the copper foil was peeled off at 90° using a universal tensile tester (manufactured by Shimadzu Corporation, Autograph AG-IS), and the adhesive strength was measured. The adhesive strength was evaluated according to the following three-grade criteria.
  • the film adhesives and dicing die bonding sheets of Examples 1 to 4 have a peeling force of less than 1.4 N / 25 mm of the film adhesive to the silicon wafer, and excellent reworkability.
  • the adhesion strength of the heat-cured film adhesive was 2.0 N/10 mm or more, indicating sufficient adhesion strength.
  • the adhesive strength of the thermoset film adhesive was 3.7 N/10 mm or more, indicating excellent adhesive strength.
  • the film adhesive and the dicing die bonding sheet of Comparative Examples 1 to 4 lacked rework suitability because the film adhesive remained on the entire silicon wafer.
  • the adhesive strength of the heat-cured film adhesive was insufficient.
  • the present invention can be used for manufacturing semiconductor devices.
  • thermoset film adhesive 90a First surface of thermoset film adhesive 90b: Second surface of thermoset film adhesive 90c: Side surface of thermoset film adhesive , 91... copper plate, 92... silicon chip, 92c... side surface of silicon chip, 99... first test piece

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Abstract

熱硬化性のフィルム状接着剤（１３）であって、フィルム状接着剤（１３）は、カルボキシ基を有するアクリル樹脂（ａ）を含有し、フィルム状接着剤（１３）をシリコンウエハの♯２０００の研磨面に貼付した後、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎ、剥離角度１８０°にて、前記フィルム状接着剤を前記シリコンウエハから剥離させたときの剥離力が１．４Ｎ／２５ｍｍ未満である。

Description

フィルム状接着剤、ダイシングダイボンディングシート、半導体装置の製造方法、フィルム状接着剤の使用、ダイシングダイボンディングシートの使用、及び、半導体ウエハのリワーク方法
　本発明は、フィルム状接着剤、ダイシングダイボンディングシート、半導体装置の製造方法、フィルム状接着剤の使用、ダイシングダイボンディングシートの使用、及び、半導体ウエハのリワーク方法に関する。
　本願は、２０２１年３月２９日に日本に出願された特願２０２１－０５４５３３号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
　半導体チップは、通常、その裏面に設けられたフィルム状接着剤（「ダイボンディングフィルム」と称されることもある）によって、基板の回路形成面にダイボンディングされる。その後、必要に応じてこの半導体チップにさらに半導体チップを１個以上積層して、ワイヤボンディングを行った後、得られたもの全体を樹脂により封止することで、半導体パッケージが作製される。そして、この半導体パッケージを用いて、目的とする半導体装置が作製される。
　裏面にフィルム状接着剤を備えた半導体チップは、例えば、裏面にフィルム状接着剤を備えた半導体ウエハを分割するとともに、フィルム状接着剤も切断することによって作製される。このように半導体ウエハを半導体チップへと分割する方法としては、例えば、ダイシングブレードを用いて、半導体ウエハをフィルム状接着剤ごとダイシングする方法が広く利用されている。この場合、切断前のフィルム状接着剤は、ダイシング時に半導体ウエハを固定するために使用される支持シートに積層されて一体化された、ダイシングダイボンディングシートとして使用される。
　ダイシング終了後、裏面に切断後のフィルム状接着剤を備えた半導体チップ（フィルム状接着剤付き半導体チップ）は、支持シートから引き離されてピックアップされる。
　例えば、特許文献１には、支持シートと、前記支持シート上に備えられたフィルム状接着剤とを含むダイシングダイボンディングシートであって、半導体チップのピックアップ時において、半導体チップへの転写不良を抑制できるよう、フィルム状接着剤のうち、半導体ウエハの側の第２層は、粘着性及びエネルギー線硬化性を有し、かつ、第２層の硬化物とシリコンミラーウエハと、の間の粘着力が、６Ｎ／２５ｍｍ以上とすることが開示されている。
国際公開第２０１９／１８２００９号
　従来、フィルム状接着剤付き半導体チップを製造する工程には、フィルム状接着剤を半導体ウエハの裏面に貼付する工程が含まれる。この際の貼付不良が理由で、フィルム状接着剤を半導体ウエハから剥離させて、残りの高価な半導体ウエハを再利用する必要が生じる場合がある。しかしながら、従来、この様な場合に、フィルム状接着剤を半導体ウエハからきれいに剥離することができなかった。
　本発明は、一度、半導体ウエハの裏面に貼付しても、半導体ウエハからきれいに剥離することができるフィルム状接着剤、及び、これを備えるダイシングダイボンディングシート、これらを用いた半導体装置の製造方法、フィルム状接着剤の使用、ダイシングダイボンディングシートの使用、並びに半導体ウエハのリワーク方法を提供することを目的とする。
　本発明は以下の態様を有する。
［１］　熱硬化性のフィルム状接着剤であって、
　前記フィルム状接着剤は、カルボキシ基を有するアクリル樹脂（ａ）を含有し、
　前記フィルム状接着剤をシリコンウエハの♯２０００の研磨面に貼付した後、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎ、剥離角度１８０°にて、前記フィルム状接着剤を前記シリコンウエハから剥離させたときの剥離力が１．４Ｎ／２５ｍｍ未満である、フィルム状接着剤。
［２］　前記フィルム状接着剤１００質量％に対して、前記アクリル樹脂（ａ）の含有量が１０～３０質量％である、［１］に記載のフィルム状接着剤。
［３］　前記アクリル樹脂（ａ）１００質量％に対して、カルボキシ基を有する構成単位の含有量が、０．５質量％以上である、［１］又は［２］に記載のフィルム状接着剤。
［４］　熱硬化性成分（ｂ）を含有する、［１］～［３］のいずれか一項に記載のフィルム状接着剤。
［５］　無機充填材（ｄ）を実質的に含有しない、［１］～［４］のいずれか一項に記載のフィルム状接着剤。
［６］　支持シートと、前記支持シートの一方の面上に設けられた、［１］～［５］のいずれか一項に記載のフィルム状接着剤とを備える、ダイシングダイボンディングシート。
［７］　前記支持シートが、フィルム状接着剤と直接接触させる側に粘着剤層を備えない支持フィルムからなり、
　前記フィルム状接着剤が前記支持フィルムの一方の面上に直接接触して積層されている、［６］に記載のダイシングダイボンディングシート。
［８］　前記支持フィルムの構成材料がポリオレフィンである、［７］に記載のダイシングダイボンディングシート。
［９］　［１］～［５］のいずれか一項に記載のフィルム状接着剤に半導体ウエハの裏面を貼付し、さらに、前記フィルム状接着剤の露出面に支持シートを貼付するか、又は、［６］～［８］のいずれか一項に記載のダイシングダイボンディングシートの前記フィルム状接着剤の露出面に半導体ウエハの裏面を貼付する工程と、
　前記半導体ウエハを分割することにより半導体チップを作製し、前記半導体ウエハの分割箇所に沿って前記フィルム状接着剤を切断してフィルム状接着剤付き半導体チップを作製する工程と、
　前記支持シートから、前記フィルム状接着剤付き半導体チップを引き離して、ピックアップする工程と、
　ピックアップされた前記フィルム状接着剤付き半導体チップを、前記フィルム状接着剤付き半導体チップ中のフィルム状接着剤によって、基板の回路形成面にダイボンディングする工程を含む、半導体装置の製造方法。
［１０］　［１］～［５］のいずれか一項に記載のフィルム状接着剤の使用であって、
　前記フィルム状接着剤に半導体ウエハの裏面を貼付し、さらに、前記フィルム状接着剤の露出面に支持シートを貼付する工程と、
　前記半導体ウエハを分割することにより半導体チップを作製し、前記半導体ウエハの分割箇所に沿って前記フィルム状接着剤を切断してフィルム状接着剤付き半導体チップを作製する工程と、
　前記支持シートから、前記フィルム状接着剤付き半導体チップを引き離して、ピックアップする工程と、
　ピックアップされた前記フィルム状接着剤付き半導体チップを、前記フィルム状接着剤付き半導体チップ中のフィルム状接着剤によって、基板の回路形成面にダイボンディングする工程を含む、半導体装置の製造方法に用いるための、フィルム状接着剤の使用。
［１１］　［６］～［８］のいずれか一項に記載のダイシングダイボンディングシートの使用であって、
　前記ダイシングダイボンディングシートの前記フィルム状接着剤の露出面に半導体ウエハの裏面を貼付する工程と、
　前記半導体ウエハを分割することにより半導体チップを作製し、前記半導体ウエハの分割箇所に沿って前記フィルム状接着剤を切断してフィルム状接着剤付き半導体チップを作製する工程と、
　前記支持シートから、前記フィルム状接着剤付き半導体チップを引き離して、ピックアップする工程と、
　ピックアップされた前記フィルム状接着剤付き半導体チップを、前記フィルム状接着剤付き半導体チップ中のフィルム状接着剤によって、基板の回路形成面にダイボンディングする工程を含む、半導体装置の製造方法に用いるための、ダイシングダイボンディングシートの使用。
［１２］　［１］～［５］のいずれか一項に記載のフィルム状接着剤に半導体ウエハの裏面を貼付するか、又は、［６］～［８］のいずれか一項に記載のダイシングダイボンディングシートの前記フィルム状接着剤の露出面に半導体ウエハの裏面を貼付する工程と、
　前記フィルム状接着剤を前記半導体ウエハから剥離する工程を含む、半導体ウエハのリワーク方法。
　本発明によれば、一度、半導体ウエハの裏面に貼付しても、半導体ウエハからきれいに剥離することができるフィルム状接着剤、及び、これを備えるダイシングダイボンディングシート、これらを用いた半導体装置の製造方法、フィルム状接着剤の使用、ダイシングダイボンディングシートの使用、並びに半導体ウエハのリワーク方法が提供される。
本発明の一実施形態に係るフィルム状接着剤を模式的に示す断面図である。 本発明の一実施形態に係るダイシングダイボンディングシートを模式的に示す断面図である。 本発明の他の実施形態に係るダイシングダイボンディングシートを模式的に示す断面図である。 本発明のさらに他の実施形態に係るダイシングダイボンディングシートを模式的に示す断面図である。 本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法の一部を模式的に示す断面図である。 本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法の一部を模式的に示す断面図である。 本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法の一部を模式的に示す断面図である。 本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法の一部を模式的に示す断面図である。
＜＜フィルム状接着剤＞＞
　本発明の一実施形態に係るフィルム状接着剤は、熱硬化性のフィルム状接着剤であって、
　前記フィルム状接着剤は、カルボキシ基を有するアクリル樹脂（ａ）を含有し、
　前記フィルム状接着剤をシリコンウエハの♯２０００の研磨面に貼付した後、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎ、剥離角度１８０°にて、前記フィルム状接着剤を前記シリコンウエハから剥離させたときの剥離力が１．４Ｎ／２５ｍｍ未満である。
　実施形態に係るフィルム状接着剤は、前記フィルム状接着剤が、カルボキシ基を有するアクリル樹脂（ａ）を含有するので、極性が比較的大きくなる。半導体ウエハと、熱硬化性のフィルム状接着剤との密着性は、フィルム状接着剤の極性が大きいことで、低く抑えられる。結果、フィルム状接着剤とシリコンウエハとの前記剥離力を小さくすることができ、一度、フィルム状接着剤を半導体ウエハの裏面に貼付しても、フィルム状接着剤を半導体ウエハからきれいに剥離することができる、すなわち、半導体ウエハのリワーク性に優れるものとすることができると考えられる。
　本明細書においては、半導体ウエハ又は半導体チップの回路が形成されている面を「回路形成面」と称し、この回路形成面とは反対側の面を「裏面」と称する。そして、半導体チップと、その裏面に設けられたフィルム状接着剤と、を備えた構造体を、「フィルム状接着剤付き半導体チップ」と称する。
　また、本明細書においては、基板の回路が形成されている面も「回路形成面」と称する。
　本実施形態のフィルム状接着剤によって、基板の回路形成面へ良好な状態でダイボンディングできる。
　本実施形態のフィルム状接着剤を用いて作製されたフィルム状接着剤付き半導体チップは、その中のフィルム状接着剤によって、基板の回路形成面に接着（ダイボンディング）される。さらに、フィルム状接着剤は、最終的に熱硬化される。
　したがって、前記フィルム状接着剤の熱硬化物は、その接着対象物に対して、十分な接着強度を有することが求められる。
　次に、本実施形態のフィルム状接着剤の例を、以下、図面を参照しながら説明する。
　図１は、本発明の一実施形態に係るフィルム状接着剤を模式的に示す断面図である。
　なお、以下の説明で用いる図は、本発明の特徴を分かり易くするために、便宜上、要部となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率等が実際と同じであるとは限らない。
　ここに示すフィルム状接着剤１３は、支持シート１３上に設けられており、フィルム状接着剤シート１３１を形成している。
　前記フィルム状接着剤１３は１層（単層）からなるものであってもよいし、２層以上の複数層からなるものであってもよく、複数層からなる場合、これら複数層は、互いに同一でも異なっていてもよく、これら複数層の組み合わせは特に限定されない。前記フィルム状接着剤は１層からなるものが好ましい。
　なお、本明細書においては、フィルム状接着剤の場合に限らず、「複数層が互いに同一でも異なっていてもよい」とは、「すべての層が同一であってもよいし、すべての層が異なっていてもよいし、一部の層のみが同一であってもよい」ことを意味し、さらに「複数層が互いに異なる」とは、「各層の構成材料及び厚さの少なくとも一方が互いに異なる」ことを意味する。
　前記フィルム状接着剤の厚さは、特に限定されないが、１～５０μｍであることが好ましく、３～４０μｍであることがより好ましく、５～３０μｍであることが特に好ましい。フィルム状接着剤の厚さが前記下限値以上であることで、フィルム状接着剤の被着体（半導体ウエハ、半導体チップ）に対する初期接着力が、より高くなる。フィルム状接着剤の厚さが前記上限値以下であることで、後述する半導体チップの製造工程において、フィルム状接着剤をより容易に切断でき、また、フィルム状接着剤に由来する切断片の発生量をより低減できる。
　ここで、「フィルム状接着剤の厚さ」とは、フィルム状接着剤全体の厚さを意味し、例えば、複数層からなるフィルム状接着剤の厚さとは、フィルム状接着剤を構成するすべての層の合計の厚さを意味する。
　前記フィルム状接着剤は、アクリル樹脂（ａ）及び溶媒等の構成材料を含有する接着剤組成物を用いて形成できる。例えば、フィルム状接着剤の形成対象面に接着剤組成物を塗工し、必要に応じて乾燥させることで、目的とする部位にフィルム状接着剤を形成できる。
　接着剤組成物中の、常温で気化しない成分同士の含有量の比率は、通常、フィルム状接着剤の前記成分同士の含有量の比率と同じとなる。なお、本明細書において、「常温」とは、特に冷やしたり、熱したりしない温度、すなわち平常の温度を意味し、例えば、１５～２５℃の温度等が挙げられる。
　接着剤組成物の塗工は、公知の方法で行えばよく、例えば、エアーナイフコーター、ブレードコーター、バーコーター、グラビアコーター、ロールコーター、ロールナイフコーター、カーテンコーター、ダイコーター、ナイフコーター、スクリーンコーター、マイヤーバーコーター、キスコーター等の各種コーターを用いる方法が挙げられる。
　接着剤組成物の乾燥条件は、特に限定されないが、接着剤組成物は、後述する溶媒を含有している場合、加熱乾燥させることが好ましい。溶媒を含有する接着剤組成物は、例えば、７０～１３０℃で１０秒～５分の条件で乾燥させることが好ましい。
　以下、フィルム状接着剤及び接着剤組成物の含有成分について、詳細に説明する。
＜アクリル樹脂（ａ）＞
　アクリル樹脂（ａ）は、カルボキシ基を有するアクリル樹脂であれば限定されない。前記アクリル樹脂（ａ）を含有するフィルム状接着剤を用いることにより、フィルム状接着剤を、一度、半導体ウエハの裏面に貼付しても、半導体ウエハからきれいに剥離することができる、すなわち、半導体ウエハのリワーク性に優れるものとすることができる。
　カルボキシ基を有するアクリル樹脂（ａ）を含有するフィルム状接着剤を用いることにより、従来のフィルム状接着剤に比べて、フィルム状接着剤の極性を高めることができ、それにより、非極性の基材フィルムとの過度な密着性を抑制できると考えられる。また、アクリル樹脂（ａ）の組成を調整することにより、容易に、フィルム状接着剤を熱硬化させた熱硬化物の基板への接着性を優れるものとすることができる。
　本実施形態のフィルム状接着剤の上述の効果をより奏し易く、かつ、フィルム状接着剤を硬化させた後の、基板の回路形成面との接着強度を良好なものとするために、前記アクリル樹脂（ａ）１００質量％に対して、カルボキシ基を有する構成単位の含有量が、０．５質量％以上であることが好ましく、１．０質量％以上であることがより好ましく、１．５質量％以上であることがさらに好ましく、２．０質量％以上であることが特に好ましい。前記アクリル樹脂（ａ）１００質量％に対して、カルボキシ基を有する構成単位の含有量は、４．５質量％以下であってもよく、４．０質量％以下であってもよく、３．５質量％以下であってもよく、３．０質量％以下であってもよい。
　前記アクリル樹脂（ａ）において、カルボキシ基を有する構成単位のモノマーとしては、アクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸等が挙げられる。
　前記アクリル樹脂（ａ）を構成するモノマーとしては、これらの他に、（メタ）アクリル酸エステルモノマー又はその誘導体が挙げられる。例えば、アルキル基の炭素数が１～１８であるアルキル（メタ）アクリレート、具体的にはメチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、プロピル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、２－エチルヘキシル（メタ）アクリレートなどが挙げられる。また、環状骨格を有する（メタ）アクリレート、具体的にはシクロヘキシル（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンタニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニルオキシエチル（メタ）アクリレート、イミド（メタ）アクリレートなどが挙げられる。さらに官能基含有モノマーとして、水酸基を有するヒドロキシメチル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレートなどが挙げられ；その他、エポキシ基を有するグリシジル（メタ）アクリレートなどが挙げられる。アクリル樹脂は、水酸基を有している構成単位を含有しているアクリル重合体が、後述する硬化性成分との相溶性が良いため好ましい。また、上記アクリル重合体は、酢酸ビニル、アクリロニトリル、スチレンなどが共重合されていてもよい。ただし、アクリロニトリルは、環境を配慮した点からは実質的に含有しないことが好ましい。
　アクリル樹脂（ａ）は、重合性化合物が重合反応して形成されたとみなせる重合体成分又はオリゴマー成分であってもよい。アクリル樹脂（ａ）は、フィルム状接着剤に造膜性や可撓性等を付与すると共に、半導体チップ等の接着対象への接着性（貼付性）を向上させる。
　アクリル樹脂（ａ）の重量平均分子量は１００００～１００００００であることが好ましく、２０００００～８０００００であることがより好ましく、４０００００～８０００００であることがさらに好ましい。
　接着剤組成物及びフィルム状接着剤が含有するアクリル樹脂（ａ）は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
　本実施形態のフィルム状接着剤は、前記フィルム状接着剤１００質量％に対して、前記アクリル樹脂（ａ）の含有量が１０～３０質量％であることが好ましく、１２～２５質量％であることがより好ましく、１４～２０質量％であることが特に好ましい。前記アクリル樹脂（ａ）の含有量が前記下限値以上であることにより、フィルム状接着剤の構造がより安定化し、前記効果が奏し易くなり、前記アクリル樹脂（ａ）の含有量が前記上限値以下であることにより、フィルム状接着剤としての接着性が良好となる。
［熱硬化性成分（ｂ）］
　フィルム状接着剤は、熱硬化性成分（ｂ）を含有することが好ましい。
　熱硬化性成分（ｂ）は、熱硬化性を有し、フィルム状接着剤を熱硬化させるための成分である。
　接着剤組成物及びフィルム状接着剤が含有する熱硬化性成分（ｂ）は、１種のみであってもよいし、２種以上であってもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
　熱硬化性成分（ｂ）としては、例えば、エポキシ系熱硬化性樹脂、ポリイミド樹脂、不飽和ポリエステル樹脂等が挙げられる。
（エポキシ系熱硬化性樹脂）
　熱硬化性成分（ｂ）は、これらの中でも、エポキシ樹脂（ｂ１）及び熱硬化剤（ｂ２）からなるエポキシ系熱硬化性樹脂であることが好ましい。
　接着剤組成物及びフィルム状接着剤が含有するエポキシ系熱硬化性樹脂は、１種のみであってもよいし、２種以上であってもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
＜エポキシ樹脂（ｂ１）＞
　エポキシ樹脂（ｂ１）としては、公知のものが挙げられ、例えば、多官能系エポキシ樹脂、ビフェニル化合物、ビスフェノールＡジグリシジルエーテル及びその水添物、ｏ－クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェニレン骨格型エポキシ樹脂等、２官能以上のエポキシ化合物が挙げられる。本明細書において、エポキシ樹脂（ｂ１）とは、硬化性を有する、すなわち、未硬化のエポキシ樹脂を云う。
　エポキシ樹脂（ｂ１）の数平均分子量は、特に限定されないが、フィルム状接着剤の硬化性、並びにフィルム状接着剤の熱硬化物の強度及び耐熱性の点から、３００～３００００であることが好ましく、４００～１００００であることがより好ましく、５００～３０００であることが特に好ましい。
　エポキシ樹脂（ｂ１）のエポキシ当量は、１００～１０００ｇ／ｅｑであることが好ましく、１５０～８００ｇ／ｅｑであることがより好ましい。
　接着剤組成物及びフィルム状接着剤が含有するエポキシ樹脂（ｂ１）は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
　前記フィルム状接着剤１００質量％に対して、前記エポキシ樹脂（ｂ１）の含有量が４０～６５質量％であることが好ましく、４６～６０質量％であることがより好ましく、４８～５８質量％であることが特に好ましい。
　エポキシ樹脂（ｂ１）は、常温で液状のエポキシ樹脂であってもよく、常温で固形のエポキシ樹脂であってもよい。
　本実施形態のフィルム状接着剤は、前記フィルム状接着剤１００質量％に対して、前記常温で液状のエポキシ樹脂の含有量が２～２０質量％であることが好ましく、３～１８質量％であることがより好ましく、４～１６質量％であることが特に好ましい。前記常温で液状のエポキシ樹脂の含有量が前記下限値以上であることにより、低温での回路形成面へのダイボンディングが容易となり、前記エポキシ樹脂（ｂ１）の含有量が前記上限値以下であることにより、フィルム状接着剤の形状安定性が良好となる。
＜熱硬化剤（ｂ２）＞
　熱硬化剤（ｂ２）は、エポキシ樹脂（ｂ１）に対する硬化剤である。エポキシ樹脂（ｂ１）及び熱硬化剤（ｂ２）の組み合わせは、エポキシ系熱硬化性樹脂（本明細書においては、「エポキシ系熱硬化性樹脂（ｂ）」と称することがある）として機能する。
　接着剤組成物及びフィルム状接着剤が含有するエポキシ系熱硬化性樹脂（ｂ）は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
　熱硬化剤（ｂ２）としては、例えば、１分子中にエポキシ基と反応し得る官能基を２個以上有する化合物が挙げられる。前記官能基としては、例えば、フェノール性水酸基、アルコール性水酸基、アミノ基、カルボキシ基、酸基が無水物化された基等が挙げられ、フェノール性水酸基、アミノ基、又は酸基が無水物化された基であることが好ましく、フェノール性水酸基又はアミノ基であることがより好ましい。
　熱硬化剤（ｂ２）のうち、フェノール性水酸基を有するフェノール系硬化剤としては、例えば、多官能フェノール樹脂、ビフェノール、ノボラック型フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン型フェノール樹脂、アラルキル型フェノール樹脂等が挙げられる。
　熱硬化剤（ｂ２）のうち、アミノ基を有するアミン系硬化剤としては、例えば、ジシアンジアミド（ＤＩＣＹ）等が挙げられる。
　熱硬化剤（ｂ２）は、不飽和炭化水素基を有していてもよい。
　不飽和炭化水素基を有する熱硬化剤（ｂ２）としては、例えば、フェノール樹脂の水酸基の一部が、不飽和炭化水素基を有する基で置換されてなる化合物、フェノール樹脂の芳香環に、不飽和炭化水素基を有する基が直接結合してなる化合物等が挙げられる。
　熱硬化剤（ｂ２）における前記不飽和炭化水素基は、上述の不飽和炭化水素基を有するエポキシ樹脂における不飽和炭化水素基と同様である。
　熱硬化剤（ｂ２）としてフェノール系硬化剤を用いる場合には、フィルム状接着剤の接着強度を調節することが容易となる点から、熱硬化剤（ｂ２）は軟化点又はガラス転移温度が高いものが好ましい。
　熱硬化剤（ｂ２）のうち、例えば、多官能フェノール樹脂、ノボラック型フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン型フェノール樹脂、アラルキル型フェノール樹脂等の樹脂成分の数平均分子量は、３００～３００００であることが好ましく、４００～１００００であることがより好ましく、５００～３０００であることが特に好ましい。
　熱硬化剤（ｂ２）のうち、例えば、ビフェノール、ジシアンジアミド等の非樹脂成分の分子量は、特に限定されないが、例えば、６０～５００であることが好ましい。
　熱硬化剤（ｂ２）は、下記一般式（１）で表される、より具体的には、ｏ－クレゾール型ノボラック樹脂であることが好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
　一般式（１）中、ｎは１以上の整数であり、例えば、２以上、４以上、及び６以上のいずれかであってもよい。
　ｎの上限値は、本発明の効果を損なわない範囲で、特に限定されない。例えば、ｎが１０以下であるｏ－クレゾール型ノボラック樹脂は、その製造又は入手がより容易である。
　一般式（１）中、ｏ－クレゾール－ジイル基（－Ｃ６Ｈ４（－ＯＨ）（－ＣＨ３）－）同士を連結しているメチレン基（－ＣＨ２－）の、これらｏ－クレゾール－ジイル基に対する結合位置は、特に限定されない。
　熱硬化剤（ｂ２）としては、一般式（１）から明らかなように、フェノール樹脂のうち、フェノール性水酸基が結合している炭素原子と隣り合う炭素原子（ベンゼン環骨格を構成している炭素原子）に対して、メチル基が結合した構造を有しており、前記フェノール性水酸基の近傍に立体障害を有していることが好ましい。熱硬化剤（ｂ２）は、このような立体障害を有していることにより、その保存中の反応性が抑制されると推測される。そして、このような熱硬化剤（ｂ２）を用いることで、前記フィルム状接着剤においては、その保存中に、その含有成分、例えば硬化可能な成分、が反応することが抑制され、特性の変化が抑制されると推測される。そして、このようなフィルム状接着剤と半導体チップを用いることで、信頼性が高い半導体パッケージが得られると推測される。
　一般式（１）で表される熱硬化剤（ｂ２）を用いたフィルム状接着剤は、このように保存安定性が高く、室温下での保存が可能であり、同様の理由で、接着剤組成物も保存安定性が高く、室温下での保存が可能である。
　接着剤組成物及びフィルム状接着剤が含有する熱硬化剤（ｂ２）は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
　前記フィルム状接着剤１００質量％に対して、前記熱硬化剤（ｂ２）の含有量が１０～５０質量％であることが好ましく、１５～４５質量％であることがより好ましく、２０～４０質量％であることが特に好ましい。前記熱硬化剤（ｂ２）の含有量が前記下限値以上であることで、フィルム状接着剤の硬化がより進行し易くなる。前記熱硬化剤（ｂ２）の含有量が前記上限値以下であることで、フィルム状接着剤の吸湿率が低減されて、フィルム状接着剤を用いて得られる半導体パッケージの信頼性がより向上する。
　前記フィルム状接着剤１００質量％に対して、前記エポキシ樹脂（ｂ１）及び前記熱硬化剤（ｂ２）からなるエポキシ系熱硬化性樹脂（ｂ）の含有量の含有量が６０～８５質量％であることが好ましく、６５～８５質量％であることがより好ましく、６５～８０質量％であることが特に好ましい。前記エポキシ系熱硬化性樹脂（ｂ）の含有量が前記下限値以上であることで、ボンディング性が向上し、前記効果が奏し易くなり、前記熱硬化剤（ｂ２）の含有量が前記上限値以下であることで、保存安定性が向上する。
　本実施形態のフィルム状接着剤は、前記アクリル樹脂（ａ）１００質量部に対して、前記熱硬化性成分（ｂ）の含有量が４００質量部を超えることが好ましく、４１０質量部以上であることがより好ましく、４２０質量部以上であることがさらに好ましい。前記熱硬化性成分（ｂ）の含有量が増えることで、前記フィルム状接着剤の熱硬化物の耐熱性及び接着強度が向上することで、半導体パッケージの信頼性がより向上する。前記アクリル樹脂（ａ）１００質量部に対して、前記熱硬化性成分（ｂ）の含有量は７００質量部以下であってもよく、６００質量部以下であってもよく、５００質量部以下であってもよい。
　上述の効果がより高くなる点では、熱硬化剤（ｂ２）の軟化点は、例えば、６４℃以上１３０℃以下、６８℃以上１３０℃以下、７２℃以上１３０℃以下、及び７６℃以上１３０℃以下のいずれかであってもよく、６０℃以上１２０℃以下、６０℃以上１１０℃以下、６０℃以上１００℃以下、及び６０℃以上９０℃以下のいずれかであってもよく、６４℃以上１２０℃以下、６８℃以上１１０℃以下、７２℃以上１００℃以下、及び７６℃以上９０℃以下のいずれかであってもよい。
　アクリル樹脂（ａ）及びエポキシ系熱硬化性樹脂（ｂ）を含有するフィルム状接着剤は、熱硬化性を有しており、さらに感圧接着性を有することが好ましい。熱硬化性及び感圧接着性をともに有するフィルム状接着剤は、未硬化状態では各種被着体に軽く押圧することで貼付できる。また、フィルム状接着剤は、加熱して軟化させることで各種被着体に貼付できるものであってもよい。フィルム状接着剤は、硬化によって最終的には耐衝撃性が高い熱硬化物となり、この熱硬化物は、厳しい高温・高湿度条件下においても十分な接着特性を保持し得る。
　前記フィルム状接着剤は、その各種物性を改良するために、アクリル樹脂（ａ）及びエポキシ系熱硬化性樹脂（ｂ）以外に、さらに必要に応じて、これらに該当しない他の成分を含有していてもよい。
　前記フィルム状接着剤が含有する他の成分としては、例えば、硬化促進剤（ｃ）、無機充填材（ｄ）、カップリング剤（ｅ）、エネルギー線硬化性樹脂（ｇ）、光重合開始剤（ｈ）、汎用添加剤（ｉ）等が挙げられる。これらの中でも、好ましい前記他の成分としては、硬化促進剤（ｃ）、カップリング剤（ｅ）が挙げられる。
　本明細書において、「エネルギー線」とは、電磁波又は荷電粒子線の中でエネルギー量子を有するものを意味し、その例として、紫外線、放射線、電子線等が挙げられる。
　紫外線は、例えば、紫外線源として高圧水銀ランプ、ヒュージョンランプ、キセノンランプ、ブラックライト又はＬＥＤランプ等を用いることで照射できる。電子線は、電子線加速器等によって発生させたものを照射できる。
　本明細書において、「エネルギー線硬化性」とは、エネルギー線を照射することにより硬化する性質を意味し、「非エネルギー線硬化性」とは、エネルギー線を照射しても硬化しない性質を意味する。
＜硬化促進剤（ｃ）＞
　硬化促進剤（ｃ）は、接着剤組成物及びフィルム状接着剤の硬化速度を調節するための成分である。
　好ましい硬化促進剤（ｃ）としては、例えば、トリエチレンジアミン、ベンジルジメチルアミン、トリエタノールアミン、ジメチルアミノエタノール、トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール等の第３級アミン；２－メチルイミダゾール、２－フェニルイミダゾール、２－フェニル－４－メチルイミダゾール、２－フェニル－４，５－ジヒドロキシメチルイミダゾール、２－フェニル－４－メチル－５－ヒドロキシメチルイミダゾール等のイミダゾール類（１個以上の水素原子が水素原子以外の基で置換されたイミダゾール）；トリブチルホスフィン、ジフェニルホスフィン、トリフェニルホスフィン等の有機ホスフィン類（１個以上の水素原子が有機基で置換されたホスフィン）；テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、トリフェニルホスフィンテトラフェニルボレート等のテトラフェニルボロン塩等が挙げられる。
　接着剤組成物及びフィルム状接着剤が含有する硬化促進剤（ｃ）は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
　硬化促進剤（ｃ）を用いる場合、接着剤組成物及びフィルム状接着剤において、硬化促進剤（ｃ）の含有量は、エポキシ系熱硬化性樹脂（ｂ）の含有量（すなわち、エポキシ樹脂（ｂ１）及び熱硬化剤（ｂ２）の総含有量）１００質量部に対して、０．０１～５質量部であることが好ましく、０．１～２質量部であることがより好ましい。硬化促進剤（ｃ）の前記含有量が前記下限値以上であることで、硬化促進剤（ｃ）を用いたことによる効果がより顕著に得られる。硬化促進剤（ｃ）の含有量が前記上限値以下であることで、例えば、高極性の硬化促進剤（ｃ）が、高温・高湿度条件下でフィルム状接着剤中において被着体との接着界面側に移動して偏析することを抑制する効果が高くなり、フィルム状接着剤を用いて得られる半導体パッケージの信頼性がより向上する。
＜無機充填材（ｄ）＞
　フィルム状接着剤は、無機充填材（ｄ）を含有することにより、その熱膨張係数の調整が容易となり、この熱膨張係数をフィルム状接着剤の貼付対象物に対して最適化することで、フィルム状接着剤を用いて得られる半導体パッケージの信頼性がより向上する。また、フィルム状接着剤が無機充填材（ｄ）を含有することにより、フィルム状接着剤の熱硬化物の吸湿率を低減したり、放熱性を向上させたりすることもできる。
　好ましい無機充填材（ｄ）としては、例えば、シリカ、アルミナ、タルク、炭酸カルシウム、チタンホワイト、ベンガラ、炭化ケイ素、窒化ホウ素等の粉末；これら無機充填材を球形化したビーズ；これら無機充填材の表面改質品；これら無機充填材の単結晶繊維；ガラス繊維等が挙げられる。
　これらの中でも、無機充填材（ｄ）は、シリカ、アルミナ又はこれらの表面改質品であることが好ましい。
　無機充填材（ｄ）の平均粒子径は、特に限定されないが、１０～３００ｎｍであることが好ましく、２０～１５０ｎｍであることがより好ましく、３０～１００ｎｍであることがさらに好ましい。無機充填材（ｄ）の平均粒子径がこのような範囲であることで、無機充填材（ｄ）を用いたことによる効果を十分に得られるとともに、フィルム状接着剤の保存安定性がより高くなる。
　なお、本明細書において「平均粒子径」とは、特に断りのない限り、レーザー回折散乱法によって求められた粒度分布曲線における、積算値５０％での粒子径（Ｄ５０）の値を意味する。
　接着剤組成物及びフィルム状接着剤が含有する無機充填材（ｄ）は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
　無機充填材（ｄ）を用いる場合、接着剤組成物において、溶媒以外の全ての成分の総含有量に対する無機充填材（ｄ）の含有量の割合（すなわち、フィルム状接着剤における、フィルム状接着剤の総質量に対する、無機充填材（ｄ）の含有量の割合）は、２～１５質量％であることが好ましく、４～１２質量％であることがより好ましく、６～１０質量％であることが特に好ましい。無機充填材（ｄ）の含有量がこのような範囲であることで、前記の熱膨張係数の調整がより容易となる。ただし、転写不良をより低減させるためには、無機充填材（ｄ）の含有量は少ない方が良い。接着剤組成物において、溶媒以外の全ての成分の総含有量に対する無機充填材（ｄ）の含有量の割合（すなわち、フィルム状接着剤における、フィルム状接着剤の総質量に対する、無機充填材（ｄ）の含有量の割合）は、０～２質量％であることが好ましく、０～１質量％であることがより好ましく、無機充填材（ｄ）を実質的に含有しないことが特に好ましい。無機充填材（ｄ）の含有量を少なくすることで、フィルム状接着剤としての凝集力の低下を抑制でき、結果、転写不良の発生を抑制できると考えられる。
＜カップリング剤（ｅ）＞
　フィルム状接着剤は、カップリング剤（ｅ）を含有することにより、被着体に対する接着性及び密着性が向上する。また、フィルム状接着剤がカップリング剤（ｅ）を含有することにより、その熱硬化物は耐熱性を損なうことなく、耐水性が向上する。カップリング剤（ｅ）は、無機化合物又は有機化合物と反応可能な官能基を有する。
　カップリング剤（ｅ）は、アクリル樹脂（ａ）、エポキシ系熱硬化性樹脂（ｂ）等が有する官能基と反応可能な官能基を有する化合物であることが好ましく、シランカップリング剤であることがより好ましい。
　好ましい前記シランカップリング剤としては、例えば、３－グリシジルオキシプロピルトリメトキシシラン、３－グリシジルオキシプロピルメチルジエトキシシラン、３－グリシジルオキシプロピルトリエトキシシラン、３－グリシジルオキシメチルジエトキシシラン、２－（３，４－エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３－メタクリロイルオキシプロピルトリメトキシシラン、３－アミノプロピルトリメトキシシラン、３－（２－アミノエチルアミノ）プロピルトリメトキシシラン、３－（２－アミノエチルアミノ）プロピルメチルジエトキシシラン、３－（フェニルアミノ）プロピルトリメトキシシラン、３－アニリノプロピルトリメトキシシラン、３－ウレイドプロピルトリエトキシシラン、３－メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３－メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、ビス（３－トリエトキシシリルプロピル）テトラスルファン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、イミダゾールシラン、オリゴマー型又はポリマー型オルガノシロキサン等が挙げられる。
　接着剤組成物及びフィルム状接着剤が含有するカップリング剤（ｅ）は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
　カップリング剤（ｅ）を用いる場合、接着剤組成物及びフィルム状接着剤において、カップリング剤（ｅ）の含有量は、アクリル樹脂（ａ）及びエポキシ系熱硬化性樹脂（ｂ）の総含有量１００質量部に対して、０．０３～２０質量部であることが好ましく、０．０５～１０質量部であることがより好ましく、０．１～５質量部であることが特に好ましい。カップリング剤（ｅ）の前記含有量が前記下限値以上であることで、無機充填材（ｄ）の樹脂への分散性の向上や、フィルム状接着剤の被着体との接着性の向上など、カップリング剤（ｅ）を用いたことによる効果がより顕著に得られる。カップリング剤（ｅ）の前記含有量が前記上限値以下であることで、アウトガスの発生がより抑制される。
＜架橋剤（ｆ）＞
　上述のアクリル樹脂（ａ）等の、他の化合物と結合可能なビニル基、（メタ）アクリロイル基、アミノ基、水酸基、カルボキシ基、イソシアネート基等の官能基を有するものを用いる場合、接着剤組成物及びフィルム状接着剤は、前記官能基を他の化合物と結合させて架橋するための架橋剤（ｆ）を含有していてもよい。架橋剤（ｆ）を用いて架橋することにより、フィルム状接着剤の接着強度及び凝集力を調節できる。
　架橋剤（ｆ）としては、例えば、有機多価イソシアネート化合物、有機多価イミン化合物、金属キレート系架橋剤（金属キレート構造を有する架橋剤）、アジリジン系架橋剤（アジリジニル基を有する架橋剤）等が挙げられる。
　前記有機多価イソシアネート化合物としては、例えば、芳香族多価イソシアネート化合物、脂肪族多価イソシアネート化合物及び脂環族多価イソシアネート化合物（以下、これら化合物をまとめて「芳香族多価イソシアネート化合物等」と略記することがある）；前記芳香族多価イソシアネート化合物等の三量体、イソシアヌレート体及びアダクト体；前記芳香族多価イソシアネート化合物等とポリオール化合物とを反応させて得られる末端イソシアネートウレタンプレポリマー等が挙げられる。前記「アダクト体」は、前記芳香族多価イソシアネート化合物、脂肪族多価イソシアネート化合物又は脂環族多価イソシアネート化合物と、エチレングリコール、プロピレングリコール、ネオペンチルグリコール、トリメチロールプロパン又はヒマシ油等の低分子活性水素含有化合物との反応物を意味する。前記アダクト体の例としては、後述するようなトリメチロールプロパンのキシリレンジイソシアネート付加物等が挙げられる。また、「末端イソシアネートウレタンプレポリマー」とは、ウレタン結合を有するとともに、分子の末端部にイソシアネート基を有するプレポリマーを意味する。
　前記有機多価イソシアネート化合物として、より具体的には、例えば、２，４－トリレンジイソシアネート；２，６－トリレンジイソシアネート；１，３－キシリレンジイソシアネート；１，４－キシレンジイソシアネート；ジフェニルメタン－４，４’－ジイソシアネート；ジフェニルメタン－２，４’－ジイソシアネート；３－メチルジフェニルメタンジイソシアネート；ヘキサメチレンジイソシアネート；イソホロンジイソシアネート；ジシクロヘキシルメタン－４，４’－ジイソシアネート；ジシクロヘキシルメタン－２，４’－ジイソシアネート；トリメチロールプロパン等のポリオールのすべて又は一部の水酸基に、トリレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート及びキシリレンジイソシアネートのいずれか１種又は２種以上が付加した化合物；リジンジイソシアネート等が挙げられる。
　前記有機多価イミン化合物としては、例えば、Ｎ，Ｎ’－ジフェニルメタン－４，４’－ビス（１－アジリジンカルボキシアミド）、トリメチロールプロパン－トリ－β－アジリジニルプロピオネート、テトラメチロールメタン－トリ－β－アジリジニルプロピオネート、Ｎ，Ｎ’－トルエン－２，４－ビス（１－アジリジンカルボキシアミド）トリエチレンメラミン等が挙げられる。
　架橋剤（ｆ）として有機多価イソシアネート化合物を用いる場合、アクリル樹脂（ａ）としては、水酸基含有重合体を用いることが好ましい。架橋剤（ｆ）がイソシアネート基を有し、アクリル樹脂（ａ）が水酸基を有する場合、架橋剤（ｆ）とアクリル樹脂（ａ）との反応によって、フィルム状接着剤に架橋構造を簡便に導入できる。
　接着剤組成物及びフィルム状接着剤が含有する架橋剤（ｆ）は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
　架橋剤（ｆ）の含有量は、アクリル樹脂（ａ）の含有量１００質量部に対して、０～５質量部であることが好ましく、０．１～３質量部であることがより好ましく、０．２～１質量部であることがさらに好ましい。架橋剤（ｆ）の前記含有量が前記下限値以上であることで、架橋剤（ｆ）を用いたことによる効果がより顕著に得られる。架橋剤（ｆ）の前記含有量が前記上限値以下であることで、フィルム状接着剤の保存安定性がより高くなる。
＜エネルギー線硬化性樹脂（ｇ）＞
　接着剤組成物及びフィルム状接着剤は、エネルギー線硬化性樹脂（ｇ）を含有していてもよい。フィルム状接着剤は、エネルギー線硬化性樹脂（ｇ）を含有していることにより、エネルギー線の照射によって特性を変化させることができる。
＜汎用添加剤（ｉ）＞
　汎用添加剤（ｉ）は、公知のものでよく、目的に応じて任意に選択でき、特に限定されない。好ましい汎用添加剤（ｉ）としては、例えば、可塑剤、帯電防止剤、酸化防止剤、着色剤（染料、顔料）、ゲッタリング剤等が挙げられる。
　接着剤組成物及びフィルム状接着剤が含有する汎用添加剤（ｉ）は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
　接着剤組成物及びフィルム状接着剤の汎用添加剤（ｉ）の含有量は、特に限定されず、目的に応じて適宜選択すればよい。
＜溶媒＞
　接着剤組成物は、さらに溶媒を含有することが好ましい。溶媒を含有する接着剤組成物は、取り扱い性が良好となる。
　前記溶媒は特に限定されないが、好ましいものとしては、例えば、トルエン、キシレン等の炭化水素；メタノール、エタノール、２－プロパノール、イソブチルアルコール（２－メチルプロパン－１－オール）、１－ブタノール等のアルコール；酢酸エチル等のエステル；アセトン、メチルエチルケトン等のケトン；テトラヒドロフラン等のエーテル；ジメチルホルムアミド、Ｎ－メチルピロリドン等のアミド（アミド結合を有する化合物）等が挙げられる。
　接着剤組成物が含有する溶媒は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
　接着剤組成物が含有する溶媒は、接着剤組成物中の含有成分をより均一に混合できる点から、トルエン、メチルエチルケトン等であることが好ましい。
＜接着剤組成物の製造方法＞
　接着剤組成物は、これを構成するための各成分を配合することで得られる。
　各成分の配合時における添加順序は特に限定されず、２種以上の成分を同時に添加してもよい。
　溶媒を用いる場合には、溶媒を溶媒以外のいずれかの配合成分と混合してこの配合成分を予め希釈しておくことで用いてもよいし、溶媒以外のいずれかの配合成分を予め希釈しておくことなく、溶媒をこれら配合成分と混合することで用いてもよい。
　配合時に各成分を混合する方法は特に限定されず、撹拌子又は撹拌翼等を回転させて混合する方法；ミキサーを用いて混合する方法；超音波を加えて混合する方法等、公知の方法から適宜選択すればよい。
　各成分の添加及び混合時の温度並びに時間は、各配合成分が劣化しない限り特に限定されず、適宜調節すればよいが、温度は１５～３０℃であることが好ましい。
＜＜ダイシングダイボンディングシート＞＞
　本発明の一実施形態に係るダイシングダイボンディングシートは、支持シートと、前記支持シートの一方の面上に設けられた、上述の実施形態のフィルム状接着剤とを備える。
　このような支持シートを備えたダイシングダイボンディングシートは、フィルム状接着剤の、支持シートを備えている側とは反対側の面（本明細書においては、「第１面」と称することがある）が、半導体ウエハの裏面に貼付されて、使用される。
＜支持シート＞
　前記支持シートは、ダイシングダイボンディングシートにおいて、ダイシング時に半導体ウエハを固定するとともに、フィルム状接着剤を支持する働きを有し、ダイシング時にはフィルム状接着剤を介して半導体ウエハを固定する。
　前記支持シートは、基材上に粘着剤層を備えるものであってもよい。
　前記支持シートは、フィルム状接着剤と直接接触させる側に粘着剤層を備えない支持フィルムからなることが好ましい。
　前記支持フィルムは、１層（単層）からなるものであってもよいし、２層以上の複数層からなるものであってもよい。支持フィルムが複数層からなる場合、これら複数層の構成材料及び厚さは、互いに同一でも異なっていてもよく、これら複数層の組み合わせは、本発明の効果を損なわない限り、特に限定されない。前記支持フィルムは１層からなるものが好ましい。
　前記支持フィルムは、シート状又はフィルム状であり、その構成材料としては、例えば、各種樹脂が挙げられる。
　前記樹脂としては、例えば、低密度ポリエチレン（ＬＤＰＥ）、直鎖低密度ポリエチレン（ＬＬＤＰＥ）、高密度ポリエチレン（ＨＤＰＥ）、ポリプロピレン、ポリブテン、ポリブタジエン、ポリメチルペンテン、ノルボルネン樹脂等のポリオレフィン；エチレン－酢酸ビニル共重合体、エチレン－（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン－（メタ）アクリル酸エステル共重合体、エチレン－ノルボルネン共重合体等のエチレン系共重合体（モノマーとしてエチレンを用いて得られた共重合体）；ポリ塩化ビニル、塩化ビニル共重合体等の塩化ビニル系樹脂（モノマーとして塩化ビニルを用いて得られた樹脂）；ポリスチレン；ポリシクロオレフィン；ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンイソフタレート、ポリエチレン－２，６－ナフタレンジカルボキシレート、すべての構成単位が芳香族環式基を有する全芳香族ポリエステル等のポリエステル；２種以上の前記ポリエステルの共重合体；ポリ（メタ）アクリル酸エステル；ポリウレタン；ポリウレタンアクリレート；ポリイミド；ポリアミド；ポリカーボネート；フッ素樹脂；ポリアセタール；変性ポリフェニレンオキシド；ポリフェニレンスルフィド；ポリスルホン；ポリエーテルケトン等が挙げられる。
　また、前記樹脂としては、例えば、前記ポリエステルとそれ以外の樹脂との混合物等のポリマーアロイも挙げられる。前記ポリエステルとそれ以外の樹脂とのポリマーアロイは、ポリエステル以外の樹脂の量が比較的少量であるものが好ましい。
　また、前記樹脂としては、例えば、ここまでに例示した前記樹脂の１種又は２種以上が架橋した架橋樹脂；ここまでに例示した前記樹脂の１種又は２種以上を用いたアイオノマー等の変性樹脂も挙げられる。
　支持フィルムを構成する樹脂は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
　支持フィルムの厚さは、５０～３００μｍであることが好ましく、６０～１５０μｍであることがより好ましい。支持フィルムの厚さがこのような範囲であることで、ダイシングダイボンディングシートの可撓性と、半導体ウエハ又は半導体チップへの貼付性がより向上する。
　ここで、「支持フィルムの厚さ」とは、支持フィルム全体の厚さを意味し、例えば、複数層からなる支持フィルムの厚さとは、支持フィルムを構成するすべての層の合計の厚さを意味する。
　支持フィルムは、厚さの精度が高いもの、すなわち、部位によらず厚さのばらつきが抑制されたものが好ましい。上述の構成材料のうち、このような厚さの精度が高い支持フィルムを構成するのに使用可能な材料としては、例えば、ポリオレフィン、ポリエチレンテレフタレート、エチレン－酢酸ビニル共重合体等が挙げられ、ポリオレフィンが好ましい。
　支持フィルムは、前記樹脂等の主たる構成材料以外に、充填材、着色剤、帯電防止剤、酸化防止剤、有機滑剤、触媒、軟化剤（可塑剤）等の公知の各種添加剤を含有していてもよい。
　支持フィルムは、透明であってもよいし、不透明であってもよく、目的に応じて着色されていてもよいし、他の層が蒸着されていてもよい。
　支持フィルムは、その上に直接接触して積層されるフィルム状接着剤との密着性を向上させるために、サンドブラスト処理、溶剤処理等による凹凸化処理や、コロナ放電処理、電子線照射処理、プラズマ処理、オゾン・紫外線照射処理、火炎処理、クロム酸処理、熱風処理等の酸化処理等が表面に施されたものであってもよい。
　また、支持フィルムは、表面がプライマー処理を施されたものであってもよい。
　また、支持フィルムは、帯電防止コート層；ダイシングダイボンディングシートを重ね合わせて保存する際に、支持フィルムが他のシートに接着することや、支持フィルムが吸着テーブルに接着することを防止する層等を有するものであってもよい。
　支持フィルムは、公知の方法で製造できる。例えば、樹脂を含有する支持フィルムは、前記樹脂を含有する樹脂組成物を成形することで製造できる。
　ダイシングダイボンディングシートは、ピックアップ性を良好にするため、支持フィルム剥離力が適正な範囲にあることが好ましい。
　通常、フィルム状接着剤と支持フィルムとの間の剥離力は、フィルム状接着剤の材質とそれと接する支持フィルムの材質により変化するものである。
　フィルム状接着剤と支持フィルムとの間の剥離力は、次の様に測定することができる。
　ダイシングダイボンディングシートを２５ｍｍ×２５０ｍｍの矩形状に切断したものを準備する。ポリスチレン板からなる硬質支持体の表面に両面テープが貼付されたものを用い、この両面テープに、２５ｍｍ×２５０ｍｍのダイシングダイボンディングシートのフィルム状接着剤を重ね合せ、２３℃、相対湿度５０％の環境下において２ｋｇのゴムローラを、この重ね合せたものの上で一往復させることで、両面テープを介してダイシングダイボンディングシートを硬質支持体に貼付する。次いで、この貼付したものを２３℃、相対湿度５０％の同じ環境下で３０分放置した後、測定装置として株式会社島津製作所製の万能引張試験機ＡＧ－ＩＳを用い、ダイシングダイボンディングシートの支持フィルムをフィルム状接着剤から３００ｍｍ／ｍｉｎの剥離速度で１８０°の剥離角度で剥離させたときの剥離力（Ｎ／２５ｍｍ）を測定する。
　このようにして測定される支持フィルム剥離力は、０．０１～０．２Ｎ／２５ｍｍであることが好ましく、０．０６～０．１８Ｎ／２５ｍｍであることがより好ましく、０．１０～０．１６Ｎ／２５ｍｍであることが特に好ましい。
　次に、本実施形態のダイシングダイボンディングシートの例を、以下、図面を参照しながら説明する。
　図２は、本発明の一実施形態に係るダイシングダイボンディングシートを模式的に示す断面図である。
　ここに示すダイシングダイボンディングシート１０１は、支持フィルム１１を備え、支持フィルム１１上にフィルム状接着剤１３を備えている。支持フィルム１１は、単層のみからなり、フィルム状接着剤と直接接触させる側に粘着剤層を備えない。ダイシングダイボンディングシート１０１は、換言すると、支持フィルム１１の一方の面（本明細書においては、「第１面」と称することがある）１１ａ上にフィルム状接着剤１３が直接接触して積層された構成を有する。また、ダイシングダイボンディングシート１０１は、さらにフィルム状接着剤１３上に剥離フィルム１５を備えている。
　ダイシングダイボンディングシート１０１においては、支持フィルム１１の第１面１１ａにフィルム状接着剤１３が積層され、フィルム状接着剤１３の、支持フィルム１１を備えている側とは反対側の面（本明細書においては、「第１面」と称することがある）１３ａの一部、すなわち、周縁部近傍の領域に治具用接着剤層１６が積層され、フィルム状接着剤１３の第１面１３ａのうち、治具用接着剤層１６が積層されていない面と、治具用接着剤層１６のうち、フィルム状接着剤１３と接触していない面１６ａ（上面及び側面）に、剥離フィルム１５が積層されている。
　治具用接着剤層１６は、例えば、接着剤成分を含有する単層構造であってもよいし、芯材となるシートの両面に接着剤成分を含有する層が積層された複数層構造であってもよい。
　ダイシングダイボンディングシート１０１は、剥離フィルム１５が取り除かれた状態で、フィルム状接着剤１３の第１面１３ａに、半導体ウエハ（図示略）の裏面が貼付され、さらに、治具用接着剤層１６の面１６ａのうち上面が、リングフレーム等の治具に貼付されて、使用される。
　図３は、本発明の他の実施形態に係るダイシングダイボンディングシートを模式的に示す断面図である。
　なお、図３以降の図において、既に説明済みの図に示すものと同じ構成要素には、その説明済みの図の場合と同じ符号を付し、その詳細な説明は省略する。
　ここに示すダイシングダイボンディングシート１０２は、治具用接着剤層１６を備えていない点以外は、図２に示すダイシングダイボンディングシート１０１と同じである。すなわち、ダイシングダイボンディングシート１０２においては、支持フィルム１１の第１面１１ａにフィルム状接着剤１３が積層され、フィルム状接着剤１３の第１面１３ａの全面に、剥離フィルム１５が積層されている。
　換言すると、ダイシングダイボンディングシート１０２は、支持フィルム１１、フィルム状接着剤１３及び剥離フィルム１５がこの順に、これらの厚さ方向において積層されて、構成されている。
　図３に示すダイシングダイボンディングシート１０２は、図２に示すダイシングダイボンディングシート１０１の場合と同様に、剥離フィルム１５が取り除かれた状態で、フィルム状接着剤１３の第１面１３ａのうち、中央側の一部の領域に、半導体ウエハ（図示略）の裏面が貼付され、さらに、フィルム状接着剤１３の周縁部近傍の領域が、リングフレーム等の治具に貼付されて、使用される。
　図４は、本発明のさらに他の実施形態に係るダイシングダイボンディングシートを模式的に示す断面図である。
　ここに示すダイシングダイボンディングシート１０３は、支持フィルム１１を備え、支持フィルム１１上にフィルム状接着剤２３及び治具用接着剤層１６を備えている。ダイシングダイボンディングシート１０３は、支持フィルム１１の第１面１１ａ上にフィルム状接着剤２３が積層された構成を有する。
　ダイシングダイボンディングシート１０３は、支持フィルム１１の第１面１１ａの一部、すなわち、中央側の領域に、フィルム状接着剤２３が積層されている。さらに、ダイシングダイボンディングシート１０３は、支持フィルム１１の第１面１１ａのうち、フィルム状接着剤２３が積層されていない、フィルム状接着剤２３の周縁部近傍の領域に、治具用接着剤層１６が積層されている。そして、治具用接着剤層１６、及び、フィルム状接着剤２３の上に、剥離フィルム１５が積層されている。
　ダイシングダイボンディングシート１０３を、その剥離フィルム１５側の上方から見下ろして平面視したときに、フィルム状接着剤２３は支持フィルム１１よりも表面積が小さく、例えば、円形状等の形状を有する。支持フィルム１１及び治具用接着剤層１６は、フィルム状接着剤２３と同心円になるように、打ち抜かれていてもよい。
　ダイシングダイボンディングシート１０３は、治具用接着剤層１６の面のうち上面が、リングフレーム等の治具に貼付されて、使用される。
　このように、ダイシングダイボンディングシートは、支持フィルム及びフィルム状接着剤がどのような形態であっても、治具用接着剤層を備えたものが好ましい。治具用接着剤層を備えたダイシングダイボンディングシートとしては、図２に示すように、フィルム状接着剤上に治具用接着剤層を備えたものであってもよく、図４に示すように、支持フィルム上の、フィルム状接着剤の周縁部近傍の領域に治具用接着剤層を備えたものであってもよい。
　本実施形態のダイシングダイボンディングシートは、図２～図４に示すものに限定されず、本発明の効果を損なわない範囲内において、図２～図４に示すものの一部の構成が変更又は削除されたものや、これまでに説明したものにさらに他の構成が追加されたものであってもよい。
　また、ダイシングダイボンディングシートにおいては、剥離フィルムと、この剥離フィルムと直接接触している層との間に、一部隙間が生じていてもよい。
　また、ダイシングダイボンディングシートにおいては、各層の大きさや形状は、目的に応じて任意に調節できる。
＜＜半導体装置の製造方法＞＞
　本実施形態の半導体装置の製造方法は、上述の実施形態のフィルム状接着剤に半導体ウエハの裏面を貼付し、さらに、前記フィルム状接着剤の露出面に支持シートを貼付するか、又は、上述の実施形態のダイシングダイボンディングシートの前記フィルム状接着剤の露出面に半導体ウエハの裏面を貼付する工程と、
　前記半導体ウエハを分割することにより半導体チップを作製し、前記半導体ウエハの分割箇所に沿って前記フィルム状接着剤を切断してフィルム状接着剤付き半導体チップを作製する工程と、
　前記支持シートから、前記フィルム状接着剤付き半導体チップを引き離して、ピックアップする工程と、
　ピックアップされた前記フィルム状接着剤付き半導体チップを、前記フィルム状接着剤付き半導体チップ中のフィルム状接着剤によって、基板の回路形成面にダイボンディングする工程を含む。
＜フィルム状接着剤に半導体ウエハの裏面を貼付する工程＞
　フィルム状接着剤の露出面に半導体ウエハの裏面を貼付する工程においては、例えば、上述の実施形態のフィルム状接着剤に半導体ウエハの裏面を貼付し、さらに、前記フィルム状接着剤の露出面に支持シートを貼付することにより、半導体ウエハと、前記フィルム状接着剤と、前記支持シートとが、この順に、これらの厚さ方向において積層されて、構成された積層体を作製する。
　本工程は、従来のフィルム状接着剤に代えて、上述の本発明の一実施形態に係るフィルム状接着剤を用いる点を除けば、フィルム状接着剤を半導体ウエハの裏面に貼付する従来の方法と同じ方法で、行うことができる。
　フィルム状接着剤の露出面に半導体ウエハの裏面を貼付する工程においては、例えば、上述の実施形態のダイシングダイボンディングシート中の前記フィルム状接着剤のうち、前記支持シート側とは反対側の面（すなわち第１面）を、半導体ウエハの裏面に貼付することにより、半導体ウエハと、前記フィルム状接着剤と、前記支持シートとが、この順に、これらの厚さ方向において積層されて、構成された積層体を作製してもよい。
　本工程は、従来のダイシングダイボンディングシートに代えて、上述の本発明の一実施形態に係るダイシングダイボンディングシートを用いる点を除けば、ダイシングダイボンディングシートを半導体ウエハの裏面に貼付する従来の方法と同じ方法で、行うことができる。
＜フィルム状接着剤付き半導体チップを作製する工程＞
　フィルム状接着剤付き半導体チップを作製する工程においては、前記積層体中の半導体ウエハの分割（半導体チップの作製）と、前記積層体中のフィルム状接着剤の切断と、を行う順番は、特に限定されず、半導体ウエハの分割及びフィルム状接着剤の切断の順で行ってもよいし、フィルム状接着剤の切断及び半導体ウエハの分割の順で行ってもよいし、半導体ウエハの分割及びフィルム状接着剤の切断を同時に行ってもよい。また、半導体ウエハの分割及びフィルム状接着剤の切断を同時に行わない場合には、半導体ウエハの分割及びフィルム状接着剤の切断を、連続的に行って行ってもよいし、段階的に行ってもよい。
　半導体ウエハの分割及びフィルム状接着剤の切断は、いずれも公知の方法で行うことができる。
　例えば、ブレードダイシング、レーザー照射によるレーザーダイシング、又は研磨剤を含む水の吹き付けによるウォーターダイシング等の各ダイシングによって、半導体ウエハの分割及びフィルム状接着剤の切断を連続的に行うことができる。ただし、これは、半導体ウエハの分割方法、及びフィルム状接着剤の切断方法の一例である。
　フィルム状接着剤の切断は、半導体ウエハの分割箇所に沿って行うが、この場合、半導体ウエハの分割後にフィルム状接着剤を切断する場合には、フィルム状接着剤の切断は、半導体ウエハの分割された箇所、すなわち、半導体チップの周縁部に沿って行う。一方、半導体ウエハの分割前にフィルム状接着剤を切断する場合、及び半導体ウエハの分割と同時にフィルム状接着剤を切断する場合には、フィルム状接着剤の切断は、半導体ウエハの分割予定箇所に沿って行う。
　フィルム状接着剤付き半導体チップを作製する工程においては、半導体チップと、前記半導体チップの裏面に設けられた、切断後の前記フィルム状接着剤と、を備えた複数個のフィルム状接着剤付き半導体チップが、前記支持シート上で保持されて構成された、フィルム状接着剤付き半導体チップ集合体が作製される。フィルム状接着剤付き半導体チップ集合体においては、前記ダイシングダイボンディングシートを構成していた１枚の前記支持シート上で、複数個のフィルム状接着剤付き半導体チップが、整列した状態で保持（固定）されている。
＜ピックアップする工程＞
　ピックアップする工程においては、公知の方法で、フィルム状接着剤付き半導体チップ集合体中のフィルム状接着剤付き半導体チップを、支持シートから引き離して、ピックアップできる。
　本工程においては、上述の本発明の一実施形態に係るダイシングダイボンディングシートを用いることにより、支持シートがフィルム状接着剤と直接接触させるための粘着剤層を備えていなくても、フィルム状接着剤付き半導体チップのピックアップ時に、支持シート(すなわち、粘着剤層を備えない支持フィルム)におけるフィルム状接着剤の残存を抑制できる。
＜ダイボンディングする工程＞
　ダイボンディングする工程においては、公知の方法で、ピックアップ後のフィルム状接着剤付き半導体チップを、その中のフィルム状接着剤によって、基板の回路形成面にダイボンディングできる。
　ダイボンディングする工程の後も、従来の方法と同じ方法で、半導体パッケージ及び半導体装置を製造できる。例えば、必要に応じて、このダイボンディングされた半導体チップに、さらに半導体チップを１個以上積層した後、ワイヤボンディングを行う。次いで、フィルム状接着剤を熱硬化させ、さらに得られたもの全体を樹脂により封止する。これらの工程を経ることにより、半導体パッケージを作製できる。そして、この半導体パッケージを用いて、目的とする半導体装置を製造できる。
　図５Ａ～図５Ｄは、本実施形態に係る半導体装置の製造方法を模式的に説明するための断面図である。ここでは、図２に示すダイシングダイボンディングシート１０１を用いた場合の製造方法について示している。
　図５Ａは、貼付する工程で得られる積層体１１９Ａを示している。積層体１１９Ａは、半導体ウエハ９と、半導体ウエハ９の裏面９ｂに設けられたダイシングダイボンディングシート１０１と、を備えている。
　図５Ｂは、フィルム状接着剤付き半導体チップを作製する工程で得られるフィルム状接着剤付き半導体チップ集合体１１９Ｂを示している。フィルム状接着剤付き半導体チップ集合体１１９Ｂは、半導体チップ９’と、半導体チップ９’の裏面９ｂ’に設けられた、切断後のフィルム状接着剤１３０と、を備えた複数個のフィルム状接着剤付き半導体チップ１３９’が、支持フィルム１１上で保持されて、構成されている。
　図５Ｃは、ピックアップする工程において、引き離し手段７を用いて、矢印Ｉ方向に、フィルム状接着剤付き半導体チップ１３９’を支持フィルム１１から引き離して、ピックアップしている状態を示している。引き離し手段７としては、真空コレット等が挙げられる。なお、ここでは、引き離し手段７は、断面表示していない。支持フィルム１１の第１面１１ａにおいては、フィルム状接着剤１３０の残存が抑制される。
　図５Ｄは、ダイボンディングする工程において、半導体チップ９’をフィルム状接着剤１３０によって、基板５の回路形成面５ａにダイボンディングした状態を示している。
　図５Ａ～図５Ｄでは、ダイシングダイボンディングシート１０１を用いた場合の半導体装置の製造方法について示しているが、他のダイシングダイボンディングシート１０２～１０３等を用いた場合も、同様のものが得られる。
＜＜フィルム状接着剤の使用＞＞
　本実施形態のフィルム状接着剤の使用は、上述の実施形態のフィルム状接着剤に半導体ウエハの裏面を貼付し、さらに、前記フィルム状接着剤の露出面に支持シートを貼付する工程と、
　前記半導体ウエハを分割することにより半導体チップを作製し、前記半導体ウエハの分割箇所に沿って前記フィルム状接着剤を切断してフィルム状接着剤付き半導体チップを作製する工程と、
　前記支持シートから、前記フィルム状接着剤付き半導体チップを引き離して、ピックアップする工程と、
　ピックアップされた前記フィルム状接着剤付き半導体チップを、前記フィルム状接着剤付き半導体チップ中のフィルム状接着剤によって、基板の回路形成面にダイボンディングする工程を含む、半導体装置の製造方法に用いるための、フィルム状接着剤の使用である。
　本実施形態のフィルム状接着剤の使用における各工程は、上述の実施形態の半導体装置の製造方法における各工程と同様である。
＜＜ダイシングダイボンディングシートの使用＞＞
　本実施形態のダイシングダイボンディングシートの使用は、上述の実施形態のダイシングダイボンディングシートの前記フィルム状接着剤の露出面に半導体ウエハの裏面を貼付する工程と、
　前記半導体ウエハを分割することにより半導体チップを作製し、前記半導体ウエハの分割箇所に沿って前記フィルム状接着剤を切断してフィルム状接着剤付き半導体チップを作製する工程と、
　前記支持シートから、前記フィルム状接着剤付き半導体チップを引き離して、ピックアップする工程と、
　ピックアップされた前記フィルム状接着剤付き半導体チップを、前記フィルム状接着剤付き半導体チップ中のフィルム状接着剤によって、基板の回路形成面にダイボンディングする工程を含む、半導体装置の製造方法に用いるための、ダイシングダイボンディングシートの使用である。
　本実施形態のダイシングダイボンディングシートの使用における各工程は、上述の実施形態の半導体装置の製造方法における各工程と同様である。
＜＜半導体ウエハのリワーク方法＞＞
　本実施形態の半導体ウエハのリワーク方法は、上述の実施形態のフィルム状接着剤に半導体ウエハの裏面を貼付するか、又は、上述の実施形態のダイシングダイボンディングシートの前記フィルム状接着剤の露出面に半導体ウエハの裏面を貼付する工程と、
　前記フィルム状接着剤を前記半導体ウエハから剥離する工程を含む。
＜フィルム状接着剤に半導体ウエハの裏面を貼付する工程＞
　フィルム状接着剤の露出面に半導体ウエハの裏面を貼付する工程においては、例えば、上述の実施形態のフィルム状接着剤に半導体ウエハの裏面を貼付する。さらに、前記フィルム状接着剤の露出面に支持シートを貼付することにより、半導体ウエハと、前記フィルム状接着剤と、前記支持シートとが、この順に、これらの厚さ方向において積層されて、構成された積層体を作製してもよい。
　本工程は、従来のフィルム状接着剤に代えて、上述の本発明の一実施形態に係るフィルム状接着剤を用いる点を除けば、フィルム状接着剤を半導体ウエハの裏面に貼付する従来の方法と同じ方法で、行うことができる。
　フィルム状接着剤の露出面に半導体ウエハの裏面を貼付する工程においては、例えば、上述の実施形態のダイシングダイボンディングシート中の前記フィルム状接着剤のうち、前記支持シート側とは反対側の面（すなわち第１面）を、半導体ウエハの裏面に貼付することにより、半導体ウエハと、前記フィルム状接着剤と、前記支持シートとが、この順に、これらの厚さ方向において積層されて、構成された積層体を作製してもよい。
　本工程は、従来のダイシングダイボンディングシートに代えて、上述の本発明の一実施形態に係るダイシングダイボンディングシートを用いる点を除けば、ダイシングダイボンディングシートを半導体ウエハの裏面に貼付する従来の方法と同じ方法で、行うことができる。
＜フィルム状接着剤を半導体ウエハから剥離する工程＞
　フィルム状接着剤を半導体ウエハから剥離する工程においては、例えば、上述のフィルム状接着剤に半導体ウエハの裏面を貼付する工程により得られた、フィルム状接着剤及び半導体ウエハが、これらの厚さ方向において積層されて構成された積層体において、フィルム状接着剤を半導体ウエハから剥離する。
　例えば、基材フィルム上にＵＶ硬化性の粘着剤層が積層されて構成されている剥がしテープを準備し、剥がしテープの粘着剤層の露出面を、前記積層体のフィルム状接着剤の露出面に貼付する。剥がしテープの側からＵＶを照射して、剥がしテープの粘着剤層と、フィルム状接着剤との間を固着させる。剥がしテープと共に、フィルム状接着剤を半導体ウエハから剥離することができる。
　半導体ウエハと、前記フィルム状接着剤と、前記支持シートとが、この順に、これらの厚さ方向において積層されて、構成された積層体おいて、フィルム状接着剤を半導体ウエハから剥離してもよい。
　例えば、前記積層体から支持シートを剥離した後、剥がしテープの粘着剤層の露出面を、前記フィルム状接着剤の露出面に貼付する。剥がしテープの側からＵＶを照射して、剥がしテープの粘着剤層と、フィルム状接着剤との間を固着させる。剥がしテープと共に、フィルム状接着剤を半導体ウエハから剥離することができる。
　本実施形態の半導体ウエハのリワーク方法は、上述の実施形態のフィルム状接着剤、又は、上述の実施形態のダイシングダイボンディングシートを用いるので、フィルム状接着剤を、一度、半導体ウエハの裏面に貼付しても、半導体ウエハからきれいに剥離することができる
　以下、具体的実施例により、本発明についてより詳細に説明する。ただし、本発明は、以下に示す実施例に、何ら限定されるものではない。
＜モノマー＞
　本実施例および比較例において、略記しているモノマーの正式名称を、以下に示す。
　ＭＡ：アクリル酸メチル
　ＥＡ：アクリル酸エチル
　ＢＡ：アクリル酸ｎ－ブチル
　ＭＭＡ：メタクリル酸メチル
　ＡＡ　：アクリル酸
　ＨＥＡ：アクリル酸２－ヒドロキシエチル
　ＧＭＡ：メタクリル酸グリシジル
　２ＥＨＡ：アクリル酸－２－エチルヘキシル
　ＡＮ：アクリロニトリル
＜接着剤組成物の製造原料＞
　本実施例及び比較例において、接着剤組成物の製造に用いた原料を以下に示す。
［アクリル樹脂（ａ）］
　（ａ）－１：ＢＡ（８４質量部）、ＭＭＡ（８質量部）、ＡＡ（３質量部）及びＨＥＡ（５質量部）を共重合して得られたアクリル樹脂（重量平均分子量８０００００、ガラス転移温度－４２℃）。
　（ａ）－２：ＢＡ（８６質量部）、ＭＭＡ（８質量部）、ＡＡ（１質量部）及びＨＥＡ（５質量部）を共重合して得られたアクリル樹脂（重量平均分子量８０００００、ガラス転移温度－４４℃）。
　（ａ）－３：ＭＡ（８５質量部）及びＨＥＡ（１５質量部）を共重合して得られたアクリル樹脂（重量平均分子量４０００００、ガラス転移温度６℃）。
　（ａ）－４：ＢＡ（１０質量部）、ＭＡ（７０質量部）、ＧＭＡ（５質量部）及びＨＥＡ（１５質量部）を共重合して得られたアクリル樹脂（重量平均分子量４０００００、ガラス転移温度－１℃）。
　（ａ）－５：ＢＡ（５５質量部）、ＭＡ（１０質量部）、ＧＭＡ（２０質量部）及びＨＥＡ（１５質量部）を共重合して得られたアクリル樹脂（重量平均分子量８０００００、ガラス転移温度－２８℃）。
　（ａ）－６：ＢＡ（４０質量部）、ＥＡ（２５質量部）、ＡＮ（３０質量部）及びＧＭＡ（５質量部）を共重合して得られたアクリル樹脂（重量平均分子量７０００００、ガラス転移温度－９℃）。
［エポキシ樹脂（ｂ１）］
　（ｂ１）－１：液状ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（三菱ケミカル株式会社製「ＹＬ９８３Ｕ、エポキシ当量１６５～１７５ｇ／ｅｑ）
　（ｂ１）－２：ｏ－クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬株式会社製「ＥＯＣＮ－１０２Ｓ、エポキシ当量２０５～２１７ｇ／ｅｑ、軟化点５５～７７℃）
　（ｂ１）－３：トリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂（日本化薬株式会社製「ＥＰＰＮ－５０２Ｈ」、エポキシ当量１６７ｇ／ｅｑ、軟化点５４℃、分子量１２００）［熱硬化剤（ｂ２）］
　（ｂ２）－１：ｏ－クレゾール型ノボラック樹脂（ＤＩＣ株式会社製「フェノライト（登録商標）ＫＡ－１１６０」、水酸基当量１１７ｇ／ｅｑ、軟化点８０℃、一般式（１）中のｎ：６～７）
［硬化促進剤（ｃ）］
　（ｃ）－１：２－フェニル－４，５－ジヒドロキシメチルイミダゾール（四国化成工業株式会社製「キュアゾール（登録商標）２ＰＨＺ－ＰＷ」、融点１３７～１４７℃）
［カップリング剤（ｅ）］
　（ｅ）－１：エポキシ基、メチル基及びメトキシ基を有するオリゴマー型シランカップリング剤（信越シリコーン社製「Ｘ－４１－１０５６」、エポキシ当量２８０ｇ／ｅｑ）
［架橋剤（ｆ）］
　（ｆ）－１：トリメチロールプロパンのトリレンジイソシアネート三量体付加物（トーヨーケム社製「ＢＨＳ８５１５」）
［実施例１］
＜＜フィルム状接着剤の製造＞＞
＜接着剤組成物の製造＞
　アクリル樹脂（ａ）－１（１８質量部）、エポキシ樹脂（ｂ１）－１（６．０質量部）、エポキシ樹脂（ｂ１）－２（４０．０質量部）、エポキシ樹脂（ｂ１）－３（１０．０質量部）、熱硬化剤（ｂ２）－１（２４質量部）、硬化促進剤（ｃ）－１（０．３質量部）、カップリング剤（ｅ）－１（１．０質量部）及び架橋剤（ｆ）－１（０．７質量部）をメチルエチルケトンに溶解又は分散させて、２３℃で撹拌することにより、上述のすべての成分の合計濃度が５０質量％である接着剤組成物を得た。なお、ここに示すメチルエチルケトン以外の成分の配合量はすべて、溶媒成分を含まない目的物の量である。
＜フィルム状接着剤の製造＞
　ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）製フィルムの片面がシリコーン処理により剥離処理されている剥離フィルム（リンテック社製「ＳＰ－ＰＥＴ３８１０３１」、厚さ３８μｍ）を準備した。剥離フィルムの剥離処理面に、前記で得られた接着剤組成物を塗工し、１００℃で１分加熱乾燥させることにより、厚さ２０μｍのフィルム状接着剤を形成し、剥離フィルム及びフィルム状接着剤が積層されたフィルム状接着剤シートを得た。
＜＜ダイシングダイボンディングシートの製造＞＞
　前記フィルム状接着剤シートの、フィルム状接着剤の露出面に、ポリオレフィン製フィルム（グンゼ社製、ファンクレア（登録商標）ＬＬＤ♯８０、厚さ８０μｍ）を貼り合せた。これにより、ポリオレフィン製フィルム（支持フィルム）、フィルム状接着剤及び剥離フィルムがこの順に、これらの厚さ方向において積層されて構成された、ダイシングダイボンディングシートを得た。
＜剥離力測定＞
（剥がしテープ）
　基材上にＵＶ硬化性の粘着剤層が積層されて構成されているダイシングテープ（リンテック株式会社製、Ａｄｗｉｌｌ（登録商標）、Ｄ－８４１）を剥がしテープとして準備した。
（剥離力の測定方法）
　剥がしテープの粘着剤層の露出面と、ダイシングダイボンディングシートのフィルム状接着剤の露出面とを貼り合わせた。得られた積層体を、幅２５ｍｍ×長さ２５ｃｍに裁断し、ダイシングダイボンディングシートの支持フィルムを剥離し、フィルム状接着剤の表面を露出させて、剥離力測定の試験片とした。シリコンウエハ（♯２０００、厚さ：３５０μｍ）の研磨面に、前記試験片のフィルム状接着剤の露出面を貼付し、剥がしテープの基材側からにＵＶ照射した（照度:２３０ｍＷ/ｃｍ２、光量:１９０ｍＪ/ｃｍ２）。
　万能引張試験機（株式会社島津製作所製、オートグラフＡＧ－ＩＳ）を用いて、シリコンウエハから、ＵＶ照射後の剥がしテープを剥離角度１８０°、剥離速度０．３ｍ/ｍｉｎで剥離し、ＪＩＳ Ｚ０２３７：２００９に準じて、６インチシリコンウエハに対するフィルム状接着剤の剥離力［Ｎ／２５ｍｍ］を測定した。
　なお、このとき、シリコンウエハに対するフィルム状接着剤の剥離力は、本来、フィルム状接着剤の基材と接する側の面の剥離力を測定したが、この剥離力は、フィルム状接着剤のシリコンウエハと接する側の面の剥離力と同じである。
＜リワーク性試験＞
　上記と同じく、ダイシングテープ（リンテック株式会社製、Ａｄｗｉｌｌ（登録商標）、Ｄ－８４１）を剥がしテープとして準備した。
　ラミネーター（株式会社エム・シー・ケー製、ＭＣＬ－６５０）を用いて６インチシリコンウエハ（♯２０００、厚さ：３５０μｍ）の研磨面に、ダイシングダイボンディングシートのフィルム状接着剤の面を６０℃、速度０．３ｍ/ｍｉｎで貼付した。ダイシングダイボンディングシートの支持フィルムを剥離し、剥き出しのフィルム状接着剤に、剥がしテープの粘着剤層をスキージで貼付した。これにより、剥がしテープの基材、粘着剤層、並びに、フィルム状接着剤及びシリコンウエハがこの順に、これらの厚さ方向において積層されて構成された積層体を得た。この積層体に対して、剥がしテープの基材側からにＵＶ照射した（照度:２３０ｍＷ/ｃｍ２、光量:１９０ｍＪ/ｃｍ２）。
　ＵＶ照射後の積層体をテープマウンタ（リンテック株式会社製ＲＡＤ－２５００）の吸着テーブル上に静置し、吸着固定した上で、ＵＶ照射後の剥がしテープを剥離角度１８０°、剥離速度０．３ｍ/ｍｉｎで剥離して、リワーク性を以下の３段階の基準で評価した。
（リワーク性評価）
　Ａ：シリコンウエハからフィルム状接着剤を剥離することができ、シリコンウエハにフィルム状接着剤が全く残らなかった。
　Ｂ：シリコンウエハの一部分に、フィルム状接着剤が残った。
　Ｃ：シリコンウエハの全体に、フィルム状接着剤が残った。
＜接着強度の測定＞
　ラミネーター（株式会社エム・シー・ケー製、ＭＣＬ－６５０）を用いて６インチシリコンウエハ（♯２０００、厚さ３５０μｍ）を１／４（中心角９０°の扇形）にカットしたシリコンウエハの研磨面にダイシングダイボンディングシートのフィルム状接着剤の面を６０℃、速度０．３ｍ／ｍｉｎで貼付した。シリコンウエハに貼付したダイシングダイボンディングシートの支持フィルムを剥離し、剥き出しのフィルム状接着剤に銅箔（１０ｍｍ×５０ｍｍ×１５０μｍ）を６０℃、速度０．３ｍ／ｍｉｎで貼付した。
　その後、１６０℃、１時間の条件でフィルム状接着剤を熱硬化させた。その後、万能引張試験機（株式会社島津製作所製、オートグラフＡＧ－ＩＳ）で、銅箔を剥離する９０°剥離を行ない、接着強度を測定した。接着強度を以下の３段階の基準で評価した。
（接着強度の評価）
　Ａ：３．０Ｎ／１０ｍｍ以上
　Ｂ：１．５Ｎ／１０ｍｍ以上３．０Ｎ／１０ｍｍ未満
　Ｃ：１．５Ｎ／１０ｍｍ未満
＜＜フィルム状接着剤及びダイシングダイボンディングシートの製造、並びにフィルム状接着剤の評価＞＞
［実施例２～４、比較例１～２］
　接着剤組成物の含有成分の種類及び含有量が、表１及び表２に示すとおりとなるように、接着剤組成物の製造時における、配合成分の種類及び配合量を変更した点以外は、実施例１の場合と同じ方法で、フィルム状接着剤及びダイシングダイボンディングシートを製造し、実施例１の場合と同じ方法で、フィルム状接着剤を評価した。結果を表１及び表２に示す。
　なお、表１及び表２中の含有成分の欄の「－」との記載は、接着剤組成物がその成分を含有していないことを意味する。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
　前記の結果から明らかなように、実施例１～４のフィルム状接着剤及びダイシングダイボンディングシートは、シリコンウエハに対するフィルム状接着剤の剥離力が１．４Ｎ／２５ｍｍ未満であり、リワーク性が優れていた。
　また、実施例１～４においては、フィルム状接着剤の熱硬化物の接着強度が２．０Ｎ／１０ｍｍ以上であり、十分な接着強度を有していた。特に、実施例１～３においては、フィルム状接着剤の熱硬化物の接着強度が３．７Ｎ／１０ｍｍ以上であり、優れた接着強度を有していた。
　比較例１～４のフィルム状接着剤及びダイシングダイボンディングシートは、リワーク性試験において、シリコンウエハの全体に、フィルム状接着剤が残り、リワーク適性に欠けていた。
　比較例１～４においては、フィルム状接着剤の熱硬化物の接着強度が不十分であった。
　本発明は、半導体装置の製造に利用可能である。
　１１…支持フィルム、１１ａ…支持フィルムの第１面、１３，２３…フィルム状接着剤、１３１…フィルム状接着剤シート、１５…剥離フィルム、１０１，１０２，１０３…ダイシングダイボンディングシート、９０…フィルム状接着剤の熱硬化物、９０ａ…フィルム状接着剤の熱硬化物の第１面、９０ｂ…フィルム状接着剤の熱硬化物の第２面、９０ｃ…フィルム状接着剤の熱硬化物の側面、９１…銅板、９２…シリコンチップ、９２ｃ…シリコンチップの側面、９９…第１試験片

Claims (12)

  1. 　熱硬化性のフィルム状接着剤であって、
    　前記フィルム状接着剤は、カルボキシ基を有するアクリル樹脂（ａ）を含有し、
    　前記フィルム状接着剤をシリコンウエハの♯２０００の研磨面に貼付し、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎ、剥離角度１８０°にて、前記フィルム状接着剤を前記シリコンウエハから剥離させたときの剥離力が１．４Ｎ／２５ｍｍ未満である、フィルム状接着剤。
  2. 　前記フィルム状接着剤１００質量％に対して、前記アクリル樹脂（ａ）の含有量が１０～３０質量％である、請求項１に記載のフィルム状接着剤。
  3. 　前記アクリル樹脂（ａ）１００質量％に対して、カルボキシ基を有する構成単位の含有量が、０．５質量％以上である、請求項１又は２に記載のフィルム状接着剤。
  4. 　熱硬化性成分（ｂ）を含有する、請求項１～３のいずれか一項に記載のフィルム状接着剤。
  5. 　無機充填材（ｄ）を実質的に含有しない、請求項１～４のいずれか一項に記載のフィルム状接着剤。
  6. 　支持シートと、前記支持シートの一方の面上に設けられた、請求項１～５のいずれか一項に記載のフィルム状接着剤とを備える、ダイシングダイボンディングシート。
  7. 　前記支持シートが、フィルム状接着剤と直接接触させる側に粘着剤層を備えない支持フィルムからなり、
    　前記フィルム状接着剤が前記支持フィルムの一方の面上に直接接触して積層されている、請求項６に記載のダイシングダイボンディングシート。
  8. 　前記支持フィルムの構成材料がポリオレフィンである、請求項７に記載のダイシングダイボンディングシート。
  9. 　請求項１～５のいずれか一項に記載のフィルム状接着剤に半導体ウエハの裏面を貼付し、さらに、前記フィルム状接着剤の露出面に支持シートを貼付するか、又は、請求項６～８のいずれか一項に記載のダイシングダイボンディングシートの前記フィルム状接着剤の露出面に半導体ウエハの裏面を貼付する工程と、
    　前記半導体ウエハを分割することにより半導体チップを作製し、前記半導体ウエハの分割箇所に沿って前記フィルム状接着剤を切断してフィルム状接着剤付き半導体チップを作製する工程と、
    　前記支持シートから、前記フィルム状接着剤付き半導体チップを引き離して、ピックアップする工程と、
    　ピックアップされた前記フィルム状接着剤付き半導体チップを、前記フィルム状接着剤付き半導体チップ中のフィルム状接着剤によって、基板の回路形成面にダイボンディングする工程を含む、半導体装置の製造方法。
  10. 　請求項１～５のいずれか一項に記載のフィルム状接着剤の使用であって、
    　前記フィルム状接着剤に半導体ウエハの裏面を貼付し、さらに、前記フィルム状接着剤の露出面に支持シートを貼付する工程と、
    　前記半導体ウエハを分割することにより半導体チップを作製し、前記半導体ウエハの分割箇所に沿って前記フィルム状接着剤を切断してフィルム状接着剤付き半導体チップを作製する工程と、
    　前記支持シートから、前記フィルム状接着剤付き半導体チップを引き離して、ピックアップする工程と、
    　ピックアップされた前記フィルム状接着剤付き半導体チップを、前記フィルム状接着剤付き半導体チップ中のフィルム状接着剤によって、基板の回路形成面にダイボンディングする工程を含む、半導体装置の製造方法に用いるための、フィルム状接着剤の使用。
  11. 　請求項６～８のいずれか一項に記載のダイシングダイボンディングシートの使用であって、
    　前記ダイシングダイボンディングシートの前記フィルム状接着剤の露出面に半導体ウエハの裏面を貼付する工程と、
    　前記半導体ウエハを分割することにより半導体チップを作製し、前記半導体ウエハの分割箇所に沿って前記フィルム状接着剤を切断してフィルム状接着剤付き半導体チップを作製する工程と、
    　前記支持シートから、前記フィルム状接着剤付き半導体チップを引き離して、ピックアップする工程と、
    　ピックアップされた前記フィルム状接着剤付き半導体チップを、前記フィルム状接着剤付き半導体チップ中のフィルム状接着剤によって、基板の回路形成面にダイボンディングする工程を含む、半導体装置の製造方法に用いるための、ダイシングダイボンディングシートの使用。
  12. 　請求項１～５のいずれか一項に記載のフィルム状接着剤に半導体ウエハの裏面を貼付するか、又は、請求項６～８のいずれか一項に記載のダイシングダイボンディングシートの前記フィルム状接着剤の露出面に半導体ウエハの裏面を貼付する工程と、
    　前記フィルム状接着剤を前記半導体ウエハから剥離する工程を含む、半導体ウエハのリワーク方法。
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