TW202142647A - 膜狀接著劑以及膜狀接著劑複合片 - Google Patents

膜狀接著劑以及膜狀接著劑複合片 Download PDF

Info

Publication number
TW202142647A
TW202142647A TW110110958A TW110110958A TW202142647A TW 202142647 A TW202142647 A TW 202142647A TW 110110958 A TW110110958 A TW 110110958A TW 110110958 A TW110110958 A TW 110110958A TW 202142647 A TW202142647 A TW 202142647A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
adhesive
film
aforementioned
composite sheet
semiconductor wafer
Prior art date
Application number
TW110110958A
Other languages
English (en)
Inventor
田中佑耶
岩屋渉
布施啓示
Original Assignee
日商琳得科股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商琳得科股份有限公司 filed Critical 日商琳得科股份有限公司
Publication of TW202142647A publication Critical patent/TW202142647A/zh

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
    • C09J7/38—Pressure-sensitive adhesives [PSA]
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J163/00—Adhesives based on epoxy resins; Adhesives based on derivatives of epoxy resins
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C09J7/22—Plastics; Metallised plastics
    • C09J7/24—Plastics; Metallised plastics based on macromolecular compounds obtained by reactions involving only carbon-to-carbon unsaturated bonds
    • C09J7/241—Polyolefin, e.g.rubber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L2205/00—Polymer mixtures characterised by other features
    • C08L2205/02—Polymer mixtures characterised by other features containing two or more polymers of the same C08L -group
    • C08L2205/025—Polymer mixtures characterised by other features containing two or more polymers of the same C08L -group containing two or more polymers of the same hierarchy C08L, and differing only in parameters such as density, comonomer content, molecular weight, structure
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L2205/00—Polymer mixtures characterised by other features
    • C08L2205/03—Polymer mixtures characterised by other features containing three or more polymers in a blend
    • C08L2205/035—Polymer mixtures characterised by other features containing three or more polymers in a blend containing four or more polymers in a blend
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2203/326—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/10—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive tape or sheet
    • C09J2301/12—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive tape or sheet by the arrangement of layers
    • C09J2301/124—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive tape or sheet by the arrangement of layers the adhesive layer being present on both sides of the carrier, e.g. double-sided adhesive tape
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/30—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier
    • C09J2301/312—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier parameters being the characterizing feature
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2423/00—Presence of polyolefin
    • C09J2423/10—Presence of homo or copolymers of propene
    • C09J2423/106—Presence of homo or copolymers of propene in the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2463/00—Presence of epoxy resin

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Die Bonding (AREA)
  • Dicing (AREA)

Abstract

本發明係一種硬化性之膜狀接著劑，係於由聚烯烴所構成之試驗用基材上依序積層前述膜狀接著劑、雙面膠帶及硬質支撐體時，以剝離速度300mm/分鐘、溫度23℃所測定之前述膜狀接著劑與前述試驗用基材之間的180°撕下剝離力為0.01N/25mm至0.2N/25mm；將前述膜狀接著劑多片積層，由製成厚度200μm、寬度15mm、長度70mm之試樣，於25℃、夾頭間距離30mm、拉伸速度200mm/分鐘之條件下測定的應力-應變曲線而得之結果所求出的斷裂強度為30MPa以下且斷裂伸長率為11%以上。

Description

膜狀接著劑以及膜狀接著劑複合片
本發明係關於一種膜狀接著劑。本申請案基於2020年3月30日在日本提出申請之日本特願2020-060371號主張優先權，且將該申請案的內容引用至本文中。
半導體晶片通常藉由貼附於該半導體晶片的內面之膜狀接著劑而黏晶於基板的電路形成面。然後，使用所獲得之成品，製作半導體封裝體，使用該半導體封裝體，最終製造目標半導體裝置。
內面具備膜狀接著劑之半導體晶片是例如藉由將內面具備膜狀接著劑之半導體晶圓與膜狀接著劑一起進行分割(切斷)而製作。
作為膜狀接著劑，根據目的，至此為止揭示有各種熱硬化型黏晶膜。例如，專利文獻1中記載有拉伸斷裂伸長率未達5%之熱硬化型黏晶膜。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利第5353703號公報。
[發明所欲解決之課題]
然而，於將使用了熱硬化型黏晶膜之半導體晶圓進行分割時，有時會產生割斷之不良、晶粒破裂(die crack)。另外，若使用專利文獻1中所記載之熱硬化型黏晶膜來分割半導體晶圓，則有時會產生毛邊。 因此，本發明的目的在於提供一種膜狀接著劑，於作為熱硬化型黏晶膜使用來分割半導體晶圓時，能夠充分地抑制割斷之不良、晶粒破裂及毛邊的產生。 [用以解決課題之手段]
本發明包含以下之態樣。 [1]一種膜狀接著劑，係於由聚烯烴所構成之試驗用基材上依序積層前述膜狀接著劑、雙面膠帶及硬質支撐體時，以剝離速度300mm/分鐘、溫度23℃所測定之前述膜狀接著劑與前述試驗用基材之間的180°撕下剝離力為0.01N/25mm至0.2N/25mm；使用拉伸試驗機，於25℃、夾頭間距離30mm、拉伸速度200mm/分鐘之條件下，測定作為多片前述膜狀接著劑的積層物之寬度15mm、長度70mm、厚度200μm之試樣的應力、應變曲線，並使用這些測定結果，藉由下式所算出的前述膜狀接著劑的斷裂強度為30MPa以下、前述膜狀接著劑的斷裂伸長率為11%以上。 斷裂強度(Pa)＝最大強度(N)/試樣的截面積(m2 ) 斷裂伸長率(%)＝(斷裂時的試樣的夾頭間長度(mm)－30)/30/100 [2]如[1]所記載之膜狀接著劑，其中前述膜狀接著劑實質上不含重量平均分子量為100000以上之聚合物成分。 [3]如[1]或[2]所記載之膜狀接著劑，其中前述膜狀接著劑包含於主鏈具有環結構且玻璃轉移溫度(Tg)為140℃以上之熱塑性樹脂。 [4]如[1]至[3]中任一項所記載之膜狀接著劑，其中前述膜狀接著劑係用以藉由下述方式來製造具膜狀接著劑之半導體晶片：將前述膜狀接著劑貼附於多個半導體晶片的內面，沿自前述膜狀接著劑朝向前述半導體晶片之方向頂起前述膜狀接著劑，藉此沿著前述半導體晶片的外周切斷前述膜狀接著劑，從而製造具備前述半導體晶片、及設置於前述半導體晶片的內面之切斷後的前述膜狀接著劑而構成的具膜狀接著劑之半導體晶片。 [5]一種膜狀接著劑複合片，具備支撐片、及設置於前述支撐片的一面上之膜狀接著劑，前述膜狀接著劑為如[1]至[4]中任一項所記載之膜狀接著劑。 [6]如[5]所記載之膜狀接著劑複合片，其中前述支撐片僅由基材所構成。 [發明功效]
根據本發明，能夠提供一種膜狀接著劑，於作為熱硬化型黏晶膜使用來分割半導體晶圓時，能夠充分地抑制割斷之不良、晶粒破裂及毛邊的產生。
[膜狀接著劑] 本發明的膜狀接著劑係於由聚烯烴所構成之試驗用基材上依序積層前述膜狀接著劑、雙面膠帶及硬質支撐體時，以剝離速度300mm/分鐘、溫度23℃所測定之前述膜狀接著劑與前述試驗用基材之間的180°撕下剝離力為0.01N/25mm至0.2N/25mm；使用拉伸試驗機，於25℃、夾頭間距離30mm、拉伸速度200mm/分鐘之條件下測定作為多片前述膜狀接著劑之積層物之寬度15mm、長度70mm、厚度200μm之試樣的應力、應變曲線，並使用這些測定結果，藉由下式所算出的前述膜狀接著劑的斷裂強度為30MPa以下、前述膜狀接著劑的斷裂伸長率為11%以上。
前述膜狀接著劑具有硬化性，較佳為具有熱硬化性，較佳為具有感壓接著性。一併具有熱硬化性及感壓接著性之膜狀接著劑於未硬化狀態下可藉由輕輕地按壓於各種被接著體而貼附。另外，膜狀接著劑亦可藉由進行加熱使之軟化而貼附於各種被接著體。膜狀接著劑藉由硬化最終成為耐衝擊性高之硬化物，該硬化物於嚴酷的高溫、高濕度條件下亦能保持充分的接著特性。
本說明書中，於膜狀接著劑具有硬化性之情形時，所謂「膜狀接著劑」，意指「硬化前的膜狀接著劑」，將「硬化後的膜狀接著劑」稱為「膜狀接著劑之硬化物」等，以區別有無硬化。
[剝離力] 膜狀接著劑與由聚烯烴所構成之基材之間的180°撕下剝離力係以下述方式進行測定。 首先，於剝離膜上塗佈接著劑組成物後，進行乾燥，於接著劑的暴露面貼合由聚烯烴所構成之試驗用基材，藉此獲得試驗用基材／膜狀接著劑／剝離膜之積層體。 繼而，自積層體將剝離膜剝離，以使膜狀接著劑表面、與於硬質支撐體的表面貼附有雙面膠帶而成者的雙面膠帶表面接觸之方式貼合。 繼而，於23℃之環境下，以剝離速度300mm/分鐘，自硬質支撐體／雙面膠帶／膜狀接著劑／試驗用基材將試驗用基材剝離。此時的剝離係設為以試驗用基材與膜狀接著劑相互接觸之面彼此成為180°之角度之方式，使膜狀接著劑沿該膜狀接著劑的長度方向剝離、即設為所謂180°剝離。並且，測定該180°剝離時的荷重(剝離力)，將該測定值設為剝離力(N/25mm)。
膜狀接著劑與由聚烯烴所構成之基材之間的180°撕下剝離力較佳為0.01N/25mm至0.2N/25mm，更佳為0.01N/25mm至0.15N/25mm，尤佳為0.02N/25mm至0.1N/25mm。藉由該剝離力為前述下限值以上，於實際使用時，能夠避免膜狀接著劑自基材剝離之不良情況。另外，藉由為前述上限值以下，能夠使基材自貼附有膜狀接著劑複合片之矽晶片剝離而容易地分割具膜狀接著劑之矽晶片，從而能夠防止晶粒破裂，詳情將於後文進行敘述。
[斷裂強度、斷裂伸長率] 膜狀接著劑的斷裂伸長率可藉由以下所示之方法進行測定。 首先，使多片膜狀接著劑積層而獲得厚度200μm之試樣。1片膜狀接著劑的厚度並無特別限定，可為5μm至50μm。所積層之膜狀接著劑的片數並無特別限定，可為4片至40片。 繼而，裁斷所積層之膜狀接著劑，獲得寬度15mm、長度70mm、厚度200μm之試樣。 繼而，於25℃之環境中，使用拉伸試驗機，於夾頭間距離30mm、拉伸速度200mm/分鐘之條件下測定應力、應變曲線。 繼而，使用測定結果，藉由下式算出斷裂強度及斷裂伸長率。 斷裂強度(Pa)＝最大強度(N)/試樣的截面積(m2 ) 斷裂伸長率(%)＝(斷裂時的試樣的夾頭間長度(mm)－30)/30/100
斷裂強度較佳為30MPa以下，更佳為10MPa以下，尤佳為3MPa以下。藉由斷裂強度為前述上限值以下，能夠切斷膜狀接著劑，而容易地獲得具膜狀接著劑之矽晶片，從而能夠防止晶粒破裂，詳情將於後文進行敘述。
斷裂伸長率較佳為11%以上，較佳為20%以上，較佳為30%以上。藉由斷裂伸長率為前述下限值以上，於切斷膜狀接著劑時，能夠防止膜狀接著劑產生毛邊，詳情將於後文進行敘述。
本說明書中，將半導體晶片及半導體晶圓中之形成有電路之面稱為「電路形成面」，將與該電路形成面為相反側的面稱為「內面」。並且，將具備半導體晶片、及設置於該半導體晶片的內面之膜狀接著劑之結構體稱為「具膜狀接著劑之半導體晶片」。 具備本實施形態的膜狀接著劑之具膜狀接著劑之半導體晶片能夠藉由該膜狀接著劑以良好的狀態黏晶於基板。
使用本實施形態的膜狀接著劑所製作之具膜狀接著劑之半導體晶片藉由當中的膜狀接著劑而接著(黏晶)於基板的電路形成面。進而，膜狀接著劑最終發生硬化。 因此，對於前述膜狀接著劑之硬化物，要求對前述膜狀接著劑之硬化物之接著對象物具有充分的接著力。
前述膜狀接著劑可由1層(單層)所構成，亦可由2層以上之多層所構成，於由多層所構成之情形時，這些多層相互可相同亦可不同，這些多層的組合並無特別限定。
此外，本說明書中，並不限於膜狀接著劑之情形，所謂「多層相互可相同亦可不同」，意指「可全部層相同，亦可全部層皆不同，還可僅一部分層相同」，進而，所謂「多層相互不同」，意指「各層的構成材料及厚度的至少一者相互不同」。
前述膜狀接著劑的厚度並無特別限定，較佳為1μm至50μm，更佳為3μm至40μm，尤佳為5μm至30μm。藉由膜狀接著劑的厚度為前述下限值以上，膜狀接著劑對被接著體(半導體晶圓、半導體晶片)之接著力變得更高。藉由膜狀接著劑的厚度為前述上限值以下，於後述之半導體晶片之製造步驟中，能夠更容易地切斷膜狀接著劑，另外，能夠進一步降低源自膜狀接著劑之切斷片的產生量。 此處，所謂「膜狀接著劑的厚度」，意指膜狀接著劑整體的厚度，例如所謂由多層所構成之膜狀接著劑的厚度，意指構成膜狀接著劑之全部層的合計厚度。
前述膜狀接著劑例如可使用含有後述之聚合物成分(a)、環氧樹脂(b1)及熱硬化劑(b2)等膜狀接著劑的構成材料之接著劑組成物而形成。例如，於膜狀接著劑之形成對象面塗敷接著劑組成物，視需要使之乾燥，藉此能夠於目標部位形成膜狀接著劑。 接著劑組成物中的常溫下不會氣化的成分彼此的含量之比率通常會變得與膜狀接著劑中的前述成分彼此的含量之比率相同。此外，本說明書中，所謂「常溫」，意指不特別冷或特別熱的溫度，亦即平常的溫度，例如可列舉15℃至25℃之溫度等。
利用公知的方法塗敷接著劑組成物即可，例如可列舉使用以下各種塗佈機之方法：氣刀塗佈機、刮刀塗佈機、棒式塗佈機、凹版塗佈機、輥式塗佈機、輥刀塗佈機、簾幕式塗佈機、模具塗佈機、刀式塗佈機、網版塗佈機、Meyer棒式塗佈機、輕觸式塗佈機等。
接著劑組成物的乾燥條件並無特別限定，於接著劑組成物含有後述溶媒之情形時，較佳為進行加熱乾燥。含有溶媒之接著劑組成物例如較佳為於70℃至130℃且10秒至5分鐘之條件下進行乾燥。 以下，針對膜狀接著劑及接著劑組成物的含有成分詳細地進行說明。
本實施形態的膜狀接著劑較佳為實質上不含重量平均分子量為100000以上之聚合物成分。換言之，本實施形態的膜狀接著劑較佳為相對於膜狀接著劑100質量%，重量平均分子量為100000以上之聚合物成分的含量為1質量%以下。
本實施形態的膜狀接著劑較佳為包含於主鏈具有環結構且玻璃轉移溫度(Tg)為140℃以上之樹脂，前述玻璃轉移溫度更佳為150℃以上，進而較佳為160℃以上。藉由膜狀接著劑包含此種樹脂，能夠使拾取適性良好。 膜狀接著劑較佳為包含此種樹脂作為後述之聚合物成分(a)。
[聚合物成分(a)] 聚合物成分(a)較佳為於主鏈具有環結構且玻璃轉移溫度(Tg)為140℃以上之樹脂。
聚合物成分(a)亦可為能視為聚合性化合物進行聚合反應而形成之聚合物成分或低聚物成分。聚合物成分(a)對膜狀接著劑賦予造膜性或可撓性等，並且使對半導體晶片等接著對象之接著性(貼附性)提高。另外，聚合物成分(a)亦為不符合後述之環氧樹脂(b1)及熱硬化劑(b2)之成分。
聚合物成分(a)有時亦符合熱硬化性成分(b)。本發明中，於接著劑組成物含有此種符合聚合物成分(a)及熱硬化性成分(b)兩者之成分之情形時，視為接著劑組成物含有聚合物成分(a)及熱硬化性成分(b)。
聚合物成分(a)的玻璃轉移溫度(Tg)較佳為140℃以上，更佳為150℃以上，進而較佳為160℃以上。 藉由聚合物成分(a)的玻璃轉移溫度(Tg)為前述下限值以上，能夠降低膜狀接著劑與基材之間的180°撕下剝離力，能夠使拾取適性良好。
於聚合物成分(a)具有2種以上之構成單元之情形時，該聚合物成分(a)的玻璃轉移溫度(Tg)可使用Fox公式而算出。作為此時所使用之衍生出前述構成單元之單體的Tg，可使用高分子資料・手冊或黏著手冊中所記載之值。
聚合物成分(a)藉由於主鏈具有環結構，能夠將玻璃轉移溫度(Tg)容易地調整為140℃以上。主鏈的環結構可為芳香環，亦可為脂肪族環，亦可為烴環，亦可為雜環。
藉由使用聚合物成分(a)之熱塑性樹脂，有時於拾取時，具膜狀接著劑之半導體晶片自後述支撐片之扯離變得更容易，或膜狀接著劑變得易於追隨於被接著體的凹凸面，從而可進一步抑制於被接著體與膜狀接著劑之間產生空隙等。
聚合物成分(a)的重量平均分子量較佳為1000以上至未達100000，更佳為2000至80000。聚合物成分(a)的數量平均分子量較佳為500至50000，更佳為1000至40000。 藉由聚合物成分(a)的重量平均分子量為前述下限值以上，能夠提高膜狀接著劑的斷裂伸長率及斷裂強度，藉由為前述上限值以下，能夠降低斷裂伸長率及斷裂強度。
接著劑組成物及膜狀接著劑所含有之聚合物成分(a)可僅為1種，亦可為2種以上，於為2種以上之情形時，這些聚合物成分(a)的組合及比率可任意選擇。
本實施形態的膜狀接著劑中，相對於前述膜狀接著劑100質量%，前述聚合物成分(a)的含量較佳為5質量%至20質量%，更佳為6質量%至18質量%，尤佳為7質量%至15質量%。藉由前述聚合物成分(a)的含量為前述下限值以上，膜狀接著劑的結構進一步穩定化，變得容易發揮前述效果，藉由前述聚合物成分(a)的含量為前述上限值以下，作為膜狀接著劑之接著性變得良好。
作為聚合物成分(a)，例如可使用公知的聚芳酯、聚碳酸酯、聚苯醚、聚苯硫醚、熱塑性聚醯亞胺、聚醚醚酮等所謂之工程塑膠。其中，較佳為聚芳酯、聚碳酸酯。
・聚芳酯 聚芳酯係由芳香族二羧酸及／或其衍生物與二元酚及／或其衍生物所構成之芳香族聚酯聚合物。作為用以導入芳香族二羧酸殘基之聚芳酯原料，並無特別限制，例如可列舉：對苯二甲酸、間苯二甲酸、鄰苯二甲酸、氯鄰苯二甲酸、硝基鄰苯二甲酸、2,5-萘二羧酸、2,6-萘二羧酸、2,7-萘二羧酸、1,5-萘二羧酸、甲基對苯二甲酸、4,4'-聯苯二羧酸、2,2'-聯苯二羧酸、4,4'-二苯醚二羧酸、4,4'-二苯基甲烷二羧酸、4,4'-二苯基碸二羧酸、4,4'-二苯基異亞丙基二羧酸、1,2-雙(4-羧基苯氧基)乙烷、間苯二甲酸-5-磺酸鈉等。其中，較佳為對苯二甲酸及間苯二甲酸。這些芳香族二羧酸可單獨使用，亦可併用2種以上。
作為用以導入二元酚殘基之聚芳酯原料，並無特別限制，例如可列舉：1,1-雙(4-羥基苯基)甲烷、1,1-雙(4-羥基苯基)乙烷、1,1-雙(4-甲基-2-羥基苯基)甲烷、1,1-雙(3,5-二甲基-4-羥基苯基)甲烷、1,1-雙(4-羥基苯基)環己烷、2,2-雙(4-羥基苯基)-4-甲基戊烷、2,2-雙(4-羥基苯基)丙烷(＝BisA)、2,2-雙(3-甲基-4-羥基苯基)丙烷、2,2-雙(3,5-二甲基-4-羥基苯基)丙烷、1,1-雙(4-羥基苯基)-1-苯基乙烷、1,1-雙(4-羥基苯基)-2-乙基己烷、2,2-雙(3-苯基-4-羥基苯基)丙烷、1,1-雙(3-甲基-4-羥基苯基)甲烷、4,4'-聯苯酚、對苯二酚等。這些二元酚可單獨使用，亦可併用2種以上。
・聚碳酸酯 聚碳酸酯係藉由使二元酚成分與光氣或碳酸二酯等碳酸酯前驅物質反應之方法而合成。作為二元酚成分，與作為聚芳酯原料所列舉之二元酚成分相同。
[熱硬化性成分(b)] 熱硬化性成分(b)係具有熱硬化性，且用以使膜狀接著劑熱硬化之成分。 熱硬化性成分(b)係由環氧樹脂(b1)及熱硬化劑(b2)所構成。 接著劑組成物及膜狀接著劑所含有之熱硬化性成分(b)可僅為1種，亦可為2種以上，於為2種以上之情形時，這些熱硬化性成分(b)的組合及比率可任意選擇。
[環氧樹脂(b1)] 作為環氧樹脂(b1)，可列舉公知的環氧樹脂，例如可列舉：多官能系環氧樹脂、聯苯化合物、雙酚A二縮水甘油醚及其氫化物、鄰甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、二環戊二烯型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、伸苯基骨架型環氧樹脂等2官能以上之環氧化合物。本說明書中，所謂環氧樹脂(b1)，係指具有硬化性之環氧樹脂、亦即未硬化之環氧樹脂。
環氧樹脂(b1)的數量平均分子量並無特別限定，就膜狀接著劑的硬化性、以及膜狀接著劑的硬化物的強度及耐熱性之方面而言，較佳為300至30000，更佳為400至10000，尤佳為500至3000。 環氧樹脂(b1)的環氧當量較佳為100g/eq至1000g/eq，更佳為150g/eq至800g/eq。
接著劑組成物及膜狀接著劑所含有之環氧樹脂(b1)可僅為1種，亦可為2種以上，於為2種以上之情形時，這些環氧樹脂(b1)的組合及比率可任意選擇。
相對於前述膜狀接著劑100質量%，前述環氧樹脂(b1)的含量較佳為20質量%至70質量%，更佳為25質量%至60質量%，尤佳為30質量%至50質量%。藉由前述環氧樹脂(b1)的含量為前述下限值以上，能夠提高硬化物的強度，藉由為上限值以下，能夠提高膜狀接著劑的穩定性。
[熱硬化劑(b2)] 熱硬化劑(b2)係針對環氧樹脂(b1)之硬化劑。環氧樹脂(b1)及熱硬化劑(b2)的組合係發揮作為環氧系熱硬化性樹脂(本說明書中，有時稱為「環氧系熱硬化性樹脂(b)」)之功能。 接著劑組成物及膜狀接著劑所含有之環氧系熱硬化性樹脂(b)可僅為1種，亦可為2種以上，於為2種以上之情形時，這些環氧系熱硬化性樹脂(b)的組合及比率可任意選擇。
作為熱硬化劑(b2)，例如可列舉於1分子中具有2個以上之可與環氧基反應之官能基之化合物。作為前述官能基，例如可列舉酚性羥基、醇性羥基、胺基、羧基、酸基經酐化而成之基等，較佳為酚性羥基、胺基、或酸基經酐化而成之基，更佳為酚性羥基或胺基。
熱硬化劑(b2)中，作為具有酚性羥基之酚系硬化劑，例如可列舉：多官能酚樹脂、聯苯酚、酚醛清漆型酚樹脂、二環戊二烯型酚樹脂、芳烷基型酚樹脂等。 熱硬化劑(b2)中，作為具有胺基之胺系硬化劑，例如可列舉雙氰胺(DICY；dicyandiamide)等。
熱硬化劑(b2)亦可具有不飽和烴基。 作為具有不飽和烴基之熱硬化劑(b2)，例如可列舉：酚樹脂的一部分羥基由具有不飽和烴基之基取代而成之化合物、具有不飽和烴基之基直接鍵結於酚樹脂的芳香環而成之化合物等。 熱硬化劑(b2)中的前述不飽和烴基與上述之具有不飽和烴基之環氧樹脂中的不飽和烴基相同。
於使用酚系硬化劑作為熱硬化劑(b2)之情形時，較佳為考慮使用膜狀接著劑時的接合溫度等，而適宜選擇軟化點或玻璃轉移溫度。
熱硬化劑(b2)中，例如多官能酚樹脂、酚醛清漆型酚樹脂、二環戊二烯型酚樹脂、芳烷基型酚樹脂等樹脂成分的數量平均分子量較佳為300至30000，更佳為400至10000，尤佳為500至3000。 熱硬化劑(b2)中，例如聯苯酚、雙氰胺等非樹脂成分的分子量並無特別限定，例如較佳為60至500。
熱硬化劑(b2)較佳為由下述通式(1)所表示，更具體而言，較佳為鄰甲酚型酚醛清漆樹脂。
[化1]
Figure 02_image001
通式(1)中，n為1以上之整數。 通式(1)中，n為1以上之整數，例如可為2以上、4以上、及6以上之任一種。 關於n的上限值，在無損本發明的效果之範圍內，並無特別限定。例如，n為10以下之鄰甲酚型酚醛清漆樹脂更容易製造或獲取。
通式(1)中，將鄰甲酚-二基(-C6 H4 (-OH)(-CH3 )-)彼此連結之亞甲基(-CH2 -)相對於這些鄰甲酚-二基之鍵結位置並無特別限定。
作為熱硬化劑(b2)，如由通式(1)所明顯得知，較佳為具有下述結構：於酚樹脂中之與酚性羥基所鍵結之碳原子相鄰之碳原子(構成苯環骨架之碳原子)鍵結有甲基，且較佳為於前述酚性羥基的附近具有立體阻礙。推測熱硬化劑(b2)藉由具有此種立體阻礙，可抑制該熱硬化劑(b2)之保存中的反應性。並且，推測藉由使用此種熱硬化劑(b2)，在前述膜狀接著劑中，於保存中抑制該熱硬化劑(b2)的含有成分(例如可硬化之成分)發生反應，從而可抑制特性發生變化。並且，推測藉由使用此種膜狀接著劑及半導體晶片，可獲得可靠性高之半導體封裝體。 使用通式(1)所表示之熱硬化劑(b2)之膜狀接著劑如此般保存穩定性高而能夠於室溫下保存，由於同樣的原因，接著劑組成物亦保存穩定性高，能夠於室溫下保存。
接著劑組成物及膜狀接著劑所含有之熱硬化劑(b2)可僅為1種，亦可為2種以上，於為2種以上之情形時，這些熱硬化劑(b2)的組合及比率可任意選擇。
相對於前述膜狀接著劑100質量%，前述熱硬化劑(b2)的含量較佳為15質量%至50質量%，更佳為20質量%至45質量%，尤佳為30質量%至40質量%。藉由前述熱硬化劑(b2)的含量為前述下限值以上，能夠確實地進行膜狀接著劑之硬化反應，變得容易發揮前述效果，藉由前述熱硬化劑(b2)的含量為前述上限值以下，能夠更穩定地進行保管。
相對於前述膜狀接著劑100質量%，由前述環氧樹脂(b1)及前述熱硬化劑(b2)所構成之環氧系熱硬化性樹脂(b)的含量較佳為60質量%至95質量%，更佳為70質量%至90質量%，尤佳為77質量%至88質量%。藉由前述環氧系熱硬化性樹脂(b)的含量為前述下限值以上，變得容易抑制膜狀接著劑的切斷不良，變得容易發揮前述效果，藉由前述熱硬化劑(b2)的含量為前述上限值以下，能夠提高保管時的穩定性。
就上述效果變得更高之方面而言，熱硬化劑(b2)的軟化點例如可為64℃以上至130℃以下、68℃以上至130℃以下、72℃以上至130℃以下、及76℃以上至130℃以下之任一種，亦可為60℃以上至120℃以下、60℃以上至110℃以下、60℃以上至100℃以下、及60℃以上至90℃以下之任一種，亦可為64℃以上至120℃以下、68℃以上至110℃以下、72℃以上至100℃以下、及76℃以上至90℃以下之任一種。
前述膜狀接著劑中，為了改良前述膜狀接著劑的各種物性，除聚合物成分(a)及環氧系熱硬化性樹脂(b)以外，亦可進而視需要含有不符合這些成分之其他成分。 作為前述膜狀接著劑所含有之其他成分，例如可列舉硬化促進劑(c)、填充材料(d)、偶合劑(e)、能量線硬化性樹脂(g)、光聚合起始劑(h)、通用添加劑(i)等。這些之中，作為較佳的前述其他成分，可列舉硬化促進劑(c)、填充材料(d)、偶合劑(e)。
本說明書中，所謂「能量線」，意指具有能量量子之電磁波或帶電粒子束，作為該能量線的示例，可列舉紫外線、放射線、電子束等。 紫外線例如可藉由使用高壓水銀燈、熔合燈、氙氣燈、黑光燈或LED(Light Emitting Diode；發光二極體)燈等作為紫外線源而進行照射。電子束能夠照射藉由電子束加速器等產生之電子束。 本說明書中，所謂「能量線硬化性」，意指藉由照射能量線而硬化之性質，所謂「非能量線硬化性」，意指即便照射能量線亦不硬化之性質。
[硬化促進劑(c)] 硬化促進劑(c)係用以調節接著劑組成物及膜狀接著劑的硬化速度之成分。 作為較佳的硬化促進劑(c)，例如可列舉：三伸乙二胺、苄基二甲胺、三乙醇胺、二甲胺基乙醇、三(二甲胺基甲基)苯酚等三級胺；2-甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、2-苯基-4,5-二羥基甲基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羥基甲基咪唑等咪唑類(1個以上之氫原子由氫原子以外的基取代而成之咪唑)；三丁基膦、二苯基膦、三苯基膦等有機膦類(1個以上之氫原子由有機基取代而成之膦)；四苯基硼酸四苯基鏻、四苯基硼酸三苯基膦等四苯基硼鹽；將前述咪唑類作為客體化合物之包接化合物等。
接著劑組成物及膜狀接著劑所含有之硬化促進劑(c)可僅為1種，亦可為2種以上，於為2種以上之情形時，這些硬化促進劑(c)的組合及比率可任意選擇。
於使用硬化促進劑(c)之情形時，接著劑組成物及膜狀接著劑中，硬化促進劑(c)的含量相對於環氧系熱硬化性樹脂(b)的含量(亦即，環氧樹脂(b1)及熱硬化劑(b2)的總含量)100質量份，較佳為0.01質量份至5質量份，更佳為0.1質量份至2質量份。藉由硬化促進劑(c)的前述含量為前述下限值以上，能更顯著地獲得由使用硬化促進劑(c)所帶來之效果。藉由硬化促進劑(c)的含量為前述上限值以下，例如抑制高極性的硬化促進劑(c)於高溫、高濕度條件下在膜狀接著劑中朝膜狀接著劑與被接著體之接著界面側移動而偏析之效果變高，使用膜狀接著劑所獲得之半導體封裝體的可靠性進一步提高。
[填充材料(d)] 膜狀接著劑藉由含有填充材料(d)，變得容易調整該膜狀接著劑的熱膨脹係數，將該熱膨脹係數對於膜狀接著劑之貼附對象物進行最佳化，藉此使用膜狀接著劑所獲得之半導體封裝體的可靠性進一步提高。另外，藉由膜狀接著劑含有填充材料(d)，亦能夠降低膜狀接著劑的硬化物的吸濕率，或提高散熱性。
填充材料(d)可為有機填充材料及無機填充材料之任一種，較佳為無機填充材料。 作為較佳的無機填充材料，例如可列舉：二氧化矽、氧化鋁、滑石、碳酸鈣、鈦白、鐵丹、碳化矽、氮化硼等之粉末；將這些無機填充材料球形化而成之珠粒；這些無機填充材料的表面改質品；這些無機填充材料的單晶纖維；玻璃纖維等。 這些之中，無機填充材料較佳為二氧化矽、氧化鋁或這些無機填充材料之表面改質品。
填充材料(d)的平均粒徑並無特別限定，較佳為10nm至300nm，更佳為20nm至150nm，進而較佳為30nm至100nm。藉由填充材料(d)的平均粒徑為此種範圍，能充分地獲得由使用填充材料(d)所帶來之效果，並且膜狀接著劑的保存穩定性變得更高。 此外，本說明書中，所謂「平均粒徑」，只要無特別說明，則意指藉由雷射繞射散射法所求出之粒度分佈曲線中的累計值50%時的粒徑(D50 )的值。
接著劑組成物及膜狀接著劑所含有之填充材料(d)可僅為1種，亦可為2種以上，於為2種以上之情形時，這些填充材料(d)的組合及比率可任意選擇。
於使用填充材料(d)之情形時，接著劑組成物中，填充材料(d)的含量相對於溶媒以外的全部成分的總含量之比例(亦即，膜狀接著劑中的填充材料(d)的含量相對於膜狀接著劑的總質量之比例)較佳為1質量%至25質量%，更佳為3質量%至20質量%，尤佳為5質量%至15質量%。藉由填充材料(d)的含量為前述下限值以上，能夠降低斷裂伸長率。另外，藉由填充材料(d)的含量為此種範圍，前述之熱膨脹係數之調整變得更容易。
[偶合劑(e)] 膜狀接著劑藉由含有偶合劑(e)，對被接著體之接著性及密接性提高。另外，藉由膜狀接著劑含有偶合劑(e)，該膜狀接著劑的硬化物不損害耐熱性而耐水性提高。偶合劑(e)具有可與無機化合物或有機化合物反應之官能基。
偶合劑(e)較佳為具有可與聚合物成分(a)、環氧系熱硬化性樹脂(b)等所具有之官能基反應之官能基之化合物，更佳為矽烷偶合劑。 作為較佳的前述矽烷偶合劑，例如可列舉：3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、3-縮水甘油氧基丙基甲基二乙氧基矽烷、3-縮水甘油氧基丙基三乙氧基矽烷、3-縮水甘油氧基甲基二乙氧基矽烷、2-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、3-胺基丙基三甲氧基矽烷、3-(2-胺基乙基胺基)丙基三甲氧基矽烷、3-(2-胺基乙基胺基)丙基甲基二乙氧基矽烷、3-(苯基胺基)丙基三甲氧基矽烷、3-苯胺基丙基三甲氧基矽烷、3-脲基丙基三乙氧基矽烷、3-巰基丙基三甲氧基矽烷、3-巰基丙基甲基二甲氧基矽烷、雙(3-三乙氧基矽基丙基)四硫化物、甲基三甲氧基矽烷、甲基三乙氧基矽烷、乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙醯氧基矽烷、咪唑矽烷、低聚物型或聚合物型有機矽氧烷等。
接著劑組成物及膜狀接著劑所含有之偶合劑(e)可僅為1種，亦可為2種以上，於為2種以上之情形時，這些偶合劑(e)的組合及比率可任意選擇。
於使用偶合劑(e)之情形時，接著劑組成物及膜狀接著劑中，偶合劑(e)的含量相對於聚合物成分(a)及環氧系熱硬化性樹脂(b)的總含量100質量份，較佳為0.03質量份至20質量份，更佳為0.05質量份至10質量份，尤佳為0.1質量份至5質量份。藉由偶合劑(e)的前述含量為前述下限值以上，能更顯著地獲得如下之由使用偶合劑(e)所帶來之效果：填充材料(d)於樹脂中的分散性提高、以及膜狀接著劑與被接著體之接著性提高等。藉由偶合劑(e)的前述含量為前述上限值以下，能進一步抑制產生逸氣(outgas)。
[能量線硬化性樹脂(g)] 接著劑組成物及膜狀接著劑亦可含有能量線硬化性樹脂(g)。膜狀接著劑藉由含有能量線硬化性樹脂(g)，能夠藉由照射能量線而改變特性。
[通用添加劑(i)] 通用添加劑(i)可為公知的添加劑，可根據目的任意選擇，並無特別限定。作為較佳的通用添加劑(i)，例如可列舉：塑化劑、抗靜電劑、抗氧化劑、著色劑(染料、顏料)、吸氣劑(gettering agent)等。
接著劑組成物及膜狀接著劑所含有之通用添加劑(i)可僅為1種，亦可為2種以上，於為2種以上之情形時，這些通用添加劑(i)的組合及比率可任意選擇。 接著劑組成物及膜狀接著劑中的通用添加劑(i)的含量並無特別限定，根據目的適宜選擇即可。
[溶媒] 接著劑組成物較佳為進而含有溶媒。含有溶媒之接著劑組成物的操作性變得良好。 前述溶媒並無特別限定，作為較佳的前述溶媒，例如可列舉：甲苯、二甲苯等烴；甲醇、乙醇、2-丙醇、異丁醇(2-甲基丙烷-1-醇)、1-丁醇等醇；乙酸乙酯等酯；丙酮、甲基乙基酮等酮；四氫呋喃等醚；二甲基甲醯胺、N-甲基吡咯啶酮等醯胺(具有醯胺鍵之化合物)等。 接著劑組成物所含有之溶媒可僅為1種，亦可為2種以上，於為2種以上之情形時，這些溶媒的組合及比率可任意選擇。
就能夠使接著劑組成物中的含有成分更均勻地混合之方面而言，接著劑組成物所含有之溶媒較佳為甲苯、甲基乙基酮等。
[接著劑組成物之製造方法] 接著劑組成物係藉由調配用以構成該接著劑組成物之各成分而獲得。 調配各成分時的添加順序並無特別限定，亦可同時添加2種以上之成分。 於使用溶媒之情形時，可藉由下述方式使用：將溶媒與溶媒以外的任一種調配成分混合而將該調配成分預先稀釋；或是，不將溶媒以外的任一種調配成分預先稀釋而將溶媒與這些調配成分混合。
調配時混合各成分之方法並無特別限定，自以下公知的方法中適宜選擇即可：使攪拌子或攪拌翼等旋轉而進行混合之方法；使用混合機進行混合之方法；施加超音波進行混合之方法等。 關於添加及混合各成分時的溫度及時間，只要不使各調配成分劣化，則並無特別限定，適宜調節即可，溫度較佳為15℃至30℃。
圖1係以示意方式表示本發明的一實施形態的膜狀接著劑之剖視圖。此外，為了易於理解本發明的特徵，方便起見，以下之說明中所使用之圖有時將成為主要部件之部分放大表示，各構成要素的尺寸比率等未必與實際相同。
此處所示之膜狀接著劑13於該膜狀接著劑13的一面(本說明書中，有時稱為「第1面」)13a上具備第1剝離膜151，於與前述第1面13a為相反側的另一面(本說明書中，有時稱為「第2面」)13b上具備第2剝離膜152。 此種膜狀接著劑13例如適於以輥狀保存。
膜狀接著劑13具有上述之特性。 膜狀接著劑13可使用上述之接著劑組成物而形成。
第1剝離膜151及第2剝離膜152均可為公知的剝離膜。 第1剝離膜151及第2剝離膜152可相互相同，亦可例如自膜狀接著劑13剝離時所需之剝離力相互不同等而為相互不同。
圖1所示之膜狀接著劑13中，移除第1剝離膜151及第2剝離膜152之任一剝離膜所產生之露出面成為半導體晶圓(省略圖示)的內面的貼附面。並且，移除第1剝離膜151及第2剝離膜152之剩餘另一剝離膜所產生之露出面成為後述之支撐片或切割片的貼附面。
作為本實施形態的較佳的膜狀接著劑的另一例，可列舉以下之膜狀接著劑：前述膜狀接著劑實質上不含重量平均分子量為100000以上之聚合物成分；前述膜狀接著劑含有聚合物成分、熱硬化性成分、硬化促進劑、填充材料及偶合劑；前述聚合物成分包含於主鏈具有環結構且玻璃轉移溫度(Tg)為140℃以上之熱塑性樹脂，前述聚合物成分的重量平均分子量為1000以上至未達100000；前述熱硬化性成分包含環氧樹脂及熱硬化劑，前述聚合物成分的含量相對於前述膜狀接著劑100質量%為5質量%至20質量%；前述環氧樹脂的含量相對於前述膜狀接著劑100質量%為20質量%至70質量%：前述熱硬化劑的含量相對於前述膜狀接著劑100質量%為15質量%至50質量%；前述硬化促進劑的含量相對於前述環氧樹脂及前述熱硬化劑的總含量100質量份為0.01質量份至5質量份；前述填充材料的含量相對於前述膜狀接著劑100質量%為1質量%至25質量%；前述偶合劑的含量相對於聚合物成分、前述環氧樹脂及前述熱硬化劑的總含量100質量份為0.03質量份至20質量份。
◇膜狀接著劑複合片 本發明的一實施形態的膜狀接著劑複合片具備支撐片，於前述支撐片的一面上具備前述膜狀接著劑。
[支撐片] 前述支撐片可由1層(單層)所構成，亦可由2層以上之多層所構成。於支撐片由多層所構成之情形時，這些多層的構成材料及厚度相互可相同亦可不同，這些多層的組合只要無損本發明的效果，則並無特別限定。
作為較佳的支撐片，例如可列舉：僅由基材所構成之支撐片；具備基材、及設置於前述基材的一面上之黏著劑層之支撐片等。 於支撐片具備前述基材及黏著劑層之情形時，前述膜狀接著劑複合片中，前述黏著劑層配置於前述基材與前述膜狀接著劑之間。
僅由基材所構成之前述支撐片適宜作為載體片或切割片。具備此種僅由基材所構成之支撐片之膜狀接著劑複合片係將膜狀接著劑中之與具備支撐片(亦即基材)之側為相反側的面(本說明書中，有時稱為「第1面」)貼附於半導體晶圓的內面而使用。
另一方面，具備基材及黏著劑層之前述支撐片適宜作為切割片。具備此種支撐片之膜狀接著劑複合片亦將膜狀接著劑中之與具備支撐片之側為相反側的面(第1面)貼附於半導體晶圓的內面而使用。
膜狀接著劑複合片的使用方法將於後文進行詳細說明。 以下，針對構成支撐片之各層進行說明。
[基材] 前述基材為片狀或膜狀，作為前述基材的構成材料，例如可列舉各種樹脂。 作為前述樹脂，例如可列舉：低密度聚乙烯(LDPE；Low Density Polyethylene)、直鏈低密度聚乙烯(LLDPE；Linear Low Density Polyethylene)、高密度聚乙烯(HDPE；High Density Polyethylene)等聚乙烯；聚丙烯、聚丁烯、聚丁二烯、聚甲基戊烯、降冰片烯樹脂等聚乙烯以外的聚烯烴；乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物、乙烯-降冰片烯共聚物等乙烯系共聚物(使用乙烯作為單體而獲得之共聚物)；聚氯乙烯、氯乙烯共聚物等氯乙烯系樹脂(使用氯乙烯作為單體而獲得之樹脂)；聚苯乙烯；聚環烯烴；聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚間苯二甲酸乙二酯、聚-2,6-萘二甲酸乙二酯、全部構成單元具有芳香族環式基之全芳香族聚酯等聚酯；2種以上之前述聚酯之共聚物；聚(甲基)丙烯酸酯；聚胺基甲酸酯；聚丙烯酸胺基甲酸酯；聚醯亞胺；聚醯胺；聚碳酸酯；氟樹脂；聚縮醛；改性聚苯醚；聚苯硫醚；聚碸；聚醚酮等。 另外，作為前述樹脂，例如亦可列舉前述聚酯與前述聚酯以外的樹脂之混合物等聚合物合金。前述聚酯與前述聚酯以外的樹脂之聚合物合金較佳為聚酯以外的樹脂的量為相對較少量。 另外，作為前述樹脂，例如亦可列舉：前文例示之前述樹脂中的1種或2種以上交聯而成之交聯樹脂；使用前文例示之前述樹脂中的1種或2種以上之離子聚合物等改性樹脂。
構成基材之樹脂可僅為1種，亦可為2種以上，於為2種以上之情形時，這些樹脂的組合及比率可任意選擇。
基材可由1層(單層)所構成，亦可由2層以上之多層所構成，於由多層所構成之情形時，這些多層相互可相同亦可不同，這些多層的組合並無特別限定。
基材的厚度較佳為50μm至300μm，更佳為60μm至150μm。藉由基材的厚度為此種範圍，膜狀接著劑複合片的可撓性、及對半導體晶圓或對半導體晶片之貼附性進一步提高。 此處，所謂「基材的厚度」，意指基材整體的厚度，例如所謂由多層所構成之基材的厚度，意指構成基材之全部層的合計厚度。
基材較佳為厚度精度高，亦即較佳為無論部位如何厚度偏差皆得到抑制。作為上述之構成材料中可用於構成此種厚度精度高之基材之材料，例如可列舉：聚乙烯、聚乙烯以外的聚烯烴、聚對苯二甲酸乙二酯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物等。
基材中，除前述樹脂等主要構成材料以外，亦可含有填充材料、著色劑、抗靜電劑、抗氧化劑、有機潤滑劑、觸媒、軟化劑(塑化劑)等公知的各種添加劑。
基材可為透明，亦可為不透明，還可根據目的而著色，還可蒸鍍其他層。
為了提高基材與設置於基材上之黏著劑層等其他層之密接性，亦可對基材的表面實施利用噴砂處理、溶劑處理等之凹凸化處理；電暈放電處理、電子束照射處理、電漿處理、臭氧／紫外線照射處理、火焰處理、鉻酸處理、熱風處理等氧化處理等。 另外，基材的表面亦可經實施底塗處理。 另外，基材亦可具有抗靜電塗層、防止於將膜狀接著劑複合片重疊保存時基材接著於其他片或基材接著於吸附台之層等。
基材可利用公知的方法進行製造。例如，含有樹脂之基材可藉由將含有前述樹脂之樹脂組成物進行成形而進行製造。
[黏著劑層] 前述黏著劑層為片狀或膜狀，含有黏著劑。 作為前述黏著劑，例如可列舉：丙烯酸樹脂、胺基甲酸酯系樹脂、橡膠系樹脂、聚矽氧系樹脂、環氧系樹脂、聚乙烯醚、聚碳酸酯、酯系樹脂等黏著性樹脂。
本說明書中，「黏著性樹脂」包括具有黏著性之樹脂及具有接著性之樹脂兩者。例如，前述黏著性樹脂不僅包括樹脂本身具有黏著性之樹脂，亦包括藉由與添加劑等其他成分併用而顯示黏著性之樹脂、及藉由存在熱或水等觸發(trigger)而顯示接著性之樹脂等。
黏著劑層可由1層(單層)所構成，亦可由2層以上之多層所構成，於由多層所構成之情形時，這些多層相互可相同亦可不同，這些多層的組合並無特別限定。
黏著劑層的厚度並無特別限定，較佳為1μm至100μm，更佳為1μm至60μm，尤佳為1μm至30μm。 此處，所謂「黏著劑層的厚度」，意指黏著劑層整體的厚度，例如所謂由多層所構成之黏著劑層的厚度，意指構成黏著劑層之全部層的合計厚度。
黏著劑層可使用能量線硬化性黏著劑而形成，亦可使用非能量線硬化性黏著劑而形成。亦即，黏著劑層可為能量線硬化性及非能量線硬化性之任一種。能量線硬化性之黏著劑層能夠容易地調節該黏著劑層於硬化前及硬化後的物性。
黏著劑層可使用含有黏著劑之黏著劑組成物而形成。例如，於黏著劑層之形成對象面塗敷黏著劑組成物，視需要使之乾燥，藉此能夠於目標部位形成黏著劑層。黏著劑組成物中的常溫下不會氣化的成分彼此的含量之比率通常與黏著劑層中的前述成分彼此的含量之比率相同。
黏著劑組成物可利用與上述之接著劑組成物之情形相同的方法進行塗敷。
於黏著劑層為能量線硬化性之情形時，作為能量線硬化性之黏著劑組成物，例如可列舉以下之黏著劑組成物等：黏著劑組成物(I-1)，含有非能量線硬化性之黏著性樹脂(I-1a)(以下，有時簡稱為「黏著性樹脂(I-1a)」)及能量線硬化性化合物；黏著劑組成物(I-2)，含有於前述黏著性樹脂(I-1a)的側鏈導入有不飽和基之能量線硬化性之黏著性樹脂(I-2a)(以下，有時簡稱為「黏著性樹脂(I-2a)」)；黏著劑組成物(I-3)，含有前述黏著性樹脂(I-2a)及能量線硬化性化合物。
於黏著劑層為非能量線硬化性之情形時，作為非能量線硬化性之黏著劑組成物，例如可列舉含有前述黏著性樹脂(I-1a)之黏著劑組成物(I-4)等。
黏著劑組成物(I-1)至黏著劑組成物(I-4)等黏著劑組成物除調配成分不同之方面以外，可利用與上述之接著劑組成物之情形相同的方法進行製造。
其次，按照支撐片的每一種類於以下一邊參照圖式，一邊說明本實施形態的膜狀接著劑複合片的示例。
圖2係以示意方式表示本發明的一實施形態的膜狀接著劑複合片之剖視圖。 此外，於圖2以後的圖中，對與既已說明完畢之圖所示相同的構成要素，標附與該已說明完畢之圖之情形相同的符號，並省略該構成要素之詳細說明。
此處所示之膜狀接著劑複合片101具備支撐片10，於支撐片10的一面(本說明書中，有時稱為「第1面」)10a上具備膜狀接著劑13。支撐片10僅由基材11所構成，換言之，膜狀接著劑複合片101具有於基材11的一面(本說明書中，有時稱為「第1面」)11a上積層有膜狀接著劑13之構成。另外，膜狀接著劑複合片101進而於膜狀接著劑13上具備剝離膜15。
膜狀接著劑複合片101中，於基材11的第1面11a積層有膜狀接著劑13，於膜狀接著劑13中之與具備基材11之側為相反側的面(本說明書中，有時稱為「第1面」)13a的一部分、亦即周緣部附近的區域積層有治具用接著劑層16，於膜狀接著劑13的第1面13a中未積層治具用接著劑層16之面、及治具用接著劑層16中未與膜狀接著劑13接觸之面16a(上表面及側面)積層有剝離膜15。 此處，基材11的第1面11a亦稱為支撐片10的第1面10a。
剝離膜15與圖1所示之第1剝離膜151或第2剝離膜152相同。
治具用接著劑層16例如可為含有接著劑成分之單層結構，亦可為於成為芯材之片的兩面積層有含有接著劑成分之層之多層結構。
膜狀接著劑複合片101係以移除剝離膜15之狀態，於膜狀接著劑13的第1面13a貼附半導體晶圓(省略圖示)的內面，進而將治具用接著劑層16的面16a中的上表面貼附於環狀框等治具而使用。
圖3係以示意方式表示本發明的另一實施形態的膜狀接著劑複合片之剖視圖。 此處所示之膜狀接著劑複合片102除不具備治具用接著劑層16之方面以外，與圖2所示之膜狀接著劑複合片101相同。亦即，膜狀接著劑複合片102中，於基材11的第1面11a(支撐片10的第1面10a)積層有膜狀接著劑13，於膜狀接著劑13的第1面13a的整面積層有剝離膜15。 換言之，膜狀接著劑複合片102係基材11、膜狀接著劑13及剝離膜15依序於這些層的厚度方向上積層而構成。
圖3所示之膜狀接著劑複合片102係與圖2所示之膜狀接著劑複合片101之情形同樣地，以移除剝離膜15之狀態，於膜狀接著劑13的第1面13a中的中央側的一部分區域貼附半導體晶圓(省略圖示)的內面，進而將膜狀接著劑13的周緣部附近的區域貼附於環狀框等治具而使用。
圖4係以示意方式表示本發明的又一實施形態的膜狀接著劑複合片之剖視圖。 此處所示之膜狀接著劑複合片103除於基材11與膜狀接著劑13之間進而具備黏著劑層12之方面以外，與圖2所示之膜狀接著劑複合片101相同。支撐片10係基材11及黏著劑層12之積層體，膜狀接著劑複合片103亦具有於支撐片10的第1面10a上積層有膜狀接著劑13之構成。
膜狀接著劑複合片103中，於基材11的第1面11a積層有黏著劑層12，於黏著劑層12中之與基材11側為相反側的面(本說明書中，有時稱為「第1面」)12a的整面積層有膜狀接著劑13，於膜狀接著劑13的第1面13a的一部分、亦即周緣部附近的區域積層有治具用接著劑層16，於膜狀接著劑13的第1面13a中未積層治具用接著劑層16之面、及治具用接著劑層16中未與膜狀接著劑13接觸之面16a(上表面及側面)積層有剝離膜15。
圖4所示之膜狀接著劑複合片103係以移除剝離膜15之狀態，於膜狀接著劑13的第1面13a貼附半導體晶圓(省略圖示)的內面，進而將治具用接著劑層16的面16a中的上表面貼附於環狀框等治具而使用。
圖5係以示意方式表示本發明的又一實施形態的膜狀接著劑複合片之剖視圖。 此處所示之膜狀接著劑複合片104除不具備治具用接著劑層16，且膜狀接著劑的形狀不同之方面以外，與圖4所示之膜狀接著劑複合片103相同。亦即，膜狀接著劑複合片104具備基材11，於基材11上具備黏著劑層12，於黏著劑層12上具備膜狀接著劑23。支撐片10係基材11及黏著劑層12之積層體，膜狀接著劑複合片104亦具有於支撐片10的第1面10a上積層有膜狀接著劑23之構成。
膜狀接著劑複合片104中，於基材11的第1面11a積層有黏著劑層12，於黏著劑層12的第1面12a的一部分、亦即中央側的區域積層有膜狀接著劑23。並且，於黏著劑層12的第1面12a中未積層膜狀接著劑23之區域、及膜狀接著劑23中未與黏著劑層12接觸之面23a(上表面及側面)上積層有剝離膜15。
自膜狀接著劑複合片104之剝離膜15側的上方往下看而俯視膜狀接著劑複合片104時，膜狀接著劑23的表面積小於黏著劑層12，例如具有圓形等形狀。
圖5所示之膜狀接著劑複合片104係以移除剝離膜15之狀態，於膜狀接著劑23的面23a中的上表面貼附半導體晶圓(省略圖示)的內面，進而將黏著劑層12的第1面12a中未積層膜狀接著劑23之區域貼附於環狀框等治具而使用。
此外，圖5所示之膜狀接著劑複合片104中，亦可於黏著劑層12的第1面12a中未積層膜狀接著劑23之區域，與圖2及圖4所示之膜狀接著劑複合片同樣地積層治具用接著劑層(省略圖示)。此種具備治具用接著劑層之膜狀接著劑複合片104係與圖2及圖4所示之膜狀接著劑複合片之情形同樣地，將治具用接著劑層的面中的上表面貼附於環狀框等治具而使用。
如此，無論支撐片及膜狀接著劑為何種形態，膜狀接著劑複合片均可具備治具用接著劑層。但是，通常如圖2及圖4所示，作為具備治具用接著劑層之膜狀接著劑複合片，較佳為於膜狀接著劑上具備治具用接著劑層之膜狀接著劑複合片。
本實施形態的膜狀接著劑複合片並不限定於圖2至圖5所示之膜狀接著劑複合片，亦可在無損本發明的效果之範圍內，將圖2至圖5所示之膜狀接著劑複合片的一部分構成變更或刪除，或者對前文說明之膜狀接著劑複合片進而追加其他構成。
例如，圖2至圖5所示之膜狀接著劑複合片可將基材、黏著劑層、膜狀接著劑及剝離膜以外的層設置於任意部位。 另外，膜狀接著劑複合片中，亦可於剝離膜及與該剝離膜直接接觸之層之間產生一部分間隙。 另外，膜狀接著劑複合片中，各層的大小或形狀可根據目的任意調節。
◇膜狀接著劑及膜狀接著劑複合片的使用方法(半導體裝置的製造方法) 本實施形態的膜狀接著劑及膜狀接著劑複合片可用以經過製造具膜狀接著劑之半導體晶片來製造半導體封裝體及半導體裝置。
不具備支撐片之膜狀接著劑係於貼附於半導體晶圓的內面後，例如視需要移除剝離膜，於該露出面(換言之，與貼附於半導體晶圓之側為相反側的面。本說明書中，有時稱為「第2面」)貼附切割片。以此種方式獲得之切割片、膜狀接著劑及半導體晶圓依序於這些層的厚度方向上積層而構成之積層結構體在之後供於公知的切割步驟。此外，切割片及膜狀接著劑的積層結構為切割黏晶片，可視為膜狀接著劑複合片。
本說明書中，有時將如此由膜狀接著劑複合片或前述切割黏晶片與半導體晶圓所積層而構成之積層結構體稱為「第1積層結構體」。
藉由進行切割步驟，將半導體晶圓分割為多個半導體晶片，並且膜狀接著劑亦沿著半導體晶片的外周被切斷，從而獲得於內面具備該切斷後的膜狀接著劑之多個半導體晶片(亦即，具膜狀接著劑之半導體晶片)。這些多個具膜狀接著劑之半導體晶片係於切割片上以整齊排列之狀態受到固定。
本說明書中，有時會如此將多個具膜狀接著劑之半導體晶片於切割片或前述支撐片上以整齊排列之狀態固定之積層結構體稱為「第2積層結構體」。
另一方面，前述膜狀接著劑複合片已經具有與切割黏晶片相同的結構。因此，於膜狀接著劑複合片貼附於半導體晶圓的內面之階段，獲得前述第1積層結構體。後續，如上所述，利用與使用不具備支撐片之膜狀接著劑之情形相同的方法，進行切割步驟，藉此獲得包含多個具膜狀接著劑之半導體晶片之第2積層結構體。
作為半導體晶圓的切割方法，並無特別限定，可為公知的方法，例如可列舉刀片切割、雷射切割、水切割等。除這些以外，亦已知有如下方法：藉由雷射於半導體晶圓的分割預定部位的內部設定焦點，利用雷射形成改質層，以改質層作為起點進行分割之隱形切割(stealth dicing)(註冊商標)；或較半導體晶圓的完工厚度更深地切出切口，藉由進行薄化之磨削而單片化之方法等。
關於藉由隱形切割或半切所獲得之第2積層結構體，半導體晶片及所積層之膜狀接著劑未被切斷。 膜狀接著劑較理想為能夠於擴展或拾取之步驟時同時切斷，但先前的膜狀接著劑有時無法正常地進行切斷或拾取。 本實施形態的膜狀接著劑、及具備本實施形態的膜狀接著劑之膜狀接著劑複合片於此種步驟中可合適地使用。
但是，即便使用先前的膜狀接著劑，欲沿著改質層分割形成有改質層之半導體晶圓並且切斷膜狀接著劑，有時亦無法切斷膜狀接著劑，無法拾取。 本實施形態的膜狀接著劑、及具備本實施形態的膜狀接著劑之膜狀接著劑複合片尤其合適地使用於進行切割此種伴隨形成改質層的半導體晶圓之情形。
於使用本實施形態的膜狀接著劑或膜狀接著劑複合片，如上所述般在不同的時間點將半導體晶圓與膜狀接著劑進行單片化之情形時，首先，於半導體晶圓的電路形成面貼附表面保護帶，然後利用該方法分割半導體晶圓。然後，利用上述方法，將1片膜狀接著劑及切割片依序貼附於所獲得之多個半導體晶片集合體的內面，或者將膜狀接著劑複合片藉由當中的膜狀接著劑貼附於所獲得之多個半導體晶片集合體的內面。有時將此種膜狀接著劑複合片或切割黏晶片與半導體晶片積層而構成之積層結構體稱為「第3積層結構體」。
繼而，移除前述保護帶後，將第3積層結構體自當中的支撐片或切割片側頂起，藉此沿著半導體晶片的外周切斷膜狀接著劑，從而製作具膜狀接著劑之半導體晶片，並且將所獲得之具膜狀接著劑之半導體晶片自切割片或支撐片扯離而進行拾取。如此切斷膜狀接著劑之方法例如於以下方面有利：不另外設置對膜狀接著劑照射雷射而進行切斷之步驟、或藉由將膜狀接著劑進行擴展而進行切斷之步驟等以切斷膜狀接著劑為主要目的之步驟，便能夠切斷膜狀接著劑。本實施形態的膜狀接著劑或膜狀接著劑複合片尤其適宜應用此種方法。
亦即，前述膜狀接著劑或膜狀接著劑複合片尤其適宜用以藉由下述方式來製造具膜狀接著劑之半導體晶片：將前述膜狀接著劑或膜狀接著劑複合片貼附於多個半導體晶片的內面，沿自前述膜狀接著劑或膜狀接著劑複合片朝向前述半導體晶片之方向，頂起前述膜狀接著劑或膜狀接著劑複合片，藉此沿著前述半導體晶片的外周切斷前述膜狀接著劑(於使用膜狀接著劑複合片之情形時，為當中的膜狀接著劑)，從而製造具膜狀接著劑之半導體晶片。 利用半切或伴隨改質層形成之方法分割半導體晶圓之後，藉由使用本實施形態的膜狀接著劑或膜狀接著劑複合片，能夠將膜狀接著劑藉由該頂起而良好地切斷，之後能夠良好地拾取具膜狀接著劑之半導體晶片。 針對使用上文說明之膜狀接著劑複合片1之情形時進行膜狀接著劑之切斷及具膜狀接著劑之半導體晶片之拾取之步驟，一邊參照圖式，一邊於以下進行說明。其中，作為進行膜狀接著劑之切斷之步驟，例如可列舉如下步驟。針對該步驟，一邊參照圖6A至圖6C，一邊於以下詳細地進行說明。
圖6A所示之第3積層結構體中，膜狀接著劑複合片1中的膜狀接著劑13貼附於多個半導體晶片9的內面9b。並且，於膜狀接著劑複合片1中的支撐片10中之與設置有膜狀接著劑13之面10a為相反側的面(內面)10b，抵接著半導體裝置之製造裝置(省略圖示整體圖)中頂起半導體晶片之頂起部81。
於支撐片10僅由基材所構成之情形時，膜狀接著劑複合片1係基材及膜狀接著劑13積層而成，膜狀接著劑13中之與接觸基材之側為相反側的面貼附於半導體晶片9的內面9b。 於支撐片10為基材及黏著劑層積層而成之情形時，膜狀接著劑複合片1係基材、黏著劑層及膜狀接著劑13依序積層而成，膜狀接著劑13中之與接觸黏著劑層之側為相反側的面貼附於半導體晶片9的內面9b。
本步驟A中，繼而，如圖6B所示，對膜狀接著劑複合片1中的支撐片10，自該支撐片10的內面10b施加力，藉此隔著支撐片10，沿自膜狀接著劑複合片1(膜狀接著劑13)朝向半導體晶片9之方向，對膜狀接著劑13施加力。此處顯示之例為：突起(頂銷)811自頂起部81突出，突起811之頭端部將支撐片10自該支撐片10的內面10b頂起，藉此隔著支撐片10而對膜狀接著劑13沿突起811之突出方向施加力。此時，可適宜調節突起811的突出量(頂起量)、突出速度(頂起速度)、突出狀態的保持時間(上推等待時間)等頂起條件。此處顯示了頂起支撐片10之突起811的個數為1個之情形，但亦可為2個以上，突起811的個數適宜選擇即可。
突起811的突出量例如可設為0μm至1000μm。 突起811的突出速度例如可設為0.1mm/sec至50mm/sec。突起811的突出狀態的保持時間例如可設為1msec至1000msec。
如此，若對膜狀接著劑13施加力，則因為使用膜狀接著劑複合片1，而能夠藉由伴隨突起811之頂起所產生之剪切力，來一邊抑制產生步驟異常，一邊切斷膜狀接著劑13。更具體而言，將膜狀接著劑13於目標部位、亦即在僅圍繞成為自支撐片10扯離之對象的半導體晶片9之部位於常溫下切斷。
繼而，如圖6C所示，將具膜狀接著劑之半導體晶片2(具備半導體晶片9、及設置於半導體晶片9的內面之切斷後的膜狀接著劑13)自支撐片10扯離(進行拾取)。通常，對膜狀接著劑13施加剪切力之動作與具膜狀接著劑之半導體晶片2之拾取是直接連續地進行。此處顯示了藉由半導體裝置之製造裝置的上拉部82上拉具膜狀接著劑之半導體晶片2，藉此進行拾取之例。如此上拉具膜狀接著劑之半導體晶片2之方法可為公知的方法，例如可列舉：藉由真空筒夾吸附具膜狀接著劑之半導體晶片2中的半導體晶片9的表面，而上拉具膜狀接著劑之半導體晶片2之方法等。
於圖6B、圖6C中進行圖示，並且針對膜狀接著劑的切斷製程進行了說明，但如前述般，圖6B、圖6C之動作係連續地直接進行，因此於圖6B至圖6C中有時亦會階段性地產生膜狀接著劑之切斷。 藉由使用本發明的膜狀接著劑，能夠一邊抑制膜狀接著劑的切斷不良或產生毛邊，而一邊獲得具膜狀接著劑之半導體晶片。
本發明的製造方法中，使用所扯離之具膜狀接著劑之半導體晶片2，然後利用與先前法相同的方法來製造半導體裝置。例如，將前述半導體晶片藉由設置於前述半導體晶片的內面之膜狀接著劑黏晶於基板的電路面，視需要於該半導體晶片進而積層1個以上之半導體晶片，進行打線接合(wire bonding)之後，藉由樹脂將整體密封，藉此製成半導體封裝體。然後，使用該半導體封裝體製作目標半導體裝置即可。
至此為止，關於膜狀接著劑之切斷、及具膜狀接著劑之半導體晶片2之拾取，列舉使用膜狀接著劑複合片之情形為例進行了說明，但關於使用膜狀接著劑且於該膜狀接著劑貼附切割片而使用之情形，只要摒除這一點亦可利用與上述方法相同的方法進行，從而發揮相同的效果。
本實施形態的半導體裝置的製造方法並不限定於引用圖6進行了說明之上述方法，亦可在無損本發明的效果之範圍內，於上述方法中變更、刪除或追加一部分構成。 例如，作為隔著支撐片10對膜狀接著劑13施加力之方法，至此為止是對藉由利用突起811頂起支撐片10而對膜狀接著劑13施加力之方法進行了說明。作為該方法以外的方法，例如可列舉：藉由滑塊(slider)方式、圓盤(disk)方式或區塊(block)方式等代替突起811而自支撐片10對膜狀接著劑13施加力之方法。
如上所述，本實施形態的膜狀接著劑能夠於目標部位被切斷，因此可抑制拾取不良，可抑制在貼附於所拾取之半導體晶片9之切斷後的膜狀接著劑13中產生毛邊。 進而，根據本實施形態的半導體裝置的製造方法，拾取時膜狀接著劑的目標部位自支撐片剝離，因此可抑制半導體晶片產生拾取不良。
所拾取之具膜狀接著劑之半導體晶片2係藉由膜狀接著劑而黏晶於基板的電路形成面。將具膜狀接著劑之半導體晶片2黏晶於基板的電路形成面之後，利用與先前法相同的方法，製造半導體封裝體及半導體裝置。例如，視需要於該黏晶後的半導體晶片進而積層1個以上之半導體晶片，並進行打線接合。繼而，使膜狀接著劑熱硬化，進而藉由樹脂將所獲得之積層結構體整體密封。藉由經過這些步驟，從而製作半導體封裝體。並且，使用該半導體封裝體而製作目標半導體裝置。 [實施例]
以下，藉由具體的實施例針對本發明更詳細地進行說明。但是，本發明完全不受限於以下所示之實施例。
將以下之各成分按照表1所示之調配比(固形物成分換算)進行混合，以固形物成分濃度相對於接著劑組成物的總質量成為50質量%之方式利用甲基乙基酮進行稀釋，製備用以形成膜狀接著劑複合片之接著劑組成物。
以下表示用於製造接著劑組成物之原料。 [接著劑組成物的製造原料] [聚合物成分(a)] (a)-1：使丙烯酸正丁酯(55質量份)、丙烯酸甲酯(10質量份)、甲基丙烯酸縮水甘油酯(20質量份)及丙烯酸2-羥基乙酯(15質量份)共聚而成之(甲基)丙烯酸酯共聚物(重量平均分子量：800000，玻璃轉移溫度：-28℃) (a)-2：聚芳酯(UNITIKA公司製造的「UNIFINER(註冊商標)M-2040」，重量平均分子量50000，玻璃轉移溫度220℃) (a)-3：聚碳酸酯(帝人公司製造的「TS-2020」，重量平均分子量20000，玻璃轉移溫度160℃) [環氧樹脂(b1)] (b1)-1：雙酚A型環氧樹脂(三菱化學公司製造的「jER828」，環氧當量184g/eq至194g/eq) (b1)-2：甲酚酚醛清漆型環氧樹脂(日本化藥公司製造的「EOCN-102S」，環氧當量205g/eq至217g/eq) (b1)-3：聯三伸苯型環氧樹脂(日本化藥公司製造的「EPPN-502H」，環氧當量158g/eq至178g/eq) (b1)-4：二環戊二烯型環氧樹脂(ADEKA公司製造的「Adeka Resin EP-4088L」，環氧當量165g/eq) [熱硬化劑(b2)] (b2)-1：鄰甲酚型酚醛清漆樹脂(DIC公司製造的「Phenolite(註冊商標)KA-1160」，羥基當量117g/eq，軟化點80℃，通式(1)中的n：6至7) [硬化促進劑(c)] (c)-1：2-苯基-4,5-二羥基甲基咪唑(四國化成工業公司製造的「Curezol(註冊商標)2PHZ-PW」，微粉末，平均粒徑5μm、最大20μm，熔點137℃至147℃) [填充劑(d)] (d)-1：經環氧基修飾之球狀二氧化矽(Admatechs公司製造的「Admanano(註冊商標)YA050C-MKK」，平均粒徑50nm) [偶合劑(E)] (e)-1：具有環氧基、甲基及甲氧基之低聚物型矽烷偶合劑(Shin-Etsu Silicones公司製造的「X-41-1056」，環氧當量280g/eq)
[實施例1] [膜狀接著劑複合片之製造] 使聚合物成分(a)-2(11質量份)、環氧樹脂(b1)-2(7質量份)、環氧樹脂(b1)-3(20質量份)、環氧樹脂(b1)-4(21質量份)、熱硬化劑(b2)-1(32.5質量份)、硬化促進劑(c)-1(0.5質量份)、填充材料(d)-1(7質量份)、及偶合劑(e)-1(1質量份)溶解或分散於甲基乙基酮/甲苯之1/2(質量比)之混合溶媒中，並於23℃進行攪拌，藉此獲得上述之全部成分的合計濃度為50質量%之接著劑組成物。此外，此處所示之甲基乙基酮、甲苯以外的成分的調配量全部為不含溶媒成分之目標物的量。
[膜狀接著劑之製造] 使用聚對苯二甲酸乙二酯(PET)製膜的單面藉由聚矽氧處理進行了剝離處理之剝離膜(琳得科公司製造的「SP-PET381031」，厚度38μm)，於前述剝離膜的前述剝離處理面塗敷所獲得之前述接著劑組成物，於100℃加熱乾燥1分鐘，藉此形成厚度10μm之膜狀接著劑。
[膜狀接著劑複合片之製造] 於所獲得之前述膜狀接著劑中之與具備剝離膜之側為相反側的表面(換言之，露出面)，貼合作為基材之聚丙烯膜(GUNZE公司製造，FUNCRARE(註冊商標)LPD#80，厚度80μm，光澤面的表面粗糙度0.1μm、消光面的表面粗糙度0.3μm)的光澤面，獲得基材、膜狀接著劑及剝離膜依序於這些層的厚度方向上積層而構成之膜狀接著劑複合片。
[膜狀接著劑及膜狀接著劑複合片之評價] [斷裂伸長率、斷裂強度] 膜狀接著劑於23℃之斷裂伸長率係藉由以下所示之方法測定。 使用貼合機，貼合2片膜狀接著劑，於這些膜狀接著劑貼合相同的膜狀接著劑，重複上述操作，以合計厚度成為200μm之方式積層膜狀接著劑而製作積層體。繼而，使用加熱至60℃之加熱板，將所獲得之積層體加熱30秒。 繼而，使用超級切割機(Super cutter)(荻野精機製作所製造的「PH1-600」)，將該加熱完畢之積層體於30秒以內裁斷，製作寬度15mm、長度70mm、厚度200μm之試片。原因在於，如此將積層體於加熱後裁斷不會於試片的端部產生導致斷裂之缺損部。 繼而，使用島津製作所股份有限公司製造的萬能拉伸試驗機AG-IS作為測定裝置，藉由該裝置的固定夾具將前述試片以兩個部位予以固定。此時，將固定夾具的頭端部間的距離(試片的露出部位的長度、固定部位間的距離)設為30mm。並且，將拉伸速度設為200mm/分鐘，於該固定部位間拉伸試片，測定試片的斷裂強度(MPa)、斷裂伸長率(%)。 此處，斷裂強度係指直至試片被破壞為止所施加之拉伸力的最大值。 另外，斷裂伸長率係試片破壞時的試片的長度的增加量(ΔL)相對於原本長度(L)之比例。
[剝離力之測定] 將所獲得之前述膜狀接著劑複合片切斷成25mm×250mm之矩形，移除剝離膜。使用於由聚苯乙烯板所構成之硬質支撐體的表面貼附有雙面膠帶而成者，於該雙面膠帶重疊25mm×250mm之膜狀接著劑複合片之膜狀接著劑，於23℃、相對濕度50%之環境下，使2kg之橡膠輥於該重疊品上往返一次，藉此經由雙面膠帶將膜狀接著劑複合片貼附於硬質支撐體。 繼而，將該貼附而成者於23℃、相對濕度50%之相同環境下放置30分鐘後，使用島津製作所股份有限公司製造的萬能拉伸試驗機AG-IS作為測定裝置，測定使膜狀接著劑複合片的基材自膜狀接著劑以300mm/分鐘之速度以180°之角度剝離時的剝離力(N/25mm)。結果顯示於表1。
使用所獲得之前述膜狀接著劑複合片、矽晶圓等，藉由以下所示之評價方法，評價割斷適性、晶粒破裂抑制能力、毛邊產生抑制能力。
[割斷適性] 針對厚度為750μm之8吋之矽晶圓，使用帶貼合機(琳得科公司製造的「RAD3510」)，貼附背面研磨帶(琳得科公司製造的「Adwill E-3125KL」)。使用隱形雷射切片機(DISCO公司製造的「DFL7361」)，對貼附有背面研磨帶之矽晶圓形成改質層。繼而，使用研磨機(DISCO公司製造的「DFG8760」)，將矽晶圓中之與貼附有背面研磨帶之側為相反側的面進行磨削，藉此使矽晶圓的厚度變薄，並且分割矽晶圓而獲得大小為2.5mm×2.5mm且厚度為30μm之矽晶片集合體(磨削、單片化步驟)。 使用帶貼片機(琳得科公司製造的Adwill RAD2500)，於這些矽晶片的磨削面貼附所獲得之前述膜狀接著劑複合片，將所獲得之積層物(前述第3積層結構體)固定於晶圓切割用環狀框，並且對背面研磨帶照射能量線，使黏著力降低，然後進行剝離。 繼而，針對所獲得之前述第3積層結構體，使用拾取裝置(Canon Machinery公司製造的「BESTEM-D02」)，藉由1頂銷頂起方式，於頂起量300μm、頂起速度20mm/秒之條件下，切斷膜狀接著劑(切斷步驟)，嘗試48個具膜狀接著劑之矽晶片自支撐片之扯離(扯離步驟)、及拾取。 將能夠拾取1個至47個具膜狀接著劑之矽晶片之情形評價為B，將能夠拾取48個之全部之具膜狀接著劑之矽晶片之情形評價為A，將具膜狀接著劑之矽晶片1個也無法拾取之情形評價為C。結果顯示於表1。表1中，於割斷適性之評價中，括號內的數字表示無法拾取之具膜狀接著劑之矽晶片的個數。
[晶粒破裂抑制能力] 按照上述順序嘗試拾取後，無論能否拾取，均計數矽晶片中所產生之龜裂的個數，將於48個之全部之矽晶片中未產生龜裂之情形評價為A，將1個以上之矽晶片中產生龜裂之情形評價為B。結果顯示於表1。
[毛邊產生抑制能力] 按照上述順序嘗試拾取後，將能夠拾取之具膜狀接著劑之矽晶片中未產生毛邊之情形評價為A，將1個以上之具膜狀接著劑之矽晶片中產生了毛邊之情形評價為B。結果顯示於表1。
[膜狀接著劑及膜狀接著劑複合片之製造以及評價] [實施例2至實施例4、比較例1至比較例3] 以接著劑組成物的含有成分的種類及含量成為如表1所示之方式，變更製造接著劑組成物時的調配成分的種類及調配量之任一者或兩者，或者以成為表1所示之方式變更膜狀接著劑的厚度，除此方面以外，利用與實施例1之情形相同的方法，製造膜狀接著劑及膜狀接著劑複合片，並進行評價。結果顯示於表1、表2。
[表1]
      實施例1 實施例2 實施例3 實施例4
接著劑組成物的含有成分 聚合物成分(a) (a)-1        
(a)-2 11 11   11
(a)-3     11  
環氧樹脂(b1) (b1)-1       21
(b1)-2 7 7 8 7
(b1)-3 20 20 21 20
(b1)-4 21 21 18  
熱硬化劑(b2) (b2)-1 32.5 32.5 33.5 32.5
硬化促進劑(c) (c)-1 0.5 0.5 0.5 0.5
填充劑(d) (d)-1 7 7 7 7
偶合劑(e) (e)-1 1 1 1 1
合計 100 100 100 100
膜的厚度(μm) 10 20 10 10
剝離力(N/25mm) 0.05 0.05 0.06 0.04
斷裂強度(MPa) 1 1 0.8 12
斷裂伸長率(%) 680 680 430 50
割斷適性 A(0) A(0) A(0) B(2)
晶粒破裂抑制能力 A(0) A(0) A(0) A(0)
毛邊產生抑制能力 A(0) A(0) A(0) A(0)
[表2]
      比較例1 比較例2 比較例3
接著劑組成物的含有成分 聚合物成分(a) (a)-1 16    
(a)-2      
(a)-3   73 43
環氧樹脂(b1) (b1)-1   10 10
(b1)-2 7    
(b1)-3 20 6 6
(b1)-4 16    
熱硬化劑(b2) (b2)-1 32.5 9.9 9.9
硬化促進劑(c) (c)-1 0.5 0.1 0.1
填充劑(d) (d)-1 7   30
偶合劑(e) (e)-1 1 1 1
合計 100 100 100
膜的厚度(μm) 10 10 10
剝離力(N/25mm) 0.4 0.03 0.03
斷裂強度(MPa) 2 34 3
斷裂伸長率(%) 750 15 5
割斷適性 C(48) C(48) A(0)
晶粒破裂抑制能力 C(11) C(48) A(0)
毛邊產生抑制能力 - - B
評價結果顯示於表1、表2。 實施例1至實施例4之膜狀接著劑的剝離力、斷裂強度及斷裂伸長率為本發明中所規定之範圍內，割斷適性、晶粒破裂抑制能力及毛邊產生抑制能力充分。 比較例1之膜狀接著劑的剝離力為本發明中所規定之範圍外，割斷適性及晶粒破裂抑制能力不充分。另外，比較例2之膜狀接著劑的斷裂強度為本發明中所規定之範圍外，割斷適性及晶粒破裂抑制能力不充分。另外，比較例3之膜狀接著劑的晶粒破裂抑制能力充分，但斷裂伸長率為本發明中所規定之範圍外，毛邊產生抑制能力不充分。 [產業可利用性]
本發明能夠提供一種膜狀接著劑，於作為熱硬化型黏晶膜使用來分割半導體晶圓時，能夠充分地抑制割斷之不良、晶粒破裂及毛邊的產生。
1:膜狀接著劑複合片 2:具膜狀接著劑之半導體晶片 9:半導體晶片 9b:半導體晶片的內面 10:支撐片 10a:支撐片的第1面 10b:支撐片的內面 11:基材 11a:基材的第1面 12:黏著劑層 12a:黏著劑層的第1面 13,23:膜狀接著劑 13a:膜狀接著劑的第1面 13b:膜狀接著劑的第2面 15:剝離膜 16:治具用接著劑層 16a:治具用接著劑層的上表面及側面 23a:膜狀接著劑的上表面及側面 81:頂起部 82:上拉部 101,102,103,104:膜狀接著劑複合片 151:第1剝離膜 152:第2剝離膜 811:突起
[圖1]係以示意方式表示本發明的一實施形態的膜狀接著劑之剖視圖。 [圖2]係以示意方式表示本發明的一實施形態的膜狀接著劑複合片之剖視圖。 [圖3]係以示意方式表示本發明的另一實施形態的膜狀接著劑複合片之剖視圖。 [圖4]係以示意方式表示本發明的又一實施形態的膜狀接著劑複合片之剖視圖。 [圖5]係以示意方式表示本發明的又一實施形態的膜狀接著劑複合片之剖視圖。 [圖6A]係以示意方式表示使用本發明的一實施形態的膜狀接著劑之情形時的半導體裝置的製造方法中自膜狀接著劑之切斷至半導體晶片自支撐片之扯離為止的一實施形態之剖視圖。 [圖6B]係以示意方式表示使用本發明的一實施形態的膜狀接著劑之情形時的半導體裝置的製造方法中自膜狀接著劑之切斷至半導體晶片自支撐片之扯離為止的一實施形態之剖視圖。 [圖6C]係以示意方式表示使用本發明的一實施形態的膜狀接著劑之情形時的半導體裝置的製造方法中自膜狀接著劑之切斷至半導體晶片自支撐片之扯離為止的一實施形態之剖視圖。
13:膜狀接著劑
13a:膜狀接著劑的第1面
13b:膜狀接著劑的第2面
151:第1剝離膜
152:第2剝離膜

Claims (6)

  1. 一種膜狀接著劑，係於由聚烯烴所構成之試驗用基材上依序積層前述膜狀接著劑、雙面膠帶及硬質支撐體時，以剝離速度300mm/分鐘、溫度23℃所測定之前述膜狀接著劑與前述試驗用基材之間的180°撕下剝離力為0.01N/25mm至0.2N/25mm； 使用拉伸試驗機，於25℃、夾頭間距離30mm、拉伸速度200mm/分鐘之條件下，測定作為多片前述膜狀接著劑的積層物之寬度15mm、長度70mm、厚度200μm之試樣的應力、應變曲線，並使用這些測定結果，藉由下式所算出的前述膜狀接著劑的斷裂強度為30MPa以下、前述膜狀接著劑的斷裂伸長率為11%以上；　　斷裂強度(Pa)＝最大強度(N)/試樣的截面積(m2 )；　　斷裂伸長率(%)＝(斷裂時的試樣的夾頭間長度(mm)－30)/30/100。
  2. 如請求項1所記載之膜狀接著劑，其中前述膜狀接著劑實質上不含重量平均分子量為100000以上之聚合物成分。
  3. 如請求項1或2所記載之膜狀接著劑，其中前述膜狀接著劑包含於主鏈具有環結構且玻璃轉移溫度(Tg)為140℃以上之熱塑性樹脂。
  4. 如請求項1至3中任一項所記載之膜狀接著劑，其中前述膜狀接著劑係用以藉由下述方式來製造具膜狀接著劑之半導體晶片：將前述膜狀接著劑貼附於多個半導體晶片的內面，沿自前述膜狀接著劑朝向前述半導體晶片之方向頂起前述膜狀接著劑，藉此沿著前述半導體晶片的外周切斷前述膜狀接著劑，從而製造具備前述半導體晶片、及設置於前述半導體晶片的內面之切斷後的前述膜狀接著劑而構成的具膜狀接著劑之半導體晶片。
  5. 一種膜狀接著劑複合片，具備支撐片、及設置於前述支撐片的一面上之膜狀接著劑； 前述膜狀接著劑為如請求項1至4中任一項所記載之膜狀接著劑。
  6. 如請求項5所記載之膜狀接著劑複合片，其中前述支撐片僅由基材所構成。
TW110110958A 2020-03-30 2021-03-26 膜狀接著劑以及膜狀接著劑複合片 TW202142647A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020-060371 2020-03-30
JP2020060371A JP7446887B2 (ja) 2020-03-30 2020-03-30 フィルム状接着剤

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW202142647A true TW202142647A (zh) 2021-11-16

Family

ID=77868338

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW110110958A TW202142647A (zh) 2020-03-30 2021-03-26 膜狀接著劑以及膜狀接著劑複合片

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP7446887B2 (zh)
KR (1) KR20210122149A (zh)
CN (1) CN113462334A (zh)
TW (1) TW202142647A (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102666524B1 (ko) * 2023-05-19 2024-05-20 에이엠씨주식회사 신규한 웨이퍼 백그라인딩 테이프

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04325590A (ja) * 1991-04-25 1992-11-13 Nitto Denko Corp エポキシ樹脂系接着剤組成物
JP3815912B2 (ja) * 1999-01-11 2006-08-30 宇部興産株式会社 Ｌｏｃ用テ−プ
JP2002129126A (ja) * 2000-10-23 2002-05-09 Tomoegawa Paper Co Ltd 半導体装置用接着剤組成物および接着シート
JP2003321655A (ja) * 2002-04-26 2003-11-14 Saehan Micronics Inc 複合フィルム及びそれを付着したリードフレーム
JP4174248B2 (ja) * 2002-07-01 2008-10-29 群栄化学工業株式会社 ポリイミド樹脂、これを含有する樹脂組成物、電子部品用被覆材料及び電子部品用接着剤
CN101392159B (zh) * 2003-06-06 2012-10-03 日立化成工业株式会社 粘合片、与切割胶带一体化的粘合片以及半导体的制造方法
JPWO2008126717A1 (ja) * 2007-04-06 2010-07-22 日立化成工業株式会社 半導体用接着フィルム、複合シート及びこれらを用いた半導体チップの製造方法
KR100934558B1 (ko) * 2007-10-08 2009-12-29 제일모직주식회사 실란커플링제와 선반응된 페놀형 경화수지를 포함하는반도체 조립용 접착 필름 조성물 및 이에 의한 접착 필름
CN101821834A (zh) 2007-10-09 2010-09-01 日立化成工业株式会社 带粘接膜半导体芯片的制造方法及用于该制造方法的半导体用粘接膜、以及半导体装置的制造方法
JP2010245191A (ja) * 2009-04-02 2010-10-28 Hitachi Chem Co Ltd フィルム状接着剤
WO2012056511A1 (ja) * 2010-10-25 2012-05-03 古河電気工業株式会社 接着フィルム及びウエハ加工用テープ
JP2012222002A (ja) * 2011-04-04 2012-11-12 Nitto Denko Corp ダイシング・ダイボンドフィルム、及び、半導体装置の製造方法
JP5611883B2 (ja) * 2011-04-13 2014-10-22 日東電工株式会社 再剥離用水分散型アクリル系粘着剤組成物及び粘着シート
CN106661197B (zh) * 2014-08-15 2020-05-12 尤尼吉可株式会社 树脂组合物和使用该树脂组合物的层叠体
CN106715590B (zh) * 2014-10-28 2022-01-04 东洋纺株式会社 聚碳酸酯酰亚胺系树脂糊剂及具有将该糊剂固化而得到的阻焊层、表面保护层、层间绝缘层或粘接层的电子部件
JP6678641B2 (ja) * 2015-03-04 2020-04-08 リンテック株式会社 フィルム状接着剤複合シート及び半導体装置の製造方法
JP6074698B1 (ja) * 2015-07-31 2017-02-08 東洋インキＳｃホールディングス株式会社 熱硬化性接着シート、およびその利用
JP6698306B2 (ja) * 2015-09-29 2020-05-27 株式会社巴川製紙所 リードフレーム固定用接着テープ
JP6803673B2 (ja) * 2016-03-23 2020-12-23 日東電工株式会社 粘着シート
JP6310492B2 (ja) * 2016-03-31 2018-04-11 古河電気工業株式会社 電子デバイスパッケージ用テープ
CN110461973B (zh) * 2017-03-28 2022-02-08 琳得科株式会社 膜状粘合剂复合片及半导体装置的制造方法
JP7046585B2 (ja) * 2017-12-14 2022-04-04 日東電工株式会社 接着フィルムおよびダイシングテープ付き接着フィルム
JP7002122B2 (ja) * 2018-01-11 2022-01-20 ユニチカ株式会社 積層体
JP7155245B2 (ja) * 2018-03-23 2022-10-18 リンテック株式会社 ダイボンディングフィルム、ダイシングダイボンディングシート、及び半導体チップの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20210122149A (ko) 2021-10-08
JP2021155680A (ja) 2021-10-07
CN113462334A (zh) 2021-10-01
JP7446887B2 (ja) 2024-03-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI712670B (zh) 保護膜形成用片以及附有保護膜的晶片的製造方法
US9382455B2 (en) Adhesive composition, an adhesive sheet and a production method of a semiconductor device
US9434865B2 (en) Adhesive composition, an adhesive sheet and a production method of a semiconductor device
JP7282076B2 (ja) フィルム状接着剤及び半導体加工用シート
JP2019096913A (ja) 樹脂膜形成用シート、及び樹脂膜形成用複合シート
JP7155245B2 (ja) ダイボンディングフィルム、ダイシングダイボンディングシート、及び半導体チップの製造方法
WO2021193935A1 (ja) 半導体装置製造用シート及びフィルム状接着剤付き半導体チップの製造方法
TW202142647A (zh) 膜狀接著劑以及膜狀接著劑複合片
TWI809132B (zh) 半導體晶片的製造方法及半導體裝置的製造方法
CN113462335B (zh) 膜状粘合剂
CN112930380B (zh) 膜状粘合剂及半导体加工用片
JP7141516B2 (ja) ダイボンディングシート、及びフィルム状接着剤付き半導体チップの製造方法
TW202348757A (zh) 保護膜形成膜、保護膜形成用複合片、半導體裝置之製造方法、以及保護膜形成膜之使用
TW202348756A (zh) 保護膜形成膜、保護膜形成用複合片、半導體裝置之製造方法、以及保護膜形成膜之使用
JP2023047740A (ja) 保護膜形成フィルム、保護膜形成用シート、保護膜形成用複合シート、リワーク方法および装置の製造方法
JP2023110879A (ja) 硬化性樹脂フィルム、複合シート、半導体チップ、及び半導体チップの製造方法
JP2022153305A (ja) ダイシングダイボンディングシート及び半導体装置の製造方法