TW202141922A - 恆溫槽型壓電振盪器 - Google Patents
恆溫槽型壓電振盪器 Download PDFInfo
- Publication number
- TW202141922A TW202141922A TW110108009A TW110108009A TW202141922A TW 202141922 A TW202141922 A TW 202141922A TW 110108009 A TW110108009 A TW 110108009A TW 110108009 A TW110108009 A TW 110108009A TW 202141922 A TW202141922 A TW 202141922A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- crystal
- heater
- oscillator
- sealing member
- package
- Prior art date
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 168
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 27
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 103
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 62
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 53
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 53
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 18
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 9
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 43
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 24
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 21
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 21
- 239000010408 film Substances 0.000 description 18
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 11
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 9
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 9
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 7
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 7
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 6
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 6
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 4
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 3
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910015363 Au—Sn Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000006903 response to temperature Effects 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03L—AUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION, OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
- H03L1/00—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply
- H03L1/02—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply against variations of temperature only
- H03L1/04—Constructional details for maintaining temperature constant
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/02—Details
- H03B5/04—Modifications of generator to compensate for variations in physical values, e.g. power supply, load, temperature
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/30—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator
- H03B5/32—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator
Abstract
本發明提供一種能夠對發熱體的溫度及壓電振動子的壓電振動這兩者進行高精度的控制、同時能夠降低成本的恆溫槽型壓電振盪器。恆溫槽型壓電振盪器（1）包含核心部（5），核心部（5）具有晶體振動子（50）、振盪器IC（51）、及發熱器IC（52），恆溫槽型壓電振盪器（1）中，核心部（5）通過中介構件（4）被支撐在封裝體（2）中，並以密封狀態被封入封裝體（2）的內部。
Description
本發明關於一種恆溫槽型壓電振盪器。
晶體振動子等壓電振動子基於固有的頻率溫度特性，振動頻率會相應於溫度而發生變化。於是，現有技術中有一種恆溫槽型壓電振盪器（Oven-Controlled Xtal (crystal) Oscillator，以下也稱為「OCXO」）為了使壓電振動子的周圍保持恆溫，而將壓電振動子封入恆溫槽內（例如，參照專利文獻1）。
如上所述的OCXO中，需要對發熱體的溫度及壓電振動子的壓電振動這兩者都進行高精度的控制。現有技術中，通過單獨的積體電路（Integrated Circuit （IC），例如OCXO－IC）來對發熱體的溫度及壓電振動子的壓電振動這兩者進行控制。為此，需要安裝這種高價的IC，從而會導致OCXO的製造成本增加。
(專利文獻１)：日本特許第6376681號公報
有鑒於上述情況，本發明的目的在於，提供一種既能分別對發熱體的溫度及壓電振動子的壓電振動進行高精度的控制又能降低成本的恆溫槽型壓電振盪器。
作為解決上述技術問題的技術手段，本發明提供一種恆溫槽型壓電振盪器，該恆溫槽型壓電振盪器包含核心部，該核心部具有壓電振動子、振盪器IC、及發熱體，其中：該核心部通過核心基板支撐在封裝體中，並以密封狀態被封入該封裝體的內部。在此，發熱體可以是發熱器IC或／及薄膜發熱器。換言之，核心部中可以設置發熱器IC及薄膜發熱器，或者，核心部中可以只設置發熱器IC或只設置薄膜發熱器。核心部中只設置發熱器IC的情況下，較佳為，作為發熱器IC，採用發熱體（熱源）、發熱體的溫控用控制電路（電流控制用電路）、及檢測發熱體溫度的溫度感測器為一體構成的結構。另一方面，核心部中只設置薄膜發熱器的情況下，較佳為，薄膜發熱器的溫度調節用IC被設置為獨立於核心部。
基於上述結構，通過將核心部密封在封裝體內，即使外部的溫度發生變化，也能夠盡可能地抑制核心部的壓電振動子的溫度變化。由此，OCXO進行的溫度調節只要在較小的溫度範圍內進行即可，因而可簡化溫度調節所需的元件，從而能夠降低成本。此外，通過將主要對發熱體的溫度進行控制的IC（例如發熱器IC）與主要對壓電振動子的壓電振動進行控制的振盪器IC並用，能夠分別高精度地進行發熱體的溫度控制及壓電振動子的壓電振動的控制，與使用能夠對發熱體的溫度及壓電振動子的壓電振動這兩者進行控制的IC（例如OCXO－IC）的情況相比，能夠大幅度地降低成本。
上述結構中，較佳為，在該封裝體上形成有上方開口的凹部，該核心部被該核心基板支撐為在該封裝體的內部懸空的狀態。
基於上述結構，由於核心部被核心基板支撐在封裝體中，所以能夠實現OCXO的低矮化。由此，能夠減小OCXO的熱容量，從而OCXO能夠進行高精度的溫度調節。
上述結構中，較佳為，在該封裝體的內部形成有對置的一對台階部，該核心基板被配置為架設於該一對台階部之間，且該核心部被容置於該一對台階部之間的空間內。
基於上述結構，利用封裝體的台階部，能夠容易地將核心基板固定在封裝體中。此外，由於核心部被容置於封裝體內部的一對台階部之間的空間內，所以能夠進一步實現OCXO的低矮化。由此，能夠減小OCXO的熱容量，從而OCXO能夠進行高精度的溫度調節。
上述結構中，較佳為，該核心基板通過聚醯亞胺類的導電性粘合劑固定於該台階部。
另外，封裝體會因密封、老化、經時劣化等而受到熱損傷、經時損傷。因此，在將耐熱性低的樹脂類粘合劑用作導電性粘合劑的情況下，封裝體內會因分解、軟化等產生氣體，從而可能妨礙OCXO進行高精度的溫度調節。對此，上述結構中使用熱導性低、耐熱性高的聚醯亞胺類粘合劑作為導電性粘合劑來抑制發生上述不良情況。
上述結構中，較佳為，該壓電振動子包含第一密封構件、第二密封構件、及壓電振動板，該第一密封構件及該第二密封構件由玻璃或石英晶體構成，該壓電振動板具有由石英晶體構成且在兩個主面上形成有激勵電極的振動部，該第一密封構件與該第二密封構件隔著該壓電振動板層疊而接合，配置於內部的該壓電振動板的該振動部被氣密密封。
基於上述結構，作為壓電振動子，使用如上所述的可實現低矮化的三明治結構，因而能夠實現核心部的低矮化及小型化。由此，能夠減小核心部的熱容量，從而OCXO能夠進行高精度的溫度調節。
基於本發明，通過將核心部密封在封裝體內，即使外部的溫度發生變化，也能盡可能地抑制核心部的壓電振動子的溫度變化。由此， OCXO進行的溫度調節只需在較小的溫度範圍內進行即可，因而可簡化溫度調節所需的元件，從而能夠降低成本。此外，通過將主要對發熱體的溫度進行控制的IC與主要對壓電振動子的壓電振動進行控制的振盪器IC並用，能夠分別對發熱體的溫度及壓電振動子的壓電振動進行高精度的控制，與使用能夠對發熱體的溫度及壓電振動子的壓電振動這兩者進行控制的IC（例如OCXO－IC）的情況相比，能夠大幅度降低成本。
如本文中所使用的，諸如「第一」、「第二」、「第三」、「第四」及「第五」等用語描述了各種元件、組件、區域、層及/或部分，這些元件、組件、區域、層及/或部分不應受這些術語的限制。這些術語僅可用於將一個元素、組件、區域、層或部分與另一個做區分。除非上下文明確指出，否則本文中使用的諸如「第一」、「第二」、「第三」、「第四」及「第五」的用語並不暗示順序或次序。
以下，參照附圖對本發明的實施例進行說明。
如圖1所示，本實施例所涉及的OCXO 1被構成為，在陶瓷製等大致長方體的封裝體（殼體）2的內部配置有核心部5，並由蓋體3氣密密封。封裝體2上形成有上方開口的凹部2a，核心部5以氣密狀態被封入凹部2a的內部。周壁部2b包圍著凹部2a，蓋體3通過密封材料8固定於周壁部2b的頂面，封裝體2的內部為密封狀態。作為密封材料8，較佳為使用例如Au-Sn合金、焊錫等金屬類密封材料，但也可以使用低熔點玻璃等密封材料。較佳為，封裝體2的內部空間為真空、或低壓的氮氣或氬氣等熱導性低的環境。
在封裝體2的周壁部2b的內壁面上形成有台階部2c，該台階部2c的延伸方向與連接端子（圖示省略）的排列方向一致，核心部5通過板狀的中介構件（核心基板）4與形成在台階部2c上的連接端子連接。具體而言，形成於台階部2c的台階面上的連接端子通過導電性粘合劑7與形成在中介構件4的頂面（圖1中為下側的面）4a的連接端子連接。此外，形成於核心部5的底面（圖1中為上側的面）5a的外部端子（圖示省略）通過導電性粘合劑6與形成於中介構件4的頂面4a的連接端子連接。核心部5的底面5a的外部端子形成在核心部5的底面5a中未形成有後述的金屬佈線54a的區域。導電性粘合劑6、導電性粘合劑7例如使用聚醯亞胺類粘合劑、環氧類粘合劑等。
中介構件4被配置為，架設於在封裝體2中對置的台階部2c與台階部2c之間，核心部5被容置於台階部2c與台階部2c之間的空間內。在核心部5的頂面（圖1中為下側的面）5b與封裝體2的凹部2a的底面2d之間設有間隙。這樣，核心部5以從圖2所示的狀態上下反轉後的狀態被固定在中介構件4上，並且，該核心部5以懸空的狀態被中介構件4支撐在封裝體2的內部。
下面，參照圖2、圖3對核心部5進行說明。圖2中示出核心部5的底面5a配置於下側、核心部5的頂面5b配置於上側的狀態（相對於圖1上下反轉的狀態）。
核心部5是通過將晶體振動子50、振盪器IC 51、發熱器IC 52、晶片電容器（旁路電容器）53a～53c等在OCXO 1中使用的各種電子部件進行封裝，並用密封樹脂57將這些元件密封在晶體基板54上而構成的。特別是，核心部5被構成為，通過對溫度特性大的晶體振動子50、振盪器IC 51、發熱器IC 52等進行溫度調節，而使OCXO 1的振盪頻率穩定。並且，最好用密封樹脂57對核心部5的各種電子元件進行密封，但也可以根據密封環境而不用密封樹脂進行密封。例如，在密封環境是惰性氣體的情況下，也可以不用密封樹脂進行密封，而通過安裝罩蓋來將OCXO 1中使用的各種電子元件覆蓋，以此來緩和熱對流的影響。
晶體振盪器100由晶體振動子50及振盪器IC 51構成。振盪器IC 51通過多個金屬突起51a安裝在晶體振動子50上。通過用振盪器IC 51對晶體振動子50的壓電振動進行控制，而對OCXO 1的振盪頻率進行控制。發熱器IC 52是進行核心部5的溫度調節的IC，對流向核心部5中使用的薄膜發熱器（發熱器基板）56a、薄膜發熱器56b的電流進行控制。發熱器IC 52通過多個金屬突起52a安裝在晶體基板54上。
核心部5具有上下對置的晶體基板54和晶體基板55，晶體基板54、晶體基板55上分別形成有金屬佈線54a、金屬佈線55a，金屬佈線54a、金屬佈線55a分別被用作薄膜發熱器56a、薄膜發熱器56b。薄膜發熱器56a、薄膜發熱器56b是通過在作為基材的晶體基板54、晶體基板55的表面蒸鍍作為電阻膜的金屬佈線54a、金屬佈線55a而構成的。晶體基板54、晶體基板55中形成有金屬佈線54a、金屬佈線55a的區域作為溫度調節用的薄膜發熱器（發熱器基板）56a、薄膜發熱器（發熱器基板）56b而發揮作用。
在此，圖3中省略了上側的晶體基板55及金屬佈線55a的圖示，並用虛線框示出上下的薄膜發熱器56a、薄膜發熱器56b的發熱區域。此外，圖2中，將使用了晶體片54b和晶體片54c的層疊基板用作晶體基板54，主要與發熱器IC 52電連接的內部佈線54d插在晶體基板54的晶體片54b和晶體片54c之間。內部佈線54d與形成在晶體基板54的底面側的外部端子（圖示省略）電連接，並且，通過上述中介構件4、封裝體2等與外部電連接。但是，本發明不局限於此，晶體基板54也可以是使用一枚晶體片的單層基板。此外，上下的薄膜發熱器56a、薄膜發熱器56b的形狀及發熱區域有若干不同，但也可以使上下的薄膜發熱器56a、薄膜發熱器56b為同一形狀，以獲得相同的發熱區域。
核心部5是通過在上下兩枚的晶體基板（晶體基板54和晶體基板55）之間配置溫度特性大的晶體振動子50、振盪器IC 51、及發熱器IC 52而構成的。具體而言，核心部5被構成為，晶體振動子50、振盪器IC 51、及發熱器IC 52被夾在溫度調節用的上下兩枚薄膜發熱器（發熱器基板）（即，薄膜發熱器56a和薄膜發熱器56b）之間。換言之，在下側的晶體基板54上形成的薄膜發熱器56a與在上側的晶體基板55上形成的薄膜發熱器56b之間配置有晶體振動子50、振盪器IC 51及發熱器IC 52。下側的薄膜發熱器56a被配置為覆蓋著晶體振動子50、振盪器IC 51、及發熱器IC 52的下方；上側的薄膜發熱器56b被配置為覆蓋著晶體振動子50、振盪器IC 51、及發熱器IC 52的上方。在此，「覆蓋」 的意思是俯視時晶體振動子50、振盪器IC 51、及發熱器IC 52的大部分（或全部）與晶體基板54、晶體基板55重疊，不包括只有一部分（例如，百分之幾到百分之二、三十的部分）與晶體基板54、晶體基板55重疊的情況。
此外，晶片電容器53a～53c中，兩個晶片電容器（晶片電容器53b和晶片電容器53c）夾在上下兩枚薄膜發熱器（發熱器基板）（薄膜發熱器56a和薄膜發熱器56b）之間。尺寸較小的兩個晶片電容器（晶片電容器53b和晶片電容器53c）安裝在下側的晶體基板54上，上側的晶體基板55被設置為與晶片電容器53b、晶片電容器53c的頂面接觸。另一方面，尺寸最大的晶片電容器53a安裝在下側的晶體基板54上，但未被上側的晶體基板55覆蓋。
對晶體振動子50的種類沒有特別的限定，較佳為使用易於使裝置薄型化的三明治結構的裝置。三明治結構的裝置包括第一密封構件、第二密封構件、及壓電振動板，其中，第一密封構件、第二密封構件由玻璃或石英晶體構成，壓電振動板具有例如由石英晶體構成且在兩個主面上形成有激勵電極的振動部，第一密封構件與第二密封構件隔著壓電振動板層疊並接合，配置於內部的壓電振動板的振動部被氣密密封。
下面，參照圖4～圖10對具有上述三明治結構的晶體振動子50的晶體振盪器100進行說明。
如圖4所示，晶體振盪器100被構成為，包含晶體振動片（壓電振動板）10、第一密封構件20、第二密封構件30、及振盪器IC 51。該晶體振盪器100中，晶體振動片10與第一密封構件20接合，晶體振動片10與第二密封構件30接合，從而構成大致長方體的三明治結構的封裝體。換言之，晶體振盪器100中，第一密封構件20及第二密封構件30分別與晶體振動片10的兩個主面接合而形成封裝體的內部空間（空腔），振動部11（參照圖7、圖8）被氣密密封於該內部空間內。
晶體振盪器100例如是尺寸為1.0×0.8 mm的封裝體，實現了小型化和低矮化。此外，為實現小型化，封裝體中未形成垛牆(castellation)結構，而是通過貫穿孔實現電極的導通。安裝在第一密封構件20上的振盪器IC 51是與晶體振動片10一起構成振盪電路的單晶片積體電路元件。並且，晶體振盪器100例如通過焊錫等安裝在上述晶體基板54上。
如圖7、圖8所示，晶體振動片10是由石英晶體構成的壓電基板，其兩個主面（第一主面101、第二主面102）被構成為平坦平滑面（鏡面加工）。晶體振動片10使用的是進行厚度剪切振動的AT切割石英晶體片。圖7、圖8所示的晶體振動片10中，晶體振動片10的兩個主面101、102為XZ´平面。該XZ´平面中，將與晶體振動片10的短邊方向平行的方向作為X軸方向，將與晶體振動片10的長邊方向平行的方向作為Z´軸方向。
在晶體振動片10的兩個主面101、102上形成有一對激勵電極（第一激勵電極111、第二激勵電極112）。晶體振動片10包含：被構成為大致矩形的振動部11、包圍著該振動部11的外周的外框部12、以及通過將振動部11與外框部12連接而將振動部11保持的保持部13。換言之，晶體振動片10是將振動部11、外框部12、及保持部13設置為一體的結構。保持部13僅從位於振動部11的＋X方向及－Z´方向的一個角落部朝著－Z´方向延伸至（突出到）外框部12。貫穿部（狹縫）11a形成於振動部11與外框部12之間，振動部11與外框部12僅通過一個保持部13連接。
第一激勵電極111設置於振動部11的第一主面101側，第二激勵電極112設置於振動部11的第二主面102側。第一激勵電極111、第二激勵電極11上連接有用於將這些激勵電極與外部電極端子連接的引出佈線（第一引出佈線113、第二引出佈線114）。第一引出佈線113從第一激勵電極111引出，並經由保持部13與形成於外框部12的連接用接合圖案14相連。第二引出佈線114從第二激勵電極112引出，並經由保持部13與形成於外框部12的連接用接合圖案15相連。
在晶體振動片10的兩個主面（第一主面101、第二主面102）上，分別設置用於將晶體振動片10與第一密封構件20及第二密封構件30接合的振動側密封部。作為第一主面101的振動側密封部，形成有振動側第一接合圖案121；作為第二主面102的振動側密封部，形成有振動側第二接合圖案122。振動側第一接合圖案121及振動側第二接合圖案122設置於外框部12，俯視為環形。
此外，如圖7、圖8所示，在晶體振動片10上形成有貫穿第一主面101與第二主面102之間的五個貫穿孔。具體而言，四個第一貫穿孔161分別設置於外框部12的四個角落（角落部）的區域。第二貫穿孔162設置於外框部12上位於振動部11的Z´軸方向的一側（圖7、圖8中為－Z´方向側）。在第一貫穿孔161的周圍分別形成有連接用接合圖案123。此外，在第二貫穿孔162的周圍，於第一主面101側形成有連接用接合圖案124，於第二主面102側形成有連接用接合圖案15。
在第一貫穿孔161及第二貫穿孔162中，沿著貫穿孔各自的內壁面形成有貫穿電極，該貫穿電極用於實現形成於第一主面101及第二主面102的電極的導通。此外，第一貫穿孔161及第二貫穿孔162各自的中間部分成為將第一主面101與第二主面102之間貫穿的中空狀態的貫穿部分。
其次，如圖5、圖6所示，第一密封構件20是由一枚AT切割石英晶體片構成的長方體基板，該第一密封構件20的第二主面202（與晶體振動片10接合的面）被構成為平坦平滑面（鏡面加工）。此外，第一密封構件20雖然不具有振動部，但通過與晶體振動片10一樣使用AT切割石英晶體片，能夠使晶體振動片10與第一密封構件20的熱膨脹率相同，從而能夠抑制晶體振盪器100中的熱變形。此外，第一密封構件20中的X軸、Y軸、及Z´軸的朝向也與晶體振動片10的相同。
如圖5所示，在第一密封構件20的第一主面201上形成有六個電極圖案22，該六個電極圖案22包含安裝作為振盪電路元件的振盪器IC 51的安裝墊。振盪器IC 51使用金屬突起（例如Au突起等）51a（參照圖4），通過覆晶接合法（Flip Chip Bonding，FCB）與電極圖案22接合。
如圖5、圖6所示，在第一密封構件20上形成有六個貫穿孔，該六個貫穿孔分別與六個電極圖案22連接，並將第一主面201與第二主面202之間貫穿。具體而言，四個第三貫穿孔211設置於第一密封構件20的四個角落（角落部）的區域。第四貫穿孔212、第五貫穿孔213分別設置於圖5、圖6的＋Z´方向及－Z´方向。
在第三貫穿孔211、第四貫穿孔212、及第五貫穿孔213中，沿著貫穿孔各自的內壁面形成有貫穿電極，該貫穿電極用於實現形成於第一主面201和第二主面202的電極的導通。此外，第三貫穿孔211、第四貫穿孔212、及第五貫穿孔213各自的中間部分成為將第一主面201與第二主面202之間貫穿的中空狀態的貫穿部分。
在第一密封構件20的第二主面202上形成有密封側第一接合圖案24，該密封側第一接合圖案24用作與晶體振動片10接合的密封側第一密封部。俯視時密封側第一接合圖案24為環形。
此外，第一密封構件20的第二主面202上，在第三貫穿孔211的周圍分別形成有連接用接合圖案25。在第四貫穿孔212的周圍形成有連接用接合圖案261，在第五貫穿孔213的周圍形成有連接用接合圖案262。並且，在相對於連接用接合圖案261位於第一密封構件20的長軸方向的相反側（－Z´方向側）之處，形成有連接用接合圖案263，連接用接合圖案261與連接用接合圖案263通過佈線圖案27連接。
其次，如圖9、圖10所示，第二密封構件30是由一枚AT切割石英晶體片構成的長方體基板，該第二密封構件30的第一主面301（與晶體振動片10接合的面）被構成為平坦平滑面（鏡面加工）。並且，在第二密封構件30中，較佳為，也與晶體振動片10一樣使用AT切割石英晶體片，也使X軸、Y軸、及Z´軸的朝向與晶體振動片10相同。
在該第二密封構件30的第一主面301上形成有密封側第二接合圖案31，該密封側第二接合圖案31用作與晶體振動片10接合的密封側第二密封部。俯視時密封側第二接合圖案31為環形。
在第二密封構件30的第二主面302上設置有四個外部電極端子32，該四個外部電極端子32例如通過焊錫等與上述晶體基板54電連接。外部電極端子32分別位於第二密封構件30的第二主面302的四個角落（角部）。外部電極端子32與形成於晶體基板54的底面側的外部端子（圖示省略）電連接，並經由上述中介構件4、封裝體2等與外部電連接。
如圖9、圖10所示，在第二密封構件30上形成有將第一主面301與第二主面302之間貫穿的四個貫穿孔。具體而言，四個第六貫穿孔33設置於第二密封構件30的四個角落（角部）的區域。第六貫穿孔33中，沿著第六貫穿孔33的內壁面形成有貫穿電極，該貫穿電極用於實現形成於第一主面301和第二主面302的電極的導通。如此，通過形成在第六貫穿孔33的內壁面的貫穿電極，形成於第一主面301的電極與形成於第二主面302的外部電極端子32之間導通。此外，第六貫穿孔33各自的中間部分成為將第一主面301與第二主面302之間貫穿的中空狀態的貫穿部分。此外，第二密封構件30的第一主面301上，在第六貫穿孔33的周圍分別形成有連接用接合圖案34。
包含上述晶體振動片10、第一密封構件20、及第二密封構件30的晶體振盪器100中，晶體振動片10與第一密封構件20在使振動側第一接合圖案121和密封側第一接合圖案24相重合的狀態下擴散接合，晶體振動片10與第二密封構件30在使振動側第二接合圖案122和密封側第二接合圖案31相重合的狀態下擴散接合，從而製成圖4所示的三明治結構的封裝體。由此，封裝體的內部空間，即振動部11的收納空間被氣密密封。
此時，上述連接用接合圖案也在彼此重合的狀態下擴散接合。然後，通過連接用接合圖案彼此的接合，晶體振盪器100實現了第一激勵電極111、第二激勵電極112、振盪器IC 51、及外部電極端子32的電導通。
具體而言，第一激勵電極111依次經由第一引出佈線113、佈線圖案27、第四貫穿孔212、及電極圖案22，而與振盪器IC 51連接。第二激勵電極112依次經由第二引出佈線114、第二貫穿孔162、第五貫穿孔213、及電極圖案22，而與振盪器IC 51連接。此外，振盪器IC 51依次經由電極圖案22、第三貫穿孔211、第一貫穿孔161、及第六貫穿孔33而與外部電極端子32連接。
晶體振盪器100中，較佳為，各種接合圖案由多個層在晶體片上層疊而成，並且從其最下層側開始蒸鍍形成Ti（鈦）層及Au（金）層。此外，較佳為，也使形成在晶體振盪器100上的其它佈線或電極與接合圖案結構相同，從而能夠同時進行接合圖案、佈線、及電極的圖案形成。
如上所述那樣構成的晶體振盪器100中，對晶體振動片10的振動部11進行氣密密封的密封部（密封路徑）（密封部115、密封部116）俯視為環形。密封路徑115通過上述振動側第一接合圖案121及密封側第一接合圖案24的擴散接合而形成，密封路徑115的外緣形狀及內沿緣形狀被構成為近似八角形。同樣地，密封路徑116通過上述振動側第二接合圖案122及密封側第二接合圖案31的擴散接合而形成，密封路徑116的外緣形狀及內緣形狀被構成為近似八角形。
如上所述，本實施例中，核心部5被構成為，由中介構件4支撐在封裝體2中，並以密封狀態被封入封裝體2的內部。然後，利用發熱器IC 52控制向薄膜發熱器56a、薄膜發熱器56b供給的電流，從而能夠對介於上下的薄膜發熱器（薄膜發熱器56a、薄膜發熱器56b）之間的空間（調溫空間）進行溫度調節。
基於本實施例，在介於上下的薄膜發熱器（薄膜發熱器56a、薄膜發熱器56b）之間的調溫空間中，能夠對晶體振動子50、振盪器IC 51、及發熱器IC 52進行高精度的（恆溫）溫度調節。此外，通過將核心部5封入封裝體2內，即使外部的溫度發生變化，也能夠盡可能地抑制核心部5的晶體振動子50的溫度變化。由此，基於OCXO 1的溫度調節只需在較小的溫度範圍內進行即可，能夠簡化溫度調節所需的元件，從而能夠降低成本。此外，通過將主要對薄膜發熱器56a、薄膜發熱器56b的溫度進行控制的發熱器IC 52與主要對晶體振動子50的壓電振動進行控制的振盪器IC 51並用，能夠分別對薄膜發熱器56a和薄膜發熱器56b的溫度、及晶體振動子50的壓電振動進行高精度的控制，與使用能夠對薄膜發熱器56a和薄膜發熱器56b的溫度及晶體振動子50的壓電振動這兩者進行控制的IC（例如OCXO－IC）的情況相比，能夠大幅度地降低成本。
本實施例中，封裝體2上形成有上方開口的凹部2a，並且，核心部5以懸空狀態被中介構件4支撐在封裝體2的內部。這樣，通過用中介構件4將核心部5支撐在封裝體2中，能夠實現OCXO 1的低矮化。由此，能夠減小OCXO 1的熱容量，從而OCXO 1能夠進行高精度的溫度調節。
更具體而言，在封裝體2的內部形成有對置的一對台階部2c，中介構件4被配置為架設於一對台階部2c之間，核心部5被容置在一對台階部2c之間的空間內。由此，利用封裝體2的台階部2c，能夠容易地將中介構件4固定在封裝體2中。此外，通過將核心部5容置在封裝體2內部的一對台階部2c之間的空間內，能夠進一步實現OCXO 1的低矮化。由此，能夠減小OCXO 1的熱容量，從而OCXO 1能夠進行高精度的溫度調節。
然而，封裝體2會因密封、老化、經時劣化等而受到熱損傷、經時損傷。因此，在用耐熱性低的樹脂類粘合劑作為導電性粘合劑6、導電性粘合劑7的情況下，封裝體2內會因分解、軟化等而產生氣體，從而有可能妨礙OCXO 1進行高精度的溫度調節。於是，本實施例中，用熱導性低且耐熱性高的聚醯亞胺類粘合劑、環氧類粘合劑作為導電性粘合劑6、導電性粘合劑7，由此來防止出現上述問題。
並且，本實施例中，作為壓電振動子，採用了如上所述那樣振動部11被氣密密封在內部而能實現低矮化的三明治結構的晶體振動子50，因此，能夠更進一步實現核心部5的低矮化及小型化。由此，能夠減小核心部5的熱容量，從而OCXO 1能夠進行高精度的溫度調節。晶體振動子50的厚度例如為0.12 mm，與現有技術中的晶體振動子相比，變得非常薄。由此，與現有技術中的OCXO相比，能夠使核心部5的熱容量變得非常小，從而能夠減少包含上述核心部5的OCXO 1的發熱器的發熱量，有利於實現低能耗。而且，能夠提高核心部5的溫度追隨性，從而能夠提高OCXO 1的穩定性。此外，如上所述，三明治結構的晶體振動子50中，不使用粘合劑地將振動部11氣密密封，從而能夠抑制由粘合劑產生的釋放氣體（outgas）對熱對流的不良影響。換言之，在使用粘合劑的情況下，在將振動部11氣密密封的空間內，因粘合劑產生的釋放氣體循環而產生熱對流，從而有可能妨礙振動部11進行高精度的溫度控制。然而，三枚重疊結構的晶體振動子50中，不會產生上述釋放氣體，因而振動部11能夠進行高精度的溫度控制。
此外，三明治結構的晶體振動子50中，通過上述密封路徑115、密封路徑116、及連接用接合圖案彼此的接合而形成的接合構件由薄膜金屬層構成，因此，晶體振動子50的上下方向（層疊方向）的熱傳導良好，能夠使晶體振動子50的溫度迅速變為均衡。在密封路徑115、密封路徑116等的情況下，薄膜金屬層的厚度為1.00 μm以下（具體而言，本實施例的Au-Au接合中為0.15 μm～1.00 μm），與現有技術中採用Sn的金屬膏狀密封材料（例如，5 μm～20 μm）相比，變得非常薄。由此，能夠提高晶體振動子50的上下方向（層疊方向）的熱傳導性。此外，由於晶體振動片10與第一密封構件20在多個接合區域中接合，並且晶體振動片10與第二密封構件30在多個接合區域中接合，因此晶體振動子50在上下方向（層疊方向）上的熱傳導變得更好。
本實施例中，在晶體振動片10的振動部11與外框部12之間形成有貫穿部11a，振動部11與外框部12僅通過一個保持部13連接。保持部13僅從位於振動部11的＋X方向及－Z´方向的一個角落部朝著－Z´方向延伸至外框部12。這樣，由於保持部13設置於振動部11的外周端部中的壓電振動的變位較小的角落部，因此與將保持部13設置於角落部以外的部分（邊的中間部分）的情況相比，能夠防止壓電振動經由保持部13洩漏到外框部12，從而能夠更高效地使振動部11進行壓電振動。此外，與設置兩個以上的保持部13的情況相比，能夠降低作用於振動部11的應力，並降低這樣的應力所導致的壓電振動的頻率移動，從而能夠提高壓電振動的穩定性。
本發明在不脫離其精神、主旨或主要特徵的情況下可以進行其它各種變形。因此，上述實施例僅是對各方面的示例，不成為限定性解釋的依據。本發明的技術範圍根據申請專利範圍的記載來界定，不受說明書內容的限制。並且，屬於與申請專利範圍等同範圍內的所有變形和變更均在本發明的範圍內。
上述實施例中，作為壓電振動子，採用了三明治結構的晶體振動子50，但本發明不局限於此，也可以採用具有其它結構的壓電振動子。此外，通過使用了金屬突起的FCB法來安裝振盪器IC 51及發熱器IC 52，但本發明不局限於此，也可以通過打線接合來安裝振盪器IC 51或發熱器IC 52。
上述實施例中，作為發熱器基板，採用了薄膜發熱器56a、薄膜發熱器56b，但本發明不局限於此，也可以利用具有其它結構的發熱器來進行核心部5的溫度調節。發熱器的設置數量沒有特別限制。但基於實現核心部5的低矮化及小型化的觀點，較佳為用薄膜發熱器56a、薄膜發熱器56b作為發熱器基板。此外，由於配置於核心部5的內部的發熱器IC 52的發熱量較大，因此也可以將發熱器IC 52用作核心部5的溫度調節用的熱源。
此外，上述實施例中，核心部5被構成為，將晶體振動子50、振盪器IC 51、發熱器IC 52、及晶片電容器53b和晶片電容器53c夾在上下兩枚薄膜發熱器（薄膜發熱器56a、薄膜發熱器56b）之間。然而，只要將OCXO 1中使用的各種電子部件封裝即可，也可以將具有其它結構的核心部5以密封狀態封入封裝體的內部。此外，由於晶片電容器53a～53c的溫度特性比晶體振動子50、振盪器IC 51、發熱器IC 52等小，所以，無需將所有的晶片電容器53a～53c都配置於上下的薄膜發熱器（薄膜發熱器56a、薄膜發熱器56b）之間，其配置數量沒有特別限制。
以上，核心部5是具有晶體振動子50、振盪器IC 51、發熱器基板、發熱器IC 52、及多個電容器的結構，但核心部5也可以是具有晶體振動子50、振盪器IC 51、及發熱器IC 52的結構。例如，如圖11～圖13所示，核心部5被構成為振盪器IC 51、晶體振動子50、及發熱器IC 52從上側開始依次層疊的三層結構（層疊結構），發熱器IC 52的底面接合在中介構件4的頂面。基於該結構，除了發熱器IC 52以外，振盪器IC 51也發揮發熱體的功能，因此在晶體振動子50的上下分別存在發熱體，從而能夠從上下對晶體振動子50進行均衡的加熱。
如此，作為核心部5的構成部件，至少具有晶體振動子50、振盪器IC 51、及發熱器IC 52即可。在將發熱器IC 52用作熱源的情況下，可以省略發熱器基板。具體而言，作為發熱器IC 52，較佳為採用發熱體（熱源）、發熱體的溫控用的控制電路（電流控制用的電路）、及檢測發熱體的溫度用的溫度感測器被構成為一體的結構。此外，可獨立於核心部5地另外設置多個電容器。可將多個電容器與封裝體2內部的核心部5收納在同一空間內，也可將多個電容器與核心部5收納在不同空間內。
下面，對圖11～圖13所示的OCXO 1A進行說明。該變形例之OCXO 1A中，核心部5被構成為振盪器IC 51、晶體振動子50、及發熱器IC 52從上側開始依次層疊的三層結構（層疊結構）。這樣的核心部5被配置於封裝體2的內部，並被蓋體3氣密密封。
具體而言，在封裝體2的周壁部2b的內壁面上形成有台階部2c，該台階部2c的延伸方向與連接端子（圖示省略）的排列方向一致，核心部5通過板狀的中介構件（核心基板）4與形成在台階部2c上的連接端子連接。中介構件4被配置為架設於在封裝體2中對置的一對台階部2c之間，在一對台階部2c之間且為中介構件4的下側的部分形成有空間2d。並且，形成在台階部2c的台階面上的連接端子通過導電性粘合劑7與形成在中介構件4的底面4b上的連接端子（圖示省略）連接。此外，形成在核心部5的各個構成部件上的外部端子（圖示省略）經由導線6a、導線6b通過打線接合與形成在中介構件4的頂面4a上的連接端子4c連接。作為導電性粘合劑7，例如採用聚醯亞胺類粘合劑、環氧類粘合劑等。
圖12、圖13中示出核心部5安裝於中介構件4上的狀態。俯視時，核心部5的振盪器IC 51、晶體振動子50、及發熱器IC 52各自的面積朝著上方逐漸減小。並且，核心部5的各種電子部件未被密封樹脂密封，但也可以根據密封環境而用密封樹脂密封。晶體振盪器100由晶體振動子50及振盪器IC 51構成，晶體振盪器100與上述實施例的結構相同（參照圖4～圖10）。
非導電性粘合劑（底部填充材）53夾在晶體振動子50和振盪器IC 51彼此相對的面之間，晶體振動子50和振盪器IC 51彼此相對的面由非導電性粘合劑53固定。該情況下，晶體振動子50的頂面（第一密封構件20的第一主面201）與振盪器IC 51的底面通過非導電性粘合劑53接合。作為非導電性粘合劑53，例如採用聚醯亞胺類粘合劑、環氧類粘合劑等。此外，形成在晶體振動子50的頂面上的外部端子（圖5所示的電極圖案22）經由導線6a通過打線接合與形成在中介構件4的頂面4a上的連接端子4c連接。
俯視時，振盪器IC 51的面積變得比晶體振動子50小，振盪器IC 51的整體俯視時位於晶體振動子50的範圍內。振盪器IC 51的底面的整體接合在晶體振動子50的頂面（第一密封構件20的第一主面201）上。
發熱器IC 52例如是發熱體（熱源）、發熱體的溫控用的控制電路（電流控制用的電路）、及檢測發熱體的溫度用的溫度感測器被構成為一體的結構。通過用發熱器IC 52對核心部5的溫度進行控制，能夠使核心部5的溫度維持在大致恆溫下，從而能夠實現OCXO 1A的振盪頻率的穩定化。
非導電性粘合劑54夾在晶體振動子50和發熱器IC 52彼此相對的面之間，晶體振動子50和發熱器IC 52彼此相對的面由非導電性粘合劑54固定。該情況下，晶體振動子50的底面（第二密封構件30的第二主面302）與發熱器IC 52的頂面通過非導電性粘合劑54接合。作為非導電性粘合劑54，例如採用聚醯亞胺類粘合劑、環氧類粘合劑等。形成在發熱器IC 52的頂面上的外部端子（圖示省略）經由導線6b通過打線接合與形成在中介構件4的頂面4a上的連接端子4c連接。
俯視時，晶體振動子50的面積變得比發熱器IC 52小，並且，俯視時，晶體振動子50的整體位於發熱器IC 52的範圍內。晶體振動子50的底面（第二密封構件30的第二主面302）的整體接合在發熱器IC 52的頂面上。
導電性粘合劑55夾在發熱器IC 52和中介構件4彼此相對的面之間，發熱器IC 52和中介構件4彼此相對的面由導電性粘合劑55固定。該情況下，發熱器IC 52的底面與中介構件4的頂面4a通過導電性粘合劑55接合。由此，發熱器IC 52經由導電性粘合劑55及中介構件4而接地。作為導電性粘合劑55，例如採用聚醯亞胺類粘合劑、環氧類粘合劑等。此外，在發熱器IC 52例如通過導線等接地的情況下，也可以使用與上述非導電性粘合劑53、非導電性粘合劑54一樣的非導電性粘合劑來代替導電性粘合劑。
如上所述，在中介構件4的頂面4a形成有多個連接端子4c。並且，在核心基板4的頂面4a配置有多個（圖13中為兩個）晶片電容器（旁路電容器）4d。此外，晶片電容器4d的尺寸或數量沒有特別限制。
以上，對核心部5中設置有發熱器IC 52及薄膜發熱器56a和薄膜發熱器56b的情況（參照圖1～圖3）、及核心部5中只設置有發熱器IC 52的情況（參照圖11～圖13）進行了說明，但也可以採用核心部5中只設置有薄膜發熱器的結構。換言之，設置於核心部5的發熱體也可以是發熱器IC或／及薄膜發熱器。在核心部5中只設置有薄膜發熱器的情況下，較佳為，獨立於核心部5地另外設置薄膜發熱器的溫度調節用的IC。
此外，也可以採用以下結構，即，安裝了核心部5的中介構件（核心基板）4不與封裝體2的台階部2c的頂面接合，而通過粘合劑接合在凹部2a的內底面上，並分別從發熱器IC 52及晶體振動子50與台階部2c的頂面的連接端子直接打線接合。基於該結構，比由中介構件4將核心部5支撐在台階部2c的頂面上的結構更有利於實現低矮化。
使用於此且未另外定義，「實質上」及「大約」等用語係用於描述及敘述小變化。當結合於一事件或情況，該用語可包含事件或情況發生精確的當下、以及事件或情況發生至一接近的近似點。例如，當結合於一數值，該用語可包含一變化範圍小於或等於該數值之±10%，如小於或等於±5%、小於或等於±4%、小於或等於±3%、小於或等於±2%、小於或等於±1%、小於或等於±0.5%、小於或等於±0.1%、或小於或等於±0.05%。
以上概述了數個實施例的部件、使得在本發明所屬技術領域中具有通常知識者可以更理解本發明實施例的概念。在本發明所屬技術領域中具有通常知識者應該理解、可以使用本發明實施例作為基礎、來設計或修改其他製程和結構、以實現與在此所介紹的實施例相同的目的及/或達到相同的好處。在本發明所屬技術領域中具有通常知識者也應該理解、這些等效的結構並不背離本發明的精神和範圍、並且在不背離本發明的精神和範圍的情況下、在此可以做出各種改變、取代和其他選擇。因此、本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定為準。
本申請基於2020年3月30日在日本提出申請的日本特願2020-060353號要求優先權。不言而喻，，其所有內容被導入至本申請。
本發明適用於包含具有壓電振動子、振盪器IC及發熱器IC的核心部的恆溫槽型壓電振盪器。
1、1A:恆溫槽型壓電振盪器（OCOX）
10:晶體振動片
11:振動部
12:外框部
13:保持部
14、15:連接用接合圖案
100:晶體振盪器
101:第一主面
102:第二主面
111:第一激勵電極
112:第二激勵電極
113:第一引出佈線
114:第二引出佈線
115、116:密封部
121:第一接合圖案
122:第二接合圖案
123、124:連接用接合圖案
161:第一貫穿孔
162:第二貫穿孔
2:封裝體
2a:凹部
2b:周壁部
2c:台階部
2d:底面
20:第一密封構件
22:電極圖案
24:第一接合圖案
27:佈線圖案
201:第一主面
202:第二主面
211:第三貫穿孔
212:第四貫穿孔
213:第五貫穿孔
261、262、263:連接用接合圖案
3:蓋體
30:第二密封構件
31:第二接合圖案
32:外部電極端子
33:第六貫穿孔
34:連接用接合圖案
301:第一主面
302:第二主面
4:中介構件
4a:頂面
4b:底面
4c:連接端子
5:核心部
5a:底面
5b:頂面
50:晶體振動子
51:振盪器IC
51a:金屬突起
52:發熱器IC
52a:金屬突起
53a～53c:晶片電容器
54、55:晶體基板
54a、55a:金屬佈線
56a、56b:薄膜發熱器
57:密封樹脂
6、7:導電性粘合劑
6a、6b:導線
8:密封材料
在以下附圖以及說明中闡述了本說明書中所描述之主題之一或多個實施例的細節。從說明、附圖和申請專利範圍，本說明書之主題的其他特徵、態樣與優點將顯得明瞭，其中：
圖1是表示本發明 之OCXO的概要結構的截面圖。
圖2是表示圖1的OCXO的核心部的概要結構的截面圖。
圖3是表示圖2的核心部的俯視圖。
圖4是示意性地表示圖2的核心部的晶體振盪器的各構成部分的概要結構圖。
圖5是圖4的晶體振盪器的第一密封構件的第一主面側的概要俯視圖。
圖6是圖4的晶體振盪器的第一密封構件的第二主面側的概要俯視圖。
圖7是圖4的晶體振盪器的晶體振動片的第一主面側的概要俯視圖。
圖8是圖4的晶體振盪器的晶體振動片的第二主面側的概要俯視圖。
圖9是圖4的晶體振盪器的第二密封構件的第一主面側的概要俯視圖。
圖10是圖4的晶體振盪器的第二密封構件的第二主面側的概要俯視圖。
圖11是表示變形例所涉及的OCXO的概要結構的截面圖。
圖12是表示圖11的OCXO的核心部及核心基板的概要結構的截面圖。
圖13是表示圖12的核心部及核心基板的俯視圖。
1:恆溫槽型壓電振盪器(OCOX)
2:封裝體
2a:凹部
2b:周壁部
2c:台階部
2d:底面
3:蓋體
4:中介構件
5:核心部
5a:底面
5b:頂面
6、7:導電性粘合劑
8:密封材料
Claims (5)
- 一種恆溫槽型壓電振盪器，其包含核心部，該核心部具有壓電振動子、振盪器IC、及發熱體，其中： 該核心部通過核心基板被支撐在封裝體中，並以密封狀態被封入該封裝體的內部。
- 如請求項1所述的恆溫槽型壓電振盪器，其中： 在該封裝體上形成有上方開口的凹部， 該核心部被該核心基板支撐為在該封裝體的內部懸空的狀態。
- 如請求項2所述的恆溫槽型壓電振盪器，其中： 在該封裝體的內部形成有對置的一對台階部， 該核心基板被配置為架設於該一對台階部之間，且 該核心部被容置於該一對台階部之間的空間內。
- 如請求項3所述的恆溫槽型壓電振盪器，其中： 該核心基板通過聚醯亞胺類的導電性粘合劑固定於該台階部。
- 如請求項1～4中任一項所述的恆溫槽型壓電振盪器，其中： 該壓電振動子包含第一密封構件、第二密封構件、及壓電振動板，該第一密封構件及該第二密封構件由玻璃或石英晶體構成，該壓電振動板具有由石英晶體構成且在兩個主面上形成有激勵電極的振動部，該第一密封構件與該第二密封構件隔著該壓電振動板層疊而接合，配置於內部的該壓電振動板的該振動部被氣密密封。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2020060353 | 2020-03-30 | ||
| JP2020-060353 | 2020-03-30 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW202141922A true TW202141922A (zh) | 2021-11-01 |
| TWI827915B TWI827915B (zh) | 2024-01-01 |
Family
ID=77928302
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW110108009A TWI827915B (zh) | 2020-03-30 | 2021-03-05 | 恆溫槽型壓電振盪器 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11929709B2 (zh) |
| JP (1) | JP7420225B2 (zh) |
| CN (1) | CN114223133A (zh) |
| TW (1) | TWI827915B (zh) |
| WO (1) | WO2021199790A1 (zh) |
Family Cites Families (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6501340B1 (en) * | 2002-02-11 | 2002-12-31 | Acr Electronics, Inc. | Oscillator with frequency stabilizing circuit and method of constructing same |
| KR100920398B1 (ko) | 2007-10-31 | 2009-10-07 | (주)파트론 | 항온조 수정 발진기 |
| JP2009302701A (ja) | 2008-06-11 | 2009-12-24 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 恒温型の水晶デバイス |
| JP2010183227A (ja) | 2009-02-04 | 2010-08-19 | Epson Toyocom Corp | 恒温型圧電発振器 |
| JP6376681B2 (ja) | 2013-10-04 | 2018-08-22 | 日本電波工業株式会社 | 表面実装型の圧電デバイス |
| JP2015080082A (ja) * | 2013-10-17 | 2015-04-23 | 京セラクリスタルデバイス株式会社 | 恒温槽付圧電発振器 |
| CN106416066B (zh) | 2013-12-20 | 2019-04-19 | 株式会社大真空 | 压电振动器件 |
| JP5888347B2 (ja) | 2014-01-21 | 2016-03-22 | 株式会社大真空 | 圧電振動デバイス |
| JP2015122607A (ja) * | 2013-12-24 | 2015-07-02 | セイコーエプソン株式会社 | 発振器、電子機器および移動体 |
| JP6448199B2 (ja) * | 2014-03-11 | 2019-01-09 | 日本電波工業株式会社 | 恒温槽付水晶発振器 |
| TW201635701A (zh) | 2015-03-27 | 2016-10-01 | Txc Corp | 採用內嵌式加熱裝置封裝之恆溫晶體振盪器 |
| JP6638311B2 (ja) * | 2015-10-19 | 2020-01-29 | セイコーエプソン株式会社 | 振動デバイス、振動デバイスの製造方法、発振器、電子機器、移動体および基地局 |
| WO2017068839A1 (ja) * | 2015-10-20 | 2017-04-27 | 株式会社村田製作所 | 圧電振動子及びその温度制御方法、並びに圧電発振器 |
| EP3379723A4 (en) | 2015-12-24 | 2019-08-07 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | PIEZOELECTRIC OSCILLATION DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME |
| JP2017130862A (ja) * | 2016-01-22 | 2017-07-27 | 株式会社大真空 | 圧電発振器 |
| US10536112B2 (en) * | 2017-05-18 | 2020-01-14 | Seiko Epson Corporation | Oscillator and electronic apparatus |
| JP2019012879A (ja) | 2017-06-29 | 2019-01-24 | セイコーエプソン株式会社 | 発振器、および電子機器 |
| JP2019121944A (ja) * | 2018-01-09 | 2019-07-22 | セイコーエプソン株式会社 | 振動デバイス、回路装置、振動デバイスの製造方法、電子機器及び移動体 |
| CN111727563B (zh) | 2018-03-13 | 2024-02-06 | 株式会社大真空 | 压电振动器件 |
| JP2019213111A (ja) * | 2018-06-07 | 2019-12-12 | セイコーエプソン株式会社 | 発振器、電子機器、および移動体 |
-
2021
- 2021-02-22 JP JP2022511657A patent/JP7420225B2/ja active Active
- 2021-02-22 CN CN202180004961.8A patent/CN114223133A/zh active Pending
- 2021-02-22 US US17/770,028 patent/US11929709B2/en active Active
- 2021-02-22 WO PCT/JP2021/006579 patent/WO2021199790A1/ja active Application Filing
- 2021-03-05 TW TW110108009A patent/TWI827915B/zh active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPWO2021199790A1 (zh) | 2021-10-07 |
| US11929709B2 (en) | 2024-03-12 |
| US20220393643A1 (en) | 2022-12-08 |
| CN114223133A (zh) | 2022-03-22 |
| TWI827915B (zh) | 2024-01-01 |
| WO2021199790A1 (ja) | 2021-10-07 |
| JP7420225B2 (ja) | 2024-01-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5070954B2 (ja) | 表面実装型圧電振動デバイス | |
| TW201108606A (en) | Oscillator device comprising a thermally-controlled piezoelectric resonator | |
| TWI804937B (zh) | 恒溫槽型壓電振盪器 | |
| JP6547825B2 (ja) | 圧電振動デバイス | |
| US11362641B2 (en) | Piezoelectric resonator device | |
| JP2010166346A (ja) | 恒温型圧電発振器 | |
| TWI792541B (zh) | 恆溫槽型壓電振盪器 | |
| TWI827915B (zh) | 恆溫槽型壓電振盪器 | |
| CN112751545B (zh) | 振动器件 | |
| TWI821840B (zh) | 壓電振動裝置 | |
| JP2021158586A (ja) | 圧電発振器 | |
| WO2023182062A1 (ja) | 恒温槽型圧電発振器 | |
| JP5468240B2 (ja) | 表面実装用とした温度補償水晶発振器 | |
| JP2022026266A (ja) | 発振器 | |
| TWI812028B (zh) | 恆溫槽型壓電振盪器 | |
| TWI804210B (zh) | 恆溫槽型壓電振盪器 | |
| JP2021158644A (ja) | 恒温槽型圧電発振器 | |
| JP7435132B2 (ja) | 圧電発振器 | |
| JP7435150B2 (ja) | 圧電発振器 | |
| JP2022057122A (ja) | ヒータ基板及び圧電発振器 | |
| TW202245406A (zh) | 恆溫槽型壓電振盪器 | |
| JP2022036479A (ja) | 発振器 | |
| JP2022030002A (ja) | 発振器 | |
| JP2023051073A (ja) | 恒温槽型圧電発振器 | |
| JP2010220041A (ja) | 圧電発振器 |