TW202128382A - 切斷方法、切斷裝置及積層體 - Google Patents

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Abstract

本發明之切斷方法係使用刀將至少積層有支持基材及樹脂層之樹脂基材中之樹脂層切斷；且刀係形成刀尖之2個面之中的一面為傾斜面之單面刀，形成刀尖之2個面所成之角度為30°～50°；且該切斷方法具有令刀尖沿著樹脂層之表面之法線方向進入至樹脂層，並將刀之傾斜面壓抵於樹脂層而實施切斷之步驟；且刀所切出之樹脂層之切斷面為斜面，斜面之與大氣相接之外側之外表面、與支持基材之表面所成之角度為鈍角。

Description

切斷方法、切斷裝置及積層體
本發明係關於一種切斷方法、切斷裝置及積層體。
當製造太陽電池；液晶面板(LCD)；有機EL(Electroluminescence，電致發光)面板(OLED)；感知電磁波、X射線、紫外線、可見光線、紅外線等之接收感測器面板等電子裝置時，使用聚醯亞胺樹脂層作為基板。聚醯亞胺樹脂層以設置於玻璃基板上之積層體之狀態使用，積層體供製造電子裝置。 如上所述，於將聚醯亞胺樹脂層設置於玻璃基板上之情形時，例如，聚醯亞胺樹脂層小於玻璃基板。於該情形時，例如，在聚醯亞胺樹脂層形成於整個支持基材之表面之後，對聚醯亞胺樹脂層實施切斷，將其加工為小於所貼合之玻璃基板。 作為切斷方法，如專利文獻1中所記載般，使用如下述般之片狀多層材料之沖切切斷方法：對積層有複數種物理特性值不同之材料之片狀多層材料，使用具有銳角刀之上刀、及上刀之支承構件之沖切切斷裝置，利用上刀對片狀多層材料進行沖切切斷，且該沖切切斷方法中，於支承構件設置有上刀之刀尖之退刀部。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2004-154913號公報
[發明所欲解決之問題]
對於實施切斷後之聚醯亞胺樹脂層之外周面，提出各種要求，例如，使外周面為斜面。然而，上述專利文獻1之切斷方法中，較難使實施切斷後之聚醯亞胺樹脂層之外周面為斜面。 本發明之目的在於消除上述之先前技術之問題點，提供一種獲得外周面由斜面所構成之積層體之切斷方法、切斷裝置、及外周面由斜面所構成之積層體。 [解決問題之技術手段]
為了達成上述之目的，本發明之第1態樣係提供一種切斷方法，該切斷方法係使用刀將至少積層有支持基材及樹脂層之樹脂基材中之樹脂層切斷；且刀係形成刀尖之2個面之中的一面為傾斜面之單面刀，形成刀尖之2個面所成之角度為30°～50°；該切斷方法具有令刀尖沿著樹脂層之表面之法線方向進入至樹脂層，並將刀之傾斜面壓抵於樹脂層而實施切斷之步驟；且刀所切出之樹脂層之切斷面為斜面，斜面之與大氣相接之外側之外表面、與支持基材之表面所成之角度為鈍角。 本發明之第2態樣係提供一種切斷方法，該切斷方法係使用刀將至少積層有支持基材及樹脂層之樹脂基材中之樹脂層切斷；且刀係形成刀尖之2個面分別為傾斜面之兩面刀，形成刀尖之2個面所成之角度為60°～90°；該切斷方法具有令刀尖沿著樹脂層之表面之法線方向進入至樹脂層，並將刀之傾斜面壓抵於樹脂層而實施切斷之步驟；且刀所切出之樹脂層之切斷面為斜面，斜面之與大氣相接之外側之外表面、與支持基材之表面所成之角度為鈍角。
切斷步驟較佳為如下述般之步驟：於刀之兩側配置具有彈性之按壓部，利用按壓部按壓著樹脂基材而實施切斷。 按壓部之由ASKER C硬度計所測得之硬度較佳為45以上。 較佳為對樹脂基材及刀之中之至少一者進行加熱而實施切斷。 切斷步驟中，較佳為使用2個刀，且2個刀以彼此之傾斜面對向之方式配置。 刀較佳為矩形之環狀、且傾斜面朝向環之內側。 樹脂基材較佳為具有積層於支持基材與樹脂層之間之接著層、及積層於樹脂層上之保護膜。樹脂層較佳為聚醯亞胺樹脂層。 樹脂層之斜面之與外表面相反側之內表面、與支持體之表面所成之角度較佳為50°～80°。
本發明之第3態樣係提供一種切斷裝置，該切斷裝置係使用刀將至少積層有支持基材及樹脂層之樹脂基材中之樹脂層切斷；且刀係形成刀尖之2個面之中的一面為傾斜面之單面刀，形成刀尖之2個面所成之角度為30°～50°；該切斷裝置具有令刀尖沿著樹脂層之表面之法線方向進入至樹脂層，並將刀之傾斜面壓抵於樹脂層而實施切斷之切斷部；且刀所切出之樹脂層之切斷面為斜面，斜面之與大氣相接之外側之外表面、與支持基材之表面所成之角度為鈍角。 本發明之第4態樣提供一種切斷裝置，該切斷裝置係使用刀將至少積層有支持基材及樹脂層之樹脂基材中之樹脂層切斷；且刀係形成刀尖之2個面分別為傾斜面之兩面刀，形成刀尖之2個面所成之角度為60°～90°；該切斷裝置具有令刀尖沿著樹脂層之表面之法線方向進入至樹脂層，並將刀之傾斜面壓抵於樹脂層而實施切斷之切斷部；且刀所切出之樹脂層之切斷面為斜面，斜面之與大氣相接之外側之外表面、與支持基材之表面所成之角度為鈍角。
較佳為具有配置於刀之兩側之具有彈性之按壓部，且切斷部係利用按壓部按壓著樹脂基材而實施切斷。 按壓部之由ASKER C硬度計所測得之硬度較佳為45以上。 較佳為具有對樹脂基材及刀之中之至少一者進行加熱之加熱部。 切斷部較佳為具有2個刀，且2個刀以彼此之刀尖之傾斜面對向之方式配置。 刀較佳為矩形之環狀、且刀尖之傾斜面朝向環之內側。 樹脂基材較佳為具有積層於支持基材與樹脂層之間之接著層、及積層於樹脂層上之保護膜。樹脂層較佳為聚醯亞胺樹脂層。 樹脂層之斜面之與外表面相反側之內表面、與支持體之表面所成之角度較佳為50°～80°。
本發明之第3態樣係提供一種積層體，該積層體至少具有支持體、及積層於支持體上之樹脂層，且樹脂層為矩形，所有側面由斜面所構成；且斜面之與大氣相接之外側之外表面、與支持體之表面所成之角度為鈍角；側面上，沿著邊之每100 mm長度中之起伏幅度為100 μm以下。 樹脂層之斜面之與外表面相反側之內表面、與支持體之表面所成之角度較佳為50°～80°。 較佳為具有積層於支持體與樹脂層之間之接著層、及積層於樹脂層上之保護層。樹脂層較佳為聚醯亞胺樹脂層。 [發明之效果]
根據本發明，可提供一種獲得外周面由斜面所構成之積層體之切斷方法、切斷裝置、及外周面由斜面所構成之積層體。
以下，基於隨附圖式中所示之較好之實施方式，對本發明之切斷方法、切斷裝置及積層體詳細地進行說明。 再者，以下所說明之圖係用於對本發明進行說明之例示性圖，本發明並不受以下所示之圖限定。 再者，以下，表示數值範圍之「～」包括兩側所記載之數值。例如，ε1 為數值α1 ～數值β1 係指ε1 之範圍包括數值α1 與數值β1 ，若用數學記號表示，則為：α1 ≦ε1 ≦β1 。 關於「由具體的數值所表示之角度」、「平行」、「垂直」及「正交」等角度，只要無特別記載，則包含該技術領域中一般而言所容許之誤差範圍。
＜切斷裝置＞ 圖1係表示本發明之實施方式之切斷裝置之一例的模式圖。 圖1所示之切斷裝置10係加壓型裝置，其中第1台12、與第2台14對向地配置。第1台12與第2台14藉由滾珠螺桿15結合。於滾珠螺桿15之第1台12側之端部設置有驅動部16，藉由驅動部16使滾珠螺桿15旋轉從而可改變第1台12與第2台14之間之距離。藉此，可令後述之刀30進入至作為切斷對象之樹脂基材20中而實施切斷。 只要可改變第1台12與第2台14之間之距離，則並不限定於滾珠螺桿15，可適當利用垂直移動機構等。又，關於驅動部16，只要可使滾珠螺桿15旋轉，則並無特別限定，例如使用馬達。
於第1台12上例如載置有加熱台17。於加熱台17上配置有作為切斷對象之樹脂基材20。加熱台17構成加熱部。加熱台17係當實施切斷時，用於對樹脂基材20進行加熱而使樹脂基材20保持在高於25℃(室溫)之特定溫度者，例如使用加熱器。較佳為，於加熱台17上具有反饋控制部，以使樹脂基材20之溫度保持在固定範圍內。又，加熱台17較佳為可於第1台12上進行面內旋轉。 由於當實施切斷時，未必需要對樹脂基材20進行加熱，故亦可為不具有加熱台17之構成。於該情形時，只要係載置有樹脂基材20且可於第1台12上進行面內旋轉之台即可。於具有加熱台17之情形時，加熱台17作為切斷台。於不具有加熱台17之情形時，第1台12作為切斷台。當實施切斷時，亦可於樹脂基材20之支持基材22、與切斷台之間設置墊層。墊層例如可使用：聚對苯二甲酸乙二酯膜(PET膜)、聚丙烯膜(PP膜)、聚四氟乙烯膜(PTFE膜)。
樹脂基材20係至少積層有支持基材22、及樹脂層24者，且於支持基材22之表面22a上積層有樹脂層24。切斷裝置10切斷樹脂基材20之樹脂層24而獲得後述之積層體。 於第2台14上設置有刀組18。於刀組18上設置有切斷部19。
[切斷部之第1例] 切斷部19具有2個刀30，2個刀30具有與作為切斷對象之樹脂基材20之樹脂層24之大小對應的長度。2個刀30以彼此之刀尖30a之傾斜面30c對向之方式配置。例如，藉由驅動部16使滾珠螺桿15旋轉而令第2台14靠近第1台12，並令2個刀30之刀尖30a沿著樹脂層24之表面24a之法線方向進入，將各刀30之各傾斜面30c壓抵於樹脂層24而對樹脂層24實施切斷。再者，關於刀30，將於後詳細地進行說明。
圖2係放大表示本發明之實施方式之切斷裝置之切斷部之第1例的模式性剖視圖。圖2中示出刀30進入至樹脂層24中之狀態。再者，於圖2中，刀30之底面30b側之樹脂層24係將被去除之外緣部24d，刀30之傾斜面30c側之樹脂層24係於其後構成積層體之部分24c。 如圖2所示，切斷部19例如具有刀30，刀30設置於刀組18上。 於刀30之刀組18側之基部30d設置有加熱部32。於加熱部32上設置有固定部33，於該固定部33上設置有按壓部34。於刀30之兩側配置有按壓部34。 固定部33例如積層有接著構件33a、彈性構件33b及接著構件33a之結構體。按壓部34藉由接著構件33a固定於加熱部32上。再者，接著構件33a構成為即便於加熱部32之加熱溫度下亦可維持接著力。
加熱部32係當實施切斷時，用於對刀30進行加熱而使刀30保持在高於25℃(室溫)之特定溫度者，例如使用加熱器。較佳為，加熱部32具有反饋控制部，以使使刀30之溫度保持在固定範圍內。藉由加熱部32所實現之刀30之溫度較佳為55℃～65℃。 由於當實施切斷時，未必需要對刀30進行加熱，故亦可為不具有加熱部32之構成。 最佳為具有加熱台17及加熱部32之兩者，較佳為具有加熱台17及加熱部32之至少一者，亦可為不具有加熱台17及加熱部32之兩者之構成。於設置有加熱台17及加熱部32之中之至少一者之情形時，加熱台17中，由於存在對整個切斷裝置10產生熱之影響之可能性，故較佳為設置加熱部32。
按壓部34具有彈性，當使用刀30實施切斷時，被壓縮而收縮。切斷部19利用按壓部34按壓著樹脂基材20而實施切斷。因此，按壓部34較佳為在與刀30接觸之前先與樹脂基材20接觸，且按壓部34較佳為高於刀30。又，為了提高按壓部34對樹脂基材20之按壓效果，按壓部34較佳為與刀30無間隙地設置。再者，按壓部34例如含有天然橡膠或合成橡膠。 按壓部34之由ASKER C硬度計所測得之硬度較佳為45以上。只要按壓部34之由ASKER C硬度計所測得之硬度為45以上，則會減小因切斷所形成之斜面之角度偏差。藉此，提高切斷之重複精度，使得品質穩定性變得優異。按壓部34之硬度較佳為45以上，按壓部34之硬度更佳為50～60。 又，未必需要按壓部34，亦可為不具有按壓部34之構成。
刀30係由2個面構成刀尖30a、且其中一面為傾斜面30c之單面刀。於單面刀之情形時，形成刀尖30a之2個面之中，如上所述，一面為傾斜面30c。另一面構成刀30之底面30b。底面30b係在實施切斷時通過刀尖30a之前端30e、且與支持基材22之表面22a垂直的面P。 刀30中，形成刀尖30a之2個面所成之角度為30°～50°。將形成刀尖30a之2個面所成之角度稱為刀尖角度。於圖2所示之刀30之情形時，刀尖角度係刀尖30a之傾斜面30c與底面30b所成之角α之角度，為30°～50°。 再者，傾斜面30c由1個平面所構成，但並不限定於此，亦可由複數個平面所構成。
形成刀尖30a之2個面所成之角度只要為30°～50°，則當對樹脂層24實施切斷時，可使樹脂層24之部分24c(參照圖4(b))之側面24b(參照圖4(b))形成為斜面26，且斜面26中，可使該斜面26之與大氣相接之外側之外表面26a、與支持基材22之表面22a所成之角γ(參照圖4(b))之角度為鈍角。例如，樹脂層24之斜面26之傾斜角θ(參照圖4(b))之角度較佳為50°～80°，更佳為60°～70°。所謂斜面26之傾斜角θ，係指斜面26之與外表面26a(參照圖4(b))相反側之內表面26b(參照圖4(b))、與支持基材22之表面22a所成之角。 角α之角度係使用顯微鏡獲得刀30之側視圖像或剖視圖像。於刀30之側視圖像或剖視圖像中，特定出刀30之傾斜面30c與底面30b，從而特定出角α。求出該角α之角度。 角γ及傾斜角θ之角度係使用顯微鏡獲得樹脂基材20之切斷部之側視圖像或剖視圖像。於樹脂基材20之切斷部之側視圖像或剖視圖像中，特定出斜面26之與大氣相接之外側之外表面26a、與外表面26a相反側之內表面26b、及支持基材22之表面22a，從而特定出角γ及傾斜角θ。求出所特定出之角γ及傾斜角θ之角度。又，刀30例如含有超硬合金。刀30之厚度例如為1 mm，作為刀30之厚度，較佳為0.5～1 mm。
被刀組18與切斷部19所包圍之區域18a在實施切斷時因樹脂層24而被封閉，此時，可將區域18a內成為負壓，亦可對區域18a內進行抽氣。藉此，可穩定地切斷樹脂層24。 如上所述，當實施切斷時，亦可如上所述般將區域18a內成為負壓，但當將刀30自樹脂層24抽出時，較佳為將區域18a內成為零差壓或正壓。若於區域18a內為負壓之狀態下將刀30自樹脂層24抽出，則樹脂層24會被刀組18吸住而使得樹脂層24之切斷面相互摩擦，從而導致剖面品質變差。 又，亦可將與刀30之傾斜面30c相鄰之按壓部34、即內側之按壓部34高於外側之按壓部34。藉此，於實施切斷後，可留下樹脂層24中構成積層體之部分24c，而僅良好地去除外緣部24d(參照圖2)，從而於積層體中所使用之樹脂層24之部分24c中穩定地獲得良好之斜面。
＜切斷方法＞ 上述之樹脂基材20例如藉由上述圖1所示之切斷裝置10實施切斷。 切斷裝置10中，具有如下述般之步驟：令刀尖30a沿著樹脂層24之表面24a之法線方向進入至樹脂層24，並將刀30之傾斜面30c壓抵於樹脂層24而實施切斷。刀30所切出之樹脂層24之切斷面為斜面。樹脂層24之切斷面為側面24b。 此處，圖3(a)及(b)係表示本發明之實施方式之切斷方法之第1例的模式性俯視圖。圖4(a)係表示本發明之實施方式之樹脂基材之切斷部的模式性剖視圖，(b)係放大表示本發明之實施方式之樹脂基材之切斷部的模式性剖視圖。
圖1所示之切斷裝置10由於係具有2個刀30之構成，故在1次切斷步驟中，如圖3(a)所示，切斷樹脂層24中對向之2邊，形成對向之平行的2個切斷線25a。 由於刀30為2個，故1次切斷步驟中無法切斷4邊，需要改變樹脂基材20之朝向而實施第2次切斷。例如，使加熱台17旋轉90°之後，與第1次切斷步驟同樣地實施切斷。藉此，如圖3(b)所示，形成對向之平行的2個切斷線25b。藉由2次切斷步驟，以樹脂層24之側面成為斜面之方式實施切斷。藉此，樹脂層24分離為被去除之外緣部24d、及其後構成積層體之部分24c。 若以2個切斷線25a、及2個切斷線25b為界剝離樹脂層24之外緣部24d，則如圖4(a)所示，樹脂層24中，獲得切斷面為斜面26之構成積層體之部分24c。進而，當將樹脂層24自支持基材22剝離之後，亦可將樹脂層24貼附於另一基材上。例如，當將圖4(a)所示之樹脂層24自支持基材22剝離之後，例如，藉由將其貼附於玻璃製之支持體42上，從而可獲得後述之圖5及圖6(a)所示之積層體40。積層體40(參照圖6(a))至少具有支持體42(參照圖6(a))、及積層於支持體42上之樹脂層24。其次，對積層體40(參照圖6(a))具體地進行說明。
＜積層體之第1例＞ 圖5係表示本發明之實施方式之積層體之第1例的模式性俯視圖。圖6(a)係表示本發明之實施方式之積層體之第1例的模式性剖視圖，(b)係放大表示本發明之實施方式之積層體之側面的模式性剖視圖。 圖6(a)所示之第1例之積層體40積層有玻璃製之支持體42、樹脂層24、及保護層44。例如，保護層44配置為覆蓋支持體42上之樹脂層24。 積層體40之樹脂層24係上述圖3(b)所示之外緣部24d被去除後之部分24c，且外形形成為矩形，且小於支持體42之表面42a。 樹脂層24之所有側面24b由斜面26所構成。如圖6(b)所示，斜面26之與大氣相接之外側之外表面26a、與支持體42之表面42a所成之角γ之角度為鈍角。 又，樹脂層24之斜面26之與外表面26a相反側之內表面26b、與支持體42之表面42a所成之角、即樹脂層24之斜面26之傾斜角θ之角度較佳為50°～80°，更佳為60°～70°。再者，如上所述般求出角γ及傾斜角θ之角度。
如圖6(a)所示，於保護層44與樹脂層24之間設置有密接層46。密接層46與樹脂層24及支持體42之表面42a之中之外緣部42c相接。保護層44藉由密接層46貼合於樹脂層24上。保護層44係當利用樹脂層24時被剝離。於保護層44與樹脂層24之間設置有密接層46，但並不限定於此，亦可於不設置密接層46之情況下將保護層44貼合於樹脂層24上。
保護層44係保護支持體42及樹脂層24者，尤其保護樹脂層24上不會產生因承受來自外部之力所造成之凹痕、及擦痕等。 第1例之積層體40中，於支持體42之表面42a上直接設置有樹脂層24。再者，於支持體42之表面42a上，有時為了接著樹脂層24而設置有矽烷偶合劑，於該情形時，亦可於支持體42之表面42a上直接設置有樹脂層24。
圖5所示之積層體40之樹脂層24之側面24b中，沿著邊之每100 mm長度中之起伏幅度δ(參照圖7(a))為100 μm以下。於起伏幅度超過100 μm之情形時、即於切斷膜之尺寸與直角度精度較低之情形時，當將膜貼合於玻璃時，膜與玻璃之位置關係(精度)變差，有每個製品間存在位置精度之偏差之虞。因此，會帶來以後之圖案化或裝置安裝之位置偏移，存在使得最終製品之性能下降之虞。起伏幅度較佳為100 μm以下。 圖4(a)所示之樹脂層24之側面24b係積層體40之樹脂層24之側面24b。 此處，圖7(a)係表示本發明之實施方式之積層體之外周面的模式圖，圖7(b)係表示起伏幅度之測定方法的模式性立體圖。 如圖7(a)所示，起伏幅度δ係在切斷樹脂層24之後，使用二維測定機，自樹脂層24之表面24a側對樹脂基材20之斜面26進行測定。沿著側面24b之邊，將測定距離L設為100 mm，並將測定距離L之兩端設為零點，從而設定基準線BL。將於與基準線BL正交之方向上之最大值之差作為上述起伏幅度δ。 關於測定距離L，如圖7(b)所示，對於長度為100 mm以上之樹脂層24之側面24b，將配置於樹脂層24上之相機D自任意之位置沿著樹脂層24之側面24b移動作為測定距離L之100 mm。獲得對應於測定距離L之側面24b之圖像資料。如上所述般對測定距離L(100 mm)間之起伏幅度進行測定。
[切斷部之第2例、第3例] 圖8係放大表示本發明之實施方式之切斷裝置之切斷部之第2例的模式性剖視圖，圖9係表示本發明之實施方式之切斷裝置之切斷部之第3例的模式性立體圖。於圖8及圖9中，對於與圖1所示之切斷裝置10及圖2所示之切斷部19相同之構成物，附上相同符號，並省略其詳細之說明。圖8中示出刀30進入至樹脂層24中之狀態。 圖8所示之切斷部19之構成不同於圖2所示之切斷部19，其刀30為兩面刀，除此以外之構成與圖2所示之切斷部19相同。再者，於圖8中，刀30之傾斜面30f側之樹脂層24係將被去除之外緣部24d，刀30之傾斜面30c側之樹脂層24係構成積層體之部分24c。
於刀30為兩面刀之情形時，形成刀尖30a之2個面分別為傾斜面30c、30f。將刀30之傾斜面30c、30f壓抵於樹脂層24而切斷樹脂層24。形成刀尖30a之2個傾斜面30c、30f所成之角度、即角β之角度為60°～90°。角β之角度只要為60°～90°，則當對樹脂層24實施切斷時，可使樹脂層24之側面24b形成為斜面26，且斜面26中，可使該斜面26之與大氣相接之外側之外表面26a、與支持基材22之表面22a所成之角γ之角度為鈍角。如上所述，例如，樹脂層24之斜面26之傾斜角θ之角度較佳為50°～80°。斜面26之傾斜角θ如上所述。 於刀30為兩面刀之情形時，2個刀30以彼此之刀尖30a之傾斜面30c對向之方式配置。 圖8所示之刀30中，將傾斜面30c、與通過刀尖30a之前端30e且與支持基材22之表面22a垂直的面P所成之角設為角Q。上述垂直的面P將角β分為2等分，且角Q為角β之一半。面P與傾斜面30c、及傾斜面30f所成之角度相同。於刀30為兩面刀之情形時，上述傾斜面30c之角Q較佳為30°～45°。 圖8所示之刀30相對於上述垂直的面P而言呈對稱，但並不限定於此，面P與傾斜面30c、及傾斜面30f所成之角度亦可不同。於該情形時，相對於上述垂直的面P而言呈非對稱。
於圖9中，為了顯示刀50之形狀，僅示出樹脂基材20與刀50。圖9所示之刀50為矩形之環狀，且刀尖50a之斜面50c朝向環之內側。藉由該構成，對樹脂層24可藉由1次切斷步驟，使其側面為斜面。再者，環狀之刀50之大小係根據欲形成之積層體之大小適當進行決定。 環狀之刀50可為單面刀，亦可為兩面刀。於刀50為單面刀之情形時，刀尖50a之刀尖角度較佳為30°～50°。於刀50為兩面刀之情形時，刀尖50a之刀尖角度較佳為30°～45°。 只要圖9所示之刀50為環狀，則並無特別限定，例如，可由超硬刀所形成。
＜積層體之第2例＞ 其次，對積層體之第2例進行說明。 圖10係表示樹脂基材之第2例的模式性剖視圖。圖11係表示本發明之實施方式之積層體之第2例的模式性剖視圖。於圖10中，對於與圖1所示之樹脂基材20相同之構成物，附上相同符號，並省略其詳細之說明。於圖11中，對於與圖6(a)及圖6(b)所示之積層體40相同之構成物，附上相同符號，並省略其詳細之說明。 作為切斷對象之樹脂基材20並不限定於圖2所示之構成，例如，如圖10所示之樹脂基材21般，亦可為具有積層於支持基材22及樹脂層24之間之接著層23、及積層於樹脂層24上之保護膜28之構成。保護膜28係在實施切斷時保護樹脂層24者。接著層23例如為矽酮樹脂層。
藉由使用上述切斷裝置10對圖10所示之樹脂基材21實施切斷，從而可於樹脂層24被保護膜28保護之狀態下實施切斷。於實施切斷後，將支持基材22與接著層23剝離，例如，將樹脂層24經由接著層23貼合於玻璃製之支持體42上。此時，較佳為具有保護膜28。於進行貼合後，剝離保護膜28，將保護層44經由密接層46貼合於樹脂層24上。藉此，可獲得圖11所示之積層體40。 再者，對樹脂層24實施切斷時之保護膜28、與積層體40之保護層44可使用相同之材料，亦可使用不同之材料。
以下，對構成樹脂基材20、21之支持基材22；接著層23；樹脂層24；構成積層體40之支持體42及保護層44進行詳細說明。
[樹脂基材] ＜支持基材＞ 支持基材22係對樹脂層24實施切斷時對其進行支持者。又，支持基材22係當對樹脂層24實施切斷時使加熱台17等不會產生擦痕者。例如，包含：聚對苯二甲酸乙二酯膜(PET膜)、聚丙烯膜(PP膜)、聚四氟乙烯膜(PTFE膜)等。
＜樹脂層＞ 樹脂層24係供形成電子裝置等者，例如，包含：聚醯亞胺樹脂、聚碳酸酯樹脂、或聚萘二甲酸乙二酯樹脂。其中，樹脂層24較佳為包含聚醯亞胺樹脂之聚醯亞胺樹脂層。聚醯亞胺樹脂層例如使用聚醯亞胺膜。作為聚醯亞胺膜之市售品之具體例，可例舉：東洋紡股份有限公司製造之「XENOMAX」、宇部興產股份有限公司製造之「UPILEX 25S」。 於樹脂層24上形成電子裝置。為了形成構成電子裝置之高精細的配線等，樹脂層24之表面24a較佳為較平滑。具體而言，樹脂層24之表面24a之表面粗糙度Ra較佳為50 nm以下，更佳為30 nm以下，進而較佳為10 nm以下。作為表面粗糙度Ra之下限，可例舉0.01 nm以上。 當於樹脂層24上形成電子裝置時，由於樹脂層24之所有側面由斜面所構成，故可抑制為了與電子裝置導通而形成於側面之配線之斷線等。 樹脂層24之厚度就於製造步驟中之處理性之方面而言，較佳為1 μm以上，更佳為5 μm以上，進而較佳為10 μm以上。就柔軟性之方面而言，樹脂層24之厚度較佳為1 mm以下，更佳為0.2 mm以下。 樹脂層24之熱膨脹係數與支持體42之熱膨脹係數之差越小則越可抑制加熱後或冷卻後之翹曲，故該差較佳為較小。具體而言，樹脂層24與支持體42之熱膨脹係數之差較佳為0～90×10-6 /℃，更佳為0～30×10-6 /℃。
樹脂層24之面積(表面24a之面積)並無特別限制，為了配置保護層44，較佳為小於支持體42。另一方面，樹脂層24之面積就電子裝置之生產性之方面而言，較佳為300 cm2 以上。 樹脂層24之形狀並無特別限制，可為矩形，亦可為圓形。亦可於樹脂層24上形成參考面(形成於基板之外周之平坦部分)、及凹口(形成於基板之外周緣之至少1個V型缺口)。
＜接著層＞ 接著層例如包含矽酮樹脂層。矽酮樹脂層係主要包含矽酮樹脂者。矽酮樹脂之結構並無特別限制。通常而言，矽酮樹脂係藉由使可經硬化處理成為矽酮樹脂之硬化性矽酮硬化(交聯硬化)而獲得。 作為硬化性矽酮之具體例，根據其硬化機構之不同，可例舉：縮合反應型矽酮、加成反應型矽酮、紫外線硬化型矽酮、電子束硬化型矽酮。硬化性矽酮之重量平均分子量較佳為5,000～60,000，更佳為5,000～30,000。
作為矽酮樹脂層之製造方法，較佳為如下述般之方法：於樹脂層24之表面24a塗佈會成為上述矽酮樹脂之包含硬化性矽酮之硬化性組合物，視需要去除溶劑而形成塗膜，並使塗膜中之硬化性矽酮硬化，從而形成矽酮樹脂層。 硬化性組合物除了硬化性矽酮以外，亦可包含：溶劑、鉑觸媒(於使用加成反應型矽酮作為硬化性矽酮之情形時)、調平劑、及金屬化合物等。作為金屬化合物中所含有之金屬元素之具體例，可例舉：3d過渡金屬、4d過渡金屬、鑭系金屬、鉍、鋁、及錫。可適當調整金屬化合物之含量。
矽酮樹脂層之厚度較佳為100 μm以下，更佳為50 μm以下，進而較佳為30 μm以下。另一方面，矽酮樹脂層之厚度較佳為超過1 μm，更佳為4 μm以上。上述厚度係使用接觸式膜厚測定裝置測定5點以上之任意位置處之矽酮樹脂層之厚度，並算出其等之算術平均。
＜保護膜＞ 保護膜28係當對樹脂層24實施切斷時對其進行保護者。關於當對樹脂層24實施切斷時對其進行保護之保護膜，可為與後述之保護層44同樣之材質或層構成。保護膜28在樹脂層24貼合於支持體42之後被剝離，例如，積層有圖6(a)所示之密接層46。密接層46亦可與後述之保護層44一體化。
[積層體] ＜支持體＞ 支持體42例如包含玻璃板。 作為玻璃之種類，較佳為：無鹼硼矽酸玻璃、硼矽酸玻璃、鈉鈣玻璃、高二氧化矽玻璃、其他以二氧化矽作為主要成分之氧化物系玻璃。作為氧化物系玻璃，較佳為根據氧化物換算所求出之二氧化矽之含量為40～90質量%之玻璃。 作為玻璃板，更加具體而言，可例舉：包含無鹼硼矽酸玻璃之玻璃板(AGC股份有限公司製造之商品名「AN100」)。 作為玻璃板之製造方法，通常而言，可例舉如下述般之方法：使玻璃原料熔融，並將熔融玻璃成形為板狀。此種成形方法可為一般方法，例如可例舉：浮式法、熔融法、流孔下引法。
支持體42之厚度可厚於樹脂層24，亦可薄於樹脂層24。就積層體40之操作性之方面而言，支持體42之厚度較佳為厚於樹脂層24。 支持體42就要求具有作為補強板及搬送基板之功能而言，較佳為非軟性。因此，支持體42之厚度較佳為0.3 mm以上，更佳為0.5 mm以上。另一方面，支持體42之厚度較佳為1.0 mm以下。
＜保護層＞ 為了減少承受來自外部之力所造成之影響，保護層44之厚度較佳為20 μm以上，更佳為30 μm以上，進而較佳為50 μm以上。作為保護層44之厚度之上限值，較佳為500 μm以下，更佳為300 μm以下，進而較佳為100 μm以下。 所謂保護層44之厚度，係指保護層44與密接層46之合計厚度。作為保護層44之厚度之上限，由於若過厚，則存在當剝離保護層44時需要過大之力之情形，故較佳為500 μm以下。 保護層44之厚度係使用接觸式膜厚測定裝置測定5點以上之任意位置處之厚度，並算出其等之算術平均。 作為構成保護層44之材料，例如較佳為包含：聚酯樹脂(例如，聚對苯二甲酸乙二酯(PET))、聚烯烴樹脂(例如，聚乙烯(PE)、及聚丙烯等)、聚胺酯樹脂等樹脂。其中，作為構成保護層44之樹脂，較佳為聚烯烴，更佳為聚乙烯或聚丙烯。 保護層44在貼合於樹脂層24上時，例如，如圖6(a)所示般積層有密接層46，亦可於保護層44與樹脂層24之間設置密接層46。保護層44亦可與密接層46一體化。
密接層46並無特別限定，可使用公知之黏著層。作為構成黏著層之黏著劑之具體例，可例舉：(甲基)丙烯酸系黏著劑、矽酮系黏著劑、胺基甲酸酯系黏著劑。 又，密接層46亦可由樹脂構成，作為樹脂之具體例，可例舉：乙酸乙烯酯樹脂、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物樹脂、氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚合樹脂、(甲基)丙烯酸樹脂、丁醛樹脂、聚胺酯樹脂、聚苯乙烯彈性體。 再者，(甲基)丙烯酸之概念中包含丙烯酸及甲基丙烯酸。
＜積層體之用途之例＞ 本發明之積層體可使用於各種用途，例如可例舉：製造顯示裝置用面板、光伏(PV，Photovoltaic)、薄膜二次電池、於表面形成有電路之半導體零件等中之安裝或暫時固定用途。 此處，所謂顯示裝置用面板，包括：LCD、OLED、電子紙、電漿顯示器面板、場發射面板、量子點LED(Light Emitting Diode，發光二極體)面板、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems，微機電系統)快門面板等。 [實施例]
以下，根據實施例等對本發明具體地進行說明，但本發明並不受該等例任何限制。後述之例1～5為實施例。
＜評價＞ (傾斜面之品質) 傾斜面之品質評價中，於各例中，對於經切斷之樹脂基材，使用顯微鏡，於每1邊之3部位處測定傾斜角之角度。 傾斜角之角度係使用顯微鏡，獲得積層體之側視圖像，並於樹脂基材之側視圖像中，特定出斜面之相反於與大氣相接之外側之內表面、與支持體之表面，從而特定出傾斜角。求出所特定出之傾斜角之角度。 若傾斜角之角度之偏差為1°以內，則評價為「A」，如超過1°且未達3°，則評價為「B」，若為3°以上，則評價為「C」。將傾斜面之品質之評價結果示於下述表1。
＜例1＞ 例1中，使用於支持基材上依序積層有接著層、及樹脂層之樹脂基材，使用形成刀尖之2個面所成之角度(刀尖之角度)為40°之單面刀，對該樹脂基材實施切斷。刀使用超硬合金之刀，刀之厚度為1 mm。按壓部使用由ASKER C硬度計所測得之硬度為35者。 將對樹脂基材進行說明。 (硬化性矽酮之製備) 向1 L之燒瓶中加入三乙氧基甲基矽烷(179 g)、甲苯(300 g)、及乙酸(5 g)，將混合物於25℃下攪拌20分鐘之後，進而，加熱至60℃使其反應12小時。將所獲得之反應粗液冷卻至25℃之後，使用水(300 g)對反應粗液進行3次洗淨。 於經洗淨之反應粗液中加入氯化三甲基矽烷(70 g)，將混合物於25℃下攪拌20分鐘之後，進而，加熱至50℃使其反應12小時。將所獲得之反應粗液冷卻至25℃之後，使用水(300 g)對反應粗液進行3次洗淨。 自經洗淨之反應粗液中減壓並蒸餾去除甲苯，使其成為漿料狀態之後，利用真空乾燥機使其整夜乾燥，藉此獲得作為白色有機聚矽氧烷化合物之硬化性矽酮1。硬化性矽酮1中，T單元之個數：M單元之個數＝87：13(莫耳比)。 再者，M單元表示(R)3 SiO1/2 所示之1官能有機矽烷氧基單元。T單元表示RSiO3/2 (R表示氫原子或有機基)所示之3官能有機矽烷氧基單元。
(硬化性組合物之製備) 將硬化性矽酮1與作為溶劑之己烷混合，進而添加2-乙基己酸鉍(III)。溶劑量係以固形物成分濃度成為50質量%之方式進行調整。又，金屬化合物之添加量係以金屬元素相對於樹脂100質量份而言成為0.01質量份之方式進行調整。藉由使用孔徑0.45 μm之過濾器對所獲得之混合液進行過濾，從而獲得硬化性組合物。
(樹脂基材之製作) 將所製成之硬化性組合物塗佈於厚度0.015 mm之聚醯亞胺膜(東洋紡股份有限公司製造之商品名「XENOMAX」)上，使用加熱板於140℃下加熱10分鐘，藉此形成矽酮樹脂層作為接著層。矽酮樹脂層之厚度為10 μm。繼而，將PET膜設置於矽酮樹脂層上。 接著，實施鼓風而自聚醯亞胺膜之表面去除細小之灰塵之後，將保護膜貼合於聚醯亞胺膜側，從而獲得樹脂基材。所使用之保護膜係PET膜。
＜例2＞ 使按壓部之由ASKER C硬度計所測得之硬度為40，除此以外，與例1同樣地對樹脂基材實施切斷。 ＜例3＞ 使按壓部之由ASKER C硬度計所測得之硬度為50，除此以外，與例1同樣地對樹脂基材實施切斷。 ＜例4＞ 使按壓部之由ASKER C硬度計所測得之硬度為60，除此以外，與例1同樣地對樹脂基材實施切斷。 ＜例5＞ 使用不具有按壓部之構成，除此以外，與例1同樣地對樹脂基材實施切斷。 例5中，由於不具有按壓部，故表1之按壓部之硬度之欄記為「-」。
[表1]
   例1 例2 例3 例4 例5
按壓部之硬度 35 40 50 60 -
傾斜角 62°～66° 63°～65° 62.5°～65° 62.5°～64.5° 43°～81°
傾斜面之品質 C B A A C
如表1所示般，藉由設置按壓部，從而可使傾斜角之角度為50°～80°之範圍內。若按壓部之硬度較高，則傾斜角之角度之偏差變少，且重複精度、即品質穩定性變得優異。 於例1～5中，對樹脂基材實施切斷後，將樹脂層自支持基材剝離並貼附於玻璃板上，從而獲得積層體。積層體中，對樹脂層端部5 mm以內之範圍進行觀察，發現樹脂層與玻璃板之界面中之空隙(氣泡)為3個以內。又，利用顯微鏡對積層體之側面進行觀察，結果沿著邊之每100 mm長度中之起伏幅度為100 μm以下。
後述之例10～13為實施例，對樹脂基材之切斷進行評價。
＜評價＞ (切斷) 切斷評價中，於各例中，對於經切斷之樹脂基材，確認樹脂層與支持基材之界面中是否未發生剝離。作為切斷方法，於樹脂基材與加熱台之間設置作為墊層之PET膜，令刀沿樹脂基材之表面之法線方向進入而對樹脂層實施切斷。 對樹脂基材實施5次切斷，將5次之中均未發生界面剝離者評價為「a」，將5次之中發生1～3次界面剝離者評價為「b」，將5次之中發生4次界面剝離者評價為「c」，將5次之中全部發生界面剝離者評價為「d」。
＜例10＞ 使按壓部之由ASKER C硬度計所測得之硬度為60，使刀之溫度為25℃(常溫)，並使樹脂基材之溫度為25℃(常溫)，除此以外，與例1同樣地，對與例1相同之樹脂基材實施5次切斷。 ＜例11＞ 對樹脂基材進行加熱，使溫度為60℃，除此以外，與例10同樣地對樹脂基材實施切斷。 ＜例12＞ 對刀進行加熱，使溫度為60℃，除此以外，與例10同樣地對樹脂基材實施切斷。 ＜例13＞ 對刀進行加熱，使溫度為60℃，並對樹脂基材進行加熱，使溫度為60℃，除此以外，與例10同樣地對樹脂基材實施切斷。
[表2]
   例10 例11 例12 例13
按壓部之硬度 60 60 60 60
刀 未實施加熱 未實施加熱 實施加熱 實施加熱
積層材 未實施加熱 實施加熱 未實施加熱 實施加熱
傾斜角 63° 64° 64° 63°
傾斜面之品質 c b b a
儘管未對刀及樹脂基材進行加熱，亦可使傾斜角之角度為50°～80°之範圍內。但是，藉由對刀及樹脂基材之中之至少一者進行加熱而實施切斷，可抑制界面剝離之發生，從而可防止微粒侵入至切斷界面，藉此可獲得清潔性優異者。 於例10～13中，對樹脂基材實施切斷後，將樹脂層自支持基材剝離並貼附於玻璃板上，從而獲得積層體。積層體中，對樹脂層端部5 mm以內之範圍進行觀察，發現樹脂層與玻璃板之界面中之空隙(氣泡)為3個以內。又，使用二維測定機，自積層體之樹脂層之表面側對斜面進行測定，發現，側面中，沿著邊之每100 mm長度中之起伏幅度為100 μm以下。 使用形成刀尖之2個面分別為傾斜面、且形成刀尖之2個面所成之角度為80°之兩面刀，代替上述例1～例14中所使用之刀尖之角度為40°之單面刀而實施切斷。再者，如圖8所示，兩面刀中，傾斜面30c、與通過刀尖30a之前端30e且與支持基材22之表面22a垂直的面P所成之角Q為40°。於使用上述之兩面刀之情形時，亦可獲得與單面刀相同之結果。
已對本發明詳細地或參照特定之實施方式進行了說明，本領域技術人員可知：可於不脫離本發明之精神與範圍之情況下進行各種變更或修正。 本申請案係基於2019年12月23日提出申請之日本專利申請2019-231343者，並將其內容作為參照引用至此。
10:切斷裝置 12:第1台 14:第2台 15:滾珠螺桿 16:驅動部 17:加熱台 18:刀組 18a:區域 19:切斷部 20:樹脂基材 21:樹脂基材 22:支持基材 22a:表面 23:接著層 24:樹脂層 24a:表面 24b:側面 24c:部分 24d:外緣部 25a:切斷線 25b:切斷線 26:斜面 26a:外表面 26b:內表面 28:保護膜 30:刀 30a:刀尖 30b:底面 30c:傾斜面 30d:基部 30e:前端 30f:傾斜面 32:加熱部 33:固定部 33a:接著構件 33b:彈性構件 34:按壓部 40:積層體 42:支持體 42a:表面 42c:外緣部 44:保護層 46:密接層 50:刀 50a:刀尖 50c:斜面 BL:基準線 D:相機 L:測定距離 P:面 Q:角 δ:起伏幅度 α:角 β:角 γ:角 θ:傾斜角
圖1係表示本發明之實施方式之切斷裝置之第1例的模式圖。 圖2係放大表示本發明之實施方式之切斷裝置之切斷部之第1例的模式性剖視圖。 圖3(a)及圖3(b)係表示本發明之實施方式之切斷方法之第1例的模式性俯視圖。 圖4(a)係表示本發明之實施方式之樹脂基材之切斷部的模式性剖視圖，圖4(b)係放大表示本發明之實施方式之樹脂基材之切斷部的模式性剖視圖。 圖5係表示本發明之實施方式之積層體之第1例的模式性俯視圖。 圖6(a)係表示本發明之實施方式之積層體之第1例的模式性剖視圖，圖6(b)係放大表示本發明之實施方式之積層體之側面的模式性剖視圖。 圖7(a)係表示本發明之實施方式之積層體之外周面的模式圖，圖7(b)係表示起伏幅度之測定方法的模式性立體圖。 圖8係放大表示本發明之實施方式之切斷裝置之切斷部之第2例的模式性剖視圖。 圖9係表示本發明之實施方式之切斷裝置之切斷部之第3例的模式性立體圖。 圖10係表示樹脂基材之第2例的模式性剖視圖。 圖11係表示本發明之實施方式之積層體之第2例的模式性剖視圖。
10:切斷裝置
12:第1台
14:第2台
15:滾珠螺桿
16:驅動部
17:加熱台
18:刀組
18a:區域
19:切斷部
20:樹脂基材
22:支持基材
22a:表面
24:樹脂層
24a:表面
30:刀
30a:刀尖
30c:傾斜面
32:加熱部
34:按壓部

Claims (24)

  1. 一種切斷方法，其係使用刀將至少積層有支持基材及樹脂層之樹脂基材中之上述樹脂層切斷，且 上述刀係形成刀尖之2個面之中的一面為傾斜面之單面刀，形成上述刀尖之2個上述面所成之角度為30°～50°， 該切斷方法具有令上述刀尖沿著上述樹脂層之表面之法線方向進入至上述樹脂層，並將上述刀之上述傾斜面壓抵於上述樹脂層而實施切斷之步驟， 上述刀所切出之上述樹脂層之切斷面為斜面，上述斜面之與大氣相接之外側之外表面、與上述支持基材之表面所成之角度為鈍角。
  2. 一種切斷方法，其係使用刀將至少積層有支持基材及樹脂層之樹脂基材中之上述樹脂層切斷，且 刀係形成刀尖之2個面分別為傾斜面之兩面刀，形成上述刀尖之2個上述面所成之角度為60°～90°， 該切斷方法具有令上述刀尖沿著上述樹脂層之表面之法線方向進入至上述樹脂層，並將上述刀之上述傾斜面壓抵於上述樹脂層而實施切斷之步驟， 上述刀所切出之上述樹脂層之切斷面為斜面，上述斜面之與大氣相接之外側之外表面、與上述支持基材之表面所成之角度為鈍角。
  3. 如請求項1或2之切斷方法，其中上述切斷步驟係於上述刀之兩側配置具有彈性之按壓部，利用上述按壓部按壓著上述樹脂基材而實施切斷者。
  4. 如請求項3之切斷方法，其中上述按壓部之由ASKER C硬度計所測得之硬度為45以上。
  5. 如請求項1至4中任一項之切斷方法，其中上述切斷步驟中，對上述樹脂基材及上述刀之中之至少一者進行加熱而實施切斷。
  6. 如請求項1至5中任一項之切斷方法，其中上述切斷步驟中使用2個刀，且2個上述刀以彼此之上述傾斜面對向之方式配置。
  7. 如請求項1至5中任一項之切斷方法，其中上述刀為矩形之環狀，且上述傾斜面朝向環之內側。
  8. 如請求項1至7中任一項之切斷方法，其中上述樹脂基材具有積層於上述支持基材與上述樹脂層之間之接著層、及積層於上述樹脂層上之保護膜。
  9. 如請求項1至8中任一項之切斷方法，其中上述樹脂層係聚醯亞胺樹脂層。
  10. 如請求項1至9中任一項之切斷方法，其中上述樹脂層之上述斜面之與上述外表面相反側之內表面、與上述支持基材之表面所成之角度為50°～80°。
  11. 一種切斷裝置，其係使用刀將至少積層有支持基材及樹脂層之樹脂基材中之上述樹脂層切斷，且 上述刀係形成刀尖之2個面之中的一面為傾斜面之單面刀，形成上述刀尖之2個上述面所成之角度為30°～50°， 該切斷裝置具有令上述刀尖沿著上述樹脂層之表面之法線方向進入至上述樹脂層，並將上述刀之上述傾斜面壓抵於上述樹脂層而實施切斷之切斷部， 上述刀所切出之上述樹脂層之切斷面為斜面，上述斜面之與大氣相接之外側之外表面、與上述支持基材之表面所成之角度為鈍角。
  12. 一種切斷裝置，其係使用刀將至少積層有支持基材及樹脂層之樹脂基材中之上述樹脂層切斷，且 刀係形成刀尖之2個面分別為傾斜面之兩面刀，形成上述刀尖之2個上述面所成之角度為60°～90°， 該切斷裝置具有令上述刀尖沿著上述樹脂層之表面之法線方向進入至上述樹脂層，並將上述刀之上述傾斜面壓抵於上述樹脂層而實施切斷之切斷部， 上述刀所切出之上述樹脂層之切斷面為斜面，上述斜面之與大氣相接之外側之外表面、與上述支持基材之表面所成之角度為鈍角。
  13. 如請求項11或12之切斷裝置，其具有配置於上述刀之兩側之具有彈性之按壓部，且上述切斷部利用上述按壓部按壓著上述樹脂基材而實施切斷。
  14. 如請求項13之切斷裝置，其中上述按壓部之由ASKER C硬度計所測得之硬度為45以上。
  15. 如請求項12至14中任一項之切斷裝置，其具有對上述樹脂基材及上述刀之中之至少一者進行加熱之加熱部。
  16. 如請求項12至15中任一項之切斷裝置，其中上述切斷部具有2個刀，2個上述刀以彼此之上述刀尖之上述傾斜面對向之方式配置。
  17. 如請求項12至16中任一項之切斷裝置，其中上述刀為矩形之環狀，且上述刀尖之上述傾斜面朝向環之內側。
  18. 如請求項12至17中任一項之切斷裝置，其中上述樹脂基材具有積層於上述支持基材與上述樹脂層之間之接著層、及積層於上述樹脂層上之保護膜。
  19. 如請求項11至17中任一項之切斷裝置，其中上述樹脂層係聚醯亞胺樹脂層。
  20. 如請求項12至19中任一項之切斷裝置，其中上述樹脂層之上述斜面之與上述外表面相反側之內表面、與上述支持基材之表面所成之角度為50°～80°。
  21. 一種積層體，其至少具有支持體、及積層於上述支持體上之樹脂層， 上述樹脂層為矩形，所有側面由斜面所構成，且上述斜面之與大氣相接之外側之外表面、與上述支持體之表面所成之角度為鈍角， 上述側面中，沿著邊之每100 mm長度中之起伏幅度為100 μm以下。
  22. 如請求項21之積層體，其中上述樹脂層之上述斜面之與上述外表面相反側之內表面、與上述支持體之表面所成之角度為50°～80°。
  23. 如請求項21或22之積層體，其具有積層於上述支持體與上述樹脂層之間之接著層、及積層於上述樹脂層上之保護層。
  24. 如請求項21至23中任一項之積層體，其中上述樹脂層係聚醯亞胺樹脂層。
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