TW202124645A - 光學積層體之製造方法、接著劑塗覆裝置及光學積層體之製造裝置 - Google Patents

光學積層體之製造方法、接著劑塗覆裝置及光學積層體之製造裝置 Download PDF

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小川敏弘
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Abstract

本發明課題在於提供光學積層體之製造方法等，其等可在抑制接著劑之運行成本且不損及光學積層體之製造效率下，維持光學積層體良好之接著性。 作為解決手段，本發明包含接著劑塗覆步驟，其係藉由接著劑塗覆裝置將活性能量線硬化型接著劑塗覆於為了製作光學積層體而貼合之第1光學薄膜及第2光學薄膜中之至少一者上；並且，接著劑塗覆裝置具備：塗覆機，係用以塗覆接著劑者；第1槽，係儲留接著劑並將接著劑供給至塗覆機者；及第2槽，係密封儲留接著劑，並將接著劑供給至第1槽者，且第2槽之接著劑之儲留量大於第1槽；接著劑塗覆步驟中，使接著劑循環於第1槽與塗覆機之間的同時，在第1槽內之接著劑之儲留量達預定值以下時，自第2槽對第1槽供給接著劑。

Description

光學積層體之製造方法、接著劑塗覆裝置及光學積層體之製造裝置
本發明涉及透過接著劑貼合偏光件與保護薄膜來製造偏光薄膜等透過接著劑貼合第1光學薄膜與第2光學薄膜來製造光學積層體之方法、接著劑塗覆裝置及製造光學積層體之裝置。尤其是涉及具有以下特性之光學積層體之方法、接著劑塗覆裝置及光學積層體之製造裝置：可在抑制接著劑之運行成本且不損及光學積層體之製造效率下，維持光學積層體中第1光學薄膜與第2光學薄膜之間良好之接著性。
以往，液晶顯示裝置或偏光太陽眼鏡等之構成材料係使用包含偏光件之偏光薄膜。偏光薄膜例如係由經碘等二色性物質染色之偏光件與保護該偏光件之保護薄膜所構成。 偏光薄膜例如如專利文獻1~3所記載，可藉由於偏光件及/或保護薄膜塗覆活性能量線硬化型接著劑後，貼合偏光件及保護薄膜，並對偏光件與保護薄膜之間的接著劑照射活性能量線使接著劑硬化而得。 先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本專利特開2017-160313號公報 專利文獻2：日本專利特開2012-144690號公報 專利文獻3：國際公開第2017/199979號
發明欲解決之課題 在此，活性能量線硬化型接著劑係藉由接著劑塗覆裝置而塗覆於偏光件及/或保護薄膜上。一般而言，接著劑塗覆裝置具備凹版塗佈機等塗覆機、及儲留接著劑並將接著劑供給至塗覆機之槽，且使接著劑在槽與塗覆機之間循環。 因此，在接著劑儲留在槽內之期間或在接著劑循環之期間內，接著劑會吸收氣體環境中之水分、或者接著劑之溶劑成分會揮發，造成接著劑之黏度產生變化。
接著劑之黏度不論過高或過低，偏光件與保護薄膜之間的接著性都會降低。 由於對偏光薄膜要求穩定的光學特性，故要求維持偏光件與保護薄膜之間良好之接著性。 因此，例如係依經驗掌握偏光薄膜與保護薄膜之間的接著性降低之時間點，於達至該時間點前進行將儲留在槽內之接著劑交換成新品之操作。 然而，當交換儲留在槽內之接著劑的頻率高時，會導致接著劑的運行成本變高。且，在交換接著劑時必須使偏光薄膜之製造生產線停止，因此當交換接著劑之頻率高，會損及偏光薄膜之製造效率。
此外，亦有在槽與塗覆機之間設置接著劑之儲留量較前述槽更小之輔助槽之情形。還有一種情形，係自槽將接著劑供給至輔助槽，並從輔助槽將接著劑供給至塗覆機，另一方面使未經塗覆機供予塗覆之接著劑返回至槽中，藉此使接著劑在槽、輔助槽及塗覆機間循環之情形。一般而言，槽係採移動式，自溶解接著劑之處搬運至塗覆機設置處後與舊的槽交換。相對此，輔助槽係固定式，故可設置液位計，測定儲留在輔助槽內之接著劑之液面高度。因此，設置輔助槽時，可以機械性方式偵測、防止接著劑之枯竭。 然而，即便在上述情況下，接著劑仍會於接著劑儲留在槽內或輔助槽內之期間或在接著劑循環之期間內，吸收氣體環境中之水分、或者接著劑之溶劑成分會揮發，造成接著劑之黏度產生變化。因此，與前述同樣地，會產生接著劑之運行成本變高、或偏光薄膜之製造效率受損之問題。
此外，於上述說明中，係以透過接著劑貼合偏光件與保護薄膜而獲得之偏光薄膜為例，但上述問題不僅限於偏光薄膜，其係透過接著劑貼合第1光學薄膜與第2光學薄膜而獲得之光學積層體共通的問題。 因此，本發明課題在於提供光學積層體之製造方法、接著劑塗覆裝置及製造光學積層體之製造裝置，其等可在抑制接著劑之運行成本且不損及光學積層體之製造效率下，維持光學積層體中第1光學薄膜與第2光學薄膜之間良好之接著性。
用以解決課題之手段 為了解決前述課題，本發明提供一種光學積層體之製造方法，該製造方法包含以下步驟：接著劑塗覆步驟，係藉由接著劑塗覆裝置將活性能量線硬化型接著劑塗覆於第1光學薄膜及第2光學薄膜中之至少一者上；及光學積層體製作步驟，係透過前述接著劑貼合前述第1光學薄膜與前述第2光學薄膜，並對前述接著劑照射活性能量線使前述接著劑硬化，藉此製作光學積層體；其中前述接著劑塗覆裝置具備：塗覆機，係用以塗覆前述接著劑者；第1槽，係儲留前述接著劑並將前述接著劑供給至前述塗覆機者；第2槽，係密封儲留前述接著劑，並將前述接著劑供給至前述第1槽者，且第2槽之前述接著劑之儲留量大於前述第1槽；前述接著劑塗覆步驟中，使前述接著劑循環於前述第1槽與前述塗覆機之間的同時，在前述第1槽內之前述接著劑之儲留量達預定值以下時，自前述第2槽對前述第1槽供給前述接著劑。
在本發明中，亦有在接著劑儲留在第1槽內之期間、或在接著劑在第1槽與塗覆機之間循環之期間，位於第1槽與塗覆機之間的接著劑吸收氣體環境中之水分、或者接著劑之溶劑成分揮發之可能。 然而，根據本發明，儲留在第1槽內之接著劑被塗覆至第1光學薄膜及/或第2光學薄膜上，從而第1槽內之接著劑之儲留量達預定值以下時，接著劑會自第2槽被供給至第1槽。接著劑係被密封儲留於第2槽中，故不易吸收氣體環境中之水分，溶劑成分也不易揮發。且未經塗覆機供予塗覆之接著劑不會返回至第2槽而是返回至第1槽，故因第1槽與塗覆機之間的循環使用而吸收了氣體環境中之水分的接著劑或溶劑成分揮發後之接著劑不會混入第2槽內。因此，接近新品狀態之接著劑會從第2槽被供給至第1槽，而該接近新品狀態之接著劑會在第1槽與塗覆機之間重新循環。因第2槽中之接著劑之儲留量大於第1槽，故可無需交換第2槽內之接著劑便可長期使用直至第2槽內之接著劑沒有為止。 因此，根據本發明，可在抑制接著劑之運行成本且不損及光學積層體之製造效率下，維持光學積層體中之第1光學薄膜與第2光學薄膜之間良好之接著性。
此外，本發明中，於「藉由接著劑塗覆裝置將活性能量線硬化型接著劑塗覆於第1光學薄膜及第2光學薄膜中之至少一者上的接著劑塗覆步驟」中例如還包含以下任一步驟：(1)藉由接著劑塗覆裝置將活性能量線硬化型接著劑塗覆於第1光學薄膜及第2光學薄膜兩者上之步驟；(2)藉由接著劑塗覆裝置將活性能量線硬化型接著劑塗覆於第1光學薄膜上，並藉由本發明接著劑塗覆裝置將易接著組成物塗覆於第2光學薄膜上之步驟；(3)利用接著劑塗覆裝置將活性能量線硬化型接著劑塗覆於第2光學薄膜上，並藉由本發明接著劑塗覆裝置將易接著組成物塗覆於第1光學薄膜上之步驟。
較佳為前述接著劑塗覆步驟中，前述接著劑於塗覆開始時在25℃下之黏度為1mPa・s~100mPa・s。 只要可維持上述較佳方法中之黏度，便容易維持第1光學薄膜與第2光學薄膜之間良好之接著性。
較佳為前述接著劑塗覆步驟中，前述接著劑之塗覆厚度為0.1µm~5µm。 以上述較佳方法般較薄的塗覆厚度而言，適宜使用凹版塗佈機作為塗覆機，若使用凹版塗佈機，則易產生未塗覆於第1光學薄膜及/或第2光學薄膜而多出之(溢出之)接著劑。因此，能循環使用接著劑，而可適宜使用本發明。
較佳為前述接著劑含有羥基。 接著劑若含有羥基，便容易吸收氣體環境中之水分。因此，本發明可適宜使用於含羥基之接著劑之情形。
較佳為前述接著劑含有：SP值為29.0(MJ/m3 )1/2 以上且32.0(MJ/m3 )1/2 以下之自由基聚合性化合物、或21.0(MJ/m3 )1/2 以上且23.0(MJ/m3 )1/2 以下之自由基聚合性化合物。 在接著劑之SP值(溶解性參數)如上述之情況下，當使用偏光件作為第1光學薄膜且使用保護薄膜作為第2光學薄膜時， SP值會與一般所用偏光件或保護薄膜之材料接近，而有助於提升接著性。又，因SP值較大而易吸收氣體環境中之水分，故可適宜使用本發明。
較佳為前述接著劑含有水。 若接著劑含有水，在使用偏光件作為第1光學薄膜時，水可使偏光件表面膨潤、塑化，藉此易形成偏光件與接著劑之間的氫鍵、離子鍵、共價鍵等各種物理、化學鍵，結果可提升接著性。
較佳為前述接著劑含有有機金屬化合物，且該有機金屬化合物係選自於由金屬烷氧化物及金屬螯合物所構成群組中之至少1種。 接著劑若含有上述有機金屬化合物，接著性、耐水性便會提升。
較佳為前述接著劑含有陽離子聚合性官能基。 若接著劑含有陽離子聚合性官能基(例如環氧基、氧雜環丁基、氧雜環丁烷基、乙烯基醚基、螺還原酸酯基)，在使用偏光件作為第1光學薄膜時，存在於偏光件表面之酸基與接著劑之間會產生更強的相互作用，而即使在水分存在下也能輕易展現不易剝離之層間接著性。
本發明可適宜用於前述第1光學薄膜為偏光件、前述第2光學薄膜為保護薄膜且前述光學積層體為偏光薄膜之情形。 惟，本發明不受此限，作為第1光學薄膜及第2光學薄膜之組合可應用偏光件、保護薄膜、相位差薄膜、防眩薄膜、增亮薄膜、視角提升薄膜、透明導電性薄膜等各種光學薄膜之組合。
又，為了解決前述課題，本發明還提供一種接著劑塗覆裝置，其係將活性能量線硬化型接著劑塗覆於第1光學薄膜及第2光學薄膜中之至少一者上者，且該接著劑塗覆裝置具備：塗覆機，係用以塗覆前述接著劑者；第1槽，係儲留前述接著劑，並一邊使前述接著劑在其與前述塗覆機之間循環一邊對前述塗覆機供給前述接著劑者；第2槽，係密封儲留前述接著劑，並將前述接著劑供給至前述第1槽者，且第2槽之前述接著劑之儲留量大於前述第1槽；及控制裝置，係在前述第1槽內之前述接著劑之儲留量達預定值以下時，使前述接著劑自前述第2槽供給至前述第1槽者。
並且，為了解決前述課題，本發明還提供一種光學積層體之製造裝置，其具備前述接著劑塗覆裝置與活性能量線照射裝置，該活性能量線照射裝置係對透過前述接著劑而貼合之前述第1光學薄膜及前述第2光學薄膜間的前述接著劑照射活性能量線使其硬化者。
發明效果 根據本發明，可在抑制接著劑之運行成本且不損及光學積層體之製造效率下，維持光學積層體中之第1光學薄膜與第2光學薄膜之間良好之接著性。
以下，一邊參照所附圖式一邊針對本發明一實施形態之光學積層體之製造方法、接著劑塗覆裝置及光學積層體之製造裝置，以第1光學薄膜為偏光件、第2光學薄膜為保護薄膜且光學積層體為偏光薄膜之情形為例來說明。因此，本實施形態中，將「光學積層體」稱為「偏光薄膜」，將「第1光學薄膜」稱為「偏光件」，將「第2光學薄膜」稱為「保護薄膜」。 此外，本說明書中，「下限值X~上限值Y」所示數值範圍意指下限值X以上且在上限值Y以下。當前述數值範圍各別記載有複數個時，可選擇任意下限值與任意上限值，來設定「任意下限值~任意上限值」。 又，各圖為參考性表示者，須注意各圖所示構件等之尺寸、比例尺及形狀有時與實際之物不同。
圖1係示意顯示應用本實施形態之偏光薄膜之製造方法的偏光薄膜之製造裝置的概略構成例的圖。圖1所示箭頭意指各薄膜之輸送方向。 本實施形態之偏光薄膜之製造裝置除了具備接著劑塗覆裝置100與活性能量線照射裝置8外，還具備一般的偏光薄膜之製造裝置所具備之以往公知的各種構成要素。 另，本發明偏光薄膜之製造裝置可為在製造偏光件F1後，於該偏光件F1連續接著保護薄膜F2之形式；或者亦可為先另外準備偏光件F1，再於該偏光件F1接著保護薄膜F2之形式。前者之形式是將從製造偏光件F1至接著保護薄膜F2而獲得積層偏光薄膜F之一連串之步驟在一個製造生產線上進行之形式；而後者之形式係將製造偏光件F1在一個製造生產線上進行，並將於該偏光件F1接著保護薄膜F2而獲得積層偏光薄膜F之步驟在另一個製造生產線上進行之形式。 圖1所示製造裝置為捲料對捲料之形式，該捲料對捲料之形式係將從製造偏光件F1至至少接著保護薄膜F2薄膜而獲得偏光薄膜F之一連串之步驟在一個製造生產線上進行之形式。
使用圖1所示製造設備來製造偏光薄膜F時，首先將捲繞在釋出滾筒1上之原板薄膜F0送出，並浸漬於處理槽2(例如自原板薄膜F0之輸送方向上游側依序由膨潤處理槽、染色處理槽、交聯處理槽、延伸處理槽、洗淨處理槽所構成)內之處理浴中，以碘或二色性染料等二色性物質染色的同時進行單軸延伸。接著，以烘箱3使其乾燥，藉此獲得偏光件F1。偏光件F1係具有僅使沿特定一方向振動之光(偏光)透射並可遮蔽沿其以外之方向振動之光之性質的光學元件。本實施形態之偏光件F1係柔軟的薄膜狀。
原板薄膜F0係長條帶狀。在本說明書中，長條帶狀意指長邊方向的長度較短邊方向(與長邊方向正交之方向)的長度大上甚多之長方形狀。長條帶狀之長邊方向的長度例如為10m以上，且宜為50m以上。 原板薄膜F0並無特別限定，由二色性物質所帶來之染色性佳來看，宜使用包含親水性聚合物薄膜(例如聚乙烯醇系薄膜等)之薄膜，較宜使用親水性聚合物薄膜。包含親水性聚合物薄膜的薄膜可舉親水性聚合物薄膜與非親水性聚合物薄膜積層而成的薄膜。此時，較佳為非親水性聚合物薄膜之表面及/或背面積層有親水性聚合物薄膜。此時，積層在非親水性聚合物薄膜表面及/或背面的親水性聚合物薄膜亦可為厚度數µm左右之較薄的膜狀。
親水性聚合物薄膜並無特別限定，可使用以往公知之薄膜。具體而言，親水性聚合物薄膜可舉例如聚乙烯醇(PVA)系薄膜、部分縮甲醛化PVA系薄膜、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)薄膜、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物系薄膜、該等部分皂化薄膜等。又，除該等外，還可使用PVA之脫水處理物或聚氯乙烯之脫鹽酸處理物等多烯定向薄膜、經延伸定向之聚乙烯系薄膜等。該等中，尤其由二色性物質所帶來之染色性佳來看，以PVA系聚合物薄膜為佳。 PVA系聚合物薄膜之原料聚合物可舉例如：乙酸乙烯酯聚合後再皂化的聚合物、相對於乙酸乙烯酯為少量之不飽和羧酸或不飽和磺酸等可共聚之單體共聚而成的聚合物等。PVA系聚合物之聚合度並無特別限定，由對水之溶解度的觀點等來看，宜為500~10000，較宜為1000~6000。又，PVA系聚合物之皂化度宜為75莫耳%以上，較宜為98莫耳%~100莫耳%。 未處理之原板薄膜F0的厚度並無特別限定，例如為15µm~110µm。
處理槽2自原板薄膜F0之輸送方向上游側起依序由膨潤處理槽、染色處理槽、交聯處理槽、延伸處理槽、洗淨處理槽構成時(未圖示)，各槽具有例如以下所述構成。
＜膨潤處理槽＞ 膨潤處理槽係容置有膨潤處理液的處理槽。膨潤處理液可使原板薄膜F0膨潤。膨潤處理液例如可使用水。並且，亦可將添加有適量之甘油或碘化鉀等碘化合物之水作為膨潤處理液。添加甘油時，其濃度宜為5重量%以下，而添加碘化鉀等碘化合物時，其濃度宜為10重量%以下。
＜染色處理槽＞ 染色處理槽係容置有染色處理液的處理槽。染色處理液可將原板薄膜F0染色。染色處理液可舉含二色性物質作為有效成分之溶液。二色性物質可舉碘、有機染料等。較佳為可使用已使碘溶解於溶劑中的溶液作為染色處理液。溶劑一般會使用水，而亦可更添加與水具相溶性之有機溶劑。染色處理液中之碘濃度無特別限定，宜為0.01重量%~10重量%，且0.02重量%~7重量%之範圍較佳，0.025重量%~5重量%更佳。為了更提升染色效率，亦可視需求於染色處理液中添加碘化合物。碘化合物係分子內包含碘與碘以外之元素的化合物，可舉例如：碘化鉀、碘化鋰、碘化鈉、碘化鋅、碘化鋁、碘化鉛、碘化銅、碘化鋇、碘化鈣、碘化錫、碘化鈦等。
＜交聯處理槽＞ 交聯處理槽係容置有交聯處理液的處理槽。交聯處理液可使經染色之原板薄膜F0交聯。交聯處理液可使用含硼化合物作為有效成分之溶液。例如，交聯處理液可使用已使硼化合物溶解於溶劑中的溶液。溶劑一般會使用水，而亦可更添加與水具相溶性之有機溶劑。硼化合物可舉硼酸、硼砂等。交聯處理液中之硼化合物的濃度並無特別限定，宜為1重量%~10重量%，且2重量%~7重量%較佳，2重量%~6重量%更佳。並且，由可獲得具有均一光學特性之偏光件之觀點來看，亦可視需要於交聯處理液中添加碘化合物。
＜延伸處理槽＞ 延伸處理槽係容置有延伸處理液的處理槽。 延伸處理液並無特別限定，例如可使用含硼化合物作為有效成分之溶液。延伸處理液例如可使用使硼化合物及因應需求使各種金屬鹽、鋅化合物等溶解於溶劑中之溶液。溶劑一般會使用水，而亦可更添加與水具相溶性之有機溶劑。延伸處理液中之硼化合物的濃度並無特別限定，宜為1重量%~10重量%，且2重量%~7重量%較佳。由抑制吸附於薄膜之碘溶出之觀點來看，亦可視需要於延伸處理液中添加碘化合物。
＜洗淨處理槽＞ 洗淨處理槽係容置有洗淨處理液的處理槽。洗淨處理液可洗淨延伸後之原板薄膜F0。洗淨處理液係用以洗淨附著於原板薄膜F0之染色處理液或交聯處理液等處理液的處理液。洗淨處理液代表上可使用離子交換水、蒸餾水、純水等之水。
烘箱3係設於構成以上所說明之處理槽2之洗淨處理槽的下游側。烘箱3係為了將處理後之薄膜予以乾燥而設置。 此外，在以上說明之例中，處理槽2具有膨潤處理槽、染色處理槽、交聯處理槽、延伸處理槽及洗淨處理槽，但亦可省略該等中之1個或2個處理槽。另一方面，處理槽2亦可更具有調整處理槽(未圖示)。調整處理槽係容置有調整處理液的處理槽。該調整處理槽可設置於交聯處理槽與延伸處理槽之間、或延伸處理槽與洗淨處理槽之間。調整處理液係用以調整薄膜之色相等的溶液，可使用含碘化合物作為有效成分的溶液。 利用烘箱3使洗淨後之原板薄膜F0乾燥而得的薄膜為偏光件F1。
接著，如圖1所示，利用接著劑塗覆裝置100將活性能量線硬化型接著劑塗覆於偏光件F1之兩面上(相當於本發明之接著劑塗覆步驟)。並利用接著劑塗覆裝置100將活性能量線硬化型接著劑塗覆於自釋出滾筒5送出之保護薄膜F2之單面上。然後，藉由貼合滾筒7將已塗覆接著劑之保護薄膜F2貼合於已塗覆接著劑之偏光件F1的兩面。 接著劑之塗覆厚度並無特別限定，但若太小，薄膜之接著強度會降低，而若太大，則偏光薄膜F之厚度會相對變得過大。從所述觀點來看，接著劑塗覆至偏光件F1及保護薄膜F2之厚度宜各自獨立為0.1µm~5µm。 又，接著劑在塗覆開始時之黏度並無特別限定，但若太小或太大，則從塗覆開始時便會發生接著劑之接著性降低。從所述觀點來看，接著劑於塗覆開始時在25℃下之黏度宜調整成1mPa・s~100mPa・s，於塗覆開始時在25℃下之黏度調整成10mPa・s~50mPa・s較佳，調整成15mPa・s~45mPa・s尤佳。 關於接著劑塗覆裝置100之具體構成或利用接著劑塗覆裝置100塗覆之接著劑的種類，將於後述。
保護薄膜F2為長條帶狀。又，保護薄膜F2係親水性較偏光件F1更低(具有疏水性)之薄膜。保護薄膜F2宜透明性、機械強度、熱穩定性、水分阻隔性及各向同性等優異者。可舉例如：聚對苯二甲酸乙二酯或聚萘二甲酸乙二酯等聚酯系聚合物、二醋酸纖維素或三醋酸纖維素等纖維素系聚合物、聚甲基丙烯酸甲酯等丙烯酸系聚合物、聚苯乙烯或丙烯腈-苯乙烯共聚物(AS樹脂)等苯乙烯系聚合物、聚碳酸酯系聚合物等。又，亦可列舉下述聚合物作為形成保護薄膜F2之聚合物之例：如聚乙烯、聚丙烯、環系或具有降莰烯結構之聚烯烴、乙烯-丙烯共聚物之聚烯烴系聚合物、氯乙烯系聚合物、尼龍或芳香族聚醯胺等醯胺系聚合物、醯亞胺系聚合物、碸系聚合物、聚醚碸系聚合物、聚醚醚酮系聚合物、聚伸苯硫系聚合物、乙烯醇系聚合物、氯化亞乙烯系聚合物、乙烯醇縮丁醛系聚合物、芳酯系聚合物、聚甲醛系聚合物、環氧系聚合物或上述聚合物之混合物等。保護薄膜F2中亦可包含有1種以上任意適當的添加劑。添加劑可舉例如紫外線吸收劑、抗氧化劑、滑劑、塑化劑、脫模劑、抗著色劑、阻燃劑、成核劑、抗靜電劑、顏料、著色劑等。保護薄膜F2中之上述熱塑性樹脂之含量宜為50~100重量%，較佳為50~99重量%，更佳為60~98重量%，尤佳為70~97重量%。保護薄膜F2中之上述熱塑性樹脂之含量在50重量%以下時，會有無法充分發揮熱塑性樹脂原本具有的高透明性等之虞。
又，作為保護薄膜F2可舉日本專利特開2001-343529號公報所記載之聚合物薄膜，例如一種含有(A)在側鏈具有取代及/或非取代醯亞胺基之熱塑性樹脂、與在側鏈具有取代及/或非取代苯基以及腈基之熱塑性樹脂的樹脂組成物。具體例可舉含有由異丁烯與N-甲基馬來醯亞胺所構成之交替共聚物及丙烯腈-苯乙烯共聚物的樹脂組成物之薄膜。作為薄膜可使用樹脂組成物之混合擠製物等所構成之薄膜。該等薄膜由於相位差小、光彈性係數小，而能消除偏光薄膜F之應變所造成的不均等不良狀況，且因透濕度低而加濕耐久性佳。
接著，如圖1所示，自活性能量線照射裝置8對偏光件F1及保護薄膜F2間之接著劑照射活性能量線使其硬化後，以烘箱9使其乾燥。活性能量射線可因應活性能量線硬化型接著劑之硬化性適當選擇。活性能量線可舉電子束、紫外線、可見光線等。最後，藉由貼合滾筒11將自釋出滾筒10送出之長條帶狀表面保護薄膜F3貼合至兩面貼合有保護薄膜F2之偏光件F1的單面上，而可獲得長條帶狀偏光薄膜F。所得偏光薄膜F會被捲取滾筒12捲取。 透過接著劑貼合偏光件F1與保護薄膜F2並對接著劑照射活性能量線使接著劑硬化來製作偏光薄膜F之步驟，相當於本發明之光學積層體製作步驟。
此外，在圖1所示之例中，係於偏光件F1及保護薄膜F2兩者塗覆有活性能量線硬化型接著劑，但亦可僅於偏光件F1之兩面塗覆接著劑。此時，圖1所示合計4台接著劑塗覆裝置100中，不需要圖1之下側(薄膜之輸送方向下游側)2台的接著劑塗覆裝置100。又，亦可僅於保護薄膜F2之單面塗覆接著劑。此時，圖1所示合計4台接著劑塗覆裝置100中，不需要圖1之上側(薄膜之輸送方向上游側)2台的接著劑塗覆裝置100。此外，在圖1所示之例中，係於偏光件F1之兩面貼合有保護薄膜F2，故於圖1左右配置有一對接著劑塗覆裝置100，並於左右配置有一對活性能量線照射裝置8，但在僅於偏光件F1之單面貼合保護薄膜F2時，接著劑塗覆裝置100及活性能量線照射裝置8亦可僅於圖1之左右任一處配置1台。
圖2係示意顯示接著劑塗覆裝置100之具體構成例的圖。圖2係以可適當透視各構成要素之內部的狀態予以圖示。 如圖2所示，本實施形態之接著劑塗覆裝置100具備有：塗覆機6，係用以將接著劑ad塗覆於偏光件F1或保護薄膜F2(於圖2中省略圖示)者；第1槽20，係儲留接著劑ad，並一邊使接著劑ad在其與塗覆機6之間循環一邊對塗覆機6供給接著劑ad者；第2槽30，係密封儲留接著劑ad，並將接著劑ad供給至第1槽20者，且第2槽30之接著劑ad之儲留量大於第1槽20；及控制裝置40，係在第1槽20內之接著劑ad之儲留量達預定值以下時，使接著劑ad自第2槽30供給至第1槽20者。
作為塗覆機6可適宜使用凹版塗佈機。凹版塗佈機具有表面形成有複數個凹槽(用以放置經供給之接著劑ad的凹部)之凹版滾筒，藉由該凹版滾筒61接觸偏光件F1或保護薄膜F2，凹槽內之接著劑ad會被轉印至偏光件F1或保護薄膜F2之單面上。依所述方式，各接著劑ad會分別從凹版滾筒以平鋪狀塗覆至偏光件F1或保護薄膜F2之單面上。
本實施形態之接著劑塗覆裝置100更具備有供給管21、泵22、折射率計23及排出管24。 儲留在第1槽20內之接著劑ad藉由安裝在供給管21之泵22，通過下端插入第1槽20內並浸漬於接著劑ad中的供給管21被抽吸上來，供給至塗覆機6。供給管21上安裝有折射率計23，藉由折射率計23連續測定在供給管21中流動之接著劑ad的折射率。折射率計23可應用各種以往公知之折射率計，例如可以使用司乃耳定律自全反射臨界角導出折射率之方法作為測定原理之ATAGO CO., LTD.製的製程折射率計「PRM-100α」。
另一方面，未經塗覆機6塗覆至偏光件F1或保護薄膜F2之接著劑ad將通過下端插入第1槽20內之排出管24返回至第1槽20內。 依上述方式，接著劑ad係一邊在第1槽20與塗覆機6之間循環一邊作使用。
本實施形態之接著劑塗覆裝置100更具備有袋體31、緊束帶32、第1供給管33、砝碼34、接頭35、第2供給管36及蓋體37。 在第2槽30內容置有袋體31，該袋體31之內部容置有接著劑ad且上端部以緊束帶32綁住。藉此，接著劑ad會被密封儲留於第2槽30內。於袋體31內插入有橡膠製軟管等具有可撓性之第1供給管33。第1供給管33之下端安裝有砝碼34，以使第1供給管33之下端位於袋體31之底面附近。第1供給管33通過袋體31之上端部及緊束帶32內，且其上端與接頭35連接。於該接頭35上亦連接有橡膠製軟管等具有可撓性之第2供給管36，透過接頭35連通第1供給管33與第2供給管36。儲留在第2槽30內(袋體31內)之接著劑ad藉由安裝在第2供給管36之泵42，自第1供給管33之下端，通過第1供給管33、接頭35及第2供給管36被抽吸上來，並從第2供給管36之下端被排出，供給至第1槽20。
第2槽30內(袋體31內)之接著劑ad之儲留量大於第1槽20內之接著劑ad之儲留量。例如，相對於第2槽30內之接著劑ad之儲留量為180公升，第1槽20內之接著劑ad之儲留量為30公升以下。相對於第1槽20內之接著劑ad之儲留量，第2槽30內之接著劑ad之儲留量宜為2~50倍左右。
此外，於自第2槽30將接著劑ad供給至第1槽20時，如圖2所示，會將用以閉塞第2槽30之上端開口的蓋體37打開，於接頭35連接第2供給管36。另一方面，於第2槽30內調製接著劑ad時，從接頭35移除第2供給管36後關上蓋體37即可。此時，只要在蓋體37之下面設置塞止件(未圖示)，於接頭35之與第2供給管36之連接處用該塞止件塞住，便可維持第2槽30內接著劑ad的密封狀態。
本實施形態之控制裝置40具備由電腦或PLC(Programmable Logic Controller；可程式化邏輯控制器)構成之控制裝置本體41、泵42及液位計43。液位計43可應用各種以往公知的液位計(液面計)，例如可使用以導引脈衝(guide pulse)方式為測定原理之KEYENCE公司製導引脈衝式準位感測器「FL-001」。 控制裝置本體41中會被輸入儲留於第1槽20內之接著劑ad利用液位計43測得之液面高度測定值。控制裝置本體41在輸入之液面高度測定值達預先設定之閾值以下時(亦即，第1槽20內之接著劑ad之儲留量達預定值以下時)，會對泵42發送驅動泵42之控制訊號。藉此，泵42會驅動，而儲留在第2槽30內(袋體31內)之接著劑ad便會自第1供給管33之下端，通過第1供給管33、接頭35及第2供給管36被抽吸上來，並從第2供給管36之下端被排出，供給至第1槽20。 經由以上程序，控制裝置40在第1槽20內之接著劑ad之儲留量達預定值以下時，使接著劑ad自第2槽30供給至第1槽20。
作為利用具有以上說明之構成的接著劑塗覆裝置100塗覆之接著劑ad可使用活性能量線硬化型接著劑。亦即，於接著劑塗覆裝置100之第2槽30內調製未硬化之活性能量線硬化型接著劑並儲留。 活性能量線硬化型接著劑可使用以往公知之物。活性能量線硬化型接著劑一般而言包含活性能量線硬化性成分及聚合引發劑，並視需要包含各種添加劑。 活性能量線硬化性成分可大致分類成電子束硬化性、紫外線硬化性及可見光線硬化性。又，活性能量線硬化性成分在硬化之機制的觀點上可大致分類成自由基聚合性化合物與陽離子聚合性化合物。
自由基聚合性化合物可舉具有(甲基)丙烯醯基、乙烯基等碳-碳雙鍵之自由基聚合性官能基的化合物。又，可使用單官能自由基聚合性化合物或二官能以上之多官能自由基聚合性化合物中任一者。又，該等自由基聚合性化合物可單獨使用1種或併用2種以上。自由基聚合性化合物宜為具有(甲基)丙烯醯基之化合物，可舉例如具有(甲基)丙烯醯胺基之(甲基)丙烯醯胺衍生物、具有(甲基)丙烯醯氧基之(甲基)丙烯酸酯等。 使用自由基聚合性化合物作為活性能量線硬化型接著劑時，聚合引發劑係因應活性能量線來適當選擇。在藉由紫外線或可見光線使接著劑硬化時，可使用紫外線開裂或可見光線開裂之聚合引發劑。所述聚合引發劑可舉例如二苯基酮系化合物、芳香族酮化合物、苯乙酮系化合物、芳香族縮酮系化合物、芳香族磺醯氯系化合物、9-氧硫𠮿
Figure 109138266-0000-3
系化合物等。
陽離子聚合性化合物可舉分子內具有1個陽離子聚合性官能基之單官能陽離子聚合性化合物、分子內具有2個以上陽離子聚合性官能基之多官能陽離子聚合性化合物等。陽離子聚合性官能基可舉環氧基、氧雜環丁基、氧雜環丁烷基、乙烯基醚基、螺還原酸酯基等。具有環氧基之陽離子聚合性化合物可舉脂肪族環氧化合物、脂環式環氧化合物、芳香族環氧化合物等。具有氧雜環丁基之陽離子聚合性化合物可舉3-乙-3-羥甲基氧雜環丁烷、1,4-雙[(3-乙-3-氧雜環丁基)甲氧基甲基]苯、3-乙-3-(苯氧甲基)氧雜環丁烷等。具有乙烯基醚基之陽離子聚合性化合物可舉2-羥乙基乙烯基醚、二乙二醇單乙烯基醚、4-羥丁基乙烯基醚等。 使用陽離子聚合性化合物作為活性能量線硬化型接著劑時，係摻混陽離子聚合引發劑。該陽離子聚合引發劑藉由照射可見光線、紫外線、電子束等活性能量線，會產生陽離子種或路易士酸，而與陽離子聚合性化合物之環氧基等開始進行聚合反應。陽離子聚合引發劑可使用光酸產生劑與光鹼產生劑。
本發明中，亦可使用藉由包含380nm~450nm之可見光線的光而硬化之活性能量線硬化型接著劑。此時，宜使用包含自由基聚合性化合物與聚合引發劑之活性能量線硬化型接著劑。 所述活性能量線硬化型接著劑例如揭示於日本專利特開2018-092186號公報中，而本發明之活性能量線硬化型接著劑可使用上述公報所記載之活性能量線硬化型接著劑。本說明書中，為配合書面而省略轉載上述公報之記載，但本說明書係直接將上述公報之接著劑之相關記載納入其中。
又，本發明中，亦可使用含羥基之活性能量線硬化型接著劑作為接著劑ad。所述活性能量線硬化型接著劑例如可使用專利文獻1之段落0152及表1中記載之實施例1之接著劑。本說明書中，為配合書面而省略轉載上述專利文獻1之記載，但本說明書係直接將上述專利文獻1之接著劑之相關記載納入其中。
又，本發明中亦可使用含有SP值為29.0(MJ/m3)1/2以上且32.0(MJ/m3)1/2以下之自由基聚合性化合物、或21.0(MJ/m3)1/2以上且23.0(MJ/m3)1/2以下之自由基聚合性化合物的活性能量線硬化型接著劑作為接著劑ad。所述活性能量線硬化型接著劑例如可使用專利文獻2之段落0015等中記載之含有自由基聚合性化合物(A)或自由基聚合性化合物(C)之活性能量線硬化型接著劑。本說明書中，為配合書面而省略轉載上述專利文獻2之記載，但本說明書係直接將上述專利文獻2之接著劑之相關記載納入其中。
又，本發明中，亦可使用含水之活性能量線硬化型接著劑作為接著劑ad。所述活性能量線硬化型接著劑例如可使用以往公知之活性能量線硬化型接著劑與專利文獻3之表3所記載之實施例16的接著劑(易接著組成物)之組合。本說明書中，為配合書面而省略轉載上述專利文獻3之記載，但本說明書係直接將上述專利文獻3之接著劑之相關記載納入其中。
並且，在本發明中，亦可使用含有有機金屬化合物之活性能量線硬化型接著劑作為接著劑ad，且該有機金屬化合物係選自於由金屬烷氧化物及金屬螯合物所構成群組中之至少1種。所述活性能量線硬化型接著劑例如可使用專利文獻1之段落0152及表1中記載之實施例1之接著劑。
根據以上說明之本實施形態之偏光薄膜F之製造方法，儲留在第1槽20內之接著劑ad被塗覆至偏光件F1及保護薄膜F2上，並在第1槽20內之接著劑ad之儲留量達預定值以下時，接著劑ad會自第2槽30被供給至第1槽20。接著劑ad係被密封儲留於第2槽30中，故不易吸收氣體環境中之水分，溶劑成分也不易揮發。未經塗覆機6供予塗覆之接著劑ad不會返回至第2槽30而是返回至第1槽20，故因第1槽20與塗覆機6之間的循環使用而吸收了氣體環境中之水分的接著劑ad或溶劑成分揮發後之接著劑ad不會混入第2槽30內。因此，接近新品狀態之接著劑ad會從第2槽30被供給至第1槽20，而該接近新品狀態之接著劑ad會在第1槽20與塗覆機6之間重新循環。因第2槽30中之接著劑ad之儲留量大於第1槽20，故可無需交換第2槽30內之接著劑ad便可長期使用直至第2槽30內之接著劑用完為止。 因此，根據本實施形態之偏光薄膜F之製造方法，可在抑制接著劑ad之運行成本且不損及偏光薄膜F之製造效率下，維持偏光薄膜F中之偏光件F1與保護薄膜F2之間良好之接著性。
圖3係顯示以圖2所示折射率計23測得之接著劑ad的折射率變化與自測得之折射率演算出之接著劑ad的水分率變化之一例的圖。此外，圖3中，關於折射率之縱軸(圖3左側之縱軸)係以自初始折射率起算之變化量來表示。 接著劑ad之折射率與水分率係令折射率為X、且令水分率為Y，以Y=aX+b(a、b係因應接著劑ad決定之係數)表示之關係，使用該關係式自測得之折射率演算水分率。 接著劑ad之折射率(圖3中以實線表示)及水分率(圖3中以虛線表示)係在第1槽20與塗覆機6之間開始接著劑ad之循環後至「連續運轉開始時間點」(經過19小時後)為止之期間，於不自塗覆機6塗覆接著劑ad下在第1槽20與塗覆機6之間使接著劑ad循環之狀態下進行測定、演算。又，在經過「連續運轉開始時間點」後，係於一邊在第1槽20與塗覆機6之間使接著劑ad循環一邊自塗覆機6塗覆接著劑ad之狀態下進行測定、演算。圖3中以空白箭頭表示之時間點表示驅動泵42後自第2槽30將接著劑ad供給至第1槽20的時間點。 如圖3所示可知，隨時間經過吸收了氣體環境中之水分，接著劑ad之折射率便降低(水分率上升)了，故在空白箭頭之時間點自第2槽30對第1槽20供給接近新品狀態之接著劑ad，藉此所塗覆之接著劑ad的折射率會上升(水分率會降低)，而可期待良好的接著性。
實施例 以下，說明實施例及比較例，以更詳述本發明。惟，本發明不受下述實施例所限。
[使用材料] ＜活性能量線硬化型接著劑A＞ 將55重量%之1,9-壬二醇二丙烯酸酯、10重量%之羥乙基丙烯醯胺及30重量%之丙烯醯基嗎福林(活性能量線硬化性成分)、3重量%之IRGACURE 907及2重量%之KAYACURE DETX-S(聚合引發劑)混合並攪拌3小時，藉此獲得活性能量線硬化型接著劑A。 該活性能量線硬化型接著劑A在塗覆開始時於25℃下之黏度為20mPa・s。
＜活性能量線硬化型接著劑B＞ 將52重量%之1,9-壬二醇二丙烯酸酯、10重量%之羥乙基丙烯醯胺及30重量%之丙烯醯基嗎福林、3重量份之3-丙烯醯胺苯硼酸(活性能量線硬化性成分)、3重量%之IRGACURE 907及2重量%之KAYACURE DETX-S(聚合引發劑)混合並攪拌3小時，藉此獲得活性能量線硬化型接著劑B。 該活性能量線硬化型接著劑B在塗覆開始時於25℃下之黏度為22mPa・s。
＜活性能量線硬化型接著劑C＞ 將53重量%之1,9-壬二醇二丙烯酸酯、10重量%之羥乙基丙烯醯胺及30重量%之丙烯醯基嗎福林、1重量份之3-丙烯醯胺苯硼酸(活性能量線硬化性成分)、1重量份之ORGATIX TA-30：鈦酸四辛酯、3重量%之IRGACURE 907及2重量%之KAYACURE DETX-S(聚合引發劑)混合並攪拌3小時，藉此獲得活性能量線硬化型接著劑C。 該活性能量線硬化型接著劑C在塗覆開始時於25℃下之黏度為20mPa・s。
＜活性能量線硬化型接著劑D＞ 將62重量%之甘油三丙烯酸酯、10重量%之丙烯酸4-羥丁酯、20重量%之3-乙-3-{[(3-乙基氧雜環丁烷-3-基)甲氧基]甲基}氧雜環丁烷、3重量%之IRGACURE 907及2重量%之KAYACURE DETX-S(聚合引發劑)、3重量%之CPI-100P(光酸產生劑)混合並攪拌3小時，藉此獲得活性能量線硬化型接著劑D。 該活性能量線硬化型接著劑D在塗覆開始時於25℃下之黏度為35mPa・s。 此外，活性能量線硬化型接著劑A~D在塗覆開始時於25℃下之黏度係使用E型黏度計進行測定。
＜偏光件X＞ 使用具備圖1所示之釋出滾筒1、處理槽2及烘箱3之以往的偏光件製造裝置，將平均聚合度2400、皂化度99.9莫耳%之厚度45μm的聚乙烯醇薄膜浸漬在30℃溫水中60秒鐘使其膨潤。接著，浸漬於碘/碘化鉀(重量比=0.5/8)濃度0.3%之水溶液中，一邊使其延伸至3.5倍一邊將薄膜染色。其後，在65℃之硼酸酯水溶液中進行延伸以使總延伸倍率達6倍。延伸後，以40℃的烤箱使其乾燥3分鐘，而獲得長條帶狀聚乙烯醇系偏光件(厚度18μm)X。 此外，對偏光件X施行易接著處理時，係使用專利文獻3之表3中記載之實施例16的易接著組成物。
＜保護薄膜Y、Z＞ 作為貼合在偏光件X之一單面的保護薄膜Y係使用厚度52µm之環狀聚烯烴薄膜(日本ZEON(股)製)，並對與偏光件X之貼合面施行電暈處理等乾式處理。 而作為貼合在偏光件X之另一單面的保護薄膜Z係使用厚度60µm的三醋酸纖維素薄膜(富士軟片(股)製)。
[實施例1] 使用活性能量線硬化型接著劑A貼合偏光件X與保護薄膜Y、Z，並使接著劑A硬化來製作偏光薄膜。對於偏光件X未施行易接著處理。然後，對使用初始接著劑A(相當於圖3之「連續運轉開始時間點」的接著劑)製出之偏光薄膜進行90度剝離試驗，測定偏光件X與保護薄膜Y之間的剝離力、及偏光件X與保護薄膜Z之間的剝離力。並對使用連續運轉32小時後的接著劑A製出之偏光薄膜進行90度剝離試驗，測定偏光件X與保護薄膜Y之間的剝離力、及偏光件X與保護薄膜Z之間的剝離力。
[實施例2] 除了使用活性能量線硬化型接著劑B外，依與實施例1相同方式製作偏光薄膜，並測定剝離力。
[實施例3] 除了使用活性能量線硬化型接著劑C外，依與實施例1相同方式製作偏光薄膜，並測定剝離力。
[實施例4] 除了使用活性能量線硬化型接著劑D並對偏光件X施行易接著處理外，依與實施例1相同方式製作偏光薄膜，並測定剝離力。
[比較例1] 不使第2槽30密封來儲留接著劑，且不使未經塗覆機6供予塗覆之接著劑返回至第1槽20而是返回至第2槽30(即，在第2槽30、第1槽20及塗覆機6之間循環使用接著劑)，除此之外依與實施例1相同方式製作偏光薄膜，並測定剝離力。
[比較例2] 不使第2槽30密封來儲留接著劑，且不使未經塗覆機6供予塗覆之接著劑返回至第1槽20而是返回至第2槽30(即，在第2槽30、第1槽20及塗覆機6之間循環使用接著劑)，除此之外依與實施例2相同方式製作偏光薄膜，並測定剝離力。
[比較例3] 不使第2槽30密封來儲留接著劑，且不使未經塗覆機6供予塗覆之接著劑返回至第1槽20而是返回至第2槽30(即，在第2槽30、第1槽20及塗覆機6之間循環使用接著劑)，除此之外依與實施例3相同方式製作偏光薄膜，並測定剝離力。
[比較例4] 不使第2槽30密封來儲留接著劑，且不使未經塗覆機6供予塗覆之接著劑返回至第1槽20而是返回至第2槽30(即，在第2槽30、第1槽20及塗覆機6之間循環使用接著劑)，除此之外依與實施例4相同方式製作偏光薄膜，並測定剝離力。
[評估測定結果] 圖4係顯示實施例1~4及比較例1~4中所得剝離力之測定結果。 另，剝離力之測定(90度剝離試驗)係裁切長條帶狀偏光薄膜的前端部(初始製造之部分)與後端部(運轉約32小時後製造之部分)，分別製作出試驗片並針對各試驗片來進行。圖4所示「初始X-Y間90度剝離試驗」及「初始X-Z間90度剝離試驗」欄位所示剝離力意指針對裁切偏光薄膜之前端部所得試驗片測定所得之剝離力。圖4所示「連續運轉32小時後X-Y間90度剝離試驗」及「連續運轉32小時後X-Z間90度剝離試驗」欄位所示剝離力意指針對裁切偏光薄膜之後端部所得試驗片測定所得之剝離力。
具體而言，係將上述試驗片裁切成在與偏光件之延伸方向平行的方向上200mm且在與正交方向上15mm的大小，並將該試驗片貼合於玻璃板上。要測定偏光件X與保護薄膜Y之間的剝離力時，在試驗片之偏光件X與保護薄膜Y之間用美工刀劃下切痕後，用萬能試驗機於剝離速度500mm/分鐘下往90°方向剝離偏光件X與保護薄膜Y，並測定其剝離力。要測定偏光件X與保護薄膜Z之間的剝離力時，在試驗片之偏光件X與保護薄膜Z之間用美工刀劃下切痕後，用萬能試驗機於剝離速度500mm/分鐘下往90°方向剝離偏光件X與保護薄膜Z，並測定其剝離力。
如圖4所示，根據實施例1~4，不僅用初始接著劑製作出之偏光薄膜，使用連續運轉32小時後之接著劑製作出之偏光薄膜亦獲得足夠大的剝離力，而有維持偏光件與保護薄膜之間良好之接著性。 相對於此，根據比較例1~4，以使用初始接著劑製作出之偏光薄膜來說雖可獲得偏光件與保護薄膜之間良好之接著性，但關於使用連續運轉32小時後之接著劑製作出的偏光薄膜，其剝離力變小，而偏光件與保護薄膜之間的接著性降低。
ad:活性能量線硬化型接著劑 F0:原板薄膜 F1:偏光件(第1光學薄膜) F2:保護薄膜(第2光學薄膜) F3:表面保護薄膜 F:偏光薄膜(光學積層體) 1,5,10:釋出滾筒 2:處理槽 3,9:烘箱 6:塗覆機 7,11:貼合滾筒 8:活性能量線照射裝置 12:捲取滾筒 20:第1槽 21:供給管 22,42:泵 23:折射率計 24:排出管 30:第2槽 31:袋體 32:緊束帶 33:第1供給管 34:砝碼 35:接頭 36:第2供給管 37:蓋體 40:控制裝置 41:控制裝置本體 43:液位計 100:接著劑塗覆裝置
圖1係示意顯示應用本發明一實施形態之光學積層體(偏光薄膜)之製造方法的光學積層體(偏光薄膜)之製造裝置的概略構成例的圖。 圖2係示意顯示圖1所示接著劑塗覆裝置100之具體構成例的圖。 圖3係顯示以圖2所示折射率計23測得之接著劑的折射率變化與自測得之折射率演算出之接著劑的水分率變化之一例的圖。 圖4係顯示實施例1~4及比較例1~4中所得剝離力之測定結果。
(無)

Claims (11)

  1. 一種光學積層體之製造方法，包含以下步驟： 接著劑塗覆步驟，係藉由接著劑塗覆裝置將活性能量線硬化型接著劑塗覆於第1光學薄膜及第2光學薄膜中之至少一者上；及 光學積層體製作步驟，係透過前述接著劑貼合前述第1光學薄膜與前述第2光學薄膜，並對前述接著劑照射活性能量線使前述接著劑硬化，藉此製作光學積層體； 其中前述接著劑塗覆裝置具備： 塗覆機，係用以塗覆前述接著劑者； 第1槽，係儲留前述接著劑並將前述接著劑供給至前述塗覆機者；及 第2槽，係密封儲留前述接著劑，並將前述接著劑供給至前述第1槽者，且第2槽之前述接著劑之儲留量大於前述第1槽； 前述接著劑塗覆步驟中，使前述接著劑循環於前述第1槽與前述塗覆機之間的同時，在前述第1槽內之前述接著劑之儲留量達預定值以下時，自前述第2槽對前述第1槽供給前述接著劑。
  2. 如請求項1之光學積層體之製造方法，其中前述接著劑塗覆步驟中，前述接著劑在塗覆開始時於25℃下之黏度為1mPa・s~100mPa・s。
  3. 如請求項1之光學積層體之製造方法，其中前述接著劑塗覆步驟中，前述接著劑之塗覆厚度為0.1µm~5µm。
  4. 如請求項1之光學積層體之製造方法，其中前述接著劑含有羥基。
  5. 如請求項1之光學積層體之製造方法，其中前述接著劑含有：SP值為29.0(MJ/m3 )1/2 以上且32.0(MJ/m3 )1/2 以下之自由基聚合性化合物、或21.0(MJ/m3 )1/2 以上且23.0(MJ/m3 )1/2 以下之自由基聚合性化合物。
  6. 如請求項1之光學積層體之製造方法，其中前述接著劑含有水。
  7. 如請求項1之光學積層體之製造方法，其中前述接著劑含有有機金屬化合物，且該有機金屬化合物係選自於由金屬烷氧化物及金屬螯合物所構成群組中之至少1種。
  8. 如請求項1之光學積層體之製造方法，其中前述接著劑含有陽離子聚合性官能基。
  9. 如請求項1之光學積層體之製造方法，其中前述第1光學薄膜係偏光件，前述第2光學薄膜係保護薄膜，且前述光學積層體係偏光薄膜。
  10. 一種接著劑塗覆裝置，係將活性能量線硬化型接著劑塗覆於第1光學薄膜及第2光學薄膜中之至少一者上者，且該接著劑塗覆裝置具備： 塗覆機，係用以塗覆前述接著劑者； 第1槽，係儲留前述接著劑，並一邊使前述接著劑在其與前述塗覆機之間循環一邊對前述塗覆機供給前述接著劑者； 第2槽，係密封儲留前述接著劑，並將前述接著劑供給至前述第1槽者，且第2槽之前述接著劑之儲留量大於前述第1槽；及 控制裝置，係在前述第1槽內之前述接著劑之儲留量達預定值以下時，使前述接著劑自前述第2槽供給至前述第1槽者。
  11. 一種光學積層體之製造裝置，具備如請求項10之接著劑塗覆裝置與活性能量線照射裝置，該活性能量線照射裝置係對透過前述接著劑而貼合之前述第1光學薄膜及前述第2光學薄膜間的前述接著劑照射活性能量線使其硬化者。
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