TW202124584A - 熱傳導性聚矽氧組成物及其製造方法，以及半導體裝置 - Google Patents

熱傳導性聚矽氧組成物及其製造方法，以及半導體裝置 Download PDF

Info

Publication number
TW202124584A
TW202124584A TW109132012A TW109132012A TW202124584A TW 202124584 A TW202124584 A TW 202124584A TW 109132012 A TW109132012 A TW 109132012A TW 109132012 A TW109132012 A TW 109132012A TW 202124584 A TW202124584 A TW 202124584A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
thermally conductive
component
conductive silicone
silicone composition
mass
Prior art date
Application number
TW109132012A
Other languages
English (en)
Inventor
山口貴大
Original Assignee
日商信越化學工業股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商信越化學工業股份有限公司 filed Critical 日商信越化學工業股份有限公司
Publication of TW202124584A publication Critical patent/TW202124584A/zh

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L83/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L83/04—Polysiloxanes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K5/00—Heat-transfer, heat-exchange or heat-storage materials, e.g. refrigerants; Materials for the production of heat or cold by chemical reactions other than by combustion
    • C09K5/08—Materials not undergoing a change of physical state when used
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/18—Oxygen-containing compounds, e.g. metal carbonyls
    • C08K3/20—Oxides; Hydroxides
    • C08K3/22—Oxides; Hydroxides of metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L83/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L83/04—Polysiloxanes
    • C08L83/06—Polysiloxanes containing silicon bound to oxygen-containing groups
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K5/00—Heat-transfer, heat-exchange or heat-storage materials, e.g. refrigerants; Materials for the production of heat or cold by chemical reactions other than by combustion
    • C09K5/08—Materials not undergoing a change of physical state when used
    • C09K5/14—Solid materials, e.g. powdery or granular
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3735—Laminates or multilayers, e.g. direct bond copper ceramic substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3737—Organic materials with or without a thermoconductive filler
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04—Polysiloxanes
    • C08G77/14—Polysiloxanes containing silicon bound to oxygen-containing groups
    • C08G77/16—Polysiloxanes containing silicon bound to oxygen-containing groups to hydroxyl groups
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04—Polysiloxanes
    • C08G77/14—Polysiloxanes containing silicon bound to oxygen-containing groups
    • C08G77/18—Polysiloxanes containing silicon bound to oxygen-containing groups to alkoxy or aryloxy groups
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/18—Oxygen-containing compounds, e.g. metal carbonyls
    • C08K3/20—Oxides; Hydroxides
    • C08K3/22—Oxides; Hydroxides of metals
    • C08K2003/2296—Oxides; Hydroxides of metals of zinc
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K2201/00—Specific properties of additives
    • C08K2201/001—Conductive additives
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K2201/00—Specific properties of additives
    • C08K2201/002—Physical properties
    • C08K2201/003—Additives being defined by their diameter
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K2201/00—Specific properties of additives
    • C08K2201/002—Physical properties
    • C08K2201/005—Additives being defined by their particle size in general
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L2205/00—Polymer mixtures characterised by other features
    • C08L2205/14—Polymer mixtures characterised by other features containing polymeric additives characterised by shape
    • C08L2205/18—Spheres
    • C08L2205/20—Hollow spheres
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Combustion & Propulsion (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)

Abstract

一種熱傳導性聚矽氧組成物，其含有 (A)分子鏈兩末端經羥基封端之二有機聚矽氧烷：100質量份， (B)1分子中具有至少1個水解性矽烷基之特定構造之有機聚矽氧烷：150~600質量份， (C)交聯劑成分：0.1~100質量份， (D)平均粒徑為0.1μm以上2μm以下，且於雷射繞射型粒度分佈之粒徑10μm以上之粗粉含有比例為(D)成分全體之1體積%以下之氧化鋅粒子：1,500~6,500質量份，及 (E)黏著促進劑：0.01~30質量份， 且(D)成分之含量相對於組成物全體為45~70體積%，該熱傳導性聚矽氧組成物具有較過去更高的熱傳導率，且可壓縮至厚度10μm以下，更同時具備高耐久性。

Description

熱傳導性聚矽氧組成物及其製造方法，以及半導體裝置
本發明有關熱傳導性聚矽氧組成物。詳言之，有關有效地冷卻電子零件之熱傳導性聚矽氧組成物及其製造方法，以及半導體裝置。
電子零件於使用中之發熱及因此使性能降低已廣為所知，作為為了解決其之手段，已使用各種散熱技術。一般係於發熱部附近配置冷卻構件(散熱材等)，藉由使兩者接觸而自冷卻構件有效除熱藉此進行散熱。此時，若於發熱構件與冷卻構件之間具有間隙，則因介存有熱傳導性差的空氣而使熱阻抗增大，使發熱構件之溫度未能充分降低。為了防止此等現象，而使用熱傳導率良好，具有對構件表面之追隨性之散熱材料，例如液狀散熱材料或散熱薄片。尤其亦有根據裝置而定而有間隙為10μm以下之非常窄的情況，而使用可壓縮至10μm以下之液狀散熱材料(日本專利第2938428號公報、日本專利第2938429號公報、日本專利第3580366號公報、日本專利第3952184號公報、日本專利第4572243號公報、日本專利第4656340號公報、日本專利第4913874號公報、日本專利第4917380號公報、日本專利第4933094號公報、日本特開2008-260798號公報、日本特開2009-209165號公報、日本特開2012-102283號公報、日本特開2012-96361號公報(專利文獻1~13))。
且多數情況必須於發熱部與冷卻構件之間確保電絕緣狀態，而對熱傳導性材料要求絕緣性。該情況，無法使用鋁或銅、銀等之金屬粒子作為熱傳導性填充劑，而大多多使用氫氧化鋁、氧化鋁(alumina)等之絕緣性熱傳導性填充劑。氫氧化鋁或氧化鋁由於其自身之熱傳導率低，故而若欲使用其獲得具有高熱傳導性之熱傳導性材料則必須大量填充。其結果，熱傳導性材料之黏度變得非常高而難以塗佈，無法充分壓縮，或產生熱傳導距離變厚等之問題(日本特開2017-226724號公報、日本特開2017-210518號公報(專利文獻14、15))。
再者，由於發熱部與冷卻構件重複發熱/冷卻，故已知構件重複熱收縮。藉此，促進熱傳導性聚矽氧組成物之油成分與熱傳導性填充劑之分離。且，引起熱傳導性聚矽氧組成物自發熱部與冷卻構件之間擠出之泵出之現象。其結果，無法使熱阻抗上升使發熱部有效地冷卻。為了防止此等現象，提案有添加增黏劑而提高熱傳導性聚矽氧組成物之黏度的方法。然而，有黏度變得非常高而塗佈困難之問題(日本特開2004-91743號公報(專利文獻16))。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利第2938428號公報 [專利文獻2]日本專利第2938429號公報 [專利文獻3]日本專利第3580366號公報 [專利文獻4]日本專利第3952184號公報 [專利文獻5]日本專利第4572243號公報 [專利文獻6]日本專利第4656340號公報 [專利文獻7]日本專利第4913874號公報 [專利文獻8]日本專利第4917380號公報 [專利文獻9]日本專利第4933094號公報 [專利文獻10]日本特開2008-260798號公報 [專利文獻11]日本特開2009-209165號公報 [專利文獻12]日本特開2012-102283號公報 [專利文獻13]日本特開2012-96361號公報 [專利文獻14]日本特開2017-226724號公報 [專利文獻15]日本特開2017-210518號公報 [專利文獻16]日本特開2004-91743號公報
[發明欲解決之課題]
如上述，要求開發兼具高的熱傳導率與壓縮至厚10μm以下之壓縮性、具有高耐久性(功率循環耐性、耐泵出性)之熱傳導性聚矽氧組成物。 本發明係鑑於上述情況而完成者，目的在於提供與以往之熱傳導性聚矽氧組成物相比，具有高的熱傳導率、且可壓縮至厚度10μm以下，更同時具備高耐久性之熱傳導性聚矽氧組成物及其製造方法，以及半導體裝置。 [用以解決課題之手段]
本發明人等針對上述課題重複基及檢討之結果，發現如下之熱傳導性聚矽氧組成物，與以往之聚矽氧組成物相比，係具有高的熱傳導率、且壓縮至厚度10μm以下之壓縮性良好者，更同時可展現高耐久性(功率循環耐性、耐泵出性)，因而完成本發明，上述熱傳導性聚矽氧組成物含有具有羥基之有機聚矽氧烷、1分子中具有至少1個水解性矽烷基之特定構造之有機聚矽氧烷、1分子中具有1個選自碳數1~4之烷基、碳數2~4之烯基及碳數6~8之芳基所成之群之非取代1價烴基且具有3個水解性基之水解性有機矽烷化合物及/或其部分水解縮合物、及具有特定範圍之平均粒徑且粒徑10μm以上之粗粉含有比例在特定範圍之氧化鋅。
本發明為了達成上述目的，提供下述之熱傳導性聚矽氧組成物及其製造方法，以及半導體裝置。 1. 一種熱傳導性聚矽氧組成物，其含有下述(A)~(E)成分： (A)以下述通式(1)表示之有機聚矽氧烷：100質量份，
Figure 02_image001
(通式(1)中，R為碳數1~20之非取代或取代之1價烴基，複數個R可相同，亦可相異，n為10以上之整數)， (B)以下述通式(2)表示且於1分子中具有至少1個水解性矽烷基之有機聚矽氧烷：150~600質量份
Figure 02_image003
(通式(2)中，R1 獨立為非取代或取代之1價烴基，X1 及X3 獨立為R1 或以-R2 -SiR3 g (OR4 )3-g 表示之基，X2 為以-R2 -SiR3 g (OR4 )3-g 表示之基，且於分子中具有至少1個-R2 -SiR3 g (OR4 )3-g ，R2 為氧原子或碳數1~4之伸烷基，R3 獨立為不含脂肪族不飽和鍵之非取代或取代之1價烴基，R4 獨立為碳數1~4之烷基，或碳數2~4之烷氧基烷基、烯基或醯基，g為0~2之整數，a及b分別為1≦a≦1,000，0≦b≦1,000(但，X1 及X3 任一者為R1 之情況，b為1≦b≦1,000)，各重複單位可無規鍵結)， (C)1分子中具有1個選自碳數1~4之烷基、碳數2~4之烯基及碳數6~8之芳基所成之群之非取代1價烴基，且具有3個水解性基之水解性有機矽烷化合物及/或其部分水解縮合物的交聯劑成分：0.1~100質量份， (D)平均粒徑為0.1μm以上2μm以下，且於雷射繞射型粒度分佈之粒徑10μm以上之粗粉之含有比例為(D)成分全體之1體積%以下之氧化鋅粒子：1,500~6,500質量份，及 (E)除(C)成分以外之黏著促進劑：0.01~30質量份， (D)成分之含量相對於組成物全體為45~70體積%，且藉熱盤(Hot Disk)法於25℃之熱傳導率為1.3W/mK以上，且可壓縮至厚度10μm以下。 2. 如1之熱傳導性聚矽氧組成物，其中(B)成分之含量相對於組成物全體為20~40體積%。 3. 如1或2之熱傳導性聚矽氧組成物，其中相對於(A)成分100質量份，進而含有(F)反應觸媒：0.01~20質量份。 4. 如1至3中任一項之熱傳導性聚矽氧組成物，其中相對於(A)成分100質量份，進而含有(D)成分以外之(G)填充劑：1~1,000質量份。 5. 如1至4中任一項之熱傳導性聚矽氧組成物，其中藉雷射閃光法測定之於25℃之熱阻抗為5mm2 ‧K/W以下。 6. 如1至5中任一項之熱傳導性聚矽氧組成物，其中以螺旋黏度計測定之於25℃、剪力速度6s-1 之絕對黏度為3~600Pa‧s。 7. 如1至6中任一項之熱傳導性聚矽氧組成物，其係可抑制熱循環實驗後之滑動性者。 8. 如1至7中任一項之熱傳導性聚矽氧組成物，其中前述(D)成分為經(B)成分表面處理而成。 9. 一種熱傳導性聚矽氧組成物之製造方法，其係如1至8中任一項之熱傳導性聚矽氧組成物之製造方法，且具有混合前述(A)、(B)、(C)、(D)及(E)成分之步驟。 10. 一種熱傳導性聚矽氧組成物之製造方法，其係如1至8中任一項之熱傳導性聚矽氧組成物之製造方法，其特徵係包含將前述(B)成分、或前述(A)及(B)成分與前述(D)成分一起於100℃以上之溫度混合30分鐘以上之步驟，及於其中至少混合(C)及(E)成分之步驟。 11. 一種半導體裝置，其特徵係於發熱體與冷卻體之間形成之厚度10μm以下之間隙，層狀填充如1至8中任一項之熱傳導性聚矽氧組成物，以該組成物層將前述發熱體與冷卻體熱隔開。 12. 如11之半導體裝置，其中前述發熱體為絕緣閘雙極電晶體。 [發明效果]
依據本發明，提供具有比以往之熱傳導性聚矽氧組成物更高的熱傳導率且壓縮至厚10μm以下之壓縮性良好、亦兼具有高耐久性(功率循環耐性、耐泵出性)之熱傳導性聚矽氧組成物。 又，本發明中，所謂『壓縮至厚10μm以下之壓縮性』意指於2片基材之間以特定厚度夾入熱傳導性聚矽氧組成物，以特定壓力加壓・壓縮之際所得之2片基材間填充之該熱傳導性聚矽氧組成物之最少厚度為10μm以下。
如上述，要求開發具有高的熱傳導率，且壓縮至厚10μm以下之壓縮性良好的聚矽氧組成物。
亦即，本發明係一種熱傳導性聚矽氧組成物，其含有： (A)以下述通式(1)表示之有機聚矽氧烷：100質量份，
Figure 02_image005
(通式(1)中，R為碳數1~20之非取代或取代之1價烴基，複數個R可相同，亦可相異，n為10以上之整數)， (B)以下述通式(2)表示且於1分子中具有至少1個水解性矽烷基之有機聚矽氧烷：150~600質量份
Figure 02_image007
(通式(2)中，R1 獨立為非取代或取代之1價烴基，X1 及X3 獨立為R1 或以-R2 -SiR3 g (OR4 )3-g 表示之基，X2 為以-R2 -SiR3 g (OR4 )3-g 表示之基，且於分子中具有至少1個-R2 -SiR3 g (OR4 )3-g 。R2 為氧原子或碳數1~4之伸烷基，R3 獨立為不含脂肪族不飽和鍵之非取代或取代之1價烴基，R4 獨立為碳數1~4之烷基，或碳數2~4之烷氧基烷基、烯基或醯基，g為0~2之整數。a及b分別為1≦a≦1,000，0≦b≦1,000(但，X1 及X3 任一者為R1 之情況，b為1≦b≦1,000)，各重複單位可無規鍵結)， (C)1分子中具有1個選自碳數1~4之烷基、碳數2~4之烯基及碳數6~8之芳基所成之群之非取代1價烴基，且具有3個水解性基之水解性有機矽烷化合物及/或其部分水解縮合物的交聯劑成分：0.1~100質量份， (D)平均粒徑為0.1μm以上2μm以下，且於雷射繞射型粒度分佈之粒徑10μm以上之粗粉之含有比例為(D)成分全體之1體積%以下之氧化鋅粒子：1,500~6,500質量份，及 (E)除(C)成分以外之黏著促進劑：0.01~30質量份， 進而亦可任意含有 (F)反應觸媒成分：0.01~20質量份， (G)(D)以外之填充劑成分：1~1,000質量份， (D)成分之含量相對於組成物全體為45~70體積%，且藉熱盤法於25℃之熱傳導率為1.3W/mK以上，且可壓縮至厚度10μm以下。
以下針對本發明詳細說明。 -(A)成分：有機聚矽氧烷- (A)成分係以下述通式(1)表示之有機聚矽氧烷。該有機聚矽氧烷係分子鏈之兩末端經鍵結於矽原子之羥基、即以矽烷醇基或二有機羥基矽氧基封端之構造。該構造之直鏈狀有機聚矽氧烷於本發明之組成物中係作為主劑(構成有機聚矽氧烷交聯構造之主鏈的基礎聚合物)發揮作用者。
Figure 02_image009
(通式(1)中，R為碳數1~20之非取代或取代之1價烴基，複數個R可相同，亦可相異，n為10以上之整數)，
上述式(1)中，R之非取代或取代之1價烴基之碳數為1~20，較佳為1~10，更佳為1~8。
作為R之非取代之1價烴基具體舉例為甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第三丁基、戊基、新戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基、十一烷基、十二烷基、十三烷基、十四烷基、十五烷基、十六烷基、十七烷基、十八烷基、十九烷基、二十烷基等之烷基；環戊基、環己基等之環烷基；乙烯基、烯丙基、丙烯基、異丙烯基、丁烯基、戊烯基、己烯基等之烯基；苯基、甲苯基、二甲苯基、α-、β-萘基等之芳基；苄基、2-苯基乙基、3-苯基丙基等之芳烷基。又，作為R之經取代1價烴基舉例為非取代之1價烴基之氫原子的一部分或全部經氟、氯、溴等之鹵原子或氰基等取代之基。作為此等基可例示3-氯丙基、3,3,3-三氟丙基、2-氰基乙基等。作為R係該等非取代或取代之1價烴基中，較佳為甲基、乙基、苯基，基於取得容易性、生產性、成本方面，特佳為甲基、苯基。
又，(A)成分之有機聚矽氧烷於25℃之黏度較佳為10~1,000,000mPa・s者，更佳為50~500,000mPa・s者，特佳為100~200,000mPa・s者，又更佳為500~ 100,000 mPa・s者。25℃下之前述有機聚矽氧烷之黏度若為10mPa・s以上，則由於可容易獲得物理性・機械性優異之塗覆塗膜故而較佳。若為1,000,000mPa・s以下，則組成物之黏度不會過高而使用時之作業性良好故而較佳。本說明書中說明之黏度係構成組成物之各成分黏度(絕對黏度)，只要未特別明示，則為使用任一旋轉黏度計測定之數值(實施例中亦相同)。作為旋轉黏度計，舉例為例如BL型、BH型、BS型、錐板型等者。又，如後述測定熱傳導性聚矽氧組成物之絕對黏度之方法與各成分之黏度測定方法不同，係藉由螺旋黏度計(共軸雙圓筒旋轉式黏度計)以一定剪力速度6s-1 測定之值。
上述通式(1)中之n值係分子中存在之2官能性二有機聚矽氧烷單位之數或聚合度。(A)成分之有機聚矽氧烷取得上述之較佳範圍內之黏度之態樣，係通式(1)中以n表示之2官能性二有機矽氧烷之單位數或聚合度為10~2,000之整數，較佳為50~1,800，更佳為100~1,700，又更佳為200~1,600。又，本說明書所說明之聚合度(或分子量)係以甲苯等作為展開溶劑，於凝膠滲透層析(GPC)分析中之聚苯乙烯換算之數平均聚合度(或數平均分子量)等而求出者。(A)成分之有機聚矽氧烷可使用1種或併用2種以上。
-(B)成分：有機聚矽氧烷- (B)成分係以下述通式(2)表示且每1分子於分子鏈末端及/或側鏈(非末端)具有至少1個烷氧基矽烷基之水解性矽烷基之水解性有機聚矽氧烷。(B)成分係作為後述之(D)成分的氧化鋅粒子(熱傳導性填充劑)之表面處理劑(分散劑或濕潤劑)發揮作用。因此，(B)成分與(D)成分之氧化鋅粒子之相互作用增強之結果，(D)成分之氧化鋅粒子即使於熱傳導性聚矽氧組成物中大量填充，熱傳導性聚矽氧組成物亦可確保流動性，同時可抑制經時之起因於油分離或泵出之散熱性能降低。
Figure 02_image011
(通式(2)中，R1 獨立為非取代或取代之1價烴基，X1 及X3 獨立為R1 或以-R2 -SiR3 g (OR4 )3-g 表示之基，X2 為以-R2 -SiR3 g (OR4 )3-g 表示之基，且於分子中具有至少1個-R2 -SiR3 g (OR4 )3-g 。R2 為氧原子或碳數1~4之伸烷基，R3 獨立為不含脂肪族不飽和鍵之非取代或取代之1價烴基，R4 獨立為碳數1~4之烷基，或碳數2~4之烷氧基烷基、烯基或醯基，g為0~2之整數。a及b分別為1≦a≦1,000，0≦b≦1,000(但，X1 及X3 任一者為R1 之情況，b為1≦b≦1,000)，各重複單位可無規鍵結)，
上述式(2)中，R1 獨立為非取代或取代之較佳碳數1~10，更佳1~6，又更佳1~3之1價烴基，作為其例，舉例為直鏈狀烷基、分支鏈狀烷基、環狀烷基、烯基、芳基、芳烷基、鹵化烷基等。作為直鏈狀烷基舉例為例如甲基、乙基、丙基、己基、辛基。作為分支鏈狀烷基舉例為例如異丙基、異丁基、第三丁基、2-乙基己基。作為環狀烷基舉例為例如環戊基、環己基。作為烯基舉例為例如乙烯基、烯丙基。作為芳基舉例為例如苯基、甲苯基。作為芳烷基舉例為例如2-苯基乙基、2-甲基-2-苯基乙基。作為鹵化烷基舉例為例如3,3,3-三氟丙基、2-(九氟丁基)乙基、2-(十七氟辛基)乙基。作為R1 ，較佳為甲基、苯基、乙烯基。
作為R2 之碳數1~4之伸烷基舉例為例如亞甲基、伸乙基、伸丙基、伸丁基等。R3 獨立為不含脂肪族不飽和鍵之較佳碳數1~10，更佳碳數1~6，又更佳碳數1~3之非取代或取代之1價烴基。舉例為例如甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、第三丁基、戊基、新戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基等之烷基，環戊基、環己基、環庚基等之環烷基，苯基、甲苯基、二甲苯基、萘基等之芳基，苄基、苯乙基、苯丙基、甲基苄基等之芳烷基，以及該等之基的碳原子所鍵結之氫原子之一部分或全部經氟、氯、溴等之鹵原子、氰基等取代之基等。
上述R4 獨立為碳數1~4之烷基，或碳數2~4之烷氧基烷基、烯基或醯基。作為上述R4 之烷基舉例為例如與R1 所例示者相同者之碳數1~4之烷基。作為烷氧基烷基舉例為例如碳數2~4之甲氧基乙基、甲氧基丙基等。作為烯基舉例為例如與R1 所例示者相同者之碳數2~4之烯基。作為上述R4 之醯基舉例為例如碳數2~4之乙醯基、丙醯氧基等。R4 較佳為烷基，特佳為甲基、乙基。
通式(2)中，X1 及X3 獨立為R1 或以-R2 -SiR3 g (OR4 )3-g 表示之基，但較佳為X1 及X3 中，任一者為R1 ，另一者為以-R2 -SiR3 g (OR4 )3-g 表示之基(即(B)成分之水解性有機聚矽氧烷係於分子鏈之單末端具有水解性矽烷基者)。
a、b如上述，較佳為10≦a≦1,000，0≦b≦100，更佳為10≦a≦300，0≦b≦30，又更佳為12≦a≦100，0≦b≦10，最佳為14≦a≦50，b=0。且，較佳a+b為10~1,000，更佳為10~300，又更佳為12~ 100，最佳為14~50。g為0~2之整數，較佳為0。又，分子中OR4 基為1~6個，特佳係具有3或6個。又括弧內所示之各矽氧烷單位可無規鍵結。且(B)成分之水解性有機聚矽氧烷係於分子鏈末端及/或側鏈(非末端)具有烷氧基矽烷基之水解性矽烷基者，但較佳為至少於分子鏈末端(兩末端或單末端)具有水解性矽烷基者，特佳僅於分子鏈單末端具有水解性矽烷基者。
作為(B)成分之較佳具體例可舉例下述者。
Figure 02_image013
(B)成分係本發明之熱傳導性聚矽氧組成物中之聚矽氧基質之主成分(即組成物全體中含有之有機聚矽氧烷成分中含量最多之成分)，其含量相對於(A)成分100質量份，為150~600質量份，較佳為160~500質量份。又，(B)成分之含量相對於熱傳導性聚矽氧組成物全體較佳為20~40體積%，更佳為25~35體積%。藉由含有該範圍之(B)成分，可保有良好壓縮性，且可防止起因於油分離或泵出之熱阻抗之惡化。
(B)成分相對於熱傳導性聚矽氧組成物全體之含量(體積%)，係該組成物中所佔之體積比例，由(B)成分之調配量(質量)與密度求出(B)成分之體積，算出由全部成分之各調配量(質量)與密度求出之熱傳導性聚矽氧組成物全體之體積總和，藉由{(B)成分之體積}/{熱傳導性聚矽氧組成物全體之體積總和}×100(%)，可求出(B)成分相對於熱傳導性聚矽氧組成物全體之含量(體積%)。 且，(B)成分可單獨使用1種或組合調配2種以上。
-(C)成分：交聯劑成分- (C)成分係1分子中具有1個選自碳數1~4之烷基、碳數2~4之烯基及碳數6~8之芳基所成之群之非取代1價烴基，且具有3個水解性基(即3官能性)之(B)成分以外之水解性有機矽烷化合物及/或其部分水解縮合物(該有機矽烷化合物經部分水解・縮合而生成之分子中具有3個以上殘存水解性基之有機矽氧烷寡聚物)，作為該水解性有機矽烷化合物係以式：Y-SiX3 表示， (上述式中，Y為選自碳數1~4之烷基、碳數2~4之烯基及碳數6~8之芳基所成之群之任1者之非取代1價烴基，X係水解性基)。
此處，上述式Y-SiX3 中之非取代1價烴基；作為Y舉例為甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、第二丁基、第三丁基等之探數1~4之烷基，乙烯基、烯丙基、丙烯基、異丙烯基、丁烯基、異丁烯基等之碳數2~4之烯基，苯基、甲苯基、二甲苯基、乙基苯基等之碳數6~8之芳基，但作為碳數1~4之烷基較佳為甲基、乙基，作為碳數2~4之烯基較佳為乙烯基、烯丙基，作為碳數6~8之芳基較佳為苯基、甲苯基，尤其更佳為甲基、乙烯基、苯基。
(C)成分係作為交聯劑(鏈延長劑)使用。又成為(C)成分之上述縮合物中不存在胺基。又亦可根據需要與(C)成分之上述3官能性水解性有機矽烷及/或其部分水解縮合物一起含有水解性為2個者(Y2 -SiX2 )及/或水解性基為4個者(SiX4 )作為任意成分。
作為(C)成分所含之水解性基舉例為甲氧基、乙氧基、丙氧基、異丙氧基、丁氧基、異丁氧基、第二丁氧基、第三丁氧基等之碳數1~20，較佳碳數1~10，更佳碳數1~4之烷氧基；甲氧基甲氧基、甲氧基乙氧基等之碳數2~40，較佳碳數2~10，更佳碳數2~4之烷氧基取代烷氧基；乙烯氧基、烯丙氧基、丙烯氧基、異丙烯氧基等之碳數2~20，較佳碳數2~10，更佳碳數2~5之烯氧基；二甲基酮肟基、二乙基酮肟基、甲基乙基酮肟基等之碳數3~20，較佳碳數3~10，更佳碳數3~6之酮二甲基酮肟基；乙醯氧基等之碳數2~20，較佳碳數2~10，更佳碳數2~5之醯氧基等。
作為(C)成分之具體例舉例為甲基三甲氧基矽烷、甲基三乙氧基矽烷、甲基三異丙氧基矽烷、乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙氧基矽烷、乙烯基三異丙氧基矽烷、苯基三甲氧基矽烷、苯基三乙氧基矽烷、苯基三異丙氧基矽烷等之3官能性有機烷氧基矽烷化合物，甲基三(甲氧基乙氧基)矽烷、乙烯基三(甲氧基乙氧基)矽烷、苯基三(甲氧基乙氧基)矽烷等之3官能性有機取代烷氧基矽烷化合物，甲基三異丙烯氧基矽烷、乙烯基三異丙烯氧基矽烷、苯基三異丙烯氧基矽烷等之3官能性有機烯氧基矽烷化合物，甲基三乙醯氧基矽烷、乙烯基三乙醯氧基矽烷、苯基三乙醯氧基矽烷等之3官能性有機醯氧基矽烷化合物，甲基三(甲基乙基酮肟)矽烷、乙烯基三(甲基乙基酮肟)矽烷、苯基三(甲基乙基酮肟)矽烷等之3官能性有機酮肟矽烷化合物等之3官能性有機水解性矽烷化合物，或該等之水解性有機矽烷化合物之部分水解縮合物(分子中具有3個以上殘存水解性基之有機矽氧烷寡聚物)等。但(C)成分不限定於該等具體例。作為(C)成分可單獨使用1種該化合物，亦可組合2種以上使用。
上述(C)成分之含量，相對於(A)成分之有機聚矽氧烷100質量份，以0.1~100質量份，較佳0.1~25質量份，更佳0.5~18質量份之範圍使用。該(C)成分之含量未達0.1質量份時無法充分交聯，難以獲得目的黏性之組成物。若超過100質量份，則所得組成物所致之物性的機械特性降低，進而產生對經濟不利之問題。
-(D)成分：氧化鋅粒子- 本發明之熱傳導性聚矽氧組成物含有(D)氧化鋅粒子作為熱傳導性填充劑。氧化鋅具有與氧化鋁、氧化鎂等之金屬氧化物同等高的熱傳導率。因此，若可填充必要充分量，則可獲得具有比較高熱傳導率之熱傳導性聚矽氧組成物。(D)成分之氧化鋅粒子之平均粒徑為0.1μm以上2μm以下，較佳0.2μm以上1.5μm以下。(D)成分之氧化鋅粒子之平均粒徑超過2μm之情況，所得熱傳導性聚矽氧組成物之壓縮性顯著惡化。且(D)氧化鋅粒子之平均粒徑若未達0.1μm，則熱傳導性聚矽氧組成物之黏度顯著上升。
前述平均粒徑係藉由MICROTRAC(雷射繞射散射法)之體積平均粒徑(累積平均徑D50 (中值徑))，例如藉由日機裝(股)製MICROTRAC MT330OEX測定。
(D)成分之雷射繞射粒度分佈中之粒徑10μm以上之粗粉(粗粒子)之含量(含有比例)為(D)成分全體之1體積%以下。該粗粉之含量若超過1體積%，則壓縮熱傳導性聚矽氧組成物時之厚度無法成為10μm以下。為了成為此等粗粉含量，較佳藉由以往習知之手段預先進行分級處理，或者成為此等粗粉含量之氧化鋅粉末((D)成分)可以氧化鋅1種、2種、3種等之等級作為市售品而取得。 該粗粉(粗粒子)之含量可藉由雷射繞射散射法，例如使用日機裝(股)製MICROTRAC MT330OEX測定(D)成分全體之粒度分佈，可自其容易地求出。
本發明之熱傳導性聚矽氧組成物之(D)成分之氧化鋅粒子，係以相對於(A)成分100質量份，調配1,500~6,500質量份，較佳2,000~6,000質量份，而且，相對於熱傳導性聚矽氧組成物全體，包含(D)成分45~70體積%，較佳55~65體積%者。若(D)氧化鋅粒子之含量未達1,500質量份或未達45體積%，則熱傳導性聚矽氧組成物之熱傳導率降低，若超過6,500質量份或70體積%，則熱傳導性聚矽氧組成物無法成為均一。
(D)氧化鋅粒子相對於熱傳導性聚矽氧組成物全體之含量(體積%)係該組成物中所佔之體積比例，自(D)成分之調配量(質量)與密度求出(D)成分之體積，算出自全部成分之各調配量(質量)與密度求出之熱傳導性聚矽氧組成物全體之體積總和，藉由{(D)成分之體積}/{熱傳導性聚矽氧組成物全體之體積總和}×100(%)，可求出(D)成分相對於熱傳導性聚矽氧組成物全體之含量(體積%)。
又，本發明之熱傳導性聚矽氧組成物較佳係前述(D)成分以(B)成分進行表面處理。
-(E)成分：黏著促進劑- (E)成分之黏著促進劑係(C)成分除外者，用以對本發明之熱傳導性聚矽氧組成物賦予必要之黏著性而使用。作為(E)成分之黏著促進劑，較佳使用習知之矽烷偶合劑。作為矽烷耦合劑之例，較佳例如使用分子中具有如含有含氧原子、氮原子、硫原子等之至少一種雜原子之官能性基之1價烴基(碳官能性基)的含碳官能性基之水解性矽烷(所謂碳官能基矽烷)等，可例示(甲基)丙烯酸矽烷偶合劑、環氧基矽烷偶合劑、胺基矽烷耦合劑、巰基矽烷偶合劑、異氰酸酯矽烷耦合劑等。
具體可例示γ-(甲基)丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷等之(甲基)丙烯酸矽烷類；β-(3,4-環氧基環己基)乙基三甲氧基矽烷、γ-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、γ-縮水甘油氧基丙基甲基二乙氧基矽烷等之環氧基矽烷類；3-胺基丙基三乙氧基矽烷、N-β(胺基乙基)γ-胺基丙基三甲氧基矽烷等之胺基矽烷類(但含胍基之水解性矽烷除外)；γ-巰基丙基三甲氧基矽烷等之巰基矽烷類、3-異氰酸酯基丙基三乙氧基矽烷等之異氰酸酯矽烷類以及該等經部分水解縮合之化合物(分子中具有殘存水解性基之含碳官能性基之有機矽氧烷寡聚物)。
該等(E)成分之具體例內，尤其較佳為γ-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、β-(3,4-環氧基環己基)乙基三甲氧基矽烷等之環氧基矽烷類；3-胺基丙基三乙氧基矽烷、N-β(胺基乙基)γ-胺基丙基三甲氧基矽烷等之胺基矽烷類；3-異氰酸酯基丙基三乙氧基矽烷等之異氰酸酯矽烷類。
(E)成分之含量，相對於前述(A)成分100質量份，為0.01~30質量份，特佳為0.1~20質量份。相對於(A)成分100質量份，(E)成分之含量若未達0.01質量份而過少，則無法對本發明之組成物賦予充分之密著性。若超過30質量份，則所得組成物所致之物性的機械特性降低，進而發生經濟上不利之問題。
-(F)成分：反應觸媒- (F)成分之反應觸媒係亦可根據需要而調配之任意成分，作為該(F)成分之反應觸媒，可使用非金屬系有機觸媒及/或金屬系觸媒。(F)成分具有促進本發明之熱傳導性聚矽氧組成物之硬化(黏度上升)之作用。
(F)成分之反應觸媒中，非金屬系有機觸媒並未特別限定，作為熱傳導性聚矽氧組成物之硬化(黏度上升)促進劑，可使用習知者。舉例為例如N,N,N’,N’, N”,N”-六甲基-N’”-(三甲基矽烷基甲基)-胺基磷酸三醯胺等之含磷腈化合物；己胺、磷酸十二烷胺等之胺化合物或其鹽；苄基三乙銨乙酸鹽等之4級銨鹽；二甲基羥基胺、二乙基羥基胺等之二烷基羥基胺；N,N,N’,N’-四甲基胍基丙基三甲氧基矽烷、N,N,N’,N’-四甲基胍基丙基甲基二甲氧基矽烷、N,N,N’,N’-四甲基胍基丙基三(三甲基矽氧基)矽烷等之含胍基之矽烷及矽氧烷等。且非金屬系有機觸媒可使用1種，亦可混合2種以上使用。
(F)成分之反應觸媒中，金屬系觸媒並未特別限定，作為熱傳導性聚矽氧組成物之反應(黏度上升)促進劑，可使用習知者。舉例為例如二丁基錫二乙酸酯、二丁基錫二月桂酸酯、二丁基錫二辛酸酯、二辛基錫二新癸酸酯、二-正-丁基-二甲氧基錫等之烷基錫酯化合物；四異丙氧基鈦、四-正-丁氧基鈦、四(2-乙基己氧基)鈦、二丙氧基雙(乙醯基丙酮酸基)鈦、異丙氧化鈦辛二醇等之鈦酸酯或鈦螯合化合物；環烷酸鋅、硬脂酸鋅、2-乙基辛酸鋅；異丙醇鋁、第二丁醇鋁等之醇鋁化合物；烷基乙酸・二異丙醇鋁、雙乙基乙醯乙酸酯單乙醯乙酸鋁等之鋁螯合化合物；新癸酸鉍(III)、2-乙基己酸鉍(III)、檸檬酸鉍(III)、辛酸鉍、2-乙基己酸鐵、2-乙基己酸鈷、2-乙基己酸錳、環烷酸鈷；等之有機金屬化合物；乙酸鉀、乙酸鈉、草酸鋰等之鹼金屬之低級脂肪酸鹽。金屬系觸媒並未限定於該等。金屬系觸媒可使用1種，亦可混合2種以上使用。
(F)成分之含量為少量之觸媒量即可。含有(F)成分之反應觸媒之情況，其含量相對於前述(A)成分100質量份，為0.01~20質量份，特佳為0.05~10質量份，更佳為0.05~5質量份。(F)成分之含量若未達0.01質量份，則無法獲得良好反應(黏度上升)性，故產生反應速度變慢之缺點。若超過20質量份，則由於組成物之反應速度過快，故有組成物塗佈後之可作業時間變短之虞。
-(G)成分：填充劑- (G)成分之填充劑係根據需要調配之任意成分，該(G)成分係前述(D)成分之氧化鋅粒子以外之填充劑(無機質填充劑及/或有機樹脂填充劑)，係為了對該組成物賦予充分機械強度而使用。作為(G)成分之填充劑可使用習知者。可使用例如微粉末氧化矽、燒成氧化矽、煙霧質氧化矽(乾式氧化矽)、沉降性氧化矽(濕式氧化矽)、溶凝膠氧化矽、該等氧化矽表面以有機矽化合物予以疏水化處理之氧化矽；玻璃珠；玻璃球；透明樹脂珠粒；氧化矽氣溶膠；矽藻土、氧化鐵、氧化鈦、煙霧狀金屬氧化物等之金屬氧化物；濕式氧化矽或該等表面經矽烷處理者；石英粉末(結晶性氧化矽)、滑石、沸石及膨潤土等之補強劑；石綿、玻璃纖維、碳纖維、碳酸鈣、碳酸鎂、碳酸鋅等之金屬碳酸鹽；玻璃棉、微粉氧化矽、熔融氧化矽粉末、聚苯乙烯、聚氯乙烯、聚丙烯等之合成樹脂粉末等。上述例示之填充劑中，較佳為氧化矽、碳酸鈣、沸石等之無機質填充劑，特佳為表面經疏水化處理之煙霧質氧化矽、碳酸鈣。 (G)成分之填充劑之平均粒徑較佳為0.1μm以上2μm以下，更佳為0.2μm以上1.5μm以下。 又，(G)成分之填充劑不包含作為前述(D)成分而定義之滿足特定平均粒徑與特定粗粒含量要件之氧化鋅。
含有(G)成分之情況，其含量於前述(A)成分每100質量份，為1~1,000質量份，較佳為3~500質量份，特佳為5~300質量份。若以多於1,000質量份使用多量，則組成物之黏度增大作業性變差。(G)成分之含量若少於1質量份，則無法充分提高所得組成物之機械強度。又，關於(G)成分之填充劑，與前述(D)成分之氧化鋅粒子同樣，雷射繞射型粒度分佈之粒徑10μm以上之粗粉(粗粒子)含量(含有比例)，較佳為(G)成分全體之1體積%以下。(G)成分中該粗粉含量若超過1體積%，則有壓縮熱傳導性聚矽氧組成物時之厚度難以成為10μm以下之情況。含有(G)成分之情況，較佳為(D)成分之含量的2質量%以下，更佳為1質量%以下。
-有機聚矽氧烷- 本發明之熱傳導性聚矽氧組成物除了上述(A)~(G)成分以外，亦可根據需要含有(H)以下述通式(3)表示之直鏈狀二有機聚矽氧烷(所謂無官能性聚矽氧油)作為可調配之任意成分。
Figure 02_image015
通式(3)中，R5 為可具有取代基之碳數1~20之不含脂肪族不飽合鍵之1價烴基，p為1~2,000之整數。
上述式(3)中，R5 之非取代或取代之不含脂肪族不飽合鍵之1價烴基，其碳數為1~20，較佳為1~10，更佳為1~8。該複數R5 可互為相同亦可相異。作為式(3)之R5 之非取代1價烴基可例示為甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第三丁基、戊基、新戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基、十一烷基、十二烷基、十三烷基、十四烷基、十五烷基、十六烷基、十七烷基、十八烷基、十九烷基、二十烷基等之烷基；環戊基、環己基等之環烷基；苯基、甲苯基、二甲苯基、α-、β-萘基等之芳基；苄基、2-苯基乙基、3-苯基丙基等之芳烷基。又，作為取代之1價烴基例示為該等非取代1價烴基之氫原子的一部分或全部經氟、氯、溴等之鹵原子或氰基等取代之基，例如3-氯丙基、3,3,3-三氟丙基、2-氰基乙基等。該等中，較佳為甲基、乙基、苯基，基於取得容易性、生產性、成本方面，特佳為甲基、苯基。尤其較佳式(3)之R5 均為甲基，較佳係分子鏈之兩末端經三甲基矽氧基封端之二甲基聚矽氧烷。
式(3)中，p係表示(H)成分之聚合度的數值，為1~2,000之整數，特佳為2~2,000，更佳為20~2,000。p為上述範圍內之數值之情況，(H)成分之二有機聚矽氧烷之25℃之黏度為1.5~1,000,000mPa・s，較佳為30~100,000mPa・s。
含有(H)成分之情況，其含量較佳相對於(A)成分100質量份為0.01~100質量份，更佳為10~80質量份。(H)成分之量若為上述範圍內，則就不損及本發明之熱傳導性聚矽氧組成物之機械特性或難燃性而言較佳。且該組成物可調整於施工上容易處理之彈性模數或黏度。
[其他成分] 本發明之熱傳導性聚矽氧組成物中，為了防止熱傳導性聚矽氧組成物之劣化，亦可根據需要調配2,6-二-第三丁基-4-甲基酚等之以往習知之抗氧化劑。進而，可根據需要調配觸變性賦予劑、染料、顏料、難燃劑、沉降防止劑、觸變性提升劑等。
[熱傳導性聚矽氧組成物之製造方法] 針對本發明之熱傳導性聚矽氧組成物之製造方法加以說明。 本發明之熱傳導性聚矽氧組成物之製造方法係上述之本發明之熱傳導性聚矽氧組成物之製造方法，其特徵為具有使前述(A)、(B)、(C)、(D)及(E)成分混合之步驟。
作為該製造方法之一例，本發明之熱傳導性聚矽氧組成物可藉由將上述(A)、(B)、(C)、(D)、(E)之各成分於常壓下或減壓下，較佳於0.09~0.01MPa之減壓下(一起或同時)混合後，將該混合物於非加熱下，較佳於60℃以下進一步混合30分鐘~3小時左右而製造。以上述製造方法，調配(A)、(B)、(C)、(D)、(E)之各成分以外之成分之情況，只要於開始將(A)、(B)、(C)、(D)、(E)之各成分於常壓下或減壓下之混合時調配即可。
或者本發明之熱傳導性聚矽氧組成物之製造方法係上述之本發明之熱傳導性聚矽氧組成物之製造方法，其特徵為包含使上述(B)成分、或(A)及(B)成分與(D)成分一起於100℃以上，較佳150℃以上250℃以下之溫度混合30分鐘以上，較佳40分鐘以上6小時以下之步驟。 具體而言，較佳包含使上述(B)成分、或(A)及(B)成分與(D)成分如上述般混合之步驟，及於其中至少混合(C)及(E)成分、根據需要之其他任意成分之步驟。
亦即，預先使(B)成分與(D)成分，或(A)與(B)與(D)之各成分於減壓下混合，具體而言於100℃~250℃混合30分鐘~6小時左右。接著，於該混合物中調配(C)、(E)各成分及根據需要調配之其他成分，於常壓下或於0.09~0.01MPa之減壓下進一步混合。藉由於非加熱下，較佳於60℃以下，通常混合30分鐘~3小時左右而可製造本發明之組成物。
作為混合裝置並未特別限定，可使用Trimix、Twinmix、行星式混合機(均為井上製作所(股)製混合機之註冊商標)、超混合機(瑞穗工業(股)製混合機之註冊商標)、Hivis Disper Mix(特殊機化工業(股)製混合機之註冊商標)等之混合機。且，為了使熱傳導性填充劑之(D)氧化鋅粒子之凝集解碎，亦可施以三輥加工處理等。
藉由該製造方法，可製造與以往之熱傳導性聚矽氧組成物相比，具有較高熱傳導率且壓縮至厚10μm以下之壓縮性良好之熱傳導性聚矽氧組成物。 又，上述(B)成分，或(A)及(B)成分、與(D)成分混合之步驟之際藉由於100℃以上之溫度混合30分鐘以上，(D)成分可被(B)成分充分表面處理，而可抑制經時之熱阻抗惡化。
[聚矽氧組成物之物性] 如以上所得之本發明之熱傳導性聚矽氧組成物，與以往之熱傳導性聚矽氧組成物相比，具有較高熱傳導率且壓縮至厚10μm以下之壓縮性良好者。
本發明之熱傳導性聚矽氧組成物之藉熱盤法於25℃之熱傳導率為1.3W/mK以上。又，熱傳導率之測定方法細節例如為後述實施例之方法。
本發明之熱傳導性聚矽氧組成物係具有良好壓縮性者。進行2分鐘之4.1MPa加壓時之熱傳導性聚矽氧組成物之厚度成為10μm以下，較佳於0.5~10μm之範圍，更佳於0.5~5μm。又，進行加壓時之厚度的測定方法例如為後述實施例之方法。
本發明之熱傳導性聚矽氧組成物由於兼具高的熱傳導率與良好壓縮性，故成為具有低熱阻抗者。熱傳導性聚矽氧組成物之熱阻抗藉由雷射閃光法測定之於25℃較佳為5mm2 ‧K/W以下，更佳為3mm2 ‧K/W。關於下限並未特別限定，作為物理問題，可設為例如0.1 mm2 ‧K/W。前述熱阻抗若為特定值以下，則熱傳導性聚矽氧組成物之熱傳導率變更高。又，熱阻抗之測定方法之細節例如為後述實施例之方法。
本發明之熱傳導性聚矽氧組成物於25℃測定之絕對黏度較佳為3~600Pa‧s，更佳為10~600Pa‧s。絕對黏度若為3Pa‧s以上，則形狀保持容易且作業性良好。另一方面，絕對黏度即使為600Pa‧s以下，由於噴出變容易故作業性良好。絕對黏度可藉由上述各成分之調配而調整。本發明中，絕對黏度係例如藉由MALCOM(股)至螺旋黏度計而測定之於25℃、剪力速度6s-1 之值。
[半導體裝置] 本發明之半導體裝置之特徵係於絕緣閘雙極電晶體(IGBT)等之發熱體與冷卻體之間形成之厚度10μm以下之間隙，層狀填充本發明之熱傳導性聚矽氧組成物，以該組成物層將前述發熱體與冷卻體熱隔開者。本發明之熱傳導性聚矽氧組成物被壓縮至厚度10μm以下。藉此與以往之熱傳導性聚矽氧組成物比較，可期待冷卻效率之提高。 代表性構造示於圖1，但本發明並非限定於此。
圖1所示之半導體裝置係於發熱體1與冷卻體3間之間隙，介隔由本發明之熱傳導性聚矽氧組成物所成之熱傳導性聚矽氧組成物層2而成者。又，冷卻體3具有設於與熱傳導性聚矽氧組成物層2接觸之面上之絕緣層3a。
此處，發熱體1較佳為絕緣閘雙極電晶體(IGBT)。發熱體1若為IGBT，則該半導體裝置成為IGBT經有效冷卻者。 冷卻體3較佳為由熱傳導性良好之材料所成之冷卻風扇(由平板及設於平板之一主面之散熱用突起所成)。 絕緣層3a係設於冷卻體3(冷卻風扇)之設有熱傳導性聚矽氧組成物層2之面(冷卻風扇之平板)上由氮化矽、氮化鋁、金剛石等之熱傳導性良好之絕緣材料所成之厚度10~1,000μm之薄膜。 又，熱傳導性聚矽氧組成物層2係於發熱體1(IGBT)之背面側與冷卻體3(冷卻風扇)之平面側之間的間隙，層狀設置本發明之熱傳導性聚矽氧組成物者。熱傳導性聚矽氧組成物層2之厚度為10μm以下，較佳於0.5~10μm之範圍，更佳於0.5~5μm。 藉由如此之半導體裝置之構成，發熱體1產生之熱經由熱傳導性聚矽氧組成物層2傳導至冷卻體3，並朝外部散熱，於圖1之情況係朝與冷卻體3接觸之冷卻水4散熱。
本發明之半導體裝置之製造方法並未特別限定，但為了使熱傳導性聚矽氧組成物之厚度為10μm以下，較佳於0.1MPa以上之壓力，更佳於4.0MPa以上之壓力組裝。藉由提高熱傳導性聚矽氧組成物之加壓時之壓力可減低壓縮所花費之時間。
又，本發明之熱傳導性聚矽氧組成物由於不產生電氣電子零件之接點阻礙，故可使用作為電氣電子零件用絕緣材或接著劑。 [實施例]
以下顯示實施例及比較例，具體說明本發明，但本發明並非限定於下述實施例者。又，(D)氧化鋅粒子之平均粒徑及該(D)成分之粒徑10μm以上之粗粉含量(體積%)係使用日機裝(股)製MICROTRAC MT330OEX，藉由雷射繞射型粒度分佈測定法(雷射繞射散射法)測定。
所使用之成分如以下。 [(A)成分] (A-1)於25℃之黏度為700mPa・s之分子鏈兩末端經羥基封端之二甲基聚矽氧烷(式(1)中n=約268) (A-2)於25℃之黏度為20,000mPa・s之分子鏈兩末端經羥基封端之二甲基聚矽氧烷(式(1)中n=約615) (A-3)於25℃之黏度為50,000mPa・s之分子鏈兩末端經羥基封端之二甲基聚矽氧烷(式(1)中n=約886) (A-4)於25℃之黏度為100,000mPa・s之分子鏈兩末端經羥基封端之二甲基聚矽氧烷(式(1)中n=約1,589)
[(B)成分] (B-1)以下述式表示之單末端三甲氧基矽烷基封端二甲基聚矽氧烷
Figure 02_image017
(B-2)以下述式表示之單末端三甲氧基矽烷基封端二甲基聚矽氧烷
Figure 02_image019
(B-3)以下述式表示之單末端三甲氧基矽烷基封端二甲基聚矽氧烷
Figure 02_image021
(B’)以下述式表示之不具有水解性官能基之二甲基聚矽氧烷(比較品)
Figure 02_image023
[(C)成分] (C-1)苯基三異丙烯氧基矽烷 (C-2)乙烯基三異丙烯氧基矽烷 (C-3)甲基三甲氧基矽烷
[(D)成分] (D-1)平均粒徑1.0μm，且10μm以上之粗粉為0.1體積%以下之氧化鋅粒子 (D’)平均粒徑40.0μm，且10μm以上之粗粉為80體積%以上之氧化鋅粒子(比較用)
[(E)成分] (E-1)3-胺基丙基三乙氧基矽烷
[(F)成分] (F-1)N,N,N’,N’-四甲基胍基丙基三甲氧基矽烷
[(G)成分] (G)BET比表面積為130m2 /g之乾式氧化矽(10μm以上之粗粉為0.1體積%以下)
＜實施例1~20、比較例1~4＞ (熱傳導性聚矽氧組成物之調製) 將上述(A)~(G)成分依據下述表1~5所示之含量，以下述方法調配而調製熱傳導性聚矽氧組成物。 於5升之行星式混合機(井上製作所(股)製)中，添加(A)、(B)及(D)成分，於170℃混合1小時。冷卻直至常溫後，添加(C)、(E)成分並混合成為均一，調製熱傳導性聚矽氧組成物。 進而關於(F)成分、(G)成分係根據需要添加，混合後，調製熱傳導性聚矽氧組成物。 針對上述方法所得之各熱傳導性組成物，依據下述方法測定黏度、熱傳導率、壓縮性及熱阻抗。結果示於表1~5。
[絕對黏度] 熱傳導性聚矽氧組成物之絕對黏度係使用MALCOM (股)製螺旋黏度計，於25℃、旋轉數(剪力速度)6s-1 之條件測定。
[熱傳導率] 將熱傳導性聚矽氧組成物以保鮮膜包住，成為腰包狀之試驗片之熱傳導率以京都電子工業(股)製TPA-501於25℃之條件藉由熱盤法進行測定。
[壓縮性] 所製造之熱傳導性聚矽氧組成物以成為厚度75μm之方式夾於被切成直徑1mm之圓的2片金屬板(矽晶圓)之間，使用島津製Autograph AG-5KNZPLUS，於4.1MPa進行2分鐘加壓後，測定最小厚度。最小厚度係使用2片金屬板，將金屬板間無任何東西而壓縮之際之金屬板2片之合計厚度設為初期值，將於測定初期值後之金屬板2片之間夾入熱傳導性聚矽氧組成物並壓縮之際之厚度進行測定後，藉由自該厚度減去初期值(金屬板2片之合計厚度)而測定熱傳導性聚矽氧組成物之最小厚度。
[熱阻抗] 使用上述試驗片，藉由基於雷射閃光法之熱阻抗測定器(NETZ公司製，氙氣閃光分析儀；LFA447NanoFlash)於25℃測定。
[熱循環後之熱阻抗] 使用ESPEC(股)製冷熱衝擊試驗機TSE-11A，對上述試驗片進行將-40℃×30分鐘à150℃×30分鐘設為1循環之1,000次循環之冷熱衝擊試驗，於25℃測定熱阻抗。
Figure 02_image025
Figure 02_image027
Figure 02_image029
Figure 02_image031
Figure 02_image033
由表1~5之結果，滿足本發明要件之實施例1~20，獲得具有高的熱傳導率，同時具有可壓縮至10μm以下之良好壓縮性之熱傳導性聚矽氧組成物。另一方面，未使用本發明之(B)成分之比較例1，無法獲得均一之熱傳導性聚矽氧組成物。又(B)成分少於20體積%，熱傳導性填充劑(氧化鋅粒子)多於70體積%之比較例2亦無法獲得均一之熱傳導性聚矽氧組成物。再者使用平均粒徑為40μm之氧化鋅粒子作為熱傳性填充劑之比較例3，壓縮性降低，熱阻抗值顯著惡化。且熱傳性填充劑(平均粒徑為40μm之氧化鋅粒子)之含量少於比較例3之未達40體積%之比較例4，熱傳導率大幅降低且熱阻抗值更惡化。比較例5中，由於(B)成分之含量(調配質量及體積%)少，故無法獲得充分壓縮性，無法同時滿足最小厚度與熱傳導率之要件。
又，本發明並非限定於上述實施形態。上述實施形態為例示，凡具有與本發明之申請專利範圍所記載之技術思想實質上相同之構成而發揮同樣作用效果者，所有均包含於本發明之技術範圍。
1:絕緣閘雙極電晶體(IGBT) 2:熱傳導性聚矽氧組成物層 3:冷卻風扇 3a:絕緣層 4:冷卻水
[圖1]係顯示將本發明之熱傳導性聚矽氧組成物介存於絕緣閘極雙極電晶體與冷卻風扇之間隙的半導體裝置之一例的剖面圖。

Claims (12)

  1. 一種熱傳導性聚矽氧組成物，其含有下述(A)~(E)成分： (A)以下述通式(1)表示之有機聚矽氧烷：100質量份，
    Figure 03_image001
    (通式(1)中，R為碳數1~20之非取代或取代之1價烴基，複數個R可相同，亦可相異，n為10以上之整數)， (B)以下述通式(2)表示且於1分子中具有至少1個水解性矽烷基之有機聚矽氧烷：150~600質量份
    Figure 03_image003
    (通式(2)中，R1 獨立為非取代或取代之1價烴基，X1 及X3 獨立為R1 或以-R2 -SiR3 g (OR4 )3-g 表示之基，X2 為以-R2 -SiR3 g (OR4 )3-g 表示之基，且於分子中具有至少1個-R2 -SiR3 g (OR4 )3-g ，R2 為氧原子或碳數1~4之伸烷基，R3 獨立為不含脂肪族不飽和鍵之非取代或取代之1價烴基，R4 獨立為碳數1~4之烷基，或碳數2~4之烷氧基烷基、烯基或醯基，g為0~2之整數，a及b分別為1≦a≦1,000，0≦b≦1,000(但，X1 及X3 任一者為R1 之情況，b為1≦b≦1,000)，各重複單位可無規鍵結)， (C)1分子中具有1個選自碳數1~4之烷基、碳數2~4之烯基及碳數6~8之芳基所成之群之非取代1價烴基，且具有3個水解性基之水解性有機矽烷化合物及/或其部分水解縮合物的交聯劑成分：0.1~100質量份， (D)平均粒徑為0.1μm以上2μm以下，且於雷射繞射型粒度分佈之粒徑10μm以上之粗粉之含有比例為(D)成分全體之1體積%以下之氧化鋅粒子：1,500~6,500質量份，及 (E)除(C)成分以外之黏著促進劑：0.01~30質量份， (D)成分之含量相對於組成物全體為45~70體積%，且藉熱盤(Hot Disk)法於25℃之熱傳導率為1.3W/mK以上，且可壓縮至厚度10μm以下。
  2. 如請求項1之熱傳導性聚矽氧組成物，其中(B)成分之含量相對於組成物全體為20~40體積%。
  3. 如請求項1或2之熱傳導性聚矽氧組成物，其中相對於(A)成分100質量份，進而含有(F)反應觸媒：0.01~20質量份。
  4. 如請求項1至3中任一項之熱傳導性聚矽氧組成物，其中相對於(A)成分100質量份，進而含有(D)成分以外之(G)填充劑：1~1,000質量份。
  5. 如請求項1至4中任一項之熱傳導性聚矽氧組成物，其中藉雷射閃光法測定之於25℃之熱阻抗為5mm2 ‧K/W以下。
  6. 如請求項1至5中任一項之熱傳導性聚矽氧組成物，其中以螺旋黏度計測定之於25℃、剪力速度6s-1 之絕對黏度為3~600Pa‧s。
  7. 如請求項1至6中任一項之熱傳導性聚矽氧組成物，其係可抑制熱循環實驗後之滑動性者。
  8. 如請求項1至7中任一項之熱傳導性聚矽氧組成物，其中前述(D)成分為經(B)成分表面處理而成。
  9. 一種熱傳導性聚矽氧組成物之製造方法，其係如請求項1至8中任一項之熱傳導性聚矽氧組成物之製造方法，且具有混合前述(A)、(B)、(C)、(D)及(E)成分之步驟。
  10. 一種熱傳導性聚矽氧組成物之製造方法，其係如請求項1至8中任一項之熱傳導性聚矽氧組成物之製造方法，其特徵係包含將前述(B)成分、或前述(A)及(B)成分與前述(D)成分一起於100℃以上之溫度混合30分鐘以上之步驟，及於其中至少混合(C)及(E)成分之步驟。
  11. 一種半導體裝置，其特徵係於發熱體與冷卻體之間形成之厚度10μm以下之間隙，層狀填充如請求項1至8中任一項之熱傳導性聚矽氧組成物，以該組成物層將前述發熱體與冷卻體熱隔開。
  12. 如請求項11之半導體裝置，其中前述發熱體為絕緣閘雙極電晶體。
TW109132012A 2019-09-27 2020-09-17 熱傳導性聚矽氧組成物及其製造方法，以及半導體裝置 TW202124584A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019-177423 2019-09-27
JP2019177423 2019-09-27

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW202124584A true TW202124584A (zh) 2021-07-01

Family

ID=75165698

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW109132012A TW202124584A (zh) 2019-09-27 2020-09-17 熱傳導性聚矽氧組成物及其製造方法，以及半導體裝置

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20220275265A1 (zh)
EP (1) EP4036964A4 (zh)
JP (1) JP7283555B2 (zh)
KR (1) KR20220074901A (zh)
CN (1) CN114423825B (zh)
TW (1) TW202124584A (zh)
WO (1) WO2021059936A1 (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20230183483A1 (en) * 2020-05-22 2023-06-15 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Thermally conductive silicone composition, production method for same, and semiconductor device

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4933094B1 (zh) 1968-12-31 1974-09-04
JPS4913874B1 (zh) 1969-08-29 1974-04-03
JPS4917380B1 (zh) 1970-07-06 1974-04-30
JPS58366B2 (ja) 1973-10-06 1983-01-06 ソニー株式会社 表面材貼付方法
JPH07228779A (ja) * 1994-02-17 1995-08-29 Three Bond Co Ltd 室温硬化性オルガノシロキサン組成物
JP2938428B1 (ja) 1998-02-27 1999-08-23 信越化学工業株式会社 熱伝導性グリース組成物
JP2938429B1 (ja) 1998-02-27 1999-08-23 信越化学工業株式会社 熱伝導性シリコーン組成物
JP3957596B2 (ja) 2002-09-04 2007-08-15 電気化学工業株式会社 熱伝導性グリース
JP3952184B2 (ja) 2002-10-10 2007-08-01 信越化学工業株式会社 熱伝導性シート
JP5283346B2 (ja) 2007-04-10 2013-09-04 信越化学工業株式会社 熱伝導性硬化物及びその製造方法
JP5233325B2 (ja) 2008-02-29 2013-07-10 信越化学工業株式会社 熱伝導性硬化物及びその製造方法
JP4656340B2 (ja) 2008-03-03 2011-03-23 信越化学工業株式会社 熱伝導性シリコーングリース組成物
JP4572243B2 (ja) 2008-03-27 2010-11-04 信越化学工業株式会社 熱伝導性積層体およびその製造方法
JP5507059B2 (ja) 2008-05-27 2014-05-28 東レ・ダウコーニング株式会社 熱伝導性シリコーン組成物および電子装置
JP2012069783A (ja) 2010-09-24 2012-04-05 Yokohama Rubber Co Ltd:The 熱伝導性シリコーン組成物およびこれを用いる実装基板
JP2012077256A (ja) * 2010-10-06 2012-04-19 Shin-Etsu Chemical Co Ltd 室温湿気増粘型熱伝導性シリコーングリース組成物
JP5447337B2 (ja) 2010-10-29 2014-03-19 信越化学工業株式会社 シリコーン構造体の製造方法及び半導体装置
JP5553006B2 (ja) 2010-11-12 2014-07-16 信越化学工業株式会社 熱伝導性シリコーングリース組成物
JP5733087B2 (ja) 2011-07-29 2015-06-10 信越化学工業株式会社 室温湿気増粘型熱伝導性シリコーングリース組成物
JP5699901B2 (ja) 2011-10-24 2015-04-15 信越化学工業株式会社 室温湿気増粘型熱伝導性シリコーングリース組成物
EP2882821B1 (en) 2012-07-30 2020-06-03 Dow Silicones Corporation Thermally conductive condensation reaction curable polyorganosiloxane composition and methods for the preparation and use of the composition
US20190002694A1 (en) * 2016-03-18 2019-01-03 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Thermally conductive silicone composition and semiconductor device
JP6610429B2 (ja) 2016-05-24 2019-11-27 信越化学工業株式会社 熱伝導性シリコーン組成物、その硬化物及びその製造方法
JP6708005B2 (ja) 2016-06-20 2020-06-10 信越化学工業株式会社 熱伝導性シリコーンパテ組成物

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2021059936A1 (zh) 2021-04-01
EP4036964A1 (en) 2022-08-03
WO2021059936A1 (ja) 2021-04-01
JP7283555B2 (ja) 2023-05-30
EP4036964A4 (en) 2023-10-18
CN114423825B (zh) 2023-10-03
CN114423825A (zh) 2022-04-29
KR20220074901A (ko) 2022-06-03
US20220275265A1 (en) 2022-09-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6610429B2 (ja) 熱伝導性シリコーン組成物、その硬化物及びその製造方法
TWI753029B (zh) 熱傳導性矽氧組成物
TWI784028B (zh) 導熱性聚矽氧凝膠組合物、導熱性構件及散熱結構體
KR102348372B1 (ko) 열전도성 실리콘 조성물 및 전기·전자 기기
TW201908411A (zh) 導熱性聚矽氧凝膠組合物、導熱性構件及散熱結構體
JP5733087B2 (ja) 室温湿気増粘型熱伝導性シリコーングリース組成物
KR102132243B1 (ko) 열전도성 실리콘 조성물 및 경화물, 및 복합 시트
JP7144542B2 (ja) サーマルギャップフィラー及びバッテリーマネジメントシステムへのその用途
JP5780203B2 (ja) 放射線遮蔽構造物シール用室温硬化性オルガノポリシロキサン組成物及び放射線遮蔽構造物
JP5472055B2 (ja) 熱伝導性シリコーングリース組成物
JP5155033B2 (ja) 熱伝導性シリコーン組成物
TWI785054B (zh) 固化性粒狀有機矽組合物、由其構成之半導體用構件及其成型方法
US20220185992A1 (en) Multi-component type thermally conductive silicone-gel composition, thermally conductive material and heat-emission structure
TW202124584A (zh) 熱傳導性聚矽氧組成物及其製造方法，以及半導體裝置
CN108473770B (zh) 将缩合固化反应和有机过氧化物固化反应并用的有机硅组合物
JP2010132865A (ja) 難燃性オルガノポリシロキサン組成物
KR20240047480A (ko) 열전도성 실리콘 조성물 및 상기 조성물을 사용하여 갭 충전제를 제조하는 방법
JP7388550B2 (ja) 熱伝導性シリコーン組成物、その製造方法及び半導体装置
JP2017101171A (ja) 熱伝導性室温硬化性オルガノポリシロキサン組成物及び部材
WO2023033031A1 (ja) 顆粒状硬化性シリコーン組成物、その硬化物、およびその製造方法
JP2012171999A (ja) 付加反応硬化型シリコーンゴム組成物及びその硬化物で封止された半導体装置
TW202235579A (zh) 熱傳導性組成物及其製造方法
CN116606551A (zh) 单组分导热凝胶改性用组合物、包含其的单组分导热凝胶和制造方法
WO2023032735A1 (ja) 硬化性シリコーン組成物、その硬化物、およびその製造方法
WO2023032734A1 (ja) 硬化性シリコーン組成物、その硬化物、およびその製造方法