TW202107615A - 加工裝置 - Google Patents

加工裝置 Download PDF

Info

Publication number
TW202107615A
TW202107615A TW109127008A TW109127008A TW202107615A TW 202107615 A TW202107615 A TW 202107615A TW 109127008 A TW109127008 A TW 109127008A TW 109127008 A TW109127008 A TW 109127008A TW 202107615 A TW202107615 A TW 202107615A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
frame
unit
support
frame unit
light
Prior art date
Application number
TW109127008A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI824169B (zh
Inventor
齊藤亮太
Original Assignee
日商迪思科股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商迪思科股份有限公司 filed Critical 日商迪思科股份有限公司
Publication of TW202107615A publication Critical patent/TW202107615A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI824169B publication Critical patent/TWI824169B/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H01L2221/68336—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding involving stretching of the auxiliary support post dicing

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Polarising Elements (AREA)
  • Electrical Discharge Machining, Electrochemical Machining, And Combined Machining (AREA)
  • Disintegrating Or Milling (AREA)

Abstract

[課題]本發明提供一種加工裝置，不必事先調整發光部與受光部之位置關係，且於無法安裝光電感測器的構成要素中仍可檢測框架單元之位置。[解決手段]本發明提供一種加工裝置，其特徵在於，具備暫時性地置放框架單元之暫置單元，該框架單元是將被加工物透過樹脂片支撐在具有導電性之環狀的框架；暫置單元具備：多個支撐部，其支撐框架單元且為導電性；以及檢測部，其具有電源及導通檢測部，該電源的一端子與多個支撐部中之第1支撐部電性連接，該導通檢部與多個支撐部中之第2支撐部和電源之另一端子電性連接；若藉由第1支撐部與第2支撐部支撐框架，則形成包含框架、第1支撐部與第2支撐部、電源及導通檢測部之導通電路。

Description

加工裝置
本發明係關於一種以框架單元的狀態將被加工物加工之加工裝置，該框架單元將被加工物透過樹脂片支撐於環狀的框架。
已知一種技術，在將半導體晶圓、樹脂封裝基板、玻璃基板、陶瓷基板等板狀之被加工物加工時，將樹脂片貼附於具有較被加工物更大之直徑的開口之環狀金屬框架的一面及被加工物的一面，形成框架單元。
形成框架單元後，以加工裝置將各被加工物加工。例如，首先，將各被加工物，以收納於卡匣之狀態搬送至加工裝置的卡匣載置台。而後，藉由以推拉臂等第1搬送單元抓取金屬框架之狀態將框架單元抽出，而將框架單元從卡匣抽出至導軌等暫置單元。
接著，藉由使一對導軌在預定方向夾住框架單元的金屬框架，而調整框架單元的預定方向之位置。其後，例如，以藉由吸附臂等第2搬送單元吸附金屬框架之狀態搬送框架單元。如此地，搬送單元及暫置單元藉由與金屬框架接觸而施行框架單元的搬送等，故以不與被加工物接觸的方式施行搬送等。
此外，藉由形成框架單元，可在將被加工物分割為多片晶片後，將貼附於樹脂片之狀態的多片晶片一併搬送，故多片晶片的搬送變得簡單。被加工物的分割，例如，係以具有切削刀片之切削裝置、或藉由將樹脂片擴張而對被加工物施加外力之片擴張裝置施行（例如參考專利文獻1）。
在切削裝置、片擴張裝置等的加工裝置，藉由搬送單元將框架單元往裝置內之各式各樣的場所搬送。通常，為了掌握框架單元位於加工裝置內之何處，而於加工裝置內的各處設置透射型或反射型之光電感測器。
光電感測器，例如，具有發光部、及接收來自發光部之光線的受光部。使用透射型之光電感測器的情況，在框架單元位於發光部與受光部之間時，來自發光部的光線受到框架單元遮蔽，故受光部之受光量減少。受光部將受光量的減少轉換為電訊號，並輸出至加工裝置的控制部，藉此由控制部掌握框架單元之位置。 [習知技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：日本特開2018－181921號公報
[發明所欲解決的課題] 然而，必須事先調整發光部與受光部之位置關係，以使得藉由框架單元遮蔽光線而適當地改變受光量。進一步，對於設置在加工裝置之構成要素中較推拉臂、導軌等更小型之構成要素，有無法安裝透射型或反射型之光電感測器的情況。
鑒於上述問題，本發明之目的在於提供一種加工裝置，不必事先調整發光部與受光部之位置關係，且於無法安裝光電感測器的構成要素中仍可檢測框架單元之位置。
[解決課題的技術手段] 依本發明之一態樣，則提供一種加工裝置，具備：暫置單元，其暫時性地置放框架單元，該框架單元是將被加工物透過樹脂片支撐在具有導電性之環狀的框架；搬送單元，其將該框架單元往該暫置單元搬送；以及加工單元，其將該框架單元的該被加工物加工；該暫置單元，具備：多個支撐部，其支撐該框架單元且為導電性；以及檢測部，其具有電源及導通檢測部，該電源的一端子與該多個支撐部中之第1支撐部電性連接，該導通檢部與該多個支撐部中之第2支撐部和該電源之另一端子電性連接；若藉由該第1支撐部與該第2支撐部支撐該框架，則形成包含該框架、該第1支撐部與該第2支撐部、該電源及該導通檢測部之導通電路。
較佳為，該暫置單元的該多個支撐部係3根以上的支撐銷；該3根以上的支撐銷在3處以上支撐該框架之外周部，並將該框架單元定位至預定位置。
此外，較佳為，該暫置單元的該多個支撐部，係支撐該框架的一對導軌。
[發明功效] 本發明的一態樣之加工裝置，具備暫時性地置放框架單元之暫置單元。暫置單元具備導電性之多個支撐部及檢測部，該多個支撐部分別支撐導電性之框架。檢測部具有電源及導通檢測部，該電源的一端子與第1支撐部電性連接，該導通檢部與第2支撐部和電源之另一端子電性連接。
若藉由第1支撐部與第2支撐部支撐框架，則由第1支撐部與第2支撐部、與各支撐部接觸之框架、電源及導通檢測部構成導通電路。藉由使導通檢測部檢測導通的有無，而檢測框架單元的有無。
如此藉由導通電路的形成，可檢測框架單元的有無，故不需要透射型或反射型之光電感測器。因而，不必如同使用光電感測器的情況般，要事先調整發光部與受光部之位置關係。進一步，可僅藉由在加工裝置的構成要素即各支撐部連接配線等而形成導通電路，故可降低構成要素之尺寸、加工裝置內部之空間的限制之影響。
參考添附圖式，針對本發明的一態樣之實施方式予以說明。首先，針對框架單元5予以說明，其係由環狀的框架7透過擴張片（樹脂片）9支撐晶圓（被加工物）11而藉以形成。圖1係一個框架單元5的立體圖。
框架7係以鋁、不鏽鋼等的金屬形成，具有電性導電性。框架7具有直徑較晶圓11的直徑更大之開口。擴張片9係具有伸縮性之樹脂製的薄片，亦稱作切割膠膜。
擴張片9係具有較框架7之開口更大的直徑之圓形的薄片。擴張片9係例如具有基材層及黏著層（糊層）之層積構造。基材層係例如以聚烯烴（PO）系樹脂形成。於基材層的一面之全體或一部分，形成以紫外線（UV）硬化型樹脂等黏著性樹脂形成之黏著層。
晶圓11係例如為圓盤狀之矽晶圓。於晶圓11的正面11a側，將多條分割預定線13設定為格子狀。於藉由多條分割預定線13劃分之各區域，形成IC（Integrated Circuit，積體電路）、LSI（Large Scale Integration，大型積體電路）、LED（Light Emitting Diode，發光二極體）等元件15。
另外，於晶圓11的內部，沿著分割預定線13形成有成為分割起點之脆弱層（亦稱作改質層）。晶圓11配置於框架7之開口的略中央，並將擴張片9的黏著層側貼附於框架7的一面與晶圓11的背面11b。
一個以上的框架單元5被收納於卡匣（未圖示），且被往片擴張裝置（加工裝置）2（參考圖2等）搬送。於片擴張裝置2設置有能夠以升降機方式往上下方向（Z軸方向、高度方向）移動之卡匣載置台（未圖示）。於卡匣載置台上，載置上述卡匣。
於卡匣之後方（Y軸方向之一邊）側，設置有由一對導軌構成的第1加工區域（未圖示）。此外，於第1加工區域之上方，設置有可進出卡匣的第1推拉臂（未圖示）。
於第1加工區域之左（X軸方向之一邊）側，設置有由另一對導軌構成的第1暫置區域（未圖示）。於第1暫置區域與上述第1加工區域之間，設置有可在其等雙方進出的吸附臂（未圖示）等。此外，於第1暫置區域之上方，設置有搬送框架單元5的第2推拉臂4（參考圖2）。
於第2暫置區域之前方（Y軸方向之另一邊）側，設置有第2加工區域A。於此第2加工區域A，設置有具有一對導軌6-1、6-2的擴張單元（加工單元）20（參考圖2）。
圖2係設置於第2加工區域A之擴張單元20等的俯視圖。另外，在圖2，關於擴張單元20的構成要素，僅顯示一對導軌6-1、6-2。
各導軌6-1、6-2具有沿著第1方向（Y軸方向）略平行地設置之實質上呈平坦板狀的水平部6a。於各水平部6a中，在一對導軌6-1、6-2相對向的一側（內側）之相反側即外側，設置有正交於水平部6a之實質上呈平坦板狀的垂直部6b。
本實施方式中，各導軌6-1、6-2，其整體以金屬等的導電性材料形成。另外，各導軌6-1、6-2，其整體亦可並非以導電性材料形成。各導軌6-1、6-2，若至少將水平部6a以導電性材料形成，則垂直部6b以非導電性的材料形成亦可。
將各導軌6-1、6-2之以導電性材料形成的部分，經由配線、端子等與後述控制部等連接。例如，若經由框架7將一對導軌6-1、6-2之間電性連接，則控制部可掌握框架單元5被支撐於一對導軌6-1、6-2。
以晶圓11的正面11a朝向下方之狀態，將框架單元5支撐在一對導軌6-1、6-2的情況，藉由各水平部6a支撐框架7的另一面側，並藉由一對垂直部6b夾住框架7之外周部。
藉由使一對導軌6-1、6-2以沿著第2方向（X軸方向）彼此接近的方式移動，而將框架單元5之第2方向的位置調整為預定位置。
第2加工區域A中的一對導軌6-1、6-2係作為搬送單元而作用，在調整框架單元5之位置後，將該框架單元5往中心校正單元（暫置單元）8傳遞（即搬送）（參考圖3、圖4）。
此處，參考圖3及圖4，針對中心校正單元8予以說明。圖3係中心校正單元8的局部側視剖面圖。另外，在圖3中，將部分的構成要素以記號或方塊圖表示。
中心校正單元8具有以不鏽鋼形成的框體10。框體10具有在中央部形成有圓形之開口10a的矩形板狀。於框體10之上表面側的四隅，設置有氣缸（未圖示）。
將活塞桿12之一端側插入至各氣缸的缸管。於活塞桿12之一端設置有活塞（未圖示），且該活塞位於缸管內。
於各活塞桿12之另一端側，以與框體10的上表面10b正交之態樣設置有框架支撐銷（支撐部）14。框架支撐銷14具有細長的圓柱部14a；圓柱部14a之上端係固定於活塞桿12之另一端側。
各圓柱部14a係插入至沿著活塞桿12之移動方向而形成在框體10的貫通槽（未圖示）。此貫通槽係從框體10的上表面10b貫通至下表面10c；圓柱部14a之下端係較下表面10c更往下方突出。於圓柱部14a之下端，固定具有較圓柱部14a更大的直徑之圓盤狀的圓盤部14b。
各框架支撐銷14以不會與一對導軌6-1、6-2干涉的方式，設置於較一對導軌6-1、6-2的移動區域更為內側（參考圖4）。在本實施方式係設置4根框架支撐銷14。圖4係調整框架單元5的位置時之中心校正單元8等的俯視圖。另外，在圖4省略上述框體10。
藉由4個圓柱部14a與框架7的外周緣接觸，而調整框架單元5的水平面方向之位置。此外，於垂直方向中，藉由圓盤部14b支撐框架單元5之外周部。
另外，亦可於框體10之四隅中的任意3處，分別設置氣缸及框架支撐銷14。此外，亦可於框體10之5處以上，分別設置氣缸及框架支撐銷14。
亦即，亦可於框體10之3處以上設置框架支撐銷14，並以3根以上的框架支撐銷14支撐框架單元5。此一情況，框架單元5之外周部的3處以上被支撐。
各框架支撐銷14係以金屬形成，故具有導電性。4根框架支撐銷14中之任意2根框架支撐銷14，係經由配線等而彼此電性連接。
如圖3所示，在本實施方式，位於框體10之後方側的2根框架支撐銷14-1及14-2，係經由配線等而電性連接。然則，並未限定為框架支撐銷14-1及14-2，亦可是任意2根框架支撐銷14經由配線等而電性連接。
框架支撐銷（第1支撐部）14-1，與設置於框體10之外部的配線基板（未圖示）之第1端子B1電性連接。於配線基板設置有電源16a；第1端子B1係與電源16a之一端子連接。
此外，框架支撐銷（第2支撐部）14-2係與配線基板（未圖示）之第2端子B2電性連接。於配線基板，設置有串聯連接之電阻16b、及包含LED與光二極體之光耦合器等的導通檢測部16c；第2端子B2係與電阻16b連接。
電阻16b係與導通檢測部16c之一端（例如，構成光耦合器的LED之陽極）連接；導通檢測部16c之另一端（例如，構成光耦合器的LED之陰極）係與電源16a之另一端子連接。另外，電阻16b係用於調整對導通檢測部16c（例如，光耦合器的LED）施加之電壓的目的。
電源16a、電阻16b及導通檢測部16c係構成檢測部18，其檢測框架單元5位於中心校正單元8。若藉由4根框架支撐銷14支撐框架單元5，則框架7與各框架支撐銷14接觸。
藉此，由框架7、框架支撐銷14-1與14-2、電源16a、電阻16b及導通檢測部16c形成導通電路。若導通電路形成，則藉由導通檢測部16c檢測電性導通。
導通檢測部16c若檢測到電性導通，則往片擴張裝置2的控制部（未圖示）輸出電訊號。藉此，控制部可掌握到框架單元5位於擴張單元20之中心校正單元8。
另外，控制部係由包含CPU（Central Processing Unit，中央處理單元）等處理裝置、快閃記憶體等記憶裝置的電腦構成。遵循記憶在記憶裝置之程式等軟體，使處理裝置運作，藉此控制部會作為使軟體與處理裝置（硬體資源）協同合作之具體手段而作用。
在本實施方式，設置有電源16a、電阻16b及導通檢測部16c的配線基板，係設置於框體10之外部。於框架支撐銷14並未設置構成光電感測器之發光部及受光部，而僅連接有配線。
於框架支撐銷14，雖較不易設置透射型或反射型之光電感測器，但容易連接配線。藉由將配線與框架支撐銷14連接，可構成檢測部18而不受框架支撐銷14之尺寸的影響。進一步，可構成檢測部18而不受中心校正單元8附近之空間的限制。
利用中心校正單元8調整框架單元5之位置的情況，於中心校正單元8暫時性地置放（即暫置）藉由擴張單元20加工前之框架單元5。接著，藉由使氣缸運作，而以由4根框架支撐銷14支撐框架單元5的狀態，將框架單元5定位至預定位置。
具體而言，調整框架單元5之位置，俾使晶圓11位於開口10a之正下方，且框架7位於框體10之正下方。此時，上述導通電路形成。圖5係導通電路已形成時之中心校正單元8等的局部側視剖面圖。
接著，針對擴張單元20的細節予以說明。圖6（A）係擴張單元20等的局部側視剖面圖。擴張單元20除了具有一對導軌6-1、6-2及中心校正單元8以外，還具有推壓構件22。
推壓構件22具有圓柱狀。推壓構件22之圓的直徑，較晶圓11的直徑更大，且較開口10a的直徑更小。推壓構件22其上部固定於托架（未圖示）。於推壓構件22之下部，設置有多孔質板（未圖示）。
於多孔質板的上表面側，經由流路而連接噴射器等吸引源（未圖示）。藉由使吸引源運作，而於多孔質板的下表面，即推壓構件22的下表面22a，產生負壓。另外，亦可取代多孔質板，將多個吸引口設置於下表面22a。
下表面22a係位於較框體10之下表面更為下方。於推壓構件22的下表面22a側之外周部，設置有多根滾輪22b。於較推壓構件22的下表面22a更下方，設置有升降部24。升降部24具有沿著片擴張裝置2之高度方向而設置的滾珠螺桿24a。於滾珠螺桿24a之下端部，連結有馬達24b。
於滾珠螺桿24a之上端部，設置有圓盤狀的限制器24c。於限制器24c與馬達24b之間，設置有螺帽部24d。將滾珠螺桿24a以可旋轉之態樣與螺帽部24d結合。
於螺帽部24d之側邊，放射狀地固定有多條機械臂26。另外，在圖6（A）係顯示2條機械臂26。於機械臂26之外周端部，以包圍滾珠螺桿24a的態樣，設置有圓筒部28。於圓筒部28之上部，設置有用於支撐框架7之具有略水平之上表面的環狀台30。
於圓筒部28與滾珠螺桿24a之間的區域，以包圍滾珠螺桿24a之方式，設置有多個柱狀部32。多個柱狀部32係例如設置有與機械臂26之數量相同的數量；柱狀部32之下端係固定於機械臂26。
於各柱狀部32的上部，設置有發熱之加熱器34。加熱器34在框架單元5載置於環狀台30上的情況，係位於晶圓11與框架7之間的區域之下方。
接著，針對利用擴張單元20將晶圓11加工的順序予以說明。首先，如同利用圖2所說明的，將框架單元5從第2推拉臂4往一對導軌6-1、6-2搬送（第1搬送步驟（S10））。
第1搬送步驟（S10）後，多根框架支撐銷14支撐框架單元5，接著，一對導軌6-1、6-2會從框架單元5撤離。藉此，如圖4所示，將框架單元5從一對導軌6-1、6-2往多根框架支撐銷14搬送（第2搬送步驟（S20））。
第2搬送步驟（S20）後，如同利用圖4所說明的，藉由多根框架支撐銷14調整框架單元5之位置，並將框架單元5定位至開口10a之略中央（中心校正步驟（S30））。
在中心校正步驟（S30），如同利用圖5所說明的，藉由檢測部18與框架7形成導通電路。藉此，於控制部中檢測到框架單元5位於擴張單元20。
中心校正步驟（S30）之後，使馬達24b運作，以使滾珠螺桿24a旋轉，藉此使圓筒部28等與螺帽部24d一同上升。藉此，使環狀台30的上表面接觸框架7的另一面。
其後，藉由各框架支撐銷14往外側撤離，而將框架單元5從多根框架支撐銷14往環狀台30搬送（第3搬送步驟（S40））。圖6（B）係置放於環狀台30之框架單元5等的局部側視剖面圖。
第3搬送步驟（S40）之後，使馬達24b運作，以使圓筒部28等進一步上升。具體而言，使螺帽部24d上升直至位於框架7的一面側之擴張片9與框體10之下表面10c接觸為止，藉以隔著擴張片9以推壓構件22推壓晶圓11的背面11b側。
藉此，擴張片9往徑方向擴張，同時晶圓11亦於徑方向受到外力，而以沿著分割預定線13形成之脆弱層為分割起點將晶圓11分割（加工）。藉此，將晶圓11分割為多片晶片17（分割步驟（S50））。圖7（A）係將晶圓11分割時之擴張單元20等的局部側視剖面圖。
分割步驟（S50）之後，使吸引源運作，並以推壓構件22的下表面22a吸引保持擴張片9。而後，使圓筒部28往下方移動，直至框架7的一面成為與推壓構件22的下表面22a略相同之高度為止。
其後，使加熱器34運作，以將晶圓11與框架7之間的區域加熱（熱收縮步驟（S60））。圖7（B）係將擴張片9加熱時之擴張單元等的局部側視剖面圖。
藉由熱收縮步驟（S60），位於多片晶片17之外周部的擴張片9之環狀區域會熱收縮，而消除在分割步驟（S50）產生之該環狀區域的鬆弛。因而，在熱收縮步驟（S60）會維持各晶片17間的距離。
將熱收縮步驟（S60）之後的框架單元5藉由反轉裝置（未圖示）上下反轉，接著，藉由未圖示之吸附臂（其他搬送單元）搬送。具體而言，藉由吸附臂，將框架單元5往位於設置在卡匣後方側之第1加工區域C的一對導軌40-1、40-2（其他暫置單元）搬送。
圖8係一對導軌40-1、40-2等的俯視圖。一對導軌40-1、40-2，係作為多個支撐部而作用之暫置單元。往一對導軌40-1、40-2搬送的框架單元5中之框架7的一面係與一對導軌40-1、40-2接觸。
一對導軌40-1、40-2的構造及功能，係與一對導軌6-1、6-2相同。各導軌40-1、40-2具有水平部40a及垂直部40b。水平部40a對應於水平部6a，垂直部40b對應於垂直部6b。
導軌（第1支撐部）40-1係經由配線等而與設置於第1加工區域C之外部的配線基板（未圖示）之第3端子B3（參考圖9）連接。圖9係一對導軌40-1、40-2等的局部側視剖面圖。另外，在圖9中，將部分的構成要素以記號或方塊圖表示。
於配線基板設置有電源46a；第3端子B3係與電源46a之一端子連接。此外，導軌（第2支撐部）40-2係經由配線等而與配線基板（未圖示）之第4端子B4連接。於配線基板，設置有串聯連接之電阻46b、及包含LED與光二極體之光耦合器等的導通檢測部46c；第4端子B4係與電阻46b連接。
電阻46b係與導通檢測部46c之一端（例如，構成光耦合器的LED之陽極）連接；導通檢測部46c之另一端（例如，構成光耦合器的LED之陰極）係與電源46a之另一端子連接。電源46a、電阻46b及導通檢測部46c係構成檢測部48，其檢測框架單元5位於一對導軌40-1、40-2。
因而，若將框架單元5載置於導軌40-1（第1支撐部）及導軌40-2（第2支撐部）上，則由框架7、導軌40-1與40-2、電源46a、電阻46b及導通檢測部46c形成導通電路。導通檢測部46c若檢測到導通電路中之電性導通，則往控制部輸出電訊號。藉此，控制部可掌握到框架單元5位於第1加工區域C的導軌40-1、40-2。
於一對導軌40-1、40-2之下方，設置有往上方照射紫外線52之紫外線照射單元（加工單元）50。此外，於一對導軌40-1、40-2之上方設置有第1推拉臂42，其用於將照射紫外線52後之框架單元5往卡匣搬送。
以紫外線照射單元50將晶圓11加工時，首先，藉由吸附臂將框架單元5往一對導軌40-1、40-2搬送（第4搬送步驟（S100））。
第4搬送步驟（S100）之後，使一對導軌40-1、40-2以沿著第2方向（X軸方向）彼此接近的方式移動。藉此，將框架單元5之位置調整至紫外線照射單元50之略中央（中心校正步驟（S110））。
中心校正步驟（S110）之後，藉由紫外線照射單元50對擴張片9照射紫外線52，藉以使擴張片9之黏著層硬化（紫外線照射步驟（S120））。
如此地，藉由以紫外線52將黏著層加工，而降低黏著層的接著力。紫外線照射步驟（S120）之後，將框架單元5藉由第1推拉臂42往卡匣搬送（第5搬送步驟（S130））。
在本實施方式，設置有電源46a、電阻46b及導通檢測部46c的配線基板，係設置於框體10之外部。於一對導軌40-1、40-2並未設置構成光電感測器之發光部及受光部，而僅連接有配線。藉由將配線與一對導軌40-1、40-2連接，可構成檢測部18而不受一對導軌40-1、40-2附近之空間的限制。
此外，上述實施方式之構造、方法等，可在未脫離本發明之目的的範圍中適宜變更而實施。例如，亦可將藉由一對導軌40-1、40-2調整過位置之框架單元5，藉由推拉臂（未圖示）往用於清洗晶圓11之旋轉清洗單元（加工單元）搬送。
此外，亦可將推拉臂等搬送單元以及一對導軌等暫置單元，應用在具有切割刀片之切割單元或可照射雷射光束之雷射照射單元等的加工單元。
2:片擴張裝置（加工裝置） 4:第2推拉臂 5:框架單元 6-1,6-2:導軌（搬送單元） 6a:水平部 6b:垂直部 7:框架 8:中心校正單元（暫置單元） 9:擴張片（樹脂片） 10:框體 10a:開口 10b:上表面 10c:下表面 11:晶圓（被加工物） 11a:正面 11b:背面 12:活塞桿 13:分割預定線 14,14-1,14-2,14-3,14-4:框架支撐銷（支撐部） 14a:圓柱部 14b:圓盤部 15:元件 16a:電源 16b:電阻 16c:導通檢測部 17:晶片 18:檢測部 20:擴張單元（加工單元） 22:推壓構件 22a:下表面 22b:滾輪 24:升降部 24a:滾珠螺桿 24b:馬達 24c:限制器 24d:螺帽部 26:機械臂 28:圓筒部 30:環狀台 32:柱狀部 34:加熱器 40-1,40-2:導軌（支撐部） 40a:水平部 40b:垂直部 42:第1推拉臂 46a:電源 46b:電阻 46c:導通檢測部 48:檢測部 50:紫外線照射單元（加工單元） 52:紫外線 A:第2加工區域 B1:第1端子 B2:第2端子 B3:第3端子 B4:第4端子 C:第1加工區域
圖1係一個框架單元的立體圖。 圖2係設置於第2加工區域之擴張單元等的俯視圖。 圖3係中心校正單元的局部側視剖面圖。 圖4係調整框架單元的位置時之中心校正單元等的俯視圖。 圖5係導通電路已形成時之中心校正單元等的局部側視剖面圖。 圖6（A）係擴張單元等的局部側視剖面圖；圖6（B）係置放於環狀台之框架單元等的局部側視剖面圖。 圖7（A）係分割晶圓時之擴張單元等的局部側視剖面圖；圖7（B）係將擴張片加熱時之擴張單元等的局部側視剖面圖。 圖8係一對導軌等的俯視圖。 圖9係一對導軌等的局部側視剖面圖。
8:中心校正單元(暫置單元)
10:框體
10a:開口
10b:上表面
10c:下表面
12:活塞桿
14-1,14-2:框架支撐銷(支撐部)
14a:圓柱部
14b:圓盤部
16a:電源
16b:電阻
16c:導通檢測部
18:檢測部
B1:第1端子
B2:第2端子

Claims (3)

  1. 一種加工裝置，其特徵在於，具備：暫置單元，其暫時性地置放框架單元，該框架單元是將被加工物透過樹脂片支撐在具有導電性之環狀的框架；搬送單元，其將該框架單元往該暫置單元搬送；以及加工單元，其將該框架單元的該被加工物加工； 該暫置單元，具備： 多個支撐部，其支撐該框架單元且為導電性；以及 檢測部，其具有電源及導通檢測部，該電源的一端子與該多個支撐部中之第1支撐部電性連接，該導通檢部與該多個支撐部中之第2支撐部和該電源之另一端子電性連接； 若藉由該第1支撐部與該第2支撐部支撐該框架，則形成包含該框架、該第1支撐部與該第2支撐部、該電源及該導通檢測部之導通電路。
  2. 如請求項1之加工裝置，其中， 該暫置單元的該多個支撐部係3根以上的支撐銷； 該3根以上的支撐銷在3處以上支撐該框架之外周部，並將該框架單元定位至預定位置。
  3. 如請求項1之加工裝置，其中， 該暫置單元的該多個支撐部，係支撐該框架的一對導軌。
TW109127008A 2019-08-14 2020-08-10 加工裝置 TWI824169B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019148728A JP7282467B2 (ja) 2019-08-14 2019-08-14 加工装置
JP2019-148728 2019-08-14

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202107615A true TW202107615A (zh) 2021-02-16
TWI824169B TWI824169B (zh) 2023-12-01

Family

ID=74603036

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW109127008A TWI824169B (zh) 2019-08-14 2020-08-10 加工裝置

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP7282467B2 (zh)
KR (1) KR20210020768A (zh)
CN (1) CN112397432A (zh)
SG (1) SG10202007416QA (zh)
TW (1) TWI824169B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116033748A (zh) * 2023-03-24 2023-04-28 长鑫存储技术有限公司 半导体结构及其制备方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63155642A (ja) * 1986-12-18 1988-06-28 Nitto Electric Ind Co Ltd 半導体ウエハの自動貼付け装置
JP3225340B2 (ja) * 1995-07-27 2001-11-05 株式会社新川 リードフレームの吸着保持装置
JP2009239072A (ja) 2008-03-27 2009-10-15 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 剥離装置
JP5959216B2 (ja) * 2012-02-06 2016-08-02 日東電工株式会社 基板搬送方法および基板搬送装置
JP2015012263A (ja) 2013-07-02 2015-01-19 株式会社ディスコ 加工装置
JP6868447B2 (ja) 2017-04-05 2021-05-12 株式会社ディスコ 分割装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116033748A (zh) * 2023-03-24 2023-04-28 长鑫存储技术有限公司 半导体结构及其制备方法
CN116033748B (zh) * 2023-03-24 2023-09-15 长鑫存储技术有限公司 半导体结构及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
SG10202007416QA (en) 2021-03-30
CN112397432A (zh) 2021-02-23
JP7282467B2 (ja) 2023-05-29
KR20210020768A (ko) 2021-02-24
TWI824169B (zh) 2023-12-01
JP2021034395A (ja) 2021-03-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101708575B1 (ko) 웨이퍼 부착 방법 및 웨이퍼 검사 장치
KR20140043678A (ko) 척 테이블
JP7282461B2 (ja) 検査装置、及び加工装置
JP6322083B2 (ja) 半導体ウエハの冷却方法および半導体ウエハの冷却装置
JP2009054993A (ja) 位置検出用治具
KR102436811B1 (ko) 접합 장치 및 접합 방법
KR20180045666A (ko) 기판 제조 장치
JP2014165439A (ja) 基板搬送装置、基板受渡位置確認方法及び基板処理システム
JP2012191037A (ja) 基板貼り合わせ装置および基板貼り合わせ方法
TWI824169B (zh) 加工裝置
CN111162024B (zh) 用于安装导电球的设备
JP6732383B2 (ja) シート拡張装置
CN111162010A (zh) 安装导电球的方法
JP6573918B2 (ja) ロールツーロールウエハ裏側粒子及び汚染の除去
JP6494288B2 (ja) 加工装置及び加工方法
JP2016152394A (ja) 加工装置
JP2012199442A (ja) ダイボンダ及び半導体製造方法
JP2017079284A (ja) レーザー加工装置
TW202105586A (zh) 基板支持裝置、基板處理裝置及基板支持方法
CN221078431U (zh) 一种晶圆检测设备
JP7233813B2 (ja) 加工装置
JP7286250B2 (ja) 保護部材形成装置
KR20080098709A (ko) 웨이퍼 이송 장치
JP6598811B2 (ja) 半導体パッケージ配置装置、製造装置、半導体パッケージの配置方法および電子部品の製造方法
WO2021039450A1 (ja) 検査装置の自己診断方法および検査装置