TW202105586A - 基板支持裝置、基板處理裝置及基板支持方法 - Google Patents

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Abstract

[課題]提供一種能夠將產生有翹曲的基板容易且確實地作保持之基板支持裝置、基板處理裝置、基板支持方法。 [解決手段]基板支持裝置(2)，係具備有：基板支持台(4)，係在頂面(4t)處具備有支持基板(100)之支持面(41)；和基板推壓部(7)，係被設置在基板支持台(4)之上方處，並在上下方向作進退而將被載置於支持面(41)上之基板(100)從上方來作推壓；和基板吸附部(6)，係可從支持面(41)而朝向上方進行出沒地而被作設置，並吸附被載置於支持面(41)上之基板(100)之下面(100b)。

Description

基板支持裝置、基板處理裝置及基板支持方法
本發明，係有關於基板支持裝置、基板處理裝置以及基板支持方法。
在對於基板而施加特定之處理的基板處理裝置中，於進行處理時係使用有將基板藉由基板支持面來作吸附並使基板旋轉的基板支持裝置。在此基板支持裝置中，當在藉由基板支持面所吸附的基板處產生有翹曲的情況時，由於會在基板與基板支持面之間產生間隙，因此基板與基板支持面之間之真空(負壓)係被破壞，而會有成為無法進行基板之吸附的情況。相對於此，係提案有下述一般之構成(例如，參照專利文獻1)，其係具備有：吸引部，係具備被設置在基板載置面上的同心圓狀之第1溝部、和與第1溝部相交叉之第2溝部；和空氣排氣部，係將相對於基板之質量的在吸引部處之吸引力之比設定為特定之範圍，藉由此，而成為就算是產生有翹曲的基板也能夠進行吸附。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2011-82457號公報
[發明所欲解決之課題]
在專利文獻1所揭示之構成中，就算是在對於基板之吸引力作了設定時，依存於在基板處所產生的應力，也會有翹曲並未被消除的情況，其結果，基板與基板支持面之間之真空係被破壞，而會有成為無法將基板作吸附的可能性。又，若是為了消除基板之翹曲而設定強的吸附力，並在將基板之翹曲作了矯正的狀態下而預先保持於基板支持面處，則係會有導致基板破損的情形。
本發明之目的，係在於提供一種就算是產生有翹曲的基板也能夠容易且確實地作保持之基板支持裝置、基板處理裝置以及基板支持方法。 [用以解決課題之手段]
若依據本發明之第1態樣，則係提供一種基板支持裝置，其係具備有：基板支持部，係在頂面處具備有支持基板之支持面；和基板推壓部，係被設置在前述基板支持部之上方處，並在上下方向作進退而將被載置於前述支持面上之前述基板從上方來作推壓；和基板吸附部，係可從前述支持面而朝向上方進行出沒地而被作設置，並吸附被載置於前述支持面上之前述基板之下面。
若依據本發明之第2態樣，則係提供一種基板處理裝置，其係具備有：上述之第1態樣之基板支持裝置；和基板處理部，係對於被載置於前述基板支持裝置之前述基板支持部處的前述基板而進行處理。
若依據本發明之第3態樣，則係提供一種基板支持方法，其係包含有：將被載置於基板支持部之支持面上的基板從上方來作推壓之步驟；和在前述基板之下面處使基板吸附部作吸附之步驟；和將從上方來對於前述基板作推壓一事釋放並因應於在前述基板處所產生的翹曲來使前述基板吸附部從前述支持面起而朝向上方突出之步驟。 [發明之效果]
若依據本發明之態樣，則當在將被載置於支持面上的基板藉由基板推壓部來從上方而作了推壓的狀態下藉由基板吸附部而將基板之下面作了吸附之後，當在基板處產生有翹曲的情況時，基板吸附部係因應於基板之翹曲量而從支持面起朝向上方突出並將對於基板之下面作了吸附的狀態作維持。故而，就算是產生有翹曲的基板，亦由於基板吸附部係維持為將基板作了吸附的狀態，因此係能夠容易且確實地將基板作保持。
以下，參考圖面，針對本發明之實施形態作說明。但是，本發明係並不被限定於此實施形態。又，在圖面中，為了易於理解實施形態之各構成，係進行有像是將一部分作放大或是強調或者是將一部分作了簡略化的表現，而會有與實際的構造或形狀、縮尺等相異的情況。
圖1，係為對於實施形態之基板支持裝置、基板處理裝置的其中一例作展示之立體剖面圖。圖2，係為對於基板支持裝置2之主要部分作展示之正面圖。圖3，係為對於基板支持裝置2作展示之平面圖。如同在圖1～圖3中所示一般，基板洗淨裝置1，主要係具備有基板支持裝置2、和基板處理部3(參照圖7)、以及控制器9(參照圖9)。在本實施形態中，基板處理裝置1，係對於基板100而進行例如使用有雷射光之處理。另外，藉由基板處理裝置1所對於基板100施加之處理，係並不被限定於使用有雷射光之處理，亦可為基板100之洗淨處理等之其他的處理。
基板支持裝置2，主要係具備有基板支持台(基板支持部)4、和基板舉升部5、和基板吸附部6、以及基板推壓部7。基板支持台4，係當平面觀察時為矩形狀，並於上下方向具備有特定之厚度。如同在圖1以及圖3中所示一般，基板支持台4，係可沿著被設置在基板支持台4之下方處的導引構件44X、44Y來於在水平面內而相互正交之2個方向上作移動地，而被作設置。基板支持台4，係藉由未圖示之驅動部(例如，驅動汽缸等)來沿著各別的導引構件44X、44Y而被作進退驅動。
圖4，係為對於基板支持裝置2之基板舉升部5的概略構成作展示之剖面圖。圖5，係為對於基板支持裝置2之基板吸附部6的概略構成作展示之剖面圖。如同在圖2、圖4以及圖5中所示一般，在基板支持台4處而朝向上方之頂面4t，係作為支持基板100之支持面41而被作使用。在基板支持台4處，係被形成有複數之銷孔42和複數之墊片收容孔43。各銷孔42以及各墊片收容孔43，係分別在平面觀察下而為圓形，並於上下方向而貫通基板支持台4。
如同在圖4中所示一般，基板舉升部5，係被設置在基板支持台4處。基板舉升部5，係具備有複數之舉升銷51、和支架52、以及舉升汽缸(未圖示)。複數之舉升銷51，係在水平方向上空出有間隔地而被作設置。各舉升銷51係朝向上下方向而延伸。各舉升銷51，係被插入至基板支持台4之銷孔42中。在基板支持台4之下面處，係被設置有將舉升銷51可在上下方向移動地而作支持之導引套筒55。
支架52，係在水平方向上延伸，並將複數之舉升銷51的下端部一體性地作連結。舉升汽缸(未圖示)，係將支架52於上下方向作升降驅動。複數之舉升銷51，係藉由以舉升汽缸(未圖示)來使支架52作升降，而於上下方向作升降。複數之舉升銷51，係成為能夠在「使其之上端51t成為基板支持台4之支持面41以下之高度而並未從支持面41起朝向上方突出的位置(沒入位置)」和「使上端51t從支持面41起朝向上方而作了突出的位置(突出位置)」之間作出沒。
如同在圖1～圖3中所示一般，基板吸附部6，係被設置在基板支持台4處。基板吸附部6，係在基板支持台4處被作複數配置。複數之基板吸附部6，係與被載置於基板支持台4處之基板100相對應地而被作配置。具體而言，複數之基板吸附部6，係被配置在對於被載置於基板支持台4處之基板100之下面100b而從下方來相對向的位置處。
如同在圖1以及圖3中所示一般，複數之基板吸附部6，係被配置在被載置於基板支持台4處之基板100之中央部分100c和基板100之外周部100d處。複數之基板吸附部6，係沿著矩形狀之基板100之外緣100g內側而被以特定間隔來作配置。複數之基板吸附部6，係被配置在被載置於基板支持台4處之基板100之中央部分100c和從中央部分100c起而沿著輻射方向的複數之位置100e處。複數之基板吸附部6，係分別被配置在被載置於基板支持台4處之基板100之中央部分100c和基板100之4個的角部101處。
如同在圖5中所示一般，各基板吸附部6，係可從支持面41起朝向上方作出沒地而被作設置，並將被載置在支持面41上的基板100之下面100b作吸附。基板吸附部6，係具備有墊片本體61、和彈性部62、以及負壓供給部63。墊片本體61，係於上下方向而延伸，並被插入至基板支持台4之墊片收容孔43內而被作配置。墊片本體61，係在被設置於基板支持台4之下面處的支持支架66處，藉由螺帽67A、67B而被作固定。螺帽67A、67B，係以將支持支架66從上下方向來作包夾的方式而被作設置。
在墊片本體61之上端部處，係被設置有能夠吸附於基板100之下面100b處的吸附墊片64。在墊片本體61以及吸附墊片64處，係被形成有於上下方向而作貫通的貫通孔61h、64h。吸附墊片64，係由橡膠系材料等之具備有彈性的材料所形成。吸附墊片64，係作為彈性部62，而具備有可在上下方向作伸縮的蛇腹部65。吸附墊片64，係使其之前端64s與基板支持台4之支持面41在上下方向上而被設置於同一位置處。吸附墊片64，係吸附於基板100之下面100b處。
如同在圖5中以二點鏈線所示一般，在使吸附墊片64吸附於基板100之下面100b處的狀態下，若是基板100之下面100b從支持面41起而朝向上方位移，則吸附墊片64係以朝向上方伸長的方式而作彈性變形，前端64s係從支持面41起而朝向上方突出。在吸附墊片64之前端64s較支持面41而更朝向上方作了突出的狀態下，於吸附墊片64處，係藉由作為彈性部62之蛇腹部65而被朝向下方賦予有彈性力。
負壓供給部63，係身為用以賦予為了使吸附墊片64吸附於基板100之下面處的負壓之流路。負壓供給部63，係身為墊片本體61以及吸附墊片64之貫通孔61h、64h。在墊片本體61處，係經由未圖示之配管而被連接有真空幫浦等之未圖示之負壓產生源。藉由負壓產生源所產生的負壓，係經由配管(未圖示)、墊片本體61以及吸附墊片64之貫通孔61h、64h，而被賦予至吸附墊片64處。在使吸附墊片64衝抵於基板100之下面100b處的狀態下，藉由將以負壓產生源所產生的負壓經由負壓供給部63來作賦予，吸附墊片64係將基板100作吸附保持。
於此，圖6，係為對於被賦予至吸附墊片64處之真空度(負壓)與在吸附墊片64處所發揮的吸附力之間之相關作展示之圖。如同在此圖6中所示一般，若是經由負壓供給部63所賦予至吸附墊片64處之真空度越高，則在吸附墊片64處所發揮的基板100之吸附力係變得越高。另外，在圖6中所示之圖表，係對於真空度與吸附力之間之相關的其中一例作展示，例如，依存於吸附墊片64之形狀等，斜率等係會有所變化。
如同在圖1以及圖2中所示一般，基板推壓部7，係被設置在基板支持台4之上方處。基板推壓部7，係可在上下方向進退(升降)地而被作設置。基板推壓部7，係以將被載置在支持面41上之基板100從上方來作推壓的方式而動作。基板推壓部7，係對於被載置在支持面41上之基板100而在複數場所處作推壓。基板推壓部7，係具備有框架71、和複數之推壓構件72、以及致動器73。
圖7，係為對於基板推壓部7的構成作展示之剖面圖。如同在圖7中所示一般，框架71，係當平面觀察時為矩形狀，並具備有與基板支持台4略同等之大小。複數之推壓構件72，係在框架71處藉由螺帽75A、75B而被作固定。複數之推壓構件72，係於各者之下端處具備有墊片(吸附部)74。墊片74，係被與未圖示之負壓源作連接，並能夠吸附於基板100(層積體103)之上面100t處。
基板推壓部7，係藉由使複數之推壓構件72之墊片74從上方來對於基板100之上面100t作推壓抵接，來推壓基板100，並使其沿著基板支持台4之支持面41上。又，基板推壓部7，係在使複數之推壓構件72之墊片74推壓抵接於基板100之上面100t處的狀態下，藉由以未圖示之負壓源來使負壓作用於墊片74處，而將基板100之上面100t在複數場所處作吸附保持。
致動器73，係使框架71至少於上下方向作移動。致動器73，係在藉由複數之推壓構件72而將基板100作了吸附保持的狀態下，藉由使框架71至少於上下方向作移動，來搬送基板100。此種基板推壓部7，係將基板100對於基板支持台4之支持面41上而進行搬入或搬出。
圖8，係為對於基板支持裝置2以及基板處理部3作展示之剖面圖。基板處理部3，係對於被載置在基板支持台4之支持面41上的基板100，而施加特定之處理。在本實施形態中，基板處理部3，係對於基板100而照射雷射光。基板處理部3，係具備有將雷射光照射至基板100處之照射噴嘴31、和發出雷射光之未圖示之雷射光源、和將雷射光從雷射光源而導引至照射噴嘴31處的未圖示之雷射光學系。
基板處理裝置1，係一面藉由基板處理部3來從照射噴嘴31而對於基板支持台4之支持面41上的基板100照射雷射光，一面使基板支持台4沿著導引構件44X、44Y(參照圖1)來於在水平面內而相互正交之2個方向上作移動，藉由此，來對於基板100(層積體103)施加特定之雷射加工。
在本實施形態中，於基板100處，係於其之上面例如層積有玻璃製且板狀之支持構件102。支持構件102，係以將基板100之上面100t作覆蓋的方式而被作設置。基板100之上面100t與支持構件102，係藉由接合材(未圖示)之膜而被作接合。接合材之膜(層)，係亦會有被稱作反應層或分離層的情形。基板處理部3，係藉由對於基板100與支持構件102之層積體103照射雷射光，而將由接合材(未圖示)所致之接合解除。另外，藉由基板處理部3所對於基板100施加之處理，係亦可為上述之處理以外的處理。例如，作為藉由基板處理部3所施加之處理，係亦可為對於基板100之洗淨處理。
圖9，係為對於控制器9之功能區塊構成之其中一例作展示之圖。如同在圖9中所示一般，控制器9，係對於基板推壓部7和基板舉升部5和基板吸附部6以及基板處理部3作控制。控制器9，例如，係具備有CPU、主記憶體、記憶裝置、通訊裝置等，並身為進行各種資訊之處理、資訊之記憶、資訊之輸入輸出、資訊之通訊(送受訊)等的電腦系統。控制器9，係具備有搬入受理部91、和舉升指示部92、和推壓指示部93、和吸附指示部94、和處理指示部95、以及搬出指示部96。
搬入受理部91，係受理從基板處理裝置1之前一工程所搬送而來之基板100(層積體103)的搬入。搬入受理部91，係基於從前一工程所輸出之訊號或者是從被設置在來自前一工程的搬送工程處之感測器而來的訊號等，而受理基板100被從前一工程而搬送過來一事。
舉升指示部92，係若是藉由搬入受理部91而受理了基板100被從前一工程而搬送而來一事，則對於基板舉升部5輸出使舉升銷51朝向上方突出的指示訊號。舉升指示部92，係基於指示訊號，而使基板舉升部5實行「藉由舉升汽缸(未圖示)來使支架52上升並使複數之舉升銷51的上端51t從支持面41起來突出至上方」的動作。
舉升指示部92，係若是從前一工程所被搬送而來之基板100被載置於從支持面41起而朝向上方作了突出的複數之舉升銷51上，則對於基板舉升部5輸出使舉升銷51下降的指示訊號。舉升指示部92，係使基板舉升部5實行「藉由舉升汽缸(未圖示)來使支架52下降並使複數之舉升銷51的上端51t成為基板支持台4之支持面41以下的高度而成為不會從支持面41來突出至上方」的動作。藉由此動作，被載置在複數之舉升銷51上的基板100(層積體103)係被載置於基板支持台4之支持面41上。
推壓指示部93，係若是基板100(層積體103)被載置在支持面41上，則對於基板推壓部7而輸出使其將基板100從上方來作推壓的指示訊號。推壓指示部93，係使基板推壓部7實行「藉由致動器73來使框架71下降並將複數之推壓構件72從上方來對於支持面41上之基板100(層積體103)之上面100t作推壓抵接」的動作。藉由此動作，支持面41上之基板100係藉由複數之推壓構件72而被從上方作推壓。
吸附指示部94，係在支持面41上之基板100藉由基板推壓部7而被從上方作了推壓的狀態下，對於基板吸附部6而輸出使其將基板100之下面100b作吸附的指示訊號。吸附指示部94，係使基板吸附部6實行「將以未圖示之負壓產生源所產生的負壓經由負壓供給部63來對於衝抵於基板100之下面100b處的吸附墊片64作賦予」之動作。藉由此動作，吸附墊片64之各者係將基板100作吸附保持。
處理指示部95，係以藉由基板處理部3來對於藉由基板吸附部6而被作了吸附保持的基板100(層積體103)而實行特定之處理的方式，來對於基板處理部3輸出指示訊號。處理指示部95，係使基板處理部3實行「一面從照射噴嘴31而對於基板支持台4之支持面41上的基板100照射雷射光，一面使基板支持台4沿著導引構件44X、44Y來於在水平面內而相互正交之2個方向上作移動，藉由此，來對於基板100(層積體103)施加特定之雷射加工」之動作。
搬出指示部96，係以將藉由基板處理部3而被施加了特定之處理的基板100朝向後一工程而搬出的方式，來對於基板推壓部7輸出指示訊號。搬出指示部96，係使基板推壓部7實行「藉由致動器73來使框架71下降並將複數之推壓構件72從上方來對於支持面41上之基板100之上面100t作推壓抵接」的動作。進而，搬出指示部96，係實行在基板吸附部6處而藉由複數之吸附墊片64來將基板100之下面100b作吸附的動作和在基板推壓部7處而藉由複數之推壓構件72來吸附層積體103之支持構件102之動作。
進而，搬出指示部96，係使基板推壓部7實行「藉由致動器73來使框架71上升」的動作。藉由此些之動作，藉由複數之推壓構件72而作了吸附的支持構件102，係被從支持面41上之基板100而拉離。亦即是，藉由使複數之推壓構件72將支持構件102作吸附並上升，係實行從藉由基板吸附部6而被作了吸附的基板100來使支持構件102分離之動作。
接著，針對在上述一般之基板處理裝置1中的基板100之處理方法作說明。以下所說明的基板100之處理方法，係包含有由基板支持裝置2所致之基板100之支持方法。圖10，係為對於包含實施形態之基板支持方法的基板處理方法之其中一例作展示之流程圖。
如同在圖10中所示一般，在本實施形態中的基板100之處理方法中，係實行以下之步驟S1～S8。首先，在步驟S1中，基板處理裝置1之搬入受理部91，係受理從基板處理裝置1之前一工程所搬送而來之基板100(層積體103)的搬入。搬入受理部91，係基於從前一工程所輸出之訊號或者是從被設置在來自前一工程的搬送工程處之感測器而來的訊號等，而受理基板100被從前一工程而搬送過來一事。
圖11，係為對於在基板支持裝置2處而使舉升銷51朝向上方作了突出的狀態作展示之圖。在步驟S2中，舉升指示部92，係對於基板舉升部5輸出使舉升銷51朝向上方突出的指示訊號。如同在圖11中所示一般，基板舉升部5，係若是受理從舉升指示部92所輸出的指示訊號，則藉由舉升汽缸(未圖示)，來使支架52上升，並使複數之舉升銷51的上端51t從支持面41起來突出至上方。
圖12，係為對於在基板支持裝置2處而將從前一工程所搬入的基板100在朝向上方作了突出的舉升銷51上作接收的狀態作展示之圖。圖13，係為對於在基板支持裝置2處而將基板100載置於朝向上方而作了突出的舉升銷51上之狀態作展示之圖。在步驟S3中，基板處理裝置1，係接收從前一工程所搬送而來之基板100。如同在圖12中所示一般，基板100(層積體103)，例如，係被支持於被設置在基板處理裝置1之外部處的移送裝置200之複數之支持臂201上並被搬入。如同在圖13中所示一般，基板100(層積體103)，係被載置在從支持面41起而朝向上方作了突出的複數之舉升銷51上。
圖14，係為對於在基板支持裝置2處而使舉升銷51下降並將基板100載置在基板支持台4之支持面41上的狀態作展示之圖。在步驟S4中，舉升指示部92，係對於基板舉升部5輸出使舉升銷51下降的指示訊號。如同在圖14中所示一般，基板舉升部5，係若是受理從舉升指示部92所輸出的指示訊號，則藉由舉升汽缸(未圖示)來使支架52下降，並使複數之舉升銷51的上端51t成為基板支持台4之支持面41以下的高度，而成為不會從支持面41來突出至上方。藉由此動作，被載置在複數之舉升銷51上的基板100(層積體103)係被載置於基板支持台4之支持面41上。
圖15，係為對於在基板支持裝置2處而將被載置於基板支持台4上之基板100藉由基板推壓部7來作推壓的狀態作展示之圖。在步驟S5中，推壓指示部93，係對於基板推壓部7而輸出使其將基板100(層積體103)從上方來作推壓的指示訊號。如同在圖15中所示一般，基板推壓部7，係若是受理從推壓指示部93而來之指示訊號，則藉由致動器73來使框架71下降，並將複數之推壓構件72之墊片74從上方來對於支持面41上之層積體103之支持構件102作推壓抵接。
藉由此動作，支持面41上之基板100係藉由複數之推壓構件72而被從上方作推壓。此時，複數之推壓構件72，係可構成為對於層積體103之支持構件102而並不進行吸附地來僅從上方作推壓，亦可構成為在推壓附著於層積體103之支持構件102上的狀態下，以不會使基板100產生位置偏移的方式來藉由墊片74而將基板100之上面100t作吸附保持。又，在步驟S5中，係能夠藉由複數之推壓構件72來將發生了翹曲的基板100以密著或者是略密著於支持面41上的方式來作推壓，亦能夠以在基板100之一部分處而於與支持面41之間產生有特定之間隙的程度來作推壓。
在步驟S5中，當藉由複數之推壓構件72而以在基板100之一部分處而於與支持面41之間產生有特定之間隙的程度來作推壓的情況時，特定之間隙，例如只要是在接下來的步驟S6中而藉由基板吸附部6來開始了吸附時能夠藉由所進行吸引之力來使吸附墊片64一直朝向上方而延伸至基板100之下面100b處並作吸附一般的距離，則係並不需要使基板100密著或者是略密著於支持面41上。
在步驟S6中，係對於基板吸附部6而輸出使其將基板100之下面100b作吸附的指示訊號。基板吸附部6，係若是受理從吸附指示部94而來之指示訊號，則將以未圖示之負壓產生源所產生的負壓經由負壓供給部63來對於衝抵於基板100之下面100b處的吸附墊片64作賦予。藉由此動作，藉由基板推壓部7而被從上方作了推壓的支持面41上之基板100，係藉由複數之吸附墊片64之各者而被作吸附保持。
圖16，係為對於在基板支持裝置2處而在使基板100沿著基板支持台4之支持面41的狀態下將基板100藉由吸附墊片64來作吸附的狀態作展示之圖。如同在圖16中所示一般，若是在基板100(層積體103)處並未產生翹曲，則基板100之下面100b係在使其之全體密著或略密著於支持面41上的狀態下，被吸附保持於複數之吸附墊片64處。又，當在基板100(層積體103)處產生有翹曲的情況時，起因於使翹曲被作矯正一事而在基板100處所產生的應力(恢復至原本之作了翹曲之狀態之力)若是較由吸附墊片64所致之朝向下方之彈性力而更小，則基板100之下面100b係在使其之全體密著於支持面41上的狀態下，被吸附保持於複數之吸附墊片64處。
圖17，係為對於在基板支持裝置2處而將在基板支持台4之支持面41上而使外周部100d朝向上方作了翹曲之基板100藉由吸附墊片64來作吸附保持的狀態作展示之圖。圖18，係為對於在基板支持裝置2處而將在基板支持台4之支持面41上而使中央部分100c朝向上方作了翹曲之基板100藉由吸附墊片64來作吸附保持的狀態作展示之圖。
如同在圖17以及圖18中所示一般，當在基板100(層積體103)處產生有翹曲的情況時，起因於使翹曲被作矯正一事而在基板100處所產生的應力若是較由吸附墊片64所致之朝向下方之彈性力而更大，則在基板100之翹曲被有所矯正的部份處，下面100b係從支持面41而上浮。在下面100b從支持面41而上浮了的部分處，吸附墊片64係成為在吸附於下面100b處的狀態下而以較支持面41而更朝向上方突出的方式來作了延伸的狀態。
具體而言，例如，如同在圖17中所示一般，若是起因於翹曲而基板100之外周部100d的下面100b從支持面41而上浮，則基板支持台4之位置於外周部100d處的吸附墊片64，係成為一面維持吸附於下面100b處的狀態一面以較支持面41而更朝向上方突出的方式來作了延伸的狀態。於此情況，基板支持台4之位置在中央部處的吸附墊片64之前端64s，係並不較支持面41而更朝向上方突出，並將下面100b作吸附。
複數之基板吸附部6之吸附墊片64，係被配置在基板100之外周部100d、從中央部分100c起而沿著輻射方向的複數之位置100e、基板100之4個的角部101以及矩形狀之基板100之外緣100g內側處。故而，若是基板100之外周部100d上浮，則位置在此作了上浮的部分處之吸附墊片64，係成為一面維持吸附一面朝向上方作了突出的狀態。亦即是，就算是在基板100之外周部100d作了上浮的情況時，由複數之吸附墊片64所致之吸附亦係被維持，因此，係能夠將基板100確實地作吸附保持。
又，如同在圖18中所示一般，若是起因於翹曲而基板100之中央部分100c從支持面41而上浮，則基板支持台4之位置於中央部處的吸附墊片64，係成為一面維持吸附於下面100b處的狀態一面使前端64s以較支持面41而更朝向上方突出的方式來作了延伸的狀態。亦即是，就算是在基板100之中央部分100c作了上浮的情況時，由複數之吸附墊片64所致之吸附亦係被維持，因此，係能夠將基板100確實地作吸附保持。
在步驟S7中，處理指示部95，係以藉由基板處理部3來對於藉由基板吸附部6而被作了吸附保持的基板100而實行特定之處理的方式，來對於基板處理部3輸出指示訊號。如同在圖8中所示一般，基板處理部3，係若是接收從處理指示部95而來之指示訊號，則一面從照射噴嘴31而對於基板支持台4之支持面41上的基板100照射雷射光，一面使基板支持台4沿著導引構件44X、44Y(參照圖1、圖3)來於在水平面內而相互正交之2個方向上作移動。藉由此動作，在基板100與支持構件102之層積體103處，由接合材(未圖示)所致之接合係被解除。
圖19，係為對於在實施形態之基板處理方法中而將被施加了特定之處理之基板100朝向後一工程作搬出時，將被層積於基板100處之支持構件102作了卸下的狀態作展示之剖面圖。
在步驟S8中，搬出指示部96，係以將藉由基板處理部3而被施加了特定之處理的基板100(層積體103)朝向後一工程而搬出的方式，來對於基板推壓部7輸出指示訊號。如同在圖15中所示一般，基板推壓部7，係若是從搬出指示部96而受理指示訊號，則藉由致動器73來使框架71下降，並將複數之推壓構件72從上方來對於支持面41上之層積體103之支持構件102作推壓抵接。
接著，係在基板吸附部6處藉由複數之吸附墊片64來將基板100之下面100b作吸附，並且在基板推壓部7處而藉由複數之推壓構件72之墊片74來吸附層積體103之支持構件102。在此狀態下，如同在圖19中所示一般，係藉由致動器73來使框架71上升。其結果，藉由複數之推壓構件72而被作了吸附的支持構件102，係被從支持面41上之基板100而拉離。之後，將藉由基板推壓部7而作了吸附保持的支持構件102搬出至特定之位置處。進而，將支持面41上之基板100，藉由基板推壓部7或者是其他之基板搬送機構來作保持，並朝向後一工程而從基板處理裝置1(基板支持裝置2)搬出。
如此這般，若依據本實施形態之基板支持裝置2以及基板處理裝置1，則由於係在將被載置在基板支持台4之支持面41上之基板100藉由基板推壓部7來從上方作了推壓的狀態下，藉由基板吸附部6而將基板100之下面作吸附，因此，藉由基板吸附部6，基板100係被作吸附保持。又，當在基板100處產生有翹曲的情況時，基板吸附部6係因應於基板100之翹曲量而在將基板100之下面作了吸附的狀態下從支持面41起來朝向上方突出。其結果，就算是並不勉強地將基板100之翹曲矯正，也能夠在產生有翹曲的狀態下來將基板100作吸附保持。故而，若依據本實施形態，則係能夠將產生有翹曲的基板100容易且確實地作保持。
以上，雖係針對實施形態作了說明，但是，本發明係並不被限定於上述之說明，在不脫離本發明之要旨的範圍內，係可作各種之變更。例如，在上述之實施形態中，吸附墊片64，雖係列舉出作為彈性部62而具備有可在上下方向作伸縮的蛇腹部65之構成作為例子，來作了說明，但是，係並不被限定於此構成。只要是對於墊片本體而賦予朝向下方之彈性力者，則例如係亦可作為彈性部而使用線圈彈簧等。
又，在上述之實施形態中，雖係列舉出在基板支持台4處而具備有基板舉升部5的構成作為例子，來作了說明，但是，係並不被限定於此構成。例如，係亦可將基板舉升部5省略。於此情況，係適宜使用有將基板100搬入至基板支持台4上之裝置或者是從基板支持台4上而將基板100搬出之裝置。此搬入搬出裝置之構成，係為任意。
又，在上述之實施形態中，雖係列舉出將在基板100處層積有支持構件102的層積體103作為在基板支持裝置2或基板處理裝置1處的處理對象之構成作為例子，來作了說明，但是，係並不被限定於此構成。例如，係亦可並不設置支持構件102(並不設為層積體103)地，來將基板100單體作為在基板支持裝置2或基板處理裝置1處的處理對象。
1:基板洗淨裝置 2:基板支持裝置 3:基板處理部 4:基板支持台(基板支持部) 4t:頂面 6:基板吸附部 7:基板推壓部 9:控制器 41:支持面 61:墊片本體 62:彈性部 63:負壓供給部 64:吸附墊片 74:墊片(吸附部) 93:推壓指示部 94:吸附指示部 100:基板 100b:下面 100c:中央部分 100e:沿著輻射方向的複數之位置 100g:外緣 100t:上面 101:角部
[圖1]係為對於實施形態之基板支持裝置(基板處理裝置)的其中一例作展示之立體剖面圖。 [圖2]係為對於基板支持裝置之主要部分作展示之正面圖。 [圖3]係為對於基板支持裝置作展示之平面圖。 [圖4]係為對於基板支持裝置之基板舉升部的概略構成作展示之剖面圖。 [圖5]係為對於基板支持裝置之基板吸附部的概略構成作展示之剖面圖。 [圖6]係為對於被賦予至吸附墊片處之真空度(負壓)與在吸附墊片處所發揮的吸附力之間之相關作展示之圖。 [圖7]係為對於基板推壓部的構成作展示之剖面圖。 [圖8]係為對於基板支持裝置以及基板處理部作展示之剖面圖。 [圖9]係為對於控制器之功能區塊構成之其中一例作展示之圖。 [圖10]係為對於包含實施形態之基板支持方法的基板處理方法之其中一例作展示之流程圖。 [圖11]係為對於在基板支持裝置處而使舉升銷朝向上方作了突出的狀態作展示之圖。 [圖12]係為對於在基板支持裝置處而將從前一工程所搬入的基板在朝向上方作了突出的舉升銷上作接收的狀態作展示之圖。 [圖13]係為對於在基板支持裝置處而將基板載置在朝向上方而作了突出的舉升銷上之狀態作展示之圖。 [圖14]係為對於在基板支持裝置處而使舉升銷下降並將基板載置在基板支持台之支持面上的狀態作展示之圖。 [圖15]係為對於在基板支持裝置處而將被載置於基板支持台上之基板藉由基板推壓部來作推壓的狀態作展示之圖。 [圖16]係為對於在基板支持裝置處而在使基板沿著基板支持台之支持面的狀態下將基板藉由吸附墊片來作吸附的狀態作展示之圖。 [圖17]係為對於在基板支持裝置處而將在基板支持台之支持面上而使外周部朝向上方翹曲之基板藉由吸附墊片來作吸附保持的狀態作展示之圖。 [圖18]係為對於在基板支持裝置處而將在基板支持台之支持面上而使中央部朝向上方翹曲之基板藉由吸附墊片來作吸附保持的狀態作展示之圖。 [圖19]係為對於在基板處理方法中而將被施加了特定之處理之基板朝向後一工程作搬出時，將被層積於基板處之支持構件作了卸下的狀態作展示之剖面圖。
1:基板洗淨裝置
2:基板支持裝置
4:基板支持台(基板支持部)
4t:頂面
5:基板舉升部
6:基板吸附部
7:基板推壓部
41:支持面
42:銷孔
43:墊片收容孔
44X,44Y:導引構件
71:框架
72:推壓構件
74:墊片(吸附部)
100:基板
100c:中央部分
100d:外周部
100e:沿著輻射方向的複數之位置
100g:外緣
101:角部
103:層積體

Claims (12)

  1. 一種基板支持裝置，係具備有： 基板支持部，係在頂面處具備有支持基板之支持面；和 基板推壓部，係被設置在前述基板支持部之上方處，並在上下方向作進退而將被載置於前述支持面上之前述基板從上方來作推壓；和 基板吸附部，係可從前述支持面而朝向上方進行出沒地被作設置，並吸附被載置於前述支持面上之前述基板之下面。
  2. 如請求項1所記載之基板支持裝置，其中， 前述基板吸附部係被作複數配置。
  3. 如請求項2所記載之基板支持裝置，其中， 複數之前述基板吸附部，係與被載置於前述基板支持部處的前述基板相對應地而被作配置。
  4. 如請求項3所記載之基板支持裝置，其中， 複數之前述基板吸附部，係被配置在被載置於前述基板支持部處的前述基板之中央部分、以及從前述中央部分起而沿著輻射方向的複數之位置處。
  5. 如請求項3所記載之基板支持裝置，其中， 前述基板係為矩形狀， 複數之前述基板吸附部，係分別被配置在被載置於前述基板支持部處的前述基板之中央部分、以及前述基板之4個的角部處。
  6. 如請求項5所記載之基板支持裝置，其中， 複數之前述基板吸附部，係沿著矩形狀之前述基板之外緣內側而被以特定間隔來作配置。
  7. 如請求項1～請求項6中之任一項所記載之基板支持裝置，其中， 前述基板吸附部，係具備有： 墊片本體，係可相對於前述基板支持部而升降地來作設置，並在上端部處被形成有吸附墊片；和 彈性體，係對於前述墊片本體而賦予朝向下方的彈性力；和 負壓供給部，係賦予用以使前述吸附墊片吸附在前述基板之下面處的負壓。
  8. 如請求項1～請求項6中之任一項所記載之基板支持裝置，其中， 前述基板推壓部，係對於被載置於前述基板支持部處的前述基板而於複數場所進行推壓。
  9. 如請求項1～請求項6中之任一項所記載之基板支持裝置，其中， 前述基板推壓部，係具備有能夠將前述基板之上面作吸附的吸附部，藉由以前述吸附部來吸附前述基板，而進行對於前述基板支持部的前述基板之搬入或搬出。
  10. 如請求項1～請求項6中之任一項所記載之基板支持裝置，其中， 係具備有對於前述基板推壓部以及前述基板吸附部作控制的控制器， 前述控制器，係具備有： 推壓指示部，係下達藉由前述基板推壓部來將被載置於前述支持面上的基板從上方而作推壓之指示；和 吸附指示部，係下達藉由前述基板吸附部來將前述基板之下面作吸附之指示。
  11. 一種基板處理裝置，係具備有： 如請求項1～請求項10中之任一項所記載之基板支持裝置；和 基板處理部，係對於被載置於前述基板支持裝置之前述基板支持部處的前述基板而進行處理。
  12. 一種基板支持方法，係包含有： 將被載置於基板支持部之支持面上的基板從上方來作推壓之步驟；和 在前述基板之下面處使基板吸附部作吸附之步驟；和 將從上方來對於前述基板作推壓一事釋放並因應於在前述基板處所產生的翹曲來使前述基板吸附部從前述支持面起而朝向上方突出之步驟。
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