TW202104645A - 包括光阻底層之結構及其形成方法 - Google Patents

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Abstract

本發明揭示形成包括光阻底層的結構之方法及包括光阻底層之結構。例示性方法包括使用電漿增強循環（例如原子層）沉積及電漿增強化學氣相沉積之一或多者形成該光阻底層。可使用處理製程操縱該光阻底層的表面性質。

Description

包括光阻底層之結構及其形成方法
本揭露大致上係關於結構及形成結構之方法。更具體地，本揭露係關於包括光阻底層之結構及形成此類結構之方法。
在電子裝置的製造期間，可藉由圖案化基材表面及使用例如氣相蝕刻製程從基材表面蝕刻材料而在基材表面上形成特徵部件的精細圖案。隨著基材上的裝置之密度增加，形成具有較小尺寸之特徵部件逐漸變為所欲。
光阻常用以在蝕刻之前圖案化基材表面。藉由施加一層光阻至基材表面、遮罩光阻表面、使光阻之未經遮罩的部分曝露至輻射（諸如紫外光）、以及移除一部分（例如，未經遮罩或經遮罩部分）的光阻，同時在基材表面上留下一部分光阻而在光阻中形成圖案。
近來，已開發使用極紫外光(EUV)波長的技術，以顯影具有相對小圖案特徵部件（例如，10 nm或更小）的圖案。欲使用EUV在基材上形成特徵部件，一般將旋塗式玻璃(SOG)之光阻底層沉積至基材表面上，並接著沉積上覆SOG底層的EUV光阻層。一般而言，底層具有約10 nm或更大的厚度。
隨著裝置特徵部件的大小減小，底層可依所欲更薄以例如允許形成具有所欲之節距解析度及/或深寬比的蝕刻特徵部件。不幸地，在小於10 nm的厚度下可能難以沉積SOG。進一步地，所沉積之SOG的基材內以及基材之間的厚度不均勻性可係非所欲地高，特別是在SOG層的目標厚度減少時。至少為了這些原因，所欲的是包括光阻底層（諸如適於與EUV併用的底層）之改善結構及形成此類結構之方法。
本節提出之任何問題及解決方案討論僅為了提供本發明背景之目的而包括在本發明中，且不應視為承認在完成本發明時已知討論之任何或全部內容。
下列之先前技術文件係由記錄組成：.De Silva, A.; Dutta, A.; Meli, L.; Yao, Y.; Mignot, Y.; Guo, J.; Felix, N.之Inorganic Hardmask Development For Extreme Ultraviolet Patterning。Journal of Micro/Nanolithography, MEMS, and MOEMS 2018, 18, 1; Felix, N.; Singh, L.; Seshadri, I.; Silva, A.; Meli, L.; Liu, C.; Chi, C.; Guo, J.; Truang, H.; Schmidt, K.等人之 Ultrathin Extreme Ultraviolet Patterning Stack Using Polymer Brush As An Adhesion Promotion Layer。Journal of Micro/Nanolithography, MEMS, and MOEMS 2017, 16, 1; Tatehaba, Y.之Adhesion energy of polystyrene in function water, In 5th International Symposium of Cleaning Technology in Semiconductor Device Manufacturing; 1998; 第560至565頁；Fallica, R.; Stowers, J.; Grenville, A.; Frommhold, A.; Robinson, A.; Ekinci, Y.之Dynamic Absorption Coefficients Of Chemically Amplified Resists And Nonchemically Amplified Resists At Extreme Ultraviolet。Journal of Micro/Nanolithography, MEMS, and MOEMS 2016, 15, 033506。
本揭露之各種實施例係關於包括改善的光阻底層（有時稱為黏附層）之結構及形成層及結構之方法。雖然在下文更詳細地討論本揭露之各種實施例應對先前方法及結構之缺點的方式，大致上，本揭露之各種實施例提供可包括具有所欲性質（諸如所欲的蝕刻選擇性、圖案品質、及/或穩定性）之相對薄的均勻光阻底層之結構。
根據本揭露之至少一實施例，一種形成一結構之方法包括提供基材、形成上覆於該基材表面之光阻底層、及形成上覆於該光阻底層的一層光阻。該光阻底層可使用電漿增強循環（例如原子層）沉積及電漿增強化學氣相沉積之一或多者形成。該光阻底層可具有小於10 nm或小於5 nm的厚度。該光阻層可係或可包括極紫外光(EUV)微影光阻。形成該光阻底層之步驟可包括提供一前驅物，該前驅物包含氧、矽、氫、及至少一個有機基。例如，該前驅物可包括至少一個矽-氧鍵。額外或替代地，該前驅物可包括至少一個矽-R鍵，其中R係選自例如由烷基（例如甲基）、烯基、炔基、芳基、烷氧基（例如，-OCH3 、-OCH2 CH3 ）、矽烷基、鹵素、及氫組成之群組的一或多者。在一些情況下，該前驅物包括至少兩個有機基或至少一個有機基及至少一個鹵素。舉具體實例而言，該前驅物可包括二甲基二甲氧基矽烷、二甲氧基四甲基二矽氧烷、八甲基環四矽氧烷、四甲基環四矽氧烷(TMCTS)、三甲基矽烷(3MS)、及二乙氧基甲基矽烷(DEMS)。具有二、三、或四矽烷主鏈的前驅物亦可係有利的，對薄膜而言尤是。在形成該光阻底層期間所用的共反應物可選自由Ar、He、O2 、CO2 、CO、H2 、N2 O、H2 O、N2 、及NH3 組成之群組的一或多者。形成該光阻底層之步驟期間於反應空間內的溫度可係例如介於約20 °C與約200 °C之間或介於約150 °C與約350 °C之間。在一些情況下，該光阻底層可曝露至後沉積處理步驟，該步驟包括形成電漿。在這些情況下，該電漿處理步驟可包括使該光阻底層曝露至使用直接及/或遠端電漿活化的物種。該電漿處理步驟可包括從一氣體形成活化物種，該氣體包括H2 、O2 、CO2 、CO、N2 O、NF3 、及Cx Hy Fz 之一或多者，其中x＞=1、y＞=0、且z＞=0。
根據本揭露之實施例的例示性態樣，該光阻底層可經選擇及/或配製以具有所欲性質（例如，表面能性質）。例如，例示性方法可包括判定該光阻及/或該光阻底層的表面能成分，亦即，表面能的極性部分及/或表面能的分散部分。該等所欲的底層性質可取決於該光阻的類型（例如，負型或正型EUV光阻）及/或該光阻的表面能。舉實例而言，當該光阻為正型光阻時，該光阻底層之表面能極性部分的值可介於約0至約15 mN/m之間。當該光阻為負型光阻時，該光阻底層之表面能極性部分的值可在該光阻之表面能極性部分的值之約-20%至約+20%百分比內。
根據本揭露之至少一個其他實施例，結構包括光阻底層。該光阻底層可使用如本文所述之方法形成。該光阻底層可包括例如一層，其包含SiOCH（諸如SiOCNH）。該光阻底層可具有如本文所述之表面能性質。例示性結構亦可包括一層光阻（諸如負型或正型EUV光阻）。
進一步描述一種形成一結構之方法。該方法包含下列步驟：提供基材；形成上覆於該基材表面之光阻底層；及形成上覆於該光阻底層之光阻層。該光阻底層係使用電漿增強原子層沉積及電漿增強化學氣相沉積之一或多者形成。
在一些實施例中，該光阻層包含極紫外光(EUV)微影光阻。
在一些實施例中，該形成該光阻底層之步驟包含提供一前驅物，該前驅物包含氧、矽、氫、及至少一個有機基。
在一些實施例中，該前驅物包含至少一個矽-氧鍵。
在一些實施例中，該前驅物包含至少一個矽-R鍵，其中R係選自由烷基、烯基、炔基、芳基、烷氧基、鹵素、及氫組成之群組的一或多者。
在一些實施例中，該至少一個有機基包含至少兩個有機基。
在一些實施例中，該前驅物包含選自由下列組成之群組的一或多者：二甲基二甲氧基矽烷、二甲氧基四甲基二矽氧烷、及八甲基環四矽氧烷、四甲基環四矽氧烷(TMCTS)、三甲基矽烷(3MS)、及二乙氧基甲基矽烷(DEMS)。
在一些實施例中，形成該光阻底層之步驟包含提供反應物及共反應物之一或多者，其等選自由下列組成之群組的一或多者：Ar、He、O2 、CO2 、CO、H2 、N2 O、H2 O、N2 、NH3 。
在一些實施例中，該方法包含判定該光阻底層之表面能極性部分的一步驟。
在一些實施例中，該光阻包含正型光阻，且該光阻底層之表面能極性部分的值係介於約0至約15 mN/m之間。
在一些實施例中，該光阻包含負型光阻，且該光阻底層之表面能極性部分的值係在該光阻層之表面能極性部分的值之約-20%至約+20%百分比內。
在一些實施例中，該方法進一步包含判定該光阻底層之表面能分散部分的步驟。
在一些實施例中，該光阻底層的厚度係小於5 nm。
在一些實施例中，形成該光阻底層之步驟期間於反應空間內的溫度係介於約20 °C與約200 °C之間。
在一些實施例中，形成該光阻底層之步驟期間於反應空間內的溫度係介於約150 °C與約350 °C之間。
在一些實施例中，該方法進一步包含使該光阻底層曝露至電漿處理步驟的一步驟。
在一些實施例中，該電漿處理步驟包含使該光阻底層曝露至使用直接電漿活化的物種。
在一些實施例中，該電漿處理步驟包含使該光阻底層曝露至使用遠端電漿活化的物種。
在一些實施例中，該電漿處理步驟包含由下列之一或多者形成活化物種：H2 、O2 、CO2 、CO、N2 O、NF3 、Cx Hy Fz （x＞=1、y＞=0、z＞=0）。
本文進一步描述根據本文所述之方法形成之結構。
在一些實施例中，該光阻底層包含SiOC。
在一些實施例中，該光阻底層包含SiOCN。
在一些實施例中，該光阻包含正型光阻，且該光阻底層之表面能極性部分的值係介於約0至約15 mN/m之間。
在一些實施例中，該光阻層包含負型光阻，且該光阻底層之表面能極性部分的值係介於該光阻層之表面能極性部分的值之約-20%至約+20%百分比之間。
本文進一步描述一種用於針對光阻沉積步驟施加預處理之方法，該方法包含下列步驟：提供基材至反應室；及在該基材上沉積底層。該底層可具有小於5 nm的厚度。該底層可具有表面能，其具有極性部分及分散部分，其中該表面能極性部分係從至少3 mN/m到至多13 mN/m。
在一些實施例中，該表面能分散部分係從至少26 mN/m到至多31 mN/m。
在一些實施例中，該表面能分散部分及極性部分係經由Owens、Wendt、Rabel、及Kaelble (OWRK)方法來判定。
在一些實施例中，該底層包含矽、氧、及碳。在一些實施例中，該底層包含矽、氧、氫、及碳。
在一些實施例中，該底層進一步包含氮。
在一些實施例中，該方法進一步包含使該底層曝露至一電漿的步驟，該電漿包含一或多個選自由氯、氧、氫、及氮組成之列表的元素。
在一些實施例中，當該底層經曝露至該電漿時，提供包含矽、氫、及至少一個有機基的前驅物至該反應室。
在一些實施例中，該前驅物係選自由二甲基二甲氧基矽烷、二甲氧基四甲基二矽氧烷、八甲環四矽氧烷(OMCTS)、四甲基環四矽氧烷(TMCTS)、三甲基矽烷(3MS)、及二乙氧基甲基矽烷(DEMS)組成之列表。
在一些實施例中，該前驅物係以脈衝提供。
在一些實施例中，該電漿進一步包含一惰性氣體。
在一些實施例中，該底層包含雙層結構，其包含上部底層部分及下部底層部分，且該下部底層部分包含金屬或類金屬。
進一步描述一種包含一或多個反應室之系統，其配置以用於實行如本文所述之用於針對光阻沉積步驟施加預處理之方法。
所屬技術領域中具有通常知識者將從已參照隨附圖式之某些實施例的下列詳細描述輕易明白這些及其他實施例；本發明並未受限於任何已揭示的（多個）特定實施例。
雖然在下文揭示某些實施例及實例，所屬技術領域中具有通常知識者將瞭解本發明延伸超出本發明及其明顯的修改與等同物之具體揭示的實施例及/或用途。因此，意欲使所揭示之本發明的範疇不應受下文所述之具體揭示實施例的限制。
本揭露大致上係關於形成包括光阻底層的結構之方法及包括光阻底層之結構。如下文更詳細描述，例示性方法可用以形成提供所欲性質之具有光阻底層的結構，該等所欲性質係諸如所欲厚度（例如，小於10或小於5 nm）、相對低的表面粗糙度、對光阻的良好黏附、所欲的蝕刻選擇性、所欲的厚度均勻性（在基材（例如晶圓）內以及在基材之間均是）、高圖案品質（缺陷數目少及高圖案保真度）、低線寬粗糙度(LWR)、EUV微影處理期間（例如任何後曝光烘烤(PEB)期間）的穩定度、光阻顯影、基材重工、合理的EUV敏感度、及與整合相容（亦即，在底層的沉積條件下，其他下方層不應受損，例如不會過高的沉積溫度）。本光阻底層可進一步提供對光阻選擇性蝕刻的可能性。本光阻底層可進一步與諸如旋塗碳(SOC)、碳硬遮罩(CHM)、或非晶碳(APF)層的層組合使用，該等層可如本文所述對底層選擇性蝕刻。本底層可進一步光阻烘烤步驟，且當曝露至顯影劑（諸如氫氧化四甲基銨(TMAH)）時具有低度或甚至可忽略不計的蝕刻率。
如本文所使用，用語「基材(substrate)」可指可用以形成或在其上可形成裝置、電路、或膜之任何（多個）下伏材料。基材可包括塊材（諸如矽（例如單晶矽））、其他IV族材料（諸如鍺）、或化合物半導體材料（諸如GaAs），並可包括上覆或下伏於塊材的一或多層。進一步地，基材可包括各種特徵部件，諸如形成在基材之一層的至少一部分之內或之上的凹部、線、及類似者。
在一些實施例中，「膜(film)」係指在垂直於厚度方向之方向上延伸以覆蓋整個目標或關注表面之層，或單純係覆蓋目標或關注表面之層。在一些實施例中，「層」係指形成於表面上之具有特定厚度之結構或者膜或非膜結構之同義詞。膜或層可由具有某些特性之離散單一膜或層或者由多個膜或層構成，且相鄰膜或層之間的邊界可明確或可不明確，並可或可不基於物理、化學、及/或任何其他特性、形成製程或序列、及/或相鄰膜或層之功能或用途而建立。
進一步地，在本揭露中，變數之任兩個數字可構成變數之可工作範圍，且所指示之任何範圍可包括或排除端點。此外，所指示的變數之任何數值（不管該等數值是否以「約」來指示）可指精確值或近似值並包括等效值，且在一些實施例中可指平均值、中值、代表值、多數值等。進一步地，在本揭露中，於一些實施例中，用語「包括(including)」、「由……構成(constituted by)」、及「具有(having)」係獨立地指「一般或廣泛地包含(typically or broadly comprising)」、「包含(comprising)」、「基本上由……組成(consisting essentially of)」、或「由……組成(consisting of)」。在本揭露中，於一些實施例中，任何已定義之意義未必排除尋常及慣例意義。本文提出的百分比係絕對百分比，除非另有註明。
現轉向圖式，圖1繪示根據本揭露之例示性實施例之結構100。結構100包括基材102、材料層104、光阻底層106、及正型EUV光阻層108。
基材102可包括如上文所述之基材。舉實例而言，基材102可包括半導體基材（諸如塊材，諸如矽（例如單晶矽））、其他IV族半導體材料、III-V族半導體材料、及/或II-VI族半導體材料，並可包括上覆於塊材的一或多個層。進一步地，如上文所提及，基材可包括各種形貌，諸如形成在基材之一層的至少一部分之內或之上的凹部、線、及類似者。
材料層104係可選的。當包括時，材料層104可包括例如氧化物（諸如原生氧化物、非晶碳、或場氧化物）。其他例示性層包括氮化物、其他氧化物、矽、及附加膜（例如自組裝單層（例如六甲基二矽氮烷(HMDS)）。材料層104可遭受如本文所述之電漿處理及/或（多個）乾蝕刻及/或濕蝕刻製程。
光阻底層106可包括根據本文所述之方法形成之光阻底層及/或具有如本文所述之性質。光阻底層的厚度可取決於欲蝕刻之材料層104的厚度（或基材102的厚度）、光阻類型、及類似者。根據本揭露之實例，光阻底層106具有小於10 nm或小於或約5 nm的厚度。在一些實施例中，光阻底層具有從至少1.0 nm到至多2.0 nm、或從至少2.0 nm到至多5.0 nm、或從至少5.0 nm到至多10.0 nm的厚度。若光阻底層106太厚，蝕刻步驟後可能會餘留殘留的底層材料，連同圖4及圖5描述。若光阻底層106太薄，光阻底層106可能無法在蝕刻製程期間提供所欲的圖案轉移。儘管如此，本文所揭示的底層即使可能係非常薄的，但仍可提供優越的圖案轉移。光阻底層106的表面可或可不以電漿處理進行處理以提供所欲的表面終端，以例如促進與光阻層108之黏附。替代地，在一些實施例中，電漿處理可用以減少與光阻層108之黏附，因為過量的黏附傾向於非所欲的，因為其可導致光阻殘留物在經曝露區域中餘留在基材上（一種稱為起髒的效應）。
一個機制可導致殘渣(scumming)發生在某些底層為發生電子供體基（亦即，官能基作用如路易斯鹼）時。那些電子供體可中和EUV曝光後由光阻中之光酸產生劑產生的酸，並導致底層附近的光阻不完全顯影。此非所欲的效應可稱為底層毒化。使用進一步的電漿處理步驟，可引入額外的鍵及/或官能基以減小底層與光阻之間的黏附，使光阻「較少黏附」並抵銷如上文所述之底層毒化的可能效應，當光阻與底層之間的黏附太強時，其可導致顯影後之不足量的光阻移除。
在一些實施例中，底層包含選自由非晶碳、十八烷基三氯矽烷、及二甲基二甲氧基矽烷組成之列表的材料。
根據本揭露之實例，光阻底層106包含SiOC。如本文中所使用，除非另有說明，SiOC並非意欲限制、侷限、或界定膜中之Si、O、C、及/或任何其他元素之任一者的鍵結或化學狀態（例如氧化狀態）。進一步地，在一些實施例中，除了Si、O、及/或C以外，SiOC薄膜可包含一或多個元素（諸如H或N）。在一些實施例中，SiOC膜可包含Si—C鍵及/或Si—O鍵。在一些實施例中，SiOC膜可包含Si—C鍵及Si—O鍵，且可不包含Si—N鍵。在一些實施例中，除了Si—C及/或Si—O鍵以外，SiOC膜可包含Si—H鍵。在一些實施例中，SiOC膜可包含多於Si—C鍵的Si—O鍵，例如，Si—O鍵對Si—C鍵之比率可從約1:10至約10:1。在一些實施例中，SiOC可包含以原子計從約0%至約50%的碳。在一些實施例中，SiOC可包含以原子計從約0.1%至約40%、從約0.5%至約30%、從約1%至約30%、或從約5%至約20%的碳。在一些實施例中，SiOC膜可包含以原子計從約0%至約70%的氧。在一些實施例中，SiOC可包含以原子計從約10%至約70%、從約15%至約50%、或從約20%至約40%的氧。在一些實施例中，SiOC膜可包含以原子計約0%至約50%的矽。在一些實施例中，SiOC可包含以原子計從約10%至約50%、從約15%至約40%、或從約20%至約35%的矽。在一些實施例中，SiOC可包含以原子計從約0.1%至約40%、從約0.5%至約30%、從約1%至約30%、或從約5%至約20%的氫。在一些實施例中，SiOC膜可不包含氮。在一些其他實施例中，SiOC膜可包含以原子計(at %)從約0%至約40%的氮。舉具體實例而言，SiOC膜可係或包括包含SiOCH（諸如SiOCNH）的一層。有利地，SiOC膜可係無孔的。
光阻底層106依所欲展現良好黏附及如本文所述之其他性質。欲在光阻層108與光阻底層106之間提供所欲的黏附，光阻底層106可具有或經調諧為具有所欲的表面化學性質，例如，經量化為表面能，該表面能進一步經分類成表面能極性部分及表面能分散部分。光阻底層106之表面能極性部分及表面能分散部分可藉由測量液體（諸如水或CH2 I2 ）的接觸角來計算，並使用Owens、Wendt、Rabel、及Kaelble (OWRK)方法判定表面能極性部分及分散部分。可針對光阻層108測量及計算相同性質。
在一些情況下，對正型光阻而言，光阻底層106之表面能極性部分可介於約0至約15 mN/m之間。根據進一步的實例，光阻底層106之表面能極性部分係在光阻之表面能極性部分的值之約-100%至約+60%內。光阻底層之分散部分可在20至35 mN/m的範圍內。
圖2繪示結構200，其可藉由提供上覆於結構100的遮罩及使經遮罩的結構曝露至極紫外光（例如，具有介於約13.3與13.7 nm之間的波長之光）以形成經曝露結構202及未經曝露結構204而形成。
圖3繪示在用以移除經曝露結構202之顯影製程後的結構300。在移除結構202之後，可執行蝕刻製程以移除光阻底層106及材料層104的區段，以形成結構400及500，繪示於圖4及圖5中。結構400包括特徵部件402，其等可包括光阻材料（區段404）及光阻底層材料（區段406）。結構500包括特徵部件502，其等包括材料層104材料（區段504）及光阻底層材料（區段506），且在一些情況下包括光阻材料。圖6繪示結構600，其包括從結構500移除光阻底層及/或光阻後之結構602。
光阻層108可係或可包括任何合適的正型EUV光阻材料（諸如化學增幅型光阻(CAR)）。舉實例而言，光阻層108係或包括聚(4-羥基苯乙烯) (PHS)、苯乙烯衍生物、及丙烯酸酯共聚物。光酸產生劑（例如三苯基鋶三氟甲磺酸鹽）及鹼淬滅體（胺或共軛鹼）亦可存在於光阻層108中。
圖7至圖12繪示針對負型光阻的類似結構。圖7繪示結構700，其包括基材702、材料層704、光阻底層706、及負型EUV光阻層708。
基材702及材料層704可係相同或類似於上述之基材102及材料層104。
類似於光阻底層106，光阻底層706可包括根據本文所述之方法形成之光阻底層及/或具有如本文所述之性質。光阻底層706的厚度可取決於欲蝕刻之材料層704的厚度、光阻類型、及類似者。根據本揭露之實例，光阻底層706具有低於10 nm、小於或約等於5 nm的厚度。
光阻底層706可由上文連同光阻底層106所述之相同或類似材料形成。光阻底層706之表面可依所欲以電漿處理進行處理（如下文所述），以提供所欲的表面終端以促進與負型光阻層708的黏附。替代地，且在一些實施例中，電漿處理可用以減少與負型光阻層的黏附。根據本揭露之實例，光阻底層706包括表面，該表面包含–CHX 、Si-H、及/或OH終端基，該等基的比率可經精細調諧以達成所欲的表面化學性質或具有目標光阻的圖案輪廓。
光阻底層706亦依所欲地展現所欲的黏附及如本文所述之其他性質。欲在光阻層708與光阻底層706之間提供所欲的黏附，光阻底層706可具有或經調諧為具有所欲的表面能性質，亦即，表面能極性部分及表面能分散部分。光阻底層706之表面能極性部分及表面能分散部分可藉由測量液體（諸如水或CH2 I2 ）的接觸角來計算，並使用Owens、Wendt、Rabel、及Kaelble (OWRK)方法判定表面能極性部分及分散部分。可針對光阻層708測量及計算相同性質。根據本揭露之各種實例，光阻底層706之表面能極性部分係在光阻層708之各別表面能極性部分的值之約-20%至約+20%或約-10%至約+10%百分比內。光阻底層之分散部分可例如在20至35 mN/m的範圍內。
光阻層708可係或可包括任何合適的負型EUV光阻（例如CAR）材料。舉實例而言，光阻層708係或包括聚(4-羥基苯乙烯) (PHS)、苯乙烯衍生物、及丙烯酸酯共聚物。光酸產生劑（例如三苯基鋶三氟甲磺酸鹽）及鹼淬滅體（胺或共軛鹼）亦可存在於光阻層708中。
除了使用負型光阻層708而非正型光阻108以外，圖8至圖12繪示類似圖2至圖6所繪示的步驟。圖8繪示結構800，其可藉由提供上覆於結構700的遮罩及使經遮罩的結構曝露至EUV以形成經曝露結構802及未經曝露結構804而形成。圖9繪示在用以移除未經曝露結構804之顯影製程後的結構900。在移除結構804之後，可執行蝕刻製程以移除光阻底層706及材料層704的區段，以形成結構1000及1100，繪示於圖10及圖11中。結構1000包括特徵部件1002，其等可包括光阻材料（區段1004）及光阻底層材料（區段1006）。結構1100包括特徵部件1102，其等包括材料層704材料（區段1104）及光阻底層材料（區段1106），且在某一情況下包括光阻材料。圖12繪示結構1200，其包括從結構1100移除光阻底層及/或光阻後之結構1202。
現轉向圖13，繪示根據本揭露之至少一個實施例之形成結構之方法1300。方法1300包括下列步驟：提供基材（步驟1302）、形成光阻底層（步驟1304）、處理（步驟1306）、及形成一層光阻（步驟1308）。在一些情況下，處理步驟1306可係可選的。
步驟1302可包括提供基材（諸如本文所述之基材）。基材可包括一層（諸如上述之材料層）以供圖案轉移。舉實例而言，基材可包括經沉積的氧化物、原生氧化物、或非晶碳層。
在步驟1304期間，光阻底層可使用電漿增強循環沉積製程（諸如，電漿增強原子層沉積(PEALD)）及電漿增強化學氣相沉積之一或多者形成。用語「循環沈積製程(cyclic deposition process)」可指將前驅物（反應物）循序引入反應室中以在基材上方沉積層，並包括處理技術，諸如原子層沉積及循環化學氣相沉積。用語「原子層沉積(atomic layer deposition, ALD)」可指氣相沉積製程，其中沉積循環（一般係複數個接續的沉積循環）係在製程室中實施。通常，在各循環期間，前驅物係化學吸附至沉積表面（例如，可包括來自先前ALD循環之先前經沉積材料或其他材料的基材表面），形成大約不易與額外前驅物起反應（亦即，自我侷限反應）的材料單層或次單層。其後，在一些情況下，可隨後將共反應物（例如，另一前驅物或反應氣體）引入至製程室中，以用於在沉積表面上將經化學吸附之前驅物轉化為所欲材料。共反應物能夠進一步與前驅物起反應。進一步地，亦可在各循環期間利用沖洗步驟以從製程室移除過量前驅物及/或在轉化經化學吸附之前驅物之後從製程室移除過量共反應物及/或反應副產物。進一步地，當使用（多個）前驅物/（多個）反應性氣體及（多個）沖洗（例如惰性載體）氣體的交替脈衝執行時，如本文中所使用之用語原子層沉積亦意指包括由相關用語指定的製程，諸如化學氣相原子層沉積、原子層磊晶(ALE)、分子束磊晶(MBE)、氣體源MBE、或有機金屬MBE、及化學束磊晶。
在步驟1304期間使用電漿增強循環（例如PEALD）或PECVD之一或多者允許形成具有所欲厚度（例如，小於10 nm或小於或約等於5 nm）、具有改善的厚度均勻性（在基材內及基材之間均是）之光阻底層。此外，使用電漿輔助製程允許以相對低溫（例如，小於500 °C、小於400 °C、或介於約100 °C與約500 °C或約150 °C與約450 °C之間）沉積光阻底層材料。反應室內的壓力可係約1至約30、約3至約23、或約5至約20 Torr。
在一些情況下，PEALD可係勝過PECVD之優選，因為PEALD可允許更佳地控制沉積材料的厚度、粗糙度、及均勻性，而這些對於例如具有5 nm或更小厚度的光阻底層而言，可係重要的。例如，由於與低蝕刻預算的相容性，具有5 nm或更小厚度的底層可係所欲的。而且，相較於類似的PECVD製程，PEALD製程可在較低溫度下執行。
須注意，在一些實施例中，用語「PEALD」可指循環沉積製程，其中以脈衝（亦即間歇地）提供一或多個試劑。PEALD製程中的步驟可不一定係自我侷限式的。然而，在一些實施例中，PEALD製程包含一或多個自我侷限步驟。可選地，PEALD製程中的所有步驟均係自我侷限式的。循環PECVD製程的一實例包括電漿輔助製程，其中連續地提供一個試劑至反應室，同時以複數個脈衝提供另一試劑至反應室。
可在反應器中執行步驟1304。適於執行步驟1304之例示性反應器可商購自ASM International NV (Almere, The Netherlands)。
用於步驟1304之前驅物（有時本文亦稱為反應物）可包括氧、矽、氫、及至少一個有機基。根據這些實例，前驅物可包括至少一個矽-氧鍵。額外或替代地，前驅物可包括至少一個矽-R鍵，其中R係選自由烷基、烯基、炔基、芳基、烷氧基、鹵素、及氫組成之群組的一或多者。在一些情況下，該至少一個有機基包含至少兩個有機基。
舉具體實例而言，該前驅物可包括選自由下列組成之群組的一或多者：二甲基二甲氧基矽烷、二甲氧基四甲基二矽氧烷、八甲基環四矽氧烷、十八烷基三氯矽烷(OTS)、四甲基環四矽氧烷(TMCTS)、三甲基矽烷(3MS)、及二乙氧基甲基矽烷(DEMS)。其他例示性前驅物可包括下列之一或多者：三甲基矽基乙炔(TMSA)、雙(三甲基矽烷基)乙炔(BTMSA)、丙炔基三甲基矽烷(PTMS)、丙炔基氧基三甲基矽烷(POTMS)、1,3-二乙炔基四甲基二矽氧烷(DTDS)、二甲基甲氧基矽烷乙炔(DMMOSA)、甲基二甲氧基矽烷乙炔(MDMOSA)、二甲基乙氧基矽烷乙炔(DMEOSA)、甲基二乙氧基矽烷乙炔(MDEOSA)、乙基二乙氧基矽烷乙炔(EDEOSA)、二甲基矽烷-二乙炔DMSDA、甲基矽烷-三乙炔(MSTA)、四乙炔矽烷(TAS)、四乙氧基矽烷（TEOS)、四甲氧基矽烷、二甲基乙氧基矽烷、甲氧基三甲基矽烷、甲基三甲氧基矽烷、四甲氧基矽烷、甲氧基二甲基乙烯基矽烷、三甲氧基乙烯基矽烷、乙氧基三甲基矽烷、乙基三甲氧基矽烷、乙氧基二甲基乙烯基矽烷、二乙氧基二甲基矽烷、二乙氧基甲基乙烯基矽烷、甲基三乙氧基矽烷、二乙氧基二乙烯基矽烷、三乙氧基乙烯基矽烷、二乙氧基二乙基矽烷、乙基三乙氧基矽烷、四乙氧基矽烷、二甲基二丙氧基矽烷、己基三甲氧基矽烷、己基氧基三甲基矽烷、戊基三乙氧基矽烷、1,1,3,3-四甲基二矽氧烷、五甲基二矽氧烷、六甲基二矽氧烷、1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷、六乙基二矽氧烷、1,3-二丁基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷、六甲基環三矽氧烷、1,1,3,3,5,5-六甲基三矽氧烷、六乙基環三矽氧烷、1,3,5-三甲基-1,3,5-三乙烯基環三矽氧烷、1,3,5,7-四甲基-1,3,5,7-四乙烯基環四矽氧烷、1,3,5,7-四乙氧基-1,3,5,7-四甲基環四矽氧烷、1,3,5,7,9-五甲基環五矽氧烷、十甲基環五矽氧烷、1,3,5,7,9-五乙氧基-1,3,5,7,9-五甲基環五矽氧烷、十二甲基環己矽氧烷、其他具有甲基的含矽烷前驅物、及類似者。
PECVD或電漿增強循環沉積（例如PEALD）製程中所用的反應物（或共反應物）可包括由下列組成之群組的一或多者：Ar、He、O2 、CO2 、CO、H2 、N2 O、H2 O、N2 、NH3 。在循環製程（諸如PEALD）的情況下，反應物係以與前驅物分開的脈衝提供。在PECVD的情況下，前驅物及共反應物可共流至反應空間中。
步驟1306可用以調諧光阻底層的表面，以改質光阻底層的表面。例如，當始於C-H封端表面，表面能分散部分可藉由例如製造出C-F終端基來減少、藉由製造出額外的C-Cl終端基（例如，使用由一或多個含鹵素氣體所產生的活化物種）來增加，且極性部分可藉由增加C-O終端基的數目來增加。例如，C-Cl終端基可藉由施加含氯電漿（諸如由包含Cl2 之氣體混合物所形成之電漿）而得到。例如，C-F終端基可藉由施加含氟電漿（例如由包含CF4 之氣體混合物所形成之電漿）而得到。例如，以臭氧處理可用以增加光阻底層之表面能極性部分。以臭氧處理亦可增加底層表面處之含碳-氧基的量。例如，以UV輻射及臭氧處理可用以增加光阻底層之表面能極性部分。例如，以含氫電漿（亦即採用包含H2 之電漿氣體的電漿）處理可用以增加C-H表面終端的量。例如，以含氮電漿處理可用以增加C-N表面終端的量。應瞭解，在一些實施例中，處理步驟1306可使用包含複數個前述物種的電漿執行，從而產出包含各種前述表面終端的表面。當使用時，處理步驟1306可在用以執行步驟1304的相同反應室中執行。應瞭解，前述電漿處理係用於控制光阻底層之表面能的有效手段，並可額外提供各種優點（諸如，最小化電漿處理期間的蝕刻率及/或厚度損失）。
處理步驟1306具體所欲的是可與負型EUV光阻層併用。在一些情況下，對負型光阻而言，所欲的是可處理疏水表面以使表面更親水。在此情況下，光阻底層表面可以活化物種處理，該等活化物種可由至少部分由選自下列組成之群組的一或多個氣體形成之直接或遠端電漿製成：H2 、O2 、CO2 、CO、N2 O、NF3 、Cx Hy Fz （x＞=1、y＞=0、z＞=0）。對正型光阻而言，光阻底層表面可以例如活化物種處理，該等活化物種可由至少部分由選自下列組成之群組的一或多個氣體形成之直接或遠端電漿製成：H2 、O2 、CO2 、CO、N2 O、NF3 、Cx Hy Fz （x＞=1、y＞=0、z＞=0）。然而，在一些情況下，當使用正型光阻時，可不在光阻底層上執行表面處理。步驟1306期間所施加的電漿功率之範圍對直接電漿而言可從約50至約350 W，且對遠端電漿而言可從約500至約2500 W。
如圖14所示，如本文所述之底層(1420)可包含雙層結構，其包含上部底層部分(1422)及下部底層部分(1421)。下部底層部分(1421)可包含金屬或類金屬。合適的金屬可包括Ti、V、Cr、Mv、Fe、Co、Ni、Cu、Zr、Mo、Ru、Hf、Ta、及W。合適的類金屬可包括B、Si、Ge、As、Sb、及Te。下部底層部分(1421)可例如用作提供蝕刻選擇性的層。上部底層部分(1422)可例如用作黏附層及/或顯影劑阻擋層（亦即，保護下伏層抗顯影劑的層）。因此，圖14之底層藉由採用抗蝕刻下部底層部分(1421)以及黏附及顯影劑阻擋上部底層部分(1422)而同時提供良好黏附性及抗蝕刻性。下部底層部分(1421)及上部底層部分(1422)可在一個相同反應器室中沉積。替代地，下部底層部分(1421)及上部底層部分(1422)可在不同反應器室中沉積。不同的反應器室係較佳地包含在單一群集工具中，該群集工具包含二或更多個反應器室及經配置用於將基材從一反應器室傳輸至另一室的晶圓傳遞模組。
在一些實施例中，無機硬遮罩可用作下部底層部分(1421)。無機硬遮罩可例如經由熱原子層沉積(ALD)或電漿增強原子層沉積(PEALD)來沉積。在一些實施例中，無機硬遮罩包含選自由氧化矽、氧化鋁、及氧化鈦組成之列表裡面的材料。在一些實施例中，無機硬遮罩包含諸如B、Si、Ge、As、Sb、或Te之類金屬。合適的含類金屬層包括SiO2 及SiOC。在一些實施例中，無機硬遮罩包含金屬的氧化物及/或氮化物，該金屬係例如選自由Ti、Sr、Zn、Al、Ta、及Sn組成之列表的金屬。
在一些實施例中，下部底層部分(1421)包含一或多個摻雜物。合適的摻雜物包括Cd、Ag、In、Sb、Sn、I、Te、及Cs。在本發明不侷限於理論或任何具體操作模式的情況下，咸信這些經由對EUV光的敏感度(導因於其等用於極紫外光子的大原子截面)而增加尺寸劑量。
在一些實施例中，低k材料可用作上部底層部分(1422)。合適的低k材料包括SiOC膜及包含SiOCH及/或SiOCNH的層，如本文所述。無孔低k材料可係特別合適的。在一些實施例中，非晶碳可用作上部底層部分(1422)。
在一些實施例中，上部底層部分(1422)包含官能化表面(1423)。官能化表面可包含例如H、CH3 、及/或OH官能基。這些表面官能基可例如經由如本文所述之電漿處理來施加。額外或替代地，表面官能基可經由自組裝單層(SAM)來施加。
雖然未繪示，根據本揭露之方法可包括判定光阻底層及/或光阻層之表面能性質。例如，方法可包括判定光阻層及光阻底層之一或多者的表面能分散部分及極性部分之一或多者。方法可進一步包括基於光阻層之表面能分散部分及極性部分之一或多者選擇光阻底層材料；及/或調諧光阻底層之表面能分散部分及極性部分之一或多者（例如，使用如本文所述之電漿處理製程）。
在一些實施例中，此類底層可經由循環沉積製程來沉積。此類循環沉積製程可特別適於沉積含SiOC的層。合適地，循環沉積製程採用電漿。在整個循環沉積製程期間，電漿功率及電漿氣流可合適地維持在預定程度下。合適的電漿氣體包括He、Ar、H2 、及其混合物。在循環沉積製程中，以脈衝（亦即間歇地）提供一或多個前驅物。合適的前驅物包括本文於別處提及的前驅物。脈衝可持續至少0.01秒到至多2.0秒、或至少0.02秒到至多1.0秒、或至少0.05秒到至多0.5秒、或至少0.1秒到至多0.2秒。具體地，合適的前驅物包括二甲基二甲氧基矽烷、二甲基二乙氧基矽烷、八甲基環四矽氧烷及3-(甲氧基)丙基三甲氧基矽烷。使用此類前驅物可導致SiOC層的沉積。所用的電漿功率可係例如從至少20 W到至多200 W、或從至少30 W到至多150 W、或從至少50 W到至多100 W。此類脈衝沉積製程允許每循環的低生長，其允許均勻地生長非常薄的膜（諸如具有至少0.5 nm到至多5.0 nm或至少1.0 nm到至多2.0 nm之厚度的膜）。此外，膜提供非常良好的均勻性（例如，3個標準差（亦即，3倍的厚度標準差）小於2 nm）。同樣地，沉積製程製造出極少粒子（例如小於50個粒子）。此外，製程允許簡單控制底層的表面能，例如，用於控制表面能分散部分在20至40 mN/m的範圍內，以及控制表面能極性部分在0至40 mN/m的範圍內。此外，此製程允許提供對例如光阻具有良好蝕刻對比度的底層。使用脈衝前驅物流生長的底層可用於如本文所述之各種應用。例如，其等本身可用作底層。替代地，其等可用作較低位層與光阻之間的黏附層，例如，諸如如本文於別處所述般地使用上部底層部分(1422)。可選地，使用脈衝沉積製程形成之底層可使用如本文所述之方法遭受表面改質電漿處理。此可進一步增強底層與光阻層之間的黏附。
用於形成底層之例示性循環沉積製程係在圖15中描述。具體地，圖15顯示總是開啟的電漿功率(1501)及連續電漿氣流(1502)。前驅物流(1503)係以脈衝提供。可選地，前驅物脈衝係藉由沖洗（未圖示）來分開。時間線(1504)指示從左至右的時間流。在下文中，針對300 mm晶圓提供例示性製程條件。應瞭解，其等可在無須訴諸發明技巧的情況下輕易轉移至其他晶圓尺寸。
循環沉積製程可例如使用二甲基二甲氧基矽烷作為前驅物，並使用氬/氫電漿。反應器壓力可合適地係200 Pa至400 Pa。氬流量率可係1至5 slm（每分鐘標準升）。氫流量率可係至少0.1 slm到至多0.2 slm。電漿功率可係約50 W。前驅物脈衝時間可從至少0.1秒到至多0.5秒。脈衝可藉由沖洗來分開。沖洗氣體可係例如H、惰性氣體、或其混合物。合適的惰性氣體包括He、Ne、Ar、Xe、及Kr。沖洗時間可從0.1秒至2.0秒。反應器溫度可從至少50°C到至多200°C（例如從至少75°C到至多150°C的溫度）。密封氣體（諸如氦）可以例如至少0.2 slm到至多1.0 slm的密封氣體流使用。可合適地提供密封氣體以防止在基材（諸如矽晶圓）下方之沉積。此一製程可產出每循環0.05 nm的生長，並提供小於0.15 nm的厚度標準差。可依所欲將表面能適當地控制在此製程範圍內，其中分散部分從至少26 mN/m到至多31 mN/m，且表面能極性部分從至少3 mN/m到至多13 mN/m。
在另一例示性實施例中，循環沉積製程可使用八甲環四矽氧烷(OMCTS)作為前驅物，並使用Ar及H2 的混合物作為電漿氣體。反應器壓力可係從至少100 Pa到至多400 Pa，例如從至少200 Pa到至多300 Pa。氬流量率可係從至少2.0 slm到至多6.0 slm。電漿功率可係從至少40 W到至多200 W（例如約50 W）。H2 流量率可從至少0.1 slm到至多2.0 slm。反應器溫度可從至少50°C到至多200°C，例如從至少75°C到至多150°C。前驅物係以脈衝提供至反應器。前驅物脈衝時間可係從至少0.1秒到至多0.3秒。脈衝可藉由沖洗來分開。沖洗時間可係從至少0.05秒到至多4.0秒，例如從至少0.1秒到至多2.0秒。此一製程可提供每循環0.1 nm的生長率及僅0.1 nm的厚度標準差。可依所欲將表面能適當地控制在此製程範圍內，其中分散部分從至少26 mN/m到至多30 mN/m，且表面能極性部分從至少2 mN/m到至多13 mN/m。
在本發明不侷限於任何理論或操作模式的情況下，咸信上述的大極性表面能部分允許減小所需的EUV輻射量，且亦提供改善的對比度曲線。此係顯示於圖16中。具體地，圖16面板a)顯示隨底層之表面能極性部分而變動之完全顯影所需的EUV劑量：所需的EUV劑量隨著底層之表面能極性部分單調地減小。面板b)顯示經顯影的底層光阻堆疊物，其中底層具有相對低的表面能極性部分，其特徵為不完全顯影。面板c)顯示經顯影的底層光阻堆疊物，其中底層具有相對高的表面能極性部分，其得出改善的顯影。
上文所述之本揭露之實例實施例並未限制本發明的範疇，因為這些實施例僅為本發明之實施例之實例。任何等效實施例係意欲屬於本發明之範疇內。實際上，除本文所示及所述之實施例以外，在所屬技術領域中具有通常知識者當可從本說明書明白本揭露之各種修改（諸如，所述元件之替代可用組合）。此類修改及實施例亦意欲落在隨附之申請專利範圍的範疇內。
100,200,400,500,600,602,800,900,1000,1100,1200,1202:結構 102,702,1410:基材 104,704:材料層 106,706:光阻底層 108,708:光阻層 202,802:經曝露結構 204,804:未經曝露結構 402,502,1002:特徵部件 404,406,504,506,1004,1006:區段 1300:方法 1302,1304,1306,1308:步驟 1420:底層 1421:下部底層部分 1422:上部底層部分 1423:官能化表面 1501:電漿功率 1502:電漿氣流 1503:前驅物流 1504:時間線
當結合下列說明圖式考慮時，可藉由參照實施方式及申請專利範圍而得到對本發明之例示性實施例的更完整了解。 圖1至圖6繪示根據本揭露之至少一個實施例使用正型光阻形成之結構。 圖7至圖12繪示根據本揭露之至少一個實施例使用負型光阻形成之結構。 圖13繪示根據本揭露之至少一個實施例之形成結構之方法。 圖14繪示根據本揭露之至少一個實施例之底層。在整個圖14中，遵循下列編號：1410－基材；1420－底層；1421－下部底層部分；1422－上部底層部分。 圖15繪示根據本揭露之至少一個實施例之方法的脈衝機制。在整個圖15中，遵循下列編號：1501－電漿功率；1502－電漿氣流；1503－前驅物流；1504－時間線。 圖16繪示面板a)隨底層之表面能極性部分而變動之用於完全顯影的EUV劑量；面板b)經顯影的底層光阻堆疊物，其中底層具有相對低的表面能極性部分，其特徵為不完全顯影；面板c)經顯影的底層光阻堆疊物，其中底層具有相對高的表面能極性部分，其得出改善的顯影。
將理解到的是，圖式中之元件係為了簡單及清楚起見而繪示且不一定按比例繪製。例如，圖式中的一些元件之尺寸可相對於其他元件誇大，以幫助提升對本揭露所繪示之實施例的瞭解。
1300:方法
1302,1304,1306,1308:步驟

Claims (20)

  1. 一種用於針對一光阻沉積步驟施加一預處理之方法，該方法包含下列步驟： - 提供一基材至一反應室；及 - 在該基材上沉積具有小於5 nm的一厚度之一底層； 其中該底層具有一表面能，其具有一極性部分及一分散部分，其中該表面能極性部分係從至少3 mN/m到至多13 mN/m。
  2. 如請求項1所述之方法，其中該表面能的該分散部分係從至少26 mN/m到至多31 mN/m。
  3. 如請求項1所述之方法，其中該表面能的該分散部分及該極性部分係經由Owens、Wendt、Rabel、及Kaelble (OWRK)方法來判定。
  4. 如請求項1所述之方法，其中該底層包含矽、氧、氫、及碳。
  5. 如請求項4所述之方法，其中該底層進一步包含氮。
  6. 如請求項1所述之方法，其中該方法進一步包含使該底層曝露至一電漿的一步驟，該電漿包含一或多個選自由氯、氧、氫、及氮組成之列表的元素。
  7. 如請求項6所述之方法，其中當該底層經曝露至該電漿時，提供一前驅物至該反應室，該前驅物包含氧、矽、氫、及至少一個有機基。
  8. 如請求項7所述之方法，其中該前驅物係選自由二甲基二甲氧基矽烷、二甲氧基四甲基二矽氧烷、八甲環四矽氧烷(OMCTS)、四甲基環四矽氧烷(TMCTS)、三甲基矽烷(3MS)、及二乙氧基甲基矽烷(DEMS)組成之列表。
  9. 如請求項7所述之方法，其中該前驅物係以脈衝提供。
  10. 如請求項6所述之方法，其中該電漿進一步包含一惰性氣體。
  11. 如請求項1所述之方法，其中該底層包含一雙層結構，該雙層結構包含一上部底層部分(1422)及一下部底層部分(1421)，其中該下部底層部分(1421)包含一金屬或類金屬。
  12. 一種包含一或多個反應室之系統，其配置以用於實行如請求項1至11中任一項所述之方法。
  13. 一種形成一結構之方法，該方法包含下列步驟： 提供一基材； 形成上覆於該基材之一表面之一光阻底層；及 形成上覆於該光阻底層之一光阻層， 其中該光阻底層係使用電漿增強原子層沉積及電漿增強化學氣相沉積之一或多者形成； 其中該光阻層包含極紫外光(EUV)微影光阻；及 其中該光阻底層的一厚度係小於5 nm。
  14. 如請求項13所述之方法，其中該形成該光阻底層之步驟包含提供一前驅物，該前驅物包含氧、矽、氫、及至少一個有機基； 其中該前驅物包含至少一個矽-氧鍵；及 其中該前驅物包含至少一個矽-R鍵，其中R係選自由烷基、烯基、炔基、芳基、烷氧基、鹵素、及氫組成之群組的一或多者。
  15. 如請求項14所述之方法，其中該前驅物包含選自由下列組成之群組的一或多者：二甲基二甲氧基矽烷、二甲氧基四甲基二矽氧烷、及八甲基環四矽氧烷、四甲基環四矽氧烷(TMCTS)、三甲基矽烷(3MS)、及二乙氧基甲基矽烷(DEMS)。
  16. 如請求項13所述之方法，其中該形成該光阻底層之步驟包含提供一反應物及一共反應物之一或多者，其等選自由下列組成之群組的一或多者：Ar、He、O2 、CO2 、CO、H2 、N2 O、H2 O、N2 、NH3 。
  17. 如請求項13所述之方法，其進一步包含判定該光阻底層之一表面能極性部分的一步驟，其中該光阻層包含正型光阻，且該光阻底層之該表面能極性部分的值係介於約0至約15 mN/m之間。
  18. 如請求項13所述之方法，其進一步包含判定該光阻底層之一表面能極性部分的一步驟，其中該光阻層包含負型光阻，且該光阻底層之該表面能極性部分的值係在該光阻層之一表面能極性部分的值之百分比約-20%至約+20%內。
  19. 如請求項13所述之方法，其進一步包含使該光阻底層曝露至一電漿處理步驟的一步驟。
  20. 如請求項19所述之方法，其中該電漿處理步驟包含從下列之一或多者形成活化物種：H2 、O2 、CO2 、CO、N2 O、NF3 、Cx Hy Fz （x＞=1、y＞=0、z＞=0）。
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