TW202100958A - 校正複數之腔室壓力感測器之方法及基板處理系統 - Google Patents
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Abstract
於例示性實施形態之基板處理系統中,複數個氣體供給部各自以經由其第1氣體流路向複數個腔室中對應之腔室內供給氣體之方式構成。複數個腔室壓力感測器各自以測定對應之腔室內之壓力之方式構成。第2氣體流路連接於複數個氣體供給部各自之第1氣體流路。基準壓力感測器以測定第2氣體流路內之壓力之方式構成。於例示性實施形態之方法中,複數個腔室壓力感測器係分別使用維持著對應之腔室、對應之氣體供給部之第1氣體流路、及第2氣體流路內之壓力之狀態下之其壓力測定值以及基準壓力感測器的壓力測定值進行校正。
Description
本發明之例示性實施形態係關於一種校正複數個腔室壓力感測器之方法及基板處理系統。
電子器件之製造中,使用基板處理裝置。基板處理裝置具備腔室。執行基板處理時,於基板配置於腔室內之狀態下向腔室內供給氣體。腔室內之壓力對基板處理結果造成影響。因此,腔室內之壓力係藉由壓力感測器來測定。壓力感測器之狀態可能經時性變化。因此,必須校正壓力感測器。
關於基板處理裝置之壓力感測器之校正,記載於日本專利特開2010-251464號公報。該文獻中,記載有使用測定腔室內之壓力之兩個壓力感測器。兩個壓力感測器中之一壓力感測器係用於基板處理時測定腔室內之壓力。兩個壓力感測器中之另一壓力感測器係用於一壓力感測器之校正。具體而言,一壓力感測器以其測定值成為與另一壓力感測器之測定值相同之值之方式進行校正。
本發明係提供一種減小用於複數個腔室各者之複數個腔室壓力感測器之器件差異之技術。
於一例示性實施形態中,提供一種校正基板處理系統之複數個腔室壓力感測器之方法。基板處理系統具備複數個腔室、複數個腔室壓力感測器、複數個氣體供給部及複數個排氣裝置。複數個腔室壓力感測器以分別測定複數個腔室內之壓力之方式設置。複數個氣體供給部各自以向複數個腔室中對應之腔室之內部空間供給氣體之方式構成。複數個氣體供給部各自具有流量控制器、一次閥、二次閥及第1氣體流路。一次閥連接於流量控制器之一次側。二次閥連接於流量控制器之二次側。第1氣體流路包含第1端部、第2端部及第3端部。第1端部連接於二次閥。第3端部構成為可與對應之腔室之內部空間連接。複數個排氣裝置經由複數個排氣流路分別連接於複數個腔室之內部空間。基板處理系統更具備第2氣體流路及基準壓力感測器。第2氣體流路連接於複數個氣體供給部各自之第2端部。基準壓力感測器以測定第2氣體流路內之壓力之方式設置。
一例示性實施形態之方法包括形成於所選擇之空間之中維持壓力之狀態的步驟。所選擇之空間包含複數個氣體供給部中所選擇之氣體供給部的第1氣體流路、第2氣體流路、及複數個腔室中之與所選擇之氣體供給部對應之所選擇之腔室的內部空間。該狀態係使用自所選擇之氣體供給部或另一氣體供給部以設定壓力供給之氣體形成。方法更包括如下步驟:使用複數個腔室壓力感測器中所選擇之腔室用的所選擇之腔室壓力感測器,獲取上述狀態下所選擇之腔室內之壓力的測定值即複數個第1壓力測定值。方法更包括如下步驟:使用基準壓力感測器,獲取上述狀態下之第2氣體流路內之壓力之測定值即複數個第2壓力測定值。方法更包括如下步驟:以將與複數個第1壓力測定值之平均值相等之所選擇之腔室壓力感測器之壓力測定值與複數個第2壓力測定值的平均值之差消除之方式,校正所選擇之腔室壓力感測器。於該方法中,分別使用複數個不同之設定壓力作為設定壓力,進行包括形成狀態之步驟、獲取複數個第1壓力測定值之步驟、獲取複數個第2壓力測定值之步驟、及進行校正之步驟之順序之重複。於該方法中,複數個腔室壓力感測器依序選作所選擇之腔室壓力感測器,執行順序之重複。
根據一例示性實施形態,能夠減小用於複數個腔室各者之複數個腔室壓力感測器之器件差異。
以下,對各種例示性實施形態進行說明。
於一個例示性實施形態中,提供一種校正基板處理系統之複數個腔室壓力感測器之方法。基板處理系統具備複數個腔室、複數個腔室壓力感測器、複數個氣體供給部及複數個排氣裝置。複數個腔室壓力感測器係以分別測定複數個腔室內之壓力之方式設置。複數個氣體供給部各自以向複數個腔室中對應之腔室之內部空間供給氣體之方式構成。複數個氣體供給部各自具有流量控制器、一次閥、二次閥及第1氣體流路。一次閥連接於流量控制器之一次側。二次閥連接於流量控制器之二次側。第1氣體流路包含第1端部、第2端部及第3端部。第1端部連接於二次閥。第3端部構成為可與對應之腔室之內部空間連接。複數個排氣裝置經由複數個排氣流路分別連接於複數個腔室之內部空間。基板處理系統更具備第2氣體流路及基準壓力感測器。第2氣體流路連接於複數個氣體供給部各自之第2端部。基準壓力感測器以測定第2氣體流路內之壓力之方式設置。
一個例示性實施形態之方法包括形成於所選擇之空間之中維持壓力之狀態的步驟。所選擇之空間包含複數個氣體供給部中所選擇之氣體供給部的第1氣體流路、第2氣體流路、及複數個腔室中與所選擇之氣體供給部對應之所選擇之腔室的內部空間。該狀態係使用自所選擇之氣體供給部或另一氣體供給部以設定壓力供給之氣體而形成。方法更包括如下步驟:使用複數個腔室壓力感測器中所選擇之腔室用的所選擇之腔室壓力感測器,獲取上述狀態下之所選擇之腔室內之壓力的測定值即複數個第1壓力測定值。方法更包括如下步驟:使用基準壓力感測器,獲取上述狀態下之第2氣體流路內之壓力之測定值即複數個第2壓力測定值。方法更包括如下步驟:以將與複數個第1壓力測定值之平均值相等之所選擇之腔室壓力感測器之壓力測定值與複數個第2壓力測定值的平均值之差消除之方式,校正所選擇之腔室壓力感測器。於該方法中,分別使用複數個不同之設定壓力作為設定壓力,進行包括形成狀態之步驟、獲取複數個第1壓力測定值之步驟、獲取複數個第2壓力測定值之步驟、及進行校正之步驟的順序之重複。於該方法中,將複數個腔室壓力感測器依序選作所選擇之腔室壓力感測器,執行順序之重複。
根據上述實施形態之方法,複數個腔室壓力感測器係使用一個基準壓力感測器進行校正。因此,複數個腔室壓力感測器之器件差異降低。又,使用利用基準壓力感測器獲取之共通之第2氣體流路內之壓力的測定值,校正複數個腔室壓力感測器。因此,能夠容易地進行複數個腔室壓力感測器之校正。
於一個例示性實施形態中,基板處理系統亦可更具備複數個分流器、複數個分配流路群、複數個氣體注入部、複數個閥、複數個壓力控制閥。複數個分流器各自連接於複數個氣體供給部中對應之氣體供給部之第3端部。複數個分配流路群各自包含複數個分配流路。複數個分配流路將複數個分流器中對應之分流器與複數個腔室中對應之腔室連接。複數個氣體注入部各自以向複數個分配流路群中對應之分配流路群之複數個分配流路中包含的一個分配流路注入氣體之方式設置。複數個閥分別係於複數個分配流路群中對應之分配流路群之一個分配流路與複數個分流器中對應之分流器之間連接。複數個壓力控制閥分別設置於複數個腔室與複數個排氣裝置之間,以分別調整複數個腔室內之壓力之方式構成。於形成狀態之步驟中,將複數個閥中所選擇之閥關閉。所選擇之閥係於連接於所選擇之腔室之一個分配流路與複數個分流器中所選擇之腔室用的分流器之間連接。亦可於形成狀態之步驟中,自作為另一氣體供給部之複數個氣體注入部中之與所選擇之腔室連接之一個分配流路用的氣體注入部,向更包含與所選擇之腔室連接之一個分配流路的上述選擇之空間供給氣體。於形成狀態之步驟中,亦可藉由複數個壓力控制閥中所選擇之腔室用的壓力控制閥而將所選擇之腔室內之壓力調整為設定壓力。
於一個例示性實施形態中,基板處理系統亦可更具備複數個壓力控制閥。複數個壓力控制閥分別設置於複數個腔室與複數個排氣裝置之間,以分別調整複數個腔室內之壓力之方式構成。於形成狀態之步驟中,亦可於複數個壓力控制閥中所選擇之腔室用之壓力控制閥關閉之狀態下,向所選擇之空間供給來自所選擇之氣體供給部之氣體。
於一個例示性實施形態中,方法亦可於順序中,在形成狀態之步驟之前,更包括調整所選擇之腔室壓力感測器之0點之步驟。調整0點之步驟係於所選擇之空間已抽真空之狀態下進行。
於一個例示性實施形態中,方法亦可於順序中,更包括將複數個第1壓力測定值各自與複數個第1壓力測定值之平均值相互進行比較之步驟。
於一個例示性實施形態中,方法亦可於順序中,更包括將複數個第2壓力測定值各自與複數個第2壓力測定值之平均值相互進行比較之步驟。
於一個例示性實施形態中,方法亦可於對複數個腔室壓力感測器依序進行之順序之重複之前,更包括執行基準壓力感測器即第1基準壓力感測器之校正之步驟。執行第1基準壓力感測器之校正之步驟包括將第2基準壓力感測器連接於第2氣體流路之步驟。執行第1基準壓力感測器之校正之步驟更包括形成於對象空間之中維持壓力之另一狀態之步驟。對象空間包含複數個氣體供給部中之一個氣體供給部之第1氣體流路、第2氣體流路、及複數個腔室中之與一個氣體供給部對應之一個腔室之內部空間。另一狀態係使用自一個氣體供給部或另一氣體供給部以校正壓力供給之氣體而形成。執行第1基準壓力感測器之校正之步驟更包括使用第1基準壓力感測器,獲取上述另一狀態下之第2氣體流路內之壓力之測定值即複數個第3壓力測定值之步驟。執行第1基準壓力感測器之校正之步驟更包括使用第2基準壓力感測器,獲取上述另一狀態下之第2氣體流路內之壓力之測定值即複數個第4壓力測定值之步驟。執行第1基準壓力感測器之校正之步驟更包括以將與複數個第3壓力測定值之平均值相等之第1基準壓力感測器之壓力測定值與複數個第4壓力測定值的平均值之差消除之方式,校正第1基準壓力感測器之步驟。於本實施形態中,進行另一順序之重複。另一順序包括形成另一狀態之步驟、獲取複數個第3壓力測定值之步驟、獲取複數個第4壓力測定值之步驟、及校正第1基準壓力感測器之步驟。於另一順序之重複中,使用複數個不同之校正壓力作為校正壓力。
於一個例示性實施形態中,基板處理系統亦可更具備複數個分流器、複數個分配流路群、複數個氣體注入部、複數個閥、複數個壓力控制閥。複數個分流器各自連接於複數個氣體供給部中對應之氣體供給部之第3端部。複數個分配流路群各自包含複數個分配流路。複數個分配流路將複數個分流器中對應之分流器與複數個腔室中對應之腔室連接。複數個氣體注入部各自以向複數個分配流路群中對應之分配流路群之複數個分配流路中包含的一個分配流路注入氣體之方式設置。複數個閥各自於複數個分配流路群中對應之分配流路群之一個分配流路與複數個分流器中對應之分流器之間連接。複數個壓力控制閥分別設置於複數個腔室與複數個排氣裝置之間,以分別調整複數個腔室內之壓力之方式構成。亦可於形成另一狀態之步驟中,將複數個閥中之一個閥關閉。一個閥係於連接於一個腔室之一個分配流路與複數個分流器中之一個腔室用的分流器之間連接。亦可於形成另一狀態之步驟中,自作為另一氣體供給部之複數個氣體注入部中之與一個腔室連接之一個分配流路用的氣體注入部,向更包含與一個腔室連接之一個分配流路之上述對象空間供給氣體。亦可於形成另一狀態之步驟中,藉由複數個壓力控制閥中之一個腔室用之壓力控制閥而將一個腔室內之壓力調整為校正壓力。
於一個例示性實施形態中,基板處理系統亦可更具備複數個壓力控制閥。複數個壓力控制閥分別設置於複數個腔室與複數個排氣裝置之間,以分別調整複數個腔室內之壓力之方式構成。亦可於形成另一狀態之步驟中,於複數個壓力控制閥中之一個腔室用之壓力控制閥關閉之狀態下,向一個腔室之內部空間供給來自一個氣體供給部之氣體。
於一個例示性實施形態中,方法亦可於另一順序之重複之前,更包括調整第1基準壓力感測器及第2基準壓力感測器各自之0點之步驟。調整0點之步驟係於對象空間已抽真空之狀態下進行。
於一個例示性實施形態中,方法亦可於另一順序中,更包括將複數個第3壓力測定值各自與複數個第3壓力測定值之平均值相互比較之步驟。
於一個例示性實施形態中,方法亦可於另一順序中,更包括將複數個第4壓力測定值各自與複數個第4壓力測定值之平均值相互比較之步驟。
於另一例示性實施形態中,提供一種基板處理系統。基板處理系統具備複數個腔室、複數個腔室壓力感測器、複數個氣體供給部、及複數個排氣裝置。複數個腔室壓力感測器以分別測定複數個腔室內之壓力之方式設置。複數個氣體供給部各自以向複數個腔室中對應之腔室之內部空間供給氣體之方式構成。複數個氣體供給部各自具有流量控制器、一次閥、二次閥及第1氣體流路。一次閥連接於流量控制器之一次側。二次閥連接於流量控制器之二次側。第1氣體流路包含第1端部、第2端部及第3端部。第1端部連接於二次閥。第3端部構成為可與對應之腔室之內部空間連接。複數個排氣裝置經由複數個排氣流路分別連接於複數個腔室之內部空間。基板處理系統更具備第2氣體流路及基準壓力感測器。第2氣體流路連接於複數個氣體供給部各自之第2端部。基準壓力感測器以測定第2氣體流路內之壓力之方式設置。基板處理系統更具備控制部。控制部以執行用於校正複數個腔室壓力感測器之控制之方式構成。
控制部將複數個腔室壓力感測器依序選作所選擇之腔室壓力感測器,分別使用複數個不同之設定壓力作為設定壓力,執行控制順序之重複。控制順序包括第1控制、第2控制、第3控制、及所選擇之腔室壓力感測器之校正。於第1控制中,控制部對複數個氣體供給部中所選擇之氣體供給部或另一氣體供給部進行控制。於第1控制中,控制部使用自所選擇之氣體供給部或另一氣體供給部以設定壓力供給之氣體,形成於所選擇之空間之中維持壓力之狀態。所選擇之空間包含所選擇之氣體供給部之第1氣體流路、第2氣體流路、及複數個腔室中之與所選擇之氣體供給部對應之所選擇之腔室的內部空間。於第2控制中,控制部以獲取上述狀態下選擇之腔室內之壓力的測定值即複數個第1壓力測定值之方式,控制複數個腔室壓力感測器中所選擇之腔室用的所選擇之腔室壓力感測器。於第3控制中,控制部以獲取上述狀態下之第2氣體流路內之壓力之測定值即複數個第2壓力測定值的方式,控制基準壓力感測器。控制部以將與複數個第1壓力測定值之平均值相等之所選擇之腔室壓力感測器的壓力測定值與複數個第2壓力測定值之平均值之差消除之方式,執行所選擇之腔室壓力感測器之校正。
於一個例示性實施形態中,基板處理系統亦可更具備複數個分流器、複數個分配流路群、複數個氣體注入部、複數個閥、及複數個壓力控制閥。複數個分流器各自連接於複數個氣體供給部中對應之氣體供給部之第3端部。複數個分配流路群各自包含複數個分配流路。複數個分配流路將複數個分流器中對應之分流器與複數個腔室中對應之腔室連接。複數個氣體注入部各自以向複數個分配流路群中對應之分配流路群之複數個分配流路中包含的一個分配流路注入氣體之方式設置。複數個閥各自於複數個分配流路群中對應之分配流路群之一個分配流路與複數個分流器中對應之分流器之間連接。複數個壓力控制閥分別設置於複數個腔室與複數個排氣裝置之間,以分別調整複數個腔室內之壓力之方式構成。控制部於第1控制中,控制所選擇之閥,以關閉該閥。所選擇之閥係於連接於所選擇之腔室之一個分配流路與複數個分流器中所選擇之腔室用之分流器之間連接。控制部於第1控制中,將複數個氣體注入部中與所選擇之腔室連接之一個分配流路用的氣體注入部作為另一氣體供給部進行控制,以向更包含與所選擇之腔室連接之一個分配流路之上述選擇的空間供給氣體。控制部於第1控制中,控制複數個壓力控制閥中所選擇之腔室用之壓力控制閥,以將所選擇之腔室內之壓力調整為設定壓力。
於一個例示性實施形態中,基板處理系統亦可更具備複數個壓力控制閥。複數個壓力控制閥分別設置於複數個腔室與複數個排氣裝置之間,以分別調整複數個腔室內之壓力之方式構成。控制部於第1控制中,控制複數個壓力控制閥中所選擇之腔室用之壓力控制閥,以將所選擇之腔室用之該壓力控制閥關閉,且控制所選擇之氣體供給部,以向所選擇之腔室之內部空間供給氣體。
於一個例示性實施形態中,控制部亦可於控制順序中,在第1控制之前,於所選擇之空間已抽真空之狀態下,調整所選擇之腔室壓力感測器之0點。
以下,參照圖式,對各種例示性實施形態詳細進行說明。再者,於各圖式中,對同一或相符之部分標註同一符號。
圖1係校正一個例示性實施形態之基板處理系統之複數個腔室壓力感測器之方法的流程圖。圖1所示之方法係為校正基板處理系統之複數個腔室壓力感測器而執行。圖2係概略性表示一個例示性實施形態之基板處理系統之圖。圖1所示之方法MT可於圖2所示之基板處理系統10中執行。
基板處理系統10具備複數個腔室12、複數個腔室壓力感測器13、複數個氣體供給部14及複數個排氣裝置16。於基板處理系統10中,腔室12之個數、複數個腔室壓力感測器13之個數及排氣裝置16之個數分別為N個。於基板處理系統10中,氣體供給部14之個數可為N個。「N」為2以上之整數。以下說明中,於參照基板處理系統10之N個要素中之一個要素之情形時,於表示該要素之參照符號之末尾附加「n」之下標。例如,於參照複數個腔室12中之一個腔室之情形時,使用參照符號「12n
」。此處,n為1以上之整數。基板處理系統10具備複數個製程模組。複數個製程模組各自包含具有同一編號n之腔室12n
、氣體供給部14n
及排氣裝置16n
。
複數個腔室12各自提供內部空間。複數個腔室12分別以於其內部空間之中收容基板之方式構成。複數個腔室壓力感測器13以測定複數個腔室12中對應之腔室內之壓力(對應之腔室之內部空間之中之氣體壓力)之方式構成。即,腔室壓力感測器13n
以測定腔室12n
內之壓力之方式構成。
複數個氣體供給部14各自以向複數個腔室12中對應之腔室之內部空間供給氣體之方式構成。具體而言,於基板處理系統10中,氣體供給部141
~14N
分別以向腔室121
~12N
之內部空間供給氣體之方式構成。即,氣體供給部14n
以向腔室12n
之內部空間供給氣體之方式構成。
複數個氣體供給部14各自具有一個以上之流量控制器、一個以上之一次閥、一個以上之二次閥及第1氣體流路21。於一實施形態中,複數個氣體供給部14各自具有複數個流量控制器18、複數個一次閥19、複數個二次閥20及第1氣體流路21。複數個氣體供給部14各自亦可更具有殼體17。複數個氣體供給部14各自亦可更具有閥22。於一實施形態中,複數個氣體供給部14各自之流量控制器18之個數、一次閥19之個數、二次閥20之個數為M個。M為2以上之整數。再者,以下說明中,於參照複數個氣體供給部14各自之複數個要素中之一個要素之情形時,對表示該要素之參照符號之末尾附加「m」之下標。例如,於參照複數個流量控制器18中之一個流量控制器之情形時,使用參照符號「18m
」。此處,m為1以上之整數。
殼體17係容器。於複數個氣體供給部14各者,複數個流量控制器18、複數個一次閥19及複數個二次閥20收容於殼體17內。複數個流量控制器18係質量流量控制器或壓力控制式流量控制器。複數個一次閥19分別連接於複數個流量控制器18之一次側。複數個一次閥19各自連接於設置在該一次側(上游側)之對應之氣體源。複數個二次閥20分別連接於複數個流量控制器18之二次側。
第1氣體流路21包含一個以上之第1端部21a、第2端部21b及第3端部21c。於一實施形態中,第1氣體流路21包含複數個第1端部21a、即M個第1端部21a。複數個第1端部21a分別連接於複數個二次閥20。即,複數個第1端部21a分別經由複數個二次閥20連接於複數個流量控制器18之二次側。第1氣體流路21包含自複數個第1端部21a延伸之複數個流路。自複數個第1端部21a延伸之複數個流路連接於共通之流路。第1氣體流路21之共通之流路之一端係第2端部21b。自複數個第1端部21a延伸至第2端部21b之第1氣體流路21之部分設置於殼體17內。於一實施形態中,第2端部21b連接於閥22。閥22設置於殼體17內。
第3端部21c設置於殼體17之外部。包含第3端部21c之流路連接於第1氣體流路21之上述共通之流路。第3端部21c係與複數個腔室12中對應之腔室之內部空間可連接地設置。即,氣體供給部14n
之第1氣體流路21之第3端部21c係與腔室12n
之內部空間可連接地設置。
於一實施形態中,基板處理系統10亦可更具備複數個分流器FS、複數個分配流路群24及複數個氣體注入部IU。複數個分流器FS之個數及複數個分配流路群24之個數分別為N個。複數個氣體注入部IU之個數可為N個。複數個分流器FS各自之輸入埠連接於複數個氣體供給部14中對應之氣體供給部之第1氣體流路21的第3端部21c。即,分流器FSn
之輸入埠連接於氣體供給部14n
之第1氣體流路21之第3端部21c。複數個分流器FS各自分配供給至該輸入埠之氣體。即,複數個分流器FS各自將供給至該輸入埠之氣體自該複數個輸出埠輸出。
複數個分配流路群24各自包含複數個分配流路。於圖示之例中,複數個分配流路之個數為4個,但不限於此。複數個分配流路群24各自之複數個分配流路於複數個分流器FS中對應之分流器與複數個腔室12中對應之腔室之間並聯地連接。即,分配流路群24n
之複數個分配流路於分流器FSn
與腔室12n
之間並聯連接。複數個分配流路群24各自之複數個分配流路經由複數個閥25連接於對應之分流器之複數個輸出埠。複數個分配流路群24各自之複數個分配流路亦可直接連接於對應之分流器之複數個輸出埠。複數個分配流路群24各自之複數個分配流路經由複數個閥26連接於對應之腔室。複數個分配流路群24各自之複數個分配流路中,分配有自對應之氣體供給部供給至對應之分流器之氣體。複數個分配流路群24各自之複數個分配流路係為了對配置於對應之腔室內之基板之複數個不同之區域分別供給氣體而設置。於一實施形態中,基板之複數個不同區域係以基板之中心為其等之中心之複數個同心區域。
複數個氣體注入部IU各自連接於複數個分配流路群24中對應之分配流路群之一個分配流路(圖示之例為分配流路24a)。即,氣體注入部IUn
連接於分配流路群24n
之複數個分配流路中之分配流路24a。複數個氣體注入部IU各自以向對應之分配流路群之一個分配流路注入氣體之方式構成。於一實施形態中,複數個氣體注入部IU各自包含流量控制器27、一次閥28及二次閥29。一次閥28連接於流量控制器27之一次側。二次閥29連接於流量控制器27之二次側。流量控制器27經由一次閥28連接於氣體源。流量控制器27經由二次閥29連接於對應之分配流路群之一個分配流路。再者,基板處理系統10亦可更具備個數多於N個之氣體注入部IU。於此情形時,亦可於複數個分配流路群24各自之複數個分配流路中之兩個以上之分配流路分別連接有氣體注入部。
基板處理系統10更具備複數個壓力控制閥32。基板處理系統10亦可更具備複數個渦輪分子泵34、複數個排氣流路36及複數個閥38。壓力控制閥32之個數、渦輪分子泵34之個數、排氣流路36之個數、閥38之個數各自為N個。複數個壓力控制閥32分別例如為自動壓力控制閥。壓力控制閥32n
以調整對應之腔室12n
之內部空間之中之壓力之方式構成。排氣流路36n
經由壓力控制閥32n
、渦輪分子泵34n
及閥38n
連接於對應之腔室12n
之內部空間。於閥38n
之下游,排氣裝置16n
連接於排氣流路36n
。複數個排氣裝置16分別例如可為乾式泵。
基板處理系統10更具備第2氣體流路40及基準壓力感測器50(第1基準壓力感測器)。第2氣體流路40連接於複數個氣體供給部14各自之第1氣體流路21之第2端部21b。於一實施形態中,第2氣體流路包含氣體流路42、氣體流路43、氣體流路44及氣體流路45。
氣體流路42包含複數個端部42a及一個端部42b。氣體流路42自複數個端部42a延伸至端部42b。複數個端部42a連接於複數個氣體供給部14中對應之氣體供給部之第1氣體流路21之第2端部21b。於一實施形態中,複數個端部42a經由複數個氣體供給部14中對應之氣體供給部之閥22,連接於對應之氣體供給部之第1氣體流路21的第2端部21b。氣體流路42包括分別包含複數個端部42a之複數個流路、及該複數個流路所連接之共通之流路。氣體流路42之共通之流路包含端部42b。
氣體流路43包含端部43a及端部43b。氣體流路43自端部43a延伸至端部43b。於氣體流路42之端部42b與氣體流路43之端部43a之間連接有閥51。氣體流路44具有端部44a、端部44b及端部44c。氣體流路44具有部分流路44d及部分流路44e。部分流路44d於端部44a與44b之間延伸。部分流路44e自部分流路44d分支後延伸至端部44c。於氣體流路43之端部43b與氣體流路44之端部44a之間連接有閥52。氣體流路44之端部44b經由閥53而與複數個排氣裝置16分別連接。於一實施形態中,於複數個排氣流路36分別連接有N個閥58。閥53經由閥58n
及排氣流路36n
連接於排氣裝置16n
。
氣體流路45具有一端及另一端。於氣體流路45之一端與氣體流路44之端部44c之間連接有閥54。於氣體流路45之另一端連接有閥59。
基準壓力感測器50以測定第2氣體流路40內之壓力之方式構成。於一實施形態中,基準壓力感測器50於閥54與閥59之間,以測定氣體流路45內之壓力之方式設置。
於一實施形態中,基板處理系統10亦可更具備壓力感測器47、壓力感測器48及溫度感測器49。壓力感測器47及壓力感測器48各自以測定氣體流路43內之壓力之方式構成。溫度感測器49以測定氣體流路43內之溫度之方式構成。
於方法MT中,如下所述,可利用基準壓力感測器60(第2基準壓力感測器)。基準壓力感測器60可為攜帶型壓力感測器。基準壓力感測器60係用於基準壓力感測器50之校正。例如,基準壓力感測器60可共用於複數個基板處理系統之基準壓力感測器之校正。基準壓力感測器60係可拆卸地連接於閥59。基準壓力感測器60可於閥59打開之狀態下測定第2氣體流路40內之壓力(例如氣體流路45內之壓力)。
於一實施形態中,基板處理系統10可更具備控制部CU。控制部CU可為具有CPU(Central Processing Unit,中央處理單元)之類的處理器、記憶體之類的記憶裝置、鍵盤之類的輸入裝置、顯示裝置等之電腦裝置。控制部CU藉由處理器執行記憶於記憶裝置中之控制程式,且按照記憶於記憶裝置中之製程配方資料,控制基板處理系統10之各部。再者,方法MT可藉由控制部CU所進行之基板處理系統10之各部之控制及運算而實施。
再次參照圖1。以下,對方法MT詳細進行說明。又,對用於執行方法MT之控制部CU所進行之控制及運算進行說明。如圖1所示,於一實施形態中,方法MT亦可包括步驟STC。於步驟STC中,進行基準壓力感測器50之校正。
圖3係表示圖1所示之方法之步驟STC之例的流程圖。如圖3所示,步驟STC係於步驟STa開始。於步驟STa中,將基準壓力感測器60連接於第2氣體流路40。基準壓力感測器60例如連接於閥59。
於步驟STC中,分別使用複數個不同之校正壓力作為校正壓力,重複進行包括步驟ST24~步驟ST29之順序SQC,藉此校正基準壓力感測器50。
於一實施形態中,步驟STC亦可於進行順序SQC之重複之前,包括步驟ST21~步驟ST23。於步驟ST21中,執行對象空間之抽真空。對象空間包含一個氣體供給部14n
之第1氣體流路21、第2氣體流路40及一個腔室12n
之內部空間。於一實施形態中,對象空間更包含一個分配流路群24n
之複數個分配流路。
將氣體供給部14n
之閥22、壓力控制閥32n
、閥38n
、閥51、閥52、閥54及閥59打開,以執行步驟ST21。將複數個氣體供給部14中之氣體供給部14n
以外之氣體供給部之閥22、氣體供給部14n
之複數個二次閥20及閥53關閉,以執行步驟ST21。繼而,使排氣裝置16n
作動,以執行步驟ST21。該等閥之開閉動作及排氣裝置16n
之作動由控制部CU控制。
於連續之步驟ST22中,進行檢漏。將閥54關閉,以執行步驟ST22。於步驟ST22中,若基準壓力感測器60之壓力測定值不變,或者基準壓力感測器60之壓力測定值之增加量為特定值以上,則判斷於閥59或基準壓力感測器60之連接部產生洩漏。當步驟ST22中判斷產生洩漏時,更換或修理洩漏之部分(閥59或基準壓力感測器60之連接部)。當步驟ST22中判斷未產生洩漏時,轉移至處理步驟ST23。
於步驟ST23中,調整基準壓力感測器50及基準壓力感測器60各自之0點。於步驟ST23中,以將步驟ST21中於第2氣體流路40已抽真空之狀態下獲取之基準壓力感測器50之壓力測定值修正為零的方式,校正基準壓力感測器50。又,於步驟ST23中,以將步驟ST21中於第2氣體流路40已抽真空之狀態下獲取之基準壓力感測器60之壓力測定值修正為零的方式,校正基準壓力感測器60。於步驟ST23中,藉由來自控制部CU之信號來調整基準壓力感測器50及基準壓力感測器60各自之0點。
於順序SQC內之步驟ST24中選擇校正壓力。於順序SQC之重複中,校正壓力自複數個不同之校正壓力中依序選擇。於步驟ST24中,能夠以順序SQC之重複中使用之校正壓力逐漸增加之方式,自複數個不同之校正壓力中選擇所使用之校正壓力。
於連續之步驟ST25中,形成維持對象空間之中之壓力之第1狀態。對象空間包含氣體供給部14n
之第1氣體流路21、第2氣體流路40及腔室12n
之內部空間。於一實施形態中,對象空間更包含一個分配流路群24n
之複數個分配流路。於一實施形態中,為形成第1狀態而使用來自氣體供給部14n
之氣體。於步驟ST25中,自氣體供給部14n
以所選擇之校正壓力供給氣體。氣體供給部14n
以基準壓力感測器50或基準壓力感測器60之壓力測定值與所選擇之校正壓力一致之方式,由控制部CU進行控制。
將氣體供給部14n
之一次閥19m
、氣體供給部14n
之二次閥20m
、氣體供給部14n
之閥22、閥51、閥52、閥54及閥59打開,以執行步驟ST25。將複數個氣體供給部14中之氣體供給部14n
以外之氣體供給部之閥22、氣體供給部14n
之二次閥20m
以外之所有之二次閥20及閥53關閉,以執行步驟ST25。
於一實施形態中,將壓力控制閥32n
關閉,以執行步驟ST25。又,將於分配流路群24n
之複數個分配流路與腔室12n
之間連接之複數個閥26打開。又,將於分配流路群24n
之複數個分配流路與分流器FSn
之間連接之複數個閥25打開。於本實施形態中,複數個分配流路群24各自之複數個分配流路亦可直接連接於對應之分流器之複數個輸出埠。於本實施形態中,將來自氣體供給部14n
之流量控制器18m
之氣體供給至對象空間。於步驟ST25中,上述閥、壓力控制閥及流量控制器由控制部CU控制。
於另一實施形態中,將於分配流路群24n
之複數個分配流路與腔室12n
之間連接之複數個閥26打開,以執行步驟ST25。又,將於分配流路群24n
之複數個分配流路與分流器FSn
之間連接之複數個閥25中之與一個分配流路24a連接的一個閥25a關閉。將於分配流路群24n
之複數個分配流路與分流器FSn
之間連接之複數個閥25中之一個閥25a以外之閥打開。又,將閥38n
打開。又,使排氣裝置16n
作動。於本實施形態中,將來自另一氣體供給部即氣體注入部IUn
之氣體供給至分配流路群24n
之一個分配流路24a,以執行步驟ST25。具體而言,將氣體注入部IUn
之一次閥28及二次閥29打開,調整自流量控制器27輸出之氣體之流量。於本實施形態中,來自氣體注入部IUn
之氣體係以所選擇之校正壓力賦予至對象空間。對象空間包含氣體供給部14n
之第1氣體流路21、第2氣體流路40、腔室12n
之內部空間及一個分配流路群24n
之複數個分配流路。即,對象空間更包含分配流路群24n
之一個分配流路24a。腔室12n
之內部空間之中之壓力係藉由壓力控制閥32n
之開度而調整。壓力控制閥32n
之開度亦可控制為與所選擇之校正壓力相應之特定之開度。壓力控制閥32n
之開度亦能夠以腔室壓力感測器13n
之壓力測定值與所選擇之校正壓力一致之方式控制。於步驟ST25中,上述閥、壓力控制閥及流量控制器由控制部CU控制。
繼而,執行步驟ST26及步驟ST27。步驟ST26及步驟ST27係於經過步驟ST25中腔室12n
之內部空間之壓力及第2氣體流路40內之壓力穩定的時長之後執行。該時長亦可為特定之時長。或者,將該時長判斷為於腔室壓力感測器13n
、基準壓力感測器50及基準壓力感測器60中之至少一個感測器之壓力測定值之變動量成為特定量以下時所經過者。
於步驟ST26中,利用基準壓力感測器50獲取複數個壓力測定值P53(複數個第3壓力測定值)。複數個壓力測定值P53係第1狀態下之第2氣體流路40內之壓力之測定值。為了執行步驟ST26,控制部CU以獲取複數個壓力測定值P53之方式控制基準壓力感測器50。於步驟ST27中,利用基準壓力感測器60獲取複數個壓力測定值P64(複數個第4壓力測定值)。複數個壓力測定值P64係第1狀態下之第2氣體流路40內之壓力之測定值。為了執行步驟ST27,控制部CU以獲取複數個壓力測定值P64之方式控制基準壓力感測器60。
於連續之步驟ST28,評價複數個壓力測定值P53之偏差及複數個壓力測定值P64之偏差。步驟ST28中之評價由控制部CU執行。若複數個壓力測定值P53之偏差為基準值以上,則更換基準壓力感測器50。若複數個壓力測定值P64之偏差為基準值以上,則更換基準壓力感測器60。複數個壓力測定值P53之偏差可藉由將複數個壓力測定值P53各自與複數個壓力測定值P53之平均值P53A
相互比較來評價。複數個壓力測定值P64之偏差可藉由將複數個壓力測定值P64各自與複數個壓力測定值P64之平均值P64A
相互比較來評價。
於步驟ST28中,複數個壓力測定值P53之偏差及複數個壓力測定值P64之偏差例如藉由以下之(1)式及(2)式來評價。
|P53j
-P53A
|<P53R
…(1)
|P64j
-P64A
|<P64R
…(2)
於(1)式及(2)式中,「j」係分別對於複數個壓力測定值P53及複數個壓力測定值P64之指數。P53A
係複數個壓力測定值P53之平均值。P64A
係複數個壓力測定值P64之平均值。P53R
係基準值、例如基準壓力感測器50之精度。P64R
係基準值、例如基準壓力感測器60之精度。於滿足(1)式之情形時,不更換基準壓力感測器50。於滿足(2)式之情形時,不更換基準壓力感測器60。
於連續之步驟ST29中,校正基準壓力感測器50。於步驟ST29中,基準壓力感測器50以將與平均值P53A
相等之基準壓力感測器50之壓力測定值與平均值P64A
之差消除的方式進行校正。於一例之步驟ST29中,亦可求出平均值P53A
與平均值P64A
之間之差作為修正量,以校正基準壓力感測器50。於該例中,藉由將修正量賦予基準壓力感測器50而校正基準壓力感測器50。於另一例之步驟ST29中,藉由平均值P53A
乘以該修正量而求出可獲得實質上與平均值P64A
相等之壓力測定值之係數。藉由對基準壓力感測器50設定該係數而校正基準壓力感測器50。步驟ST29中之運算及基準壓力感測器50之校正係由控制部CU執行。
於連續之步驟ST30中,判定是否使用所有之校正壓力。於未使用所有之校正壓力之情形時,選擇複數個校正壓力中之未被使用之校正壓力,再次執行順序SQC。另一方面,於使用所有之校正壓力之情形時,步驟STC結束。步驟STC結束後,亦可將閥59關閉,將基準壓力感測器60自閥59拆卸。
如圖1所示,執行步驟STC後,執行順序SQ之重複,藉此進行複數個腔室壓力感測器13之校正。於方法MT中,將複數個腔室壓力感測器13依序選作腔室壓力感測器13n
。腔室壓力感測器13n
於步驟ST1中被選擇。於方法MT中,藉由在順序SQ之重複中分別使用複數個不同之設定壓力,而校正所選擇之腔室壓力感測器13n
。
於一實施形態中,方法MT亦可於進行順序SQ之重複之前包括步驟ST2~步驟ST3。於步驟ST2中,執行所選擇之空間之抽真空。所選擇之空間包含氣體供給部14n
之第1氣體流路21、第2氣體流路40及腔室12n
之內部空間。腔室12n
係與所選擇之腔室壓力感測器13n
對應之所選擇之腔室。腔室12n
內之壓力由所選擇之腔室壓力感測器13n
測定。氣體供給部14n
係與腔室12n
對應之所選擇之氣體供給部, 且以向腔室12n
之內部空間供給氣體之方式構成。於一實施形態中,所選擇之空間更包含分配流路群24n
之複數個分配流路。分配流路群24n
於腔室12n
與分流器FSn
之間連接。
將氣體供給部14n
之閥22、壓力控制閥32n
、閥38n
、閥51、閥52及閥54打開,以執行步驟ST2。將複數個氣體供給部14中之氣體供給部14n
以外之氣體供給部之閥22、氣體供給部14n
之複數個二次閥20、閥53及閥59關閉,以執行步驟ST2。繼而,使排氣裝置16n
作動,以執行步驟ST2。該等閥之開閉動作及排氣裝置16n
之作動由控制部CU控制。
於步驟ST3中,調整腔室壓力感測器13n
之0點。於步驟ST3中,以將步驟ST2中腔室12n
之內部空間已抽真空之狀態下獲取之腔室壓力感測器13n
之壓力測定值修正為零的方式校正腔室壓力感測器13n
。於步驟ST3中,藉由來自控制部CU之信號來調整腔室壓力感測器13n
之0點。
於順序SQ內之步驟ST4中選擇設定壓力。於順序SQ之重複中,設定壓力自複數個不同之設定壓力中依序選擇。於步驟ST4中,能夠以順序SQ之重複中使用之設定壓力逐漸增加之方式,自複數個不同之設定壓力中選擇所使用之設定壓力。
於連續之步驟ST5中,形成維持所選擇之空間之中之壓力之第2狀態。所選擇之空間包含氣體供給部14n
之第1氣體流路21、第2氣體流路40及腔室12n
之內部空間。於一實施形態中,所選擇之空間更包含分配流路群24n
之複數個分配流路。於一實施形態中,為形成第2狀態而使用來自氣體供給部14n
之氣體。於步驟ST5中,自氣體供給部14n
以所選擇之設定壓力供給氣體。氣體供給部14n
以基準壓力感測器50之壓力測定值與所選擇之設定壓力一致之方式由控制部CU控制。
將氣體供給部14n
之一次閥19m
、氣體供給部14n
之二次閥20m
、氣體供給部14n
之閥22、閥51、閥52及閥54打開,以執行步驟ST5。將複數個氣體供給部14中之氣體供給部14n
以外之氣體供給部之閥22、氣體供給部14n
之二次閥20m
以外之所有之二次閥20、閥53及閥59關閉,以執行步驟ST5。
於一實施形態中,將壓力控制閥32n
關閉,以執行步驟ST5。又,將於分配流路群24n
之複數個分配流路與腔室12n
之間連接之複數個閥26打開。又,將於分配流路群24n
之複數個分配流路與分流器FSn
之間連接之複數個閥25打開。於本實施形態中,複數個分配流路群24各自之複數個分配流路亦可直接連接於對應之分流器之複數個輸出埠。於本實施形態中,來自氣體供給部14n
之流量控制器18m
之氣體供給至所選擇之空間。於步驟ST5中,上述閥、壓力控制閥及流量控制器由控制部CU控制。
於另一實施形態中,將於分配流路群24n
之複數個分配流路與腔室12n
之間連接之複數個閥26打開,以執行步驟ST5。又,將於分配流路群24n
之複數個分配流路與分流器FSn
之間連接之複數個閥25中之一個閥25a關閉。將於分配流路群24n
之複數個分配流路與分流器FSn
之間連接之複數個閥25中之一個閥25a以外的閥打開。又,將閥38n
打開。又,使排氣裝置16n
作動。於本實施形態中,將來自另一氣體供給部即氣體注入部IUn
之氣體供給至分配流路群24n
之一個分配流路24a,以執行步驟ST5。具體而言,將氣體注入部IUn
之一次閥28及二次閥29打開,調整自流量控制器27輸出之氣體之流量。於本實施形態中,來自氣體注入部IUn
之氣體以所選擇之設定壓力提供至所選擇之空間。所選擇之空間包含氣體供給部14n
之第1氣體流路21、第2氣體流路40、腔室12n
之內部空間及分配流路群24n
之複數個分配流路。即,所選擇之空間更包含分配流路群24n
之一個分配流路24a。腔室12n
之內部空間之中之壓力係藉由壓力控制閥32n
之開度而調整。壓力控制閥32n
之開度亦可控制為與所選擇之設定壓力對應之特定開度。壓力控制閥32n
之開度亦能夠以腔室壓力感測器13n
之壓力測定值與所選擇之設定壓力一致之方式控制。於步驟ST5中,上述閥、壓力控制閥及流量控制器由控制部CU控制。
繼而,執行步驟ST6及步驟ST7。步驟ST6及步驟ST7係於經過步驟ST5中腔室12n
之內部空間之壓力及第2氣體流路40內之壓力穩定的時長之後執行。該時長亦可為特定之時長。或者,將該時長判斷為於腔室壓力感測器13n
及基準壓力感測器50中之至少一個感測器之壓力測定值之變動量成為特定量以下時所經過者。
於步驟ST6中,利用腔室壓力感測器13n
獲取複數個壓力測定值PC(複數個第1壓力測定值)。複數個壓力測定值PC係第2狀態下之腔室12n
內之壓力之測定值。為執行步驟ST6,控制部CU以獲取複數個壓力測定值PC之方式控制腔室壓力感測器13n
。於步驟ST7中,利用基準壓力感測器50獲取複數個壓力測定值P52(複數個第2壓力測定值)。複數個壓力測定值P52係第2狀態下之第2氣體流路40內之壓力之測定值。為執行步驟ST7,控制部CU以獲取複數個壓力測定值P52之方式控制基準壓力感測器50。
於連續之步驟ST8中,評價複數個壓力測定值PC之偏差及複數個壓力測定值P52之偏差。步驟ST8中之評價由控制部CU執行。若複數個壓力測定值PC之偏差為基準值以上,則更換腔室壓力感測器13n
。若複數個壓力測定值P52之偏差為基準值以上,則更換基準壓力感測器50。複數個壓力測定值PC之偏差可藉由將複數個壓力測定值PC各自與複數個壓力測定值PC之平均值PCA
相互比較來評價。複數個壓力測定值P52之偏差可藉由將複數個壓力測定值P52各自與複數個壓力測定值P52之平均值P52A
相互比較來評價。
於步驟ST8中,複數個壓力測定值PC之偏差及複數個壓力測定值P52之偏差例如藉由以下之(3)式及(4)式來評價。
|PCj
-PCA
|<PCR
…(3)
|P52j
-P52A
|<P52R
…(4)
於(3)式及(4)式中,「j」係分別對於複數個壓力測定值PC及複數個壓力測定值P52之指數。PCA
係複數個壓力測定值PC之平均值。P52A
係複數個壓力測定值P52之平均值。PCR
係基準值、例如腔室壓力感測器13n
之精度。P52R
係基準值、例如基準壓力感測器50之精度。於滿足(3)式之情形時,不更換腔室壓力感測器13n
。於滿足(4)式之情形時,不更換基準壓力感測器50。
於連續之步驟ST9中,校正腔室壓力感測器13n
。於步驟ST9中,腔室壓力感測器13n
以將與平均值PCA
相等之腔室壓力感測器13n
之壓力測定值與平均值P52A
之差消除的方式進行校正。於一例之步驟ST9中,亦可求出平均值PCA
與平均值P52A
之間之差作為修正量,以校正腔室壓力感測器13n
。於該例中,藉由將修正量賦予基準壓力感測器50而校正基準壓力感測器50。於另一例之步驟ST9中,藉由平均值PCA
乘以該修正量而求出可獲得實質上與平均值P52A
相等之壓力測定值之係數。藉由對腔室壓力感測器13n
設定該係數而校正腔室壓力感測器13n
。步驟ST9中之運算及腔室壓力感測器13n
之校正由控制部CU執行。
於連續之步驟ST10中,判定是否使用所有之設定壓力。於未使用所有之設定壓力之情形時,選擇複數個設定壓力中之未被使用之設定壓力,再次執行順序SQ。另一方面,於使用所有之設定壓力之情形時,處理轉移至步驟ST11。
於連續之步驟ST11中,判定是否選擇所有之腔室壓力感測器13。於未選擇所有之腔室壓力感測器13之情形時,選擇複數個腔室壓力感測器13中之未選擇之腔室壓力感測器,再次執行自步驟ST1起之處理、即包括順序SQ之處理。另一方面,於已選擇所有之腔室壓力感測器13之情形時,方法MT結束。
根據方法MT,複數個腔室壓力感測器13係使用一個基準壓力感測器50進行校正。因此,複數個腔室壓力感測器13之器件差異降低。又,使用利用基準壓力感測器50獲取之共通之第2氣體流路40內之壓力的測定值,校正複數個腔室壓力感測器13。因此,能夠容易地進行複數個腔室壓力感測器13之校正。
以上,對各種例示性實施形態進行了說明,但並不限於上述例示性實施形態,亦可進行各種追加、省略、替換及變更。又,可組合不同之實施形態中之要素,形成另一實施形態。
例如於方法MT中,亦可使用壓力感測器47或壓力感測器48而取代基準壓力感測器50。
根據以上說明,應理解本發明之各種實施形態係以說明為目的利用本說明書進行說明,可不脫離本發明之範圍及主旨而進行各種變更。因此,本說明書中揭示之各種實施形態並非意圖進行限定,真正之範圍及主旨由隨附之申請專利範圍表示。
10:基板處理系統
121:腔室
12n:腔室
131:腔室壓力感測器
13n:腔室壓力感測器
141:氣體供給部
14n:氣體供給部
161:排氣裝置
16n:排氣裝置
17:殼體
181:流量控制器
18m:流量控制器
191:一次閥
19m:一次閥
201:二次閥
20m:二次閥
21:第1氣體流路
21a:第1端部
21b:第2端部
21c:第3端部
22:閥
241:分配流路群
24n:分配流路群
24a:分配流路
25:閥
25a:閥
26:閥
26a:閥
27:流量控制器
28:一次閥
29:二次閥
321:壓力控制閥
32n:壓力控制閥
341:渦輪分子泵
34n:渦輪分子泵
361:排氣流路
36n:排氣流路
381:閥
38n:閥
40:第2氣體流路
42:氣體流路
42a:端部
42b:端部
43:氣體流路
43a:端部
43b:端部
44:氣體流路
44a:端部
44b:端部
44c:端部
44d:部分流路
44e:部分流路
45:氣體流路
47:壓力感測器
48:壓力感測器
49:溫度感測器
50:基準壓力感測器
51:閥
52:閥
53:閥
54:閥
581:閥
58n:閥
59:閥
60:基準壓力感測器
CU:控制部
FS1:分流器
FSn:分流器
IU1:氣體注入部
IUn:氣體注入部
圖1係校正一例示性實施形態之基板處理系統之複數個腔室壓力感測器之方法的流程圖。
圖2係概略性表示一例示性實施形態之基板處理系統之圖。
圖3係表示圖1所示之方法之步驟STC之例的流程圖。
Claims (16)
- 一種校正基板處理系統之複數個腔室壓力感測器之方法,其中: 上述基板處理系統具備: 複數個腔室; 上述複數個腔室壓力感測器,其等以分別測定上述複數個腔室內之壓力之方式設置; 複數個氣體供給部,其等以分別向複數個腔室中對應之腔室之內部空間供給氣體之方式構成,且具有: 流量控制器; 一次閥,其連接於上述流量控制器之一次側; 二次閥,其連接於上述流量控制器之二次側;及 第1氣體流路,其包含第1端部、第2端部及第3端部,且該第1端部連接於上述二次閥,該第3端部構成為可與上述對應之腔室之內部空間連接; 複數個排氣裝置,其等經由複數個排氣流路分別連接於上述複數個腔室之內部空間; 第2氣體流路,其連接於上述複數個氣體供給部各自之上述第2端部;及 基準壓力感測器,其以測定上述第2氣體流路內之壓力之方式設置; 該方法包括以下步驟: 形成於包含上述複數個氣體供給部中所選擇之氣體供給部的上述第1氣體流路、上述第2氣體流路、及上述複數個腔室中與上述選擇之氣體供給部對應之所選擇之腔室之內部空間的所選擇之空間之中維持壓力之狀態,且該狀態係使用自上述選擇之氣體供給部或另一氣體供給部以設定壓力供給之氣體而形成; 使用上述複數個腔室壓力感測器中上述選擇之腔室用之所選擇之腔室壓力感測器,獲取上述狀態下之上述選擇之腔室內之壓力的測定值即複數個第1壓力測定值; 使用上述基準壓力感測器,獲取上述狀態下之上述第2氣體流路內之壓力之測定值即複數個第2壓力測定值;及 以將與上述複數個第1壓力測定值之平均值相等之上述選擇之腔室壓力感測器之壓力測定值與上述複數個第2壓力測定值的平均值之差消除之方式,校正上述選擇之腔室壓力感測器; 分別使用複數個不同之設定壓力作為上述設定壓力,進行包括形成狀態之上述步驟、獲取複數個第1壓力測定值之上述步驟、獲取複數個第2壓力測定值之上述步驟、及進行校正之上述步驟之順序之重複, 上述複數個腔室壓力感測器依序選作上述選擇之腔室壓力感測器,執行上述順序之上述重複。
- 如請求項1之方法,其中 上述基板處理系統更具備: 複數個分流器,其等係分別連接於上述複數個氣體供給部中對應之氣體供給部之上述第3端部; 複數個分配流路群,其等係分別包含將上述複數個分流器中對應之分流器與上述複數個腔室中對應之腔室連接之複數個分配流路; 複數個氣體注入部,其等係分別以向上述複數個分配流路群中對應之分配流路群之上述複數個分配流路中包含的一個分配流路注入氣體之方式設置; 複數個閥,其等係分別於上述複數個分配流路群中對應之分配流路群之上述一個分配流路與上述複數個分流器中的對應之分流器之間連接;及 複數個壓力控制閥,其等分別設置於上述複數個腔室與上述複數個排氣裝置之間,且以分別調整上述複數個腔室內之壓力之方式構成; 於形成狀態之上述步驟中, 將於與上述選擇之腔室連接之上述一個分配流路與上述複數個分流器中該選擇之腔室用的分流器之間連接之上述複數個閥中所選擇之閥關閉, 自作為上述另一氣體供給部之上述複數個氣體注入部中與上述選擇之腔室連接之上述一個分配流路用的氣體注入部,向更包含與上述選擇之腔室連接之上述一個分配流路的上述選擇之空間供給氣體, 上述選擇之腔室內之壓力係藉由上述複數個壓力控制閥中之上述選擇之腔室用的壓力控制閥調整為上述設定壓力。
- 如請求項1之方法,其中 上述基板處理系統更具備複數個壓力控制閥,上述複數個壓力控制閥分別設置於上述複數個腔室與上述複數個排氣裝置之間,以分別調整上述複數個腔室內之壓力之方式構成,且 於形成狀態之上述步驟中,在上述複數個壓力控制閥中之上述選擇之腔室用之壓力控制閥關閉的狀態下,向上述選擇之空間供給來自上述選擇之氣體供給部之上述氣體。
- 如請求項1至3中任一項之方法,其中於上述順序中,在形成狀態之上述步驟之前,更包括於上述選擇之空間已抽真空之狀態下,調整上述選擇之腔室壓力感測器之0點之步驟。
- 如請求項1至4中任一項之方法,其中於上述順序中,更包括將上述複數個第1壓力測定值各自與該複數個第1壓力測定值之上述平均值相互進行比較之步驟。
- 如請求項1至5中任一項之方法,其中於上述順序中,更包括將上述複數個第2壓力測定值各自與該複數個第2壓力測定值之上述平均值相互進行比較之步驟。
- 如請求項1之方法,其中 於對上述複數個腔室壓力感測器依序進行之上述順序之上述重複之前,更包括執行作為上述基準壓力感測器之第1基準壓力感測器之校正之步驟, 執行第1基準壓力感測器之校正之上述步驟包括以下步驟: 將第2基準壓力感測器連接於上述第2氣體流路; 形成於包含上述複數個氣體供給部中之一個氣體供給部之上述第1氣體流路、上述第2氣體流路、及上述複數個腔室中之與上述一個氣體供給部對應之一個腔室之內部空間的對象空間之中維持壓力之另一狀態,且該另一狀態係使用自上述一個氣體供給部或上述另一氣體供給部以校正壓力供給之氣體而形成; 使用上述第1基準壓力感測器,獲取上述另一狀態下之上述第2氣體流路內之壓力之測定值即複數個第3壓力測定值; 使用上述第2基準壓力感測器,獲取上述另一狀態下之上述第2氣體流路內之壓力之測定值即複數個第4壓力測定值;及 以將與上述複數個第3壓力測定值之平均值相等之上述第1基準壓力感測器之壓力測定值與上述複數個第4壓力測定值的平均值之差消除之方式,校正上述第1基準壓力感測器; 分別使用複數個不同之校正壓力作為上述校正壓力,進行包括形成另一狀態之上述步驟、獲取複數個第3壓力測定值之上述步驟、獲取複數個第4壓力測定值之上述步驟、及校正上述第1基準壓力感測器之上述步驟之另一順序之重複。
- 如請求項7之方法,其中 上述基板處理系統更具備: 複數個分流器,其等係分別連接於上述複數個氣體供給部中對應之氣體供給部之上述第3端部; 複數個分配流路群,其等係分別包含將上述複數個分流器中對應之分流器與上述複數個腔室中對應之腔室連接之複數個分配流路; 複數個氣體注入部,其等係分別以向上述複數個分配流路群中對應之分配流路群之上述複數個分配流路中包含的一個分配流路注入氣體之方式設置; 複數個閥,其等係分別於上述複數個分配流路群中對應之分配流路群之上述一個分配流路與上述複數個分流器中的對應之分流器之間連接;及 複數個壓力控制閥,其等係分別設置於上述複數個腔室與上述複數個排氣裝置之間,以分別調整上述複數個腔室內之壓力之方式構成; 於形成另一狀態之上述步驟中, 將上述複數個閥中之一個閥關閉,該一個閥係於連接於上述一個腔室之上述一個分配流路與上述複數個分流器中之該一個腔室用的分流器之間連接, 自作為上述另一氣體供給部之上述複數個氣體注入部中之與該一個腔室連接之上述一個分配流路用的氣體注入部,向更包含與上述一個腔室連接之上述一個分配流路之上述對象空間供給氣體, 上述一個腔室內之壓力係藉由上述複數個壓力控制閥中之上述一個腔室用之壓力控制閥而調整為上述校正壓力。
- 如請求項7之方法,其中 上述基板處理系統更具備複數個壓力控制閥,上述複數個壓力控制閥分別設置於上述複數個腔室與上述複數個排氣裝置之間,以分別調整上述複數個腔室內之壓力之方式構成,且 於形成另一狀態之上述步驟中,在上述複數個壓力控制閥中之上述一個腔室用之壓力控制閥關閉之狀態下,向上述對象空間供給來自上述一個氣體供給部之上述氣體。
- 如請求項7至9中任一項之方法,其中於上述另一順序之上述重複之前,更包括於上述對象空間已抽真空之狀態下,調整上述第1基準壓力感測器及上述第2基準壓力感測器各自之0點之步驟。
- 如請求項7至10中任一項之方法,其中於上述另一順序中,更包括將上述複數個第3壓力測定值各自與該複數個第3壓力測定值之上述平均值相互比較之步驟。
- 如請求項7至11中任一項之方法,其中於上述另一順序中,更包括將上述複數個第4壓力測定值各自與該複數個第4壓力測定值之上述平均值相互比較之步驟。
- 一種基板處理系統,其具備: 複數個腔室; 複數個腔室壓力感測器,其等以分別測定上述複數個腔室內之壓力之方式設置; 複數個氣體供給部,其等係以分別向複數個腔室中對應之腔室之內部空間供給氣體之方式構成,且具有: 流量控制器; 一次閥,其連接於上述流量控制器之一次側; 二次閥,其連接於上述流量控制器之二次側;及 第1氣體流路,其包含第1端部、第2端部及第3端部,且該第1端部連接於上述二次閥,該第3端部構成為可與上述對應之腔室之內部空間連接; 複數個排氣裝置,其等經由複數個排氣流路分別連接於上述複數個腔室之內部空間; 第2氣體流路,其連接於上述複數個氣體供給部各自之上述第2端部; 基準壓力感測器,其以測定上述第2氣體流路內之壓力之方式設置;及 控制部,其以執行用於校正複數個腔室壓力感測器之控制之方式構成; 上述控制部構成為 執行第1控制,上述第1控制係對上述複數個氣體供給部中所選擇之氣體供給部或另一氣體供給部進行控制,且使用自該選擇之氣體供給部或該另一氣體供給部以設定壓力供給之氣體,形成於包含該選擇之氣體供給部之上述第1氣體流路、上述第2氣體流路、及上述複數個腔室中之與上述選擇之氣體供給部對應之所選擇之腔室的內部空間的所選擇之空間之中維持壓力之狀態, 執行第2控制,上述第2控制係以獲取上述狀態下之上述選擇之腔室內之壓力之測定值即複數個第1壓力測定值之方式,控制上述複數個腔室壓力感測器中之上述選擇之腔室用的所選擇之腔室壓力感測器, 執行第3控制,上述第3控制係以獲取上述狀態下之上述第2氣體流路內之壓力之測定值即複數個第2壓力測定值的方式,控制上述基準壓力感測器, 以將與上述複數個第1壓力測定值之平均值相等之上述選擇之腔室壓力感測器的壓力測定值與上述複數個第2壓力測定值之平均值之差消除之方式,執行上述選擇之腔室壓力感測器之校正, 將上述複數個腔室壓力感測器依序選作上述選擇之腔室壓力感測器,分別使用複數個不同之設定壓力作為上述設定壓力,執行包括上述第1控制、上述第2控制、上述第3控制及上述選擇之腔室壓力感測器之上述校正的控制順序之重複。
- 如請求項13之基板處理系統,其更具備: 複數個分流器,其等係分別連接於上述複數個氣體供給部中對應之氣體供給部之上述第3端部; 複數個分配流路群,其等係分別包含將上述複數個分流器中對應之分流器與上述複數個腔室中對應之腔室連接之複數個分配流路; 複數個氣體注入部,其等係分別以向上述複數個分配流路群中對應之分配流路群之上述複數個分配流路中包含的一個分配流路注入氣體之方式設置; 複數個閥,其等係分別於上述複數個分配流路群中對應之分配流路群之上述一個分配流路與上述複數個分流器中的對應之分流器之間連接;及 複數個壓力控制閥,其等分別設置於上述複數個腔室與上述複數個排氣裝置之間,以分別調整上述複數個腔室內之壓力之方式構成; 上述控制部係構成為於上述第1控制中, 控制上述複數個閥中所選擇之閥,以將該閥關閉,上述選擇之閥係於連接於上述選擇之腔室之上述一個分配流路與上述複數個分流器中之該選擇之腔室用的分流器之間連接, 為了對更包含與上述選擇之腔室連接之上述一個分配流路之上述選擇的空間供給氣體,而將上述複數個氣體注入部中之與該選擇之腔室連接之上述一個分配流路用的氣體注入部作為上述另一氣體供給部進行控制, 控制上述複數個壓力控制閥中之上述選擇之腔室用之壓力控制閥,以將上述選擇之腔室內之壓力調整為上述設定壓力。
- 如請求項13之基板處理系統,其更具備複數個壓力控制閥,上述複數個壓力控制閥係分別設置於上述複數個腔室與上述複數個排氣裝置之間,以分別調整上述複數個腔室內之壓力之方式構成, 上述控制部係構成為於上述第1控制中,為將上述複數個壓力控制閥中之上述選擇之腔室用之壓力控制閥關閉,而控制該選擇之腔室用之該壓力控制閥,且為了對上述選擇之空間供給氣體,而控制上述選擇之氣體供給部。
- 如請求項13至15中任一項之基板處理系統,其中上述控制部係構成為於上述控制順序中,在上述第1控制之前,以上述選擇之空間已抽真空之狀態,調整上述選擇之腔室壓力感測器之0點。
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Families Citing this family (5)
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JP2004063968A (ja) * | 2002-07-31 | 2004-02-26 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法 |
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JP2010251464A (ja) * | 2009-04-14 | 2010-11-04 | Panasonic Corp | 真空処理装置 |
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