TW202037558A - 氮化鋁粒子、氮化鋁粉末及其製造方法、樹脂用填料以及樹脂組合物 - Google Patents

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Abstract

本發明係為至少包含第一六角截錐(1-a)及第二六角截錐(1-b)的氮化鋁粒子，其形成使第一六角截錐(1-a)之下底面(3)與第二六角截錐(1-b)之下底面(3)彼此相對的形狀，第一六角截錐(1-a)及第二六角截錐(1-b)當中，兩者各皆為上底面(2)之面積S1為60μm2 以上且4800μm2 以下，且S1與下底面(3)之面積S2的比(S1/S2)係為0.5以上且小於1，第一六角截錐(1-a)之高度h1及第二六角截錐(1-b)之高度h2係兩者各皆為5μm以上且20μm以下。

Description

氮化鋁粒子
本發明係關於一種新穎的氮化鋁粒子。詳細地說，提供了一種氮化鋁粒子，其具有大的粒徑，且在作為散熱用填料而填充至樹脂中時，於可獲得許多粒子間接觸機會的樹脂組合物當中，可實現高導熱率，並且可降低黏度。
由於氮化鋁具有高導熱性及優異的電絕緣性，因此被用作為填充至散熱組件當中的絕緣散熱用填料等。
然而，為了提升散熱組件的導熱性，重要的是藉著於所述散熱組件當中使具有高導熱性的填料彼此接觸，以形成良好的導熱路徑。作為形成良好的導熱路徑的方法，已採用了一種藉由大粒徑粒子的填料來增加導熱路徑的距離，並且以作為副填料之小粒徑粒子的填料來填補大粒徑粒子的填料之間之手段。
關於獲得具有大粒徑的氮化鋁粒子的方法，已知例如將燒結助劑、有機黏合劑及溶劑添加並混合至氮化鋁粉末當中之後，藉由噴霧乾燥等手段來進行乾燥造粒，並且將所獲得的球狀造粒粉予以燒製的方法(參考專利文獻1)。藉此方法所獲得的氮化鋁粒子一般被稱為「燒結顆粒」，可製造出球狀且大粒徑的氮化鋁粒子。
然而，氮化鋁的燒結顆粒，係為氮化鋁粒子彼此之間藉著燒製而燒結而成的結構，於氮化鋁粒子的表面上存在著許多因形成於粒子之間的溝槽的細小凹凸。因此，將氮化鋁粒子填充至樹脂時，有著氮化鋁粒子與樹脂之樹脂組合物的黏度上升之問題。此外，由於氮化鋁粒子係為球狀粒子，粒子彼此之間的接點係為點接觸，接觸面積小，當填充至樹脂時存在著改善導熱性的空間。
另一方面，作為具有能夠增加接觸面積、增加導熱路徑之多面體結構的大粒徑氮化鋁，已知一種具平面的板狀的粒子，其彼此相對的2個面係為六角形狀(參照專利文獻2)。
此外，也有提案一種氮化鋁粒子，其形狀係於具多面體結構的六角柱之兩端具突出部(參照專利文獻3)。
關於專利文獻2及專利文獻3當中所記載的氮化鋁粒子，被期待著在將其填充至樹脂時，透過多面體結構使得面彼此之間接觸的機會增加而提升導熱性。然而，其側面包含許多呈垂直陡立的軀幹部之形狀造成了表面彼此間的接觸有所限制，因而期望開發能夠活用多面體結構之形狀的粒子。
[先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1] 日本專利公開公報「特開平3-295863」 [專利文獻2] 日本專利公告公報「特許6261050」 [專利文獻3] 國際公開公報2017/131239
[發明所欲解決問題] 於上述般的習知技術當中，將氮化鋁粒子填充至樹脂時，從實現具備高導熱性且低黏度的樹脂組合物的觀點來看，仍有改善的餘地。因此，本發明的目的在於提供一種氮化鋁粒子．其在將氮化鋁粒子填充至樹脂時，能夠實現具備高導熱性且低黏度的樹脂組合物。
[解決問題之手段] 為了解決上述問題，本案發明人致力研究的結果為發現到，藉由使用特定形狀的氮化鋁粒子，可製作出具備高導熱性且低黏度的樹脂組合物。也就是說，本發明包含以下構成。
氮化鋁粒子，其在基於倍率500倍的掃描式電子顯微鏡之觀察當中，包含至少包含第一六角截錐；及第二六角截錐，且形成使上述第一六角截錐之下底面與第二六角截錐之下底面彼此相對的形狀，所述第一六角截錐及第二六角截錐，兩者各皆為上底面之面積S1為60μm2 以上且4800μm2 以下，所述S1與下底面之面積S2的比(S1/S2)係為0.5以上且小於1，所述第一六角截錐之高度h1及所述第二六角截錐之高度h2係兩者各皆為5μm以上且20μm以下。
一種氮化鋁粉末的製造方法，其係將原料混合物進行還原氮化，且所述原料混合物包含氧化鋁、碳粉、以及硫成分，所述製造方法包含：還原氮化步驟，將所述原料混合物中所含的Na2 O濃度調整為0.1質量%以下，於至少在氮化率3%以上且50%以下範圍中，將氣體組成設定為氮氣30體積%以上且85體積%以下及稀釋氣體為15體積%以上且70體積%以下，以將所述原料混合物進行還原氮化；保持步驟，於所述還原氮化步驟中所產生的所述氮化鋁粉末不被酸化的氣氛下，在維持所述還原氮步驟中加熱溫度±30℃以內的溫度之狀態下，保持1小時以上。
[發明功效] 根據本發明一態樣可提供的氮化鋁粒子，其在當將氮化鋁粒子填充至樹脂時，能夠實現具高導熱性且低黏度的樹脂組合物。
以下針對本發明一實施型態進行說明，但本發明並不限於此。
＜氮化鋁粒子＞ 本發明之氮化鋁粒子係可於透過倍率500倍的掃描型電子顯微鏡(Scanning Electron Microscope：SEM)照片所進行之觀察下，來確認其特徵。例如，圖1係為將後述實施例1中所得的本發明之代表性的氮化鋁粒子之一態樣，以倍率500倍來拍攝下的SEM照片。
圖2係表示本發明之氮化鋁粒子之一態樣的概念圖。本發明之氮化鋁粒子1係形成了使第一六角截錐1-a之下底面3、第二六角截錐1-b之下底面3彼此面對之形狀。
第一六角截錐1-a及第二六角截錐1-b係分別具有六邊形面的上底面2及下底面3。於本實施型態當中，第一六角截錐1-a、第二六角截錐1-b係表示相同的六角截錐之例子。然而，第一六角截錐1-a與第二六角截錐1-b亦可為不同的六角截錐。
當設定第一六角截錐1-a、第二六角截錐1-b之上底面2的面積為S1、以下底面3的面積為S2時，S1係為60μm2 以上且4800μm2 以下，面積S1相對於S2的比(S1/S2)係為0.5以上且小於1，且第一六角截錐1-a之高度h1與第二六角截錐1-b之高度h2係分別為5μm以上且20μm以下。
面積S1係以60μm2 以上且4800μm2 以下為較佳；以100μm2 以上且4750μm2 以下為更佳。S1/S2係以0.5以上且小於1為較佳；0.6以上且小於0.9為更佳；0.7以上且小於0.8為最佳。此外，高度h1及高度h2係分別以5μm以上且20μm以下為較佳；以6μm以上且18μm以下為更佳。此外，高度h1及高度h2係以構成下底面3的最長直徑以下之高度為較佳；以相對所述最長直徑之70%以下之高度為更佳。
此外，本發明之氮化鋁粒子的形狀並不僅限於圖2所示形狀，亦包含以下形狀的氮化鋁粒子。圖3中係表示以倍率500倍來拍攝後述實施例1中所得到的本發明之代表性的氮化鋁粒子之一態樣的SEM照片。本發明之氮化鋁粒子可如圖3所示，第一六角截錐1-a之下底面3與第二六角截錐1-b之下底面3透過柱狀部1-c彼此面對。這樣的粒子可能在後述製造方法中與圖2所示結構的粒子同時產生。
圖4係表示本發明之氮化鋁粒子之一態樣的概念圖。於本發明之氮化鋁粒子10當中，第一六角截錐1-a及第二六角截錐1-b係分別構成氮化鋁粒子10之一端及另一端；高度h1及高度h2之合計佔氮化鋁粒子10之高度的90%以上。
高度h1及高度h2之合計係以佔氮化鋁粒子10之高度的90%以上為較佳；95%以上為更佳；97%以下為特佳；99%以下為最佳。此外，高度h1及高度h2之合計，亦可佔本發明之氮化鋁粒子之高度的100%，作為其例子，可列舉例如圖2所示氮化鋁粒子1。
當面積S1、S1/S2及高度h1及h2在上述範圍內時，本發明之氮化鋁粒子1及氮化鋁粒子10係為大粒徑並具有多面體形狀，因此增加了粒子彼此間接觸的機會，提升了導熱性。此外，由於構成多面體的表面係為平滑的，因此能夠抑制樹脂組合物之黏度上升。另外，於本說明書當中，面積S1、S2以及高度h1、h2係表示以於後述實施例中所記載的測量方法所測量到的平均值。
此外，圖2及圖4的概念圖係為將本發明之氮化鋁粒子示意性表示的概念圖。因此，各個六角截錐1-a及1-b係為完整的六角截錐，但亦可如圖1及圖3所示般，只要六角截錐其傾斜的側面存在即可，六角截錐的稜部可些許地變形。具體來說，如圖1及圖3所示般，六角截錐的底面之稜部可由具有寬度的表面而形成。更具體地說，平坦側面相對於圖1及圖3所示完整的六角截錐之側面的面積的存在比例，可為60%以上；70%以上為較佳。
＜氮化鋁粉末＞ 本發明之包含氮化鋁粒子的氮化鋁粉末可藉由後述方法獲得。本發明之氮化鋁粉末中所含的本發明之氮化鋁粒子的比例係以30體積%以上較佳；又以40體積%以上為更佳。若本發明之包含氮化鋁粒子的氮化鋁粉末為上述範圍內，可不用區分本發明之氮化鋁粒子及其他的氮化鋁粒子，即使是直接使用包含這兩種氮化鋁粒子的氮化鋁粉末，也可充分地發揮本發明之氮化鋁粒子之功效。此外，本發明之氮化鋁粉末中所含的本發明之氮化鋁粒子的比例可藉由例如SEM照片之平面圖像近似地計算求出面積比例；亦可測量並計算出實際的體積比例。
＜氮化鋁粒子之用途＞ 本發明之氮化鋁粒子之用途並無特別限制，可無特別限制地應用於習知用途上。若要示例較佳的使用用途，可列舉作為用於賦予導熱性等目的而填充至樹脂中的樹脂用填料來使用之用途。於本發明之氮化鋁粒子之用途中，這樣的包含樹脂用填料及樹脂之樹脂組合物係具有高導熱性。
因此，本發明之氮化鋁粒子係可較佳地作為用於固體狀或是液體狀的熱界面材料之填料，所述熱界面材料係以電子組件之散熱片或是散熱膠作為代表。
＜樹脂＞ 作為本發明中所使用的樹脂，並無特別限制，可無限制地使用習知的樹脂。可列舉例如：如聚烯烴、氯乙烯樹脂、甲基丙烯酸甲酯樹脂、尼龍、氟樹脂等的熱塑性樹脂；如環氧樹脂、矽樹脂、酚醛樹脂、尿素樹脂、三聚氰胺樹脂、不飽和聚酯樹脂、矽樹脂等的熱固性樹脂及合成橡膠等。可單獨使用此等樹脂中的1種，亦可混合使用2種以上。
＜樹脂組合物＞ 可根據所述樹脂之種類而將本發明之氮化鋁粒子均勻地混合於習知的混合裝置中，以使本發明之氮化鋁粒子分散並存在於所述樹脂當中，藉此獲得本發明之樹脂組合物。作為所述混合裝置，一般係使用例如輥、捏合機、密閉式混練機(Banbury mixer)、自轉/公轉混練機等通用的混練機。
此外，本發明之樹脂組成物當中，只要在不顯著損害本發明之氮化鋁粒子之優異功效範圍內，亦可包含本發明之氮化鋁粉末及樹脂以外的成分。作為本發明之樹脂組合物中可包含的成分，可填充例如本發明之氮化鋁粒子之外的氮化鋁、氧化鋁、氮化硼、氧化鋅、氮化矽、碳化矽、石墨等填料中的一種或是數種，並且可根據用途等來選擇本發明之氮化鋁以外的填料之形狀、平均粒徑。
＜氮化鋁粉末之製造方法＞ 本發明之氮化鋁粉末的製造方法係於一般的氮化鋁粉末之製造步驟當中，包含：還原氮化步驟，將Na2 O之濃度及氣體組成調整為特定範圍；保持步驟，將還原氮化步驟中所產生的氮化鋁粉末保持於特定溫度。一般的氮化鋁粉末的製造步驟並無特別限制，惟可列舉例如藉由氧化鋁的還原氮化來進行製造的方法。其代表性的製造方法係如下所示。
於本發明之氮化鋁粉末的製造方法當中，作為所述原料之一種成分的氧化鋁粉末，可使用例如α-氧化鋁、γ-氧化鋁等習知的氧化鋁粉末。其中特別以使用α-氧化鋁為較佳。
尤其是，為了以高良率來製造本發明之氮化鋁粒子，所述氧化鋁當中的鈉含量係以使用控制為低於一般所使用氧化鋁還要低的含量為較佳，氧化鋁當中的Na2 O量係以0.1%以下為較佳；以0.01～0.05%為更佳。此外，氧化鋁粉末之平均粒徑係以0.5～50μm為較佳，以1μm～30μm為更佳。
此外，於本發明之氮化鋁粉末的製造方法當中，作為用作還原劑的碳粉末，可使用例如爐黑(furnace black)、槽黑(channel black)、熱碳黑(thermal black )、乙炔黑(acetylene black)等習知的碳粉末。其平均粒徑係以100nm以下為較佳，以50nm以下為更佳。再者，碳粉末之DBP吸油量係以50～150cm3 /100g為較佳；以70～130 cm3 /100g為更佳。
此外，於本發明之氮化鋁粉末之製造方法當中，於不損害本發明之功效範圍內，可將：如酚醛樹脂、三聚氰胺樹脂、環氧樹脂等的合成樹脂縮合物；如瀝青、焦油等的碳氫化合物；如纖維素、蔗糖、澱粉、聚偏二氯乙烯、聚伸苯(polyphenylene)等的有機化合物等，作為碳源來使用。
於本發明之氮化鋁粉末之製造方法當中，硫成分係為在後述的還原氮化反應中調整氣氛之操作時進行作用，以產生本發明之氮化鋁粒子所必需的成分。硫成分只要是可與原料氧化鋁粉末共熔即可，其化合物種類並無特別限制。可列舉例如：硫單體；如硫化鋁、硫化氮、硫代尿酸等硫化合物。此外，所述硫成分可單獨使用，亦可混合使用多種。此外，硫成分可最初就包含於碳粉末中，這樣的硫成分也作為本發明之硫成分的一部分而作用。
於本發明的氮化鋁粉末之製造方法當中，當過量地使用碳粉時，會抑制氧化鋁粒子彼此之間的接觸而妨礙晶粒生長，因此所獲得的氮化鋁粒子之粒徑有變小的傾向。因此，相對於氧化鋁粉末100重量份，碳粉末的量係較佳於36重量份以上且200重量份以下範圍內使用；更佳於40重量份以上且100重量份以下範圍內使用。
此外，本發明之氮化鋁粉末之製造方法當中，關於存在於包含氧化鋁粉末及碳粉末的原料混合物中的硫成分的量，相對於所述氧化鋁粉末100重量份，硫元素係以0.8重量份以上且20重量份以下為較佳；以1.0重量份以上10重量份以下為更佳。所述硫成分的使用量係可考量所述碳粉末中所含的硫量、以及添加至原料混合物當中的硫粉末及/或硫化合物的量來適當調整其量，藉此使其符合所述硫成分的所述範圍。在考量所述碳粉末中所含硫量而使其符合上述範圍時，可調整碳粉末的使用量以使其在所述範圍內；亦可使用硫含量多的碳粉末及硫含量少的碳粉末，將其混合比例調整成所述範圍內。
作為混合所述原料混合物的方法，只要是可將其均勻混合的方法即可，並無特別限制。為進行混合，可使用例如振動磨機、球磨機、亨舍爾混合機(Henschel mixer)、鼓式混合機、振動攪拌器、V字型混合機等混合機。
本發明之氮化鋁粉末之製造方法的理想作法為將包含所述氧化鋁粉末、碳粉末及硫成分的原料混合物，於反應器內、氮氣流通之下，於較佳1500℃以上且2000℃以下溫度範圍內加熱，以將所述氧化鋁粉末進行還原氮化之後，在使所產生的氮化鋁粉末不氧化的氣氛下，維持所述加熱溫度，並保持1小時以上；較佳為2小時以上，更佳為5小時以上。
此時，於氮化率3%以上且50%以下範圍內，設定所述氮氣氣氛為氮氣85～30體積%及稀釋氣體15體積%以上且70體積%以下之氣體組成，以進行所述還原氮化。
所述稀釋氣體係基於調整氮氣氣氛中氮氣的存在比例之目的而存在於該氣氛中，可列舉例如：單獨一氧化碳、將該一氧化碳中的一部分替換為氬的混合氣體。另外，雖然於還原氮化中會產生一氧化碳氣體，仍可藉由於供給的氮氣中調整稀釋氣體濃度來維持所述濃度以上的稀釋氣體濃度。
於所述製造方法當中，由於所供給氮氣中所含稀釋氣體的比例越增加，還原氮化反應的時間就越長，因此在考慮生產效率時，較佳為設定其上限為70體積%以下。此外，雖還原氮化結束之後的加熱保持時間的上限並無特別限制，為約10小時。
於所述方法當中，還原氮化反應係以使氮氣流通於容納有原料混合物的反應容器中來進行為較佳，於此情況下，所述原料混合物所存在的氮氣氣氛中的稀釋氣體的存在比例可藉由測量由反應器所排放出的排氣之氣體組成來進行確認。
於本發明當中，當所述供給的氮氣氣體中的稀釋氣體之比例小於15體積%時，還原氮化反應變快，晶粒生長不夠充分，於大粒徑化當中，根本上難以獲得所述特徵形狀的氮化鋁粒子。
於本發明當中，作為用於調整於反應容器內氮氣氣氛中的氣體比例的方法，可列舉：(1)將另外調製的稀釋氣體以特定量混合至氮氣氣體中，並且供給至反應容器之方法，該反應容器係配置為將原料混合物容納於例如上表面為開口的碳容器，即所謂的調節器(setter)中；(2)將原料混合物容納於所述調節器中以形成相對較厚的層，將氮氣供給至所述調節器內，藉著控制氮氣往所述層之內部的擴散量，來形成稀釋氣體於氮氣氣氛中係為高比例的氣氛之方法。
於方法(2)當中，可設定調節器內的原料混合物之厚度為10mm以上，尤其是15mm以上，在氮氣進入調節器內部空間中使還原氮化進行的情況下，為了要將稀釋氣體的存在比例調整至上述範圍係為較佳。此外，當所述原料混合物之厚度過厚時，難以供給氮氣，因此，所述厚度之上限係以設定為100mm以下為較佳。
本發明之還原氮化步驟係使用可進行反應氣氛控制的習知裝置來進行。可列舉例如藉由高頻感應加熱或是烘烤加熱來進行加熱處理的氣氛控制型高溫爐，除了間歇式爐以外，還可根據所述方法來適當地使用如頂推式隧道爐、立式爐等的連續氮化反應爐等。
於本發明之氮化鋁粉末之製造方法當中，由於還原氮化反應之後的氮化鋁粉末包含過量的碳粉末，因此，較佳為視所需而藉由氧化處理來去除過量的碳粉末。作為進行氧化處理時的氧化氣體，可為空氣、氧、二氧化碳等，只要是可去除碳的氣體即可，可無限制地使用。此外，處理溫度一般來說以500℃以上且900℃以下為較佳。
本發明並不限於前述各實施型態，可於請求項所示範圍內進行各種變更，關於將分別揭示於不同實施型態中的技術手段進行適當組合所獲得的實施型態，亦包含於本發明之技術範圍內。
[實施例] 以下為了更為詳細地說明本發明而列舉實施例，惟本發明並不限於此等實施例。
[原料之物理特性] 實施例及比較例中所使用的各種原料的物理特性如下所示。
＜氧化鋁粉末＞ α-氧化鋁A：D50　2.6μm，Na2 O　0.04% α-氧化鋁B：D50　4.3μm，Na2 O　0.26%
＜碳粉末＞ 碳粉末：平均粒徑 19nm、DBP吸收量 116cm3 /100g、硫含量210ppm
＜硫成分＞ 硫粉末：純度 98%以上
[氮化鋁粒子的測量方法] 實施例及比較例中的氮化鋁粒子的各種測量方法如下所示。
＜氮化鋁粉末中所含本發明之氮化鋁粒子之比例＞ 關於氮化鋁粉末中的氮化鋁粒子，係以拍攝倍率500倍的SEM照片，並透過圖像分析由所述照片計算出氮化鋁粉末中所含本發明之氮化鋁粒子之比例。
＜六角截錐的上底面及下底面的面積＞ 關於氮化鋁粉末中的氮化鋁粒子，拍攝倍率500倍的SEM(日立先端科技股份有限公司製，TM3030)，由所拍攝的照片當中，任意選擇10個本發明之氮化鋁粒子，測量六角截錐之上底面的面積S1、下底面的面積S2，計算平均值。此外，由所測量出的S1、S2求出S1/S2比。進一步地，任意選擇10個本發明之氮化鋁粒子，測量第一六角截錐的高度h1、第二六角截錐的高度h2、以及柱狀部的高度h3，計算出平均值。
[氮化鋁粉末之製造方法及測量] ＜實施例1＞ 於氧化鋁粉末A100重量份及碳粉末50重量份所形成的混合物當中，添加硫粉末，使得於該混合物當中相對於所述氧化鋁粉末100重量份的硫成分係為1重量份，藉由振動式攪拌器來混合此等物直到混合均勻，獲得原料混合物。
將所述原料混合物以厚度為20mm的方式容納於碳製的調節器中，並安裝於可流通氮氣的反應容器內，一邊使氮氣流通，一邊以加熱溫度1760℃進行還原氮化。
一邊將供給至反應容器的一氧化碳氣體之比例調整為32體積%，一邊進行還原氮化反應，還原氮化反應結束之後，於維持所述加熱溫度的狀態下，保持10小時，由反應容器取出反應產物。
其後，於大氣氣氛下以665℃下，將所述反應產物加熱8小時，以燃燒去除未反應的碳粉末，以獲得實施例1之氮化鋁粉末。原料組成及氮氣中的一氧化碳氣體的比例係如表1所示。
藉由所述方法計算出實施例1之氮化鋁粉末中所含本發明之氮化鋁粒子的比例。進一步地，以上述方法，由實施例1之氮化鋁粉末中所含的本發明之氮化鋁粒子的S1、S2來計算出S1/S2比，並測量粒子的高度h1、h2、h3。
＜實施例2及3＞ 改變在進行實施例1的還原氮化反應時，氮氣中的一氧化碳氣體的比例，以形成實施例2及3的氮化鋁粉末。表1示出了進行各個還原氮化反應時，氮氣中的一氧化碳氣體的比例。藉由所述方法，計算出實施例2及實施例3的碳化鋁粉末中所含的本發明氮化鋁粒子的比例。進一步地，由氮化鋁粉末中所含本發明之氮化鋁粒子的S1、S2計算出S1/S2比，並測量出粒子的高度h1、h2、h3。
＜比較例1＞ 除了使用氧化鋁粉末B作為氧化鋁粉末之外，以與實施例1相同的方式來製作氧化鋁粉末，以形成比較例之氮化鋁粉末。根據上述方法，來測量比較例1之氮化鋁粉末中所含的本發明之氮化鋁粒子的比例。
[表1]
原料組成 實施例 比較例
1 2 3 1
氧化鋁粉末 A 100 100 100 　
B 　 　 　 100
碳 50 50 50 50
硫成分 1 1 1 1
氮氣中的一氧化碳的比例[體積%] 32 55 62 32
[結果] 表示出藉由上述方法所得的，實施例1之氮化鋁粉末中所含的本發明之氮化鋁粒子的SEM照片係如圖1、圖3及圖5所示。如圖5所示般，使用本發明一實施型態之範圍內的原料所製造的氮化鋁粉末當中，確認到有圖1及圖3所示的本發明之氮化鋁粒子。此外，藉由上述方法，計算於所得到氮化鋁粉末中所含本發明之氮化鋁粒子的比例，為約40%。
當拍攝比較例1之氮化鋁粉末的SEM照片時，可發現所得氮化鋁粉末中，係包含於六角柱之兩端具有半球狀之突出部的粒子，卻不包含本發明之氮化鋁粒子。比較例1之氮化鋁粉末中，包含了43%的於六角柱之兩端具有半球狀之突出部的粒子。
另一方面，於實施例1～3之氮化鋁粉末當中，根據上述測量方法測量S1、S2、h1、h2及h3。於比較例1當中僅測量h1、h2及h3。結果表示於表2。
[表2]
　 實施例 比較例
1 2 3 1
平均粒徑[μm] 24 50 80 32
上底面的面積S1[μm2 ] 308 1505 3910 －
下底面的面積S2[μm2 ] 314 1980 5145 －
S1/S2比 0.98 0.76 0.76 －
高度 h1[μm] 10 8 8 3
高度 h2[μm] 10 8 8 10
高度 h3[μm] 0 0 0 4
粒子的比例[%] 48 52 60 43
[比較填充至矽樹脂時的導熱率] 相對於兩液縮合型矽樹脂(信越化學股份有限公司KE-1013A/B)100重量份，於研缽中混合實施例1～3及比較例1所獲得的氮化鋁粉末685重量份、以及平均粒徑1μm的球狀氮化鋁(株式會社德山製)293重量份，以製作樹脂組合物。此時，氮化鋁粉末的填充率為75體積%。
將所得到的樹脂組合物之一部分澆鑄至模具中並使其固化，製作直徑1mm、厚度500μm，使用溫度波(Temperature Wave)分析裝置(艾相股份有限公司製ai-phase Mobile 1u)來測量導熱性。
其結果得到導熱率於實施例1當中為8.3W/mK、實施例2當中為8.7W/mK、實施例3當中為9.2W/mK。另一方面，比較例1的導熱率為7.8W/mK。
此外，相對於100重量份的兩液縮合型矽樹脂，於研缽中混合實施例1～3及比較例1中所得到的氮化鋁粉末913重量份、平均粒徑1μm的球狀氮化鋁391重量份，以製作樹脂組合物。此時，氮化鋁粉末的填充率為80體積%。
將所得到的樹脂組合物之一部分澆鑄至模具中並使其固化，以製作直徑1mm、厚度500μm的測試片，並使用溫度波熱分析裝置來測量導熱率。
其結果得到導熱率於實施例1當中係為9.2W/mK，於實施例2當中係為9.5W/mK，於實施例3當中係為10.0W/mK。另一方面，比較例1當中的導熱率係為8.9W/mK。
如上所述，相較於比較例1，包含本發明之氮化鋁粒子的樹脂組合物顯示出具有優異的導熱性。
[產業利用性] 本發明可使用於具有優異導熱性及介電強度的電子組件。
1:氮化鋁粒子 1-a:第一六角截錐 1-b:第二六角截錐 2:六角截錐之上底面(面積S1) 3:六角截錐之下底面(面積S2) 10:氮化鋁粒子 h1:高度 h2:高度 h3:高度
［圖1］係為表示本發明之氮化鋁粒子的粒子結構的一態樣之掃描型電子顯微鏡照片圖。 ［圖2］係為表示本發明之氮化鋁粒子的一態樣之概念圖。 ［圖3］係為表示本發明之氮化鋁粒子之粒子結構的一態樣的掃描型電子顯微鏡照片圖。 ［圖4］係為表示本發明之氮化鋁粒子的其他態樣之概念圖。 ［圖5］係為表示本發明之氮化鋁粉末中的氮化鋁粒子的掃描型電子顯微鏡照片圖。

Claims (7)

  1. 一種氮化鋁粒子，在基於倍率500倍的掃描式電子顯微鏡之觀察當中，其至少包含第一六角截錐及第二六角截錐，且形成使上述第一六角截錐之下底面與第二六角截錐之下底面彼此相對的形狀， 所述第一六角截錐及第二六角截錐，兩者各皆為上底面之面積S1為60μm2 以上且4800μm2 以下，且所述S1與下底面之面積S2的比(S1/S2)係為0.5以上且小於1， 所述第一六角截錐之高度h1及所述第二六角截錐之高度h2係兩者各皆為5μm以上且20μm以下。
  2. 如請求項1所述之氮化鋁粒子，其中，所述第一六角截錐及所述第二六角截錐係分別構成所述氮化鋁粒子的一端及另一端， 所述h1及所述h2的之合計占所述氮化鋁粒子之高度的90%以上。
  3. 如請求項1或2所述之氮化鋁粒子，其形成所述第一六角截錐之下底面與所述第二六角截錐之下底面接合在一起的形狀。
  4. 一種氮化鋁粉末，其包含30體積%以上的如請求項1或3中任一項所述之氮化鋁粒子。
  5. 一種氮化鋁粉末的製造方法，其係將原料混合物進行還原氮化，且所述原料混合物包含氧化鋁、碳粉、以及硫成分，所述製造方法包含： 還原氮化步驟，將所述原料混合物中所含的Na2 O濃度調整為0.1質量%以下，於至少在氮化率3%以上且50%以下範圍內，將氣體組成設定為氮氣30體積%以上且85體積%以下及稀釋氣體為15體積%以上且70體積%以下，以將所述原料混合物進行還原氮化； 保持步驟，於所述還原氮化步驟中所產生的所述氮化鋁粉末不被酸化的氣氛下，在維持所述還原氮步驟中加熱溫度±30℃以內的溫度之狀態下，保持1小時以上。
  6. 一種樹脂用填料，其係由如請求項5所述之氮化鋁粉末所形成。
  7. 一種樹脂組合物，其包含如請求項6所述之樹脂用填料及樹脂。
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JPS57112A (en) 1980-06-04 1982-01-05 Hitachi Ltd Polyimidophenol compound and its production
JPH03295863A (ja) 1990-04-10 1991-12-26 Toyo Alum Kk 球状窒化アルミニウム粉末の製造方法
JP5721095B2 (ja) 2010-07-02 2015-05-20 国立大学法人静岡大学 窒化アルミニウム結晶粒子の製造装置、及び、窒化アルミニウム結晶粒子の製造方法
JP5842490B2 (ja) * 2011-09-14 2016-01-13 株式会社リコー １３族窒化物結晶、及び１３族窒化物結晶基板
JP5787737B2 (ja) * 2011-12-14 2015-09-30 株式会社トクヤマ 窒化アルミニウム粉末の製造方法
KR102185730B1 (ko) 2013-02-08 2020-12-02 가부시끼가이샤 도꾸야마 질화알루미늄 분말
CN107210336B (zh) * 2015-01-16 2019-05-10 丸文株式会社 深紫外led及其制造方法
JP2016155727A (ja) * 2015-02-25 2016-09-01 丸祥電器株式会社 多面体形状窒化アルミニウム粉末およびその製造方法
CN104891458B (zh) 2015-06-10 2017-05-24 中国科学院上海光学精密机械研究所 具有双六角锥外形的氮化铝微米颗粒及其制备方法
JP6737819B2 (ja) * 2016-01-29 2020-08-12 株式会社トクヤマ 窒化アルミニウム粒子
WO2018199322A1 (ja) * 2017-04-27 2018-11-01 株式会社トクヤマ 窒化アルミニウム粒子

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