TW202036703A - 基板處理裝置、基板處理方法以及半導體製造方法 - Google Patents

基板處理裝置、基板處理方法以及半導體製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TW202036703A
TW202036703A TW109107342A TW109107342A TW202036703A TW 202036703 A TW202036703 A TW 202036703A TW 109107342 A TW109107342 A TW 109107342A TW 109107342 A TW109107342 A TW 109107342A TW 202036703 A TW202036703 A TW 202036703A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate
cleaning liquid
nozzle
organic solvent
substrate processing
Prior art date
Application number
TW109107342A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI743696B (zh
Inventor
植村知浩
伊豆田崇
東克栄
脇田明日香
Original Assignee
日商斯庫林集團股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商斯庫林集團股份有限公司 filed Critical 日商斯庫林集團股份有限公司
Publication of TW202036703A publication Critical patent/TW202036703A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI743696B publication Critical patent/TWI743696B/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

基板處理裝置(100)係具備基板保持部(120)、清洗液供給部(130)、有機溶劑供給部(140)以及控制部(102)。控制部(102)係以下述方式控制清洗液供給部(130)以及有機溶劑供給部(140)：以從清洗液噴嘴(132)噴出的清洗液覆蓋基板(W)的上表面(Wa)後，使來自清洗液噴嘴(132)之清洗液的到達位置移動並開始從有機溶劑噴嘴(142)噴出有機溶劑，之後停止清洗液的供給並以從有機溶劑噴嘴(142)噴出的有機溶劑覆蓋基板(W)的上表面(Wa)。

Description

基板處理裝置、基板處理方法以及半導體製造方法
本發明係有關於一種基板處理裝置、基板處理方法以及半導體製造方法。
例如，基板處理裝置係適合使用於半導體基板的製造。於半導體基板的製造時產生水漬(watermark)會成為問題。由於水漬係在基板上不均勻地產生，因此會對基板特性造成不良影響。因此，以抑制水漬的產生作為目的，檢討了在供給IPA(isopropyl alcohol；異丙醇)時噴出低濕度氣體作為乾燥用有機溶劑(參照例如專利文獻1)。在專利文獻1的基板處理裝置中，在供給清洗(rinse)液作為處理液後，在已供給低濕度氣體的狀態下開始供給IPA，藉此抑制水漬的產生。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2009-218563。
[發明所欲解決之課題]
在專利文獻1的基板處理裝置中，將清洗液作為處理液供給後，使清洗液噴嘴退避至退避位置並使IPA噴出噴嘴移動至基板的正上方。然而，如此，在切換清洗液的噴出與有機溶劑的噴出之情形中，當低濕度氣體的流量低時，會有基板的上表面露出而於基板產生水漬之情形。此外，當長時間持續地供給低濕度氣體時，基板處理的成本會增大。
本發明係有鑑於上述課題而研創，目的在於提供一種可在噴出清洗液以及有機溶劑時抑制水漬的產生之基板處理裝置、基板處理方法以及半導體製造方法。 [用以解決課題之手段]
依據本發明的一態樣，基板處理裝置係具備基板保持部、清洗液供給部、有機溶劑供給部以及控制部。前述基板保持部係可旋轉地保持基板。前述清洗液供給部係具有用以對前述基板的上表面噴出清洗液之清洗液噴嘴。前述有機溶劑供給部係具有用以對前述基板的前述上表面噴出有機溶劑之有機溶劑噴嘴。前述控制部係控制前述清洗液供給部以及前述有機溶劑供給部。前述控制部係以下述方式控制前述清洗液供給部以及前述有機溶劑供給部：以從前述清洗液噴嘴噴出的前述清洗液覆蓋前述基板的前述上表面後，使來自前述清洗液噴嘴之前述清洗液的到達位置移動並開始從前述有機溶劑噴嘴噴出前述有機溶劑，之後停止前述洗清液的供給並以從前述有機溶劑噴嘴噴出的前述有機溶劑覆蓋前述基板的前述上表面。
在實施形態之一中，前述控制部係以使來自前述清洗液噴嘴之前述清洗液的到達位置移動時減少從前述清洗液噴嘴噴出的前述清洗液的流量之方式控制前述清洗液供給部。
在實施形態之一中，前述控制部係以使來自前述清洗液噴嘴之前述清洗液的到達位置移動時前述清洗液覆蓋前述基板的前述上表面的中心之方式控制前述清洗液供給部。
在實施形態之一中，前述清洗液噴嘴係對前述基板的前述上表面傾斜地噴出前述清洗液。
在實施形態之一中，前述清洗液噴嘴係對前述基板的前述上表面垂直地噴出前述清洗液。
在實施形態之一中，前述清洗液噴嘴係在從開始噴出前述清洗液至停止噴出前述清洗液為止之期間不移動地噴出前述清洗液。
在實施形態之一中，前述清洗液噴嘴係在從開始噴出前述清洗液至停止噴出前述清洗液為止之期間移動。
在實施形態之一中，前述有機溶劑噴嘴係在從開始噴出前述有機溶劑至停止噴出前述有機溶劑為止之期間不移動地噴出前述有機溶劑。
在實施形態之一中，前述控制部係以在停止從前述有機溶劑噴嘴噴出前述有機溶劑後持續地旋轉前述基板之方式控制前述基板保持部。
在實施形態之一中，前述基板處理裝置係進一步具備：遮蔽構件，係具有與前述基板的前述上表面對向之遮蔽板。
在實施形態之一中，前述遮蔽構件係具有前述有機溶劑噴嘴。
在實施形態之一中，前述遮蔽構件係具有用以朝前述基板的前述上表面供給氣體之氣體噴嘴。
依據本發明的另一態樣，基板處理方法係包含：一邊保持基板一邊使前述基板旋轉之工序；從清洗液噴嘴對前述基板的上表面噴出清洗液之工序；以及從有機溶劑噴嘴對前述基板的前述上表面噴出有機溶劑之工序。在用以噴出前述清洗液之工序以及用以噴出前述有機溶劑之工序中，以從前述清洗液噴嘴噴出的前述清洗液覆蓋前述基板的前述上表面後，使來自前述清洗液噴嘴之前述清洗液的到達位置移動並開始從前述有機溶劑噴嘴噴出前述有機溶劑，之後停止前述清洗液的供給並以從前述有機溶劑噴嘴噴出的前述有機溶劑覆蓋前述基板的前述上表面。
在實施形態之一中，在用以使前述基板旋轉之工序中，前述基板係被施予疏水化處理。
在實施形態之一中，前述基板處理方法係進一步包含：在噴出前述清洗液之前，將前述基板施予藥液處理。
依據本發明的另一態樣，半導體製造方法係包含：一邊保持半導體基板一邊使前述半導體基板旋轉之工序；從清洗液噴嘴對前述半導體基板的上表面噴出清洗液之工序；以及從有機溶劑噴嘴對前述半導體基板的前述上表面噴出有機溶劑之工序。在用以噴出前述清洗液之工序以及用以噴出前述有機溶劑之工序中，以從前述清洗液噴嘴噴出的前述清洗液覆蓋前述半導體基板的前述上表面後，使來自前述清洗液噴嘴之前述清洗液的到達位置移動並開始從前述有機溶劑噴嘴噴出前述有機溶劑，之後停止前述清洗液的供給並以從前述有機溶劑噴嘴噴出的前述有機溶劑覆蓋前述半導體基板的前述上表面。 [發明功效]
依據本發明，在噴出清洗液以及有機溶劑時抑制水漬的產生。
以下，參照圖式說明本發明的基板處理裝置、基板處理方法以及半導體製造方法的實施形態。此外，在圖式中針對相同或者相當的部分附上相同的元件符號且不重複說明。此外，為了容易理解本發明，在本說明書中會有記載彼此正交之X方向、Y方向以及Z方向之情形。典型而言，X方向以及Y方向係與水平方向平行，Z方向係與鉛直方向平行。
參照圖1說明本實施形態的基板處理裝置100。圖1係本實施形態的基板處理裝置100的示意圖。
基板處理裝置100係處理基板W。基板處理裝置100係以對基板W進行蝕刻、表面處理、特性賦予、處理膜形成、膜的至少一部分的去除以及洗淨中的至少一者之方式來處理基板W。
基板W係例如包括半導體晶圓、液晶顯示裝置用基板、電漿顯示器用基板、場發射顯示器(FED；Field Emission Display)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、光磁碟用基板、光罩(photomask)用基板、陶瓷基板以及太陽電池用基板。基板W係例如為略圓板狀。在此，基板處理裝置100係逐片地處理基板W。
基板處理裝置100係具備腔室(chamber)110、基板保持部120、清洗液供給部130以及有機溶劑供給部140。腔室110係收容基板W。基板保持部120係保持基板W。清洗液供給部130係對基板W供給清洗液。有機溶劑供給部140係對基板W供給有機溶劑。
腔室110為具有內部空間的略箱形狀。腔室110係收容基板W。在此，基板處理裝置100係用以逐片地處理基板W之葉片型，於腔室110逐片地收容有基板W。基板W係收容於腔室110內並在腔室110內被施予處理。於腔室110收容有基板保持部120、清洗液供給部130以及有機溶劑供給部140各者的至少一部分。
基板保持部120係保持基板W。基板保持部120係以將基板W的上表面Wa朝向上方且將基板W的背面(下表面)Wb朝向鉛直下方之方式水平地保持基板W。此外，基板保持部120係在保持著基板W的狀態下使基板W旋轉。
例如，基板保持部120亦可為夾持式，用以夾持基板W的端部。或者，基板保持部120亦可具有用以從背面Wb保持基板W之任意的機構。例如，基板保持部120亦可為真空式。在此情形中，基板保持部120係使屬於非器件(non-device)形成面之基板W的背面Wb的中央部吸附至上表面，藉此水平地保持基板W。或者，基板保持部120亦可組合夾持式與真空式，且該夾持式係用以使複數個夾具銷(chuck pin)接觸至基板W的周端面。
例如，基板保持部120係包含自轉基座(spin base)121、夾具(chuck)構件122、軸123以及電動馬達124。夾具構件122係設置於自轉基座121。夾具構件122係夾住基板W。典型而言，於自轉基座121設置有複數個夾具構件122。
軸123為中空軸。軸123係沿著旋轉軸AX於鉛直方向延伸。於軸123的上端結合有自轉基座121。基板W的背面係接觸至自轉基座121，基板W係載置於自轉基座121的上方。
自轉基座121為圓板狀，且水平地支撐基板W。軸123係從自轉基座121的中央部朝下方延伸。電動馬達124係對軸123賦予旋轉力。電動馬達124係使軸123於旋轉方向R旋轉，藉此以旋轉軸AX作為中心使基板W以及自轉基座121旋轉。在此，旋轉方向R為逆時鐘方向。
清洗液供給部130係對基板W的上表面Wa供給清洗液。藉由使用了清洗液的清洗處理，能沖洗附著於基板W的上表面Wa的藥液以及雜質等。從清洗液供給部130所供給的清洗液亦可包含去離子水(DIW；deionized water)、碳酸水、電解離子水、臭氧水、氨水、稀釋濃度(例如10ppm至100ppm左右)的鹽酸水或者還原水(氫水)的任一種。
清洗液供給部130係包含清洗液噴嘴132、供給管134以及閥136。噴嘴132係與基板W的上表面Wa對向，並朝基板W的上表面Wa噴出清洗液。供給管134係結合至噴嘴132。噴嘴132係設置於供給管134的前端。從供給源對供給管134供給清洗液。閥136係設置於供給管134。閥136係將供給管134內的流路予以開閉。在本說明書中，亦有將清洗液噴嘴132簡稱為噴嘴132之情形。
有機溶劑供給部140係對基板W的上表面Wa供給有機溶劑。藉由使用了有機溶劑的有機溶劑處理，將基板W的上表面Wa的清洗液置換成有機溶劑。典型而言，有機溶劑的揮發性係比清洗液的揮發性還高。
從有機溶劑供給部140所供給的有機溶劑亦可包含異丙醇(IPA)。或者，有機溶劑亦可包含乙醇、丙酮、丙二醇乙醚(PGEE；propylene glycol ethyl ether)或者丙二醇甲醚醋酸酯(PGMEA；propylene glycol monomethyl ether acetate)。
有機溶劑供給部140係包含有機溶劑噴嘴142、供給管144以及閥146。噴嘴142係與基板W的上表面Wa對向，並朝基板W的上表面Wa噴出有機溶劑。供給管144係結合至噴嘴142。噴嘴142係設置於供給管144的前端。從供給源對供給管144供給有機溶劑。閥146係設置於供給管144。閥146係將供給管144內的流路予以開閉。在本說明書中，亦有將有機溶劑噴嘴142簡稱為噴嘴142之情形。
有機溶劑供給部140係進一步包含噴嘴移動部148。噴嘴移動部148係在噴出位置與退避位置之間移動噴嘴142。在噴嘴142位於噴出位置之情形中，噴嘴142係位於基板W的上方。在噴嘴142位於噴出位置之情形中，噴嘴142係朝基板W的上表面Wa噴出有機溶劑。在噴嘴142位於退避位置之情形中，噴嘴142係相較於基板W位於基板W的徑方向外側。
噴嘴移動部148係包含臂148a、轉動軸148b以及噴嘴移動機構148c 。臂148a係沿著略水平方向延伸。於臂148a的前端部安裝有噴嘴142。臂148a係結合至轉動軸148b。轉動軸148b係沿著略鉛直方向延伸。噴嘴移動機構148c係使轉動軸148b繞著沿著略鉛直方向的轉動軸線轉動，從而使臂148a沿著略水平面轉動。結果，噴嘴142係沿著略水平面移動。例如，噴嘴移動機構148c係包含臂擺動馬達，該臂擺動馬達係使轉動軸148b繞著轉動軸線轉動。臂擺動馬達係例如為伺服馬達。此外，噴嘴移動機構148c係使轉動軸148b沿著略鉛直方向升降，從而使臂148a升降。結果，噴嘴142係沿著略鉛直方向移動。例如，噴嘴移動機構148c係包含滾珠螺桿(ball screw)機構以及臂升降馬達，臂升降馬達係對滾珠螺桿機構賦予驅動力。臂升降馬達係例如為伺服馬達。
基板處理裝置100係進一步具備罩(cup)180。罩180係回收從基板W飛散的液體。罩180係能於鉛直上方上升至基板W的側方。此外，罩180亦可從基板W的側方下降至鉛直下方。
基板處理裝置100係進一步具備控制裝置101。控制裝置101係控制基板處理裝置100的各種動作。
控制裝置101係進一步具備控制部102以及記憶部104。控制部102係包含處理器。處理器係例如具有中央處理單元(CPU；Central Processing Unit)。或者，處理器亦可具有通用運算機。例如，控制部102係控制基板保持部120、清洗液供給部130、有機溶劑供給部140以及／或者罩180。在一例中，控制部102係控制電動馬達124、閥136、閥146、噴嘴移動機構148c以及／或者罩180。
記憶部104係記憶資料以及電腦程式。記憶部104係包含主記憶裝置以及輔助記憶裝置。主記憶裝置係例如為半導體記憶體。輔助記憶裝置係例如為半導體記憶體以及／或者硬碟機(hard disk drive)。記憶部104亦可包含可移媒體(removable media)。控制部102係執行記憶部104所記憶的電腦程式，從而執行基板處理動作。
此外，於記憶部104記憶有以預先順序制定的電腦程式。基板處理裝置100係遵循電腦程式所制定的順序而動作。
在本實施形態的基板處理裝置100中，以從噴嘴132噴出的清洗液覆蓋基板W的上表面Wa。藉此，基板W的上表面Wa係被施予清洗處理。在此情形中，較佳為來自噴嘴132之清洗液的到達位置為基板W的上表面Wa的中央。藉此，即使來自噴嘴132之清洗液的流量較少，亦能以清洗液覆蓋基板W的上表面Wa。
此外，在本實施形態的基板處理裝置100中，使基板W的上表面Wa中之來自噴嘴132之清洗液的到達位置移動，開始從噴嘴142噴出有機溶劑。藉此，能對遠離清洗液的到達位置之位置噴出有機溶劑，從而能抑制清洗液與有機溶劑的飛濺(splash)導致產生不良狀況。此外，在本實施形態的基板處理裝置100中，以從噴嘴142噴出的有機溶劑覆蓋基板W的上表面Wa。藉此，覆蓋基板W的上表面Wa之清洗液係被置換成有機溶劑。此外，將覆蓋基板W的上表面Wa之清洗液置換成有機溶劑，藉此能使基板W的上表面Wa適當地乾燥。
依據本實施形態的基板處理裝置100，能以簡易的構成進行清洗處理以及有機溶劑處理，並能避免在清洗處理與有機溶劑處理的期間露出基板W的上表面Wa。再者，在本實施形態的基板處理裝置100中，能抑制因為將清洗液與有機溶劑噴出至相同的位置而產生的飛濺。
此外，本實施形態的基板處理裝置100係適合使用於設置有半導體的半導體基板的處理。典型而言，於半導體基板的基材上層疊有導電層以及絕緣層。基板處理裝置100係在製造半導體基板時適合使用於導電層以及／或者絕緣層的洗淨以及／或者加工(例如蝕刻、特性變化等)。
此外，水或者水系溶液適合作為清洗液來使用。在此情形中會有下述疑慮：當基板W的上表面Wa被施予疏水化處理時，清洗液於基板W的上表面Wa流動之速度係比有機溶劑於基板W的上表面Wa流動之速度還快；當從噴嘴142噴出有機溶劑之時序延遲時，基板W的上表面Wa的至少一部分未被任何液體覆蓋從而露出。然而，依據本實施形態的基板處理方法，由於在開始從噴嘴142噴出有機溶劑時亦從噴嘴132噴出清洗液，因此能抑制基板W的上表面Wa露出。如此，本實施形態的基板處理方法係適合應用於疏水性的基板W的處理。然而，本實施形態的基板處理方法亦可應用於親水性的基板W的處理。
以下，參照圖1以及圖2說明本實施形態的基板處理方法的流程。圖2係用以說明本實施形態的基板處理方法之流程圖。
在步驟S102中，清洗液供給部130係對基板W的上表面Wa供給清洗液。在此，從清洗液供給部130的噴嘴132對基板W的上表面Wa噴出清洗液。基板W的上表面Wa的整面係被清洗液覆蓋，從而上表面Wa係被清洗。
此外，基板W係被收容於腔室110內，且基板W係被基板保持部120保持。在基板W被基板保持部120保持且以預定的旋轉速度旋轉的狀態下，清洗液供給部130係對基板W供給清洗液。此時，清洗液供給部130所供給的清洗液係遍及基板W的上表面Wa地擴展，從而覆蓋基板W的上表面Wa的整體。
例如，如圖1所示，噴嘴132亦可傾斜地朝向基板W的上表面Wa。在此情形中，噴嘴132亦可固定於腔室110。此外，噴嘴132亦可從基板W的上表面Wa的上方傾斜地對基板W噴出清洗液。或者，噴嘴132亦可垂直地與基板W的上表面Wa對向，且噴嘴132係從基板W的上表面Wa的上方於鉛直方向對基板W噴出清洗液。
例如，從噴嘴132噴出的清洗液係於腔室110內的氛圍中飛行並到達至基板W的上表面Wa的中央。例如，清洗液亦可到達至基板W的中心。或者，清洗液亦可到達至基板W的中心附近。
在步驟S104中，使來自清洗液供給部130的噴嘴132之清洗液到達至基板W之位置移動。例如，清洗液的到達位置係從基板W的中央朝基板W的端部移動。
在一例中，在從噴嘴132傾斜地噴出清洗液之情形中，減少從噴嘴132噴出之清洗液的流量，藉此能使清洗液到達至基板W之到達位置移動。或者，使噴嘴132的位置移動，藉此能使清洗液到達至基板W之到達位置移動。
亦可隨著清洗液的到達位置的移動，變更從噴嘴132噴出之清洗液的流量(噴出量)。例如，亦可隨著清洗液的到達位置的移動，使來自噴嘴132之清洗液的流量減少。然而，較佳為清洗液的流量係設定成：即使清洗液的到達位置移動後，基板W的上表面Wa的中心亦被清洗液覆蓋。
或者，亦可使噴嘴132的位置移動，藉此使清洗液到達至基板W的上表面Wa之到達位置移動。例如，亦可使噴嘴132的位置朝基板W的徑方向外側移動，藉此使清洗液到達至基板W之到達位置移動。或者，亦可在噴嘴132傾斜地噴出清洗液之情形中，使噴嘴132的位置移動至下方，藉此使清洗液到達至基板W之到達位置移動。
在步驟S106中，在來自清洗液供給部130的噴嘴132之清洗液被噴出至基板W的上表面Wa的狀態下，有機溶劑供給部140係將有機溶劑供給至基板W的上表面Wa。此時，從有機溶劑供給部140的噴嘴142對基板W的上表面Wa噴出有機溶劑。
此外，噴嘴142亦可垂直地與基板W的上表面Wa對向，且噴嘴142係從基板W的上表面Wa的上方於鉛直方向對基板W噴出有機溶劑。或者，噴嘴142亦可傾斜地朝向基板W的上表面Wa，且噴嘴142係從基板W的上表面Wa的上方傾斜地對基板W的上表面Wa噴出有機溶劑。
此外，亦可在步驟S104中來自噴嘴132之清洗液的到達位置開始移動後，步驟S106中的噴嘴142立即開始噴出有機溶劑。或者，亦可在步驟S104中來自噴嘴132之清洗液的到達位置開始移動並經過預定期間後，步驟S106中的噴嘴142開始噴出有機溶劑。
在步驟S108中，持續從噴嘴142噴出有機溶劑，另一方面則停止從噴嘴132噴出清洗液。此外，即使在持續噴出有機溶劑之情形中，亦可使來自噴嘴142之有機溶劑的流量變化。例如，亦可使來自噴嘴142之有機溶劑的流量增加。
依據本實施形態的基板處理方法，噴嘴132係從能覆蓋基板W的上表面Wa的整面之位置噴出清洗液後，在噴嘴142開始噴出有機溶劑之前使清洗液的到達位置移動至其他位置後，從噴嘴132以及噴嘴142分別噴出清洗液以及有機溶劑。如此，由於在停止噴出清洗液之前同時噴出清洗液以及有機溶劑，因此能抑制水漬的產生。此外，來自噴嘴132的清洗液以及來自噴嘴142的有機溶劑係能分別覆蓋基板W的上表面Wa的整面。因此，能以簡易的構成且少量的清洗液以及有機溶劑處理基板W的上表面Wa的整面。
此外，在同時噴出有機溶劑以及清洗液之情形中，較佳為有機溶劑的到達位置與清洗液的到達位置不同。在此情形中，能抑制同時噴出清洗液以及有機溶劑時產生水漬。
當清洗液以及有機溶劑同時到達至相同的到達位置並產生飛濺時，會有產生清洗液以及有機溶劑的液滴並附著於罩或者腔室之情形。在此情形中，當附著於罩或者腔室之液滴在後續的基板處理時附著於基板W時，會有於基板W產生水漬之情形。此外，由於產生飛濺，因此清洗液以及有機溶劑會於腔室內霧(mist)化。在此情形中，當已霧化的成分在後續的基板處理時附著於基板W時，會有產生水漬之情形。此外，由於產生飛濺，因此當覆蓋基板W的上表面Wa之液體濺起而使基板W的上表面Wa瞬間露出時，會有基板W的上表面Wa被污染且產生水漬之情形。
因此，在同時噴出有機溶劑以及清洗液之情形中，較佳為有機溶劑的到達位置與清洗液的到達位置不同。藉此，能抑制同時噴出清洗液以及有機溶劑時產生水漬。
此外，在來自噴嘴132的清洗液以及來自噴嘴142的有機溶劑到達至基板W的上表面Wa的中央之情形中，即使清洗液以及有機溶劑各者的流量較少，清洗液以及有機溶劑各者亦能覆蓋基板W的上表面Wa的整面。然而，在設定成從噴嘴142噴出有機溶劑時來自噴嘴142的有機溶劑與來自噴嘴132的清洗液一起到達至基板W的中心之情形中，考量來自噴嘴132之清洗液的移動的時序以及／或者來自噴嘴142之有機溶劑的噴出開始的時序的偏差，較佳為清洗處理時來自噴嘴132之清洗液的到達位置係從基板W的中心稍微離開。
接著，參照圖1至圖3說明本實施形態的基板處理裝置100的流程。圖3係用以說明基板處理裝置100的基板處理方法之示意圖。
如圖3中的(a)所示，噴嘴132係對基板W噴出清洗液。基板W的上表面Wa係被清洗液清洗。
在此，噴嘴132係以傾斜地朝向基板W的上表面Wa之方式配置，且從噴嘴132噴出的清洗液係傾斜地射入至基板W的上表面Wa。當從噴嘴132噴出較高流量的清洗液時，清洗液係從噴嘴132朝基板W的上表面Wa直線狀地行進。例如，清洗液的流量為500mL／秒以上至5000mL／秒以下。
例如，基板W的直徑為40mm以上至400mm以下。此外，基板W的厚度為0.3mm以上至2mm以下。
基板保持部120係在保持著基板W的狀態下使基板W旋轉。基板W的旋轉速度為100rpm以上至3000rpm以下。基板W係從圖3中的(a)旋轉達至圖3中的(d)。
噴嘴132係對基板W的中央噴出清洗液。藉此，清洗液係到達至基板W的上表面Wa的中央，並從中央以覆蓋基板W的上表面Wa的整面之方式流動。典型而言，在基板W的上表面Wa中，到達位置的清洗液的厚度係比其他區域的清洗液的厚度還大。
此外，噴嘴132的到達位置亦可為基板W的上表面Wa的中央，而不是基板W的上表面Wa的中心。噴嘴132亦可對基板W的中心附近噴出清洗液。在一例中，噴嘴132係對從基板W中的中心離開5mm以上至30mm以下的位置噴出清洗液。詳細說明係容後述，但清洗液較佳為以相對於基板W的旋轉方向具有相反方向的成分之方式噴出。
如圖3中的(b)所示，使來自噴嘴132的清洗液相對於基板W之到達位置移動。來自噴嘴132的清洗液的到達位置係從基板W的中央朝基板W的端部移動。此時，來自噴嘴132之清洗液的流量為清洗液能覆蓋基板W的上表面Wa的整面之量。
在此，變更噴嘴132的朝向，藉此移動來自噴嘴132之清洗液的到達位置。例如，以噴嘴132的朝向與鉛直方向所呈現的角度變小之方式使噴嘴132的朝向變更。
如圖3中的(c)所示，在來自噴嘴132之清洗液相對於基板W的到達位置從基板W的中央朝端部移動後，從噴嘴142對基板W的上表面Wa噴出有機溶劑。清洗液的到達位置的移動距離係例如為5mm以上至30mm以下。例如，移動距離為基板W的直徑的2%以上至20%以下。
例如，來自噴嘴142之有機溶劑的流量係比來自圖3中的(a)中的噴嘴132之清洗液的流量還少。典型而言，來自噴嘴142之有機溶劑的流量為100mL／秒以上至1000mL／秒以下。
如圖3中的(d)所示，持續從噴嘴142對基板W的上表面Wa噴出有機溶劑，另一方面則停止從噴嘴132噴出清洗液。來自噴嘴142之有機溶劑的流量為有機溶劑能覆蓋基板W的上表面Wa的整面之量。
在噴出有機溶劑經過預定期間後，停止噴出有機溶劑。再者，較佳為在停止噴出有機溶劑後亦持續旋轉基板W，從而使基板W的上表面Wa上的有機溶劑乾燥。
依據本實施形態，來自噴嘴132的清洗液係單獨地被噴出至覆蓋基板W的上表面Wa的整面之位置後，使清洗液的到達位置移動，對基板W的上表面Wa噴出有機溶劑。因此，能以來自噴嘴132的清洗液以及噴嘴142的有機溶劑覆蓋基板W的上表面Wa的整面。
此外，依據本實施形態，清洗液係在單獨地被噴出至覆蓋基板W的上表面Wa的整面之位置後，在對基板W的上表面Wa噴出有機溶劑時，清洗液的到達位置係移動至與有機溶劑的到達位置不同的位置。因此，由於在噴出有機溶劑時有機溶劑的到達位置與清洗液的到達位置不同，因此即使同時對基板W的上表面Wa噴出清洗液以及有機溶劑，亦能抑制飛濺導致產生不良狀況。
再者，依據本實施形態，亦可不使基板W的旋轉速度變化。因此，不會使基板W的處理的產能降低，而能以清洗液以及有機溶劑處理基板W。
此外，在圖3中，雖然在清洗液的到達位置移動之前後中未使清洗液的流量變化，但本實施形態並未限定於此。亦可在清洗液的到達位置移動之前後中使清洗液的流量變化。
接著，參照圖1至圖4說明本實施形態的基板處理方法的流程。圖4中的(a)至圖4中的(d)係用以說明本實施形態的基板處理方法之示意圖。此外，由於圖4中的(a)至圖4中的(d)中之圖4中的(a)以及圖4中的(d)係與上面所說明的圖3中的(a)以及圖3中的(d)相同，因此為了避免冗長而省略重複的說明。
如圖4中的(a)所示，從噴嘴132對基板W的上表面Wa噴出清洗液。在此，噴嘴132係從傾斜方向對基板W的上表面Wa噴出清洗液。
如圖4中的(b)所示，使來自噴嘴132之清洗液的到達位置移動並減少清洗液的流量。然而，即使在此種情形中，亦以覆蓋基板W的上表面Wa的中心之方式噴出清洗液。此外，較佳為清洗液的流量為清洗液覆蓋基板W的上表面Wa的整面之量。
如圖4中的(c)所示，在來自噴嘴132之清洗液的流量已減少的狀態下，從噴嘴142對基板W的上表面Wa噴出有機溶劑。在此，較佳為有機溶劑的流量為能覆蓋基板W的上表面Wa的整面之量。
如圖4中的(d)所示，停止供給清洗液，另一方面則持續從噴嘴142噴出有機溶劑。藉此，有機溶劑係覆蓋基板W的上表面Wa的整面。此外，來自噴嘴142之有機溶劑的流量亦可在從停止供給清洗液之前至停止供給清洗液之後增加。
依據本實施形態，從噴嘴142噴出有機溶劑時，隨著清洗液的到達位置從基板W的中心離開，清洗液的流量亦減少。因此，即使從噴嘴142噴出有機溶劑，亦能抑制因為同時噴出有機溶劑以及清洗液所致使之飛濺導致產生水漬。
此外，在圖4中，雖然在從噴嘴142噴出有機溶劑之前使來自噴嘴132之清洗液的流量減少，但本實施形態並未限定於此。亦可不使來自噴嘴132之清洗液的流量變化地使清洗液的到達位置移動，並且開始從噴嘴142噴出有機溶劑且使有機溶劑的流量增加。然而，典型而言，由於清洗處理時的清洗液的流量係比有機溶劑處理時的有機溶劑的流量還大，因此清洗液的流量係可較大幅度地變更。
此外，較佳為在以本實施形態中的清洗液以及有機溶劑進行處理之前，以藥液處理基板W。此外，較佳為已以有機溶劑進行處理後，使基板W的上表面Wa乾燥。
接著，參照圖5說明本實施形態的基板處理裝置100。圖5係本實施形態的基板處理裝置100的示意圖。此外，圖5的基板處理裝置100除了進一步具備藥液供給部150、遮蔽構件160以及氣體供給部170之點以外，具有與已參照圖1所說明的基板處理裝置100相同的構成，因此為了避免冗長故省略重複的記載。本實施形態的基板處理裝置100係具備腔室110、基板保持部120、清洗液供給部130以及有機溶劑供給部140，並進一步具備藥液供給部150、遮蔽構件160以及氣體供給部170。
藥液供給部150係對基板W的上表面Wa供給藥液。能藉由藥液處理基板W。例如，藉由藥液對基板W進行蝕刻、表面處理、特性賦予、處理膜形成、膜的至少一部分的去除以及洗淨中的至少一者。
例如，藥液係包含氫氟酸(HF；hydrofluoric acid)(氟化氫水)。或者，藥液亦可為包含硫酸、醋酸、硝酸、鹽酸、檸檬酸、緩衝氫氟酸(BHF；buffered hydrogen fluoride)、稀釋氫氟酸(DHF；dilute hydrofluoric acid)、氨水、稀釋氨水、過氧化氫水、有機鹼(例如TMAH(tetramethyl ammonium hydroxide；氫氧化四甲銨)等)、界面活性劑、防腐蝕劑中的至少一種之液體。此外，藥液亦可為混合了上面所說明的液體之混合液。例如，作為混合了這些液體的藥液的例子，能例舉SPM(sulfuric acid / hydrogen peroxide mixture；硫酸過氧化氫水混合液)、SC1(Standard clean-1；第一標準清洗液；亦即氨水過氧化氫水混和液(ammonia-hydrogen peroxide))、SC2(Standard clean-2；第二標準清洗液；亦即鹽酸過氧化氫水混合液(hydrochloric acid-hydrogen peroxide mixture))等。
藥液供給部150係包含藥液噴嘴152、供給管154以及閥156。噴嘴152係與基板W的上表面Wa對向，並朝基板W的上表面Wa噴出藥液。供給管154係結合至噴嘴152。噴嘴152係設置於供給管154的前端。從供給源對供給管154供給藥液。閥156係設置於供給管154。閥156係將供給管154內的流路予以開閉。在本說明書中，會有將藥液噴嘴152簡稱為噴嘴152之情形。
藥液供給部150係進一步包含噴嘴移動部158。噴嘴移動部158係在噴出位置與退避位置之間移動噴嘴152。在噴嘴152位於噴出位置之情形中，噴嘴152係位於基板W的上方。在噴嘴152位於噴出位置之情形中，噴嘴152係朝基板W的上表面Wa噴出藥液。在噴嘴152位於退避位置之情形中，噴嘴152係相較於基板W位於基板W的徑方向外側。
噴嘴移動部158係包含臂158a、轉動軸158b以及噴嘴移動機構158c。臂158a係沿著略水平方向延伸。於臂158a的前端部安裝有噴嘴152。臂158a係結合至轉動軸158b。轉動軸158b係沿著略鉛直方向延伸。噴嘴移動機構158c係使轉動軸158b繞著沿著略鉛直方向的轉動軸線轉動，從而使臂158a沿著略水平面轉動。結果，噴嘴152係沿著略水平面移動。例如，噴嘴移動機構158c係包含臂擺動馬達，該臂擺動馬達係使轉動軸158b繞著轉動軸線轉動。臂擺動馬達係例如為伺服馬達。此外，噴嘴移動機構158c係使轉動軸158b沿著略鉛直方向升降，從而使臂158a升降。結果，噴嘴152係沿著略鉛直方向移動。例如，噴嘴移動機構158c係包含滾珠螺桿機構以及臂升降馬達，臂升降馬達係對滾珠螺桿機構賦予驅動力。臂升降馬達係例如為伺服馬達。
遮蔽構件160係位於夾具構件122的上方。遮蔽構件160係包含遮蔽板162、支軸164以及噴嘴166。
遮蔽板162係例如為略圓板狀。遮蔽板162的直徑係例如與基板W的直徑略相同。然而，遮蔽板162的直徑亦可比基板W的直徑還稍微小，或者亦可比基板W的直徑還稍微大。遮蔽板162係以遮蔽板162的下表面成為略水平之方式配置。再者，遮蔽板162係以遮蔽板162的中心軸線位於基板保持部120的旋轉軸AX上之方式配置。遮蔽板162的下表面係與被夾具構件122保持之基板W的上表面Wa對向。遮蔽板162係以水平的姿勢連結於支軸164的下端。噴嘴166係對基板W的上表面Wa供給流體。
遮蔽構件160亦可進一步包含單元移動部168。如圖5所示，單元移動部168係包含臂168a、轉動軸168b以及噴嘴移動機構168c。單元移動部168係在接近位置與退避位置之間使遮蔽板162相對於基板W上升或者下降。在遮蔽板162位於接近位置之情形中，遮蔽板162係下降並隔著預定間隔接近至基板W的上表面。在接近位置中，遮蔽板162係覆蓋基板W的表面並遮蔽基板W的上方。在遮蔽板162位於退避位置之情形中，遮蔽板162係位於比接近位置還上方。在遮蔽板162從接近位置變化至退避位置時，遮蔽板162係上升並從基板W離開。在圖5中，遮蔽板162係位於退避位置。例如，單元移動部168係包含滾珠螺桿機構以及升降馬達，升降馬達係對滾珠螺桿機構賦予驅動力。升降馬達係例如為伺服馬達。
此外，遮蔽板162的接近位置亦可包含第一接近位置與第二接近位置。在遮蔽板162位於第一接近位置之情形中，遮蔽板162係覆蓋基板W的上表面Wa的上方並遮蔽基板W的上方。此外，在遮蔽板162位於第二接近位置之情形中，遮蔽板162係比第一接近位置還接近至基板W的上表面Wa，覆蓋基板W的上表面Wa並遮蔽基板W的上方。
氣體供給部170係包含氣體噴嘴172、供給管174以及閥176。噴嘴172係與基板W的上表面Wa對向，並朝基板W的上表面Wa噴出氣體。供給管174係結合至噴嘴172。噴嘴172係設置於供給管174的前端。從供給源對供給管174供給氣體。例如，氣體為惰性氣體。典型而言，氣體包含氮氣。閥176係設置於供給管174。閥176係將供給管174內的流路予以開閉。在本說明書中，會有將氣體噴嘴172簡稱為噴嘴172之情形。
在此，設置有機溶劑供給部140的噴嘴142以及氣體供給部170的噴嘴172作為遮蔽構件160的噴嘴166。因此，遮蔽構件160係從噴嘴142噴出有機溶劑。此外，遮蔽構件160係從噴嘴172噴出氣體。
以下，參照圖1、圖5以及圖6說明本實施形態的基板處理方法的流程。圖6係用以說明本實施形態的基板處理方法之流程圖。此外，圖6的步驟S102至步驟S108係與已參照圖2所說明的步驟S102至步驟S108相同，因此為了避免冗長故省略重複的記載。
在步驟S100a中，基板W係被搬入至腔室110。之後，基板W係以被基板保持部120保持之方式設置於基板保持部120。詳細而言，基板W係以上表面Wa朝向上方之方式載置於自轉基座121從而裝載於自轉基座121。在基板W的背面Wb與自轉基座121的上表面對向的狀態下，基板W係被保持於基板保持部120。
在步驟S100b中，電動馬達124開始旋轉基板W。此時，罩180係上升至基板W的側方。
在步驟S101中，打開閥156，開始從藥液供給部150的噴嘴152朝基板W的上表面Wa噴出藥液。已被供給至基板W的上表面Wa之藥液係藉由離心力遍及至基板W的上表面Wa的整體。藉此，藉由藥液處理基板W。此時，藥液供給部150的噴嘴152係從退避位置移動至噴出位置。
在步驟S102中，打開閥136，開始從清洗液供給部130的噴嘴132朝基板W的上表面Wa噴出清洗液。已被供給至基板W的上表面Wa之清洗液係藉由離心力遍及至基板W的上表面Wa的整體。藉此，藉由清洗液處理基板W。此時，藥液供給部150的噴嘴152係從噴出位置移動至退避位置。
在步驟S104中，從噴嘴132朝向基板W之清洗液的到達位置係移動。例如，清洗液的到達位置係從基板W的中央朝基板W的端部移動。
在步驟S106中，在維持噴出清洗液的狀態下打開閥146，開始從有機溶劑供給部140的噴嘴142朝基板W的上表面Wa噴出有機溶劑。此時，遮蔽板162係從退避位置移動至接近位置。例如，遮蔽板162係移動至第一接近位置。
在步驟S108中，在閥146打開的狀態下，持續從有機溶劑供給部140的噴嘴142朝基板W的上表面Wa噴出有機溶劑。已被供給至基板W的上表面Wa之有機溶劑係藉由離心力遍及至基板W的上表面Wa的整體。藉此，藉由有機溶劑處理基板W。
在步驟S110中，使基板W的上表面Wa乾燥。此時，關閉閥146，停止從有機溶劑供給部140的噴嘴142朝基板W的上表面Wa噴出有機溶劑。此外，從噴嘴172朝基板W的上表面Wa噴出氣體。此時，遮蔽板162亦可從第一接近位置移動至第二接近位置。
在步驟S112中，從腔室110搬出基板W。此時，基板W係從基板保持部120被取下。詳細而言，基板W係從自轉基座121脫離。
如上所述，亦可在以藥液、清洗液以及有機溶劑處理基板W後使基板W乾燥。如上所述，本實施形態的基板處理方法係適用於經過疏水化處理的基板W。因此，較佳為在藥液處理中將基板W的上表面Wa進行疏水化處理。例如，較佳為使用氫氟酸作為藥液。
接著，參照圖5至圖9說明本實施形態的基板處理方法的流程。圖7至圖9係用以說明本實施形態的基板處理方法之示意圖。
首先，如圖7中的(a)所示，搬入基板W。搬入的基板W係被裝載於基板保持部120。基板W亦可藉由機器人搬入。
如圖7中的(b)所示，藉由基板保持部120使基板W旋轉。此外，基板W的旋轉亦可持續至結束基板W的乾燥為止。
如圖7中的(c)所示，從噴嘴152對基板W的上表面Wa噴出藥液。藥液係覆蓋基板W的上表面Wa。藉此，基板W係被藥液進行處理。
如圖8中的(a)所示，從噴嘴132對基板W的上表面Wa噴出清洗液。藉此，基板W係被清洗液進行處理。藉由清洗液洗淨基板W。清洗液係覆蓋基板W的上表面Wa。此時，清洗液的到達位置為基板W的上表面Wa的中央。然而，清洗液的到達位置並非是基板W的上表面Wa的中心，而是基板W的上表面Wa的大致中心。
如圖8中的(b)所示，從噴嘴132噴出至基板W的上表面Wa之清洗液的到達位置係從基板W的上表面Wa的中央朝外側移動。例如，一邊減少從噴嘴132噴出之清洗液的流量，一邊使清洗液的到達位置從基板W的中央朝外側移動。
如圖8中的(c)所示，在清洗液的到達位置已經從基板W的中央朝外側移動的狀態下，從遮蔽構件160的噴嘴142對基板W的上表面Wa噴出有機溶劑。此時，遮蔽板162係從退避位置移動至第一接近位置。
此外，來自噴嘴142之有機溶劑的到達位置與基板W的上表面Wa的中心之間的距離係比清洗液的到達位置與基板W的上表面Wa的中心之間的距離還短。典型而言，來自噴嘴142之有機溶劑的到達位置為基板W的上表面Wa的大致中心。
如圖9中的(a)所示，持續從噴嘴142噴出有機溶劑，另一方面則停止從噴嘴132噴出清洗液。基板W的上表面Wa係被有機溶劑覆蓋。
如圖9中的(b)所示，在持續從噴嘴142噴出有機溶劑經過預定期間後，停止從噴嘴142噴出有機溶劑，從遮蔽構件160的噴嘴172對基板W供給氣體。此外，基板保持部120持續旋轉基板W。藉此，能使基板W的上表面Wa乾燥。此外，較佳為在遮蔽構件160對基板W供給氣體時，遮蔽板162係下降至基板W的第二接近位置。藉此，能在氣體氛圍下使基板W的上表面Wa乾燥。
如圖9中的(c)所示，將基板W從基板保持部120脫離並搬出基板W。基板W亦可藉由機器人搬出。藉由上述說明，能處理基板W。
此外，如上所述，清洗液供給部130亦可傾斜地對基板W供給清洗液。在此情形中，較佳為清洗液係以相對於基板W的旋轉方向R具有朝向相反方向的成分之方式噴出。
以下，參照圖1、圖2以及圖10說明本實施形態的基板處理裝置100中清洗液到達至基板W之到達位置的變化。圖10中的(a)係顯示清洗液的到達位置移動之前之清洗液相對於基板W的到達位置之示意性地的立體圖，圖10中的(b)係顯示清洗液的到達位置移動之後之清洗液相對於基板W的到達位置之示意性的立體圖。
如圖10中的(a)所示，噴嘴132係配置於基板W的上表面Wa的徑方向外側，噴嘴132係朝傾斜方向噴出清洗液。從噴嘴132噴出的清洗液係到達至基板W的上表面Wa的中央。在此，清洗液係到達至基板W的上表面Wa的大致中心。此時，清洗液係會沿著行進方向L行進。
另一方面，基板W係沿著旋轉方向R旋轉，清洗液係被供給至沿著旋轉方向R旋轉的基板W。因此，已到達至到達位置的清洗液係接受沿著旋轉方向R的力量。
圖10中的(a)係將清洗液的行進方向L分離成從到達位置起沿著法線方向之成分La以及從到達位置朝向中心之成分Lb來顯示。由於行進方向L的成分La係與旋轉方向R為相反方向，因此已到達至到達位置的清洗液係較長地滯留在基板W的上表面Wa並在基板W的上表面Wa上擴展，從而覆蓋基板W的上表面Wa的中心O。之後，清洗液係遍及基板W的上表面Wa的整面地擴展並覆蓋基板W的上表面Wa的整面。如此，清洗液係以具有與基板W的旋轉方向相反方向的成分之方式被噴出至到達位置，藉此即使清洗液的流量較少，清洗液亦能充分地覆蓋基板W的中心O。
如圖10中的(b)所示，在從噴嘴142噴出有機溶劑之前或者與噴出有機溶劑相同的時間點，來自噴嘴132之清洗液的到達位置係從基板W的上表面Wa的中央移動至外側。例如，使清洗液的流量減少，藉此清洗液的到達位置係從基板W的上表面Wa的中央朝外側移動。然而，較佳為此時的清洗液的流量亦為可覆蓋基板W的上表面Wa的至少中心之量。
此外，在圖1至圖10所示的基板處理裝置100中，雖然清洗液供給部130係以傾斜地對基板W供給清洗液之方式配置，但本實施形態並未限定於此。清洗液供給部130亦可垂直地對基板W供給清洗液。此外，在圖1至圖10所示的基板處理裝置100中，雖然清洗液供給部130的噴嘴132被固定，但本實施形態並未限定於此。噴嘴132亦可移動。
參照圖11說明本實施形態的基板處理裝置100。圖11係本實施形態的基板處理裝置100的示意圖。此外，圖11的基板處理裝置100係排除清洗液供給部130進一步具備噴嘴移動部138之點以及從噴嘴132垂直地對基板W的上表面Wa噴出清洗液之點以外，具有與已參照圖1所說明的基板處理裝置100相同的構成，因此為了避免冗長故省略重複的記載。
在此，噴嘴132係垂直地朝向基板W的上表面Wa。從噴嘴132垂直地對基板W的上表面Wa噴出清洗液。
清洗液供給部130係進一步包含噴嘴移動部138。噴嘴移動部138係在噴出位置與退避位置之間移動噴嘴132。在噴嘴132位於噴出位置之情形中，噴嘴132係位於基板W的上方。在噴嘴132位於噴出位置時，噴嘴132係朝基板W的上表面Wa噴出清洗液。在噴嘴132位於退避位置之情形中，噴嘴132係相較於基板W位於基板W的徑方向外側。
具體而言，噴嘴移動部138係包含臂138a、轉動軸138b以及噴嘴移動機構138c。臂138a係沿著略水平方向延伸。於臂138a的前端部安裝有噴嘴132。臂138a係結合至轉動軸138b。轉動軸138b係沿著略鉛直方向延伸。噴嘴移動機構138c係使轉動軸138b繞著沿著略鉛直方向的轉動軸線轉動，從而使臂138a沿著略水平面轉動。結果，噴嘴132係沿著略水平面移動。例如，噴嘴移動機構138c係包含臂擺動馬達，該臂擺動馬達係使轉動軸138b繞著轉動軸線轉動。臂擺動馬達係例如為伺服馬達。此外，噴嘴移動機構138c係使轉動軸138b沿著略鉛直方向升降，從而使臂138a升降。結果，噴嘴132係沿著略鉛直方向移動。例如，噴嘴移動機構138c係包含滾珠螺桿機構以及臂升降馬達，臂升降馬達係對滾珠螺桿機構賦予驅動力。臂升降馬達係例如為伺服馬達。
接著，參照圖11以及圖12說明本實施形態的基板處理裝置100的流程。圖12係用以說明本實施形態的基板處理裝置100的基板處理方法之示意圖。
如圖12中的(a)所示，噴嘴132係朝基板W的上表面Wa噴出清洗液。在此，從噴嘴132噴出的清洗液係到達至基板W的上表面Wa的中心。藉此，基板W係被清洗液進行處理。在此，噴嘴132係位於噴出位置。
如圖12中的(b)所示，一邊使噴嘴132噴出清洗液一邊使噴嘴132移動。在此，從噴嘴132噴出的清洗液係從基板W的中心朝外側移動。噴嘴132係開始從噴出位置朝退避位置移動。此時，基板W的上表面Wa的中心係被清洗液覆蓋。
如圖12中的(c)所示，噴嘴132係噴出清洗液，且噴嘴142係開始噴出有機溶劑。噴嘴142係從退避位置移動至噴出位置。在此情形中，有機溶劑的到達位置與基板W的中心之間的距離係比清洗液的到達位置與基板W的中心之間的距離還短。典型而言，已從噴嘴142噴出至基板W的上表面Wa之有機溶劑係到達至基板W的中心。
如圖12中的(d)所示，持續從噴嘴142噴出有機溶劑，另一方面則停止從噴嘴132噴出清洗液。在此，噴嘴132係從噴出位置移動至退避位置。在此情形中，基板W的上表面Wa係被有機溶劑覆蓋。之後，持續從噴嘴142噴出有機溶劑經過預定期間後，停止噴出有機溶劑。再者，亦可在停止噴出有機溶劑之後，緊接著使基板W的上表面Wa乾燥。基板W的乾燥亦可藉由持續旋轉基板W而進行。或者，基板W的乾燥亦可藉由進一步地使基板W的轉速增加而進行。再者，基板W的乾燥亦可藉由從圖5所示的遮蔽構件160供給氣體而進行。
如上所述，依據本實施形態，在以覆蓋基板W的上表面Wa之方式供給清洗液後，使噴嘴132移動從而使清洗液的到達位置移動，並且對基板W的上表面Wa噴出有機溶劑並覆蓋基板W的上表面Wa。因此，能避免來自噴嘴132的清洗液與來自噴嘴142的有機溶劑在相同的到達位置處被噴出，從而能抑制飛濺導致產生不良狀況。再者，依據本實施形態，藉由噴嘴132的移動，從噴嘴132噴出的清洗液係用以覆蓋基板W的上表面Wa並在即將噴出有機溶劑之前覆蓋基板W的上表面Wa的至少一部分。因此，能以簡易的構成抑制噴出清洗液以及有機溶劑時產生水漬。
此外，在已參照圖12的上述說明中，雖然從噴嘴132開始移動後至噴嘴142開始噴出有機溶劑為止的期間來自噴嘴132之清洗液的流量未變化，但本實施形態並未限定於此。亦可在從噴嘴132開始移動後至噴嘴142開始噴出有機溶劑為止的期間使來自噴嘴132之清洗液的流量減少。
接著，參照圖13說明本實施形態的基板處理裝置100。與上述基板處理裝置100的差異點在於：本實施形態的基板處理裝置100係具備複數個腔室110。然而，為了避免說明的冗長，故省略重複的記載。
圖13係基板處理裝置100的示意性的俯視圖。如圖13所示，基板處理裝置100係具備成分液體櫃100A、複數個流體箱100B、複數個腔室110、複數個裝載埠(load port)LP、索引機器人(indexer robot)IR、中心機器人(center robot)CR以及控制裝置101。控制裝置101係控制裝載埠LP、索引機器人IR以及中心機器人CR。控制裝置101係包含控制部102以及記憶部104。
裝載埠LP係分別層疊並收容複數個基板W。索引機器人IR係在裝載埠LP與中心機器人CR之間搬運基板W。中心機器人CR係在索引機器人IR與腔室110之間搬運基板W。在各個腔室110中，對基板W噴出清洗液以及／或者有機溶劑從而處理基板W。流體箱100B係分別收容流體機器。成分液體櫃100A係收容藥液、清洗液以及／或者有機溶劑。
具體而言，複數個腔室110係形成複數個塔(tower)TW(在圖13中為四個塔TW)，複數個塔TW係以俯視觀看時圍繞中心機器人CR之方式配置。各個塔TW係包含上下地層疊的複數個腔室110(在圖13中為三個腔室110)。複數個流體箱100B係分別與複數個塔TW對應。成分液體櫃100A內的藥液、清洗液以及／或者有機溶劑係經由某個流體箱100B被供給至與流體箱100B對應的塔TW所含有之全部的腔室110。
以上已參照圖式說明本發明的實施形態。然而，本發明並未限定於上述實施形態，在未逸離本發明的精神範圍內可在各種態樣中實施。此外，藉由適當地組合上述實施形態所揭示之複數個構成要素，可形成各種發明。例如，亦可將實施形態所示的全部的構成要素中的某幾個構成要素刪除。再者，亦可適當地組合不同的實施形態中的構成要素。為了容易理解本發明，圖式係將各個構成要素主體性且示意性地顯示，且所圖示的各個構成要素的厚度、長度、個數、間隔等亦會有因為圖式繪製的關係而與實際不同之情形。此外，上述實施形態所示的各個構成要素的材質、形狀、尺寸等係一例，並未特別限定，在未實質性地逸離本發明的功效之範圍內可進行各種變更。 [產業可利用性]
本發明係適用於基板處理裝置、基板處理方法以及半導體製造方法。
100:基板處理裝置 100A:成分液體櫃 100B:流體箱 101:控制裝置 102:控制部 104:記憶部 110:腔室 120:基板保持部 121:自轉基座 122:夾具構件 123:軸 124:電動馬達 130:清洗液供給部 132:噴嘴(清洗液噴嘴) 134,144,154,174:供給管 136,146,156,176:閥 138,148,158:噴嘴移動部 138a,148a,158a,168a:臂 138b,148b,158b,168b:轉動軸 138c,148c,158c,168c:噴嘴移動機構 140:有機溶劑供給部 142:噴嘴(有機溶劑噴嘴) 150:藥液供給部 152:噴嘴(藥液噴嘴) 160:遮蔽構件 162:遮蔽板 164:支軸 166:噴嘴 168:單元移動部 170:氣體供給部 172:噴嘴(氣體噴嘴) 180:罩 AX:旋轉軸 CR:中心機器人 IR:索引機器人 L:行進方向 La,Lb:成分 LP:裝載埠 O:中心 R:旋轉方向 TW:塔 W:基板 Wa:上表面 Wb:背面
[圖1]係本實施形態的基板處理裝置的示意圖。 [圖2]係用以說明本實施形態的基板處理方法之流程圖。 [圖3]中的(a)至(d)係用以說明本實施形態的基板處理方法的流程之示意圖。 [圖4]中的(a)至(d)係用以說明本實施形態的基板處理方法的流程之示意圖。 [圖5]係本實施形態的基板處理裝置的示意圖。 [圖6]係用以說明本實施形態的基板處理方法之流程圖。 [圖7]中的(a)至(c)係用以說明本實施形態的基板處理方法的流程之示意圖。 [圖8]中的(a)至(c)係用以說明本實施形態的基板處理方法的流程之示意圖。 [圖9]中的(a)至(c)係用以說明本實施形態的基板處理方法的流程之示意圖。 [圖10]中的(a)以及(b)係顯示本實施形態的基板處理裝置中清洗液的到達位置的移動之示意圖。 [圖11]係本實施形態的基板處理裝置的示意圖。 [圖12]中的(a)至(d)係用以說明本實施形態的基板處理方法的流程之示意圖。 [圖13]係本實施形態的基板處理裝置的示意圖。

Claims (16)

  1. 一種基板處理裝置，係具備： 基板保持部，係可旋轉地保持基板； 清洗液供給部，係具有用以對前述基板的上表面噴出清洗液之清洗液噴嘴； 有機溶劑供給部，係具有用以對前述基板的前述上表面噴出有機溶劑之有機溶劑噴嘴；以及 控制部，係控制前述清洗液供給部以及前述有機溶劑供給部； 前述控制部係以下述方式控制前述清洗液供給部以及前述有機溶劑供給部：以從前述清洗液噴嘴噴出的前述清洗液覆蓋前述基板的前述上表面後，使來自前述清洗液噴嘴之前述清洗液的到達位置移動並開始從前述有機溶劑噴嘴噴出前述有機溶劑，之後停止前述清洗液的供給並以從前述有機溶劑噴嘴噴出的前述有機溶劑覆蓋前述基板的前述上表面。
  2. 如請求項1所記載之基板處理裝置，其中前述控制部係以使來自前述清洗液噴嘴之前述清洗液的到達位置移動時減少從前述清洗液噴嘴噴出的前述清洗液的流量之方式控制前述清洗液供給部。
  3. 如請求項1或2所記載之基板處理裝置，其中前述控制部係以使來自前述清洗液噴嘴之前述清洗液的到達位置移動時前述清洗液覆蓋前述基板的前述上表面的中心之方式控制前述清洗液供給部。
  4. 如請求項1或2所記載之基板處理裝置，其中前述清洗液噴嘴係對前述基板的前述上表面傾斜地噴出前述清洗液。
  5. 如請求項1或2所記載之基板處理裝置，其中前述清洗液噴嘴係對前述基板的前述上表面垂直地噴出前述清洗液。
  6. 如請求項1或2所記載之基板處理裝置，其中前述清洗液噴嘴係在從開始噴出前述清洗液至停止噴出前述清洗液為止之期間不移動地噴出前述清洗液。
  7. 如請求項1或2所記載之基板處理裝置，其中前述清洗液噴嘴係在從開始噴出前述清洗液至停止噴出前述清洗液為止之期間移動。
  8. 如請求項1或2所記載之基板處理裝置，其中前述有機溶劑噴嘴係在從開始噴出前述有機溶劑至停止噴出前述有機溶劑為止之期間不移動地噴出前述有機溶劑。
  9. 如請求項1或2所記載之基板處理裝置，其中前述控制部係以在停止從前述有機溶劑噴嘴噴出前述有機溶劑後持續地旋轉前述基板之方式控制前述基板保持部。
  10. 如請求項1或2所記載之基板處理裝置，其中進一步具備：遮蔽構件，係具有與前述基板的前述上表面對向之遮蔽板。
  11. 如請求項10所記載之基板處理裝置，其中前述遮蔽構件係具有前述有機溶劑噴嘴。
  12. 如請求項10所記載之基板處理裝置，其中前述遮蔽構件係具有用以朝前述基板的前述上表面供給氣體之氣體噴嘴。
  13. 一種基板處理方法，係包含： 一邊保持基板一邊使前述基板旋轉之工序； 從清洗液噴嘴對前述基板的上表面噴出清洗液之工序；以及 從有機溶劑噴嘴對前述基板的前述上表面噴出有機溶劑之工序； 在用以噴出前述清洗液之工序以及用以噴出前述有機溶劑之工序中，以從前述清洗液噴嘴噴出的前述清洗液覆蓋前述基板的前述上表面後，使來自前述清洗液噴嘴之前述清洗液的到達位置移動並開始從前述有機溶劑噴嘴噴出前述有機溶劑，之後停止前述清洗液的供給並以從前述有機溶劑噴嘴噴出的前述有機溶劑覆蓋前述基板的前述上表面。
  14. 如請求項13所記載之基板處理方法，其中在用以使前述基板旋轉之工序中，前述基板係被施予疏水化處理。
  15. 如請求項13所記載之基板處理方法，其中進一步包含：在噴出前述清洗液之前，將前述基板施予藥液處理。
  16. 一種半導體製造方法，係包含： 一邊保持半導體基板一邊使前述半導體基板旋轉之工序； 從清洗液噴嘴對前述半導體基板的上表面噴出清洗液之工序；以及 從有機溶劑噴嘴對前述半導體基板的前述上表面噴出有機溶劑之工序； 在用以噴出前述清洗液之工序以及用以噴出前述有機溶劑之工序中，以從前述清洗液噴嘴噴出的前述清洗液覆蓋前述半導體基板的前述上表面後，使來自前述清洗液噴嘴之前述清洗液的到達位置移動並開始從前述有機溶劑噴嘴噴出前述有機溶劑，之後停止前述清洗液的供給並以從前述有機溶劑噴嘴噴出的前述有機溶劑覆蓋前述半導體基板的前述上表面。
TW109107342A 2019-03-22 2020-03-06 基板處理裝置以及基板處理方法 TWI743696B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019-054965 2019-03-22
JP2019054965A JP7265390B2 (ja) 2019-03-22 2019-03-22 基板処理装置および基板処理方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202036703A true TW202036703A (zh) 2020-10-01
TWI743696B TWI743696B (zh) 2021-10-21

Family

ID=72559842

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW109107342A TWI743696B (zh) 2019-03-22 2020-03-06 基板處理裝置以及基板處理方法

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP7265390B2 (zh)
TW (1) TWI743696B (zh)
WO (1) WO2020195695A1 (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113471108B (zh) * 2021-07-06 2022-10-21 华海清科股份有限公司 一种基于马兰戈尼效应的晶圆竖直旋转处理装置

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4763563B2 (ja) * 2006-09-20 2011-08-31 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理方法
JP6454245B2 (ja) * 2014-10-21 2019-01-16 東京エレクトロン株式会社 基板液処理方法及び基板液処理装置並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
JP6865626B2 (ja) * 2017-04-21 2021-04-28 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2020195695A1 (ja) 2020-10-01
JP7265390B2 (ja) 2023-04-26
JP2020155709A (ja) 2020-09-24
TWI743696B (zh) 2021-10-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7803230B2 (en) Substrate cleaning apparatus, substrate cleaning method, and medium for recording program used for the method
US7806989B2 (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
US10622225B2 (en) Substrate processing apparatus and nozzle cleaning method
JP5426141B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP5771035B2 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JP2007258462A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
US9768042B2 (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
WO2015053329A1 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
TWI753789B (zh) 基板處理方法及基板處理裝置
JP6512554B2 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
US11443960B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP5390873B2 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
TWI743696B (zh) 基板處理裝置以及基板處理方法
JP5680705B2 (ja) 基板処理方法
JP2007258565A (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JP6782185B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
KR20130111176A (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
JP2010080583A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP2009295910A (ja) 基板処理方法
JP5031654B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
TW202036699A (zh) 基板處理裝置以及基板處理方法
JP2011071198A (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JP7203685B2 (ja) 基板処理装置、基板処理方法およびプログラム
JP2014150136A (ja) 基板処理装置
JP2021106213A (ja) 基板処理装置、および、基板処理方法