TW202033603A - 導電性高分子組成物 - Google Patents

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Abstract

提供一種塗膜耐濕熱性優異的導電性高分子組成物。
根據本發明，提供一種導電性高分子組成物，包含溶劑、以及π共軛系導電性高分子，其中，作為上述導電性高分子的摻雜劑或添加劑包含含有乙烯碸基的含乙烯碸基化合物，當作為上述添加劑包含上述含乙烯碸基化合物時，上述含乙烯碸基化合物具有多個上述乙烯碸基。

Description

導電性高分子組成物
本發明涉及導電性高分子組成物。
作為導電性高分子的一種用途，可列舉電容器的固體電解質。其被要求在更嚴酷的環境下的使用，需要在高溫‧高濕環境下的可靠性。
專利文獻1揭示了將PEDOT/PSS膜作為固體電解質使用的電容器。
【先行技術文獻】
【專利文獻】
【專利文獻1】日本專利特開2018-22727號公報
然而，以PEDOT/PSS為代表的導電性高分子在濕熱條件下，會引起結構的變化，因此會產生導電率的下降，並且使塗膜從基材剝離，塗膜的開 裂等狀態變化的問題。
本發明是鑒於這樣的情況而完成的，提供一種塗膜耐濕熱性優異的導電性高分子組成物。
根據本發明，提供一種導電性高分子組成物，包含溶劑、以及π共軛系導電性高分子，其中，包含含有乙烯碸基的含乙烯碸基化合物作為上述導電性高分子的摻雜劑或添加劑，當包含上述含乙烯碸基化合物作為上述添加劑時，上述含乙烯碸基化合物具有多個上述乙烯碸基。
本發明人等在進行為提高塗膜耐濕熱性的研究時發現，作為導電性高分子的摻雜劑或導電性高分子組成物的添加劑含有含乙烯碸基化合物，從而會提高塗膜耐濕熱性，完成了本發明。
以下，對本發明的實施方式進行詳細說明。
1．導電性高分子組成物
本發明的一個實施方式的導電性高分子組成物包含溶劑、π共軛系導電性高分子。以下，對各個構成要素進行詳細說明。
1-1．含乙烯碸基化合物
本實施方式的導電性高分子組成物的特徵為，作為上述導電性高分子的摻雜劑或添加劑含有含乙烯碸基化合物，上述含乙烯碸基化合物包含乙烯碸基。
乙烯碸基為以化學式(4)表示的官能團。
Figure 108146000-A0202-12-0003-1
由於乙烯碸基的乙烯基的反應性不高，因此在低於交聯起始溫度的溫度下，幾乎或者完全不會進行交聯反應。因此，本實施方式的導電性高分子組成物的貯存穩定性優異。交聯起始溫度例如為140℃。
若加熱至交聯起始溫度以上，由於熱的自由基聚合，乙烯碸基的乙烯基會進行交聯反應。通過交聯反應形成網格結構而使塗膜穩定化，因此提高塗膜耐濕熱性。
並且，由於乙烯碸基的親水性高，因此容易與導電性高分子融合。因此，若利用本實施方式的導電性高分子組成物形成電容器的固體電解質，則容量表現率容易變高。
作為導電性高分子的摻雜劑含有含乙烯碸基化合物時，含乙烯碸基化合物優選如乙烯基磺酸這樣的具有乙烯碸基的一價酸、或其鹼金屬鹽等。由於含乙烯碸基化合物作為摻雜劑與π共軛系高分子堅固地鍵合，因此即使含乙烯碸基化合物的乙烯基的個數為1個，也能夠通過交聯反應形成網格結構。
另一方面，作為添加劑含有含乙烯碸基化合物時，含乙烯碸基化合物必須含有多個乙烯碸基。此時，在由含乙烯碸基化合物形成的網格結構中，補充導電性高分子而使塗膜穩定化。含乙烯碸基化合物更優選以通式(3)表示的化合物。
Figure 108146000-A0202-12-0004-3
通式(3)中，R為原子或原子團，R的主鏈由選自碳原子、氮原子、氧原子、及硫原子的1或多種原子構成，優選由選自碳原子、氮原子、及 氧原子的1或多種原子構成，更優選由選自碳原子及氮原子的1或多種原子構成，進一步優選由碳原子構成。
R的主鏈的原子數例如為1~20，優選為1~10，具體而言例如為1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、20，也可以在這裡例示的任意2個數值之間的範圍內。
R的側鏈由在R的主鏈中列舉的原子或氫原子構成。
R的分子量優選為12~1000，具體而言例如為12、50、100、150、200、250、300、350、400、450、500、600、700、800、900、1000，也可以在這裡例示的任意2個數值之間的範圍內。
R優選不具有乙烯碸基以外的乙烯基。這是因為若具有乙烯碸基以外的乙烯基，則有貯存穩定性變差的情況。
作為R的具體例，可列舉具有以下結構的例子。
(a)亞烷基
(b)在亞烷基的兩端鍵合有醯胺基(優選醯胺基的氮原子鍵合)的結構的原子團
(c)在結構(b)的原子團的兩端的醯胺基鍵合有別的亞烷基的結構的原子團
作為R，可以為在結構(a)~(c)的一端或兩端鍵合有別的原子或原子團的原子團，也可以為結構(a)~(c)的兩端鍵合於乙烯碸基的硫原子的原子團。
以通式(3)表示的含乙烯碸基化合物的具體例，可列舉N，N’-乙撐雙[2-(乙烯基磺醯基)乙醯胺]、N，N’-三亞甲基雙[2-(乙烯基磺醯基乙醯胺)]、雙(乙烯基磺醯基)甲烷、1,2-雙(乙烯基磺醯基)乙烷、1,4-雙(乙烯基磺醯基)丁烷等。
1-2．溶劑
溶劑只要能夠將導電性高分子溶解或分散則沒有特別限定，優選包含有機溶劑。由於在使含乙烯碸基化合物的乙烯基交聯時需要溶劑殘留，因此溶劑優選含有沸點在交聯起始溫度(例如140℃)以上的高沸點溶劑。並且，溶劑中的高沸點溶劑的比率優選為50體積%以上，具體而言例如為50、60、70、80、90、100體積%，也可以在這裡例示的任意2個數值之間的範圍內。
作為高沸點溶劑，可列舉碳酸丙烯酯(碳酸鹽)、γ-丁內酯、丙二醇、二丙二醇、乙二醇、二乙二醇、丁基卡必醇、丙二醇單甲醚乙酸酯。
溶劑可以只包含高沸點溶劑，但除高沸點溶劑以外，例如也可以包含 甲醇、乙醇、異丙醇、丁醇等醇系溶劑，丙酮、甲乙酮、甲基異丁基酮等酮系溶劑，乳酸甲酯、乳酸乙酯等乳酸系溶劑等。
在導電性高分子組成物中，除了溶劑的不揮發成分沒有特別限制，例如為0.1質量%以上20.0質量%以下。具體而言為0.1、0.5、1.0、1.5、2.0、2.5、3.0、5.0、10.0、15.0、20.0質量%，也可以在這裡例示的任意2個數值之間的範圍內。
在上述有機溶劑以外，溶劑還可以包含水，從基材黏著性的觀點，含水率優選相對於溶劑整體為50%以下，更優選10%以下。
1-2．π共軛系導電性高分子
本發明的π共軛系導電性高分子是利用摻雜劑摻雜π共軛系高分子而構成的。
作為π共軛系高分子，可列舉具有π共軛系的任意高分子，例如可列舉將苯胺、吡咯、噻吩或其衍生物包含在骨架的高分子，優選將噻吩或其衍生物包含在骨架的高分子。這是因為在此時，摻雜狀態、未摻雜狀態的對於濕度以外的溫度或氧等的環境穩定性優異。
作為摻雜劑，可列舉能夠給π共軛系高分子賦予導電性的任意化合物，可以為任何高分子摻雜劑和低分子摻雜劑。作為高分子摻雜劑，例示 聚苯乙烯磺酸(PSS)等多價酸。作為高分子摻雜劑，優選從π共軛系高分子接受電子而成為聚陰離子的摻雜劑。作為低分子摻雜劑，乙烯基磺酸、對甲苯磺酸、2-萘磺酸、1-萘磺酸、十二烷基磺酸、十二烷基苯磺酸、二(2-乙基己基)磺基琥珀酸、四氟硼酸、三氟乙酸、六氟磷酸、三氟甲磺醯亞胺等一價酸或其鹼金屬鹽等。
作為低分子摻雜劑，優選從π共軛系高分子接受電子而成為單陰離子的摻雜劑，優選具有磺基的單陰離子，更優選具有烷基鏈與磺基鍵合的結構的單陰離子。由於若使用成為單陰離子的摻雜劑，則容易提高導電性高分子的導電率，因此優選成為單陰離子的摻雜劑。
當作為添加劑不含有含乙烯碸基化合物時，作為摻雜劑需要含有含乙烯碸基化合物。此時，作為摻雜劑，也可以包含含乙烯碸基化合物以外的化合物。相對於摻雜劑整體的含乙烯碸基化合物的比率優選為50mol%以上，具體而言例如為50、60、70、80、90、100mol%，也可以在這裡例示的任意2個數值之間的範圍內。若該比率過小，則無法充分進行通過乙烯基的交聯，有不能充分提高塗膜耐濕熱性的情況。
作為添加劑含有含乙烯碸基化合物時，作為摻雜劑也可以含有含乙烯碸基化合物。
導電性高分子優選以通式(1)或下述通式(2)表示的結構單位中的 至少1個。包含在該導電性高分子的π共軛系高分子通過具有R1提高向溶劑的分散性。
Figure 108146000-A0202-12-0009-4
在通式(1)及(2)中，R1分別表示可具有取代基的、碳原子数1以上12以下的烷基、碳原子数1以上12以下的烷氧基、碳原子数1以上12以下的环氧烷基、芳香族基或杂环基。R2分別為氧原子或硫原子，R3分別表示可以具有氫原子、取代基的、碳原子數1以上12以下的烷基、碳原子數1以上12以下的烷氧基、碳原子數1以上12以下的環氧烷基、芳香族基或雜環基。A-為來源於摻雜劑的單陰離子。n為2以上300以下。
上述碳原子數1以上12以下的烷基可以為直鏈狀、支鏈狀、環狀等中的任一個，例如可以為碳原子數1以上8以下、碳原子數1以上6以下、碳原子數1以上4以下等，具體而言可列舉甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、叔丁基、環戊基、環己基、硼烷基、異冰片基、二環戊基、金剛 烷基等。
作為上述碳原子數1以上12以下的烷氧基，可以為直鏈狀、支鏈狀、環狀等中的任一個，例如為碳原子數1以上8以下、碳原子數1以上6以下、碳原子數1以上4以下等。
作為上述碳原子數1以上12以下的環氧烷基，可列舉碳原子數1以上8以下、碳原子數1以上6以下、碳原子數1以上4以下等。
作為上述芳香族基，除苯基、苄基等之外，可列舉各種稠環基。作為稠環基，可列舉萘環、薁環、蒽環、菲環、芘環、屈環、萘並萘環、三亞苯環、苊環、暈苯環、芴環、熒蒽環、並五苯環、苝環、戊芬環、苉環、皮蒽酮環等。
作為上述的雜環基，例如可列舉由如下雜環化合物衍生出的一價基團：噻咯環、呋喃環、噻吩環、惡唑環、吡咯環、吡啶環、噠嗪環、嘧啶環、吡嗪環、三嗪環、惡二唑環、三唑環、咪唑環、吡唑環、噻唑環、吲哚環、苯並咪唑環、苯並噻唑環、苯並惡唑環、喹喔啉環、喹唑啉環、酞嗪環、噻吩基噻吩環、哢唑環、氮雜哢唑環(表示構成哢唑環的碳原子中的任意一個以上被氮原子取代的雜環)、二苯並噻咯環、二苯並呋喃環、二苯並噻吩環、構成苯並噻吩環或二苯並呋喃環的碳原子中的任意一個以上被氮原子取代而成的環、苯並二呋喃環、苯並二噻吩環、吖啶環、苯並喹 啉環、吩嗪環、菲啶環、菲羅啉環、甜蜜素環、喹叨啉環、替匹尼嗪(tepenizine)環、奎寧叨啉(quinindoline)環、三苯並二噻嗪環、三苯並二惡嗪環、菲啶(Phenanthrazine)環、阿特拉津環、萘嵌間二氮雜苯環、萘並呋喃環、萘並噻吩環、萘並二呋喃環、萘並二噻吩環、蒽並呋喃環、蒽並二呋喃環、蒽並噻吩環、蒽並二噻吩環、噻蒽環、吩噻環、二苯並哢唑環、吲哚哢唑環、二噻吩基苯環、環氧環、氮丙啶環、硫雜丙環、氧雜環丁烷環、氮雜環丁烷環、硫雜環丁烷環、四氫呋喃環、二氧雜環戊烷環、吡咯烷環、吡唑烷環、咪唑烷環、惡唑烷環、四氫噻吩環、環丁碸環、噻唑烷環、ε-己內酯環、ε-己內醯胺環、呱啶環、六氫噠嗪環、六氫嘧啶環、呱嗪環、嗎啉環、四氫吡喃環、1,3-二惡烷環、1,4-二惡烷環、三惡烷環、四氫噻喃環、硫代嗎啉環、硫代嗎啉-1、1,1-二氧化物環、吡喃糖環、二氮雜雙環[2,2,2]-辛環、吩惡嗪環、吩噻嗪環、二惡英(Oxanthrene)環、噻噸環、吩噻環。
作為R1或R3可具有的取代基，例如可列舉碳原子數1以上12以下的烷基、碳原子數1以上12以下的烷氧基、碳原子數1以上12以下的環氧烷基、芳香族基、羥基、羧基、氟、氯、溴、碘等鹵素、醛基、氨基、碳原子數3以上8以下的環烷基等，優選羥基、羧基。
導電性高分子具有的結構單元(1)及(2)的個數沒有特別限定，優選為2以上300以下。具體而言例如為2、5、10、20、30、40、50、60、70、80、90、100、200或300，也可以在這裡例示的任意2個數值之間的範圍內。
包含在導電性高分子中的結構單元(1)及(2)的含有比率可通過以通式(5)表示的噻吩衍生物與醛的添加量之比而調整。噻吩衍生物與醛的添加量的摩爾比(噻吩衍生物/醛)例如為1/1、2/1、3/1、4/1、5/1等，也可以在這裡例示的任意2個數值之間的範圍內，但從可溶性與導電性的平衡的觀點，優選1/1~4/1的比，更優選1/1~2/1的比。
Figure 108146000-A0202-12-0012-5
作為合成導電性高分子的方法，沒有特別限定，例如可以在噻吩衍生物和醛中加入摻雜劑和氧化劑，在惰性氣體環境下的溶劑中，進行加熱攪拌並聚合而得。並且，可以加入氧化劑的分解促進劑。
相對於噻吩衍生物的摻雜劑的摩爾比(摻雜劑/噻吩衍生物)例如為0.01~0.5，優選為0.1~0.5。該摩爾比具體而言例如為0.01、0.05、0.1、0.2、0.3、0.4、0.5，也可以在這裡例示的任意2個數值之間的範圍內。若該摩爾比過小，則會有導電性高分子的導電性變得過低的情況，或者當摻雜劑為含乙烯碸基化合物時無法充分形成通過交聯的網格結構，塗膜耐濕熱性變得不充分的情況。
作為氧化劑，沒有特別限定，只要是能夠進行聚合反應的氧化劑即可，可列舉過氧二硫酸銨、過氧二硫酸鉀、過氧二硫酸鈉、氯化鐵(III)、硫酸鐵(III)、氫氧化鐵(III)、四氟硼酸鐵(III)、鐵(III)六氟磷酸鹽、硫酸銅(II)、氯化銅(II)、四氟硼酸銅(II)、六氟磷酸銅(II)以及氧代二硫酸銨、過氧化苯甲醯、過氧化月桂醯等有機過氧化物。
作為溶劑，沒有特別限定，只要是能夠使雜環化合物和醛衍生物的反應進行的溶劑即可，可列舉γ-丁內酯、碳酸亞丙酯、碳酸亞乙酯、乙腈、叔丁基甲基醚、乙酸乙酯、苯、庚烷、水、甲醇、乙醇、異丙醇、丁醇等醇系溶劑、丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮等酮系溶劑、甲基溶纖劑、乙基溶纖劑、丙二醇甲醚、丙二醇乙醚等二元醇系溶劑、乳酸甲酯、乳酸乙酯等乳酸系溶劑等。從氧化劑的效率方面考慮，優選非質子性溶劑。
1-3．添加劑
<含乙烯碸基化合物>
當導電性高分子的摻雜劑並非含乙烯碸基化合物時，作為添加劑添加含乙烯碸基化合物。含乙烯碸基化合物優選含有多個乙烯碸基的化合物。此時，通過含乙烯碸基化合物之間的反應，形成網格結構使塗膜穩定化。相對於導電性高分子組成物的不揮發成分整體的添加劑的比率優選為1~30質量%，更優選為3~20質量%。添加劑的比率具體而言例如為1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、15、20、25、30質量%，也可以在這裡例示的任意 2個數值之間的範圍內。若該比率過小，則有無法充分提高塗膜耐濕熱性的情況，若該比率過大，則有導電率變低的情況。
<多官能硫醇>
導電性高分子組成物優選含有多官能硫醇。多官能硫醇為具有多個硫醇基的化合物。由於乙烯碸基的乙烯基的反應性不高，因此有即使加熱也無法充分進行交聯反應的情況。硫醇基作為對於乙烯碸基的乙烯基邁克爾加成的親核劑發揮作用。因此，通過多官能硫醇的多個硫醇基分別與乙烯基加成反應，從而促進交聯反應的進行。
作為多官能硫醇，可列舉如四甘醇二(3-巰基丙酸酯)的2官能硫醇、如三[(3-巰基丙醯氧基)-乙基]-異氰脲酸酯、三羥甲基丙烷三(3-巰基丙酸酯)的3官能硫醇、如1,3,4,6-四(2-巰基乙基)甘脲、季戊四醇四(3-巰基丙酸酯)的4官能硫醇、如季戊四醇六(3-巰基丙酸酯)的6官能硫醇等。
多官能硫醇優選以相對於乙烯基的硫醇基的摩爾比(硫醇基/乙烯基)為0.1~10的方式添加。該摩爾比優選為0.3~3，具體而言例如為0.1、0.2、0.3、0.4、0.5、0.6、0.7、0.8、0.9、1.0、2、3、4、5、6、7、8、9、10，也可以在這裡例示的任意2個數值之間的範圍內。若該摩爾比過小，則有無法充分進行交聯反應的情況，若該摩爾比過大，則有導電性高分子的導電性下降的情況。
<鹼性化合物>
導電性高分子組成物優選不含胺化合物等鹼性化合物。這是由於鹼性化合物容易與乙烯基反應，因此鹼性化合物的添加會導致貯存穩定性下降。作為胺化合物，可列舉伯胺、仲胺、叔胺、芳香胺、雜環胺。
應予說明，若為不會對於貯存穩定性產生嚴重影響的程度，則允許添加鹼性化合物，但在此時，鹼性化合物的鹼性基團與乙烯基的摩爾比優選為(鹼性基團/乙烯基)為0.3以下，更優選為0.1以下。
<含乙烯碸基化合物以外的乙烯基化合物>
導電性高分子組成物優選不含有含乙烯碸基化合物以外的乙烯基化合物(“其他乙烯基化合物”)。這是因為由於其他乙烯基化合物在較低的溫度下進行聚合反應，因此其他乙烯基化合物的添加會導致貯存穩定性下降。
作為其他乙烯基化合物，可列舉乙烯基為1個的單官能乙烯基化合物、以及乙烯基為多個的多官能乙烯基化合物。為後者時，由於容易進行通過多個乙烯基的交聯反應，因此對於貯存穩定性的不利影響更加顯著。
對於其他乙烯基化合物來說，其他乙烯基化合物的乙烯基與含乙烯碸基化合物的乙烯基的摩爾比(其他乙烯基化合物/含乙烯碸基化合物)優選為0.3以下，更優選為0.1以下。
2．導電性高分子薄膜的製造方法
本發明的一實施方式的導電性高分子薄膜的製造方法具備薄膜形成步驟。
在薄膜形成步驟中，將在“1．導電性高分子組成物”中說明的導電性高分子組成物塗布於基材上後進行熱處理，使乙烯碸基的乙烯基交聯的同時去除溶劑，形成薄膜。
基材沒有特別限定，優選可用於電容器的基材。這是因為在電容器用途中，會要求在高溫‧高濕環境下的可靠性。
作為基材，例如可使用包含鋁、鉭、鈮或這些的合金的基材。
也可以在基材的表面形成介電層。介電層例如可由表面的氧化處理而形成。作為對基材的表面進行氧化處理的方法，沒有特別限定，例如可列舉在包含磷酸、己二酸等弱酸的水溶液中，經5~90分鐘左右施加電壓而進行陽極氧化處理的方法。
可在形成於基材表面的介電層上形成導電性高分子薄膜，形成固體電解電容器的陽極體。並且，利用該陽極體，能夠製造固體電解電容器。
塗布的方法沒有限制，可通過在基材上滴下導電性高分子組成物或者 使導電性高分子組成物含浸在基材上而進行。
熱處理在乙烯碸基的乙烯基的交聯起始溫度以上的溫度下進行。由此，開始通過熱的自由基聚合而進行交聯反應。熱處理的溫度為140~250℃，優選為140~180℃，具體而言例如為140、150、160、170、180、190、200、210、220、230、240、250℃，也可以在這裡例示的任意2個數值之間的範圍內。若該溫度過低，則無法充分進行交聯，若該溫度過高，則會容易引起塗膜的劣化等。
熱處理的時間例如為10~120分鐘，具體而言例如為10、20、30、40、50、60、70、80、90、100、110、120分鐘，也可以在這裡例示的任意2個數值之間的範圍內。若該時間過短，則無法充分進行交聯，若該溫度過高，則會容易引起塗膜的劣化或生產性下降等。
【實施例】
1．分散液的製造
‧製造例1(通式(1)+乙烯基磺酸)
在1L的燒瓶中加入碳酸丙烯酯250g、3,4-乙撐二氧噻吩(EDOT)1.7g、VSA-S(乙烯基磺酸，旭化成FINECHEM社製造)0.65g攪拌0.5小時。接著，在氮氣吹掃下，加入三對甲苯磺酸鐵(III)(Fe(PTS)3)0.02g、OFBA(鄰苯二甲醛酸)0.9g、過氧化苯甲醯(純度75質量%、日油製造)4.5g，在40℃下攪拌4小時、60℃下攪拌2小時。利用碳酸丙烯酯50g調整不揮 發成分之後，利用超聲波均質機進行處理，得到了不揮發成分1.0質量%的導電性高分子的碳酸丙烯酯分散液A。
‧製造例2(通式(1)+萘磺酸)
將製造例1的VSA-S0.65g變更為2-萘磺酸0.6g，除此之外，以相同的步驟得到了不揮發成分1.0質量%的導電性高分子的碳酸丙烯酯分散液B。
‧製造例3(通式(2)+乙烯基磺酸)
將製造例1的OFBA(鄰苯二甲醛)0.9g變更為1.8g，除此之外，以相同的步驟得到了不揮發成分1.3質量%的導電性高分子的碳酸丙烯酯分散液C。
2．實施例‧比較例的導電性高分子組成物的製造
以如下的方法製造實施例‧比較例的導電性高分子組成物。將導電性高分子組成物的概要示於表1。
【表1】
Figure 108146000-A0202-12-0019-6
‧實施例1
將分散體A直接作為實施例1的導電性高分子組成物。
‧實施例2
在5g的分散液B中作為具有多個乙烯碸基的添加劑添加0.0043g的VS-C(N，N'-三亞甲基雙[2-(乙烯基磺醯基乙醯胺)]，富士Film社製造)，將其作為將實施例2的導電性高分子組成物。
‧實施例3
在5g的分散液A中作為多官能硫醇添加0.0043g的TS-G(1,3,4,6-四(2-巰基乙基)甘脲、四國化成工業社製造)，將其作為實施例3的導電性高分子組成物。
‧實施例4
在5g的分散液B中作為具有多個乙烯碸基的添加劑添加0.0043g的VS-C(N，N’-三亞甲基雙[2-(乙烯基磺醯基乙醯胺)，富士Film社製造〕，作為多官能硫醇添加0.0040g的TEMPIC(三[(3-巰基丙醯氧基)-乙基]-異氰脲酸酯)，將其作為實施例4的導電性高分子組成物。
‧實施例5
將分散液C直接作為實施例5的導電性高分子組成物。
‧比較例1
P T2(PEDOT/PSS、Heraeus社製造)直接作為比較例1的導電性高分子組成物。
‧比較例2
將分散液B直接作為比較例2的導電性高分子組成物。
‧比較例3
在5g的分散液B中作為其他乙烯基化合物添加0.0046g的DVB960(二乙烯基苯、新日鐵住金化學社製造)，將其作為比較例3的導電性高分子組成物。
‧比較例4
在5g的分散液B中作為聚合物添加0.050g的苯基馬來醯亞胺-丙烯醯胺共聚物10wt%碳酸丙烯酯溶液，將其作為比較例4的導電性高分子組成物。
‧比較例5
在5g的分散液B中作為其他乙烯基化合物添加0.5g的4-苯乙烯磺酸水溶液1.0wt%碳酸丙烯酯溶液，將其作為比較例5的導電性高分子組成物。
‧比較例6
在5g的分散液B中作為添加劑添加0.005g的VSA-S(乙烯基磺酸，旭化成FINECHEM社製造)，將其作為比較例6的導電性高分子組成物。
3．各種評價
利用上述的實施例‧比較例的導電性高分子組成物，進行了以下示出的評價。將其結果示於表1。
各種評價具體如下。
‧液體貯存穩定性
測定導電性高分子組成物的製造後緊接著的黏度、以及經過1周之後的黏度，以以下的基準進行評價。利用A&D社製造的音叉型振動式黏度計 SV-1A測定黏度。
○：黏度的變化為20%以下
×：黏度的變化超過20%
‧塗膜耐濕熱性
在剝離板上滴下導電性高分子溶液之後進行熱處理，從而得到了2cm×2cm、膜厚5μm的塗膜。比較例1中在105℃×30分鐘的條件下進行熱處理，在其他實施例‧比較例中在150℃×30分鐘的條件下進行。
接著，在85℃/85%的環境下放置塗膜，用肉眼確認經過7日或12日之後的塗膜狀態，以以下的基準進行評價。
○：無塗膜的凸起及開裂
×：塗膜從玻璃板凸起或者在塗膜上產生開裂
並且，在85℃/85%的環境下放置塗膜前(試驗前)和在放置7天或12天之後(試驗後)，測定塗膜的導電率，基於以下的式算出導電率維持率。利用電阻率計(Loresta GP，三菱Chemical Analytech社製造)測定了導電率。
導電率維持率(%)=(試驗後的導電率/試驗前的導電率)×100
‧容量表現率
將5cm2的已完成表面化成的鉭板浸漬於13wt%的己二酸二鈉水溶液，利用LCR測試儀(電感電容電阻測試儀)測定靜電容量，算出每1cm2的靜電 容量(靜電容量1)。
在同一個鉭板上滴下導電性高分子溶液之後進行熱處理，形成2cm×2cm、膜厚約1.5μm的塗膜，接著層疊碳層、銀層製作銀原件。利用LCR測試儀測定靜電容量，算出每1cm2的靜電容量(靜電容量2)。
容量表現率由下述式算出。
容量表現率(%)=(靜電容量2/靜電容量1)×100
4．考察
將乙烯基磺酸作為摻雜劑使用的實施例1與將2-萘磺酸作為摻雜劑使用的比較例2相比，塗膜耐濕熱性優異。認為這是因為通過由乙烯基磺酸的乙烯基的交聯而使塗膜穩定化。
實施例2表示，由乙烯碸基的交聯可以通過具有多個乙烯碸基的添加劑而實現。
實施例3，4表示，通過添加成為對於乙烯碸基的麥可加成(Michael addition)的親核劑的多官能硫醇，進一步提高塗膜耐濕熱性。
如比較例3所示，當添加含乙烯碸基化合物以外的乙烯基化合物時，液貯存穩定性、塗膜耐濕熱性、容量表現率均不好。用於容量表現率的評價的鉭板的表面平滑，因此認為容量表現率不好的原因是，在比較例3中添加的二乙烯基苯的聚合物並沒有良好地分散於導電性高分子中，對導電性高分子的導電性的不良影響較大。
如比較例4所示，當作為添加劑添加聚合物而不是單體時，導電率維持率及容量表現率不好。認為容量表現率不好的原因是，在比較例4中添加的聚合物並沒有良好地分散於導電性高分子中，對導電性高分子的導電性的不良影響較大。
如比較例5所示，當添加不具有乙烯碸基但具有磺基和乙烯基兩種的化合物時，液貯存穩定性、塗膜耐濕熱性不好。
如比較例6所示，當添加具有1個乙烯碸基的化合物作為添加劑時，塗膜耐濕熱性不好。

Claims (7)

  1. 一種導電性高分子組成物，包含溶劑、以及π共軛系導電性高分子，其中，
    作為所述導電性高分子的摻雜劑或添加劑包含：含有乙烯碸基的含乙烯碸基化合物，而且
    當作為所述添加劑包含所述含乙烯碸基化合物時，所述含乙烯碸基化合物具有多個所述乙烯碸基。
  2. 根據請求項1所述的導電性高分子組成物，其中，
    所述導電性高分子在骨架中包含噻吩或其衍生物。
  3. 根據請求項1所述的導電性高分子組成物，其中，
    所述導電性高分子具有以通式(1)或通式(2)表示的結構單元中的至少1個，
    Figure 108146000-A0202-13-0001-9
    (通式(1)及(2)中，R1分別表示可具有取代基的、碳原子數1以上 12以下的烷基、碳原子數1以上12以下的烷氧基、碳原子數1以上12以下的環氧烷基、芳香族基或雜環基；R2分別為氧原子或硫原子；R3分別表示可具有氫原子、取代基的、碳原子數1以上12以下的烷基、碳原子數1以上12以下的烷氧基、碳原子數1以上12以下的環氧烷基、芳香族基或雜環基；A-為來源於摻雜劑的單陰離子；n為2以上300以下)。
  4. 根據請求項1~3中任一項所述的導電性高分子組成物，其中，
    作為所述摻雜劑包含所述含乙烯碸基化合物，所述含乙烯碸基化合物為乙烯基磺酸。
  5. 根據請求項1~3中任一項所述的導電性高分子組成物，其中，
    作為所述添加劑包含所述含乙烯碸基化合物，所述含乙烯碸基化合物以通式(3)表示，
    Figure 108146000-A0202-13-0002-10
    (通式(3)中，R為原子或原子團，R的主鏈由選自碳原子、氮原子、氧原子、及硫原子的1種或多種原子構成)。
  6. 根據請求項1~3中任一項所述的導電性高分子組成物，其中，所述導電性高分子組成物包含多官能硫醇。
  7. 根據請求項1~3中任一項所述的導電性高分子組成物，其中，所述溶劑包含沸點為140℃以上的高沸點溶劑。
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