TW202031497A - 導電性膜之製造方法 - Google Patents

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日商日東電工股份有限公司
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Abstract

本發明提供一種於形成較厚之導電層時亦可抑制樹脂膜產生褶皺的導電性膜之製造方法。 本發明之導電性膜之製造方法包括：步驟A，其係於樹脂膜之一面形成第1導電層；步驟B，其係於上述第1導電層上貼合保護膜；及步驟C，其係一面捲出上述樹脂膜一面利用濺鍍法於上述樹脂膜之另一面形成厚度80 nm以上且300 nm以下之第2導電層。

Description

導電性膜之製造方法
本發明係關於一種導電性膜之製造方法。
先前，於樹脂膜之兩面形成有導電層之導電性膜被用於軟性電路基板、電磁波屏蔽膜、平板顯示器、觸控感測器、非接觸式IC(integrated circuit，積體電路)卡、太陽能電池等(例如，專利文獻1)。導電性膜之主要功能係導電，設置於高分子膜之表面之導電層之組成或厚度係以獲得符合用途目的之導電性之方式適宜選擇。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2011-82848號公報
[發明所欲解決之問題]
為了實現近年之器件之高功能化或用途擴大，有時要求導電層之低電阻化。通常，導電層之低電阻化可藉由至少一者之導電層之厚度之增大來達成。然而，利用濺鍍法形成較厚之導電層時，有時會於樹脂膜產生褶皺，其成為使生產性或可靠性降低之原因之一。
本發明之目的在於提供一種於形成相對較厚之導電層時亦可抑制樹脂膜產生褶皺的導電性膜之製造方法。 [解決問題之技術手段]
本發明者等人為了解決上述課題而進行了努力研究，結果發現藉由採用下述構成，可達成上述目的，從而完成了本發明。
本發明之一實施形態中係關於一種導電性膜之製造方法，其包括： 步驟A，其係於樹脂膜之一面形成第1導電層； 步驟B，其係於上述第1導電層上貼合保護膜；及 步驟C，其係一面捲出上述樹脂膜一面利用濺鍍法於上述樹脂膜之另一面形成厚度80 nm以上且300 nm以下之第2導電層。
該製造方法中，於形成於樹脂膜之一面之第1導電層上貼合保護膜後，於樹脂膜之另一面形成較厚之第2導電層。可謂，藉由使保護膜作為第2導電層形成時之樹脂膜之補強材料而發揮作用，能夠抑制樹脂膜產生褶皺。
較佳為於上述步驟A中，利用濺鍍法形成上述第1導電層。能夠有效率地形成均質之導電層。又，能夠利用捲對捲(roll to roll)法連續地進行步驟A至步驟C，能夠實現良率之提高。
較佳為上述第1導電層厚度為80 nm以上且300 nm以下。藉此兩面均能夠形成較厚之導電層，能夠達成導電性膜之低電阻化或高功能化。
較佳為上述保護膜之厚度為20 μm以上且200 μm以下。藉由將保護膜之厚度設為該範圍，能夠維持處理性，並且發揮充分之樹脂膜補強性。
較佳為於上述步驟C中，上述濺鍍法中之下述式所示之總功率密度為1500 kW/m2 以下。 總功率密度=N×T×P (式中，N為步驟重複次數，T為每1步驟之靶數，P為每1個靶之功率密度[kW/m2 ])。
藉由將步驟C之濺鍍時之總功率密度設為特定值以下，能夠減少對樹脂膜之負載，從而以更高之水準抑制褶皺之產生。又，於形成較厚之導電層時，可採用進行少次之高功率密度下之濺鍍之程序、或進行多次之低功率密度下之濺鍍之程序。無論採用何種程序，藉由將由上述式求出之總功率密度控制為特定範圍，均能夠抑制樹脂膜之褶皺，並且生產效率良好地製造導電性膜。
較佳為於上述步驟C中，上述樹脂膜之MD方向上之拉伸應力為1 MPa以上。藉由於第2導電層形成時於樹脂膜之MD方向上負載特定之拉伸應力，能夠進一步減少樹脂膜產生褶皺。
以下參照圖式對本發明之導電性膜之製造方法之實施形態進行說明。但是，於圖之一部分或全部中，省略說明不需要之部分，而且存在為了容易說明進行放大或縮小等來圖示之部分。表示上下等位置關係之用語僅僅係為了容易進行說明而使用，完全沒有意圖限定本發明之構成。
≪第1實施形態≫ ＜導電性膜之製造方法＞ 本實施形態之導電性膜之製造方法包括：於樹脂膜之一面形成第1導電層之步驟A；於上述第1導電層上貼合保護膜之步驟B；及一面捲出上述樹脂膜一面利用濺鍍法於上述樹脂膜之另一面形成厚度80 nm以上且300 nm以下之第2導電層之步驟C。
圖1係藉由本實施形態之導電性膜之製造方法獲得之導電性膜的模式剖視圖。圖1所示之導電性膜100具備：樹脂膜1、形成於樹脂膜1之一面之第1導電層21、及形成於樹脂膜1之另一面之第2導電層22(以下，於不區分第1導電層與第2導電層之情形時，有時簡稱為「導電層」)。進而，本實施形態中，於第1導電層21之與樹脂膜1相反之側配置有第1保護膜31，於第2導電層22之與樹脂膜1相反之側配置有第2保護膜32(以下，於不區分第1保護膜與第2保護膜之情形時，有時簡稱為「保護膜」)。
《步驟A》 步驟A中，於樹脂膜1之一面形成第1導電層21。
(樹脂膜) 作為樹脂膜1，只要能夠確保絕緣性，則無特別限制，可使用各種塑膠膜。作為樹脂膜之材料，可例舉聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚對苯二甲酸丁二酯(PBT)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)等聚酯系樹脂、聚醯亞胺(PI)等聚醯亞胺系樹脂、聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)等聚烯烴系樹脂、乙酸酯系樹脂、聚醚碸系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、聚醯胺系樹脂、環烯烴系樹脂、(甲基)丙烯酸系樹脂、聚氯乙烯系樹脂、聚偏二氯乙烯系樹脂、聚苯乙烯系樹脂、聚乙烯醇系樹脂、聚芳酯系樹脂、聚苯硫醚系樹脂等。該等之中，就耐熱性、耐久性、柔軟性、生產效率、成本等觀點而言，較佳為聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)等聚酯系樹脂、聚醯亞胺(PI)等聚醯亞胺系樹脂。尤其是就成本績效之觀點而言，較佳為聚對苯二甲酸乙二酯(PET)。
對於樹脂膜，亦可對表面預先實施濺鍍、電暈放電、火焰、紫外線照射、電子束照射、化成、氧化等蝕刻處理或底塗處理，以保障與形成於樹脂膜上之導電層之密接性。又，於形成導電層前，亦可根據需要藉由溶劑清洗或超音波清洗等對樹脂膜表面進行除塵、淨化。
樹脂膜之厚度較佳為2～300 μm之範圍內，更佳為10～250 μm之範圍內，進而較佳為20～200 μm之範圍內。通常，樹脂膜之厚度較厚時不易受到加熱時之熱收縮等之影響，故而較理想。但是，由於電子零件等之小型化，較理想為樹脂膜之厚度亦進行某種程度之減薄。另一方面，若樹脂膜之厚度過薄，則樹脂膜之透濕性或透過性上升，會使水分或氣體等透過，導電層容易被氧化。因此，本實施形態中，藉由使樹脂膜之厚度具有某種程度之厚度並且減薄，導電性膜自身亦能夠減薄，從而能夠抑制用於電磁波屏蔽片或感測器等之情形時之厚度。因此，能夠應對電磁波屏蔽片或感測器等之薄型化。進而，若樹脂膜之厚度為上述之範圍內，則能夠確保樹脂膜之柔軟性，並且機械強度充分，從而能夠實現使膜成為捲狀並連續地形成基底層或導電層之操作。
(第1導電層) 對於設置於樹脂膜1之一面側之第1導電層21，為了充分獲得電磁波屏蔽效果或感測器功能等，電阻率較佳為100 μΩcm以下。作為第1導電層21之構成材料，只要滿足此種電阻率並具有導電性，則無特別限定，例如可適當地使用Cu、Al、Fe、Cr、Ti、Si、Nb、In、Zn、Sn、Au、Ag、Co、Cr、Ni、Pb、Pd、Pt、W、Zr、Ta、Hf、Mo、Mn、Mg、V等金屬。又，亦可使用含有該等金屬中之2種以上之物質、或以該等金屬為主成分之合金或氧化物等。該等導電性化合物中，就有助於電磁波屏蔽特性或感測器功能之導電率較高、價格較低之觀點而言，較佳為包含Cu、Al。尤其是就成本績效及生產效率之觀點而言，較佳為包含Cu，亦可以雜質程度包含Cu以外之元素。藉此，電阻率足夠小，導電率較高，因此能夠提高電磁波屏蔽特性或感測器功能。
第1導電層21之厚度較佳為10 nm以上且300 nm以下。第1導電層21之厚度之下限值更佳為20 nm，進而較佳為80 nm。另一方面，第1導電層21之厚度之上限值更佳為260 nm，進而較佳為240 nm。若第1導電層21之厚度超過上述上限值，則加熱後之導電性膜容易產生捲曲，或器件之薄型化變困難。若厚度小於上述下限值，則於加濕熱條件下導電性膜之表面電阻值容易高電阻化而無法獲得目標加濕熱可靠性，或者產生導電層之強度之降低所導致之圖案配線之剝離。
第1導電層21之形成方法並無特別限定，可採用先前公知之方法。具體而言，例如，就膜厚之均勻性或成膜效率之觀點而言，較佳為藉由濺鍍法或化學氣相沈積法(CVD)、物理氣相沈積法(PVD)等真空成膜法、離子鍍法、鍍覆法(電解鍍覆、無電解鍍覆)、熱燙印法、塗佈法等進行成膜。又，可組合複數種該等製膜方法，亦可根據所需膜厚採用適宜之方法。其中，較佳為濺鍍法、真空成膜法，尤佳為濺鍍法。藉此，能夠藉由捲對捲製法連續生產而提高生產效率，並且能夠控制成膜時之膜厚，因此能夠抑制導電性膜之表面電阻值之上升。又，能夠較薄且膜厚均勻地形成緻密之導電層。於採用捲對捲製法一面連續地捲出膜一面進行真空成膜(尤其是濺鍍成膜)之情形時，可適當地採用後述之第2導電層之形成方法。
(保護層) 例如為了防止第1導電層21受大氣中之氧之影響而自然氧化，可於第1導電層21之最表面側形成保護層(未圖示)。保護層代表性地可藉由於第1導電層21形成用之金屬材料源(靶)之下游安裝保護層形成用之靶並進行濺鍍成膜而形成。
保護層只要表現出防止第1導電層21之生銹之效果，則無特別限定，較佳為能夠濺鍍之金屬，可使用選自由Ni、Cu、Ti、Si、Zn、Sn、Cr、Fe、銦、鎵、銻、鋯、鎂、鋁、金、銀、鈀、鎢所組成之群中之任1種以上之金屬或該等之氧化物。Ni、Cu、Ti由於會形成鈍化層，因此不易被腐蝕，Si由於會提高耐腐蝕性，因此不易被腐蝕，Zn、Cr由於會於表面形成緻密之氧化覆膜，因此為不易被腐蝕之金屬，故而較佳。
作為保護層之材料，就保障與第1導電層21之密接性而確實地防止第1導電層21之生銹之觀點而言，可使用包含2種金屬之合金，較佳為包含3種以上之金屬之合金。作為包含合金3種以上之金屬之合金，可例舉Ni-Cu-Ti、Ni-Cu-Fe、Ni-Cu-Cr等，就防銹功能及生產效率之觀點而言，較佳為Ni-Cu-Ti。再者，就保障與第1導電層21之密接性之觀點而言，較佳為包含第1導電層21之形成材料之合金。藉此，能夠確實地防止第1導電層21之氧化。
又，作為保護層之材料，例如亦可包含銦摻雜氧化錫(ITO)、含有銻之氧化錫(ATO)、鋁摻雜氧化鋅(AZO)、鎵摻雜氧化鋅(GZO)、銦摻雜氧化鋅(IZO)。由於不僅抑制導電性膜之初期之表面電阻值之上升，而且能夠抑制加濕熱條件下之表面電阻值之上升，能夠使表面電阻值之穩定化最佳，故而較佳。
上述金屬之氧化物較佳為SiOx(x=1.0～2.0)、氧化銅、氧化銀、氧化鈦等氧化物。再者，代替上述之金屬、合金、氧化物等，於第1導電層21上形成如丙烯酸系樹脂或環氧系樹脂之樹脂層，藉此亦能夠帶來防銹效果。
保護層之膜厚較佳為1～50 nm，更佳為2～30 nm，較佳為3～20 nm。藉此，耐久性提高，能夠防止自表面層氧化，因此能夠抑制於加濕熱條件下之表面電阻值上升。
《步驟B》 步驟B中，於第1導電層21上貼合第1保護膜31。較佳為於第1導電層21剛成膜後(於與第1導電層之成膜生產線相同之生產線內)貼合第1保護膜31。藉此能夠減少第1導電層21之氧化或劃傷等。
(保護膜) 第1保護膜31之與第1導電層21相接之側之面具有黏著性。作為第1保護膜31之材質及結構，並無特別限定，較理想為具有含有聚烯烴系樹脂之基材層及含有熱塑性彈性體之黏著層。作為形成黏著層之材料，亦可使用能夠再剝離之丙烯酸系黏著劑等公知之黏著劑。
形成上述基材層之聚烯烴系樹脂並無特別限制，例如可例示聚丙烯或包含丙烯成分及乙烯成分之嵌段系、無規系等丙烯系聚合物；低密度、高密度、線性低密度聚乙烯等乙烯系聚合物；乙烯-α烯烴共聚物等烯烴系聚合物、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-甲基丙烯酸甲酯共聚物等乙烯成分與其他單體之烯烴系聚合物等。該等聚烯烴系樹脂可單獨使用1種或使用2種以上。
上述基材層1含有烯烴系樹脂作為主成分，但出於防止劣化等目的，例如亦可適宜調配抗氧化劑、紫外線吸收劑、受阻胺系光穩定劑等光穩定劑、抗靜電劑、以及例如氧化鈣、氧化鎂、二氧化矽、氧化鋅、氧化鈦等填充劑、顏料、防孔口積脂劑、潤滑劑、抗黏連劑等添加劑。
基材層1之厚度並無特別限制，較佳為20 μm以上且200 μm以下，更佳為30 μm以上且150 μm以下，進而較佳為40 μm以上且100 μm以下。又，基材層1可為單層，亦可包含兩層以上之多層。
再者，對於基材層1之與黏著層附設面相反之面，亦可根據需要實施例如電暈放電處理、火焰處理、電漿處理、濺鍍蝕刻處理、底漆等底塗處理等表面處理。
作為形成黏著層2之熱塑性彈性體，可無特別限制地使用苯乙烯系彈性體、胺基甲酸酯系彈性體、酯系彈性體、烯烴系彈性體等用作黏著劑之基礎聚合物之彈性體。更具體而言，可例舉苯乙烯・丁二烯・苯乙烯(SBS)、苯乙烯・異戊二烯・苯乙烯(SIS)、苯乙烯・乙烯-丁烯共聚物・苯乙烯(SEBS)、苯乙烯・乙烯-丙烯共聚物・苯乙烯(SEPS)等A-B-A型嵌段聚合物；苯乙烯・丁二烯(SB)、苯乙烯・異戊二烯(SI)、苯乙烯・乙烯-丁烯共聚物(SEB)、苯乙烯・乙烯-丙烯共聚物(SEP)等A-B型嵌段聚合物；苯乙烯・丁二烯橡膠(SBR)等苯乙烯系無規共聚物；苯乙烯・乙烯-丁烯共聚物・烯烴結晶(SEBC)等A-B-C型之苯乙烯・烯烴結晶系嵌段聚合物；烯烴結晶・乙烯-丁烯共聚物・烯烴結晶(CEBC)等C-B-C型之烯烴結晶系嵌段聚合物；乙烯-α烯烴、乙烯-丙烯-α烯烴、丙烯-α烯烴等烯烴系彈性體、以及該等之氫化物等。該等熱塑性彈性體可單獨使用1種或使用2種以上。
於黏著層2之形成時，出於黏著特性之控制等目的，可根據需要於上述熱塑性彈性體中適宜調配例如軟化劑、烯烴系樹脂、聚矽氧系聚合物、液態丙烯酸系共聚物、磷酸酯系化合物、黏著賦予劑、防老化劑、受阻胺系光穩定劑、紫外線吸收劑、以及例如氧化鈣、氧化鎂、二氧化矽、氧化鋅、氧化鈦等填充劑或顏料等添加劑。
黏著層2之厚度並無特別限定，根據所要求之密接力等適宜決定即可，通常為0.1～50 μm左右，較佳為0.2～40 μm，進而較佳為0.3～20 μm。
再者，對於黏著層2之表面，亦可根據需要實施例如電暈放電處理、紫外線照射處理、火焰處理、電漿處理或濺鍍蝕刻處理等以黏著性之控制或貼附操作性等為目的之表面處理。進而，亦可根據需要於供於實用之前之期間於黏著層2暫時黏貼隔離膜等進行保護。
又，可根據需要於基材層之與黏著層之附設面相反之面形成用於賦予離型性之離型層。離型層可藉由將基材層及黏著層一起共擠出而形成，亦可藉由塗佈而形成。
藉由共擠出形成離型層時，較佳為使用包含2種以上之聚烯烴系樹脂之混合物而形成。其原因在於，藉由使用包含2種以上之聚烯烴系樹脂之混合物，控制2種聚烯烴系樹脂之相容性，藉此形成適度之表面粗糙度，賦予適度之離型性。藉由共擠出形成離型層時，其厚度通常為1～50 μm左右，較佳為2～40 μm，進而較佳為3～20 μm。
作為藉由塗佈形成離型層時之離型劑，可無特別限制地使用能夠賦予離型性者。例如，作為離型劑，可例舉包含聚矽氧系聚合物或長鏈烷基系聚合物之離型劑。離型劑可為無溶劑型、溶解於有機溶劑而成之溶劑型、於水中乳化之乳化型中之任意型，溶劑型、乳化型之離型劑能夠穩定地將離型層3附設於基材層1。此外，作為離型劑，可例舉紫外線硬化型之離型劑等。作為離型劑之具體例，可獲取Peeloil(一方社油脂公司製造)、Shin-Etsu Silicone(信越化學工業公司製造)等。
離型層3之厚度並無特別限定，如上所述，就於薄膜化形成時污染減少效果較大之方面而言，通常較佳為1～1000 nm左右，進而較佳為5～500 nm，尤佳為10～100 nm。
《步驟C》 步驟C中，一面捲出樹脂膜1一面利用濺鍍法於樹脂膜1之另一面形成厚度80 nm以上且300 nm以下之第2導電層。藉此，保護膜31作為第2導電層22形成時之樹脂膜1之補強材料而發揮作用，藉此能夠抑制樹脂膜1之褶皺之產生。根據第2導電層之厚度，作為濺鍍步驟之步驟C不限於1次，亦可進行2次以上之複數次。以下，對第2導電層之性狀及利用濺鍍法之成膜步驟進行說明。
第2導電層22之構成材料或電阻率可適當地採用與第1導電層21相同者。
就低電阻化及薄型化之觀點而言，第2導電層22之厚度為80 nm以上且300 nm以下。第2導電層22之厚度之下限值較佳為90 nm，更佳為100 nm。另一方面，第2導電層22之厚度之上限值較佳為280 nm，更佳為250 nm。再者，兩面之導電層之厚度相互可相同亦可不同。
第1導電層21之厚度與第2導電層22之厚度之差之絕對值較佳為5 nm以下，更佳為3 nm以下。藉由使兩面之導電層之厚度相互接近，於導電層產生之應力被抵消，能夠防止導電性膜之捲曲或導電層之剝離等。
(成膜裝置之構成) 第2導電層22較佳為藉由捲對捲法一面捲出樹脂膜1一面進行成膜。利用捲對捲法之第2導電層之成膜係使用如圖2中模式地表示之捲取式之真空成膜裝置300而進行。真空成膜裝置300具備捲出輥301及捲取輥302，於捲出輥301與捲取輥302之間之膜搬送路徑中具備成膜輥310及搬送輥303、304。再者，搬送輥之數量並無特別限定。各搬送輥可為自由旋轉式，亦可為驅動旋轉式。就控制成膜部位之MD方向上之拉伸應力之觀點而言，較佳為成膜輥310與捲取輥302之間之搬送輥之至少1根為驅動旋轉輥。又，亦可於捲出輥301與成膜輥310之間配置有驅動旋轉輥。再者，成膜部位之MD方向上之拉伸應力係指成膜輥與於膜之搬送路徑上最接近成膜輥之驅動輥之間之張力。驅動輥可為單獨之驅動旋轉輥，亦可為以2根輥為1對而夾持膜之夾持輥。
進而，就控制成膜部位之拉伸應力之觀點而言，真空成膜裝置較佳為於搬送路徑具備張力傳感輥(tension pick-up roll)或鬆緊調節輥(dancer roll)等拉伸應力檢測構件。又，就使膜之搬送穩定之觀點而言，較佳為具有拉伸應力控制機構，且能夠進行控制以使成膜部位之拉伸應力固定之構成。拉伸應力控制機構為以如下方式進行反饋之機構：由張力傳感輥等拉伸應力檢測構件檢測到之拉伸應力比設定值高之情形時，減小位於較拉伸應力檢測構件更靠搬送路徑之下游側之驅動旋轉輥之周速，於拉伸應力比設定值低之情形時，增大驅動旋轉輥之周速。
就對成膜部位之拉伸應力與捲取輥302之膜捲取應力進行獨立控制之觀點而言，較佳為於成膜輥310與捲取輥302之間之膜搬送路徑具備張力截止(tension cut)構件。又，就對成膜部位之拉伸應力與來自捲出輥301之捲出應力進行獨立控制之觀點而言，較佳為於捲出輥301與成膜輥310之間之膜搬送路徑具備張力截止構件。
作為張力截止構件，除了夾持輥以外，還可使用吸輥(Suction roll)、或以使膜搬送路徑成為S字狀之方式配置之輥組等。進而較佳為於張力截止構件與捲取輥302之間之搬送路徑配置張力傳感輥等適宜之拉伸應力檢測構件，並藉由適宜之拉伸應力控制機構調整捲取輥302之旋轉轉矩以使捲取應力為固定。如此，藉由對成膜部位之拉伸應力與捲取應力及/或捲出應力進行獨立控制，可抑制捲取應力小導致之捲狀態之不良、或捲取應力大導致之膜之黏連等不良情況之產生。
成膜輥310較佳為可進行溫度調節地構成。作為對輥進行溫度調節之構件，可例舉可使熱媒(及冷媒)於輥內部循環之構成、於輥內具備電加熱器等加熱構件之構成、可利用紅外線加熱器等加熱構件自輥之外部對輥表面進行加熱之構成等。於成膜輥之附近安裝靶320，自該靶320氣化之金屬原子堆積於基材上，藉此進行成膜。靶320之數量並無特別限定，可考慮導電層之膜質或生產性而適宜設定，可如圖2所示般為1個，亦可為複數個。於使用複數個靶之情形時，自生產線之上游朝向下游依序設置即可。
(成膜條件) 樹脂膜1、第1導電層21、及保護膜31之積層體L自捲出輥301被捲出，經由複數個搬送輥303、304及成膜輥310，以不鬆弛之方式連續地搬送。於成膜輥310上真空成膜有第2導電層22之導電性膜100被捲取於捲取輥302。
成膜部位之樹脂膜1之MD方向上之拉伸應力較佳為1 MPa以上，更佳為1 MPa以上且3 MPa以下，進而較佳為1.5 MPa以上且2.5 MPa以下。藉由將拉伸應力設為上述範圍，能夠抑制褶皺之產生。若上述拉伸應力過小，則容易產生褶皺，若過大，則有導致樹脂膜1自身之變形之虞。
第2導電層22成膜時之成膜輥310之溫度較佳為40℃～150℃，更佳為50℃～140℃，進而較佳為60℃～130℃。推測若成膜輥之溫度過低，則樹脂膜1之與成膜輥之接觸面側與成膜面側之溫度差變大，即膜厚度方向之溫度分佈變大，因此於樹脂膜1容易產生褶皺。另一方面，推測若成膜輥之溫度過高，則於成膜輥上之膜之熱變形變大，因此容易產生褶皺。
其他成膜條件並無特別限定，例如於利用濺鍍法將包含銅之第1導電層21成膜之情形時，較佳為使用銅(較佳為無氧銅)作為靶，首先，將濺鍍裝置內之真空度(極限真空度)排氣至較佳為1×10-3 Pa以下，形成去除了濺鍍裝置內之水分或由樹脂膜產生之有機氣體等雜質之氛圍。
於如此進行了排氣之濺鍍裝置內導入Ar等惰性氣體，一面於賦予上述範圍之拉伸應力下搬送樹脂膜，一面將成膜輥溫度調整為上述範圍之溫度，於減壓下進行濺鍍成膜。成膜時之壓力較佳為0.05 Pa～1.0 Pa，更佳為0.1 Pa～0.7 Pa。若成膜壓力過高，則有成膜速度降低之傾向，反之，若壓力過低，則有放電變得不穩定之傾向。
膜之搬送速度及每1個靶之功率密度可考慮導電層之膜質或膜厚、生產效率等而進行設定。膜之搬送速度較佳為2 m/min以上且20 m/min以下，更佳為3 m/min以上且18 m/min以下。又，每1個靶之功率密度較佳為20 kW/m2 以上且100 kW/m2 以下，更佳為25 kW/m2 以上且90 kW/m2 以下。
步驟C中，濺鍍法中之下述式所示之總功率密度較佳為1500 kW/m2 以下，更佳為1200 kW/m2 以下。 總功率密度=N×T×P (式中，N為步驟重複次數，T為每1步驟之靶數，P為每1個靶之功率密度[kW/m2 ])
藉由將步驟C之濺鍍時之總功率密度設為特定值以下，對樹脂膜之負載減少，能夠以更高之水準抑制褶皺之產生。又，於形成較厚之導電層時，可採用進行少次之高功率密度下之濺鍍之程序、或進行多次之低功率密度下之濺鍍之程序。無論為何種程序，藉由將由上述式求出之總功率密度控制為特定範圍，均能夠抑制樹脂膜之褶皺，並且生產效率良好地製造導電性膜。若考慮生產性，則較佳為80 kW/m2 以上，更佳為100 kW/m2 以上。
《步驟D》 本實施形態中，繼步驟C後，亦可進而包括於第2導電層22上貼合第2保護膜32之步驟D。作為第2保護膜32，可適當地採用與第1保護膜31相同之構成之保護膜。與第1保護膜31之貼合同樣地，就減少第2導電層22之氧化或劃傷等之方面而言，較佳為於第2導電層22剛成膜後(於與第2導電層之成膜生產線相同之生產線內)貼合第2保護膜32。藉由經過該步驟D，能夠製造於樹脂膜之兩面依序積層有導電層及保護膜之附保護膜之導電性膜。
再者，於將導電性膜組入至各種器件時，通常根據用途將單面或兩面之保護膜剝離而使用。
(導電性膜) 導電性膜100之初期之表面電阻值R1較佳為0.001 Ω/□～10.0 Ω/□，更佳為0.01 Ω/□～7.5 Ω/□，進而較佳為0.1 Ω/□～5.0 Ω/□。藉此能夠提供生產效率優異之實用之導電性膜。
導電性膜100整體之厚度較佳為2～300 μm之範圍內，更佳為10～250 μm之範圍內，進而較佳為20～200 μm之範圍內。藉此，能夠實現導電性膜之低電阻化，並且其自身亦能夠減薄，能夠抑制用於電磁波屏蔽片或感測器等時之厚度。因此，能夠應對電磁波屏蔽片或感測器等之薄型化。進而，若導電性膜之厚度為上述之範圍內，則能夠確保柔軟性，並且機械強度充分，使膜成為捲狀並連續地形成含Si層或導電層等之操作變得容易，生產效率提高。
就搬送性或處理性之觀點而言，導電性膜亦可捲繞成捲狀。藉由利用捲對捲法於樹脂膜連續地形成基底層、導電層，能夠效率良好地製造導電性膜。
(導電性膜之用途) 導電性膜可應用於各種用途，例如可應用於電磁波屏蔽片或面狀感測器等。電磁波屏蔽片使用了導電性膜，能夠以觸控面板等形態適當地使用。上述電磁波屏蔽片之厚度較佳為20～200 μm。再者，於貼合有保護膜之情形時，可將保護膜剝離後使用。
又，電磁波屏蔽片之形狀並無特別限定，可根據要設置之對象物之形狀等，選擇自積層方向(與片之厚度方向相同之方向)觀察到之形狀為方形形狀、圓形形狀、三角形形狀、多邊形形狀等適宜之形狀。
面狀感測器使用了導電性膜，除了用於移動設備之觸控面板或控制器等使用者界面用途之外，還包括對各種物理量等進行感測之感測器。上述面狀感測器之厚度較佳為20～200 μm。
≪第2實施形態≫ (基底層) 本實施形態中，導電性膜100可於樹脂膜1與第1導電層21之間、及樹脂膜1與第2導電層22之間之任一處具備基底層(未圖示)。藉由設置對應導電層對樹脂膜之密接性或對導電性膜之強度賦予、電特性之控制等目的之基底層，能夠實現導電性膜之高功能化。作為基底層，並無特別限定，可例舉易接著層、硬塗層(包含作為抗黏連層等發揮功能之層)、介電層等。
(易接著層) 易接著層為接著性樹脂組合物之硬化膜。易密接層對導電層具有良好之密接性。
作為接著性樹脂組合物，可無特別限制地使用作為易密接層形成後之硬化膜具有充分之接著性及強度者。作為使用之樹脂，可例舉熱硬化型樹脂、熱塑型樹脂、紫外線硬化型樹脂、電子束硬化型樹脂、二液混合型樹脂、及該等之混合物等，該等之中，能夠藉由利用紫外線照射之硬化處理，藉由簡單之加工操作效率良好地形成易密接層之紫外線硬化型樹脂較為適當。藉由包含紫外線硬化型樹脂，容易獲得具有紫外線硬化性之接著性樹脂組合物。
作為接著性樹脂組合物，較佳為於硬化時形成交聯結構之材料。原因在於推測，若易密接層中之交聯結構得到促進，則至此鬆散之膜內部結構變得堅固，膜強度提高。如此之膜強度之提高有助於密接性之提高。
接著性樹脂組合物較佳為包含(甲基)丙烯酸酯單體及(甲基)丙烯酸酯低聚物中之至少1種。藉此，起因於丙烯醯基中包含之C=C雙鍵之交聯結構之形成變得容易，能夠有效率地實現膜強度之提高。再者，本說明書中，(甲基)丙烯酸酯係指丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯。
本實施形態中使用之作為主成分之具有(甲基)丙烯醯基之(甲基)丙烯酸酯單體及/或丙烯酸酯低聚物具有形成塗膜之作用，具體而言，可例舉三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、環氧乙烷改性三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、環氧丙烷改性三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷四(甲基)丙烯酸酯、異氰脲酸三(丙烯醯氧基乙基)酯、己內酯改性異氰脲酸三(丙烯醯氧基乙基)酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、烷基改性二季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、烷基改性二季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、烷基改性二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯、己內酯改性二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、及該等之2種以上之混合物。
上述之(甲基)丙烯酸酯中，就耐磨耗性、硬化性之方面而言，尤佳為季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯、或該等之混合物。
又，亦可使用聚胺基甲酸酯丙烯酸酯低聚物。對於聚胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯低聚物，可例舉：使多元醇與多異氰酸酯反應後，使具有羥基之(甲基)丙烯酸酯與之反應之方法；使多異氰酸酯與具有羥基之(甲基)丙烯酸酯反應後，使多元醇與之反應之方法；使多異氰酸酯、多元醇、具有羥基之(甲基)丙烯酸酯反應之方法等，並無特別限定。
作為多元醇，例如可例舉聚乙二醇、聚丙二醇、聚四亞甲基醚二醇及該等之共聚物、乙二醇、丙二醇、1,4-丁二醇、2,2'-硫代二乙醇等。
作為多異氰酸酯，例如可例舉異佛爾酮二異氰酸酯、2,4-甲苯二異氰酸酯、2,6-甲苯二異氰酸酯、間苯二異氰酸酯、對苯二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯、三甲基六亞甲基二異氰酸酯、4,4'-二苯基甲烷二異氰酸酯、氫化二苯基甲烷二異氰酸酯、1,3-苯二甲基二異氰酸酯、1,4-苯二甲基二異氰酸酯等。
若交聯密度過高，則作為底漆之性能降低，導電層密接性容易降低，因此亦可使用具有羥基之低官能(甲基)丙烯酸酯(以下，稱為含羥基(甲基)丙烯酸酯)。作為含羥基(甲基)丙烯酸酯，例如可例舉(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、1,4-環己烷二甲醇單(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸2-羥基-3-苯氧基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基-3-丙烯醯氧基丙酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯等。上述之(甲基)丙烯酸酯單體成分及/或(甲基)丙烯酸酯低聚物成分可單獨使用，亦可使用2種以上。
本實施形態之具有紫外線硬化性之接著性樹脂組合物藉由調配含(甲基)丙烯醯基之矽烷偶合劑而提高抗黏連性。作為含(甲基)丙烯醯基之矽烷偶合劑，可例舉3-丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基甲基二甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基甲基二乙氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基三乙氧基矽烷等，作為市售品，可例舉KR-513、KBM-5103(信越化學股份有限公司製造，商品名)。
矽烷偶合劑之調配量相對於上述(甲基)丙烯酸酯單體及/或(甲基)丙烯酸酯低聚物100重量份設為0.1重量份～50重量份、更佳為1～20重量份。若為該範圍，則與導電層之密接性提高，能夠維持塗膜物性。
本實施形態之易密接層亦可包含奈米二氧化矽微粒子。作為奈米二氧化矽微粒子，可使用由烷基矽烷合成之有機二氧化矽溶膠或利用電漿弧合成之奈米二氧化矽。作為市售品，為前者時，可例舉PL-7-PGME(扶桑化學製造，商品名)，為後者時，可例舉SIRMIBK15WT%-M36(CIK NanoTek製造，商品名)等。奈米二氧化矽微粒子之調配比率相對於上述具有(甲基)丙烯醯基之(甲基)丙烯酸酯單體及/或丙烯酸酯低聚物與矽烷偶合劑之總重量100重量份，較佳為5～30重量份，更佳為5～10重量份。藉由設為下限以上，而形成表面凹凸，能夠賦予抗黏連性，能夠實現利用捲對捲(roll to roll)之生產。藉由設為上限以下，能夠防止與導電層之密接性之降低。
奈米二氧化矽微粒子之平均粒徑較佳為100～500 nm。若平均粒徑未達100 nm，則於表面形成凹凸所需之添加量變多，因此無法獲得與導電層之密接性，相對於此，若超過500 nm，則表面凹凸變大，會產生針孔之問題。
為了賦予紫外線硬化性，接著性樹脂組合物較佳為包含光聚合起始劑。作為光聚合起始劑，可例舉安息香正丁醚、安息香異丁醚等安息香醚類、苯偶醯二甲基縮酮、苯偶醯二乙基縮酮等苯偶醯縮酮類、2,2-二甲氧基苯乙酮、2,2-二乙氧基苯乙酮等苯乙酮類、1-羥基環己基苯基酮、[2-羥基-2-甲基-1-(4-伸乙基苯基)丙烷-1-酮]、2-羥基-2-甲基-1-苯基丙烷-1-酮、1-[4-(2-羥基乙氧基)苯基]-2-羥基-2-甲基-1-丙烷-1-酮、2-羥基-2-甲基-1-(4-異丙基苯基)丙烷-1-酮等α-羥基烷基苯酮類、2-甲基-1-[4-(甲硫基)苯基]-1-嗎啉基丙烷、2-苄基-2-二甲基胺基-1-(4-嗎啉基苯基)-1-丁酮等α-胺基烷基苯酮類、2,4,6-三甲基苯甲醯基二苯基氧化膦、2,4,6-三甲基苯甲醯基苯基乙氧基氧化膦等單醯基氧化膦類、雙(2,6-二甲氧基苯甲醯基)-2,4,4-三甲基戊基氧化膦、雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)苯基氧化膦等單醯基氧化膦類等。
就樹脂之硬化性、光穩定性、與樹脂之相容性、低揮發、低臭氣之方面而言，較佳為烷基苯酮系光聚合起始劑，更佳為1-羥基環己基苯基酮、2-羥基-2-甲基-1-苯基-丙烷-1-酮、(2-羥基-1-{4-[4-(2-羥基-2-甲基-丙醯基)-苄基]苯基}-2-甲基-丙烷-1-酮、1-[4-(2-羥基乙氧基)-苯基]-2-羥基-2-甲基-1-丙烷-1-酮。作為市售品，可例舉Irgacure127、184、369、651、500、891、907、2959、Darocure1173、TPO(BASF JAPAN股份有限公司製造，商品名)等。光聚合起始劑相對於具有(甲基)丙烯醯基之(甲基)丙烯酸酯單體及/或丙烯酸酯低聚物100重量份調配固形物成分3～10重量份。
於易密接層之形成時，將以分子內具有(甲基)丙烯醯基之(甲基)丙烯酸酯及/或(甲基)丙烯酸酯低聚物為主成分之接著性樹脂組合物於甲苯、乙酸丁酯、異丁醇、乙酸乙酯、環己烷、環己酮、甲基環己酮、己烷、丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮、丙二醇單甲醚、二乙醚、乙二醇等溶劑中稀釋，製備成固形物成分為30～50%之清漆。
易密接層係藉由於環烯烴系樹脂膜1上塗佈上述清漆而形成。清漆之塗佈方法可根據清漆及塗裝步驟之狀況而適時選擇，例如可藉由浸塗法、氣刀塗佈法、淋幕式塗佈法、輥塗法、線棒塗佈法、凹版塗佈法、模嘴塗佈法或擠壓塗佈法等進行塗佈。
將清漆塗佈後，使塗膜硬化，藉此能夠形成易密接層。作為具有紫外線硬化性之接著性樹脂組合物之硬化處理，於清漆包含溶劑之情形時，可例舉如下程序：利用乾燥(例如於80℃下1分鐘)之溶劑去除後，使用紫外線照射機，以500 mW/cm2 ～3000 mW/cm2 之照射強度進行工作量為50～400 mJ/cm2 之紫外線處理使其硬化。作為紫外線產生源，通常使用紫外線燈，具體而言，可例舉低壓水銀燈、高壓水銀燈、超高壓水銀燈、氙氣燈、金屬鹵化物燈等，於進行照射之情形時，可於空氣中，亦可於氮氣、氬氣等惰性氣體中。
較佳為於紫外線硬化處理時進行加熱。藉由紫外線照射，接著性樹脂組合物之硬化反應進行，同時形成交聯結構。此時藉由進行加熱，而以低紫外線量亦能夠充分促進交聯結構之形成。加熱溫度可根據交聯度而設定，較佳為50℃～80℃。加熱構件並無特別限定，可適宜採用溫風乾燥機、輻射熱乾燥機、膜搬送輥之加熱等。
作為易密接層之厚度，並無特別限定，但較佳為0.2 μm～2 μm，更佳為0.5 μm～1.5 μm，進而較佳為0.8 μm～1.2 μm。藉由將易密接層之厚度設為上述範圍，而能夠提高導電層之密接性與膜之柔軟性。
(硬塗層) 作為基底層，亦可設置硬塗層。進而，為了防止導電性膜彼此之黏連而能夠實現利用捲對捲法之製造，亦可於硬塗層中調配粒子。
硬塗層之形成中可適當地使用與易密接層相同之接著性組合物。為了賦予抗黏連性，較佳為於上述接著性組合物中調配粒子。藉此能夠於硬塗層之表面形成凹凸，能夠適當地對導電性膜100賦予抗黏連性。
作為上述粒子，可無特別限制地使用各種金屬氧化物、玻璃、塑膠等具有透明性者。例如可例舉二氧化矽、氧化鋁、二氧化鈦、氧化鋯、氧化鈣等無機系粒子、包含聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚胺基甲酸酯、丙烯酸系樹脂、丙烯酸-苯乙烯共聚物、苯并胍胺、三聚氰胺、聚碳酸酯等各種聚合物之交聯或未交聯之有機系粒子或聚矽氧系粒子等。上述粒子可適宜選擇1種或2種以上而使用。
上述粒子之平均粒徑或調配量可考慮表面凹凸之程度而適宜設定。作為平均粒徑，較佳為0.5 μm～2.0 μm，作為調配量，相對於組合物之樹脂固形物成分100重量份，較佳為0.2～5.0重量份。
(介電層) 作為基底層，亦可具備1層以上之介電層。介電層係由無機物、有機物、或無機物與有機物之混合物形成。作為形成介電層之材料，可例舉NaF、Na3 AlF6 、LiF、MgF2 、CaF2 、SiO2 、LaF3 、CeF3 、Al2 O3 、TiO2 、Ta2 O5 、ZrO2 、ZnO、ZnS、SiOx (x為1.5以上且未達2)等無機物；丙烯酸系樹脂、胺基甲酸酯樹脂、三聚氰胺樹脂、醇酸樹脂、矽氧烷系聚合物等有機物。尤其是作為有機物，較佳為使用包含三聚氰胺樹脂、醇酸樹脂及有機矽烷縮合物之混合物之熱硬化型樹脂。介電層可使用上述之材料，藉由凹版塗佈法或棒塗法等塗佈法、真空蒸鍍法、濺鍍法、離子鍍法等而形成。
介電層之厚度較佳為10 nm～250 nm，更佳為20 nm～200 nm，進而較佳為20 nm～170 nm。若介電層之厚度過小，則不易形成連續覆膜。又，若介電層之厚度過大，則有容易於介電層產生裂紋之傾向。
介電層亦可具有平均粒徑為1 nm～500 nm之奈米微粒子。介電層中之奈米微粒子之含量較佳為0.1重量%～90重量%。介電層中所用之奈米微粒子之平均粒徑如上述般較佳為1 nm～500 nm之範圍，更佳為5 nm～300 nm。又，介電層中之奈米微粒子之含量更佳為10重量%～80重量%，進而較佳為20重量%～70重量%。
作為形成奈米微粒子之無機氧化物，例如可例舉氧化矽(二氧化矽)、中空奈米二氧化矽、氧化鈦、氧化鋁、氧化鋅、氧化錫、氧化鋯、氧化鈮等微粒子。該等之中，較佳為氧化矽(二氧化矽)、氧化鈦、氧化鋁、氧化鋅、氧化錫、氧化鋯、氧化鈮之微粒子。該等可單獨使用1種，亦可併用2種以上。 [實施例]
以下，使用實施例詳細地對本發明進行說明，但本發明只要不超出其主旨，則不限定於以下之實施例。
＜實施例1、2：單面附保護膜之雙面導電性膜之製作＞ 首先，將包含寬度1.100 m、長度2500 m、表1所示之厚度之聚對苯二甲酸乙二酯膜(TORAY ADVANCED FILM股份有限公司製造，品名「150-TT00A」，以下，稱為PET膜)之長條狀樹脂膜捲繞於送出輥，設置於如圖2所示之濺鍍裝置內。其後，使濺鍍裝置內成為3.0×10-3 Torr之高真空，於該狀態下，一面將長條狀樹脂膜自送出輥送至捲取輥，一面進行濺鍍成膜。於包含Ar氣體100體積%之3.0×10-3 Torr之氛圍中，使用Cu作為金屬靶材料，藉由燒結體DC(direct current，直流)磁控濺鍍法，於單面將第1導電層濺鍍成膜，將膜捲取於送出輥，藉此製作於一面形成有導電層之單面導電性膜之捲繞體。濺鍍成膜時之生產線搬送速度、濺鍍成膜之重複次數N、每1個生產線之靶數T及每1個靶之功率密度P[kW/m2 ]採用表1所示之值。又，基於下述式算出濺鍍成膜時之總功率密度。 總功率密度=N×T×P (N為濺鍍成膜之重複次數，T為每1個生產線之靶數，P為每1個靶之功率密度[kW/m2 ])。
於製作之單面導電性膜之捲繞體之第1導電層面側貼合表1所示之厚度之保護膜(FUTAMURA CHEMICAL公司製造，「FSA020M」)之黏著層面側，製作於一面貼合有保護膜之單面附保護膜之單面導電性膜之捲繞體。
於製作之單面附保護膜之單面導電性膜之捲繞體之與保護膜配設面相反之側，於與第1導電層相同之條件下將第2導電層濺鍍成膜，藉此製作於兩面形成有導電層，於一面配設有保護膜之單面附保護膜之雙面導電性膜。再者，第1導電層及第2導電層均以表1所示之厚度進行成膜。又，實施例1中之樹脂膜之MD方向上施加之張力為290 N，由膜寬度及厚度算出之拉伸應力為1.76 MPa。
＜比較例1～4：雙面導電性膜之製作(無保護膜)＞ 藉由與實施例1相同之方法製作單面導電性膜之捲繞體。其次，於單面導電性膜之捲繞體之與第1導電層相反之側，於與第1導電層相同之條件下將第2導電層濺鍍成膜，製作於兩面形成有導電層之雙面導電性膜。再者，第1導電層及第2導電層均以表1所示之厚度成膜。又，濺鍍成膜時之生產線搬送速度、濺鍍成膜之重複次數N、每1個生產線之靶數T及每1個靶之功率密度P[kW/m2 ]採用表1所示之值。
＜參考例1：雙面導電性膜之製作(無保護膜)＞ 藉由與實施例1相同之方法製作單面導電性膜之捲繞體。其次，於單面導電性膜之捲繞體之與第1導電層相反之側，於與第1導電層相同之條件下將第2導電層濺鍍成膜，製作於兩面形成有導電層之雙面導電性膜。再者，第1導電層及第2導電層均以表1所示之厚度成膜。又，濺鍍成膜時之生產線搬送速度、濺鍍成膜之重複次數N、每1個生產線之靶數T及每1個靶之功率密度P[kW/m2 ]採用表1所示之值。
＜評價＞ 對製作之導電性膜進行以下之評價。將各者之結果示於表1。
(1)厚度之測定 導電層之厚度係使用穿透式電子顯微鏡(日立製作所製造，製品名「H-7650」)，觀察附保護膜之導電性膜之剖面而測定。
(2)褶皺之評價 對製作之附保護膜之導電性膜進行褶皺之產生之評價。自導電性膜之捲繞體拉出約10 m之長度，對導電性膜照射螢光燈，藉由目視觀察第2導電層之褶皺之有無。將未觀察到褶皺之情況評價為「○」，將觀察到褶皺之情況評價為「×」。
[表1]
   樹脂膜之厚度[μm] 金屬靶 導電層之厚度[nm] 保護膜 生產線搬送速度[m/min] 濺鍍重複數N 1個生產線中之靶數T 每1個靶之功率[kW] 每1個靶之功率密度P[kW/m2 ] 總功率密度N×T×P[kW/m2 ] 褶皺
實施例1 150 Cu 170 有 (50 μm) 7.0 1 15 11.8 52.4 786 ○
實施例2 38 Cu 200 有 (70 μm) 15 3 6 12.9 57.3 1031 ○
比較例1 150 Cu 170 無 6.5 1 15 10.9 48.4 726 ×
比較例2 188 Cu 220 無 6.5 1 15 16 71.1 1067 ×
比較例3 130 Cu 220 無 6.5 1 15 16 71.1 1067 ×
比較例4 38 Cu 200 無 15 3 6 12.9 57.3 1031 ×
參考例1 38 Cu 67 無 2 1 1 6 26.7 27 ○
(結果) 根據表1可知，於在第1導電層貼合有保護膜之狀態下形成有第2導電層之實施例中，褶皺之產生得到抑制。另一方面，可知，於無保護膜之狀態下形成有第2導電層之比較例1～4中產生了褶皺。再者，形成有厚度較小之導電層之參考例1中無褶皺之產生。藉此可知，褶皺之產生為較厚之導電層之形成時特徵性出現之現象。
1:樹脂膜 21:第1導電層 22:第2導電層 31:第1保護膜 32:第2保護膜 100:導電性膜 300:成膜裝置 301:捲出輥 302:捲取輥 303:搬送輥 304:搬送輥 310:成膜輥 320:靶
圖1係本發明之一實施形態之導電性膜之模式剖視圖。 圖2係對本發明之一實施形態之真空成膜裝置之構成進行說明之概念圖。
1:樹脂膜
21:第1導電層
22:第2導電層
31:第1保護膜
32:第2保護膜
100:導電性膜

Claims (6)

  1. 一種導電性膜之製造方法，其包括： 步驟A，其係於樹脂膜之一面形成第1導電層； 步驟B，其係於上述第1導電層上貼合保護膜；及 步驟C，其係一面捲出上述樹脂膜一面利用濺鍍法於上述樹脂膜之另一面形成厚度80 nm以上且300 nm以下之第2導電層。
  2. 如請求項1之導電性膜之製造方法，其中於上述步驟A中，利用濺鍍法形成上述第1導電層。
  3. 如請求項1或2之導電性膜之製造方法，其中上述第1導電層厚度為80 nm以上且300 nm以下。
  4. 如請求項1或2之導電性膜之製造方法，其中上述保護膜之厚度為20 μm以上且200 μm以下。
  5. 如請求項1或2之導電性膜之製造方法，其中於上述步驟C中，上述濺鍍法中之下述式所示之總功率密度為1500 kW/m2 以下， 總功率密度=N×T×P (式中，N為步驟重複次數，T為每1步驟之靶數，P為每1個靶之功率密度[kW/m2 ])。
  6. 如請求項1或2之導電性膜之製造方法，其中於上述步驟C中，上述樹脂膜之MD方向上之拉伸應力為1 MPa以上。
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