TW202026556A - 雷射器封裝結構及光源模組 - Google Patents

雷射器封裝結構及光源模組 Download PDF

Info

Publication number
TW202026556A
TW202026556A TW108112710A TW108112710A TW202026556A TW 202026556 A TW202026556 A TW 202026556A TW 108112710 A TW108112710 A TW 108112710A TW 108112710 A TW108112710 A TW 108112710A TW 202026556 A TW202026556 A TW 202026556A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
area
circuit layer
circuit
laser
conductive
Prior art date
Application number
TW108112710A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI715965B (zh
Inventor
陳輝
時軍朋
廖啟維
永特 黃
徐宸科
Original Assignee
大陸商泉州三安半導體科技有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 大陸商泉州三安半導體科技有限公司 filed Critical 大陸商泉州三安半導體科技有限公司
Publication of TW202026556A publication Critical patent/TW202026556A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI715965B publication Critical patent/TWI715965B/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
    • H01S5/0231—Stems
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/0225—Out-coupling of light
    • H01S5/02255—Out-coupling of light using beam deflecting elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
    • H01S5/0232—Lead-frames
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/0233—Mounting configuration of laser chips
    • H01S5/02345—Wire-bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/024—Arrangements for thermal management
    • H01S5/02469—Passive cooling, e.g. where heat is removed by the housing as a whole or by a heat pipe without any active cooling element like a TEC
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/024—Arrangements for thermal management
    • H01S5/02476—Heat spreaders, i.e. improving heat flow between laser chip and heat dissipating elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
    • H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
    • H01S5/0425—Electrodes, e.g. characterised by the structure
    • H01S5/04256—Electrodes, e.g. characterised by the structure characterised by the configuration
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/02208—Mountings; Housings characterised by the shape of the housings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/0225—Out-coupling of light
    • H01S5/02257—Out-coupling of light using windows, e.g. specially adapted for back-reflecting light to a detector inside the housing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/0239—Combinations of electrical or optical elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
    • H01S5/4031—Edge-emitting structures
    • H01S5/4056—Edge-emitting structures emitting light in more than one direction

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

本發明公開了一種雷射器封裝結構。該雷射器件封裝結構包括一支架，及一雷射晶片。該支架包括一第一電路層及及一第二電路層、及位於該支架內部的內部電路層，所述內部電路層具有多個電路連接單元，每個電路連接單元具有第一導電貫通件組和第二導電貫通件組，其中第一導電貫通件組連接至所述第一電路層，第二導電貫通件組連接至該第二電路層，該雷射晶片固定於該支架的第一電路層上，且可發射一雷射光束。本發明還提供一包括該雷射器封裝結構的光源模組

Description

雷射器封裝結構及光源模組
本發明是有關於一種雷射器，特別是指一種高功率的雷射器封裝結構，及一種包括雷射器封裝結構的光源模組。
由於半導體雷射器（LD）有著單色性好、體積小、壽命長、高功率密度和高速工作的優異特點，半導體雷射器在雷射測距、雷射雷達、雷射通信、雷射模擬武器、自動控制、檢測儀器甚至醫療美容等方面已經獲得了廣泛的應用，形成了廣闊的市場。
因此，本發明之目的，即在提供一種至少能夠克服先前技術的缺點的雷射器封裝結構。
於是，本發明雷射器封裝結構，包含一支架，及至少一雷射晶片。
該支架包括一具有相反的一第一表面及一第二表面的支架本體、一位於該支架本體之第一表面的第一電路層、一位於該支架本體之第二表面的第二電路層，及一嵌入該支架本體中的內部電路層，所述內部電路層具有多個電路連接單元，每個電路連接單元具有一電路塊、一連接該電路塊與該第一電路層的第一導電貫通件組(via)，以及一連接該電路塊與該第二電路層的第二導電貫通件組起始端部。
該至少一雷射晶片固定於該支架的第一電路層上，可發射一雷射光束。
本發明之另一目的，在於提供另一種雷射器封裝結構。
於是，本發明雷射器封裝結構，包含一支架，及至少二個雷射晶片。
該支架包括一具有相反的一第一表面及一第二表面的支架本體、一位於該支架本體的第一表面的第一電路層、一位於該支架本體的第二表面的第二電路層，及一嵌入該支架本體內的內部電路層，所述第一電路層包含至少兩個安裝單元，每一安裝單元包括相互間隔的一第一區域及一第二區域，所述內部電路層具有多個電路連接單元，每個電路連接單元具有一電路塊、一連接該電路塊與該第一電路層的第一導電貫通件組，及一連接該電路塊與該第二電路層的第二導電貫通件組。
所述雷射晶片，分別安裝於該支架的第一電路層的各個安裝單元的第一區域，可發射一雷射光束。
本發明之又一目的，在於提供一種包括上述其中一種雷射器封裝結構的光源模組。
上述雷射器封裝結構可應用於車頭燈、工礦燈、雷射電視或投影儀等。以雷射車燈為例，雷射車燈比LED車大燈具有更高密度的光輸出和更小的發光角，照射距離可達600米，是LED車大燈的兩倍之遠。
本發明之功效在於：通過對支架的設計，可安裝單顆或者多顆雷射晶片，且多顆雷射晶片可根據需求獨立控制其開啟或關閉，及亮度可獨立調整。
在本發明被詳細描述之前，應當注意在以下的說明內容中，類似的元件是以相同的編號來表示。
參閱圖1至圖4，本發明雷射器封裝結構的一第一實施例包括一支架200、二個可發射不同或相同波長之雷射光束的雷射晶片(LD晶片)220、一光學元件230，以及一蓋板240。
該支架200包括一作為一封裝杯的支架本體210。
該支架本體具有一底部211，及一自該底部211周緣往上延伸的側部212。該底部211及該側部212共同界定一個凹槽213。該凹槽213平行於該支架本體210的第一表面2113的橫截面呈矩形。該支架本體210的底部具有相反的一第一表面2113及一第二表面2114。該第一表面2113為該底部211的上表面，該第二表面2114為該底部211的下表面。在本實施例中， 較佳的，該底部211呈臺階狀，並包括一高部2111，和一被該高部2111圍繞的低部2112。在本實施例中，該支架本體210較佳地為一陶瓷支架，可以例如Al2O3、AlN等材質製成，其上設有電路。該等雷射晶片220水平地放置於該支架本體210的底部211的第一表面2113。較佳地，該等雷射晶片220直接設置在該高部2111的一表面。該光學元件230設置在該低部2112的一表面上。
在本實施例中，製成該支架本體210的陶瓷可以使用具有高熱導率的陶瓷材料。該支架本體210具有封裝杯和多層平臺結構。該平台結構之平臺的高度差d(即該高部2111與該低部2112的高度差)為0.1~0.5mm。較佳地，d可以為0.1~0.3mm。該等LD晶片220水準放置於較高平臺(即該高部2111)上。該光學元件230包括一具有高反射率且為傾斜的側面231），及一遠離該支架本體210之低部2111的頂面232，並放置於較低平臺(即該低部2112)，可將該等LD晶片220發出的平行於該第一表面2113的水平方向光反射後轉換成垂直於該第一表面2113之垂直方向的光並射出，進而提升封裝結構之法向方向的出光效率，也有利於雷射晶片件的光學設計。較佳地，所述LD晶片220的一出光端面220A與支架臺階的一豎直面2115平齊，更佳的，所述LD晶片220的出光端面220A凸出於該臺階的豎直面2115，防止所述LD晶片220所發出的光束照射到該支架本體210的固晶平臺(即該高部2111)上。
更具體地，該光學元件230的頂面232為一個供封裝製程中適用於一吸嘴拾取元件(圖未示出)使用的平臺。需說明的是，該頂面232所提供之能供該吸嘴拾取元件使用的功能不是必須。較佳地，該頂面之面積大於0.5 mm×0.5mm。進一步地，該光學元件230的側面231經形成一高反射率鍍層而包括一反射面。該高反射率鍍層的製成材料可以選自Ag、Al及Au等金屬反射層，或者可選自SiO2、TiO2、MgF2及Al2O3等氧化物介電膜反射層。該光學元件230之側面231的反射面數量可以是若干個，不同反射面的形狀或者角度可以不同。在具有多個反射面的情況下，可根據不同應用需求，利用調整反射面角度的方式，進而控制多顆LD晶片220之出光光斑的交疊程度，使該雷射器封裝結構成為一具有多個不同發光角的光源。
該蓋板240覆蓋在該支架本體210的一頂面214，用於密封位於該支架本體210之凹槽213之內的元件。該蓋板240與該支架210之間可以利用充填矽膠或者Au-Sn共晶的方式密封。該蓋板240材料可以是玻璃、石英、藍寶石、透明陶瓷等，還可以根據不同光色需求而以一波長轉換材料製成。需說明的是，本發明並不侷限於利用該蓋板240進行密封該支架200中的各個元件。於另一些實施方式中，也可省略該蓋板，直接將矽膠填充於支架210的凹槽213，以覆蓋住所有元件，進而以保護該支架210上的元件。
具體地，該支架210還包括了一位於該支架本體210之上表面的第一電路層2600（也就是正面電路層）、一位於該支架本體210之下表面的第二電路層280（也就是背面電路層），以及一嵌入該支架本體210內部的內部電路層270。圖2為在該支架210上固焊所述LD晶片220後的俯視圖，圖3顯示了位於該支架本體210內的內部電路層270的示意圖，圖4顯示了該支架200的280的仰視分佈圖。下面結合圖2~4對第一電路層2600、內部電路層270和該第二電路層280之間的連接關係進行詳細說明。需注意的是，由於圖4是第二電路層270仰視圖，所以對應於圖2中元件的左右位置關係是相反的。
該第二電路層280包括四個導電電極281，及一個散熱電極282。為了後續清楚說明元件之間的電連接關係，在圖4中以P1、P2、P3、P4表示該等導電電極。
如圖2所示，該支架本體210的第一表面2113具有四個邊緣區域210A~210D，及一個用於放置光學元件230的中央區域C。該第一電路層2600位於該第一表面2113的邊緣區域210A~210D而為一元件安裝區域，並具有兩個安裝單元260。每一安裝單元260包括一第一區域261、一第二區域262和一第三區域263，該三個區域彼此間隔，且是在該支架本體210的第一表面2113塗佈一導電材料。該第一區域261和第三區域263作為一第一電極區塊，該第二區域262作為一第二電極區塊。如圖3所示，該內部電路層270包括多個電路連接單元271~274。以所述電路連接單元271、272為例，該電路單元271包括了一個位於該支架本體210之第一表面2113的其中一個邊緣區域210A的起始端部2711、一自該起始端部271朝向該第一表面2113的另一個邊緣區域210C延伸的延伸部2712、二組連接於所述延伸部2712的第一導電貫通件組(via)A1、C1 （圖示用黑色填充的圓圈示意），及一連接於該起始端部2711的第二導電貫通件組B1（圖示用白色填充的圓圈示意）。並且，該起始端部2711與該延伸部2712共同構成一個電路塊。該電路單元272包括了一個位於該支架本體210之第一表面2113的其中一個邊緣區域210C的起始端部2721、一自該起始端部272朝向該第一表面2113的另一個邊緣區域210A延伸的延伸部2722、一連接於所述延伸部2722的第一導電貫通件組A2（圖示用黑色填充的圓圈示意），及一連接於該起始端部2721的第二導電貫通件組B2（圖示用白色填充的圓圈示意）。並且，該起始端部2721與該延伸部2722共同構成一個電路塊。所述電路單元271、272的第一導電貫通件組A1、A2、C2往上而延伸而與該第一電路層2600的連接，所述第二導電貫通件組B1、B2往下延伸而與所述導電電極281連接。也就是說，所述支架本體210具有三個以上連接該第一表面2113與該第二表面2113的側面，該內部電路層270的每一電路連接單元271~274的電路塊的起始端部鄰近所述支架本體210的其中一個側面，該延伸部自該起始端部朝向所述支架的其他側面延伸。
更詳細地說，該電路單元271的第一導電貫通件組A1電連接於該安裝單元260的第一區域261，該電路單元272的該第一導電貫通件組A2電連接於該安裝單元260的第二區域262，該電路單元271的該第一導電貫通件組C2電連接於該安裝單元260的第三區域263。該電路單元271的第二導電貫通件組B1電連接於該第二電路層280的導電電極282，該電路單元272的第二導電貫通件組B2電連接於該第二電路層280的導電電極P2。
進一步地，所述電路連接單元271、272、273、274區分為二個第一電路連接單元271、273和二個第二電路連接單元272、274。位於該支架本體210之第一表面2113之左側的安裝單元260對應地電連接於該內部電路層270的其中一個第一電路連接單元271和其中一個第二電路連接單元272。在本實施例中，另一個第一電路連接單元273類似上述的第一電路連接單元271，並包括兩組電連接至該第一電路層2600之位於該第一表面2113之右側的安裝單元260的第一導電貫通件組、一組電連接至該第二電路層280之導電電極P4的第二導電貫通件組。類似地，另一個第二電路連接單元274類似上述的第二電路連接單元272，並包括一組電連接至該第一表面2113之右側的安裝單元260的第一導電貫通件組和一組電連接至該第二電路層280之導電電極P1的第二導電貫通件組，從而實現了第一、二電路層2600、280（即正、背面電極區塊）之間的電連接關係。以所述第一電路連接單元271和所述第二電路連接單元272來說明，每個第一、二電路連接單元271、272起始端部的第一導電貫通件組A1、A2、C1都位於所述延伸部2712、2722上，所述第二導電貫通件組B1、B2位於所述起始端部2711、2721上，如此可以將所述導電電極281設計為均設置於該支架本體210之第二表面2114的邊緣區域，如圖4所示，該第二電路層280還包括一設置於該第二表面2114之中央區域P5的散熱電極282。進一步的，在所述第一電路連接單元271中，該第一導電貫通件組A1的設置位置相較於該第一導電貫通件組C1，更靠近第二導電貫通件組B1，例如該第一導電貫通件組C1可設置在該延伸部2712之遠離該起始端部2177的位置。具體的，該第一電路連接單元271的起始端部2711位於支架本體210的邊緣區域210A，該延伸部2712朝向支架本體210的邊緣區域210C的方向延伸，該第二導電貫通件組B1位於該起始端部2711，該第一導電貫通件組A1位於該延伸部2712之靠近該起始端部2711的位置，該第一導電貫通件組C1位於該延伸部2712的末端；該第二電路連接單元272的起始端部2721位於支架本體210的邊緣區域210C，該延伸部2722朝向支架本體的邊緣區域210A的方向延伸，該第二導電貫通件組B2位於該起始端部2721，該第一導電貫通件組A2位於該延伸部2712的尾端。該第一電路連接單元271和該第二電路連接單元272位於支架200的左側區域，構成一第一組電路連接單元，並對應及電連接於該第一電路層2600左側的該安裝單元260。該第一電路連接單元273和該第二電路連接單元274位於支架200的右側區域，構成一第二組電路連接單元，並對應及電連接於該第一電路層2600該右側的安裝單元260。
在本實施例中，為方便說明，位於圖2之左側之安裝單元260的第一區域261、第二區域262、第三區域263分別以A、B、A’表示，右側之安裝單元260的第一區域261、第二區域262、第三區域263分別以D、E、D’表示，在該支架本體210的第一表面2113(也就是正面)之第一區域A、第二區域B和第三區域A’構成第一個所述安裝單元260；在該支架本體210的第一表面2113之第一區域D、第二區域E和第三區域D’構成第二個所述安裝單元260。其中，每一第一區域A和第一區域D放置一顆LD晶片220，所述LD晶片220通過多條引線221連接至所述第二區域B、E；每一第三區域A’和第三區域D’分別放置一個ESD保護元件250，所述ESD保護元件250通過一引線251連接至所述第二區域B、E，該第一表面的中央區域C放置該光學元件230。因此，所述第一電路層2600的第一區域A、A’和第三區域D、D’通過該內部電路層270電連接。該第一電路層2600與該第二電路層280之正、背面電極區塊的連接方式如下：所述第一區域A、第三區域A’與該導電電極282電連接，所述第二區域B與該導電電極P2電連接，所述第一區域D、第三區域D’與該導電電極P4電連接，所述第二區域E與該導電電極P1電連接。該光學元件230可以是具有高反射率斜面的側面231的反射元件或者稜鏡元件，能將所述LD晶片220的水平方向的出射光轉換成垂直方向而發光。另一方面，所述內部電路層270的電路連接單元271~274投影至該支架本體210之第一表面2113的位置位於所述光學元件230的位置的外周。所述第二導電貫通件組投影至該支架本體210之第一表面2113的位置位於所述第一表面2113的邊緣區域210A~210D。
在本實施例的封裝結構中，通過對支架200的電路結構設計，可在封裝杯中進行單顆或者多顆LD晶片200（均配置ESD保護元件250）的封裝，且多顆LD晶片200封裝可根據需求獨立控制其開關，實現亮度可調。
進一步地，在該支架本體210的第二表面2114(也就是背面)的中央區域P5設置與所述導電電極281間隔的該散熱電極282，實現熱電分離，其中背面的導電電極281通過該內部電路層270鋪設的線路、第一、二導電貫通件組和正面的第一、二、三區域261、262、263電連接，背面的中央區域P5的散熱電極282能與後續欲安裝續欲安裝的一PCB電路板100或熱沉金屬基體直接連接(如圖5所示)，能利於本發明雷射器封裝結構快速散熱。
進一步地，在一個具體的實施樣態中，該蓋板240可以為波長轉換材料，例如可以採用玻璃螢光片，陶瓷螢光片，單晶螢光片等，此材料熱導率大於10W/m·K。較佳地，經過波長轉換材料後發光角小於90°，並且法向的光強度最大。由於波長轉換過程中存在斯托克斯位移現象和波長轉換材料效率的因素會產生一定熱量，高熱導率的封裝杯的側部212同時可作為波長轉換材料的散熱通道，將波長轉換過程產生的熱量匯出。較佳的，該蓋板240與該支架200之間採用高導熱的結合方式，以實現良好的散熱，其方式包含SAB（Surface Activated Bonding）、ADB(Atomic Diffusion Bonding)等方式，該蓋板240與該支架200之間還可採用高導熱率的透明材料粘結，其導熱率為1W/(m•K)以上為佳。
其次，作為該支架200之導電電極281的焊盤採用熱電分離設計，位於背面的電極通過該內部電路層270鋪設的線路、所述第一、二導電貫通件組而與該支架200的安裝單元260連接，位於背面中央區域的散熱電極282與後續欲安裝的PCB電路板100或熱沉金屬基體直接連接，利於封裝結構快速散熱。
第二實施例
參閱圖6~8，為本發明雷射器封裝結構的的一第二實施例。圖6顯示了在該支架本體210上固焊二個LD晶片220後的俯視圖；該第二電路層280的佈置如圖7所示，該內部電路層270的佈置如圖8示。需說明的是，由於圖7是第二電路層270的仰視圖，所以對應於圖6中元件的左右位置關係是相反的。另一方面，在圖8中，該內部電路層270之與該第一電路層2600電連接的第一電導貫通件組圖示用黑色填充的圓圈示意，該內部電路層270之與該第二電路層280電連接的第二電導貫通件組圖示用白色填充的圓圈示意。具體的，在圖6的該第一電路層2600中，為方便說明元件的設置位置與電連接關係，所述第一區域261分別以A、D、F、H表示，所述第二區域分別以B、E、J、G表示，所述第三區域分別以A’、 D’、F’、H’表示，且所述第一、二、三區域261、262、263都作為電極塊。在圖7的該第二電路層280中，為方便說明，所述導電電極281以P1~P4、P6~P9表示，所述支架本體210的第一表面2113的中央區域以C表示，第二表面2114的中央區域以P5表示。第一區域A、該第二區域B和該第三區域A’區塊構成第一個所述安裝單元260；該第一區域D、該第二區域E和該第三區域D’構成第二個所述安裝單元260；該第一區域H、該第二區域J和該第三區域H’共同構成第三個所述安裝單元260；該第一區域F、該第二區域G和該第三區域F’共同構成第四個所述安裝單元260。又，該內部電路層270具有八個電路連接單元271~278，並區分為四個第一電路連接單元271、273、275、277，以及四個第二電路連接單元272、274、276、278。進一步地，該第一電路連接單元271和該第二電路連接單元272構成第一組電路連接單元，並與左上方之該安裝單元260(如圖6)的第一區域A、第二區域B和第三區域A’電連接，該第一電路連接單元273和該第二電路連接單元274構成第二組電路連接單元，並與右上方之該安裝單元260(如圖6)的第一區域D、第二區域E和第三區域D’ 電連接，該第一電路連接單元275和該第二電路連接單元276構成第三組電路連接單元，並與右下方之該安裝單元260(如圖6)的第一區域H、第二區域J和第三區域H’電連接，該第一電路連接單元277和該第二電路連接單元278構成第四組電路連接單元，並與左下方之該安裝單元260(如圖6)的第一區域F、第二區域G和第三區域F’ 電連接。
該封裝結構的支架200可放置四個所述LD晶片220，所述LD晶片220分別放置於所述安裝單元260的第一區域A、C、F、H。另外，所述ESD保護元件250放置分別於所述安裝單元260的第三區域A’、D’、F’、H’，在該第二實施例中，該第一區域A與該第三區域A’、該第一區域D與該第三區域D’、該第一區域F與該第三區域F’、該第一區域H與該第三區域H’在支架本體210內部通過該內部電路層270連通而電連接。正、反面各電極區塊的詳細電連接方式如下：該第一區域A及該第三區域A’與該第二電路層280的導電電極P4連接，該第二區域B與該第二電路層280的導電電極P3連接，該第一區域D及該第三區域D’與該第二電路層280的導電電極P1連接，該第二區域E與該第二電路層280的導電電極P2連接，該第一區域F及該第三區域F’與該第二電路層280的導電電極P9連接，該第二區域G與該第二電路層280的導電電極P8連接，該第一區域H及該第三區域H’與P6連接，該第二區域J與該第二電路層280的導電電極P7連接。背面中央區域P5區塊為散熱電極282；該支架本體210的第一表面2113的中央區域E放置該光學元件230，能對所述LD晶片220往水平方向出射光轉換成垂直方向傳播的光。
第三實施例
參閱圖7、圖9~10，為本發明雷射器的封裝結構的一第三實施例。其中，圖9顯示了在該支架200上固焊所述LD晶片220後的俯視圖，該內部電路層270的設置如圖10所示，該第二電路層280的設置如圖7所示。需說明的是，由於圖7是第二電路層270的仰視圖，所以對應於圖9和圖10中元件的左右位置關係是相反的。為方便說明，四個所述第一區域261分別以A、D、F、H表示，四個所述第二區域262分別以B、E、G、J表示。在圖10中，該內部電路層270之與該第一電路層2600電連接的第一電導貫通件組圖示用黑色填充的圓圈示意，該內部電路層270之與該第二電路層280電連接的第二電導貫通件組圖示用白色填充的圓圈示意。
該第三實施例與該第二實施例相似，其不同處在於，在本實施例中，該雷射器封裝結構的光學元件230沿該封裝杯之第一表面2113的斜對角線放置，而在該封裝杯的四個角落設置四個安裝單元260，每個安裝單元260包括該第一區域261和該第二區域262，其中，所述LD晶片220安裝於所述第一區域261上，並盡可能靠近封裝杯之第一表面2113的傾對角線或位於斜對角線上。該內部電路層270如圖10所示，具有多個位於支架本體210之第二表面2114的上側與下側之邊緣區域的電路連接單元，每個電路連接單元呈塊狀結構，以其中一個電路連接單元271來說明，該第二導電貫通件組B1鄰近該支架200的邊緣，該第一導電貫通件組A1相較於第二導電貫通件組B1而位於該支架200的內側，正、背面電極區塊的連接方式如下：該第一區域A與該導電電極P4利用該內部電路層270電連接，該第二區域B與該導電電極P3連接，該第二區域E與該導電電極P2利用該內部電路層270電連接，該第一區域D與該導電電極P1利用該內部電路層270電連接，該第一區域F與該導電電極P9利用該內部電路層270電連接，該第二區域G與該導電電極P8利用該內部電路層270電連接，該第二區域J與該導電電極P7利用該內部電路層270電連接，該第一區域H與該導電電極P6利用該內部電路層270電連接。
通過如此的電路設計，一方面可以在一定程度上減小封裝結構的尺寸，另一方面簡化了內部電路層的佈置，提高了本發明雷射器封裝結構的可靠性。
第四實施例
參閱圖7、圖11~12，為本發明雷射器封裝結構的一第四實施例。其中，圖11顯示了在支架200上固焊所述LD晶片220後的俯視圖，該內部電路層270的設置如圖12示，該第二電路層280的設置如圖7所示。需說明的是，由於圖7是第二電路層270的仰視圖，所以，對應於圖11和圖12中元件的左右位置關係是相反的。在圖12中，該內部電路層270中之與該第一電路層2600電連接的第一電導貫通件組圖示用黑色填充的圓圈示意，該內部電路層270之與該第二電路層280電連接的第二電導貫通件組圖示用白色填充的圓圈示意。
在本實施例中的封裝結構的光學元件230同樣沿封裝杯之第一表面2113的斜對角線放置，在封裝杯的四個角落設置四個安裝單元260。該第四實施例與該第三實施例相似，其不同處在於，該支架210之和內部電路層270的設置不一樣，每個安裝單元260包括第一區域261、第二區域262和第三區域263，其中，所述LD晶片220安裝於第一區域261上，並盡可能靠近封裝杯的傾對角線或位於斜對角線上，所述ESD保護元件250位於第三區域263。該內部電路層270如圖12所示，具有四個第一電路連接單元271、273、275、277和四個第二電路連接單元272、274、276、278。為方便說明，四個所述第一區域261分別以A、D、F、H表示，四個所述第二區域262分別以B、E、G、J表示，四個所述第三區域263分別以A’、D’、F’、H’表示。在圖12中，以該第一電路連接單元271說明該第一電路連接單元271的第一導電貫通件組A1連接至該第一電路層2600的第一區域261，該第一導電貫通件組C1連接至該第一電路層2600的第三區域263，該第二導電貫通件組B1連接至該第二電路層180的導電極281。較佳地，該第二導電貫通件組B1位於該支架200的邊緣區域，所述第一導電貫通件組A1、C1相較於該第二導電貫通件組B1而位於該支架200的內側。在一個具體的實施樣態中，該第一電路連接單元271包括：該位於鄰近支架邊緣區域210C的起始端部2711、一連接於該起始端部2711的第一延伸部2712、一連接於該第一延伸部2712的連接部2713、一連接於該連接部2713的第二延伸部2714和末端部2715。其中，該第二導電貫通件組B1位於該起始端部2711，該第一導電貫通件組A1位於該連接部2713，該第一導電貫通件組C1位於末端部2715。
在本實施例中，正、背面電極區塊的連接如下：該第一區域A及該第三區域A’與該導電電極P4利用該內部電路層270電連接，該第二區域B與該導電電極P3電連接，該第一區域D及該第三區域D’與該導電電極P1電連接，該第二區域E與該導電電極P2電連接，該第一區域F及該第三區域F’與該導電電極P9電連接，該第二區域G與該導電電極P8電連接，該第一區域H及該第三區域 H’與該導電電極P6電連接，該第二區域J與該導電電極P7電連接。在本實施例中，可以更大程度地減小雷射器封裝結構的尺寸，或者在與目前之雷射器封裝結構具有相同封裝尺寸之封裝杯中相容更大尺寸的LD晶片。
前面各實施例列舉了幾種不同的電路分佈形式，應該理解的是，本發明並不局限於上述幾種電路分佈圖案，可以根據具體的封裝杯形狀或者雷射晶片的尺寸、數量等因素設計各電路層的圖案，從而達到實際的應用需求。
第五實施例
參閱圖圖13，為本發明雷射器封裝結構之一第五實施例。該雷射器封裝結構包括該支架200、該雷射晶片220、該光學元件230和該蓋板240。該第五實施例類似該第一實施例，其不同處在於，該第一實施例的蓋板240包含一金屬框架241和一被該金屬框架圍繞的波長轉換層242。該金屬框架241形成一開口並嵌入波長轉換材料作為該波長轉換層242，該金屬框架240的開口可根據光斑形狀設置成一個或者多個視窗結構(如圖14和15所示)。需說明的是，該波長轉換層242也可用一個不轉換光波長的透光材料來代替。
在本實施例中，僅在該蓋板240對應地位於該光學元件230上方的位置形一成出光區，減小該雷射器封裝結構的發光角度，同時具有高熱導率的金屬框架241可以更容易傳導出該波長轉換層242產生的熱量。
參閱圖16，為第五實施例的另一個形式。本實施例的波長轉換層242形成在該金屬框框架的表面並覆蓋該開口，如此可以增加該波長轉換層242與該金屬框架241的接觸面積，進一步提升波長轉換層242的散熱性能。
第六實施例
參閱圖17，為本發明雷射器封裝結構之一第六實施例公開一種雷射器封裝結構，其包括該支架200、所述雷射晶片220、該光學元件230和該蓋板240。該第六實施例類似該第一實施例，其不同處在於，該光學元件230為帶有高反射斜面的稜鏡，並包含入射面234、反射面235和出射面233。在本實施例中，該波長轉稱層(圖未示出)可以直接設置在該入射面234或者該出射面233上。較佳地，該光學元件230由高穿透率及高熱導率材料精密加工製成，其熱導率為5W/(m•K)以上為佳。該光學元件230的厚度為1mm時，對波長為450nm之藍光的穿透率(@450nm/厚度1mm)為80%以上為佳，材料可以是高導熱玻璃、二氧化矽、藍寶石、透明陶瓷等。
參閱圖18，簡單顯示了一個應用前述雷射器封裝體的光源模組。由於小角度光源更容易實現指定區域照射，故小角度雷射光源在高指向性照明或通信領域具有明顯優勢，如車頭燈、工礦燈、捕魚燈、航海燈、投影儀、雷射電視、光通信等。該光源模組包含上述的其中一種雷射器封裝結構。具體地，如圖18所示，在一矩陣陣列式光源模組300中，多顆雷射光源310a、310b、310c、310d、310e包括前述雷射器封裝結構之第一~第六實施例的其中一個，並經過電路設計可獨立控制其開關，光源出射光經過一透鏡320或一反射鏡（圖中未畫出）的光學系統處理後；在可照射範圍330a、330b、330c、330d、330e等區域內，實現在需要指定區域的照明。具體的，如車大燈應該用中，在近距離會車或遇到行人時，需要將對方行駛範圍內的遠光關閉，保證道路交通安全。本實施例提出的方案即可通過控制打開光源330b、330c，從而實現只在照明區域330b、330c中照明，既滿足自身行車照明，又可避免對方受到強光照射帶來的安全隱患。
惟以上所述者，僅為本發明之實施例而已，當不能以此限定本發明實施之範圍，凡是依本發明申請專利範圍及專利說明書內容所作之簡單的等效變化與修飾，皆仍屬本發明專利涵蓋之範圍內。
200:支架 210:支架本體 210A、210B:邊緣區域 210C、210D:邊緣區域 211:底部 2111:高部 2112:低部 2113:第一表面 C:中央區域 2114:第二表面 2115:豎直面 P5:中央區域 212:側部 213:凹槽 214:頂面 220:雷射晶片 220A:出光端面 221:引線 230:光學元件 231:側面 232:頂面 233:出射面 234:入射面 235:反射面 240:蓋板 241:金屬框架 242:波長轉換層 243:開口 250:抗靜電元件 251:引線 2600:第一電路層 260:安裝單元 261:第一區域 A、D、F、H:第一區域 262:第二區域 B、E、G、J:第二區域 263:第三區域 A’、D’、F’、H’:第三區域 270:內部電路層 271、272、273、274:電路連接單元 275、276、277、278:電路連接單元 2711、2721:起始端部 2712、2722:延伸部 2713:連接部 2714:第二延伸部 2715:末端部 A1、A2、C1:第一導電貫通件組 B1、B2:第二導電貫通件組 280:第二電路層 281:導電電極 282:散熱電極 P1、P2、P3、P4:導電電極 P6、P7、P8、P9:導電電極 d:高度差 310a、310b:雷射光源 310c、310d、310e:雷射光源 320:透鏡 330a、330b:照射範圍 330c、330d、330e:照射範圍 100:電路板
本發明之其他的特徵及功效，將於參照圖式的實施方式中清楚地呈現，其中： 圖1是一個剖視示意圖，說明本發明雷射器封裝結構的第一實施例，並省略一第一電路層及一內部電路層； 圖2是一個俯視示意圖，說明在該第一實施例的一支架上固焊一晶片； 圖3是一個示意圖，說明該第一實施例的內部電路層； 圖4是一個仰視示意圖，說明該第一實施例的一第二電路層； 圖5是一個剖視示意圖，說明該第一實施例與一PCB基板連接的結構； 圖6是一個俯視示意圖，說明本發明雷射器封裝結構的一第二實施例； 圖7是一仰視示意圖，說明該第二實施例的第二電路層； 圖8是一個示意圖，說明該第二實施例的內部電路層； 圖9是一俯視示意圖，說明本發明雷射器封裝結構之一第三實施例； 圖10是一個示意圖，說明該第三實施例的內部電路層； 圖11是一俯視示意圖，說明本發明雷射器封裝結構之一第四實施例； 圖12是一個示意圖，說明該第四實施例的內部電路層； 圖13是一個剖視示意圖，說明本發明雷射器封裝結構之一第五實施例； 圖14是一俯視示意圖，說明該第5實施例的一波長轉換層及一金屬框架； 圖15是圖14的另一變化態樣； 圖16是一剖視示意圖，說明該第五實施例的又一個變化態樣； 圖17是一剖視示意圖，說明本發明雷射器封裝結構之一第六實施例；及 圖18是一個示意圖，說明包括本發明雷射器封裝結構的一光源模組。
200:支架
210:支架本體
211:底部
2111:高部
2112:低部
2113:第一表面
2114:第二表面
2115:豎直面
212:側部
213:凹槽
214:頂面
220:雷射晶片
220A:出光端面
230:光學元件
231:側面
232:頂面
280:第二電路層
281:導電電極
282:散熱電極
d:高度差

Claims (34)

  1. 一種雷射器封裝結構，包含： 一支架，包括一具有相反的一第一表面及一第二表面的支架本體、一位於該支架本體之第一表面的第一電路層、一位於該支架本體之第二表面的第二電路層，及一嵌入該支架本體中的內部電路層，所述內部電路層具有多個電路連接單元，每個電路連接單元具有一電路塊、一連接該電路塊與該第一電路層的第一導電貫通件組(via)，以及一連接該電路塊與該第二電路層的第二導電貫通件組；及 一至少一雷射晶片，固定於該支架的第一電路層上，可發射一雷射光束。
  2. 如請求項1所述的雷射器封裝結構，其中，所述支架的內部電路層包括四個以上的電路連接單元。
  3. 如請求項1所述的雷射器封裝結構，其中，所述內部電路層的該等電路連接單元區分為至少一個第一電路連接單元和至少一個第二電路連接單元。
  4. 如請求項3所述的雷射器封裝結構，其中，所述內部電路層的該等電路連接單元區分為多個該第一電路連接單元和多個該第二電路連接單元，所述第一電路層包含兩個以上的安裝單元，該雷射器封裝結構包含二個該雷射晶片，每一安裝單元包括相互間隔且可導電的一第一區域和一第二區域，每一雷射晶片設置於其中一個安裝單元的第一區域上，所述第一區域與所述內部電路層的所述第一電路連接單元形成電性連接，所述第二區域與所述內部電路層的所述第二電路連接單元形成電路連接。
  5. 如請求項4所述的雷射器封裝結構，其中，所述正面電路層的安裝單元對應於所述內部電路層的第一電路連接單元和第二電路連接單元。
  6. 如請求項4所述的雷射器封裝結構，其中，所述第一電路層的每一安裝單元還具有一與該第一區域及該第二區域間隔的第三區域，每一第一電路連接單元具有兩組以上的第一導電貫通件組，分別連接至所述第一電路層的第一區域及第三區域。
  7. 如請求項6所述的雷射器封裝結構，其中每一安裝單元的所述第一區域通過第一電路連接單元的第一導電貫通件組與所述第三區域形成電性連接，所述第二區域與所述內部電路層的其中一個第二電路連接單元形成電性連接。
  8. 如請求項7所述的雷射器封裝結構，其中，在每一安裝單元中，所述第一區域的面積大於所述第二區域和第三區域兩者的總面積。
  9. 如請求項1所述的雷射器封裝結構，其中，所述內部電路層的每一電路連接單元的電路塊具有一鄰近該支架本體之一側的一個起始端部，該電路連接單元的第二導電貫通件組連接於該電路塊之起始端部，所述第一導電貫通件組連接於該電路塊之遠離該支架本體之該側的另一端部。
  10. 如請求項9所述的雷射器封裝結構，其中，所述支架的第二電路層包括多個設置於該支架本體之第二表面的導電電極，該等導電電極位於該第二表面的邊緣區域。
  11. 如請求項10所述的雷射器封裝結構，其中，所述支架的第二電路層還包括一個散熱電極，該散熱電極位於所述支架本體的第二表面的中央區域。
  12. 如請求項11所述的雷射器封裝結構，其中，所述第二電路層的導電電極位於所述散熱電極的兩相反側，且與該散熱電極間隔。
  13. 如請求項10所述的雷射器封裝結構，其中，每個雷射晶片連接於所述內部電路層的其中一個第一電路連接單元，和所述第二電路層的其中兩個導電電極。
  14. 如請求項1所述的雷射器封裝結構，還包含一光學元件，該光學元件設置在所述支架本體的第一表面上，並對所述雷射晶片發出的一平行於該支架的第一表面的水平方向的光進行光反射而變成一垂直於該第一表面的垂直方向的光射出。
  15. 如請求項14所述的雷射器封裝結構，其中所述光學元件位於所述支架本體的第一表面的中央區域，所述雷射晶片圍繞所述光學元件。
  16. 如請求項14所述的雷射器封裝結構，其中，所述內部電路層的電路連接單元投影至該支架本體之第一表面的位置位於所述光學元件的位置的外周。
  17. 如請求項1所述的雷射器封裝結構，其中，所述第二導電貫通件組投影至該支架本體之第一表面的位置位於所述第一表面的邊緣區域。
  18. 如請求項1所述的雷射器封裝結構，其中，所述支架本體具有三個以上連接該第一表面與該第二表面的側面，該內部電路層的每一電路連接單元的電路塊具有一起始端部和一延伸部，該起始端部鄰近所述支架本體的其中一個側面，該延伸部自該起始端部朝向所述支架的其他側面延伸。
  19. 如請求項1所述的雷射器封裝結構，其中，所述支架形成有一凹槽，該凹槽平行於該支架本體的第一表面的橫截面呈矩形，所述雷射晶片位於該凹槽，並鄰近該矩形的其中一條對角線或位於該對角線上。
  20. 一種雷射器封裝結構，包含 一支架，包括一具有相反的一第一表面及一第二表面的支架本體、一位於該支架本體的第一表面的第一電路層、一位於該支架本體的第二表面的第二電路層，及一嵌入該支架本體內的內部電路層，所述第一電路層包含至少兩個安裝單元，每一安裝單元包括相互間隔的一第一區域及一第二區域，所述內部電路層具有多個電路連接單元，每個電路連接單元具有一電路塊、一連接該電路塊與該第一電路層的第一導電貫通件組，及一連接該電路塊與該第二電路層的第二導電貫通件組；及 至少兩個雷射晶片，分別安裝於該支架的第一電路層的各個安裝單元的第一區域，可發射一雷射光束。
  21. 如請求項20所述的雷射器封裝結構，其中，至少一個所述安裝單元還包括一與該第一、第二區域間隔的第三區域，所述第三區域通過所述內部電路層與所述第一區域形成電性連接；該雷射器封裝結構還包含至少一個抗靜電元件，該至少一抗靜電元件安裝於該第三區域。
  22. 如請求項21所述的雷射器封裝結構，其中，所述電路連接單元區分為多個第一電路連接單元，及多個第二電路連接單元，每一第一電路連接單元具有兩組以上的第一導電貫通件組，所述第一區域通過一組第一導電貫通件組與所述第一電路連接單元的電路塊連接，所述第三區域通過另一組第一導電貫通件組與所述第一電路連接單元的電路塊連接，使得該第一區域通過所述第一電路連接單元與所述第三區域形成電性連接。
  23. 如請求項21所述的雷射器封裝結構，其中，所述第二導電貫通件組連接於所述電路塊之鄰近該支架本體之一側的一個起始端部，所述第一導電貫通件組連接於所述電路塊遠離該支架本體之該側的另一起始端部。
  24. 如請求項21所述的雷射器封裝結構，其中，所述內部電路層包含四個以上的電路連接單元。
  25. 如請求項22所述的雷射器封裝結構，其中，所述第一電路層的各個安裝單元的第二區域分別與所述內部電路層的第二電路連接單元形成電性連接。
  26. 如請求項25所述的雷射器封裝結構，其中，所述第一電路層的所述安裝單元的其中一個對應於所述內部電路層的其中一個所述第一電路連接單元和其中一個所述第二電路連接單元。
  27. 如請求項23所述的雷射器封裝結構，其中，所述第二電路層包括多個設置於該支架本體之第二表面的導電電極，該等導電電極位於該第二表面的邊緣區域。
  28. 如請求項27所述的雷射器封裝結構，其中，所述支架的第二電路層還包括一個散熱電極，該散熱電極位於所述支架本體的第二表面的中央區域。
  29. 如請求項28所述的雷射器封裝結構，其中，所述第二電路層的導電電極位於所述散熱電極的兩相反側，且與該散熱電極間隔。
  30. 如請求項28所述的雷射器封裝結構，其中，每個所述雷射晶片連接於所述內部電路層的兩個電路連接單元，並連接於所述第二電路層的其中兩個導電電極。
  31. 如請求項21所述的雷射器封裝結構，其中，所述電路連接單元的第二導電貫通件組投影至該支架本體之第一表面的位置位於所述第一表面的邊緣區域。
  32. 如請求項21所述的雷射器封裝結構，其中，所述支架本體具有三個以上連接該第一表面與該第二表面的側面，該內部電路層的每一電路連接單元的電路塊具有一起始端部和一延伸部，該起始端部鄰近所述支架本體的其中一個側面，該延伸部自該起始端部朝向另一個其他側面延伸。
  33. 如請求項21所述的雷射器封裝結構，其中，所述支架形成有一凹槽，該凹槽平行於該支架本體之第一表面的橫截面呈矩形，所述雷射晶片位於該凹槽，並鄰近該矩形的其中一條對角線或位於該對角線上。
  34. 一種光源模組，包含如請求項1~33所述的其中一種雷射器封裝結構。
TW108112710A 2018-12-29 2019-04-11 雷射器封裝結構及光源模組 TWI715965B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/CN2018/125438 WO2020133381A1 (zh) 2018-12-29 2018-12-29 一种激光器封装结构
WOPCT/CN2018/125438 2018-12-29

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202026556A true TW202026556A (zh) 2020-07-16
TWI715965B TWI715965B (zh) 2021-01-11

Family

ID=69192929

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW108112710A TWI715965B (zh) 2018-12-29 2019-04-11 雷射器封裝結構及光源模組

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20210126423A1 (zh)
CN (1) CN110710069A (zh)
TW (1) TWI715965B (zh)
WO (1) WO2020133381A1 (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112234429B (zh) * 2020-12-10 2021-07-09 武汉乾希科技有限公司 多通道激光发射器和光通信器件
CN115940875B (zh) * 2022-11-24 2023-06-09 台晶(重庆)电子有限公司 一种温度感应型石英晶体谐振器

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6810057B1 (en) * 1999-11-25 2004-10-26 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor device and optical pickup device
TW540816U (en) * 2002-05-30 2003-07-01 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Semiconductor package
CN2552213Y (zh) * 2002-06-01 2003-05-21 富士康(昆山)电脑接插件有限公司 光学组件之封装结构
US7095053B2 (en) * 2003-05-05 2006-08-22 Lamina Ceramics, Inc. Light emitting diodes packaged for high temperature operation
JP2005044963A (ja) * 2003-07-28 2005-02-17 Tdk Corp レーザダイオードモジュール
JP2005079385A (ja) * 2003-09-01 2005-03-24 Toshiba Corp 光半導体装置および光信号入出力装置
CN100474640C (zh) * 2003-12-09 2009-04-01 克里公司 半导体发光器件和子支架及其形成方法
JP2005303258A (ja) * 2004-03-16 2005-10-27 Fujikura Ltd デバイス及びその製造方法
JP2006066846A (ja) * 2004-07-29 2006-03-09 Seiko Epson Corp 面発光型装置及びその製造方法
US8093619B2 (en) * 2006-12-28 2012-01-10 Nichia Corporation Light emitting device
JP2008244440A (ja) * 2007-02-13 2008-10-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体レーザ装置及び画像表示装置
JP2009008720A (ja) * 2007-06-26 2009-01-15 Fuji Xerox Co Ltd 光電子回路基板及び光電子回路基板の検査方法
CN201307606Y (zh) * 2008-12-10 2009-09-09 潮州三环（集团）股份有限公司 一种新型陶瓷封装基座
JP2011014769A (ja) * 2009-07-03 2011-01-20 Pearl Lighting Co Ltd 発光ダイオード
JP5920333B2 (ja) * 2011-02-28 2016-05-18 日亜化学工業株式会社 発光装置
US8564004B2 (en) * 2011-11-29 2013-10-22 Cree, Inc. Complex primary optics with intermediate elements
CN203312622U (zh) * 2013-05-21 2013-11-27 青岛海信宽带多媒体技术有限公司 一种to底座
CN107306009B (zh) * 2016-04-25 2021-04-13 住友电工光电子器件创新株式会社 在承载体上提供共面线的光发射器

Also Published As

Publication number Publication date
CN110710069A (zh) 2020-01-17
WO2020133381A1 (zh) 2020-07-02
US20210126423A1 (en) 2021-04-29
TWI715965B (zh) 2021-01-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7266316B2 (ja) 発光素子パッケージ
US10655801B2 (en) Light emitting device and vehicular lamp comprising same
JP6312899B2 (ja) 発光素子パッケージ、光源モジュール及びこれを含む照明システム
JP3228571U (ja) レーザー装置のパッケージ構造
US9791119B2 (en) Light emitting module and head lamp including the same
JP6265796B2 (ja) 発光モジュール
US8287148B2 (en) Light emitting module
TWI389328B (zh) 光電半導體構件及其製造方法
US20210296541A1 (en) Light emitting device with high near-field contrast ratio
TWI715965B (zh) 雷射器封裝結構及光源模組
JP7248935B2 (ja) 発光装置
KR20200134465A (ko) 발광소자 패키지, 광원장치 및 발광소자 패키지 제조방법
CN209487933U (zh) 一种激光器封装结构
JP2017162941A (ja) 発光装置、及び、照明装置
JP2019140385A (ja) 発光ダイオードのパッケージング構造
JP2021190582A (ja) Ｌｅｄ発光装置