CN107306009B - 在承载体上提供共面线的光发射器 - Google Patents

在承载体上提供共面线的光发射器 Download PDF

Info

Publication number
CN107306009B
CN107306009B CN201710273581.XA CN201710273581A CN107306009B CN 107306009 B CN107306009 B CN 107306009B CN 201710273581 A CN201710273581 A CN 201710273581A CN 107306009 B CN107306009 B CN 107306009B
Authority
CN
China
Prior art keywords
metal
carrier
signal line
ground
emitting device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201710273581.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN107306009A (zh
Inventor
平山雅裕
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Electric Device Innovations Inc
Original Assignee
Sumitomo Electric Device Innovations Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Electric Device Innovations Inc filed Critical Sumitomo Electric Device Innovations Inc
Publication of CN107306009A publication Critical patent/CN107306009A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN107306009B publication Critical patent/CN107306009B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
    • H01S5/02315—Support members, e.g. bases or carriers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/0233—Mounting configuration of laser chips
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/0233—Mounting configuration of laser chips
    • H01S5/02345—Wire-bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/0235—Method for mounting laser chips
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/024—Arrangements for thermal management
    • H01S5/02407—Active cooling, e.g. the laser temperature is controlled by a thermo-electric cooler or water cooling
    • H01S5/02415—Active cooling, e.g. the laser temperature is controlled by a thermo-electric cooler or water cooling by using a thermo-electric cooler [TEC], e.g. Peltier element
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/026—Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
    • H01S5/0265—Intensity modulators
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
    • H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
    • H04B10/50—Transmitters
    • H04B10/501—Structural aspects
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/02208—Mountings; Housings characterised by the shape of the housings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/0225—Out-coupling of light
    • H01S5/02253—Out-coupling of light using lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/024—Arrangements for thermal management
    • H01S5/02438—Characterized by cooling of elements other than the laser chip, e.g. an optical element being part of an external cavity or a collimating lens
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
    • H01S5/4031—Edge-emitting structures

Abstract

本发明公开了一种具有半导体元件的光学组件以及配备有光学组件的光发射设备，光学组件具有安装在承载体上的半导体元件，该半导体元件将半导体激光二极管与电吸收调制器集成在一起。光学组件的承载体具有通过设置在承载体的侧表面中的金属与承载体顶部上的接地线连接但与光发射设备的机壳接地线电隔离的背面金属。光发射设备将多个光学组件安装在热电冷却器(TEC)的顶板上。顶板与机壳接地线电隔离。

Description

在承载体上提供共面线的光发射器
相关申请的交叉引用
本申请要求均于2016年4月25日提交的日本专利申请No.2016-087091和No.2016-087092的优先权，这两个申请以引用的方式并入本文。
技术领域
本发明涉及一种在承载体(特别是具有与机壳接地线隔开的背面金属的承载体)上提供共面线的光发射设备。
背景技术
传输线类型的共面线在用于传输高频信号方面广为人知。共面线包括信号线和接地线或图案，信号线置于接地线或图案之间。当其它接地金属放置成更靠近共面线时，这种其它金属图案可能影响共面线的传输特性，特别是其传输阻抗。另外，配备有共面线的设备需要将接地线可靠地接地。
发明内容
本发明的一个方面涉及一种光发射设备，该光发射设备包括光学组件和将该光学组件封装在内部的封装件。该封装件设置有机壳接地线。光学组件包括半导体元件和安装有半导体元件的承载体。本发明的该方面的半导体元件将半导体激光二极管(LD)与电吸收调制器集成在一起。承载体具有顶面和背面以及彼此相反的两个侧部。顶面配备有共面线，该共面线包括信号线和接地金属，该接地金属具有两个部分，信号线置于这两个部分之间，并且信号线与接地金属之间留有预定间隙。信号线延伸为更靠近两个侧部中的一个侧部。接地金属的两个部分中的一个部分(其设置为远离两个侧部中的所述一个侧部)上安装有半导体元件。本发明的该方面的光发射设备的特征在于：承载体的背面设置有与顶面上的接地金属电连接的与封装件的机壳接地线电隔离的浮动金属。
本发明的另一方面还涉及一种光发射设备，该光发射设备具有均输出光信号的多个通道，并且光发射设备输出多路复用了该光信号的多路复用光信号。本发明的光发射设备包括对应于通道的多个光学组件、热电冷却器(TEC)和封装件。每个光学组件包括半导体激光元件和承载体。半导体元件将半导体激光二极管(LD)与电吸收调制器集成在一起。承载体包括顶面、背面和彼此相反的两个侧部。顶面配备有共面线，该共面线包括信号线和接地金属，该接地金属具有两个部分，信号线置于两个部分之间，并且信号线与接地金属之间留有预定间隙。信号线延伸为更靠近两个侧部中的一个侧部。接地金属的两个部分中的一个部分(其设置为远离两个侧部中的所述一个侧部)上安装有半导体元件。安装有光学组件的TEC具有由电绝缘材料制成的顶板，其中顶板包括安装有光学组件的金属盘。封装件将半导体元件和光学组件封装在内部。该封装件设置有机壳接地线。本方面的光发射设备的特征在于：承载体的背面设置有与承载体的相应顶面上的接地金属电连接的与机壳接地线电隔离的浮动金属。
附图说明
并入并构成本说明书的一部分的附图示出了本文所述的一个或多个实施方案，并且连同说明一起解释这些实施方案。在附图中：
图1是安装在根据本发明的一个方面的光发射设备内的光学组件的俯视图；
图2示出了沿图1所示的线II-II截取的横截面；
图3是本发明第一实施例的光发射设备的俯视图，其中光发射设备设置有图1所示的光学组件；
图4是从图1所示的光学组件变型而成的另一个光学组件的俯视图；
图5示出了沿图4中的线V-V截取的变型光学组件的横截面；
图6是也从图1所示的光学组件变型而成的另一个光学组件的俯视图；
图7示出了沿图6中的线VII-VII截取的变型光学组件的横截面；
图8A示出了图6所示的变型光学组件的反射性能，而图8B示出了图1所示的第一实施例的光学组件的反射性能；
图9是根据本发明第二实施例的另一光发射设备的俯视图；
图10放大示出了第二实施例的光发射设备的主要部分；以及
图11放大示出了从图10所示的光发射设备变型而成的光发射设备的主要部分。
具体实施方式
接下来，将在参考附图对根据本发明的实施例进行描述。本发明不限于该实施例，并且具有在权利要求书中限定的范围。本发明还包括与权利要求书的范围等同的范围内的任何改变和变型。在附图的描述中，彼此相同或相似的数字或符号指的是彼此相同或相似的元件，而不进行重复说明。
图1是光学组件1A的俯视图，并且图2示出了沿图1所示的线II-II截取的光学组件1A的横截面。本实施例的光学组件1A(其可以配备在光通信系统所使用的光发射设备内)包括承载体10、共面线11、接地金属13、偏压盘14、末端盘15、侧部金属16、背面金属17和半导体元件20。半导体元件20将半导体激光二极管(LD)与光调制器类型的电吸收(EA)调制器一体地集成在LD和EA共用的基板上。半导体元件设置有阳极盘21(经由阳极盘21向LD提供偏流)以及与EA的阳极盘22连接的信号盘23，其中EA由通过信号盘23和阳极盘22提供的驱动信号驱动。LD的阳极盘21和信号盘23可以由镀金(Au)形成。
具有矩形板状、由电绝缘材料制成但具有很大导热率的承载体10包括顶面10a、背面10b、彼此相反的侧部10c和10d以及也彼此相反的其它侧部10e和10f。前述两个侧部10c和10d纵向地延伸，而后述两个侧部10e和10f横向地延伸并将前述两个侧部10c和10d连接起来。承载体10在顶面10a的更靠近侧部10e的一侧安装有半导体元件20。承载体10可以由例如厚度T大于0.3mm的氮化铝(AlN)制成。本实施例的承载体10的厚度为0.4mm。
共面线11包括信号线12和接地金属13，信号线12置于接地金属13之间。可以是金属图案的信号线12沿着侧部10c从侧部10e沿纵向延伸到另一侧部10f。信号线12在其一个端部设置有将与键合引线接合的盘12a，而在其更靠近侧部10e的另一个端部还设置有与延伸到信号盘23的另一键合引线41接合的另一个盘12b。
如上所述，信号线12沿着侧部10c延伸，这意味着信号线12和半导体元件20在更靠近侧部10e的端部并排布置。另一方面，信号线12在更靠近侧部10f的端部弯曲，并且盘12a布置在侧部10f的中部，但是稍微偏移成更靠近侧部10c。因此，信号线12整体上布置成更靠近侧部10c。
作为金属图案的接地金属13在信号线12的两侧延伸，但在信号线12与接地金属13之间留有预定间隙。本实施例的光学组件1A在承载体10的除了围绕信号线12、偏压盘14和末端盘15的区域之外的整个顶面10a上设置有接地金属13。接地金属13的更靠近侧部10d的部分设置有安装半导体元件20的区域B1，使得背面金属(其作为LD和EA共用的阴电极)中的半导体元件20物理地电连接到接地金属13。接地金属13还在侧部10f处设置有位于信号线12两侧的区域B2，键合引线73被引线键合到区域B2，这将在后文中描述。
作为金属图案的偏压盘14可以在靠近侧部10d的位置布置在纵向中央。键合引线43将偏压盘14电连接到阳极盘21。另外，另一键合引线将偏压盘14连接到设置在封装件中的引线端子，封装件将光学组件1A包封在内部，这在图3中示出。
同样作为与接地金属13隔开(浮动)的金属图案的末端盘15布置在侧部10d处并且靠近侧部10e。键合引线42将末端盘15电连接到信号盘23。另外，作为片式电阻的端接器(terminator)31将末端盘15连接到接地金属。也就是说，EA的信号盘23通过键合引线42和末端盘15由端接器31端接。
参考图2，背面金属17设置在承载体10的整个背面10b中。背面金属17仅连接到承载体的顶面10a中的接地金属，但与封装件的机壳接地线隔开。也就是说，图1所示的光学组件1A安装在设置于热电冷却器(TEC)68上的电绝缘板上，该电绝缘板设置有反映承载体的背面金属17的尺寸的金属图案，以便于将承载体10安装在金属图案上。因此，背面金属17与机壳接地线隔开，并且仅与承载体的顶面10a上的作为信号地线的接地金属13电连接。因此，在本说明书中，背面金属17有时称为浮动金属。
承载体10设置有背面金属17的一个原因如上所述，即，为了将承载体10的背面10b接合到设置在TEC的电绝缘顶板中的金属图案上。承载体10设置有背面金属17的另一个原因是为了在光学组件1A的组装期间测试半导体元件20。也就是说，预先将光学组件1A安装在封装件内，通过在端部盘12a与接地金属13之间以及偏压盘14与接地金属13之间探测信号线12执行LD和EA的电气测试。具体而言，当在信号线12的端部盘12a与接地金属13之间提供DC或低频信号时，通过在偏压盘14与接地金属13之间提供DC偏压来调查LD的静态特性。另外，当在偏压盘14与接地金属13之间提供DC偏压时，通过在端部盘12a与接地金属13之间提供高频信号来测试EA的动态特性。因此，在光学组件1A的组装期间进行测试需要复杂的探测。在测试期间，将具有背面金属17的承载体10放置在导电基板上，通过经由侧部金属16将背面金属17连接到接地金属13，对接地金属13的探测可以用对导电基板的探测来替代。因此，可以简化组装期间的中间测试。然而，当背面金属17与机壳接地线电连接时，背面金属17可能改变信号线12上载有的驱动信号的传播特性。另外，进入封装件的外部噪声可能通过机壳接地线、背面金属17和接地金属13影响信号线12上的驱动信号。因此，背部金属17优选地与机壳接地线隔离。
侧部金属16仅在靠近侧部10f的部分中设置在承载体的侧部10d中。也就是说，侧部10d移除了靠近侧部10e的部分中的侧部金属16。由于侧部金属16与信号线12分离，所以侧部金属16不会对信号线12上载有的驱动信号的传输产生任何影响。
信号线12、接地金属13、偏压盘14、末端盘15、侧部金属16和背面金属17可以由镀金(Au)制成，且带有钛(Ti)层、铂(Pt)层和另一金(Au)层作为用于金属电镀的籽晶层。其中，Ti层、Pt层和Au层的厚度分别为0.1μm、0.2μm和3μm。
图3示出了内部配备有光学组件1A的光发射设备2A的俯视图。除了包括光学组件1A之外，光发射设备2A内还包括封装件61、透镜32、布线基板63和热电冷却器68。呈盒形的封装件61以气密的方式封装光学组件1A、透镜32、布线基板63和TEC 68。封装件61在其后部设置有真空电极(feedthrough)69和引线端子67。真空电极69设置有另一共面线，该共面线也包括信号线65和接地金属66，信号线置于接地金属66之间。引线端子67形成在从封装件61的内部延伸至外部的陶瓷层上。尽管图3仅示出了陶瓷层的顶面，但陶瓷层的背面设置有连接到信号线65的其它引线端子(其也从封装件61的内部延伸到外部)。
同样安装在TEC 68上的透镜32与半导体元件20的输出面光耦合。透镜32使得从半导体元件20发出的光L1准直。准直光L1穿过设置在封装件61的前侧的窗口70从封装件61输出到外部。
布置在真空电极69与光学组件1A之间并安装在TEC 68上的布线基板63设置有包括信号线63a和接地金属63b的共面线，信号线63a置于接地金属63b之间。信号线63a的一个端部通过键合引线73被引线键合到承载体10上的信号线12的端部盘12a，而信号线63a的另一个端部通过键合引线77被引线键合到真空电极69上的信号线65。因此，驱动信号可以通过引线端子67、真空电极69的信号线65、键合引线77、布线基板63上的信号线63a、键合引线73、承载体10上的信号线12以及键合引线41中的一者提供给EA的信号盘23。
接地金属63b形成在信号线63a的两侧，同时在信号线63a与接地金属63b之间留有预定间隙，并且接地金属63b利用键合引线74与承载体10上的接地金属13引线键合。另外，接地金属63b的另一个端部利用键合引线75、76与真空电极69上的接地金属66引线键合，并且真空电极69上的接地金属66向外电连接到系统(其内部配备有光发射设备2A)的信号地线。
布线基板63上的接地金属63b安装有贴片式电容器类型的电容器64，该电容器64具有面向并接触接地金属63b的底部电极，而电容器64的顶部电极利用键合引线72被引线键合到引线端子67且利用另一键合引线71被引线键合到承载体10上的偏压盘14。引线端子67接收DC偏压，并且该DC偏压被提供给半导体元件20，特别是通过键合引线72、旁路电容器64、键合引线71、偏压盘14和键合引线43提供给LD的阳极盘21。
将描述光学组件1A的优选特征。本实施例的光学组件1A设置有承载体10，承载体10的背面10b涂覆有背面金属17。背面金属17仅用于在光学组件1A的组装期间测试光学组件1A，并且在组装完成之后除了电连接到承载体的顶面10a上的接地金属13之外不电连接到其它地方。背面金属17通过侧部金属16电连接到顶面10a上的接地金属13。背面金属17物理连接到由电绝缘材料制成的TEC68的顶板。因此，背面金属17对信号线12上的驱动信号的电传输没有任何影响。换言之，信号线12可以是仅与接地金属13组合的共面线，接地金属13设置在信号线12各侧，同时在信号线12与接地金属13之间留有间隙。背面金属17在光发射设备2A的组装期间对于测试非常有用。也就是说，在LD和EA的静态特性(即，LD的I-L特性和EA的消光比)和温度依存性以及EA的动态特性(即，EA的消光比的频率依存性)中，需要测试光学组件1A(特别是半导体元件20)。在测试期间，光学组件1A安装在测试设备的平台上，并且通过探测偏压盘14、用于测试LD和信号线12的端部盘12a的平台以及用于EA的平台，可以简化测试程序并可以加快测试。
本实施例的侧部金属16可以将背面金属17电连接到接地金属13。承载体10仅在与信号线12相距足够远(与侧壁10的厚度T相比)的侧部10d处设置有侧部金属16。因此，背面金属17可以电连接到接地金属13，而不影响信号线12上的信号传输，特别是不影响信号线12上载有的驱动信号的高频性能。
承载体10的厚度T优选地为大于0.3mm，其中承载体10的本实施例的厚度为0.4mm。因此，背面金属17可以与信号线分开至少0.3mm。因此，背面金属17不会对信号线12和顶部接地金属13的共面布置产生影响。由于本实施例的承载体10由氮化铝(AlN)制成，因此当承载体的厚度T小于0.15mm时，背面金属17可能影响或降低顶面10a上的共面特性。因此，在承载体10的厚度T大于0.3mm的情况下，背面金属17对信号线12上的驱动信号的传输基本上没有影响。
[第一变型例]
图4和图5分别示出了光学组件1B的俯视图以及沿图4所示的线V-V截取的光学组件1B的横截面。光学组件1B(特别是承载体10B)设置有位于信号线12的各侧且在用于引线键合到布线基板63的区域中的通孔(导通孔)18来代替上述实施例中的侧部金属16。通孔18填充有金属以确保其导电性。尽管图4中的承载体10B仅设置有三个通孔18，但承载体10B可以设置有四个或更多个通孔，以将背面金属17可靠地连接到顶部接地金属13。
[第二变型例]
图6和图7分别示出了光学组件1C的俯视图以及沿图6所示的线VII-VII截取的光学组件1C的横截面。图6和图7所示光学组件1C(特别是承载体10C)从侧部10e到另一侧部10f在整个侧部10c中设置有侧部金属19，其中侧部10c更靠近共面布置11，这与图1所示的承载体10的布置不同。如上所述，当金属图案(特别是连接到接地金属13的金属图案)定位成更靠近共面布置的信号线12时，共面线11可能降低其传输特性(例如，S参数)，即，其传输阻抗偏离设计阻抗。因此，考虑到承载体10C的厚度T，从信号线12到侧部金属19的距离大于信号线12与接地金属13之间留有的预定间隙。
尽管图中未示出，但侧部10e和/或10f也可以设置有将背面金属17电连接到接地金属13的侧部金属。与前述变型例类似，从信号线12到设置在侧部10e和/或10f中的侧部金属的距离大于信号线12与接地金属13之间的预定间隙。
图8A和图8B比较了图1所示的第一实施例的共面线11的传输阻抗与图6所示的第二变型例的共面线11的传输阻抗。也就是说，图8A和图8B分别比较了设置成远离信号线12的侧部金属16(图8B)和设置成靠近信号线12的侧部金属19(图8A)的影响。在光学组件1A和1C的实际操作中，S参数S11不仅需要足够低(这意味着共面线11的传输阻抗变为等于设计的特性阻抗)，而且在工作频率范围方面还需要足够平滑。如图8A和图8B所示，信号反射S11造成在25GHz附近的频率的大幅度下降，该频率是光学组件1A和1B的工作频率范围的上限(high end)。然而，信号反射S11的下降意味着：尽管其平滑度稍微被牺牲，但是共面线11的特性阻抗变得更接近设计的特性阻抗。此外，对于光学组件1C的实际操作而言，下降量在可接受的范围内。这意味着：尽管设置在侧部10c处的侧部金属19更靠近共面线11，但是侧部金属19与信号线12相距至少0.15mm，这是信号线12与除了接地金属13之外的金属图案之间的设计最小间隙。因此，本实施例的承载体10可以在侧部10f和另一侧部10e处设置侧部金属，只要确保与信号线12相距至少0.15mm的最小距离的间隙即可。
[第二实施例]
图9示出了根据本发明第二实施例的光发射设备2B的俯视图。光发射设备2B配备有位于封装件61内的四个光学组件1A和四个透镜32，其中包括一个半导体元件20的一个光学组件1A和一个透镜32的单元构成光发射设备2B的一个通道。从封装件61的外部经由共面线提供的驱动信号独立地驱动每个通道。尽管图9明确地示出了安装在光发射设备2B内的光学组件是图1所示的第一实施例1A的类型，但是也可以在光发射设备2B内配备其他类型的光学组件1B和1C。封装件61的与安装透镜32的端部相反的后端设置有引线端子67，通过该引线端子67为各个通道提供驱动信号。图9中出现的引线端子67分为两种类型，其中一种用于提供驱动信号，而另一种用于确保接地，并且这两种引线端子彼此交替布置。前一组中涉及的引线端子与真空电极69上的信号线65相接，而后一组中的引线端子与同样设置在真空电极69上的接地金属66相接。信号线65被引线键合到布线基板63上的信号线63a。与图3所示的第一实施例类似，布线基板63、光学组件1A和透镜32安装在TEC 68的顶板上，其中顶板由电绝缘材料制成。
图10放大示出了光发射设备2B的主要部分，也就是说，放大示出了安装在TEC 68上的布线基板63和四个光学组件1A上的布置。布线基板63设置有四条共面线，也就是说，四条信号线63a与位于信号线63a之间的接地金属63b之间留有预定距离的间隙。信号线63a的一个端部63e通过键合引线77与真空电极69上的信号线65引线键合。另外，接地金属63b通过键合引线75、76被引线键合到真空电极69上的接地金属66。真空电极69上的接地金属66连接到设置在封装件61外部的与封装件61的机壳接地线隔离的信号地线。
布线基板63的接地金属63b上也安装有与各个通道对应的四个电容器64。电容器64是具有顶部电极和底部电极的贴片式电容器的类型。底部电极面向并接触接地金属63b，而顶部电极通过键合引线72引线键合到引线端子67(其中端子67提供DC偏压)，并且顶部电极还利用键合引线71引线键合到光学组件1A上的偏压盘14。
光学组件1A均具有图1所示的布置，也就是说，光学组件1A的横向宽度均小于1mm，本实施例的横向宽度为0.7mm，纵向长度为约2mm。四个光学组件1A并排布置，使得其总横向宽度在约3mm内，这意味着它们之间确保了约0.07mm的间隙。每个光学组件1A的承载体10设置有顶面10a和背面10b。背面10b伴有背面金属17，而顶面10a设置有形成共面线11的接地金属13和信号线12。接地金属13上安装有半导体元件20。顶面10a还设置有偏压盘14和末端盘15。如已经相对于图1所述的那样，共面线11和半导体元件20在面向透镜32的侧部10e处并排设置，而共面线11设置在面向布线基板63的侧部10f的中部部分。
本实施例的半导体元件20将LD与EA集成在一起，其中LD发射连续波(CW)光，而EA调制该CW光。因此，半导体元件20可以将调制光输出到透镜32。透镜32可以准直从半导体元件20分散的调制光。尽管在图9和图10中没有示出，但是光发射设备2B设置有将从透镜32输出的四束准直光多路复用成一束复用光的光耦合系统。多路复用光穿过封装件61的前壁中的窗口70从封装件61输出。
共面线11将所载有的驱动信号传送到半导体元件20，具体而言，传送到半导体元件20中的EA的信号盘23。如上所述，共面线11的一个端部12a位于面向布线基板63的侧部10f的中部部分，确切而言，位于中部部分但稍微靠近侧部10c的位置，而共面线11的另一个端部12b和半导体元件20在面向透镜32的侧部10e处并排布置。因此，共面线11的信号线12整体上沿着承载体10的侧部10c延伸。从共面线11到端接电阻31的信号线经由两根键合引线41、42横跨半导体元件20的EA侧。本实施例中的驱动信号的速度为例如28Gb/s。由于键合引线41、42垂直于设置在相邻光学组件中的信号线12延伸，因此可以抑制键合引线41、42与相邻信号线12之间的串扰。本发明的光发射设备2B将光学组件1A并列布置使得它们之间具有非常有限的空间；因此，光学组件1A的布置可以抑制通道之间的不可避免的串扰。
将进一步描述本实施例的光学组件1A。在光学组件1A中，接地金属13的更靠近侧部10c的一部分的宽度比接地金属13的在偏压盘14和末端盘15侧的另一部分的宽度窄。较窄的接地金属13优选地延伸超过侧部10c的一半。另外，更靠近侧部10c的较窄的接地金属13的平均宽度比设置在相反侧的接地金属13的平均宽度窄。如图1所示，信号线12在靠近承载体10的侧部10f的一侧朝向中部部分弯曲。也就是说，信号线12随着越靠近侧部10f而变为逐渐远离侧部10c。因此，较窄的接地金属13的在侧部10f处的宽度w1比其在侧部10e处的宽度w2宽；但是较窄的接地金属13的宽度w2比信号线的宽度w3宽。共面线通常在信号线的各侧具有接地金属，接地金属的宽度比信号线的宽度宽得足够多。与共面线的常规布置相反，本实施例的共面线的布置具有宽度大于接地线宽度的信号线。本实施例的信号线12的宽度w3例如小于光学组件1A的横向宽度的1/10，其中本实施例提供宽度为约70μm的信号线12和在侧部10e处宽度为10-70μm的较窄的接地线13。除了键合引线41、42与信号线12之间的位置关系(它们之间形成大致直角)可以有效地减少由布置成与侧部10c相邻的光学组件所影响的串扰之外，较窄的接地金属13的这种布置也可以有效地减少上述串扰。信号图案12、接地金属13以及两个盘14和15可以由镀金(Au)制成，确切而言，由钛(Ti)、铂(Pt)和金(Au)的堆叠籽晶金属制成，钛(Ti)、铂(Pt)和金(Au)的厚度分别为0.1μm、0.2μm和3μm。
再次参考图10，四根键合引线71将电容器64连接到偏压盘14，以便向半导体元件20中的LD提供DC偏压。如已经描述的那样，布线基板63设置有四个共面结构63c，共面结构63c由信号线63a和接地金属63b构成，信号线63a置于接地金属63b之间。布线基板63具有横向宽度为3.5mm、纵向长度为1.0mm的矩形。布线基板63还具有面向光学组件1A的侧部63d和面向真空电极69的另一侧部63e。接地金属63b上安装有去耦电容器64。去耦电容器64和共面结构63c在布线基板63上沿横向并排地交替布置。
信号线63a的在其侧部63d中的节距基本上等于光学组件1A的节距，而信号线63a的在侧部63e中的另一节距基本上等于载有驱动信号的第一组的引线端子67的节距。信号线63a的在其侧部63d中的节距小于信号线63a的在侧部63e中的另一节距，也就是说，布线基板63可以表现出节距转换的功能。
信号线63a在面向光学组件1A的一个端部中设置有盘63f，而在面向真空电极69的另一个端部中设置有另一盘63g。盘63f利用键合引线73引线键合到光学组件1A中的盘12a，而盘63g利用键合引线77引线键合到真空电极69上的信号线65。盘63f和63g在相应侧部63d和63e的边缘延伸，这意味着四个接地金属63b在布线基板63的顶面63c中被隔离开。然而，与光学组件1A类似，布线基板63在其背面设置有背面金属；并且每个接地金属63b设置有通孔63h，通孔63h将顶面上的接地金属63b电连接到布线基板的背面上的背面金属。因此，接地金属63b彼此电连接。另外，布线基板63安装在TEC的顶板上，该顶板可以由电绝缘材料制成但是设置有与机壳接地线电隔离的金属盘。因此，信号线63a或信号线63a上载有的驱动信号具有所有通道共用但与机壳接地线或壳体61隔离的接地线。
接下来，将描述本实施例的光发射设备2B的优点。如图1和其它图所示，本发明的光学组件1A至1C将共面线11布置成更靠近承载体10的侧部10c而不是其中央。此外，承载体10在光学组件1A的侧部10c或侧部10d中设置有与侧部相邻的金属，金属将背面金属17连接到承载体10的顶面10a上的接地金属13，这可以有效地减少从信号线12泄漏到相邻通道中的半导体元件20的串扰或噪声。另外，沿着侧部10c的接地金属13的宽度w2小于信号线的宽度w3，这可以进一步减少驱动信号中包含的高频分量泄漏到相邻信道。因此，本实施例的光学组件1A上的布置可以有效地消除通道之间的串扰。优选地，具有比信号线的宽度w3窄的宽度w2的接地金属13延伸侧部10c的至少一半。另外，侧部10d处的接地金属的平均宽度大于侧部10c处的另一接地金属13的平均宽度，这也可以有效地减少串扰。
第二实施例的光发射设备2B在布线基板63上安装贴片式电容器64。然而，每个光学组件1A可以在接地金属13上安装贴片式电容器64。即使光学组件1A具有这样的布置，每个承载体10也在其侧部10c或10d中的至少一者中设置有侧部金属，也就是说，侧部金属设置在信号线12之间，从而可以有效地抑制通道之间的串扰。因为贴片式电容器64安装在承载体10上，所以可以在光学组件1A内关断从EA经由贴片式电容器64到接地金属13的用于高频分量的泄漏路径，从而可以抑制高频分量到相邻通道的串扰。当贴片式电容器64安装在布线基板63上时，从EA到接地金属13的泄漏路径包括键合引线74，键合引线74将布线基板63上的接地金属63b连接到承载体10上的接地金属13，这可降低通道之间的串扰。
另外，本实施例的光发射设备2B在真空电极69与光学组件1A之间设置有布线基板63；并且布线基板63可以表现出节距转换的功能。也就是说，信号线63a在面向真空电极69的侧部63e中的节距被设定为比信号线63a在面向光学组件1A的侧部63d中的节距宽。然而，通过以与用于驱动信号的引线端子67的节距对应的节距布置光学组件1E或者在真空电极69上的信号线65中设置节距转换的功能；并且将贴片式电容器64安装在各个光学组件1E上，光学组件1B可以去除布线基板63。图11示出了根据图9所示的光发射设备2B的变型例的光发射设备2C的布置。光发射设备2C去除了布线基板63，并以与用于驱动信号的第一组的引线端子67的节距大致相等的节距设置光学组件1E。由于光学组件1E和引线端子67中的节距彼此相当，因此真空电极69上的信号线65基本上直线延伸，这意味着信号线65的长度变为最小，使得可以有效地减少驱动信号的形状劣化。
另外，图11所示的光学组件1E具有设置在承载体10的顶部上的偏压盘14消失的特征。提供给LD的偏压经由键合引线71从贴片式电容器64直接提供，而不经过偏压盘14。这种去除偏压盘14的布置使得承载体的侧部10d中的侧部金属能够从面向真空电极69的边缘10f延伸到面向末端盘15的接地金属的端部，也就是说，侧部10f几乎全部被侧部金属覆盖。因此，连接到接地金属13的侧部10f中的侧部金属可以放置在信号线12之间；从而可以进一步消除通道之间的串扰。此外，变型光发射设备2C的布置可以形成用于将光耦合系统安装在光学组件1E前方的更宽空间，其中光耦合系统将半导体元件20与设置在窗口70中的光纤光耦合。另外，这种布置可以使TEC 68的顶板的尺寸变窄，这可以节省TEC 68的功耗。
虽然出于说明的目的，在本文中对本发明的特定实施例进行了描述，但对于本领域技术人员显而易见的是，可以对本发明做出许多修改和变化。因此，所附权利要求书旨在涵盖落在本发明的真实精神和范围内的所有此类修改和变化。

Claims (24)

1.一种光发射设备，包括：
光学组件，其包括半导体元件和承载体，所述半导体元件安装在所述承载体上，
其中，所述半导体元件将半导体激光二极管与电吸收调制器集成在一起，并且
所述承载体具有顶面、背面和彼此相反的第一侧部和第二侧部，所述顶面配备有包括信号线和接地金属在内的共面线，所述接地金属具有两个部分，所述信号线置于所述两个部分之间，从而在所述接地金属与所述信号线之间留有预定间隙，所述信号线更靠近所述第一侧部延伸，所述接地金属的所述两个部分中的一个部分设置为远离安装有所述半导体元件的所述第一侧部；
封装件，其将所述光学组件封装在内部，所述封装件设置有机壳接地线，
其中，所述承载体的所述背面设置有浮动金属，所述浮动金属电连接到所述顶面上的所述接地金属，但与所述机壳接地线电隔离。
2.根据权利要求1所述的光发射设备，
还包括热电冷却器，所述热电冷却器具有由电绝缘材料制成的顶板，所述顶板具有与所述机壳接地线电隔离但与所述承载体的所述浮动金属电接触的金属盘。
3.根据权利要求1所述的光发射设备，
其中，所述承载体的所述第二侧部设置有使所述浮动金属与所述接地金属电连接的第二侧部金属。
4.根据权利要求3所述的光发射设备，
其中，所述承载体的厚度和从所述信号线到所述第二侧部金属的距离均大于所述信号线与所述接地金属之间的所述预定间隙。
5.根据权利要求1所述的光发射设备，
其中，所述接地金属具有通孔，所述通孔填充有将所述浮动金属电连接到所述接地金属的金属。
6.根据权利要求5所述的光发射设备，
其中，所述承载体的厚度和从所述信号线到所述通孔的距离均大于所述信号线与所述接地金属之间的所述预定间隙。
7.根据权利要求1所述的光发射设备，
其中，所述承载体的所述第一侧部设置有使所述浮动金属与所述接地金属电连接的第一侧部金属。
8.根据权利要求7所述的光发射设备，
其中，所述承载体的厚度和从所述信号线到所述第一侧部的距离均大于所述信号线与所述接地金属之间的预定间隙。
9.根据权利要求1所述的光发射设备，
其中，所述承载体具有矩形形状，所述矩形形状具有所述第一侧部和第二侧部以及把所述第一侧部和第二侧部连接起来的两个端部，
所述共面线和所述半导体元件在所述两个端部中的一个端部中并排布置，并且
所述共面线在所述两个端部中的另一个端部中设置在中部。
10.根据权利要求9所述的光发射设备，
其中，所述承载体在所述两个端部中的所述另一个端部的侧部中设置有侧部金属，所述侧部金属将所述浮动金属电连接到所述接地金属。
11.根据权利要求10所述的光发射设备，
其中，所述承载体的厚度和从所述信号线到所述侧部金属的距离均大于所述信号线与所述接地金属之间的所述预定间隙。
12.根据权利要求9所述的光发射设备，
还包括布线基板，所述布线基板具有另一共面线，所述另一共面线具有另一信号线和另一接地金属，所述另一接地金属的两个部分将所述另一信号线置于所述另一接地金属的所述两个部分之间，所述承载体的所述两个端部中的所述另一个端部的中部中的所述信号线被引线键合到所述布线基板上的所述另一信号线，所述接地金属的布置在所述信号线的两侧的两个部分被引线键合到所述布线基板上的所述另一接地金属的两个部分。
13.根据权利要求12所述的光发射设备，
其中，所述布线基板在所述另一接地金属的所述两个部分中的一个部分上设置有电容器，并且所述承载体还沿着所述第二侧部设置有偏压盘，并且
所述电容器被引线键合到所述偏压盘，并且所述偏压盘被引线键合到所述半导体元件。
14.根据权利要求9所述的光发射设备，
其中，所述承载体还设置有电容器和偏压盘，所述接地金属的所述两个部分中的布置为与所述第二侧部更靠近的一个部分安装有所述电容器并且沿着所述第二侧部包围所述偏压盘，并且
所述电容器被引线键合到所述偏压盘，并且所述偏压盘被引线键合到所述半导体元件。
15.根据权利要求9所述的光发射设备，
其中，所述承载体还在所述接地金属的所述两个部分中的布置为与所述第二侧部更靠近的一个部分上设置有电容器，并且
所述电容器被引线键合到所述半导体元件。
16.根据权利要求2所述的光发射设备，
其中，所述承载体的所述第二侧部设置有使所述浮动金属与所述接地金属电连接的第二侧部金属，并且
所述承载体的厚度和从所述信号线到所述第二侧部金属的距离均大于所述信号线与所述接地金属之间的所述预定间隙。
17.根据权利要求2所述的光发射设备，
其中，所述承载体的所述第一侧部设置有使所述浮动金属与所述接地金属电连接的第一侧部金属，并且
所述承载体的厚度和从所述信号线到所述第一侧部的距离均大于所述信号线与所述接地金属之间的预定间隙。
18.根据权利要求2所述的光发射设备，
其中，所述承载体具有矩形形状，所述矩形形状具有所述第一侧部和所述第二侧部以及把所述第一侧部和所述第二侧部连接起来的两个端部，所述共面线和所述半导体元件在所述两个端部中的一个端部中并排布置，并且所述共面线在所述两个端部中的另一个端部中设置在中部，
所述光发射设备还包括布线基板，所述布线基板具有另一共面线，所述另一共面线具有另一信号线和另一接地金属，所述另一接地金属的两个部分将所述另一信号线置于所述另一接地金属的所述两个部分之间，所述承载体的所述两个端部中的所述另一个端部的中部中的所述信号线被引线键合到所述布线基板上的所述另一信号线，所述接地金属的布置在所述信号线的两侧的两个部分被引线键合到所述布线基板上的所述另一接地金属的两个部分，并且
所述布线基板在所述另一接地金属的所述两个部分中的一个部分上设置有电容器，并且所述承载体还沿着所述第二侧部设置有偏压盘，并且所述电容器被引线键合到所述偏压盘，并且所述偏压盘被引线键合到所述半导体元件。
19.根据权利要求2所述的光发射设备，
其中，所述承载体具有矩形形状，所述矩形形状具有所述第一侧部和所述第二侧部以及把所述第一侧部和所述第二侧部连接起来的两个端部，所述共面线和所述半导体元件在所述两个端部中的一个端部中并排布置，并且所述共面线在所述两个端部中的另一个端部中设置在中部，
所述承载体还设置有电容器和偏压盘，所述接地金属的所述两个部分中的布置为与所述第二侧部更靠近的一个部分安装有所述电容器并且沿着所述第二侧部包围所述偏压盘，并且所述电容器被引线键合到所述偏压盘，并且所述偏压盘被引线键合到所述半导体元件。
20.一种光发射设备，其具有输出光信号的多个通道，所述光发射设备输出对光信号进行多路复用的多路复用光信号，所述光发射设备包括：
多个光学组件，其与所述多个通道对应，每个所述光学组件包括：
半导体元件，其将半导体激光二极管与电吸收调制器集成在一起，以及
承载体，其具有顶面、背面和彼此相反的第一侧部和第二侧部，所述顶面配备有包括信号线和接地金属在内的共面线，所述接地金属具有两个部分，所述信号线置于所述两个部分之间，从而在所述接地金属与所述信号线之间留有预定间隙，所述信号线更靠近所述第一侧部延伸，所述接地金属的所述两个部分中的一个部分设置为远离安装有所述半导体元件的所述第一侧部；
热电冷却器，其安装有所述光学组件，所述热电冷却器具有由电绝缘材料制成的顶板，所述顶板包括金属盘，所述光学组件安装在所述金属盘上；以及
封装件，其将所述半导体元件和所述光学组件封装在内部，所述封装件设置有机壳接地线，
其中，所述承载体的所述背面设置有浮动金属，所述浮动金属电连接到各个所述顶面上的所述接地金属，但与所述机壳接地线电隔离。
21.根据权利要求20所述的光发射设备，
其中，所述承载体中的一个承载体的所述第一侧部和所述第二侧部中的至少一个侧部设置有使所述浮动金属与所述接地金属电连接的侧部金属，并且
所述承载体中的所述一个承载体上的共面线以及与所述承载体中的所述一个承载体相邻的所述承载体中的另一承载体上的共面线被所述侧部金属分开。
22.根据权利要求20所述的光发射设备，
还设置有布线基板，所述布线基板安装有均与所述承载体上的所述共面线引线键合的共面线，
其中，所述封装件具有与所述布线基板上的所述共面线引线键合的引线端子，所述布线基板上的所述共面线在面向所述引线端子的一个端部中具有一节距并且在面向所述光学组件的另一个端部中具有另一节距，并且
所述布线基板上的所述共面线的所述一节距与所述引线端子的节距对准，并且所述布线基板上的所述共面线的所述另一节距与所述承载体上的所述共面线的节距对准。
23.根据权利要求22所述的光发射设备，
其中，所述布线基板的所述接地金属上安装有电容器，所述电容器被引线键合到相应的半导体元件。
24.根据权利要求20所述的光发射设备，
其中，每个所述承载体的所述接地金属上均安装有电容器，所述电容器被引线键合到所述半导体元件。
CN201710273581.XA 2016-04-25 2017-04-24 在承载体上提供共面线的光发射器 Active CN107306009B (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016087091 2016-04-25
JP2016-087091 2016-04-25
JP2016087092 2016-04-25
JP2016-087092 2016-04-25

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN107306009A CN107306009A (zh) 2017-10-31
CN107306009B true CN107306009B (zh) 2021-04-13

Family

ID=60089101

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710273581.XA Active CN107306009B (zh) 2016-04-25 2017-04-24 在承载体上提供共面线的光发射器

Country Status (2)

Country Link
US (2) US10177529B2 (zh)
CN (1) CN107306009B (zh)

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018074057A (ja) * 2016-11-01 2018-05-10 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 半導体レーザキャリア組立体、光半導体装置、及び光半導体装置の製造方法
CN109638638B (zh) 2017-10-05 2023-06-13 住友电工光电子器件创新株式会社 光学模块
JP6988493B2 (ja) 2018-01-11 2022-01-05 住友電気工業株式会社 光モジュール及びその製造方法
CN111801842B (zh) * 2018-03-07 2022-03-22 住友电工光电子器件创新株式会社 半导体装置
US10374386B1 (en) * 2018-06-07 2019-08-06 Finisar Corporation Chip on carrier
US10547158B1 (en) * 2018-10-31 2020-01-28 Avago Technologies International Sales Pte. Limited Optical communication device and system
US11929590B2 (en) 2018-11-06 2024-03-12 Mitsubishi Electric Corporation Method for producing optical semiconductor device
WO2020137682A1 (ja) * 2018-12-26 2020-07-02 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 光半導体装置
WO2020133381A1 (zh) * 2018-12-29 2020-07-02 泉州三安半导体科技有限公司 一种激光器封装结构
CN110190504B (zh) * 2019-05-24 2020-12-15 宁波东立创芯光电科技有限公司 半导体激光器阵列封装结构
US11811191B2 (en) * 2019-08-22 2023-11-07 Sumitomo Electric Device Innovations, Inc. Optical semiconductor device and carrier
DE102021104885A1 (de) * 2020-03-04 2021-09-09 Schott Ag Sockel und Gehäuse mit integriertem Kühler für elektronische Bauelemente
JP7474112B2 (ja) * 2020-05-15 2024-04-24 ＣＩＧ Ｐｈｏｔｏｎｉｃｓ Ｊａｐａｎ株式会社 光モジュール
US11178473B1 (en) * 2020-06-05 2021-11-16 Marvell Asia Pte, Ltd. Co-packaged light engine chiplets on switch substrate
US11165509B1 (en) 2020-06-05 2021-11-02 Marvell Asia Pte, Ltd. Method for co-packaging light engine chiplets on switch substrate
DE102020120167A1 (de) 2020-07-30 2022-02-03 Schott Ag Gehäuse, vorzugsweise TO-Gehäuse, Sockel für Gehäuse und Baugruppe mit einem solchen Gehäuse und/oder Sockel
JP2023005501A (ja) * 2021-06-29 2023-01-18 新光電気工業株式会社 半導体パッケージ用ステム、半導体パッケージ

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0917260A1 (en) * 1997-11-11 1999-05-19 Hewlett-Packard Company Electrical isolation of opto-electronic device components
CN1372710A (zh) * 1999-09-03 2002-10-02 加利福尼亚大学董事会 带有集成光调制器的可调谐激光源
CN102906949A (zh) * 2012-08-07 2013-01-30 华为技术有限公司 外调制激光器、无源光通信设备及系统

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3027779B2 (ja) 1992-03-02 2000-04-04 三菱電機株式会社 マイクロ波回路
JP2001209017A (ja) 1999-11-15 2001-08-03 Mitsubishi Electric Corp 光電変換半導体装置
JP2004093606A (ja) * 2002-08-29 2004-03-25 Opnext Japan Inc 光モジュール及び光伝送装置
US6873449B1 (en) * 2003-09-05 2005-03-29 The Furukawa Electric Co., Ltd. Signal transmission line for an optical modulator
US7426225B2 (en) * 2004-02-19 2008-09-16 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Optical sub-assembly having a thermo-electric cooler and an optical transceiver using the optical sub-assembly
JP2007071980A (ja) * 2005-09-05 2007-03-22 Mitsubishi Electric Corp 光モジュール
GB2430548B (en) * 2005-09-27 2011-08-10 Agilent Technologies Inc An integrated modulator-laser structure and a method of producing same
JP4852442B2 (ja) * 2007-02-15 2012-01-11 日本オプネクスト株式会社 光送信モジュール
KR101430634B1 (ko) * 2010-11-19 2014-08-18 한국전자통신연구원 광 모듈
JP2015125153A (ja) 2013-12-25 2015-07-06 日本電信電話株式会社 光モジュール

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0917260A1 (en) * 1997-11-11 1999-05-19 Hewlett-Packard Company Electrical isolation of opto-electronic device components
CN1372710A (zh) * 1999-09-03 2002-10-02 加利福尼亚大学董事会 带有集成光调制器的可调谐激光源
CN102906949A (zh) * 2012-08-07 2013-01-30 华为技术有限公司 外调制激光器、无源光通信设备及系统

Also Published As

Publication number Publication date
CN107306009A (zh) 2017-10-31
US20170310078A1 (en) 2017-10-26
US10177529B2 (en) 2019-01-08
US20190131762A1 (en) 2019-05-02
US10411432B2 (en) 2019-09-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107306009B (zh) 在承载体上提供共面线的光发射器
US7489042B2 (en) Stem for optical element and optical semiconductor device using the same
US10416400B2 (en) Semiconductor module
JP7332090B2 (ja) 光変調器キャリア組立体及び光モジュール
JP6881745B2 (ja) 光半導体装置
JP6881746B2 (ja) 光半導体装置
JP2018074057A (ja) 半導体レーザキャリア組立体、光半導体装置、及び光半導体装置の製造方法
JP2000012948A (ja) 高周波レ―ザモジュ―ル、光電子素子および高周波レ―ザモジュ―ルの製造方法
US20240097399A1 (en) Semiconductor laser light source device
US20020167977A1 (en) Light generating module
JPH10275957A (ja) 光半導体チップキャリア
US10527804B2 (en) Optical module
JP7468846B2 (ja) 光半導体装置及びキャリア
CN113875103A (zh) 光模块
US8335242B2 (en) Nitride semiconductor laser device mounted on a stem
JP2004093606A (ja) 光モジュール及び光伝送装置
JP2022099537A (ja) 光モジュール
JP7255977B2 (ja) 光モジュール
JP7020590B1 (ja) レーザ光源装置
JP2013250441A (ja) 光学デバイスおよび伝送線路
JP3672831B2 (ja) 搭載基板及び光モジュール
WO2024018501A1 (ja) 半導体レーザ光源装置
US11973312B2 (en) Semiconductor laser device
WO2024084693A1 (ja) 半導体レーザ光源装置
JP2021158292A (ja) 配線部材の接続構造および光学装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant