JP2015125153A - 光モジュール - Google Patents
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Abstract
【課題】小型化を可能にした光モジュールを提供すること。
【解決手段】光モジュール1は、EAM7と、EAM7と電気的に接続された伝送線路8、および、伝送線路8と同一面上に形成された接地導体4を有するサブキャリア3と、伝送線路8に接続され、インピーダンスの整合を行う複数の整合回路とを含む。
【選択図】図1
【解決手段】光モジュール1は、EAM7と、EAM7と電気的に接続された伝送線路8、および、伝送線路8と同一面上に形成された接地導体4を有するサブキャリア3と、伝送線路8に接続され、インピーダンスの整合を行う複数の整合回路とを含む。
【選択図】図1
Description
本発明は、光通信システムにおいて使用される光送信モジュールおよび光送信機等の光モジュールに関する。この光モジュールは、特に、電界吸収型変調器(EAM:Electro-Absorption Modulator)を集積した半導体レーザ素子等において好適に使用される電界吸収型光変調器に用いられる。
電界吸収型変調器(EAM)は、半導体の電界吸収効果を利用した外部光変調器であり、小型でかつ低製造コスト、および低電圧駆動が実現でき、優れた高速変調特性などを有する特徴がある。このため、EAMが単独で光変調器として利用されたり、分布帰還型レーザダイオード(DFB−LD)光源とともに集積されたりして利用される。EAMは、主に10ギガビット毎秒以上の変調速度を有する光通信の分野で広く用いられている。
光通信技術の発達に伴い、光通信装置に対しては、さらなる伝送容量の拡大と共に、より小型かつ安価に提供することが要求されている。この観点から、光通信装置におけるキーデバイスである光送信モジュールについても、より小型および低コストで実現することが要求される。
図6は、従来の電界吸収型変調器の集積型分布帰還型レーザダイオード(EML:Electro-absorption Modulator integrated with DFB Laser diode)モジュール100の構成例を示している。
EMLモジュール100には、外部ピン102を有する気密型パッケージ101が形成されており、このパッケージ101内において、EML105が搭載されたサブキャリア103、EML105から出射される変調光を光ファイバ(図示しない)に結合するためのレンズ109、および、アイソレータ110を含む。EML105は、DFB(Distributed Feedback)レーザ106と光学的に接続される。
サブキャリア103上には、伝送線路として例えばコプレーナ線路108が形成されている。コプレーナ線路108の一端は、ボンディングワイヤ111により信号ピン102と接続され、コプレーナ線路108の他端は、ボンディングワイヤ112によりEAM107の電極と接続される。
EAM107はさらに、ボンディングワイヤ113を介して、サブキャリア103上にパタン形成された薄膜の終端抵抗114の一端と接続される。終端抵抗114の他端は、サブキャリア103の接地導体104と接続される。
外部ピン102から入力される高速変調信号は、ボンディングワイヤ111、コプレーナ線路108およびボンディングワイヤ112を通じて、EAM107に供給される。一般に、サブキャリア103は、放熱を考慮して、窒化アルミニウム等の熱抵抗の小さいセラミック素材で形成される。
図7は、信号源124からEAM107に高速変調信号を伝送するための伝送線路の等価回路を示す図である。なお、図7において、図6に示した符号と同じ符号は、その符号で示したものに相当する。
信号源124の内部抵抗125は通常50Ωである。一般に、コプレーナ線路108の特性インピーダンスまたは終端抵抗114についても、インピーダンス整合を考慮して50Ωにすることが多い。
EAM107は、電気回路的にはダイオードとして扱うことができる。光がこのダイオードの空乏層を通過する際に、ダイオードのアノード電極に印加された逆バイアスに重畳した変調信号により光吸収に強弱が生じ、光変調が行われる。
図7に示したEAM107の等価回路は主に、接合容量122、直列寄生抵抗121、および光電流に相当する抵抗123で構成される。EAM107では、光吸収により生成される電子と正孔との対は、逆バイアスによって光電流となる。
EAM107に入力されるレーザ光が強いほど、大きな光電流が流れることになるが、これは、図7に示した等価回路においては、抵抗123の値が小さくなることに相当する。通常、光電流は数10mAのオーダであるので、これを抵抗値に換算すると抵抗123は、100Ω程度以上になる。
接合容量122は、10ギガビット用EA変調器では例えば0.5pF程度である。
変調信号の低速成分に相当する低周波領域では、EAM107のインピーダンスが終端抵抗114に比べて遥かに高くなるので、EAM107と終端抵抗114との合成インピーダンスは、ほぼ50Ωである。これは、信号源124の出力インピーダンス、および、伝送線路の特性インピーダンスと整合する。
一方、変調信号の高速成分に相当するf=1GHz程度以上の高周波帯域では、EAM107の接合容量122のインピーダンスZはZ=1/(2πfC)であるから50Ωと比較ができるほどまでに小さくなる。例えばf=10GHzにおける接合容量122のインピーダンスは、容量値を0.5pFとすると約32Ωになる。このため、EAM107と終端抵抗114との合成インピーダンスは50Ωよりも小さい値になる。その結果、信号源124とEAM107とを含めた負荷にインピーダンス不整合が生じ、変調信号の劣化や反射損失の劣化が生じる。
これに対して、従来の光送信モジュールでは、例えば非特許文献1のように、EAMへの信号入力接続ワイヤに並列にキャパシタまたはオープンスタブを付加することで、インピーダンス不整合を補償し、電気反射を低減するようにしている。
図8(a)は従来の光モジュールの例を示している。図8(a)では、コプレーナ線路108の付近に0.2pFのキャパシタ133が設けられている。そして、ワイヤ136によって、コプレーナ線路108とキャパシタ133とが接続されることで、インピーダンス整合を取るようにしている。この場合の等価回路は図9で示したような構成になる。
図8(b)および図8(c)の光モジュールでは、図8(a)に示したキャパシタ133の代わりに、コプレーナ線路108bと接続されるオープンスタブ139によりキャパシタを追加した例を示している。
Kota ASAKA et al., "10 Gb/s BOSA employing low-cost TO CAN package and impedance matching circuits in transmitter", IEICE Trans. Electron., vol.E96-C, no.7, July 2013, pp. 989-994.
しかしながら、従来の光モジュールでは、インピーダンス整合を補償するためのキャパシタまたはオープンスタブの素子サイズがEMLやコプレーナ線路などに比べて大きく、これにより、サブキャリアの小型化が制限され、光送信モジュールの小型化の妨げになるという問題があった。
本発明は、上記の課題に鑑みてなされたものであり、小型化を可能にした光モジュールを提供することを目的とする。
上記の課題を解決するための本発明は、電界吸収型の変調器と、前記変調器と電気的に接続された伝送線路、および、前記伝送線路と同一面上に形成された接地導体を有する配線基板と、前記配線基板の前記伝送線路に接続され、インピーダンスの整合を行う複数の整合回路とを含む。
ここで、前記整合回路がコンデンサで構成される場合、前記コンデンサの各々は、前記配線基板の前記接地導体上に設けられ、前記接地導体と一端が接続されるとともに他端が前記伝送線路と電気的に接続されるようにしてもよい。
前記整合回路がオープンスタブで構成される場合、前記オープンスタブの各々は、前記配線基板の前記伝送線路に接続されるようにしてもよい。
本発明によれば、小型化を可能にした光モジュールを提供することができる。
<実施形態1>
以下、本発明の実施形態1である光送信モジュール(光モジュール)1について説明する。この光送信モジュール1は、例えば、高周波特性を有するEMLモジュールである。
以下、本発明の実施形態1である光送信モジュール(光モジュール)1について説明する。この光送信モジュール1は、例えば、高周波特性を有するEMLモジュールである。
図1は本発明の実施形態1に係る光送信モジュール1の構成例を示す図である。
この光送信モジュール1は、サブキャリア(配線基板)3を備え、サブキャリア3上には、コプレーナ線路(伝送電路)8、接地導体4および終端抵抗14が設けられる。
なお、図1では筐体および外部ピンを図示せずに示しているが、光送信モジュール1も、図6に示した筐体101および外部ピン102を同様に備える構成をとる。光送信モジュール1は、気密型パッケージとして説明する。
また、サブキャリア3上には、EML5と、3つのキャパシタ31,32,33とが形成される。各キャパシタ31〜33は、分散してサブキャリア3上に搭載されている。キャパシタ31〜33としては、例えば積層セラミックキャパシタが用いられる。
後述するように、キャパシタ31〜33は、それぞれ、インピーダンスの整合を行う整合回路として用いられる。
なお、図1では、キャパシタ31〜33は、ほぼ等間隔に配置されているが、図1に示した間隔に限られず、他の間隔で配置することもできる。また、図1では、各キャパシタ31〜33は同一の容量値を有するようにしているが、キャパシタ31〜33の各容量値は、異なるようにしてもよい。
図1において、EML5に集積されるEAM7上面には、アノード電極が形成されており、EAM7下面にはカソード電極が形成される。そして、このカソード電極と接地導体4とが電気的に接続される。
また、キャパシタ31,32,33の上面および下面には、それぞれ電極が設けられ、その上面側の各電極は、それぞれ、ボンディングワイヤ34、35、36を介してコプレーナ線路8と接続される。また、キャパシタ31,32,33の下面側の各電極は、それぞれ、接地導体4と電気的に接続される。
図2は、光送信モジュール1の等価回路の一例を示す図である。なお、図2において、図1に示した符号と同じ符号は、その符号で示したものに相当する。
図2に示すように、光送信モジュール1は、高周波信号を供給する信号源24と、電圧を加えるためのバイアスティー26と、外部ピンに相当する線路2と、この線路2とコプレーナ線路8とを接続するためのワイヤに相当するインダクタ11とを備える。
なお、信号源24の内部抵抗25は通常50Ωであるので、本実施形態でも同様の抵抗値をとる。また、コプレーナ線路8の特性インピーダンスまたは終端抵抗14についても、インピーダンス整合を考慮して例えば50Ωとする。
さらに、図2では、直列接続された伝送線路8とシャントされた並列キャパシタ31〜33は、分布的に構成された容量性整合回路として構成される。この容量性整合回路は、各キャパシタ31〜33と各インダクタ34〜36とからなる3つの直列回路で構成される。これは、図6の非特許文献1に示した1つのキャパシタ110による容量性整合回路と同等の機能を果たす。
EAM7は、接合容量22、直列寄生抵抗21、および、光電流分に相当する抵抗23で構成される。EAM7では、光吸収により生成される電子と正孔との対は、逆バイアスによって光電流となる。抵抗23は、100Ω程度以上になる。接合容量22は、10ギガビット用EA変調器では例えば0.5pF程度である。
一般に、積層セラミックキャパシタの容量値Cは、下記式(1)で表されることが知られている。
C=εr・ε0・S/d (1)
C=εr・ε0・S/d (1)
なお、式(1)において、εr:セラミックの比誘電率、ε0:真空誘電率、S:電極の面積、d:電極間距離、を示す。
例えば、2つの電極で挟まれたセラミックの厚さが同じ場合、式(1)に示したCの値は、電極の面積に比例して大きくなる。
この観点から、本実施形態の光送信モジュール1では、キャパシタ31〜33の容量、すなわち電極の面積が小さくなるように、キャパシタ31〜33を分散して配置するようにしている。これにより、1つのキャパシタを備える場合よりも、キャパシタ31〜33の各素子サイズを小さくなる。本実施形態の場合、図1に示したサブキャリア3上のスペース(本実施形態では、接地導体4のスペース)を有効的に利用することができ、結果として、サブキャリア3の小型化が実現する。
一般に、光送信モジュールの素子寸法、特に横方向の素子寸法は、サブキャリアの寸法に依拠して決められる。このため、本実施形態のようにサブキャリア3の小型化を行うことで、光送信モジュール1の小型化も実現できる。
次に、図1および図2に示した光送信モジュール1の入力反射減衰量、および、光送信モジュール1の信号源24からサブキャリア3上の終端抵抗14までの伝送損失に関してシミュレーションを行ったので、その結果の一例を図3に示す。
図3は、周波数特性のシミュレーション結果例を示す図であって、(a)は入力反射減衰、(b)は伝送損失を示す。図3(a)および図3(b)では、横軸は周波数、縦軸は入力電気信号の反射減衰量を示す。なお、このシミュレーションでは、キャパシタ31〜33の容量値をそれぞれ0.1pFとした。
図3(a)および図3(b)では、比較のために、3つの場合、すなわち、本実施形態の光送信モジュール1の場合(R1,L1)と、キャパシタを備えない場合(R2,L2)と、非特許文献1のように1つキャパシタを備える場合(R3,L3)とを示している。
一般的には、入力反射減衰量は、-10dBよりも大きくなるように設計されるので、図3(a)の説明ではこの観点から説明する。
図3(a)において、例えば、キャパシタを備えない場合には、特性R2は、9GHz以上の帯域において、反射損失が-10dB以上に増大している。
一方、キャパシタ31〜33を備える本実施形態の場合には、特性R1は、反射損失が-10dB以上となる帯域は、13GHz程度まで拡大している。この場合、1つのキャパシタによる容量性整合回路を有する場合(特性R3)と比べて、キャパシタ31〜33を分割して配置することで容量性整合回路全体としてのQ値が下がるため、整合のピークとなる入力反射損失値そのものは劣化するものの、その分、反射損失が-10dB以上となる帯域が拡大させることができる。
図3(b)において、例えば、本実施形態の特性L1の場合、キャパシタを備えない特性L2の場合とほぼ同様に、-3dB帯域を有している。一般的に、初期状態から伝送損失が3dB増えた周波数を-3dB帯域と呼び、これは高周波特性として評価されている。
本実施形態の特性L1の場合、1つのキャパシタによる容量性整合回路を有する場合(特性L3)と比べて、15GHz以上の損失低下、すなわち急激なロールオフの抑制が得られた。
以上説明したように、本実施形態の光送信モジュール1によると、変調器としてのEAM7と電気的に接続された伝送線路8、および、伝送線路8と同一面上に形成された接地導体4を有するサブキャリア3と、伝送線路8に接続され、インピーダンスの整合を行う複数の整合回路(コンデンサ31〜33を含む)とを備える。これにより、キャパシタ31〜33の各電極面積が小さくなり、光送信モジュール1の小型化が実現される。
また、光送信モジュール1の場合、従来の場合に比べて、広い帯域に渡って入力反射損失を低減することができる。これにより、例えば10ギガビット毎秒級の高速デシタル信号伝送において良好な信号伝送が可能になる。
<実施形態2>
以下、光送信モジュールの実施形態2について説明する。
以下、光送信モジュールの実施形態2について説明する。
本実施形態の光送信モジュールが実施形態1と異なるのは、前述したコンデンサ31〜33の代わりに、オープンスタブを用いて容量性整合回路を構成した点に特徴がある。
図4は、本発明の実施形態2に係る光送信モジュール1Aの構成例を示す図である。なお、図4では、特に記述しない限り、実施形態1の説明で用いた符号等をそのまま用いる。
図4において、オープンスタブ37、38、39は、コプレーナ線路8に並列に配置される。このように構成することにより、図1に示したキャパシタ31〜33を備える実施形態1と同等の効果が得られる。
オープンスタブ37〜39のキャパシタンスは、スタブ線路の幅および長さによって決まる。そのため、この光送信モジュール1Aでも、実施形態1のものと同様(図1に示したキャパシタ31〜33を分散配置して個々のキャパシタ容量値を小さくした場合と同様)の効果を得ることができる。すなわち、オープンスタブ37〜39の線路幅を同じにして、オープンスタブ37〜39を分散配置することで、個々のスタブ長を短くすることができる。このことは、実施形態1と同様に、サブキャリア3上のスペース(この実施形態では接地導体4)を有効に利用することができ、サブキャリア3の小型化が実現することを意味する。
図4の例では、オープンスタブ37〜39の構成によって、並列容量をサブキャリア3上にパタン形成するだけで実現できるため、実施形態1の場合に比べて部品点数が削減できる。また、光送信モジュール1Aの部材の低コスト化が実現できる。
本実施形態の光送信モジュール1Aでは、実施形態1の場合と異なり、図1に示したキャパシタ31〜33とコプレーナ線路8とを接続するためのワイヤ34〜36が不要になる。このため、不要な寄生インダクタンスが無くなり、入力反射損失がより低減し得る。また、組立コストも削減できる。
ここで、図1および図4に示したEAM7の構成例について図5を参照して説明する。図5は、EML7の構成例を示す図である。
図5において、EAM7は、例えば450μmのDFBレーザ10と、例えば150μmの電界吸収型変調器20とを集積して構成されている。そして、DFBレーザ10と変調器20との間には、電気的分離溝(isolation groove)30が設けられている。図5の例では、EAM7は、例えばn-InP基板40上に形成される。
DFBレーザ10の活性層54、および、変調器20の吸収層51は、InGaAsPのウェルとInGaAsPのバリアとからなる多重量子井戸(MQW)からなる。
DFBレーザ10の活性層54と変調器20の吸収層51は、バットジョイント53により接続されており、半絶縁(semi-insulated)InPによって埋め込まれている。
図5において、n-InP層52およびシリコンInP層55が示されている。
以上、各実施形態について詳述してきたが、構成要素の材料などは変更するようにしてもよい。例えば、光送信モジュール1として例えばEMLを用いるものとして記述しているが、例えば、直接変調型の半導体レーザダイオード(direct modulation laser diode:DML)に適用しても有効である。
また、容量性整合回路の数、例えばキャパシタまたはオープンスタブの数は変更するようにしてもよい。
1,1A 光送信モジュール
2 ピン
3 サブキャリア
4 接地導体
5 EML
6 DFBレーザ
7 EAM
8、8b コプレーナ線路
9 レンズ
10 アイソレータ
11、12、13 ボンディングワイヤ
14 終端抵抗
21 EAMの寄生抵抗
22 EAMの接合容量
23 EAMを流れる光電流分に相当する抵抗
24 信号源
25 信号源の内部抵抗
26 バイアスティー
27 直流電源
31、32、33 キャパシタ
34、35、36 ボンディングワイヤ
37、38、39 オープンスタブ
2 ピン
3 サブキャリア
4 接地導体
5 EML
6 DFBレーザ
7 EAM
8、8b コプレーナ線路
9 レンズ
10 アイソレータ
11、12、13 ボンディングワイヤ
14 終端抵抗
21 EAMの寄生抵抗
22 EAMの接合容量
23 EAMを流れる光電流分に相当する抵抗
24 信号源
25 信号源の内部抵抗
26 バイアスティー
27 直流電源
31、32、33 キャパシタ
34、35、36 ボンディングワイヤ
37、38、39 オープンスタブ
Claims (5)
- 光モジュールであって、
電界吸収型の変調器と、
前記変調器と電気的に接続された伝送線路、および、前記伝送線路と同一面上に形成された接地導体を有する配線基板と、
前記配線基板の前記伝送線路に接続され、インピーダンスの整合を行う複数の整合回路と
を含むことを特徴とする光モジュール。 - 前記整合回路がコンデンサで構成される場合、
前記コンデンサの各々は、前記配線基板の前記接地導体上に設けられ、前記接地導体と一端が接続されるとともに他端が前記伝送線路と電気的に接続されることを特徴とする請求項1に記載の光モジュール。 - 前記整合回路がオープンスタブで構成される場合、
前記オープンスタブの各々は、前記配線基板の前記伝送線路に接続されることを特徴とする請求項1に記載の光モジュール。 - 前記伝送線路は、高周波特性を有する導波路であることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1項に記載の光モジュール。
- レーザ光を発振出力する半導体レーザをさらに含み、
前記半導体レーザと前記変調器とが集積して搭載されることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1項に記載の光モジュール。
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