JP6881746B2 - 光半導体装置 - Google Patents
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Description
最初に、本発明の実施形態の内容を列記して説明する。本発明の一実施形態に係る光半導体装置は、半導体レーザチップと、主面、裏面、一方の側面および一方の側面に対向する他方の側面を備えたキャリアと、キャリアの主面に設けられたグランドパターンと、キャリアの裏面に設けられ、外部と電気的に接続されない実装面と接続される裏面金属膜と、キャリアに設けられ、グランドパターンと裏面金属膜とを電気的に接続する金属と、キャリアの中心線よりも一方の側面に近い領域に配置された信号線路、および信号線路の両側に配置されたグランドパターンを備えたコプレーナ線路と、信号線路に対してキャリアの他方の側面側に位置するグランドパターンに画定された、半導体レーザチップの搭載領域と、信号線路の両側に位置するグランドパターンのそれぞれに画定された、グランド電位供給のためのワイヤボンディング領域と、を備える。
本発明の実施形態に係る光半導体装置の具体例を、以下に図面を参照しつつ説明する。なお、本発明はこれらの例示に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。以下の説明では、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
図5及び図6は、上記実施形態の第1変形例として、光半導体装置1Bの構成を示す。図5は光半導体装置1Bの平面図であり、図6は図5のVI−VI線に沿った断面図である。これらの図に示されるように、グランドパターン13と裏面金属膜17とを電気的に接続する金属は、キャリア10を厚さ方向に貫通する貫通ビア18であってもよい。このような構成であっても、キャリア単体での検査の際に、キャリア主面のコプレーナ線路11のグランドパターン13を確実にグランド電位とすることができる。
図7及び図8は、第2変形例としての光半導体装置1Cの構成を示す。図7は光半導体装置1Cの平面図であり、図8は図7のVIII−VIII線に沿った断面図である。この光半導体装置1Cでは、グランドパターン13と裏面金属膜17とを電気的に接続する側面金属膜19が、キャリア10の側面10c上に設けられている。このような構成であっても、キャリア単体での検査の際に、キャリア主面のコプレーナ線路11のグランドパターン13を確実にグランド電位とすることができる。
Claims (2)
- 半導体レーザチップと、
主面、裏面、一方の側面および前記一方の側面に対向する他方の側面を備えたキャリアと、
前記キャリアの前記主面に設けられたグランドパターンと、
前記キャリアの前記裏面に設けられた裏面金属膜と、
前記キャリアの前記他方の側面の一部のみに設けられ、前記グランドパターンと前記裏面金属膜とを電気的に接続する側面金属と、
前記キャリアの中心線よりも前記一方の側面に近い領域に配置され、前記一方の側面及び前記他方の側面が延びる方向における前記キャリアの一端寄りの位置から他端寄りの位置へ延在する信号線路、および前記信号線路の両側に配置された前記グランドパターンを備えたコプレーナ線路と、
前記信号線路に対して前記キャリアの他方の側面側に位置する前記グランドパターンに画定された、前記半導体レーザチップの搭載領域と、
前記信号線路の両側に位置する前記グランドパターンのそれぞれに画定された、グランド電位供給のためのワイヤボンディング領域と、を備える光半導体装置。 - 前記裏面金属膜は、前記半導体レーザチップの試験を実施する際に、試験用のグランド電位と接続するための接続面を提供する、請求項1記載の光半導体装置。
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