JP2017199906A - 光半導体装置 - Google Patents
光半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017199906A JP2017199906A JP2017086520A JP2017086520A JP2017199906A JP 2017199906 A JP2017199906 A JP 2017199906A JP 2017086520 A JP2017086520 A JP 2017086520A JP 2017086520 A JP2017086520 A JP 2017086520A JP 2017199906 A JP2017199906 A JP 2017199906A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal film
- carrier
- semiconductor device
- ground pattern
- optical semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 94
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 80
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 96
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 96
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 14
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 14
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 13
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
Abstract
Description
最初に、本発明の実施形態の内容を列記して説明する。本発明の一実施形態に係る光半導体装置は、半導体レーザチップと、主面、裏面、一方の側面および一方の側面に対向する他方の側面を備えたキャリアと、キャリアの主面に設けられたグランドパターンと、キャリアの裏面に設けられ、外部と電気的に接続されない実装面と接続される裏面金属膜と、キャリアに設けられ、グランドパターンと裏面金属膜とを電気的に接続する金属と、キャリアの中心線よりも一方の側面に近い領域に配置された信号線路、および信号線路の両側に配置されたグランドパターンを備えたコプレーナ線路と、信号線路に対してキャリアの他方の側面側に位置するグランドパターンに画定された、半導体レーザチップの搭載領域と、信号線路の両側に位置するグランドパターンのそれぞれに画定された、グランド電位供給のためのワイヤボンディング領域と、を備える。
本発明の実施形態に係る光半導体装置の具体例を、以下に図面を参照しつつ説明する。なお、本発明はこれらの例示に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。以下の説明では、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
図5及び図6は、上記実施形態の第1変形例として、光半導体装置1Bの構成を示す。図5は光半導体装置1Bの平面図であり、図6は図5のVI−VI線に沿った断面図である。これらの図に示されるように、グランドパターン13と裏面金属膜17とを電気的に接続する金属は、キャリア10を厚さ方向に貫通する貫通ビア18であってもよい。このような構成であっても、キャリア単体での検査の際に、キャリア主面のコプレーナ線路11のグランドパターン13を確実にグランド電位とすることができる。
図7及び図8は、第2変形例としての光半導体装置1Cの構成を示す。図7は光半導体装置1Cの平面図であり、図8は図7のVIII−VIII線に沿った断面図である。この光半導体装置1Cでは、グランドパターン13と裏面金属膜17とを電気的に接続する側面金属膜19が、キャリア10の側面10c上に設けられている。このような構成であっても、キャリア単体での検査の際に、キャリア主面のコプレーナ線路11のグランドパターン13を確実にグランド電位とすることができる。
Claims (3)
- 半導体レーザチップと、
主面、裏面、一方の側面および前記一方の側面に対向する他方の側面を備えたキャリアと、
前記キャリアの前記主面に設けられたグランドパターンと、
前記キャリアの前記裏面に設けられ、外部と電気的に接続されない実装面と接続される裏面金属膜と、
前記キャリアに設けられ、前記グランドパターンと前記裏面金属膜とを電気的に接続する金属と、
前記キャリアの中心線よりも前記一方の側面に近い領域に配置された信号線路、および前記信号線路の両側に配置された前記グランドパターンを備えたコプレーナ線路と、
前記信号線路に対して前記キャリアの他方の側面側に位置する前記グランドパターンに画定された、前記半導体レーザチップの搭載領域と、
前記信号線路の両側に位置する前記グランドパターンのそれぞれに画定された、グランド電位供給のためのワイヤボンディング領域と、を備える光半導体装置。 - 前記グランドパターンと前記裏面金属膜とを電気的に接続する前記金属は、前記キャリアの側面のうち、前記他方の側面にのみ配置された金属膜である、請求項1記載の光半導体装置。
- 前記裏面金属膜は、前記半導体レーザチップの試験を実施する際に、試験用のグランド電位と接続するための接続面を提供する、請求項1記載の光半導体装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016087091 | 2016-04-25 | ||
JP2016087091 | 2016-04-25 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017199906A true JP2017199906A (ja) | 2017-11-02 |
JP6881746B2 JP6881746B2 (ja) | 2021-06-02 |
Family
ID=60238241
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017086520A Active JP6881746B2 (ja) | 2016-04-25 | 2017-04-25 | 光半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6881746B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112467513A (zh) * | 2019-08-22 | 2021-03-09 | 住友电工光电子器件创新株式会社 | 光学半导体装置和载体 |
JPWO2021210177A1 (ja) * | 2020-04-17 | 2021-10-21 | ||
JPWO2021210178A1 (ja) * | 2020-04-17 | 2021-10-21 | ||
CN113671636A (zh) * | 2020-05-15 | 2021-11-19 | 日本剑桥光电有限公司 | 光模块 |
WO2023276923A1 (ja) * | 2021-06-29 | 2023-01-05 | 京セラ株式会社 | 配線板および電子装置 |
Citations (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01192188A (ja) * | 1988-01-28 | 1989-08-02 | Mitsubishi Electric Corp | 光結合装置 |
JPH0330489A (ja) * | 1989-06-16 | 1991-02-08 | Philips Gloeilampenfab:Nv | レーザダイオードモジュール |
JPH0936274A (ja) * | 1995-07-18 | 1997-02-07 | Tokuyama Corp | サブマウント |
JPH10275957A (ja) * | 1997-03-31 | 1998-10-13 | Hitachi Ltd | 光半導体チップキャリア |
JP2003101114A (ja) * | 2001-09-17 | 2003-04-04 | Inst Of Microelectronics | 光学部品および光学部品の担体配置の設計方法 |
JP2004093606A (ja) * | 2002-08-29 | 2004-03-25 | Opnext Japan Inc | 光モジュール及び光伝送装置 |
JP2005191347A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-14 | Opnext Japan Inc | 半導体光素子用チップキャリア、光モジュール、及び光送受信器 |
JP2005236297A (ja) * | 2004-02-19 | 2005-09-02 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 熱電冷却素子を有する光送信サブアセンブリを用いた光トランシーバ |
US20060192221A1 (en) * | 2002-08-16 | 2006-08-31 | Jds Uniphase Corporation | Methods, apparatus, and systems with semiconductor laser packaging for high modulation bandwidth |
JP2007012717A (ja) * | 2005-06-28 | 2007-01-18 | Nec Electronics Corp | パッケージ型半導体装置 |
JP2007071980A (ja) * | 2005-09-05 | 2007-03-22 | Mitsubishi Electric Corp | 光モジュール |
JP2011108938A (ja) * | 2009-11-19 | 2011-06-02 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | To−can型tosaモジュール |
US20120128290A1 (en) * | 2010-11-19 | 2012-05-24 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Optical modules |
JP2013197479A (ja) * | 2012-03-22 | 2013-09-30 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Tosaモジュールパッケージ |
-
2017
- 2017-04-25 JP JP2017086520A patent/JP6881746B2/ja active Active
Patent Citations (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01192188A (ja) * | 1988-01-28 | 1989-08-02 | Mitsubishi Electric Corp | 光結合装置 |
JPH0330489A (ja) * | 1989-06-16 | 1991-02-08 | Philips Gloeilampenfab:Nv | レーザダイオードモジュール |
JPH0936274A (ja) * | 1995-07-18 | 1997-02-07 | Tokuyama Corp | サブマウント |
JPH10275957A (ja) * | 1997-03-31 | 1998-10-13 | Hitachi Ltd | 光半導体チップキャリア |
JP2003101114A (ja) * | 2001-09-17 | 2003-04-04 | Inst Of Microelectronics | 光学部品および光学部品の担体配置の設計方法 |
US20060192221A1 (en) * | 2002-08-16 | 2006-08-31 | Jds Uniphase Corporation | Methods, apparatus, and systems with semiconductor laser packaging for high modulation bandwidth |
JP2004093606A (ja) * | 2002-08-29 | 2004-03-25 | Opnext Japan Inc | 光モジュール及び光伝送装置 |
JP2005191347A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-14 | Opnext Japan Inc | 半導体光素子用チップキャリア、光モジュール、及び光送受信器 |
JP2005236297A (ja) * | 2004-02-19 | 2005-09-02 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 熱電冷却素子を有する光送信サブアセンブリを用いた光トランシーバ |
JP2007012717A (ja) * | 2005-06-28 | 2007-01-18 | Nec Electronics Corp | パッケージ型半導体装置 |
JP2007071980A (ja) * | 2005-09-05 | 2007-03-22 | Mitsubishi Electric Corp | 光モジュール |
JP2011108938A (ja) * | 2009-11-19 | 2011-06-02 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | To−can型tosaモジュール |
US20120128290A1 (en) * | 2010-11-19 | 2012-05-24 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Optical modules |
JP2013197479A (ja) * | 2012-03-22 | 2013-09-30 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Tosaモジュールパッケージ |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112467513A (zh) * | 2019-08-22 | 2021-03-09 | 住友电工光电子器件创新株式会社 | 光学半导体装置和载体 |
JPWO2021210177A1 (ja) * | 2020-04-17 | 2021-10-21 | ||
WO2021210177A1 (ja) * | 2020-04-17 | 2021-10-21 | 日本電信電話株式会社 | 光半導体チップ |
JPWO2021210178A1 (ja) * | 2020-04-17 | 2021-10-21 | ||
WO2021210178A1 (ja) * | 2020-04-17 | 2021-10-21 | 日本電信電話株式会社 | 光半導体チップ |
JP7372575B2 (ja) | 2020-04-17 | 2023-11-01 | 日本電信電話株式会社 | 光半導体チップ |
JP7372574B2 (ja) | 2020-04-17 | 2023-11-01 | 日本電信電話株式会社 | 光半導体チップ |
CN113671636A (zh) * | 2020-05-15 | 2021-11-19 | 日本剑桥光电有限公司 | 光模块 |
WO2023276923A1 (ja) * | 2021-06-29 | 2023-01-05 | 京セラ株式会社 | 配線板および電子装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6881746B2 (ja) | 2021-06-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6881746B2 (ja) | 光半導体装置 | |
CN107306009B (zh) | 在承载体上提供共面线的光发射器 | |
JP4670384B2 (ja) | 光送信アセンブリの製造方法 | |
KR101349582B1 (ko) | 반도체 광변조 장치 | |
JP6881745B2 (ja) | 光半導体装置 | |
JP2018074057A (ja) | 半導体レーザキャリア組立体、光半導体装置、及び光半導体装置の製造方法 | |
JPWO2019229825A1 (ja) | 光モジュール、および光送信器 | |
JP2020178117A (ja) | 光変調器キャリア組立体及び光モジュール | |
US10852493B2 (en) | Optical subassembly and optical module | |
JP2000012948A (ja) | 高周波レ―ザモジュ―ル、光電子素子および高周波レ―ザモジュ―ルの製造方法 | |
US11641240B2 (en) | Optical module | |
CN113875103A (zh) | 光模块 | |
US11503715B2 (en) | Optical module | |
US11811191B2 (en) | Optical semiconductor device and carrier | |
JP7255977B2 (ja) | 光モジュール | |
WO2018211636A1 (ja) | 光モジュールおよびその製造方法 | |
US11973312B2 (en) | Semiconductor laser device | |
US20220302671A1 (en) | Optical module | |
US20220173571A1 (en) | Optical module | |
JP2011061750A (ja) | 高周波線路の接続方法、構造及び当該構造を有するパッケージ | |
US12015242B2 (en) | Optical module | |
JP7264320B1 (ja) | 半導体レーザ光源装置 | |
US20220007496A1 (en) | Optical module | |
JP7098930B2 (ja) | 光変調器及びそれを用いた光送信装置 | |
JP2022143753A (ja) | 光モジュール |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A625 | Written request for application examination (by other person) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A625 Effective date: 20191121 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20201021 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20201027 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20201225 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210406 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210423 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6881746 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |