JP2022132918A - 光モジュール - Google Patents

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Abstract

【課題】安定したワイヤボンディングによる高周波特性の改善を目的とする。【解決手段】光モジュール１００は、光電素子２４が搭載された搭載基板２８と、搭載基板２８が搭載された支持ブロック３６と、支持ブロック３６を支持する支持面１６を有し、支持面１６から一体的に突出する台座部１８を有するステム１０と、台座部１８の先端面２０に固定された接続ブロック６０と、支持ブロック３６および搭載基板２８の少なくとも一方と接続ブロック６０を接続する複数のワイヤ７２と、を有する。接続ブロック６０は、台座部１８の先端面２０と同じ方向を向く第１ボンディング面６８および上面２２と同じ方向を向く第２ボンディング面７０を有する。複数のワイヤ７２は、第１ボンディング面６８に一端がボンディングされる第１ワイヤ７４と、第２ボンディング面７０に一端がボンディングされる第２ワイヤ７６と、を含む。【選択図】図２

Description

本発明は、光モジュールに関する。
小型の光モジュールには、放熱性及び高周波特性の向上が求められている。ＴＯ-ＣＡＮ（Transistor Outline Can）パッケージは、グラウンド電位のアイレットを貫通するリードピンを用いて、電気信号を半導体光素子へ伝送するようになっている。半導体光素子が実装された基板は、支持ブロックに搭載される。
特開２０１１－１０８９３９号公報
支持ブロックのグラウンドを強化すれば、高周波特性を改善することができる。例えば、アイレットから一体的に突出する台座を、ワイヤによって、支持ブロックに電気的に接続することができる。しかし、台座は、ボンディングに適した形状に加工するのが難しい。
本発明は、安定したワイヤボンディングによる高周波特性の改善を目的とする。
光モジュールは、光信号及び電気信号を少なくとも一方から他方に変換するようになっている光電素子と、前記光電素子が搭載された搭載基板と、前記搭載基板が搭載されて少なくとも表面が導電体からなる支持ブロックと、前記支持ブロックを支持する支持面を有し、前記支持面から一体的に突出する台座部を有し、前記台座部は突出方向の先端面および前記突出方向に沿って広がる上面を有するステムと、前記台座部の前記上面に搭載された中継基板と、前記台座部の前記先端面に固定された接続ブロックと、前記支持ブロックおよび前記搭載基板の一方と前記接続ブロックをそれぞれが接続する複数のワイヤと、を有し、前記接続ブロックは、少なくとも表面の一部が導電体からなり、前記台座部の前記先端面と同じ方向を向く第１ボンディング面および前記上面と同じ方向を向く第２ボンディング面を有し、前記複数のワイヤは、前記第１ボンディング面に一端がボンディングされる少なくとも１つの第１ワイヤと、前記第２ボンディング面に一端がボンディングされる少なくとも１つの第２ワイヤと、を含む。
接続ブロックによって、ワイヤボンディングのための面を確保することができ、これにより安定したワイヤボンディングが可能になる。
第１の実施形態に係る光モジュールの斜視図である。 ステム及びこれに搭載される電子部品の斜視図である。 ステム及びこれに搭載される電子部品の平面図である。 接続ブロックの斜視図である。 第２の実施形態に係るステム及びこれに搭載される電子部品の斜視図である。 ステム及びこれに搭載される電子部品の側面図である。 ステム及びこれに搭載される電子部品の底面図である。 ３次元電磁界シミュレータＨＦＳＳ（High Frequency Structure Simulator）によって計算した、従来例、第１の実施形態及び第２の実施形態の周波数特性を示す図である。
以下に、図面を参照して、本発明の実施形態を具体的かつ詳細に説明する。全図において同一の符号を付した部材は同一又は同等の機能を有するものであり、その繰り返しの説明を省略する。なお、図形の大きさは倍率に必ずしも一致するものではない。
［第１の実施形態］
図１は、第１の実施形態に係る光モジュールの斜視図である。光モジュール１００は、ＴＯ－ＣＡＮ（Transistor Outline-Can）型光モジュールであり、発光素子を備える光送信サブアセンブリ（TOSA: Transmitter Optical Sub-Assembly）、受光素子を備える光受信サブアセンブリ（ROSA: Receiver Optical Sub-Assembly）、発光素子及び受光素子の両方を備える双方向モジュール（BOSA；Bidirectional Optical Sub-Assembly）のいずれを含んでもよい。光モジュール１００は、フレキシブル基板（ＦＰＣ）１０２を有し、プリント基板（ＰＣＢ）１０４に接続されるようになっている。光モジュール１００は、ステム１０を有する。
［ステム・台座部］
図２は、ステム１０及びこれに搭載される電子部品の斜視図である。図３は、ステム１０及びこれに搭載される電子部品の平面図である。ステム１０は、金属などの導電材料からなる。ステム１０は、アイレット１２を含む。アイレット１２は、厚み方向の表裏面の間でそれぞれ貫通する複数の貫通孔１４を有する。なお、ステム１０は、円盤形状を示唆するアイレット１２の代わりに、四角形など他の形状の部位を有してもよい。ステム１０は、基準電位（例えばグラウンド）に接続される。
ステム１０（アイレット１２）は、電子部品を支持する支持面１６を有する。ステム１０は、支持面１６から一体的に突出する台座部１８を有する。台座部１８も導電体からなる。台座部１８の表面は金メッキされている。台座部１８は、突出方向の先端面２０を有する。台座部１８は、突出方向に沿って広がる上面２２を有する。台座部１８は、プレス加工によって形成するので、角が丸くなりやすく、広い平面の形成が難しい。
［リードピン］
図１に示すように、光モジュール１００は、複数のリードピンＬを有する。複数のリードピンＬは、複数の貫通孔１４の内側に、ガラスなどの誘電体（絶縁体）でステム１０とは絶縁されてそれぞれ固定されている。リードピンＬと誘電体でフィードスルーが構成される。複数のリードピンＬは、フレキシブル基板１０２に接続される（図１）。
［光電素子］
光モジュール１００は、光電素子２４を有する。光電素子２４は、光信号及び電気信号を少なくとも一方から他方に変換するようになっている。光電素子２４には、半導体レーザ２６及び光変調器２７が集積されている。半導体レーザ２６には、ワイヤＷ１がボンディングされて、直流電圧を印加するようになっている。光変調器２７は、シングルエンド駆動されるようになっている。光電素子２４は、搭載基板２８に搭載される。
［搭載基板］
搭載基板２８は、光電素子２４が搭載される搭載面を有する。搭載面に平行な方向に光軸を向けるように、光電素子２４は配置されている。搭載基板２８は、図３に示すように、搭載面に第１グラウンドパターン３０及び第１信号パターン３２を有する。
第１グラウンドパターン３０には、光電素子２４の裏面（半導体レーザ２６及び光変調器２７に共通な電極）が接合されている。第１グラウンドパターン３０は、第１側面電極３４と一体化して、搭載面とは反対側での電気的接続が可能になっている。第１信号パターン３２は、ワイヤＷ２によって光電素子２４（光変調器２７）に電気的に接続されて、高周波信号を入力するようになっている。なお、図示しない終端抵抗を搭載基板２８に設けて、高周波成分を有する変調電気信号の反射波が、駆動ＩＣ（図示せず）に折り返すことを抑制してもよい。搭載基板２８は、支持ブロック３６に搭載される。
［支持ブロック］
支持ブロック３６は本体と本体の表面を覆う導電膜とからなる。本体は、窒化アルミのような熱伝導率に優れた材料（セラミック）からなり、放熱性を向上させることができる。支持ブロック３６は、少なくとも表面が導電体からなる。あるいは、支持ブロック３６は、金属ブロックのように全体的に導電体から構成されてもよい。搭載基板２８は、支持ブロック３６の導電膜に対向し、両者が電気的に接続されている。
支持ブロック３６には、バイパスコンデンサ４２が搭載されている。バイパスコンデンサ４２の裏面（一方の電極）が支持ブロック３６（導電膜）に導通し、基準電位（例えばグラウンド）に接続される。バイパスコンデンサ４２の他方の電極は、ワイヤＷ３を介して、リードピンＬ１に接続され、電圧が印加されるようになっている。電圧は、ワイヤＷ１を介して、光電素子２４（半導体レーザ２６）にも接続されて直流電圧が供給される。バイパスコンデンサ４２によって、直流信号に重畳される高周波信号を分離している。
［熱電冷却器］
光モジュール１００は、熱電冷却器４４を有する。熱電冷却器４４は、上面及び下面を有する。上面及び下面は、セラミックなどの絶縁体からなる。下面がステム１０（アイレット１２）の支持面１６に固定されている。固定には、熱伝導性の接着剤を使用してもよい。上面と搭載基板２８の搭載面は、図２に示すように、相互に交差（例えば直交）する方向を向く。熱電冷却器４４は、上面及び下面の間で熱を移動させるためのペルチェ素子（図示せず）を内部に有する。例えば、上面が吸熱面になり、下面が放熱面になるが、その逆に切り替えられるようになっている。熱電冷却器４４の電極は、ワイヤＷ４によって、リードピンＬ２に接続されている。
熱電冷却器４４の上面には金属層４６（図２）が積層する。金属層４６は、基準電位プレーン（例えばグラウンドプレーン）となる。サーミスタ４８が金属層４６に載って、電気的に接続し、温度を測定できるようになっている。サーミスタ４８は、ワイヤＷ５によってリードピンＬ３に接続されており、電圧が印加されるようになっている。
熱電冷却器４４は、ステム１０の支持面１６と支持ブロック３６の間に固定されて、両者間で熱を移動させるようになっている。支持ブロック３６は、熱電冷却器４４を介して、ステム１０の支持面１６に支持される。支持ブロック３６は、熱電冷却器４４の上面に固定され、金属層４６に電気的に接続されている。
［中継基板］
ステム１０の台座部１８の上面２２には、中継基板５０が搭載されている。両者の固定には、はんだ（図示せず）が使用され、中継基板５０の下からオーバーフローすることがある。台座部１８は、突出方向に中継基板５０から突出している。
中継基板５０は、図３に示すように、第２信号パターン５２を有する。第２信号パターン５２は、リードピンＬ４に電気的に接続されている。詳しくは、リードピンＬ４の端部と第２信号パターン５２の端子との間に、溶加材５４（はんだ、ろう材）が介在して両者が電気的に接続されている。
第２信号パターン５２は、ワイヤＷ６を介して、第１信号パターン３２に接続されている。中継基板５０は、第２グラウンドパターン５６を有する。第２グラウンドパターン５６は、第２側面電極５８と一体化して、裏面での電気的接続が可能になり、台座部１８に電気的に接続されている。また、第２グラウンドパターン５６は、ワイヤＷ７によって支持ブロック３６に接続されている。
［接続ブロック］
図４は、接続ブロック６０の斜視図である。接続ブロック６０は、台座部１８の先端面２０に固定される。固定には、導電性接着剤６２または溶加材が使用される。接続ブロック６０は、少なくとも表面の一部が導電体からなる。接続ブロック６０は、セラミックからなる本体６４と、本体６４を覆う導電膜６６と、を含む。接続ブロック６０は、ステム１０よりも熱伝導率において低い。接続ブロック６０を全体的に金属から形成してもよいが、本体６４をセラミックで形成した方が、加工が簡単であって低コストである。
接続ブロック６０は、第１ボンディング面６８を有する。第１ボンディング面６８は、台座部１８の先端面２０と同じ方向を向く。第１ボンディング面６８は平坦面である。第１ボンディング面６８は、縦方向（図２の上下方向）の長さが、これに直交する幅よりも大きい。
接続ブロック６０は、第２ボンディング面７０を有する。第２ボンディング面７０は、台座部１８の上面２２と同じ方向を向く。第２ボンディング面７０は平坦面である。第２ボンディング面７０は、台座部１８の上面２２よりも高い位置にある。第２ボンディング面７０は、縦方向（台座部１８の突出方向）の長さが、これに直交する幅よりも大きい。
［ワイヤ］
光モジュール１００は、上述したワイヤＷ１～Ｗ７の他に、複数のワイヤ７２を有する。それぞれのワイヤ７２は、支持ブロック３６または搭載基板２８と接続ブロック６０を接続する。
少なくとも１つの第１ワイヤ７４は、第１ボンディング面６８に一端がボンディングされる。少なくとも１つの第１ワイヤ７４の他端は、支持ブロック３６にボンディングされる。複数の第１ワイヤ７４が、図２に示すように、第１ボンディング面６８に一列に並ぶ複数の第１位置にボンディングされている。複数の第１位置が並ぶ方向が、第１ボンディング面６８の縦方向である。
少なくとも１つの第２ワイヤ７６は、第２ボンディング面７０に一端がボンディングされる。少なくとも１つの第２ワイヤ７６の他端は、搭載基板２８（第１グラウンドパターン３０）にボンディングされている。複数の第２ワイヤ７６が、図２に示すように、第２ボンディング面７０に一列に並ぶ複数の第２位置にボンディングされている。複数の第２位置が並ぶ方向が、第２ボンディング面７０の縦方向である。
台座部１８の上面２２に中継基板５０を固定するはんだ（図示せず）がオーバーフローすると、台座部１８のワイヤボンディング領域が狭くなる。しかし、本実施形態では、接続ブロック６０を設けることで、ワイヤボンディング領域を確保することができ、安定したワイヤボンディングが可能になる。また、台座部１８の突出長さを短くすることができ、広い平坦面を確保しなくてもよいので、加工精度を高める必要がなくなる。
［第２の実施形態］
図５は、第２の実施形態に係るステム及びこれに搭載される電子部品の斜視図である。図６は、ステム及びこれに搭載される電子部品の側面図である。図７は、ステム及びこれに搭載される電子部品の底面図である。
接続ブロック２６０は、第２ボンディング面２７０とは反対にある第３ボンディング面２７８を有する。第３ボンディング面２７８は平坦面である。第３ボンディング面２７８は、縦方向（台座部２１８の突出方向）の長さが、これに直交する幅よりも大きい。
複数のワイヤ２７２は、第３ボンディング面２７８に一端がボンディングされる少なくとも１つの第３ワイヤ２８０を含む。少なくとも１つの第３ワイヤ２８０の他端は、支持ブロック２３６（例えばその裏面）にボンディングされている。複数の第３ワイヤ２８０が、第３ボンディング面２７８に一列に並ぶ複数の第３位置にボンディングされている。複数の第３位置が並ぶ方向が、第３ボンディング面２７８の縦方向である。
第３ワイヤ２８０によって、台座部２１８と支持ブロック２３６（あるいは変形例として搭載基板２２８）が接続される。これにより、支持ブロック２３６（あるいは変形例として搭載基板２２８）のグラウンド強化が可能になり、高い周波数までの信号伝送が可能になる。その他の内容には、第１の実施形態で説明した内容が適用可能である。
図８は、３次元電磁界シミュレータＨＦＳＳ（High Frequency Structure Simulator）によって計算した、従来例、第１の実施形態及び第２の実施形態の周波数特性を示す図である。従来例では、接続ブロックを設けない。
従来例と比較すると、広いボンディング領域が確保された第１の実施形態は、特に４０ＧＨｚ以上での透過特性が改善している。第２の実施形態は、さらに透過特性が改善している。
［実施形態の概要］
（１）光信号及び電気信号を少なくとも一方から他方に変換するようになっている光電素子２４と、光電素子２４が搭載された搭載基板２８と、搭載基板２８が搭載されて少なくとも表面が導電体からなる支持ブロック３６と、支持ブロック３６を支持する支持面１６を有し、支持面１６から一体的に突出する台座部１８を有し、台座部１８は突出方向の先端面２０および突出方向に沿って広がる上面２２を有するステム１０と、台座部１８の上面２２に搭載された中継基板５０と、台座部１８の先端面２０に固定された接続ブロック６０と、支持ブロック３６および搭載基板２８の一方と接続ブロック６０をそれぞれが接続する複数のワイヤ７２と、を有し、接続ブロック６０は、少なくとも表面の一部が導電体からなり、台座部１８の先端面２０と同じ方向を向く第１ボンディング面６８および上面２２と同じ方向を向く第２ボンディング面７０を有し、複数のワイヤ７２は、第１ボンディング面６８に一端がボンディングされる少なくとも１つの第１ワイヤ７４と、第２ボンディング面７０に一端がボンディングされる少なくとも１つの第２ワイヤ７６と、を含む光モジュール１００。
（２）（１）に記載された光モジュール１００であって、少なくとも１つの第１ワイヤ７４の他端は、支持ブロック３６にボンディングされ、少なくとも１つの第２ワイヤ７６の他端は、搭載基板２８にボンディングされている光モジュール１００。
（３）（１）又は（２）に記載された光モジュール１００であって、少なくとも１つの第１ワイヤ７４は、複数の第１ワイヤ７４であり、複数の第１ワイヤ７４は、第１ボンディング面６８に一列に並ぶ複数の第１位置にボンディングされている光モジュール１００。
（４）（３）に記載された光モジュール１００であって、第１ボンディング面６８は、複数の第１位置が並ぶ方向の長さが、長さに直交する幅よりも大きい光モジュール１００。
（５）（１）から（４）のいずれか１つに記載された光モジュール１００であって、少なくとも１つの第２ワイヤ７６は、複数の第２ワイヤ７６であり、複数の第２ワイヤ７６は、第２ボンディング面７０に一列に並ぶ複数の第２位置にボンディングされている光モジュール１００。
（６）（５）に記載された光モジュール１００であって、第２ボンディング面７０は、複数の第２位置が並ぶ方向の長さが、長さに直交する幅よりも大きい光モジュール１００。
（７）（１）から（６）のいずれか１つに記載された光モジュール１００であって、台座部１８は、突出方向に中継基板５０から突出している光モジュール１００。
（８）（１）から（７）のいずれか１つに記載された光モジュール１００であって、接続ブロック６０の第２ボンディング面７０は、台座部１８の上面２２よりも高い位置にある光モジュール１００。
（９）（１）から（８）のいずれか１つに記載された光モジュール１００であって、第１ボンディング面６８および第２ボンディング面７０のそれぞれは平坦面である光モジュール１００。
（１０）（１）から（９）のいずれか１つに記載された光モジュール１００であって、接続ブロック６０は、セラミックからなる本体６４と、本体６４を覆う導電膜６６と、を含む光モジュール１００。
（１１）（１）から（１０）のいずれか１つに記載された光モジュール１００であって、支持ブロック３６は、セラミックからなる本体と、本体を覆う導電膜と、を含む光モジュール１００。
（１２）（１）から（１１）のいずれか１つに記載された光モジュール１００であって、接続ブロック６０は、ステム１０よりも熱伝導率において低い光モジュール１００。
（１３）（１）から（１２）のいずれか１つに記載された光モジュール１００であって、接続ブロック６０および台座部１８を固定する導電性接着剤６２または溶加材をさらに有する光モジュール１００。
（１４）（１）から（１３）のいずれか１つに記載された光モジュール１００であって、ステム１０の支持面１６と支持ブロック３６の間に固定されて熱を移動させるようになっている熱電冷却器４４をさらに有する光モジュール１００。
（１５）（１）から（１４）のいずれか１つに記載された光モジュールであって、接続ブロック２６０は、第２ボンディング面２７０とは反対にある第３ボンディング面２７８を有し、複数のワイヤ２７２は、第３ボンディング面２７８に一端がボンディングされる少なくとも１つの第３ワイヤ２８０を含む光モジュール。
（１６）（１５）に記載された光モジュールであって、少なくとも１つの第３ワイヤ２８０の他端は、支持ブロック２３６にボンディングされている光モジュール。
（１７）（１５）又は（１６）に記載された光モジュールであって、第３ボンディング面２７８は平坦面である光モジュール。
（１８）（１６）又は（１７）に記載された光モジュールであって、少なくとも１つの第３ワイヤ２８０は、複数の第３ワイヤ２８０であり、複数の第３ワイヤ２８０は、第３ボンディング面２７８に一列に並ぶ複数の第３位置にボンディングされている光モジュール。
（１９）（１８）に記載された光モジュールであって、第３ボンディング面２７８は、複数の第３位置が並ぶ方向の長さが、長さに直交する幅よりも大きい光モジュール。
本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく種々の変形が可能である。例えば、実施形態で説明した構成は、実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成で置き換えることができる。
１０ ステム、１２ アイレット、１４ 貫通孔、１６ 支持面、１８ 台座部、２０ 先端面、２２ 上面、２４ 光電素子、２６ 半導体レーザ、２７ 光変調器、２８ 搭載基板、３０ 第１グラウンドパターン、３２ 第１信号パターン、３４ 第１側面電極、３６ 支持ブロック、４２ バイパスコンデンサ、４４ 熱電冷却器、４６ 金属層、４８ サーミスタ、５０ 中継基板、５２ 第２信号パターン、５４ 溶加材、５６ 第２グラウンドパターン、５８ 第２側面電極、６０ 接続ブロック、６２ 導電性接着剤、６４ 本体、６６ 導電膜、６８ 第１ボンディング面、７０ 第２ボンディング面、７２ ワイヤ、７４ 第１ワイヤ、７６ 第２ワイヤ、１００ 光モジュール、１０２ フレキシブル基板、１０４ プリント基板、２１８ 台座部、２２８ 搭載基板、２３６ 支持ブロック、２６０ 接続ブロック、２７０ 第２ボンディング面、２７２ ワイヤ、２７８ 第３ボンディング面、２８０ 第３ワイヤ、Ｌ リードピン、Ｌ１ リードピン、Ｌ２ リードピン、Ｌ３ リードピン、Ｌ４ リードピン、Ｗ１ ワイヤ、Ｗ２ ワイヤ、Ｗ３ ワイヤ、Ｗ４ ワイヤ、Ｗ５ ワイヤ、Ｗ６ ワイヤ、Ｗ７ ワイヤ。

Claims (19)

  1. 光信号及び電気信号を少なくとも一方から他方に変換するようになっている光電素子と、
    前記光電素子が搭載された搭載基板と、
    前記搭載基板が搭載されて少なくとも表面が導電体からなる支持ブロックと、
    前記支持ブロックを支持する支持面を有し、前記支持面から一体的に突出する台座部を有し、前記台座部は突出方向の先端面および前記突出方向に沿って広がる上面を有するステムと、
    前記台座部の前記上面に搭載された中継基板と、
    前記台座部の前記先端面に固定された接続ブロックと、
    前記支持ブロックおよび前記搭載基板の一方と前記接続ブロックをそれぞれが接続する複数のワイヤと、
    を有し、
    前記接続ブロックは、少なくとも表面の一部が導電体からなり、前記台座部の前記先端面と同じ方向を向く第１ボンディング面および前記上面と同じ方向を向く第２ボンディング面を有し、
    前記複数のワイヤは、前記第１ボンディング面に一端がボンディングされる少なくとも１つの第１ワイヤと、前記第２ボンディング面に一端がボンディングされる少なくとも１つの第２ワイヤと、を含む光モジュール。
  2. 請求項１に記載された光モジュールであって、
    前記少なくとも１つの第１ワイヤの他端は、前記支持ブロックにボンディングされ、
    前記少なくとも１つの第２ワイヤの他端は、前記搭載基板にボンディングされている光モジュール。
  3. 請求項１又は２に記載された光モジュールであって、
    前記少なくとも１つの第１ワイヤは、複数の第１ワイヤであり、
    前記複数の第１ワイヤは、前記第１ボンディング面に一列に並ぶ複数の第１位置にボンディングされている光モジュール。
  4. 請求項３に記載された光モジュールであって、
    前記第１ボンディング面は、前記複数の第１位置が並ぶ方向の長さが、前記長さに直交する幅よりも大きい光モジュール。
  5. 請求項１から４のいずれか１項に記載された光モジュールであって、
    前記少なくとも１つの第２ワイヤは、複数の第２ワイヤであり、
    前記複数の第２ワイヤは、前記第２ボンディング面に一列に並ぶ複数の第２位置にボンディングされている光モジュール。
  6. 請求項５に記載された光モジュールであって、
    前記第２ボンディング面は、前記複数の第２位置が並ぶ方向の長さが、前記長さに直交する幅よりも大きい光モジュール。
  7. 請求項１から６のいずれか１項に記載された光モジュールであって、
    前記台座部は、前記突出方向に前記中継基板から突出している光モジュール。
  8. 請求項１から７のいずれか１項に記載された光モジュールであって、
    前記接続ブロックの前記第２ボンディング面は、前記台座部の前記上面よりも高い位置にある光モジュール。
  9. 請求項１から８のいずれか１項に記載された光モジュールであって、
    前記第１ボンディング面および前記第２ボンディング面のそれぞれは平坦面である光モジュール。
  10. 請求項１から９のいずれか１項に記載された光モジュールであって、
    前記接続ブロックは、セラミックからなる本体と、前記本体を覆う導電膜と、を含む光モジュール。
  11. 請求項１から１０のいずれか１項に記載された光モジュールであって、
    前記支持ブロックは、セラミックからなる本体と、前記本体を覆う導電膜と、を含む光モジュール。
  12. 請求項１から１１のいずれか１項に記載された光モジュールであって、
    前記接続ブロックは、前記ステムよりも熱伝導率において低い光モジュール。
  13. 請求項１から１２のいずれか１項に記載された光モジュールであって、
    前記接続ブロックおよび前記台座部を固定する導電性接着剤または溶加材をさらに有する光モジュール。
  14. 請求項１から１３のいずれか１項に記載された光モジュールであって、
    前記ステムの前記支持面と前記支持ブロックの間に固定されて熱を移動させるようになっている熱電冷却器をさらに有する光モジュール。
  15. 請求項１から１４のいずれか１項に記載された光モジュールであって、
    前記接続ブロックは、前記第２ボンディング面とは反対にある第３ボンディング面を有し、
    前記複数のワイヤは、前記第３ボンディング面に一端がボンディングされる少なくとも１つの第３ワイヤを含む光モジュール。
  16. 請求項１５に記載された光モジュールであって、
    前記少なくとも１つの第３ワイヤの他端は、前記支持ブロックにボンディングされている光モジュール。
  17. 請求項１５又は１６に記載された光モジュールであって、
    前記第３ボンディング面は平坦面である光モジュール。
  18. 請求項１６又は１７に記載された光モジュールであって、
    前記少なくとも１つの第３ワイヤは、複数の第３ワイヤであり、
    前記複数の第３ワイヤは、前記第３ボンディング面に一列に並ぶ複数の第３位置にボンディングされている光モジュール。
  19. 請求項１８に記載された光モジュールであって、
    前記第３ボンディング面は、前記複数の第３位置が並ぶ方向の長さが、前記長さに直交する幅よりも大きい光モジュール。
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