TW202024395A - 導電性膜之製造方法 - Google Patents

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TW202024395A
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竹安智宏
鷹尾寛行
西嶋仁志
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日商日東電工股份有限公司
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Abstract

本發明提供一種於使用承載膜製作附金屬層之導電性膜時金屬層之圖案化精度良好之導電性膜之製造方法。 本發明之導電性膜1之製造方法具備如下步驟：準備步驟，其準備具備中間膜3及配置於中間膜3之承載膜4之積層體2，該中間膜3依序具備透明基材5、第1透明導電層7及第1金屬層8；以及去除步驟，其對第1金屬層8實施乾洗處理而去除來自承載膜4之成分。

Description

導電性膜之製造方法
本發明係關於一種導電性膜之製造方法，詳細而言，係關於一種良好地用於光學用途之導電性膜之製造方法。
自先前，已知圖像顯示裝置具備將銦錫複合氧化物(ITO)層等透明導電膜配置於透明基材上而得之透明導電性膜作為觸控面板用膜。近年，於此種透明導電性膜中，為了於觸控輸入區域之外緣部形成牽引配線而實現窄邊緣化，提出一種於透明導電膜之表面進而配置電極用銅膜而得之導電性膜。
例如，於專利文獻1中，揭示有一種於透明基材片材之雙面之各個面依序積層有經圖案化之透明導電膜及電極用導電膜(銅膜等)之雙面導電性之觸控輸入片材。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2011-60146號公報
[發明所欲解決之問題]
此處，對以下事情進行研究，即，於導電性膜中，於製造時為了抑制導電性膜之品質降低(例如，應變或破損之產生)，而使用承載膜。
例如，對以下事情進行研究，即，於透明基材片材之一面形成第1透明導電膜及第1銅膜後，於透明基材片材之另一面形成第2透明導電膜及第2銅膜前，為了抑制第1透明導電膜與第1銅膜之間產生之應變，而於第1銅膜之表面暫時配置承載膜。
如此，形成第2透明導電膜及第2銅膜，進而剝離承載膜後，對第1銅膜進行圖案化時，由於由承載膜所導致之污染，而產生圖案化精度降低之缺陷。
本發明提供一種於使用承載膜製作附金屬層之導電性膜時金屬層之圖案化精度良好之導電性膜之製造方法。 [解決問題之技術手段]
本發明[1]包含一種導電性膜之製造方法，該導電性膜之製造方法具備如下步驟：準備步驟，其準備具備中間膜及配置於上述中間膜之承載膜之積層體，該中間膜依序具備透明基材、第1透明導電層及第1金屬層；以及去除步驟，其對上述第1金屬層實施乾洗處理而去除來自上述承載膜之成分。
本發明[2]包含如[1]之導電性膜之製造方法，其中上述乾洗處理為電漿處理或電暈處理。
本發明[3]包含如[1]或[2]之導電性膜之製造方法，其中上述去除步驟後之上述第1金屬層之水接觸角為90度以下。
本發明[4]包含如[1]至[3]中任一項之導電性膜之製造方法，其於上述去除步驟後，滿足下述(1)～(3)之至少1個要件。 (1)C15 H23 O+ 相對於Cu+ 之相對強度為7.8×10-2 以下。 (2)C6 H13 + 相對於Cu+ 之相對強度為6.1×10-3 以下。 (3)C18 H35 O2 - 相對於Cu- 之相對強度為4.3×10-2 以下。
本發明[5]包含如[1]至[4]中任一項之導電性膜之製造方法，其中上述準備步驟依序具備如下步驟：於上述透明基材之厚度方向一側依序配置上述第1透明導電層及上述第1金屬層；於上述第1金屬層之厚度方向一側配置上述承載膜；於上述透明基材之厚度方向另一側依序配置第2透明導電層及第2金屬層；及去除上述承載膜。
本發明[6]包含如[1]至[4]中任一項之導電性膜之製造方法，其中上述準備步驟依序具備如下步驟：於上述透明基材之厚度方向另一側配置上述承載膜；及於上述透明基材之厚度方向一側依序配置第1透明導電層及第1金屬層。 [發明之效果]
根據本發明之導電性膜之製造方法，由於對第1金屬層實施乾洗處理，故可去除來自承載膜之成分(殘渣)。因此，於對第1金屬層進行圖案化時，可抑制圖案化用抗蝕劑膜與第1金屬層之界面產生間隙。因此，第1金屬層之圖案化精度優異。
於圖1A中，紙面上下方向為上下方向(厚度方向，第1方向)，紙面上側為上側(厚度方向一側，第1方向一側)，紙面下側為下側(厚度方向另一側，第1方向另一側)。又，紙面左右方向及深度方向為與上下方向正交之面方向。具體而言，依據各圖之方向箭頭。再者，並未意欲藉由該等方向之定義而限定本發明之導電性膜之製造時及使用時之朝向。
＜第1實施形態＞ 參照圖1A-圖2C，作為本發明之導電性膜之製造方法之第1實施形態，對雙面附金屬層之導電性膜1之製造方法進行說明。
導電性膜1之製造方法之一實施形態例如具備準備步驟、及去除步驟。較佳為，該製造方法全部藉由卷對卷方式而實施。
1.準備步驟 於準備步驟中，如圖1A-G所示，準備積層體2。
積層體2如圖1G所示，具備中間膜3、及配置於其上表面之承載膜4。以下，對各膜進行說明。
(中間膜) 中間膜3具有膜形狀(包含片狀)，於面方向(第1方向及第2方向)上延伸，具有平坦之上表面(厚度方向一面)及平坦之下表面(厚度方向另一面)。
中間膜3具備透明基材5、配置於透明基材5之上側之第1硬塗層6、配置於第1硬塗層6之上側之第1透明導電層7、配置於第1透明導電層7之上側之第1金屬層8、配置於透明基材5之下側之第2硬塗層9、配置於第2硬塗層9之下側之第2透明導電層10、及配置於第2透明導電層10之下側之第2金屬層11。即，中間膜3自下方依序具備第2金屬層11、第2透明導電層10、第2硬塗層9、透明基材5、第1硬塗層6、第1透明導電層7、及第1金屬層8。即，中間膜3係於透明基材5之兩側依序具備硬塗層、透明導電層及金屬層之雙面導電性膜。以下，對各層進行詳述。
透明基材5係用於確保導電性膜1之機械強度之基材。即，透明基材5將後述之透明導電層(第1透明導電層7、第2透明導電層10)及金屬層(第1金屬層8、第2金屬層11)與後述之硬塗層(第1硬塗層6、第2硬塗層9)一起支持。
透明基材5具有膜形狀，例如為具有透明性之高分子膜。
作為透明基材5之材料，可列舉：例如聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚對苯二甲酸丁二酯、聚萘二甲酸乙二酯等聚酯樹脂；例如聚甲基丙烯酸酯等(甲基)丙烯酸樹脂(丙烯酸樹脂及/或甲基丙烯酸樹脂)；例如聚乙烯、聚丙烯、環烯烴聚合物(例如，降𦯉烯系、環戊二烯系)等烯烴樹脂；例如聚碳酸酯樹脂、聚醚碸樹脂、聚芳酯樹脂、三聚氰胺樹脂、聚醯胺樹脂、聚醯亞胺樹脂、纖維素樹脂、聚苯乙烯樹脂等。透明基材5之材料可單獨使用，或2種以上併用。
自透明性、低雙折射性等光學特性之觀點而言，較佳可列舉烯烴樹脂，更佳可列舉環烯烴聚合物。
透明基材5之全光線透過率(JIS K 7375-2008)例如為80%以上，較佳為85%以上。
透明基材5之厚度例如為200 μm以下，較佳為150 μm以下，又，例如為10 μm以上，較佳為15 μm以上，更佳為25 μm以上。若透明基材5之厚度為上述上限以下，則可實現導電性膜1之薄膜化。若透明基材5之厚度為上述下限以上，則導電性膜1之機械強度優異。
於本發明中，膜之厚度於例如厚度為1 μm以上之情形時，可使用微計測器式厚度計而測定，於例如厚度未達1 μm之情形時，可使用瞬間多通道測光系統(Intensified Multichannel Photodetector)而測定。
第1硬塗層6係於積層複數個導電性膜1之情形等時用於使導電性膜1之表面(即，第1金屬層8之上表面、第2金屬層11之下表面)不易產生擦傷之擦傷保護層。又，亦可設為用於對導電性膜1賦予耐黏連性之抗黏連層。
第1硬塗層6具有膜形狀，例如，以與透明基材5之上表面接觸之方式，配置於透明基材5之整個上表面。更具體而言，第1硬塗層6以與透明基材5之上表面及第1透明導電層7之下表面接觸之方式，配置於透明基材5與第1透明導電層7之間。
第1硬塗層6例如由硬塗組合物所形成。硬塗組合物含有樹脂成分，較佳為由樹脂成分所構成。
作為樹脂成分，例如，可列舉硬化性樹脂、熱塑性樹脂(例如，聚烯烴樹脂)等，較佳可列舉硬化性樹脂。
作為硬化性樹脂，可列舉：例如藉由活性能量線(具體而言，紫外線、電子束等)之照射而硬化之活性能量線硬化性樹脂；例如藉由加熱而硬化之熱硬化性樹脂等。較佳可列舉活性能量線硬化性樹脂。
活性能量線硬化性樹脂例如可列舉分子中具備具有聚合性碳-碳雙鍵之官能基之聚合物。作為此種官能基，例如，可列舉乙烯基、(甲基)丙烯醯基(甲基丙烯醯基及/或丙烯醯基)等。
作為活性能量線硬化性樹脂，具體而言，例如，可列舉丙烯酸胺基甲酸酯、環氧丙烯酸酯等(甲基)丙烯酸系紫外線硬化性樹脂。
又，作為除活性能量線硬化性樹脂以外之硬化性樹脂，例如，可列舉聚胺酯樹脂、三聚氰胺樹脂、醇酸樹脂、矽氧烷系聚合物、有機矽烷縮合物等。
樹脂成分可單獨使用，或2種以上併用。
硬塗組合物亦可進而含有粒子。藉此，可將硬塗層製成具有耐黏連特性之抗黏連層。
作為粒子，可列舉無機粒子、有機粒子等。作為無機粒子，可列舉：例如二氧化矽粒子；例如包含氧化鋯、氧化鈦、氧化鋅、氧化錫等之金屬氧化物粒子；例如碳酸鈣等碳酸鹽粒子等。作為有機粒子，例如，可列舉交聯丙烯酸樹脂粒子等。粒子可單獨使用，或2種以上併用。
硬塗組合物中可進而含有調平劑、觸變劑、抗靜電劑等公知之添加劑。
第1硬塗層6之厚度自耐擦傷性之觀點而言，例如為0.5 μm以上，較佳為1 μm以上，又，例如為10 μm以下，較佳為3 μm以下。
第1透明導電層7係用以於後續步驟中形成為所需之圖案、例如形成觸控面板之觸控輸入區域之配線圖案或電極圖案之透明導電層。
第1透明導電層7具有膜形狀，例如，以與第1硬塗層6之上表面接觸之方式，配置於第1硬塗層6之整個上表面。更具體而言，第1透明導電層7以與第1硬塗層6之上表面及第1金屬層8之下表面接觸之方式，配置於第1硬塗層6與第1金屬層8之間。
作為第1透明導電層7之材料，例如，可列舉包含選自由In、Sn、Zn、Ga、Sb、Ti、Si、Zr、Mg、Al、Au、Ag、Cu、Pd、W所組成之群中之至少1種金屬之金屬氧化物。金屬氧化物中亦可根據需要進而摻雜有上述群所示之金屬原子。
第1透明導電層7之材料可列舉：例如銦錫複合氧化物(ITO)等含銦氧化物；例如銻錫複合氧化物(ATO)等含銻氧化物等。較佳為含銦氧化物，更佳可列舉ITO。
於使用ITO作為第1透明導電層7之材料之情形時，氧化錫(SnO2 )含量相對於氧化錫及氧化銦(In2 O3 )之合計量，例如為0.5質量%以上，較佳為3質量%以上，又，例如為15質量%以下，較佳為13質量%以下。若氧化錫之含量為上述下限以上，則可使ITO層之耐久性更加良好。若氧化錫之含量為上述上限以下，則可使ITO層之結晶轉化變容易，可提高透明性或比電阻之穩定性。
本說明書中之「ITO」可為至少包含銦(In)及錫(Sn)之複合氧化物，亦可包含除該等以外之追加成分。作為追加成分，例如，可列舉除In、Sn以外之金屬元素，具體而言，可列舉Zn、Ga、Sb、Ti、Si、Zr、Mg、Al、Au、Ag、Cu、Pd、W、Fe、Pb、Ni、Nb、Cr、Ga等。
第1透明導電層7為結晶質及非晶質之任一者均可，又，亦可為結晶質及非晶質之混合體。
第1透明導電層7之厚度例如為10 nm以上，較佳為20 nm以上，又，例如為50 nm以下，較佳為30 nm以下。
第1金屬層8係用以於後續步驟中形成為所需之圖案、例如形成觸控面板之觸控輸入區域之外側(外周)之外緣部(外周緣部)之配線圖案(例如，牽引配線)的導電性金屬層。
第1金屬層8為中間膜3之最上層。第1金屬層8具有膜形狀，以與第1透明導電層7之上表面接觸之方式，配置於第1透明導電層7之整個上表面。
作為第1金屬層8之材料，例如，可列舉銅、鎳、鉻、鐵、鈦、或該等之合金等金屬。自導電性等觀點而言，較佳可列舉銅。
再者，於第1金屬層8為銅等易於產生氧化之材料之情形時，第1金屬層8之表面可被氧化。具體而言，於第1金屬層8為銅層之情形時，第1金屬層8可為於一部分或全部表面具備氧化銅之銅層。
第1金屬層8之厚度例如為100 nm以上，較佳為150 nm以上，又，例如為400 nm以下，較佳為300 nm以下。若第1金屬層8之厚度為上述下限以上，則可降低第1金屬層8之表面電阻值，導電性優異。 因此，可與觸控面板之大型化對應，而形成寬度更窄且長條之配線圖案(邊緣部之牽引配線)。又，若第1金屬層8之厚度為上述上限以下，則可實現邊緣部之薄膜化。
第2硬塗層9與第1硬塗層6相同，為擦傷保護層，又，亦可設為抗黏連層。
第2硬塗層9具有膜形狀，以與透明基材5之下表面接觸之方式，配置於透明基材5之整個下表面。更具體而言，第2硬塗層9以與透明基材5之下表面及第2透明導電層10之上表面接觸之方式，配置於透明基材5與第2透明導電層10之間。
第2硬塗層9由硬塗組合物所形成。第2硬塗層9所用之硬塗組合物與上文關於第1硬塗層6所敍述之硬塗組合物相同。
第2硬塗層9之厚度例如為0.5 μm以上，較佳為1 μm以上，又，例如為10 μm以下，較佳為3 μm以下。
第2透明導電層10與第1透明導電層7相同，為透明之導電層。
第2透明導電層10具有膜形狀，例如，以與第2硬塗層9之下表面接觸之方式，配置於第2硬塗層9之整個下表面。更具體而言，第2透明導電層10以與第2硬塗層9之下表面及第2金屬層11之上表面接觸之方式，配置於第2硬塗層9與第2金屬層11之間。
作為第2透明導電層10之材料，與第1透明導電層7之材料相同。
第2透明導電層10之厚度例如為10 nm以上，較佳為20 nm以上，又，例如為50 nm以下，較佳為30 nm以下。
第2金屬層11與第1金屬層8相同，為導電性之金屬層。
第2金屬層11為導電性膜1之最下層。第2金屬層11具有膜形狀，以與第2透明導電層10之下表面接觸之方式，配置於第2透明導電層10之整個下表面。
作為第2金屬層11之材料，與第1金屬層8之材料相同。
第2金屬層11之厚度例如為100 nm以上，較佳為150 nm以上，又，例如為400 nm以下，較佳為300 nm以下。
中間膜3之厚度例如為10 μm以上，較佳為25 μm以上，又，例如為200 μm以下，較佳為150 μm以下。
承載膜4具有膜形狀，於面方向上延伸，具有平坦之上表面及平坦之下表面。承載膜4配置於中間膜3之上表面。更具體而言，承載膜4以與第1金屬層8之上表面接觸之方式，配置於第1金屬層8之整個上表面。
承載膜4係為了於製造、搬送及/或保存中間膜3時抑制中間膜3(甚至導電膜1)之品質降低而配置於中間膜3之保護構件。特別是，承載膜4於中間膜3之製造時，具體而言，於第2透明導電層10及第2金屬層11之形成時，抑制由第1透明導電層7-第1金屬層8間產生之應力所導致之應變或破損。
承載膜4為高分子膜。作為承載膜，例如，可列舉聚酯系膜、聚碳酸酯系膜、烯烴系膜(聚乙烯系膜、聚丙烯系膜、環烯烴系膜等)、丙烯酸系膜、聚醚碸系膜、聚芳酯系膜、三聚氰胺系膜、聚醯胺系膜、聚醯亞胺系膜、纖維素系膜、聚苯乙烯系膜。自耐熱性、機械強度之觀點而言，較佳可列舉烯烴系膜，更佳可列舉聚丙烯系膜。
作為承載膜4，為延伸膜(單軸延伸或雙軸延伸)或未延伸膜之任一者均可。自機械強度之觀點而言，較佳可列舉雙軸延伸膜。具體而言，較佳可列舉雙軸延伸聚烯烴膜，更佳可列舉雙軸延伸聚丙烯系膜(OPP膜)。
承載膜4為至少下表面具有黏著性之膜。
此種承載膜4可單獨為下表面經賦予黏著處理之高分子膜(例如，OPP膜)，又，亦可為下表面配置有黏著劑層之高分子膜。
作為黏著劑層，例如，可列舉丙烯酸系黏著劑層、橡膠系黏著劑層、矽酮系黏著劑層、聚酯系黏著劑層、聚胺酯系黏著劑層、聚醯胺系黏著劑層、環氧系黏著劑層、乙烯基烷基醚系黏著劑層、氟系黏著劑層等。自黏著性、剝離性等觀點而言，較佳可列舉丙烯酸系黏著劑層。
關於承載膜4，為了抑制其物性劣化，一般含有穩定劑。
作為穩定劑，可列舉：例如受阻酚系抗氧化劑、磷系抗氧化劑、硫系抗氧化劑等抗氧化劑(熱穩定劑)；例如苯并三唑系紫外線吸收劑、三𠯤系紫外線吸劑等光穩定劑等。自耐熱之觀點而言，較佳可列舉抗氧化劑，自抗氧化性良好之觀點而言，較佳可列舉受阻酚系抗氧化劑、磷系抗氧化劑，更佳可列舉受阻酚系抗氧化劑。
作為受阻酚系抗氧化劑，較佳可列舉具有二第三丁基羥基甲苯(BHT)骨架之化合物。具體而言，可列舉商品名「IRGANOX1010」(BASF製造)(季戊四醇-四[3-(3,5-二第三丁基-4-羥基苯基)丙酸酯])、商品名「IRGANOX1010FF」(BASF製造)、商品名「IRGANOX1035」(BASF製造)、商品名「IRGANOX1035FF」(BASF製造)、商品名「IRGANOX1076」(BASF製造)、商品名「IRGANOX1076FD」(BASF製造)、商品名「IRGANOX1076DWJ」(BASF製造)、商品名「IRGANOX1098」(BASF製造)、商品名「IRGANOX1135」(BASF製造)、商品名「IRGANOX1330」(BASF製造)、商品名「IRGANOX1726」(BASF製造)、商品名「IRGANOX1425WL」(BASF製造)、商品名「IRGANOX1520L」(BASF製造)、商品名「IRGANOX245」(BASF製造)、商品名「IRGANOX245FF」(BASF製造)、商品名「IRGANOX259」(BASF製造)、商品名「IRGANOX3114」(BASF製造)、商品名「IRGANOX565」(BASF製造)、商品名「IRGANOX295」(BASF製造)等。
作為磷系抗氧化劑，例如，可列舉商品名「IRGAFOS168」(BASF製造)等磷系加工熱穩定劑、商品名「Adekastab」(ADEKA製造)等亞磷酸酯系抗氧化劑等。較佳可列舉磷系加工熱穩定劑。
作為硫系抗氧化劑，例如，可列舉商品名「IRGANOX PS 800FL」(BASF製造)、商品名「Sumilizer」(住友化學製造)等。
作為苯并三唑系紫外線吸收劑，例如，可列舉商品名「TINUVIN P」(BASF製造)(2-(2H-苯并三唑-2-基)-4-甲基苯酚)、商品名「TINUVIN P FL」(BASF製造)、商品名「TINUVIN234」(BASF製造)、商品名「TINUVIN326」(BASF製造)、商品名「TINUVIN326FL」(BASF製造)、商品名「TINUVIN328」(BASF製造)、商品名「TINUVIN329」(BASF製造)、商品名「TINUVIN329FL」(BASF製造)、商品名「TINUVIN360」(BASF製造)等。
作為三𠯤系紫外線吸收劑，例如，可列舉商品名「TINUVIN1577ED」(BASF製造)(2-(4,6-二苯基-1,3,5-三𠯤-2-基)-5-己氧基苯酚)、商品名「TINUVIN1600」(BASF製造)等。
穩定劑可單獨使用，或2種以上併用。
穩定劑之含有比率相對於承載膜4，例如為0.01質量%以上，較佳為0.1質量%以上，又，例如為5質量%以下，較佳為1質量%以下。
(準備步驟) 準備步驟例如依序具備：(1)準備透明基材5之步驟；(2)於透明基材5上配置硬塗層(第1硬塗層6、第2硬塗層9)之步驟；(3)於第1硬塗層6之上表面依序配置第1透明導電層7及第1金屬層8之步驟；(4)於第1金屬層8之上表面配置承載膜4之步驟；(5)於第2硬塗層9之下表面依序配置第2透明導電層10及第2金屬層11之步驟；及(6)去除承載膜4之步驟(以下，有時亦將「(1)準備透明基材5之步驟」省略為「(1)步驟」，其他步驟亦同樣省略為(2)步驟等)。 (1)準備透明基材5之步驟 如圖1A所示，準備公知或市售之透明基材5。
(2)於透明基材5上配置硬塗層之步驟 如圖1B所示，於透明基材5之下表面及上表面，藉由例如濕式塗敷形成硬塗層(第1硬塗層6及第2硬塗層9)。
具體而言，例如，製備利用溶劑稀釋硬塗組合物而得之稀釋液(清漆)，繼而，將稀釋液塗佈於透明基材5之下表面及上表面，並對稀釋液進行乾燥。
其後，於硬塗組合物含有活性能量線硬化性樹脂之情形時，於稀釋液之乾燥後，照射活性能量線，藉此，使活性能量線硬化性樹脂硬化。
(3)於第1硬塗層6之上表面依序配置第1透明導電層7及第1金屬層8之步驟 如圖1C所示，於第1硬塗層6之上表面，藉由例如乾式方法形成第1透明導電層7。繼而，如圖1D所示，於第1透明導電層7之上表面，藉由例如乾式方法形成第1金屬層8。
作為第1透明導電層7及第1金屬層8所用之乾式方法，分別可列舉例如真空蒸鍍法、濺鍍法、離子鍍覆法等。較佳可列舉濺鍍法。藉由該方法，可形成薄膜且均一之第1透明導電層7及第1金屬層8。
濺鍍法係於真空室內將靶及被黏著體(積層有硬塗層之透明基材5)對向配置，供給氣體並自電源施加電壓，藉此，使氣體離子加速照射於靶，自靶表面彈出靶材料，使該靶材料積層於被黏著體表面。
作為形成第1透明導電層7時之靶材料，可列舉構成第1透明導電層7之上述金屬氧化物等，較佳可列舉ITO。
作為形成第1金屬層8時之靶材料，可列舉構成第1金屬層8之上述金屬等，較佳可列舉銅。
作為氣體，例如，可列舉Ar等惰性氣體。又，亦可根據需要併用氧氣等反應性氣體。於併用反應性氣體之情形時，反應性氣體之流量(sccm)相對於濺鍍氣體及反應性氣體之合計流量，例如為0.1流量%以上5流量%以下。
濺鍍時之氣壓自抑制濺鍍速率之降低、放電穩定性等觀點而言，例如為1 Pa以下，較佳為0.1 Pa以上0.7 Pa以下。
電源例如為DC(direct current，直流)電源、AC(alternating current，交流)電源、MF(medium frequency，中頻)電源及RF(radio frequency，射頻)電源之任一者均可，又，亦可為該等之組合。
(4)於第1金屬層8之上表面配置承載膜4之步驟 如圖1E所示，藉由使承載膜4之下表面(黏著面)與第1金屬層8之上表面接觸，而將第1金屬層8與承載膜4積層。
(5)於第2硬塗層9之下表面依序配置第2透明導電層10及第2金屬層11之步驟 如圖1F所示，於第2硬塗層9之下表面，藉由例如乾式方法形成第2透明導電層10。繼而，如圖1G所示，於第2透明導電層10之下表面，藉由例如乾式方法形成第2金屬層11。
該等方法可列舉與上述(3)步驟相同之方法。第2透明導電層10及第2金屬層11之形成方法較佳均可列舉濺鍍法。
藉此，獲得具備中間膜3、及配置於其上表面之承載膜4之積層體(附承載膜之導電性膜)2。
(6)去除承載膜4之步驟 如圖1G之假想線所示，以中間膜3之第1金屬層8之上表面與承載膜4之下表面相互分開之方式，剝離承載膜4。
藉此，以單獨體之形式獲得中間膜3。中間膜3依序具備第2金屬層11、第2透明導電層10、第2硬塗層9、透明基材5、第1硬塗層6、第1透明導電層7及第1金屬層8。即，中間膜3為雙面附金屬層之透明導電性膜。中間膜3為未實施後述之乾洗處理之未清洗處理膜。於中間膜3之第1金屬層8之上表面，附著有來自承載膜4之成分(例如穩定劑、長鏈脂肪酸)。
2.去除步驟 於去除步驟中，對中間膜3之第1金屬層8之上表面實施乾洗處理。
乾洗處理係不使液體(清洗液等)或固體(篩輥)與中間膜3(清洗對象)接觸而對中間膜3實施放電或釋氣之處理。
作為乾洗處理，例如，可列舉電漿處理、電暈處理、噴砂處理等。自可確實地去除來自承載膜之成分之觀點而言，較佳可列舉電漿處理、電暈處理。
電漿處理及電暈處理可使用公知或市售之電漿處理裝置或電暈處理裝置而實施。
作為電漿處理及電暈處理，分別可列舉例如遠程方式、直接方式、定點方式。
於遠程方式之情形時，參照圖2A，於具備相互對向之2個電極20之頭部21之間產生電漿，使自該頭部21(電極20)之間噴出至外部之電漿與中間膜3發生碰撞。
於直接方式之情形時，參照圖2B，於具備相互對向之2個電極20之頭部21之間產生電漿，使中間膜3通過該頭部21(電極20)之間。
於定點方式之情形時，參照圖2C，自具備大致圓筒狀之噴嘴22之頭部21之前端產生電漿，使該電漿與中間膜3發生碰撞。
頭部21之數量並未限定，例如，可為1個，亦可為複數個(較佳為2～4個)。
自可清洗範圍較廣之中間膜3之觀點而言，較佳可列舉直接方式、遠程方式。
又，自可抑制中間膜3之損傷之觀點而言，可列舉遠程方式。即，於直接方式之情形時，中間膜3內之金屬層作為電極發揮作用，不會產生所需之電漿，因此，有對中間膜3造成損傷之虞。另一方面，於遠程方式之情形時，可防止此種現象，可獲得所需之特性之導電性膜1。
作為電漿處理及電暈處理所用之氣體，可列舉氮氣、氧氣、氬氣、空氣等。氣體可單獨使用，或2種以上併用。較佳可列舉含有氧氣之氣體，更佳可列舉氮氣及氧氣之混合氣體、空氣，進而較佳可列舉空氣。藉此，可更確實地去除來自承載膜之成分。
於使用氮氣及氧氣之混合氣體之情形時，相對於氮氣每100 slm，氧氣之流量例如為10 ccm以上，較佳為50 ccm以上，又，例如為1000 ccm以下，較佳為500 ccm以下。
於電漿處理中，放電量例如為100 W・min/m2 以上，較佳為200 W・min/m2 以上，更佳為400 W・min/m2 以上，又，例如為2000 W・min/m2 以下，較佳為1500 W・min/m2 以下。
於電暈處理中，放電量例如為10 W・min/m2 以上，較佳為50 W・min/m2 以上，更佳為100 W・min/m2 以上，又，例如為1000 W・min/m2 以下，較佳為300 W・min/m2 以下。
藉由將放電量設於上述範圍內，可更確實地去除來自承載膜之成分。放電量(W・min/m2 )藉由「[功率(W)]/[中間膜之搬送速度(m/min)]・[電極長(m)]」之式而算出。
於電漿處理及電暈處理中，放電電容例如可藉由適當設定功率、搬送速度、電極長等，而容易地調整。功率例如為100 W以上2000 W以下。中間膜3之搬送速度例如為1 m/min以上20 m/min以下。電極長(電極20上之膜之寬度方向長度)例如為0.3 m以上2.5 m以下。
於噴砂處理中，將氣體直接噴射至中間膜3。作為噴砂處理所用之氣體，例如，可列舉乾冰(二氧化碳)等。
藉此，如圖1H所示，獲得導電性膜1。導電性膜1依序具備第2金屬層11、第2透明導電層10、第2硬塗層9、透明基材、第1硬塗層6、第1透明導電層7及第1金屬層8。導電性膜1為雙面附金屬層之透明導電性膜。
於導電性膜1之上表面(即，第1金屬層8之上表面)，水接觸角例如為90度以下，較佳為86度以下，更佳為82度以下，進而較佳為78度以下，特佳為72度以下。若水接觸角為上述範圍，則附著於第1金屬層8之上表面之來自承載膜之成分被去除，因此，第1金屬層8之圖案化精度優異。
水接觸角藉由如下方式求出，即，向第1金屬層8之上表面滴加約1 μL之水滴，5秒後，對水滴與第1金屬層8之上表面所成之角度進行測定。
於導電性膜1之上表面，例如滿足下述(1)～(3)之至少1個要件。較佳為，滿足下述(1)～(3)之全部要件。
(1)C15 H23 O+ 相對於Cu+ 之相對強度為7.8×10-2 以下。
(2)C6 H13 + 相對於Cu+ 之相對強度為6.1×10-3 以下。
(3)C18 H35 O2 - 相對於Cu- 之相對強度為4.3×10-2 以下。
相對強度可使用TOF-SIMS(飛行時間型二次離子質譜法：Time-of-Flight Secondary Ion Mass Spectrometry)而測定。條件於實施例中詳述。
C15 H23 O+ 、C6 H13 + 、及C18 H35 O2 - 為來自承載膜之成分。具體而言，C15 H23 O+ 為來自承載膜4中所含之抗氧化劑之成分(二第三丁基羥基甲苯：BHT)，C6 H13 + 為來自承載膜4中所含之脂肪族烴之成分，C18 H35 O2 - 為來自承載膜4中所含之長鏈脂肪酸之成分。因此，若該等相對強度為上述上限以下，則導電性膜1之上表面之污染減少，因此，第1金屬層8之圖案化精度優異。
於導電性膜1之下表面(即，第2金屬層11之下表面)，水接觸角例如為90度以下，較佳為86度以下，更佳為82度以下，進而較佳為78度以下，特佳為72度以下。
再者，於上述步驟中，可每形成一層便捲繞於捲取輥。又，亦可不捲繞而連續實施直至形成硬塗層、透明導電層及金屬層，於形成金屬層後捲繞於捲取輥。
3.後續步驟(圖案化步驟) 導電性膜1其後根據需要如圖3A-F所示實施圖案化步驟。
圖案化步驟具備金屬層圖案化步驟、及導電層圖案化步驟。
金屬層圖案化步驟係對第1金屬層8及第2金屬層11進行圖案化。
即，以於第1金屬層8及第2金屬層11之俯視周端部(例如，觸控輸入區域外側之邊緣部)形成所需之圖案(例如，牽引配線)之方式，對該等金屬層(特別是俯視中央部)進行蝕刻。
作為對第1金屬層8進行圖案化之方法，具體而言，於第1金屬層8之整個上表面配置感光性之乾膜抗蝕劑15(圖3A)，繼而，將乾膜抗蝕劑15顯影成所需之圖案(配線圖案)(圖3B)，繼而，藉由蝕刻液等對自乾膜抗蝕劑15露出之第1金屬層8進行蝕刻(圖3C)，最後，去除乾膜抗蝕劑15(圖3D)。
另一方面，對第2金屬層11進行圖案化之方法亦與第1金屬層8相同。
藉此，如圖3E所示，由第1金屬層8形成第1圖案化金屬層8A，由第2金屬層11形成第2圖案化金屬層11A。
導電層圖案化步驟係對第1透明導電層7及第2透明導電層10進行圖案化。
例如，以形成所需之圖案(例如，觸控輸入區域之電極圖案或邊緣部之配線圖案)之方式，對自金屬層8A、11A露出之第1透明導電層7及第2透明導電層10(特別是俯視中央部)進行蝕刻。
具體而言，作為對第1透明導電層7進行圖案化之方法，於第1透明導電層7及第1圖案化金屬層8A之整個上表面配置感光性之乾膜抗蝕劑，繼而，將乾膜抗蝕劑顯影成所需之圖案(電極圖案或配線圖案)，繼而，藉由蝕刻液等對自乾膜抗蝕劑露出之第1透明導電層7進行蝕刻，最後，去除乾膜抗蝕劑。
另一方面，對第2透明導電層10進行圖案化之方法亦與第1透明導電層7相同。
藉此，如圖3F所示，由第1透明導電層7形成第1圖案化透明導電層7A，由第2透明導電層10形成第2圖案化透明導電層10A。
如此，獲得依序具備第2圖案化金屬層11A、第2圖案化透明導電層10A、第2硬塗層9、透明基材5、第1硬塗層6、第1圖案化透明導電層7A及第1圖案化金屬層8A之圖案化導電性膜1A。
4.用途 導電性膜1例如用於圖像顯示裝置所具備之觸控面板用基材。作為觸控面板之形式，例如，可列舉靜電電容方式、電阻膜方式等各種方式，特別是可良好地用於靜電電容方式之觸控面板。具體而言，例如，將作為導電性膜1之一實施形態之圖案化導電性膜1A用作觸控面板。
又，導電性膜1例如亦可良好地用於電泳方式、扭轉球方式、熱敏可再寫方式、光寫入液晶方式、高分子分散型液晶方式、賓主液晶方式、色粉顯示方式、變色方式、電場析出方式等之軟性顯示元件。
繼而，根據該導電性膜1之製造方法，第1金屬層8之圖案化精度優異。
於先前之導電性膜之製造方法中，即，於不實施清洗處理之製造方法中，於對第1金屬層進行圖案化時，於經圖案化之第1金屬層(例如，拉繞配線)產生缺陷等，圖案化精度不良。
本發明人等對該點進行積極研究，結果發現以下現象：第1金屬層與乾膜抗蝕劑之界面產生氣泡或污物(dirt)，於該部位，乾膜抗蝕劑自第1金屬層浮起，蝕刻液滲入至該部位。
繼而，對該發現進一步進行研究，結果獲得如下見解：於第1金屬層之表面附著有肉眼觀察不到之來自承載膜之成分(殘渣)。其中，特別是獲得如下見解：具備承載膜中所含之C15 H23 O+ 、C6 H13 + 及C18 H35 O2 - 之成分使上述界面產生氣泡，從而使圖案化精度降低。
基於該見解，本發明人等藉由對第1金屬層之表面實施乾洗處理而去除上述殘渣，從而抑制氣泡之產生等，而使圖案化精度提高。
再者，若為除乾洗以外之清洗方法、例如使用篩輥之清洗輥法或使用清洗液之濕式清洗法，則來自輥或清洗液之成分附著於第1金屬層之表面，難以解決上述問題。
5.變化例 參照圖4A-B，對本發明之導電性膜1之製造方法之一實施形態之變化例進行說明。再者，於變化例中，對與一實施形態相同之構件附以相同符號，並省略其說明。
(1)於圖1A-G所示之一實施形態中，不具備配置光學調整層之步驟，然而，例如，亦可如圖4A所示具備配置光學調整層(第1光學調整層12及第2光學調整層13)之步驟。
光學調整層係為了抑制透明導電層(第1透明導電層7及第2透明導電層層10)之圖案之視認並確保導電性膜1之優異之透明性而對導電性膜1之光學物性(例如，折射率)進行調整之層。
光學調整層之折射率分別例如為1.6以上，較佳為1.8以下。
配置光學調整層之步驟於(2)步驟與(3)步驟之間實施。
配置光學調整層之步驟具體而言係於第1硬塗層6之上表面配置第1光學調整層12，另一方面，於第2硬塗層9之下表面配置第2光學調整層13。
具體而言，於第1硬塗層6之上表面及第2硬塗層9之下表面，藉由例如濕式塗敷形成光學調整層。
藉此，如圖4B所示，獲得具備第1光學調整層12及第2光學調整層13之導電性膜1。
於該實施形態中，可配置光學調整層，可抑制圖案化透明導電層7A、10A之視認。
(2)於圖1A-G所示之一實施形態中，不具備於透明基材5之下側配置第2承載膜之步驟，然而，例如，雖未圖示，但亦可具備於透明基材5之下側、特別是於第2硬塗層9之下表面配置第2承載膜之步驟。
作為第2承載膜，可列舉上述承載膜4。
配置第2承載膜之步驟於(2)步驟與(3)步驟之間實施。第2承載膜於(4)步驟與(5)步驟之間被去除。
於該實施形態中，於配置第1透明導電層7及第1金屬層8之步驟中，可提高處理性，可將該等層確實地配置於透明基材5。上述情況特別是於透明基材5之厚度較薄之情形時(例如，55 μm以下)有效。
(3)於圖1A-G所示之一實施形態中，不具備退火步驟，然而，例如，雖未圖示，但亦可具備退火步驟。
退火步驟例如於(2)步驟與(3)步驟之間實施。
退火步驟時之溫度例如為60℃以上160℃以下。退火時間例如為3分鐘以上60分鐘以下。
於該實施形態中，可減少(3)步驟中之自圖1A-B之釋氣。又，亦可預先調整圖1A-B中之熱縮率。
(4)於圖1A-G所示之一實施形態中，不具備結晶化步驟，然而，例如，雖未圖示，但亦可具備結晶化步驟。
結晶化步驟藉由對透明導電層進行加熱，而將透明導電層自非晶狀態變成結晶狀態。
結晶化步驟例如於(5)步驟後實施。
加熱例如使用紅外線加熱器、烘箱等於大氣下實施。
加熱溫度例如為80℃以上200℃以下。加熱時間例如為3分鐘以上5小時以下。
於該實施形態中，可使透明導電層結晶化，從而使導電性膜1之導電性良好。
＜第2實施形態＞ 參照圖5A-F，對本發明之導電性膜1之製造方法之第2實施形態進行說明。再者，於該等實施形態中，對與上述第1實施形態相同之構件附以相同符號，並省略其說明。該等實施形態亦發揮與第1實施形態相同之作用效果。又，該等實施形態亦可同樣地應用第1實施形態之變化例。
第2實施形態之導電性膜1之製造方法例如具備準備步驟、及去除步驟。較佳為，該製造方法全部藉由卷對卷方式而實施。
1.準備步驟 於準備步驟中，如圖5A-E所示，準備積層體2。
第2實施形態之積層體2如圖5E所示，具備中間膜3、及配置於其下表面之承載膜4。
第2實施形態之中間膜3具備透明基材5、配置於透明基材5之上側之第1硬塗層6、配置於第1硬塗層6之上側之第1透明導電層7、及配置於第1透明導電層7之上側之第1金屬層8。即，中間膜3自下方依序具備透明基材5、第1硬塗層6、第1透明導電層7、及第1金屬層8。即，中間膜3係僅於透明基材5之單側依序具備透明導電層及金屬層之單面導電性膜。
承載膜4配置於中間膜3之下表面。更具體而言，承載膜4以與透明基材5之下表面接觸之方式，配置於透明基材5之整個下表面。
第2實施形態之承載膜4於上表面具有黏著性，除此以外，與第1實施形態之承載膜4相同。
(準備步驟) 準備步驟例如依序具備：(1')準備透明基材5之步驟；(2')於透明基材5之下表面配置承載膜4之步驟；(3')於透明基材5上配置硬塗層(第1硬塗層6)之步驟；(4')於第1硬塗層6之上表面依序配置第1透明導電層7及第1金屬層8之步驟；(5')捲繞積層體2之步驟；及(6')去除承載膜4之步驟。
(1')準備透明基材5之步驟如圖5A所示，與第1實施形態之(1)步驟相同。
(2')於透明基材5之下表面配置承載膜4之步驟 如圖5B所示，藉由使承載膜4之上表面(黏著面)與透明基材5之下表面接觸，而將透明基材5與承載膜4積層。
(3')於透明基材5上配置硬塗層之步驟 如圖5C所示，於透明基材5之上表面，藉由例如濕式塗敷形成第1硬塗層6。具體而言，與第1實施形態之(2)步驟相同。
(4')於第1硬塗層6之上表面依序配置第1透明導電層7及第1金屬層8之步驟如圖5D-E所示，與第1實施形態之(3)步驟相同。
藉此，獲得具備中間膜3、及配置於其下表面之承載膜4之積層體2(附承載膜之導電性膜)。
(5')捲繞積層體2之步驟 於捲繞積層體2之步驟中，例如藉由卷對卷方式將積層體2捲繞成卷狀。
藉此，於複數個積層體2於徑向上重疊之卷狀之積層體2中，承載膜4之下表面以與第1金屬層8之上表面接觸之方式配置。
(6')去除承載膜4之步驟 將卷狀之積層體2直線狀回卷後，如圖5E之假想線所示，以中間膜3之透明基材5之下表面與承載膜4之上表面相互分開之方式，剝離承載膜4。藉此，以單獨體之形式獲得中間膜3。
2.去除步驟 於去除步驟中，對中間膜3之第1金屬層8之上表面實施乾洗處理。詳細而言，與第1實施形態相同。
藉此，如圖5F所示，獲得導電性膜1。導電性膜1依序具備透明基材、第1硬塗層6、第1透明導電層7及第1金屬層8。導電性膜1為單面附金屬層之透明導電性膜。
導電性膜1之上表面及下表面之物性(例如，水接觸角)等與第1實施形態相同。
第2實施形態亦發揮與第1實施形態相同之作用效果。特別是於第2實施形態中，於導電性膜1之製作時，於卷對卷方式中，產生在每一步驟中捲繞成卷狀之情形，該情形時，可使與承載膜4接觸之第1金屬層8之圖案化精度良好。 [實施例]
以下示出實施例及比較例，對本發明更具體地進行說明。再者，本發明不限定於任何實施例及比較例。以下記載中所用之調配比率(含有比率)、物性值、參數等具體數值可代替成上述「實施方式」中記載之與其等對應之調配比率(含有比率)、物性值、參數等相應記載之上限值(定義成「以下」、「未達」之數值)或下限值(定義成「以上」、「超過」之數值)。
(實施例1) 準備厚度為55 μm之環烯烴聚合物膜(COP膜)作為透明基材5(參照圖1A)。
將紫外線硬化型丙烯酸樹脂及溶劑(乙酸乙酯)混合，而製備硬塗組合物塗佈液。於COP膜之上表面及下表面塗佈硬塗組合物塗佈液並使其乾燥後，照射紫外線。藉此，於COP膜之上表面及下表面形成厚度為1.3 μm之硬塗層(第1硬塗層6及第2硬塗層9)(參照圖1B)。
其次，將所得之積層體投入捲取式濺鍍裝置中，於第1硬塗層之上表面形成厚度為30 nm之第1透明導電層7(ITO層)(參照圖1C)。具體而言，於真空環境下，使用包含97質量%之氧化銦及3質量%之氧化錫之燒結體之ITO靶，對第1硬塗層6實施濺鍍。
其次，將所得之積層體投入捲取式濺鍍裝置中，於第1透明導電層7之上表面形成厚度為200 nm之第1金屬層8(銅層)(參照圖1D)。具體而言，於真空環境下，使用包含無氧銅之Cu靶，對第1透明導電層7實施濺鍍。
其次，於所得之積層體之第1金屬層8之上表面積層承載膜4(Futamura製造之「FSA020M」，厚度為35 μm)(參照圖1E)。
其次，於所得之積層體之第2硬塗層9之下表面，與上述相同地操作而形成第2透明導電層10(ITO層)及第2金屬層11(銅層)後，剝離承載膜4(參照圖1F-G)。藉此，獲得中間膜3。
其次，於表1所示之電漿處理之條件下，對中間膜3之第1金屬層8之上表面實施乾洗處理。再者，作為電漿處理裝置，使用積水化學工業公司製造之電漿表面處理裝置「RD640」(電極長540 mm)。
藉此，獲得實施例1之導電性膜1(參照圖1H)。 (實施例2～6) 將乾洗之條件變更為表1所示之條件，除此以外，與實施例1相同地操作，而獲得實施例之導電性膜。
(實施例7～9) 實施電暈處理代替電漿處理，除此以外，與實施例1相同地操作，而獲得實施例之導電性膜。作為電暈處理裝置，使用春日電機公司製造之電暈表面處理裝置(電極長430 mm)。電暈處理之條件如表1所示。於電暈處理中，氧氣之值表示濃度。
(比較例1) 不實施乾洗處理，除此以外，與實施例1相同地操作，而獲得比較例之導電性膜。
(水接觸角之測定) 使用接觸角計(協和界面科學公司製造，「DropMaster・DM500」)，向第1金屬層之上表面滴加約1.0 μL之水滴，5秒後，對水滴與第1金屬層之上表面所成之角度進行測定。將3次測定之平均值示於表1。
(利用TOF-SIMS之第1金屬層表面之測定) 對第1金屬層之上表面實施TOF-SIMS(飛行時間型二次離子質譜法)，測定(1)C15 H23 O+ 相對於Cu+ 之相對強度、(2)C6 H13 + 相對於Cu+ 之相對強度、及(3)C18 H35 O2 - 相對於Cu- 之相對強度。具體而言，於下述條件下進行測定。示於表1。
測定裝置：ION-TOF公司製造，「TOF SIMS 5」 一次離子：Bi32+ 加壓電壓：25 kV 測定面積：500 μm見方 再者，C15 H23 O+ 為來自承載膜4中所含之抗氧化劑(季戊四醇-四[3-(3,5-二第三丁基-4-羥基苯基)丙酸酯])之成分(BHT)，C6 H13 + 為來自承載膜中所含之脂肪族烴之成分，C18 H35 O2 - 為來自承載膜中所含之長鏈脂肪族酸之成分。
(圖案化評價) 對實施例及比較例之導電性膜之第1金屬層進行蝕刻。具體而言，於第1金屬層之上表面形成寬度1 cm間隔之條紋狀之乾膜抗蝕劑，利用蝕刻液對自乾膜露出之第1金屬層進行蝕刻。
此時，將於經圖案化之第1金屬層完全觀察不到缺陷之情形評價為◎，將雖觀察到極微小之缺陷但實際應用中無問題之情形評價為〇，將觀察到較大缺陷之情形評價為×。將結果表示於表1。
[表1]
[表1]
   處理 方式 頭數 氣體 放電量(Wmin/m2 ) 水接觸角(度) BHT成分 脂肪族烴成分 長鏈脂肪酸成分 圖案評價
氣體1[流量] 氣體2[流量] C15 H23 O+ C6 H13 + C18 H35 O2 -
實施例1 電漿 遠程 1 N2 [400 slm] O2 [100 ccm] 317 82 7.8×10- 2 1.2×10- 2 2.1×10- 1 〇
實施例2 電漿 遠程 1 N2 [400 slm] O2 [100 ccm] 452 56 1.0×10- 3 3.6×10- 3 0.0 ◎
實施例3 電漿 遠程 1 N2 [400 slm] O2 [100 ccm] 633 50 9.1×10- 4 5.7×10- 3 0.0 ◎
實施例4 電漿 遠程 1 N2 [400 slm] O2 [100 ccm] 1055 44 9.6×10- 4 6.1×10- 3 0.0 ◎
實施例5 電漿 遠程 1 N2 [400 slm] - 1055 78 1.3×10- 3 4.3×10- 3 4.3×10- 2 ◎
實施例6 電漿 遠程 3 N2 [50 slm] O2 [50 ccm] 275 42 6.3×10- 4 3.4×10- 3 0.0 ◎
實施例7 電暈 遠程 1 空氣 - 149 32 0.0 2.8×10- 3 0.0 ◎
實施例8 電暈 遠程 1 空氣 - 200 22 0.0 2.8×10- 3 0.0 ◎
實施例9 電暈 遠程 1 N2 O2 [200 ppm] 149 61 1.0×10- 3 3.6×10- 3 2.6×10- 2 ◎
比較例1 - - - - - - 96 8.3×10- 2 1.2×10- 2 2.2×10- 1 ×
1:導電性膜 1A:圖案化導電性膜 2:積層體 3:中間膜 4:承載膜 5:透明基材 6:第1硬塗層 7:第1透明導電層 7A:第1圖案化透明導電層 8:第1金屬層 8A:第1圖案化金屬層 9:第2硬塗層 10:第2透明導電層 10A:第2圖案化透明導電層 11:第2金屬層 11A:第2圖案化金屬層 12:第1光學調整層 13:第2光學調整層 15:乾膜抗蝕劑 20:電極 21:頭部
圖1A-H表示本發明之導電性膜之製造方法之第1實施形態之步驟圖，圖1A表示準備透明基材之步驟，圖1B表示配置硬塗層之步驟，圖1C表示配置第1透明導電層之步驟，圖1D表示配置第1金屬層之步驟，圖1E表示配置承載膜之步驟，圖1F表示配置第2透明導電層之步驟，圖1G表示配置第2金屬層之步驟，圖1H表示獲得導電性膜之步驟。 圖2A-C表示電漿處理之方式之立體圖及其側視圖，圖2A表示遠程方式，圖2B表示直接方式，圖2C表示探針方式。 圖3A-F表示本發明之圖案化導電性膜之製造方法之步驟圖，圖3A表示配置乾膜抗蝕劑之步驟，圖3B表示對乾膜抗蝕劑進行圖案化之步驟，圖3C表示對第1金屬層進行蝕刻之步驟，圖3D表示去除乾膜抗蝕劑之步驟，圖3E表示對第2金屬層進行蝕刻之步驟，圖3F表示對第1透明導電層及第2透明導電層進行蝕刻之步驟。 圖4A-B表示圖1H所示之導電性膜之製造方法之變化例，圖4A表示配置光學調整層之步驟，圖4B表示獲得圖1H所示之導電性膜之變化例(具備光學調整層之形態)之步驟。 圖5A-F表示本發明之導電性膜之製造方法之第2實施形態之步驟圖，圖5A表示準備透明基材之步驟，圖5B表示配置承載膜之步驟，圖5C表示配置硬塗層之步驟，圖5D表示配置第1透明導電層之步驟，圖5E表示配置第1金屬層之步驟，圖5F表示獲得導電性膜之步驟。
1:導電性膜
2:積層體
3:中間膜
4:承載膜
5:透明基材
6:第1硬塗層
7:第1透明導電層
8:第1金屬層
9:第2硬塗層
10:第2透明導電層
11:第2金屬層

Claims (6)

  1. 一種導電性膜之製造方法，其特徵在於具備如下步驟： 準備步驟，其準備具備中間膜及配置於上述中間膜之承載膜之積層體，該中間膜依序具備透明基材、第1透明導電層及第1金屬層；以及 去除步驟，其對上述第1金屬層實施乾洗處理而去除來自上述承載膜之成分。
  2. 如請求項1之導電性膜之製造方法，其中上述乾洗處理為電漿處理或電暈處理。
  3. 如請求項1之導電性膜之製造方法，其中上述去除步驟後之上述第1金屬層之水接觸角為90度以下。
  4. 如請求項1之導電性膜之製造方法，其於上述去除步驟後，滿足下述(1)～(3)之至少1個要件： (1)C15 H23 O+ 相對於Cu+ 之相對強度為7.8×10-2 以下； (2)C6 H13 + 相對於Cu+ 之相對強度為6.1×10-3 以下； (3)C18 H35 O2 - 相對於Cu- 之相對強度為4.3×10-2 以下。
  5. 如請求項1至4中任一項之導電性膜之製造方法，其中 上述準備步驟依序具備如下步驟： 於上述透明基材之厚度方向一側依序配置上述第1透明導電層及上述第1金屬層； 於上述第1金屬層之厚度方向一側配置上述承載膜； 於上述透明基材之厚度方向另一側依序配置第2透明導電層及第2金屬層；及 去除上述承載膜。
  6. 如請求項1至4中任一項之導電性膜之製造方法，其中 上述準備步驟依序具備如下步驟： 於上述透明基材之厚度方向另一側配置上述承載膜；及 於上述透明基材之厚度方向一側依序配置第1透明導電層及第1金屬層。
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